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WO2002086464A3 - Halbleitergassensor mit kreisförmiger anordnung von interdigitalelektroden und heizstrukturen und verfahren zu dessen herstellung, bei dem die sensitive halbleiterschicht als tropfen aufgebracht wird - Google Patents

Halbleitergassensor mit kreisförmiger anordnung von interdigitalelektroden und heizstrukturen und verfahren zu dessen herstellung, bei dem die sensitive halbleiterschicht als tropfen aufgebracht wird Download PDF

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WO2002086464A3
WO2002086464A3 PCT/DE2002/000797 DE0200797W WO02086464A3 WO 2002086464 A3 WO2002086464 A3 WO 2002086464A3 DE 0200797 W DE0200797 W DE 0200797W WO 02086464 A3 WO02086464 A3 WO 02086464A3
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drops
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gas sensor
semiconductor layer
circular arrangement
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PCT/DE2002/000797
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Detlef Gruen
Christian Krummel
Ulrich Schilling
Erwin Rein
Michael Seiter
Heribert Weber
Odd-Axel Pruetz
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Gassensor mit einer Membran (18), einer auf der Membran (18) angeordneten Heizstruktur (10), einer auf der Membran (18) angeordneten Auswertestruktur (12) und einer auf der Membran (18) angeordneten sensitiven Schicht (14), die von der Heizstruktur (10) beheizbar ist und deren elektrischer Widerstand von der Auswertestruktur (12) auswertbar ist, wobei die sensitive Schicht (14) als Tropfen (16) aufgebracht ist und die übrigen Strukturen (10, 12) der Form der sensitiven Schicht (14) zumindest teilweise angepasst sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Gassensors.
PCT/DE2002/000797 2001-04-20 2002-03-05 Halbleitergassensor mit kreisförmiger anordnung von interdigitalelektroden und heizstrukturen und verfahren zu dessen herstellung, bei dem die sensitive halbleiterschicht als tropfen aufgebracht wird Ceased WO2002086464A2 (de)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11371951B2 (en) 2012-09-27 2022-06-28 Sensirion Ag Gas sensor comprising a set of one or more sensor cells
US8802568B2 (en) 2012-09-27 2014-08-12 Sensirion Ag Method for manufacturing chemical sensor with multiple sensor cells
DE102016222913A1 (de) 2016-11-21 2018-05-24 Robert Bosch Gmbh Gassensor mit einem Halbleitersubstrat mit mindestens einer Isolationsschicht und einer Leiterbahn
CN108169293B (zh) * 2018-02-11 2024-10-01 中国工程物理研究院总体工程研究所 高精度薄膜电阻氢气传感器标校装置及标校方法
DE102023203826A1 (de) 2023-04-25 2024-10-31 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensorsystem zur Bestimmung einer Gaskonzentration im Umfeld des Sensorsystems sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements für ein solches Sensorsystem

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3901067A (en) * 1973-06-21 1975-08-26 Gen Monitors Semiconductor gas detector and method therefor
EP0795747A1 (de) * 1996-03-14 1997-09-17 Motorola Semiconducteurs S.A. Chemischer Halbleitersensor und Methode zu dessen Herstellung
WO2001002844A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Microchemical Systems S.A. Capteur chimique de gaz a oxide metallique et son procede de fabrication
WO2001013087A2 (en) * 1999-08-18 2001-02-22 California Institute Of Technology Sensors and sensor arrays of conducting and insulating composites and methods of use thereof
WO2002050528A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-27 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich Microsensor and single chip integrated microsensor system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3901067A (en) * 1973-06-21 1975-08-26 Gen Monitors Semiconductor gas detector and method therefor
EP0795747A1 (de) * 1996-03-14 1997-09-17 Motorola Semiconducteurs S.A. Chemischer Halbleitersensor und Methode zu dessen Herstellung
WO2001002844A1 (fr) * 1999-07-02 2001-01-11 Microchemical Systems S.A. Capteur chimique de gaz a oxide metallique et son procede de fabrication
WO2001013087A2 (en) * 1999-08-18 2001-02-22 California Institute Of Technology Sensors and sensor arrays of conducting and insulating composites and methods of use thereof
WO2002050528A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-27 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich Microsensor and single chip integrated microsensor system

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRIAND D ET AL: "Design and fabrication of high-temperature micro-hotplates for drop-coated gas sensors", SENSORS AND ACTUATORS B, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 68, no. 1-3, 25 August 2000 (2000-08-25), pages 223 - 233, XP004216618, ISSN: 0925-4005 *
CERDA J ET AL: "Deposition on micromachined silicon substrates of gas sensitive layers obtained by a wet chemical route: A CO/CH4 high performance sensor", 2ND INTERNATIONALSEMINAR ON SEMICONDUCTOR GAS SENSORS;USTRON, POLAND SEP 25-28 2000, vol. 391, no. 2, 25 September 2000 (2000-09-25), Thin Solid Films;Thin Solid Films Jul 16 2001, pages 265 - 269, XP004246728 *
SIMON ISOLDE ET AL: "Micromachined metal oxide gas sensors: Opportunities to improve sensor performance", SENS ACTUATORS, B CHEM;SENSORS AND ACTUATORS, B: CHEMICAL 2001, vol. 73, no. 1, 2001, pages 1 - 26, XP002224360 *
UDREA F ET AL: "Design and simulations of SOI CMOS micro-hotplate gas sensors", SENSORS AND ACTUATORS B, ELSEVIER SEQUOIA S.A., LAUSANNE, CH, vol. 78, no. 1-3, 30 August 2001 (2001-08-30), pages 180 - 190, XP004297654, ISSN: 0925-4005 *

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