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WO2024062974A1 - 光照射剥離用の剥離剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法 - Google Patents

光照射剥離用の剥離剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法 Download PDF

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WO2024062974A1
WO2024062974A1 PCT/JP2023/033176 JP2023033176W WO2024062974A1 WO 2024062974 A1 WO2024062974 A1 WO 2024062974A1 JP 2023033176 W JP2023033176 W JP 2023033176W WO 2024062974 A1 WO2024062974 A1 WO 2024062974A1
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WO
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group
formula
carbon atoms
bond
atom
Prior art date
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Application number
PCT/JP2023/033176
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English (en)
French (fr)
Inventor
雅文 柳生
徹也 新城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP2024548214A priority patent/JPWO2024062974A1/ja
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    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a stripping agent composition for light irradiation stripping, a laminate, and a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • An unthinned semiconductor wafer (herein also referred to simply as a wafer) is bonded to a support for polishing in a polishing device. Since the adhesion at that time must be easily peeled off after polishing, it is called temporary adhesion. This temporary bond must be easily removed from the support, and the thinned semiconductor wafer may be cut or deformed if large forces are applied during removal, so care must be taken to prevent this from occurring. can be easily removed. However, it is undesirable for the polishing member to come off or shift due to polishing stress during backside polishing of the semiconductor wafer. Therefore, the performance required for temporary bonding is that it can withstand stress during polishing and be easily removed after polishing.
  • performance is required to have high stress (strong adhesive force) in the planar direction during polishing and low stress (weak adhesive force) in the vertical direction during removal.
  • a method using laser irradiation has been disclosed for such adhesion and separation processes (see, for example, Patent Documents 1 and 2), but with the recent further progress in the semiconductor field, peeling by irradiation with light such as a laser has become more effective. New technologies related to this are always in demand.
  • the present applicant has proposed a laminate for processing a workpiece, which has an intermediate layer releasably adhered between a support and a workpiece, and the intermediate layer is at least a release layer in contact with the support.
  • the above-mentioned laminate has been proposed, in which the release layer includes a novolac resin that absorbs and alters light with a wavelength of 190 nm to 600 nm irradiated through a support (see Patent Document 3).
  • the release agent layer is altered by light irradiation to facilitate peeling of the semiconductor substrate from the support substrate. Since foreign substances such as adhesive layers, release agent layers, and their residues may adhere to the surface of the semiconductor substrate and/or support substrate after peeling, cleaning the semiconductor substrate and/or support substrate is not necessary. It will be done. However, depending on the type of release agent layer, foreign matter on the semiconductor substrate and the support substrate may be difficult to remove, making cleaning difficult. Furthermore, if foreign matter remains in the cleaning agent as a contaminant, it will re-adhere to the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a release agent composition for light irradiation removal that can form a release agent layer having removability and washability in a wide range of light irradiation, and It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a laminate and a processed semiconductor substrate using a release agent composition.
  • a release agent composition for light irradiation removal A stripping agent composition containing at least one of a compound and a polymer having a structure represented by the following formula (1) and having a carbon content of 80% or less, and a solvent.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond or an ester bond.
  • X 2 represents an ether bond or an ester bond. * represents a bond.
  • At least one of the compound and the polymer has a structure represented by the following formula (2), a structure represented by the following formula (3), and a structure represented by the following formula (4).
  • a 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are each independently a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group. represents a bond. * represents a bond.
  • X 12 represents a divalent group. *, *1, and *1' represent bonds. Bond *1 is bonded to carbon atom *2 or carbon atom *3. Bond *1' is bonded to carbon atom *2' or carbon atom *3'.
  • one of X 13 and X 14 represents a hydroxy group and the other represents a bond, and one of X 15 and X 16 represents a hydroxy group and the other represents a bond.
  • m1 represents 0 or 1.
  • X 11 in the formula (2) is either a structure represented by the following formula (2-1) or a structure represented by the following formula (2-2).
  • stripping agent composition In formula (2-1), Q 1 is a divalent acyclic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, which may be interrupted by an oxygen atom, and is represented by the following formula (2-1-1).
  • a divalent organic group represented by the following formula (2-1-2), a divalent organic group represented by the following formula (2-1-3), or a divalent organic group represented by the following formula (2-1-3); -1-4) represents a divalent organic group.
  • n1 and n2 each independently represent 0 or 1. * represents a bond.
  • X 21 represents a divalent group represented by any of the following formulas (2-2-1) to (2-2-4).
  • Z 1 and Z 2 each independently represent a single bond or a divalent group represented by the following formula (2-2-5).
  • R 21 to R 26 each independently represent a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a carbon atom number Alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, carbon Represents an acyl group having 2 to 6 atoms, an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, an arylcarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms.
  • n3 represents 0 or 1.
  • n11 represents an integer from 0 to 4.
  • n11 represents an integer from 0 to 6.
  • R21 is 2 or more, two or more R21 's may be the same or different.
  • Z 11 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n12 and n13 each independently represent an integer of 0 to 4.
  • R22 is 2 or more, two or more R22 's may be the same or different.
  • R23 When R23 is 2 or more, two or more R23 's may be the same or different.
  • Z 12 and Z 13 each independently represent a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n14 represents an integer from 0 to 4.
  • R 24 When R 24 is 2 or more, two or more R 24s may be the same or different.
  • Z 14 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Z 15 and Z 16 each independently represent a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n15 and n16 each independently represent an integer of 0 to 4.
  • R25 is 2 or more, two or more R25 's may be the same or different.
  • R26 is 2 or more, two or more R26 's may be the same or different.
  • R 1 to R 5 each independently have a carbon atom number of 1 which may be interrupted by a hydrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom.
  • alkyl groups alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms optionally interrupted by oxygen atoms or sulfur atoms, alkynyl groups having 2 to 10 carbon atoms optionally interrupting oxygen atoms or sulfur atoms,
  • R 1 and R 2 may be substituted with at least one monovalent group selected from the group consisting of groups.
  • R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • Z 3 represents a single bond or a divalent group represented by the following formula (2-2-5).
  • a 7 , A 8 and A 9 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
  • * represents a bond.
  • *1 represents a bond bonded to the carbon atom in formula (2-2).
  • *2 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2-2).
  • X 1 in the formula (1) represents an ether bond
  • R 1 in the formula (1) represents a cyano group
  • R 2 in the formula (1) represents -COO-
  • n2 in the formula (1) represents 0,
  • [6] A semiconductor substrate or an electronic device layer, a light-transmissive support substrate; a release agent layer provided between the semiconductor substrate or the electronic device layer and the support substrate; A laminate, wherein the release agent layer is a release agent layer formed from the release agent composition according to any one of [1] to [5].
  • the laminate according to [6] comprising an adhesive layer provided between the semiconductor substrate or the electronic device layer and the support substrate.
  • a method for manufacturing a processed semiconductor substrate or electronic device layer comprising: A 5A step in which the semiconductor substrate of the laminate according to [6] or [7] is processed, or a 5B step in which the electronic device layer of the laminate according to [6] or [7] is processed. , a 6th A step in which the semiconductor substrate processed in the 5th A step and the support substrate are separated; or a 6B step in which the electronic device layer and the support substrate processed in the 5B step are separated; , A method for manufacturing a processed semiconductor substrate or electronic device layer, comprising: [9] Manufacturing the processed semiconductor substrate or electronic device layer according to [8], wherein the sixth A step or the sixth B step includes a step of irradiating the laminate with a laser from the support substrate side.
  • a release agent composition for light irradiation release that can form a release agent layer having peelability and washability in a wide range of light irradiation, and a laminate using the release agent composition, and a method for manufacturing a processed semiconductor substrate.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the first embodiment (Part 1).
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view (Part 2) for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the first embodiment.
  • FIG. 2C is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the first embodiment (part 3).
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate in the second embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of another example of the laminate in the second embodiment.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the second embodiment (Part 1).
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the second embodiment (part 2).
  • FIG. 5C is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the second embodiment (part 3).
  • FIG. 5D is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a laminate showing an example of the second embodiment (No. 4).
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the first embodiment.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the first embodiment.
  • FIG. 6B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment.
  • FIG. 6C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment.
  • FIG. 6D is a schematic cross-sectional view for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the first embodiment (No. 4).
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the second embodiment.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the second embodiment (Part 2).
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the second embodiment.
  • Part 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the second
  • FIG. 7C is a schematic cross-sectional view for explaining a method of processing a laminate, which is an example of the second embodiment (Part 3).
  • FIG. 7D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment.
  • FIG. 7E is a schematic cross-sectional view for explaining a method for processing a laminate, which is an example of the second embodiment (Part 5).
  • FIG. 7F is a schematic cross-sectional view for explaining a method of processing a laminate showing an example of the second embodiment (No. 6).
  • the stripping agent composition for light irradiation stripping of the present invention has a structure represented by the following formula (1) and contains at least one of a compound and a polymer having a carbon content of 80% or less, and a solvent. do.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond or an ester bond.
  • X 2 represents an ether bond or an ester bond. * represents a bond.
  • the release agent layer is altered by light irradiation to facilitate peeling of the semiconductor substrate from the support substrate. Since foreign substances such as adhesive layers, release agent layers, and their residues may adhere to the surface of the semiconductor substrate and/or support substrate after peeling, cleaning the semiconductor substrate and/or support substrate is not necessary. It will be done. However, depending on the type of release agent layer, foreign matter on the semiconductor substrate and the support substrate may be difficult to remove, making cleaning difficult. Further, if foreign matter remains in the cleaning agent as a contaminant, it will re-adhere to the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the present inventors conducted extensive research in order to provide a release agent composition for light irradiation release that can form a release agent layer having peelability and washability over a wide range of light irradiation doses.
  • a stripping agent composition containing at least one of a compound and a polymer having a structure represented by formula (1) and a carbon content of 80% or less, and a solvent can be used over a wide light irradiation amount range.
  • the inventors have discovered that it is possible to form a release agent layer having releasability and washability, and have completed the present invention.
  • the release agent composition of the present invention can form a release agent layer having releasability and washability in a wide range of light irradiation.
  • the release agent layer is easily altered by light irradiation, and as a result, a release agent layer that has releasability over a wide range of light irradiation can be obtained.
  • the carbon content of the compound and polymer is not too high, the cleanability is easily maintained even if the release agent layer is altered by light irradiation. For example, carbonization can be considered as alteration.
  • the compound and polymer contained in the stripping agent composition have a structure represented by the following formula (1) and have a carbon content of 80 % or less.
  • the difference between a compound and a polymer does not need to be particularly clear.
  • it may have a low molecular weight or a high molecular weight, or it may have a single composition. or may have a molecular weight distribution (for example, the polydispersity (weight average molecular weight/number average molecular weight) may be more than 1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, -COOR 11 (R 11 is hydrogen represents an atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms) or -COO-.
  • R 3 represents a methoxy group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, or a halogen atom.
  • n1 represents an integer from 0 to 4.
  • n2 represents 0 or 1. However, the sum of n1 and n2 is 4 or less.
  • X 1 represents an ether bond (-O-) or an ester bond (-COO-).
  • X 2 represents an ether bond (-O-) or an ester bond (-COO-). * represents a bond.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 13 carbon atoms for R 1 to R 3 in formula (1) include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-butyl group, and cyclohexyl group.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 11 in formula (1) include methyl group, ethyl group, isopropyl group, and n-butyl group.
  • X 1 in formula (1) represents an ether bond.
  • R 1 in formula (1) preferably represents a cyano group.
  • R 2 in formula (1) preferably represents -COO-. It is preferable that n2 in formula (1) represents 0.
  • the carbon content of the specific compound and polymer is not particularly limited as long as it is 80% or less, but is preferably 75% or less, more preferably 70% or less.
  • the lower limit of the carbon content of the specific compound and polymer is not particularly limited, but the carbon content is preferably 45% or more, more preferably 50% or more, and particularly preferably 55% or more.
  • the carbon content of compounds and polymers can be determined, for example, by the following method. Find the composition formula of a compound or polymer. When synthesizing a compound or polymer, the compositional formula of the compound or polymer can be estimated from the type of reaction raw material, the amount used of the reaction raw material, the reaction conditions, the molecular weight of the product, etc. In addition, when analyzing a compound or polymer to determine its composition formula, the composition formula can be determined using GPC (gel permeation chromatography), mass spectrometry, elemental analysis, infrared spectroscopy, etc. You can ask for it. The carbon content of the compound or polymer is calculated using the obtained compositional formula of the compound or polymer. Carbon content represents the mass proportion of carbon in a compound or polymer.
  • the carbon content can be determined using the types of elements constituting the compound or polymer, the molar ratios of those elements, and the atomic weights of those elements.
  • the carbon content can be determined using the following formula, for example.
  • C atom represents the molar ratio of carbon in the composition formula.
  • X 1,atom represents the molar ratio of element X 1 in the composition.
  • x 1 Represents the atomic weight of element X 1 .
  • X 2,atom represents the molar ratio of element X 2 in the composition.
  • x 2 Represents the atomic weight of element X 2 .
  • X n,atom represents the molar ratio of element X n in the composition.
  • x n Represents the atomic weight of the element X n .
  • the amount of carbon atoms in benzene is determined.
  • the reaction product produced in Synthesis Example E is composed of the structural unit of the following formula (A-5), excluding the terminal.
  • the carbon content becomes small. This is because the polysiloxane structure has a high proportion of silicon atoms and oxygen atoms. For example, the carbon content of the -(Si(CH 2 ) 2 -O)- unit of polydimethylsiloxane is 33.3%. Certain compounds and polymers may or may not contain silicon atoms. Specific compounds and polymers may or may not have siloxane bonds. The specific compound and polymer may or may not have a polysiloxane structure.
  • the specific compound and polymer have a structure represented by formula (1), and preferably further have at least one of an alkylene group having 4 to 10 carbon atoms, an aliphatic hydrocarbon ring, a heterocycle, and an aromatic hydrocarbon ring. From the viewpoint of suitably obtaining the effects of the present invention, the specific compound and polymer more preferably have at least one of an alkylene group having 4 to 10 carbon atoms, an aliphatic hydrocarbon ring, and a heterocycle.
  • the alkylene group having 4 to 10 carbon atoms may have a straight-chain structure or a branched structure. Examples of the aliphatic hydrocarbon ring include 5- to 7-membered aliphatic hydrocarbon rings.
  • the heterocycle has, for example, a nitrogen atom, a carbon atom, an oxygen atom, and the like.
  • the aromatic hydrocarbon ring include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring.
  • the specific compound and polymer may further have at least one of a structure represented by the following formula (2), a structure represented by the following formula (3), and a structure represented by the following formula (4).
  • X 11 represents a divalent group.
  • a 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are each independently a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group. represents a bond. * represents a bond.
  • X 12 represents a divalent group. *, *1, and *1' represent bonds. Bond *1 is bonded to carbon atom *2 or carbon atom *3. Bond *1' is bonded to carbon atom *2' or carbon atom *3'.
  • one of X 13 and X 14 represents a hydroxy group and the other represents a bond
  • one of X 15 and X 16 represents a hydroxy group and the other represents a bond.
  • m1 represents 0 or 1.
  • X 11 in formula (2) is, for example, either a structure represented by the following formula (2-1) or a structure represented by the following formula (2-2).
  • Q 1 is a divalent acyclic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, which may be interrupted by an oxygen atom, and is represented by the following formula (2-1-1).
  • a divalent organic group represented by the following formula (2-1-2), a divalent organic group represented by the following formula (2-1-3), or a divalent organic group represented by the following formula (2-1-3); -1-4) represents a divalent organic group.
  • n1 and n2 each independently represent 0 or 1. * represents a bond.
  • X 21 represents a divalent group represented by any of the following formulas (2-2-1) to (2-2-4).
  • Z 1 and Z 2 each independently represent a single bond or a divalent group represented by the following formula (2-2-5).
  • R 21 to R 26 each independently represent a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a carbon atom number Alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyl group having 2 to 6 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, alkenyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, alkynyloxy group having 2 to 6 carbon atoms, carbon Represents an acyl group having 2 to 6 atoms, an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, an arylcarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 13 carbon atoms.
  • n3 represents 0 or 1.
  • n11 represents an integer from 0 to 4.
  • n11 represents an integer from 0 to 6.
  • R21 is 2 or more, two or more R21 's may be the same or different.
  • Z 11 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n12 and n13 each independently represent an integer of 0 to 4.
  • R22 is 2 or more, two or more R22 's may be the same or different.
  • R23 When R23 is 2 or more, two or more R23 's may be the same or different.
  • Z 12 and Z 13 each independently represent a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n14 represents an integer from 0 to 4.
  • R24 When R24 is 2 or more, two or more R24s may be the same or different.
  • Z 14 represents a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, a sulfonyl group, or an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Z 15 and Z 16 each independently represent a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • n15 and n16 each independently represent an integer of 0 to 4.
  • R25 is 2 or more, two or more R25 's may be the same or different.
  • R26 is 2 or more, two or more R26 's may be the same or different.
  • R 1 to R 5 each independently have 1 carbon atom, which may be interrupted by a hydrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom.
  • alkyl groups alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms optionally interrupted by oxygen atoms or sulfur atoms, alkynyl groups having 2 to 10 carbon atoms optionally interrupting oxygen atoms or sulfur atoms,
  • R 1 and R 2 may be substituted with at least one monovalent group selected from the group consisting of groups.
  • R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms.
  • Z 3 represents a single bond or a divalent group represented by the following formula (2-2-5).
  • a 7 , A 8 and A 9 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group.
  • * represents a bond.
  • *1 represents a bond bonded to the carbon atom in formula (2-2).
  • *2 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2-2).
  • m1 is an integer from 0 to 4
  • m2 is 0 or 1
  • m3 is 0 or 1
  • m4 is an integer from 0 to 2.
  • *3 represents a bond bonded to the nitrogen atom in formula (2-2) or formula (2-2-4).
  • *4 represents a bond bond. represent.
  • examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the alkyl group is not limited to a linear one, but may be branched or cyclic.
  • Examples of the straight-chain or branched alkyl group include methyl group, ethyl group, isopropyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, and the like.
  • examples of the cyclic alkyl group (cycloalkyl group) include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
  • examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-pentyloxy group, and isopropoxy group.
  • examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, n-pentylthio group, and isopropylthio group.
  • examples of alkenyl groups include ethenyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-methyl-1-ethenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 2 -Methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, etc.
  • examples of the alkynyl group include groups in which the double bond of the alkenyl group listed in the above "alkenyl group” is replaced with a triple bond.
  • examples of the alkenyloxy group include vinyloxy group, 1-propenyloxy group, 2-n-propenyloxy group (allyloxy group), 1-n-butenyloxy group, and prenyloxy group.
  • examples of the alkynyloxy group include 2-propynyloxy group, 1-methyl-2-propynyloxy group, 2-methyl-2-propynyloxy group, 2-butynyloxy group, 3-butynyloxy group, etc. Can be mentioned.
  • examples of the acyl group include an acetyl group and a propionyl group.
  • examples of the aryloxy group include phenoxy group, naphthyloxy, and the like.
  • examples of the arylcarbonyl group include a phenylcarbonyl group.
  • examples of the aralkyl group include a benzyl group and a phenethyl group.
  • examples of alkylene groups include methylene group, ethylene group, 1,3-propylene group, 2,2-propylene group, 1-methylethylene group, 1,4-butylene group, and 1-ethylethylene group.
  • Examples of the divalent acyclic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom for Q 1 in formula (2-1) include, for example, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, - CH 2 CH 2 -(OCH 2 CH 2 ) n - (n represents an integer from 1 to 9), -CH(CH 3 )CH 2 -(OCH(CH 3 )CH 2 ) n - (n is , represents an integer from 1 to 5).
  • the alkylene group having 2 to 10 carbon atoms may be linear or branched.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or a sulfur atom in R 1 to R 5 of formulas (2-2-1) to (2-2-3) include carbon Alkyl group having 1 to 10 atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms, alkoxyalkoxyalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, alkylthio having 1 to 10 carbon atoms and an alkylthioalkyl group having 2 to 10 carbon atoms. Further, the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom or a sulfur atom may contain two or more oxygen atoms or sulfur atoms.
  • Examples of the structure represented by formula (2-1) include the structures illustrated below.
  • the above example is an example in which Q 1 in formula (2-1) is a divalent acyclic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom. (* represents a bond.)
  • Examples of the structure represented by formula (2-2) include the structures illustrated below. (* represents a bond.)
  • X 12 represents a divalent group.
  • Specific compounds and polymers include a structure represented by the following formula (1-2), a structure represented by the following formula (1-3), and a structure represented by the following formula (1-2) as a structure having the structure represented by formula (1). It is preferable to have at least one of the structures represented by formula (1-4).
  • the structure represented by formula (1-2) may be a repeating unit in the polymer.
  • the structure represented by formula (1-3) may be a repeating unit in the polymer.
  • the structure represented by formula (1-4) may be a repeating unit in the polymer.
  • X 1 , R 3 , and n1 have the same meanings as X 1 , R 3 , and n1 in formula (1), respectively.
  • X 11 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are respectively X 11 , A 1 , A 2 , A 3 in formula (2), It has the same meaning as A4 , A5 and A6 .
  • X 12 has the same meaning as X 12 in formula (3).
  • R 1 is a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 is represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Examples of the structure represented by formula (1-4) are as follows. (In formulas (1-4-1) to (1-4-4), X 1 , R 1 , R 3 , m1, and n1 are respectively X 1 , R 1 in formula (1-4) , R 3 , m1, and n1. * represents a bond.)
  • the weight average molecular weight of the compound or polymer is, for example, 300 to 100,000, preferably 800 to 50,000, more preferably 1,000 to 10,000, particularly preferably 1,200 to 5,000. .
  • X 1A represents a hydroxy group or a carboxy group.
  • R 3 and n1 have the same meanings as R 3 and n1 in formula (1), respectively.
  • R 1 is a hydrogen atom, a cyano group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 is a hydrogen atom, or a group having 1 to 13 carbon atoms) 4) represents an alkyl group.
  • X 11 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 , A 5 and A 6 are respectively X 11 , A 1 , A 2 , A 3 , A 4 in formula (2) , A5 and A6 .
  • X 12 has the same meaning as X 12 in formula (3).
  • *1 and *1' represent bonds. Bond *1 is bonded to carbon atom *2 or carbon atom *3. Bond *1' is bonded to carbon atom *2' or carbon atom *3'.
  • m1 represents 0 or 1.
  • R 3 and n1 are respectively synonymous with R 3 and n1 in formula (1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, Represents a phenyl group, an alkyl group having 1 to 13 carbon atoms, a halogen atom, or -COOR 11 (R 11 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
  • Examples of the compound represented by formula (1A) include the following compounds.
  • Examples of the compound represented by formula (2A) include the following compounds.
  • the above examples are examples where Q 1 is a divalent acyclic hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms which may be interrupted by an oxygen atom.
  • Examples of the compound represented by formula (3A) include the following compounds.
  • Examples of the compound represented by formula (4A) include the following compounds.
  • Examples of the compound represented by formula (1B) include the following compounds.
  • Me represents a methyl group.
  • Reactions (I) to (II) may be carried out, for example, in the presence of a catalyst.
  • the catalyst is, for example, a quaternary phosphonium salt such as tetrabutylphosphonium bromide or ethyltriphenylphosphonium bromide, or a quaternary ammonium salt such as benzyltriethylammonium chloride.
  • the amount of the catalyst to be used can be selected from a range of 0.1 to 10% by mass based on the total mass of the reaction raw materials used in the reaction.
  • the optimum reaction temperature and time can be selected from the range of, for example, 80 to 160° C. and 2 to 50 hours.
  • the content of the specific compound and polymer in the stripping agent composition is not particularly limited, but is preferably 60% by mass to 100% by mass, and 70% to 100% by mass based on the film constituent components in the stripping agent composition. % is more preferable, and 80% to 100% by weight is particularly preferable.
  • the film component refers to components other than the solvent in the stripping agent composition.
  • the release agent composition may also include a crosslinking agent.
  • a crosslinking agent may cause a crosslinking reaction by self-condensation, but if a crosslinking substituent exists in a specific compound or polymer, it can cause a crosslinking reaction with those crosslinking substituents.
  • crosslinking agents include, but are not particularly limited to, phenols that typically have a crosslinking group such as an alkoxymethyl group such as a hydroxymethyl group, a methoxymethyl group, or a butoxymethyl group in the molecule.
  • crosslinking agents include crosslinking agents, melamine-based crosslinking agents, urea-based crosslinking agents, thiourea-based crosslinking agents, and the like, and these may be low-molecular compounds or high-molecular compounds.
  • the crosslinking agent contained in the release agent composition usually has two or more crosslinking groups, but from the viewpoint of realizing more suitable curing with good reproducibility, the number of crosslinking groups contained in the compound that is the crosslinking agent is , preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6. From the viewpoint of achieving higher heat resistance, the crosslinking agent contained in the stripping agent composition preferably has an aromatic ring (e.g., benzene ring, naphthalene ring) in the molecule, and typical examples of such crosslinking agents are Examples include, but are not limited to, phenolic crosslinking agents.
  • a phenolic crosslinking agent having a crosslinking group is a compound having a crosslinking group bonded to an aromatic ring and having at least one of a phenolic hydroxy group and an alkoxy group derived from a phenolic hydroxy group.
  • alkoxy groups derived from such phenolic hydroxy groups include, but are not limited to, methoxy groups and butoxy groups.
  • the aromatic ring to which the crosslinking group is bonded and the aromatic ring to which the phenolic hydroxy group and/or the alkoxy group derived from the phenolic hydroxy group are bonded are limited to non-condensed aromatic rings such as benzene rings.
  • it may be a condensed aromatic ring such as a naphthalene ring or anthracene.
  • a condensed aromatic ring such as a naphthalene ring or anthracene.
  • the crosslinking group and the phenolic hydroxy group and the alkoxy group derived from the phenolic hydroxy group are bonded to the same aromatic ring in the molecule. or may be bonded to different aromatic rings.
  • the aromatic ring to which a crosslinking group, a phenolic hydroxy group, or an alkoxy group derived from a phenolic hydroxy group is bonded is a hydrocarbon such as an alkyl group such as a methyl group, ethyl group, or butyl group, or an aryl group such as a phenyl group. It may be further substituted with a group, a halogen atom such as a fluorine atom, etc.
  • phenolic crosslinking agent having a crosslinking group examples include compounds represented by any of formulas (L1) to (L4).
  • each R' independently represents a fluorine atom, an aryl group, or an alkyl group
  • each R'' each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group
  • L 1 and L 2 are , each independently represents a single bond, a methylene group or a propane-2,2-diyl group
  • L 3 is determined depending on q1, and represents a single bond, a methylene group, a propane-2,2-diyl group, a methanetriyl group or represents an ethane-1,1,1-triyl group
  • t11, t12 and t13 are integers satisfying 2 ⁇ t11 ⁇ 5, 1 ⁇ t12 ⁇ 4, 0 ⁇ t13 ⁇ 3, and t11+t12+t13 ⁇ 6, and t21 , t22 and t23 are integers satisfying 2 ⁇ t21 ⁇ 4, 1 ⁇ t22 ⁇ 3, 0 ⁇ t23 ⁇ 2, and t21+t22+t23 ⁇ 5, and t24, t25 and t26 are integers
  • t31, t32, and t33 are integers that satisfy 2 ⁇ t31 ⁇ 4, 1 ⁇ t32 ⁇ 3, 0 ⁇ t33 ⁇ 2, and t31+t32+t33 ⁇ 5, and t41, t42, and t43 are integers that satisfy 2 ⁇ t41 ⁇ 3, an integer satisfying 1 ⁇ t42 ⁇ 2, 0 ⁇ t43 ⁇ 1, and t41+t42+t43 ⁇ 4, q1 is 2 or 3, q2 represents the number of repetitions, is an integer of 0 or more, and is an aryl group Specific examples of the alkyl group include the same as those listed below; however, the aryl group is preferably a phenyl group, and the alkyl group is preferably a methyl group or a t-butyl group.
  • a melamine-based crosslinking agent having a crosslinking group refers to a melamine derivative, 2,4-diamino-1,3,5-, in which at least one hydrogen atom of an amino group bonded to the triazine ring is substituted with a crosslinking group. It is a triazine derivative or a 2-amino-1,3,5-triazine derivative, and the triazine ring may further have a substituent such as an aryl group such as a phenyl group.
  • melamine-based crosslinking agents having crosslinking groups include N,N,N',N',N",N"-hexakis(methoxymethyl)melamine, N,N,N',N',N” , N''-hexakis(butoxymethyl)melamine, etc., bis, tris, tetrakis, pentakis or hexakisalkoxymethylmelamine, N,N,N',N'-tetrakis(methoxymethyl)benzoguanamine, N,N,N Examples include, but are not limited to, mono-, bis-, tris-, or tetrakis-alkoxymethylbenzoguanamine such as ',N'-tetrakis(butoxymethyl)benzoguanamine.
  • a urea-based crosslinking agent having a crosslinking group is a derivative of a urea bond-containing compound, and has a structure in which at least one hydrogen atom of the NH group constituting the urea bond is substituted with a crosslinking group.
  • urea-based crosslinking agent having a crosslinking group examples include monomers such as 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril, 1,3,4,6-tetrakis(butoxymethyl)glycoluril, Examples include mono, bis, tris, or tetrakis alkoxymethyl urea such as bis, tris, or tetrakis alkoxymethyl glycoluril, 1,3-bis(methoxymethyl)urea, and 1,1,3,3-tetrakis methoxymethyl urea. , but not limited to.
  • a thiourea-based crosslinking agent having a crosslinking group is a derivative of a compound containing a thiourea bond, and has a structure in which at least one hydrogen atom of an NH group constituting the thiourea bond is substituted with a crosslinking group. It is.
  • Specific examples of thiourea-based crosslinking agents having a crosslinking group include mono, bis, tris, or tetrakis alkoxy such as 1,3-bis(methoxymethyl)thiourea and 1,1,3,3-tetrakismethoxymethylthiourea. Examples include, but are not limited to, methylthiourea and the like.
  • the amount of crosslinking agent contained in the stripping agent composition cannot be unconditionally defined because it varies depending on the coating method employed, desired film thickness, etc., but it is usually 0.01 to 50% depending on the specific compound and polymer. It is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, from the viewpoint of realizing suitable curing and obtaining a laminate in which the semiconductor substrate or electronic device layer and the supporting substrate can be separated well with good reproducibility. 1% by mass or more, even more preferably 3% by mass or more, even more preferably 5% by mass or more, preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, even more preferably 35% by mass or less, even more preferably is 30% by mass or less.
  • the stripping composition may contain an acid generator or an acid.
  • Examples of the acid generator include thermal acid generators and photoacid generators.
  • Thermal acid generators are not particularly limited as long as they generate acids by heat; specific examples include 2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone, benzointosylate, and 2-nitrobenzyltosylate.
  • SI-PURE [registered trademark] CXC-1612, CXC-1614, TAG-2172, TAG-2179, TAG-2678, TAG2689, TAG2700 (manufactured by King Industries), and SI-45
  • Examples include, but are not limited to, SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, SI-150 (manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and other organic sulfonic acid alkyl esters.
  • Examples of the photoacid generator include onium salt compounds, sulfonimide compounds, and disulfonyldiazomethane compounds.
  • onium salt compounds include diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoronormal butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoronormal octane sulfonate, diphenyliodonium camphorsulfonate, bis(4-tert-butyl Iodonium salt compounds such as phenyl)iodonium camphorsulfonate, bis(4-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nitrate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium nonafluoronormalbutanesulfonate, triphenyl Examples include, but are not limited to, sulfonium salt compounds such as
  • sulfonimide compounds include N-(trifluoromethanesulfonyloxy)succinimide, N-(nonafluoronormalbutanesulfonyloxy)succinimide, N-(camphorsulfonyloxy)succinimide, and N-(trifluoromethanesulfonyloxy)naphthalimide. etc., but are not limited to these.
  • disulfonyldiazomethane compounds include bis(trifluoromethylsulfonyl)diazomethane, bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane, bis(phenylsulfonyl)diazomethane, bis(p-toluenesulfonyl)diazomethane, and bis(2,4-dimethylbenzene).
  • examples include, but are not limited to, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, and the like.
  • acids include p-toluenesulfonic acid, pyridinium p-toluenesulfonic acid (pyridinium paratoluenesulfonate), pyridinium trifluoromethanesulfonate, pyridiniumphenolsulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, 4-phenolsulfonic acid, 4- Arylsulfonic acids such as chlorobenzenesulfonic acid, benzenedisulfonic acid, 1-naphthalenesulfonic acid, pyridinium salts, etc.
  • arylcarboxylic acids and their salts such as salicylic acid, benzoic acid, hydroxybenzoic acid, naphthalenecarboxylic acid, trifluoromethanesulfone
  • examples include, but are not limited to, acids, chain or cyclic alkyl sulfonic acids such as camphorsulfonic acid, and salts thereof, and chain or cyclic alkyl carboxylic acids such as citric acid, and salts thereof.
  • the amounts of the acid generator and acid contained in the stripping agent composition cannot be unconditionally defined because they vary depending on the type of crosslinking agent used, the heating temperature when forming the film, etc., but with respect to the film constituent components, It is usually 0.01 to 5% by mass.
  • the stripping agent composition does not contain a surfactant for the purpose of adjusting the liquid physical properties of the composition itself and the film properties of the resulting film, and preparing a highly uniform stripping agent composition with good reproducibility. But that's fine.
  • surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, and polyoxyethylene nonyl.
  • Polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as phenol ether, polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristear Sorbitan fatty acid esters such as esters, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, etc.
  • Nonionic surfactants such as ethylene sorbitan fatty acid esters, EFTOP EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products Co., Ltd., trade name), Megafac F171, F173, R-30, R-30N (manufactured by DIC Corporation) (manufactured by Sumitomo 3M Ltd., product name), Florado FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd., product name), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by AGC Ltd., product name)
  • fluorine-based surfactants such as fluorine-containing surfactants such as fluorine-containing surfactants such as fluorine-containing surfactants such as the following: organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd
  • the stripper composition includes a solvent.
  • a solvent for example, a highly polar solvent that can satisfactorily dissolve the above-mentioned specific compounds, polymers, crosslinking agents, and other membrane constituents can be used, and the viscosity, surface tension, etc. may be adjusted as necessary.
  • low polarity solvents may be used.
  • a low polar solvent is defined as one having a dielectric constant of less than 7 at a frequency of 100 kHz
  • a high polar solvent is defined as one having a dielectric constant of 7 or more at a frequency of 100 kHz.
  • One type of solvent can be used alone or two or more types can be used in combination.
  • highly polar solvents examples include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutyramide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
  • Amide solvents include Ketone solvents such as ethyl methyl ketone, isophorone, and cyclohexanone; Cyano solvents such as acetonitrile and 3-methoxypropionitrile; Ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, and 1,3-butanediol , 2,3-butanediol and other polyhydric alcohol solvents; propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, 2-phenoxyethanol, 2- Examples include monohydric alcohol solvents other than aliphatic alcohols such as benzyloxyethanol, 3-phenoxybenzyl alcohol, and tetrahydrofurfuryl alcohol; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide;
  • low polar solvents examples include chlorinated solvents such as chloroform and chlorobenzene; aromatic hydrocarbon solvents such as alkylbenzenes such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenzene and decylbenzene; 1-octanol, 1-nonanol, 1- Aliphatic alcohol solvents such as decanol; tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether, etc.
  • chlorinated solvents such as chloroform and chlorobenzene
  • aromatic hydrocarbon solvents such as alkylbenzenes such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenz
  • Ether solvents methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis(2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether
  • ester solvents such as acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate.
  • the content of the solvent is appropriately determined taking into account the viscosity of the desired composition, the coating method employed, the thickness of the film to be produced, etc., but is preferably 99% by mass or less of the entire composition.
  • the amount is 1 to 30% by weight, more preferably 3 to 20% by weight based on the total composition.
  • the viscosity and surface tension of the stripping agent composition can be adjusted as appropriate by changing the types of solvents used, their ratios, the concentrations of film constituents, etc., taking into account various factors such as the application method used and the desired film thickness. Ru.
  • the stripping agent composition contains a glycol solvent.
  • glycol solvent as used herein is a general term for glycols, glycol monoethers, glycol diethers, glycol monoesters, glycol diesters, and glycol ester ethers.
  • R G1 each independently represents a linear or branched alkylene group having 2 to 4 carbon atoms
  • R G2 and R G3 each independently represent a hydrogen atom, a straight chain alkylene group, and represents a chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an alkylacyl group in which the alkyl moiety is a straight or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • n g is 1 It is an integer between ⁇ 6.
  • linear or branched alkylene groups having 2 to 4 carbon atoms include ethylene group, trimethylene group, 1-methylethylene group, tetramethylene group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, Examples include, but are not limited to, a pentamethylene group, a hexamethylene group, and the like. Among these, the number of carbon atoms is A linear or branched alkylene group having 2 to 3 carbon atoms is preferred, and a linear or branched alkylene group having 3 carbon atoms is more preferred.
  • linear or branched alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s -butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, 1-methyl-n-butyl group, 2-methyl-n-butyl group, 3-methyl-n-butyl group, 1,1-dimethyl-n-propyl group group, 1,2-dimethyl-n-propyl group, 2,2-dimethyl-n-propyl group, 1-ethyl-n-propyl group, n-hexyl, 1-methyl-n-pentyl group, 2-methyl- n-pentyl group, 3-methyl-n-pentyl group, 4-methyl-n-pentyl group, 1,1-dimethyl-n-butyl group, 1,2-dimethyl-n-butyl group,
  • linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in an alkylacyl group in which the alkyl moiety is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include the above-mentioned examples. The same specific examples are mentioned. Among these, methyl carbonyl group , ethylcarbonyl group is preferred, and methylcarbonyl group is more preferred.
  • n g is preferable from the viewpoint of obtaining a composition with high uniformity with good reproducibility, the viewpoint of obtaining a composition with high storage stability with good reproducibility, and the viewpoint of obtaining a composition that provides a highly uniform film with good reproducibility. is 4 or less, more preferably 3 or less, even more preferably 2 or less, and most preferably 1.
  • R G2 and R G3 are a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably, one of R G2 and R G3 is a straight chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • a chain or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the other is an alkylacyl group in which the hydrogen atom or the alkyl moiety is a straight or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • glycol-based solvents is important from the viewpoint of obtaining a highly uniform composition with good reproducibility, obtaining a composition with high storage stability with good reproducibility, and obtaining a composition that provides a highly uniform film with good reproducibility.
  • the amount is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, still more preferably 90% by mass or more, and even more preferably is 95% by mass or more.
  • the membrane components are uniformly dispersed or dissolved in the solvent, preferably dissolved.
  • the solvent, solution, etc. used may be filtered using a filter or the like during the production of the stripping agent composition or after all the components are mixed.
  • the laminate according to the present invention includes a semiconductor substrate or an electronic device layer, a support substrate, and a release agent layer for light irradiation and release. It is preferable that the laminate according to the present invention further has an adhesive layer, and has a structure including a semiconductor substrate or an electronic device layer, a support substrate, a release agent layer for light irradiation peeling, and an adhesive layer. .
  • the release agent layer according to the present invention not only has a peeling function of peeling the semiconductor substrate or electronic device layer and the support substrate by light irradiation, but also has an adhesive function of bonding the semiconductor substrate or electronic device layer and the support substrate.
  • the laminate is formed so that the release agent layer Instead of a two-layer structure consisting of an adhesive layer and an adhesive layer, it may be formed with a single-layer structure including a release agent layer having adhesive properties.
  • the support substrate has optical transparency.
  • a release agent layer for light irradiation release is provided between the semiconductor substrate or electronic device layer and the support substrate.
  • the laminate is used when the semiconductor substrate or electronic device layer and the support substrate are peeled off after the release agent layer absorbs light irradiated from the support substrate side.
  • the release agent layer for light irradiation release is a layer formed from the above-described release agent composition for light irradiation release of the present invention.
  • the laminate of the present invention is used for temporarily adhering a semiconductor substrate or an electronic device layer for processing, and can be suitably used for processing such as thinning a semiconductor substrate or an electronic device layer. While the semiconductor substrate is undergoing processing such as thinning, the semiconductor substrate is supported by the support substrate. On the other hand, after processing the semiconductor substrate, the release agent layer is irradiated with light, and then the support substrate and the semiconductor substrate are separated. In the release agent layer formed from the release agent composition, the specific compound and polymer absorb light (e.g., laser light) and the release agent layer is formed by the specific compound and polymer contained in the release agent composition.
  • the specific compound and polymer absorb light (e.g., laser light) and the release agent layer is formed by the specific compound and polymer contained in the release agent composition.
  • the release agent layer is irradiated with light
  • the semiconductor substrate and the support substrate are easily separated.
  • the electronic device layer is being processed such as thinning
  • the electronic device layer is supported by the support substrate.
  • the release agent layer is irradiated with light, and then the support substrate and the electronic device layer are separated.
  • the release agent layer according to the present invention the semiconductor substrate or electronic device layer and the support substrate can be easily separated after being irradiated with light.
  • the residue of the release agent layer or adhesive layer remaining on the semiconductor substrate, electronic device layer, or supporting substrate can be removed, for example, by cleaning the semiconductor substrate, etc. It can be removed by cleaning compositions.
  • the wavelength of the light used for peeling is, for example, preferably 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferred wavelengths are 308nm, 343nm, 355nm, 365nm, or 532nm.
  • the amount of light irradiation required for exfoliation is one that can cause suitable alterations, such as decomposition, of the particular compounds and polymers.
  • the light used for peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • a laminate having a semiconductor substrate is used for processing the semiconductor substrate. While the semiconductor substrate is being processed, the semiconductor substrate is bonded to the support substrate. After processing the semiconductor substrate, the release agent layer is irradiated with light, and then the semiconductor substrate is separated from the support substrate.
  • the main material constituting the entire semiconductor substrate is not particularly limited as long as it is used for this type of application, and examples thereof include silicon, silicon carbide, and compound semiconductors.
  • the shape of the semiconductor substrate is not particularly limited, but is, for example, disc-shaped. Note that the surface of a disk-shaped semiconductor substrate does not need to have a completely circular shape; for example, the outer periphery of the semiconductor substrate may have a straight part called an orientation flat, or a straight part called a notch. It may have a notch.
  • the thickness of the disk-shaped semiconductor substrate may be determined as appropriate depending on the purpose of use of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m.
  • the diameter of the disk-shaped semiconductor substrate may be determined as appropriate depending on the intended use of the semiconductor substrate, and is, for example, 100 to 1,000 mm, although it is not particularly limited.
  • the semiconductor substrate may have bumps.
  • a bump is a protruding terminal.
  • the semiconductor substrate has the bumps on the support substrate side.
  • bumps are usually formed on a surface on which a circuit is formed.
  • the circuit may be single layer or multilayer.
  • the shape of the circuit is not particularly limited.
  • a surface (back surface) opposite to a surface having bumps is a surface to be processed.
  • the material, size, shape, structure, and density of the bumps included in the semiconductor substrate are not particularly limited. Examples of the bumps include ball bumps, printed bumps, stud bumps, and plated bumps.
  • the height, radius, and pitch of the bumps are appropriately determined based on the conditions that the bump height is about 1 to 200 ⁇ m, the bump radius is 1 to 200 ⁇ m, and the bump pitch is 1 to 500 ⁇ m.
  • the material for the bumps include low melting point solder, high melting point solder, tin, indium, gold, silver, and copper.
  • the bump may be composed of only a single component, or may be composed of a plurality of components. More specifically, examples include Sn-based alloy plating such as SnAg bumps, SnBi bumps, Sn bumps, and AuSn bumps. Further, the bump may have a laminated structure including a metal layer made of at least one of these components.
  • An example of the semiconductor substrate is a silicon wafer with a diameter of 300 mm and a thickness of about 770 ⁇ m.
  • the support substrate is not particularly limited as long as it is a member that is transparent to the light irradiated to the release agent layer and can support the semiconductor substrate when the semiconductor substrate is processed, but for example, it may be made of glass. Examples include a support substrate.
  • the shape of the support substrate is not particularly limited, but may be, for example, disc-shaped.
  • the thickness of the disk-shaped support substrate may be determined as appropriate depending on the size of the semiconductor substrate, and is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m, although it is not particularly limited.
  • the diameter of the disc-shaped support substrate may be determined as appropriate depending on the size of the semiconductor substrate, and is, for example, 100 to 1,000 mm, although it is not particularly limited.
  • the support substrate is a glass wafer with a diameter of 300 mm and a thickness of about 700 ⁇ m.
  • the release agent layer is a layer formed from a release agent composition.
  • a release agent layer is provided between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the release agent layer may be in contact with the support substrate or the semiconductor substrate.
  • the release agent layer is formed using the above-mentioned release agent composition for light irradiation release of the present invention.
  • the release agent composition of the present invention can be suitably used to form a release agent layer of a laminate including a semiconductor substrate, a support substrate, and a release agent layer provided between the semiconductor substrate and the support substrate. Can be done.
  • the laminate is used for peeling off the semiconductor substrate and the support substrate after the release agent layer absorbs light irradiated from the support substrate side.
  • One of the characteristics of the release agent layer obtained from the release agent composition of the present invention is that the semiconductor substrate and the supporting substrate can be easily separated after irradiation with light.
  • specific compounds and polymers When forming a release agent layer from a release agent composition, specific compounds and polymers may be crosslinked themselves or reacted with other components to form a crosslinked structure, as long as the effects of the present invention are obtained.
  • the structure may be maintained without crosslinking or reaction.
  • the specific compound and polymer in the release agent layer, may be crosslinked themselves or react with other components to form a crosslinked structure, or may exist while maintaining that structure. You can leave it there.
  • the thickness of the release agent layer is not particularly limited, but is usually 0.01 to 10 ⁇ m, and from the viewpoint of maintaining film strength, it is preferably 0.05 ⁇ m or more, more preferably 0.1 ⁇ m or more, and even more The thickness is preferably 0.2 ⁇ m or more, and from the viewpoint of avoiding nonuniformity caused by a thick film, it is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 8 ⁇ m or less, even more preferably 5 ⁇ m or less, and even more preferably 2 ⁇ m or less.
  • the method for forming a release agent layer from a release agent composition will be described in detail in the explanation section of ⁇ Method for manufacturing an example of a laminate in the first embodiment>> described below.
  • An adhesive layer is provided between the support substrate and the semiconductor substrate.
  • the adhesive layer is in contact with the semiconductor substrate.
  • the adhesive layer may be in contact with the support substrate, for example.
  • the adhesive layer is not particularly limited, it is preferably a layer formed from an adhesive composition.
  • Adhesive composition examples include polysiloxane adhesives, acrylic resin adhesives, epoxy resin adhesives, polyamide adhesives, polystyrene adhesives, polyimide adhesives, phenolic resin adhesives, etc. However, it is not limited to these. Among these, adhesives exhibit suitable adhesion properties when processing semiconductor substrates, etc., are easily removable after processing, have excellent heat resistance, and can be suitably removed with a cleaning composition. As the composition, a polysiloxane adhesive is preferred.
  • the adhesive composition contains a polyorganosiloxane.
  • the adhesive composition includes a component that is cured by a hydrosilylation reaction.
  • the adhesive composition used in the present invention contains a curable component (A) that becomes an adhesive component.
  • the adhesive composition used in the present invention may contain a curable component (A) that becomes an adhesive component and a component (B) that does not cause a curing reaction.
  • examples of the component (B) that does not cause a curing reaction include polyorganosiloxane.
  • "not causing a curing reaction” does not mean not causing any curing reaction, but means not causing any curing reaction that occurs in the component (A) to be cured.
  • component (A) may be a component that is cured by a hydrosilylation reaction, or may be a polyorganosiloxane component (A') that is cured by a hydrosilylation reaction.
  • the component (A) is, for example, a polyorganosiloxane (a1) having an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms bonded to a silicon atom, as an example of the component (A'), and a Si Contains a polyorganosiloxane (a2) having a -H group and a platinum group metal catalyst (A2).
  • the alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms may be substituted.
  • the substituent include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • the polyorganosiloxane component (A') that is cured by a hydrosilylation reaction has siloxane units (Q units) represented by SiO 2 , R 1 R 2 R 3 SiO 1/2
  • siloxane units (Q units) represented by SiO 2 , R 1 R 2 R 3 SiO 1/2
  • M unit siloxane unit
  • D unit siloxane unit
  • T unit siloxane unit
  • A1 a polysiloxane (A1) containing two or more types of units and a platinum group metal catalyst (A2)
  • the polysiloxane (A1) is a siloxane unit (Q' unit) represented by SiO2 , R1 'R 2 'R 3 'SiO 1/2 siloxane unit (M' unit), R 4 'R 5 'SiO 2/2 siloxane unit (D' unit) and R 6 'SiO 3
  • a siloxane unit represented by SiO 2 , R 1 R 2 R 3 SiO 1/2
  • Polyorganosiloxane (a1') containing seeds, siloxane units represented by SiO 2 (Q” units), siloxane units represented by R 1 "R 2 "R 3 "SiO 1/2 (M” units) , one selected from the group consisting of siloxane units (D” units) represented by R 4 "R 5 "SiO 2/2 and siloxane units (T” units) represented by R 6 "SiO 3/2 , or
  • the polyorganosiloxane (a2') contains two or more types of units and also contains at least one type selected from the group consisting of M" units, D" units, and T" units. Note that (a1') is an example of (a1), and (a2') is an example of (a2).
  • R 1 to R 6 are groups or atoms bonded to a silicon atom, and each independently represents an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or a hydrogen atom.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • R 1 ′ to R 6 ′ are groups bonded to a silicon atom, and each independently represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted alkenyl group, but R 1 ′ to R 6 At least one of ' is an optionally substituted alkenyl group.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • R 1 ” to R 6 are groups or atoms bonded to a silicon atom, and each independently represents an optionally substituted alkyl group or a hydrogen atom, but at least one of R 1 ” to R 6 ” One is a hydrogen atom.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • the alkyl group may be linear, branched, or cyclic, but linear or branched alkyl groups are preferred, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is usually 1 to 40, preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and even more preferably 10 or less.
  • optionally substituted linear or branched alkyl groups include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group.
  • the optionally substituted cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a 1-methyl-cyclopropyl group, a 2-methyl-cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a 1-methyl-cyclobutyl group, and a 2-methyl-cyclopropyl group.
  • the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is usually 2 to 40, preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and More preferably, it is 10 or less.
  • the optionally substituted linear or branched alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and the number of carbon atoms thereof is Usually 2 to 14, preferably 2 to 10, more preferably 1 to 6. Among these, ethenyl group and 2-propenyl group are particularly preferred.
  • Specific examples of the optionally substituted cyclic alkenyl group include, but are not limited to, cyclopentenyl, cyclohexenyl, etc., and the number of carbon atoms thereof is usually 4 to 14, preferably 5 to 10. , more preferably 5 to 6.
  • polysiloxane (A1) contains polyorganosiloxane (a1') and polyorganosiloxane (a2'), but the alkenyl group contained in polyorganosiloxane (a1') and polyorganosiloxane (a2') ) and the hydrogen atoms (Si--H groups) contained in the compound form a crosslinked structure through a hydrosilylation reaction using a platinum group metal catalyst (A2) and are cured. As a result, a cured film is formed.
  • the polyorganosiloxane (a1') contains one or more units selected from the group consisting of Q' units, M' units, D' units, and T' units, as well as M' units, D' units, and It contains at least one type selected from the group consisting of T' units.
  • a combination of two or more polyorganosiloxanes that satisfy such conditions may be used.
  • Q' units, M' units, D' units and T' units include (Q' units and M' units), (D' units and M' units), (T' unit and M' unit), (Q' unit, T' unit and M' unit), but are not limited to these.
  • the polyorganosiloxane (a1') contains two or more types of polyorganosiloxanes
  • a combination of (Q' unit and M' unit) and (D' unit and M' unit), (T' Combinations of (unit and M' unit) and (D' unit and M' unit) are preferred, Not limited to these.
  • the polyorganosiloxane (a2') contains one or more units selected from the group consisting of Q" units, M" units, D" units, and T" units, and also contains M" units, D" units, and It contains at least one type selected from the group consisting of T'' units.As the polyorganosiloxane (a2'), two or more types of polyorganosiloxanes satisfying such conditions may be used in combination.
  • Preferred combinations of two or more selected from the group consisting of Q" units, M" units, D" units, and T" units include (M" units and D” units), (Q" units and M” units), (Q" units, T" units, and M” units), but are not limited to these.
  • Polyorganosiloxane (a1') is composed of siloxane units in which an alkyl group and/or an alkenyl group are bonded to the silicon atom, and in all substituents represented by R 1 ' to R 6 ',
  • the proportion of alkenyl groups is preferably 0.1 to 50.0 mol%, more preferably 0.5 to 30.0 mol%, and the remaining R 1 ′ to R 6 ′ can be an alkyl group. .
  • Polyorganosiloxane (a2') is composed of siloxane units in which an alkyl group and/or a hydrogen atom are bonded to a silicon atom, and all substituents represented by R 1 '' to R 6 '' and The proportion of hydrogen atoms in the substituent atoms is preferably 0.1 to 50.0 mol%, more preferably 10.0 to 40.0 mol%, and the remaining R 1 '' to R 6 '' are alkyl groups. can do.
  • component (A) contains (a1) and (a2)
  • the alkenyl group contained in the polyorganosiloxane (a1) and the Si-H bond contained in the polyorganosiloxane (a2) The molar ratio of hydrogen atoms to hydrogen atoms is in the range of 1.0:0.5 to 1.0:0.66.
  • the weight average molecular weight of polysiloxanes such as polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) is not particularly limited, but each is usually 500 to 1,000,000, and the effects of the present invention can be achieved with good reproducibility. From the viewpoint of this, it is preferably 5,000 to 50,000.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight, and dispersion degree of the polyorganosiloxane are determined using, for example, a GPC device (EcoSEC, HLC-8320GPC manufactured by Tosoh Corporation) and a GPC column ( Tosoh Corporation TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H) was used, the column temperature was 40°C, tetrahydrofuran was used as the eluent (elution solvent), the flow rate was 0.35mL/min, and the standard sample was It can be measured using polystyrene (Shodex, manufactured by Showa Denko K.K.).
  • the viscosity of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) is not particularly limited, but each is usually 10 to 1,000,000 (mPa ⁇ s), and is preferably from the viewpoint of achieving the effects of the present invention with good reproducibility. is 50 to 10,000 (mPa ⁇ s).
  • the viscosity of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) is a value measured with an E-type rotational viscometer at 25°C.
  • the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2) react with each other to form a film through a hydrosilylation reaction. Therefore, the mechanism of curing is different from that via, for example, silanol groups, and therefore it is not necessary for any siloxane to contain silanol groups or functional groups that form silanol groups by hydrolysis, such as alkyloxy groups. None.
  • the adhesive composition contains a platinum group metal catalyst (A2) together with the polyorganosiloxane component (A').
  • a platinum-based metal catalyst is a catalyst for promoting the hydrosilylation reaction between the alkenyl group of the polyorganosiloxane (a1) and the Si--H group of the polyorganosiloxane (a2).
  • platinum-based metal catalysts include platinum black, platinum chloride, chloroplatinic acid, reaction products of chloroplatinic acid and monohydric alcohol, complexes of chloroplatinic acid and olefins, platinum bisacetoacetate, etc. Examples include, but are not limited to, platinum-based catalysts. Examples of complexes of platinum and olefins include, but are not limited to, complexes of divinyltetramethyldisiloxane and platinum.
  • the amount of platinum group metal catalyst (A2) is not particularly limited, but is usually in the range of 1.0 to 50.0 ppm based on the total amount of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2). .
  • the polyorganosiloxane component (A') may contain a polymerization inhibitor (A3) for the purpose of suppressing the progress of the hydrosilylation reaction.
  • the polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it can inhibit the progress of the hydrosilylation reaction, and specific examples thereof include 1-ethynyl-1-cyclohexanol and 1,1-diphenyl-2-propion-1-ol. and other alkynyl alcohols.
  • the amount of the polymerization inhibitor is not particularly limited, but it is usually 1000.0 ppm or more based on the total amount of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) from the viewpoint of obtaining the effect, and it is necessary to prevent the hydrosilylation reaction.
  • the content is 10,000.0 ppm or less from the viewpoint of preventing excessive suppression of
  • An example of the adhesive composition used in the present invention may include a component (B) that does not cause a curing reaction and becomes a release agent component together with a component (A) that hardens.
  • component (B) typically includes non-curable polyorganosiloxanes, specific examples of which include epoxy group-containing polyorganosiloxanes, methyl group-containing polyorganosiloxanes, and phenyl group-containing polyorganosiloxanes. Examples include, but are not limited to, siloxane.
  • component (B) polydimethylsiloxane is mentioned.
  • the polydimethylsiloxane may be modified.
  • examples of the polydimethylsiloxane that may be modified include, but are not limited to, epoxy group-containing polydimethylsiloxane, unmodified polydimethylsiloxane, and phenyl group-containing polydimethylsiloxane.
  • Preferred examples of the polyorganosiloxane as component (B) include, but are not limited to, epoxy group-containing polyorganosiloxanes, methyl group-containing polyorganosiloxanes, phenyl group-containing polyorganosiloxanes, and the like.
  • the weight average molecular weight of the polyorganosiloxane which is component (B) is not particularly limited, but is usually 100,000 to 2,000,000, and from the viewpoint of achieving the effects of the present invention with good reproducibility, preferably 200,000 to 2,000,000. 000 to 1,200,000, more preferably 300,000 to 900,000. Further, the degree of dispersion is not particularly limited, but is usually 1.0 to 10.0, preferably 1.5 to 5.0, more preferably 2 .0 to 3.0. In addition, the weight average molecular weight and the degree of dispersion can be measured by the above-mentioned method for polyorganosiloxane.
  • the viscosity of the polyorganosiloxane as component (B) is not particularly limited, but is usually 1,000 to 2,000,000 mm 2 /s.
  • kinematic viscosity (mm 2 /s) viscosity (mPa ⁇ s) / density (g/cm 3 ) can be calculated from the formula.
  • epoxy group-containing polyorganosiloxane examples include those containing a siloxane unit (D 10 unit) represented by R 11 R 12 SiO 2/2 .
  • R 11 is a group bonded to a silicon atom and represents an alkyl group
  • R 12 is a group bonded to a silicon atom and represents an epoxy group or an organic group containing an epoxy group
  • specific examples of the alkyl group include those mentioned above.
  • the epoxy group in the organic group containing an epoxy group may be an independent epoxy group that is not condensed with other rings, or may be an epoxy group that forms a condensed ring with other rings, such as a 1,2-epoxycyclohexyl group.
  • Specific examples of organic groups containing an epoxy group include, but are not limited to, 3-glycidoxypropyl and 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl.
  • a preferred example of the epoxy group-containing polyorganosiloxane is epoxy group-containing polydimethylsiloxane, but is not limited thereto.
  • the epoxy group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane unit ( D10 unit), but may also contain Q unit, M unit and/or T unit in addition to D10 unit.
  • specific examples of the epoxy group-containing polyorganosiloxane include a polyorganosiloxane containing only D 10 units, a polyorganosiloxane containing D 10 units and Q unit, and a polyorganosiloxane containing D 10 units and M unit.
  • polyorganosiloxane containing D 10 units and T units polyorganosiloxanes containing D 10 units, Q units and M units, polyorganosiloxanes containing D 10 units, M units and T units.
  • the epoxy group-containing polyorganosiloxane is preferably an epoxy group-containing polydimethylsiloxane having an epoxy value of 0.1 to 5. Further, the weight average molecular weight thereof is not particularly limited, but is usually 1,500 to 500,000, and preferably 100,000 or less from the viewpoint of suppressing precipitation in the composition.
  • epoxy group-containing polyorganosiloxane examples include, but are not limited to, those represented by formulas (E1) to (E3).
  • Examples of the methyl group-containing polyorganosiloxane include those containing siloxane units (D 200 units) represented by R 210 R 220 SiO 2/2 , preferably siloxane units represented by R 21 R 21 SiO 2/2 . ( D20 units).
  • R 210 and R 220 are groups bonded to a silicon atom, and each independently represents an alkyl group, and at least one of them is a methyl group, and specific examples of the alkyl group include the above-mentioned examples.
  • R 21 is a group bonded to a silicon atom and represents an alkyl group, and specific examples of the alkyl group include those mentioned above. Among these, R 21 is preferably a methyl group.
  • a preferred example of the methyl group-containing polyorganosiloxane is polydimethylsiloxane, but is not limited thereto.
  • the methyl group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane units (D 200 units or D 20 units), but in addition to the D 200 units and D 20 units, it may also contain Q units, M units, and/or T units. .
  • methyl group-containing polyorganosiloxane examples include a polyorganosiloxane consisting of only D 200 units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and Q units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and M units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and T units, a polyorganosiloxane containing D 200 units, Q units and M units, a polyorganosiloxane containing D 200 units, M units and T units, and a polyorganosiloxane containing D 200 units, Q units, M units and T units.
  • methyl group-containing polyorganosiloxane examples include polyorganosiloxanes containing only D20 units, polyorganosiloxanes containing D20 units and Q units, and polyorganosiloxanes containing D20 units and M units.
  • methyl group-containing polyorganosiloxane examples include, but are not limited to, those represented by formula (M1).
  • n4 indicates the number of repeating units and is a positive integer.
  • Examples of the phenyl group-containing polyorganosiloxane include those containing a siloxane unit (D 30 unit) represented by R 31 R 32 SiO 2/2 .
  • R 31 is a group bonded to a silicon atom and represents a phenyl group or an alkyl group
  • R 32 is a group bonded to a silicon atom and represents a phenyl group
  • specific examples of the alkyl group include the above-mentioned examples. can be mentioned, but methyl group is preferred.
  • the phenyl group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane unit ( D30 unit), but may also contain Q unit, M unit and/or T unit in addition to D30 unit.
  • phenyl group-containing polyorganosiloxane examples include polyorganosiloxanes containing only D 30 units, polyorganosiloxanes containing D 30 units and Q units, and polyorganosiloxanes containing D 30 units and M units.
  • phenyl group-containing polyorganosiloxane examples include, but are not limited to, those represented by formula (P1) or (P2).
  • the polyorganosiloxane that is the release agent component (B) may be a commercially available product or a synthesized product.
  • Commercially available polyorganosiloxane products include, for example, WACKERSILICONE FLUID AK series (AK50, AK 350, AK 1000, AK 10000, AK 1000000) manufactured by Wacker Chemi, GENIOPLAST GUM, and dimethyl silicone manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Epoxy group-containing polyorganosiloxane (KF-101, KF-1001, KF-1005, X-22-343), Dow Corning epoxy Group-containing polyorganosiloxane (BY16-839); phenyl group-containing polyorganosiloxane (PMM-1043, PMM-1025, PDM-0421, PDM-0821) manufactured by Gelest, phenyl group-containing polyorganosiloxane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Examples include, but are not limited to, siloxane (KF50-3000CS) and phenyl group-containing polyorganosiloxane (TSF431, TSF433) manufactured by MOMENTIVE.
  • the adhesive composition used in the present invention contains a component (B) that does not cause a curing reaction together with the component (A) that hardens, and in another embodiment, the adhesive composition used in the present invention contains a component (B) that does not cause a curing reaction. is included.
  • An example of the adhesive composition used in the present invention can contain component (A) and component (B) in any ratio, but considering the balance between adhesiveness and releasability, component (A) and component (B) can be contained in an arbitrary ratio.
  • the ratio with component (B) is a mass ratio [(A):(B)], preferably 99.995:0.005 to 30:70, more preferably 99.9:0.1 to 75:25. It is.
  • the ratio of component (A') to component (B) is the mass ratio [(A'):(B)], The ratio is preferably 99.995:0.005 to 30:70, more preferably 99.9:0.1 to 75:25.
  • the viscosity of the adhesive composition used in the present invention is not particularly limited, but is usually 500 to 20,000 mPa ⁇ s, preferably 1,000 to 10,000 mPa ⁇ s at 25°C.
  • An example of the adhesive composition used in the present invention can be produced by mixing component (A), and if used, component (B) and a solvent.
  • the mixing order is not particularly limited, examples of methods that can easily and reproducibly produce an adhesive composition include a method in which component (A) and component (B) are dissolved in a solvent; Examples include, but are not limited to, a method of dissolving a part of component (A) and component (B) in a solvent, dissolving the remainder in a solvent, and mixing the obtained solutions.
  • heating may be carried out as appropriate within a range where the components do not decompose or change in quality.
  • the solvent, solution, etc. used may be filtered using a filter or the like during the production of the adhesive composition or after all the components are mixed.
  • the thickness of the adhesive layer included in the laminate of the present invention is not particularly limited, but is usually 5 to 500 ⁇ m, and from the viewpoint of maintaining film strength, preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more, and more. It is more preferably 30 ⁇ m or more, and from the viewpoint of avoiding nonuniformity caused by a thick film, it is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 150 ⁇ m or less, even more preferably 120 ⁇ m or less, and still more preferably 70 ⁇ m or less.
  • the laminate shown in FIG. 1 includes a semiconductor substrate 1, an adhesive layer 2, a release agent layer 3, and a support substrate 4 in this order.
  • Adhesive layer 2 and release agent layer 3 are provided between semiconductor substrate 1 and support substrate 4 .
  • Adhesive layer 2 is in contact with semiconductor substrate 1 .
  • Release agent layer 3 is in contact with adhesive layer 2 and support substrate 4 .
  • An example of the laminate of the present invention can be produced by a method including the following first to third steps.
  • First step a step of applying an adhesive composition onto a semiconductor substrate to form an adhesive coating layer.
  • Second step a step of applying a release agent composition onto a supporting substrate to form a release agent layer.
  • Third step a step of heating the adhesive coating layer while the adhesive coating layer and the release agent layer are in contact with each other to form an adhesive layer.
  • the method for applying the adhesive composition is not particularly limited, but is usually a spin coating method. Note that a method may be adopted in which a coating film is separately formed by a spin coating method or the like, a sheet-shaped coating film is formed, and the sheet-shaped coating film is attached as an adhesive coating layer.
  • the heating temperature of the applied adhesive composition depends on the type and amount of the adhesive component contained in the adhesive composition, whether or not a solvent is included, the boiling point of the solvent used, the desired thickness of the adhesive layer, etc. Although it cannot be specified unconditionally because it varies, it is usually 80 to 150°C and the heating time is usually 30 seconds to 5 minutes. When the adhesive composition contains a solvent, the applied adhesive composition is usually heated.
  • the thickness of the adhesive coating layer obtained by applying the adhesive composition and heating it if necessary is usually about 5 to 500 ⁇ m, and the final thickness of the adhesive layer is within the above-mentioned range. shall be determined as appropriate.
  • the method for applying the release agent composition is not particularly limited, but is usually a spin coating method.
  • the heating temperature of the applied release agent composition cannot be unconditionally defined because it varies depending on the type and amount of release agent components contained in the release agent composition, the desired thickness of the release agent layer, etc. From the viewpoint of achieving this with good reproducibility, the heating temperature is 80° C. or more and 300° C. or less, and the heating time is usually appropriately determined in the range of 10 seconds to 10 minutes depending on the heating temperature.
  • the heating temperature is preferably 100°C or higher and 280°C or lower, more preferably 150°C or higher and 250°C or lower.
  • the heating time is preferably 30 seconds or more and 8 minutes or less, more preferably 1 minute or more and 5 minutes or less. Heating can be performed using a hot plate, oven, or the like.
  • the thickness of the release agent layer obtained by applying the release agent composition and heating it if necessary is usually about 5 nm to 100 ⁇ m.
  • such coating layers are brought into contact with each other, and a load is applied in the thickness direction of the semiconductor substrate and the supporting substrate while performing heat treatment, reduced pressure treatment, or both to bring the two layers into close contact. , Then, by performing a post-heat treatment, the laminate of the present invention can be obtained.
  • heat treatment, reduced pressure treatment, or a combination of both depends on the type of adhesive composition, the specific composition of the release agent composition, the compatibility of the film obtained from both compositions, and the film thickness. , is determined as appropriate after taking into account various circumstances such as the required adhesive strength.
  • the heat treatment is normally determined as appropriate from the range of 20 to 150°C from the viewpoint of removing the solvent from the composition, softening the adhesive coating layer and realizing suitable bonding with the release agent layer, etc.
  • the heating temperature is preferably 130°C or lower, more preferably 90°C or lower
  • the heating time is determined by the heating temperature and adhesive temperature.
  • the time is usually 30 seconds or more, preferably 1 minute or more, but it is recommended to avoid deterioration of the adhesive layer and other components. From the viewpoint of suppression, the time is usually 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less.
  • the reduced pressure treatment may be performed by exposing the adhesive coating layer and release agent layer that are in contact with each other to an atmospheric pressure of 10 to 10,000 Pa.
  • the time for the reduced pressure treatment is usually 1 to 30 minutes.
  • two layers that are in contact with each other are preferably bonded together by a reduced pressure treatment, more preferably by a combination of a heat treatment and a reduced pressure treatment.
  • the load in the thickness direction of the semiconductor substrate and the supporting substrate is not particularly limited as long as it does not adversely affect the semiconductor substrate and the supporting substrate and the two layers between them, and can firmly adhere them. , usually within the range of 10 to 1000N.
  • the temperature of the post-heating is preferably 120° C. or higher from the viewpoint of achieving a sufficient curing speed, and preferably 260° C. or lower from the viewpoint of preventing deterioration of the substrate and each layer.
  • the post-heating time is usually 1 minute or more, preferably 5 minutes or more, from the viewpoint of realizing suitable bonding of the substrates and layers that constitute the laminate, to suppress or avoid adverse effects on each layer due to excessive heating. From the viewpoint of this, it is usually 180 minutes or less, preferably 120 minutes or less. Heating can be performed using a hot plate, oven, or the like.
  • heating may be performed with either the semiconductor substrate or the support substrate of the laminate facing down, but from the viewpoint of realizing suitable peeling with good reproducibility, it is preferable to heat with the semiconductor substrate facing down.
  • Post-heating is preferred.
  • one purpose of the post-heat treatment is to realize the adhesive layer and the release agent layer as more suitable self-supporting films, and in particular to appropriately realize curing by a hydrosilylation reaction.
  • FIGS. 2A to 2C are diagrams for explaining one mode of manufacturing a laminate.
  • a laminate in which an adhesive coating layer 2a is formed on a semiconductor substrate 1 is prepared (FIG. 2A). This laminate can be obtained, for example, by applying an adhesive composition onto the semiconductor substrate 1 and heating it.
  • a laminate in which a release agent layer 3 is formed on a support substrate 4 is separately prepared (FIG. 2B). This laminate can be obtained, for example, by applying a release agent composition onto the support substrate 4 and heating it.
  • FIGS. 2A to 2C A laminate is obtained by the steps shown in FIGS. 2A to 2C.
  • the laminate includes the semiconductor substrate 1, the adhesive layer 2, the release agent layer 3, and the support substrate 4, which are laminated in this order, so the above manufacturing method is taken as an example.
  • the laminate When manufacturing a laminate in which release agent layer 3, adhesive layer 2, and support substrate 4 are laminated in this order, apply a release agent composition to the surface of the semiconductor substrate, and apply it if necessary.
  • the release agent layer and the adhesive coating layer of the support substrate are brought into close contact with each other by applying a load in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate while performing at least one of heat treatment and depressurization treatment, and then post-heating.
  • a load in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate By carrying out the treatment, it can be manufactured by a method including a third step of forming a laminate. Note that, as long as the effects of the present invention are not impaired, each composition may be applied and heated on either one of the substrates in sequence.
  • a laminate having an electronic device layer is used for processing the electronic device layer. While the electronic device layer is being processed, the electronic device layer is adhered to the support substrate. After processing the electronic device layer, the release agent layer is irradiated with light, and then the electronic device layer is separated from the support substrate.
  • the electronic device layer refers to a layer having an electronic device, and in the present invention, refers to a layer in which a plurality of semiconductor chip substrates are embedded in a sealing resin, that is, a layer consisting of a plurality of semiconductor chip substrates and a sealing resin disposed between the semiconductor chip substrates.
  • “electronic device” means a member constituting at least a part of an electronic component.
  • the electronic device is not particularly limited, and may be a semiconductor substrate having various mechanical structures or circuits formed on the surface thereof.
  • the electronic device is preferably a composite of a member made of a metal or semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
  • the electronic device may be a redistribution layer described later and/or a semiconductor element or other element sealed or insulated with a sealing material or insulating material, and may have a single-layer or multi-layer structure.
  • ⁇ Support board>> Examples of the support substrate include those described in the section of ⁇ Support Substrate>> of the ⁇ First Embodiment> above.
  • ⁇ Release agent layer>> The release agent layer is formed using the above-mentioned release agent composition for light irradiation release of the present invention.
  • the detailed description of the release agent layer is as explained in the section of ⁇ Release Agent Layer>> in the ⁇ First Embodiment> above.
  • ⁇ Adhesive layer>> The adhesive layer is formed using the adhesive composition described above. The detailed explanation of the adhesive layer is as explained in the section of the above ⁇ Adhesive layer>> of the above ⁇ First embodiment>.
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an example of a laminate according to the second embodiment.
  • the laminate in FIG. 3 includes a support substrate 24, a release agent layer 23, an adhesive layer 22, and an electronic device layer 26 in this order.
  • the electronic device layer 26 includes a plurality of semiconductor chip substrates 21 and a sealing resin 25 that is a sealing material placed between the semiconductor chip substrates 21.
  • Adhesive layer 22 and release agent layer 23 are provided between electronic device layer 26 and support substrate 24 .
  • Adhesive layer 22 contacts electronic device layer 26 .
  • Release agent layer 23 is in contact with adhesive layer 22 and support substrate 24 .
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of another example of the laminate.
  • the laminate shown in FIG. 4 includes a support substrate 24, a release agent layer 27 having adhesive properties, and an electronic device layer 26 in this order.
  • a release agent layer 27 having adhesive properties is provided between the support substrate 24 and the electronic device layer 26.
  • the release agent layer 27 having adhesive performance can be prepared by mixing the constituent components of the release agent composition that forms the release agent and the constituent components of the adhesive composition that forms the adhesive layer.
  • a method for manufacturing a laminate will be described below, taking as an example the laminate shown in FIG. 3 among the laminates in the second embodiment.
  • the laminate of the present invention can be manufactured, for example, by a method including the following first to fifth steps.
  • First step Applying a release agent composition to the surface of the support substrate to form a release agent coating layer (if necessary, further heating to form a release agent layer)
  • Second step The above release agent Step of applying an adhesive composition to the surface of the coating layer or release agent layer to form an adhesive coating layer (if necessary, further heating to form an adhesive layer)
  • Third step Bonding the semiconductor chip substrate Step of bonding the semiconductor chip substrate to the adhesive coating layer or the adhesive layer while placing it on the adhesive coating layer or the adhesive layer and performing at least one of heat treatment and reduced pressure treatment
  • Fourth step Adhesion A step of curing the adhesive coating layer by post-heating to form an adhesive layer.
  • Fifth step A step of sealing the semiconductor chip substrate fixed on the adhesive layer with a sealing resin.Third
  • a more detailed explanation of the step includes, for example, the step of the embodiment (i) below.
  • a semiconductor chip substrate is placed on the adhesive coating layer or the adhesive layer, and a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate while performing at least one of heat treatment and depressurization treatment.
  • the semiconductor chip substrate is brought into close contact with the adhesive coating layer or the adhesive layer.
  • the fourth step may be performed after the semiconductor chip substrate in the third step is bonded to the adhesive coating layer, or may be performed in conjunction with the third step. For example, by placing a semiconductor chip substrate on an adhesive coating layer and applying a load in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and supporting substrate, the adhesive coating layer is heated and cured to bond it to the semiconductor chip substrate. The adhesive layer and the semiconductor chip substrate may be bonded together by adhering to the adhesive coating layer and curing the adhesive coating layer to the adhesive layer. Further, the fourth step may be performed before the third step, in which the semiconductor chip substrate is placed on the adhesive layer, and while applying a load in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate, The adhesive layer and the semiconductor chip substrate may be bonded together.
  • the coating method, heating temperature of the applied release agent composition and adhesive composition, heating means, etc. are as described in the above ⁇ Method for manufacturing an example of a laminate in the first embodiment>> of the above ⁇ First Embodiment>. As stated in.
  • a laminate shown in FIG. 3 is manufactured.
  • a release agent coating layer 23' made of a release agent composition is formed on the support substrate 24. At that time, the release agent coating layer 23' may be heated to form the release agent layer 23.
  • an adhesive coating layer 22' made of an adhesive composition is formed on the release agent coating layer 23' or on the release agent layer 23. At that time, the adhesive coating layer 22' may be heated to form the adhesive layer 22.
  • FIG. 5A a release agent coating layer 23' made of a release agent composition is formed on the support substrate 24. At that time, the release agent coating layer 23' may be heated to form the release agent layer 23.
  • an adhesive coating layer 22' made of an adhesive composition is formed on the release agent coating layer 23' or on the release agent layer 23. At that time, the adhesive coating layer 22' may be heated to form the adhesive layer 22.
  • FIG. 5A a release agent coating layer 23' made of a release agent composition is formed on the support substrate 24. At that time, the release agent coating layer 23' may be heated
  • the semiconductor chip substrate 21 is placed on the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22', and while performing at least one of heat treatment and depressurization treatment, the semiconductor chip substrate 21 and The semiconductor chip substrate 21 is bonded to the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22' by applying a load in the thickness direction of the support substrate 24 to bring them into close contact.
  • the adhesive coating layer 22' is cured by post-heat treatment to form the adhesive layer 22, and the semiconductor chip substrate 21 is bonded to the adhesive layer 22. Fixed to.
  • the release agent coating layer 23' may also be subjected to a post-heat treatment to form the release agent layer 23.
  • the semiconductor chip substrate 21 fixed on the adhesive layer 22 is sealed using a sealing resin 25.
  • a plurality of semiconductor chip substrates 21 temporarily bonded onto a support substrate 24 via an adhesive layer 22 are sealed with a sealing resin 25.
  • An electronic device layer 26 having a semiconductor chip substrate 21 and a sealing resin 25 disposed between the semiconductor chip substrates 21 is formed on the adhesive layer 22. In this way, the electronic device layer 26 is It is a base material layer in which a plurality of semiconductor chip substrates are embedded in resin.
  • the semiconductor chip substrate 21 is sealed using a sealing material.
  • a sealing material for sealing the semiconductor chip substrate 21 a member that can insulate or seal a member made of metal or semiconductor is used.
  • a resin composition (sealing resin) is used as the sealing material.
  • the type of sealing resin is not particularly limited as long as it can seal and/or insulate metals or semiconductors, but it is preferable to use, for example, epoxy resin or silicone resin.
  • the sealing material may contain other components such as fillers. Examples of the filler include spherical silica particles.
  • the temperature condition is, for example, 130 to 170°C.
  • the pressure applied to the semiconductor chip substrate 21 is, for example, 50 to 500 N/cm 2 .
  • Method for manufacturing processed semiconductor substrate or electronic device layer By using the laminate according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a processed semiconductor substrate or a method for manufacturing a processed electronic device layer.
  • the "method for manufacturing a processed semiconductor substrate” uses the laminate described in the ⁇ First Embodiment> column of the above (Laminated body). Furthermore, the “method for manufacturing a processed electronic device layer” uses the laminate described in the section of ⁇ Second Embodiment> above (Laminated body).
  • the "method for manufacturing a processed semiconductor substrate” will be described in the ⁇ Third Embodiment> below, and the "method for manufacturing a processed electronic device layer” will be described in the ⁇ Fourth Embodiment> below.
  • the method for manufacturing a processed semiconductor substrate of the present invention includes the following 5th A step and the following 6th A step.
  • the method for manufacturing a processed electronic device layer may further include the following step 7A.
  • the 5th A step is a step of processing the semiconductor substrate in the laminate described in the section of ⁇ First Embodiment> above.
  • the 6th A process is a process of separating the semiconductor substrate processed in the 5th A process and the support substrate.
  • the 7th A process is a process of cleaning the processed semiconductor substrate after the 6th A process.
  • the processing performed on the semiconductor substrate in step 5A is, for example, processing on the side opposite to the circuit surface of the wafer, such as thinning the wafer by polishing the back surface of the wafer. Thereafter, for example, through-silicon vias (TSV) and the like are formed, and then the thinned wafer is peeled off from the support substrate to form a stack of wafers and three-dimensionally packaged. Further, for example, before and after this, the formation of wafer backside electrodes and the like is also performed. In thinning the wafer and in the TSV process, heat of about 250 to 350° C. is applied while the wafer is bonded to a support substrate.
  • the laminate of the present invention usually includes an adhesive layer and has heat resistance against the load. Note that the processing is not limited to those described above, and includes, for example, implementation of a mounting process for semiconductor components in the case of temporary bonding with a support substrate to support a base material for mounting semiconductor components.
  • the method of separating (peeling off) the semiconductor substrate and the support substrate is to irradiate the release agent layer with light, then mechanically peel it off using a device with a sharp part, or to separate it between the support body and the semiconductor wafer. Examples include, but are not limited to, peeling off and the like.
  • the release agent layer is caused to change in quality (e.g., separation or decomposition of the release agent layer) as described above, and then, for example, one of the substrates is pulled up. Therefore, the semiconductor substrate and the support substrate can be easily separated.
  • the release agent layer does not necessarily need to be irradiated with light over the entire area of the release agent layer. Even if there are areas irradiated with light and areas that are not irradiated, if the peeling ability of the entire stripping agent layer is sufficiently improved, the semiconductor substrate can be separated by a slight external force such as pulling up the supporting substrate. Support substrate can be separated.
  • the ratio and positional relationship between the areas irradiated with light and the areas not irradiated are determined by the type of adhesive used, its specific composition, the thickness of the adhesive layer, the thickness of the adhesive layer, the thickness of the release agent layer, and the irradiation.
  • the conditions vary depending on the intensity of the light to be used, etc., those skilled in the art can set the conditions as appropriate without requiring excessive testing. Due to these circumstances, according to the method for manufacturing a processed semiconductor substrate of the present invention, for example, when the supporting substrate of the laminate used has optical transparency, when peeling is performed by light irradiation from the supporting substrate side, As a result, it is possible to shorten the light irradiation time, and as a result, not only can it be expected to improve throughput, but also the semiconductor substrate and supporting substrate can be bonded together by light irradiation alone, avoiding physical stress for peeling. Can be separated easily and efficiently. Usually, the amount of light irradiation for peeling is 50 to 3,000 mJ/cm 2 . The irradiation time is appropriately determined depending on the wavelength and the irradiation amount.
  • the wavelength of the light used for peeling is preferably, for example, 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferred wavelengths are 308nm, 343nm, 355nm, 365nm, or 532nm.
  • the amount of light irradiation required for exfoliation is one that can cause suitable alterations, such as decomposition, of the particular compounds and polymers.
  • the light used for peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • the substrates can be cleaned by spraying the cleaning composition onto at least one of the surfaces of the separated semiconductor substrate and the supporting substrate, or by immersing the separated semiconductor substrate or the supporting substrate in the cleaning composition.
  • the surface of the processed semiconductor substrate or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • a step 7A of cleaning the processed semiconductor substrate may be performed after the step 6A.
  • the detergent composition used for cleaning include the following.
  • Cleaning compositions typically include a solvent.
  • the solvent include lactones, ketones, polyhydric alcohols, compounds having an ester bond, derivatives of polyhydric alcohols, cyclic ethers, esters, and aromatic organic solvents.
  • lactones include ⁇ -butyrolactone.
  • ketones include acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone.
  • polyhydric alcohols include ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol.
  • Examples of compounds having an ester bond include ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, etc.
  • Derivatives of polyhydric alcohols include, for example, the above-mentioned polyhydric alcohols or Examples of the above compounds having an ester bond include monoalkyl ethers such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, and monobutyl ether, or compounds having an ether bond such as monophenyl ether.
  • propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred.
  • Examples of the cyclic ethers include dioxane.
  • esters examples include methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate.
  • aromatic organic solvents examples include anisole, ethylbenzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene. Examples include. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, and ethyl lactate (EL) are preferred.
  • PMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • PGME propylene glycol monomethyl ether
  • EL ethyl lactate
  • a mixed solvent of PGMEA and a polar solvent is also preferred.
  • the blending ratio may be appropriately determined taking into consideration the compatibility between PGMEA and the polar solvent, but is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2. It is preferable to keep it within this range.
  • the mass ratio of PGMEA:EL is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2.
  • the mass ratio of PGMEA:PGME is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2, and even more preferably 3:7 to 7: It is 3.
  • the mass ratio of PGMEA: (PGME + cyclohexanone) is preferably 1:9 to 9:1, more preferably 2:8 to 8:2, and even more preferably 3 :7 to 7:3.
  • the cleaning composition may or may not contain salt, but the fact that it does not contain salt makes it highly versatile when processing semiconductor substrates using laminates. This is preferable in that it is possible to reduce costs and to reduce costs.
  • the cleaning composition contains a salt is a cleaning composition containing a quaternary ammonium salt and a solvent.
  • the quaternary ammonium salt is composed of a quaternary ammonium cation and an anion, and is not particularly limited as long as it can be used for this type of use.
  • Such quaternary ammonium cations typically include tetra(hydrocarbon) ammonium cations.
  • anions that form a pair with it include hydroxide ion (OH - ); halogen ions such as fluorine ion (F - ), chloride ion (Cl - ), bromine ion (Br - ), and iodine ion (I - ). ; tetrafluoroborate ion (BF 4 ⁇ ); hexafluorophosphate ion (PF 6 ⁇ ), and the like, but are not limited to these.
  • the quaternary ammonium salt is preferably a halogen-containing quaternary ammonium salt, more preferably a fluorine-containing quaternary ammonium salt.
  • the halogen atom may be contained in the cation or the anion, but is preferably contained in the anion.
  • the fluorine-containing quaternary ammonium salt is a tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride.
  • the hydrocarbon group in tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • the tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride comprises a tetraalkylammonium fluoride.
  • tetraalkylammonium fluoride examples include, but are not limited to, tetramethylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, tetrapropylammonium fluoride, tetrabutylammonium fluoride (also called tetrabutylammonium fluoride), etc. Among these, tetrabutylammonium fluoride is preferred.
  • a hydrate of the quaternary ammonium salt such as tetra(hydrocarbon) ammonium fluoride may be used. Further, quaternary ammonium salts such as tetra(hydrocarbon) ammonium fluoride may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the quaternary ammonium salt is not particularly limited as long as it is dissolved in the solvent contained in the cleaning composition, but is usually 0.1 to 30% by mass based on the cleaning composition.
  • the solvent used in combination is not particularly limited as long as it is used for this type of application and dissolves salts such as quaternary ammonium salts. From the viewpoint of obtaining a detergent composition with excellent detergency with good reproducibility, and from the viewpoint of obtaining a detergent composition with excellent uniformity by dissolving salts such as quaternary ammonium salts, it is preferable to use the cleaning method.
  • the agent composition contains one or more amide solvents.
  • a suitable example of the amide solvent is an acid amide derivative represented by formula (Z).
  • R 0 represents an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group, preferably an ethyl group or an isopropyl group, and more preferably an ethyl group.
  • R A and R B each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specifically includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, cyclopropyl, n-butyl, and isobutyl. group, s-butyl group, t-butyl group, cyclobutyl group, etc.
  • R A and R B are preferably a methyl group or an ethyl group, both are more preferably a methyl group or an ethyl group, and both are even more preferably a methyl group.
  • the acid amide derivatives represented by formula (Z) include N,N-dimethylpropionamide, N,N-diethylpropionamide, N-ethyl-N-methylpropionamide, N,N-dimethylbutyric acid amide, N, Examples include N-diethylbutyric acid amide, N-ethyl-N-methylbutyric acid amide, N,N-dimethylisobutyric acid amide, N,N-diethylisobutyric acid amide, N-ethyl-N-methylisobutyric acid amide, and the like. Among these, N,N-dimethylpropionamide and N,N-dimethylisobutyramide are particularly preferred, and N,N-dimethylpropionamide is more preferred.
  • the acid amide derivative represented by formula (Z) may be synthesized by a substitution reaction between a corresponding carboxylic acid ester and an amine, or a commercially available product may be used.
  • Another example of a preferable amide solvent is a lactam compound represented by formula (Y).
  • R 101 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • R 102 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, etc.
  • alkylene groups having 1 to 6 carbon atoms include: Examples include, but are not limited to, a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, and the like.
  • lactam compound represented by formula (Y) examples include ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, etc., which may be used singly or in combination. More than one species can be used in combination.
  • the lactam compound represented by formula (Y) contains 1-alkyl-2-pyrrolidone (N-alkyl- ⁇ -butyrolactam), and in a more preferred embodiment, N-methylpyrrolidone (NMP ) or N-ethylpyrrolidone (NEP), and in an even more preferred embodiment, N-methylpyrrolidone (NMP).
  • the cleaning composition used in the present invention may contain water as a solvent, but from the viewpoint of avoiding corrosion of the substrate, etc., usually only an organic solvent is intentionally used as the solvent. In this case, it is not denied that the hydration water of the salt or the trace amount of water contained in the organic solvent may be included in the cleaning composition.
  • the water content of the cleaning composition used in the present invention is usually 5% by mass or less.
  • the components and methodological elements related to the above-described steps of the method for manufacturing a processed semiconductor substrate of the present invention may be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
  • the method for manufacturing a processed semiconductor substrate of the present invention may include steps other than those described above.
  • the semiconductor of the laminate when the semiconductor substrate or the support substrate of the laminate of the present invention has light transmittance, the semiconductor of the laminate is irradiated with light from the semiconductor substrate side or the support substrate side to the release agent layer. It separates the substrate and support substrate.
  • the semiconductor substrate and the support substrate are temporarily bonded to each other by the adhesive layer and the release agent layer in a suitable releasable manner. By irradiating the release agent layer with light from the supporting substrate side of the laminate, the semiconductor substrate and the supporting substrate can be easily separated. Usually, peeling is performed after processing is performed on the semiconductor substrate of the stack.
  • FIG. 6A This laminate is the same as the laminate shown in FIGS. 1 and 2C.
  • a polishing device (not shown) is used to polish the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface in contact with the adhesive layer 2, thereby thinning the semiconductor substrate 1 ( FIG. 6B ).
  • the thinned semiconductor substrate 1 may be subjected to formation of a through electrode or the like.
  • the release agent layer 3 is irradiated with light from the support substrate 4 side, and then the thinned semiconductor substrate 1 and the support substrate 4 are separated using a peeling device (not shown) (FIG. 6C). A thinned semiconductor substrate 1 is then obtained (FIG. 6D).
  • residues of the adhesive layer 2 and the release agent layer 3 may remain on the thinned semiconductor substrate 1. Therefore, it is preferable to clean the thinned semiconductor substrate 1 with a cleaning agent composition to remove the residues of the adhesive layer 2 and the release agent layer 3 from the semiconductor substrate 1.
  • the method for manufacturing a processed electronic device layer of the present invention includes the following 5th B step and the following 6th B step.
  • the method for manufacturing a processed electronic device layer may further include the following step 7B.
  • the 5B step is a step of processing the electronic device layer in the laminate described in the section of ⁇ Second Embodiment> above.
  • the 6th B process is a process of separating the electronic device layer processed in the 5th B process from the support substrate.
  • the 7th B process is a process of cleaning the processed electronic device layer after the 6th B process.
  • Examples of the processing performed on the electronic device layer in the 5th B step include a grinding step and a wiring layer forming step.
  • the grinding step is a step of grinding away the resin portion of the sealing resin 25 in the electronic device layer 26 so that a part of the semiconductor chip substrate 21 is exposed. Grinding of the sealing resin portion is performed, for example, as shown in Fig. 7B, by grinding the layer of sealing resin 25 of the stack shown in Fig. 7A until it has a thickness substantially equal to that of the semiconductor chip substrate 21.
  • the stack shown in Fig. 7A is the same stack as the stacks shown in Figs. 3 and 5D.
  • the wiring layer forming process is a process of forming a wiring layer on the exposed semiconductor chip substrate 21 after the grinding process.
  • a wiring layer 28 is formed on an electronic device layer 26 made up of a layer of a semiconductor chip substrate 21 and a sealing resin 25.
  • the wiring layer 28 is also called an RDL (Redistribution Layer), is a thin film wiring body that constitutes wiring connected to the substrate, and may have a single-layer or multi-layer structure.
  • the wiring layer consists of conductors (for example, metals such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold and silver, and silver) between dielectrics (silicon oxide (SiO x ), photosensitive resins such as photosensitive epoxy, etc.).
  • the wiring may be formed of an alloy such as a tin alloy, but is not limited thereto.
  • methods for forming the wiring layer 28 include the following method.
  • a dielectric layer such as silicon oxide (SiO x ), photosensitive resin, or the like is formed on the layer of sealing resin 25 .
  • the dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like.
  • the dielectric layer made of a photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin onto the layer of the sealing resin 25 by, for example, spin coating, dipping, roller blading, spray coating, slit coating, or the like. can.
  • wiring is formed in the dielectric layer using a conductor such as metal.
  • a known semiconductor process method such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used. Examples of such lithography processing include lithography processing using a positive resist material and lithography processing using a negative resist material.
  • bumps can be further formed on the wiring layer 28 or elements can be mounted. The elements can be mounted on the wiring layer 28 using, for example, a chip mounter or the like.
  • the laminate according to the fourth embodiment may be a laminate manufactured in a process based on fan-out technology in which terminals provided on a semiconductor chip substrate are mounted on a wiring layer extending outside the chip area. .
  • the electronic device layer and the support substrate are separated (peeled) by irradiating the release agent layer with light and then mechanically peeling the support and the electronic device layer using a material with a sharp part. Examples include, but are not limited to, peeling and the like.
  • the release agent layer is caused to change in quality (e.g., separation or decomposition of the release agent layer) as described above, and then, for example, one of the substrates is pulled up. Therefore, the electronic device layer and the support substrate can be easily separated.
  • FIGS. 7D to 7E are schematic cross-sectional views for explaining a method for separating the stacked body
  • FIG. 7F is a schematic cross-sectional view for explaining a cleaning method after separating the stacked body.
  • An embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component) can be described with reference to FIGS. 7D to 7F.
  • light arrow
  • FIG. 7D in the step of separating the laminate, light (arrow) is irradiated to the release agent layer 23 through the support substrate 24 to alter the quality of the release agent layer 23, thereby separating the electronic device layer 26 and This is a step of separating the supporting substrate 24.
  • the support substrate 24 is separated from the electronic device layer 26, as shown in FIG. 7E.
  • the irradiation conditions and irradiation method for the adhesive layer are as described in the section of ⁇ Third Embodiment> above.
  • the substrate can be cleaned by spraying a cleaning composition onto the surface of at least one of the separated electronic device layer and the support substrate, or by immersing the separated electronic device layer or the support substrate in the cleaning composition. .
  • the surface of the processed electronic device layer or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 are attached to the electronic device layer 26 after the separation process, but the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 are attached to the electronic device layer 26 using a cleaning composition such as acid or alkali.
  • a cleaning composition such as acid or alkali.
  • the components and methodological elements related to the above-described steps of the method for manufacturing a processed electronic device layer of the present invention may be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
  • the method for manufacturing a processed electronic device layer of the present invention may include steps other than those described above.
  • the electronic device layer and the support substrate are temporarily bonded to each other by the adhesive layer in a suitable peelable manner.
  • the release agent layer By irradiating the release agent layer with light from the substrate side, the electronic device layer and the support substrate can be easily separated. Usually, peeling is performed after processing is performed on the electronic device layer of the laminate.
  • the weight average molecular weight of the resin composition was determined using a GPC device (HLC-8320GPC manufactured by Tosoh Corporation) and a GPC column (TSKgel Super-Multipore HZ-N (2 units)) at a column temperature of 40°C and an eluent (eluent).
  • the measurement was performed using THF (tetrahydrofuran) as a solvent, a flow rate (flow rate) of 0.35 mL/min, and polystyrene (Shodex, manufactured by Showa Denko K.K.) as a standard sample.
  • a mixture (I) was obtained.
  • 0.147 g of a platinum catalyst (manufactured by Wacker Chemi) and 5.81 g of a vinyl group-containing linear polydimethylsiloxane (manufactured by Wacker Chemi) having a viscosity of 1,000 mPa s were stirred for 5 minutes using the above stirrer to form a mixture (II).
  • 3.96 g of the obtained mixture (II) was added to the mixture (I) and stirred for 5 minutes using the above-mentioned stirrer to obtain a mixture (III).
  • the obtained mixture (III) was filtered through a 300 mesh nylon filter to obtain an adhesive composition.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-1), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,923.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-2), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,810.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-3), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 2,080.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-4), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,500.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-5), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,964.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-6), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 2,135.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-7), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 2,730.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-8), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 2,295.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-9), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,532.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-10), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 3,546.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-11), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 2,728.
  • reaction product corresponds to the following formula (A-12), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 4,619.
  • the obtained precipitate was collected by filtration, and the filtered material was washed with methanol and dried under reduced pressure at 60° C. to obtain 72.12 g of a reaction product.
  • the obtained reaction product corresponds to the following formula (A-13), and as a result of measurement using the method described above, its weight average molecular weight was 1,100.
  • Example 1-2 A release agent composition with a solid content of 6% by mass was obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the resin solutions obtained in Synthesis Examples B to L were used as the resin solutions.
  • an adhesive coating layer was formed on a silicon wafer, which is a semiconductor substrate. Then, using a bonding device, the glass wafer and the silicon wafer are bonded together so that the release agent coated layer and the adhesive coated layer are sandwiched, and then a laminate is produced by post-heating at 200°C for 10 minutes. did. Note that the bonding was performed at a temperature of 23° C., a degree of vacuum of 1,000 Pa, and a load of 30 N. The obtained laminate was cut into 4 cm square pieces using a dicing device.
  • a laminate consisting of a layer that exhibits releasability upon irradiation with light (release agent layer), a semiconductor substrate, and a support substrate
  • carbon dioxide having a structure similar to cinnamic acid is used to form the release agent layer.

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Abstract

光照射剥離用の剥離剤組成物であって、　下記式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶媒とを含有する剥離剤組成物。（式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。　＊は、結合手を表す。）

Description

光照射剥離用の剥離剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法
　本発明は、光照射剥離用の剥離剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法に関する。
　従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーを積層する。
　薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）が、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。この仮接着は支持体から容易に取り外されなければならず、取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり変形したりすることがあり、その様なことが生じない様に、容易に取り外される。しかし、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって外れたりずれたりすることは好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐え、研磨後に容易に取り外されることである。
　例えば研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）を持ち、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）を有する性能が求められる。
　このような接着と分離プロセスのためにレーザー照射による方法が開示（例えば特許文献１、２を参照）されているが、昨今の半導体分野における更なる進展に伴い、レーザー等の光の照射による剥離に関わる新たな技術は、常に求められている。
　本出願人は、支持体と被加工物との間に剥離可能に接着した中間層を有し被加工物を加工するための積層体であり、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、剥離層が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂を含む上記積層体を提案している（特許文献３を参照）。
特開２００４－６４０４０号公報 特開２０１２－１０６４８６号公報 国際公開第２０１９／０８８１０３号パンフレット
　光照射により剥離する方法においては、半導体ウエハーなどの半導体基板を加工した後に、光照射により剥離剤層を変質させ、支持基板からの半導体基板の剥離を容易にさせる。剥離後の半導体基板及び／又は支持基板の表面には、接着剤層、剥離剤層、及びそれらの残渣などの異物が付着していることがあるため、半導体基板及び／又は支持基板の洗浄が行われる。しかし、剥離剤層の種類によっては、半導体基板上及び支持基板上の異物が取り除かれにくく、洗浄が困難となることがある。また、異物が洗浄剤中にコンタミとして残ると、半導体基板及び支持基板に再付着してしまう。異物が取り除かれずに半導体基板上に残ると、半導体製品の歩留まりが低下するなどの問題が生じる。また、異物が取り除かれずに支持基板上に残ると、支持基板を再利用しにくい。更に、異物が洗浄剤中にコンタミとして残ると、洗浄剤を再利用にしくい。
　本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであって、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とを有する剥離剤層が形成可能な光照射剥離用の剥離剤組成物、並びに、当該剥離剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、前記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、前記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は以下を包含する。
　［１］　光照射剥離用の剥離剤組成物であって、
　下記式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶媒とを含有する剥離剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　［２］　前記化合物及び重合体の少なくともいずれかが、下記式（２）で表される構造、下記式（３）で表される構造、及び下記式（４）で表される構造の少なくともいずれかを有する、［１］に記載の剥離剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式（２）中、Ｘ１１は、２価の基を表す。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３）中、Ｘ１２は、２価の基を表す。＊、＊１、及び＊１’は、結合手を表す。結合手＊１は、炭素原子＊２又は炭素原子＊３と結合している。結合手＊１’は、炭素原子＊２’又は炭素原子＊３’と結合している。
　式（４）中、Ｘ１３及びＸ１４の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表し、Ｘ１５及びＸ１６の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表す。ｍ１は、０又は１を表す。）
　［３］　前記式（２）中のＸ１１が、下記式（２－１）で表される構造及び下記式（２－２）で表される構造のいずれかである、［２］に記載の剥離剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式（２－１）中、Ｑ１は、酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基、下記式（２－１－１）で表される２価の有機基、下記式（２－１－２）で表される２価の有機基、下記式（２－１－３）で表される２価の有機基、又は下記式（２－１－４）で表される２価の有機基を表す。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０又は１を表す。＊は、結合手を表す。
　式（２－２）中、Ｘ２１は、下記式（２－２－１）～（２－２－４）のいずれかで表される２価の基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式（２－１－１）～（２－１－４）中、Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１～６のアルキル基、炭素原子数２～６のアルケニル基、炭素原子数２～６のアルキニル基、炭素原子数１～６のアルコキシ基、炭素原子数２～６のアルケニルオキシ基、炭素原子数２～６のアルキニルオキシ基、炭素原子数２～６のアシル基、炭素原子数６～１２のアリールオキシ基、炭素原子数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素原子数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（２－１－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ１１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ１１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２以上のとき、２以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－２）中、Ｚ１１は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。ｎ１２及びｎ１３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２以上のとき、２以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２以上のとき、２以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－３）中、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１４は０～４の整数を表す。Ｒ２４が２以上のとき、２以上のＲ２４は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－４）中、Ｚ１４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。Ｚ１５及びＺ１６は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１５及びｎ１６は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２５が２以上のとき、２以上のＲ２５は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２６が２以上のとき、２以上のＲ２６は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （式（２－２－１）～（２－２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素原子数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。
　式（２－２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
　＊は結合手を表す。＊１は式（２－２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２－２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式（２－２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２－２）又は式（２－２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は結合手を表す。）
　［４］　前記炭素含有量が、５０％以上である、［１］から［３］のいずれかに記載の剥離剤組成物。
　［５］　前記式（１）中のＸ１がエーテル結合を表し、
　前記式（１）中のＲ１がシアノ基を表し、
　前記式（１）中のＲ２が－ＣＯＯ－を表し、
　前記式（１）中のｎ２が０を表す、
［１］から［４］のいずれかに記載の剥離剤組成物。
　［６］　半導体基板又は電子デバイス層と、
　光透過性の支持基板と、
　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、剥離剤層とを有し、
　前記剥離剤層が、［１］から［５］のいずれかに記載の剥離剤組成物から形成された剥離剤層である、積層体。
　［７］　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層を有する、［６］に記載の積層体。
　［８］　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
　［６］又は［７］に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は［６］又は［７］に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　［９］　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、［８］に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　本発明によれば、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とを有する剥離剤層が形成可能な光照射剥離用の剥離剤組成物、並びに、当該剥離剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板の製造方法を提供するができる。
図１は、第１の実施態様における積層体の一例の概略断面図である。 図２Ａは、第１の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図２Ｂは、第１の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図２Ｃは、第１の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図３は、第２の実施態様における積層体の一例の概略断面図である。 図４は、第２の実施態様における積層体の他の一例の概略断面図である。 図５Ａは、第２の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図５Ｂは、第２の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図５Ｃは、第２の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図５Ｄは、第２の実施態様における一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図６Ａは、第１の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図６Ｂは、第１の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図６Ｃは、第１の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図６Ｄは、第１の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図７Ａは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図７Ｂは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図７Ｃは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図７Ｄは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図７Ｅは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その５）。 図７Ｆは、第２の実施態様における一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その６）。
（光照射剥離用の剥離剤組成物）
　本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物は、下記式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶媒とを含有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　光照射により剥離する方法においては、半導体ウエハーなどの半導体基板を加工した後に、光照射により剥離剤層を変質させ、支持基板からの半導体基板の剥離を容易にさせる。剥離後の半導体基板及び／又は支持基板の表面には、接着剤層、剥離剤層、及びそれらの残渣などの異物が付着していることがあるため、半導体基板及び／又は支持基板の洗浄が行われる。しかし、剥離剤層の種類によっては、半導体基板上及び支持基板上の異物が取り除かれにくく、洗浄が困難となることがある。また、異物が洗浄剤中にコンタミとして残ると、半導体基板及び支持基板に再付着してしまう。異物が取り除かれずに半導体基板上に残ると、半導体製品の歩留まりが低下するなどの問題が生じる。また、異物が取り除かれずに支持基板上に残ると、支持基板を再利用しにくい。更に、異物が洗浄剤中にコンタミとして残ると、洗浄剤を再利用にしくい。
　他方で、剥離剤層に光照射する際、剥離剤層の全面に均一な光照射をすることは難しく、局所的な照射量を見た場合、照射量には面内ばらつきがある。そして、本発明者らが検討した結果、剥離性及び洗浄性は、照射量に依存することが分かった。剥離性は照射量が多い方が良好になりやすい。他方で、洗浄性は照射量が少ない方が良好になりやすい。
　そのため、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とが両立できることが望まれる。
　そこで、本発明者らは、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とを有する剥離剤層が形成可能な光照射剥離用の剥離剤組成物を提供するために鋭意検討を行った。
　その結果、式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶媒とを含有する剥離剤組成物が、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とを有する剥離剤層が形成可能であることを見出し、本発明の完成に至った。
　本発明の剥離剤組成物が、広い光照射量範囲において剥離性と洗浄性とを有する剥離剤層が形成可能であることについて、本発明者らは、以下の様に考察している。
　化合物及び重合体が式（１）で表される構造を有することで、光照射により剥離剤層が変質しやすくなり、その結果、広い光照射量範囲において剥離性を有する剥離剤層が得られる。他方、化合物及び重合体の炭素含有量が多すぎないことで、光照射により剥離剤層が変質しても洗浄性が保たれやすくなる。変質としては、例えば、炭化が考えられる。
＜化合物又は重合体＞
　剥離剤組成物に含有される化合物及び重合体（以下、「特定の化合物及び重合体」と称することがある）は、下記式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である。
　なお、本発明において、化合物と重合体との違いは特に明確である必要はない。例えば、式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である物質であれば、低分子量であってもよいし、高分子量であってもよいし、単一組成であってもよいし、分子量分布を有していてもよい（例えば、多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が１超であってもよい）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。
　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
　Ｘ１は、エーテル結合（－Ｏ－）、又はエステル結合（－ＣＯＯ－）を表す。
　Ｘ２は、エーテル結合（－Ｏ－）、又はエステル結合（－ＣＯＯ－）を表す。
　＊は、結合手を表す。）
　式（１）中のＲ１～Ｒ３における炭素原子数１～１３のアルキル基としては、例えば、炭素原子数１～６のアルキル基が挙げられる。
　炭素原子数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
　式（１）中のＲ１１の炭素原子数１～４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基などが挙げられる。
　式（１）中のＸ１としては、エーテル結合を表すことが好ましい。
　式（１）中のＲ１としては、シアノ基を表すことが好ましい。
　式（１）中のＲ２としては、－ＣＯＯ－を表すことが好ましい。
　式（１）中のｎ２としては、０を表すことが好ましい。
　特定の化合物及び重合体の炭素含有量としては、８０％以下であれば、特に制限されないが、７５％以下が好ましく、７０％以下がより好ましい。
　特定の化合物及び重合体の炭素含有量の下限値としては、特に制限されないが、炭素含有量は、４５％以上が好ましく、５０％以上がより好ましく、５５％以上が特に好ましい。
　化合物及び重合体の炭素含有量は、例えば、以下の方法により求めることができる。
　化合物又は重合体の組成式を求める。化合物又は重合体を合成する際には、化合物又は重合体の組成式は、反応原料の種類、反応原料の使用量、反応条件、並びに生成物の分子量などから推定することができる。また、化合物又は重合体を分析して化合物又は重合体の組成式を求める際には、組成式は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）、質量分析、元素分析、及び赤外分光分析などを用いて求めることができる。
　求めた化合物又は重合体の組成式を用いて、化合物又は重合体の炭素含有量を計算する。炭素含有量は、化合物又は重合体中の炭素の質量割合を表す。炭素含有量は、化合物又は重合体を構成する元素の種類と、それらの元素のモル比率と、それらの元素の原子量とを用いて求めることができる。炭素含有量は、例えば、下記式で求めることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000015
 　Ｃａｔｏｍ：組成式中の炭素のモル比率を表す。
　Ｘ１，ａｔｏｍ:組成物中の元素Ｘ１のモル比率を表す。
　ｘ１：元素Ｘ１の原子量を表す。
　Ｘ２，ａｔｏｍ:組成物中の元素Ｘ２のモル比率を表す。
　ｘ２：元素Ｘ２の原子量を表す。
　Ｘｎ，ａｔｏｍ:組成物中の元素Ｘｎのモル比率を表す。
　ｘｎ：元素Ｘｎの原子量を表す。
　ここで、一例として、ベンゼンの炭素原子量を求める。
　ベンゼンは、分子式Ｃ６Ｈ６、組成式ＣＨである。そのため、ベンゼンの炭素原子量（％）は、１００×１２×１／［１２×１＋１×１］＝９２．３％となる。
　次に、一例として、後述する合成例Ｅで製造された反応生成物の炭素原子量を求める。
　合成例Ｅで製造された反応生成物は、末端を除き、下記式（Ａ－５）の構造単位から構成される。
　式（Ａ－５）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 　この反応生成物の組成式は、組成式Ｃ２１Ｈ２３Ｏ７Ｎ３である。そのため、この反応生成物の炭素原子量（％）は、１００×１２×２１／［（１２×２１）＋（１×２３）＋（１６×７）＋（１４×３）］＝５８．７％となる。
　なお、特定の化合物及び重合体がポリシロキサン構造を有する場合、炭素含有量は小さくなる。ポリシロキサン構造は、ケイ素原子及び酸素原子の割合が高いためである。例えば、ポリジメチルシロキサンの－（Ｓｉ（ＣＨ２）２－Ｏ）－ユニットの炭素含有量は、３３．３％である。
　特定の化合物及び重合体は、ケイ素原子を有していてもよいし、ケイ素原子を有していなくてもよい。
　特定の化合物及び重合体は、シロキサン結合を有していてもよいし、シロキサン結合を有していなくてもよい。
　特定の化合物及び重合体は、ポリシロキサン構造を有していてもよいし、ポリシロキサン構造を有していなくてもよい。
　特定の化合物及び重合体は、式（１）で表される構造を有するが、炭素原子数４～１０のアルキレン基、脂肪族炭化水素環、複素環、及び芳香族炭化水素環の少なくともいずれかを更に有することが好ましい。特定の化合物及び重合体は、本発明の効果を好適に得る観点から、炭素原子数４～１０のアルキレン基、脂肪族炭化水素環、及び複素環の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
　炭素原子数４～１０のアルキレン基は、直鎖構造であってもよいし、分岐構造であってもよい。
　脂肪族炭化水素環としては、例えば、５～７員環の脂肪族炭化水素環が挙げられる。
　複素環は、例えば、窒素原子、炭素原子、酸素原子などを有する。
　芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環などが挙げられる。
　特定の化合物及び重合体は、下記式（２）で表される構造、下記式（３）で表される構造、及び下記式（４）で表される構造の少なくともいずれかを更に有することが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式（２）中、Ｘ１１は、２価の基を表す。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（３）中、Ｘ１２は、２価の基を表す。＊、＊１、及び＊１’は、結合手を表す。結合手＊１は、炭素原子＊２又は炭素原子＊３と結合している。結合手＊１’は、炭素原子＊２’又は炭素原子＊３’と結合している。
　式（４）中、Ｘ１３及びＸ１４の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表し、Ｘ１５及びＸ１６の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表す。ｍ１は、０又は１を表す。）
　式（２）中のＸ１１は、例えば、下記式（２－１）で表される構造及び下記式（２－２）で表される構造のいずれかである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式（２－１）中、Ｑ１は、酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基、下記式（２－１－１）で表される２価の有機基、下記式（２－１－２）で表される２価の有機基、下記式（２－１－３）で表される２価の有機基、又は下記式（２－１－４）で表される２価の有機基を表す。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０又は１を表す。＊は、結合手を表す。
　式（２－２）中、Ｘ２１は、下記式（２－２－１）～（２－２－４）のいずれかで表される２価の基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （式（２－１－１）～（２－１－４）中、Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１～６のアルキル基、炭素原子数２～６のアルケニル基、炭素原子数２～６のアルキニル基、炭素原子数１～６のアルコキシ基、炭素原子数２～６のアルケニルオキシ基、炭素原子数２～６のアルキニルオキシ基、炭素原子数２～６のアシル基、炭素原子数６～１２のアリールオキシ基、炭素原子数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素原子数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
　式（２－１－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ１１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ１１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２以上のとき、２以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－２）中、Ｚ１１は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。ｎ１２及びｎ１３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２以上のとき、２以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２以上のとき、２以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－３）中、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１４は０～４の整数を表す。Ｒ２４が２以上のとき、２以上のＲ２４は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　式（２－１－４）中、Ｚ１４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。Ｚ１５及びＺ１６は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１５及びｎ１６は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２５が２以上のとき、２以上のＲ２５は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２６が２以上のとき、２以上のＲ２６は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （式（２－２－１）～（２－２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素原子数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。
　式（２－２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
　＊は結合手を表す。＊１は式（２－２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２－２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 （式（２－２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２－２）又は式（２－２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は結合手を表す。）
　本明細書において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　本明細書において、アルキル基としては、直鎖状に限らず分岐状でもよく環状でもよい。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基などが挙げられる。環状のアルキル基（シクロアルキル基）としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、イソプロピルチオ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルケニル基としては、例えば、エテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－メチル－１－エテニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキニル基としては、上記「アルケニル基」に挙げられたアルケニル基の２重結合が３重結合に置き換えられている基が挙げられる。
　本明細書において、アルケニルオキシ基としては、例えば、ビニルオキシ基、１－プロペニルオキシ基、２－ｎ－プロペニルオキシ基（アリルオキシ基）、１－ｎ－ブテニルオキシ基、プレニルオキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキニルオキシ基としては、例えば、２－プロピニルオキシ基、１－メチル－２－プロピニルオキシ基、２－メチル－２－プロピニルオキシ基、２－ブチニルオキシ基、３－ブチニルオキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシなどが挙げられる。
　本明細書において、アリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基などが挙げられる。
　本明細書において、アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
　本明細書において、アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，３－プロピレン基、２，２－プロピレン基、１－メチルエチレン基、１，４－ブチレン基、１－エチルエチレン基、１－メチルプロピレン基、２－メチルプロピレン基、１，５－ペンチレン基、１－メチルブチレン基、２－メチルブチレン基、１，１－ジメチルプロピレン基、１，２－ジメチルプロピレン基、１－エチルプロピレン基、２－エチルプロピレン基、１，６－ヘキシレン基、１，４－シクロヘキシレン基、１，８－オクチレン基、２－エチルオクチレン基、１，９－ノニレン基及び１，１０－デシレン基等が挙げられる。
　式（２－１）のＱ１の酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基としては、例えば、炭素原子数２～１０のアルキレン基、－ＣＨ２ＣＨ２－（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎ－（ｎは、１～９の整数を表す。）、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－（ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２）ｎ－（ｎは、１～５の整数を表す。）などが挙げられる。
　炭素原子数２～１０のアルキレン基は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。
　式（２－２－１）～（２－２－３）のＲ１～Ｒ５における酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基としては、例えば、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数２～１０のアルコキシアルキル基、炭素原子数３～１０のアルコキシアルコキシアルキル基、炭素原子数１～１０のアルキルチオ基、炭素原子数２～１０のアルキルチオアルキル基などが挙げられる。
　また、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基には、酸素原子若しくは硫黄原子が２以上含まれていてもよい。
　式（２－１）で表される構造としては、例えば、以下に例示する構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 　上記例示は、式（２－１）中のＱ１が酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基である場合の例示である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 （＊は、結合手を表す。）
　式（２－２）で表される構造としては、例えば、以下に例示する構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 （＊は、結合手を表す。）
　式（３）中、Ｘ１２は、２価の基を表す。
　Ｘ１２の２価の基としては、例えば、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ２－、－ＮＨ－、－Ｎ＝Ｃ＝Ｎ－などが挙げられる。
　式（４）で表される構造の具体例は、例えば、以下のとおりである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （式（４－１）～式（４－４）中、ｍ１は、０又は１を表す。＊は、結合手を表す。）
　特定の化合物及び重合体は、式（１）で表される構造を有する構造として、下記式（１－２）で表される構造、下記式（１－３）で表される構造、及び下記式（１－４）で表される構造の少なくともいずれかを有することが好ましい。式（１－２）で表される構造は、重合体において、繰り返し単位であってもよい。式（１－３）で表される構造は、重合体において、繰り返し単位であってもよい。式（１－４）で表される構造は、重合体において、繰り返し単位であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 （式（１－２）～式（１－４）中、Ｘ１、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＸ１、Ｒ３、及びｎ１と同義である。
　式（１－２）中、Ｘ１１、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＸ１１、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６と同義である。
　式（１－３）中、Ｘ１２は、式（３）中のＸ１２と同義である。
　式（１－２）～式（１－４）中、Ｒ１は、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。
　式（１－２）～式（１－４）中、＊、＊１、＊１’、＊４、及び＊５は、結合手を表す。結合手＊１は、炭素原子＊２又は炭素原子＊３と結合している。結合手＊１’は、炭素原子＊２’又は炭素原子＊３’と結合している。
　式（１－４）中、Ｘ１３及びＸ１４の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表し、Ｘ１５及びＸ１６の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表す。ｍ１は、０又は１を表す。式（Ａ）と式（Ｂ）とは、式（Ａ）中の結合手＊４又は＊５と、式（Ｂ）中のＸ１３～Ｘ１６のいずれかの結合手とによって結合している。）
　式（１－４）で表される構造の例示は、例えば、以下のとおりである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 （式（１－４－１）～式（１－４－４）中、Ｘ１、Ｒ１、Ｒ３、ｍ１、及びｎ１は、それぞれ、式（１－４）中のＸ１、Ｒ１、Ｒ３、ｍ１、及びｎ１と同義である。＊は、結合手を表す。）
　化合物又は重合体の重量平均分子量としては、例えば、３００～１００，０００であり、８００～５０，０００が好ましく、１,０００～１０，０００がより好ましく、１，２００～５，０００が特に好ましい。
　特定の化合物及び重合体の一例の製造方法について説明する。
　特定の化合物及び重合体の一例は、例えば、以下の反応（Ｉ）～（ＩＩ）により得られる。
　（Ｉ）：下記式（１Ａ）で表される化合物と、下記式（２Ａ）で表される化合物、下記式（３Ａ）で表される化合物、及び下記式（４Ａ）で表される化合物の少なくともいずれかとの反応。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 （式（１Ａ）中、Ｘ１Ａは、ヒドロキシ基、又はカルボキシ基を表す。
　式（１Ａ）中、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＲ３、及びｎ１と同義である。
　式（１Ａ）中、Ｒ１は、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。
　式（２Ａ）中、Ｘ１１、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ、式（２）中のＸ１１、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６と同義である。
　式（３Ａ）中、Ｘ１２は、式（３）中のＸ１２と同義である。＊１、及び＊１’は、結合手を表す。結合手＊１は、炭素原子＊２又は炭素原子＊３と結合している。結合手＊１’は、炭素原子＊２’又は炭素原子＊３’と結合している。
　式（４Ａ）中、ｍ１は、０又は１を表す。）
　（ＩＩ）：式（１Ｂ）で表される化合物と、式（２Ａ）で表される化合物、式（３Ａ）で表される化合物、及び式（４Ａ）で表される化合物の少なくともいずれかとの反応。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
 （式（１Ｂ）中、Ｒ３、及びｎ１は、それぞれ、式（１）中のＲ３、及びｎ１と同義である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、又は－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）を表す。）
　式（１Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　式（２Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
 　上記例示は、Ｑ１が酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基である場合の例示である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000045
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
　式（３Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
　式（４Ａ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000054
　式（１Ｂ）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
 　式中、Ｍｅは、メチル基を表す。
　反応（Ｉ）～（ＩＩ）は、例えば、触媒存在下で行ってもよい。触媒とは、例えば、テトラブチルホスホニウムブロミド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドのような第４級ホスホニウム塩、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドのような第４級アンモニウム塩である。触媒の使用量としては、反応に使用する反応原料の全質量に対して０．１～１０質量％の範囲から適量を選択して用いることができる。反応させる温度及び時間は、例えば、８０～１６０℃、２～５０時間の範囲から、最適な条件を選択することができる。
　剥離剤組成物における特定の化合物及び重合体の含有量としては、特に制限されないが、剥離剤組成物における膜構成成分に対して、６０質量％～１００質量％が好ましく、７０質量％～１００質量％がより好ましく、８０質量％～１００質量％が特に好ましい。
　膜構成成分とは、剥離剤組成物中の溶媒以外の成分を指す。
＜架橋剤＞
　剥離剤組成物は、架橋剤を含んでもよい。
　架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、特定の化合物及び重合体中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
　架橋剤の具体例としては、特に限定されるものではないが、典型的には、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、ブトキシメチル基等のアルコキシメチル基等の架橋形成基を分子内に有する、フェノール系架橋剤、メラミン系架橋剤、尿素系架橋剤、チオ尿素系架橋剤等が挙げられ、これらは低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。
　剥離剤組成物が含む架橋剤は、通常、２個以上の架橋形成基を有するが、より好適な硬化を再現性よく実現する観点から、架橋剤である化合物に含まれる架橋形成基の数は、好ましくは２～１０、より好ましくは２～６である。
　剥離剤組成物が含む架橋剤は、より高い耐熱性を実現する観点からは、好ましくは分子内に芳香族環（例えば、ベンゼン環、ナフタレン環）を有し、そのような架橋剤の典型例としては、これに限定されるものではないが、フェノール系架橋剤が挙げられる。
　架橋形成基を有するフェノール系架橋剤とは、芳香族環に結合した架橋形成基を有し、かつ、フェノール性ヒドロキシ基及びフェノール性ヒドロキシ基から誘導されるアルコキシ基の少なくとも一方を有する化合物であり、このようなフェノール性ヒドロキシ基から誘導されるアルコキシ基としては、メトキシ基、ブトキシ基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　架橋形成基が結合する芳香族環とフェノール性ヒドロキシ基及び／又はフェノール性ヒドロキシ基から誘導されるアルコキシ基が結合する芳香族環はいずれも、ベンゼン環等の非縮環型芳香族環に限られず、ナフタレン環、アントラセン等の縮環型芳香族環であってもよい。
　フェノール系架橋剤の分子内に芳香族環が複数存在する場合、架橋形成基とフェノール性ヒドロキシ基及びフェノール性ヒドロキシ基から誘導されるアルコキシ基とは、分子内の同じ芳香族環に結合していてもよく、異なる芳香族環に結合していてもよい。
　架橋形成基やフェノール性ヒドロキシ基及びフェノール性ヒドロキシ基から誘導されるアルコキシ基が結合する芳香族環は、メチル基、エチル基、ブチル基等のアルキル基、フェニル基等のアリール基等の炭化水素基、フッ素原子等のハロゲン原子等で更に置換されていてもよい。
　例えば、架橋形成基を有するフェノール系架橋剤の具体例としては、式（Ｌ１）～（Ｌ４）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　各式中、各Ｒ’は、それぞれ独立して、フッ素原子、アリール基又はアルキル基を表し、各Ｒ’’は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、メチレン基又はプロパン－２，２－ジイル基を表し、Ｌ３は、ｑ１に応じて定まり、単結合、メチレン基、プロパン－２，２－ジイル基、メタントリイル基又はエタン－１，１，１－トリイル基を表し、ｔ１１、ｔ１２及びｔ１３は、２≦ｔ１１≦５、１≦ｔ１２≦４、０≦ｔ１３≦３、及びｔ１１＋ｔ１２＋ｔ１３≦６を満たす整数であり、ｔ２１、ｔ２２及びｔ２３は、２≦ｔ２１≦４、１≦ｔ２２≦３、０≦ｔ２３≦２、及びｔ２１＋ｔ２２＋ｔ２３≦５を満たす整数であり、ｔ２４、ｔ２５及びｔ２６は、２≦ｔ２４≦４、１≦ｔ２５≦３、０≦ｔ２６≦２、及びｔ２４＋ｔ２５＋ｔ２６≦５を満たす整数であり、ｔ２７、ｔ２８及びｔ２９は、０≦ｔ２７≦４、０≦ｔ２８≦４、０≦ｔ２９≦４、及びｔ２７＋ｔ２８＋ｔ２９≦４を満たす整数であり、ｔ３１、ｔ３２及びｔ３３は、２≦ｔ３１≦４、１≦ｔ３２≦３、０≦ｔ３３≦２、及びｔ３１＋ｔ３２＋ｔ３３≦５を満たす整数であり、ｔ４１、ｔ４２及びｔ４３は、２≦ｔ４１≦３、１≦ｔ４２≦２、０≦ｔ４３≦１、及びｔ４１＋ｔ４２＋ｔ４３≦４を満たす整数であり、ｑ１は、２又は３であり、ｑ２は、繰り返し数を表し、０以上の整数であり、アリール基及びアルキル基の具体例としては、下記の具体例と同じものが挙げられるが、アリール基としてはフェニル基が好ましく、アルキル基としては、メチル基、ｔ－ブチル基が好ましい。
　以下、式（Ｌ１）～（Ｌ４）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、これらの化合物は、公知の方法で合成してもよく、例えば旭有機材工業（株）や本州化学工業（株）の製品として入手することもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　架橋形成基を有するメラミン系架橋剤とは、そのトリアジン環に結合するアミノ基の水素原子の少なくとも１つが架橋形成基で置換された、メラミン誘導体、２，４－ジアミノ－１，３，５－トリアジン誘導体又は２－アミノ－１，３，５－トリアジン誘導体であり、当該トリアジン環は、フェニル基等のアリール基等の置換基を更に有していてもよい。
　架橋形成基を有するメラミン系架橋剤の具体例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”－ヘキサキス（メトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”－ヘキサキス（ブトキシメチル）メラミン等のモノ、ビス、トリス、テトラキス、ペンタキス又はヘキサキスアルコキシメチルメラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（メトキシメチル）ベンゾグアナミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（ブトキシメチル）ベンゾグアナミン等のモノ、ビス、トリス又はテトラキスアルコキシメチルベンゾグアナミン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　架橋形成基を有する尿素系架橋剤とは、尿素結合含有化合物の誘導体であって、尿素結合を構成するＮＨ基の水素原子の少なくとも１つが架橋形成基で置換された構造を有するものである。
　架橋形成基を有する尿素系架橋剤の具体例としては、１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６－テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル等のモノ、ビス、トリス又はテトラキスアルコキシメチルグリコールウリル、１，３－ビス（メトキシメチル）尿素、１，１，３，３－テトラキスメトキシメチル尿素等のモノ、ビス、トリス又はテトラキスアルコキシメチル尿素等が挙げられるが、これらに限定されない。
　架橋形成基を有するチオ尿素系架橋剤とは、チオ尿素結合含有化合物の誘導体であって、チオ尿素結合を構成するＮＨ基の水素原子の少なくとも１つが架橋形成基で置換された構造を有するものである。
　架橋形成基を有するチオ尿素系架橋剤の具体例としては、１，３－ビス（メトキシメチル）チオ尿素、１，１，３，３－テトラキスメトキシメチルチオ尿素等のモノ、ビス、トリス又はテトラキスアルコキシメチルチオ尿素等が挙げられるが、これらに限定されない。
　剥離剤組成物に含まれる架橋剤の量は、採用する塗布方法、所望の膜厚等に応じて異なるため一概に規定できないが、特定の化合物及び重合体に対して、通常０．０１～５０質量％であり、好適な硬化を実現し、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが良好に分離可能な積層体を再現性よく得る観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、より一層好ましくは３質量％以上、更に好ましくは５質量％以上であり、好ましくは４５質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、より一層好ましくは３５質量％以下、更に好ましくは３０質量％以下である。
＜酸発生剤、及び酸＞
　架橋反応の促進等を目的として、剥離剤組成物は、酸発生剤や酸を含んでもよい。
　酸発生剤としては、例えば、熱酸発生剤と光酸発生剤が挙げられる。
　熱酸発生剤は、熱により酸を発生する限り特に限定されるものではなく、その具体例としては、２，４，４，６－テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２－ニトロベンジルトシレート、Ｋ－ＰＵＲＥ〔登録商標〕ＣＸＣ－１６１２、同ＣＸＣ－１６１４、同ＴＡＧ－２１７２、同ＴＡＧ－２１７９、同ＴＡＧ－２６７８、同ＴＡＧ２６８９、同ＴＡＧ２７００（Ｋｉｎｇ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製）、及びＳＩ－４５、ＳＩ－６０、ＳＩ－８０、ＳＩ－１００、ＳＩ－１１０、ＳＩ－１５０（三新化学工業（株）製）その他有機スルホン酸アルキルエステル等が挙げられるが、これらに限定されない。
　光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。
　オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、トリフェニルスルホニウムナイトレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。
　スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ナフタルイミド等が挙げられるが、これらに限定されない。
　ジスルホニルジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４－ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル－ｐ－トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　酸の具体例としては、ｐ－トルエンスルホン酸、ピリジニウムｐ－トルエンスルホン酸（ピリジニウムパラトルエンスルホネート）、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート、ピリジニウムフェノールスルホン酸、５－スルホサリチル酸、４－フェノールスルホン酸、４－クロロベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１－ナフタレンスルホン酸等のアリールスルホン酸やピリジニウム塩等やその塩、サリチル酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等のアリールカルボン酸やその塩、トリフルオロメタンスルホン酸、カンファースルホン酸等の鎖状又は環状アルキルスルホン酸やその塩、クエン酸等の鎖状又は環状アルキルカルボン酸やその塩等が挙げられるが、これらに限定されない。
　剥離剤組成物に含まれる酸発生剤及び酸の量は、ともに用いる架橋剤の種類、膜を形成する際の加熱温度等に応じて異なるため一概に規定できないが、膜構成成分に対して、通常０．０１～５質量％である。
＜界面活性剤＞
　剥離剤組成物は、組成物自体の液物性や得られる膜の膜物性を調整することや、均一性の高い剥離剤組成物を再現性よく調製すること等を目的として、界面活性剤を含んでもよい。
　界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製、商品名）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ－３０、Ｒ－３０Ｎ（ＤＩＣ（株）製、商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（ＡＧＣ（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
　界面活性剤は、一種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　界面活性剤の量は、剥離剤組成物の膜構成成分に対して、通常２質量％以下である。
＜溶媒＞
　剥離剤組成物は、溶媒を含む。
　溶媒としては、例えば、前述の特定の化合物及び重合体、架橋剤等の膜構成成分を良好に溶解できる高極性溶媒を用いることができ、必要に応じて、粘度、表面張力等の調整等を目的に、低極性溶媒を用いてもよい。なお、本発明において、低極性溶媒とは周波数１００ｋＨｚでの比誘電率が７未満のものを、高極性溶媒とは周波数１００ｋＨｚでの比誘電率が７以上のものと定義する。溶媒は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　また、高極性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等のアミド系溶媒；エチルメチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；アセトニトリル、３－メトキシプロピオニトリル等のシアノ系溶媒；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール等の多価アルコール系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、２－フェノキシエタノール、２－ベンジルオキシエタノール、３－フェノキシベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等の脂肪族アルコール以外の１価アルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒等が挙げられる。
　低極性溶媒としては、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン等の塩素系溶媒；トルエン、キシレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デシルベンゼン等のアルキルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；１－オクタノール、１－ノナノール、１－デカノール等の脂肪族アルコール系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４－メトキシトルエン、３－フェノキシトルエン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、フタル酸ビス（２－エチルヘキシル）、マレイン酸ジブチル、シュウ酸ジブチル、酢酸ヘキシル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。
　溶媒の含有量は、所望の組成物の粘度、採用する塗布方法、作製する膜の厚さ等を勘案して適宜決定されるものではあるが、組成物全体の９９質量％以下であり、好ましくは、組成物全体に対して７０～９９質量％、より好ましくは、組成物全体に対して８０～９７質量％、すなわち、その場合における膜構成成分の量は、好ましくは、組成物全体に対して１～３０質量％であり、より好ましくは、組成物全体に対して３～２０質量％である。
　剥離剤組成物の粘度及び表面張力は、用いる塗布方法、所望の膜厚等の各種要素を考慮して、用いる溶媒の種類やそれらの比率、膜構成成分濃度等を変更することで適宜調整される。
　本発明のある態様においては、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、剥離剤組成物は、グリコール系溶媒を含む。なお、ここでいう「グリコール系溶媒」とは、グリコール類、グリコールモノエーテル類、グリコールジエーテル類、グリコールモノエステル類、グリコールジエステル類及びグリコールエステルエーテル類の総称である。
　好ましいグリコール系溶媒の一例は、式（Ｇ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
　式（Ｇ）中、ＲＧ１は、それぞれ独立して、炭素原子数２～４の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基を表し、ＲＧ２及びＲＧ３は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数１～８のアルキル基、又はアルキル部が炭素原子数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基を表し、ｎｇは、１～６の整数である。
　炭素原子数２～４の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基の具体例としては、エチレン基、トリメチレン基、１－メチルエチレン基、テトラメチレン基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、等が挙げられるが、これらに限定されない。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、炭素原子数２～３の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が好ましく、炭素原子数３の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基がより好ましい。
　直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数１～８のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ターシャリーブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
　アルキル部が炭素原子数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基における炭素原子数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるの具体例としては、上述の具体例と同じものが挙げられる。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基が好ましく、メチルカルボニル基がより好ましい。
　ｎｇは、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、好ましくは４以下、より好ましくは３以下、より一層好ましくは２以下であり、最も好ましくは１である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、式（Ｇ）において、好ましくは、ＲＧ２及びＲＧ３の少なくともいずれか一方は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数１～８のアルキル基であり、より好ましくは、ＲＧ２及びＲＧ３の一方は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数１～８のアルキル基であり、他方は、水素原子又はアルキル部が炭素原子数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、グリコール系溶媒の含有量は、剥離剤組成物に含まれる溶媒に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、より一層好ましくは８０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上、更に一層好ましくは９５質量％以上である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、剥離剤組成物においては、膜構成成分は、溶媒に均一に分散又は溶解しており、好ましくは溶解している。
　本発明においては、異物を除去する目的で、剥離剤組成物を製造する途中で又は全ての成分を混合した後に、用いる溶媒や溶液等をフィルター等を用いてろ過してもよい。
（積層体）
　本発明に係る積層体は、半導体基板又は電子デバイス層と、支持基板と、光照射剥離用の剥離剤層とを有する。
　本発明に係る積層体は、さらに接着剤層を有し、半導体基板又は電子デバイス層と、支持基板と、光照射剥離用の剥離剤層と、接着剤層とを有する構成であることが好ましい。
　なお、本発明に係る剥離剤層が、光照射により半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とを剥離する剥離機能だけでなく、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とを接着する接着機能も併せ持つように形成されている場合には（つまり、両機能を発揮するような成分を含有する剥離剤組成物を用いて剥離剤層が形成されている場合には）、積層体は、剥離剤層と接着剤層との２層構成ではなく、接着性能を有する剥離剤層の１層構成で形成されていてもよい。
　支持基板は光透過性を有する。
　光照射剥離用の剥離剤層は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板との間に設けられている。
　積層体は、支持基板側から照射された光を剥離剤層が吸収した後に半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　光照射剥離用の剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物から形成される層である。
　本発明の積層体は、半導体基板又は電子デバイス層を加工するため仮接着するために使用され、半導体基板又は電子デバイス層の薄化等の加工に好適に用いることができる。
　半導体基板に薄化等の加工が施されている間は、半導体基板は、支持基板に支持されている。他方、半導体基板の加工後は、剥離剤層に光が照射され、その後は、支持基板と半導体基板とが離される。剥離剤組成物が含有する特定の化合物及び重合体によって、当該剥離剤組成物から形成された剥離剤層において、特定の化合物及び重合体が光（例えば、レーザー光）を吸収して剥離剤層を変質（例えば、分離又は分解）させる。その結果、剥離剤層に光が照射された後は、半導体基板と支持基板とが剥がされやすくなる。
　また、電子デバイス層に薄化等の加工が施されている間は、電子デバイス層は、支持基板に支持されている。他方、電子デバイス層の加工後は、剥離剤層に光が照射され、その後は、支持基板と電子デバイス層とが離される。
　本発明に係る剥離剤層により、光が照射された後は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされやすくなる。さらに、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされた後に半導体基板、電子デバイス層、又は支持基板に残る剥離剤層や接着剤層の残渣は、例えば、半導体基板等を洗浄するための洗浄剤組成物によって除去することができる。
　剥離に用いる光の波長は、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、特定の化合物及び重合体の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　積層体が、半導体基板を有している場合と、電子デバイス層を有している場合とで、それぞれ場合分けして、以下詳しく説明する。
　積層体が半導体基板を有している場合を、下記＜第１の実施態様＞で説明し、積層体が電子デバイス層を有している場合を、下記＜第２の実施態様＞で説明する。
＜第１の実施態様＞
　半導体基板を有する積層体は、半導体基板の加工に使用される。半導体基板に加工が施されている間は、半導体基板は支持基板に接着されている。半導体基板の加工後は、剥離剤層に光を照射した後、半導体基板は支持基板から離される。
＜＜半導体基板＞＞
　半導体基板全体を構成する主な材質としては、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されないが、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、化合物半導体などが挙げられる。
　半導体基板の形状は、特に限定されないが、例えば、円盤状である。なお、円盤状の半導体基板は、その面の形状が完全な円形である必要はなく、例えば、半導体基板の外周は、オリエンテーション・フラットと呼ばれる直線部を有していてもよいし、ノッチと呼ばれる切込みを有していてもよい。
　円盤状の半導体基板の厚さとしては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の半導体基板の直径としては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　半導体基板は、バンプを有していてもよい。バンプとは、突起状の端子である。
　積層体において、半導体基板がバンプを有する場合、半導体基板は、支持基板側にバンプを有する。
　半導体基板において、バンプは、通常、回路が形成された面上に形成されている。回路は、単層であってもよし、多層であってもよい。回路の形状としては特に制限されない。
　半導体基板において、バンプを有する面と反対側の面（裏面）は、加工に供される面である。
　半導体基板が有するバンプの材質、大きさ、形状、構造、密度としては、特に限定されない。
　バンプとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプなどが挙げられる。
　通常、バンプ高さ１～２００μｍ程度、バンプ半径１～２００μｍ、バンプピッチ１～５００μｍという条件からバンプの高さ、半径及びピッチは適宜決定される。
　バンプの材質としては、例えば、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、インジウム、金、銀、銅などが挙げられる。バンプは、単一の成分のみで構成されていてもよいし、複数の成分から構成されていてもよい。より具体的には、ＳｎＡｇバンプ、ＳｎＢｉバンプ、Ｓｎバンプ、ＡｕＳｎバンプ等のＳｎを主体とした合金めっき等が挙げられる。
　また、バンプは、これらの成分の少なくともいずれかからなる金属層を含む積層構造を有してもよい。
　半導体基板の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のシリコンウエハーである。
＜＜支持基板＞＞
　支持基板としては、剥離剤層に照射される光に対して光透過性があり、半導体基板が加工される際に、半導体基板を支持できる部材であれば、特に限定されないが、例えば、ガラス製支持基板などが挙げられる。
　支持基板の形状としては、特に限定されないが、例えば、円盤状が挙げられる。
　円盤状の支持基板の厚さとしては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の支持基板の直径としては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　支持基板の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７００μｍ程度のガラスウエハーである。
＜＜剥離剤層＞＞
　剥離剤層は、剥離剤組成物から形成される層である。
　剥離剤層は、半導体基板と支持基板との間に設けられる。
　剥離剤層は、支持基板と接していてもよく半導体基板と接していてもよい。
　剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物を用いて形成される。
　本発明の剥離剤組成物は、半導体基板と、支持基板と、半導体基板と支持基板との間に設けられた剥離剤層とを有する積層体の剥離剤層を形成するために好適に用いることができる。積層体は、支持基板側から照射された光を剥離剤層が吸収した後に半導体基板と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　本発明の剥離剤組成物から得られる剥離剤層の特徴の一つは、光照射後、半導体基板と支持基板とを容易に剥離することができることである。
　剥離剤組成物から剥離剤層を形成する際に、特定の化合物及び重合体は、本発明の効果が得られる限り、それ自体が架橋して又は他の成分と反応して架橋構造を形成してもよいし、架橋又は反応せずにその構造を維持してもよい。
　言い換えれば、剥離剤層中で、特定の化合物及び重合体は、それ自体が架橋して又は他の成分と反応して架橋構造を形成していてもよいし、その構造を維持して存在していてもよい。
　剥離剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常０．０１～１０μｍであり、膜強度を保つ観点から、好ましくは０．０５μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、より一層好ましくは０．２μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、より一層好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは２μｍ以下である。
　剥離剤組成物から剥離剤層を形成する方法については、以下で記載する＜＜第１の実施態様における積層体の一例の製造方法＞＞の説明箇所で詳しく述べる。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、支持基板と半導体基板との間に設けられる。
　接着剤層は、例えば、半導体基板と接している。接着剤層は、例えば、支持基板と接していてもよい。
　接着剤層としては、特に限定されないが、接着剤組成物から形成される層であることが好ましい。
＜＜接着剤組成物＞＞
　接着剤組成物としては、例えば、ポリシロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤、フェノール樹脂系接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。
　これらの中でも、半導体基板等の加工時は好適な接着能を示し、加工の後は好適に剥離可能であり、更に耐熱性にも優れるとともに、洗浄剤組成物によって好適に除去できるため、接着剤組成物としては、ポリシロキサン系接着剤が好ましい。
　好ましい態様においては、接着剤組成物は、ポリオルガノシロキサンを含有する。
　また、他の好ましい態様においては、接着剤組成物は、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分を含む。
　例えば、本発明で用いる接着剤組成物は、接着剤成分となる硬化する成分（Ａ）を含有する。本発明で用いる接着剤組成物は、接着剤成分となる硬化する成分（Ａ）と、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）とを含有してもよい。ここで、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）としては、例えば、ポリオルガノシロキサンが挙げられる。なお、本発明において「硬化反応を起こさない」とは、あらゆる硬化反応を起こさないことを意味するのではなく、硬化する成分（Ａ）に生じる硬化反応を起こさないことを意味する。
　好ましい態様においては、成分（Ａ）は、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分であってもよいし、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）であってもよい。
　他の好ましい態様においては、成分（Ａ）は、例えば、成分（Ａ’）の一例としての、ケイ素原子に結合した炭素原子数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、白金族金属系触媒（Ａ２）と、を含有する。ここで、炭素原子数２～４０のアルケニル基は置換されていてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　他の好ましい態様においては、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１’）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２’）とを含む。
　なお、（ａ１’）は、（ａ１）の一例であり、（ａ２’）は、（ａ２）の一例である。
　Ｒ１～Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は水素原子を表す。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　Ｒ１’～Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアルケニル基を表すが、Ｒ１’～Ｒ６’の少なくとも１つは、置換されていてもよいアルケニル基である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　Ｒ１”～Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基又は水素原子を表すが、Ｒ１”～Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよいが、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が好ましく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、通常１～４０であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下、より一層好ましくは１０以下である。
　置換されていてもよい直鎖状又は分岐鎖状アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ターシャリーブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常１～１４であり、好ましくは１～１０、より好ましくは１～６である。中でもメチル基が特に好ましい。
　置換されていてもよい環状アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、１－メチル－シクロプロピル基、２－メチル－シクロプロピル基、シクロペンチル基、１－メチル－シクロブチル基、２－メチル－シクロブチル基、３－メチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロプロピル基、２，３－ジメチル－シクロプロピル基、１－エチル－シクロプロピル基、２－エチル－シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１－メチル－シクロペンチル基、２－メチル－シクロペンチル基、３－メチル－シクロペンチル基、１－エチル－シクロブチル基、２－エチル－シクロブチル基、３－エチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロブチル基、１，３－ジメチル－シクロブチル基、２，２－ジメチル－シクロブチル基、２，３－ジメチル－シクロブチル基、２，４－ジメチル－シクロブチル基、３，３－ジメチル－シクロブチル基、１－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、１－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、１，２，２－トリメチル－シクロプロピル基、１，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、２，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、１－エチル－２－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－１－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－２－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－３－メチル－シクロプロピル基等のシクロアルキル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等のビシクロアルキル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常３～１４であり、好ましくは４～１０、より好ましくは５～６である。
　アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、通常２～４０であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下、より一層好ましくは１０以下である。
　置換されていてもよい直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常２～１４であり、好ましくは２～１０、より好ましくは１～６である。中でも、エテニル基、２－プロペニル基が特に好ましい。
　置換されていてもよい環状アルケニル基の具体例としては、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常４～１４であり、好ましくは５～１０、より好ましくは５～６である。
　上述の通り、ポリシロキサン（Ａ１）は、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）とポリオルガノシロキサン（ａ２’）を含むが、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）に含まれるアルケニル基と、ポリオルガノシロキサン（ａ２’）に含まれる水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）とが白金族金属系触媒（Ａ２）によるヒドロシリル化反応によって架橋構造を形成し硬化する。その結果、硬化膜が形成される。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１’）は、Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ１’）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
　Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｑ’単位とＭ’単位）、（Ｄ’単位とＭ’単位）、（Ｔ’単位とＭ’単位）、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）、が挙げられるが、これらに限定されない。
　また、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）に包含されるポリオルガノシロキサンが２種以上含まれる場合、（Ｑ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｔ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）と（Ｔ’単位とＭ’単位）との組み合わせが好ましいが、これらに限定されない。
　ポリオルガノシロキサン（ａ２’）は、Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ２’）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
　Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｍ”単位とＤ”単位）、（Ｑ”単位とＭ”単位）、（Ｑ”単位とＴ”単位とＭ”単位）が挙げられるが、これらに限定されない。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１’）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又はアルケニル基が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１’～Ｒ６’で表される全置換基中におけるアルケニル基の割合は、好ましくは０．１～５０．０モル％、より好ましくは０．５～３０．０モル％であり、残りのＲ１’～Ｒ６’はアルキル基とすることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ２’）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又は水素原子が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１”～Ｒ６”で表される全ての置換基及び置換原子中における水素原子の割合は、好ましくは０．１～５０．０モル％、より好ましくは１０．０～４０．０モル％であり、残りのＲ１”～Ｒ６”はアルキル基とすることができる。
　成分（Ａ）が（ａ１）と（ａ２）とを含む場合、本発明の好ましい態様においては、ポリオルガノシロキサン（ａ１）に含まれるアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）に含まれるＳｉ－Ｈ結合を構成する水素原子とのモル比は、１．０：０．５～１．０：０．６６の範囲である。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）、ポリオルガノシロキサン（ａ２）等のポリシロキサンの重量平均分子量は、特に限定されないが、それぞれ、通常５００～１，０００，０００であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは５，０００～５０，０００である。
　なお、本発明において、ポリオルガノシロキサン（上記オルガノシロキサンポリマーを除く）の重量平均分子量及び数平均分子量並びに分散度は、例えば、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（東ソー（株）ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｎ，　ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｈ）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を０．３５ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（昭和電工（株）製、Ｓｈｏｄｅｘ）を用いて、測定することができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の粘度は、特に限定されないが、それぞれ、通常１０～１００００００（ｍＰａ・ｓ）であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは５０～１００００（ｍＰａ・ｓ）である。なお、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の粘度は、２５℃においてＥ型回転粘度計で測定した値である。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）は、ヒドロシリル化反応によって、互いに反応して膜となる。従って、その硬化のメカニズムは、例えばシラノール基を介したそれとは異なり、それ故、いずれのシロキサンも、シラノール基や、アルキルオキシ基のような加水分解によってシラノール基を形成する官能基を含む必要は無い。
　本発明の好ましい態様においては、接着剤組成物は、ポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）とともに、白金族金属系触媒（Ａ２）を含む。
　このような白金系の金属触媒は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）のアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）のＳｉ－Ｈ基とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
　白金系の金属触媒の具体例としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が挙げられるが、これらに限定されない。
　白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられるが、これに限定されない。
　白金族金属系触媒（Ａ２）の量は、特に限定されないが、通常、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して、１．０～５０．０ｐｐｍの範囲である。
　ポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制する目的で、重合抑制剤（Ａ３）を含んでもよい。
　重合抑制剤は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制できる限り特に限定されるものではなく、その具体例としては、１－エチニル－１－シクロヘキサノール、１，１－ジフェニル－２－プロピオン－１－オール等のアルキニルアルコール等が挙げられる。
　重合抑制剤の量は、特に限定されないが、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して、通常、その効果を得る観点から１０００．０ｐｐｍ以上であり、ヒドロシリル化反応の過度な抑制を防止する観点から１００００．０ｐｐｍ以下である。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、硬化する成分（Ａ）とともに剥離剤成分となる硬化反応を起こさない成分（Ｂ）を含んでもよい。このような成分（Ｂ）を接着剤組成物に含めることで、得られる接着剤層を再現性よく好適に剥離することができるようになる。
　このような成分（Ｂ）として、典型的には、非硬化性のポリオルガノシロキサンが挙げられ、その具体例としては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　また、成分（Ｂ）としては、ポリジメチルシロキサンが挙げられる。当該ポリジメチルシロキサンは変性されていてもよい。変性されていてもよいポリジメチルシロキサンとしては、例えば、エポキシ基含有ポリジメチルシロキサン、無変性のポリジメチルシロキサン、フェニル基含有ポリジメチルシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの好ましい例としては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの重量平均分子量は、特に限定されないものの、通常１００，０００～２，０００，０００であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは２００，０００～１，２００，０００、より好ましくは３００，０００～９００，０００である。また、その分散度は、特に限定されないものの、通常１．０～１０．０であり、好適な剥離を再現性よく実現する観点等から、好ましくは１．５～５．０、より好ましくは２．０～３．０である。なお、重量平均分子量及び分散度は、ポリオルガノシロキサンに関する上述の方法で測定することができる。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの粘度は、特に限定されないが、通常１，０００～２，０００，０００ｍｍ２／ｓである。なお、成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの粘度の値は、動粘度で示され、センチストークス（ｃＳｔ）＝ｍｍ２／ｓである。粘度（ｍＰａ・ｓ）を密度（ｇ／ｃｍ３）で割って求めることもできる。すなわち、その値は、２５℃で測定したＥ型回転粘度計で測定した粘度と密度から求めることができ、動粘度（ｍｍ２／ｓ）＝粘度（ｍＰａ・ｓ）／密度（ｇ／ｃｍ３）という式から算出することができる。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ１１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、Ｒ１２は、ケイ素原子に結合する基であり、エポキシ基又はエポキシ基を含む有機基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
　エポキシ基を含む有機基におけるエポキシ基は、その他の環と縮合せずに、独立したエポキシ基であってもよく、１，２－エポキシシクロヘキシル基のように、その他の環と縮合環を形成しているエポキシ基であってもよい。
　エポキシ基を含む有機基の具体例としては、３－グリシドキシプロピル、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルが挙げられるが、これらに限定されない。
　本発明において、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、エポキシ基含有ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものであるが、Ｄ１０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明の好ましい態様においては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ１０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン等が挙げられる。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンは、エポキシ価が０．１～５であるエポキシ基含有ポリジメチルシロキサンが好ましい。また、その重量平均分子量は、特に限定されないものの、通常１，５００～５００，０００であり、組成物中での析出抑制の観点から、好ましくは１００，０００以下である。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｅ１）～（Ｅ３）で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
 （ｍ１及びｎ１は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
（ｍ２及びｎ２は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数であり、Ｒは、炭素原子数１～１０のアルキレン基である。）
（ｍ３、ｎ３及びｏ３は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数であり、Ｒは、炭素原子数１～１０のアルキレン基である。）
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ２１０Ｒ２２０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２００単位）を含むもの、好ましくはＲ２１Ｒ２１ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ２１０及びＲ２２０は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基を表すが、少なくとも一方はメチル基であり、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
　Ｒ２１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。中でも、Ｒ２１としては、メチル基が好ましい。
　本発明において、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ２００単位又はＤ２０単位）を含むものであるが、Ｄ２００単位及びＤ２０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明のある態様においては、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２００単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　本発明の好ましい態様においては、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｍ１）で表されるものが挙げられるが、これに限定されない。
（ｎ４は、繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ３１Ｒ３２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ３１は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基又はアルキル基を表し、Ｒ３２は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができるが、メチル基が好ましい。
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものであるが、Ｄ３０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明の好ましい態様においては、フェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ３０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｐ１）又は（Ｐ２）で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。
（ｍ５及びｎ５は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
（ｍ６及びｎ６は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
　剥離剤成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンは、市販品であってもよいし、合成したものであってもよい。
　ポリオルガノシロキサンの市販品としては、例えば、ワッカーケミ社製の製品であるＷＡＣＫＥＲＳＩＬＩＣＯＮＥ　ＦＬＵＩＤ　ＡＫ　シリーズ（ＡＫ５０、ＡＫ　３５０、ＡＫ　１０００、ＡＫ　１００００、ＡＫ　１００００００）やＧＥＮＩＯＰＬＡＳＴ　ＧＵＭ、信越化学工業（株）製　ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ－９６Ｌ、ＫＦ－９６Ａ、ＫＦ－９６、ＫＦ－９６Ｈ、ＫＦ－６９、ＫＦ－９６５、ＫＦ－９６８）、環状ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ－９９５）；ゲレスト社製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（商品名ＣＭＳ－２２７、ＥＣＭＳ－３２７）、信越化学工業（株）製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（ＫＦ－１０１、ＫＦ－１００１、ＫＦ－１００５、Ｘ－２２－３４３）、ダウコーニング社製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（ＢＹ１６－８３９）；ゲレスト社製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＰＭＭ－１０４３、ＰＭＭ－１０２５、ＰＤＭ－０４２１、ＰＤＭ－０８２１）、信越化学工業（株）製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＫＦ５０－３０００ＣＳ）、ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＴＳＦ４３１、ＴＳＦ４３３）等が挙げられるが、これらに限定されない。
　ある態様においては、本発明で用いる接着剤組成物は、硬化する成分（Ａ）とともに、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）を含み、別の態様においては、成分（Ｂ）として、ポリオルガノシロキサンが含まれる。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とを、任意の比率で含むことができるが、接着性と剥離性のバランスを考慮すると、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との比率は、質量比〔（Ａ）：（Ｂ）〕で、好ましくは９９．９９５：０．００５～３０：７０、より好ましくは９９．９：０．１～７５：２５である。
　すなわち、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）が含まれる場合、成分（Ａ’）と成分（Ｂ）との比率は、質量比〔（Ａ’）：（Ｂ）〕で、好ましくは９９．９９５：０．００５～３０：７０、より好ましくは９９．９：０．１～７５：２５である。
　本発明で用いる接着剤組成物の粘度は、特に限定されないが、２５℃で、通常５００～２０，０００ｍＰａ・ｓであり、好ましくは１，０００～１，００００ｍＰａ・ｓである。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、成分（Ａ）と、用いる場合には成分（Ｂ）及び溶媒とを混合することによって製造できる。
　その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく接着剤組成物を製造できる方法の一例としては、例えば、成分（Ａ）と成分（Ｂ）を溶媒に溶解させる方法や、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の一部を溶媒に溶解させ、残りを溶媒に溶解させ、得られた溶液を混合する方法が挙げられるが、これらに限定されない。なお、接着剤組成物を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
　本発明においては、異物を除去する目的で、接着剤組成物を製造する途中で又は全ての成分を混合した後に、用いる溶媒や溶液等をフィルター等を用いてろ過してもよい。
　本発明の積層体が備える接着剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常５～５００μｍであり、膜強度を保つ観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、より一層好ましくは３０μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、より一層好ましくは１２０μｍ以下、更に好ましくは７０μｍ以下である。
　接着剤組成物から接着剤層を形成する方法については、以下で記載する＜＜第１の実施態様における積層体の一例の製造方法＞＞の説明箇所で詳しく述べる。
　以下、第１の実施態様の積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図１の積層体は、半導体基板１と、接着剤層２と、剥離剤層３と、支持基板４とをこの順で有する。
　接着剤層２及び剥離剤層３は、半導体基板１と支持基板４との間に設けられている。接着剤層２は、半導体基板１に接する。剥離剤層３は、接着剤層２と支持基板４に接する。
＜＜第１の実施態様における積層体の一例の製造方法＞＞
　第１の実施態様における積層体のうち図１で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体の一例は、例えば、以下の第１工程～第３工程を含む方法で製造することができる。
　第１工程：半導体基板上に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する工程
　第２工程：支持基板上に剥離剤組成物を塗布し剥離剤層を形成する工程
　第３工程：接着剤塗布層と剥離剤層が接した状態で、接着剤塗布層が加熱され、接着剤層が形成される工程
　接着剤組成物の塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。なお、別途スピンコート法等で塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を、接着剤塗布層として貼付する方法を採用し得る。
　塗布した接着剤組成物の加熱温度は、接着剤組成物が含む接着剤成分の種類や量、溶媒が含まれるか否か、用いる溶媒の沸点、所望の接着剤層の厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常８０～１５０℃、その加熱時間は、通常３０秒～５分である。
　接着剤組成物が溶媒を含む場合、通常、塗布した接着剤組成物を加熱する。
　接着剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して得られる接着剤塗布層の膜厚は、通常５～５００μｍ程度であり、最終的に、上述の接着剤層の厚さの範囲となるように適宜定められる。
　剥離剤組成物の塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。
　塗布した剥離剤組成物の加熱温度は、剥離剤組成物が含む剥離剤成分の種類や量、所望の剥離剤層の厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、好適な剥離剤層を再現性よく実現する観点から、８０℃以上３００℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度に応じて、通常１０秒～１０分の範囲で適宜決定される。加熱温度は好ましくは１００℃以上２８０℃以下であり、より好ましくは１５０℃以上２５０℃以下である。加熱時間は好ましくは３０秒以上８分以下、より好ましくは１分以上５分以下である。
　加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
　剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して得られる剥離剤層の膜厚は、通常５ｎｍ～１００μｍ程度である。
　本発明においては、このような塗布層を互いに接するように合わせ、加熱処理若しくは減圧処理又はこれら両方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて２つの層を密着させ、その後、後加熱処理を実施することによって、本発明の積層体を得ることができる。なお、加熱処理、減圧処理、両者の併用のいずれの処理条件を採用するかは、接着剤組成物の種類、剥離剤組成物の具体的組成、両組成物から得られる膜の相性、膜厚、求める接着強度等の各種事情を勘案した上で適宜決定される。
　加熱処理は、組成物から溶媒を除去する観点、接着剤塗布層を軟化させて剥離剤層との好適に貼り合せを実現する観点等から、通常２０～１５０℃の範囲から適宜決定される。特に、接着剤成分（Ａ）の過度の硬化や不要な変質を抑制又は回避する観点から、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは９０℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度や接着剤の種類に応じて適宜決定されるものではあるが、好適な接着を確実に発現させる観点から、通常３０秒以上であり、好ましくは１分以上であるが、接着剤層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常１０分以下、好ましくは５分以下である。
　減圧処理は、互いに接する接着剤塗布層及び剥離剤層を１０～１０，０００Ｐａの気圧下にさらせばよい。減圧処理の時間は、通常１～３０分である。
　基板が良好に分離可能な積層体を再現性よく得る観点から、互いに接する２つの層は、好ましくは減圧処理によって、より好ましくは加熱処理と減圧処理の併用によって、貼り合せられる。
　半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重は、半導体基板及び支持基板とそれらの間の２つの層に悪影響を及ぼさず、かつこれらをしっかりと密着させることができる荷重である限り特に限定されないが、通常１０～１０００Ｎの範囲内である。
　後加熱の温度は、十分な硬化速度を実現する観点等から、好ましくは１２０℃以上であり、基板や各層の変質を防ぐ観点等から、好ましくは２６０℃以下である。
　後加熱の時間は、積層体を構成する基板及び層の好適な接合を実現する観点から、通常１分以上、好ましくは５分以上であり、過度の加熱による各層への悪影響等を抑制又は回避する観点から、通常１８０分以下、好ましくは１２０分以下である。
　加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。ホットプレートを用いて後加熱をする場合、積層体の半導体基板と支持基板のいずれを下にして加熱してもよいが、好適な剥離を再現性よく実現する観点から、半導体基板を下にして後加熱することが好ましい。
　なお、後加熱処理の一つの目的は、より好適な自立膜である接着剤層と剥離剤層を実現することであり、特にヒドロシリル化反応による硬化を好適に実現することである。
　以下、図１の積層体を製造する方法の一例を、図２Ａ～図２Ｃを用いて、説明する。
　図２Ａ～図２Ｃは、積層体の製造を行う一態様を説明するための図である。
　まず、半導体基板１上に接着剤塗布層２ａが形成された積層体を用意する（図２Ａ）。この積層体は、例えば、半導体基板１上に接着剤組成物を塗布し、加熱することで得ることができる。
　また、別途、支持基板４上に剥離剤層３が形成された積層体を用意する（図２Ｂ）。この積層体は、例えば、支持基板４上に剥離剤組成物を塗布し、加熱することで得ることができる。
　次に、図２Ａに示す積層体と図２Ｂに示す積層体とを、接着剤塗布層２ａと剥離剤層３が接するように貼り合せる。そして、減圧下で半導体基板１と支持基板４との厚さ方向に荷重を掛けた後、半導体基板１の接着剤塗布層２ａが接する面と反対側の面に、加熱装置（不図示；ホットプレート）を配し、加熱装置によって接着剤塗布層２ａを加熱して硬化させ接着剤層２に転化する（図２Ｃ）。
　図２Ａ～図２Ｃで示した工程によって、積層体が得られる。
　尚、図１では、積層体が、半導体基板１、接着剤層２、剥離剤層３、支持基板４の順で積層されているため、上記製造方法を例に挙げたが、例えば、半導体基板１、剥離剤層３、接着剤層２、支持基板４の順で積層されている積層体を製造する場合には、半導体基板の表面に剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して剥離剤層を形成する第１工程と、支持基板の表面に剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して接着剤塗布層を形成する第２工程と、半導体基板の剥離剤層と、支持基板の接着剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することによって、積層体とする第３工程と、を含む方法で、製造することができる。
　なお、本発明の効果が損なわれない限り、いずれか一方の基板に、各組成物の塗布及び加熱をそれぞれ順次行ってもよい。
＜第２の実施態様＞
　電子デバイス層を有する積層体は、電子デバイス層の加工に使用される。電子デバイス層に加工が施されている間は、電子デバイス層は支持基板に接着されている。電子デバイス層の加工後は、剥離剤層に光を照射した後、電子デバイス層は支持基板から離される。
＜＜電子デバイス層＞＞
　電子デバイス層とは、電子デバイスを有する層をいい、本発明においては、封止樹脂に複数の半導体チップ基板が埋め込まれた層、つまり複数の半導体チップ基板と該半導体チップ基板間に配された封止樹脂とからなる層をいう。
　ここで、「電子デバイス」とは、電子部品の少なくとも一部を構成する部材を意味する。電子デバイスは、特に制限されず、半導体基板の表面に、各種機械構造や回路が形成されたものであることができる。電子デバイスは、好ましくは、金属又は半導体により構成される部材と、該部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体である。電子デバイスは、後述する再配線層、及び／又は半導体素子若しくはその他素子が、封止材又は絶縁材で封止又は絶縁されたものであってもよく、単層又は複数層の構造を有してなる。
＜＜支持基板＞＞
　支持基板としては、上記＜第１の実施態様＞の上記＜＜支持基板＞＞の欄で説明したものと同様のものが例示される。
＜＜剥離剤層＞＞
　剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物を用いて形成される。
　剥離剤層の詳しい説明は、上記＜第１の実施態様＞の上記＜＜剥離剤層＞＞の欄で説明したとおりである。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、上述した接着剤組成物を用いて形成される。
　接着剤層の詳しい説明は、上記＜第１の実施態様＞の上記＜＜接着剤層＞＞の欄で説明したとおりである。
　以下、第２の実施態様の積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図３は、第２の実施態様の積層体の一例の概略断面図を示す。
　図３の積層体は、支持基板２４と、剥離剤層２３と、接着剤層２２と、電子デバイス層２６とをこの順で有する。
　電子デバイス層２６は、複数の半導体チップ基板２１と、該半導体チップ基板２１間に配された封止材である封止樹脂２５とを有してなる。
　接着剤層２２及び剥離剤層２３は、電子デバイス層２６と支持基板２４との間に設けられている。接着剤層２２は、電子デバイス層２６に接する。剥離剤層２３は、接着剤層２２と支持基板２４に接する。
　また、第２の実施態様の積層体の構成の他の一例を、図４に示す。
　本発明に係る剥離剤層が、剥離機能と接着機能を併せ持つ接着性能を有する剥離剤層である場合には、積層体は、剥離剤層と接着剤層との２層構成ではなく、接着性能を有する剥離剤層の１層構成で形成されていてもよい。
　図４は積層体の他の一例の概略断面図を示す。
　図４の積層体は、支持基板２４と、接着性能を有する剥離剤層２７と、電子デバイス層２６とをこの順で有する。
　接着性能を有する剥離剤層２７は、支持基板２４と電子デバイス層２６との間に設けられている。接着性能を有する剥離剤層２７は、剥離剤を形成する剥離剤組成物の構成成分と接着剤層を形成する接着剤組成物の構成成分とを混合することにより作製することができる。
＜＜第２の実施態様における積層体の一例の製造方法＞＞
　第２の実施態様における積層体のうち図３で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体は、例えば、以下の第１の工程～第５の工程を含む方法で製造することができる。
　第１の工程：上記支持基板の表面に剥離剤組成物を塗布し剥離剤塗布層を形成する（必要に応じ、さらに加熱して剥離剤層を形成する）工程
　第２の工程：上記剥離剤塗布層又は剥離剤層の表面に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する（必要に応じ、さらに加熱して接着剤層を形成する）工程
　第３の工程：半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層上に載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくともいずれかを実施しながら、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる工程
　第４の工程：接着剤塗布層を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層を形成する工程
　第５の工程：接着剤層上に固定された半導体チップ基板に対して封止樹脂を用いて封止する工程
　第３の工程についてより詳しく説明すると、例えば、下記（ｉ）の実施態様の工程が挙げられる。
　（ｉ）接着剤塗布層又は接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる。
　尚、第４の工程は、第３の工程の半導体チップ基板を接着剤塗布層に貼り合わせた後に行ってもよいし、あるいは、第３の工程と併せて行うようにしてもよい。例えば、半導体チップ基板を接着剤塗布層上に載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤塗布層を加熱し硬化させることで、半導体チップ基板と接着剤塗布層との密着及び接着剤塗布層から接着剤層への硬化を一緒に行い、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせるようにしてもよい。
　また、第４の工程は、第３の工程の前に行ってもよく、接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせてもよい。
　塗布方法、塗布した剥離剤組成物や接着剤組成物の加熱温度、加熱手段等は、上記＜第１の実施態様＞の上記＜＜第１の実施態様における積層体の一例の製造方法＞＞に記載したとおりである。
　第２の実施態様の積層体の製造方法について、以下、図を用いてその手順をさらに詳しく説明する。この製造方法では、図３に示す積層体が製造される。
　図５Ａで示すように、支持基板２４上に、剥離剤組成物からなる剥離剤塗布層２３’を形成する。その際、剥離剤塗布層２３’を加熱し、剥離剤層２３を形成してもよい。
　次に、図５Ｂで示すように、剥離剤塗布層２３’又は剥離剤層２３上に、接着剤組成物からなる接着剤塗布層２２’を形成する。その際、接着剤塗布層２２’を加熱し、接着剤層２２を形成してもよい。
　次に、図５Ｃで示すように、接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’上に半導体チップ基板２１を載置し、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板２１及び支持基板２４の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板２１を接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’に貼り合わせる。接着剤塗布層２２’に半導体チップ基板２１が貼り合わされている場合には、接着剤塗布層２２’を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層２２とし、半導体チップ基板２１を接着剤層２２に固定する。
　尚、接着剤塗布層２２’に対して後加熱処理する際、剥離剤塗布層２３’も併せて後加熱処理することにより、剥離剤層２３を形成させるようにしてもよい。
　次に、図５Ｄで示すように、接着剤層２２上に固定された半導体チップ基板２１を、封止樹脂２５を用いて封止する。図５Ｄでは、接着剤層２２を介して、支持基板２４上に仮接着された複数の半導体チップ基板２１が、封止樹脂２５により封止されている。接着剤層２２上に、半導体チップ基板２１と半導体チップ基板２１間に配された封止樹脂２５とを有する電子デバイス層２６が形成されており、このように、電子デバイス層２６は、封止樹脂に複数の半導体チップ基板が埋め込まれた基材層となっている。
＜＜＜封止工程＞＞＞
　封止材を用いて、半導体チップ基板２１を封止する。
　半導体チップ基板２１を封止するための封止材としては、金属または半導体により構成される部材を絶縁または封止可能な部材が用いられる。
　本発明では、封止材として、例えば、樹脂組成物（封止樹脂）が用いられる。封止樹脂の種類としては、金属または半導体を封止および／または絶縁可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂等を用いることが好ましい。
　封止材は、樹脂成分のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。
　封止工程においては、例えば１３０～１７０℃に加熱された封止樹脂が、高粘度の状態を維持しつつ、半導体チップ基板２１を覆うように、接着剤層２２上に供給され、圧縮成形されることによって、接着剤層２２上に封止樹脂２５からなる層が形成される。その際、温度条件は、例えば１３０～１７０℃である。また、半導体チップ基板２１に加えられる圧力は、例えば５０～５００Ｎ／ｃｍ２である。
（加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法）
　本発明に係る積層体を用いると、加工された半導体基板の製造方法、あるいは加工された電子デバイス層の製造方法を提供することができる。
　「加工された半導体基板の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第１の実施態様＞の欄で記載した積層体を用いる。また、「加工された電子デバイス層の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第２の実施態様＞の欄で記載した積層体を用いる。
　「加工された半導体基板の製造方法」について、下記＜第３の実施態様＞で説明し、「加工された電子デバイス層の製造方法」について、下記＜第４の実施態様＞で説明する。
＜第３の実施態様＞
　本発明の加工された半導体基板の製造方法は、下記第５Ａ工程と、下記第６Ａ工程とを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ａ工程を含んでいてもよい。
　ここで、第５Ａ工程は、上記＜第１の実施態様＞の欄で記載の積層体における半導体基板を加工する工程である。
　また、第６Ａ工程は、第５Ａ工程によって加工された半導体基板と、支持基板とを分離する工程である。
　また、第７Ａ工程は、第６Ａ工程の後に、加工された半導体基板を洗浄する工程である。
　第５Ａ工程において半導体基板に施される加工とは、例えば、ウエハーの回路面の反対側の加工であり、ウエハー裏面の研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。その後、例えば、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持基板から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、例えば、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持基板に接着された状態で２５０～３５０℃程度の熱が負荷される。本発明の積層体は、通常、接着剤層を含め、その負荷に対する耐熱性を備えるものである。
　なお、加工は、上述したものに限定されず、例えば、半導体部品を実装するための基材をサポートするために支持基板と仮接着した場合の半導体部品の実装プロセスの実施等も含まれる。
　第６Ａ工程において、半導体基板と支持基板とを分離（剥離）する方法は、剥離剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と半導体ウエハーとの間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から剥離剤層に光を照射することによって、上述の通りに剥離剤層の変質（例えば、剥離剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、半導体基板と支持基板とを分離することができる。
　剥離剤層に対する光の照射は、必ずしも剥離剤層の全領域に対してなされる必要はない。光が照射された領域と照射されていない領域とが混在していても、剥離剤層全体として剥離能が十分に向上していれば、例えば支持基板を引き上げる等のわずかな外力によって半導体基板と支持基板を分離できる。光を照射する領域と照射しない領域との比率及び位置関係は、用いる接着剤の種類やその具体的な組成、接着剤層の厚さ、接着剤層の厚さ、剥離剤層の厚さ照射する光の強度等によって異なるが、当業者であれば、過度の試験を要することなく、適宜条件を設定できる。このような事情のため、本発明の加工された半導体基板の製造方法によれば、例えば、用いる積層体の支持基板が光透過性を有する場合において支持基板側からの光照射によって剥離をする際に光照射時間を短くすることが可能となり、その結果、スループットの改善が期待できるだけでなく、剥離のための物理的な応力等を回避して、光の照射のみによって半導体基板と支持基板とを容易かつ効率的に分離できる。
　通常、剥離のための光の照射量は、５０～３，０００ｍＪ／ｃｍ２である。照射時間は、波長及び照射量に応じて適宜決定される。
　剥離に用いる光の波長は、上述したように、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、特定の化合物及び重合体の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　分離した半導体基板及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した半導体基板又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された半導体基板等の表面を洗浄してもよい。
　基板の洗浄の一例として、第６Ａ工程の後に、加工された半導体基板を洗浄する第７Ａ工程を行ってもよい。
　洗浄に用いる洗浄剤組成物は、以下のものが挙げられる。
　洗浄剤組成物は、通常、溶媒を含む。
　溶媒としては、例えば、ラクトン類、ケトン類、多価アルコール類、エステル結合を有する化合物、多価アルコール類の誘導体、環式エーテル類、エステル類、芳香族系有機溶剤などが挙げられる。
　ラクトン類としては、例えば、γ－ブチロラクトンなどが挙げられる。
　ケトン類としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノンなどが挙げられる。
　多価アルコール類としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどが挙げられる。
　エステル結合を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノアセテートなどが挙げられる
　多価アルコール類の誘導体としては、例えば、上記多価アルコール類または上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物が挙げられる。これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい。
　環式エーテル類としては、例えば、ジオキサンなどが挙げられる。
　エステル類としては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどが挙げられる。
　芳香族系有機溶剤としては、例えば、アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレンなどが挙げられる。
　これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル（ＥＬ）が好ましい。
　また、ＰＧＭＥＡと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比（質量比）は、ＰＧＭＥＡと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２の範囲内とすることが好ましい。
　たとえば極性溶剤としてＥＬを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＥＬの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥの質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。また、極性溶剤としてＰＧＭＥおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、ＰＧＭＥＡ：（ＰＧＭＥ＋シクロヘキサノン）の質量比は、好ましくは１：９～９：１、より好ましくは２：８～８：２、さらに好ましくは３：７～７：３である。
　洗浄剤組成物は、塩を含んでいてもよいし、塩を含んでいなくてもよいが、塩を含んでいないことが、積層体を用いた半導体基板の加工の際の汎用性が高くなる点、及びコストが抑えられる点で好ましい。
　洗浄剤組成物が塩を含む場合の一例としては、第四級アンモニウム塩と、溶媒とを含む洗浄剤組成物が挙げられる。
　第四級アンモニウム塩は、第四級アンモニウムカチオンと、アニオンとから構成されるものであって、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されるものではない。
　このような第四級アンモニウムカチオンとしては、典型的には、テトラ（炭化水素）アンモニウムカチオンが挙げられる。一方、それと対を成すアニオンとしては、水酸化物イオン（ＯＨ－）；フッ素イオン（Ｆ－）、塩素イオン（Ｃｌ－）、臭素イオン（Ｂｒ－）、ヨウ素イオン（Ｉ－）等のハロゲンイオン；テトラフルオロホウ酸イオン（ＢＦ４ －）；ヘキサフルオロリン酸イオン（ＰＦ６ －）等が挙げられるが、これらに限定されない。
　第四級アンモニウム塩は、好ましくは含ハロゲン第四級アンモニウム塩であり、より好ましくは含フッ素第四級アンモニウム塩である。
　第四級アンモニウム塩中、ハロゲン原子は、カチオンに含まれていても、アニオンに含まれていてもよいが、好ましくはアニオンに含まれる。
　好ましい一態様においては、含フッ素第四級アンモニウム塩は、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムである。
　フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムにおける炭化水素基の具体例としては、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、炭素原子数２～２０のアルキニル基、炭素原子数６～２０のアリール基等が挙げられる。
　より好ましい一態様においては、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムは、フッ化テトラアルキルアンモニウムを含む。
　フッ化テトラアルキルアンモニウムの具体例としては、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム（テトラブチルアンモニウムフルオリドともいう）等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、フッ化テトラブチルアンモニウムが好ましい。
　フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウム等の第四級アンモニウム塩は、水和物を用いてもよい。また、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウム等の第四級アンモニウム塩は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　第四級アンモニウム塩の量は、洗浄剤組成物に含まれる溶媒に溶解する限り特に制限されるものではないが、洗浄剤組成物に対して、通常０．１～３０質量％である。
　洗浄剤組成物が塩を含む場合、併用される溶媒としては、この種の用途に用いられ、かつ第四級アンモニウム塩等の塩を溶解するものであれば特に限定されるものではないが、優れた洗浄性を有する洗浄剤組成物を再現性よく得る観点、第四級アンモニウム塩等の塩を良好に溶解させて、均一性に優れる洗浄剤組成物を得る観点等から、好ましくは、洗浄剤組成物は、１種又は２種以上のアミド系溶媒を含む。
　アミド系溶媒の好適な一例としては、式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　式中、Ｒ０は、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、エチル基、イソプロピル基が好ましく、エチル基がより好ましい。ＲＡ及びＲＢは、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表す。炭素原子数１～４のアルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロブチル基等が挙げられる。これらのうち、ＲＡ及びＲＢとしては、メチル基又はエチル基が好ましく、ともにメチル基又はエチル基がより好ましく、ともにメチル基がより一層好ましい。
　式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルプロピオンアミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル酪酸アミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチル酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソ酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルイソ酪酸アミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチルイソ酪酸アミド等が挙げられる。これらのうち、特に、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミドが好ましく、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドがより好ましい。
　式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体は、対応するカルボン酸エステルとアミンの置換反応によって合成してもよいし、市販品を使用してもよい。
　好ましいアミド系溶媒の他の一例としては、式（Ｙ）で表されるラクタム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　式（Ｙ）において、Ｒ１０１は水素原子又は炭素原子数１～６のアルキル基を表し、Ｒ１０２は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。炭素原子数１～６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基等が挙げられ、炭素原子数１～６のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　式（Ｙ）で表されるラクタム化合物の具体例としては、α－ラクタム化合物、β－ラクタム化合物、γ－ラクタム化合物、δ－ラクタム化合物等を挙げることができ、これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　好ましい一態様においては、式（Ｙ）で表されるラクタム化合物は、１－アルキル－２－ピロリドン（Ｎ－アルキル－γ－ブチロラクタム）を含み、より好ましい一態様においては、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）又はＮ－エチルピロリドン（ＮＥＰ）を含み、より一層好ましい一態様においては、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）を含む。
　なお、本発明で用いる洗浄剤組成物は、溶媒として、水を含んでもよいが、基板の腐食等を回避する観点等から、通常、有機溶媒のみが、溶媒として意図して用いられる。なお、この場合において、塩の水和水や、有機溶媒に含まれる微量含まれる水が、洗浄剤組成物に含まれてしまうことまでもが、否定される訳ではない。本発明で用いる洗浄剤組成物の含水量は、通常５質量％以下である。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法は、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の剥離方法は、本発明の積層体の半導体基板又は支持基板が光透過性を有する場合に、半導体基板側又は支持基板側から剥離剤層に光を照射することで、積層体の半導体基板と支持基板とを分離するものである。
　本発明の積層体の一例においては、半導体基板と支持基板とが接着剤層及び剥離剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を剥離剤層に照射することで、半導体基板と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離は、積層体の半導体基板に加工が行われた後に実施される。
　第３の実施態様の一例を、図６Ａ～図６Ｄを用いて、説明する。この一例は、薄化した半導体基板の製造の一例である。
　まず、積層体を用意する（図６Ａ）。この積層体は、図１及び図２Ｃに示す積層体と同じ積層体である。
　次に、研磨装置（不図示）を用いて半導体基板１の接着剤層２が接する面と反対側の面を研磨し、半導体基板１を薄化する（図６Ｂ）。なお、薄化された半導体基板１に対して貫通電極の形成などが施されてもよい。
　次に、支持基板４側から剥離剤層３に光照射をした後に、剥離装置（不図示）を用いて、薄化した半導体基板１と支持基板４とを離す（図６Ｃ）。
　そうすると、薄化された半導体基板１が得られる（図６Ｄ）。
　ここで、薄化された半導体基板１上には、接着剤層２及び剥離剤層３の残渣が残っていることがある。そこで、洗浄剤組成物を用いて薄化した半導体基板１を洗浄し、半導体基板１上から接着剤層２及び剥離剤層３の残渣を取り除くことが好ましい。
＜第４の実施態様＞
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法は、下記第５Ｂ工程と、下記第６Ｂ工程とを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ｂ工程を含んでいてもよい。
　ここで、第５Ｂ工程は、上記＜第２の実施態様＞の欄で記載の積層体における電子デバイス層を加工する工程である。
　また、第６Ｂ工程は、第５Ｂ工程によって加工された電子デバイス層と、支持基板とを分離する工程である。
　また、第７Ｂ工程は、第６Ｂ工程の後に、加工された電子デバイス層を洗浄する工程である。
　以下、第４の実施形態の具体例について、図７Ａ～図７Ｆを用いつつ、説明する。
　第５Ｂ工程において電子デバイス層に施される加工とは、例えば、研削工程や配線層形成工程等が挙げられる。
＜＜研削工程＞＞
　研削工程は、電子デバイス層２６における封止樹脂２５の層の樹脂部分を、半導体チップ基板２１の一部が露出するように研削する工程である。
　封止樹脂部分の研削は、例えば図７Ｂに示すように、図７Ａに示す積層体の封止樹脂２５の層を、半導体チップ基板２１とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。なお、図７Ａに示す積層体は、図３及び図５Ｄに示す積層体と同じ積層体である。
＜＜配線層形成工程＞＞
　配線層形成工程は、上記研削工程の後、露出した半導体チップ基板２１上に配線層を形成する工程である。
　図７Ｃでは、半導体チップ基板２１及び封止樹脂２５の層からなる電子デバイス層２６上に、配線層２８が形成されている。
　配線層２８は、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）の間に導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッ ケル、金及び銀等の金属並びに銀一錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
　配線層２８を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
　まず、封止樹脂２５の層上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止樹脂２５の層上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。
　続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。
　第４の実施形態に係る積層体の製造方法においては、さらに、配線層２８上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。配線層２８上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。
　第４の実施形態に係る積層体は、半導体チップ基板に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体であってもよい。
　第６Ｂ工程において、電子デバイス層と支持基板とを分離（剥離）する方法は、剥離剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と電子デバイス層との間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から剥離剤層に光を照射することによって、上述の通りに剥離剤層の変質（例えば、剥離剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、電子デバイス層と支持基板とを分離することができる。
　図７Ｄ～図７Ｅは、積層体の分離方法を説明するための概略断面図であり、図７Ｆは、積層体の分離後における洗浄方法を説明するための概略断面図である。図７Ｄ～図７Ｆにより、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施態様を説明することができる。
　積層体を分離する工程は、図７Ｄで示すように、支持基板２４を介して剥離剤層２３に光（矢印）を照射して、剥離剤層２３を変質させることにより、電子デバイス層２６と支持基板２４とを分離する工程である。
　剥離剤層２３に光（矢印）を照射して剥離剤層２３を変質させた後、図７Ｅで示すように、電子デバイス層２６から支持基板２４を分離する。
　接着剤層に対する光照射の照射条件や照射方法等については、上記＜第３の実施態様＞の欄で説明した通りである。
　分離した電子デバイス層及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した電子デバイス層又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された電子デバイス層等の表面を洗浄してもよい。
　例えば、図７Ｅでは、分離工程の後、電子デバイス層２６に接着剤層２２や剥離剤層２３が付着しているが、酸又はアルカリ等の洗浄剤組成物を用いて、接着剤層２２や剥離剤層２３を分解することにより、接着剤層２２や剥離剤層２３を除去することができる。剥離剤層や接着剤層を除去することにより、図７Ｆで示すような加工された電子デバイス層（電子部品）を好適に得ることができる。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法の上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法は、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の積層体においては、電子デバイス層と支持基板とが接着剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を剥離剤層に照射することで、電子デバイス層と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離は、積層体の電子デバイス層に加工が行われた後に実施される。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
［装置］
（１）撹拌機：（株）シンキー製　自転公転ミキサー　ＡＲＥ－５００
（２）粘度計：東機産業（株）製　回転粘度計ＴＶＥ－２２Ｈ
（３）真空貼り合わせ装置：ズースマイクロテック（株）製　オートボンダー
（４）膜厚測定：ＢＲＵＫＥＲ製　ＤＥＫＴＡＫ　ＸＴ－Ａ　
（５）レーザー照射装置：Ｌｉｇｈｔ　Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ（株）製　ＩＰＥＸ－８４８
［分子量の測定条件］
　樹脂組成物の重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製　ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ－ＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｎ　（２本））を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用い、流量（流速）を０．３５ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（昭和電工（株）製、Ｓｈｏｄｅｘ）を用いて、測定した。
［１］接着剤組成物の調製
　［調製例１］
　前記撹拌機専用６００ｍＬ容器に、ポリシロキサン骨格とビニル基とを含有するＭＱ樹脂（ワッカーケミ社製）８０ｇ、粘度１００ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）２．５２ｇ、粘度７０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８９ｇ、及び１－エチニル－１－シクロヘキサノール（ワッカーケミ社製）０．２２ｇを入れ、前記撹拌機で５分間撹拌し、混合物（Ｉ）を得た。
　白金触媒（ワッカーケミ社製）０．１４７ｇと粘度１，０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８１ｇを前記撹拌機で５分間撹拌して混合物（ＩＩ）を得た。
　得られた混合物（ＩＩ）のうち３．９６ｇを混合物（Ｉ）に加え、前記撹拌機で５分間撹拌し、混合物（ＩＩＩ）を得た。
　最後に、得られた混合物（ＩＩＩ）をナイロンフィルター３００メッシュでろ過し、接着剤組成物を得た。
［２］樹脂組成物の合成
［合成例Ａ］
　フラスコ内に、ネオペンチルグリコールグリシジルエーテル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ－２１１Ｌ）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸３．３７ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２９ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＰＧＭＥと略称する）３４．６５ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－１）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１,９２３であった。
　式（Ａ－１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
［合成例Ｂ］
　フラスコ内に、１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ－２１６Ｌ）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸３．３７ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２９ｇ及びＰＧＭＥ３４．６５ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－２）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１,８１０であった。
　式（Ａ－２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
［合成例Ｃ］
　フラスコ内に、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ－２５２）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸２．３４ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２０ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルＰＧＭＥ３０．１４ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－３）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は２,０８０であった。
　式（Ａ－３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
［合成例Ｄ］
　フラスコ内に、３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル　３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（（株）ダイセル製、商品名：ＣＥＬ２０２１Ｐ）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸２．３４ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２０ｇ及びＰＧＭＥ３０．１４ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－４）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１,５００であった。
　式（Ａ－４）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
［合成例Ｅ］
　フラスコ内に、５，５－ジメチル－１，３－ビス（オキシラニルメチル）イミダゾリジン－２，４－ジオンの３０質量％ＰＧＭＥ溶液　１５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸３．７８ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．３２ｇ及びＰＧＭＥ２４．０９ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－５）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１,９６４であった。
　式（Ａ－５）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
［合成例Ｆ］
　フラスコ内に、テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ７１１）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸３．４３ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２９ｇ及びＰＧＭＥ３４．９０ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－６）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は２,１３５であった。
　式（Ａ－６）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
［合成例Ｇ］
　フラスコ内に、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ビス（グリシジルオキシ）－１，１’－ビフェニル（三菱化学（株）製、商品名：ＹＸ４０００）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸２．５６ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２３ｇ及びＰＧＭＥ３１．１６ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－７）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は２，７３０であった。
　式（Ａ－７）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
［合成例Ｈ］
　フラスコ内に、１，６－ビス（２，３－エポキシプロパン－１－イルオキシ）ナフタレン（ＤＩＣ（株）製、商品名：ＨＰ－４０３２Ｄ）５．００ｇ、α－シアノ－４－ヒドロキシケイ皮酸２．５６ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２３ｇ及びＰＧＭＥ３１．１６ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－８）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は２,２９５であった。
　式（Ａ－８）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
［合成例Ｉ］
　フラスコ内に、３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル　３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（（株）ダイセル製、商品名：ＣＥＬ２０２１Ｐ）６．００ｇ、ｔｒａｎｓ－４－ヒドロキシけい皮酸３．９０ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．３８ｇ及びＰＧＭＥ４１．１１ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－９）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１，５３２であった。
　式（Ａ－９）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
［合成例Ｊ］
　フラスコ内に、５，５－ジメチル－１，３－ビス（オキシラニルメチル）イミダゾリジン－２，４－ジオンの３０質量％ＰＧＭＥ溶液　２０．００ｇ、ｔｒａｎｓ－４－ヒドロキシけい皮酸４．３７ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．４３ｇ及びＰＧＭＥ２９．４５ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－１０）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は３，５４６であった。
　式（Ａ－１０）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
［合成例Ｋ］
　フラスコ内に、テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコールＥＸ７１１）５．００ｇ、ｔｒａｎｓ－４－ヒドロキシけい皮酸２．９８ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２９ｇ及びＰＧＭＥ３３．０８ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－１１）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は２，７２８であった。
　式（Ａ－１１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
［合成例Ｌ］
　フラスコ内に、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ビス（グリシジルオキシ）－１，１’－ビフェニル（三菱化学（株）製、商品名：ＹＸ４０００）６．００ｇ、ｔｒａｎｓ－４－ヒドロキシけい皮酸２．８０ｇ、テトラブチルホスホニウムブロミド０．２８ｇ及びＰＧＭＥ３６．３０ｇを入れて原料混合物を準備し、窒素雰囲気下で、原料混合物を２４時間１０５℃で加熱還流した。室温まで放冷した後、得られた反応混合物に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂を加え、次いで室温で４時間撹拌することによって、未反応のモノマーや反応に使用した触媒を除去し、最後に、ろ過でイオン交換樹脂を取り除き、ろ液として、反応生成物を含む溶液を得た。なお、陽イオン交換樹脂の量と陰イオン交換樹脂の量は、それぞれ、初めに準備した原料混合物の固形物と同質量とした。得られた反応生成物は下記式（Ａ－１２）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は４，６１９であった。
　式（Ａ－１２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
［合成例Ｍ］
　フラスコ内に、Ｎ－フェニル－１－ナフチルアミン５６．０２ｇ、１－ピレンカルボキシアルデヒド５０．００ｇ、４－（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒド６．６７ｇ、及びメタンスルホン酸２．４６ｇを入れ、そこへ１，４－ジオキサン８６．３６ｇ、及びトルエン８６．３６ｇを加え、窒素雰囲気下で１８時間還流撹拌した。
　得られた反応混合物を放冷した後、テトラヒドロフラン９６ｇを加えて希釈し、得られた希釈液をメタノール中に滴下させることで沈殿物を得た。得られた沈殿物をろ過で回収し、ろ物をメタノールで洗浄し、６０℃で減圧乾燥することで、反応生成物７２．１２ｇを得た。得られた反応生成物は下記式（Ａ－１３）に相当し、上述の方法で測定した結果、その重量平均分子量は１，１００であった。
　式（Ａ－１３）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
［３］剥離剤組成物の調製
［実施例１－１］
　合成例Ａで得られた樹脂溶液の固形分が６質量％となるようにＰＧＭＥを添加し、剥離剤組成物を得た。
［実施例１－２］～［実施例１－１２］
　樹脂溶液として合成例Ｂ～Ｌで得られた樹脂溶液をそれぞれ用いた以外、実施例１－１と同様の手順で固形分が６質量％の剥離剤組成物を得た。
［比較例１－１］
　合成例Ｍで得られた樹脂をプロピレングリコールモノメチルアセテートに固形分が６質量％となるように溶解させ、剥離剤組成物を得た。
［４］積層体の製造
［実施例２－１］～［実施例２－１２］、［比較例２－１］、
　実施例１－１乃至実施例１－１２、比較例１－１で得られた剥離剤組成物を、キャリア側の基板として３００ｍｍのガラスウエハー（ＥＡＧＬＥ－ＳＧ、コーニング社製、厚さ７００μｍ）に、最終的に得られる積層体中の膜厚が２５０ｎｍとなるようにスピンコートし、２００℃で５分間焼成することでガラスウエハー上に剥離剤塗布層を形成した。
　一方、調製例１で得られた接着剤組成物を、デバイス側の基板として３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ７７５μｍ）に、最終的に得られる積層体中の膜厚が６５μｍとなるようにスピンコートし、半導体基板であるシリコンウエハー上に接着剤塗布層を形成した。
　そして、貼り合せ装置を用いて、ガラスウエハーとシリコンウエハーを、剥離剤塗布層及び接着剤塗布層を挟み込むように貼り合わせた後、２００℃１０分間の後加熱処理をすることにより積層体を作製した。なお、貼り合せは、温度２３℃、減圧度１，０００Ｐａで、３０Ｎの荷重をかけて行った。得られた積層体はダイシング装置を用いて４ｃｍ四方にカットした。
［５］炭素含有量の算出
　［合成例Ａ］～［合成例Ｍ］で得られた樹脂の炭素含有量は下記の式で算出した。結果を表１－１～表１－５に示す。
　樹脂の組成式がＣｉＨｉｉＮｉｉｉＯｉｖＦｖのとき
（炭素含有量）（％）＝（１２×ｉ）×１００／（１２×ｉ＋１×ｉｉ＋１４×ｉｉｉ＋１６×ｉｖ＋１９×ｖ）
［６］剥離性の確認
　レーザー照射装置を用いて、波長３０８ｎｍのレーザーを、固定した積層体のガラスウエハー側から表１－１～表１－３に示す種々の照射量で剥離剤層に照射した。そして、支持基板をマニュアルで持ち上げることによって、剥離可否を確認した。シリコンウエハーの破損なく剥離ができた場合を「〇」、剥離できなかった場合を「×」とした。剥離の結果を表１－１～表１－５に示す。
［７］洗浄性の確認
　レーザー剥離後に得られたガラス基板（ガラスウエハー）をＰＧＭＥ７ｍＬに５分間浸漬し、エアドライすることで洗浄後基板を得た。洗浄可否の判断は光学顕微鏡で洗浄後のガラス基板を観察し、剥離剤層の残渣が見られない場合を「〇」、残渣が見られたものを「×」とした。比較例２－１ではＰＧＭＥの代わりにＰＧＭＥＡ（プロピレングルコールモノメチルエーテルアセテート）を用いて洗浄した。結果を表１－１～表１－５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000083
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000084
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000085
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000086
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000087
　表に示される通り、光の照射により剥離性を発現する層（剥離剤層）と半導体基板、支持基板からなる積層体において、剥離剤層の形成に、桂皮酸に類似する構造を有し炭素含有量の少ない重合体を含有する剥離剤組成物を用いることで、光照射後も良好な剥離性と洗浄性を達成することが可能である。
　１　　半導体基板
　２　　接着剤層
　２ａ　接着剤塗布層
　３　　剥離剤層
　４　　支持基板
　２１　半導体チップ基板
　２２　接着剤層
　２３　剥離剤層
　２４　支持基板
　２５　封止樹脂
　２６　電子デバイス層
　２７　接着性能を有する剥離剤層
　２８　配線層

 

Claims (9)

  1. 　光照射剥離用の剥離剤組成物であって、
    　下記式（１）で表される構造を有し、炭素含有量が８０％以下である化合物及び重合体の少なくともいずれかと、溶媒とを含有する剥離剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、フェニル基、炭素原子数１～１３のアルキル基、ハロゲン原子、－ＣＯＯＲ１１（Ｒ１１は、水素原子、又は炭素原子数１～４のアルキル基を表す。）又は－ＣＯＯ－を表す。
    　Ｒ３は、メトキシ基、炭素原子数１～１３のアルキル基、又はハロゲン原子を表す。
    　ｎ１は、０～４の整数を表す。ｎ２は、０又は１を表す。ただし、ｎ１とｎ２との合計は、４以下である。
    　Ｘ１は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
    　Ｘ２は、エーテル結合、又はエステル結合を表す。
    　＊は、結合手を表す。）
  2. 　前記化合物及び重合体の少なくともいずれかが、下記式（２）で表される構造、下記式（３）で表される構造、及び下記式（４）で表される構造の少なくともいずれかを有する、請求項１に記載の剥離剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２）中、Ｘ１１は、２価の基を表す。Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。＊は、結合手を表す。
    　式（３）中、Ｘ１２は、２価の基を表す。＊、＊１、及び＊１’は、結合手を表す。結合手＊１は、炭素原子＊２又は炭素原子＊３と結合している。結合手＊１’は、炭素原子＊２’又は炭素原子＊３’と結合している。
    　式（４）中、Ｘ１３及びＸ１４の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表し、Ｘ１５及びＸ１６の一方はヒドロキシ基を表し、他方が結合手を表す。ｍ１は、０又は１を表す。）
  3. 　前記式（２）中のＸ１１が、下記式（２－１）で表される構造及び下記式（２－２）で表される構造のいずれかである、請求項２に記載の剥離剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（２－１）中、Ｑ１は、酸素原子で中断されていてもよい炭素原子数２～２０の２価の非環状炭化水素基、下記式（２－１－１）で表される２価の有機基、下記式（２－１－２）で表される２価の有機基、下記式（２－１－３）で表される２価の有機基、又は下記式（２－１－４）で表される２価の有機基を表す。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０又は１を表す。＊は、結合手を表す。
    　式（２－２）中、Ｘ２１は、下記式（２－２－１）～（２－２－４）のいずれかで表される２価の基を表す。Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（２－１－１）～（２－１－４）中、Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１～６のアルキル基、炭素原子数２～６のアルケニル基、炭素原子数２～６のアルキニル基、炭素原子数１～６のアルコキシ基、炭素原子数２～６のアルケニルオキシ基、炭素原子数２～６のアルキニルオキシ基、炭素原子数２～６のアシル基、炭素原子数６～１２のアリールオキシ基、炭素原子数７～１３のアリールカルボニル基、又は炭素原子数７～１３のアラルキル基を表す。＊は、結合手を表す。
    　式（２－１－１）中、ｎ３は０又は１を表す。ｎ３が０のとき、ｎ１１は０～４の整数を表す。ｎ３が１のとき、ｎ１１は０～６の整数を表す。Ｒ２１が２以上のとき、２以上のＲ２１は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
    　式（２－１－２）中、Ｚ１１は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。ｎ１２及びｎ１３は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２２が２以上のとき、２以上のＲ２２は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２３が２以上のとき、２以上のＲ２３は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
    　式（２－１－３）中、Ｚ１２及びＺ１３は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１４は０～４の整数を表す。Ｒ２４が２以上のとき、２以上のＲ２４は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
    　式（２－１－４）中、Ｚ１４は、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、又は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。Ｚ１５及びＺ１６は、それぞれ独立して、単結合、又は炭素原子数１～６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ｎ１５及びｎ１６は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。Ｒ２５が２以上のとき、２以上のＲ２５は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ２６が２以上のとき、２以上のＲ２６は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式（２－２－１）～（２－２－３）中、Ｒ１～Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数１～１０のアルキル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルケニル基、酸素原子若しくは硫黄原子で中断されていてもよい炭素原子数２～１０のアルキニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、該フェニル基は、炭素原子数１～６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１～６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも１つの１価の基で置換されていてもよい。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。Ｒ３とＲ４は、互いに結合して炭素原子数３～６の環を形成していてもよい。
    　式（２－２－４）中、Ｚ３は、単結合又は下記式（２－２－５）で表される２価の基を表す。Ａ７、Ａ８及びＡ９は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はエチル基を表す。
    　＊は結合手を表す。＊１は式（２－２）中の炭素原子に結合する結合手を表す。＊２は式（２－２）中の窒素原子に結合する結合手を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （式（２－２－５）中、ｍ１は０～４の整数であり、ｍ２は０又は１であり、ｍ３は０又は１であり、ｍ４は０～２の整数である。ただし、ｍ３が１の場合、ｍ１及びｍ２は同時に０にならない。＊３は式（２－２）又は式（２－２－４）中の窒素原子に結合する結合手を表す。＊４は結合手を表す。）
  4. 　前記炭素含有量が、５０％以上である、請求項１に記載の剥離剤組成物。
  5. 　前記式（１）中のＸ１がエーテル結合を表し、
    　前記式（１）中のＲ１がシアノ基を表し、
    　前記式（１）中のＲ２が－ＣＯＯ－を表し、
    　前記式（１）中のｎ２が０を表す、
    請求項１に記載の剥離剤組成物。
  6. 　半導体基板又は電子デバイス層と、
    　光透過性の支持基板と、
    　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、剥離剤層とを有し、
    　前記剥離剤層が、請求項１から５のいずれかに記載の剥離剤組成物から形成された剥離剤層である、積層体。
  7. 　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層を有する、請求項６に記載の積層体。
  8. 　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
    　請求項６に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は請求項６に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
    　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
    を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
  9. 　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、請求項８に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。

     
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006521567A (ja) * 2003-03-26 2006-09-21 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 質量分析法を用いる、タンパク質および／または他の分子の測定
JP2012106486A (ja) 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
JP2013235962A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2017082196A (ja) * 2015-10-29 2017-05-18 日本合成化学工業株式会社 粘着剤組成物、それを用いて得られる剥離性粘着剤、剥離性粘着シート、およびその剥離性粘着シートの使用方法
WO2019088103A1 (ja) 2017-11-01 2019-05-09 日産化学株式会社 ノボラック樹脂を剥離層として含む積層体
WO2021256386A1 (ja) * 2020-06-15 2021-12-23 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
WO2022102691A1 (ja) * 2020-11-13 2022-05-19 積水化学工業株式会社 電子部品の製造方法、表示装置の製造方法、及び、支持テープ
WO2022186231A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 日産化学株式会社 ベンジリデンシアノ酢酸エステル基を有するレジスト下層膜形成組成物
WO2022210238A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
WO2023100506A1 (ja) * 2021-11-30 2023-06-08 日産化学株式会社 ヒドロキシケイ皮酸誘導体を有するレジスト下層膜形成用組成物

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004064040A (ja) 2002-06-03 2004-02-26 Three M Innovative Properties Co 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2006521567A (ja) * 2003-03-26 2006-09-21 プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ 質量分析法を用いる、タンパク質および／または他の分子の測定
JP2012106486A (ja) 2010-10-29 2012-06-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 積層体、およびその積層体の分離方法
JP2013235962A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2017082196A (ja) * 2015-10-29 2017-05-18 日本合成化学工業株式会社 粘着剤組成物、それを用いて得られる剥離性粘着剤、剥離性粘着シート、およびその剥離性粘着シートの使用方法
WO2019088103A1 (ja) 2017-11-01 2019-05-09 日産化学株式会社 ノボラック樹脂を剥離層として含む積層体
WO2021256386A1 (ja) * 2020-06-15 2021-12-23 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
WO2022102691A1 (ja) * 2020-11-13 2022-05-19 積水化学工業株式会社 電子部品の製造方法、表示装置の製造方法、及び、支持テープ
WO2022186231A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 日産化学株式会社 ベンジリデンシアノ酢酸エステル基を有するレジスト下層膜形成組成物
WO2022210238A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 日産化学株式会社 積層体、剥離剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
WO2023100506A1 (ja) * 2021-11-30 2023-06-08 日産化学株式会社 ヒドロキシケイ皮酸誘導体を有するレジスト下層膜形成用組成物

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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