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WO2010081505A3 - Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle aus einem siliziumsubstrat - Google Patents

Solarzelle und verfahren zur herstellung einer solarzelle aus einem siliziumsubstrat Download PDF

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WO2010081505A3
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Anke Lemke
Jochen Rentsch
Florian Clement
Marc Hofmann
Andreas Wolf
Luca Gautero
Sebastian Mack
Ralf Preu
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption oder Entfernen des Sägeschadens an einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen eines Emitterbereiches (2) an einer Seite des Siliziumsubstrates (1) durch Eindiffundieren eines Dotierstoffes, zur Ausbildung eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht, wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen eines Teil des Materials des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F eine thermische Oxidation durchgeführt wird, zur Ausbildung einer Oxidschicht (4) und dass die Maskierungsschicht (3) und die Oxidschicht (4) in den nachfolgenden Prozessschritten auf dem Siliziumsubstrat (1) verbleiben.
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CN2009801545402A CN102282683A (zh) 2009-01-14 2009-12-03 太阳能电池和用于由硅基底制造太阳能电池的方法
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI441239B (zh) * 2006-12-12 2014-06-11 Asml Netherlands Bv 製造微影元件的方法、微影單元及電腦程式產品
DE102008038184A1 (de) * 2008-08-19 2010-02-25 Suss Microtec Test Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur temporären elektrischen Kontaktierung einer Solarzelle
US8084280B2 (en) 2009-10-05 2011-12-27 Akrion Systems, Llc Method of manufacturing a solar cell using a pre-cleaning step that contributes to homogeneous texture morphology
US8115097B2 (en) * 2009-11-19 2012-02-14 International Business Machines Corporation Grid-line-free contact for a photovoltaic cell
NL2005261C2 (en) * 2010-08-24 2012-02-27 Solland Solar Cells B V Back contacted photovoltaic cell with an improved shunt resistance.
DE102011050136A1 (de) * 2010-09-03 2012-03-08 Schott Solar Ag Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht
KR101699300B1 (ko) 2010-09-27 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
DE102011010077A1 (de) * 2011-02-01 2012-08-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaische Solarzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung
NL2006161C2 (en) * 2011-02-08 2012-08-09 Tsc Solar B V Method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained.
CN102800743B (zh) * 2011-05-27 2015-12-02 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 背接触晶体硅太阳能电池片制造方法
DE112012001787A5 (de) 2011-04-19 2014-01-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE102011018374A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer Halbleiterstruktur mit Durchkontaktierung und photovoltaische Solarzelle
DE102011051511A1 (de) 2011-05-17 2012-11-22 Schott Solar Ag Rückkontaktsolarzelle und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE102011053085A1 (de) 2011-08-29 2013-02-28 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
WO2013062727A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells
DE102011056495A1 (de) * 2011-12-15 2013-06-20 Rena Gmbh Verfahren zum einseitigen Glattätzen eines Siliziumsubstrats
CN102569345B (zh) * 2011-12-30 2016-04-20 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled彩色显示屏及其制造方法
JP2013165160A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池
CN102569531B (zh) * 2012-02-28 2014-07-09 常州天合光能有限公司 一种多晶硅片的钝化处理方法
WO2013141700A2 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 Tempress Ip B.V. Method for manufacturing a solar cell
CN102769059B (zh) * 2012-05-24 2015-08-05 友达光电股份有限公司 桥接太阳能电池及太阳能发电系统
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
US9178088B2 (en) * 2013-09-13 2015-11-03 Tsmc Solar Ltd. Apparatus and methods for fabricating solar cells
CN103746039A (zh) * 2014-01-09 2014-04-23 东莞南玻光伏科技有限公司 晶体硅太阳能电池的背钝化方法及晶体硅太阳能电池的制备方法
JP6414550B2 (ja) * 2014-02-06 2018-10-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
US9716192B2 (en) * 2014-03-28 2017-07-25 International Business Machines Corporation Method for fabricating a photovoltaic device by uniform plating on emitter-lined through-wafer vias and interconnects
US20150303326A1 (en) * 2014-04-18 2015-10-22 Tsmc Solar Ltd. Interconnect for a thin film photovoltaic solar cell, and method of making the same
DE202015102238U1 (de) * 2015-05-04 2015-06-01 Solarworld Innovations Gmbh Photovoltaik-Zelle und Photovoltaik-Modul
CN107863420A (zh) * 2017-11-10 2018-03-30 常州亿晶光电科技有限公司 无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺
DE102019006093A1 (de) * 2019-08-29 2021-03-04 Azur Space Solar Power Gmbh Schutzverfahren für Durchgangsöffnungen einer Halbleiterscheibe

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020046765A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-25 Tsuyoshi Uematsu Photovoltaic cell and process for producing the same
US20040259335A1 (en) * 2003-01-31 2004-12-23 Srinivasamohan Narayanan Photovoltaic cell and production thereof
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5468652A (en) * 1993-07-14 1995-11-21 Sandia Corporation Method of making a back contacted solar cell
DE10046170A1 (de) 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
CN100490186C (zh) * 2003-01-31 2009-05-20 Bp北美公司 改进的光生伏打电池及其生产
EP1763086A1 (de) * 2005-09-09 2007-03-14 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Solarzellen mit dickem Siliziumoxid und Siliziumnitrid zur Passivierung und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2007119365A1 (ja) * 2006-04-14 2007-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP2008282926A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP5236914B2 (ja) * 2007-09-19 2013-07-17 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
US8097955B2 (en) * 2008-10-15 2012-01-17 Qimonda Ag Interconnect structures and methods
FR2949276B1 (fr) * 2009-08-24 2012-04-06 Ecole Polytech Procede de texturation de la surface d'un substrat de silicium et substrat de silicium texture pour cellule solaire

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020046765A1 (en) * 2000-10-13 2002-04-25 Tsuyoshi Uematsu Photovoltaic cell and process for producing the same
US20040259335A1 (en) * 2003-01-31 2004-12-23 Srinivasamohan Narayanan Photovoltaic cell and production thereof
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung

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