JP7744567B2 - 防汚基材 - Google Patents

Description

本開示は、フルオロポリエーテル基含有化合物に関する。

ある種の含フッ素シラン化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、衛生用品、建築資材など種々多様な基材に施されている（特許文献１および２）。

特開２０１４－２１８６３９号公報 特開２０１７－０８２１９４号公報

特許文献１または特許文献２に記載の含フッ素シラン化合物は、優れた機能を有する表面処理層を与えることができるが、より高い摩擦耐久性や耐薬品性を有する表面処理層が求められている。

本開示は、より摩擦耐久性、耐薬品性の高い表面処理層を有する物品を提供することを目的とする。

本開示は、以下の態様を含む。
［１］ 基材と、
前記基材上に位置する、中間層と、
前記中間層の直上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
前記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物を含む、物品。
［２］ 前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属との複合酸化物であり、該他の金属は、周期表の３族～１１族の遷移金属、および１２～１５族の典型金属元素から選択される１種またはそれ以上の原子である、上記［１］に記載の物品。
［３］ 前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属との複合酸化物であり、該他の金属は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉ、およびＶから選択される１種またはそれ以上の原子である、上記［１］または［２］に記載の物品。
［４］ 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１である、上記［１］～［３］のいずれか１つに記載の物品。
［５］ 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１３：８７～９３：７である、上記［１］～［４］のいずれか１つに記載の物品。
［６］ 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、４５：５５～７５：２５である、上記［１］～［５］のいずれか１つに記載の物品。
［７］ 前記複合酸化物は、ＳｉとＴａとの複合酸化物またはＳｉとＮｂとの複合酸化物である、上記［１］～［６］のいずれか１つに記載の物品。
［８］ 前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）：
［式中：
Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０または１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物である、上記［１］～［７］のいずれか１つに記載の物品。
［９］ Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基である、
上記［８］に記載の物品。
［１０］ Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
［式中、Ｒ^Ｆａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、上記［８］または［９］に記載の物品。
［１１］ Ｒ^Ｆａは、フッ素原子である、上記［１０］に記載の物品。
［１２］ Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）または（ｆ３）：
－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－ （ｆ１）
［式中、ｄは１～２００の整数である。］
－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～３０の整数であり；
ｅおよびｆは、それぞれ独立して、１～２００の整数であり；
ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、１０～２００の整数であり；
添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり；
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から選択される２または３つの基の組み合わせであり；
ｇは、２～１００の整数である。］
で表される基である、上記［８］～［１１］のいずれか１つに記載の物品。
［１３］ Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、または（Ｓ４）：
［式中：
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基であり；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～１０の整数であり；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子であり；
Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１であり；
Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’であり；
Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”であり；
Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２であり；
Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’であり；
Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
ｎ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。］
で表される基であり、上記［８］～［１２］のいずれか１つに記載の物品。
［１４］ α、β、およびγは、１である、上記［８］～［１３］のいずれか１つに記載の物品。
［１５］ Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３価の有機基であり、
αは１かつβは２であるか、αは２かつβは１であり、
γは２である、
上記［８］～［１４］のいずれか１つに記載の物品。
［１６］ 前記基材は、ガラス基材である、上記［１］～［１５］のいずれか１つに記載の物品。
［１７］ 基材と、その上に形成された含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、
上記基材上に、Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成すること、および
上記中間層の直上に、表面処理層を形成すること
を含む方法。
［１８］ 上記［１］～［１６］のいずれか１つに記載の物品の製造に用いる、表面処理剤。

本開示によれば、より良好な摩擦耐久性および耐薬品性を有する表面処理層を有する物品を提供することができる。

本開示の物品は、基材と、
前記基材上に位置する、中間層と、
前記中間層の直上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
前記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物を含む。

本開示において使用可能な基材は、例えば、ガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよい）、金属、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、衛生用品、任意の適切な材料で構成され得る。

例えば、製造すべき物品が光学部材である場合、基材の表面を構成する材料は、光学部材用材料、例えばガラスまたは透明プラスチックなどであってよい。また、製造すべき物品が光学部材である場合、基材の表面（最外層）に何らかの層（または膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層および多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔａ_３Ｏ_５，Ｎｂ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＭｇＦ_２、ＷＯ_３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、またはこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。多層反射防止層とする場合、その最外層にはＳｉＯ_２および／またはＳｉＯを用いることが好ましい。製造すべき物品が、タッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ－ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、および液晶表示モジュールなどを有していてもよい。

上記基材の形状は、特に限定されず、例えば、板状、フィルム、その他の形態であってよい。また、表面処理層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。

一の態様において、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、水酸基を元々有する材料から成るものであってよい。かかる材料としては、ガラスが挙げられ、また、表面に自然酸化膜または熱酸化膜が形成される金属（特に卑金属）、セラミックス、半導体等が挙げられる。あるいは、樹脂等のように、水酸基を有していても十分でない場合や、水酸基を元々有していない場合には、基材に何らかの前処理を施すことにより、基材の表面に水酸基を導入したり、増加させたりすることができる。かかる前処理の例としては、プラズマ処理（例えばコロナ放電）や、イオンビーム照射が挙げられる。プラズマ処理は、基材表面に水酸基を導入または増加させ得ると共に、基材表面を清浄化する（異物等を除去する）ためにも好適に利用され得る。また、かかる前処理の別の例としては、炭素－炭素不飽和結合基を有する界面吸着剤をＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）や化学吸着法等によって、基材表面に予め単分子膜の形態で形成し、その後、酸素や窒素等を含む雰囲気下にて不飽和結合を開裂する方法が挙げられる。

別の態様において、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、別の反応性基、例えばＳｉ－Ｈ基を１つ以上有するシリコーン化合物や、アルコキシシランを含む材料から成るものであってもよい。

好ましい態様において、上記基材はガラスである。かかるガラスとしては、サファイアガラス、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。

上記中間層は、上記基材上に位置する。

上記中間層は、上記基材に接するように形成されていてもよく、あるいは、他の層を介して基材の上に形成されていてもよい。好ましい態様において、上記中間層は、上記基材に接するように形成されている。

上記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物、即ちＳｉと他の金属との複合酸化物を含む。

ここに、複合酸化物とは、Ｓｉを含む複数の元素の酸化物が均一相を構成するもの、いわゆる固溶体に加え、複数の元素の酸化物が不均一相を構成しているもの、および複数の元素の酸化物が混在するものも含む。例えば、複合酸化物は、ＳｉＯ_ｘ（ｘ＝１～２）と、Ｍ_ｙＯ_ｚ（ｙ＝１～２、ｚ＝１～５）などの、酸化状態が異なるものを含んでいてもよい。また、他の金属の濃度が中間層の厚さ方向に沿って変化したもの、例えば中間層の厚さ方向に沿って濃度勾配を有するもの、または段階的に濃度が変化するものであってもよい。好ましくは、複合酸化物は、均一相を構成する固溶体から構成される。

本明細書において、金属とは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｔｅ等の半金属も包含する。

上記他の金属としては、周期表の３族～１１族の遷移金属、および１２～１５族の典型金属元素から選択される１種またはそれ以上の原子であり得る。上記他の金属は、好ましくは３族～１１族の遷移金属元素、より好ましくは３～７族の遷移金属元素、さらに好ましくは、４～６族の遷移金属元素である。

一の態様において、他の金属は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ａｌ、ＴｉおよびＶから選択される１種またはそれ以上の原子である。

好ましい態様において、他の金属は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＣｒまたはＶである。

さらに好ましい態様において、他の金属は、Ｔａである。

一の態様において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１（Ｓｉ：他の金属）であり、好ましくは１０：９０～９９：１であり、より好ましくは１０：９０～９５：５、さらにより好ましくは１３：８７～９３：７、特に好ましくは４０：６０～８０：２０であり、例えば５０：５０～９９：１、５０：５０～９０：１０または７５：２５～９９：１であり得る。Ｓｉと他の金属とのモル比をかかる範囲とすることにより、表面処理層の耐久性が向上する。尚、Ｓｉと他の金属とのモル比が深さによって異なる場合には、中間層におけるＳｉと他の金属とのモル比は、その平均値であり得る。

一の態様において、上記中間層の組成としては、表面処理層に近い最表面から０．１ｎｍ～１０ｎｍ、好ましくは０．１ｎｍ～５ｎｍ、より好ましくは０．１～３ｎｍ、さらに好ましくは０．１～３ｎｍ、０．１ｎｍ～２ｎｍにおける中間層の組成が、上記モル比を満たす。かかる中間層の組成を上記モル比の範囲内とすることにより、摩耗耐久性、耐薬品性をより確実に向上させることができる。

上記態様において、最表面から所定の深さまでの組成は、最表面から所定の深さまでの濃度の平均値であり得る。例えば、最表面から２ｎｍ、３ｎｍまたは５ｎｍまでの組成の平均値は、一定速度で所定時間スパッタンリングし、所定時間ごとに測定した組成の平均値であり得る。例えば、かかる中間層の組成は、最表面から０．１ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、９ｎｍおよび１０ｎｍの濃度の平均値であり得る。例えば、最表面から０．１ｎｍ～１０ｎｍにおける中間層の組成は、最表面から０．１ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、９ｎｍおよび１０ｎｍの濃度の平均値であってもよく、最表面から０．１ｎｍ～５ｎｍにおける中間層の組成は、最表面から０．１ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍおよび５ｎｍの濃度の平均値であってもよい。

上記中間層の厚みは、特に限定されないが、例えば、１．０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり得る。中間層の厚みを１．０ｎｍ以上にすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、および耐薬品性の向上効果をより確実に得ることができる。また、中間層の厚みを１００ｎｍ以下にすることにより、物品の透明性をより高めることができる。

上記中間層の形成方法は、特に限定されないが、Ｓｉおよび他の金属を同時に蒸着できる方法が好ましく、例えばスパッタリング、イオンビームアシスト、真空蒸着（好ましくは電子線加熱方式）、ＣＶＤ（化学気相蒸着）、原子層堆積等を用いることができ、好ましくはスパッタリングが用いられる。

上記スパッタリング法としては、ＤＣ（直流）スパッタリング方式、ＡＣ（交流）スパッタリング方式、ＲＦ（高周波）スパッタリング方式、ＲＡＳ（ラジカルアシスト）スパッタリング方式等を用いるスパッタリング法を用いることができる。これらのスパッタリング方式は２極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング法のいずれの方式であってもよい。

スパッタリングにおけるシリコンターゲットとしては、ケイ素（Ｓｉ）またはケイ素酸化物を主成分とするものが用いられる。ケイ素（Ｓｉ）を主成分とするターゲットは、ＤＣスパッタリングが可能なように、ある程度の導電性を有することが望ましい。したがって、ケイ素（Ｓｉ）を主成分とするターゲットとしては、多結晶シリコンからなるもの、または単結晶シリコンにリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）当の公知のドーパントを本発明の特徴を損なわない範囲でドープしたものを用いることが好ましい。そして、このような多結晶シリコンからなるターゲット、および単結晶シリコンにリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）等をドープしたターゲットは、ＤＣスパッタリング、ＡＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、ＲＡＳスパッタリングのいずれの方式でも使用することができる。

スパッタリング法により成膜する場合は、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気のチャンバ内に、ガラス基体を配置し、密着層形成材料として、所望の組成となるようにターゲットを選択して成膜する。この時、チャンバ内の不活性ガスのガス種は特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウム等、各種不活性ガスを使用できる。

不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力は、特に限定されるものではないが、０．５Ｐａ以下の範囲とすることにより、形成される膜の表面粗さを好ましい範囲とすることが容易である。これは、いかに示す理由によると考えられる。すなわち、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力が０．５Ｐａ以下であると、成膜分子の平均自由行程が確保され、成膜分子がより多くのエネルギーをもって基体に到達する。そのため、成膜分子の再配置が促され、比較的密で平滑な表面の膜ができると考えられる。不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力の下限値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１Ｐａ以上であることが望ましい。

スパッタリング法により高屈折率層および低屈折率層を成膜する場合、各層の層厚、組成の調整は、例えば放電電力の調整、成膜時間の調整、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスの比率の調整等により可能である。

上記、中間層を設けることによって、表面処理層の耐久性が向上しうる。耐久性とは、耐アルカリ性、耐加水分解性、耐摩耗性である。

耐アルカリ性の観点からＳｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１（Ｓｉ：他の金属）であり、好ましくは１０：９０～９９：１であり、より好ましくは１０：９０～９５：５、さらにより好ましくは１３：８７～９３：７、特に好ましくは４０：６０～８０：２０であり、例えば５０：５０～９９：１、５０：５０～９０：１０または７５：２５～９９：１であり得る。Ｓｉと他の金属とのモル比をかかる範囲とすることにより、表面処理層の耐アルカリ性が向上する。

耐摩耗性の観点からは、Ｓｉと他の金属とのモル比は、１０：９０～９９．９：０．１（Ｓｉ：他の金属）であり、好ましくは１０：９０～９９：１であり、より好ましくは１０：９０～９５：５、さらにより好ましくは１３：８７～９３：７、特に好ましくは４０：６０～８０：２０であり、例えば５０：５０～９９：１、５０：５０～９０：１０または７５：２５～９９：１であり得る。Ｓｉと他の金属とのモル比をかかる範囲とすることにより、表面処理層の摩擦耐久性が向上する。

また、上記中間層の組成、比率は、下記の表面分析により決定することができる。表面分析の方法としては、Ｘ線光電子分光分析法、飛行時間型二次イオン質量分析法などを用いることができる。

中間層の組成、比率を測定するためのＸ線光電子分光分析法を行う装置としては、ＸＰＳ，アルバック・ファイ社製 ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩを使用することができる。ＸＰＳ分析の測定条件としては、Ｘ線源に単色化ＡｌＫα線を２５Ｗ、光電子検出面積を１４００μｍ×３００μｍ，光電子検出角を、２０度～９０度の範囲（例えば２０度、４５度、９０度）、パスエネルギーを２３．５ｅＶとし、スパッタイオンにはＡｒイオンを用いることが可能である。上記装置、測定条件により、Ｃ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｆ１ｓ、Ｓｉ２ｐ軌道、および他の金属の適切な軌道のピーク面積を観測し、炭素、酸素、フッ素、ケイ素、および他の金属の原子比を算出することにより積層体の組成を求めることができる。他の金属の適切な軌道としては、例えば、原子番号５（Ｂ）は１ｓ軌道、原子番号１３～１４、２１～３１（Ａｌ～Ｓｉ、Ｓｃ～Ｇａ）は２ｐ軌道、原子番号３２～３３、３９～５２（Ｇｅ～Ａｓ、Ｙ～Ｔｅ）は３ｄ軌道、原子番号７２～８３（Ｈｆ～Ｂｉ）は４ｆ軌道が挙げられる。

また、中間層の深さ方向の分析を実施することも可能である。ＸＰＳ分析の測定条件としては、Ｘ線源に単色化ＡｌＫα線を２５Ｗで用い、光電子検出面積を１４００μｍ×３００μｍ，光電子検出角を、２０度～９０度の範囲（例えば２０度、４５度、９０度）、パスエネルギーを２３．５ｅＶとし、スパッタイオンにはＡｒイオンを用いることができる。Ａｒイオンによるスパッタリングによって積層体表層をＳｉＯ_２換算で１～１００ｎｍエッチングし、それぞれのエッチング後の深さにおいて、Ｏ１ｓ、Ｓｉ２ｐ軌道、および他の金属の適切な軌道のピーク面積を観測し、酸素、ケイ素、および他の金属の原子比を算出することにより積層体内部の組成を求めることができる。他の金属の適切な軌道としては、例えば、原子番号５（Ｂ）は１ｓ軌道、原子番号１３～１４、２１～３１（Ａｌ～Ｓｉ、Ｓｃ～Ｇａ）は２ｐ軌道、原子番号３２～３３、３９～５２（Ｇｅ～Ａｓ、Ｙ～Ｔｅ）は３ｄ軌道、原子番号７２～８３（Ｈｆ～Ｂｉ）は４ｆ軌道が挙げられる。

上記のＸＰＳ分析の光電子検出角を調整することにより、検出深さを適宜調整することができる。例えば、２０度に近い浅い角度とすることにより、検出深さを３ｎｍ程度とすることができ、一方、９０度に近い深い角度にすることにより、検出深さを１０数ｎｍ程度とすることができる。

尚、ＸＰＳ分析による組成分析において、基材のＳｉ等が検出される場合には、基材中の特定の原子、例えば基材がガラスの場合、微量に含まれる金属原子（例えばＡｌ、Ｎａ、Ｋ，Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｎなど）の検出量から検出された基材のＳｉ量を算出し、測定結果から減ずることにより、中間層の組成を算出することができる。

上記表面処理層は、上記中間層の直上に位置する。即ち、表面処理層は、中間層に接するように形成されている。

上記表面処理層は、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成することができる。

上記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）：
［式中：
Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０または１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物であり得る。

本明細書において用いられる場合、「１価の有機基」とは、炭素を含有する１価の基を意味する。１価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基またはその誘導体であり得る。炭化水素基の誘導体とは、炭化水素基の末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有している基を意味する。

本明細書において用いられる場合、「２価の有機基」としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、分子から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１～２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、Ｃ_２－６アルキニル基、Ｃ_３－１０シクロアルキル基、Ｃ_３－１０不飽和シクロアルキル基、５～１０員のヘテロシクリル基、５～１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ_６－１０アリール基および５～１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

本明細書において、アルキル基およびフェニル基は、特記しない限り、非置換であっても、置換されていてもよい。かかる基の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。

本明細書において、「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、ハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）などが挙げられる。

上記式（１）において、Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－である。

上記式（２）において、Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－である。

上記式において、Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基である。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基における「Ｃ_１－１６アルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１－６アルキル基、特にＣ_１－３アルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－６アルキル基、特にＣ_１－３アルキル基である。

上記Ｒｆ^１は、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１－１６アルキル基であり、より好ましくはＣＦ_２Ｈ－Ｃ_１－１５パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１－１６パーフルオロアルキル基である。

上記Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１－６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１－３パーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１－３パーフルオロアルキル基、具体的には－ＣＦ_３、－ＣＦ_２ＣＦ_３、または－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３である。

上記式において、Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基である。

上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基における「Ｃ_１－６アルキレン基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１－３アルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－３アルキレン基である。

上記Ｒｆ^２は、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１－６アルキレン基であり、より好ましくはＣ_１－６パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１－３パーフルオロアルキレン基である。

上記Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖のＣ_１－３パーフルオロアルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－３パーフルオロアルキレン基、具体的には－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、または－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－である。

上記式において、ｐは、０または１である。一の態様において、ｐは０である。別の態様においてｐは１である。

上記式において、ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１である。一の態様において、ｑは０である。別の態様においてｑは１である。

上記Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基である。

Ｒ^Ｆは、好ましくは、式：
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
［式中：
Ｒ^Ｆａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である。

Ｒ^Ｆａは、好ましくは、水素原子またはフッ素原子であり、より好ましくは、フッ素原子である。

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、好ましくは、それぞれ独立して、０～１００の整数であってもよい。

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上または２０以上であってもよい。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは６０以下であり、例えば５０以下または３０以下であってもよい。

上記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆを付して括弧でくくられた繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよい。

上記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆを付して括弧でくくられた繰り返し単位に関して、－（ＯＣ_６Ｆ_１２）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－等であり得る。－（ＯＣ_５Ｆ_１０）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－等であり得る。－（ＯＣ_４Ｆ_８）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）－または－（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））－であり得る。－（ＯＣ_３Ｆ_６）－（即ち、上記式中、Ｒ^Ｆａはフッ素原子である）は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－または－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－であり得る。－（ＯＣ_２Ｆ_４）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－または－（ＯＣＦ（ＣＦ_３））－であり得る。

一の態様において、上記繰り返し単位は直鎖状である。即ち、－（ＯＣ_６Ｆ_１２）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－であり、－（ＯＣ_５Ｆ_１０）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－であり、－（ＯＣ_４Ｆ_８）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－であり、－（ＯＣ_３Ｆ_６）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－であり、－（ＯＣ_２Ｆ_４）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－である。上記繰り返し単位を直鎖状とすることにより、表面処理層の滑り性が向上する。

一の態様において、上記繰り返し単位は分枝鎖状である。上記繰り返し単位を分枝鎖状とすることにより、表面処理層の動摩擦係数を大きくすることができる。

一の態様において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）～（ｆ４）：
－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－ （ｆ１）
［式中、ｄは、１～２００の整数である。］
－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下の整数であり、
ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２以上であり、
添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２～１００の整数である。］
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ４）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ５）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である。

上記式（ｆ１）において、ｄは、好ましくは５～２００、より好ましくは１０～１００、さらに好ましくは１５～５０、例えば２５～３５の整数である。上記式（ｆ１）は、好ましくは、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ－または－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｄ－で表される基であり、より好ましくは、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ－で表される基である。

上記式（ｆ２）において、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０～２００の整数である。また、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上または２０以上であってもよい。一の態様において、上記式（ｆ２）は、好ましくは、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－で表される基である。別の態様において、式（ｆ２）は、－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－で表される基であってもよい。

上記式（ｆ３）において、Ｒ^６は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４である。上記（ｆ３）において、Ｒ^７は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせであり、より好ましくは、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から選択される基である。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６およびＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、および－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４－等が挙げられる。上記式（ｆ３）において、ｇは、好ましくは３以上、より好ましくは５以上の整数である。上記ｇは、好ましくは５０以下の整数である。上記式（ｆ３）において、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、上記式（ｆ３）は、好ましくは、－（ＯＣ_２Ｆ_４－ＯＣ_３Ｆ_６）_ｇ－または－（ＯＣ_２Ｆ_４－ＯＣ_４Ｆ_８）_ｇ－である。

上記式（ｆ４）において、ｅは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

上記式（ｆ５）において、ｆは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ１）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ２）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ３）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ４）で表される基である。

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ５）で表される基である。

上記Ｒ^Ｆにおいて、ｆに対するｅの比（以下、「ｅ／ｆ比」という）は、０．１～１０であり、好ましくは０．２～５であり、より好ましくは０．２～２であり、さらに好ましくは０．２～１．５であり、さらにより好ましくは０．２～０．８５である。ｅ／ｆ比を１０以下にすることにより、この化合物から得られる表面処理層の滑り性、摩擦耐久性および耐ケミカル性（例えば、人工汗に対する耐久性）がより向上する。ｅ／ｆ比がより小さいほど、表面処理層の滑り性および摩擦耐久性はより向上する。一方、ｅ／ｆ比を０．１以上にすることにより、化合物の安定性をより高めることができる。ｅ／ｆ比がより大きいほど、化合物の安定性はより向上する。

一の態様において、上記ｅ／ｆ比は、好ましくは０．２～０．９５であり、より好ましくは０．２～０．９である。

一の態様において、耐熱性の観点から、上記ｅ／ｆ比は、好ましくは１．０以上であり、より好ましくは１．０～２．０である。

上記フルオロポリエーテル基含有化合物において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、例えば５００～３０，０００、好ましくは１，５００～３０，０００、より好ましくは２，０００～１０，０００である。本明細書において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２の数平均分子量は、^１９Ｆ－ＮＭＲにより測定される値とする。

別の態様において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、５００～３０，０００、好ましくは１，０００～２０，０００、より好ましくは２，０００～１５，０００、さらにより好ましくは２，０００～１０，０００、例えば３，０００～６，０００であり得る。

別の態様において、Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、４，０００～３０，０００、好ましくは５，０００～１０，０００、より好ましくは６，０００～１０，０００であり得る。

上記式（１）および（２）において、Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり、少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基である。

好ましい態様において、Ｒ^Ｓｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基である。

好ましい態様において、Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、または（Ｓ４）：
で表される基である。

上記式中、Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^１１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^１１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記式中、Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^１２において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記式中、ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）または（Ｓ２）で表される基である場合、式（１）および式（２）の末端のＲ^Ｓｉ _βおよびＲ^Ｓｉ _γ部分（以下、単に式（１）および式（２）の「末端部分」ともいう）において、ｎ１が１～３である（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位が少なくとも１つ存在する。即ち、かかる末端部分において、すべてのｎ１が同時に０になることはない。換言すれば、式（１）および式（２）の末端部分において、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。

ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

上記式中、Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基である。かかる２価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキレン基である。かかるＣ_１－２０アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。

好ましい態様において、Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または直鎖のＣ_１－６アルキレン基であり、好ましくは単結合または直鎖のＣ_１－３アルキレン基、より好ましくは単結合または直鎖のＣ_１－２アルキレン基であり、さらに好ましくは直鎖のＣ_１－２アルキレン基である。

上記式中、Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基である。かかるＣ_１－２０アルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。

好ましい態様において、Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または直鎖のＣ_１－６アルキル基であり、好ましくは水素原子または直鎖のＣ_１－３アルキル基、好ましくは水素原子またはメチル基である。

上記式中、ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～１０の整数である。

好ましい態様において、ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～６の整数である。

上記式中、Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子である。かかるハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。好ましい態様において、Ｒ^１４は、水素原子である。

上記式中、Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１である。

上記Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）に結合する。

好ましい態様において、Ｚ^１は、２価の有機基である。

好ましい態様において、Ｚ^１は、Ｚ^１が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１－Ｓｉは、シロキサン結合を含まない。

上記Ｚ^１は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２－（式中、ｚ１は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ３－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－（式中、ｚ３は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。上記Ｃ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^１は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ３－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－である。Ｚ^１がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^１は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’である。

上記Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１’として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）に結合する。

好ましい態様において、Ｚ^１’は、２価の有機基である。

好ましい態様において、Ｚ^１’は、Ｚ^１’が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１’－Ｓｉ）は、シロキサン結合を含まない。

上記Ｚ^１’は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１’－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２’－（式中、ｚ１’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ３’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－（式中、ｚ３’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^１’は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ３’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－である。Ｚ^１’がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^１’は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”である。

上記Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１”として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）に結合する。

好ましい態様において、Ｚ^１”は、２価の有機基である。

好ましい態様において、Ｚ^１”は、Ｚ^１”が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１”－Ｓｉ）は、シロキサン結合を含まない。

上記Ｚ^１”は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１”－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２”－（式中、ｚ１”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ３”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－（式中、ｚ３”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^１”は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ３”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－である。Ｚ^１”がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^１”は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１”は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１”は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^２２”は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^２２”は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^２３”において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、上記ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｑ１”とｒ１”の合計は、（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）単位において、３である。

ｑ１”は、（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

上記Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^２２’は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^２２’は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^２３’において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ’、ｑ１’とｒ１’の合計は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位において、３である。

一の態様において、ｐ１’は、０である。

一の態様において、ｐ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、または３であってもよい。好ましい態様において、ｐ１’は、３である。

一の態様において、ｑ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

一の態様において、ｐ１’は０であり、ｑ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

上記Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^２２は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^２２は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^２３において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ、ｑ１とｒ１の合計は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位において、３である。

一の態様において、ｐ１は、０である。

一の態様において、ｐ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、または３であってもよい。好ましい態様において、ｐ１は、３である。

一の態様において、ｑ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

一の態様において、ｐ１は０であり、ｑ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

上記式中、Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^ｂ１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^ｂ１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記式中、Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^ｃ１において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ、ｌ１とｍ１の合計は、（ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１）単位において、３である。

一の態様において、ｋ１は、（ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。好ましい態様において、ｋ１は、３である。

上記式（１）および（２）において、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ３）で表される基である場合、好ましくは、式（１）および式（２）の末端部分において、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子が少なくとも２つ存在する。

好ましい態様において、式（Ｓ３）で表される基は、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１（式中、ｑ１は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３であり、ｒ１は、０～２の整数である。）、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’（式中、ｑ１’は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３であり、ｒ１’は、０～２の整数である。）、または－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”（式中、ｑ１”は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３であり、ｒ１”は、０～２の整数である。）のいずれか１つを有する。

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^２１’が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^２１’において、ｑ１”は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^２１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^２１において、ｐ１’は、０であり、ｑ１’は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^ａ１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^ａ１において、ｐ１は、０であり、ｑ１は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、ｋ１は２または３、好ましくは３であり、ｐ１は０であり、ｑ１は２または３、好ましくは３である。

Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２である。

Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^２として記載する構造は、右側が（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）に結合する。

好ましい態様において、Ｚ^２は、２価の有機基である。

上記Ｚ^２は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６－（式中、ｚ５は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ７－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－（式中、ｚ７は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^２は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ７－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－である。Ｚ^２がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^２は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^２は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^２は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’である。

Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^２’として記載する構造は、右側が（ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）に結合する。

上記Ｚ^２’は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５’－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６’－（式中、ｚ５’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ７’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－（式中、ｚ７’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^２’は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ７’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－である。Ｚ^２’がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^２’は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^２’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^２’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。

上記Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基である。尚、以下Ｚ^３として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）に結合する。

一の態様において、Ｚ^３は酸素原子である。

一の態様において、Ｚ^３は２価の有機基である。

上記Ｚ^３は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５”－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６”－（式中、ｚ５”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）または、－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－（式中、ｚ７”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、およびＣ_２－６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

一の態様において、Ｚ^３は、Ｃ_１－６アルキレン基または－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－である。Ｚ^３がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

別の態様において、上記Ｚ^３は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^３は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^３は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基である。

Ｒ^３４は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解可能な基である。

Ｒ^３４は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｈ、－ＯＣＯＲ^ｈ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｈ _２、－ＮＲ^ｈ _２、－ＮＨＲ^ｈ、またはハロゲン（これら式中、Ｒ^ｈは、置換または非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｈ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｈとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｈは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｈは、エチル基である。

上記Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^３５において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

上記式中、ｎ２は、（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である場合、式（１）および式（２）の末端部分において、ｎ２が１～３である（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位が少なくとも１つ存在する。即ち、かかる末端部分において、すべてのｎ２が同時に０になることはない。換言すれば、式（１）および式（２）の末端部分において、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。

ｎ２は、（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

上記Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^３３’において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

一の態様において、Ｒ^３３’は、水酸基である。

別の態様において、Ｒ^３３’は、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

上記ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、上記ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｑ２’とｒ２’の合計は、（ＳｉＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）単位において、３である。

ｑ２’は、（ＳｉＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。かかる－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２は、上記Ｒ^３２’における記載と同意義である。

上記Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^３３において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

一の態様において、Ｒ^３３は、水酸基である。

別の態様において、Ｒ^３３は、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

上記ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ２、ｑ２およびｒ２の合計は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位において、３である。

一の態様において、ｐ２は、０である。

一の態様において、ｐ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、または３であってもよい。好ましい態様において、ｐ２は、３である。

一の態様において、ｑ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

一の態様において、ｐ２は０であり、ｑ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。かかる－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２は、上記Ｒ^３２’における記載と同意義である。

Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解可能な基を除く１価の有機基である。

Ｒ^ｆ１において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

一の態様において、Ｒ^ｆ１は、水酸基である。

別の態様において、Ｒ^ｆ１は、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

上記ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｋ２、ｌ２およびｍ２の合計は、（ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２）単位において、３である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である場合、ｎ２が１～３、好ましくは２または３、より好ましくは３である（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位は、式（１）および式（２）の各末端部分において、２個以上、例えば２～２７個、好ましくは２～９個、より好ましくは２～６個、さらに好ましくは２～３個、特に好ましくは３個存在する。

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^３２’が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^３２’において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^３２が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^３２において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^ｅ１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^ｅ１において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２または３、より好ましくは３である。

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、ｋ２は０であり、ｌ２は２または３、好ましくは３であり、ｎ２は、２または３、好ましくは３である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ２）、（Ｓ３）または（Ｓ４）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ１）、（Ｓ３）または（Ｓ４）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ３）または（Ｓ４）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ１）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ２）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ３）で表される基である。

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ４）で表される基である。

上記式（１）および（２）において、Ｘ^Ａは、主に撥水性および表面滑り性等を提供するフルオロポリエーテル部（Ｒ^Ｆ１およびＲ^Ｆ２）と基材との結合能を提供する部（Ｒ^Ｓｉ）とを連結するリンカーと解される。従って、該Ｘ^Ａは、式（１）および（２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、単結合であってもよく、いずれの基であってもよい。

上記式（１）において、αは１～９の整数であり、βは１～９の整数である。これらαおよびβは、Ｘ^Ａの価数に応じて変化し得る。αおよびβの和は、Ｘ^Ａの価数と同じである。例えば、Ｘ^Ａが１０価の有機基である場合、αおよびβの和は１０であり、例えばαが９かつβが１、αが５かつβが５、またはαが１かつβが９となり得る。また、Ｘ^Ａが２価の有機基である場合、αおよびβは１である。

上記式（２）において、γは１～９の整数である。γは、Ｘ^Ａの価数に応じて変化し得る。即ち、γは、Ｘ^Ａの価数から１を引いた値である。

Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基である。

上記Ｘ^Ａにおける２～１０価の有機基は、好ましくは２～８価の有機基である。一の態様において、かかる２～１０価の有機基は、好ましくは２～４価の有機基であり、より好ましくは２価の有機基である。別の態様において、かかる２～１０価の有機基は、好ましくは３～８価の有機基、より好ましくは３～６価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^Ａは、単結合または２価の有機基であり、αは１であり、βは１である。

一の態様において、Ｘ^Ａは、単結合または２価の有機基であり、γは１である。

一の態様において、Ｘ^Ａは３～６価の有機基であり、αは１であり、βは２～５である。

一の態様において、Ｘ^Ａは３～６価の有機基であり、γは２～５である。

一の態様において、Ｘ^Ａは、３価の有機基であり、αは１であり、βは２である。

一の態様において、Ｘ^Ａは、３価の有機基であり、γは２である。

Ｘ^Ａが、単結合または２価の有機基である場合、式（１）および（２）は、下記式（１’）および（２’）で表される。

一の態様において、Ｘ^Ａは単結合である。

別の態様において、Ｘ^Ａは２価の有機基である。

一の態様において、Ｘ^Ａとしては、例えば、単結合または下記式：
－（Ｒ^５１）_ｐ５－（Ｘ^５１）_ｑ５－
［式中：
Ｒ^５１は、単結合、－（ＣＨ_２）_ｓ５－またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ_２）_ｓ５－であり、
ｓ５は、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘ^５１は、－（Ｘ^５２）_ｌ５－を表し、
Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、－ＣＯＮＲ^５４－、－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、－ＮＲ^５４－および－（ＣＨ_２）_ｎ５－からなる群から選択される基を表し、
Ｒ^５３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ_１－６アルキル基またはＣ_１－６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ_１－６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１－６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ５は、各出現において、それぞれ独立して、１～１００の整数、好ましくは１～２０の整数であり、
ｎ５は、各出現において、それぞれ独立して、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
ｌ５は、１～１０の整数、好ましくは１～５の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
ｐ５は、０または１であり、
ｑ５は、０または１であり、
ここに、ｐ５およびｑ５の少なくとも一方は１であり、ｐ５またはｑ５を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の有機基が挙げられる。ここに、Ｒ^Ａ（典型的にはＲ^Ａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基およびＣ_１－３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｒ^Ａは、これらの基により置換されていない。

好ましい態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、－（Ｒ^５１）_ｐ５－（Ｘ^５１）_ｑ５－Ｒ^５６－である。Ｒ^５６は、単結合、－（ＣＨ_２）_ｔ５－またはｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ_２）_ｔ５－である。ｔ５は、１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。ここに、Ｒ^５６（典型的にはＲ^５６の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基およびＣ_１－３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｒ^５６は、これらの基により置換されていない。

好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
－Ｘ^ｆ５－Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｘ^ｆ５－Ｒ^５１－Ｘ^５３－Ｒ^５２－、または
－Ｘ^ｆ５－Ｘ^５４－Ｒ^５－
［式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は、上記と同意義であり、
Ｘ^５３は、
－Ｏ－、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－Ｎ（Ｒ^５４）－、または
－ＣＯＮＲ^５４－（ｏ－、ｍ－またはｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－
（式中、Ｒ^５３、Ｒ^５４およびｍ５は、上記と同意義であり、
ｕ５は１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。）を表し、
Ｘ^５４は、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５４）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５４）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－Ｎ（Ｒ^５４）－、または
－ＣＯＮＲ^５４－（ｏ－、ｍ－またはｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ^５４）_２－
（式中、各記号は、上記と同意義である。）
を表し、
Ｘ^ｆ５は、単結合または炭素数１～６、好ましくは炭素数１～４、より好ましくは炭素数１～２のパーフルオロアルキレン基、例えばジフルオロメチレン基である。］
であり得る。

より好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
－Ｘ^ｆ５－Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－
－Ｘ^ｆ５－Ｘ^５４－、または
－Ｘ^ｆ５－Ｘ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、Ｘ^ｆ５、Ｘ^５３、Ｘ^５４、ｓ５およびｔ５は、上記と同意義である。］
である。

より好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
－Ｘ^ｆ５－Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－、または
－Ｘ^ｆ５－Ｘ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。

好ましい態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合
－Ｘ^ｆ５－Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－、または
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、
Ｘ^５３は、－Ｏ－、－ＣＯＮＲ^５４－、または－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ_１－６アルキル基を表し、
ｓ５は、１～２０の整数であり、
ｔ５は、１～２０の整数である。］
であり得る。

一の態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
－Ｘ^ｆ５－Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ５－、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_ｔ５－、
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_ｔ５－、または
－Ｘ^ｆ５－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（Ｃ_vＨ_２v）－
［式中、Ｘ^ｆ５、Ｒ^５３、ｍ５、ｓ５、ｔ５およびｕ５は、上記と同意義であり、ｖ５は１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。］
である。

上記式中、－（Ｃ_vＨ_２v）－は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－であり得る。

上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基およびＣ_１－３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１－３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。一の態様において、Ｘ^Ａは、非置換である。

尚、上記Ｘ^Ａは、各式の左側がＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合し、右側がＲ^Ｓｉに結合する。

一の態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、－Ｏ－Ｃ_１－６アルキレン基以外であり得る。

別の態様において、Ｘ^Ａとしては、例えば下記の基が挙げられる：
［式中、Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、またはＣ_１－６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）₄－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および
（式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１－６のアルキル基またはＣ_１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、－（ＣＨ_２）_ｎ－（ｎは２～６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合し、Ｅは、Ｒ^Ｓｉに結合する。］

上記Ｘ^Ａの具体的な例としては、例えば：
単結合、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＦ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－、
－ＣＦ_２－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＦ_２－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_４－、
－（ＣＨ_２）_５－、
－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＦ_２－ＣＨ_２－、
－ＣＦ_２－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＦ_２－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２－（ＣＨ_２）_４－、
－ＣＦ_２－（ＣＨ_２）_５－、
－ＣＦ_２－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯ－、
－ＣＯＮＨ－、
－ＣＯＮＨ－ＣＨ_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＦ_２ＣＯＮＨＣＨ_２－、
－ＣＦ_２ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＦ_２ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２ＣＯＮＨ（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＦ_２－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＦ_２－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＦ_２－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６－、
－Ｓ－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ_２）_３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、
－ＯＣＨ_２－、
－Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＯＣＦＨＣＦ_２－、


などが挙げられる。

さらに別の態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、式：－（Ｒ^１６）_ｘ１－（ＣＦＲ^１７）_ｙ１－（ＣＨ_２）_ｚ１－で表される基である。式中、ｘ１、ｙ１およびｚ１は、それぞれ独立して、０～１０の整数であり、ｘ１、ｙ１およびｚ１の和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

上記式中、Ｒ^１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、－ＮＲ^１８－（式中、Ｒ^１８は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ^１８は、酸素原子または２価の極性基である。

上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（＝ＮＲ^１９）－、および－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１９－（これらの式中、Ｒ^１９は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１～６のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピルであり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。

上記式中、Ｒ^１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１～６、好ましくは炭素数１～３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１～３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。

さらに別の態様において、Ｘ^Ａの例として、下記の基が挙げられる：
［式中、
Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、またはＣ_１－６アルコキシ基好ましくはメチル基であり；
各Ｘ^１０１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＲ^Ｆ１またはＲ^Ｆ２に結合する以下の基：
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）₄－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または
［式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１－６のアルキル基またはＣ_１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＲ^Ｓｉに結合し、存在する場合、残りのＴは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基、Ｃ_１－６アルコキシ基またはラジカル捕捉基または紫外線吸収基である。

ラジカル捕捉基は、光照射で生じるラジカルを捕捉できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、安息香酸エステル類、サリチル酸フェニル類、クロトン酸類、マロン酸エステル類、オルガノアクリレート類、ヒンダードアミン類、ヒンダードフェノール類、またはトリアジン類の残基が挙げられる。

紫外線吸収基は、紫外線を吸収できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾトリアゾール類、ヒドロキシベンゾフェノン類、置換および未置換安息香酸もしくはサリチル酸化合物のエステル類、アクリレートまたはアルコキシシンナメート類、オキサミド類、オキサニリド類、ベンゾキサジノン類、ベンゾキサゾール類の残基が挙げられる。

好ましい態様において、好ましいラジカル捕捉基または紫外線吸収基としては、
が挙げられる。

この態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３～１０価の有機基であり得る。

さらに別の態様において、Ｘ^Ａの例として、下記の基が挙げられる：
［式中、Ｒ^２５、Ｒ^２６およびＲ^２７は、それぞれ独立して２～６価の有機基であり、
Ｒ^２５は、少なくとも１つのＲ^Ｆ１に結合し、Ｒ^２６およびＲ^２７は、それぞれ、少なくとも１つのＲ^Ｓｉに結合する。］

一の態様において、上記Ｒ^２５は、単結合、Ｃ_１－２０アルキレン基、Ｃ_３－２０シクロアルキレン基、Ｃ_５－２０アリーレン基、－Ｒ^５７－Ｘ^５８－Ｒ^５９－、－Ｘ^５８－Ｒ^５９－、または－Ｒ^５７－Ｘ^５８－である。上記、Ｒ^５７およびＲ^５９は、それぞれ独立して、単結合、Ｃ_１－２０アルキレン基、Ｃ_３－２０シクロアルキレン基、またはＣ_５－２０アリーレン基である。上記Ｘ^５８は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－または－ＣＯＯ－である。

一の態様において、上記Ｒ^２６およびＲ^２７は、それぞれ独立して、炭化水素、または炭化水素の端または主鎖中にＮ、ＯおよびＳから選択される少なくとも１つの原子を有する基であり、好ましくは、Ｃ_１－６アルキル基、－Ｒ^３６－Ｒ^３７－Ｒ^３６－、－Ｒ^３６－ＣＨＲ^３８ _２－などが挙げられる。ここに、Ｒ^３６は、それぞれ独立して、単結合または炭素数１～６のアルキル基、好ましくは炭素数１～６のアルキル基である。Ｒ^３７は、Ｎ、ＯまたはＳであり、好ましくはＮまたはＯである。Ｒ^３８は、－Ｒ^４５－Ｒ^４６－Ｒ^４５－、－Ｒ^４６－Ｒ^４５－または－Ｒ^４５－Ｒ^４６－である。ここに、Ｒ^４５は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基である。Ｒ^４６は、Ｎ、ＯまたはＳであり、好ましくはＯである。

この態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３～１０価の有機基であり得る。

上記式（１）または式（２）で表されるフルオロポリエーテル基含有化合物は、特に限定されるものではないが、５×１０^２～１×１０^５の平均分子量を有し得る。かかる範囲のなかでも、２，０００～３２，０００、より好ましくは２，５００～１２，０００の平均分子量を有することが、摩擦耐久性の観点から好ましい。なお、かかる「平均分子量」は、数平均分子量を言い、「平均分子量」は、^１９Ｆ－ＮＭＲにより測定される値とする。

一の態様において、本開示で用いられる表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（１）で表される化合物である。

別の態様において、本開示で用いられる表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（２）で表される化合物である。

別の態様において、本開示で用いられる表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（１）で表される化合物および式（２）で表される化合物である。

本開示で用いられる表面処理剤中、式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対して、式（２）で表される化合物は、好ましくは０．１モル％以上３５モル％以下である。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物の含有量の下限は、好ましくは０．１モル％、より好ましくは０．２モル％、さらに好ましくは０．５モル％、さらにより好ましくは１モル％、特に好ましくは２モル％、特別には５モル％であり得る。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物の含有量の上限は、好ましくは３５モル％、より好ましくは３０モル％、さらに好ましくは２０モル％、さらにより好ましくは１５モル％または１０モル％であり得る。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物は、好ましくは０．１モル％以上３０モル％以下、より好ましくは０．１モル％以上２０モル％以下、さらに好ましくは０．２モル％以上１０モル％以下、さらにより好ましくは０．５モル％以上１０モル％以下、特に好ましくは１モル％以上１０モル％以下、例えば２モル％以上１０モル％以下または５モル％以上１０モル％以下である。式（２）で表される化合物をかかる範囲とすることにより、より摩擦耐久性を向上させることができる。

上記の式（１）または（２）で表される化合物は、例えば、上記特許文献１、特許文献２等に記載の方法により得ることができる。

本開示で用いられる表面処理剤は、溶媒、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物（以下、まとめて「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒、界面活性剤、重合禁止剤、増感剤等を含み得る。

上記溶媒としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸セロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、酢酸カルビトール、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル－２－ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテート、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、２－ヒドロキシイソ酪酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２－ヘキサノン、シクロヘキサノン、メチルアミノケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチルセルソルブ、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル等のグリコールエーテル類；メタノール、エタノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、３－ペンタノール、オクチルアルコール、３－メチル－３－メトキシブタノール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等の環状エーテル類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド類；メチルセロソルブ、セロソルブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテルアルコール類；ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート；１，１，２－トリクロロ－１，２，２－トリフルオロエタン、１，２－ジクロロ－１，１，２，２－テトラフルオロエタン、ジメチルスルホキシド、１，１－ジクロロ－１，２，２，３，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ２２５）、ゼオローラＨ、ＨＦＥ７１００、ＨＦＥ７２００、ＨＦＥ７３００等のフッ素含有溶媒等が挙げられる。あるいはこれらの２種以上の混合溶媒等が挙げられる。

含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロ（ポリ）エーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ^５－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’－（ＯＣＦ_２）_ｄ’－Ｒｆ^６ ・・・（３）
式中、Ｒｆ^５は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ^６は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ^５およびＲｆ^６は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ_１－３パーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロ（ポリ）エーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１～３００、より好ましくは２０～３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、－（ＯＣ_４Ｆ_８）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）－および（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－である。－（ＯＣ_３Ｆ_６）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－および（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよく、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－である。－（ＯＣ_２Ｆ_４）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－および（ＯＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－である。

上記一般式（３）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）および（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ^５－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”－Ｒｆ^６ ・・・（３ａ）
Ｒｆ^５－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ”－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ”－（ＯＣＦ_２）_ｄ”－Ｒｆ^６ ・・・（３ｂ）
これら式中、Ｒｆ^５およびＲｆ^６は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ”は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ”およびｂ”は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ”およびｄ”はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ”、ｂ”、ｃ”、ｄ”を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。

また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ^３－Ｆ（式中、Ｒｆ^３はＣ_５－１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。

上記含フッ素オイルは、５００～１００００の平均分子量を有していてよい。含フッ素オイルの分子量は、ＧＰＣを用いて測定し得る。

含フッ素オイルは、表面処理剤に対して、例えば０～５０質量％、好ましくは０～３０質量％、より好ましくは０～５質量％含まれ得る。一の態様において、表面処理剤は、含フッ素オイルを実質的に含まない。含フッ素オイルを実質的に含まないとは、含フッ素オイルを全く含まない、または極微量の含フッ素オイルを含んでいてもよいことを意味する。

一の態様において、含フッ素シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を大きくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、特に真空蒸着法により表面処理層を形成する場合において、より優れた摩擦耐久性と表面滑り性を得ることができる。

一の態様において、含フッ素シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を小さくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、かかる化合物から得られる表面処理層の透明性の低下を抑制しつつ、高い摩擦耐久性および高い表面滑り性を有する硬化物を形成できる。

含フッ素オイルは、表面処理剤によって形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。

上記表面処理剤中、かかるシリコーンオイルは、上記含フッ素シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０～３００質量部、好ましくは５０～２００質量部で含まれ得る。

シリコーンオイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。

触媒は、上記含フッ素シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、上記表面処理剤により形成される層の形成を促進する。

他の成分としては、上記以外に、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン等も挙げられる。

本開示で用いられる表面処理剤は、多孔質物質、例えば多孔質のセラミック材料、金属繊維、例えばスチールウールを綿状に固めたものに含浸させて、ペレットとすることができる。当該ペレットは、例えば、真空蒸着に用いることができる。

上記表面処理層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、上記層の厚さは、１～５０ｎｍ、１～３０ｎｍ、好ましくは１～１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性および防汚性の点から好ましい。

上記表面処理層は、例えば、上記中間層上に、上記表面処理剤の層を形成し、この層を必要に応じて後処理することにより形成することができる。

上記の表面処理剤の層形成は、上記の表面処理剤を中間層の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。

湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。

乾燥被覆法の例としては、蒸着（通常、真空蒸着）、スパッタリング、ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ－ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

湿潤被覆法を使用する場合、上記表面処理剤は、溶媒で希釈されてから中間層に適用され得る。上記表面処理剤の安定性および溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：炭素数５～１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサンおよびパーフルオロ－１，３－ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ_３Ｆ_７ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基およびアルキル基は直鎖または分枝状であってよい）、あるいはＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００））など。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。なかでも、ヒドロフルオロエーテルが好ましく、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）および／またはパーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）が特に好ましい。

乾燥被覆法を使用する場合、上記表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、または、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。

上記表面処理剤の層形成は、層中で表面処理剤が加水分解および脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、上記表面処理剤を溶媒で希釈した後、中間層の表面に適用する直前に、上記表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した上記表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した上記表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。

触媒には、任意の適切な酸または塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。

上記のようにして、中間層の表面に、上記表面処理剤に由来する層が形成され、本開示の物品が製造される。これにより得られる上記表面処理層は、高い摩擦耐久性を有する。また、上記層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。

本開示の物品は、さらに、上記表面処理層を最外層に有する光学材料であり得る。

本開示の物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材の例には、次のものが挙げられる：眼鏡などのレンズ；ＰＤＰ、ＬＣＤなどのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ－Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。

また、本開示の物品は、医療機器または医療材料であってもよい。

本開示の物品は、基材上に、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層、その上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層を有することにより、高い耐ケミカル性、高い摩擦耐久性を有する。

本開示の物品は、基材上に、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成し、その上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から表面処理層を形成することにより得ることができる。

典型的には、本開示の物品は、Ｓｉと他の原子を同時に基材に蒸着させることにより製造することができる。

従って、本開示は、さらに、
基材と、その上に形成された含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、
上記基材上に、Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成、
上記中間層の直上に、表面処理層を形成すること
を含む方法を提供する。

本開示の物品は、Ｓｉと他の原子を順次基材に蒸着させることにより製造してもよい。

以上、本開示の物品について詳述した。なお、本開示の物品および物品の製造方法などは、上記で例示したものに限定されない。

以下、本開示の物品について、実施例において説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。なお、本実施例において、以下に示される化学式はすべて平均組成を示し、フルオロポリエーテルを構成する繰り返し単位（（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２Ｏ）等）の存在順序は任意である。

ガラス基体としては厚さ０．５ｍｍ、７１．５ｍｍ×１４９．０ｍｍの化学強化、表面研磨を実施してあるゴリラガラス３（コーニング社製）を用い、中間層の形成を行ったのち、該中間層上に表面処理層の形成を行い、表面処理層付きのガラス基体を得た。詳細は下記の通りである。

（中間層の形成）
中間層の形成は、ＲＡＳまたはＤＣスパッタ装置内に、シリコンターゲットとタンタルターゲットまたはニオブターゲットを設置し、アルゴンと酸素の混合ガスをチャンバ内に導入しながら、実施例毎に、スパッタリングの条件を設定して、種々の成膜レート比（Ｓｉ／Ｔａ）の厚さ１０～４０ｎｍのケイ素およびタンタルまたはニオブの複合酸化物からなる中間層を成膜することにより行った。

表面処理層の形成は、抵抗加熱蒸着を実施できる装置を用いて行った。具体的には、含フッ素有機ケイ素化合物を含有する組成物を加熱容器内に導入したのち真空ポンプで排気を行い、溶媒を留去したのちに加熱容器を加熱することで、中間層上に、表面処理層を形成した。含フッ素有機ケイ素化合物としては、下記構造を有する化合物を用いた。

化合物Ａ
CF₃O(CF₂CF₂O)₁₅(CF₂O)₁₆CF₂CH₂OCH₂CH₂CH₂Si[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃
化合物Ｂ
CF₃CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)₂₅CF₂CF₂(CH₂CH[Si(OCH₃)₃])₃H
化合物Ｃ
CF₃CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)₂₃CF₂CF₂CONHCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃
化合物Ｄ
CF₃CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)₂₃CF₂CF₂CONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃
化合物Ｅ
[(CH₃O)₃SiCH₂CH₂CH₂]₃CCH₂NHCOCF₂O(CF₂CF₂O)₁₀(CF₂O)₁₀CF₂CONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃
化合物Ｆ
[(CH₃O)₃SiCH₂CH₂CH₂]₃CCH₂NHCOCF₂O(CF₂CF₂O)₈(CF₂O)₁₄CF₂CONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃
化合物Ｇ
[(CH₃O)₃SiCH₂CH₂CH₂]₃CCH₂NHCOCF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)₁₆CF₂CF₂CONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃
化合物Ｈ
CF₃CF₂CF₂O[CF(CF₃)CF₂O]₂₂CFCONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃

＜評価＞
上記で得られた表面処理層付きガラス基体について、それぞれ、次のように水接触角の測定、アルカリ試験、および摩擦耐久性の評価を行った。

（アルカリ浸漬試験）
直径１ｃｍのＰＴＦＥ製Ｏリングを、上記実施例３、４、７、１０～１３および１７、および比較例１、４～６および１０で表面処理した基材の表面に設置し、８ＮのＮａＯＨ溶液（アルカリ水溶液）を上記Ｏリング内に滴下し、表面処理層の表面をアルカリ水溶液と接触させ、アルカリ浸漬試験に付した。アルカリ浸漬試験の２０～３６０分経過後にアルカリ水溶液をふき取り、純水、エタノールで洗浄したのちに、水に対する接触角を測定した。尚、水の静的接触角は、上記のアルカリ浸漬試験後のガラス基体の表面に対して、２μＬの純水の水滴を着滴させ、接触角計（協和界面化学社製：自動接触角計 ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ７０１）を用いて、水に対する接触角を測定した。アルカリ浸漬試験後の水の静的接触角の測定箇所は５箇所で行った。３６０分以内に水の静的接触角の測定値が低下した場合は、途中でアルカリ浸漬試験を停止した。浸漬時間と、５箇所の接触角平均値の関係を下記表２に示す。

（摩耗耐久性試験）
表面処理層が形成されたサンプル物品を水平配置し、下記の摩擦子を表面処理層の表面に接触（接触面は直径１ｃｍの円）させ、その上に５Ｎの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態で摩擦子を４０ｍｍ／秒の速度で往復させた。摩擦子を、実施例１および２、および比較例１については最大３０００回、または実施例３～６、８～９および１１～１７、および比較例２～１０については最大１０，０００回往復させ、それぞれ、往復回数（摩擦回数）５００または１０００回毎に水の静的接触角（°）を測定した。水の静的接触角の測定値が６０°未満となった時点で試験を中止した。尚、水の静的接触角の測定は、上記のアルカリ試験と同様に実施した。結果を、ＲＡＳを用いた実施例１および２、および比較例１については下記表３に、ＤＣを用いた実施例３～６、８～９および１１～１７については下記表４に、および比較例２～１０については下記表５に示す。

・摩擦子
下記に示すシリコーンゴム加工品の表面（直径１ｃｍ）を、下記に示す組成の人工汗に浸漬したコットンで覆ったものを摩擦子として用いた。
人工汗の組成：
無水リン酸水素二ナトリウム：２ｇ
塩化ナトリウム：２０ｇ
８５％乳酸：２ｇ
ヒスチジン塩酸塩：５ｇ
蒸留水：１Ｋｇ
シリコーンゴム加工品：
タイガースポリマー製、シリコーンゴム栓ＳＲ－５１を、直径１ｃｍ、厚さ１ｃｍの円柱状に加工したもの。

（表面分析）
上記の処理されたガラス基体の処理表面の組成（深さ方向分析）を、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ，アルバック・ファイ社製 ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩ）を用いて行った。ＸＰＳ分析の測定条件は、下記の通りとした。
Ｘ線源：単色化ＡｌＫα線（２５Ｗ）
光電子検出面積：１４００μｍ×３００μｍ
光電子検出角：２０度、４５度、９０度
パスエネルギー：２３．５ｅＶ

実施例１および２の表面処理層付きガラス基体について、上記ＸＰＳにより、Ｃ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｆ１ｓ、Ｓｉ２ｐ、およびＴａ４ｆ軌道のピーク面積を観測し、炭素、酸素、フッ素、ケイ素、タンタルの原子比、面積比を算出することにより、表面処理防防汚層を含む処理表面の組成を求めた。結果を、ＲＡＳを用いた実施例１および２について下記表６に示す。

（表面分析）
上記の処理されたガラス基体の処理表面の組成（深さ方向分析）を、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ，アルバック・ファイ社製 ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩ）を用いて行った。ＸＰＳ分析の測定条件は、下記の通りとした。
Ｘ線源：単色化ＡｌＫα線（２５Ｗ）
光電子検出面積：１４００μｍ×３００μｍ
光電子検出角：４５度
パスエネルギー：２３．５ｅＶ
スパッタイオン：Ａｒイオン

実施例１～７の表面処理層付きガラス基体について、Ａｒイオンにより所定時間スパッタリングすることによって基材上の層（表面処理層および中間層）を深さ方向に徐々にエッチングし、各所定時間後、上記ＸＰＳにより、Ｏ１ｓ、Ｓｉ２ｐ、およびＴａ４ｆ軌道のピーク面積を観測し、酸素、ケイ素の原子比、面積比を算出することにより、基材表面の層の組成を求めた。スパッタでのエッチングレートは、３ｎｍ／分とした。実施例１～７についての結果を、下記表７に示す。

上記の分析結果から、Ｓｉ／Ｔａ比が、０．１５～１２．０（Ｓｉ：Ｔａ＝１３：８７～９３：７）である実施例では、高いアルカリ耐性および摩擦耐久性を有することが確認された。

上記の結果から理解されるように、基材と表面処理層の間にＳｉ、ＴａおよびＯから成る中間層またはＳｉ、ＮｂおよびＯから成る中間層が形成されている実施例１～１７は、このような中間層を有しない比較例１～１０と比較して、アルカリ浸漬試験における接触角の低下が抑制され、アルカリ耐久性に優れていることが確認された。また、実施例１～４は、摩耗耐久試験における接触角の低下が抑制され、人工汗を用いた摩耗耐久性に優れていることが確認できた。

本開示の物品は、種々多様な用途、例えば光学部材として好適に利用され得る。

Claims (14)

1. 基材と、
   前記基材上に位置する、中間層と、
   前記中間層の直上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
   を有して成り、
   前記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物を含み、
   前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属との複合酸化物であり、前記Ｓｉと前記他の金属とのモル比は、１３：８７～９３：７であり、
   前記他の金属は、Ｔａ、またはＮｂであり、
   前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属の酸化物が、均一相を構成するものである、
   物品。
2. 前記複合酸化物において、Ｓｉと他の金属とのモル比は、４５：５５～７５：２５である、請求項１に記載の物品。
3. 前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）：
   ［式中：
   Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
   Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
   Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
   Ｒｆ^２は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
   Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
   ｐは、０または１であり；
   ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
   Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子または１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
   少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基または加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
   Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合または２～１０価の有機基であり；
   αは、１～９の整数であり；
   βは、１～９の整数であり；
   γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
   で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物である、請求項１または２に記載の物品。
4. Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基であり、
   Ｒｆ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基である、
   請求項３に記載の物品。
5. Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
   －（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
   ［式中、Ｒ^Ｆａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または塩素原子であり、
   ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
   で表される基である、請求項３または４に記載の物品。
6. Ｒ^Ｆａは、フッ素原子である、請求項５に記載の物品。
7. Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）または（ｆ３）：
   －（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－ （ｆ１）
   ［式中、ｄは１～２００の整数である。］
   －（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
   ［式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０～３０の整数であり；
   ｅおよびｆは、それぞれ独立して、１～２００の整数であり；
   ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は、１０～２００の整数であり；
   添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
   －（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
   ［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２またはＯＣ_２Ｆ_４であり；
   Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０およびＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から選択される２または３つの基の組み合わせであり；
   ｇは、２～１００の整数である。］
   で表される基である、請求項３～６のいずれか１項に記載の物品。
8. Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、または（Ｓ４）：
   ［式中：
   Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基であり；
   Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～１０の整数であり；
   Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子であり；
   Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１であり；
   Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’であり；
   Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”であり；
   Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２であり；
   Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’であり；
   Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
   Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
   ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
   Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
   ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子または２価の有機基であり；
   Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基であり；
   Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または１価の有機基であり；
   ｎ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
   Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基または１価の有機基であり；
   ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
   ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。］
   で表される基である、請求項３～７のいずれか１項に記載の物品。
9. α、β、およびγは、１である、請求項３～８のいずれか１項に記載の物品。
10. Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３価の有機基であり、
    αは１かつβは２であるか、αは２かつβは１であり、
    γは２である、
    請求項３～８のいずれか１項に記載の物品。
11. 前記基材は、ガラス基材である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の物品。
12. 前記中間層の厚みは、１００ｎｍ以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の物品。
13. 前記中間層の厚みは、５０ｎｍ以下である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の物品。
14. 基材と、その上に形成された含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層とを有して成る物品の製造方法であって、
    上記基材上に、Ｓｉと他の金属を同時に蒸着させて、Ｓｉを含む複合酸化物を含む中間層を形成すること、および
    上記中間層の直上に、表面処理層を形成すること
    を含み、
    前記中間層は、Ｓｉを含む複合酸化物を含み、
    前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属との複合酸化物であり、前記Ｓｉと前記他の金属とのモル比は、１３：８７～９３：７であり、
    前記他の金属は、Ｔａ、またはＮｂであり、
    前記複合酸化物は、Ｓｉと他の金属の酸化物が、均一相を構成するものである、方法。