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WO2024172044A1 - 基板積層体の製造方法、積層体、及び基板積層体 - Google Patents

基板積層体の製造方法、積層体、及び基板積層体 Download PDF

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WO2024172044A1
WO2024172044A1 PCT/JP2024/004891 JP2024004891W WO2024172044A1 WO 2024172044 A1 WO2024172044 A1 WO 2024172044A1 JP 2024004891 W JP2024004891 W JP 2024004891W WO 2024172044 A1 WO2024172044 A1 WO 2024172044A1
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WO
WIPO (PCT)
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laminate
substrate
containing layer
layer
atomic
Prior art date
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Application number
PCT/JP2024/004891
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English (en)
French (fr)
Inventor
航 岡太
靖剛 茅場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
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Priority to CN202480012159.7A priority patent/CN120731487A/zh
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a substrate laminate, a laminate, and a substrate laminate.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a semiconductor device, which includes the steps of forming a wiring layer on the surface side of a first semiconductor wafer, forming a filling film to fill in a step on the wiring layer formed at the boundary between a peripheral region of the first semiconductor wafer and an inner region located more inward than the peripheral region, the step being formed by forming the surface of the wiring layer in the peripheral region lower than the surface of the wiring layer in the inner region, thereby making the surfaces of the wiring layer in the peripheral region and the inner region approximately flush with each other, and bonding the surface of the wiring layer formed on the first semiconductor wafer face-to-face with a desired surface of a second semiconductor wafer.
  • Patent document 1 JP 2012-174937 A
  • a technique is required for bonding the substrates together at a low temperature (for example, 140° C. or lower; the same applies below). If substrates could be bonded together at low temperatures, it is expected that the process speed for producing a substrate stack will be improved. For example, if it were possible to permanently bond substrates together at low temperatures, the temperature rise and fall times could be reduced, significantly improving the process speed. Furthermore, even in cases where substrates are temporarily bonded together at low temperatures and then permanently bonded together by heating, if the strength of the temporary bond is improved at low temperatures, it is expected that the total thermal damage inflicted on the substrate stack can be reduced.
  • a low temperature for example, 140° C. or lower; the same applies below.
  • the concept of "joining substrates together” also includes joining a laminate including a substrate and a layer to another laminate including a substrate and a layer.
  • An object of one aspect of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a substrate laminate that can improve the bonding strength when substrates are bonded at low temperatures (e.g., 140° C. or lower), a laminate that is suitable as one raw material in the method for manufacturing the substrate laminate, and a substrate laminate having excellent bonding strength between substrates.
  • a method for manufacturing a substrate laminate comprising: ⁇ 2> The method for producing a substrate laminate according to ⁇ 1>, wherein the organic substance-containing layer contains Si.
  • ⁇ 3> The method for producing a substrate laminate according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein, after the step B and before the step C, when the Si content in atomic % is measured at seven points in the organic-substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is maximum.
  • ⁇ 4> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein, after the step B and before the step C, when the Si content in atomic % is measured at a total of seven points in the organic-substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is the maximum, and a value obtained by subtracting the minimum value among the measured values at the six points from the measured value at the surface is 3 atomic % to 50 atomic %.
  • ⁇ 5> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein, after the step B and before the step C, when the O content in atomic % is measured at seven points in the organic-substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is maximum.
  • ⁇ 6> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein, after the step B and before the step C, when the O content in atomic % is measured at seven points in the organic-substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is the maximum, and a value obtained by subtracting the minimum value among the measured values at the six points from the measured value at the surface is 3 atomic % to 70 atomic %.
  • ⁇ 7> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the surface of the organic substance-containing layer after the step B and before the step C has a surface roughness Ra defined in JIS B 0601:1982 of 5 nm or less.
  • ⁇ 8> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein, when a content of Si in atomic % is measured at a surface at a depth of 0 nm in the organic substance-containing layer after the step B and before the step C, the measured value at the surface is 5 atomic % to 70 atomic %.
  • ⁇ 9> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein, when a content of O in atomic % is measured at a surface at a depth of 0 nm in the organic substance-containing layer after the step B and before the step C, the measured value at the surface is 10 atomic % to 80 atomic %.
  • a composite elastic modulus of the organic substance-containing layer after the step B and before the step C is 1 GPa to 20 GPa.
  • ⁇ 11> The method for manufacturing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, wherein a bonding strength between the first laminate and the second laminate in the substrate laminate is 0.2 J/ m2 or more.
  • the second bonding layer includes an inorganic material layer, and a surface of the inorganic material layer is exposed,
  • the step C includes bonding the surface of the organic substance-containing layer of the first laminate to the surface of the inorganic material layer of the second substrate.
  • ⁇ 1> ⁇ 2> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>.
  • ⁇ 13> The method for manufacturing a substrate stack according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>, wherein the first substrate and the second substrate have different thermal expansion coefficients.
  • ⁇ 14> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>, wherein the surface of the organic substance-containing layer after the step B and before the step C contains a silanol group.
  • ⁇ 15> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>, wherein the organic substance-containing layer contains at least one bond selected from the group consisting of a siloxane bond, an amide bond, and an imide bond.
  • ⁇ 16> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, wherein the surface activation treatment is at least one selected from the group consisting of a plasma treatment, fast atom beam irradiation, and an ozone treatment.
  • the plasma treatment is at least one selected from the group consisting of an oxygen plasma treatment and a nitrogen plasma treatment.
  • a temperature of a joining surface between the first laminate and the second laminate is 140° C. or less.
  • the first bonding layer further includes a first electrode, and a surface of the first electrode and a surface of the organic substance-containing layer are exposed.
  • the first bonding layer further includes a first electrode, and a surface of the first electrode and a surface of the organic substance-containing layer are exposed
  • the second bonding layer includes a second electrode and an insulating layer, and a surface of the second electrode and a surface of the insulating layer are exposed in the second laminate
  • the substrate laminate obtained in the step C is a first laminated region in which the first substrate, the organic substance-containing layer, the insulating layer, and the second substrate are arranged in this order; a second stacked region in which the first substrate, the first electrode, the second electrode, and the second substrate are arranged in this order; Including, ⁇ 19> A method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 19>.
  • ⁇ 21> The method for producing a substrate laminate according to ⁇ 20>, wherein, in the substrate laminate obtained in the step C, the first laminated region is present in two or more in a stacking direction, and the second laminated region is present in two or more in a stacking direction.
  • ⁇ 22> The method for producing a substrate laminate according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 21>, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is a semiconductor substrate containing at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Ti, Zr, Hf, Fe, Ni, Cu, Ag, Au, Ga, Ge, Sn, Pd, As, Pt, Mg, In, Ta, and Nb.
  • a semiconductor device comprising a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer including an organic substance-containing layer, and a surface of the organic substance-containing layer being exposed, when the Si content in atomic % is measured at seven points in the organic substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is the maximum; Laminate.
  • ⁇ 24> The laminate according to ⁇ 23>, wherein when the Si content in atomic % is measured at a total of seven points in the organic substance-containing layer, including the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is the maximum, and a value obtained by subtracting the minimum value among the measured values at the six points from the measured value at the surface is 3 atomic % to 50 atomic %.
  • ⁇ 25> The laminate according to ⁇ 23> or ⁇ 24>, wherein when the O content in atomic % is measured at seven points in the organic substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, the measured value at the surface is the maximum.
  • the measured value at the surface is the maximum, and the value obtained by subtracting the minimum value among the measured values at the six points from the measured value at the surface is 3 atomic % to 70 atomic %.
  • ⁇ 27> The laminate according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 26>, wherein the organic substance-containing layer has a composite elastic modulus of 1 GPa to 20 GPa.
  • ⁇ 28> The laminate according to any one of ⁇ 23> to ⁇ 27>, wherein the organic substance-containing layer contains at least one bond selected from the group consisting of a siloxane bond, an amide bond, and an imide bond.
  • the first bonding layer further includes a first electrode
  • the second bonding layer includes a second electrode and an insulating layer; the organic substance-containing layer and the insulating layer are bonded to each other, and the first electrode and the second electrode are bonded to each other;
  • a method for manufacturing a substrate laminate that can improve the bonding strength when substrates are bonded together at low temperatures (e.g., 140°C or less), a laminate suitable as one raw material in the method for manufacturing the substrate laminate, and a substrate laminate having excellent bonding strength between substrates.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of step A in a preferred example of the manufacturing method of the present disclosure.
  • 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate laminate obtained in step C in a preferred example of the manufacturing method of the present disclosure.
  • a numerical range expressed using “to” means a range that includes the numerical values before and after "to” as the lower and upper limits.
  • the upper or lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper or lower limit value of another numerical range described in stages.
  • the upper or lower limit value of the numerical range may be replaced with a value shown in the examples.
  • the method for producing a substrate laminate according to the present disclosure includes: A step A of preparing a first laminate including a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer including an organic substance-containing layer, and an exposed surface of the organic substance-containing layer, and a step B of preparing a second laminate including a second substrate and a second bonding layer; A step B of performing a surface activation treatment on the surface of the organic substance-containing layer in the first laminate; A step C of bonding the first laminate having been subjected to the step B and the second laminate in a direction in which the organic substance-containing layer of the first laminate and the second bonding layer of the second substrate are in contact with each other to obtain a substrate laminate; Includes.
  • the manufacturing method of the present disclosure may include other steps as necessary.
  • bonding strength at low temperature when substrates (i.e., a first laminate and a second laminate) are bonded together at a low temperature (e.g., 140°C or lower). This effect is believed to be due to the surface activation treatment performed on the surface of the organic substance-containing layer, which is the bonding interface between the first laminate and the second laminate.
  • bonding strength at low temperatures e.g., 140°C or less
  • bonding strength at room temperature 25°C
  • the bonding strength between the first laminate and the second laminate in the substrate laminate is, for example, 0.2 J/m 2 or more, preferably 1.0 J/m 2 or more, and more preferably 2.0 J/m 2 or more.
  • Step A is A first laminate including a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer including an organic substance-containing layer, and an exposed surface of the organic substance-containing layer is prepared; and A step of preparing a second laminate including a second substrate and a second bonding layer.
  • Step A may be a step of producing a first laminate, or may be a step of simply preparing a first laminate that has already been produced.
  • step A may be a step of producing a second laminate, or may be a step of simply preparing a second laminate that has already been produced.
  • the first laminate includes a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer includes an organic substance-containing layer, and the surface of the organic substance-containing layer is exposed.
  • the material of the first substrate is not particularly limited, and may be any material that is commonly used.
  • the first substrate preferably contains at least one element selected from the group consisting of Si, Al, Ti, Zr, Hf, Fe, Ni, Cu, Ag, Au, Ga, Ge, Sn, Pd, As, Pt, Mg, In, Ta and Nb, and is preferably a semiconductor substrate containing at least one element selected from the group consisting of Si, Ga, Ge and As.
  • the material of the first substrate include: Semiconductors such as Si, InP, GaN, GaAs, InGaAs, InGaAlAs, SiGe, SiC, etc.; oxides, carbides, or nitrides such as borosilicate glass (Pyrex (registered trademark)), quartz glass (SiO 2 ), sapphire (Al 2 O 3 ), ZrO 2 , Si 3 N 4 , AlN, MgAl 2 O 4 , etc.; Piezoelectric or dielectric materials such as BaTiO3 , LiNbO3 , SrTiO3 , LiTaO3 , gadolinium gallium garnet ( Gd3Ga5O12 ), etc .; diamond; Metals such as Al, Ti, Fe, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ta, and Nb; carbon; Resins such as polydimethylsiloxane (PDMS), epoxy resins, phenolic resins, poly(ethylene
  • the main applications of the first substrate including each material include the following.
  • Si is used in semiconductor memories, LSIs, CMOS image sensors, MEMS, optical devices, LEDs, etc.
  • SiO2 is used in MEMS sealing, microchannels, interposers for 2.5D mounting, displays, etc.
  • BaTiO3 , LiNbO3 , SrTiO3 , LiTaO3 , and Gd3Ga5O12 are used in surface acoustic wave devices and the like .
  • PDMS is used for microchannels and the like.
  • InGaAlAs, InGaAs, and InP are used in optical devices and the like.
  • InGaAlAs, GaAs, and GaN are used in LEDs and the like.
  • the first bonding layer includes an organic-containing layer.
  • the surface of the organic substance-containing layer is exposed. The surface of this organic substance-containing layer becomes the bonding surface with the second laminate.
  • the organic substance-containing layer contains at least one organic substance.
  • the organic substance-containing layer may contain an inorganic substance such as an inorganic filler.
  • the organic matter contained in the organic matter-containing layer is preferably a resin.
  • the resin include polyimide, BCB, polymaleimide, siloxane imide, epoxy modified siloxane, and polybenzoxazole.
  • examples of the resin include a cured product of composition A described below and a cured product of composition B described below.
  • the organic substance-containing layer preferably contains Si. This further improves the bonding strength at low temperatures.
  • the surface of the organic-containing layer after step B and before step C preferably contains silanol groups. This further improves the bonding strength at low temperatures.
  • the organic substance-containing layer preferably contains at least one bond selected from the group consisting of a siloxane bond, an amide bond, and an imide bond, which further improves the bonding strength at low temperatures.
  • An organic substance-containing layer having at least one bond selected from the group consisting of a siloxane bond, an amide bond, and an imide bond can be formed using, for example, composition A described below or composition B described below.
  • the content of Si in atomic % is measured at a total of seven points in the organic-containing layer, including the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, after the step B and before the step C, it is preferable that the measured value at the surface is the maximum.
  • the value obtained by subtracting the minimum value of the measured values at the six points from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 50 atomic %, more preferably 5 atomic % to 30 atomic %, even more preferably 10 atomic % to 25 atomic %, and even more preferably 10 atomic % to 18 atomic %.
  • the presence of a high Si content on the surface of the organic-substance-containing layer improves the bonding strength at low temperatures, and that the Si content inside the organic-substance-containing layer is lower than the Si content on the surface of the organic-substance-containing layer, thereby increasing the flexibility of the organic-substance-containing layer and making voids less likely to occur.
  • a depth of 1 nm or the like means the depth from the surface of the organic-containing layer (i.e., the bonding surface with the second laminate).
  • the measured value of the Si content in the above-mentioned atomic percentages on the surface is preferably 5 atomic % to 70 atomic %, more preferably 10 atomic % to 50 atomic %, and even more preferably 15 atomic % to 35 atomic %, from the viewpoint of further improving the bonding strength at low temperatures.
  • the measured value at the surface is preferably larger than the measured value at the depth of 7 nm.
  • the value obtained by subtracting the measured value at the depth of 7 nm from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 50 atomic %, more preferably 15 atomic % to 25 atomic %.
  • the presence of a high Si content on the surface of the organic-substance-containing layer improves the bonding strength at low temperatures, and that the Si content inside the organic-substance-containing layer is lower than the Si content on the surface of the organic-substance-containing layer, thereby increasing the flexibility of the organic-substance-containing layer and making voids less likely to occur.
  • the manufacturing method of the present disclosure preferably, after step B and before step C, measures the O (oxygen) content in atomic % at seven points in the organic-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm, such that the measured value at the surface is the maximum.
  • the value obtained by subtracting the minimum value of the measured values at the six points from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 70 atomic %, and more preferably 35 atomic % to 50 atomic %.
  • the measured value of the O content in the above-mentioned atomic percentages on the surface is preferably 10 atomic % to 80 atomic %, more preferably 30 atomic % to 70 atomic %, and even more preferably 50 atomic % to 70 atomic %, from the viewpoint of further improving the bonding strength at low temperatures.
  • the measured value at the surface is greater than the measured value at the position at a depth of 7 nm.
  • the value obtained by subtracting the measured value at the position at a depth of 7 nm from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 70 atomic %, and more preferably 35 atomic % to 50 atomic %.
  • the surface of the organic-substance-containing layer after step B and before step C has a surface roughness Ra defined in JIS B 0601:1982 of preferably 5 nm or less, more preferably 3 nm or less, and even more preferably 2 nm or less.
  • a surface roughness Ra defined in JIS B 0601:1982 of preferably 5 nm or less, more preferably 3 nm or less, and even more preferably 2 nm or less.
  • the surface roughness Ra is, for example, 0.01 nm.
  • the composite elastic modulus of the organic-containing layer after step B and before step C is not particularly limited, but is, for example, 1 GPa to 20 GPa, preferably 2 GPa to 15 GPa, and more preferably 3 GPa to 10 GPa.
  • the first bonding layer further includes a first electrode, and a surface of the first electrode and a surface of the organic substance-containing layer are exposed.
  • the first electrode may be an electrode containing Cu, gold, tin, or the like.
  • the first electrode may be an electrode that penetrates the organic-containing layer.
  • the first laminate may include, in addition to the first electrode, a substrate through-electrode that penetrates the first substrate.
  • the second laminate includes a second substrate and a second bonding layer.
  • the second substrate may be the same as the first substrate.
  • the material of the second substrate may be the same as or different from the material of the first substrate.
  • the coefficient of thermal expansion (CTE) of the first substrate and the coefficient of thermal expansion (CTE) of the second substrate may be different.
  • substrate laminates in which two substrates with different CTEs are bonded together tend to warp and crack.
  • the substrates can be bonded together at low temperatures (e.g., 140°C or lower), so that warping or cracking of the substrate stack can be suppressed even when the coefficient of thermal expansion (CTE) of the first substrate and the coefficient of thermal expansion (CTE) of the second substrate are different.
  • the second bonding layer in the second laminate may include an insulating layer.
  • the insulating layer is preferably at least one of an inorganic material layer and an organic substance-containing layer.
  • An example of an organic substance-containing layer that can be included in the second bonding layer is the same as the organic substance-containing layer included in the first laminate.
  • Examples of inorganic material layers that can be included in the second bonding layer include a SiO2 layer, a SiCN layer, a SiN layer, etc. These inorganic material layers can be formed by, for example, a known vapor phase method.
  • the second bonding layer in the second laminate includes an inorganic material layer has the advantage that the internal stress when the base laminate is formed can be further reduced, thereby further suppressing warping and/or cracking of the substrate.
  • the aspect in which the second bonding layer in the second laminate prepared in step A includes an inorganic material layer can further reduce internal stress when the substrate laminate is formed, and therefore, when the first electrode and the second electrode are bonded as described below, the bonding stability of the first electrode and the second electrode is also excellent.
  • the second bonding layer in the second laminate prepared in step A includes an inorganic material layer, it is preferable that the inorganic material layer is exposed (i.e., serves as a bonding surface with the organic-containing layer in the first laminate).
  • the second laminate may include an inorganic material layer as the second bonding layer, which is the outermost layer, and an organic substance-containing layer below the inorganic material layer (i.e., closer to the second substrate). That is, the second laminate may have a laminate structure of inorganic material layer (second bonding layer)/organic substance-containing layer/second substrate.
  • the embodiment in which the second bonding layer in the second laminate prepared in step A includes an organic substance-containing layer has the advantage that bonding defects caused when a foreign substance is present in the bonding portion can be suppressed.
  • the second laminate may include an organic substance-containing layer as the second bonding layer, which is the outermost layer, and an inorganic material layer below the organic substance-containing layer (i.e., closer to the second substrate). That is, the second laminate may have a laminate structure of organic substance-containing layer (second bonding layer)/inorganic material layer/second substrate.
  • the second bonding layer includes a second electrode and an insulating layer, and that a surface of the second electrode and a surface of the insulating layer are exposed in the second laminate.
  • the first laminate and the second laminate can be hybrid-bonded. Hybrid junctions will be described later.
  • the manufacturing method according to the present disclosure includes a step B of performing a surface activation treatment on the surface of the organic substance-containing layer in the first laminate.
  • the surface activation treatment in step B is preferably at least one selected from the group consisting of plasma treatment, fast atom beam irradiation, and ozone treatment. This further improves the bonding strength at low temperatures.
  • the plasma treatment is at least one selected from the group consisting of oxygen plasma treatment and nitrogen plasma treatment.
  • the gas flow rate of the oxygen gas or nitrogen gas is preferably 5 sccm to 200 sccm, more preferably 10 sccm to 100 sccm, and even more preferably 10 sccm to 60 sccm.
  • the treatment pressure is preferably 10 Pa to 100 Pa, more preferably 20 Pa to 80 Pa.
  • the RF power is preferably 10W to 200W, more preferably 20W to 150W.
  • the processing time is preferably 10 to 200 seconds, more preferably 20 to 100 seconds.
  • Step B may include performing a surface activation treatment on the surface of the organic substance-containing layer of the first laminate, followed by washing with water. This further improves the bonding strength at low temperatures.
  • Step C is a step of bonding the first laminate that has undergone step B and the second laminate in an orientation in which the organic-containing layer in the first laminate and the second bonding layer in the second substrate are in contact with each other to obtain a substrate laminate.
  • step C the temperature of the bonding surface between the first laminate and the second laminate is, for example, 140°C or lower.
  • a preferred embodiment of the manufacturing method of the present disclosure includes: In the first laminate prepared in the step A, the first bonding layer further includes a first electrode, and a surface of the first electrode and a surface of the organic substance-containing layer are exposed, In the second laminate prepared in step A, the second bonding layer includes a second electrode and an insulating layer, and a surface of the second electrode and a surface of the insulating layer are exposed in the second laminate.
  • the first laminate and the second laminate can be hybrid-bonded. Hybrid junctions are advantageous in that they allow for narrower wiring pitches.
  • hybrid bonding refers to a type of bonding in which electrodes are bonded to each other and insulating layers are bonded to each other by contacting two exposed surfaces of an electrode and an insulating layer.
  • the first electrode in the first bonding layer and the second electrode in the second bonding layer are bonded, and the organic-containing layer in the first bonding layer and the insulating layer in the second bonding layer are bonded.
  • FIG. 1 As a preferred example of the manufacturing method of the present disclosure, an example in which a substrate laminate is obtained by hybrid bonding a first laminate and a second laminate will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 1 the manufacturing method of the present disclosure is not limited to the following specific examples.
  • substantially identical elements e.g., parts or portions
  • duplicate descriptions may be omitted.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of step A in a preferred example of the manufacturing method of the present disclosure.
  • a first laminate 10 and a second laminate 20 are prepared.
  • the first laminate 10 includes a first substrate 11 and a first bonding layer 16 .
  • the first bonding layer 16 includes an organic-substance-containing layer 12 and a first electrode 14.
  • the surface of the organic-substance-containing layer 12 and the surface of the first electrode 14 are each exposed.
  • step B the surface of the organic substance-containing layer 12 is subjected to a surface activation treatment and then washed with water.
  • the second laminate 20 includes a second substrate 21 and a second bonding layer 26 .
  • the second bonding layer 26 includes an inorganic material layer 22 and a second electrode 24. The surface of the inorganic material layer 22 and the surface of the second electrode 24 are each exposed.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate laminate obtained in step C in a preferred example of the manufacturing method of the present disclosure.
  • the first laminate 10 and the second laminate 20 are bonded together in an orientation in which the first bonding layer 16 and the second bonding layer 26 are in contact with each other.
  • the first electrode 14 and the second electrode 24 are joined by hybrid joining, and the organic substance-containing layer 12 and the inorganic material layer 22 are joined by hybrid joining.
  • step B before bonding the first laminate 10 and the second laminate 20 (i.e., before lamination), a surface activation treatment is performed on the surface of the organic substance-containing layer 12. This results in excellent bonding strength when the first laminate 10 and the second laminate 20 are bonded at a low temperature.
  • the substrate laminate obtained in step C is preferably a first laminated region in which the first substrate, the organic substance-containing layer, the insulating layer, and the second substrate are arranged in this order; a second stacked region in which the first substrate, the first electrode, the second electrode, and the second substrate are arranged in this order; Includes.
  • the first laminated region and the second laminated region may be formed by hybrid bonding as described above.
  • first laminate region or two or more first laminate regions in the substrate laminate obtained in step C There may be only one first laminate region or two or more first laminate regions in the substrate laminate obtained in step C.
  • first laminate regions at least one of the first laminate and the second laminate is present in two or more in the laminate direction.
  • the number of the second laminated regions may be only one or may be two or more in the substrate laminate obtained in the step C. Even when the number of the second laminated regions is two or more, at least one of the first laminate and the second laminate is present in two or more.
  • a first bonding layer is provided on one surface of a substrate
  • a second bonding layer is provided on the other surface of the substrate, and three or more of the resulting substrates are stacked to form two or more first and second stacked regions.
  • the substrate functions as a first stacked body on the side where the first bonding layer is provided, and functions as a second stacked body on the side where the second bonding layer is provided.
  • a laminate according to a first embodiment of the present disclosure includes a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer includes an organic substance-containing layer, and a surface of the organic substance-containing layer is exposed,
  • the Si content in atomic % is measured at seven points in the organic-substance-containing layer, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm
  • the measured value at the surface is the maximum.
  • the value obtained by subtracting the minimum value of the measured values at the six points from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 50 atomic %.
  • the laminate according to the first embodiment of the present disclosure is preferably used as the first laminate in the method for manufacturing a substrate laminate according to the present disclosure.
  • the preferred aspects of the laminate according to the first embodiment of the present disclosure are the same as the preferred aspects of the first laminate in the method for manufacturing a substrate laminate according to the present disclosure.
  • the O content in atomic % is measured at seven points in the organic-containing layer, namely the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm
  • the measured value at the surface is the maximum.
  • the value obtained by subtracting the minimum value of the measured values at the six points from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 70 atomic %.
  • the composite elastic modulus of the organic-containing layer is preferably 1 GPa to 20 GPa.
  • the organic-containing layer preferably contains at least one bond selected from the group consisting of siloxane bonds, amide bonds, and imide bonds.
  • a laminate according to a second embodiment of the present disclosure includes a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer includes an organic-containing layer, the surface of the organic-containing layer is exposed, and when the Si content in atomic % is measured at a surface position at a depth of 0 nm and at a position at a depth of 7 nm in the organic-containing layer, the measured value at the surface is greater than the measured value at the position at a depth of 7 nm.
  • the value obtained by subtracting the measured value at the position at a depth of 7 nm from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 50 atomic %.
  • the preferred aspects of the laminate according to the second embodiment of the present disclosure are the same as the preferred aspects of the first laminate in the method for manufacturing a substrate laminate according to the present disclosure.
  • a laminate according to a third embodiment of the present disclosure includes a first substrate and a first bonding layer, the first bonding layer includes an organic-containing layer, a surface of the organic-containing layer is exposed, and when the O content in atomic % is measured at a surface at a depth of 0 nm and at a position at a depth of 7 nm in the organic-containing layer, the measured value at the surface is greater than the measured value at the position at a depth of 7 nm.
  • the value obtained by subtracting the measured value at the position at a depth of 7 nm from the measured value at the surface is preferably 3 atomic % to 70 atomic %.
  • the preferred aspects of the laminate according to the second embodiment of the present disclosure are the same as the preferred aspects of the first laminate in the method for manufacturing a substrate laminate according to the present disclosure.
  • the substrate laminate according to the first embodiment of the present disclosure includes: A first laminate which is the laminate of the first embodiment described above; a second laminate including a second substrate and a second bonding layer; Including, The first laminate and the second laminate are bonded in a direction in which the organic substance-containing layer of the first laminate and the second bonding layer of the second substrate are in contact with each other.
  • a substrate laminate includes: A first laminate which is the laminate of the first embodiment described above; a second laminate including a second substrate and a second bonding layer; Including, The first laminate and the second laminate are bonded in a direction in which the organic substance-containing layer of the first laminate and the second bonding layer of the second substrate are in contact with each other.
  • the bonding strength between the first laminate and the second laminate expressed in terms of surface energy, is preferably 0.2 J/m 2 or more.
  • the surface energy can be determined by a blade insertion test described later.
  • the ratio of the total area of voids is preferably 30% or less, more preferably 20% or less, and even more preferably 10% or less.
  • the void area ratio is a value calculated by dividing the total area of voids by the total area where transmitted light was observable in infrared light transmission observation, and multiplying the result by 100.
  • the measurement can be performed in a similar manner using reflected waves from an ultrasonic microscope, transmitted waves from an ultrasonic microscope, or reflected infrared light, preferably using reflected waves from an ultrasonic microscope.
  • the first bonding layer further comprises a first electrode;
  • the second bonding layer includes a second electrode and an insulating layer; It is preferable that the organic substance-containing layer and the insulating layer are joined, and that the first electrode and the second electrode are joined.
  • This embodiment is the hybrid junction embodiment described above. This is therefore advantageous in terms of narrowing the wiring pitch.
  • the substrate laminate of the second embodiment of the present disclosure is obtained by changing the laminate of the first embodiment of the substrate laminate of the first embodiment of the present disclosure to a laminate of the second embodiment.
  • the substrate laminate of the third embodiment of the present disclosure is obtained by changing the laminate of the first embodiment of the substrate laminate of the first embodiment of the present disclosure to a laminate of the third embodiment.
  • composition A and composition B which are specific examples of compositions for forming an organic substance-containing layer in the present disclosure, will be described below.
  • composition for forming the organic substance-containing layer for example, known documents such as International Publication No. 2018/199117, International Publication No. 2022/054839, and JP-A-2021-182621 may be referenced.
  • X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • composition A contains compound (A) and compound (B), and thus can form an adhesive layer (i.e., an organic substance-containing layer in this disclosure; the same applies below) of uniform thickness, and also has excellent bonding strength between substrates. Furthermore, since the adhesive layer has excellent bonding strength between substrates even when the thickness is thin, this is advantageous when forming a multi-layer three-dimensional structure while achieving miniaturization. In addition, since the adhesive layer can be thin, the solvent can be easily volatilized when manufacturing the substrate laminate, and the occurrence of voids is suppressed. Furthermore, since the occurrence of voids is suppressed, the adhesive area is less likely to become small, and unintended peeling of the substrates can be suppressed.
  • an adhesive layer i.e., an organic substance-containing layer in this disclosure; the same applies below
  • Compound (A) is a compound having a cationic functional group containing at least one of a primary nitrogen atom and a secondary nitrogen atom, a siloxane bond (Si—O bond), and an amino group, and having a weight average molecular weight of 130 or more and 10,000 or less.
  • the cationic functional group is not particularly limited as long as it is a functional group that can bear a positive charge and contains at least one of a primary nitrogen atom and a secondary nitrogen atom.
  • compound (A) may contain a tertiary nitrogen atom in addition to the primary and secondary nitrogen atoms.
  • a "primary nitrogen atom” refers to a nitrogen atom bonded to only two hydrogen atoms and one atom other than a hydrogen atom (for example, a nitrogen atom contained in a primary amino group ( -NH2 group)), or a nitrogen atom bonded to only three hydrogen atoms and one atom other than a hydrogen atom (cation).
  • the term “secondary nitrogen atom” refers to a nitrogen atom bonded to only one hydrogen atom and two atoms other than hydrogen atoms (i.e., a nitrogen atom contained in a functional group represented by the following formula (a)), or a nitrogen atom (cation) bonded to only two hydrogen atoms and two atoms other than hydrogen atoms.
  • tertiary nitrogen atom refers to a nitrogen atom bonded to only three atoms other than hydrogen atoms (i.e., a nitrogen atom that is a functional group represented by the following formula (b)), or a nitrogen atom (cation) bonded to one hydrogen atom and only three atoms other than hydrogen atoms.
  • the functional group represented by the formula (a) may be a functional group constituting a part of a secondary amino group (-NHR a group; here, R a represents an alkyl group), or may be a divalent linking group contained in the skeleton of a polymer.
  • the functional group represented by formula (b) may be a functional group constituting a part of a tertiary amino group (-NR b R c group; here, R b and R c each independently represent an alkyl group), or may be a trivalent linking group contained in the skeleton of a polymer.
  • the weight average molecular weight of compound (A) is 130 or more and 10,000 or less, more preferably 130 or more and 5,000 or less, and even more preferably 130 or more and 2,000 or less.
  • the weight average molecular weight refers to a weight average molecular weight calculated as polyethylene glycol, measured by GPC (Gel Permeation Chromatography). Specifically, the weight average molecular weight is calculated by detecting the refractive index at a flow rate of 1.0 mL/min using an aqueous solution of sodium nitrate having a concentration of 0.1 mol/L as a developing solvent, a Shodex DET RI-101 analyzer, and two types of analytical columns (TSKgel G6000PWXL-CP and TSKgel G3000PWXL-CP, manufactured by Tosoh Corporation), and using polyethylene glycol/polyethylene oxide as standards with analytical software (Empower3, manufactured by Waters Corporation).
  • GPC Gel Permeation Chromatography
  • the compound (A) may further have an anionic functional group, a nonionic functional group, or the like, as necessary.
  • the nonionic functional group may be a hydrogen bond accepting group or a hydrogen bond donating group.
  • Examples of the nonionic functional group include a hydroxyl group, a carbonyl group, and an ether group (-O-).
  • the anionic functional group is not particularly limited as long as it is a functional group that can bear a negative charge.
  • examples of the anionic functional group include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, and a sulfate group.
  • Examples of the compound (A) include siloxane diamines, silane coupling agents having an amino group, and siloxane polymers of silane coupling agents having an amino group.
  • An example of the silane coupling agent having an amino group is a compound represented by the following formula (A-3).
  • R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted.
  • R 2 and R 3 each independently represent an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an ether group, or a carbonyl group which may be substituted (the skeleton may contain a carbonyl group, an ether group, etc.).
  • R 4 and R 5 each independently represent an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted or a single bond.
  • Ar represents a divalent or trivalent aromatic ring.
  • X 1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted.
  • X 2 represents hydrogen, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted (the skeleton may contain a carbonyl group, an ether group, etc.).
  • a plurality of R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , and X 1 may be the same or different.
  • Substituents of the alkyl and alkylene groups in R1 , R2 , R3 , R4 , R5 , X1 and X2 each independently include an amino group, a hydroxy group, an alkoxy group, a cyano group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group and halogens.
  • Examples of the divalent or trivalent aromatic ring in Ar include a divalent or trivalent benzene ring.
  • Examples of the aryl group in X2 include a phenyl group, a methylbenzyl group, and a vinylbenzyl group.
  • silane coupling agents represented by formula (A-3) include, for example, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminoisobutyldimethylmethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenyltriethoxysilane, methylbenzylaminoethyla
  • silane coupling agents containing an amino group other than those represented by formula (A-3) include N,N-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine, N,N'-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine, bis[(3-triethoxysilyl)propyl]amine, piperazinylpropylmethyldimethoxysilane, bis[3-(triethoxysilyl)propyl]urea, bis(methyldiethoxysilylpropyl)amine, 2-methyl-2-phenylpropanedi ...
  • silane coupling agents having an amino group may be used alone or in combination of two or more.
  • a silane coupling agent having an amino group may also be used in combination with a silane coupling agent not having an amino group.
  • a silane coupling agent having a mercapto group may be used to improve adhesion to metals.
  • polymers (siloxane polymers) formed from these silane coupling agents via siloxane bonds may be used.
  • siloxane polymers formed from these silane coupling agents via siloxane bonds
  • Si-O-Si siloxane bonds
  • a polymer having a linear siloxane structure a polymer having a branched siloxane structure, a polymer having a cyclic siloxane structure, a polymer having a cage siloxane structure, etc.
  • the cage siloxane structure is represented, for example, by the following formula (A-1).
  • siloxane diamines examples include compounds represented by the following formula (A-2).
  • i is an integer from 0 to 4
  • j is an integer from 1 to 3
  • Me is a methyl group.
  • compound (A) Since compound (A) has a primary or secondary amino group, it can strongly bond the substrates to each other by electrostatic interaction with functional groups such as hydroxyl groups, epoxy groups, carboxy groups, amino groups, and mercapto groups that may be present on the surfaces of the first substrate and the second substrate, or by forming a close covalent bond with the functional groups.
  • the compound (A) since the compound (A) has a primary or secondary amino group, it is easily dissolved in the polar solvent (D) described below.
  • the affinity with the hydrophilic surface of a substrate such as a silicon substrate is increased, so that a smooth film is easily formed and the thickness of the adhesive layer can be reduced.
  • compound (A) a compound having a Si-O bond and a primary amino group is preferred from the viewpoint of forming a thermally crosslinked structure such as an amide, amide-imide, or imide to further improve heat resistance.
  • the ratio of the total number of primary and secondary nitrogen atoms to the number of silicon atoms in compound (A) is 0.2 or more and 5 or less.
  • compound (A) has a molar ratio of Si element to non-crosslinkable group such as methyl group bonded to Si element that satisfies the relationship (non-crosslinkable group)/Si ⁇ 2.
  • compound (A) has a cationic functional group containing at least one of a primary nitrogen atom and a secondary nitrogen atom.
  • the proportion of primary nitrogen atoms in the total nitrogen atoms in compound (A) is preferably 20 mol% or more, more preferably 25 mol% or more, and even more preferably 30 mol% or more.
  • Compound (A) may also have a cationic functional group that contains a primary nitrogen atom and does not contain any nitrogen atoms other than the primary nitrogen atom (e.g., secondary nitrogen atom, tertiary nitrogen atom).
  • the ratio of secondary nitrogen atoms to the total nitrogen atoms in compound (A) is preferably 5 mol % or more and 50 mol % or less, and more preferably 10 mol % or more and 45 mol % or less.
  • compound (A) may contain a tertiary nitrogen atom in addition to a primary nitrogen atom and a secondary nitrogen atom.
  • the ratio of the tertiary nitrogen atoms to the total nitrogen atoms in compound (A) is preferably 20 mol % or more and 50 mol % or less, and more preferably 25 mol % or more and 45 mol % or less.
  • the content of the component derived from compound (A) in the adhesive layer is not particularly limited, and can be, for example, 1% by mass or more and 82% by mass or less with respect to the entire adhesive layer, preferably 5% by mass or more and 82% by mass or less, and more preferably 13% by mass or more and 82% by mass or less.
  • X is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • Compound (B) is a compound having a weight average molecular weight of 200 or more and 600 or less. Preferably, it is a compound having a weight average molecular weight of 200 or more and 400 or less.
  • Compound (B) preferably has a ring structure in the molecule.
  • the ring structure include an alicyclic structure and an aromatic ring structure.
  • Compound (B) may also have multiple ring structures in the molecule, and the multiple ring structures may be the same or different.
  • Examples of the alicyclic structure include alicyclic structures having 3 to 8 carbon atoms, preferably alicyclic structures having 4 to 6 carbon atoms, and the ring structure may be saturated or unsaturated. More specifically, examples of the alicyclic structure include saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cycloheptane ring, and a cyclooctane ring; and unsaturated alicyclic structures such as a cyclopropene ring, a cyclobutene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cycloheptene ring, and a cyclooctene ring.
  • saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring
  • the aromatic ring structure is not particularly limited as long as it is a ring structure that exhibits aromaticity, and examples thereof include benzene-based aromatic rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring, aromatic heterocycles such as a pyridine ring and a thiophene ring, and non-benzene-based aromatic rings such as an indene ring and an azulene ring.
  • benzene-based aromatic rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring
  • aromatic heterocycles such as a pyridine ring and a thiophene ring
  • non-benzene-based aromatic rings such as an indene ring and an azulene ring.
  • the ring structure that compound (B) has in the molecule is, for example, preferably at least one selected from the group consisting of a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a benzene ring, and a naphthalene ring, and from the viewpoint of further increasing the heat resistance of the adhesive layer, at least one of a benzene ring and a naphthalene ring is more preferable.
  • compound (B) may have multiple ring structures in the molecule, and when the ring structure is benzene, it may have a biphenyl structure, a benzophenone structure, a diphenyl ether structure, etc.
  • Compound (B) preferably has a fluorine atom in the molecule, more preferably has 1 to 6 fluorine atoms in the molecule, and even more preferably has 3 to 6 fluorine atoms in the molecule.
  • compound (B) may have a fluoroalkyl group in the molecule, and specifically, may have a trifluoroalkyl group or a hexafluoroisopropyl group.
  • examples of compound (B) include carboxylic acid compounds such as alicyclic carboxylic acid, benzene carboxylic acid, naphthalene carboxylic acid, diphthalic acid, and fluorinated aromatic ring carboxylic acid; and carboxylic acid ester compounds such as alicyclic carboxylic acid ester, benzene carboxylic acid ester, naphthalene carboxylic acid ester, diphthalic acid ester, and fluorinated aromatic ring carboxylic acid ester.
  • carboxylic acid compounds such as alicyclic carboxylic acid, benzene carboxylic acid, naphthalene carboxylic acid, diphthalic acid ester, and fluorinated aromatic ring carboxylic acid ester.
  • compound (B) is a carboxylic acid ester compound, aggregation due to association between compound (A) and compound (B) is suppressed, aggregates and pits are reduced, and adjustment of the film thickness is made easier.
  • X is preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc., but is preferably an ethyl group or a propyl group from the viewpoint of further suppressing aggregation due to association between compound (A) and compound (B).
  • carboxylic acid compound examples include, but are not limited to, alicyclic carboxylic acids such as 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic acid, 1,3,5-cyclohexane tricarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexane tricarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid, and 1,2,3,4,5,6-cyclohexane hexacarboxylic acid; benzene carboxylic acids such as 1,2,4-benzene tricarboxylic acid, 1,3,5-benzene tricarboxylic acid, pyromellitic acid, benzene pentacarboxylic acid, and mellitic acid; and 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid.
  • alicyclic carboxylic acids such as 1,2,3,4-cyclobutan
  • naphthalene carboxylic acids such as 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid; 3,3',5,5'-tetracarboxydiphenylmethane, biphenyl-3,3',5,5'-tetracarboxylic acid, biphenyl-3,4',5-tricarboxylic acid, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic acid, 4,4'-oxydiphthalic acid, 3,4'-oxydiphthalic acid, 1,3-bis(phthalic acid)tetramethyldisiloxane, 4,4'-(ethyn-1,2-diyl)diphthalic acid acid), 4,4'-(1,4-phenylenebis(oxy))diphthalic acid, 4,4'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diylbis(oxy
  • carboxylic acid ester compound examples include compounds in which at least one carboxy group in the specific examples of the carboxylic acid compound described above has been replaced with an ester group.
  • carboxylic acid ester compound examples include half-esterified compounds represented by the following general formulas (B-1) to (B-6).
  • R is each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, of which methyl, ethyl, propyl, and butyl are preferred, and ethyl and propyl are more preferred.
  • a half-esterified compound can be produced, for example, by mixing a carboxylic acid anhydride, which is the anhydride of the aforementioned carboxylic acid compound, with an alcohol solvent and opening the ring of the carboxylic acid anhydride.
  • Y represents an imide-bridged or amide-bridged nitrogen atom, OH, or an ester group.
  • the adhesive layer preferably has a thermally crosslinked structure such as amide, amide-imide, or imide, and has excellent heat resistance.
  • compound (A) has an uncrosslinked cationic functional group
  • the adhesive layer contains compound (A) but not compound (B)
  • the crosslink density is low and the heat resistance is insufficient.
  • the cationic functional group of compound (A) reacts with the carboxyl group of compound (B) to form a covalent bond, resulting in a high crosslink density and high heat resistance.
  • Composition A may further contain the following compound (C).
  • Compound (C) is a compound having a ring structure and one or more primary nitrogen atoms directly bonded to the ring structure.
  • the compound (C) reacts with the compound (A) and the compound (B) to form a cured product.
  • Compound (C) has a ring structure and one or more primary nitrogen atoms directly bonded to the ring structure. It is believed that the introduction of this structure into a cured product increases the rigidity of the cured product and reduces the thermal expansion coefficient.
  • the compound (C) may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • a "primary nitrogen atom directly bonded to a ring structure” refers to a primary nitrogen atom (-NH 2 ) that is bonded to a ring structure via a single bond (ie, not via a carbon atom or the like).
  • the number of primary nitrogen atoms directly bonded to the ring structure in the molecule of compound (C) is not particularly limited as long as it is one or more. From the viewpoint of increasing the crosslink density, it is preferable that there are two or more, and a diamine compound having two primary amino groups or a triamine compound having three primary amino groups is more preferable.
  • Compound (C) may have one ring structure or multiple ring structures in the molecule. When compound (C) has multiple ring structures in the molecule, it may have a cationic functional group containing a primary nitrogen atom directly bonded to each ring structure, or may have a cationic functional group containing a primary nitrogen atom directly bonded to only one of the ring structures.
  • the multiple ring structures may be the same or different and may form a condensed ring.
  • the multiple ring structures may be bonded by a single bond or may be bonded via a linking group such as an ether group, a carbonyl group, a sulfonyl group, or a methylene group.
  • Examples of the ring structure contained in the compound (C) include an alicyclic structure, an aromatic ring (including a heterocyclic ring) structure, and a condensed ring structure thereof.
  • the alicyclic structure may be an alicyclic structure having 3 to 8 carbon atoms, preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • the ring structure may be saturated or unsaturated.
  • examples of the alicyclic structure include saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cycloheptane ring, and a cyclooctane ring; and unsaturated alicyclic structures such as a cyclopropene ring, a cyclobutene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cycloheptene ring, and a cyclooctene ring.
  • aromatic ring structures include aromatic ring structures having 6 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • Specific examples include benzene-based aromatic ring structures such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring, and non-benzene-based aromatic ring structures such as a pyridine ring, a thiophene ring, an indene ring, and an azulene ring.
  • the heterocyclic structure may be a 3- to 10-membered, preferably a 5- or 6-membered heterocyclic structure.
  • heteroatoms contained in the heterocyclic ring include a sulfur atom, a nitrogen atom, and an oxygen atom, and may be one or more of these.
  • heterocyclic structure examples include an oxazole ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyrrolidine ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a triazole ring, an isocyanuric ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a piperidine ring, a piperazine ring, a triazine ring, an indole ring, an indoline ring, a quinoline ring, an acridine ring, a naphthyridine ring, a quinazoline ring, a purine ring, and a quinoxaline ring.
  • the ring structure that compound (C) has in the molecule is preferably a benzene ring, a cyclohexane ring, or a benzoxazole ring.
  • the ring structure that compound (C) has in its molecule may have a substituent other than a primary nitrogen atom.
  • it may have an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group substituted with a halogen atom, etc.
  • the weight average molecular weight of compound (C) is not particularly limited. For example, it may be 80 or more and 600 or less, 90 or more and 500 or less, or 100 or more and 450 or less.
  • Examples of the compound (C) include alicyclic amines, aromatic ring amines, heterocyclic amines having a nitrogen-containing heterocycle, and amine compounds having both a heterocycle and an aromatic ring.
  • Specific examples of the alicyclic amine include cyclohexylamine and dimethylaminocyclohexane.
  • aromatic ring amines include diaminodiphenyl ether, xylylenediamine (preferably paraxylylenediamine), diaminobenzene, diaminotoluene, methylenedianiline, dimethyldiaminobiphenyl, bis(trifluoromethyl)diaminobiphenyl, diaminobenzophenone, diaminobenzanilide, bis(aminophenyl)fluorene, bis(aminophenoxy)benzene, bis(aminophenoxy)biphenyl, dicarboxydiaminodiphenylmethane, diaminoresorcin, dihydroxybenzidine, diaminobenzidine, 1,3,5-triaminophenoxybenzene, 2,2'-dimethylbenzidine, and tris(4-aminophenyl)amine.
  • diaminodiphenyl ether xylylenediamine (preferably paraxylylenediamine),
  • heterocyclic amines having a nitrogen-containing heterocycle include melamine, ammeline, melam, melem, and tris(4-aminophenyl)amine.
  • Specific examples of the amine compound having both a heterocycle and an aromatic ring include N2,N4,N6-tris(4-aminophenyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine and 2-(4-aminophenyl)benzoxazole-5-amine.
  • the content of compound (C) in composition A is not particularly limited, so long as the proportion of the primary nitrogen atoms contained in compound (A) to the total of the primary nitrogen atoms and secondary nitrogen atoms contained in compound (A) and the primary nitrogen atoms contained in compound (C) is 3 mol % to 95 mol %. From the viewpoint of the balance between the thermal expansion coefficient and the bonding strength, the above ratio is preferably 5 mol % to 75 mol %, more preferably 10 mol % to 50 mol %, and even more preferably 10 mol % to 30 mol %.
  • composition A may contain a polar solvent.
  • polar solvent refers to a solvent having a relative dielectric constant of 5 or more at room temperature (25° C.).
  • the polar solvent may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • polar solvents include protic solvents such as water and heavy water; alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, isopentyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol, propylene glycol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, benzyl alcohol, diethylene glycol, triethylene glycol, and glycerin; ethers such as tetrahydrofuran and dimethoxyethane; aldehydes and ketones such as furfural, acetone, ethyl methyl ketone, and cyclohexanone; acid derivatives such as acetic anhydride, ethyl acetate, butyl acetate, ethylene carbonate, propylene carbonate, formaldehyde, N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N,N-
  • composition A contains a polar solvent
  • its content is not particularly limited, and may be, for example, 1.0% by mass or more and 99.99896% by mass or less, or 40% by mass or more and 99.99896% by mass or less, relative to the entire composition A.
  • Composition A may contain additives as necessary.
  • the additives include an acid having a carboxy group and a weight average molecular weight of 46 to 195, and a base having a nitrogen atom and no ring structure and a weight average molecular weight of 17 to 120.
  • composition A contains an acid having a weight average molecular weight of 46 to 195 and having a carboxy group, the primary or secondary nitrogen atoms of compounds (A) and (C) form ionic bonds with the carboxy group in the acid, thereby suppressing aggregation due to association of compounds (A) and (C) with compound (B).
  • the type of acid having a carboxy group and a weight average molecular weight of 46 to 195 is not particularly limited, and examples include monocarboxylic acid compounds, dicarboxylic acid compounds, and oxydicarboxylic acid compounds. More specifically, examples include formic acid, acetic acid, malonic acid, oxalic acid, benzoic acid, lactic acid, glycolic acid, glyceric acid, butyric acid, methoxyacetic acid, ethoxyacetic acid, phthalic acid, terephthalic acid, picolinic acid, salicylic acid, and 3,4,5-trihydroxybenzoic acid (excluding those that fall under compound (B)).
  • composition A contains an acid having a weight average molecular weight of 46 or more and 195 or less
  • its content is not particularly limited, but for example, the content is preferably such that the ratio (COOH/N) of the number of carboxy groups of the acid to the total number of primary and secondary nitrogen atoms of compound (A) and compound (C) is 0.01 or more and 10 or less, more preferably 0.02 or more and 6 or less, and even more preferably 0.5 or more and 3 or less.
  • the carboxy group of compound (B) forms an ionic bond with the amino group of the base, thereby suppressing aggregation due to association of compound (A) and compound (C) with compound (B). More specifically, it is speculated that aggregation is suppressed because the interaction between the carboxylate ion derived from the carboxy group in compound (B) and the ammonium ion derived from the amino group in the base is stronger than the interaction between the ammonium ion derived from compound (A) and compound (C) and the carboxylate ion derived from the carboxy group in compound (B). Note that the present invention is in no way limited by the above speculation.
  • the type of compound having a nitrogen atom and a weight average molecular weight of 17 to 120 is not particularly limited, and examples include monoamine compounds and diamine compounds (excluding compounds (A) and (C)). More specifically, examples include ammonia, ethylamine, ethanolamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, N-acetylethylenediamine, N-(2-aminoethyl)ethanolamine, and N-(2-aminoethyl)glycine.
  • composition A contains a base having a weight-average molecular weight of 17 to 120
  • the content is not particularly limited, but for example, the ratio of the number of nitrogen atoms in the base to the number of carboxy groups in compound (B) (N/COOH) is preferably 0.5 to 5, and more preferably 0.9 to 3.
  • composition A may contain a metal alkoxide represented by the following general formula (I).
  • R1 n M(OR2) m ⁇ n ...(I) (In the formula, R1 is a non-hydrolyzable group, R2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, M is at least one metal atom selected from the group consisting of Ti, Al, Zr, Sr, Ba, Zn, B, Ga, Y, Ge, Pb, P, Sb, V, Ta, W, La, Nd, and In, m is the valence of the metal atom M and is 3 or 4, n is an integer of 0 to 2 when m is 4, and is 0 or 1 when m is 3, when there are multiple R1s, each R1 may be the same as or different from each other, and when there are multiple OR2s, each OR2 may
  • a silane compound (excluding those corresponding to compound (A)) may be contained in order to improve the insulating properties or mechanical strength.
  • silane compound examples include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, bistriethoxysilylethane, bistriethoxysilylmethane, bis(methyldiethoxysilyl)ethane, 1,1,3,3,5,5-hexaethoxy-1,3,5-trisilacyclohexane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetrahydroxylcyclosiloxane, 1,1,4,4-tetramethyl-1,4-diethoxydisilethylene, 1,3,5-trimethyl-1,3,5-trimethyl-1,3,5-triethoxy-1,3,5-trisilacyclohexane, and silane coupling agents having a functional group other than an amino group (such as an epoxy group or a mercapto group).
  • silane coupling agents having a functional group other than an amino group (such as an epoxy group or a mercapto group).
  • Composition A may contain a solvent other than a polar solvent.
  • solvent other than a polar solvent include normal hexane.
  • Composition A may contain benzotriazole or a derivative thereof, for example to inhibit copper corrosion.
  • the pH of composition A is not particularly limited, but is preferably from 2.0 to 12.0. When the pH of composition A is 2.0 or more and 12.0 or less, damage to the substrate caused by composition A is suppressed.
  • the sodium and potassium contents of Composition A are preferably 10 ppb by mass or less on an elemental basis, respectively. If the sodium or potassium contents are 10 ppb by mass or less on an elemental basis, respectively, the occurrence of problems in the electrical characteristics of the semiconductor device, such as transistor malfunctions, can be suppressed.
  • non-volatile components refers to components other than components (solvent, etc.) that are removed when composition A becomes a cured product.
  • Composition B contains at least one of a compound (X1) having a structure represented by the following general formula (1) and a molecular weight of 400 to 5,000, and a compound (X2) having a structure represented by the following general formula (2) and a molecular weight of 400 to 5,000:
  • R1 and R3 each independently represent an organic group having 6 or less carbon atoms
  • R2 represents a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a phenylene group
  • a represents 2 or 3
  • b represents the number 3-a
  • X1 represents a structure derived from a carboxylic dianhydride.
  • R1 and R3 each independently represent an organic group having 6 or less carbon atoms
  • R2 represents a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a phenylene group
  • a represents 2 or 3
  • b represents the number 3-a
  • X1 represents a structure derived from a carboxylic acid dianhydride
  • X2 represents a structure derived from an amine compound
  • n represents a positive number.
  • Comparative composition B can form a resin layer with less residual stress than composition B containing unreacted precursors of compound (X1) or compound (X2), such as a silane coupling agent, a carboxylic acid dianhydride, or an amine compound.
  • precursors of compound (X1) or compound (X2) such as a silane coupling agent, a carboxylic acid dianhydride, or an amine compound.
  • X1 is a structure derived from a carboxylic dianhydride, and preferably contains a ring structure.
  • the amide group and the carboxy group bonded to X1 react with each other on the substrate to form an imide bond. Therefore, the resulting resin layer exhibits excellent heat resistance.
  • a is preferably 2.
  • examples of the organic group having 6 or less carbon atoms represented by R1 and R3 include alkyl groups having 6 or less carbon atoms, preferably 3 or less carbon atoms, and more preferably 2 or less carbon atoms.
  • X1 and X2 are structures derived from a carboxylic dianhydride and an amine compound, respectively, and preferably contain a ring structure.
  • the amide group and the carboxyl group bonded to X1 react with each other on the substrate to form an imide bond. Therefore, the resulting resin layer exhibits excellent heat resistance.
  • a is preferably 2.
  • examples of the organic group having 6 or less carbon atoms represented by R1 and R3 include alkyl groups having 6 or less carbon atoms, preferably 3 or less carbon atoms, and more preferably 2 or less carbon atoms.
  • n is not particularly limited as long as it is a positive number, and may be, for example, within the range of 1 or more and 6 or less.
  • the compound (X2) represented by the general formula (2) may be in a state in which a structure derived from a carboxylic acid dianhydride and a structure derived from an amine compound are arranged alternately (polyamic acid).
  • the compound (X1) contained in the composition B may be a compound having a structure obtained by reacting a silane coupling agent (A) with a carboxylic acid dianhydride (B) having a molecular weight of 200 to 600 and a ring structure.
  • the compound (X2) contained in the above composition B may be a compound having a structure obtained by reacting a silane coupling agent (A) with a carboxylic acid dianhydride (B) having a molecular weight of 200 to 600 and a ring structure, and a structure obtained by reacting an amine compound (C) having a ring structure, having a molecular weight of 90 to 600, no Si—O bond, and with a carboxylic acid dianhydride (B) having a ring structure and a molecular weight of 200 to 600.
  • the carboxylic acid dianhydride (B) having a molecular weight of 200 to 600 and a ring structure, and the amine compound (C) having a molecular weight of 90 to 600 and a ring structure without a Si-O bond may be referred to simply as the carboxylic acid dianhydride (B) and the amine compound (C), respectively.
  • the silane coupling agent (A) is a compound having one or more Si—O bonds in the molecule and reacting with a carboxylic dianhydride to produce the compound (X1) or the compound (X2).
  • the Si—O bonds in the silane coupling agent (A) contribute to improving the bonding strength between the resin layer formed by using the composition B and the substrate.
  • the silane coupling agent (A) is not particularly limited as long as it has a functional group capable of reacting with the anhydride group of the carboxylic acid dianhydride (B).
  • functional groups include amino groups, epoxy groups, and isocyanate groups.
  • the silane coupling agent (A) has an amino group, and from the viewpoint of forming an imide structure in the resin layer to improve heat resistance, a compound having a primary amino group (-NH2) is more preferable.
  • the silane coupling agent (A) may be used alone or in combination of two or more.
  • the molecular weight of the silane coupling agent (A) is not particularly limited. For example, it may be 130 or more and 10,000 or less, 130 or more and 5,000 or less, or 130 or more and 2,000 or less.
  • silane coupling agent (A) having an amino group is a compound represented by the following formula (A-3).
  • R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted.
  • R 2 and R 3 each independently represent an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, an ether group, or a carbonyl group which may be substituted (the skeleton may contain a carbonyl group, an ether group, etc.).
  • R 4 and R 5 each independently represent an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted or a single bond.
  • Ar represents a divalent or trivalent aromatic ring.
  • X1 represents hydrogen or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted.
  • X2 represents hydrogen, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may be substituted (the skeleton may contain a carbonyl group, an ether group, etc.).
  • Multiple R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , and X 1 may be the same or different.
  • Substituents of the alkyl and alkylene groups in R1 , R2 , R3 , R4 , R5 , X1 and X2 each independently include an amino group, a hydroxy group, an alkoxy group, a cyano group, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group and halogens.
  • Examples of the divalent or trivalent aromatic ring in Ar include a divalent or trivalent benzene ring.
  • Examples of the aryl group in X2 include a phenyl group, a methylbenzyl group, and a vinylbenzyl group.
  • silane coupling agent represented by formula (A-3) include, for example, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminoisobutyldimethylmethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenyltriethoxysilane, methylbenzylaminoethy
  • silane coupling agents containing an amino group other than those represented by formula (A-3) include N,N-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine, N,N'-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine, bis[(3-triethoxysilyl)propyl]amine, piperazinylpropylmethyldimethoxysilane, bis[3-(triethoxysilyl)propyl]urea, bis(methyldiethoxysilylpropyl)amine, 2-methyl-2-phenylpropanedi ...
  • the silane coupling agent (A) having an amino group may be used alone or in combination of two or more.
  • the carboxylic acid dianhydride (B) is a compound having one or more ring structures and two anhydride groups in the molecule and having a molecular weight of 200 or more and 600 or less.
  • the molecular weight of the carboxylic acid dianhydride (B) may be 200 or more and 400 or less.
  • the carboxylic acid dianhydride (B) may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the ring structure that the carboxylic acid dianhydride (B) has in the molecule may be an alicyclic structure, an aromatic ring (including a heterocyclic ring), or the like.
  • the carboxylic acid dianhydride (B) may have one ring structure or multiple ring structures in the molecule.
  • Examples of the alicyclic structure include alicyclic structures having 3 to 8 carbon atoms, preferably alicyclic structures having 4 to 6 carbon atoms, and the ring structure may be saturated or unsaturated. More specifically, examples of the alicyclic structure include saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cycloheptane ring, and a cyclooctane ring; and unsaturated alicyclic structures such as a cyclopropene ring, a cyclobutene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cycloheptene ring, and a cyclooctene ring.
  • saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring
  • the aromatic ring structure is not particularly limited as long as it is a ring structure that exhibits aromaticity, and examples thereof include benzene-based aromatic rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring, aromatic heterocycles such as a pyridine ring and a thiophene ring, and non-benzene-based aromatic rings such as an indene ring and an azulene ring.
  • benzene-based aromatic rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring
  • aromatic heterocycles such as a pyridine ring and a thiophene ring
  • non-benzene-based aromatic rings such as an indene ring and an azulene ring.
  • the ring structure that the carboxylic acid dianhydride (B) has in its molecule is preferably at least one selected from the group consisting of a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a benzene ring, and a naphthalene ring, and from the viewpoint of further increasing the heat resistance of the resin layer, at least one of a benzene ring and a naphthalene ring is more preferable. Furthermore, from the viewpoint of suppressing the occurrence of voids in the resin layer when a resin layer is formed between multiple substrates using composition B, it is preferable that the resin layer contains two or more benzene rings.
  • the multiple ring structures may be the same or different and may form a condensed ring.
  • the multiple ring structures may be bonded by a single bond or may be bonded via a linking group such as an ether group, a carbonyl group, a sulfonyl group, or a methylene group.
  • Carboxylic acid dianhydride (B) may have a fluorine atom in the molecule. For example, it may have 1 to 6 fluorine atoms in the molecule, or may have 3 to 6 fluorine atoms in the molecule.
  • carboxylic acid dianhydride (B) may have a fluoroalkyl group in the molecule, specifically, it may have a trifluoroalkyl group or a hexafluoroisopropyl group.
  • Examples of the carboxylic acid dianhydride (B) include dianhydrides of compounds having a ring structure in the molecule and four carboxy groups capable of forming an anhydride group.
  • anhydrides of alicyclic tetracarboxylic acids such as 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, and 1,2,3,4,5,6-cyclohexanehexacarboxylic acid
  • Dianhydrides of benzenetetracarboxylic acids such as pyromellitic acid
  • Dianhydrides of naphthalenetetracarboxylic acids such as 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid and 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid
  • dianhydrides of biphenyltetracarboxylic acids such as 3,3',4,4
  • the content of carboxylic dianhydride (B) in composition B is, for example, an amount such that the ratio (A/B) of the functional group equivalent number A of the silane coupling agent (A) capable of reacting with the anhydride group of the carboxylic dianhydride (B) to the anhydride group equivalent number B of the carboxylic dianhydride (B) is 0.9 or more and 1.1 or less, more preferably 0.95 or more and 1.05 or less, and even more preferably 0.98 or more and 1.02 or less.
  • composition B further contains a compound capable of reacting with the anhydride group of the carboxylic dianhydride (B), such as compound (C) described below
  • the ratio (A'/B') of the functional group equivalent number A' of all compounds capable of reacting with the anhydride group of the carboxylic dianhydride (B) to the anhydride group equivalent number B' of the carboxylic dianhydride (B) is preferably an amount that is 0.9 or more and 1.1 or less, more preferably an amount that is 0.95 or more and 1.05 or less, and even more preferably an amount that is 0.98 or more and 1.02 or less.
  • the amine compound (C) is a compound having one or more ring structures and one or more amino groups in the molecule, a molecular weight of 90 to 600, and no Si—O bond.
  • the amine compound (C) may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the number of amino groups in the molecule of the amine compound (C) may be one or more, but from the viewpoint of reducing the thermal expansion coefficient of the resin layer, it is preferable that there are more than one, and more preferably two (diamine) or three (triamine). From the viewpoint of forming an imide structure in the resin layer to improve heat resistance, it is more preferable that there is a primary amino group (-NH2).
  • the amine compound (C) has one or more amino groups directly bonded to the ring structure. If the molecular structure of the compound (X2) contains a structure derived from an amino group directly bonded to the ring structure, it is believed that the rigidity of the molecular structure increases, further reducing the thermal expansion coefficient.
  • an amino group directly bonded to a ring structure means an amino group that is bonded to a ring structure via a single bond (i.e., not via a carbon atom, etc.).
  • the amine compound (C) may have one ring structure or multiple ring structures in the molecule.
  • the multiple ring structures may be the same or different and may form a condensed ring.
  • the multiple ring structures may be bonded by a single bond or may be bonded via a linking group such as an ether group, a carbonyl group, a sulfonyl group, or a methylene group.
  • Examples of the ring structure contained in the amine compound (C) include an alicyclic structure, an aromatic ring (including a heterocyclic ring) structure, and a condensed ring structure thereof.
  • the alicyclic structure may be an alicyclic structure having 3 to 8 carbon atoms, preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • the ring structure may be saturated or unsaturated.
  • examples of the alicyclic structure include saturated alicyclic structures such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, a cycloheptane ring, and a cyclooctane ring; and unsaturated alicyclic structures such as a cyclopropene ring, a cyclobutene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring, a cycloheptene ring, and a cyclooctene ring.
  • aromatic ring structures include aromatic ring structures having 6 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • Specific examples include benzene-based aromatic ring structures such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a perylene ring, and non-benzene-based aromatic ring structures such as a pyridine ring, a thiophene ring, an indene ring, and an azulene ring.
  • the heterocyclic structure may be a 3- to 10-membered, preferably a 5- or 6-membered heterocyclic structure.
  • heteroatoms contained in the heterocyclic ring include a sulfur atom, a nitrogen atom, and an oxygen atom, and may be one or more of these.
  • heterocyclic structure examples include an oxazole ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyrrolidine ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a triazole ring, an isocyanuric ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a piperidine ring, a piperazine ring, a triazine ring, an indole ring, an indoline ring, a quinoline ring, an acridine ring, a naphthyridine ring, a quinazoline ring, a purine ring, and a quinoxaline ring.
  • the ring structure that the amine compound (C) has in its molecule is preferably a benzene ring, a cyclohexane ring, or a benzoxazole ring.
  • the ring structure that the amine compound (C) has in its molecule may have a substituent other than an amino group.
  • it may have an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group substituted with a halogen atom, etc.
  • amine compound (C) examples include the following compounds.
  • alicyclic amine examples include cyclohexylamine and dimethylaminocyclohexane.
  • aromatic ring amines include diaminodiphenyl ether, xylylene diamine (preferably paraxylylene diamine), diaminobenzene, diaminotoluene, methylene dianiline, dimethyldiaminobiphenyl, bis(trifluoromethyl)diaminobiphenyl (TFDB), diaminobenzophenone, diaminobenzanilide, bis(aminophenyl)fluorene, bis(aminophenoxy)benzene, bis(aminophenoxy)biphenyl, dicarboxydiaminodiphenylmethane, diaminoresorcin, dihydroxybenzidine, diaminobenzidine, 1,3,5-triaminophenoxybenzene, 2,2'-dimethyl
  • heterocyclic amines having a nitrogen-containing heterocycle include melamine, ammeline, melam, melem, and tris(4-aminophenyl)amine.
  • examples of amine compounds having both a heterocycle and an aromatic ring include N2,N4,N6-tris(4-aminophenyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine and 2-(4-aminophenyl)benzoxazol-5-amine (AAPD).
  • Method for obtaining compound (X1) As a method for obtaining the compound (X1) by reacting the silane coupling agent (A) with the carboxylic dianhydride (B), for example, a method in which the silane coupling agent (A) is gradually added dropwise to the carboxylic dianhydride (B) while adding the carboxylic dianhydride (B) to a solvent and stirring the mixture, to obtain the compound (X1), can be mentioned.
  • Method for obtaining compound (X2) As a method for obtaining the compound (X2) by reacting the silane coupling agent (A), the carboxylic dianhydride (B) and the amine compound (C), for example, a method can be mentioned in which a solvent is added to the amine compound (C) and the mixture is stirred while the carboxylic dianhydride (B) is added, the mixture is stirred until the viscosity of the obtained reaction product (polymer) becomes constant, and then the silane coupling agent (A) is gradually added dropwise to obtain the compound (X2).
  • composition B may further contain a compound other than compound (X1) and compound (X2).
  • a precursor of resin (D) having a CTE of 90 ppm/K or less between 50° C. and 150° C.
  • composition B contains a precursor of resin (D)
  • the thermal expansion coefficient of the resulting resin layer tends to be further reduced.
  • the resin (D) having a CTE of 90 ppm/K or less between 50° C. and 150° C. include at least one selected from the group consisting of polyimide and polybenzoxazole.
  • the CTE of the resin (D) can be measured in the same manner as the CTE of the resin layer.
  • composition B contains resin (D)
  • the proportion of resin (D) contained in composition B is preferably 99% to 30% by mass of the total non-volatile content of composition B, from the viewpoint of the balance between the thermal expansion coefficient and bonding strength of the resulting resin layer.
  • non-volatile content refers to components other than components (solvent, etc.) that are removed when composition B becomes a cured product.
  • Organic solvent Composition B may contain an organic solvent.
  • the organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve compound (X).
  • examples of the organic solvent include aprotic solvents, phenol-based solvents, ether-based solvents, and glycol-based solvents.
  • the organic solvent may be used alone or in combination of two or more kinds.
  • aprotic solvents include amide-based solvents such as N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N-methylcaprolactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, and tetramethylurea; lactone-based solvents such as ⁇ -butyrolactone and ⁇ -valerolactone; phosphorus-containing amide-based solvents such as hexamethylphosphoric amide and hexamethylphosphine triamide; sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide, and sulfolane; ketone-based solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone; tertiary amine-based solvents such as picoline and pyridine; and ester-based solvents such as 2-methoxy-1-methylethyl acetate.
  • phenol-based solvent examples include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, and 3,5-xylenol.
  • ether-based solvents and glycol-based solvents include 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane.
  • the boiling point of the organic solvent at normal pressure is preferably 60°C to 300°C, more preferably 140°C to 280°C, and even more preferably 170°C to 270°C. If the boiling point of the solvent is 300°C or lower, the organic solvent can be easily volatilized and removed in the resin layer formation process. If the boiling point of the solvent is 60°C or higher, a resin layer with a uniform surface condition can be obtained.
  • composition B contains an organic solvent
  • its content is not particularly limited, and may be, for example, 1.0% by mass or more and 99.99896% by mass or less, or 40% by mass or more and 99.99896% by mass or less, based on the total amount of composition B.
  • composition B may contain components other than those described above, if necessary.
  • the composition B may contain a metal alkoxide represented by the following general formula (I).
  • R1nM(OR2)m ⁇ n...(I) (In the formula, R1 is a non-hydrolyzable group, R2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, M is at least one metal atom selected from the group consisting of Ti, Al, Zr, Sr, Ba, Zn, B, Ga, Y, Ge, Pb, P, Sb, V, Ta, W, La, Nd, and In, m is the valence of the metal atom M and is 3 or 4, n is an integer of 0 to 2 when m is 4, and is 0 or 1 when m is 3, when there are multiple R1s, each R1 may be the same as or different from another, and when there are multiple OR2s, each OR2 may be the same as or different from another.)
  • a silane compound (excluding those corresponding to the silane coupling agent (A)) may be contained in order to improve the insulation properties or mechanical strength.
  • silane compound examples include tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, bistriethoxysilylethane, bistriethoxysilylmethane, bis(methyldiethoxysilyl)ethane, 1,1,3,3,5,5-hexaethoxy-1,3,5-trisilacyclohexane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetrahydroxylcyclosiloxane, 1,1,4,4-tetramethyl-1,4-diethoxydisilethylene, and 1,3,5-trimethyl-1,3,5-trimethyl-1,3,5-triethoxy-1,3,5-trisilacyclohexane.
  • Composition B may contain benzotriazole or a derivative thereof, for example to inhibit copper corrosion.
  • composition B is not particularly limited, but is preferably from 2.0 to 12.0.
  • the sodium and potassium contents of Composition B are preferably 10 ppb by mass or less on an elemental basis, respectively. If the sodium or potassium contents are 10 ppb by mass or less on an elemental basis, respectively, the occurrence of problems in the electrical characteristics of the semiconductor device, such as transistor malfunctions, can be suppressed.
  • the content of inorganic or resin fillers having a maximum diameter of 0.3 ⁇ m or more is preferably 30 mass % or less of the total nonvolatile content, more preferably 10 mass % or less, and even more preferably 0 mass %.
  • the content of the filler contained in composition B is within the above range, poor bonding of the laminate can be suppressed even when the thickness of the resin layer formed using composition B is reduced.
  • alignment may be performed by mechanically recognizing alignment marks formed on each substrate, and when the content of the filler is within the above range, the transparency of the resin film is improved, enabling more accurate alignment.
  • Example 1 Preparation of solution containing organic substance-containing layer forming material> A solution containing a material for forming an organic substance-containing layer was prepared. The details are as follows: As a material for forming an organic substance-containing layer, 50% by mass of 3-aminopropyldiethoxymethylsilane (3APDES) and 50% by mass of water were mixed to obtain a solution A containing a hydrolysate of 3APDES. A solution B containing 70% by mass of oxydiphthalic acid half ester (Y in formula (B-2) is O and R is an ethyl group) and 30% by mass of ethanol was obtained. 24 g of solution A, 18 g of solution B, 20 g of 1-propanol, and 38 g of water were mixed together to prepare a solution containing an organic substance-containing layer forming material.
  • 3APDES 3-aminopropyldiethoxymethylsilane
  • a silicon wafer as a first substrate was placed on a spin coater, and 2.0 mL of the solution containing the organic substance-containing layer-forming material was dropped onto the silicon wafer at a constant speed for 10 seconds, and after holding for 23 seconds, the wafer was rotated at 2000 rpm (rpm is the rotation speed per minute) for 1 second, at 600 rpm for 30 seconds, and then rotated at 2000 rpm for 10 seconds to dry the wafer.
  • the first substrate to which the organic substance-containing layer-forming material was applied was heated for 1 hour at 200° C. in a nitrogen atmosphere.
  • a resin layer (thickness: 1 ⁇ m) containing a siloxane bond and an imide bond was formed as an organic substance-containing layer serving as a first bonding layer on the first substrate, and a first laminate was obtained.
  • the resin layer contains the following structure including a siloxane bond and an imide bond.
  • a silicon wafer (second substrate) having a SiO 2 layer (second bonding layer) with a thickness of 0.1 nm to 10 nm formed on its surface was prepared.
  • the organic substance-containing layer in the first laminate obtained above was subjected to O2 plasma treatment as a surface activation treatment using a plasma treatment device (SUSS PL12).
  • the first laminate was fixed to a metal holder and set in a load lock chamber of a plasma processing apparatus.
  • the load lock chamber was evacuated to a vacuum level of 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the first laminate was transferred from the load lock chamber to a plasma processing chamber.
  • the plasma processing chamber was evacuated to a vacuum level of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • Oxygen gas was introduced into the plasma processing chamber to adjust the pressure in the plasma processing chamber.
  • O2 plasma oxygen gas plasma
  • the plasma processing chamber was evacuated to a vacuum, and the first laminate after the plasma processing was carried out into a load lock chamber.
  • the load lock chamber was vented with oxygen gas, and opened to the atmosphere, and the first laminate after the plasma processing was taken out from the load lock chamber.
  • the Si content (atomic %) in the organic-substance-containing layer in the first laminate was measured at a total of seven points, namely, the surface at a depth of 0 nm and six points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm.
  • the Si content at each measurement point was measured using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS, ESCA) under the following conditions.
  • the Si content was derived from the ratio (%) of the integrated intensity of the peak components from 95 eV to 110 eV, which are peak components derived from silicon atoms, to the integrated intensity of all peak components from 95 eV to 540 eV in the spectral range from 0 eV to 13,000 eV. Measurements at points other than the surface were performed while sputtering and etching the organic substance-containing layer.
  • Quantera II manufactured by PHI
  • X-ray source monochromatic Al (1486.6 eV)
  • Detection area 200 ⁇ m ⁇
  • Sputtering conditions Ar, +1.0 kV Sputtering rate: 2 nm/min ( SiO2 equivalent value)
  • Measurement locations a total of seven locations: before sputtering (i.e., the surface), and six locations at 0.5 min after sputtering, 1.5 min after sputtering, 3 min after sputtering, 6 min after sputtering, 11 min after sputtering, and 15 min after sputtering.
  • the amount of O segregation in the organic-containing layer (value at surface - minimum value among 6 points) was measured in the same manner as in the measurement of the amount of Si segregation in the organic-containing layer, except that the O content (atomic %) was calculated based on the integrated intensity of 525 to 540 eV, which is a peak component derived from oxygen (O) atoms.
  • the amount of Si segregation in organic substance-containing layer (value at surface - value at one point at a depth of 7 nm) was determined in the same manner as the amount of Si segregation in the organic-containing layer (value at the surface ⁇ minimum value among the six points), except that the six measurement points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm were changed to one measurement point at a depth of 7 nm, and the value obtained by subtracting the value at the depth of 7 nm from the measurement value at the surface was used as the amount of Si segregation (atomic %).
  • Table 1 The results are shown in Table 1.
  • the amount of O segregation in the organic-containing layer (value at surface - value at one point at a depth of 7 nm) was determined in the same manner as the amount of O segregation in the organic-containing layer (value at the surface ⁇ minimum value among six points), except that the six measurement points at depths of 1 nm, 3 nm, 6 nm, 12 nm, 22 nm, and 30 nm were changed to one measurement point at a depth of 7 nm, and the value obtained by subtracting the value at the depth of 7 nm from the measurement value at the surface was used as the amount of O segregation (atomic %).
  • Table 1 The results are shown in Table 1.
  • the composite elastic modulus is defined by the following formula (1):
  • Er represents the composite elastic modulus
  • Ei represents the Young's modulus of the indenter and is 1140 GPa
  • ⁇ i represents the Poisson's ratio of the indenter and is 0.07
  • Es and ⁇ s represent the Young's modulus and Poisson's ratio of the sample, respectively.
  • the bonding strength between the first laminate and the second laminate at room temperature 25° C.
  • the bonding strength at room temperature 25° C.
  • the results are shown in Table 1.
  • the bonding strength at room temperature was determined by a blade insertion test according to the method of MP Maszara, G. Goetz, A. Cavigila, and J. B. McKitterick, Journal of Applied Physics, 64 (1988) 4943-4950.
  • a blade having a thickness of 0.1 mm to 0.3 mm was inserted at room temperature ( 25° C.) into the bonding interface between the first laminate and the second laminate in the substrate laminate (i.e., the bonding interface between the organic substance-containing layer in the first laminate and the SiO 2 layer in the second laminate), and the distance from the blade tip to the position where the first laminate and the second laminate peeled off was measured using an infrared light source and an infrared camera, and the surface energy was calculated based on the obtained distance according to the following formula. The obtained surface energy was determined as the bonding strength.
  • ⁇ 3 ⁇ 109 ⁇ tb2 ⁇ E2 ⁇ t6 /(32 ⁇ L4 ⁇ E ⁇ t3 )
  • ⁇ represents the surface energy (J/ m2 )
  • tb represents the blade thickness (m)
  • E represents the Young's modulus (GPa) of the silicon substrate contained in the first laminate and the second laminate
  • t represents the thickness (m) of the first laminate and the second laminate
  • L represents the distance from the blade tip to the position where the first laminate and the second laminate are peeled off.
  • Example 2 The same operation as in Example 1 was performed, except that the O2 gas used in the surface activation treatment was changed to N2 gas instead of O2 plasma treatment, thereby changing the surface activation treatment to N2 plasma treatment.
  • the results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out, except that the surface activation treatment was not carried out. The results are shown in Table 1.
  • Examples 1 and 2 in which the surface activation treatment was performed on the organic-containing layer, had superior bonding strength at room temperature between the first laminate and the second laminate, compared to Comparative Example 1, in which the surface activation treatment was not performed on the organic-containing layer.
  • Example 1 and Comparative Example 1 In Comparative Examples 2 and 3, the same operations as in Example 1 and Comparative Example 1 were carried out, respectively, except for the following points. The results are shown in Table 2. --Changes to Example 1 and Comparative Example 1-- As the first laminate, instead of the silicon wafer with an organic substance-containing layer in Example 1 and Comparative Example 1, a silicon wafer with a SiO 2 layer similar to the second laminate was used. The SiO2 layer in the first laminate was subjected to a surface activation treatment. The SiO2 layer of the first laminate after the surface activation treatment was washed with water at 25° C. for 30 seconds.
  • the first laminate (i.e., silicon wafer with SiO2 layer) and the second laminate (i.e., silicon wafer with SiO2 layer) after the water washing were bonded at room temperature (25°C) in such a manner that the SiO2 layer of the first laminate and the SiO2 layer of the second substrate were in contact with each other to obtain a substrate laminate.
  • the bonding conditions were in the atmosphere, at room temperature, and pressure of 0.2 MPa for 1 second.

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Abstract

第１の基板及び第１の接合層を含み、第１の接合層が有機物含有層を含み、有機物含有層の表面が露出している第１の積層体を準備し、かつ、第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体を準備する工程Ａと、第１の積層体における有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施す工程Ｂと、工程Ｂを経た第１の積層体と、第２の積層体と、を、第１の積層体における有機物含有層と、第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合させて基板積層体を得る工程Ｃと、を含む、基板積層体の製造方法。

Description

基板積層体の製造方法、積層体、及び基板積層体
　本開示は、基板積層体の製造方法、積層体、及び基板積層体に関する。
　近年、基板同士を接合して基板積層体を製造する技術についての検討がなされている。
　例えば特許文献１には、第１の半導体ウエハの表面側に配線層を形成する工程と、第１の半導体ウエハの周縁領域と、該周縁領域よりも内側の内側領域との境に形成された前記配線層上の段差であって、前記周縁領域における配線層上の表面が前記内側領域における配線層上の表面よりも低く形成されることによって形成された段差を埋め込むように埋め込み膜を形成し、周縁領域と内側領域における配線層上の表面をほぼ面一とする工程と、前記第１の半導体ウエハに形成された配線層上の表面と第２の半導体ウエハの所望の面とを向かい合わせて貼り合わせる工程と、を有する半導体装置の製造方法が開示されている。
　特許文献１：特開２０１２－１７４９３７号公報
　基板同士を接合して基板積層体を製造する場合、基板同士を低温（例えば、１４０℃以下。以下同じ。）で接合する技術が求められる。
　基板同士を低温で接合することができれば、基板積層体を製造する際のプロセススピードが向上することが期待される。
　例えば、基板同士を低温で永久接合することが可能となれば、昇温・降温を少なくでき、プロセススピードが大幅に向上する。
　また、低温で基板同士を仮接合し、その後、加熱によって基板同士を永久接合する場合においても、低温で仮接合の強度が向上すれば、基板積層体に加わるトータルでの熱ダメージを低減できることが期待される。
　本開示において、「基板同士を接合する」との概念には、基板及び層を含む積層体と、基板及び層を含む積層体と、を接合することも包含される。
　本開示は上記に鑑みてなされた。
　本開示の一態様の課題は、基板同士を低温（例えば１４０℃以下）で接合する際の接合強度を向上させることができる基板積層体の製造方法、上記基板積層体の製造方法における一原料として好適な積層体、及び、基板同士の接合強度に優れる基板積層体を提供することである。
　前記課題を解決するための具体的手段は以下の態様を含む。
＜１＞　第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出している第１の積層体を準備し、かつ、第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体を準備する工程Ａと、
　前記第１の積層体における前記有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施す工程Ｂと、
　前記工程Ｂを経た前記第１の積層体と、前記第２の積層体と、を、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合させて基板積層体を得る工程Ｃと、
を含む、基板積層体の製造方法。
＜２＞　前記有機物含有層が、Ｓｉを含む、＜１＞に記載の基板積層体の製造方法。
＜３＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、＜１＞又は＜２＞に記載の基板積層体の製造方法。
＜４＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～５０原子％である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
 
＜５＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜６＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～７０原子％である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜７＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９８２で規定される表面粗さＲａが、５ｎｍ以下である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜８＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面において、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が、５原子％～７０原子％である、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜９＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面において、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が、１０原子％～８０原子％である、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１０＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の複合弾性率が、１ＧＰａ～２０ＧＰａである、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１１＞　前記基板積層体における、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度が、０．２Ｊ／ｍ２以上である、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１２＞　前記第２の接合層は、無機材料層を含み、前記無機材料層の表面が露出しており、
　前記工程Ｃは、前記第１の積層体における前記有機物含有層の前記表面と、前記第２の基板における前記無機材料層の前記表面と、を接合させる、
＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１３＞　前記第１の基板の熱膨張率と前記第２の基板の熱膨張率とが異なる、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１４＞　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面が、シラノール基を含む、＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１５＞　前記有機物含有層が、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１６＞　前記表面活性化処理が、プラズマ処理、高速原子線照射、及びオゾン処理からなる群より選択される少なくとも１種である、＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１７＞　前記プラズマ処理が、酸素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理からなる群より選択される少なくとも１種である、＜１６＞に記載の基板積層体の製造方法。
＜１８＞　前記工程Ｃにおける、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合面の温度が、１４０℃以下である、＜１＞～＜１７＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜１９＞　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層が第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出している、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜２０＞　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層が第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出しており、
　前記工程Ａで準備される前記第２の積層体において、前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、前記第２の積層体において、前記第２の電極の表面と前記絶縁層の表面とが露出しており、
　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体は、
　前記第１の基板と、前記有機物含有層と、前記絶縁層と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第１の積層領域と、
　前記第１の基板と、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第２の積層領域と、
を含む、
＜１＞～＜１９＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜２１＞　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体において、前記第１の積層領域が、積層方向に２つ以上存在し、かつ、前記第２の積層領域が、積層方向に２つ以上存在する、＜２０＞に記載の基板積層体の製造方法。
＜２２＞　前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｓ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｔａ、及びＮｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む半導体基板である、＜１＞～＜２１＞のいずれか１つに記載の基板積層体の製造方法。
＜２３＞　第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出しており、
　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、
積層体。
＜２４＞　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～５０原子％である、＜２３＞に記載の積層体。
＜２５＞　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、＜２３＞又は＜２４＞に記載の積層体。
＜２６＞　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～７０原子％である、
＜２３＞～＜２５＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜２７＞　前記有機物含有層の複合弾性率が、１ＧＰａ～２０ＧＰａである、＜２３＞～＜２６＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜２８＞　前記有機物含有層が、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜２３＞～＜２７＞のいずれか１つに記載の積層体。
＜２９＞　＜２３＞～＜２８＞のいずれか１つに記載の積層体である第１の積層体と、
　第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体と、
を含み、
　前記第１の積層体及び前記第２の積層体は、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合されている、
基板積層体。
＜３０＞　表面エネルギーで表した、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度が、０．２Ｊ／ｍ２以上である、＜２９＞に記載の基板積層体。
＜３１＞　前記第１の接合層が、第１の電極を更に含み、
　前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、
　前記有機物含有層と前記絶縁層とが接合され、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とが接合されている、
＜２９＞又は＜３０＞に記載の基板積層体。
　本開示の一態様によれば、基板同士を低温（例えば１４０℃以下）で接合する際の接合強度を向上させることができる基板積層体の製造方法、上記基板積層体の製造方法における一原料として好適な積層体、及び、基板同士の接合強度に優れる基板積層体が提供される。
本開示の製造方法の好ましい一例における工程Ａの概略断面図である。 本開示の製造方法の好ましい一例における工程Ｃで得られる基板積層体の概略断面図である。
　本開示において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
〔基板積層体の製造方法〕
　本開示の基板積層体の製造方法（以下、「本開示の製造方法」ともいう）は、
　第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出している第１の積層体を準備し、かつ、第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体を準備する工程Ａと、
　前記第１の積層体における前記有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施す工程Ｂと、
　前記工程Ｂを経た前記第１の積層体と、前記第２の積層体と、を、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合させて基板積層体を得る工程Ｃと、
を含む。
　本開示の製造方法は、必要に応じ、その他の工程を含んでいてもよい。
　本開示の製造方法によれば、基板同士（即ち、第１の積層体及び第２の積層体）を低温（例えば１４０℃以下）で接合する際の接合強度（以下、単に「低温での接合強度」ともいう）を向上させることができる。
　かかる効果は、第１の積層体における第２の積層体との接合界面である有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施すことによる効果と考えられる。
　本開示における低温（例えば１４０℃以下）での接合強度の一例として、後述の実施例における、室温（２５℃）での接合強度が挙げられる。
　前記基板積層体における、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度は、例えば０．２Ｊ／ｍ２以上、好ましくは１．０Ｊ／ｍ２以上、更に好ましくは２．０Ｊ／ｍ２以上である。
　以下、本開示の製造方法の好ましい態様について説明する。
＜工程Ａ＞
　本開示の製造方法は、工程Ａを含む。
　工程Ａは、
第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出している第１の積層体を準備し、かつ、
第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体を準備する
工程である。
　工程Ａは、第１の積層体を製造する工程であってもよいし、すでに製造されている第１の積層体を単に準備するだけの工程であってもよい。
　同様に、工程Ａは、第２の積層体を製造する工程であってもよいし、すでに製造されている第２の積層体を単に準備するだけの工程であってもよい。
（第１の積層体）
　第１の積層体は、第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出している積層体である。
－第１の基板－
　第１の基板の材質は、特に限定されず、通常使用されるものであればよい。
　第１の基板は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｓ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｔａ及びＮｂからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含むことが好ましく、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ及びＡｓからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む半導体基板であることが好ましい。
　第１の基板の材質として、具体的には、例えば；
Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ等の半導体；ホウ素珪酸ガラス（パイレックス（登録商標））、石英ガラス（ＳｉＯ２）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、等の酸化物、炭化物、又は窒化物；
ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＬｉＴａＯ３、ガドリウムガリウムガーネット(Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２)、等の圧電体又は誘電体；
ダイヤモンド；
Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｂ等の金属；
カーボン；
ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリベンゾオキサゾール等の樹脂；
などが挙げられる。
　各材質を含む第１の基板の主な用途として、次のものが挙げられる。
　Ｓｉは、半導体メモリー、ＬＳＩ、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＭＥＭＳ、光学デバイス、ＬＥＤなどに使用される。
　ＳｉＯ２は、ＭＥＭＳ封止、マイクロ流路、２．５Ｄ実装用インターポーザー、ディスプレイなどに使用される。
　ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３，ＳｒＴｉＯ３、ＬｉＴａＯ３、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２は、表面弾性波デバイスなどに使用される。
　ＰＤＭＳは、マイクロ流路などに使用される。
　ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰは、光学デバイスなどに使用される。
　ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＧａＮは、ＬＥＤなどに使用される。
　第１の基板の材質については、例えば、国際公開第２０２２／５４８３９号の段落００９７～００９８の記載等の公知文献を参照してもよい。
－第１の接合層－
－－有機物含有層－－
　第１の接合層は有機物含有層を含む。
　第１の積層体において、有機物含有層の表面が露出している。
　この有機物含有層の表面が、第２の積層体との接合面となる。
　有機物含有層は、有機物を少なくとも１種含有する。
　有機物含有層は、無機フィラー等の無機物を含有してもよい。
　有機物含有層に含有される有機物は、好ましくは樹脂である。
　樹脂としては、ポリイミド、ＢＣＢ、ポリマレイミド、シロキサンイミド、エポキシ変性シロキサン、ポリベンゾオキサゾールなどが挙げられる。
　また、樹脂としては、後述する組成物Ａの硬化物又は後述する組成物Ｂの硬化物も挙げられる。
　有機物含有層は、Ｓｉを含むことが好ましい。
　これにより、低温での接合強度がより向上する。
　本開示の製造方法において、前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面は、好ましくはシラノール基を含む。これにより、低温での接合強度がより向上する。
　本開示の製造方法において、前記有機物含有層は、好ましくは、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む。これにより、低温での接合強度がより向上する。
　シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む態様の有機物含有層は、例えば、後述する組成物Ａ又は後述する組成物Ｂを用いて形成され得る。
　本開示の製造方法は、低温での接合強度をより向上させる観点から、前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であることが好ましい。この場合において、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値（即ち、表面におけるＳｉ偏析量）は、好ましくは３原子％～５０原子％、より好ましくは５原子～３０原子％、更に好ましくは１０原子％～２５原子％、更に好ましくは１０原子％～１８原子％である。
　上述の構成とした場合、以下の効果が得られると考えられる。
　即ち、有機物含有層の表面にＳｉの含有率が多く存在することで、低温での接合強度がより向上し、かつ、有機物含有層の内部でのＳｉの含有率が、有機物含有層の表面でのＳｉの含有率に比べて少ないことにより、有機物含有層の柔軟性を高めることができ、ボイドを生じにくくすることができると考えられる。
　ここで、１ｎｍ等の深さは、有機物含有層の表面（即ち、第２の積層体との接合面）からの深さを意味する。
　Ｓｉ含有率の測定条件については、後述の実施例を参照することができる。
　上述の原子％でのＳｉの含有率の前記表面での測定値は、低温での接合強度をより向上させる観点から、好ましくは５原子％～７０原子％、より好ましくは１０原子％～５０原子％、更に好ましくは１５原子％～３５原子％である。
　また、有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ７ｎｍの位置と、において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値の方が前記深さ７ｎｍの位置での測定値よりも大きいことが好ましい。この場合において、前記表面での測定値から前記深さ７ｎｍの位置での測定値を差し引いた値（即ち、表面におけるＳｉ偏析量）は、好ましくは３原子％～５０原子％、より好ましくは１５原子％～２５原子％である。
　上述の構成とした場合、以下の効果が得られると考えられる。
　即ち、有機物含有層の表面にＳｉの含有率が多く存在することで、低温での接合強度がより向上し、かつ、有機物含有層の内部でのＳｉの含有率が、有機物含有層の表面でのＳｉの含有率に比べて少ないことにより、有機物含有層の柔軟性を高めることができ、ボイドを生じにくくすることができると考えられる。
　本開示の製造方法は、低温での接合強度をより向上させる観点から、前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯ（酸素）の含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であることが好ましい。この場合において、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値は、好ましくは３原子％～７０原子％、より好ましくは３５原子％～５０原子％である。
　Ｏ含有率の測定条件については、後述の実施例を参照することができる。
　上述の原子％でのＯの含有率の前記表面での測定値は、低温での接合強度をより向上させる観点から、好ましくは１０原子％～８０原子％、より好ましくは３０原子％～７０原子％、更に好ましくは５０原子％～７０原子％である。
　また、有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ７ｎｍの位置と、において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値の方が前記深さ７ｎｍの位置での測定値よりも大きいことが好ましい。この場合において、前記表面での測定値から前記深さ７ｎｍの位置での測定値を差し引いた値（即ち、表面におけるＳｉ偏析量）は、好ましくは３原子％～７０原子％、より好ましくは３５原子％～５０原子％である。
　本開示の製造方法は、面同士の接合面積を増やしやすくして低温での接合強度をより向上させる観点から、前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９８２で規定される表面粗さＲａが、好ましくは５ｎｍ以下であり、より好ましくは３ｎｍ以下、さらに好ましくは２ｎｍ以下である。
　上記表面粗さＲａの下限は特に制限はないが、例えば０．０１ｎｍである。
　表面粗さＲａの測定方法は、後述の実施例を参照することができる。
　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の複合弾性率は、特に制限はないが、例えば１ＧＰａ～２０ＧＰａであり、好ましくは２ＧＰａ～１５ＧＰａ、更に好ましくは３ＧＰａ～１０ＧＰａである。
　複合弾性率の測定方法は、後述の実施例を参照することができる。
－－第１の電極－－
　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層は、第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出していることが好ましい。
　第１の電極としては、Ｃｕ、金、スズ等を含む電極が挙げられる。
　第１の電極としては、有機物含有層を貫通する電極が挙げられる。
　第１の積層体は、第１の電極以外にも、第１の基板を貫通する基板貫通電極を含んでいてもよい。
（第２の積層体）
　第２の積層体は、第２の基板及び第２の接合層を含む。
－第２の基板－
　第２の基板としては、第１の基板と同様のものが挙げられる。
　第２の基板の材質は、第１の基板の材質と同種であってもよいし、異なっていてもよい。
　本開示の製造方法において、第１の基板の熱膨張率（ＣＴＥ）と第２の基板の熱膨張率（ＣＴＥ）とは異なっていてもよい。
　一般的には、ＣＴＥが異なる２つの基板を接合させた基板積層体では、反りや割れが生じやすい傾向となる。
　しかし本開示の製造方法では、前述のとおり、基板同士を低温（例えば１４０℃以下）で接合することができるので、第１の基板の熱膨張率（ＣＴＥ）と第２の基板の熱膨張率（ＣＴＥ）とが異なる場合においても、基板積層体の反りや割れを抑制できる。
－第２の接合層－
　第２の積層体における第２の接合層は、絶縁層を含み得る。
　絶縁層としては、無機材料層及び有機物含有層の少なくとも一方が好ましい。
　第２の接合層に含まれ得る有機物含有層としては、第１の積層体に含まれる有機物含有層と同様のものが挙げられる。
　第２の接合層に含まれ得る無機材料層としては、ＳｉＯ２層、ＳｉＣＮ層、又はＳｉＮ層等が挙げられる。これらの無機材料層は、例えば、公知の気相法によって形成され得る。
　第２の積層体における第２の接合層が無機材料層を含む態様は、基材積層体を形成した時の内部応力をより低減できるので、基板の反り及び／又は割れをより抑制できるという利点を有する。
　また、工程Ａで準備する第２の積層体における第２の接合層が無機材料層を含む態様は、基材積層体を形成した時の内部応力をより低減できるので、後述する第１の電極及び第２の電極の接合が行われる場合には、第１の電極及び第２の電極の接合の安定性にも優れる。
　工程Ａで準備する第２の積層体における第２の接合層が無機材料層を含む場合、無機材料層が露出していること（即ち、第１の積層体における有機物含有層との接合面となること）が好ましい。
　この場合、第２の積層体は、最表層である第２の接合層として無機材料層を含み、かつ、その下層側に（即ち、第２の基板に近い側に）有機物含有層を含んでいてもよい。即ち、第２の積層体は、無機材料層（第２の接合層）／有機物含有層／第２の基板の積層構造を有していてもよい。
　一方、工程Ａで準備する第２の積層体における第２の接合層が、有機物含有層を含む態様は、接合部に異物が存在した場合における接合不良を抑制できるという利点を有する。
　この場合の第２の積層体は、最表層である第２の接合層として有機物含有層を含み、かつ、その下層側に（即ち、第２の基板に近い側に）無機材料層を含んでいてもよい。即ち、第２の積層体は、有機物含有層（第２の接合層）／無機材料層／第２の基板の積層構造を有していてもよい。
　前記工程Ａで準備される前記第２の積層体において、前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、前記第２の積層体において、前記第２の電極の表面と前記絶縁層の表面とが露出していることが好ましい。
　この態様によれば、第１の積層体と第２の積層体とをハイブリッド接合させ得る。
　ハイブリッド接合については後述する。
＜工程Ｂ＞
　本開示の製造方法は、前記第１の積層体における前記有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施す工程Ｂを含む。
　工程Ｂにおける表面活性化処理は、好ましくは、プラズマ処理、高速原子線照射、及びオゾン処理からなる群より選択される少なくとも１種である。
　これにより、低温での接合強度がより向上する。
　前記プラズマ処理は、酸素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理からなる群より選択される少なくとも１種である。
　酸素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理のそれぞれの測定方法は、後述の実施例を参照できる。
　酸素ガス又は窒素ガスのガス流量は、好ましくは５ｓｃｃｍ～２００ｓｃｃｍ、より好ましくは１０ｓｃｃｍ～１００ｓｃｃｍ、更に好ましくは１０ｓｃｃｍ～６０ｓｃｃｍである。
　処理圧力は、好ましくは１０Ｐａ～１００Ｐａ、より好ましくは２０Ｐａ～８０Ｐａである。
　ＲＦ電力は、好ましくは１０Ｗ～２００Ｗ、より好ましくは２０Ｗ～１５０Ｗである。
　処理時間は、好ましくは１０秒～２００秒、より好ましくは２０秒～１００秒である。
　工程Ｂは、前記第１の積層体における前記有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施した後、水洗浄を行うことを含んでもよい。
　これにより、低温での接合強度がより向上する。
＜工程Ｃ＞
　本開示の製造方法は、工程Ｃを含む。
　工程Ｃは、前記工程Ｂを経た前記第１の積層体と、前記第２の積層体と、を、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合させて基板積層体を得る工程である。
　前記工程Ｃにおける、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合面の温度は、例えば１４０℃以下である。
　前述したとおり、本開示の製造方法の好ましい態様は、
　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層が第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出しており、
　前記工程Ａで準備される前記第２の積層体において、前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、前記第２の積層体において、前記第２の電極の表面と前記絶縁層の表面とが露出している態様である。
　この態様によれば、第１の積層体と第２の積層体とをハイブリッド接合させ得る。
　ハイブリッド接合は、配線間隔の狭ピッチ化の点で有利である。
　本開示において、ハイブリッド接合とは、電極及び絶縁層が露出した２つの面同士を接触させることにより、電極同士を接合し、かつ、絶縁層同士を接合する形態の接合を意味する。
　上述した態様の場合のハイブリッド接合では、第１の積層体と第２の積層体とを接合させる際に、第１接合層における第１の電極と第２の接合層における第２の電極とを接合させ、かつ、第１の接合層における有機物含有層と第２の接合層における絶縁層とを接合させる。
　ハイブリッド接合の具体的な方法については、公知の方法を適宜参照し得る。
　以下、本開示の製造方法の好ましい一例として、第１の積層体及び第２の積層体をハイブリッド接合させて基板積層体を得る場合の例を、図１及び図２を参照しながら説明する。
　但し、本開示の製造方法は、以下の具体例には限定されない。
　以下の説明において、実質的に同一の要素（例えば部品又は部分）については、同一の符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
　図１は、本開示の製造方法の好ましい一例における工程Ａの概略断面図である。
　図１に示されるように、本一例では、第１の積層体１０及び第２の積層体２０をそれぞれ準備する。
　第１の積層体１０は、第１の基板１１と、第１の接合層１６と、を含む。
　第１の接合層１６は、有機物含有層１２と、第１の電極１４と、を含む。有機物含有層１２の表面、及び、第１の電極１４の表面は、それぞれ露出している。
　工程Ｂでは、この有機物含有層１２の表面に、表面活性化処理が施され、次いで水洗浄が施される。
　第２の積層体２０は、第２の基板２１と、第２の接合層２６と、を含む。
　第２の接合層２６は、無機材料層２２と、第２の電極２４と、を含む。無機材料層２２の表面、及び、第２の電極２４の表面は、それぞれ露出している。
　図２は、本開示の製造方法の好ましい一例における工程Ｃで得られる基板積層体の概略断面図である。
　図２に示されるように、基板積層体１００は、第１の積層体１０と第２の積層体２０とが、第１の接合層１６及び第２の接合層２６が接する向きに接合される。
　この際、ハイブリッド接合により、第１の電極１４と第２の電極２４とが接合され、かつ、有機物含有層１２と、無機材料層２２と、が接合される。
　上述した好ましい一例では、第１の積層体１０と第２の積層体２０との接合（即ち、貼り合わせ前）に、工程Ｂにおいて、有機物含有層１２の表面に、表面活性化処理が施される。このため、低温で第１の積層体１０と第２の積層体２０との接合を行った場合の接合強度に優れる。
　上述した第１の積層体と第２の積層体とをハイブリッド接合させ得る態様において、
　工程Ｃで得られる前記基板積層体は、好ましくは、
　前記第１の基板と、前記有機物含有層と、前記絶縁層と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第１の積層領域と、
　前記第１の基板と、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第２の積層領域と、
を含む。
　第１の積層領域及び第２の積層領域は、前述したハイブリッド接合によって形成され得る。
　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体において、第１の積層領域は、１つのみ存在していてもよいし、２つ以上存在していてもよい。第１の積層領域が２つ以上存在する場合、第１の積層体及び第２の積層体の少なくとも一方が、積層方向に２つ以上存在する。
　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体において、第２の積層領域は、１つのみ存在していてもよいし、２つ以上存在していてもよい。第２の積層領域が２つ以上存在する場合も、第１の積層体及び第２の積層体の少なくとも一方が、２つ以上存在する。
　例えば、図示は省略するが、基板の一方の面上に第１の接合層を設け、かつ、基板の他方の面上に第２の接合層を設け、得られた基板を、３つ以上積層させることにより、第１の積層領域及び第２の積層領域を２つ以上存在させることができる。この場合の基板は、第１の接合層が設けられている側では第１の積層体として機能し、第２の接合層が設けられている側では第２の積層体として機能する。
 
〔積層体〕
＜第１実施形態＞
　本開示の第１実施形態に係る積層体は、第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出しており、
　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である積層体である。前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値は、好ましくは３原子％～５０原子％である。
　本開示の第１実施形態に係る積層体は、本開示の基板積層体の製造方法における第１の積層体として用いられることが好ましい。
　本開示の第１実施形態に係る積層体の好ましい態様は、本開示の基板積層体の製造方法における第１の積層体の好ましい態様と同様である。
　例えば、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であることが好ましい。この場合において、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値は、好ましくは３原子％～７０原子％である。
　また、有機物含有層の複合弾性率は、好ましくは１ＧＰａ～２０ＧＰａである。
　また、有機物含有層は、好ましくは、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
＜第２実施形態＞
　本開示の第２実施形態に係る積層体は、第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出しており、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ７ｎｍの位置と、において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が前記深さ７ｎｍの位置での測定値よりも大きい積層体である。前記表面での測定値から前記深さ７ｎｍの位置での測定値を差し引いた値は、好ましくは３原子％～５０原子％である。
　本開示の第２実施形態に係る積層体の好ましい態様は、本開示の基板積層体の製造方法における第１の積層体の好ましい態様と同様である。
＜第３実施形態＞
　本開示の第３実施形態に係る積層体は、第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出しており、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ７ｎｍの位置と、において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が前記深さ７ｎｍの位置での測定値よりも大きい積層体である。前記表面での測定値から前記深さ７ｎｍの位置での測定値を差し引いた値は、好ましくは３原子％～７０原子％である。
　本開示の第２実施形態に係る積層体の好ましい態様は、本開示の基板積層体の製造方法における第１の積層体の好ましい態様と同様である。
〔基板積層体〕
＜第１実施形態＞
　本開示の第１実施形態の基板積層体は、
　前述した第１実施形態の積層体である第１の積層体と、
　第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体と、
を含み、
　前記第１の積層体及び前記第２の積層体は、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合されている、
基板積層体である。
　第１実施形態の基板積層体において、表面エネルギーで表した、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度は、好ましくは０．２Ｊ／ｍ２以上である。表面エネルギーは後述するブレード挿入試験により求めることができる。
　第１実施形態の基板積層体は、ボイドの合計の面積の割合（ボイド面積率）が、３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。
　ボイド面積率は、赤外光透過観察において、ボイドの面積の合計を、透過光を観測できた面積の合計で除し、かつ１００を乗じて算出した値である。
　赤外光透過観察が困難な場合は、超音波顕微鏡の反射波、超音波顕微鏡の透過波、又は赤外光反射光を用いて、好ましくは超音波顕微鏡の反射波を用いて同様の手法で求めることができる。
　第１実施形態の基板積層体において、
　前記第１の接合層が、第１の電極を更に含み、
　前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、
　前記有機物含有層と前記絶縁層とが接合され、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とが接合されていることが好ましい。
　この態様は、前述したハイブリッド接合の態様である。
　従って、配線間隔の狭ピッチ化の点で有利である。
＜第２実施形態＞
　本開示の第２実施形態の基板積層体は、本開示の第１実施形態の基板積層体における第１実施形態の積層体を、第２実施形態の積層体に変更したものである。
＜第３実施形態＞
　本開示の第３実施形態の基板積層体は、本開示の第１実施形態の基板積層体における第１実施形態の積層体を、第３実施形態の積層体に変更したものである。
 
〔有機物含有層を形成するための組成物の具体例〕
　以下、本開示における有機物含有層を形成するための組成物の具体例である組成物Ａ及び組成物Ｂについて説明する。
　有機物含有層を形成するための組成物については、例えば、国際公開２０１８／１９９１１７号、国際公開第２０２２／０５４８３９号、特開２０２１－１８２６２１号公報等の公知文献を参照してもよい。
＜組成物Ａ＞
　組成物Ａは、
　１級窒素原子及び２級窒素原子の少なくとも１つを含むカチオン性官能基と、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ結合）と、アミノ基と、を有する、重量平均分子量１３０以上１００００以下の化合物（Ａ）と、
　分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基（Ｘは、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基である）を３つ以上有し、３つ以上の－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基のうち、１つ以上６つ以下が－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基であり、重量平均分子量が２００以上６００以下である化合物（Ｂ）と、を含む、組成物である。
　上記組成物Ａは、化合物（Ａ）及び化合物（Ｂ）を含有することにより、均一な厚さの接着層（即ち、本開示における有機物含有層。以下同じ。）とすることができ、かつ基板同士の接合強度にも優れている。更に、接着層の厚さを薄くしても基板同士の接合強度にも優れているため、小型化を図りつつ多層の三次元構造を形成する際に有利である。また、接着層の厚さを薄くできるため、基板積層体を製造する際に溶媒を揮発させやすく、ボイドの発生が抑制される。また、ボイドの発生が抑制されるため、接着面積が小さくなりにくく、基板の意図せぬ剥離を抑制することができる。
（化合物（Ａ））
　化合物（Ａ）は、１級窒素原子及び２級窒素原子の少なくとも１つを含むカチオン性官能基と、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ結合）と、アミノ基と、を有する、重量平均分子量１３０以上１００００以下の化合物である。
　カチオン性官能基としては、正電荷を帯びることができ、かつ１級窒素原子及び２級窒素原子の少なくとも１つを含む官能基であれば特に限定されない。
　更に、化合物（Ａ）は、１級窒素原子及び２級窒素原子のほかに、３級窒素原子を含んでいてもよい。
　本明細書において、「１級窒素原子」とは、水素原子２つ及び水素原子以外の原子１つのみに結合している窒素原子（例えば、１級アミノ基（－ＮＨ２基）に含まれる窒素原子）、又は、水素原子３つ及び水素原子以外の原子１つのみに結合している窒素原子（カチオン）を指す。
　また、「２級窒素原子」とは、水素原子１つ及び水素原子以外の原子２つのみに結合している窒素原子（即ち、下記式（ａ）で表される官能基に含まれる窒素原子）、又は、水素原子２つ及び水素原子以外の原子２つのみに結合している窒素原子（カチオン）を指す。
　また、「３級窒素原子」とは、水素原子以外の原子３つのみに結合している窒素原子（即ち、下記式（ｂ）で表される官能基である窒素原子）、又は、水素原子１つ及び水素原子以外の原子３つのみに結合している窒素原子（カチオン）を指す。
　式（ａ）及び式（ｂ）において、＊は、水素原子以外の原子との結合位置を示す。
　ここで、前記式（ａ）で表される官能基は、２級アミノ基（－ＮＨＲａ基；ここで、Ｒａはアルキル基を表す）の一部を構成する官能基であってもよいし、ポリマーの骨格中に含まれる２価の連結基であってもよい。
　また、前記式（ｂ）で表される官能基（即ち、３級窒素原子）は、３級アミノ基（－ＮＲｂＲｃ基；ここで、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、アルキル基を表す）の一部を構成する官能基であってもよいし、ポリマーの骨格中に含まれる３価の連結基であってもよい。
　化合物（Ａ）の重量平均分子量は、１３０以上１００００以下であり、１３０以上５０００以下であることがより好ましく、１３０以上２０００以下であることが更に好ましい。
　なお、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）法によって測定された、ポリエチレングリコール換算の重量平均分子量を指す。
　具体的には、重量平均分子量は、展開溶媒として硝酸ナトリウム濃度０．１ｍｏｌ／Ｌの水溶液を用い、分析装置Shodex DET RI-101及び２種類の分析カラム（東ソー製　TSKgel G6000PWXL-CP及びTSKgel G3000PWXL-CP）を用いて流速１．０ｍＬ／ｍｉｎで屈折率を
検出し、ポリエチレングリコール／ポリエチレンオキサイドを標準品として解析ソフト(Waters製　Empower3）にて算出される。
　また、化合物（Ａ）は、必要に応じて、アニオン性官能基、ノニオン性官能基等を更に有していてもよい。
　前記ノニオン性官能基は、水素結合受容基であっても、水素結合供与基であってもよい。前記ノニオン性官能基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、エーテル基（－Ｏ－）、等を挙げることができる。
　前記アニオン性官能基は、負電荷を帯びることができる官能基であれば特に制限はない。前記アニオン性官能基としては、例えば、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸基等を挙げることができる。
　化合物（Ａ）としては、例えば、シロキサンジアミン、アミノ基を有するシランカップリング剤、アミノ基を有するシランカップリング剤のシロキサン重合体などが挙げられる。
　アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば下記式（Ａ－３）で表される化合物が挙げられる。
　式（Ａ－３）中、Ｒ１は置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、置換（骨格にカルボニル基、エーテル基等を含んでもよい）されていてもよい炭素数１～１２のアルキレン基、エーテル基又はカルボニル基を表す。Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～４のアルキレン基又は単結合を表す。Ａｒは２価又は３価の芳香環を表す。Ｘ１は水素又は置換されていてもよい炭素数１～５のアルキル基を表す。Ｘ２は水素、シクロアルキル基、ヘテロ環基、アリール基又は置換（骨格にカルボニル基、エーテル基等を含んでもよい）されていてもよい炭素数１～５のアルキル基、を表す。複数のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｘ１は同じであっても異なっていてもよい。
　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｘ１、Ｘ２におけるアルキル基及びアルキレン基の置換基としては、それぞれ独立に、アミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、シアノ基、カルボン酸基、スルホン酸基、ハロゲン等が挙げられる。
　Ａｒにおける２価又は３価の芳香環としては、例えば、２価又は３価のベンゼン環が挙げられる。Ｘ２におけるアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルベンジル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。
　式（Ａ－３）で表されるシランカップリング剤の具体例としては、例えば、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノイソブチルジメチルメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－１１－アミノウンデシルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリエトキシシラン、メチルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ－［２－［３－（トリメトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、３－アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３－アミノプロピルジメチルメトキシシラン、トリメトキシ[２－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピル]シラン、ジアミノメチルメチルジエトキシシラン、メチルアミノメチルメチルジエトキシシラン、ｐ－アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、アセトアミドプロピルトリメトキシシラン、及びこれらの加水分解物が挙げられる。
　式（Ａ－３）以外のアミノ基を含むシランカップリング剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ビス［３－（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、ビス[（３－トリエトキシシリル）プロピル]アミン、ピペラジニルプロピルメチルジメトキシシラン、ビス[３－（トリエトキシシリル）プロピル]ウレア、ビス（メチルジエトキシシリルプロピル）アミン、２
，２－ジメトキシー１，６－ジアザ―２－シラシクロオクタン、３，５－ジアミノ－Ｎ－（４－（メトキシジメチルシリル）フェニル）ベンズアミド、３，５－ジアミノ－Ｎ－（４－（トリエトキシシリル）フェニル）ベンズアミド、５－（エトキシジメチルシリル）ベンゼン－１，３－ジアミン、及びこれらの加水分解物が挙げられる。
　前述のアミノ基を有するシランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、アミノ基を有するシランカップリング剤と、アミノ基を有しないシランカップリング剤とを組み合わせて用いてもよい。例えば、金属との密着性改善のためメルカプト基を有するシランカップリング剤を用いてもよい。
　また、これらのシランカップリング剤から、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を介して形成される重合体（シロキサン重合体）を用いてもよい。例えば、３－アミノプロピルトリメトキシシランの加水分解物からは、線形シロキサン構造を有する重合体、分岐状シロキサン構造を有する重合体、環状シロキサン構造を有する重合体、かご状シロキサン構造を有する重合体等が得られる。かご状シロキサン構造は、例えば、下記式（Ａ－１）で表される。
　シロキサンジアミンとしては、例えば、下記式（Ａ－２）で表される化合物が挙げられる。なお、式（Ａ－２）中、ｉは０～４の整数、ｊは１～３の整数、Ｍｅはメチル基である。
　また、シロキサンジアミンとしては、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（式（Ａ－２）において、ｉ＝０、ｊ＝１）、１，３－ビス（２－アミノエチルアミノ）プロピルテトラメチルジシロキサン（式（Ａ－２）において、ｉ＝１、ｊ＝１）が挙げられる。
　化合物（Ａ）は、一級又は二級のアミノ基を有するため、第１の基板及び第２の基板の表面に存在し得る水酸基、エポキシ基、カルボキシ基、アミノ基、メルカプト基等の官能基との静電相互作用により、又は、前記官能基との共有結合を密に形成することにより、基板同士を強く接着することができる。
　また、化合物（Ａ）は、一級又は二級のアミノ基を有するため、後述の極性溶媒（Ｄ）に容易に溶解する。極性溶媒（Ｄ）に容易に溶解する化合物（Ａ）を用いることで、シリコン基板などの基板の親水性表面との親和性が高くなるため、平滑な膜を形成しやすく、接着層の厚さを薄くすることができる。
　化合物（Ａ）としては、アミド、アミドイミド、イミドなどの熱架橋構造を形成して耐熱性をより向上させる観点から、Ｓｉ－Ｏ結合と１級アミノ基とを有する化合物が好ましい。
　化合物（Ａ）中の１級窒素原子及び２級窒素原子の合計数と、ケイ素原子の数との比率（１級窒素原子及び２級窒素原子の合計数／ケイ素原子の数）が０．２以上５以下であると、平滑な薄膜形成の点から好ましい。
　化合物（Ａ）は、基板同士の接着性の点より、Ｓｉ元素と、Ｓｉ元素に結合するメチル基などの非架橋性基とのモル比が、（非架橋性基）／Ｓｉ＜２の関係を満たすことが好ましい。この関係を満たすことにより、形成される膜の架橋（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合とアミド結合、イミド結合等との架橋）密度が向上し、基板同士が十分な接着力を有し、基板の剥離を抑制できると推測される。
　前述のように、化合物（Ａ）は、１級窒素原子及び２級窒素原子の少なくとも１つを含むカチオン性官能基を有する。ここで、化合物（Ａ）が１級窒素原子を含む場合には、化合物（Ａ）中の全窒素原子中に占める１級窒素原子の割合が２０モル％以上であることが好ましく、２５モル％以上であることがより好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましい。また、化合物（Ａ）は、１級窒素原子を含み、かつ１級窒素原子以外の窒素原子（例えば、２級窒素原子、３級窒素原子）を含まないカチオン性官能基を有していてもよい。
　また、化合物（Ａ）が２級窒素原子を含む場合には、化合物（Ａ）中の全窒素原子中に占める２級窒素原子の割合が５モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上４５モル％以下であることがより好ましい。
　また、化合物（Ａ）は、１級窒素原子及び２級窒素原子のほかに、３級窒素原子を含んでいてよく、化合物（Ａ）が３級窒素原子を含む場合には、化合物（Ａ）中の全窒素原子中に占める３級窒素原子の割合が２０モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、２５モル％以上４５モル％以下であることがより好ましい。
　本実施形態において、接着層中における化合物（Ａ）由来の成分の含有量は、特に制限されず、例えば、接着層全体に対して１質量％以上８２質量％以下とすることができ、５質量％以上８２質量％以下であることが好ましく、１３質量％以上８２質量％以下であることがより好ましい。
（化合物（Ｂ））
　化合物（Ｂ）は、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基（Ｘは、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基である）を３つ以上有し、３つ以上の－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基（以下、「ＣＯＯＸ」とも称する。）のうち、１つ以上６つ以下が－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基（以下、「ＣＯＯＨ」とも称する。）であり、重量平均分子量が２００以上６００以下である化合物である。
　化合物（Ｂ）は、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基（Ｘは、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基である。）を３つ以上有する化合物であるが、好ましくは、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基を３つ以上６つ以下有する化合物であり、より好ましくは、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基を３つ又は４つ有する化合物である。
　化合物（Ｂ）において、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基中のＸとしては、水素原子又は炭素数１以上６以下のアルキル基が挙げられ、中でも、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基が好ましい。なお、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基中のＸは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
　化合物（Ｂ）は、分子内にＸが水素原子である－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を１つ以上６つ以下有する化合物であるが、好ましくは、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を１つ以上４つ以下有する化合物であり、より好ましくは、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を２つ以上４つ以下有する化合物であり、更に好ましくは、分子内に－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を２つ又は３つ有する化合物である。
　化合物（Ｂ）は、重量平均分子量が２００以上６００以下の化合物である。好ましくは、２００以上４００以下の化合物である。
　化合物（Ｂ）は、分子内に環構造を有することが好ましい。環構造としては、脂環構造、芳香環構造などが挙げられる。また、化合物（Ｂ）は、分子内に複数の環構造を有していてもよく、複数の環構造は、同じであっても異なっていてもよい。
　脂環構造としては、例えば、炭素数３以上８以下の脂環構造、好ましくは炭素数４以上６以下の脂環構造が挙げられ、環構造内は飽和であっても不飽和であってもよい。より具体的には、脂環構造としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環などの飽和脂環構造；シクロプロペン環、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などの不飽和脂環構造が挙げられる。
　芳香環構造としては、芳香族性を示す環構造であれば特に限定されず、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環などのベンゼン系芳香環、ピリジン環、チオフェン環などの芳香族複素環、インデン環、アズレン環などの非ベンゼン系芳香環などが挙げられる。
　化合物（Ｂ）が分子内に有する環構造としては、例えば、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ベンゼン環及びナフタレン環からなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、接着層の耐熱性をより高める点から、ベンゼン環及びナフタレン環の少なくとも一方がより好ましい。
　前述したように、化合物（Ｂ）は、分子内に複数の環構造を有していてもよく、環構造がベンゼンの場合、ビフェニル構造、ベンゾフェノン構造、ジフェニルエーテル構造などを有してもよい。
　化合物（Ｂ）が分子内に有する環構造としては、２つ以上の－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基を有する環構造が好ましい。
　化合物（Ｂ）は、分子内にフッ素原子を有することが好ましく、分子内に１つ以上６つ以下のフッ素原子を有することがより好ましく、分子内に３つ以上６つ以下のフッ素原子を有することが更に好ましい。例えば、化合物（Ｂ）は、分子内にフルオロアルキル基を有していてもよく、具体的には、トリフルオロアルキル基又はヘキサフルオロイソプロピル基を有していてもよい。
　更に、化合物（Ｂ）としては、脂環カルボン酸、ベンゼンカルボン酸、ナフタレンカルボン酸、ジフタル酸、フッ化芳香環カルボン酸などのカルボン酸化合物；脂環カルボン酸エステル、ベンゼンカルボン酸エステル、ナフタレンカルボン酸エステル、ジフタル酸エステル、フッ化芳香環カルボン酸エステルなどのカルボン酸エステル化合物が挙げられる。なお、カルボン酸エステル化合物は、分子内にカルボキシ基（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基）を有し、かつ、３つ以上の－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基において、少なくとも１つのＸが炭素数１以上６以下のアルキル基（すなわち、エステル結合を有する）である化合物である。本実施形態では、化合物（Ｂ）がカルボン酸エステル化合物であることにより、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との会合による凝集が抑制され、凝集体及びピットが少なくなり、膜厚の調整が容易となる。
　前記カルボン酸化合物としては、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を４つ以下含む４価以下のカルボン酸化合物であることが好ましく、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基を３つ又は４つ含む３価又は４価のカルボン酸化合物であることがより好ましい。
　前記カルボン酸エステル化合物としては、分子内にカルボキシ基（－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ基）を３つ以下含み、かつエステル結合を３つ以下含む化合物であることが好ましく、分子内にカルボキシ基を２つ以下含み、かつエステル結合を２つ以下含む化合物であることがより好ましい。
　また、前記カルボン酸エステル化合物では、３つ以上の－Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ基において、Ｘが炭素数１以上６以下のアルキル基である場合、Ｘは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが好ましいが、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）との会合による凝集をより抑制する点から、エチル基又はプロピル基であることが好ましい。
　前記カルボン酸化合物の具体例としては、これらに限定されず、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、１，３，５－シクロヘキサントリカルボン酸、１，２，４－シクロヘキサントリカルボン酸、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４，５，６－シクロヘキサンヘキサカルボン酸等の脂環カルボン酸；１，２，４－ベンゼントリカルボン酸、１，３，５－ベンゼントリカルボン酸、ピロメリット酸、ベンゼンペンタカルボン酸、メリト酸等のベンゼンカルボン酸；１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸等のナフタレンカルボン酸；３，３’，５，５’－テトラカルボキシジフェニルメタン、ビフェニル－３，３’，５，５’－テトラカルボン酸、ビフェニル－３，４’，５－トリカルボン酸、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸、４，４’－オキシジフタル酸、３，４’－オキシジフタル酸、１，３－ビス（フタル酸）テトラメチルジシロキサン、４，４’－（エチン－１，２－ジニル）ジフタル酸（4,4'-(Ethyne-1,2-diyl)diphthalic acid）、４，４‘－（１，４－フェニレンビス（オキシ））ジフタル酸
（4,4'-(1,4-phenylenebis(oxy))diphthalic acid）、４，４’－（[１，１’－ビフェニル]－４，４’－ジルビス（オキシ））ジフタル酸（4,4'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diylbis(oxy))diphthalic acid）、４，４’－（（オキシビス（４，１－フェニレン））ビス（オキシ））ジフタル酸（4,4'-((oxybis(4,1-phenylene))bis(oxy))diphthalic acid）等
のジフタル酸；ペリレン－３，４，９，１０－テトラカルボン酸等のペリレンカルボン酸；アントラセン－２，３，６，７－テトラカルボン酸等のアントラセンカルボン酸；４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸、９，９－ビス（トリフルオロメチル）－９Ｈ－キサンテン－２，３，６，７－テトラカルボン酸、１，４－ジトリフルオロメチルピロメリット酸等のフッ化芳香環カルボン酸が挙げられる。
　前記カルボン酸エステル化合物の具体例としては、前述のカルボン酸化合物の具体例における少なくとも１つのカルボキシ基がエステル基に置換された化合物が挙げられる。カルボン酸エステル化合物としては、例えば、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－６）で表されるハーフエステル化された化合物が挙げられる。
　一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－６）におけるＲは、それぞれ独立に炭素数１以上６以下のアルキル基であり、中でもメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が好ましく、エチル基、プロピル基がより好ましい。
　ハーフエステル化された化合物は、例えば、前述のカルボン酸化合物の無水物であるカルボン酸無水物を、アルコール溶媒に混合し、カルボン酸無水物を開環させて生成することが可能である。
　本実施形態において、接着層中における化合物（Ｂ）由来の成分の含有量は、特に制限されず、例えば、化合物（Ａ）由来物質中の全窒素原子の数に対する化合物（Ｂ）由来の物質中のカルボニル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｙ）の数の比率（（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｙ）／Ｎ）は、０．１以上３．０以下であることが好ましく、０．３以上２．５以下であることがより好ましく、０．４以上２．２以下であることが更に好ましい。ここで、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｙにおいて、Ｙはイミド架橋若しくはアミド架橋された窒素原子、ＯＨ、又はエステル基を表す。（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｙ）／Ｎが０．１以上３．０以下であることにより、接着層は、アミド、アミドイミド、イミドなどの熱架橋構造を好適に有し、耐熱性により優れる。
　化合物（Ａ）は未架橋カチオン性官能基を有しているため、接着層の成分として、化合物（Ａ）を含み、かつ化合物（Ｂ）を含まない場合には、架橋密度が低く、耐熱性が十分で無いことが考えられる。一方、接着層では、化合物（Ａ）のカチオン性官能基と、化合物（Ｂ）のカルボキシ基とが反応して共有結合を形成することで、架橋密度が大きくなり、高い耐熱性を有する。
（化合物（Ｃ））
　組成物Ａは、下記の化合物（Ｃ）をさらに含有していてもよい。
　化合物（Ｃ）は、環構造及び前記環構造に直接結合した１つ以上の１級窒素原子を有する化合物である。
　化合物（Ｃ）は、化合物（Ａ）とともに化合物（Ｂ）と反応して硬化物を形成する。
　化合物（Ｃ）は、環構造と、前記環構造に直接結合した１つ以上の１級窒素原子を有している。この構造が硬化物中に導入されることで、硬化物の剛直性が増して熱膨張率が低下すると考えられる。
　化合物（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本開示において「環構造に直接結合した１級窒素原子」とは、環構造に単結合で（すなわち、炭素原子等を介さずに）結合している１級窒素原子（－ＮＨ２）を意味する。
　化合物（Ｃ）が分子内に有する環構造に直接結合した１級窒素原子の数は、１つ以上であれば特に制限されない。架橋密度を高める観点からは、２つ以上であることが好ましく、１級アミノ基を２つ有するジアミン化合物又は１級アミノ基を３つ有するトリアミン化合物がより好ましい。
　化合物（Ｃ）は、分子内に１つの環構造を有していても、複数の環構造を有していてもよい。化合物（Ｃ）が分子内に複数の環構造を有する場合、それぞれの環構造に直接結合した１級窒素原子を含むカチオン性官能基を有していても、いずれかの環構造のみに直接結合した１級窒素原子を含むカチオン性官能基を有していてもよい。
　化合物（Ｃ）が分子内に複数の環構造を有する場合、複数の環構造は、同じであっても異なっていてもよく、縮合環を形成してもよい。あるいは、複数の環構造が単結合で結合していても、エーテル基、カルボニル基、スルホニル基、メチレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
　化合物（Ｃ）に含まれる環構造としては、脂環構造、芳香環（複素環を含む）構造、これらの縮合環構造などが挙げられる。
　脂環構造としては、炭素数３以上８以下、好ましくは炭素数４以上６以下の脂環構造が挙げられる。環構造内は飽和であっても不飽和であってもよい。より具体的には、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環などの飽和脂環構造；シクロプロペン環、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などの不飽和脂環構造が挙げられる。
　芳香環構造としては、炭素数６以上２０以下、好ましくは炭素数６以上１０以下の芳香環構造が挙げられる。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環などのベンゼン系芳香環構造、ピリジン環、チオフェン環、インデン環、アズレン環などの非ベンゼン系芳香環構造などが挙げられる。
　複素環構造としては、３員環から１０員環、好ましくは５員環又は６員環の複素環構造が挙げられる。複素環に含まれるヘテロ原子としては硫黄原子、窒素原子及び酸素原子が挙げられ、これらのうち１種のみでも２種以上であってもよい。
　複素環構造として具体的には、オキサゾール環、チオフェン環、ピロール環、ピロリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、イソシアヌル環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、トリアジン環、インドール環、インドリン環、キノリン環、アクリジン環、ナフチリジン環、キナゾリン環、プリン環、キノキサリン環等が挙げられる。
　化合物（Ｃ）が分子内に有する環構造としては、ベンゼン環、シクロヘキサン環、及びベンゾオキサゾール環がより好ましい。
　化合物（Ｃ）が分子内に有する環構造は、１級窒素原子以外の置換基を有していてもよい。例えば、炭素数１以上６以下のアルキル基、ハロゲン原子が置換したアルキル基等を有していてもよい。
　化合物（Ｃ）の重量平均分子量は、特に制限されない。例えば、８０以上６００以下であってもよく、９０以上５００以下であってもよく、１００以上４５０以下であってもよい。
　化合物（Ｃ）としては、脂環式アミン、芳香環アミン、窒素を含有する複素環を有する複素環アミン、複素環と芳香環の両方を有するアミン化合物などが挙げられる。
　脂環式アミンとして具体的には、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミノシクロヘキサンなどが挙げられる。
　芳香環アミンとして具体的には、ジアミノジフェニルエーテル、キシレンジアミン（好ましくはパラキシレンジアミン）、ジアミノベンゼン、ジアミノトルエン、メチレンジアニリン、ジメチルジアミノビフェニル、ビス（トリフルオロメチル）ジアミノビフェニル、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノベンズアニリド、ビス（アミノフェニル）フルオレン、ビス（アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）ビフェニル、ジカルボキシジアミノジフェニルメタン、ジアミノレゾルシン、ジヒドロキシベンジジン、ジアミノベンジジン、１，３，５－トリアミノフェノキシベンゼン、２，２’－ジメチルベンジジン、トリス（４－アミノフェニル）アミンなどが挙げられる。
　窒素を含有する複素環を有する複素環アミンとして具体的には、メラミン、アンメリン、メラム、メレム、トリス（４－アミノフェニル）アミンなどが挙げられる。
　複素環と芳香環の両方を有するアミン化合物として具体的には、Ｎ２，Ｎ４，Ｎ６－トリス（４－アミノフェニル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリアミン、２－（４－アミノフェニル）ベンゾオキサゾール－５－アミンなどが挙げられる。
　組成物Ａにおける化合物（Ｃ）の含有量は、化合物（Ａ）に含まれる１級窒素原子及び２級窒素原子と化合物（Ｃ）に含まれる１級窒素原子との合計に占める化合物（Ａ）に含まれる１級窒素原子の割合が３モル％～９５モル％となる量であれば、特に制限されない。
　熱膨張率と接合強度とのバランスの観点からは、上記割合は５モル％～７５モル％であることが好ましく、１０モル％～５０モル％であることがより好ましく、１０モル％～３０モル％であることがさらに好ましい。
（極性溶媒）
　組成物Ａは、極性溶媒を含んでもよい。本開示において「極性溶媒」とは、室温（２５℃）における比誘電率が５以上である溶媒を指す。
　組成物Ａが極性溶媒を含んでいると、組成物Ａ中の各成分の溶解性が向上する。
　極性溶媒は、１種のみを単独で用いても、２種以上を組み合わせてもよい。
　極性溶媒として具体的には、水、重水などのプロトン性溶媒；メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブチルアルコール、イソペンチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、ベンジルアルコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリンなどのアルコール類；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル類；フルフラール、アセトン、エチルメチルケトン、シクロヘキサノンなどのアルデヒド・ケトン類；無水酢酸、酢酸エチル、酢酸ブチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ホルムアルデヒド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ヘキサメチルリン酸アミドなどの酸誘導体；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；及びニトロメタン、ニトロベンゼンなどのニトロ化合物；ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物が挙げられる。
　極性溶媒としては、プロトン性溶媒を含むことが好ましく、水を含むことがより好ましく、超純水を含むことがさらに好ましい。
　組成物Ａが極性溶媒を含む場合、その含有量は特に限定されず、例えば、組成物Ａ全体に対して１．０質量％以上９９．９９８９６質量％以下であってもよく、４０質量％以上９９．９９８９６質量％以下であってもよい。
（添加剤）
　組成物Ａは、必要に応じて添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、カルボキシ基を有する重量平均分子量４６以上１９５以下の酸、及び窒素原子を有する重量平均分子量１７以上１２０以下の環構造を有しない塩基が挙げられる。
　組成物Ａがカルボキシ基を有する重量平均分子量４６以上１９５以下の酸を含むことにより、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）の１級又は２級窒素原子と、酸におけるカルボキシ基とがイオン結合を形成することで、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）と化合物（Ｂ）との会合による凝集が抑制されると推測される。より詳細には、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）に由来するアンモニウムイオンと酸におけるカルボキシ基に由来するカルボキシラートイオンとの相互作用（例えば、静電相互作用）が、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）に由来するアンモニウムイオンと化合物（Ｂ）におけるカルボキシ基に由来するカルボキシラートイオンとの相互作用よりも強いため、凝集が抑制されると推測される。なお、本発明は上記推測によって何ら限定されない。
　カルボキシ基を有する重量平均分子量４６以上１９５以下の酸の種類は特に限定されず、モノカルボン酸化合物、ジカルボン酸化合物、オキシジカルボン酸化合物などが挙げられる。より具体的には、ギ酸、酢酸、マロン酸、シュウ酸、安息香酸、乳酸、グリコール酸、グリセリン酸、酪酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、フタル酸、テレフタル酸、ピコリン酸、サリチル酸、３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸などが挙げられる（ただし、化合物（Ｂ）に該当するものを除く）。
　組成物Ａが重量平均分子量４６以上１９５以下の酸を含む場合、その含有量は特に制限されないが、例えば、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）の１級及び２級窒素原子の合計数に対する酸のカルボキシ基の数の比率（ＣＯＯＨ／Ｎ）が、０．０１以上１０以下となる量が好ましく、０．０２以上６以下となる量がより好ましく、０．５以上３以下となる量がさらに好ましい。
　組成物Ａが窒素原子を有する重量平均分子量１７以上１２０以下の塩基を含むことで、化合物（Ｂ）のカルボキシ基と塩基のアミノ基とがイオン結合を形成することで、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）と化合物（Ｂ）との会合による凝集が抑制されると推測される。より詳細には、化合物（Ｂ）におけるカルボキシ基に由来するカルボキシラートイオンと塩基におけるアミノ基に由来するアンモニウムイオンとの相互作用が、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）に由来するアンモニウムイオンと化合物（Ｂ）におけるカルボキシ基に由来するカルボキシラートイオンとの相互作用よりも強いため、凝集が抑制されると推測される。なお、本発明は上記推測によって何ら限定されない。
　窒素原子を有する重量平均分子量１７以上１２０以下の化合物の種類は特に限定されず、モノアミン化合物、ジアミン化合物などが挙げられる（ただし、化合物（Ａ）及び化合物（Ｃ）に該当するものを除く）。より具体的には、アンモニア、エチルアミン、エタノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ－アセチルエチレンジアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）グリシンなどが挙げられる。
　組成物Ａが重量平均分子量１７以上１２０以下の塩基を含む場合、その含有量は特に制限されないが、例えば、化合物（Ｂ）中のカルボキシ基の数に対する塩基の窒素原子の数の比率（Ｎ／ＣＯＯＨ）が、０．５以上５以下であることが好ましく、０．９以上３以下であることがより好ましい。
（その他の成分）
　組成物Ａに対し、プラズマエッチング耐性の選択性が求められる場合（例えばギャップフィル材料や埋め込み絶縁膜として用いる場合）、下記一般式（Ｉ）で表される金属アルコキシドを含んでもよい。
　Ｒ１ｎＭ（ＯＲ２）ｍ－ｎ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ１は非加水分解性基であり、Ｒ２は炭素数１～６のアルキル基であり、ＭはＴｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｙ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｎｄ及びＩｎの金属原子群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を示し、ｍは金属原子Ｍの価数で、３又は４であり、ｎは、ｍが４の場合は０～２の整数、ｍが３の場合は０又は１であり、Ｒ１が複数ある場合、各Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、ＯＲ２が複数ある場合、各ＯＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
　組成物Ａから製造される膜に絶縁性が求められる場合（例えばシリコン貫通ビア用絶縁膜用途、埋め込み絶縁膜用途）において、絶縁性又は機械強度改善の為、シラン化合物（ただし、化合物（Ａ）に該当するものを除く）を含んでもよい。
　シラン化合物として具体的には、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ビストリエトキシシリルエタン、ビストリエトキシシリルメタン、ビス（メチルジエトキシシリル）エタン、１，１，３，３，５，５－ヘキサエトキシ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン、１，３，５，７－テトラメチル―１，３，５，７－テトラヒドロキシルシクロシロキサン、１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジエトキシジシルエチレン、１，３，５－トリメチル－１，３，５－トリメチル－１，３，５－トリエトキシ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン、アミノ基以外の官能基（エポキシ基、メルカプト基等）を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
　組成物Ａは、極性溶媒以外の溶媒を含んでいてもよい。極性溶媒以外の溶媒としては、ノルマルヘキサンなどが挙げられる。
　組成物Ａは、例えば銅の腐食を抑制するため、ベンゾトリアゾール又はその誘導体を含有していてもよい。
　組成物ＡのｐＨは特に限定されないが、２．０以上１２．０以下であることが好ましい。
　組成物ＡのｐＨが２．０以上１２．０以下であると、組成物Ａによる基板へのダメージが抑制される。
　組成物Ａは、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。ナトリウム又はカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０質量ｐｐｂ以下であれば、トランジスタの動作不良など半導体装置の電気特性に不都合が発
生することを抑制できる。
　組成物Ａが化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）以外の成分を含む場合、化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）の合計質量が、組成物Ａ中の不揮発分の合計質量の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。本開示において「不揮発分」とは、組成物Ａが硬化物になる際に除去される成分（溶媒等）以外の成分をいう。
 
＜組成物Ｂ＞
　組成物Ｂは、下記一般式（１）で表される構造を有し、分子量が４００～５０００である化合物（Ｘ１）、及び一般式（２）で表される構造を有し、分子量が４００～５０００である化合物（Ｘ２）の少なくともいずれかを含む。
　一般式（１）において、Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数６以下の有機基であり、Ｒ２はメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はフェニレン基であり、ａは２又は３であり、ｂは３－ａの数であり、Ｘ１はカルボン酸二無水物に由来する構造である。
　一般式（２）において、Ｒ１及びＲ３はそれぞれ独立に炭素数６以下の有機基であり、Ｒ２はメチレン基、エチレン基、プロピレン基又はフェニレン基であり、ａは２又は３であり、ｂは３－ａの数であり、Ｘ１はカルボン酸二無水物に由来する構造であり、Ｘ２はアミン化合物に由来する構造であり、ｎは正の数である。
　上記組成物Ｂによれば、化合物（Ｘ１）又は化合物（Ｘ２）の前駆体であるシランカップリング剤、カルボン酸二無水物、アミン化合物などが未反応の状態で含まれる組成物Ｂに比べ、残留応力の少ない樹脂層を形成できる。その理由は必ずしも明らかではないが、例えば、基板上に組成物Ｂを付与する前に化合物（Ｘ１）又は化合物（Ｘ２）の前駆体が反応した状態であることで、これらの前駆体を基板上で反応させて樹脂層を形成する場合に比べ、反応に伴う樹脂層の硬化収縮が抑制されて、樹脂層の残留応力が低減することが考えられる。
　一般式（１）において、Ｘ１はカルボン酸二無水物に由来する構造であり、好ましくは環構造を含む。また、Ｘ１に結合しているアミド基とカルボキシ基とは基板上で反応してイミド結合を形成する。このため、得られる樹脂層は優れた耐熱性を示す。
　一般式（１）において、ａは２であることが好ましい。
　一般式（１）において、Ｒ１及びＲ３で表される炭素数６以下の有機基としては炭素数６以下、好ましくは炭素数３以下、より好ましくは炭素数２以下のアルキル基が挙げられる。
　一般式（２）において、Ｘ１及びＸ２はそれぞれカルボン酸二無水物及びアミン化合物に由来する構造であり、好ましくは環構造を含む。また、Ｘ１に結合しているアミド基とカルボキシ基とは基板上で反応してイミド結合を形成する。このため、得られる樹脂層は優れた耐熱性を示す。
　一般式（２）において、ａは２であることが好ましい。
　一般式（２）において、Ｒ１及びＲ３で表される炭素数６以下の有機基としては炭素数６以下、好ましくは炭素数３以下、より好ましくは炭素数２以下のアルキル基が挙げられる。
　一般式（２）におけるｎは正の数であれば特に制限されないが、例えば、１以上６以下の範囲内であってもよい。
　一般式（２）で表される化合物（Ｘ２）は、カルボン酸二無水物に由来する構造とアミン化合物に由来する構造とが交互に配列した状態（ポリアミド酸）であってもよい。
　上記組成物Ｂに含まれる化合物（Ｘ１）は、シランカップリング剤（Ａ）と分子量が２００～６００であり環構造を有するカルボン酸二無水物（Ｂ）とが反応して得られる構造を有する化合物であってもよい。
　上記組成物Ｂに含まれる化合物（Ｘ２）は、シランカップリング剤（Ａ）と分子量が２００～６００であり環構造を有するカルボン酸二無水物（Ｂ）とが反応して得られる構造と、分子量が９０～６００であり、Ｓｉ－Ｏ結合を有さず、環構造を有するアミン化合物（Ｃ）と分子量が２００～６００の環構造を有するカルボン酸二無水物（Ｂ）とが反応して得られる構造と、を有する化合物であってもよい。
　本開示において、分子量２００～６００であり環構造を有するカルボン酸二無水物（Ｂ）及び分子量９０～６００の環構造であり、Ｓｉ－Ｏ結合を有さず、環構造を有するアミン化合物（Ｃ）は、それぞれ単にカルボン酸二無水物（Ｂ）及びアミン化合物（Ｃ）と称する場合がある。
（シランカップリング剤（Ａ））
　シランカップリング剤（Ａ）は、１つ以上のＳｉ－Ｏ結合を分子中に有し、カルボン酸二無水物と反応して化合物（Ｘ１）又は化合物（Ｘ２）を生成する化合物である。シランカップリング剤（Ａ）が有するＳｉ－Ｏ結合は、組成物Ｂを用いて形成される樹脂層と基板との接合強度の向上に寄与する。
　シランカップリング剤（Ａ）は、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基と反応しうる官能基を有するものであれば特に制限されない。官能基として具体的には、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。樹脂層の熱膨張率及び接合強度の観点からは、シランカップリング剤（Ａ）はアミノ基を有することが好ましく、樹脂層中にイミド構造を形成して耐熱性を向上させる観点からは１級アミノ基（－ＮＨ２）を有する化合物がより好ましい。
　シランカップリング剤（Ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　シランカップリング剤（Ａ）の分子量は、特に制限されない。例えば、１３０以上１００００以下であってもよく、１３０以上５０００以下であってもよく、１３０以上２０００以下であってもよい。
　アミノ基を有するシランカップリング剤（Ａ）としては、例えば、下記式（Ａ－３）で表される化合物が挙げられる。
　式（Ａ－３）中、Ｒ１は置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基を表す。Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、置換（骨格にカルボニル基、エーテル基等を含んでもよい）されていてもよい炭素数１～１２のアルキレン基、エーテル基又はカルボニル基を表す。Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～４のアルキレン基又は単結合を表す。Ａｒは２価又は３価の芳香環を表す。Ｘ１は水素又は置換されていてもよい炭素数１～５のアルキル基を表す。Ｘ２は水素、シクロアルキル基、ヘテロ環基、アリール基又は置換（骨格にカルボニル基、エーテル基等を含んでもよい）されていてもよい炭素数１～５のアルキル基、を表す。複数のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｘ１は同じであっても異なっていてもよい。
　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｘ１、Ｘ２におけるアルキル基及びアルキレン基の置換基としては、それぞれ独立に、アミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、シアノ基、カルボン酸基、スルホン酸基、ハロゲン等が挙げられる。
　Ａｒにおける２価又は３価の芳香環としては、例えば、２価又は３価のベンゼン環が挙げられる。Ｘ２におけるアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルベンジル基、ビニルベンジル基等が挙げられる。
　式（Ａ－３）で表されるシランカップリング剤の具体例としては、例えば、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノイソブチルジメチルメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－１１－アミノウンデシルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリエトキシシラン、メチルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ－［２－［３－（トリメトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、３－アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３－アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３－アミノプロピルジメチルメトキシシラン、トリメトキシ[２－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピル]シラン、ジアミノメチルメチルジ
エトキシシラン、メチルアミノメチルメチルジエトキシシラン、ｐ－アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、（フェニルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、アセトアミドプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
　式（Ａ－３）以外のアミノ基を含むシランカップリング剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ビス［３－（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、ビス[（３－トリエトキシシリル）プロピル]アミン、ピペラジニルプロピルメチルジメトキシシラン、ビス[３－（トリエトキシシリル）プロピル]ウレア、ビス（メチルジエトキシシリルプロピル）アミン、２
，２－ジメトキシ－１，６－ジアザ－２－シラシクロオクタン、３，５－ジアミノ－Ｎ－（４－（メトキシジメチルシリル）フェニル）ベンズアミド、３，５－ジアミノ－Ｎ－（４－（トリエトキシシリル）フェニル）ベンズアミド、５－（エトキシジメチルシリル）ベンゼン－１，３－ジアミンなどが挙げられる。
　アミノ基を有するシランカップリング剤（Ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（カルボン酸二無水物（Ｂ））
　カルボン酸二無水物（Ｂ）は、分子中に１つ以上の環構造と２つの無水物基を有し、分子量が２００以上６００以下である化合物である。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）の分子量は、２００以上４００以下であってもよい。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）が分子内に有する環構造としては、脂環構造、芳香環（複素環を含む）構造などが挙げられる。カルボン酸二無水物（Ｂ）は、分子内に１つの環構造を有していても、複数の環構造を有していてもよい。
　脂環構造としては、例えば、炭素数３以上８以下の脂環構造、好ましくは炭素数４以上６以下の脂環構造が挙げられ、環構造内は飽和であっても不飽和であってもよい。より具体的には、脂環構造としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環などの飽和脂環構造；シクロプロペン環、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などの不飽和脂環構造が挙げられる。
　芳香環構造としては、芳香族性を示す環構造であれば特に限定されず、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環などのベンゼン系芳香環、ピリジン環、チオフェン環などの芳香族複素環、インデン環、アズレン環などの非ベンゼン系芳香環などが挙げられる。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）が分子内に有する環構造としては、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ベンゼン環及びナフタレン環からなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、樹脂層の耐熱性をより高める点から、ベンゼン環及びナフタレン環の少なくとも一方がより好ましい。さらに、複数の基板間に組成物Ｂを用いて樹脂層を形成する場合に樹脂層中のボイドの発生を抑制する観点から、ベンゼン環を２つ以上含むことが好ましい。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）が分子内に複数の環構造を有する場合、複数の環構造は、同じであっても異なっていてもよく、縮合環を形成してもよい。あるいは、複数の環構造が単結合で結合していても、エーテル基、カルボニル基、スルホニル基、メチレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）は、分子内にフッ素原子を有していてもよい。例えば、分子内に１つ以上６つ以下のフッ素原子を有していてもよく、分子内に３つ以上６つ以下のフッ素原子を有していてもよい。例えば、カルボン酸二無水物（Ｂ）は、分子内にフルオロアルキル基を有していてもよく、具体的には、トリフルオロアルキル基又はヘキサフルオロイソプロピル基を有していてもよい。
　カルボン酸二無水物（Ｂ）の例としては、分子内に環構造と、無水物基を形成可能な４つのカルボキシ基を有する化合物の二無水物が挙げられる。
　例えば、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４，５，６－シクロヘキサンヘキサカルボン酸等の脂環テトラカルボン酸の無水物；
　ピロメリット酸等のベンゼンテトラカルボン酸の二無水物；
　１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸等のナフタレンテトラカルボン酸の二無水物；
　３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸等のビフェニルテトラカルボン酸の二無水物；
　ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸等のベンゾフェノンテトラカルボン酸の二無水物
　４，４’－オキシジフタル酸（ＯＤＰＡ）、３，４’－オキシジフタル酸、１，３－ビス（フタル酸）テトラメチルジシロキサン、４，４’－（エチン－１，２－ジイル）ジフタル酸、４，４’－（１，４－フェニレンビス（オキシ））ジフタル酸、４，４’－（[１，１’－ビフェニル]－４，４’－ジイルビス（オキシ））ジフタル酸、４，４’－（（オキシビス（４，１－フェニレン））ビス（オキシ））ジフタル酸等のジフタル酸の二無水物；
　ペリレン－３，４，９，１０－テトラカルボン酸等のペリレンカルボン酸の二無水物；
　アントラセン－２，３，６，７－テトラカルボン酸等のアントラセンカルボン酸の二無水物；
　４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸、９，９－ビス（トリフルオロメチル）－９Ｈ－キサンテン－２，３，６，７－テトラカルボン酸、１，４－ジトリフルオロメチルピロメリット酸等のフッ化芳香環カルボン酸の二無水物；
　ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボン酸）１，４－フェニレンの二無水物；
　４，４’－（４，４’－イソプロピルイデンジフェノキシ）ジフタル酸（ＩＰＢＤＡ）の二無水物；
　ビス（１，３－ジオキソ－１，３－ジヒドロイソベンゾフラン－５－カルボン酸）１，４－フェニレン（ＴＡＨＱ）の二無水物などが挙げられる。
　組成物Ｂにおけるカルボン酸二無水物（Ｂ）の含有量は、例えば、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基と反応し得るシランカップリング剤（Ａ）の官能基当量数Ａと、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基当量数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が、０．９以上１．１以下となる量であることが好ましく、０．９５以上１．０５以下となる量であることがより好ましく、０．９８以上１．０２以下となる量であることがさらに好ましい。
　組成物Ｂが後述する化合物（Ｃ）等の、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基と反応しうる化合物をさらに含む場合、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基と反応し得る化合物全体の官能基当量数Ａ’と、カルボン酸二無水物（Ｂ）の無水物基当量数Ｂ’との比（Ａ’／Ｂ’）が、０．９以上１．１以下となる量であることが好ましく、０．９５以上１．０５以下となる量であることがより好ましく、０．９８以上１．０２以下となる量であることがさらに好ましい。
（アミン化合物（Ｃ））
　アミン化合物（Ｃ）は、分子中に１つ以上の環構造と１つ以上のアミノ基とを有し、分子量が９０～６００であり、Ｓｉ－Ｏ結合を有さない化合物である。
　アミン化合物（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アミン化合物（Ｃ）が分子中に有するアミノ基の数は１つでも複数でもよいが、樹脂層の熱膨張率低減の観点からは複数であることが好ましく、２つ（ジアミン）又は３つ（トリアミン）であることがより好ましい。樹脂層中にイミド構造を形成して耐熱性を向上させる観点からは、１級アミノ基（－ＮＨ２）を有することがより好ましい。
　樹脂層の熱膨張率低減の観点からは、アミン化合物（Ｃ）は、環構造に直接結合した１つ以上のアミノ基を有することが好ましい。環構造に直接結合したアミノ基に由来する構造が化合物（Ｘ２）の分子構造に含まれていると、分子構造の剛直性が増して熱膨張率がより低下すると考えられる。
　本開示において「環構造に直接結合したアミノ基」とは、環構造に単結合で（すなわち、炭素原子等を介さずに）結合しているアミノ基を意味する。
　アミン化合物（Ｃ）は、分子内に１つの環構造を有していても、複数の環構造を有していてもよい。アミン化合物（Ｃ）が分子内に複数の環構造を有する場合、複数の環構造は、同じであっても異なっていてもよく、縮合環を形成してもよい。あるいは、複数の環構造が単結合で結合していても、エーテル基、カルボニル基、スルホニル基、メチレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
　アミン化合物（Ｃ）に含まれる環構造としては、脂環構造、芳香環（複素環を含む）構造、これらの縮合環構造などが挙げられる。
　脂環構造としては、炭素数３以上８以下、好ましくは炭素数４以上６以下の脂環構造が挙げられる。環構造内は飽和であっても不飽和であってもよい。より具体的には、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環などの飽和脂環構造；シクロプロペン環、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環などの不飽和脂環構造が挙げられる。
　芳香環構造としては、炭素数６以上２０以下、好ましくは炭素数６以上１０以下の芳香環構造が挙げられる。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ペリレン環などのベンゼン系芳香環構造、ピリジン環、チオフェン環、インデン環、アズレン環などの非ベンゼン系芳香環構造などが挙げられる。
　複素環構造としては、３員環から１０員環、好ましくは５員環又は６員環の複素環構造が挙げられる。複素環に含まれるヘテロ原子としては硫黄原子、窒素原子及び酸素原子が挙げられ、これらのうち１種のみでも２種以上であってもよい。
　複素環構造として具体的には、オキサゾール環、チオフェン環、ピロール環、ピロリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、イソシアヌル環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、トリアジン環、インドール環、インドリン環、キノリン環、アクリジン環、ナフチリジン環、キナゾリン環、プリン環、キノキサリン環などが挙げられる。
　アミン化合物（Ｃ）が分子内に有する環構造としては、ベンゼン環、シクロヘキサン環及びベンゾオキサゾール環がより好ましい。
　アミン化合物（Ｃ）が分子内に有する環構造は、アミノ基以外の置換基を有していてもよい。例えば、炭素数１以上６以下のアルキル基、ハロゲン原子が置換したアルキル基等を有していてもよい。
　アミン化合物（Ｃ）の具体例としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。
　脂環式アミンとしては、例えば、シクロヘキシルアミン、ジメチルアミノシクロヘキサンなどが挙げられる。
　芳香環アミンとしては、例えば、ジアミノジフェニルエーテル、キシレンジアミン（好ましくはパラキシレンジアミン）、ジアミノベンゼン、ジアミノトルエン、メチレンジアニリン、ジメチルジアミノビフェニル、ビス（トリフルオロメチル）ジアミノビフェニル（ＴＦＤＢ）、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノベンズアニリド、ビス（アミノフェニル）フルオレン、ビス（アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）ビフェニル、ジカルボキシジアミノジフェニルメタン、ジアミノレゾルシン、ジヒドロキシベンジジン、ジアミノベンジジン、１，３，５－トリアミノフェノキシベンゼン、２，２’－ジメチルベンジジン、トリス（４－アミノフェニル）アミンなどが挙げられる。
　例えば、窒素を含有する複素環を有する複素環アミンとしては、メラミン、アンメリン、メラム、メレム、トリス（４－アミノフェニル）アミンなどが挙げられる。
　さらに、複素環と芳香環の両方を有するアミン化合物としては、Ｎ２，Ｎ４，Ｎ６－トリス（４－アミノフェニル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリアミン、２－（４－アミノフェニル）ベンゾオキサゾール－５－アミン（ＡＡＰＤ）などが挙げられる。
（化合物（Ｘ１）を得る方法）
　シランカップリング剤（Ａ）とカルボン酸二無水物（Ｂ）を反応させて化合物（Ｘ１）を得る方法としては、例えば、カルボン酸二無水物（Ｂ）に溶媒に加えて攪拌しつつ、シランカップリング剤（Ａ）を徐々に滴下することで、化合物（Ｘ１）を得る方法が挙げられる。
（化合物（Ｘ２）を得る方法）
　シランカップリング剤（Ａ）、カルボン酸二無水物（Ｂ）及びアミン化合物（Ｃ）を反応させて化合物（Ｘ２）を得る方法としては、例えば、アミン化合物（Ｃ）に溶媒を加えて攪拌しつつ、カルボン酸二無水物（Ｂ）を加え、得られる反応物（重合体）の粘度が一定になるまで攪拌を行い、続いて、シランカップリング剤（Ａ）を徐々に滴下することで、化合物（Ｘ２）を得る方法が挙げられる。
（樹脂（Ｄ）の前駆体）
　組成物Ｂは、化合物（Ｘ１）及び化合物（Ｘ２）以外の化合物をさらに含んでもよい。例えば、５０℃～１５０℃の間におけるＣＴＥが９０ｐｐｍ／Ｋ以下である樹脂（Ｄ）の前駆体をさらに含んでもよい。組成物Ｂが樹脂（Ｄ）の前駆体を含むことで、得られる樹脂層の熱膨張率がより低減する傾向にある。
　５０℃～１５０℃の間におけるＣＴＥが９０ｐｐｍ／Ｋ以下である樹脂（Ｄ）として具体的には、ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールからなる群から選ばれる少なくとも１つが挙げられる。
　樹脂（Ｄ）のＣＴＥは、樹脂層のＣＴＥと同様にして測定できる。
　組成物Ｂが樹脂（Ｄ）を含む場合、組成物Ｂに含まれる樹脂（Ｄ）の割合は、得られる樹脂層の熱膨張率と接合強度のバランスの観点からは組成物Ｂの不揮発分全体の９９質量％～３０質量％であることが好ましい。本開示において「不揮発分」とは、組成物Ｂが硬化物になる際に除去される成分（溶媒等）以外の成分をいう。
（有機溶媒）
　組成物Ｂは、有機溶媒を含んでもよい。有機溶媒は、化合物（Ｘ）を溶解しうるものであれば特に制限されない。例えば、非プロトン性溶媒、フェノ－ル系溶媒、エーテル系溶媒及びグリコ－ル系溶媒が挙げられる。
　有機溶媒は、１種のみを単独で用いても、２種以上を組み合わせてもよい。
　非プロトン性溶媒として具体的には、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ－メチルカプロラクタム、１，３－ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素等のアミド系溶媒；γ－ブチロラクトン、γ－バレロラクトン等のラクトン系溶媒；ヘキサメチルホスホリックアミド、ヘキサメチルホスフィントリアミド等の含りん系アミド系溶媒；ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒；ピコリン、ピリジン等の３級アミン系溶媒；酢酸（２－メトキシ－１－メチルエチル）等のエステル系溶媒等が挙げられる。
　フェノ－ル系溶媒として具体的には、フェノ－ル、Ｏ－クレゾ－ル、ｍ－クレゾ－ル、ｐ－クレゾ－ル、２，３－キシレノ－ル、２，４－キシレノ－ル、２，５－キシレノ－ル、２，６－キシレノ－ル、３，４－キシレノ－ル、３，５－キシレノ－ル等が挙げられる。
　エ－テル系溶媒及びグリコ－ル系溶媒として具体的には、１，２－ジメトキシエタン、ビス（２－メトキシエチル）エ－テル、１，２－ビス（２－メトキシエトキシ）エタン、ビス［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］エ－テル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等が挙げられる。
　有機溶媒は、常圧における沸点が６０℃～３００℃であることが好ましく、１４０℃～２８０℃であることがより好ましく、１７０℃～２７０℃であることがさらに好ましい。溶媒の沸点が３００℃以下であると、樹脂層の形成工程において有機溶媒を揮発させて除去しやすい。溶媒の沸点を６０℃以上であると、表面状態の均一な樹脂層を得ることができる。
　組成物Ｂが有機溶媒を含む場合、その含有量は特に限定されず、例えば、組成物Ｂ全体に対して１．０質量％以上９９．９９８９６質量％以下であってもよく、４０質量％以上９９．９９８９６質量％以下であってもよい。
（その他の成分）
　組成物Ｂは、必要に応じて上述した成分以外の成分を含んでもよい。
　例えば、組成物Ｂに対し、プラズマエッチング耐性の選択性が求められる場合（例えばギャップフィル材料や埋め込み絶縁膜として用いる場合）、下記一般式（Ｉ）で表される金属アルコキシドを含んでもよい。
　Ｒ１ｎＭ（ＯＲ２）ｍ－ｎ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ１は非加水分解性基、Ｒ２は炭素数１～６のアルキル基であり、ＭはＴｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｂ、Ｇａ、Ｙ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｗ、Ｌａ、Ｎｄ及びＩｎの金属原子群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を示し、ｍは金属原子Ｍの価数で、３又は４であり、ｎは、ｍが４の場合は０～２の整数、ｍが３の場合は０又は１であり、Ｒ１が複数ある場合、各Ｒ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、ＯＲ２が複数ある場合、各ＯＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
　組成物Ｂから製造される膜に絶縁性が求められる場合（例えばシリコン貫通ビア用絶縁膜用途、埋め込み絶縁膜用途）において、絶縁性又は機械強度改善の為、シラン化合物（ただし、シランカップリング剤（Ａ）に該当するものを除く）を含んでもよい。
　シラン化合物として具体的には、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ビストリエトキシシリルエタン、ビストリエトキシシリルメタン、ビス（メチルジエトキシシリル）エタン、１，１，３，３，５，５－ヘキサエトキシ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン、１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラヒドロキシルシクロシロキサン、１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジエトキシジシルエチレン、１，３，５－トリメチル－１，３，５－トリメチル－１，３，５－トリエトキシ－１，３，５－トリシラシクロヘキサン等が挙げられる。
　組成物Ｂは、例えば銅の腐食を抑制するため、ベンゾトリアゾール又はその誘導体を含有していてもよい。
　組成物ＢのｐＨは特に限定されないが、２．０以上１２．０以下であることが好ましい。
　組成物Ｂは、ナトリウム及びカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０質量ｐｐｂ以下であることが好ましい。ナトリウム又はカリウムの含有量がそれぞれ元素基準で１０質量ｐｐｂ以下であれば、トランジスタの動作不良など半導体装置の電気特性に不都合が発生することを抑制できる。
　組成物Ｂは、最大径が０．３μｍ以上の無機または樹脂フィラーの含有量が不揮発分全体の全体の３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましく、０質量％であることがさらに好ましい。
　組成物Ｂに含まれるフィラーの含有量が上記範囲であると、組成物Ｂを用いて形成される樹脂層の厚みを薄くした場合でも、積層体の接合不良を抑制することが出来る。また、樹脂層が形成された第１の基板を、第２の基板に積層する際、各基板に形成されたアラインメントマークを機械で認識し、位置合わせを行う場合があるが、フィラーの含有量が上記範囲であると樹脂膜の透明性が向上し、より正確な位置合わせが可能となる。
 
　以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　以下において、「水」としては、超純水（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製Ｍｉｌｌｉ－Ｑ水、抵抗１８ＭΩ・ｃｍ（２５℃）以下）を使用した。
〔実施例１〕
＜有機物含有層形成用材料を含む溶液の調製＞
　有機物含有層形成用材料を含む溶液を調製した。
　詳細は以下に示すとおりである。
　有機物含有層形成用材料として、３－アミノプロピルジエトキシメチルシラン（３ＡＰＤＥＳ）５０質量％と、水５０質量％と、を配合し、３ＡＰＤＥＳの加水分解物を含む溶液Ａを得た。
　オキシジフタル酸ハーフエステル（式（Ｂ－２）におけるＹがＯでＲがエチル基）７０質量％とエタノール３０質量％とを含む溶液Ｂを得た。
　溶液Ａ２４ｇと、溶液Ｂ１８ｇと、１－プロパノール２０ｇと、水３８ｇと、を配合し、有機物含有層形成用材料を含む溶液を調製した。
＜第１の積層体の準備＞
　第１の基板としてのシリコンウェハをスピンコーターの上にのせ、このシリコンウェハ上に、上記有機物含有層形成用材料を含む溶液２．０ｍＬを１０秒間一定速度で滴下し、２３秒間保持した後、２０００ｒｐｍ（ｒｐｍは１分当たりの回転速度）で１秒間、６００ｒｐｍで３０秒間回転させた後、２０００ｒｐｍで１０秒間回転させて乾燥させた。これにより、第１の基板上に有機物含有層形成用材料を付与した。
　有機物含有層形成用材料が付与された第１の基板を窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱した。これにより、第１の基板上に、第１の接合層としての有機物含有層として、シロキサン結合及びイミド結合を含む樹脂層（厚さ１μｍ）を形成し、第１の積層体を得た。
　ここで、樹脂層は、シロキサン結合及びイミド結合を含む下記構造を含む。
＜第２の積層体の作製＞
　第２の積層体として、表面に、厚さ０．１ｎｍ～１０ｎｍのＳｉＯ２層（第２の接合層）が形成されているシリコンウエハ（第２の基板）を準備した。
＜第１の積層体における有機物含有層に対する表面活性化処理＞
　上記で得られた第１の積層体における有機物含有層に対し、プラズマ処理装置（ＳＵＳＳ社のＰＬ１２）を用い、表面活性化処理としてのＯ２プラズマ処理を施した。
　詳細には、第１の積層体を金属製ホルダーに固定して、プラズマ処理装置のロードロック室にセットした。ロードロック室内の真空引きを行い、ロードロック室内の真空度を１．０×１０－３Ｐａ以下にした。第１の積層体をロードロック室内からプラズマ処理室内に搬送した。プラズマ処理室内の真空引きを行い、プラズマ処理室内の真空度を２．０×１０－４Ｐａ以下にした。プラズマ処理室内に酸素ガスを導入し、プラズマ処理室内の圧力を調整した。
　次に、ＲＦ電力を印加して、下記の処理条件で、第１の積層体における有機物含有層の表面を酸素ガスのプラズマ（即ち、Ｏ２プラズマ）に曝し、表面活性化処理としてのＯ２プラズマ処理を施した。
　次に、プラズマ処理室内を真空排気し、プラズマ処理後の第１の積層体をロードロック室に搬出した。ロードロック室内の酸素ガスでベント操作を行い、大気に開放し、ロードロック室内からプラズマ処理後の第１の積層体を取り出した。
－表面活性化処理の処理条件－
・材料ガス：Ｏ２
・ガス流量：３５ｓｃｃｍ
・処理圧力：４６．７Ｐａ
・ＲＦ電力：１００Ｗ（逆スパッタモード：サンプルホルダーに印加。）
・処理時間：６０秒
＜基板積層体の製造（第１の積層体と第２の積層体との貼り合わせ）＞
　表面活性化処理後の第１の積層体における有機物含有層に対し、２５℃、３０秒の水洗浄を施した。
　次に、第１の積層体と、第２の積層体（即ち、前述した、ＳｉＯ２層付きのシリコンウェハ）と、を、第１の積層体における有機物含有層と、第２の基板における第２の接合層（即ち、ＳｉＯ２層）と、が接する向きに、室温（２５℃）で貼り合わせて基板積層体を得た。貼り合わせの条件は、大気中、室温にて、０．２ＭＰａで１秒間加圧とした。
＜測定及び評価＞
　上記基板積層体を得る過程で、以下の測定及び評価を実施した。
（有機物含有層におけるＳｉ偏析量（表面での値－６点中の最小値））
　有機物含有層の水洗後であって貼り合わせ前において、第１の積層体中の有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率（原子％）を測定した。
　各測定点でのＳｉの含有率の測定は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ，ＥＳＣＡ）を用いて下記条件で行った。
　Ｓｉの含有率（原子％）は、０ｅＶ～１３０００ｅＶのスペクトル範囲において、９５ｅＶ～５４０ｅＶの全成分のピーク成分の積分強度に対するシリコン原子に由来するピーク成分である９５ｅＶ～１１０ｅＶの積分強度の割合（％）から導出した。
　表面以外の測定点については、有機物含有層をスパッタしてエッチングしながら測定した。
－Ｓｉの含有率の測定条件－
・装置：Ｑｕａｎｔｅｒａ　II（ＰＨＩ社製）
・Ｘ線源：単色化Ａｌ（１４８６．６ｅＶ）
・検出領域：２００μｍφ
・スパッタ条件：Ａｒ、＋１．０ｋＶ
・スパッタ速度：２ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ２換算値）
・測定箇所：スパッタ前（即ち、表面）と、スパッタ０．５ｍｉｎ経過時、スパッタ１．５ｍｉｎ経過時、スパッタ３ｍｉｎ経過時、スパッタ６ｍｉｎ経過時、スパッタ１１ｍｉｎ経過時、及びスパッタ１５ｍｉｎ経過時の６点と、の合計７点。
　以上の測定の結果、Ｓｉの含有率（原子％）は、表面での測定値が最大であることが確認された。
　次に、表面での測定値から上記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値を求め、得られた値をＳｉ偏析量（原子％）とした。
　表１に、Ｓｉ偏析量（原子％）、及び、Ｓｉ含有率（原子％）（最大＝表面での測定値）を示す。
（有機物含有層におけるＯ偏析量（表面での値－６点中の最小値））
　酸素（Ｏ）原子に由来するピーク成分である５２５～５４０ｅＶの積分強度を元にＯ含有率（原子％）を算出したこと以外は、有機物含有層におけるＳｉ偏析量の測定と同様にして、有機物含有層におけるＯ偏析量（表面での値－６点中の最小値）を測定した。
　表１に、Ｏ偏析量（原子％）、及び、Ｏ含有率（原子％）（最大＝表面での測定値）を示す。
（有機物含有層におけるＳｉ偏析量（表面での値－深さ７ｎｍの１点での値））
　深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点の測定点を、深さ７ｎｍの１点の測定点に変更し、表面での測定値から深さ７ｎｍの１点を差し引いた値をＳｉ偏析量（原子％）としたこと以外は、有機物含有層におけるＳｉ偏析量（表面での値－６点中の最小値）と同様にして、有機物含有層におけるＳｉ偏析量（表面での値－深さ７ｎｍの１点での値）を求めた。
　結果を表１に示す。
（有機物含有層におけるＯ偏析量（表面での値－深さ７ｎｍの１点での値））
　深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点の測定点を、深さ７ｎｍの１点の測定点に変更し、表面での測定値から深さ７ｎｍの１点を差し引いた値をＯ偏析量（原子％）としたこと以外は、有機物含有層におけるＯ偏析量（表面での値－６点中の最小値）と同様にして、有機物含有層におけるＯ偏析量（表面での値－深さ７ｎｍの１点での値）を求めた。
　結果を表１に示す。
（有機物含有層の表面の表面粗さＲａ）
　有機物含有層の水洗後であって貼り合わせ前において、第１の積層体中の有機物含有層の表面の表面粗さＲａを測定した。
　表面粗さＲａは、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）であるＳＰＡ４００（日立ハイテクノロジーズ製）を用い、ダイナミックフォースマイクロスコープモードにて、３μｍ×３μｍ角領域で測定した。
　結果を表１に示す。
（有機物含有層の複合弾性率）
　各実施例及び各比較例で準備した測定サンプルについて、ナノインデンテーター（商品名ＴＩ－９５０　Ｔｒｉｂｏ　Ｉｎｄｅｎｔｅｒ、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ型圧子）を用い、試験深さ２０ｎｍの条件にて２３℃における除荷－変位曲線を測定し、参考文献（Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏ／ｎａｎｏ　Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ　（ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ）、Ｂｈａｒａｔ　Ｂｈｕｓｈａｎ編、ＣＲＣプレス社）の計算手法に従い、最大負荷及び最大変位から、２３℃における複合弾性率を計算により求めた。
　結果を表１に示す。
　なお、ここで、複合弾性率は下記式（１）により定義される。式（１）中、Ｅｒは複合弾性率を表し、Ｅｉは圧子のヤング率を表し、１１４０ＧＰａであり、νｉは圧子のポアソン比を表し、０．０７であり、Ｅｓ及びνｓはそれぞれ試料のヤング率及びポアソン比を表す。
（室温での接合強度）
　上記で得られた基板積層体について、第１の積層体と、第２の積層体と、の室温（２５℃）での接合強度を求めた。
　室温（２５℃）での接合強度は、本開示における低温での接合強度の一例である。
　結果を表１に示す。
　ここで、室温での接合強度は、M.P.Maszara, G.Goetz, A.Cavigila, and J.B.Mckitterick, Journal of Applied Physics, 64 (1988) 4943-4950. の手法に従って、ブレード挿入試験で求めた。
　具体的には、基板積層体における第１の積層体と第２の積層体との接合界面（即ち、第１の積層体における有機物含有層と第２の積層体におけるＳｉＯ２層との接合界面）に、室温（２５℃）にて、厚さ０．１ｍｍ～０．３ｍｍのブレードを挿入し、赤外線光源及び赤外線カメラにて、ブレード刃先から第１の積層体と第２の積層体とが剥離した位置までの距離の測定を行い、得られた距離に基づき、以下に式に従い、表面エネルギーを求めた
。
　得られた表面エネルギーを、接合強度とした。
　γ＝３×１０９×ｔｂ ２×Ｅ２×ｔ６／（３２×Ｌ４×Ｅ×ｔ３）
　ここで、γは、表面エネルギー（Ｊ／ｍ２）、ｔｂは、ブレード厚さ（ｍ）、Ｅは、第１の積層体及び第２の積層体に含まれるシリコン基板のヤング率（ＧＰａ）、ｔは、第１の積層体及び第２の積層体の厚さ（ｍ）、Ｌは、ブレード刃先からの第１の積層体と第２の積層体とが剥離した位置までの距離を表す。
〔実施例２〕
　表面活性化処理に使用したＯ２ガスをＮ２ガスに変更することにより、表面活性化処理をＯ２プラズマ処理からＮ２プラズマ処理に変更したこと以外は実施例１と同様の操作を行った。
　結果を表１に示す。
〔比較例１〕
　表面活性化処理を行わなかったこと以外は実施例１と同様の操作を行った。
　結果を表１に示す。
　表１に示すように、有機物含有層に対する表面活性化処理を行った実施例１及び２は、有機物含有層に対する表面活性化処理を行わなかった比較例１と比較して、第１の積層体及び第２の積層体の室温での接合強度に優れていた。
〔比較例２及び３〕
　比較例２及び３では、それぞれ、以下の点以外は、実施例１及び比較例１と同様の操作を行った。
　結果を表２に示す。
－実施例１及び比較例１に対する変更点－
・第１の積層体として、実施例１及び比較例１における有機物含有層付きシリコンウエハに代えて、第２の積層体と同様の、ＳｉＯ２層付きシリコンウエハを用いた。
・第１の積層体におけるＳｉＯ２層に表面活性化処理を施した。
・表面活性化処理後の第１の積層体におけるＳｉＯ２層に対し、２５℃、３０秒の水洗浄を施した。
・上記水洗浄後の第１の積層体（即ち、ＳｉＯ２層付きのシリコンウェハ）と、第２の積層体（即ち、ＳｉＯ２層付きのシリコンウェハ）と、を、第１の積層体におけるＳｉＯ２層と、第２の基板におけるＳｉＯ２層と、が接する向きに、室温（２５℃）で貼り合わせて基板積層体を得た。貼り合わせの条件は、大気中、室温にて、０．２ＭＰａで１秒間加圧とした。
　表２に示すように、有機物含有層に代えて、ＳｉＯ２層を用いた（詳細には、第１の積層体として、第２の積層体と同様の、表面にＳｉＯ２層が形成されているシリコンウエハを用いた）比較例２及び３では、第１の積層体及び第２の積層体の室温での接合強度が得られなかった。詳細には、実施例１と同様の貼り合わせ操作を行っても、第１の積層体と第２の積層体とを接合することができず、第１の積層体と第２の積層体とが剥離した。
　２０２３年２月１３日に出願された日本国特許出願２０２３－０２０３５８の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
　本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

Claims (31)

  1. 　第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出している第１の積層体を準備し、かつ、第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体を準備する工程Ａと、
    　前記第１の積層体における前記有機物含有層の表面に、表面活性化処理を施す工程Ｂと、
    　前記工程Ｂを経た前記第１の積層体と、前記第２の積層体と、を、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合させて基板積層体を得る工程Ｃと、
    を含む、基板積層体の製造方法。
  2. 　前記有機物含有層が、Ｓｉを含む、請求項１に記載の基板積層体の製造方法。
  3. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  4. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～５０原子％である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  5. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  6. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～７０原子％である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  7. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９８２で規定される表面粗さＲａが、５ｎｍ以下である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  8. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面において、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が、５原子％～７０原子％である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  9. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前に、前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである前記表面において、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が、１０原子％～８０原子％である、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  10. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の複合弾性率が、１ＧＰａ～２０ＧＰａである、請求項２に記載の基板積層体の製造方法。
  11. 　前記基板積層体における、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度が、０．２Ｊ／ｍ２以上である、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  12. 　前記第２の接合層は、無機材料層を含み、前記無機材料層の表面が露出しており、
    　前記工程Ｃは、前記第１の積層体における前記有機物含有層の前記表面と、前記第２の基板における前記無機材料層の前記表面と、を接合させる、
    請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  13. 　前記第１の基板の熱膨張率と前記第２の基板の熱膨張率とが異なる、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  14. 　前記工程Ｂよりも後であって前記工程Ｃよりも前における前記有機物含有層の前記表面が、シラノール基を含む、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  15. 　前記有機物含有層が、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  16. 　前記表面活性化処理が、プラズマ処理、高速原子線照射、及びオゾン処理からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  17. 　前記プラズマ処理が、酸素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１６に記載の基板積層体の製造方法。
  18. 　前記工程Ｃにおける、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合面の温度が、１４０℃以下である、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  19. 　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層が第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出している、
    請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  20. 　前記工程Ａで準備される前記第１の積層体において、前記第１の接合層が第１の電極を更に含み、前記第１の電極の表面と前記有機物含有層の表面とが露出しており、
    　前記工程Ａで準備される前記第２の積層体において、前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、前記第２の積層体において、前記第２の電極の表面と前記絶縁層の表面とが露出しており、
    　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体は、
    　前記第１の基板と、前記有機物含有層と、前記絶縁層と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第１の積層領域と、
    　前記第１の基板と、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第２の基板と、がこの順序で配置されている第２の積層領域と、
    を含む、
    請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  21. 　前記工程Ｃで得られる前記基板積層体において、前記第１の積層領域が、積層方向に２つ以上存在し、かつ、前記第２の積層領域が、積層方向に２つ以上存在する、請求項２０に記載の基板積層体の製造方法。
  22. 　前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｓ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｔａ、及びＮｂからなる群より選択される少なくとも１種の元素を含む半導体基板である、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の基板積層体の製造方法。
  23. 　第１の基板及び第１の接合層を含み、前記第１の接合層が有機物含有層を含み、前記有機物含有層の表面が露出しており、
    　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、
    積層体。
  24. 　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＳｉの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～５０原子％である、請求項２３に記載の積層体。
  25. 　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大である、請求項２３に記載の積層体。
  26. 　前記有機物含有層における、深さ０ｎｍである表面と、深さ１ｎｍ、深さ３ｎｍ、深さ６ｎｍ、深さ１２ｎｍ、深さ２２ｎｍ、及び深さ３０ｎｍの６点と、の合計７点において、それぞれ、原子％でのＯの含有率を測定した場合に、前記表面での測定値が最大であり、かつ、前記表面での測定値から前記６点での測定値の中の最小値を差し引いた値が、３原子％～７０原子％である、請求項２３に記載の積層体。
  27. 　前記有機物含有層の複合弾性率が、１ＧＰａ～２０ＧＰａである、請求項２３に記載の積層体。
  28. 　前記有機物含有層が、シロキサン結合、アミド結合、及びイミド結合からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項２３に記載の積層体。
  29. 　請求項２３～請求項２８のいずれか１項に記載の積層体である第１の積層体と、
    　第２の基板及び第２の接合層を含む第２の積層体と、
    を含み、
    　前記第１の積層体及び前記第２の積層体は、前記第１の積層体における前記有機物含有層と、前記第２の基板における第２の接合層と、が接する向きに接合されている、
    基板積層体。
  30. 　表面エネルギーで表した、前記第１の積層体と前記第２の積層体との接合強度が、０．２Ｊ／ｍ２以上である、請求項２９に記載の基板積層体。
  31. 　前記第１の接合層が、第１の電極を更に含み、
    　前記第２の接合層が、第２の電極と絶縁層とを含み、
    　前記有機物含有層と前記絶縁層とが接合され、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とが接合されている、
    請求項２９に記載の基板積層体。
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