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WO2011141139A3 - Verfahren zur herstellung einer einseitig kontaktierbaren solarzelle aus einem silizium-halbleitersubstrat - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer einseitig kontaktierbaren solarzelle aus einem silizium-halbleitersubstrat Download PDF

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WO2011141139A3
WO2011141139A3 PCT/EP2011/002239 EP2011002239W WO2011141139A3 WO 2011141139 A3 WO2011141139 A3 WO 2011141139A3 EP 2011002239 W EP2011002239 W EP 2011002239W WO 2011141139 A3 WO2011141139 A3 WO 2011141139A3
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Martin Hermle
Filip Granek
Christian Reichel
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Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
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Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle folgende Verfahrensschritte umfassend: Oberflächenreinigung zumindest einer Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates; aufbringen einer Emitterschicht auf die Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates; aufbringen einer querleitfähigen Emitterkontaktierungsschicht (3), welche die Emitterschicht (2) überdeckt, wobei Emitterschicht (2) und Emitterkontaktierungsschicht (3) an einer Mehrzahl von Basiskontaktierungsbereichen wieder entfernt werden; aufbringen einer Isolierungsschicht (5) zumindest an den Basiskontaktierungsbereichen und auf die die Basiskontaktierungsbereiche umgebenden Oberflächenbereiche der Emitterschicht (2) und/oder der Emitterkontaktierungsschicht (3); öffnen der Isolationsschicht an einer Mehrzahl von Basishochdotierungsbereichen und lokales Eintreiben eines Dotierstoffes an den Basishochdotierungsbereichen, durch lokales Erhitzen den Basishochdotierungsbereichen; aufbringen einer oder mehrere Basiskontaktierungsstrukturen mittels eines elektromischen Verfahrens; Verstärkung der Basiskontaktierugsstruktur, wobei in den auf zweiten Verfahrenschritt folgenden Verfahrenschritten keine globale Erwärmung der Emitterschicht (2) auf mehr als 250°C erfolgt.
PCT/EP2011/002239 2010-05-14 2011-05-05 Verfahren zur herstellung einer einseitig kontaktierbaren solarzelle aus einem silizium-halbleitersubstrat Ceased WO2011141139A2 (de)

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