WO2011141139A3 - Verfahren zur herstellung einer einseitig kontaktierbaren solarzelle aus einem silizium-halbleitersubstrat - Google Patents
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Abstract
Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle folgende Verfahrensschritte umfassend: Oberflächenreinigung zumindest einer Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates; aufbringen einer Emitterschicht auf die Emitterseite (1a) des Halbleitersubstrates; aufbringen einer querleitfähigen Emitterkontaktierungsschicht (3), welche die Emitterschicht (2) überdeckt, wobei Emitterschicht (2) und Emitterkontaktierungsschicht (3) an einer Mehrzahl von Basiskontaktierungsbereichen wieder entfernt werden; aufbringen einer Isolierungsschicht (5) zumindest an den Basiskontaktierungsbereichen und auf die die Basiskontaktierungsbereiche umgebenden Oberflächenbereiche der Emitterschicht (2) und/oder der Emitterkontaktierungsschicht (3); öffnen der Isolationsschicht an einer Mehrzahl von Basishochdotierungsbereichen und lokales Eintreiben eines Dotierstoffes an den Basishochdotierungsbereichen, durch lokales Erhitzen den Basishochdotierungsbereichen; aufbringen einer oder mehrere Basiskontaktierungsstrukturen mittels eines elektromischen Verfahrens; Verstärkung der Basiskontaktierugsstruktur, wobei in den auf zweiten Verfahrenschritt folgenden Verfahrenschritten keine globale Erwärmung der Emitterschicht (2) auf mehr als 250°C erfolgt.
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