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WO2016190047A1 - 表面処理層を有する物品の製造方法 - Google Patents

表面処理層を有する物品の製造方法 Download PDF

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WO2016190047A1
WO2016190047A1 PCT/JP2016/063273 JP2016063273W WO2016190047A1 WO 2016190047 A1 WO2016190047 A1 WO 2016190047A1 JP 2016063273 W JP2016063273 W JP 2016063273W WO 2016190047 A1 WO2016190047 A1 WO 2016190047A1
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WO
WIPO (PCT)
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independently
integer
group
occurrence
silicon oxide
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2016/063273
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English (en)
French (fr)
Inventor
尚志 三橋
香織 小澤
雅聡 能勢
康雄 伊丹
雅人 森嶋
蒙懿 王
一希 山田
布瀬　暁志
円華 乙骨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to KR1020177021085A priority patent/KR20180001556A/ko
Priority to JP2017520584A priority patent/JP6601492B2/ja
Publication of WO2016190047A1 publication Critical patent/WO2016190047A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment

Definitions

  • the present invention relates to a method for producing an article having a surface treatment layer, particularly an article having a surface treatment layer obtained from a surface treatment agent containing a fluorine-containing silane compound.
  • Patent Document 1 describes a perfluoropolyether group-containing silane compound having a hydrolyzable group bonded to a Si atom at the molecular terminal or terminal part.
  • Patent Document 1 on the outermost surface of the substrate, forming a SiO 2 layer, by applying a surface treatment agent comprising a fluorine-containing silane compound in the SiO 2 layer on, to form a surface treatment layer.
  • the surface treatment layer is required to have high durability so as to provide a desired function to the base material over a long period of time. Since the layer obtained from the surface treatment agent containing a perfluoropolyether group-containing silane compound can exhibit the above-described functions even in a thin film, it is suitable for optical members such as glasses and touch panels that require optical transparency or transparency. In particular, these applications are required to further improve the friction durability.
  • Patent Document 1 As described in Patent Document 1, as a pretreatment when forming a surface treatment layer, a method of forming a SiO 2 layer on the outermost surface of a substrate and then applying a surface treatment agent thereon is known.
  • PVD method Physical Vapor Deposition
  • the present inventors may not have sufficient friction durability and sweat durability. I noticed.
  • an object of the present invention is to provide a method capable of producing an article having a surface treatment layer having more excellent friction durability and sweat durability (that is, acid and alkali resistance).
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • a substrate A silicon oxide layer located on the substrate; A method for producing an article comprising a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer, Forming a silicon oxide layer using a chemical vapor deposition method, and forming a surface treatment layer on the obtained silicon oxide layer using a surface treatment agent containing a fluorine-containing silane compound; A manufacturing method is provided.
  • a silicon oxide layer is formed, and a surface treatment layer is formed thereon, thereby having water repellency, oil repellency, antifouling properties, and excellent
  • An article comprising a surface treatment layer having friction resistance and sweat resistance can be produced.
  • the article manufactured by the manufacturing method of the present invention comprises a base material, a silicon oxide layer located on the base material, and a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer.
  • Substrates that can be used in the present invention include, for example, glass, sapphire glass, resin (natural or synthetic resin, such as a general plastic material, and may be a plate, film, or other form), metal ( It may be a single metal such as aluminum, copper, iron or a composite of an alloy, etc.), ceramics, semiconductor (silicon, germanium, etc.), fiber (woven fabric, non-woven fabric, etc.), fur, leather, wood, ceramics, stone, etc. It can be composed of any suitable material, such as a building member.
  • the substrate is glass.
  • soda lime glass alkali aluminosilicate glass, borosilicate glass, alkali-free glass, crystal glass, and quartz glass are preferable, chemically strengthened soda lime glass, chemically strengthened alkali aluminosilicate glass, and chemical bond Particularly preferred is borosilicate glass.
  • the shape of the substrate is not particularly limited. Further, the surface region of the substrate on which the silicon oxide layer and the surface treatment layer are to be formed may be at least part of the substrate surface, and is appropriately determined according to the use and specific specifications of the article to be manufactured. obtain.
  • Some layer (or film) such as a hard coat layer or an antireflection layer may be formed on the surface of the substrate.
  • the antireflection layer either a single-layer antireflection layer or a multilayer antireflection layer may be used.
  • inorganic materials that can be used for the antireflection layer include SiO 2 , SiO, ZrO 2 , TiO 2 , TiO, Ti 2 O 3 , Ti 2 O 5 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , CeO 2 , MgO. , Y 2 O 3 , SnO 2 , MgF 2 , WO 3 and the like. These inorganic substances may be used alone or in combination of two or more thereof (for example, as a mixture).
  • the article to be manufactured is an optical glass component for a touch panel
  • a thin film using a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide is provided on a part of the surface of the substrate (glass).
  • the base material is an insulating layer, an adhesive layer, a protective layer, a decorative frame layer (I-CON), an atomized film layer, a hard coating film layer, a polarizing film, a phase difference film, And a liquid crystal display module or the like.
  • the substrate may be pretreated before forming the silicon oxide layer on the substrate.
  • the pretreatment By performing the pretreatment, the adhesion between the base material and the silicon oxide layer is improved, and higher friction durability can be obtained.
  • the pretreatment is not particularly limited, and examples thereof include washing with an oxidant solution such as H 2 O 2 and H 2 SO 4 or an alcohol such as ethanol. Washing with a mixed solution of H 2 O 2 / H 2 SO 4 / H 2 O (1 to 5: 1 to 5: 1 to 20) or ethanol is preferable, and a mixture of H 2 O 2 / H 2 SO 4 / H 2 O is preferable. More preferred is washing with a solution.
  • SiO x silicon oxide
  • the silicon oxide layer is formed by a CVD method.
  • the CVD method is a method of forming a non-volatile film by supplying a raw material in a gaseous state and reacting it on the surface of a substrate.
  • Specific examples of the CVD method include plasma CVD, optical CVD, thermal CVD, and similar methods.
  • plasma CVD is used.
  • oxygen gas is preferably used as the oxygen source in the CVD method.
  • the carrier gas in the CVD method is appropriately selected according to the type of the CVD method, and for example, an inert gas such as nitrogen gas, argon gas, helium gas, or hydrogen gas is used.
  • the conditions for forming the silicon oxide layer by the CVD method are appropriately set according to the type of CVD method used, the thickness of the silicon oxide layer, and the like.
  • the silicon oxide layer is formed by plasma CVD, it is preferably performed under the following conditions.
  • RF (Radio Frequency) power density 0.5 to 2.0 W / cm 2 , preferably 0.7 to 1.5 W / cm 2 , for example 1.0 W / cm 2 ;
  • Substrate temperature 100-400 ° C., preferably 150-300 ° C., for example 200 ° C .;
  • Process pressure 50 to 500 Pa, preferably 100 to 300 Pa, for example 150 to 200 Pa;
  • the silicon oxide layer formed by the above CVD method may have a surface roughness (Ra: centerline average roughness) of preferably 0.2 nm or less, more preferably 0.15 nm or less.
  • the Ra is defined in JIS B0601: 1982.
  • the silicon oxide layer formed by the CVD method is preferably at least partly, more preferably 50% or more of the whole silicon oxide layer, and still more preferably 80% or more of the whole silicon oxide layer.
  • the amorphous state in the silicon oxide layer can be confirmed by measuring the intensity of a diffraction peak caused by a crystal by an X-ray diffraction method (XRD).
  • the silicon oxide layer formed by the CVD method preferably has a density of 2.25g / cm 3 ⁇ 2.60g / cm 3, more preferably 2.30g / cm 3 ⁇ 2.50g / cm 3 , even more preferably a density of 2.35g / cm 3 ⁇ 2.45g / cm 3, for example a density of 2.38g / cm 3 ⁇ 2.42g / cm 3.
  • the density of the silicon oxide layer can be measured by an X-ray reflectometry (XRR) method.
  • the silicon oxide layer formed by the CVD method has a hydrogen concentration in the film of preferably 1 at% or more, for example, 2 at% or more, 3 at% or more, 4 at% or more, or 5 at% or more, preferably 10 at% or less, For example, it is 9 at% or less, 8 at% or less, 7 at% or less, or 6 at% or less.
  • the hydrogen concentration in the film is 1 to 10 at%, 2 to 10 at%, 3 to 10 at%, 4 to 10 at%, or 5 to 10 at%, or 1 to 9 at%, 1 to 8 at%, 1 to 7 at%, or 1 It can be ⁇ 6 at%, alternatively 2-9 at%, 3-8 at%, 4-7 at%, or 5-6 at%.
  • the hydrogen concentration in the silicon oxide layer can be measured by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS).
  • the Si / O composition ratio (mol ratio) in the silicon oxide layer formed by the CVD method can be 1.5 or less, and preferably is greater than 0.5.
  • the Si / O composition ratio is preferably 0.6 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.3, such as 0.7 to 1.2, 0.8 to 1.3 or 0.8 to 1. .2.
  • the Si / O composition ratio in the silicon oxide layer can be measured by a Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) method.
  • the silicon oxide layer may be pretreated before forming the surface treatment layer on the obtained silicon oxide layer.
  • the adhesion between the silicon oxide layer and the surface treatment layer is improved, and higher friction durability can be obtained.
  • Examples of the pretreatment include ion cleaning.
  • the ion cleaning is not particularly limited, but oxygen ion cleaning and argon ion cleaning are preferable, and oxygen ion cleaning is more preferable.
  • Ion cleaning conditions may vary depending on the type of gas used, but oxygen ion cleaning is performed under the following conditions. However, the ion cleaning is not limited to the following conditions as long as impurities on the silicon oxide layer can be removed.
  • Oxygen ion cleaning conditions Accelerating voltage: 500 to 1500V, preferably 800 to 1200V, typically 1000V Acceleration current: 100 to 1000 mA, preferably 300 to 700 mA, typically 500 mA Gas amount: 10 to 100 sccm, preferably 30 to 70 sccm, typically 50 sccm Pressure: 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa to 1 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, typically 2 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa
  • a surface treatment layer is formed on the silicon oxide layer obtained above using a surface treatment agent containing a fluorine-containing silane compound.
  • the fluorine-containing silane compound preferably contains a perfluoropolyether group.
  • PFPE has the formula: -(OC 4 F 8 ) a- (OC 3 F 6 ) b- (OC 2 F 4 ) c- (OCF 2 ) d-
  • a, b, c and d are each independently an integer of 0 to 200, and the sum of a, b, c and d is at least 1, and the subscripts a, b, c or d
  • hydrocarbon group means a group containing carbon and hydrogen, and a group in which one hydrogen atom has been eliminated from a hydrocarbon.
  • Such hydrocarbon group is not particularly limited, but may be a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted by one or more substituents, such as an aliphatic hydrocarbon group, An aromatic hydrocarbon group etc. are mentioned.
  • the “aliphatic hydrocarbon group” may be linear, branched or cyclic, and may be either saturated or unsaturated.
  • the hydrocarbon group may also contain one or more ring structures.
  • Such a hydrocarbon group may have one or more N, O, S, Si, amide, sulfonyl, siloxane, carbonyl, carbonyloxy and the like at its terminal or molecular chain.
  • the substituent of the “hydrocarbon group” is not particularly limited, but includes, for example, a halogen atom; C 1-6 alkyl optionally substituted by one or more halogen atoms Group, C 2-6 alkenyl group, C 2-6 alkynyl group, C 3-10 cycloalkyl group, C 3-10 unsaturated cycloalkyl group, 5-10 membered heterocyclyl group, 5-10 membered unsaturated heterocyclyl And one or more groups selected from a group, a C 6-10 aryl group and a 5-10 membered heteroaryl group.
  • divalent to decavalent organic group means a divalent to decavalent group containing carbon.
  • a divalent to decavalent organic group is not particularly limited, and examples thereof include divalent to decavalent groups in which 1 to 9 hydrogen atoms are further eliminated from a hydrocarbon group.
  • the divalent organic group is not particularly limited, and examples thereof include a divalent group in which one hydrogen atom is further eliminated from a hydrocarbon group.
  • perfluoropolyether group-containing silane compounds represented by the above formulas (A1), (A2), (B1), (B2), (C1), (C2), (D1) and (D2) will be described below. .
  • — (OC 4 F 8 ) — represents — (OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 ) —, — (OCF (CF 3 ) CF 2 CF 2 ) —, — (OCF 2 CF (CF 3 ) CF 2 )-,-(OCF 2 CF 2 CF (CF 3 ))-,-(OC (CF 3 ) 2 CF 2 )-,-(OCF 2 C (CF 3 ) 2 )-,-(OCF (CF 3 ) CF (CF 3 ))-,-(OCF (C 2 F 5 ) CF 2 )-and-(OCF 2 CF (C 2 F 5 ))-may be used, but preferably — (OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 ) —.
  • -(OC 3 F 6 )- is any of-(OCF 2 CF 2 CF 2 )-,-(OCF (CF 3 ) CF 2 )-and-(OCF 2 CF (CF 3 ))- Preferably, it is — (OCF 2 CF 2 CF 2 ) —.
  • — (OC 2 F 4 ) — may be any of — (OCF 2 CF 2 ) — and — (OCF (CF 3 )) —, preferably — (OCF 2 CF 2 ) —. is there.
  • PFPE is — (OC 3 F 6 ) b — (wherein b is an integer of 1 to 200, preferably 5 to 200, more preferably 10 to 200),
  • — (OCF 2 CF 2 CF 2 ) b — (wherein b is an integer of 1 to 200, preferably 5 to 200, more preferably 10 to 200) or — (OCF (CF 3 ) CF 2 ) b — (wherein b is an integer of 1 to 200, preferably 5 to 200, more preferably 10 to 200), more preferably — (OCF 2 CF 2 CF 2 ) b- (wherein b is an integer of 1 to 200, preferably 5 to 200, more preferably 10 to 200).
  • PFPE has the following structure:-(OC 4 F 8 ) a- (OC 3 F 6 ) b- (OC 2 F 4 ) c- (OCF 2 ) d- (wherein a and b are each independently And c and d are each independently an integer of 1 to 200, preferably 5 to 200, more preferably 10 to 200, and the subscripts a, b, c Or the order of presence of each repeating unit in parentheses with d attached is arbitrary in the formula), preferably — (OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 ) a — (OCF 2 CF 2 CF 2 ) b- (OCF 2 CF 2 ) c- (OCF 2 ) d- .
  • PFPE is — (OC 2 F 4 ) c — (OCF 2 ) d — (wherein c and d are each independently 1 or more and 200 or less, preferably 5 or more and 200 or less, more preferably Is an integer of 10 or more and 200 or less, and the order of presence of each repeating unit in parentheses with the subscript c or d is arbitrary in the formula).
  • PFPE is a group represented by — (OC 2 F 4 —R 15 ) n ′′ —.
  • R 15 represents OC 2 F 4 , OC 3 F 6 and OC 4 F.
  • 8 is a group selected from, or independent of .OC 2 F 4, OC 3 F 6 and OC 4 F 8 is a combination of two or three groups independently selected from these groups The combination of 2 or 3 groups selected is not particularly limited.
  • n ′′ is an integer of 2 to 100, preferably an integer of 2 to 50 is there.
  • OC 2 F 4 , OC 3 F 6 and OC 4 F 8 may be either linear or branched, preferably linear.
  • the PFPE is preferably — (OC 2 F 4 —OC 3 F 6 ) n ′′ — or — (OC 2 F 4 —OC 4 F 8 ) n ′′ —.
  • Rf represents an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be substituted with one or more fluorine atoms.
  • alkyl group having 1 to 16 carbon atoms in the alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be substituted with one or more fluorine atoms may be linear or branched. Preferably, it is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
  • Rf is preferably an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, which is substituted with one or more fluorine atoms, more preferably a CF 2 H—C 1-15 fluoroalkylene group, still more preferably Is a perfluoroalkyl group having 1 to 16 carbon atoms.
  • the perfluoroalkyl group having 1 to 16 carbon atoms may be linear or branched, and preferably has 1 to 6 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms. 3 perfluoroalkyl group, more preferably a linear perfluoroalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, specifically —CF 3 , —CF 2 CF 3 , or —CF 2 CF 2 CF 3 . .
  • R 1 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 22 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, at each occurrence.
  • R 2 independently represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group at each occurrence.
  • R examples include unsubstituted alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group and isobutyl group; substituted alkyl groups such as chloromethyl group.
  • an alkyl group, particularly an unsubstituted alkyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
  • the hydroxyl group is not particularly limited, but may be a group produced by hydrolysis of a hydrolyzable group.
  • R 11 independently represents a hydrogen atom or a halogen atom at each occurrence.
  • the halogen atom is preferably an iodine atom, a chlorine atom or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.
  • R 12 each independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group.
  • the lower alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group.
  • n is independently an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2, more preferably 0 for each (-SiR 1 n R 2 3-n ) unit. However, in the formula, all n are not 0 simultaneously. In other words, at least one R 2 is present in the formula.
  • ⁇ is an integer of 1 to 9
  • ⁇ ′ is an integer of 1 to 9.
  • These ⁇ and ⁇ ′ can vary depending on the valence of X 1 .
  • the sum of ⁇ and ⁇ ′ is the same as the valence of X 1 .
  • X 1 is a 10-valent organic group
  • the sum of ⁇ and ⁇ ′ is 10, for example, ⁇ is 9 and ⁇ ′ is 1, ⁇ is 5 and ⁇ ′ is 5, or ⁇ is 1 and ⁇ 'Can be nine.
  • ⁇ and ⁇ ′ are 1.
  • alpha is a value obtained by subtracting 1 from the valence of X 1.
  • X 1 is preferably 2 to 7 valent, more preferably 2 to 4 valent, and still more preferably a divalent organic group.
  • X 1 is a divalent to tetravalent organic group
  • ⁇ is 1 to 3
  • ⁇ ′ is 1.
  • X 1 is a divalent organic group
  • ⁇ is 1
  • ⁇ ′ is 1.
  • the formulas (A1) and (A2) are represented by the following formulas (A1 ′) and (A2 ′).
  • Examples of X 1 are not particularly limited, but for example, the following formula: -(R 31 ) p ' -(X a ) q'- [Where: R 31 represents a single bond, — (CH 2 ) s ′ — or o-, m- or p-phenylene group, preferably — (CH 2 ) s ′ — s ′ is an integer of 1 to 20, preferably an integer of 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 3, and even more preferably 1 or 2.
  • X a represents-(X b ) l ' - X b is independently at each occurrence —O—, —S—, o—, m- or p-phenylene, —C (O) O—, —Si (R 33 ) 2 —, — ( Si (R 33 ) 2 O) m ′ —Si (R 33 ) 2 —, —CONR 34 —, —O—CONR 34 —, —NR 34 — and — (CH 2 ) n ′ —
  • R 33 each independently represents a phenyl group, a C 1-6 alkyl group or a C 1-6 alkoxy group, preferably a phenyl group or a C 1-6 alkyl group, and more preferably a methyl group.
  • R 34 each independently represents a hydrogen atom, a phenyl group or a C 1-6 alkyl group (preferably a methyl group) at each occurrence;
  • m ′ is independently an integer of 1 to 100, preferably an integer of 1 to 20, at each occurrence,
  • n ′ is independently an integer of 1 to 20, preferably an integer of 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 3, at each occurrence.
  • X 1 is — (R 31 ) p ′ — (X a ) q ′ —R 32 —.
  • R 32 represents a single bond, — (CH 2 ) t ′ — or o-, m- or p-phenylene group, and preferably — (CH 2 ) t ′ —.
  • t ′ is an integer of 1 to 20, preferably an integer of 2 to 6, more preferably an integer of 2 to 3.
  • R 32 (typically a hydrogen atom of R 32 ) is substituted with one or more substituents selected from a fluorine atom, a C 1-3 alkyl group and a C 1-3 fluoroalkyl group. It may be.
  • X 1 is A C 1-20 alkylene group, -R 31 -X c -R 32- , or -X d -R 32- [Wherein, R 31 and R 32 are as defined above. ] It can be.
  • said X 1 is A C 1-20 alkylene group, -(CH 2 ) s' -X c- , -(CH 2 ) s ' -X c- (CH 2 ) t'- -X d- , or -X d- (CH 2 ) t ' - [Wherein, s ′ and t ′ are as defined above]. ] It is.
  • X c is -O-, -S-, -C (O) O-, -CONR 34 -, -O-CONR 34 -, -Si (R 33 ) 2- , -(Si (R 33 ) 2 O) m ' -Si (R 33 ) 2- , —O— (CH 2 ) u ′ — (Si (R 33 ) 2 O) m ′ —Si (R 33 ) 2 —, —O— (CH 2 ) u ′ —Si (R 33 ) 2 —O—Si (R 33 ) 2 —CH 2 CH 2 —Si (R 33 ) 2 —O—Si (R 33 ) 2 —, —O— (CH 2 ) u ′ —Si (OCH 3 ) 2 OSi (OCH 3 ) 2 —, —CONR 34 — (CH 2 ) u ′ — (Si (Si (OC
  • X d is -S-, -C (O) O-, -CONR 34 -, —CONR 34 — (CH 2 ) u ′ — (Si (R 33 ) 2 O) m ′ —Si (R 33 ) 2 —, —CONR 34 — (CH 2 ) u ′ —N (R 34 ) —, or —CONR 34 — (o-, m- or p-phenylene) -Si (R 33 ) 2 — [Wherein each symbol is as defined above. ] Represents.
  • said X 1 is A C 1-20 alkylene group, — (CH 2 ) s ′ —X c — (CH 2 ) t ′ —, or —X d — (CH 2 ) t ′ — [Wherein each symbol is as defined above. ] It can be.
  • said X 1 is A C 1-20 alkylene group, — (CH 2 ) s ′ —O— (CH 2 ) t ′ —, - (CH 2) s' - (Si (R 33) 2 O) m '-Si (R 33) 2 - (CH 2) t' -, — (CH 2 ) s ′ —O— (CH 2 ) u ′ — (Si (R 33 ) 2 O) m ′ —Si (R 33 ) 2 — (CH 2 ) t ′ —, or — (CH 2 ) s′— O— (CH 2 ) t ′ —Si (R 33 ) 2 — (CH 2 ) u ′ —Si (R 33 ) 2 — (C v H 2v ) —
  • R 33 , m ′, s ′, t ′ and u ′ are as defined above, and v is
  • — (C v H 2v ) — may be linear or branched.
  • the X 1 group is substituted with one or more substituents selected from a fluorine atom, a C 1-3 alkyl group, and a C 1-3 fluoroalkyl group (preferably a C 1-3 perfluoroalkyl group). May be.
  • the X 1 group can be other than an —O—C 1-6 alkylene group.
  • examples of X 1 groups include the following groups: [Wherein, each R 41 independently represents a hydrogen atom, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a C 1-6 alkoxy group, preferably a methyl group; D is —CH 2 O (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 —, —CF 2 O (CH 2 ) 3 —, -(CH 2 ) 2- , -(CH 2 ) 3- , - (CH 2) 4 -, -CONH- (CH 2 ) 3- , -CON (CH 3 )-(CH 2 ) 3- , —CON (Ph) — (CH 2 ) 3 — (wherein Ph represents phenyl), and (In the formula, each R 42 independently represents a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group or a C 1-6 alkoxy group, preferably a methyl group or a methoxy group, more
  • X 1 include, for example: —CH 2 O (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 —, —CH 2 O (CH 2 ) 6 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 OSi (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 —, -CH 2 O (CH 2) 3 Si (CH 3) 2 OSi (CH 3) 2 OSi (CH 3) 2 (CH 2) 2 -, -CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2- , —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 3 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 3 Si (CH 3 ) 2 (CH
  • X 1 is a group represented by the formula: — (R 16 ) x — (CFR 17 ) y — (CH 2 ) z —.
  • x, y and z are each independently an integer of 0 to 10, the sum of x, y and z is 1 or more, and the order in which each repeating unit enclosed in parentheses is in the formula Is optional.
  • R 16 is independently an oxygen atom, phenylene, carbazolylene, —NR 26 — (wherein R 26 represents a hydrogen atom or an organic group) or a divalent organic group at each occurrence. is there.
  • R 16 is an oxygen atom or a divalent polar group.
  • the “divalent polar group” is not particularly limited, but —C (O) —, —C ( ⁇ NR 27 ) —, and —C (O) NR 27 — (in these formulas, R 27 is Represents a hydrogen atom or a lower alkyl group).
  • the “lower alkyl group” is, for example, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, n-propyl, and these may be substituted with one or more fluorine atoms.
  • R 71 represents R a ′ independently at each occurrence.
  • R a ′ has the same meaning as R a .
  • Si is connected to the linear through the Z group is a five at the maximum. That is, in the above R a , when at least one R 71 is present, there are two or more Si atoms linearly linked via a Z group in R a , The maximum number of Si atoms connected in a chain is five.
  • the "number of Si atoms linearly linked via a Z group in R a" is equal to -Z-Si- repeating number of which is connected to a linear during R a.
  • * means a site bonded to Si of the main chain, and ... means that a predetermined group other than ZSi is bonded, that is, all three bonds of Si atoms are ... In this case, it means the end point of ZSi repetition.
  • the number on the right shoulder of Si means the number of appearances of Si connected in a straight line through the Z group counted from *. That is, the chain in which ZSi repeat is completed in Si 2 has “the number of Si atoms linearly linked through the Z group in Ra ”, and similarly, Si 3 , Si 4 And the chain in which the ZSi repetition is completed in Si 5 has “number of Si atoms linearly linked through the Z group in R a ” being 3, 4 and 5, respectively.
  • R a but ZSi chain there are multiple, they need not be all the same length, each may be of any length.
  • the number of Si atoms connected linearly via the Z group in R a is one (left formula) or two (right formula) in all chains. Formula).
  • the number of Si atoms connected in a straight chain via a Z group in R a is 1 or 2, preferably 1.
  • R 72 independently represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group at each occurrence.
  • hydrolyzable group as used herein means a group capable of undergoing a hydrolysis reaction.
  • hydrolyzable groups include —OR, —OCOR, —O—N ⁇ C (R) 2 , —N (R) 2 , —NHR, halogen (wherein R is substituted or unsubstituted Represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), preferably —OR (alkoxy group).
  • R include unsubstituted alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group and isobutyl group; substituted alkyl groups such as chloromethyl group.
  • an alkyl group particularly an unsubstituted alkyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
  • the hydroxyl group is not particularly limited, but may be a group produced by hydrolysis of a hydrolyzable group.
  • R b represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group independently at each occurrence.
  • R b is preferably a hydroxyl group, —OR, —OCOR, —O—N ⁇ C (R) 2 , —N (R) 2 , —NHR, halogen (in these formulas, R is substituted or unsubstituted)
  • An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms preferably —OR.
  • R includes an unsubstituted alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and an isobutyl group; and a substituted alkyl group such as a chloromethyl group.
  • Preferred compounds represented by the formulas (C1) and (C2) are represented by the following formulas (C1 ′′) and (C2 ′′): [Where: Each PFPE is independently of the formula: -(OC 4 F 8 ) a- (OC 3 F 6 ) b- (OC 2 F 4 ) c- (OCF 2 ) d- Wherein a, b, c and d are each independently an integer of 0 to 200, and the sum of a, b, c and d is at least 1, and the subscripts a, b, c or d The order of existence of each repeating unit with parentheses attached with is arbitrary in the formula.) A group represented by: Rf independently represents each alkyl group having 1 to 16 carbon atoms which may be substituted with one or more fluorine atoms at each occurrence; X 7 represents —CH 2 O (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 — or —CH 2 O (CH 2
  • X 9 each independently represents a single bond or a divalent to 10-valent organic group.
  • the X 9 is a perfluoropolyether part (ie, Rf-PFPE part or -PFPE-part) mainly providing water repellency and surface slipperiness in the compounds represented by the formulas (D1) and (D2). It is understood that this is a linker that connects a moiety that provides a binding ability to the substrate (that is, a group that is bracketed with ⁇ ). Therefore, X 9 may be any organic group as long as the compounds represented by formulas (D1) and (D2) can exist stably.
  • ⁇ is an integer of 1 to 9
  • ⁇ ′ is an integer of 1 to 9.
  • [delta] and [delta] ' may vary depending on the valence of X 9.
  • the sum of [delta] and [delta] ' is the same as the valence of X 9.
  • X is a 10-valent organic group
  • the sum of ⁇ and ⁇ ′ is 10, for example, ⁇ is 9 and ⁇ ′ is 1, ⁇ is 5 and ⁇ ′ is 5, or ⁇ is 1 and ⁇ ′.
  • X 9 is a divalent organic group
  • ⁇ and ⁇ ′ are 1.
  • [delta] is a value obtained by subtracting 1 from the valence of X 9.
  • X 9 is preferably 2 to 7 valent, more preferably 2 to 4 valent, and still more preferably a divalent organic group.
  • X 9 is a divalent organic group, ⁇ is 1 and ⁇ ′ is 1.
  • the formulas (D1) and (D2) are represented by the following formulas (D1 ′) and (D2 ′).
  • Examples of X 9 are not particularly limited, and examples thereof include those similar to those described with respect to X 1 .
  • preferable specific X 9 is —CH 2 O (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 —, —CH 2 O (CH 2 ) 6 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 OSi (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 —, -CH 2 O (CH 2) 3 Si (CH 3) 2 OSi (CH 3) 2 OSi (CH 3) 2 (CH 2) 2 -, -CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 2 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2- , —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 3 Si (CH 3 ) 2 (CH 2 ) 2 —, —CH 2 O (CH 2 ) 3 Si (CH 3 ) 2 O (Si (CH 3 ) 2 O) 3 Si (CH 3 ) 2 (CH 2
  • R d independently represents —Z 2 —CR 81 p2 R 82 q2 R 83 r2 at each occurrence.
  • Z 2 represents an oxygen atom or a divalent organic group independently at each occurrence.
  • Z 2 is preferably a C 1-6 alkylene group, — (CH 2 ) g —O— (CH 2 ) h — (wherein g is an integer of 0 to 6, for example, an integer of 1 to 6). And h is an integer from 0 to 6, for example an integer from 1 to 6, or -phenylene- (CH 2 ) i- (where i is an integer from 0 to 6), and more A C 1-3 alkylene group is preferred. These groups may be substituted with, for example, one or more substituents selected from a fluorine atom, a C 1-6 alkyl group, a C 2-6 alkenyl group, and a C 2-6 alkynyl group. .
  • R 81 independently represents R d ′ at each occurrence.
  • R d ′ has the same meaning as R d .
  • R d the maximum number of C linked in a straight chain via the Z 2 group is 5. That is, the in R d, when R 81 is present at least one, but Si atoms linked in R d in Z 2 group via a linear there are two or more, via such Z 2 group The maximum number of C atoms connected in a straight line is five.
  • the phrase "through the Z 2 group in R d number of C atoms linearly linked" is equal to the number of repetitions of -Z 2 -C- being linearly linked in a R d Become. This is the same as the description regarding R a in the formulas (C1) and (C2).
  • R 82 represents —Y—SiR 85 n2 R 86 3-2n .
  • Y represents a divalent organic group independently at each occurrence.
  • Y is a C 1-6 alkylene group, — (CH 2 ) g ′ —O— (CH 2 ) h ′ — (wherein g ′ is an integer from 0 to 6, for example from 1 to 6 Is an integer, h ′ is an integer from 0 to 6, for example, an integer from 1 to 6, or —phenylene- (CH 2 ) i ′ — (where i ′ is an integer from 0 to 6) ).
  • These groups may be substituted with, for example, one or more substituents selected from a fluorine atom, a C 1-6 alkyl group, a C 2-6 alkenyl group, and a C 2-6 alkynyl group. .
  • R 5 represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group independently at each occurrence.
  • hydrolyzable group as used herein means a group capable of undergoing a hydrolysis reaction.
  • hydrolyzable groups include —OR, —OCOR, —O—N ⁇ C (R) 2 , —N (R) 2 , —NHR, halogen (wherein R is substituted or unsubstituted Represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms), preferably —OR (alkoxy group).
  • R include unsubstituted alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group and isobutyl group; substituted alkyl groups such as chloromethyl group.
  • an alkyl group particularly an unsubstituted alkyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
  • the hydroxyl group is not particularly limited, but may be a group produced by hydrolysis of a hydrolyzable group.
  • n2 independently represents an integer of 0 to 3, preferably an integer of 1 to 3, more preferably 2 or 3, and even more preferably, for each unit (-Y-SiR 85 n2 R 86 3-n2 ). 3.
  • R 83 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group independently at each occurrence.
  • the lower alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably a methyl group.
  • At least one of the terminal ends of R d is —C (—Y—SiR 85 q2 R 86 r2 ) 2 or —C (—Y—SiR 85 q2 R 86 r2 ) 3 , preferably —C ( may be -Y-SiR 85 q2 R 86 r2 ) 3.
  • (- Y-SiR 85 q2 R 86 r2) units is preferably (-Y-SiR 85 3).
  • the terminal portions of R d may be all —C (—Y—SiR 85 q2 R 86 r2 ) 3 , preferably —C (—Y—SiR 85 3 ) 3 .
  • R f independently represents a hydrogen atom or a lower alkyl group at each occurrence.
  • the lower alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably a methyl group.
  • the perfluoro (poly) ether group-containing silane compound represented by the formula (D1) or the formula (D2) can be produced by combining known methods.
  • the compound represented by the formula (D1 ′) in which X is divalent is not limited, but can be produced as follows.
  • a group containing a double bond preferably a polyhydric alcohol represented by HO—X—C (YOH) 3 (wherein X and Y are each independently a divalent organic group)) Is allyl), and halogen (preferably bromo), and Hal—X—C (Y—O—R—CH ⁇ CH 2 ) 3 (where Hal is halogen, eg Br, R is A double bond-containing halide represented by a valent organic group such as an alkylene group.
  • R PFPE —OH a perfluoropolyether group-containing alcohol represented by R PFPE —OH (wherein R PFPE is a perfluoropolyether group-containing group), and R PFPE ⁇ O—X—C (Y—O—R—CH ⁇ CH 2 ) 3 is obtained.
  • the terminal —CH ⁇ CH 2 is then reacted with HSiCl 3 and alcohol or HSiR 85 3 to give R PFPE —O—X—C (Y—O—R—CH 2 —CH 2 —SiR 85 3 ) 3 Can be obtained.
  • the “number average molecular weight” is measured by GPC (gel permeation chromatography) analysis.
  • the surface treatment agent used in the present invention may be diluted with a solvent.
  • a solvent is not particularly limited.
  • Rf 1 represents a C 1-16 alkyl group (preferably a C 1-16 perfluoroalkyl group) optionally substituted by one or more fluorine atoms
  • Rf 2 represents Represents a C 1-16 alkyl group (preferably a C 1-16 perfluoroalkyl group) optionally substituted by one or more fluorine atoms, a fluorine atom or a hydrogen atom
  • Rf 1 and Rf 2 Are more preferably each independently a C 1-3 perfluoroalkyl group.
  • the perfluoropolyether compound represented by the above general formula (3) may be a compound represented by any one of the following general formulas (3a) and (3b) (one kind or a mixture of two or more kinds).
  • Rf 1 and Rf 2 are as described above; in formula (3a), b ′′ is an integer of 1 to 100; in formula (3b), a ′′ and b ′′ are Each independently represents an integer of 0 or more and 30 or less, for example, 1 or more and 30 or less, and c ′′ and d ′′ are each independently an integer of 1 or more and 300 or less.
  • the order of existence of each repeating unit with subscripts a ′′, b ′′, c ′′, d ′′ and parentheses is arbitrary in the formula.
  • the fluorine-containing oil may have an average molecular weight of 1,000 to 30,000. Thereby, high surface slipperiness can be obtained.
  • the fluorine-containing oil is based on a total of 100 parts by mass of the perfluoropolyether group-containing silane compound (in the case of two or more, respectively, the same applies to the following). For example, 0 to 500 parts by mass, preferably 0 to 400 parts by mass, more preferably 5 to 300 parts by mass.
  • the compound represented by the general formula (3a) and the compound represented by the general formula (3b) may be used alone or in combination. It is preferable to use the compound represented by the general formula (3b) rather than the compound represented by the general formula (3a) because higher surface slip properties can be obtained.
  • the mass ratio of the compound represented by the general formula (3a) and the compound represented by the general formula (3b) is preferably 1: 1 to 1:30, and preferably 1: 1 to 1 : 10 is more preferable. According to such a mass ratio, a surface treatment layer having an excellent balance between surface slipperiness and friction durability can be obtained.
  • the fluorine-containing oil contains one or more compounds represented by the general formula (3b).
  • the mass ratio of the sum of the perfluoropolyether group-containing silane compounds in the surface treatment agent to the compound represented by the formula (3b) is preferably 10: 1 to 1:10, and preferably 4: 1 to 1: 4 is more preferable.
  • the average molecular weight of the compound represented by the formula (3a) is preferably 2,000 to 8,000.
  • the average molecular weight of the compound represented by the formula (3b) is preferably 8,000 to 30,000.
  • the average molecular weight of the compound represented by formula (3b) is preferably 3,000 to 8,000.
  • the fluorine-containing oil may be a compound represented by the general formula Rf 3 -F (wherein Rf 3 is a C 5-16 perfluoroalkyl group).
  • a chlorotrifluoroethylene oligomer may be sufficient.
  • the compound represented by Rf 3 -F and the chlorotrifluoroethylene oligomer are a compound represented by a fluorine-containing compound having a carbon-carbon unsaturated bond at the molecular end, the terminal of which is a C 1-16 perfluoroalkyl group. This is preferable in that high affinity can be obtained.
  • Fluorine-containing oil contributes to improving the surface slipperiness of the surface treatment layer.
  • the silicone oil for example, a linear or cyclic silicone oil having a siloxane bond of 2,000 or less can be used.
  • the linear silicone oil may be so-called straight silicone oil and modified silicone oil.
  • the straight silicone oil include dimethyl silicone oil, methylphenyl silicone oil, and methylhydrogen silicone oil.
  • modified silicone oil include those obtained by modifying straight silicone oil with alkyl, aralkyl, polyether, higher fatty acid ester, fluoroalkyl, amino, epoxy, carboxyl, alcohol and the like.
  • Examples of the cyclic silicone oil include cyclic dimethylsiloxane oil.
  • the catalyst accelerates the hydrolysis and dehydration condensation of the perfluoropolyether group-containing silane compound and promotes the formation of the surface treatment layer.
  • a film of a surface treatment agent containing a fluorine-containing silane compound is formed on the surface of the silicon oxide layer, and this film is post-treated as necessary, whereby the surface treatment is performed.
  • the method of forming a layer is mentioned.
  • the film formation of the surface treatment agent can be performed by applying the surface treatment agent to the surface of the silicon oxide layer so as to cover the surface.
  • the coating method is not particularly limited. For example, wet coating methods and dry coating methods can be used.
  • wet coating methods include dip coating, spin coating, flow coating, spray coating, roll coating, gravure coating and similar methods.
  • the CVD method include plasma-CVD, optical CVD, thermal CVD, and similar methods.
  • the PVD method is preferable, and the evaporation method such as resistance heating evaporation or electron beam evaporation is preferable, and electron beam evaporation is more preferable.
  • the PVD method a surface treatment layer having higher friction durability can be obtained.
  • the surface treatment agent used in the present invention can be diluted with a solvent and then applied to the substrate surface.
  • the following solvents are preferably used: C 5-12 perfluoroaliphatic hydrocarbons (eg, perfluorohexane, perfluoromethyl) Cyclohexane and perfluoro-1,3-dimethylcyclohexane); polyfluoroaromatic hydrocarbons (eg bis (trifluoromethyl) benzene); polyfluoroaliphatic hydrocarbons (eg C 6 F 13 CH 2 CH 3 (eg Asahi Culin (registered trademark AC-6000) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., 1,1,2,2,3,4,4-heptafluorocyclopentane (for example, ZEOLOR (registered trademark) H manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) Hydrofluorocarbon (H
  • the surface treatment agent used in the present invention may be directly subjected to the dry coating method, or may be diluted with the above-described solvent and then subjected to the dry coating method.
  • the solvent in the surface treatment agent may be removed in advance. By removing the solvent, a surface treatment layer having higher friction durability can be obtained.
  • the temperature during distillation under reduced pressure is preferably 0 to 200 ° C., more preferably 10 to 80 ° C.
  • the pressure at the time of distillation under reduced pressure is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa to 1 ⁇ 10 3 Pa, more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 1 ⁇ 10 2 Pa.
  • the film formation is preferably carried out so that the surface treatment agent is present in the film together with a catalyst for hydrolysis and dehydration condensation.
  • a catalyst for hydrolysis and dehydration condensation for simplicity, in the case of the wet coating method, after diluting the surface treatment agent with a solvent, the catalyst may be added to the diluted solution of the surface treatment agent immediately before application to the substrate surface.
  • the catalyst-treated surface treatment agent is directly vapor-deposited (usually vacuum deposition), or a pellet form in which a porous metal such as iron or copper is impregnated with the catalyst-treated surface treatment agent. Vapor deposition (usually vacuum deposition) may be performed using a substance.
  • any suitable acid or base can be used for the catalyst.
  • the acid catalyst for example, acetic acid, formic acid, trifluoroacetic acid and the like can be used.
  • a base catalyst ammonia, organic amines, etc. can be used, for example.
  • the membrane is post-treated as necessary.
  • this post-processing is not specifically limited, For example, a water supply and drying heating may be implemented sequentially, and it may be implemented as follows in detail.
  • the method for supplying moisture is not particularly limited, and for example, methods such as dew condensation due to a temperature difference between the precursor film (and the substrate) and the surrounding atmosphere, or spraying of steam (steam) may be used.
  • the supply of moisture is, for example, 0 to 250 ° C., preferably 60 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 180 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower.
  • the pressure at this time is not specifically limited, it can be simply a normal pressure.
  • Post-processing can be performed as described above. It should be noted that such post-treatment can be performed to further improve friction durability, but is not essential for producing the articles of the present invention. For example, after applying the surface treatment agent to the substrate surface, it may be left still.
  • the surface treatment layer derived from the film of the surface treatment agent of the present invention is formed on the surface of the substrate, and the article of the present invention is manufactured.
  • the surface treatment layer obtained by this has high friction durability.
  • this surface treatment layer has water repellency, oil repellency, antifouling properties (for example, preventing adhesion of dirt such as fingerprints), depending on the composition of the surface treatment agent used.
  • As a functional thin film it can be waterproof (to prevent water from entering electronic parts, etc.), surface slippery (or lubricity, for example, wiping off dirt such as fingerprints, and excellent touch to fingers). It can be suitably used.
  • the article obtained by the present invention is not particularly limited, but may be an optical member.
  • the optical member include the following optical members: For example, a cathode ray tube (CRT: eg, TV, personal computer monitor), liquid crystal display, plasma display, organic EL display, inorganic thin film EL dot matrix display, rear projection type Display such as display, fluorescent display tube (VFD), field emission display (FED), front protective plate, antireflection plate, polarizing plate, antiglare plate, or antireflection film treatment on the surface of these displays Lenses such as eyeglasses; Touch panel sheets for devices such as mobile phones and personal digital assistants; Disc surfaces of optical discs such as Blu-ray (registered trademark) discs, DVD discs, CD-Rs, and MOs; Optical fa Eber: Clock display surface.
  • Articles obtained by the present invention can further include ceramic products, coated surfaces, fabric products, leather products, medical products, plasters, etc.
  • the article obtained by the present invention may be a medical device or a medical material.
  • the thickness of the surface treatment layer is not particularly limited. In the case of an optical member, the thickness of the surface treatment layer is in the range of 1 to 50 nm, preferably 1 to 30 nm, more preferably 1 to 15 nm. Optical performance, surface slipperiness, friction durability, and antifouling properties From the point of view, it is preferable.
  • the above-mentioned article of the present invention has high friction durability and high acid-alkali resistance, and depending on the composition of the surface treatment agent used, water repellency, oil repellency, antifouling (for example, adhesion of dirt such as fingerprints) ), Waterproofness (preventing water intrusion into electronic parts, etc.), surface slipperiness (or lubricity, for example, wiping off dirt such as fingerprints, and excellent touch feeling to fingers).
  • the article of the present invention is characterized in that a silicon oxide layer on which a surface treatment layer is formed is formed by a chemical vapor deposition method, and this feature provides excellent surface slip and acid-alkali resistance.
  • a silicon oxide layer on which a surface treatment layer is formed is formed by a chemical vapor deposition method, and this feature provides excellent surface slip and acid-alkali resistance.
  • a silicon oxide layer having a specific Ra By forming a silicon oxide layer by a CVD method, a silicon oxide layer having a specific Ra, a silicon oxide layer having an amorphous structure, a silicon oxide layer having a specific density, or a specific hydrogen concentration in the film A silicon oxide layer can be formed.
  • the present invention provides a substrate, a silicon oxide layer located on the substrate, An article comprising a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer, Provided is an article characterized in that the silicon oxide layer has a surface roughness (Ra: center line average roughness) of 0.2 nm or less.
  • Ra can be 0.15 nm or less.
  • the present invention provides a substrate, a silicon oxide layer located on the substrate, An article comprising a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer, An article is provided wherein at least a portion of the silicon oxide layer is amorphous.
  • the silicon oxide layer may be amorphous at 50% or more of the entire silicon oxide layer, more preferably 80% or more of the entire silicon oxide layer.
  • the density of the silicon oxide layer is 2.30g / cm 3 ⁇ 2.50g / cm 3, preferably a density of 2.35g / cm 3 ⁇ 2.45g / cm 3, for example 2.38g / Cm 3 to 2.42 g / cm 3 .
  • the present invention provides a substrate, a silicon oxide layer located on the substrate, An article comprising a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer, Provided is an article characterized in that the hydrogen concentration in the film of the silicon oxide layer is 1 to 10 at%.
  • the hydrogen concentration in the film of the silicon oxide layer is 2 at% or more, 3 at% or more, 4 at% or more or 5 at% or more, 9 at% or less, 8 at% or less, 7 at% or less or 6 at% or less.
  • the hydrogen concentration in the silicon oxide layer is 1 to 10 at%, 2 to 10 at%, 3 to 10 at%, 4 to 10 at%, or 5 to 10 at%, or 1 to 9 at%, 1 to 8 at%, 1 It can be ⁇ 7 at% or 1 to 6 at%, or 2 to 9 at%, 3 to 8 at%, 4 to 7 at%, or 5 to 6 at%.
  • the present invention provides a substrate, a silicon oxide layer located on the substrate, An article comprising a surface treatment layer formed on the silicon oxide layer, There is provided an article characterized in that the Si / O composition ratio (mol ratio) in the silicon oxide layer is 0.6 to 1.5.
  • the Si / O composition ratio in the silicon oxide layer may be 1.5 or less, preferably greater than 0.5.
  • the Si / O composition ratio is preferably 0.6 to 1.5, more preferably 0.7 to 1.3, such as 0.7 to 1.2, 0.8 to 1.3 or 0.8 to 1. .2.
  • Comparative Example 1 The silicon oxide layer and the surface treatment layer were formed on the substrate in the same manner as in Example 1 except that the silicon oxide layer was formed by the PVD method (electron beam (EB) deposition) instead of being formed by the CVD method.
  • Friction durability evaluation The static contact angle of water was measured for the surface treatment layers of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 described above. The static contact angle of water was measured with 1 ⁇ L of water using a contact angle measuring device (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.).
  • steel wool friction durability evaluation was carried out as friction durability evaluation. Specifically, the base material on which the surface treatment layer is formed is horizontally arranged, and steel wool (count # 0000, dimensions 5 mm ⁇ 10 mm ⁇ 10 mm) is brought into contact with the exposed upper surface of the surface treatment layer, and 1,000 gf of the steel wool is placed thereon. A load was applied, and then the steel wool was reciprocated with the load applied (distance: 120 mm (reciprocation), speed: 60 rpm). The static contact angle (degree) of water was measured at every fixed number of reciprocations. The evaluation was stopped when the measured value of the contact angle was less than 100 degrees. The results are shown in the table below.
  • Comparative Example 4 Except that 0.25 mg of surface treating agent (that is, containing 0.05 mg of a perfluoropolyether group-containing silane compound) was vapor deposited per piece of chemically strengthened glass (55 mm ⁇ 100 mm), the same as Comparative Example 3 An article having a silicon oxide and a surface treatment layer on the substrate was obtained. The film thickness of the silicon oxide layer measured with an ellipsometer was 15 nm.
  • Example 1 to 3 in which the silicon oxide layer was formed using the CVD method were superior in friction durability to Comparative Examples 1 to 3 using the PVD method, It was confirmed that Example 4 was superior to Comparative Example 4 and superior in acid and alkali durability. That is, by forming the surface treatment layer on the silicon oxide layer formed by the CVD method, it is possible to form a surface treatment layer having better friction durability and more excellent acid and alkali resistance. Was confirmed.
  • the present invention can be suitably used for producing an article comprising a surface treatment layer having high friction durability and acid and alkali resistance on the surface.

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Abstract

本発明は、基材と、該基材上に位置するケイ素酸化物層と、該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成することを含む製造方法に関する。

Description

表面処理層を有する物品の製造方法
　本発明は、表面処理層を有する物品、特に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる表面処理層を有する物品の製造方法に関する。
　ある種の含フッ素化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、建築資材など種々多様な基材に施されている。
　そのような含フッ素シラン化合物として、パーフルオロポリエーテル基を分子主鎖に有し、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が知られている。例えば、特許文献１には、Ｓｉ原子に結合した加水分解可能な基を分子末端または末端部に有するパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物が記載されている。特許文献１では、基材の最表面に、ＳｉＯ２層を形成し、このＳｉＯ２層上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を適用して、表面処理層を形成している。
特開２０１３－１１７０１２号公報
　表面処理層には、所望の機能を基材に対して長期に亘って提供するべく、高い耐久性が求められる。パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層は、上記のような機能を薄膜でも発揮し得ることから、光透過性ないし透明性が求められるメガネやタッチパネルなどの光学部材に好適に利用されており、とりわけこれらの用途において、摩擦耐久性の一層の向上が要求されている。
　特許文献１に記載のように、表面処理層を形成する際の前処理として、基材の最表面にＳｉＯ２層を形成し、次いで、その上に表面処理剤を適用する方法が知られているが、本発明者らは、上記のＳｉＯ２層が、物理気相成長法（ＰＶＤ法：Physical Vapor Deposition）により形成されている場合、摩擦耐久性および汗耐久性が十分でない場合があることに気付いた。
　従って、本発明は、より摩擦耐久性および汗耐久性（即ち、酸、アルカリ耐性）に優れた表面処理層を有する物品を製造することができる方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、鋭意検討した結果、基材の最外層に形成されるケイ素酸化物層を、真空蒸着等のＰＶＤ法ではなく、化学気相成長法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することにより、より摩擦耐久性および汗耐久性に優れた表面処理層を有する物品を提供できることを見出した。
　本発明の第１の要旨によれば、基材と、
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品の製造方法であって、
　化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
　得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
を含む製造方法が提供される。
　本発明の第２の要旨によれば、上記の製造方法により得られた物品が提供される。
　本発明によれば、ＣＶＤ法を利用して、ケイ素酸化物層を形成し、その上に表面処理層を形成することにより、撥水性、撥油性、防汚性を有し、かつ、優れた摩擦耐久性および汗耐久性を有する表面処理層を有して成る物品を製造することができる。
　以下、本発明の製造方法について説明する。
　本発明の製造方法により製造される物品は、基材と、該基材上に位置するケイ素酸化物層と、該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層とを有して成る。
　まず、基材を準備する。本発明に使用可能な基材は、例えばガラス、サファイアガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属（アルミニウム、銅、鉄等の金属単体または合金等の複合体であってよい）、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。好ましくは、基材は、ガラスである。
　上記ガラスとしては、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。
　基材の形状は特に限定されない。また、ケイ素酸化物層および表面処理層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。
　基材の表面には何らかの層（または膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層および多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｇＦ２、ＷＯ３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、またはこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。製造すべき物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ－ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、および液晶表示モジュールなどを有していてもよい。
　一の態様において、基材上にケイ素酸化物層を形成する前に、基材を前処理してもよい。前処理を行うことにより、基材とケイ素酸化物層との密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。
　前処理としては、特に限定されないが、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２ＳＯ４等の酸化剤溶液、またはエタノール等のアルコールでの洗浄が挙げられる。Ｈ２Ｏ２／Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ混合溶液（１～５：１～５：１～２０）またはエタノールでの洗浄が好ましく、Ｈ２Ｏ２／Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ混合溶液での洗浄がより好ましい。
　次に、かかる基材の表面に、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）層を形成する。
　ケイ素酸化物層は、ＣＶＤ法により形成される。ＣＶＤ法とは、原料となる物質を気体状態で供給し、これを基材表面で反応させて非揮発性膜を形成する方法である。ＣＶＤ法の具体例としては、プラズマＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。好ましくは、プラズマＣＶＤが用いられる。
　ＣＶＤ法におけるケイ素源としては、ケイ素化合物が用いられる。ケイ素化合物の例としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６等のシラン化合物、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン等の有機ケイ素化合物などが挙げられる。好ましくは、ＳｉＨ４が用いられる。
　ＣＶＤ法における酸素源としては、好ましくは酸素ガスが用いられる。
　ＣＶＤ法におけるキャリアガスは、ＣＶＤ法の種類に応じて適宜選択され、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス、または水素ガス等が用いられる。
　ＣＶＤ法によるケイ素酸化物層の形成条件は、用いるＣＶＤ法の種類、ケイ素酸化物層の膜厚等に応じて、適宜設定される。例えば、ケイ素酸化物層をプラズマＣＶＤにより形成する場合、下記条件で行うことが好ましい。
　ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Fｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワー密度：０．５～２．０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは０．７～１．５Ｗ／ｃｍ２、例えば１．０Ｗ／ｃｍ２；
　基板温度：１００～４００℃、好ましくは１５０～３００℃、例えば２００℃；
　プロセス圧力：５０～５００Ｐａ、好ましくは１００～３００Ｐａ、例えば１５０～２００Ｐａ；
　材料ガス流量比（体積比）：
　　ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ＝１：１０～１：１００、好ましくは１：２０～１：５０、例えば１：２５～１：３５；
　　ＳｉＨ４：Ｈ２＝１：５０～１：５００、好ましくは１：８０～１：３００、例えば１：１００～１：２００。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層の膜厚は、特に限定されないが、５～１００ｎｍが好ましく、５～７０ｎｍがより好ましく、１０～４０ｎｍがさらに好ましく、１０～２０ｎｍがさらにより好ましい。ケイ素酸化物層の膜厚を、上記の範囲とすることにより、ケイ素酸化物層上により高い摩擦耐久性を有する表面処理層を形成することができる。尚、本明細書において、ケイ素環化物層の膜厚は、エリプソメーター（Ellipsometer）により測定した値とする。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が、好ましくは０．２ｎｍ以下であり、より好ましくは０．１５ｎｍ以下であり得る。尚、上記Ｒａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：１９８２に規定されている。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは少なくとも一部、より好ましくはケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスである。ケイ素酸化物層中のアモルファスは、Ｘ線回折法（ＸＲＤ：X-ray diffraction）より結晶起因の回折ピークの強度を測定することにより確認することができる。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、好ましくは２．２５ｇ／ｃｍ３～２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有し、より好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ３～２．５０ｇ／ｃｍ３、さらに好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ３～２．４５ｇ／ｃｍ３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ３～２．４２ｇ／ｃｍ３の密度を有する。ケイ素酸化物層の密度は、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ：X-ray Reflectometry）により測定することができる。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層は、膜中水素濃度が、好ましくは１ａｔ％以上、例えば２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、好ましくは１０ａｔ％以下、例えば９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下である。例えば、膜中水素濃度は、１～１０ａｔ％、２～１０ａｔ％、３～１０ａｔ％、４～１０ａｔ％または５～１０ａｔ％、あるいは１～９ａｔ％、１～８ａｔ％、１～７ａｔ％または１～６ａｔ％、あるいは２～９ａｔ％、３～８ａｔ％、４～７ａｔ％、または５～６ａｔ％であり得る。ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）により測定することができる。
　上記ＣＶＤ法により形成されるケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６～１．５、より好ましくは０．７～１．３、例えば０．７～１．２、０．８～１．３または０．８～１．２であり得る。ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Rutherford Backscattering Spectrometry）法により測定することができる。
　一の態様において、得られたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を前処理してもよい。前処理を行うことにより、ケイ素酸化物層と表面処理層の密着性が向上し、より高い摩擦耐久性を得ることができる。
　前処理としては、例えば、イオンクリーニングが挙げられる。イオンクリーニングとしては、特に限定されないが、酸素イオンクリーニングおよびアルゴンイオンクリーニングが好ましく、酸素イオンクリーニングがより好ましい。
　イオンクリーニングの条件は、用いるガスの種類により変化し得るが、酸素イオンクリーニングの場合は、以下の条件下で行われる。ただし、イオンクリーニングは、ケイ素酸化物層上の不純物を除去できればよく、下記条件に限定されるものではない。
（酸素イオンクリーニング条件）
・加速電圧：５００～１５００Ｖ、好ましくは８００～１２００Ｖ、代表的には１０００Ｖ
・加速電流：１００～１０００ｍＡ、好ましくは３００～７００ｍＡ、代表的には５００ｍＡ
・ガス量：１０～１００ｓｃｃｍ、好ましくは３０～７０ｓｃｃｍ、代表的には５０ｓｃｃｍ
・圧力：１×１０－３Ｐａ～１×１０－１Ｐａ、好ましくは１×１０－２Ｐａ～５×１０－２Ｐａ、代表的には２×１０－２Ｐａ
　次に、上記で得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成する。
　上記含フッ素シラン化合物は、好ましくはパーフルオロポリエーテル基を含有し、例えば、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 ［式中：
　ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基を表し；
　Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
　Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｎは、（－ＳｉＲ１ ｎＲ２ ３－ｎ）単位毎に独立して、０～３の整数であり；
　ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
　Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
　ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１～１０の整数であり；
　αは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　α’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　βは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　β’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　γは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　γ’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒを表し；
　Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
　Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
　Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
　Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
　Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ただし、（Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒ）単位において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
　Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１～３の整数であり；
　ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
　ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
　ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
　Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　δは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　δ’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ２－ＣＲ８１ ｐ２Ｒ８２ ｑ２Ｒ８３ ｒ２を表し；
　Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
　Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
　Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
　Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
　Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２を表し；
　Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
　Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｎ２は、（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２）単位毎に独立して、０～３の整数を表し；
　Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２を表し；
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
　ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
で表される１種またはそれ以上の化合物である。
　本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、炭化水素から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１～２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。
　本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ１－６アルキル基、Ｃ２－６アルケニル基、Ｃ２－６アルキニル基、Ｃ３－１０シクロアルキル基、Ｃ３－１０不飽和シクロアルキル基、５～１０員のヘテロシクリル基、５～１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ６－１０アリール基および５～１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。
　本明細書において用いられる場合、「２～１０価の有機基」とは、炭素を含有する２～１０価の基を意味する。かかる２～１０価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基からさらに１～９個の水素原子を脱離させた２～１０価の基が挙げられる。例えば、２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。
　以下、上記式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物について説明する。
　式（Ａ１）および（Ａ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　上記式中、ＰＦＰＥは、－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－であり、パーフルオロポリエーテル基に該当する。ここに、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０または１以上の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数、例えば１～２００の整数であり、より好ましくは、それぞれ独立して０以上１００以下の整数である。また、好ましくは、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、－（ＯＣ４Ｆ８）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））－、－（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－である。－（ＯＣ３Ｆ６）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－である。また、－（ＯＣ２Ｆ４）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ（ＣＦ３））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２）－である。
　一の態様において、ＰＦＰＥは、－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、好ましくは、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ－（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）または－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｂ－（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、より好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ－（式中、ｂは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。
　別の態様において、ＰＦＰＥは、－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－（式中、ａおよびｂは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であり、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ－（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－である。一の態様において、ＰＦＰＥは、－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であってもよい。
　さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、－（ＯＣ２Ｆ４－Ｒ１５）ｎ”－で表される基である。式中、Ｒ１５は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ４Ｆ８－、－ＯＣ４Ｆ８ＯＣ４Ｆ８－、－ＯＣ４Ｆ８ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６－、－ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４－、および－ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４－等が挙げられる。上記ｎ”は、２～１００の整数、好ましくは２～５０の整数である。上記式中、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、ＰＦＰＥは、好ましくは、－（ＯＣ２Ｆ４－ＯＣ３Ｆ６）ｎ”－または－（ＯＣ２Ｆ４－ＯＣ４Ｆ８）ｎ”－である。
　上記式中、Ｒｆは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表す。
　上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基における「炭素数１～１６のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１～６、特に炭素数１～３のアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１～３のアルキル基である。
　上記Ｒｆは、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されている炭素数１～１６のアルキル基であり、より好ましくはＣＦ２Ｈ－Ｃ１－１５フルオロアルキレン基であり、さらに好ましくは炭素数１～１６のパーフルオロアルキル基である。
　該炭素数１～１６のパーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１～６、特に炭素数１～３のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１～３のパーフルオロアルキル基、具体的には－ＣＦ３、－ＣＦ２ＣＦ３、または－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３である。
　上記式中、Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基、好ましくは炭素数１～４のアルキル基を表す。
　上記式中、Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
　上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、－ＯＲ、－ＯＣＯＲ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ２、－ＮＲ２、－ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１～４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは－ＯＲ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
　上記式中、Ｒ１１は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
　上記式中、Ｒ１２は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
　上記式中、ｎは、（－ＳｉＲ１ ｎＲ２ ３－ｎ）単位毎に独立して、０～３の整数であり、好ましくは０～２であり、より好ましくは０である。ただし、式中、すべてのｎが同時に０になることはない。換言すれば、式中、少なくとも１つはＲ２が存在する。
　上記式中、Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表す。当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ－ＰＦＰＥ部または－ＰＦＰＥ－部）と、基材との結合能を提供するシラン部（即ち、αを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
　上記式中、αは１～９の整数であり、α’は１～９の整数である。これらαおよびα’は、Ｘ１の価数に応じて変化し得る。式（Ａ１）においては、αおよびα’の和は、Ｘ１の価数と同じである。例えば、Ｘ１が１０価の有機基である場合、αおよびα’の和は１０であり、例えばαが９かつα’が１、αが５かつα’が５、またはαが１かつα’が９となり得る。また、Ｘ１が２価の有機基である場合、αおよびα’は１である。式（Ａ２）においては、αはＸ１の価数から１を引いた値である。
　上記Ｘ１は、好ましくは２～７価であり、より好ましくは２～４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。
　一の態様において、Ｘ１は２～４価の有機基であり、αは１～３であり、α’は１である。
　別の態様において、Ｘ１は２価の有機基であり、αは１であり、α’は１である。この場合、式（Ａ１）および（Ａ２）は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　上記Ｘ１の例としては、特に限定するものではないが、例えば、下記式：
　　　－（Ｒ３１）ｐ’－（Ｘａ）ｑ’－
［式中：
　Ｒ３１は、単結合、－（ＣＨ２）ｓ’－またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ２）ｓ’－であり、
　ｓ’は、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
　Ｘａは、－（Ｘｂ）ｌ’－を表し、
　Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、－ＣＯＮＲ３４－、－Ｏ－ＣＯＮＲ３４－、－ＮＲ３４－および－（ＣＨ２）ｎ’－からなる群から選択される基を表し、
　Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ１－６アルキル基またはＣ１－６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ１－６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
　Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１－６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
　ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１～１００の整数、好ましくは１～２０の整数であり、
　ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
　ｌ’は、１～１０の整数、好ましくは１～５の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
　ｐ’は、０または１であり、
　ｑ’は、０または１であり、
　ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の基が挙げられる。ここに、Ｒ３１およびＸａ（典型的にはＲ３１およびＸａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１－３アルキル基およびＣ１－３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　好ましくは、上記Ｘ１は、－（Ｒ３１）ｐ’－（Ｘａ）ｑ’－Ｒ３２－である。Ｒ３２は、単結合、－（ＣＨ２）ｔ’－またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ２）ｔ’－である。ｔ’は、１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。ここに、Ｒ３２（典型的にはＲ３２の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１－３アルキル基およびＣ１－３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１－２０アルキレン基、
－Ｒ３１－Ｘｃ－Ｒ３２－、または
－Ｘｄ－Ｒ３２－
［式中、Ｒ３１およびＲ３２は、上記と同意義である。］
であり得る。
　より好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｘｃ－、
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｘｃ－（ＣＨ２）ｔ’－
－Ｘｄ－、または
－Ｘｄ－（ＣＨ２）ｔ’－
［式中、ｓ’およびｔ’は、上記と同意義である。］
である。
　上記式中、Ｘｃは、
－Ｏ－、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ３４－、
－Ｏ－ＣＯＮＲ３４－、
－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－Ｏ－（ＣＨ２）u’－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－Ｏ－（ＣＨ２）u’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ３３）２－ＣＨ２ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ３３）２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－Ｏ－（ＣＨ２）u’－Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２－、
－ＣＯＮＲ３４－（ＣＨ２）u’－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－ＣＯＮＲ３４－（ＣＨ２）u’－Ｎ（Ｒ３４）－、または
－ＣＯＮＲ３４－（ｏ－、ｍ－またはｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ３３）２－
［式中、Ｒ３３、Ｒ３４およびｍ’は、上記と同意義であり、
　ｕ’は１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。］を表す。Ｘｃは、好ましくは－Ｏ－である。
　上記式中、Ｘｄは、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ３４－、
－ＣＯＮＲ３４－（ＣＨ２）u’－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－、
－ＣＯＮＲ３４－（ＣＨ２）u’－Ｎ（Ｒ３４）－、または
－ＣＯＮＲ３４－（ｏ－、ｍ－またはｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ３３）２－
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
を表す。
　より好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｘｃ－（ＣＨ２）ｔ’－、または
－Ｘｄ－（ＣＨ２）ｔ’－
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。
　さらにより好ましくは、上記Ｘ１は、
Ｃ１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｏ－（ＣＨ２）ｔ’－、
－（ＣＨ２）ｓ’－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－（ＣＨ２）ｔ’－、
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｏ－（ＣＨ２）u’－（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－（ＣＨ２）ｔ’－、または
－（ＣＨ２）ｓ’－Ｏ－（ＣＨ２）ｔ’－Ｓｉ（Ｒ３３）２ －（ＣＨ２）u’－Ｓｉ（Ｒ３３）２－（ＣvＨ２v）－
［式中、Ｒ３３、ｍ’、ｓ’、ｔ’およびｕ’は、上記と同意義であり、ｖは１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。］
である。
　上記式中、－（ＣvＨ２v）－は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－であり得る。
　上記Ｘ１基は、フッ素原子、Ｃ１－３アルキル基およびＣ１－３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ１－３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　一の態様において、Ｘ１基は、－Ｏ－Ｃ１－６アルキレン基以外であり得る。
　別の態様において、Ｘ１基としては、例えば下記の基が挙げられる：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ［式中、Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、またはＣ１－６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
　Ｄは、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）4－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１－６のアルキル基またはＣ１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
　Ｅは、－（ＣＨ２）ｎ－（ｎは２～６の整数）であり、
　Ｄは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合し、Ｅは、ＰＦＰＥと反対の基に結合する。］
　上記Ｘ１の具体的な例としては、例えば：
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－
－ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）４－、
－（ＣＨ２）５－、
－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－Ｓ－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－ＯＣＨ２－、
－Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＯＣＦＨＣＦ２－、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 などが挙げられる。
　さらに別の態様において、Ｘ１は、式：－（Ｒ１６）ｘ－（ＣＦＲ１７）ｙ－（ＣＨ２）ｚ－で表される基である。式中、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立して、０～１０の整数であり、ｘ、ｙおよびｚの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
　上記式中、Ｒ１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、－ＮＲ２６－（式中、Ｒ２６は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ１６は、酸素原子または２価の極性基である。
　上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（＝ＮＲ２７）－、および－Ｃ（Ｏ）ＮＲ２７－（これらの式中、Ｒ２７は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１～６のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピルであり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。
　上記式中、Ｒ１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１～６、好ましくは炭素数１～３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１～３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。
　この態様において、Ｘ１は、好ましくは、式：－（Ｏ）ｘ－（ＣＦ２）ｙ－（ＣＨ２）ｚ－（式中、ｘ、ｙおよびｚは、上記と同意義であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である）で表される基である。
　上記式：－（Ｏ）ｘ－（ＣＦ２）ｙ－（ＣＨ２）ｚ－で表される基としては、例えば、－（Ｏ）ｘ’－（ＣＨ２）ｚ”－Ｏ－［（ＣＨ２）ｚ’’’－Ｏ－］ｚ””、および－（Ｏ）ｘ’－（ＣＦ２）ｙ”－（ＣＨ２）ｚ”－Ｏ－［（ＣＨ２）ｚ’’’－Ｏ－］ｚ””（式中、ｘ’は０または１であり、ｙ”、ｚ”およびｚ’’’は、それぞれ独立して、１～１０の整数であり、ｚ””は、０または１である）で表される基が挙げられる。なお、これらの基は左端がＰＦＰＥ側に結合する。
　別の好ましい態様において、Ｘ１は、－Ｏ－ＣＦＲ１３－（ＣＦ２）ｅ－である。
　上記Ｒ１３は、それぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表す。低級フルオロアルキル基は、例えば炭素数１～３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１～３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。
　上記ｅは、それぞれ独立して、０または１である。
　一の具体例において、Ｒ１３はフッ素原子であり、ｅは１である。
　さらに別の態様において、Ｘ１基の例として、下記の基が挙げられる：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ［式中、
　Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、またはＣ１－６アルコキシ基好ましくはメチル基であり；
　各Ｘ１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合する以下の基：
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）4－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ［式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１－６のアルキル基またはＣ１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥと反対の基（即ち、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）においては炭素原子、また、下記する式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）および（Ｃ２）においてはＳｉ原子）に結合する－（ＣＨ２）ｎ”－（ｎ”は２～６の整数）であり、存在する場合、残りは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基またはＣ１－６アルコキシ基である。
　この態様において、Ｘ１、Ｘ５、Ｘ７およびＸ９は、それぞれ独立して、３～１０価の有機基であり得る。
　上記式中、ｔは、それぞれ独立して、１～１０の整数である。好ましい態様において、ｔは１～６の整数である。別の好ましい態様において、ｔは２～１０の整数であり、好ましくは２～６の整数である。
　上記式中、Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表す。Ｘ２は、好ましくは、炭素数１～２０のアルキレン基であり、より好ましくは、－（ＣＨ２）ｕ－（式中、ｕは、０～２の整数である）である。
　好ましい式（Ａ１）および（Ａ２）で示される化合物は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 ［式中：
　ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり； 
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基を表し；
　Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
　Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｎは、０～２の整数であり、好ましくは０であり；
　Ｘ１は、－Ｏ－ＣＦＲ１３－（ＣＦ２）ｅ－であり； 
　Ｒ１３は、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり；
　ｅは、０または１であり；
　Ｘ２は、－（ＣＨ２）ｕ－であり；
　ｕは、０～２の整数であり；
　ｔは、１～１０の整数である。］
で表される化合物である。
　上記式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ－ＰＦＰＥ－部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端にヨウ素を導入した後、－ＣＨ２ＣＲ１２（Ｘ２－ＳｉＲ１ ｎＲ２ ３－ｎ）－に対応するビニルモノマーを反応させることにより得ることができる。
　式（Ｂ１）および（Ｂ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ１、Ｒ２およびｎは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
　上記式中、Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表す。当該Ｘ５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ－ＰＦＰＥ部または－ＰＦＰＥ－部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、－ＳｉＲ１ ｎＲ２ ３－ｎ）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ５は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
　上記式中のβは、１～９の整数であり、β’は、１～９の整数である。これらβおよびβ’は、Ｘ３の価数に応じて決定され、式（Ｂ１）において、βおよびβ’の和は、Ｘ５の価数と同じである。例えば、Ｘ５が１０価の有機基である場合、βおよびβ’の和は１０であり、例えばβが９かつβ’が１、βが５かつβ’が５、またはβが１かつβ’が９となり得る。また、Ｘ５が２価の有機基である場合、βおよびβ’は１である。式（Ｂ２）において、βはＸ５の価数の値から１を引いた値である。
　上記Ｘ５は、好ましくは２～７価、より好ましくは２～４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
　一の態様において、Ｘ５は２～４価の有機基であり、βは１～３であり、β’は１である。
　別の態様において、Ｘ５は２価の有機基であり、βは１であり、β’は１である。この場合、式（Ｂ１）および（Ｂ２）は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記Ｘ５の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
　中でも、好ましい具体的なＸ５は、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－
－ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）４－、
－（ＣＨ２）５－、
－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－Ｓ－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－ＯＣＨ２－、
－Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＯＣＦＨＣＦ２－、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 などが挙げられる。
　好ましい式（Ｂ１）および（Ｂ２）で示される化合物は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000015
［式中：
　ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基を表し；
　Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　ｎは、０～２の整数であり、好ましくは０であり；
　Ｘ５は、－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－または－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－である］
で表される化合物である。
　上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、公知の方法、例えば特許文献１に記載の方法またはその改良方法により製造することができる。例えば、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、下記式（Ｂ１－４）または（Ｂ２－４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 ［式中：
　ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｘ５’は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　βは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　β’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｒ８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＭ３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ１またはＲ２であり、Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基であり、Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ１またはＲ２に変換して、式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 ［式中、ＰＦＰＥ、Ｒｆ、Ｘ５’、β、β’およびＲ８２は、上記と同意義であり；
　ｎは、０～３の整数である。］
で表される化合物として得ることができる。
　式（Ｂ１”）または（Ｂ２”）において、Ｘ５’からＲ８２－ＣＨ２ＣＨ２－までの部分が、式（Ｂ１）または（Ｂ２）におけるＸ５に対応する。
　式（Ｃ１）および（Ｃ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
　上記式中、Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表す。当該Ｘ７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（Ｒｆ－ＰＦＰＥ部または－ＰＦＰＥ－部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、－ＳｉＲａ ｋＲｂ ｌＲｃ ｍ基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ７は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
　上記式中のγは、１～９の整数であり、γ’は、１～９の整数である。これらγおよびγ’は、Ｘ７の価数に応じて決定され、式（Ｃ１）において、γおよびγ’の和は、Ｘ７の価数と同じである。例えば、Ｘ７が１０価の有機基である場合、γおよびγ’の和は１０であり、例えばγが９かつγ’が１、γが５かつγ’が５、またはγが１かつγ’が９となり得る。また、Ｘ７が２価の有機基である場合、γおよびγ’は１である。式（Ｃ１）において、γはＸ７の価数の値から１を引いた値である。
　上記Ｘ７は、好ましくは２～７価、より好ましくは２～４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
　一の態様において、Ｘ７は２～４価の有機基であり、γは１～３であり、γ’は１である。
　別の態様において、Ｘ７は２価の有機基であり、γは１であり、γ’は１である。この場合、式（Ｃ１）および（Ｃ２）は、下記式（Ｃ１’）および（Ｃ２’）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　上記Ｘ７の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
　中でも、好ましい具体的なＸ５は、－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－
－ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）４－、
－（ＣＨ２）５－、
－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－Ｓ－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－ＯＣＨ２－、
－Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＯＣＦＨＣＦ２－、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 などが挙げられる。
　上記式中、Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒを表す。
　式中、Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
　上記Ｚは、好ましくは、２価の有機基であり、式（Ｃ１）または式（Ｃ２）における分子主鎖の末端のＳｉ原子（Ｒａが結合しているＳｉ原子）とシロキサン結合を形成するものを含まない。
　上記Ｚは、好ましくは、Ｃ１－６アルキレン基、－（ＣＨ２）ｇ－Ｏ－（ＣＨ２）ｈ－（式中、ｇは、１～６の整数であり、ｈは、１～６の整数である）または、－フェニレン－（ＣＨ２）ｉ－（式中、ｉは、０～６の整数である）であり、より好ましくはＣ１－３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１－６アルキル基、Ｃ２－６アルケニル基、およびＣ２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　式中、Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表す。Ｒａ’は、Ｒａと同意義である。
　Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個である。即ち、上記Ｒａにおいて、Ｒ７１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒａ中にＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」とは、Ｒａ中において直鎖状に連結される－Ｚ－Ｓｉ－の繰り返し数と等しくなる。
　例えば、下記にＲａ中においてＺ基を介してＳｉ原子が連結された一例を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　上記式において、＊は、主鎖のＳｉに結合する部位を意味し、…は、ＺＳｉ以外の所定の基が結合していること、即ち、Ｓｉ原子の３本の結合手がすべて…である場合、ＺＳｉの繰り返しの終了箇所を意味する。また、Ｓｉの右肩の数字は、＊から数えたＺ基を介して直鎖状に連結されたＳｉの出現数を意味する。即ち、Ｓｉ２でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が２個であり、同様に、Ｓｉ３、Ｓｉ４およびＳｉ５でＺＳｉ繰り返しが終了している鎖は、それぞれ、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が３、４および５個である。なお、上記の式から明らかなように、Ｒａ中には、ＺＳｉ鎖が複数存在するが、これらはすべて同じ長さである必要はなく、それぞれ任意の長さであってもよい。
　好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　一の態様において、Ｒａ中のＺ基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
　式中、Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
　上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、－ＯＲ、－ＯＣＯＲ、－Ｏ－Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、－Ｎ（Ｒ）２、－ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１～４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは－ＯＲ（アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
　好ましくは、Ｒ７２は、－ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１－３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
　式中、Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
　式中、ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。
　好ましい態様において、Ｒａ中の末端のＲａ’（Ｒａ’が存在しない場合、Ｒａ）において、上記ｑは、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
　上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、少なくとも１つのＲ７２が存在する。
　上記式中、Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
　上記Ｒｂは、好ましくは、水酸基、－ＯＲ、－ＯＣＯＲ、－Ｏ－Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、－Ｎ（Ｒ）２、－ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１～４のアルキル基を示す）であり、好ましくは－ＯＲである。Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。より好ましくは、Ｒｃは、－ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１－３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
　上記式中、Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
　式中、ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、ｋ、ｌおよびｍの和は、３である。
　上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ－ＰＦＰＥ－部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端に水酸基を導入した後、末端に不飽和結合を有する基を導入し、この不飽和結合を有する基とハロゲン原子を有するシリル誘導体とを反応させ、さらにこのシリル基に末端に水酸基を導入し、導入した不飽和結合を有する基とシリル誘導体とを反応させることにより得ることができる。例えば、以下のようにして得ることができる。
　好ましい式（Ｃ１）および（Ｃ２）で示される化合物は、下記式（Ｃ１”）および（Ｃ２”）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 ［式中：
　ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり； 
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｘ７は、－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－または－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－を表し；
　Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒを表し；
　Ｚは、Ｃ１－６アルキレン基を表し；
　Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
　Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
　Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
　Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
　Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
　ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
　ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１～３の整数、好ましくは３であり；
　ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
　ただし、一のＲａにおいて、ｐ、ｑおよびｒの和は３である。］
で表される化合物である。
　上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。下記式（Ｃ１－４）または（Ｃ２－４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 ［式中：
　ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
（式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
　Ｘ７’は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
　γは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　γ’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
　Ｒ８２は、単結合または２価の有機基である。］
で表される化合物を、ＨＳｉＲ８３ ｋＲｂ ｌＲｃ ｍ（式中、Ｒ８３はハロゲン原子、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子、好ましくは塩素原子であり、Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し、ｋは１～３の整数であり、ｌおよびｍは、それぞれ独立して、０～２の整数であり、ｋ、ｌおよびｍの和は３である。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１－５）または（Ｃ２－５）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 ［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ８２、Ｒ８３、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。
　得られた式（Ｃ１－５）または（Ｃ２－５）で表される化合物を、Ｈａｌ－Ｊ－Ｒ８４－ＣＨ＝ＣＨ２（式中、Ｈａｌはハロゲン原子（例えば、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等）を表し、Ｊは、Ｍｇ、Ｃｕ、ＰｄまたはＺｎを表し、Ｒ８４は単結合または２価の有機基を表す。）で表される化合物と反応させて、式（Ｃ１－６）または（Ｃ２－６）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 ［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ８２、Ｒ８４、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義である。］
で表される化合物を得る。
　得られた式（Ｃ１－６）または（Ｃ２－６）で表される化合物を、ＨＳｉＭ３（式中、Ｍは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ７２またはＲ７３であり、Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し、Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。）と反応させて、必要に応じて、上記ハロゲン原子を、Ｒ７２またはＲ７３に変換して、式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 ［式中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ８２、Ｒ８４、Ｒｂ、Ｒｃ、γ、γ’、Ｘ７’、ｋ、ｌおよびｍは、上記と同意義であり；
　ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、１～３の整数であり；
　ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数である。］
で表される化合物を得ることができる。
　式（Ｃ１’’’）または（Ｃ２’’’）において、Ｘ７’からＲ８２－ＣＨ２ＣＨ２－までの部分が、式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＸ７に対応し、－Ｒ８４－ＣＨ２ＣＨ２－が式（Ｃ１）または（Ｃ２）におけるＺに対応する。
　式（Ｄ１）および（Ｄ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
　上記式中、Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表す。当該Ｘ９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ－ＰＦＰＥ部または－ＰＦＰＥ－部）と、基材との結合能を提供する部（即ち、δを付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ９は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
　上記式中、δは１～９の整数であり、δ’は１～９の整数である。これらδおよびδ’は、Ｘ９の価数に応じて変化し得る。式（Ｄ１）においては、δおよびδ’の和は、Ｘ９の価数と同じである。例えば、Ｘが１０価の有機基である場合、δおよびδ’の和は１０であり、例えばδが９かつδ’が１、δが５かつδ’が５、またはδが１かつδ’が９となり得る。また、Ｘ９が２価の有機基である場合、δおよびδ’は１である。式（Ｄ２）においては、δはＸ９の価数から１を引いた値である。
　上記Ｘ９は、好ましくは２～７価であり、より好ましくは２～４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。
　一の態様において、Ｘ９は２～４価の有機基であり、δは１～３であり、δ’は１である。
　別の態様において、Ｘ９は２価の有機基であり、δは１であり、δ’は１である。この場合、式（Ｄ１）および（Ｄ２）は、下記式（Ｄ１’）および（Ｄ２’）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　上記Ｘ９の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
　中でも、好ましい具体的なＸ９は、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－
－ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）２－、
－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）４－、
－（ＣＨ２）５－、
－（ＣＨ２）６－、
－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ３）－（ＣＨ２）６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ２）６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）６－、
－Ｓ－（ＣＨ２）３－、
－（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２－
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ２）６－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）３－、
－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＣＨ３）２－（ＣＨ２）２－Ｓｉ（ＣＨ３）２－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－、
－ＯＣＨ２－、
－Ｏ（ＣＨ２）３－、
－ＯＣＦＨＣＦ２－、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 などが挙げられる。
　上記式中、Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ２－ＣＲ８１ ｐ２Ｒ８２ ｑ２Ｒ８３ ｒ２を表す。
　式中、Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
　上記Ｚ２は、好ましくは、Ｃ１－６アルキレン基、－（ＣＨ２）ｇ－Ｏ－（ＣＨ２）ｈ－（式中、ｇは、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｈは、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－フェニレン－（ＣＨ２）ｉ－（式中、ｉは、０～６の整数である）であり、より好ましくはＣ１－３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１－６アルキル基、Ｃ２－６アルケニル基、およびＣ２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　式中、Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表す。Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義である。
　Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個である。即ち、上記Ｒｄにおいて、Ｒ８１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒｄ中にＺ２基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」とは、Ｒｄ中において直鎖状に連結される－Ｚ２－Ｃ－の繰り返し数と等しくなる。これは、式（Ｃ１）および（Ｃ２）におけるＲａに関する記載と同様である。
　好ましい態様において、「Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
　一の態様において、Ｒｄ中のＺ２基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
　式中、Ｒ８２は、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－２ｎを表す。
　Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表す。
　好ましい態様において、Ｙは、Ｃ１－６アルキレン基、－（ＣＨ２）ｇ’－Ｏ－（ＣＨ２）ｈ’－（式中、ｇ’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｈ’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）、または－フェニレン－（ＣＨ２）ｉ’－（式中、ｉ’は、０～６の整数である）である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１－６アルキル基、Ｃ２－６アルケニル基、およびＣ２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
　一の態様において、Ｙは、Ｃ１－６アルキレン基、－Ｏ－（ＣＨ２）ｈ’－または－フェニレン－（ＣＨ２）ｉ’－であり得る。Ｙが上記の基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。
　上記Ｒ５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
　上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、－ＯＲ、－ＯＣＯＲ、－Ｏ－Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、－Ｎ（Ｒ）２、－ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１～４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは－ＯＲ（アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
　好ましくは、Ｒ８５は、－ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１－３アルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基、特にメチル基を表す）である。
　上記Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
　ｎ２は、（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２）単位毎に独立して、０～３の整数を表し、好ましくは１～３の整数、より好ましくは２または３、さらにより好ましくは３である。
　上記Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
　式中、ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３である。
　好ましい態様において、Ｒｄ中の末端のＲｄ’（Ｒｄ’が存在しない場合、Ｒｄ）において、上記ｑ２は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
　好ましい態様において、Ｒｄの末端部の少なくとも１つは、－Ｃ（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｑ２Ｒ８６ ｒ２）２または－Ｃ（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｑ２Ｒ８６ ｒ２）３、好ましくは－Ｃ（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｑ２Ｒ８６ ｒ２）３であり得る。式中、（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｑ２Ｒ８６ ｒ２）の単位は、好ましくは（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ３）である。さらに好ましい態様において、Ｒｄの末端部は、すべて－Ｃ（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｑ２Ｒ８６ ｒ２）３、好ましくは－Ｃ（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ３）３であり得る。
　上記式中、Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２を表す。ここに、Ｙ、Ｒ８５、Ｒ８６およびｎ２は、上記Ｒ８２における記載と同意義である。
　上記式中、Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
　式中、ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３である。
　一の態様において、少なくとも１つのｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
　一の態様において、ｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
　一の態様において、ｌ２は２または３であり、好ましくは３である。
　上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｑ２は１～３の整数であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは１～３の整数３である。即ち、少なくとも１つの－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２基が存在する。好ましくは、少なくとも１つのｑ２は２または３であるか、あるいは、少なくとも１つのｌは２または３である。即ち、式中、少なくとも２つの－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２基が存在する。
　また、上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、少なくとも１つのｎ２が１～３の整数である。即ち、少なくとも１つのＲ８５が存在する。
　式（Ｄ１）または式（Ｄ２）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。例えば、Ｘが２価である式（Ｄ１’）で表される化合物は、限定するものではないが、以下のようにして製造することができる。
　ＨＯ－Ｘ－Ｃ（ＹＯＨ）３（式中、ＸおよびＹは、それぞれ独立して、２価の有機基である。）で表される多価アルコールに、二重結合を含有する基（好ましくはアリル）、およびハロゲン（好ましくはブロモ）を導入して、Ｈａｌ－Ｘ－Ｃ（Ｙ－Ｏ－Ｒ－ＣＨ＝ＣＨ２）３（式中、Ｈａｌはハロゲン、例えばＢｒであり、Ｒは二価の有機基、例えばアルキレン基である。）で表される二重結合含有ハロゲン化物を得る。次いで、末端のハロゲンと、ＲＰＦＰＥ－ＯＨ（式中、ＲＰＦＰＥは、パーフルオロポリエーテル基含有基である。）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有アルコールとを反応させて、ＲＰＦＰＥ－Ｏ－Ｘ－Ｃ（Ｙ－Ｏ－Ｒ－ＣＨ＝ＣＨ２）３を得る。次いで、末端の－ＣＨ＝ＣＨ２と、ＨＳｉＣｌ３およびアルコールまたはＨＳｉＲ８５ ３と反応させて、ＲＰＦＰＥ－Ｏ－Ｘ－Ｃ（Ｙ－Ｏ－Ｒ－ＣＨ２－ＣＨ２－ＳｉＲ８５ ３）３を得ることができる。
　本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の数平均分子量は、好ましくは５，０００以上、より好ましくは６，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以下である。
　本発明で用いられる表面処理剤に含まれるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物におけるＰＦＰＥ部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは４，０００～３０，０００、より好ましくは５，０００～１０，０００であり得る。
　本発明において、「数平均分子量」は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）分析により測定される。
　本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されていてもよい。このような溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば、パーフルオロヘキサン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨＣｌ２、ＣＦ３ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ３、ＣＦ３ＣＨＦＣＨＦＣ２Ｆ５、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（（ゼオローラＨ（商品名）等）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦ２、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ＝ＣＨ２、キシレンヘキサフルオリド、パーフルオロベンゼン、メチルペンタデカフルオロヘプチルケトン、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、メチルトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロ酢酸およびＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ３［式中、ｍおよびｎは、それぞれ独立して０以上１０００以下の整数であり、ｍまたはｎを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、但しｍおよびｎの和は１以上である。］、１，1－ジクロロ－２，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン、１，２－ジクロロ－１，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン、１，２－ジクロロ－３，３，３－トリフルオロ－１－プロペン、１，１－ジクロロ－３，３，３－トリフルオロ－１－プロペン、１，１，２－トリクロロ―３，３，３－トリフルオロ－１－プロペン、１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテンからなる群から選択される溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。
　本発明で用いられる表面処理剤は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物に加え、他の成分を含んでいてもよい。かかる他の成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロポリエーテル化合物（以下、「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒などが挙げられる。
　上記含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロポリエーテル化合物）が挙げられる。
　Ｒｆ１－（ＯＣ４Ｆ８）ａ’－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’－（ＯＣＦ２）ｄ’－Ｒｆ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（３）
　式中、Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ１－１６のアルキル基（好ましくは、Ｃ１－１６のパーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ１およびＲｆ２は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ１－３のパーフルオロアルキル基である。
　ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１～３００、より好ましくは２０～３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、－（ＯＣ４Ｆ８）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））－、－（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－である。－（ＯＣ３Ｆ６）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））－のいずれであってもよく、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）－である。－（ＯＣ２Ｆ４）－は、－（ＯＣＦ２ＣＦ２）－および－（ＯＣＦ（ＣＦ３））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ２ＣＦ２）－である。
　上記一般式（３）で表されるパーフルオロポリエーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）および（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
　Ｒｆ１－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’－Ｒｆ２　　　　　　　・・・（３ａ）
　Ｒｆ１－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ’’－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’－（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ’’－（ＯＣＦ２）ｄ’’－Ｒｆ２　　　　　　・・・（３ｂ）
　これら式中、Ｒｆ１およびＲｆ２は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下、例えば１以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’、ｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
　上記含フッ素オイルは、１，０００～３０，０００の平均分子量を有していてよい。これにより、高い表面滑り性を得ることができる。
　本発明で用いられる表面処理剤中、含フッ素オイルは、上記パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（それぞれ、２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０～５００質量部、好ましくは０～４００質量部、より好ましくは５～３００質量部で含まれ得る。
　一般式（３ａ）で示される化合物および一般式（３ｂ）で示される化合物は、それぞれ単独で用いても、組み合わせて用いてもよい。一般式（３ａ）で示される化合物よりも、一般式（３ｂ）で示される化合物を用いるほうが、より高い表面滑り性が得られるので好ましい。これらを組み合わせて用いる場合、一般式（３ａ）で表される化合物と、一般式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１：１～１：３０が好ましく、１：１～１：１０がより好ましい。かかる質量比によれば、表面滑り性と摩擦耐久性のバランスに優れた表面処理層を得ることができる。
　一の態様において、含フッ素オイルは、一般式（３ｂ）で表される１種またはそれ以上の化合物を含む。かかる態様において、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計と、式（３ｂ）で表される化合物との質量比は、１０：１～１：１０が好ましく、４：１～１：４がより好ましい。
　一の態様において、式（３ａ）で表される化合物の平均分子量は、２，０００～８，０００であることが好ましい。
　一の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、８，０００～３０，０００であることが好ましい。
　別の態様において、式（３ｂ）で表される化合物の平均分子量は、３，０００～８，０００であることが好ましい。
　好ましい態様において、真空蒸着法により表面処理層を形成する場合には、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を大きくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、より優れた摩擦耐久性と表面滑り性を得ることができる。
　また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ３－Ｆ（式中、Ｒｆ３はＣ５－１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。Ｒｆ３－Ｆで表される化合物およびクロロトリフルオロエチレンオリゴマーは、末端がＣ１－１６パーフルオロアルキル基である上記分子末端に炭素－炭素不飽和結合を有する含フッ素化合物で表される化合物と高い親和性が得られる点で好ましい。
　含フッ素オイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
　上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。
　本発明で用いられる表面処理剤中、かかるシリコーンオイルは、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０～３００質量部、好ましくは０～２００質量部で含まれ得る。
　シリコーンオイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
　上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。
　触媒は、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、表面処理層の形成を促進する。
　表面処理層を形成する方法としては、例えば、ケイ素酸化物層の表面に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤の膜を形成し、この膜を必要に応じて後処理し、これにより表面処理層を形成する方法が挙げられる。
　上記表面処理剤の膜形成は、表面処理剤をケイ素酸化物層の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。
　湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。
　乾燥被覆法の例としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法および類似の方法が挙げられる。ＰＶＤ法とは、固体原料を真空中で加熱（真空蒸着）したり、高速の電子やイオンで照射したりして、物理的エネルギーを固体表面の原子に与えて気化させ、それを基材上にて再結合させて薄膜を形成する方法である。ＰＶＤ法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着法（通常、真空蒸着法）およびスパッタリング等が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ－ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。中でも、ＰＶＤ法が好ましく、特に蒸着法、例えば抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましく、電子ビーム蒸着がより好ましい。ＰＶＤ法を用いることにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。
　更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。
　湿潤被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、溶媒で希釈されてから基材表面に適用され得る。本発明で用いられる表面処理剤の安定性および溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：Ｃ５－１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ－１，３－ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ２ＣＨ３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）（例えば、１，１，１，３，３－ペンタフルオロブタン（ＨＦＣ－３６５ｍｆｃ））；ハイドロクロロフルオロカーボン（例えば、ＨＣＦＣ－２２５（アサヒクリン（登録商標）ＡＫ２２５））；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ３Ｆ７ＯＣＨ３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標名）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基およびアルキル基は直鎖または分枝状であってよい）、あるいはＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦ２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００））、１，２－ジクロロ－１，３，３，３－テトラフルオロ－１－プロペン（例えば、三井・デュポンフロロケミカル社製のバートレル（登録商標）サイオン）など。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上を組み合わせて混合物として用いることができる。さらに、例えば、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の溶解性を調整する等のために、別の溶媒と混合することもできる。
　乾燥被覆法を使用する場合、本発明で用いられる表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、または、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。
　乾燥被覆法において用いる表面処理剤が溶媒を含む場合、前もって表面処理剤中の溶媒を除去してもよい。溶媒を除去することにより、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を得ることができる。
　溶媒を除去する方法は、例えば、減圧留去が挙げられる。
　減圧留去時の温度は、好ましくは０～２００℃であり、より好ましくは１０～８０℃である。また、減圧留去時の圧力は、好ましくは１×１０－４Ｐａ～１×１０３Ｐａであり、より好ましくは１×１０－２Ｐａ～１×１０２Ｐａである。
　例えば、溶媒を含む表面処理剤を用いてＰＶＤ処理を行う場合、先に別の装置等で溶媒を減圧留去し、その残渣であるパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物（および存在する場合、含フッ素オイル、シリコーンオイル等の他の成分）をＰＶＤ装置内に供給し、真空蒸着を行うことができる。
　膜形成は、膜中で表面処理剤が、加水分解および脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、表面処理剤を溶媒で希釈した後、基材表面に適用する直前に、表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。
　触媒には、任意の適切な酸または塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。
　次に、必要に応じて、膜を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に実施するものであってよく、より詳細には、以下のようにして実施してよい。
　上記のようにしてケイ素酸化物の表面に表面処理剤の膜を形成した後、この膜（以下、「前駆体膜」とも言う）に水分を供給する。水分の供給方法は、特に限定されず、例えば、前駆体膜（および基材）と周囲雰囲気との温度差による結露や、水蒸気（スチーム）の吹付けなどの方法を使用してよい。
　前駆体膜に水分が供給されると、表面処理剤中のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物のＳｉに結合した加水分解可能な基に水が作用し、当該化合物を速やかに加水分解させることができると考えられる。
　水分の供給は、例えば０～２５０℃、好ましくは６０℃以上、さらに好ましくは１００℃以上とし、好ましくは１８０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下の雰囲気下にて実施し得る。このような温度範囲において水分を供給することにより、加水分解を進行させることが可能である。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。
　次に、該前駆体膜を該基材の表面で、６０℃を超える乾燥雰囲気下にて加熱する。乾燥加熱方法は、特に限定されず、前駆体膜を基材と共に、６０℃を超え、好ましくは１００℃を超える温度であって、例えば２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の温度で、かつ不飽和水蒸気圧の雰囲気下に配置すればよい。このときの圧力は特に限定されないが、簡便には常圧とし得る。
　このような雰囲気下では、本発明のＰＦＰＥ含有シラン化合物間では、加水分解後のＳｉに結合した基同士が速やかに脱水縮合する。また、かかる化合物と基材との間では、当該化合物の加水分解後のＳｉに結合した基と、基材表面に存在する反応性基との間で速やかに反応し、基材表面に存在する反応性基が水酸基である場合には脱水縮合する。その結果、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物と基材との間で結合が形成される。
　上記の水分供給および乾燥加熱は、過熱水蒸気を用いることにより連続的に実施してもよい。
　過熱水蒸気は、飽和水蒸気を沸点より高い温度に加熱して得られるガスであって、常圧下では、１００℃を超え、一般的には５００℃以下、例えば３００℃以下の温度で、かつ、沸点を超える温度への加熱により不飽和水蒸気圧となったガスである。本発明では、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物の分解を抑制する観点から、好ましくは、２５０℃以下、好ましくは１８０℃以下の過熱水蒸気が水分供給および乾燥加熱に用いられる。前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すと、まず、過熱水蒸気と、比較的低温の前駆体膜との間の温度差により、前駆体膜表面にて結露が生じ、これによって前駆体膜に水分が供給される。やがて、過熱水蒸気と前駆体膜との間の温度差が小さくなるにつれて、前駆体膜表面の水分は過熱水蒸気による乾燥雰囲気中で気化し、前駆体膜表面の水分量が次第に低下する。前駆体膜表面の水分量が低下している間、即ち、前駆体膜が乾燥雰囲気下にある間、基材の表面の前駆体膜は過熱水蒸気と接触することによって、この過熱水蒸気の温度（常圧下では１００℃を超える温度）に加熱されることとなる。従って、過熱水蒸気を用いれば、前駆体膜を形成した基材を過熱水蒸気に曝すだけで、水分供給と乾燥加熱とを連続的に実施することができる。
　以上のようにして後処理が実施され得る。かかる後処理は、摩擦耐久性を一層向上させるために実施され得るが、本発明の物品を製造するのに必須でないことに留意されたい。例えば、表面処理剤を基材表面に適用した後、そのまま静置しておくだけでもよい。
　上記のようにして、基材の表面に、本発明の表面処理剤の膜に由来する表面処理層が形成され、本発明の物品が製造される。これにより得られる表面処理層は、高い摩擦耐久性を有する。また、この表面処理層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。
　本発明によって得られる物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材としては、例えば、下記の光学部材が挙げられる：例えば、陰極線管（ＣＲＴ：例、ＴＶ、パソコンモニター）、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、無機薄膜ＥＬドットマトリクスディスプレイ、背面投写型ディスプレイ、蛍光表示管（ＶＦＤ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などのディスプレイまたはそれらのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの；眼鏡などのレンズ；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ－Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。
　本発明によって得られる物品は、さらに窯業製品、塗面、布製品、皮革製品、医療品およびプラスターなどを挙げることができる
　また、本発明によって得られる物品は、医療機器または医療材料であってもよい。
　表面処理層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、表面処理層の厚さは、１～５０ｎｍ、好ましくは１～３０ｎｍ、より好ましくは１～１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性および防汚性の点から好ましい。
　上記した本発明の物品は、高い摩擦耐久性および高い酸アルカリ耐性を有し、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）を有し得る。
　本発明の物品は、その上に表面処理層が形成されるケイ素酸化物層が、化学気相成長法により形成されていることを特徴とし、この特徴により優れた表面滑り性および酸アルカリ耐性を有する。ケイ素酸化物層をＣＶＤ法により形成することにより、特定のＲａを有するケイ素酸化物層、アモルファス構造を有するケイ素酸化物層、特定の密度を有するケイ素酸化物層、または特定の膜中水素濃度を有するケイ素酸化物層を形成することができる。
　従って、一の態様において、本発明は、基材と
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
　ケイ素酸化物層の表面粗さ（Ｒａ：中心線平均粗さ）が０．２ｎｍ以下であることを特徴とする物品を提供する。
　好ましい態様において、Ｒａは０．１５ｎｍ以下であり得る。
　別の態様において、本発明は、基材と
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
　ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品を提供する。
　好ましい態様において、ケイ素酸化物層は、ケイ素酸化物層全体の５０％以上、さらに好ましくはケイ素酸化物層全体の８０％以上がアモルファスであり得る。
　別の態様において、本発明は、基材と
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
　ケイ素酸化物層が２．２５ｇ／ｃｍ３～２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有することを特徴とする物品を提供する。
　好ましい態様において、ケイ素酸化物層の密度は、２．３０ｇ／ｃｍ３～２．５０ｇ／ｃｍ３であり、好ましくは２．３５ｇ／ｃｍ３～２．４５ｇ／ｃｍ３の密度、例えば２．３８ｇ／ｃｍ３～２．４２ｇ／ｃｍ３であり得る。
　別の態様において、本発明は、基材と
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
　ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が１～１０ａｔ％であることを特徴とする物品を提供する。
　好ましい態様において、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、２ａｔ％以上、３ａｔ％以上、４ａｔ％以上または５ａｔ％以上であり、９ａｔ％以下、８ａｔ％以下、７ａｔ％以下または６ａｔ％以下であり得る。例えば、ケイ素酸化物層の膜中水素濃度は、１～１０ａｔ％、２～１０ａｔ％、３～１０ａｔ％、４～１０ａｔ％または５～１０ａｔ％、あるいは１～９ａｔ％、１～８ａｔ％、１～７ａｔ％または１～６ａｔ％、あるいは２～９ａｔ％、３～８ａｔ％、４～７ａｔ％、または５～６ａｔ％であり得る。
　別の態様において、本発明は、基材と
　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
を有して成る物品であって、
　ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比（ｍｏｌ比）が、０．６～１．５であることを特徴とする物品を提供する。
　好ましい態様において、ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成比は、１．５以下であり得、好ましくは０．５より大きい。Ｓｉ／Ｏ組成比は、好ましくは０．６～１．５、より好ましくは０．７～１．３、例えば０．７～１．２、０．８～１．３または０．８～１．２であり得る。
　本発明の物品について、以下の実施例を通じてより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　実施例１
　・ケイ素酸化物層の形成
　基材として、化学強化ガラス（コーニング社製、「ゴリラ」ガラス、厚さ０．７ｍｍ）を準備した。基材の表面を、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）の混合溶液で洗浄し、ケイ素源としてＳｉＨ４ガスを、酸素源としてＮ２Ｏガスを用いて、東京エレクトロン製ＴｒｉａｓＣＶＤ装置にて、プラズマＣＶＤを行い、基材表面にケイ素酸化物（ＳｉＯ）層を形成した。
（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ：Ｈ２＝１：３０：１００
成膜速度：０．７ｎｍ／秒
処理時間：１００秒
　得られたケイ素酸化物層の膜厚を、エリプソメーター（Ellipsometer；ＨＯＲＩＢＡ Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ社製）により測定した。ケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。
　・表面処理材の調製
　下記式（平均組成）で示される含フッ素化合物を、濃度２０ｗｔ％になるようにハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製、ノベックＨＦＥ７２００）に溶解させて表面処理剤を調製した。
　ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ［ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３
（ｍ＝２１、Ｍｎ＝３９８０）
　＊ｍの値は１９Ｆ－ＮＭＲから測定された値であり、ＭｎはＧＰＣから測定された値である。
　・表面処理層の形成
　上記で得られたケイ素酸化物層を、加速電圧１０００Ｖ、加速電流５００ｍＡ、圧力２×１０－２ＰａでＯ２イオンクリーニングに付した。次いで、上記で調製した表面処理剤を、ケイ素酸化物層上に真空蒸着した。真空蒸着の処理条件は、圧力３．０×１０－３Ｐａとし、化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤２ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．４ｍｇ含有）を蒸着させた。その後、蒸着膜付き化学強化ガラスを、温度２０℃および湿度６５％の雰囲気下で２４時間静置し、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。
　実施例２
　プラズマ膜条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。
（プラズマＣＶＤ成膜条件）
ＲＦパワー密度：１．０Ｗ／ｃｍ２
基板温度：２００℃
プロセス圧力：１５０Ｐａ
材料ガス流量比（体積比）：ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏ：Ｈ２＝１：３０：１８０
成膜速度：０．５ｎｍ／秒
処理時間：６０秒
　実施例３
　ＣＶＤの処理時間を、３０秒に変更した以外は、実施例２と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。
　比較例１
　ケイ素酸化物層を、ＣＶＤ法で形成する変わりに、ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）により行ったこと以外は、実施例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、７０ｎｍであった。
　（ＥＢ蒸着条件）
・圧力：２×１０－２Ｐａ
・基板温度：室温（約２５℃）
・原料：ＳｉＯ２結晶
・蒸着処理時間：２３０秒
　比較例２
　ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を８０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、３０ｎｍであった。
　比較例３
　ＰＶＤ法（電子ビーム（ＥＢ）蒸着）の蒸着処理時間を５０秒に変更したこと以外は、比較例１と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。
　上記で得られた基材の特徴を、下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
（評価）
・摩擦耐久性評価
　上記の実施例１～３および比較例１～３の表面処理層について、水の静的接触角を測定した。水の静的接触角は、接触角測定装置（協和界面科学社製）を用いて、水１μＬにて実施した。
　まず、初期評価として、表面処理層形成後、その表面に未だ何も触れていない状態で、水の静的接触角を測定した（摩擦回数　ゼロ回）。
　その後、摩擦耐久性評価として、スチールウール摩擦耐久性評価を実施した。具体的には、表面処理層を形成した基材を水平配置し、スチールウール（番手♯００００、寸法５ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍ）を表面処理層の露出上面に接触させ、その上に１，０００ｇｆの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態でスチールウールを往復させた（距離：１２０ｍｍ（往復）、速度：６０ｒｐｍ）。一定の往復回数毎に水の静的接触角（度）を測定した。接触角の測定値が１００度未満となった時点で評価を中止した。結果を下記表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　実施例４
　化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、実施例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。
　比較例４
　化学強化ガラス１枚（５５ｍｍ×１００ｍｍ）あたり、表面処理剤０．２５ｍｇ（即ち、パーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物を０．０５ｍｇ含有）を蒸着させたこと以外は、比較例３と同様にして、基材上にケイ素酸化物と表面処理層を有する物品を得た。尚、エリプソメーターにより測定したケイ素酸化物層の膜厚は、１５ｎｍであった。
・耐汗試験（酸、アルカリ耐久試験）
　上記の実施例４および比較例４の表面処理層について、人工汗耐久性を評価した。
　具体的には、実施例４および比較例４で得られた物品の表面に、下記の組成を有するｐＨ８．７およびｐＨ４．５の人工汗約５０μＬを静置させ、６０℃・９０ＲＨ％の加温加湿条件下で、所定の時間放置した。その後、表面の人工汗をふき取り、更に表面を蒸留水、エタノールで洗浄し、その後、水の静的接触角（度）を測定した。結果を下記表に示す。
・ｐＨ８．７の人工汗の組成
　ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ：２．５ｇ、（ＮＨ４）２ＣＯ３：４ｇに、純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。
・ｐＨ４．５の人工汗の組成
　ＮａＣｌ：１０ｇ、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２Ｏ：２．５ｇ、ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ：１ｇに純水を加えて、合計１０００ｍｌにする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000033
　上記の表２および表３の結果から、ケイ素酸化物層をＣＶＤ法を用いて形成した実施例１～３は、ＰＶＤ法を用いた比較例１～３よりも摩擦耐久性に優れており、実施例４は比較例４よりもおよび酸、アルカリ耐久性に優れていることが確認された。即ち、ＣＶＤ法により形成されたケイ素酸化物層上に表面処理層を形成することにより、より優れた摩擦耐久性を有し、さらにはより優れた酸、アルカリ耐性を有する表面処理層を形成できることが確認された。
　本発明は、表面に高い摩擦耐久性および耐酸および耐アルカリ耐性を有する表面処理層を含んで成る物品を製造するために好適に利用され得る。

Claims (24)

  1. 　基材と、
    　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
    　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
    を有して成る物品の製造方法であって、
    　化学気相成長法を用いて、ケイ素酸化物層を形成すること、および
    　得られたケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて、表面処理層を形成すること
    を含む製造方法。
  2. 　化学気相成長法が、シランまたはジシランを含む反応ガスを用いて行われることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  3. 　ケイ素酸化物層の膜厚が、５～１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
  4. 　前記ケイ素酸化物層の表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の製造方法。
  5. 　ケイ素酸化物層の形成後、表面処理層の形成前に、ケイ素酸化物層の表面を、イオンクリーニングすることを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の製造方法。
  6. 　表面処理層が、物理気相成長法を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。
  7. 　含フッ素シラン化合物が、下記一般式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式中：
    　ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
    　　　　－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
    （式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は少なくとも１であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
    で表される基であり；
    　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
    　Ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１～２２のアルキル基を表し；
    　Ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
    　Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
    　Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｎは、（－ＳｉＲ１ ｎＲ２ ３－ｎ）単位毎に独立して、０～３の整数であり；
    　ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのＲ２が存在し； 
    　Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
    　Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
    　ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１～１０の整数であり；
    　αは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　α’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
    　βは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　β’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
    　γは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　γ’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒを表し；
    　Ｚは、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
    　Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
    　Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
    　Ｒａ中、Ｚ基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
    　Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
    　Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｐは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｒは、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ただし、－Ｚ－ＳｉＲ７１ ｐＲ７２ ｑＲ７３ ｒ毎において、ｐ、ｑおよびｒの和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのＲ７２が存在し；
    　Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
    　Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｋは、各出現においてそれぞれ独立して、１～３の整数であり；
    　ｌは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
    　ｍは、各出現においてそれぞれ独立して、０～２の整数であり；
    　ただし、γを付して括弧でくくられた単位において、ｋ、ｌおよびｍの和は３であり；
    　Ｘ９は、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基を表し；
    　δは、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　δ’は、それぞれ独立して、１～９の整数であり；
    　Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ２－ＣＲ８１ ｐ２Ｒ８２ ｑ２Ｒ８３ ｒ２を表し；
    　Ｚ２は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
    　Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
    　Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
    　Ｒｄ中、Ｚ２基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
    　Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２を表し；
    　Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
    　Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
    　Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｎ２は、（－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２）単位毎に独立して、０～３の整数を表し；
    　Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｙ－ＳｉＲ８５ ｎ２Ｒ８６ ３－ｎ２を表し；
    　Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
    　ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
    　ただし、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、少なくとも１つのＲ８５が存在する。］
    で表される１種またはそれ以上の化合物であることを特徴とする、請求項１～６のいずれか１項に記載の製造方法。
  8. 　ＰＦＰＥが、それぞれ独立して、下記式（ａ）～（ｃ）：
    （ａ）－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－
    　［式（ａ）中、ｂは１以上２００以下の整数である］；
    （ｂ）－（ＯＣ４Ｆ８）ａ－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ－（ＯＣＦ２）ｄ－
    　［式（ｂ）中、ａおよびｂは、それぞれ独立して、０以上３０以下の整数であり、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄの和は、１０以上２００以下の整数であり、添字ａ、ｂ、ｃまたはｄを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
    　（ｃ）－（ＯＣ２Ｆ４－Ｒ１５）ｎ”－
    　［式（ｃ）中、Ｒ１５は、それぞれ独立して、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であり、ｎ”は、２以上１００以下の整数である。］
    のいずれかであることを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
  9. 　ＰＦＰＥにおいて：
    　ＯＣ４Ｆ８が、ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２であり、
    　ＯＣ３Ｆ６が、ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２であり、
    　ＯＣ２Ｆ４が、ＯＣＦ２ＣＦ２である
    ことを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
  10. 　表面処理剤が、含フッ素オイル、シリコーンオイル、および触媒から選択される１種またはそれ以上の他の成分をさらに含有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の製造方法。
  11. 　含フッ素オイルが、式（３）：
    Ｒｆ１－（ＯＣ４Ｆ８）ａ’－（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’－（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’－（ＯＣＦ２）ｄ’－ＲＦ２　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（３）
    ［式中：
    　Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
    　Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
    　ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロポリエーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１であり、添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
    で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項１０に記載の製造方法。
  12. 　含フッ素オイルが、式（３ａ）または（３ｂ）：
    　Ｒｆ１－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’－Ｒｆ２　　・・・（３ａ）
    　Ｒｆ１－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ’’－（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’－（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ’’－（ＯＣＦ２）ｄ’’－Ｒｆ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（３ｂ）
    ［式中：
    　Ｒｆ１は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基を表し；
    　Ｒｆ２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６のアルキル基、フッ素原子または水素原子を表し；
    　式（３ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；
    　式（３ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’は、それぞれ独立して１以上３００以下の整数であり；
    　添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’またはｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
    で表される１種またはそれ以上の化合物である、請求項１０または１１に記載の製造方法。
  13. 　基材を準備すること、
    　基材上に化学気相成長法を用いてケイ素酸化物層を形成すること、および
    　ケイ素酸化物層上に、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤を用いて表面処理層を形成すること
    を含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の製造方法。
  14. 　化学気相成長法が、ケイ素源として、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、トリエトキシシランまたはテトラエトキシシランを用い、酸素源として酸素ガスを用いることにより行われることを特徴とする、請求項１３に記載の製造方法。
  15. 　さらに、ケイ素酸化物層を形成する前に、基材表面を、酸化剤溶液洗浄またはアルコール洗浄により前処理することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の製造方法。
  16. 　さらに、表面処理層を形成する前に、ケイ素酸化物層を、イオンクリーニングにより前処理することを特徴とする、請求項１３～１５のいずれか１項に記載の製造方法。
  17. 　イオンクリーニングが、酸素イオンクリーニングまたはアルゴンイオンクリーニングであることを特徴とする、請求項１６に記載の製造方法。
  18. 　基材が、ガラス基材であることを特徴とする、請求項１～１７のいずれか１項に記載の製造方法。
  19. 　物品が光学部材である、請求項１～１８のいずれか１項に記載の製造方法。
  20. 　請求項１～１９のいずれか１項に記載の製造方法により得られた物品。
  21. 　基材と
    　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
    　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
    を有して成る物品であって、
    　ケイ素酸化物層の少なくとも一部が、アモルファスであることを特徴とする物品。
  22. 　基材と
    　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
    　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
    を有して成る物品であって、
    　ケイ素酸化物層が、２．２５ｇ／ｃｍ３～２．６０ｇ／ｃｍ３の密度を有することを特徴とする物品。
  23. 　基材と
    　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
    　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
    を有して成る物品であって、
    　ケイ素酸化物層の膜中水素濃度が、１～１０ａｔ％であることを特徴とする物品。
  24. 　基材と
    　該基材上に位置するケイ素酸化物層と、
    　該ケイ素酸化物層上に形成された表面処理層と
    を有して成る物品であって、
    　ケイ素酸化物層におけるＳｉ／Ｏ組成のモル比が、０．６～１．５であることを特徴とする物品。
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