JP2011501442A - 片側裏面コンタクト太陽電池用誘電体コーティング - Google Patents
片側裏面コンタクト太陽電池用誘電体コーティング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011501442A JP2011501442A JP2010530091A JP2010530091A JP2011501442A JP 2011501442 A JP2011501442 A JP 2011501442A JP 2010530091 A JP2010530091 A JP 2010530091A JP 2010530091 A JP2010530091 A JP 2010530091A JP 2011501442 A JP2011501442 A JP 2011501442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- material system
- metal
- phosphorus
- contact
- alkoxylated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 16
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- -1 phosphate ester Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 claims description 11
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N (9Z)-octadecen-1-ol Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCO ALSTYHKOOCGGFT-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 3
- JKTAIYGNOFSMCE-UHFFFAOYSA-N 2,3-di(nonyl)phenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC(O)=C1CCCCCCCCC JKTAIYGNOFSMCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940055577 oleyl alcohol Drugs 0.000 claims description 2
- XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N oleyl alcohol Natural products CCCCCCC=CCCCCCCCCCCO XMLQWXUVTXCDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N tributyl borate Chemical compound CCCCOB(OCCCC)OCCCC LGQXXHMEBUOXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 4
- 239000006072 paste Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 4
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000003760 tallow Substances 0.000 description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloroquinoxaline-6-carbonyl chloride Chemical compound N1=C(Cl)C(Cl)=NC2=CC(C(=O)Cl)=CC=C21 NGCRLFIYVFOUMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNDGSXYUWAVQDK-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumylpropylazanium;diacetate Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.NCCCN SNDGSXYUWAVQDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000896726 Homo sapiens Lanosterol 14-alpha demethylase Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021695 Lanosterol 14-alpha demethylase Human genes 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N [Si][Ag] Chemical compound [Si][Ag] XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FJTUUPVRIANHEX-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;phosphoric acid Chemical compound CCCCO.OP(O)(O)=O FJTUUPVRIANHEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PEZBJHXXIFFJBI-UHFFFAOYSA-N ethanol;phosphoric acid Chemical compound CCO.OP(O)(O)=O PEZBJHXXIFFJBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBDROUOCQSGOFI-UHFFFAOYSA-N methanol;phosphoric acid Chemical compound OC.OP(O)(O)=O LBDROUOCQSGOFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- WNOMFECKQBISOX-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;propan-1-ol Chemical compound CCCO.OP(O)(O)=O WNOMFECKQBISOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADDWXBZCQABCGO-UHFFFAOYSA-N titanium(iii) phosphide Chemical compound [Ti]#P ADDWXBZCQABCGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/129—Passivating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
- H10F77/223—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for metallisation wrap-through [MWT] photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
- H10F77/227—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for emitter wrap-through [EWT] photovoltaic cells, e.g. interdigitated emitter-base back-contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
(a)第一の導電型の半導体材料を含むウェハであって、前記ウェハは、
(i)第一受光面、及び前記第一受光面の反対側に位置する第二面、
(ii)前記ウェハの第一面上に位置し、リンと、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属とを含む第一保護層、
(iii)前記ウェハの第二面上に位置し、前記第一保護層と同じ金属とリンとを含み、前記ウェハの導電型と反対の導電型を有する第二保護層、
(iv)前記ウェハの第二面上に位置するポイントコンタクトを含む第一電気コンタクト、及び
(v)ポイントコンタクトを含み、前記ウェハの第二面上に位置し、且つ第一電気コンタクトから電気的に分離している第二電気コンタクトとからなることを特徴とする。
(a)液状のリン含有組成物を調製する段階と、
(b)有機金属化合物を分散剤と接触させ、前記有機金属化合物を十分に湿潤させる段階と、
(c)前記リン含有組成物と、前記有機金属化合物と、ビヒクル、界面活性剤、及び溶媒のうち少なくとも1つとを合わせて混合し、誘電体ペースト混合物を形成する段階とからなり、
前記有機金属化合物は、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属を含むことを特徴とする。
(a)第一の導電型の半導体材料を含むウェハであって、前記ウェハは、
(i)第一受光面、及び前記第一受光面の反対側に位置する第二面、
(ii)前記ウェハの第一面上に位置し、リンと、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属とを含む第一保護層、
(iii)前記ウェハの第二面上に位置し、前記第一保護層と同じ金属とリンとを含み、前記ウェハの導電型と反対の導電型を有する第二保護層、
(iv)前記ウェハの第二面上に位置するポイントコンタクトを含む第一電気コンタクト、及び
(v)ポイントコンタクトを含み、前記ウェハの第二面上に位置し、且つ第一電気コンタクトから電気的に分離している第二電気コンタクトとからなることを特徴とする。
(a)液状のリン含有組成物を調製する段階と、
(b)有機金属化合物を分散剤と接触させ、前記有機金属化合物を十分に湿潤させる段階と、
(c)前記リン含有組成物と、前記有機金属化合物と、ビヒクル、界面活性剤、及び溶媒のうち少なくとも1つとを合わせて混合し、誘電体ペースト混合物を形成する段階とからなり、
前記有機金属化合物は、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属を含むことを特徴とする。
Claims (20)
- リンと、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される0.1〜10重量%の金属とを含む印刷可能な誘電体コーティング材系。
- バリウムを含まない請求項1の材系。
- 請求項1の材系であって、前記金属が、有機金属化合物、金属の酸化物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される形態で提供されることを特徴とする材系。
- 請求項3の材系であって、前記金属が、金属エトキシド、金属2−エチルヘキソキシド、金属イソブトキシド、金属イソプロポキシド、金属メトキシド、金属n−ブトキシド、金属n−プロポキシド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、有機金属化合物の形態で提供されることを特徴とする材系。
- 請求項1の材系であって、前記金属が、前記材系の0.2〜5重量%の範囲で存在することを特徴とする材系。
- 請求項1の材系であって、前記リンが、溶液状もしくは分散状で提供されることを特徴とする材系。
- 請求項1の材系であって、さらに、溶媒、ビヒクル、分散剤、拡散剤、及び湿潤剤のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする材系。
- 請求項1の材系であって、前記リンが、エステルとして提供されることを特徴とする材系。
- 請求項8の材系であって、前記リンが、アルコキシル化アルコールもしくはアルコキシル化フェノール、もしくはそれらの組み合わせのリン酸エステルとして提供されることを特徴とする材系。
- 請求項8の材系であって、前記リンが、エトキシド基を有するリン酸エステルとして提供されることを特徴とする材系。
- 請求項8の材系であって、前記エステルが、アルコキシル化リン酸エステルであることを特徴とする材系。
- 請求項8の材系であって、前記エステルが、エトキシ化リン酸エステルであることを特徴とする材系。
- 請求項9の材系であって、前記アルコキシル化アルコールもしくはアルコキシル化フェノールが、アルコキシル化オレイルアルコール、アルコキシル化フェノール、アルコキシル化ジノニルフェノール、アルコキシル化ジデシルフェノール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする材系。
- 請求項9の材系であって、前記アルコキシル化アルコールもしくはアルコキシル化フェノールが、エトキシ化オレイルアルコール、エトキシ化フェノール、エトキシ化ジノニルフェノール、エトキシ化ジデシルフェノール、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるエトキシ化アルコールもしくはエトキシ化フェノールであることを特徴とする材系。
- シリコン基板の同一面上に配置されたn型導電性トレース及びp型導電性トレースと、前記n型導電性トレースを前記p型導電性トレースから電気的に絶縁する誘電体層とからなる太陽電池であって、前記誘電体層が、リンと、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属とからなることを特徴とする太陽電池。
- p型コンタクトが占める全リア面面積の割合が、30%未満である請求項15の太陽電池。
- 太陽電池に使用する誘電体組成物の製造方法であって、前記方法は、
a.液状のリン含有組成物を調製する段階と、
b.有機金属化合物を分散剤と接触させ、前記有機金属化合物を十分に湿潤させる段階と、
c.前記リン含有組成物と、前記有機金属化合物と、ビヒクル、界面活性剤、及び溶媒のうち少なくとも1つと、を合わせて混合し、誘電体ペースト混合物を形成する段階とからなり、前記有機金属化合物が、チタン、タンタル、及びニオブからなる群から選択される金属を含むことを特徴とする。 - 請求項17の方法であって、前記液状のリン含有化合物が濾過されることを特徴とする方法。
- 請求項17の方法であって、cの段階において、前記リン含有化合物及び有機金属化合物に、さらに、ガラスフリットを合わせて混合することを特徴とする方法。
- 請求項17の方法であって、いかなる時点においても、組成物、化合物、拡散剤、ビヒクル、界面活性剤、溶媒、もしくはペーストと金属器具が接触することはないことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US98059107P | 2007-10-17 | 2007-10-17 | |
| PCT/US2008/080062 WO2009052227A1 (en) | 2007-10-17 | 2008-10-16 | Dielectric coating for single sided back contact solar cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011501442A true JP2011501442A (ja) | 2011-01-06 |
Family
ID=40567775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010530091A Pending JP2011501442A (ja) | 2007-10-17 | 2008-10-16 | 片側裏面コンタクト太陽電池用誘電体コーティング |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8876963B2 (ja) |
| EP (1) | EP2201607A4 (ja) |
| JP (1) | JP2011501442A (ja) |
| KR (1) | KR101528382B1 (ja) |
| CN (1) | CN101828265B (ja) |
| WO (1) | WO2009052227A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014010743A1 (ja) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池 |
| WO2014014114A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 |
| WO2014014107A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2014014115A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法 |
| JP2017076802A (ja) * | 2012-01-06 | 2017-04-20 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8518170B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks |
| JP2011138909A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 |
| US8929054B2 (en) * | 2010-07-21 | 2015-01-06 | Cleanvolt Energy, Inc. | Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods |
| JP5723143B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-05-27 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池 |
| DE102010054370A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen mit vorderseitiger Textur und glatter Rückseitenoberfläche |
| KR101642158B1 (ko) * | 2011-01-04 | 2016-07-22 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| DE102011010077A1 (de) * | 2011-02-01 | 2012-08-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photovoltaische Solarzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| CN102148291B (zh) * | 2011-03-18 | 2013-05-01 | 天威新能源(扬州)有限公司 | 低欧姆接触的背接触电池的制造方法 |
| KR20120111378A (ko) * | 2011-03-31 | 2012-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| US9153713B2 (en) | 2011-04-02 | 2015-10-06 | Csi Cells Co., Ltd | Solar cell modules and methods of manufacturing the same |
| US8916410B2 (en) * | 2011-05-27 | 2014-12-23 | Csi Cells Co., Ltd | Methods of manufacturing light to current converter devices |
| US8629294B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-01-14 | Honeywell International Inc. | Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants |
| US8975170B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-03-10 | Honeywell International Inc. | Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions |
| JP2013222747A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Nagase Chemtex Corp | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| KR20150038114A (ko) | 2012-07-19 | 2015-04-08 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 패시베이션 막, 도포형 재료, 태양 전지 소자 및 패시베이션 막이 형성된 실리콘 기판 |
| KR20150036454A (ko) * | 2012-07-19 | 2015-04-07 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 패시베이션층 형성용 조성물, 패시베이션층이 형성된 반도체 기판, 패시베이션층이 형성된 반도체 기판의 제조 방법, 태양 전지 소자, 태양 전지 소자의 제조 방법 및 태양 전지 |
| TW201412758A (zh) * | 2012-07-19 | 2014-04-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 鈍化層形成用組成物、帶有鈍化層的半導體基板、帶有鈍化層的半導體基板的製造方法、太陽電池元件、太陽電池元件的製造方法以及太陽電池 |
| JP6034747B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2016-11-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2014145559A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Cleanvolt Energy, Inc. | Improved electrodes and currents through the use of organic and organometallic high dielectric constant materials in energy storage devices and associated methods |
| US9577134B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap |
| US9496437B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-11-15 | Sunpower Corporation | Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by a metallization structure |
| NL2014040B1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-10-12 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of making a curent collecting grid for solar cells. |
| US10784383B2 (en) | 2015-08-07 | 2020-09-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| US10941926B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-03-09 | Applied Electronic Materials, LLC | Modular lighting system including light modules with integrated LED units |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5476629A (en) * | 1977-11-30 | 1979-06-19 | Sharp Corp | Coating composition |
| JPS5860581A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPS59178778A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2005005352A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3460956A (en) * | 1968-07-19 | 1969-08-12 | Joseph Dahle | Titanate product and method of making the same |
| US4084021A (en) * | 1974-10-08 | 1978-04-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for rendering substrates resistant to abrasion |
| US4346324A (en) * | 1979-10-12 | 1982-08-24 | Westinghouse Electric Corp. | Heat mirror for incandescent lamp |
| US4311738A (en) * | 1980-05-27 | 1982-01-19 | Dow Corning Corporation | Method for rendering non-ferrous metals corrosion resistant |
| US4328260A (en) | 1981-01-23 | 1982-05-04 | Solarex Corporation | Method for applying antireflective coating on solar cell |
| US4341558A (en) * | 1981-02-27 | 1982-07-27 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Metal surface coating agent |
| JPS57199271A (en) * | 1981-06-02 | 1982-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of photoelectric converter |
| US5476601A (en) * | 1987-06-01 | 1995-12-19 | Henkel Corporation | Aqueous lubricant and surface conditioner for formed metal surfaces |
| US5468652A (en) * | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
| EP0654831A3 (en) * | 1993-11-18 | 1998-01-14 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | Method of manufacturing solar cell |
| JPH09191118A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JPH10303441A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Matsushita Denchi Kogyo Kk | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2002083983A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池セルの製造方法およびこの方法で製造された太陽電池セル |
| US20060060238A1 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-23 | Advent Solar, Inc. | Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells |
| DE102004050269A1 (de) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle |
| US7341812B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-03-11 | Xerox Corporation | Photosensitive member having two layer undercoat |
-
2008
- 2008-10-16 KR KR1020107008270A patent/KR101528382B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-16 CN CN2008801120022A patent/CN101828265B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-16 WO PCT/US2008/080062 patent/WO2009052227A1/en not_active Ceased
- 2008-10-16 US US12/682,040 patent/US8876963B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-16 EP EP08839318.6A patent/EP2201607A4/en not_active Withdrawn
- 2008-10-16 JP JP2010530091A patent/JP2011501442A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5476629A (en) * | 1977-11-30 | 1979-06-19 | Sharp Corp | Coating composition |
| JPS5860581A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JPS59178778A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Toshiba Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2005005352A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017076802A (ja) * | 2012-01-06 | 2017-04-20 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2014010743A1 (ja) * | 2012-07-12 | 2014-01-16 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池 |
| CN104471715A (zh) * | 2012-07-12 | 2015-03-25 | 日立化成株式会社 | 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池 |
| JPWO2014010743A1 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-06-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池 |
| WO2014014114A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 |
| WO2014014107A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| WO2014014115A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法 |
| CN104488070A (zh) * | 2012-07-19 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | 带钝化层的半导体基板及其制造方法 |
| CN104508830A (zh) * | 2012-07-19 | 2015-04-08 | 日立化成株式会社 | 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池 |
| JPWO2014014114A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池 |
| JPWO2014014107A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
| JPWO2014014115A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | パッシベーション層付半導体基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101828265B (zh) | 2012-07-18 |
| EP2201607A4 (en) | 2017-12-27 |
| EP2201607A1 (en) | 2010-06-30 |
| US20120006393A1 (en) | 2012-01-12 |
| US8876963B2 (en) | 2014-11-04 |
| WO2009052227A1 (en) | 2009-04-23 |
| KR20100069687A (ko) | 2010-06-24 |
| KR101528382B1 (ko) | 2015-06-12 |
| CN101828265A (zh) | 2010-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011501442A (ja) | 片側裏面コンタクト太陽電池用誘電体コーティング | |
| KR101521040B1 (ko) | 전극용 페이스트 조성물, 태양 전지 소자 및 태양 전지 | |
| CN103503079B (zh) | 电极用糊剂组合物、太阳能电池元件以及太阳能电池 | |
| JP5811186B2 (ja) | 電極用ペースト組成物、太陽電池素子及び太陽電池 | |
| CN102934174B (zh) | 电极用糊剂组合物及太阳能电池 | |
| JP2012084585A (ja) | 太陽電池素子並びにその製造方法 | |
| JP6206491B2 (ja) | 電極形成用組成物、太陽電池素子及び太陽電池 | |
| JP5891599B2 (ja) | シリコン系太陽電池の電極用ペースト組成物 | |
| JP5720393B2 (ja) | 電極用ペースト組成物、太陽電池素子及び太陽電池 | |
| US20150020881A1 (en) | Dielectric coating for single sided back contact solar cells | |
| US20120260982A1 (en) | Paste composition for electrode, photovoltaic cell element, and photovoltaic cell | |
| JP2016189443A (ja) | 電極形成用組成物、電極、太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池 | |
| KR20140074415A (ko) | 태양전지 후면 전극의 제조 방법 및 이를 이용한 태양전지 소자 | |
| JP2015195223A (ja) | 電極用ペースト組成物、太陽電池素子及び太陽電池 | |
| JP2015144126A (ja) | 電極用ペースト組成物及び太陽電池素子 | |
| JP2022074097A (ja) | 太陽電池セルの電極形成方法 | |
| HK1197847A (en) | Element and solar cell | |
| JP2015130355A (ja) | 電極用ペースト組成物及び太陽電池素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110426 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131022 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131029 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140401 |