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WO2008117739A1 - 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents

半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 Download PDF

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  • Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract

　安定性、均一性、再現性、耐熱性、耐久性などに優れ、また、優れたトランジスタ特性を発揮することの可能な、新規な半導体デバイスなどを提供することを目的とする。 　半導体デバイスは、薄膜トランジスタであり、この薄膜トランジスタは、活性層に、ＩｎとＩｎ以外の２種以上の金属を含み、かつ、電子キャリア濃度が１×１０１８／ｃｍ３未満である多結晶酸化物半導体薄膜を用いた構成としてある。
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