[go: up one dir, main page]

CN104810414B - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

太阳能电池及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104810414B
CN104810414B CN201510023406.6A CN201510023406A CN104810414B CN 104810414 B CN104810414 B CN 104810414B CN 201510023406 A CN201510023406 A CN 201510023406A CN 104810414 B CN104810414 B CN 104810414B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
back surface
amorphous silicon
diffusion process
silicon layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201510023406.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104810414A (zh
Inventor
李有真
池光善
李承植
安世源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN104810414A publication Critical patent/CN104810414A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104810414B publication Critical patent/CN104810414B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • H10F77/227—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for emitter wrap-through [EWT] photovoltaic cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
    • H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H10F71/1224—The active layers comprising only Group IV materials comprising microcrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
    • H10F77/1226—Active materials comprising only Group IV materials comprising multiple Group IV elements, e.g. SiC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
    • H10F77/164—Polycrystalline semiconductors
    • H10F77/1642—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials
    • H10F77/1645—Polycrystalline semiconductors including only Group IV materials including microcrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
    • H10F77/166—Amorphous semiconductors
    • H10F77/1662—Amorphous semiconductors including only Group IV materials
    • H10F77/1665—Amorphous semiconductors including only Group IV materials including Group IV-IV materials, e.g. SiGe or SiC
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。

Description

太阳能电池及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年1月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0011471的优先权和权益，该专利申请的全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来，因为预计诸如石油和煤炭的现有能源将耗尽，所以对取代现有能源的替代能源的关注持续增加。在替代能源之中，特别引入注意的是用太阳能产生电能的太阳能电池，因为太阳能电池具有丰富的能源并且不造成环境污染。
太阳能电池通常包括：基板和发射极区，其由不同导电类型(例如，p型和n型)的半导体形成；电极，其分别连接到基板和发射极区。在基板和发射极区之间的界面处形成p-n结。
当光入射到太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。电子-空穴对在光伏效应的作用下被分成电子和空穴。电子移向n型半导体(例如，发射极区)，空穴移向p型半导体(例如，基板)。然后，电子和空穴被与发射极区和基板电连接的电极收集。太阳能电池通过使用电线连接电极来得到电力。
与发射极区和基板电连接的多个电极设置在发射极区和基板上，收集移向发射极区和基板的载流子，使载流子移向连接到外部的负载。
然而，在这种情形下，电极设置在光入射到其上的基板表面(即，入射表面)以及没有光入射到其上的基板表面上形成的发射极区上。因此，光的入射表面减小，太阳能电池的效率降低。
因此，开发出一种背表面接触太阳能电池以增大光的入射面积，在该太阳能电池中，所有收集电子和空穴的电极设置在基板的背表面上。
发明内容
在一个方面，存在一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区，其中，当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
所述硅层可具有20％至80％的结晶度。
在执行所述第一扩散过程之后，可执行所述第二扩散过程。可优选地，但并非要求，当执行所述第一扩散过程时，在等于或高于500℃的温度下，使所述非晶硅层结晶。
所述方法还可包括在执行所述第一扩散过程之前，对所述非晶硅层执行脱氢过程。可在300℃至600℃的温度下执行脱氢过程。
可同时执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程。可优选地，但并非要求，当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程时，在等于或高于500℃的温度下，使所述非晶硅层结晶。
所述方法还可包括在执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程之前，对所述非晶硅层执行脱氢过程。可在300℃至600℃的温度下执行脱氢过程。
所述非晶硅层可具有20nm至300nm的厚度。可在比所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的所述至少一个的温度低的温度下(例如，在等于或低于250℃)的温度下，形成非晶硅层。
所述方法还可包括在执行所述第一扩散过程之前，在所述非晶硅层的背表面上形成包含所述第二导电类型的杂质的第一掺杂物层。所述方法还可包括在执行所述第二扩散过程之前，在所述非晶硅层的背表面上形成包含所述第一导电类型的杂质的第二掺杂物层。
在另一个方面，存在一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；多个发射极区，其中每个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且连同所述半导体基板一起形成p-n结；多个背表面场区，其中每个比所述半导体基板更重地掺杂有所述第一导电类型的杂质；多个第一电极，其电连接到所述多个发射极区；多个第二电极，其电连接到所述多个背表面场区，其中，各发射极区和各背表面场区包含结晶度为20％至80％的硅。
所述发射极区和所述背表面场区交替地设置在同一水平的层上。
所述太阳能电池还可包括：第一隧道结层，其设置在所述半导体基板的前表面上；第二隧道结层，其设置在所述半导体基板的背表面上。所述第一隧道结层和所述第二隧道结层可由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。所述第一隧道结层和所述第二隧道结层可具有相同厚度或不同厚度。所述第一隧道结层和所述第二隧道结层可具有1nm至4nm的厚度。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的第一实施方式的太阳能电池的部分立体图；
图2是沿着图1的II-II线截取的剖视图；
图3A至图3L顺序示出根据本发明的第一实施方式的制造太阳能电池的方法；
图4A至图4G顺序示出根据本发明的第二实施方式的制造发射极区和背表面场区的方法。
具体实施方式
现在，将详细参照本发明的实施方式，在附图中示出这些实施方式的例子。然而，本发明可以用多种形式实施并且不应该被理解为限于本文阐明的实施方式。在任何可能的地方，在附图中将始终使用相同的附图标记表示相同的或类似的部件。将要注意的是，如果确定对已知领域的详细描述会混淆本发明的实施方式，则将省略对已知领域的详细描述。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可直接在另一个元件上或者还可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。另外，将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件“完全”在其它元件上时，它可以是在其它元件的整个表面上并且可不在其它元件的边缘的一部分上。
以下，参照图1至图4G描述本发明的示例实施方式。
参照附图详细描述根据本发明的示例实施方式的太阳能电池及其制造方法。
如图1和图2中所示，根据本发明的第一实施方式的太阳能电池1包括：基板110；第一本征半导体层112，其设置在基板110的一个表面(例如，光入射到其上的前表面)上；抗反射层130，其设置在第一本征半导体层112的前表面上；第二本征半导体层114，其设置在没有光入射到其上的与基板110的前表面相反的基板110的背表面上；多个发射极区120，其设置在第二本征半导体层114的背表面上；多个背表面场(BSF)区170，其设置在第二本征半导体层114的背表面上并且与多个发射极区120设置在同一水平的层上；扩散阻挡层180，其设置在多个发射极区120的背表面和多个背表面场区170的背表面上；多个第一电极141，其设置在多个发射极区120上；多个第二电极142，其设置在多个背表面场区170上。在本发明的实施方式中可省略第一本征半导体层112、第二本征半导体层114、抗反射层130和扩散阻挡层180。然而，当太阳能电池包括第一本征半导体层112、第二本征半导体层114、抗反射层130和扩散阻挡层180时，太阳能电池的处理效率和处理良率进一步提高。因此，使用包括组件112、114、130和180的太阳能电池1作为示例描述本发明的实施方式。
基板110可由第一导电类型(例如，n型)的硅晶圆形成，但并不是要求。基板110中使用的硅可以是晶体硅，诸如，单晶硅和多晶硅。
如果基板110是n型，则基板110可包含诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)的V族元素的杂质。然而，相反地，基板110可以是p型和/或可由除了硅外的半导体材料形成。如果基板110是p型，则基板110可包含诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质。
将基板110的前表面纹理化，形成与不平坦表面对应或者具有不平坦特征的纹理化表面。
第一本征半导体层112设置在基板110的前表面即纹理化表面上并且形成在基板110和抗反射层130之间。第一本征半导体层112可由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。在此情形下，第一本征半导体层112可具有1nm至4nm的厚度。在本文中公开的实施方式中，第一本征半导体层112可被称为前隧道结层，能够产生载流子的移动路径，即，载流子的隧穿效应。
可使用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法的化学气相沉积(CVD)方法，在基板110的前方形成第一本征半导体层112。
基板110和第一本征半导体层112的接合处不是平坦表面并且由于基板110的纹理化表面而具有不平坦表面。
设置在第一本征半导体层112的前表面上的抗反射层130可由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。抗反射层130减少了入射到太阳能电池1上的光的反射并且增加了预定波长带的光的选择性，从而提高了太阳能电池1的效率。在本文公开的实施方式中，抗反射层130具有单层结构，但可具有诸如双层结构的多层结构。根据需要，可省略抗反射层130。以与第一本征半导体层112相同的方式，抗反射层130没有平坦表面，而是由于基板110的纹理化表面而具有不平坦表面。
设置在基板110的背表面上的多个发射极区120中的每个具有与基板110的第一导电类型(例如，n型)相反的第二导电类型(例如，p型)并且由不同于基板110的半导体材料(例如，非晶硅)形成。因此，发射极区120连同基板110一起形成异质结以及p-n结。
多个发射极区120相互分开并且在固定方向上相互平行地延伸。
如果发射极区120是p型，则发射极区120可包含诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质。相反，如果发射极区120是n型，则发射极区120可包含诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)的V族元素的杂质。
在本发明的实施方式中，具有与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区120包含III族原子作为掺杂物。因此，因为III族原子得到一个电子使得III族原子键合到基板110的硅原子，所以发射极区120的表面上存在的原子的固定电荷均具有负(-)值。结果，因为发射极区120的固定电荷具有与具有正(+)值的空穴的值相反的负值，所以空穴加速向发射极区120移动。
由硅(或硅层)(以非晶硅开始)形成的发射极区120具有20％至80％的结晶度。在本发明的实施方式中，结晶度指示通过种层生长的非晶硅层的体积占发射极区120和背表面场区170的整个体积的百分比，发射极区120和背表面场区170是堆叠在基板110的背表面上的层。因此，硅(或硅层)可以部分是晶体并且部分是非晶的。
当发射极区120的结晶度等于或小于20％时，因为形成发射极区120的非晶硅的导电率非常低，所以在形成电极的过程中，接触电阻增大。因此，填充因子FF减小。
当发射极区120的结晶度等于或大于80％时，需要用在高温下执行几十小时的结晶过程或使用昂贵准分子激光的过程使非晶硅结晶。因此，优选地，但非要求的，发射极区120具有20％至80％的结晶度。
多个背表面场区170被设置成在基板110的背表面上相互分开并且在与发射极区120相同的方向上相互平行地延伸。因此，如图1和图2中所示，多个发射极区120和多个背表面场区170交替地设置在基板110的背表面上。即，多个发射极区120和多个背表面场区170可设置在同一水平的层上。
背表面场区170可由硅形成。背表面场区170可以是比基板110更重地掺杂有与基板110相同的导电类型的杂质的区域(例如，n+或n++型区域)。
因此，因基板110和背表面场区170的杂质浓度之差，形成势垒，从而防止移向基板110的背表面的空穴移向多个第二电极142。因此，可防止或减少第二电极142周围的电子和空穴的复合和/或消失。
在本发明的实施方式中，因为背表面场区170与基板110具有相同的n型，所以背表面场区170包含V族原子作为掺杂物。因为从V族原子去除了一个电子使得V族原子键合到基板110的硅原子，所以背表面场区170的表面上存在的原子的固定电荷均具有正(+)值。结果，因为背表面场区170的固定电荷具有与充当基板110中的少数载流子的空穴相同的正值，所以防止空穴由于电斥力而移向背表面场区170。
通过入射到基板110上的光产生的多个电子-空穴对分离成电子和空穴。分离后的电子移向n型半导体，分离后的空穴移向p型半导体。因此，当基板110是n型并且发射极区120是p型时，分离后的空穴移向多个发射极区120，分离后的电子移向杂质浓度比基板110高的多个背表面场区170。
因为发射极区120和基板110形成p-n结，所以如果基板110是p型(不同于本发明的实施方式)，则发射极区120可以是n型。因此，分离后的电子可移向多个发射极区120，分离后的空穴可移向多个背表面场区170。
以与发射极区120相同的方式，由硅(或硅层)(以非晶硅开始)形成的背表面场区170可具有20％至80％的结晶度。
第二本征半导体层114设置在基板110的背表面上。第二本征半导体层114可由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。在本文中公开的实施方式中，第二本征半导体层114可被称为背隧道结层，能够产生载流子的移动路径，即，载流子的隧穿效应。
在本发明的实施方式中，第一本征半导体层112和第二本征半导体层114可由相同的材料形成。另外，第二本征半导体层114可与第一本征半导体层112具有相同的厚度。
相反，第一本征半导体层112和第二本征半导体层114可由不同材料形成并且还可具有不同厚度。
设置在多个发射极区120上的多个第一电极141沿着发射极区120延伸并且电连接到发射极区120。
各第一电极141收集移向发射极区120的载流子(例如，空穴)。
设置在多个背表面场区170上的多个第二电极142沿着背表面场区170延伸并且电连接到背表面场区170。
各第二电极142收集移向背表面场区170的载流子(例如，电子)。
多个第一电极141和第二电极142可由从镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合组成的组中选择的至少一种导电材料形成。可使用其它材料。
如上所述，根据本发明的实施方式的太阳能电池1具有以下结构：多个第一电极141和第二电极142设置在没有光入射到其上的基板110的背表面上，并且基板110和多个发射极区120由不同类型的半导体形成。以下，描述具有上述结构的太阳能电池1的操作。
当照射到太阳能电池1上的光通过抗反射层130入射到基板110上时，通过基于入射到基板110上的光而产生的光能，在基板110中产生多个电子-空穴对。因为基板110的前表面是纹理化表面，所以基板110的前表面中的光反射率减小。另外，因为对基板110的纹理化表面执行光入射操作和光反射操作二者，所以光吸收增加。因此，太阳能电池1的效率提高。另外，因为入射到基板110上的光的反射损失因抗反射层130而减小，所以入射到基板110上的光的量进一步增大。
通过入射到基板110上的光产生的多个电子-空穴对因基板110和多个发射极区120的p-n结而分离成空穴和电子。分离后的空穴移向p型发射极区120，然后被第一电极141收集，分离后的电子移向n型背表面场区170，然后被第二电极142收集。当使用电线连接第一电极141和第二电极142时，电流流入其中，从而能够使用电流得到电力。
下文中，参照图3A至图3L描述根据本发明的第一实施方式的制造太阳能电池1的方法。
如图3A中所示，制备由n型单晶硅形成的半导体110，由氧化硅(SiOx)等形成的蚀刻阻止层111堆叠在半导体110的一个表面(例如，背表面)上。
接下来，如图3B中所示，使用蚀刻阻止层111作为掩模，蚀刻其上没有形成蚀刻阻止层111的半导体110的其它表面(例如，前表面)，以在光入射到其上的半导体110的前表面上形成具有多个不平坦部分的纹理化表面。然后，去除蚀刻阻止层111。如果半导体110由单晶硅形成，则可使用诸如KOH、NaOH和TMAH的碱性溶液使基板110的表面纹理化。另一方面，如果半导体110由多晶硅形成，可使用诸如HF和HNO3的酸性溶液将基板110的表面纹理化。
接下来，如图3C中所示，在n型基板110的前表面和背表面上分别形成第一本征半导体层112和第二本征半导体层114。第一本征半导体层112和第二本征半导体层114由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成并且可具有1nm至4nm的厚度。在本文中公开的实施方式中，第一本征半导体层112和第二本征半导体层114可用作载流子的移动路径。基板110和第一本征半导体层112的接合处不是平坦表面并且由于基板110的纹理化表面而具有不平坦表面。
可使用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法的化学气相沉积(CVD)方法，在基板110的前表面和背表面上形成第一本征半导体层112和第二本征半导体层114。
接下来，如图3D中所示，在第一本征半导体层112上沉积氮化硅，以形成抗反射层130。抗反射层130形成在第一本征半导体层112的整个前表面上。
可使用PECVD方法或溅射方法形成抗反射层130。抗反射层130不是平坦表面而是由于基板110的纹理化表面而具有不平坦表面。
接下来，如图3E中所示，使用诸如PECVD方法的CVD方法，在第二本征半导体层114上形成非晶硅层150。非晶硅层150由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。
在本发明的实施方式中，非晶硅层150可在等于或低于250℃的低温下形成为20nm至300nm的厚度。
接下来，如图3F中所示，在非晶硅层150上形成包含与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的第一掺杂物层162。在本发明的实施方式中，因为基板110是n型，所以第一掺杂物层162包含p型的III族元素的杂质。可使用诸如PECVD方法的CVD方法形成第一掺杂物层162。
接下来，如图3G中所示，在第一掺杂物层162上堆叠蚀刻阻止层111。
接下来，如图3H中所示，使用蚀刻阻止层111作为掩模蚀刻其上没有形成蚀刻阻止层111的第一掺杂物层162的一部分，以暴露非晶硅层150的一部分。
接下来，如图3I中所示，在非晶硅层150被暴露的部分和蚀刻阻止层111上形成包含第一导电类型的杂质的第二掺杂物层164。在本发明的实施方式中，因为基板110是n型，所以第二掺杂物层164包含n型的V族元素的杂质。可使用与第一掺杂物层162相同的方式形成第二掺杂物层164。
接下来，在第二掺杂物层164的整个背表面上形成扩散阻挡层180。扩散阻挡层180防止第二掺杂物层164扩散并且由诸如聚合物材料的绝缘材料形成。
接下来，如图3J中所示，对非晶硅层150执行脱氢处理，以去除非晶硅层150中包含的氢。优选地，但并非要求，在300℃至600℃下执行脱氢处理。
接下来，如图3K和3L中所示，第一掺杂物层162的杂质和第二掺杂物层164的杂质在高温下扩散，使非晶硅层150结晶。因此，形成多个发射极区120和多个背表面场区170。另外，可由此形成其中非晶硅层150的至少一部分结晶的结晶层(或硅层)152。
更具体地，可执行将第一掺杂物层162的第二导电类型杂质扩散到非晶硅层150的一部分中的第一扩散过程。另外，可执行将第二掺杂物层164的第一导电类型杂质扩散到非晶硅层150的除了所述一部分外的剩余部分中的第二扩散过程。可同时执行第一扩散过程和第二扩散过程。可在等于或高于500℃的高温下执行第一扩散过程和第二扩散过程。
如上所述，第二导电类型杂质通过第一扩散过程扩散到其中的非晶硅层150的一部分被形成为多个发射极区120。另外，第一导电类型杂质通过第二扩散过程扩散到其中的非晶硅层150的除了所述一部分外的剩余部分被形成为多个背表面场区170。即，多个发射极区120包含与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型(例如，p型)的杂质。多个背表面场区170中的每个可被形成为比基板110更重地掺杂有与n型基板110相同的导电类型的杂质的区域(例如，n+或n++型区域)。多个发射极区120和多个背表面场区170可交替形成。多个发射极区120和多个背表面场区170可设置在同一水平的层上。
同时，形成多个发射极区120和多个背表面场区170的非晶硅层150的至少一部分可结晶，以形成晶体层(或硅层)152。在本发明的实施方式中，由硅形成的多个发射极区120和多个背表面场区170可具有20％至80％的结晶度。
在发射极区120和背表面场区170之间可另外形成扩散阻挡层180，扩散阻挡层180可防止发射极区120和背表面场区170扩散。
接下来，在多个发射极区120上形成多个第一电极141，在多个背表面场区170上形成多个第二电极142。因此，完成图1中示出的太阳能电池1。
更具体地，可通过使用丝网印刷方法向发射极区120的背表面和背表面场区170的背表面施用电极膏然后烧结电极膏来形成多个第一电极141和第二电极142。然而，相反，可使用镀层方法、溅射方法、电子束沉积方法、诸如PECVD方法的CVD方法等形成多个第一电极141和第二电极142。
下文中，参照图4A至图4G描述根据本发明的第二实施方式的包括发射极区和背表面场区的太阳能电池。图4A至图4G顺序示出根据本发明的第二实施方式的形成发射极区和背表面场区的方法。
根据本发明的第二实施方式的形成发射极区和背表面场区的方法与本发明的第一实施方式基本上相同。因此，用相同的参考标号指明与图1中示出的结构和组件相同或等同的结构和组件，可简要进行或者可完全省略进一步的描述。
如图4A中所示，使用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法的化学气相沉积(CVD)方法在第二本征半导体层114上形成非晶硅层150。然后，在非晶硅层150的一部分上形成蚀刻阻止层111。在半导体110的一个表面(例如，背表面)上形成第二本征半导体层114，非晶硅层150由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。
在本发明的实施方式中，非晶硅层150可在等于或低于250℃的低温下形成为20nm至300nm的厚度。
接下来，如图4B中所示，在非晶硅层150上形成包含与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的第一掺杂物层162。在本发明的实施方式中，因为基板110是n型，所以第一掺杂物层162包含p型的III族元素的杂质。可使用诸如PECVD方法的CVD方法形成第一掺杂物层162。
接下来，可在第一掺杂物层162上形成扩散阻挡层180。扩散阻挡层180防止第一掺杂物层162扩散并且由诸如聚合物材料的绝缘材料形成。
接下来，如图4C中所示，对非晶硅层150执行脱氢处理，以去除非晶硅层150中包含的氢。优选地，但并非要求，在300℃至600℃下执行脱氢处理。
接下来，如图4D中所示，可通过扩散第一掺杂物层162的杂质并且在高温下使非晶硅层150结晶(或部分结晶)来形成其中非晶硅层150的至少一部分结晶的晶体层(或硅层)152。在形成晶体层152之后，去除蚀刻阻止层111和扩散阻挡层180。
更具体地，可执行将第一掺杂物层162的第二导电类型杂质扩散到非晶硅层150的一部分中的第一扩散过程。第一扩散过程可在等于或高于500℃的高温下执行。
如上所述，第二导电类型杂质通过第一扩散过程扩散到其中的非晶硅层150的一部分被形成为多个发射极区120。即，多个发射极区120可包含与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型(例如，p型)的杂质。
同时，可使形成多个发射极区120的非晶硅层150的至少一部分结晶。在本发明的实施方式中，由非晶硅和多晶硅形成的多个发射极区120和晶体层152具有20％至80％的结晶度。
接下来，如图4E中所示，在其一部分结晶的晶体层152上形成蚀刻阻止层111。
接下来，如图4F中所示，在晶体层152被暴露的部分和蚀刻阻止层111上形成包含第一导电类型的杂质的第二掺杂物层164。在本发明的实施方式中，因为基板110是n型，所以第二掺杂物层164包含n型的V族元素的杂质。可使用与第一掺杂物层162相同的方法形成第二掺杂物层164。
接下来，在第二掺杂物层164上形成扩散阻挡层180。扩散阻挡层180防止第二掺杂物层164扩散并且由诸如聚合物材料的绝缘材料形成。
接下来，如图4G中所示，将第二掺杂物层164的杂质扩散到晶体层152中，以形成多个发射极区120和多个背表面场区170。
更具体地，可执行将第二掺杂物层164的第一导电类型杂质扩散到非晶硅层150的除了所述一部分外的剩余部分中的第二扩散过程。即，可在第一扩散过程之后执行第二扩散过程。可在等于或高于500℃的高温下执行第二扩散过程。
如上所述，第一导电类型杂质通过第二扩散过程扩散到其中的非晶硅层150的除了所述一部分外的剩余部分被形成为多个背表面场区170。即，多个背表面场区170中的每个可被形成为比基板110更重地掺杂有与n型基板110相同的导电类型的杂质的区域(例如，n+或n++型区域)。多个发射极区120和多个背表面场区170可交替形成。
在本发明的实施方式中，由硅形成的多个发射极区120和多个背表面场区170可具有20％至80％的结晶度。
在交替设置的发射极区120和背表面场区170之间可另外形成扩散阻挡层180，扩散阻挡层180可防止发射极区120和背表面场区170扩散。
接下来，在多个发射极区120上形成多个第一电极141，在多个背表面场区170上形成多个第二电极142。因此，完成图1中示出的太阳能电池1。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施方式描述了实施方式，但应该理解，本领域的技术人员可设想到将落入本公开原理的范围内的众多其它修改形式和实施方式。更特别地，在本公开、附图和随附权利要求书的范围内，可以对主题组合布置的组成部件和/或布置中进行各种变形和修改。除了对组成部件和/或布置进行变形和修改之外，对于本领域的技术人员而言，替代使用也将是清楚的。

Claims (19)

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：
在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；
执行将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质从所述非晶硅层的外部供应到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；
执行将所述第一导电类型的杂质从所述非晶硅层的外部供应到所述非晶硅层的除了具有所述第二导电类型的杂质的所述一部分外的剩余部分中的第二扩散过程，以形成背表面场区，
其中，当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层，并且其中，所述硅层具有20％至80％的结晶度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述第一扩散过程之后，执行所述第二扩散过程。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，当执行所述第一扩散过程时，在等于或高于500℃的温度下，使所述非晶硅层结晶。
4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括在执行所述第一扩散过程之前，执行脱氢过程，
其中，在300℃至600℃的温度下执行脱氢过程。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，同时执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程时，在等于或高于500℃的温度下，使所述非晶硅层结晶。
7.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括在执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程之前，执行脱氢过程，
其中，在300℃至600℃的温度下执行脱氢过程。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅层具有20nm至300nm的厚度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在比所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的所述至少一个的温度低的温度下，形成所述非晶硅层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在等于或低于250℃的温度下，形成所述非晶硅层。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在执行所述第一扩散过程之前，在所述非晶硅层的背表面上形成包含所述第二导电类型的杂质的第一掺杂物层。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在执行所述第二扩散过程之前，在所述非晶硅层的背表面上形成包含所述第一导电类型的杂质的第二掺杂物层。
13.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
第一导电类型的半导体基板；
多个发射极区，其中每个发射极区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且连同所述半导体基板一起形成p-n结；
多个背表面场区，其中每个背表面场区比所述半导体基板更重地掺杂有所述第一导电类型的杂质；
多个第一电极，其电连接到所述多个发射极区；
多个第二电极，其电连接到所述多个背表面场区，
其中，各发射极区和各背表面场区包含结晶度为20％至80％的硅。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述发射极区和所述背表面场区设置在同一水平的层上。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中，所述发射极区相互分开，所述背表面场区相互分开，
其中，所述发射极区和所述背表面场区交替地设置。
16.根据权利要求13所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括：
第一隧道结层，其设置在所述半导体基板的前表面上；
第二隧道结层，其设置在所述半导体基板的背表面上。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一隧道结层和所述第二隧道结层由本征氢化非晶硅(a-Si:H)形成。
18.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一隧道结层和所述第二隧道结层具有相同厚度或不同厚度。
19.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一隧道结层和所述第二隧道结层具有1nm至4nm的厚度。
CN201510023406.6A 2014-01-29 2015-01-16 太阳能电池及其制造方法 Expired - Fee Related CN104810414B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0011471 2014-01-29
KR1020140011471A KR102173644B1 (ko) 2014-01-29 2014-01-29 태양 전지 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104810414A CN104810414A (zh) 2015-07-29
CN104810414B true CN104810414B (zh) 2017-06-16

Family

ID=52133777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510023406.6A Expired - Fee Related CN104810414B (zh) 2014-01-29 2015-01-16 太阳能电池及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20150214396A1 (zh)
EP (1) EP2903037B1 (zh)
JP (1) JP6687321B2 (zh)
KR (1) KR102173644B1 (zh)
CN (1) CN104810414B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102257824B1 (ko) * 2016-12-05 2021-05-28 엘지전자 주식회사 태양 전지 제조 방법
JP7228561B2 (ja) * 2018-02-23 2023-02-24 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法
CN112002778B (zh) * 2020-07-23 2022-10-04 隆基绿能科技股份有限公司 硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN114613881B (zh) * 2022-02-24 2023-07-04 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
CN102057497A (zh) * 2008-06-12 2011-05-11 太阳能公司 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构
CN102610686A (zh) * 2012-03-28 2012-07-25 星尚光伏科技（苏州）有限公司 一种背接触晶体硅太阳能电池及其制作工艺
CN102959738A (zh) * 2010-09-24 2013-03-06 太阳能公司 制造太阳能电池的发射极区域的方法
CN103828061A (zh) * 2011-10-07 2014-05-28 应用材料公司 使用氩气稀释来沉积含硅层的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
JP3346907B2 (ja) * 1994-09-06 2002-11-18 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP2002268576A (ja) * 2000-12-05 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示ドライバｉｃ
US7339110B1 (en) * 2003-04-10 2008-03-04 Sunpower Corporation Solar cell and method of manufacture
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7468485B1 (en) * 2005-08-11 2008-12-23 Sunpower Corporation Back side contact solar cell with doped polysilicon regions
WO2007081510A2 (en) * 2005-12-21 2007-07-19 Sunpower Corporation Back side contact solar cell structures and fabrication processes
US8242354B2 (en) * 2008-12-04 2012-08-14 Sunpower Corporation Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions
EP2200082A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-23 STMicroelectronics Srl Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process
US8633379B2 (en) * 2010-08-17 2014-01-21 Lg Electronics Inc. Solar cell
KR101173626B1 (ko) * 2011-07-29 2012-08-13 엘지전자 주식회사 태양 전지
US8492253B2 (en) * 2010-12-02 2013-07-23 Sunpower Corporation Method of forming contacts for a back-contact solar cell
WO2012127769A1 (ja) * 2011-03-22 2012-09-27 パナソニック株式会社 半導体薄膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、基板及び薄膜基板
WO2013038768A1 (ja) * 2011-09-12 2013-03-21 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP5840095B2 (ja) * 2011-10-31 2016-01-06 三菱電機株式会社 太陽電池の製造装置、及び太陽電池の製造方法
US9054255B2 (en) * 2012-03-23 2015-06-09 Sunpower Corporation Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
CN104508831B (zh) * 2012-07-19 2017-05-03 日立化成株式会社 太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池模块
US9048099B2 (en) * 2013-05-09 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Multi-layer amorphous silicon structure with improved poly-silicon quality after excimer laser anneal

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057439A (en) * 1990-02-12 1991-10-15 Electric Power Research Institute Method of fabricating polysilicon emitters for solar cells
CN102057497A (zh) * 2008-06-12 2011-05-11 太阳能公司 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构
CN102959738A (zh) * 2010-09-24 2013-03-06 太阳能公司 制造太阳能电池的发射极区域的方法
CN103828061A (zh) * 2011-10-07 2014-05-28 应用材料公司 使用氩气稀释来沉积含硅层的方法
CN102610686A (zh) * 2012-03-28 2012-07-25 星尚光伏科技（苏州）有限公司 一种背接触晶体硅太阳能电池及其制作工艺

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015142132A (ja) 2015-08-03
KR102173644B1 (ko) 2020-11-03
CN104810414A (zh) 2015-07-29
EP2903037A1 (en) 2015-08-05
JP6687321B2 (ja) 2020-04-22
EP2903037B1 (en) 2016-09-07
US20150214396A1 (en) 2015-07-30
US20190334041A1 (en) 2019-10-31
KR20150090607A (ko) 2015-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12402436B2 (en) Solar cell
US8569614B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US9130078B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US10680122B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US10566488B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20100193027A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20160197204A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20110139226A1 (en) Selective emitter solar cell
US20100132792A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20170018663A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR101768907B1 (ko) 태양 전지 제조 방법
TWI424582B (zh) 太陽能電池的製造方法
KR101886818B1 (ko) 이종 접합 실리콘 태양 전지의 제조 방법
US9000291B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20190334041A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20120167977A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
US20110094586A1 (en) Solar cell and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170616

Termination date: 20200116