KR101528382B1

KR101528382B1 - 단면 후면 컨택 태양 전지용 유전성 코팅물

Info

Publication number: KR101528382B1
Application number: KR1020107008270A
Authority: KR
Inventors: 벤 이. 크루즈; 조지 이. 그래디; 아지즈 에스. 샤이크; 잘랄 살라미
Original assignee: 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨
Priority date: 2007-10-17
Filing date: 2008-10-16
Publication date: 2015-06-12
Anticipated expiration: 2028-10-16
Also published as: JP2011501442A; CN101828265B; EP2201607A4; EP2201607A1; US20120006393A1; US8876963B2; WO2009052227A1; KR20100069687A; CN101828265A

Abstract

단면 후면 컨택에 사용하기 위한 유전성 코팅 물질 시스템이 기술된다. 이 물질 시스템은 실리콘계 태양 전지의 동일 측 상에 반대 극성 타입의 전극들을 전기적으로 분리하도록 제공되며, 티타늄과 인을 포함한다.

Description

단면 후면 컨택 태양 전지용 유전성 코팅물{DIELECTRIC COATING FOR SINGLE SIDED BACK CONTACT SOLAR CELLS}

본 발명은 태양 전지에 사용하기 위한 유전성(dielectric) 코팅 물질 및 그 사용 방법 및 공정에 관한 것이다.

태양 전지는 일반적으로 실리콘(Si)과 같은 반도체 물질로 이루어지는데, 태양광을 유용한 전기적 에너지로 변환시킨다. 태양 전지는 일반적으로, 요구되는 PN 접합(junction)이 적절한 인의 원으로부터 P-타입 Si 웨이퍼로 인(P)을 확산시키므로서 형성되는 Si의 얇은 웨이퍼로 이루어진다. 태양 광이 입사되는 실리콘 웨이퍼 측은 일반적으로 태양 광의 반사 손실을 방지하기 위하여 항-반사 코팅물(ARC)로 코팅된다. 이 ARC는 태양 전지 효율을 증가시킨다. 전면(front) 컨택으로서 알려진 이차원 전극 그리드 패턴은 실리콘의 n-측으로의 연결부를 만들고, 주로 알루미늄(Al)의 코팅은 실리콘의 p-측으로의 연결부(후면 컨택)를 만든다. 또한, 은 이면(rear) 컨택으로 알려져 있으며, 은 또는 은-알루미늄 페이스트(paste)로 만들어진 컨택은 실리콘의 p-측 상에 프린트되고 소성되어 태양 전지 모듈에서 하나의 셀을 다음 것에 전기적으로 연결하는 탭의 납땜을 가능하게 한다. 이 컨택들은 PN 접합부로부터 외측 로드(load)로의 전기적 아웃렛(outlet)이다.

오늘날 많은 용도의 태양 전지 디자인은 태양광을 받아서 광 에너지가 전지로 흡수될 때 전자 흐름을 생성하는, 전면 근처에 형성된 PN-접합을 갖는다. 통상적인 전지 디자인은 전지의 전면 측상에 있는 한 셋트의 전기적 컨택 및 태양 전지의 후면 측상에 있는 두번째 셋트의 전기적 컨택을 갖는다. 일반적인 태양 전지(photovoltaic) 모듈에서, 이러한 개별적인 태양 전지들은 전압을 증가시키기 위하여 전기적으로 직렬로 상호연결된다. 이러한 상호 연결은 일반적으로 하나의 태양전지의 전면 측에서 인접한 태양 전지의 후면 측으로 전도성 리본을 납땜하므로서 달성된다.

후면 컨택 실리콘 태양 전지는 통상적인 실리콘 태양 전지와 비교할 때 몇가지 이점을 갖는다. 하나는 후면 컨택 전지가 감소되거나 제거된 컨택 불명료화 손실(obscuration losses)로 인하여 보다 높은 전환율을 갖는다(컨택 그리드로부터 반사된 태양광은 전기로 전환되도록 이용불가능하다). 또 다른 것은 후면 컨택 전지의 전자회로로의 조립이 용이하고, 따라서, 두 전도성 타입 컨택이 동일면 상에 있기 때문에 보다 더 저렴하다. 예를 들면, 현재의 광전지 모듈 어셈블리와 비교할 때 상당한 비용 절감이 광전지 모듈 및 태양 전지 전기 회로를 단일 단계로 밀봉하므로서 후면 컨택 전지에서 달성될 수 있다. 후면 컨택 전지의 또 다른 이점은 보다 일정한 외관을 통하여 보다 우수한 심미감이다. 심미감은 빌딩 집적 광전지 시스템 및 자동차용 광전지 선루프와 같은 어떤 적용에 중요하다.

도 1은 본 기술에서 알려진 일반적인 후면 컨택 전지 구조를 도시한 것이다. 실리콘 기판은 n-타입 또는 p-타입일 수 있다. 강하게 도핑된 이미터(n⁺⁺ 또는 p⁺⁺) 중 하나는 어떤 디자인에서 생략될 수 있다. 대안적으로, 강하게 도핑된 이미터는 이면 상에서 서로 직접 접촉될 수 있다. 이면 패시베이션은 이면에서 광생성 캐리어의 손실의 감소를 돕고, 컨택트들 사이의 비도핑된 표면에서 션트 전류(shunt currents)로 인한 전기적 손실의 감소를 돕는다.

본 발명은 후면 컨택 태양 전지 상에서 반대 극성 타입의 전극들을 분리하는데 유용한 유전성 코팅 물질 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 인 및 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 프린트가능한 유전성 코팅물질 시스템을 포함한다. 이 물질 시스템은 약 0.1-10 wt%의 금속을 포함한다.

본 발명은 실리콘 기판의 동일 측상에 배치된 n-전도성 트레이스(trace) 및 p-전도성 트레이스, 그리고 p-전도성 트레이스와 n-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하고 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 금속을 포함하는 유전층을 포함하는 태양 전지를 더 포함한다.

본 발명은 평판 p-타입 실리콘 기판의 전면으로 인을 확산시키고; 인 확산층 상에 그리고 기판의 후면 상에 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 함유 유전층을 형성하며; 후면 표면에 제 1 셋트의 공간을 가지고 떨어져 있는 홈들을 새기고 제 1 셋트의 홈들중 일부가 구멍에 가깝게 되도록 바이어(vias)를 형성하기 위하여 기판을 통해 구멍의 열을 드릴링하고; 바이어스 및 제 1 셋트의 홈으로 인을 확산시키고; 제 1 셋트와 서로 맞물린 제 2 셋트의 공간져 떨어져 있는 홈을 형성하며; 바이어스 및 제 1 및 제 2 셋트의 홈을 금속화하고; 제 1 및 제 2 셋트의 홈 위의 금속화에 대한 개별적인 전기적 컨택을 형성하는 것을 포함하는 후면 컨택 태양 전지 제조방법을 포함한다.

또한, 본 발명은 액체 인-함유 조성물을 여과하고, 오르가노티타늄 화합물을 분산제와 접촉시켜 오르가노티타늄 화합물을 전체적으로 습윤시키며, 오르가노티타늄 화합물과 인-함유 화합물을 비히클, 계면활성제, 확산제 및 용매 중 하나와 함께 조합 및 혼합하여 유전성 페이스트 혼합물을 형성하는 것을 포함하는, 태양전지에서 사용하기 위한 유전성 조성물을 제조하기 위한 방법을 포함한다. 이제까지 조성물을 함유하거나 혼합하는데 금속 기구가 사용되지는 않았다.

본 발명의 또 다른 구현예는 (a) 제1 전도성 타입의 반도체 물질을 포함하고, (i) 제1 광 수신 면 및 제 1면 반대쪽의 제 2면; (ii) 웨이퍼의 제 1 면 위에 위치되며, 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 제 1 패시베이션 층; (iii) 웨이퍼의 제 2 면 위에 위치된 제 2 패시베이션 층을 포함하는 웨이퍼를 포함하는 광 전지로서; 제 1 전기적 컨택은 웨이퍼의 제 2면 위에 위치된 포인트 컨택을 포함하고, 제 2 패시베이션 층은 제 1 패시베이션 층과 같은 금속 및 인을 포함하고, 웨이퍼와 반대인 전도성을 가지며; 제 2 전기적 컨택은 포인트 컨택을 포함하고, 웨이퍼의 제 2 면 위에 위치되며, 제 1 전기적 컨택과 전기적으로 구별된다.

또한, 본 발명은 (a) 액체 인-함유 조성물을 제공하고, (b) 오르가노금속성 화합물을 분산제와 접촉시켜 오르가노금속성 화합물을 전체적으로 습윤시키며, (c) 오르가노금속성 화합물과 인-함유 화합물을 비히클, 계면활성제, 확산제 및 용매 중 하나와 함께 조합 및 혼합하여 유전성 페이스트 혼합물을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 제조방법으로서, 오르가노 금속성 화합물은 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다.

본 발명의 구현예는 (a) 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된, 약 0.1-10 wt%의 금속을 포함하는, 프린트가능한 유전성 코팅물질 시스템을 제공하고; (b) 실리콘 기판의 일 측에 유전성 물질 시스템을 도포하며; (c) 유전성 페이스트 혼합물의 제 1 부분에 n-전도성 페이스트를 도포하고; (d) 제 1 부분과 인접하지 않은, 유전성 페이스트 혼합물의 제 2 부분에 p-전도성 페이스트를 도포하여 그린 바디(green body)를 형성하며; (e) 각 n-전도성 및 p-전도성 트레이스를 형성하기 위하여 각 전도성 페이스트를 소결시키고, 유전성 페이스트가 p-전도성 트레이스와 n-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하도록 그들 사이에 유전층을 형성하기 위하여 유전성 페이스트 혼합물을 융합하도록 소성시키는 것을 포함하는 태양 전지 제조방법을 포함한다.

마지막으로, 본 발명의 구현예는 인과 약 0.1-10 wt%의 티타늄을 포함하는, 프린트가능한 유전성 코팅물질 시스템을 제공하고; 실리콘 기판의 일 측에 유전성 물질 시스템을 도포하며; 유전성 페이스트 혼합물의 제 1 부분에 n-전도성 페이스트를 도포하고; 유전성 페이스트 혼합물의 제 2 부분에 p-전도성 페이스트를 도포하여 그린 바디를 형성하며; 각 n-전도성 및 p-전도성 트레이스를 형성하기 위하여 각 전도성 페이스트를 소결시키고, 유전성 페이스트가 p-전도성 트레이스와 n-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하도록 그들 사이에 유전층을 형성하기 위하여 유전성 페이스트 혼합물을 융합하도록 소성시키는 것을 포함하는 태양 전지 제조방법을 포함한다.

본 발명의 상기한 그리고 다른 특징들은 하기에서 보다 충분히 설명되고 특히 청구범위에서 지적되는데 하기 설명은 본 발명의 설명을 위한 특정 구현예를 나타내는 것이지만 이들은 단지 본 발명의 원리가 사용되는 다양한 방법들 중 일부를 나타낸다.

실제 크기가 아니고 개략적인 첨부 도면은 본 발명의 하나 이상의 구현예를 설명하는 것으로서 본 발명의 원리를 설명하기 위하여 제공된다.
도 1은 후면의 특징 만을 도시한, 일반적인 후면 컨택 태양 전지를 도시한 것이다.
도 2는 p-타입 기판에 대한 알루미늄 합금 컨택을 갖는, 본 발명의 EWT의 단면도를 도시한 것이다. 이것은 구멍("바이어")을 통한 측면도로서 그리드 라인에 수직이다.
도 3은 본 발명의 구현예에 따른 유전성 조성물을 사용하는 태양 전지의 일부의 삼차원적, 부분 절단도이다.

여기에 기술된 본 발명은 후면 컨택 태양 전지의 제작을 위한 개선된 방법 및 공정, 특히 보다 경제적인 제작 및 보다 효율적인 형태의 이면 컨택 및 그리드를 제공하는 방법 및 공정을 제공한다. 다수의 여러 개별적인 방법이 기술되었지만 본 기술에서 숙련된 자들은 둘 이상의 방법들을 조합 또는 변화시키므로서 제작의 대안적인 추가 방법을 제공할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 도면 및 에시적인 공정 순서들은 후면 컨택 방출(emitter-wrap-through) (EWT) 전지를 설명하지만, 후면 컨택 실리콘 태양 전지를 제조하기 위한 몇가지 접근법들이 있다. 이러한 접근법들은 방출(emitter wrap through)이외에 금속화 랩 어라운드(metallization wrap around) (MWA), 금속 포장 투과형(metallization wrap through) (MWT), 및 후방-접합 구조(back-junction structures)를 포함한다. 상기한 제작 방법들은 하기에 기술된다.

MWA 및 MWT는 전면 상에 금속 전류 수집 그리드를 갖는다. 이 그리드들은 후면 컨택 전지를 이루기 위하여 각각 모서리 둘레를 둘러싸거나 후면으로 관통된다. MWT 및 MWA 전지와 비교할 때, EWT 전지의 독특한 특징은 전지의 전면 측상에 금속 커버가 없다는 것인데, 이것은 어떤 입사광도 차단되지 않아서 보다 높은 효율성을 가져온다는 것을 의미한다. EWT 전지는 전면에서 이면으로 실리콘 웨이퍼에 있는 도핑된 전도성 채널을 통하여 전류 수집 접합부("이미터")를 둘러싼다. "이미터"는 반도체 장치에서 매우 도핑된 영역을 일컫는다. 그러한 전도성 채널은 예를 들면, 레이저로 실리콘 기판에 구멍을 드릴링하고, 이어서 전면 및 이면 상에 이미터를 형성하는 동시에 구멍 내에 이미터를 형성하므로서 생성될 수 있다. 후면-접합 전지는 태양 전지의 이면 상에 음 및 양의 극성 수집 접합부를 갖는다. 대부분의 광이 전면 근처에서 흡수되고, 따라서 대부분의 캐리어들이 광생성되기 때문에, 후면 접합부 전지는 캐리어들이 이면상에 수집 접합부를 전면에서 이면으로 확산하기에 충분한 시간을 갖도록 매우 높은 물질의 품질을 요구한다. 비교로서, EWT전지는 전면 상에 전류 수집 접합부를 유지하는데 이것은 고 전류 수집 효율에 있어서 바람직하다. EWT 전지는 여기에 참고로 도입된 미국 특허 제 5,468,652호에 기술되어 있다.

여기에 기술된 본 발명에 사용될 수 있는 후면 컨택 태양 전지를 사용하는 모듈 어셈블리 및 라미네이션의 다른 설명들은 여기에 참고로 도입된 미국 특허 제 5,951,786 및 5,972,732호를 포함한다. 여기에 참고로 도입된 미국 특허 제 6,384,316호는 MWT를 사용하는 또 다른 후면 컨택 전지 디자인을 기술하고 있는데, 여기에서는 구멍 또는 바이어들이 이면으로 전류 전도를 돕기 위하여 전면 상의 금속 컨택과 상대적으로 멀리 공간적으로 떨어져 있고, 또한 구멍들은 금속과 정렬된다. 미국 특허출원 공개 제 2007/0295399호의 후면 컨택 및 태양 전지도 여기의 제형의 적용에 적합하고, 여기의 유전성 물질은 유럽 특허 출원 EP 1923906A1에 기술된 것과 마찬가지로 사용될 수 있는데, 둘 모두 여기에 참고로 도입되었다.

후면 컨택 실리콘 태양전지의 디자인에서 중요한 고려사항은 음 및 양의 극성 그리드와 접합부를 전기적으로 분리하는 저 비용 공정 순서를 개발하는 것이다. 기술적인 문제로는 도핑된 층(존재할 경우)을 패턴화하고, 음과 양의 컨택 영역 사이의 표면을 패시베이션화하며, 음과 양의 극성 컨택을 도포하는 것을 포함한다.

본 발명은 후면 컨택 태양 전지 상에 반대 극성 타입의 전극들을 분리하는데 유용한 유전성 코팅물질 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 프린트가능한 유전성 코팅 물질 시스템을 포함하는데, 상기 물질 시스템은 약 0.1-10 wt%의 금속을 포함한다. 바람직하게는, 금속은 물질 시스템의 약 0.2-5 wt%, 보다 바람직하게는 0.3-약 2,5 wt%로 사용된다.

본 발명은 또한 실리콘 기판의 동일 측상에 배치된 n-전도성 트레이스 및 p-전도성 트레이스, 그리고 p-전도성 트레이스와 n-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하는 유전성 층을 포함하는 태양 전지를 더 포함한다. 유전성 층은 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다.

본 발명의 또 다른 구현예는 (a) 제1 전도성 타입의 반도체 물질을 포함하고, (i) 제1 광 수신 면 및 제 1면 반대쪽의 제 2면; (ii) 웨이퍼의 제 1 면 위에 위치되며, 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 제 1 패시베이션 층; (iii) 웨이퍼의 제 2 면 위에 위치된 제 2 패시베이션 층을 포함하는 웨이퍼를 포함하는 광 전지로서; 제 1 전기적 컨택은 웨이퍼의 제 2면 위에 위치된 포인트 컨택을 포함하고, 제 2 패시베이션 층은 제 1 패시베이션 층과 같은 금속 및 인을 포함하고, 웨이퍼와 반대인 전도성을 가지며; 제 2 전기적 컨택은 포인트 컨택을 포함하고, 웨이퍼의 제 2 면 위에 위치되며, 제 1 전기적 컨택과 전기적으로 분리된다.

본 발명의 또 다른 구현예는 평판 p-타입 실리콘 기판의 전면으로 인을 확산시키고; 인 확산층 상부에 그리고 기판의 후면 상에 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 함유 유전층을 형성하며; 후면 표면에 제 1 셋트의 공간적으로 떨어져 있는 홈들을 새기고 제 1 셋트의 홈들 중 일부가 구멍에 가깝게 되도록 바이어(vias)를 형성하기 위하여 기판을 관통하는 구멍의 열을 드릴링하고; 바이어 및 제 1셋트의 홈으로 인을 확산시키고; 제 1 셋트와 맞물린 제 2 셋트의 공간적으로 떨어져 있는 홈을 형성하며; 바이어 및 제 1 및 제 2 셋트의 홈을 금속화하고; 제 1 및 제 2 셋트의 홈 위의 금속화에 대한 개별적인 전기적 컨택을 형성하는 것을 포함하는 후면 컨택 광 전지 제조방법을 포함한다.

본 발명의 또 다른 구현예는 (a) 액체 인-함유 조성물을 제공하고, (b) 오르가노금속성 화합물을 분산제와 접촉시켜 오르가노금속성 화합물을 전체적으로 습윤시키며, (c) 오르가노금속성 화합물과 인-함유 화합물을 비히클, 계면활성제, 확산제 및 용매 중 적어도 하나와 함께 조합 및 혼합하여 유전성 페이스트 혼합물을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 제조방법으로서, 오르가노 금속성 화합물은 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함한다.

본 발명의 구현예는 (a) 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된, 약 0.1-10 wt%의 금속을 포함하는, 프린트가능한 유전성 코팅물질 시스템을 제공하고; (b) 실리콘 기판의 일 측에 유전성 물질 시스템을 도포하며; (c) 유전성 페이스트 혼합물의 제 1 부분에 n-전도성 페이스트를 도포하고; (d) 제 1 부분과 인접하지 않은, 유전성 페이스트 혼합물의 제 2 부분에 p-전도성 페이스트를 도포하여 그린 바디를 형성하며; (e) 각 n-전도성 및 p-전도성 트레이스를 형성하기 위하여 각 전도성 페이스트를 소결시키고, 유전성 페이스트가 p-전도성 트레이스와 n-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하도록 그들 사이에 유전층을 형성하기 위하여 유전성 페이스트 혼합물을 융합하도록 소성시키는 것을 포함하는 태양 전지 제조방법을 포함한다. 그린 바디는 다층 구조체일 수 있다.

본 발명은 또한 액체 인-함유 조성물을 여과하고, 오르가노티타늄 화합물을 분산제와 접촉시켜 오르가노티타늄 화합물을 전체적으로 습윤시키며, 오르가노티타늄 화합물과 인-함유 화합물을 비히클, 계면활성제, 확산제 및 용매 중 적어도 하나와 함께 조합 및 혼합하여 유전성 페이스트 혼합물을 형성하는 것을 포함하는, 태양전지에서 사용하기 위한 유전성 조성물을 제조하기 위한 방법을 포함한다. 이제까지 조성물을 함유하거나 혼합하는데 금속 기구가 사용되지는 않았다.

여기에 기술된 유전성 코팅 물질 시스템의 주 구성은 하기에서 보다 상세히 설명된다. 중량 및 다른 척도는 전체 물질 시스템의 중량 퍼센트로서 원 페이스트로서, 즉 소성 전의 것으로 제공된다.

금속. 티타늄, 탄탈 또는 니오브일 수 있는 금속은 오르가노 금속성 화합물의 형태로 제공된다. 예를 들면, 오르가노금속성 화합물은 금속 에톡사이드, 금속 2-에틸헥속사이드, 금속 이소부톡사이드, 금속 이소프로폭사이드, 금속 메톡사이드, 금속 n-부톡사이드, 금속 n-프로폭사이드 또는 다른 오르가노금속성 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 그들의 금속성 형태의 금속 및 금속의 산화물들이 사용될 수 있지만 바람직하지는 않다. 상기의 조합들이 가능하다. 제공된 티타늄의 형태에 관계없이, 물질 시스템은 약 0.1-10 wt%의 금속, 바람직하게는 약 0.2-5 wt%의 금속, 및 보다 바람직하게는 약 0.3-2.5 wt%의 금속을 포함한다. 금속 에톡사이드가 바람직하다.

인. 인은 액체 용액 또는 분산의 형태로 제공될 수 있다. 인은 포스페이트 에스테르, 특히, 에톡실화 알콜 또는 페놀의 포스페이트 에스테르, 보다 일반적으로는 알콕실화 알콜 또는 페놀의 포스페이트 에스테르로서 제공될 수 있다. 알콜 또는 페놀은 올레일 알콜, 페놀, 디노닐페놀, 디데실페놀 및 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 추가적으로 적절한 인 에스테르로는 인 메톡사이드, 인 에톡사이드, 인 프로폭사이드, 인 부톡사이드 및 20 탄소 원자 이하의 인 알콕사이드를 포함한다. 다른 구성 성분들이 존재할 수 있지만, 바람직한 구현예에서, 물질 시스템은 고의적으로 첨가된 바륨이 전혀 없다. 제공된 인의 형태에 관계없이, 유전성 물질 시스템은 약 0.1-5 wt%의 인, 바람직하게는 약 0.2-4 wt%의 인 및 보다 바람직하게는 약 0.3-2.5 wt%의 인을 포함한다.

유기 성분. 본 발명의 유전성 물질 시스템은 비히클, 용매, 분산제, 확산제 및 습윤제 중 적어도 하나를 포함한다.

비히클. 본 발명의 물질 시스템은 일반적으로 용매에 용해된 수지의 용액, 더 빈번하게는 수지와 틱소트로픽제(thixotropic agent)를 함유하는 용매 용액으로서 페이스트를 형성하는 비히클 또는 캐리어를 포함한다. 이 페이스트의 유기 부분은 (a) 적어도 80 wt%의 유기 용매; (b) 약 15 wt% 이하의 열가소성 수지; (c) 약 4 wt% 이하의 틱소트로픽제; 및 (d) 약 2 wt% 이하의 습윤제를 포함한다. 하나 이상의 용매, 수지, 틱소트로프 및/또는 습윤제의 사용도 예상된다. 바람직한 구현예에서, 상기 구성 성분 (a)에서 (d)의 측정 가능한 양이 유기 부분에 존재한다.

에틸 셀룰로오즈가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오즈, 목재 로진, 에틸 셀룰로오즈와 페놀성 수지의 혼합물, 저급 알콜의 폴리메타크릴레이트 및 에틸렌 글리콜의 모노부틸 에테르와 같은 수지도 사용될 수 있다.

용매. 대기압에서 약 130-350℃의 비등점을 갖는 용매가 적절하다. 널리 사용되는 용매로는 부틸 Carbitol^®(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르); 디부틸 Carbitol^®(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르); 부틸 Carbitol^®아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 헥실렌 글리콜, Texanol^®(2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트)뿐만 아니라 알콜 에스테르, 케로센 및 디부틸 프탈레이트와 같은 다른 용매들과 함께 알파- 또는 베타-터피네올과 같은 테르펜 또는 Dowanol^®(디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르)와 같은 고 비등 알콜 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 이 비히클은 오르가노금속성 화합물, 예를 들면, 컨택을 변성시키기 위한 알루미늄 또는 보론에 기초한 것들을 함유할 수 있다. N-Diffusol^®(헵탄에서 인 펜톡사이드를 갖는 에틸렌 글리콜 모노메틸)이 원소 인과 유사한 확산 계수를 갖는 n-타입 확산제를 함유하는 안정화된 액체 제제이다. 이들 및 다른 용매들의 다양한 조합이 각각의 적용을 위한 소정의 점도 및 휘발성 요건을 얻도록 제형화될 수 있다. 후막 페이스트 조성에 일반적으로 사용되는 다른 분산제, 계면 활성제 및 유동 개질제가 포함될 수 있다. 그러한 제품의 상업적인 예로는 하기 상표하에서 판매되는 것들을 포함한다: Texanol^®(Eastman Chemical Company, Kingsport, TN); Dowanol^®및 Carbitol^®(Dow Chemical Co., Midland, MI); Triton^®(Union Carbide Division of Dow Chemical Co., Midland, MI), Thixatrol^®(Elementis Company, Hightstown, NJ) 및 Diffusol^®(Transene Co. Inc., Danvers, MA).

일반적으로 사용되는 유기 틱소트로픽제는 수소화된 캐스터(castor) 유 및 이들의 유도체이다. 틱소트로프는 항상 필요하지는 않은데 이는 어떤 현탁액에 본래부터 있는 유막 감소(shear thinning)와 결합된 용매가 이와 관련하여 단독으로 적합할 수 있기 때문이다. 또한, 지방산 에스테르, 예를 들면, N-탈로우(tallow)-1,3-디아미노프로판 디올레이트; N-탈로우 트리메틸렌 디아민 디아세테이트; N-코코 트리메틸렌 디아민, 베타 디아민; N-올레일 트리메틸렌 디아민; N-탈로우 트리메틸렌 디아민; N-탈로우 트리메틸렌 디아민 디올레이트 및 이들의 조합과 같은 습윤제가 사용될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 Al-합금 컨택을 갖는 EWT 전지는 p-타입 실리콘 웨이퍼(10)를 포함하고, 바람직하게는 거의 전체의 전면 전지면(15) 상에 있는 n⁺ 확산층(20) 및 구멍(30)의 벽을 포함한다. EWT 전지는 대부분의 이면이 고 효율의 확산층(20)으로 커버되기 때문에 높은 전환효율을 갖는다. 알루미늄 합금은 p-타입의 실리콘 베이스와의 접촉을 허용하도록 n⁺ 확산층을 돕는 매우 도핑된 p-타입 컨택을 형성한다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 바람직하게는, 공융 온도 이상에서 실리콘과 반응한다.

본 발명의 티타늄-인 유전성 조성물을 포함하는 유전층(18)은 표면을 패시베이트화하여 SiN_X과 같은 니트라이드일 수 있는 항-반사 코팅물을 제공하도록 전면 전지면(15) 상에 배치된다. 이면 상에는 n-타입 컨택 및 그리드(50)가 배치된다. 바람직하게는 은을 포함하는, 프린트된 p-타입 컨택 및 그리드(70)는 전지 모서리로 전류를 운반하도록 알루미늄-합금 컨택을 커버한다. 이 경우에 그리드(70)는 n⁺ 확산층과 전기적으로 분리되어야 한다. 바람직하게는 이것이 유전성 패시베이션 층(80)의 사용에 의해 달성되는데 이 층은 바람직하게는 본 발명의 유전성 조성물을 포함하지만 SiN_X와 같은 니트라이드일 수 있다. p-타입 컨택(90)은 대부분의 전지가 고 효율의 n⁺pn⁺구조를 갖도록 충분히 작게 만들어질 수 있다. p-타입 컨택(90)에 의해 점유된 총 이면 표면적의 퍼센트는 바람직하게는, 30% 이하, 보다 바람직하게는 20% 이하, 그리고 가장 바람직하게는 10% 이하이다.

도 3은 본 발명의 금속/인 유전성 물질 시스템의 사용으로부터 이점을 가질 수 있는 광 전지(100)의 3차원적인, 부분 절단도를 도시한 것이다. 광 전지(100)는 p-타입 경정성 실리콘의 웨이퍼(500)를 포함한다. 웨이퍼(500)의 전면은 구조화 라인(510)으로 도시된 바와 같이 구조화 된다. 웨이퍼(500)는 본 발명의 티타늄/인 유전성 물질 시스템의 층으로 이루어진 전면 상에 제 1 패시베이션 층(150)을 갖는다. 실리콘 니트라이드도 개별적으로 또는 본 발명의 시스템에 추가로 사용될 수 있다. 광 전지(100)는 본 발명의 티타늄/인 유전성 물질 시스템 또는 실리콘 니트라이드로 이루어진 제 2 패시베이션 층(250)을 갖는데, 웨이퍼(500)와 접촉하여 위치된다. 전지(100)는 층 부분(330) 및 포인트 컨택(350)을 포함하는 제 1 전기적 컨택을 갖는다. 단지 하나의 포인트 컨택(350) 만이 명확성을 위해 도시되었다. 제 1 전기적 컨택(300)은 예를 들면, 주석, 또는 안티몬, 인 또는 이들의 조합과 합금된 주석과 같은 금속을 포함한다. 전지(100)는 제 1 전기적 컨택(300)과 제 2 전기적 컨택(450)을 전기적으로 분리하는, 본 발명의 티타늄/인 유전성 물질 시스템을 포함하는 절연층(400)을 갖는다. 제 2 전기적 컨택(450)은 층 부분(480)과 포인트 컨택(550)을 포함한다. 제 2 전기적 컨택(450)은 예를 들면, 알루미늄과 같은 금속을 포함한다. 명화성을 위하여, 단지 하나의 포인트 컨택(550) 만을 도 3에 도시하였다. 또한, 도 3에 도시된 것은 유전층(400)이 층(450)과 전기적 컨택층(300)을 어떻게 분리하여 전기적으로 절연시키는가 하는 것이다. 420에서, 절연층은 포인트 컨택(550) 둘레로 연장하므로서 제 1 컨택(350)과 포인트 컨택(550)을 전기적으로 절연시킨다. 절연층(420)의 두께는 약 100 미크론 이하, 예를 들면, 약 5-100 미크론 두께, 바람직하게는 10-90 미크론, 보다 바람직하게는 20-80 미크론, 대안적으로 5-25 미크론 또는 10-20 미크론일 수 있다. 도 3은 또한 제 2 전기적 컨택(450)에 있는 만곡부 또는 함몰부(600)를 도시하고 있다. 외관에 있어서 분화구 형태일 수 있는 그러한 함몰부는 컨택층(480)을 통해 레이저 소성하므로서 형성되어 포인트 컨택(550)을 형성한다. 그러한포인트 컨택을 형성하기 위한 레이저 소성 공정은 하기에서 보다 상세히 설명된다. 또한, 도 3은 제 1 전기적 컨택층(300)이 노출되어 그러한 전기적 컨택에 전기적 연결부가 만들어지도록 전지(100)의 모서리를 따라 있는 영역(650)을 도시하고 있다. 그러한 전기적 연결부는 층(300)에 용접되거나 또는 다른 방법으로 전기적으로 연결된 버스 바(bus bar)의 형태일 수 있다.

포인트 컨택은 도 3의 구조를 형성하기 위한 적절한 수단에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 이들은 먼저 포인트 컨택이 통과하는 층 또는 층들로 소정 직경의 개구 또는 구멍을 형성하고, 그러한 구멍 또는 개구를 금속과 같은 접촉 물질을 채우므로서 형성될 수 있다. 그러한 그멍 또는 개구는 포인트 컨택의 직경 또는 폭과 일치하는, 약 5-100 미크론의 직경 또는 폭을 가질 수 있다. 구멍 또는 개구는 기계적 드릴링 또는 포토리소그래픽 마스킹(photolithographic masking) 및 에칭 공정의 사용, 또는 포인트 컨택이 통과하는 하나 이상의 층을 제거하기에 충분한 레이저 빔 밀도를 갖는 엑시머 레이저 또는 Nd-YAG 레이저와 같은 레이저를 사용하는 물질의 제거와 같은 적절한 방법을 사용하여 만들어질 수 있다. 구멍 또는 개구를 형성하기 위하여 레이저 사용될 때 레이저가 웨이퍼 표면을 손상시킬 경우에는, 웨이퍼의 레이저 손상 영역을 제거 또는 복구하고 남아있는 결함들을 패시베이션화 시키기 위하여 웨이퍼가 수소 플라즈마 또는 원자 수소로 처리될 수 있다. 포인트 컨택이 패시베이션 층, 예를 들면, 본 발명의 티타늄/인 유전성 물질 시스템에 있는 구멍 또는 개구가 컨택 물질로 채워지는 방법에 의해 형성될 때는 포인트 컨택이 웨이퍼를 만나는 곳에 인접하게 매우 도핑된 영역 또는 층이 형성되도록 빠른 열 어닐링 공정을 사용하는 것이 바람직하다.

이러한 이미터 또는 오믹(ohmic) 컨택 영역 또는 층은 포인트 컨택을 형성하는 성분에 의해 도핑된 웨이퍼의 영역 또는 층이다. 예를 들면, 포인트 컨택이 알루미늄을 포함할 때, n-타입 웨이퍼에 있는 이미터 영역은 알루미늄으로 도핑된다. p-타입 도핑의 양 및 도핑된 층 또는 영역의 깊이는 주로 열 처리의 시간 및 온도에 의해 조절된다. 빠른 열 어닐링에 의한 그러한 이미터 및 베이스 영역의 형성은 예를 들면, 소정의 컨택 영역을 형성하기에 충분한 시간 동안 그리고 고온으로 컨택층을 가열하므로서 달성될 수 있다. 예를 들면, 컨택층은 약 5초-약 2분, 또는 약 10-90초동안 약 700-1100℃, 또는 약 800-1000℃ 범위내의 설정온도에서 로, 오븐, 또는 다른 가열장치에서 가열될 수 있다. 알루미늄의 경우에는, 예를 들면, 약 900℃에서 약 1분이면 충분하다. 본 발명의 광 전지를 위한 포인트 컨택 및 상응하는 이미터 및 오믹 영역을 형성하기 위한 또 다른, 바람직한 방법은 예를 들면, 레이저를 사용하는 소성 공정을 사용하는 것이다. 레이저 소성 공정에서는 금속의 층과 같은 컨택용으로 사용된 물질의 표면이 레이저 빔을 사용하여 가열된다. 금속과 같은 가열된 물질은 하부층을 통해 웨이퍼로 용융한다. 고온의 금속 또는 다른 물질은 웨이퍼와 접촉할 때, 상기한 바와 같이 이미터 또는 오믹 컨택 영역을 형성한다. 레이저 소성 공정은 예를 들면, 약 10-100 나노초의 펄스 시간으로 큐-스위치(Q-switched), Nd-YAG 레이저를 사용하여 수행될 수 있다. 레이저 사용 이외에, 포인트 컨택을 형성하기 위한 그러한 소성 공정은 컨택 물질을 가열하여 소성된 컨택을 형성하도록 예를 들면, 전자 또는 이온 빔 충격(bombardment)를 사용하여 수행될 수 있다.

순수한 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금의 사용이 바람직하지만 , 자기- 도핑 p-타입 금속화를 포함하는 다양한 합금 또는 순수한 금속이 대안적으로 사용될 수 있다. 알루미늄은 제한되지는 않지만 보론, 팔라듐, 백금, 금, 갈륨, 인듐, 아연, 주석, 안티몬, 마그네슘, 티타늄, 포타슘, 바나듐, 니켈, 구리 및 이들의 조합을 포함하는 하나 이상의 다른 p-타입 도판트로 임의적으로 도핑되어 보다 강하게 도핑된 접합부를 제공한다. 컨택 물질은 바람직하게는 p-타입 베이스에 전기적 컨택을 만들기 위하여 n⁺ 확산에 대하여 보상할 수 있다. 이것은 바람직하게는 n⁺ 에서 p⁺ (Al-합금 Si) 접합부에서의 션트 전류를 방지하기 위하여 이면상에 상대적으로 가벼운 n⁺ 확산(>80 ohms/sq)을 요구한다. 그러나, 가벼운 n⁺ 확산은 접촉하기 더 어렵다. 인 도판트를 함유하고, 은-실리콘 공융 온도 이상의 온도에서 소성되도록 설계된, 자기-도핑 Ag-페이스트 컨택이 임의적으로 가볍게 도핑된 n⁺ 확산을 접촉하는데 사용될 수 있다. 자기-도핑 컨택은 여기에 참고로 도입된 미국 특허 출원 제 2005/0172998호에 기술되어 있다. 자기-도핑 컨택은 컨택 아래에 도핑된 접합부를 생성하는데 이것은 컨택 저항성을 감소시키고 재조합 손실을 감소시킨다. 전면 상의 보다 더 가볍게 도핑된 n⁺ 확산도 감소된 캐리어 손실의 이점을 갖는다. 특정 경우의 EWT 전지에서, n-타입 종은 추가적으로 구멍 또는 바이어에서 전자 캐리어의 유도를 용이하게하는 작용을 한다. 대안적으로, 매우 그리고 가볍게 인 도핑된 실리콘이 이면 상에 형성되는데, 매우 도핑된 n⁺⁺ 영역은 n-타입 컨택이 위치되는 곳에서 발생하고, 가볍게 도핑된 n⁺⁺ 영역은 알루미늄 합금 컨택이 위치되는 곳에서 발생한다.

알루미늄 합금은 태양 전지의 이면 상의 유전층을 통해 합금(즉, 이를 통해 소성)될 수 있다. 알루미늄은 다양한 산화물을 통해 소성될 수 있다. 유리 프리트는 유전층을 통해 소성하는 것이 용이하도록 Al 페이스트에 첨가될 수 있지만, 그러한 것이 필요하지는 않다. 대안적으로, 유전층은 Al이 유전층을 통해 합금하는 것이 어려울 경우 알루미늄-합금 컨택에 대한 영역에서 제거될 수 있다. 예를 들면, 레이저가 실리콘 표면을 노출시키도록 유전층에서 구멍(바람직하게는, 50 미크론 이하의 직경)을 형성하는데 사용될 수 있다. 기계적 스크라이빙 또는 에칭(일반적으로, 저항 패턴의 스크린 프린팅, 유전층의 습윤 또는 건성 에칭 및 저항 제거를 포함하는)과 같은, 유전층을 제거하기 위한 다른 방법도 대안적으로 사용될 수 있다.

실시예

본 발명의 유전 조성물은 하기 방법으로 제조될 수 있다. 제조 과정의 대부분 양태는 중요하지 않다. 그러나, 믹서, 콘테이너, 패들, 스푼, 교반 바, 주걱, 등의 어떤 것이든지 간에 어떤 종류의 금속 기구와 시제 및 반응 생성물의 모든 접촉을 피하는 것이 중요하다.

실시예 1

하나의 실험 과정에서, 진공 여과 컵을 이용하여 Lubrhophos®LK 500을 여과하고, 추후 사용 및 저장을 위하여 플리스틱 또는 다른 비-금속성 콘테이너에 부었다. Rhodia, Inc.로부터 입수가능한 Lubrhophos®LK 500은 적어도 98 wt%의 폴리옥시에틸렌 헥실 에테르 포스페이트를 포함한다. 별도로, 티타늄 에톡사이드 및 알파 터피네올을 플라스틱 또는 다른 비 금속성 콘테이너에서 61/39의 중량비로 블렌딩했다. 콘테이너를 손으로 10-20초 동안 흔들어서 티타늄-프리믹스(premix)를형성했다.

깨끗한 5-갤론 플라스틱 들통에 표 1의 성분을 단계 A에서 첨가했다.

단계 A 혼합물 - 티타늄 인 블렌드

성분 (Ti-P 블렌드)	중량 퍼센트
터피네올 믹스	67.50
Dowanol DB	15.81
Triton X-100	1.22
티타늄 프리믹스	5.74
여과된 Lubrhophos	1.01

단계 A 혼합물 성분을 용액이 일정하게 노란색이 될때 까지 적어도 1분 동안 비금속 패들로 완전히 혼합했다. 이 들통에 커버를 씌웠다.

단계 B에서, 표 2의 성분들을 단계 A와 B(표 1과 2)의 총 양이 총 100 중량 퍼센트가 되도록 하기와 같이 측정했다.

단계 B 혼합물 - 비히클 블렌드

성분 (비히클 블렌드)	중량 퍼센트
에틸 셀룰로오즈 표준 200	7.50
Thixatrol ST	1.22

275g 뱃치를 형성하기 위하여, 성분들의 하기 중량(표 3에 있는)을 표 1 및 표 2에서의 wt%와 상응하게 마제르스타 단지(Mazerustar jars)에서 칭량했다.

Ti-P 유전층의 275 그램 뱃치를 형성하기 위한 성분들의 중량

성분	중량 (그램)
에틸 셀룰로오즈 표준 200	20.62
비히클 블렌드	3.36
단계 A 혼합물	251.02

275 그램 유전성 뱃치에서 전체 티타늄 함량은 0.73 중량 퍼센트이다.

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마제르스타 단지의 내용물을 손으로 흔들어서 응집물을 파괴했다. 두개의 ㄷ단지(jars)를 마제르스타 믹서에 위치시켰다. Mazerustar 는 일본 오사카에 소재하는 Kurabo Industries, Ltd.의 상표이다. 이 단지는 한 사이클 동안 채널 6으로 혼합된다.

채널 6 세팅은 표 4에 제시되었다.

단계	주기	회전	카운트	시간 (초)
1	9	9	99	990
2	9	9	81	810
3	8	0	15	150
			총	1950 (= 32.5 분)

탈기(DeAiring). 4-8 킬로그램의 뱃치는 70-90분 동안 탈기되어야 하지만 1-4 킬로그램의 뱃치에 있어서는 40-60분의 탈기로 충분하다. 탈기 후에, 들통은 빠르게 커버되고, 테이프로 밀봉되어 테스트 전에 밤새 안정화되도록 하여야 한다. 결과적인 페이스트는 500-700 poise의 점도(2.5 RPM에서 CP51 cone를 사용하는 Brookfield 2XHBTCP를 사용하여 측정했을 때), 바람직하게는 약 550-650 poise, 보다 바람직하게는 약 600 poise의 점도를 갖는다. 페이스트는 약 1-2 wt%, 바람직하게는 약 1.25-1.65 wt%, 보다 바람직하게는 약 1.5 wt%의 고형물 수준을 갖는다.

실시예 2

실시예 1과 유사한 과정으로 진공 여과 컵을 이용하여 Lubrhophos®LK 500을 여과하고, 추후 사용 및 저장을 위하여 플리스틱 또는 다른 비-금속성 콘테이너에 부었다. Rhodia, Inc.로부터 입수가능한 Lubrhophos®LK 500은 적어도 98 wt%의 폴리옥시에틸렌 헥실 에테르 포스페이트를 포함한다. 별도로, 탄탈 에톡사이드 및 알파 터피네올을 플라스틱 또는 다른 비 금속성 콘테이너에서 (2:1) 중량비(67%/33%)로 블렌딩했다. 콘테이너를 손으로 10-20초 동안 흔들어서 탄탈-프리믹스를형성했다.

깨끗한 5-갤론 플라스틱 들통에 표 5의 성분을 단계 A에서 첨가했다.

단계 A 혼합물 - 탄탈 인 블렌드

성분 (Ta-P 블렌드)	중량 퍼센트
터피네올 믹스	67.00
Dowanol DB	16.31
Triton X-100	1.22
탄탈 프리믹스	5.25
여과된 Lubrhophos	1.50

단계 A 혼합물 성분을 용액이 잘 혼합되어 균질화될 때 까지 적어도 1분 동안 비금속 패들로 완전히 혼합했다. 이 들통에 커버를 씌웠다.

단계 B에서, 표 6의 성분들을 단계 A와 B(표 5과 6)의 총 양이 총 100 중량 퍼센트가 되도록 하기와 같이 측정했다.

단계 B 혼합물 - 비히클 블렌드

275g 뱃치를 형성하기 위하여, 성분들의 하기 중량(표 7에 있는)을 표 1 및 표 2에서의 wt%와 상응하게 Mazerustar 단지에서 칭량했다.

Ta-P 유전층의 275 그램 뱃치를 형성하기 위한 성분들의 중량

275 그램 유전성 뱃치에서 전체 탄탈 함량은 1.56 중량 퍼센트이다.

실시예 1의 남은 과정들(탈기, 등)을 실시예 2에서 반복했다.

추가적인 이점 및 변형은 본 기술에서 숙련된 자들에게 쉽게 발생할 것이다. 따라서, 넓은 의미에서 본 발명은 여기에 도시되고 기술된 상세한 설명 및 실시예에 제한되지 않는다. 따라서, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 일반적인 본 발명 개념의 정신 또는 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형이 이루어질 수 있다.

Claims

티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속과 인을 포함하며, 상기 금속의 함량이 약 0.1-10 wt% 이고, 상기 인은 에스테르로서 제공되는 것을 특징으로 하는 프린트가능한 유전성 코팅 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 상기 물질 시스템은 바륨이 없는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 금속이 오르가노금속성 화합물, 금속의 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 3항에 있어서, 금속이 오르가노금속성 화합물의 형태로 제공되는데, 오르가노금속성 화합물이 금속 에톡사이드, 금속 2-에틸헥속사이드, 금속 이소부톡사이드, 금속 이소프로폭사이드, 금속 메톡사이드, 금속 n-부톡사이드, 금속 n-프로폭사이드 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
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제 1항에 있어서, 금속이 물질 시스템의 약 0.2-5 wt%의 범위로 존재하는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 인이 액체 용액 또는 분산의 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 용매, 비히클, 분산제, 확산제 및 습윤제 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
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제 1항에 있어서, 인이 알콕실화 알콜 또는 알콕실화 페놀의 포스페이트 에스테르, 또는 이들의 조합으로 제공되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 인이 알콕사이드 기 또는 에톡사이드 기의 포스페이트 에스테르로서 제공되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 에스테르가 알콕실화 포스페이트 에스테르인 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 1항에 있어서, 에스테르가 에톡실화 포스페이트 에스테르인 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 17항에 있어서, 알콕실화 알콜 또는 알콕실화 페놀이 알콕실화 올레일 알콜, 알콕실화 페놀, 알콕실화 디노닐페놀, 알콕실화 디데실페놀 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
제 17항에 있어서, 알콕실화 알콜 또는 알콕실화 페놀이 에톡실화 올레일 알콜, 에톡실화 페놀, 에톡실화 디노닐페놀, 에톡실화 디데실페놀 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 에톡실화 알콜 또는 에톡실화 페놀인 것을 특징으로 하는 물질 시스템.
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실리콘 기판의 동일측 상에 배치된 n-전도성 트레이스 및 p-전도성 트레이스를 포함하고, 유전층은 n-전도성 트레이스와 p-전도성 트레이스를 전기적으로 분리하며, 상기 유전층은 인과 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
제 30항에 있어서, p-타입 컨택에 의해 점유된 총 이면 표면적의 퍼센트가 약 30% 이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
태양 전지에 사용하기 위한 유전성 조성물을 제조하기 위한 방법에 있어서,
a. 액체 인-함유 조성물을 제공하고,
b. 오르가노금속성 화합물을 분산제와 접촉시켜 오르가노금속성 화합물을 전체적으로 습윤시키며,
c. 인-함유 화합물을 티타늄, 탄탈 및 니오브로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속을 포함하는 오르가노금속성 화합물 및 비히클, 계면활성제, 확산제 및 용매 중 적어도 하나와 조합 및 혼합하여 유전성 페이스트 혼합물을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 32항에 있어서, 액체 인-함유 화합물이 여과되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 32항에 있어서, 단계 (c)에서, 유리 프리트가 인-함유 화합물 및 오르가노금속성 화합물과 더 조합 및 혼합되는 것을 특징으로 하는 방법.
제 32항에 있어서, 금속 기구가 조성물, 화합물, 분산제, 비히클, 계면활성제, 용매 또는 페이스트와 어느 시점에서도 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
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