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WO2018003713A1 - 導電性フィルム - Google Patents

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WO2018003713A1
WO2018003713A1 PCT/JP2017/023271 JP2017023271W WO2018003713A1 WO 2018003713 A1 WO2018003713 A1 WO 2018003713A1 JP 2017023271 W JP2017023271 W JP 2017023271W WO 2018003713 A1 WO2018003713 A1 WO 2018003713A1
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WO
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conductive
resin layer
layer
conductive film
less
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2017/023271
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English (en)
French (fr)
Inventor
謙一 原井
田崎 聡
和之 小渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Zeon Corp
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Publication date
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Priority to CN201780027760.3A priority patent/CN109153238B/zh
Priority to JP2018525141A priority patent/JP7070410B2/ja
Priority to US16/306,655 priority patent/US11322269B2/en
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    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
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Definitions

  • the present invention relates to a conductive film.
  • a conductive glass having an indium oxide thin film formed on a glass plate is known as a transparent conductive member.
  • the base material is glass
  • conductive glass is inferior in flexibility and workability, and is difficult to apply depending on applications.
  • the proposal of the electroconductive film using resin is made
  • the technique like patent document 3 is known.
  • organic EL elements organic electroluminescence elements
  • a display device including such an organic EL element is desired to realize new performance such as foldable and rollable. Therefore, in order to realize such performance, development of a conductive film having high conductivity and excellent bending resistance is required.
  • Patent Document 1 proposes a conductive film composed of a styrene-diene block copolymer and a thiophene copolymer.
  • the conductive film described in Patent Document 1 has poor conductivity.
  • Patent Document 2 proposes a transparent conductive film including a transparent resin film and a conductive layer formed on the transparent resin film.
  • the transparent conductive film described in Patent Document 2 has poor bending resistance.
  • Patent Document 3 describes an optical film made of a predetermined block copolymer hydride. Patent Document 3 describes a transparent conductive film as an application of this optical film. However, Patent Document 3 does not describe a specific structure of the transparent conductive film.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a conductive film excellent in both conductivity and bending resistance.
  • the present inventor has obtained a combination of a resin layer having a predetermined storage elastic modulus at 25 ° C. and a conductive layer having a predetermined surface resistance value, thereby providing conductivity and resistance.
  • the inventors have found that a conductive film excellent in both flexibility can be realized, and completed the present invention. That is, the present invention includes the following.
  • the storage elastic modulus of the resin layer at 25 ° C. is greater than 10 MPa and less than 1000 MPa;
  • the surface resistance value of the conductive layer is 1000 ⁇ / sq.
  • the conductive film which is the following.
  • the resin layer includes an alkoxysilyl group modified product [3] of a block copolymer hydride
  • the alkoxysilyl group-modified product [3] is a hydride obtained by hydrogenating the carbon-carbon unsaturated bond of the main chain and the side chain of the block copolymer [1] and the carbon-carbon unsaturated bond of the aromatic ring [2].
  • Is an alkoxysilyl group-modified product of The block copolymer [1] contains an aromatic vinyl compound unit
  • the block copolymer [1] contains two or more polymer blocks [A] per molecule, and a chain conjugated diene compound unit.
  • the block copolymer [1] having one or more polymer blocks [B] per molecule; The weight fraction wA of the polymer block [A] in the entire block copolymer [1], and the weight fraction wB of the polymer block [B] in the entire block copolymer [1].
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film as a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film as a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film as a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film as a fourth embodiment of the present invention.
  • the conductive film of the present invention includes a resin layer and a conductive layer. Moreover, the conductive film of this invention may contain arbitrary layers as needed. However, usually, an arbitrary layer is not provided between the conductive layer and the resin layer, and the conductive layer and the resin layer are in direct contact with each other.
  • the resin layer is a layer made of resin and has a storage elastic modulus in a predetermined range at 25 ° C.
  • the specific storage elastic modulus of the resin layer at 25 ° C. is usually more than 10 MPa, preferably more than 15 MPa, more preferably more than 30 MPa, and usually less than 1000 MPa, preferably less than 950 MPa, more preferably less than 900 MPa. .
  • the bending resistance of the conductive film means a property that even when the conductive film is bent, the conductivity of the conductive layer is hardly lowered and appearance change such as whitening is hardly caused.
  • the storage elastic modulus of the resin layer at 25 ° C. is larger than the lower limit value of the above range, it is difficult to cause an appearance change when the conductive film is bent.
  • the storage elastic modulus of the resin layer in 25 degreeC is less than the upper limit of the said range, and can suppress the electroconductive fall of the conductive layer at the time of bending a conductive film.
  • the storage elastic modulus of the resin layer can be measured using a dynamic viscoelastic device under conditions of a frequency of 1 Hz.
  • resin which a resin layer contains resin which contains a polymer normally and also contains arbitrary components as needed is used. As such a polymer, it is preferable to use a specific alkoxysilyl group-modified product [3].
  • the alkoxysilyl group-modified product [3] is an alkoxysilyl group-modified product of a hydride [2] obtained by hydrogenating an unsaturated bond of a specific block copolymer [1].
  • the block copolymer [1] comprises two or more polymer blocks [A] per molecule of the block copolymer [1] and one or more polymer blocks [B] per molecule of the block copolymer [1]. ] Is a block copolymer.
  • the polymer block [A] is a polymer block containing an aromatic vinyl compound unit.
  • the aromatic vinyl compound unit refers to a structural unit having a structure formed by polymerizing an aromatic vinyl compound.
  • Examples of the aromatic vinyl compound corresponding to the aromatic vinyl compound unit contained in the polymer block [A] include styrene; ⁇ -methylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2,4 Styrenes having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent, such as dimethylstyrene, 2,4-diisopropylstyrene, 4-t-butylstyrene, 5-t-butyl-2-methylstyrene; 4-chloro Styrenes having a halogen atom as a substituent, such as styrene, dichlorostyrene, 4-monofluorostyrene; Styrenes having an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent, such as 4-methoxystyrene; 4-phenylstyrene Styrenes having an aryl group as a substituent, such
  • aromatic vinyl compounds that do not contain a polar group, such as styrene and styrenes having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a substituent, are preferable because they can reduce hygroscopicity, and are easily available industrially. Therefore, styrene is particularly preferable.
  • the content of the aromatic vinyl compound unit in the polymer block [A] is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and particularly preferably 99% by weight or more.
  • the amount of the aromatic vinyl compound unit is large as described above in the polymer block [A], the hardness and heat resistance of the resin layer can be increased.
  • the polymer block [A] may contain an arbitrary structural unit in addition to the aromatic vinyl compound unit.
  • the polymer block [A] may contain any structural unit alone or in combination of two or more at any ratio.
  • Examples of an arbitrary structural unit that can be contained in the polymer block [A] include a chain conjugated diene compound unit.
  • the chain conjugated diene compound unit refers to a structural unit having a structure formed by polymerizing a chain conjugated diene compound.
  • Examples of the chain conjugated diene compound corresponding to the chain conjugated diene compound unit include the same examples as the examples of the chain conjugated diene compound corresponding to the chain conjugated diene compound unit included in the polymer block [B]. Can be mentioned.
  • the polymer block [A] can contain, for example, a structural unit having a structure formed by polymerizing an arbitrary unsaturated compound other than an aromatic vinyl compound and a chain conjugated diene compound is used.
  • a structural unit having a structure formed by polymerizing an arbitrary unsaturated compound other than an aromatic vinyl compound and a chain conjugated diene compound is used.
  • the optional unsaturated compound include vinyl compounds such as chain vinyl compounds and cyclic vinyl compounds; unsaturated cyclic acid anhydrides; unsaturated imide compounds; These compounds may have a substituent such as a nitrile group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxycarbonyl group, or a halogen group.
  • a vinyl compound having no polar group is preferred, a chain olefin having 2 to 20 carbon atoms per molecule is more preferred, and ethylene and propylene are particularly preferred.
  • the content of any structural unit in the polymer block [A] is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, and particularly preferably 1% by weight or less.
  • Block copolymer [1] The number of polymer blocks [A] in one molecule is preferably 2 or more, preferably 5 or less, more preferably 4 or less, and particularly preferably 3 or less.
  • the plurality of polymer blocks [A] in one molecule may be the same as or different from each other.
  • the weight average molecular weight of the polymer block having the maximum weight average molecular weight in the polymer block [A] is expressed as Mw. (A1)
  • the weight average molecular weight of the polymer block having the smallest weight average molecular weight is Mw (A2).
  • the ratio “Mw (A1) / Mw (A2)” between Mw (A1) and Mw (A2) is preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less, and particularly preferably 2.0 or less. It is. Thereby, the dispersion
  • the polymer block [B] is a polymer block containing a chain conjugated diene compound unit.
  • the chain conjugated diene compound unit refers to a structural unit having a structure formed by polymerizing a chain conjugated diene compound.
  • Examples of the chain conjugated diene compound corresponding to the chain conjugated diene compound unit included in the polymer block [B] include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 1, Examples include 3-pentadiene. One of these may be used alone, or two or more of these may be used in combination at any ratio. Among these, a chain conjugated diene compound not containing a polar group is preferable because 1,2 butadiene and isoprene are particularly preferable because hygroscopicity can be lowered.
  • the content of the chain conjugated diene compound unit in the polymer block [B] is preferably 70% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more.
  • the amount of the chain conjugated diene compound unit is large in the polymer block [B] as described above, the flexibility of the resin layer can be improved.
  • the polymer block [B] may contain an arbitrary structural unit in addition to the chain conjugated diene compound unit.
  • the polymer block [B] may contain any structural unit alone or in combination of two or more at any ratio.
  • an arbitrary structural unit that can be contained in the polymer block [B] is formed by polymerizing an aromatic vinyl compound unit and any unsaturated compound other than the aromatic vinyl compound and the chain conjugated diene compound.
  • Examples include structural units having a structure.
  • Examples of the structural unit having a structure formed by polymerizing these aromatic vinyl compound units and any unsaturated compound include those exemplified as those which may be contained in the polymer block [A]. The same example is given.
  • the content of any structural unit in the polymer block [B] is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and particularly preferably 10% by weight or less. When the content of any structural unit in the polymer block [B] is low, the flexibility of the resin layer can be improved.
  • Block copolymer [1] The number of polymer blocks [B] in one molecule is usually 1 or more, but may be 2 or more. When the number of polymer blocks [B] in the block copolymer [1] is 2 or more, these polymer blocks [B] may be the same as or different from each other.
  • the weight average molecular weight of the polymer block having the maximum weight average molecular weight in the polymer block [B] is expressed as Mw. (B1)
  • the weight average molecular weight of the polymer block having the smallest weight average molecular weight is Mw (B2).
  • the ratio “Mw (B1) / Mw (B2)” between Mw (B1) and Mw (B2) is preferably 4.0 or less, more preferably 3.0 or less, and particularly preferably 2.0 or less. It is. Thereby, the dispersion
  • the form of the block of the block copolymer [1] may be a chain block or a radial block. Among these, a chain type block is preferable because of its excellent mechanical strength.
  • the block copolymer [1] has a chain-type block form, both ends of the molecular chain of the block copolymer [1] are polymer blocks [A], which makes the resin layer less sticky as desired. Since it can suppress to a value, it is preferable.
  • a particularly preferred block form of the block copolymer [1] is that the polymer block [A] is bonded to both ends of the polymer block [B] as represented by [A]-[B]-[A]. As shown by [A]-[B]-[A]-[B]-[A], the polymer block [B] is bonded to both ends of the polymer block [A]. And a pentablock copolymer in which the polymer block [A] is bonded to the other end of each of the polymer blocks [B].
  • a triblock copolymer of [A]-[B]-[A] is particularly preferable because it can be easily produced and the physical properties can be easily within a desired range.
  • the ratio (wA / wB) to the weight fraction wB falls within a specific range. Specifically, the ratio (wA / wB) is usually 20/80 or more, preferably 25/75 or more, more preferably 30/70 or more, particularly preferably 40/60 or more, and usually 60/40. Hereinafter, it is preferably 55/45 or less.
  • the ratio wA / wB is not less than the lower limit of the above range, the hardness and heat resistance of the resin layer can be improved, or birefringence can be reduced. Moreover, the flexibility of a resin layer can be improved because said ratio wA / wB is below the upper limit of the said range.
  • the weight fraction wA of the polymer block [A] indicates the weight fraction of the whole polymer block [A]
  • the weight fraction wB of the polymer block [B] is the whole polymer block [B]. The weight fraction is shown.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the block copolymer [1] is preferably 40,000 or more, more preferably 50,000 or more, particularly preferably 60,000 or more, preferably 200,000 or less. More preferably, it is 150,000 or less, Most preferably, it is 100,000 or less.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the block copolymer [1] is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, particularly preferably 1.5 or less, and preferably 1.0 or more.
  • Mn represents a number average molecular weight.
  • the weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the block copolymer [1] were determined as polystyrene-converted values by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a solvent. It can be measured.
  • a monomer composition (a) containing an aromatic vinyl compound and a monomer composition (b) containing a chain conjugated diene compound by a method such as living anion polymerization. ); Alternately polymerizing the monomer composition (a) containing the aromatic vinyl compound and the monomer composition (b) containing the chain conjugated diene compound, and then polymerizing the polymer block [B]. And a method of coupling the ends with a coupling agent.
  • the content of the aromatic vinyl compound in the monomer composition (a) is preferably 90% by weight or more, more preferably 95% by weight or more, and particularly preferably 99% by weight or more.
  • the monomer composition (a) may contain any monomer component other than the aromatic vinyl compound.
  • the optional monomer component include a chain conjugated diene compound and an arbitrary unsaturated compound.
  • the amount of the optional monomer component is preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, and particularly preferably 1% by weight or less based on the monomer composition (a).
  • the content of the chain conjugated diene compound in the monomer composition (b) is preferably 70% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more.
  • the monomer composition (b) may contain any monomer component other than the chain conjugated diene compound.
  • Optional monomer components include aromatic vinyl compounds and arbitrary unsaturated compounds.
  • the amount of the optional monomer component is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and particularly preferably 10% by weight or less based on the monomer composition (b).
  • radical polymerization, anion polymerization, cation polymerization, coordination anion polymerization, coordination cation polymerization and the like can be used.
  • radical polymerization, anion polymerization, cation polymerization and the like are performed by living polymerization
  • a method in which living polymerization is performed by living anion polymerization is particularly preferable.
  • Polymerization can be performed in the presence of a polymerization initiator.
  • a polymerization initiator monoorganolithium such as n-butyllithium, sec-butyllithium, t-butyllithium, hexyllithium, and phenyllithium; dilithiomethane, 1,4-dilithiobutane, 1,4-dilithio A polyfunctional organolithium compound such as -2-ethylcyclohexane; One of these may be used alone, or two or more of these may be used in combination at any ratio.
  • the polymerization temperature is preferably 0 ° C. or higher, more preferably 10 ° C. or higher, particularly preferably 20 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or lower, particularly preferably 70 ° C. or lower.
  • solution polymerization and slurry polymerization can be used as the form of the polymerization reaction.
  • reaction heat can be easily removed.
  • an inert solvent in which the polymer obtained in each step can be dissolved can be used as the solvent.
  • the inert solvent examples include aliphatic hydrocarbon solvents such as n-butane, n-pentane, isopentane, n-hexane, n-heptane, and isooctane; cyclopentane, cyclohexane, methylcyclopentane, methylcyclohexane, decalin, bicyclo And alicyclic hydrocarbon solvents such as [4.3.0] nonane and tricyclo [4.3.0.1 2,5 ] decane; aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene; One of these may be used alone, or two or more of these may be used in combination at any ratio.
  • aliphatic hydrocarbon solvents such as n-butane, n-pentane, isopentane, n-hexane, n-heptane, and isooctane
  • an alicyclic hydrocarbon solvent as the solvent because it can be used as it is as an inert solvent for the hydrogenation reaction and the solubility of the block copolymer [1] is good.
  • the amount of the solvent used is preferably 200 to 2000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of all the monomers used.
  • a randomizer can be used to suppress the lengthening of only one component chain.
  • a Lewis base compound examples include ether compounds such as dimethyl ether, diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, diphenyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and ethylene glycol methyl phenyl ether; and tetramethylethylenediamine, trimethylamine, triethylamine, pyridine, and the like.
  • Tertiary amine compounds such as potassium-t-amyl oxide and potassium-t-butyl oxide; phosphine compounds such as triphenylphosphine; and the like.
  • alkali metal alkoxide compounds such as potassium-t-amyl oxide and potassium-t-butyl oxide
  • phosphine compounds such as triphenylphosphine; and the like.
  • One of these may be used alone, or two or more of these may be used in combination at any ratio.
  • the hydride [2] is a polymer obtained by hydrogenating the unsaturated bond of the block copolymer [1].
  • the unsaturated bond of the block copolymer [1] to be hydrogenated includes carbon-carbon unsaturated bonds in the main chain and side chain of the block copolymer [1], and aromatic and non-aromatic bonds. All of the family carbon-carbon unsaturated bonds are included.
  • the hydrogenation rate is preferably 90% or more, more preferably 97% or more of the carbon-carbon unsaturated bond of the main chain and side chain of the block copolymer [1] and the carbon-carbon unsaturated bond of the aromatic ring. Particularly preferably, it is 99% or more.
  • the higher the hydrogenation rate the better the transparency, heat resistance and weather resistance of the resin layer, and the easier it is to reduce the birefringence of the resin layer.
  • the hydrogenation rate of the hydride [2] can be determined by measurement by 1 H-NMR.
  • the hydrogenation rate of the non-aromatic carbon-carbon unsaturated bond is preferably 95% or more, more preferably 99% or more.
  • the light resistance and oxidation resistance of the resin layer can be further increased.
  • the hydrogenation rate of the aromatic carbon-carbon unsaturated bond is preferably 90% or more, more preferably 93% or more, and particularly preferably 95% or more.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the hydride [2] is preferably 40,000 or more, more preferably 50,000 or more, particularly preferably 60,000 or more, preferably 200,000 or less, more preferably 150. 1,000 or less, particularly preferably 100,000 or less.
  • Mw weight average molecular weight
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the hydride [2] is preferably 3 or less, more preferably 2 or less, particularly preferably 1.5 or less, and preferably 1.0 or more.
  • Mw / Mn molecular weight distribution of the hydride [2] is within the above range, the mechanical strength and heat resistance of the resin layer can be improved, and the birefringence of the resin layer can be easily reduced.
  • the weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the hydride [2] can be measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran as a solvent.
  • the hydride [2] described above can be produced by hydrogenating the block copolymer [1].
  • a hydrogenation method that can increase the hydrogenation rate and causes little chain-breaking reaction of the block copolymer [1] is preferable. Examples of such a hydrogenation method include the methods described in International Publication No. 2011/096389 and International Publication No. 2012/043708.
  • Examples of specific hydrogenation methods include, for example, hydrogenation using a hydrogenation catalyst containing at least one metal selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, rhodium, palladium, platinum, ruthenium, and rhenium.
  • a hydrogenation catalyst may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the hydrogenation catalyst either a heterogeneous catalyst or a homogeneous catalyst can be used.
  • the hydrogenation reaction is preferably performed in an organic solvent.
  • the heterogeneous catalyst may be used as it is, for example, as a metal or a metal compound, or may be used by being supported on a suitable carrier.
  • suitable carrier include activated carbon, silica, alumina, calcium carbonate, titania, magnesia, zirconia, diatomaceous earth, silicon carbide, calcium fluoride, and the like.
  • the supported amount of the catalyst is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less based on the total amount of the catalyst and the carrier. is there.
  • the specific surface area of the supported catalyst is preferably 100 m 2 / g to 500 m 2 / g.
  • the average pore diameter of the supported catalyst is preferably 100 mm or more, more preferably 200 mm or more, preferably 1000 mm or less, more preferably 500 mm or less.
  • the specific surface area can be obtained by measuring the nitrogen adsorption amount and using the BET equation.
  • the average pore diameter can be measured by a mercury intrusion method.
  • homogeneous catalysts include catalysts in which nickel, cobalt, or iron compounds and organometallic compounds (eg, organoaluminum compounds, organolithium compounds) are combined; organometallics including rhodium, palladium, platinum, ruthenium, rhenium, etc. Complex catalysts; and the like can be used.
  • organometallic compounds eg, organoaluminum compounds, organolithium compounds
  • organometallics including rhodium, palladium, platinum, ruthenium, rhenium, etc.
  • Complex catalysts and the like can be used.
  • Examples of the nickel, cobalt, or iron compound include various metal acetylacetonate compounds, carboxylates, and cyclopentadienyl compounds.
  • Examples of the organoaluminum compound include alkylaluminums such as triethylaluminum and triisobutylaluminum; aluminum halides such as diethylaluminum chloride and ethylaluminum dichloride; alkylaluminum hydrides such as diisobutylaluminum hydride; and the like.
  • organometallic complex catalysts include transition metal complexes such as dihydrido-tetrakis (triphenylphosphine) ruthenium, dihydrido-tetrakis (triphenylphosphine) iron, bis (cyclooctadiene) nickel, and bis (cyclopentadienyl) nickel. Is mentioned.
  • the amount of the hydrogenation catalyst used is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.05 parts by weight or more, particularly preferably 0.1 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the block copolymer [1]. Preferably, it is 100 parts by weight or less, more preferably 50 parts by weight or less, and particularly preferably 30 parts by weight or less.
  • the temperature of the hydrogenation reaction is preferably 10 ° C or higher, more preferably 50 ° C or higher, particularly preferably 80 ° C or higher, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, particularly preferably 180 ° C or lower. .
  • the hydrogenation rate can be increased, and the molecular cleavage of the block copolymer [1] can be reduced.
  • the hydrogen pressure during the hydrogenation reaction is preferably 0.1 MPa or more, more preferably 1 MPa or more, particularly preferably 2 MPa or more, preferably 30 MPa or less, more preferably 20 MPa or less, and particularly preferably 10 MPa or less.
  • the hydride [2] obtained by the above-described method is usually obtained as a reaction liquid containing a hydride [2], a hydrogenation catalyst, and a polymerization catalyst. Therefore, the hydride [2] may be recovered from the reaction solution after removing the hydrogenation catalyst and the polymerization catalyst from the reaction solution by a method such as filtration and centrifugation.
  • a method for recovering the hydride [2] from the reaction solution for example, a steam coagulation method in which the solvent is removed from the reaction solution containing the hydride [2] by steam stripping; direct solvent removal to remove the solvent under reduced pressure heating And a solidification method in which the reaction solution is poured into a poor solvent of hydride [2] to precipitate or solidify.
  • the recovered hydride [2] is preferably in the form of a pellet so that it can be easily subjected to a subsequent silylation modification reaction (reaction for introducing an alkoxysilyl group).
  • a subsequent silylation modification reaction reaction for introducing an alkoxysilyl group
  • the molten hydride [2] may be extruded from a die into strands, cooled, and then cut into pellets by a pelletizer, and used for various moldings.
  • the obtained solidified product may be dried and then extruded in a molten state by an extruder, and may be formed into various pellets in the same manner as described above.
  • the alkoxysilyl group-modified product [3] is a polymer obtained by introducing an alkoxysilyl group into the hydride [2] of the block copolymer [1] described above.
  • the alkoxysilyl group may be directly bonded to the hydride [2] described above, and may be indirectly bonded, for example, via a divalent organic group such as an alkylene group.
  • the alkoxysilyl group-modified product [3] into which an alkoxysilyl group has been introduced is particularly excellent in adhesion to inorganic materials such as glass and metal. Therefore, the resin layer is usually excellent in adhesiveness with the inorganic material.
  • the introduction amount of the alkoxysilyl group in the modified alkoxysilyl group [3] is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more with respect to 100 parts by weight of the hydride [2] before introduction of the alkoxysilyl group. 2 parts by weight or more, particularly preferably 0.3 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, and particularly preferably 3 parts by weight or less.
  • the amount of alkoxysilyl group introduced can be measured by 1 H-NMR spectrum. In addition, when the introduction amount of the alkoxysilyl group is measured, if the introduction amount is small, the number of integrations can be increased.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the alkoxysilyl group-modified product [3] is small in the amount of alkoxysilyl groups introduced, usually the weight average molecular weight (2) of the hydride [2] before introducing the alkoxysilyl group ( Mw) does not change significantly.
  • the hydride [2] is usually subjected to a modification reaction in the presence of a peroxide, so that the hydride [2] undergoes a crosslinking reaction and a cleavage reaction, resulting in a molecular weight distribution. Tend to change significantly.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the alkoxysilyl group-modified product [3] is preferably 40,000 or more, more preferably 50,000 or more, particularly preferably 60,000 or more, and preferably 200,000 or less. Preferably it is 150,000 or less, Most preferably, it is 100,000 or less.
  • the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the modified alkoxysilyl group [3] is preferably 3.5 or less, more preferably 2.5 or less, particularly preferably 2.0 or less, preferably 1.0. That's it.
  • weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the alkoxysilyl group-modified product [3] are within this range, good mechanical strength and tensile elongation of the resin layer can be maintained.
  • the weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the alkoxysilyl group-modified product [3] can be measured as values in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran as a solvent. .
  • the alkoxysilyl group-modified product [3] can be produced by introducing an alkoxysilyl group into the hydride [2] of the block copolymer [1] described above.
  • Examples of the method for introducing an alkoxysilyl group into the hydride [2] include a method in which the hydride [2] and an ethylenically unsaturated silane compound are reacted in the presence of a peroxide.
  • ethylenically unsaturated silane compound those capable of graft polymerization with hydride [2] and capable of introducing an alkoxysilyl group into hydride [2] can be used.
  • ethylenically unsaturated silane compounds include: vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane and other alkoxy silanes; allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane Alkoxysilanes having an allyl group such as p-styryltrimethoxysilane, p-styryltriethoxysilane and the like alkoxysilanes having a p-styryl group; 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane Alkoxysilanes having a 3-meth
  • vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxymethylvinylsilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxy Silane is preferred.
  • an ethylenically unsaturated silane compound may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the amount of the ethylenically unsaturated silane compound is preferably 0.1 parts by weight or more, more preferably 0.2 parts by weight or more, particularly 100 parts by weight of the hydride [2] before introducing the alkoxysilyl group.
  • the amount is preferably 0.3 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less, and particularly preferably 3 parts by weight or less.
  • the peroxide one that functions as a radical reaction initiator can be used.
  • an organic peroxide is usually used.
  • the organic peroxide include dibenzoyl peroxide, t-butyl peroxyacetate, 2,2-di- (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, t-butylcumyl peroxide, Dicumyl peroxide, di-t-hexyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxyhexane), di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 -Di (t-butylperoxy) hexane-3, t-butylhydroperoxide, t-butylperoxyisobutyrate, lauroyl peroxide, dipropionyl peroxide, p-menthane hydroperoxide and the like.
  • t-butylcumyl peroxide those having a one-minute half-life temperature of 170 ° C. to 190 ° C. are preferable, and specifically, t-butylcumyl peroxide, dicumyl peroxide, di-t-hexyl peroxide, 2,5-dimethyl -2,5-di (t-butylperoxyhexane) and di-t-butylperoxide are preferred.
  • a peroxide may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
  • the amount of the peroxide is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 0.1 parts by weight or more, and particularly preferably 0 parts by weight based on 100 parts by weight of the hydride [2] before introducing the alkoxysilyl group. .2 parts by weight or more, preferably 5 parts by weight or less, more preferably 3 parts by weight or less, and particularly preferably 2 parts by weight or less.
  • the method of reacting the hydride [2] of the block copolymer [1] with the ethylenically unsaturated silane compound in the presence of a peroxide can be performed using, for example, a heating kneader and a reactor.
  • a heating kneader and a reactor As a specific example, a mixture of a hydride [2], an ethylenically unsaturated silane compound and a peroxide is heated and melted at a temperature equal to or higher than the melting temperature of the hydride [2] in a biaxial kneader to obtain a desired value. By kneading for this time, the alkoxysilyl group-modified product [3] can be obtained.
  • the specific temperature during kneading is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 190 ° C. or higher, particularly preferably 200 ° C. or higher, preferably 240 ° C. or lower, more preferably 230 ° C. or lower, particularly preferably 220 ° C. or lower. It is.
  • the kneading time is preferably 0.1 minutes or more, more preferably 0.2 minutes or more, particularly preferably 0.3 minutes or more, preferably 15 minutes or less, more preferably 10 minutes or less, particularly preferably. 5 minutes or less.
  • kneading and extrusion can be performed continuously with the residence time being in the above range.
  • the proportion of the polymer such as the alkoxysilyl group-modified product [3] is preferably 80% by weight to 100% by weight, more preferably 90% by weight to 100% by weight, particularly preferably 95% by weight. ⁇ 100% by weight.
  • the ratio of the polymer in the resin is within the above range, the storage elastic modulus of the resin layer can be easily within the above range.
  • the resin contained in the resin layer may further contain optional components in combination with the above-described polymer.
  • Optional components include, for example, a plasticizer for adjusting the glass transition temperature and elastic modulus; a light stabilizer for improving weather resistance and heat resistance; an ultraviolet absorber; an antioxidant; a lubricant; an inorganic filler; Is mentioned.
  • arbitrary components may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • Method A method in which a polymer is melted and kneaded with an arbitrary component in a kneader such as a twin-screw kneader, a roll, a Brabender, or an extruder.
  • a kneader such as a twin-screw kneader, a roll, a Brabender, or an extruder.
  • the storage elastic modulus of the resin layer at 100 ° C. is preferably less than 10 MPa, more preferably less than 7.5 MPa, and particularly preferably less than 5 MPa. Since the storage elastic modulus of the resin layer in a high temperature environment is low as described above, the resin layer can be easily thermocompression bonded to an arbitrary member. Therefore, a conductive film can be easily manufactured by thermocompression bonding the resin layer and the conductive layer. Moreover, a conductive film can be easily bonded to an arbitrary member by thermocompression bonding.
  • the lower limit of the storage elastic modulus of the resin layer at 100 ° C. is preferably 0.1 MPa or more, more preferably 0.5 MPa or more, and particularly preferably 1 MPa or more from the viewpoint of improving heat resistance.
  • the flexural modulus of the resin layer at 25 ° C. is preferably 1 MPa or more, more preferably 5 MPa or more, particularly preferably 10 MPa or more, preferably 500 MPa or less, more preferably 450 MPa or less, and particularly preferably 400 MPa or less.
  • the bending elastic modulus of the resin layer at 25 ° C. is not less than the lower limit of the above range, the handleability of the conductive film can be improved, and by being not more than the upper limit of the above range, Flexibility can be improved.
  • the bending elastic modulus of the resin layer can be measured according to JIS K 7117 using a universal testing machine (for example, “Electromechanical universal testing machine 5900” manufactured by Instron).
  • the resin layer usually has high transparency.
  • the specific total light transmittance of the resin layer is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 90% or more.
  • the total light transmittance can be measured in a wavelength range of 400 nm to 700 nm using an ultraviolet / visible spectrometer.
  • the haze of the resin layer is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, particularly preferably 1% or less, and ideally 0%. According to JIS K7361-1997, the haze can be measured at five locations using a “turbidity meter NDH-300A” manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., and an average value obtained therefrom can be adopted.
  • the resin layer is formed from a thermoplastic resin such as a resin containing the above-described alkoxysilyl group-modified product [3]
  • the resin layer can be produced by a molding method such as a melt molding method or a solution casting method.
  • the melt molding method is preferable because it can suppress the remaining of volatile components such as a solvent in the resin layer.
  • the melt molding method can be classified into an extrusion molding method, a press molding method, an inflation molding method, an injection molding method, a blow molding method, a stretch molding method, and the like.
  • an extrusion molding method in order to obtain a resin layer excellent in mechanical strength and surface accuracy, an extrusion molding method, an inflation molding method, and a press molding method are preferable. From the viewpoint that a resin layer can be produced efficiently and easily, an extrusion molding method. Is particularly preferred.
  • the thickness of the resin layer is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 10 ⁇ m or more, particularly preferably 15 ⁇ m or more, preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 175 ⁇ m or less, and particularly preferably 150 ⁇ m or less.
  • the thickness of the resin layer is equal to or higher than the lower limit value of the range, the mechanical strength of the conductive film can be increased. Can be expensive.
  • the surface resistance value of the conductive layer is usually 1000 ⁇ / sq. Hereinafter, preferably 900 ⁇ / sq. Or less, more preferably 800 ⁇ / sq. It is as follows. Since the surface resistance value of the conductive layer is thus low, high conductivity can be obtained.
  • the lower limit of the surface resistance value of the conductive layer is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ / sq. Or more, more preferably 2.5 ⁇ / sq. Above, particularly preferably 5 ⁇ / sq. That's it.
  • the conductive layer as described above is usually formed as a layer containing a conductive material (hereinafter sometimes referred to as “conductive material” as appropriate).
  • a conductive material include metals, conductive metal oxides, conductive nanowires, and conductive polymers.
  • a conductive material may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the conductive layer preferably contains at least one type of conductive material selected from the group consisting of metals, conductive nanowires, and conductive polymers.
  • metals examples include gold, platinum, silver, and copper. Of these, silver, copper and gold are preferable, and silver is more preferable. These metals may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • a transparent conductive layer can be obtained by forming the conductive layer in a thin line shape.
  • a transparent conductive layer can be obtained by forming a conductive layer as a metal mesh layer formed in a lattice shape.
  • the conductive layer containing metal can be formed, for example, by applying a composition for forming a conductive layer containing metal particles. At this time, a conductive layer as a metal mesh layer can be obtained by printing the conductive layer forming composition in a predetermined lattice pattern. Furthermore, for example, a conductive layer can be formed as a metal mesh layer by applying a composition for forming a conductive layer containing silver salt and forming fine metal wires in a predetermined lattice pattern by exposure and development. JP-A-2012-18634 and JP-A-2003-331654 may be referred to for details of such a conductive layer and a method for forming the conductive layer.
  • the conductive metal oxide examples include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO (zinc oxide), IWO (indium tungsten oxide), ITiO (indium titanium oxide), and AZO (aluminum zinc oxide). , GZO (gallium zinc oxide), XZO (zinc-based special oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), and the like.
  • ITO is particularly preferable from the viewpoints of light transmittance and durability.
  • a conductive metal oxide may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the conductive layer containing a conductive metal oxide is, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an ion beam assisted vapor deposition method, an arc discharge plasma vapor deposition method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, a plating method, and these It can be formed by a film forming method such as a combination.
  • the vapor deposition method and the sputtering method are preferable, and the sputtering method is particularly preferable.
  • the sputtering method since a conductive layer having a uniform thickness can be formed, it is possible to suppress the generation of locally thin portions in the conductive layer.
  • the conductive nanowire is a conductive substance having a needle-like or thread-like shape and a diameter of nanometer.
  • the conductive nanowire may be linear or curved.
  • Such a conductive nanowire can form a good electrical conduction path even with a small amount of conductive nanowires by forming gaps between the conductive nanowires and forming a mesh. A small conductive layer can be realized.
  • the conductive wire since the conductive wire has a mesh shape, an opening is formed in the mesh space, so that a conductive layer having high light transmittance can be obtained.
  • the ratio between the thickness d and the length L of the conductive nanowire is preferably 10 to 100,000, more preferably 50 to 100,000, and particularly preferably 100 to 100,000. 10,000.
  • the conductive nanowires having a large aspect ratio are used in this way, the conductive nanowires can cross well and high conductivity can be expressed by a small amount of conductive nanowires. As a result, a conductive film excellent in transparency can be obtained.
  • the thickness of the conductive nanowire means the diameter when the cross section of the conductive nanowire is circular, the short diameter when the cross section of the conductive nanowire is circular, and the polygonal shape Means the longest diagonal.
  • the thickness and length of the conductive nanowire can be measured by a scanning electron microscope or a transmission electron microscope.
  • the thickness of the conductive nanowire is preferably less than 500 nm, more preferably less than 200 nm, still more preferably 10 nm to 100 nm, and particularly preferably 10 nm to 50 nm. Thereby, the transparency of a conductive layer can be improved.
  • the length of the conductive nanowire is preferably 2.5 ⁇ m to 1000 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 500 ⁇ m, and particularly preferably 20 ⁇ m to 100 ⁇ m. Thereby, the electroconductivity of a conductive layer can be improved.
  • Examples of conductive nanowires include metal nanowires made of metal, conductive nanowires containing carbon nanotubes, and the like.
  • the metal contained in the metal nanowire is preferably a highly conductive metal.
  • suitable metals include gold, platinum, silver and copper, with silver, copper and gold being preferred, and silver being more preferred.
  • a material obtained by performing a plating process for example, a gold plating process
  • the said material may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • any appropriate method can be adopted as a method for producing the metal nanowire.
  • a method of reducing silver nitrate in a solution a method in which an applied voltage or current is applied to the precursor surface from the tip of the probe, a metal nanowire is drawn at the probe tip, and the metal nanowire is continuously formed;
  • silver nanowires can be synthesized by liquid phase reduction of a silver salt such as silver nitrate in the presence of a polyol such as ethylene glycol and polyvinylpyrrolidone.
  • Uniform sized silver nanowires are, for example, Xia, Y. et al. etal. , Chem. Mater. (2002), 14, 4736-4745, Xia, Y. et al. etal. , Nano letters (2003) 3 (7), 955-960, mass production is possible.
  • the carbon nanotubes for example, so-called multi-walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes having a diameter of about 0.3 nm to 100 nm and a length of about 0.1 ⁇ m to 20 ⁇ m are used. Among these, single-walled or double-walled carbon nanotubes having a diameter of 10 nm or less and a length of 1 ⁇ m to 10 ⁇ m are preferable from the viewpoint of high conductivity.
  • the aggregate of carbon nanotubes preferably does not contain impurities such as amorphous carbon and catalytic metal. Any appropriate method can be adopted as a method for producing the carbon nanotube.
  • carbon nanotubes produced by an arc discharge method are used. Carbon nanotubes produced by the arc discharge method are preferred because of their excellent crystallinity.
  • the conductive layer containing conductive nanowires can be produced by coating and drying a conductive nanowire dispersion obtained by dispersing conductive nanowires in a solvent.
  • Examples of the solvent contained in the conductive nanowire dispersion liquid include water, alcohol solvents, ketone solvents, ether solvents, hydrocarbon solvents, aromatic solvents, etc. It is preferable to use water. Moreover, a solvent may be used individually by 1 type and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the concentration of the conductive nanowire in the conductive nanowire dispersion is preferably 0.1% by weight to 1% by weight. Thereby, the conductive layer excellent in electroconductivity and transparency can be formed.
  • the conductive nanowire dispersion liquid may contain any component in combination with the conductive nanowire and the solvent.
  • the optional component include a corrosion inhibitor that suppresses corrosion of the conductive nanowire, a surfactant that suppresses aggregation of the conductive nanowire, and a binder polymer for holding the conductive nanowire in the conductive layer.
  • arbitrary components may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • Examples of the coating method of the conductive nanowire dispersion include spray coating, bar coating, roll coating, die coating, inkjet coating, screen coating, dip coating, slot die coating, letterpress printing, and intaglio. Examples thereof include a printing method and a gravure printing method. Any appropriate drying method (for example, natural drying, air drying, heat drying) can be adopted as the drying method. For example, in the case of heat drying, the drying temperature may be 100 ° C. to 200 ° C., and the drying time may be 1 minute to 10 minutes.
  • the proportion of conductive nanowires in the conductive layer is preferably 80% to 100% by weight, more preferably 85% to 99% by weight, based on the total weight of the conductive layer.
  • Examples of conductive polymers include polythiophene polymers, polyacetylene polymers, polyparaphenylene polymers, polyaniline polymers, polyparaphenylene vinylene polymers, polypyrrole polymers, polyphenylene polymers, and polyester polymers modified with acrylic polymers. Examples thereof include polymers. Among these, polythiophene polymers, polyacetylene polymers, polyparaphenylene polymers, polyaniline polymers, polyparaphenylene vinylene polymers, and polypyrrole polymers are preferable.
  • a polythiophene polymer is particularly preferable.
  • a polythiophene polymer By using a polythiophene polymer, a conductive layer having excellent transparency and chemical stability can be obtained.
  • Specific examples of the polythiophene-based polymer include: polythiophene; poly (3-C 1-8 alkyl-thiophene) such as poly (3-hexylthiophene); poly (3,4-ethylenedioxythiophene), poly (3,4 -Propylenedioxythiophene), poly [3,4- (1,2-cyclohexylene) dioxythiophene] and other poly (3,4- (cyclo) alkylenedioxythiophene); polythienylene vinylene and the like .
  • C 1-8 alkyl refers to an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the said conductive polymer may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the conductive polymer is preferably polymerized in the presence of an anionic polymer.
  • the polythiophene polymer is preferably oxidatively polymerized in the presence of an anionic polymer.
  • an anionic polymer the polymer which has a carboxyl group, a sulfonic acid group, or its salt is mentioned.
  • an anionic polymer having a sulfonic acid group such as polystyrene sulfonic acid is used.
  • the conductive layer containing a conductive polymer can be formed, for example, by applying a conductive layer forming composition containing a conductive polymer and drying.
  • JP, 2011-175601, A can be referred to for a conductive layer containing a conductive polymer.
  • the conductive layer may be formed on one side of the resin layer, or may be formed on both sides.
  • the conductive layer may be formed on the entire surface of the resin layer, or may be formed on a part of the surface of the resin layer.
  • the conductive layer may be formed in a predetermined pattern on a part of the surface of the resin layer.
  • the shape of the pattern of the conductive layer can be set according to the use of the conductive film. For example, when a conductive film is used as a circuit board, the planar shape of the conductive layer may be formed in a pattern corresponding to the circuit wiring shape.
  • the planar shape of the conductive layer is preferably a pattern that operates well as a touch panel (for example, a capacitive touch panel). Examples include patterns described in Table 2011-511357, JP-A 2010-164938, JP-A 2008-310550, JP-T 2003-511799, and JP-T 2010-541109.
  • the conductive layer usually has high transparency. Therefore, visible light can normally pass through this conductive layer.
  • the specific transparency of the conductive layer can be adjusted according to the use of the conductive film.
  • the specific total light transmittance of the conductive layer is preferably 80% or more, more preferably 90% or more, and further preferably 95% or more.
  • each conductive layer is preferably 0.01 ⁇ m to 10 ⁇ m, more preferably 0.05 ⁇ m to 3 ⁇ m, and particularly preferably 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • the thicknesses of the conductive layers may be the same or different.
  • the thickness of the conductive layer is preferably the same from the viewpoint of suppressing deformation of the conductive film such as wrinkles and curls.
  • the conductive film can include any layer as required.
  • the support body layer which has a storage elastic modulus higher than a resin layer is mentioned, for example.
  • the specific storage elastic modulus of the support layer at 25 ° C. is preferably 1000 MPa or more, more preferably 1500 MPa or more, particularly preferably 2000 MPa or more, preferably 5000 MPa or less, more preferably 4500 MPa or less, particularly preferably 4000 MPa or less. It is. By including the support layer having such a large storage elastic modulus, it is possible to improve the processing, transportation, and handling at the time of mounting of the conductive film.
  • the support layer include a layer made of a resin having a high storage elastic modulus.
  • the resin contained in the support layer may contain a polymer and optional components as necessary.
  • the polymer include polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; polyarylene sulfides such as polyphenylene sulfide; polyvinyl alcohol; polycarbonate; polyarylate; cellulose ester polymer, polyethersulfone; Polyarylsulfone; polyvinyl chloride; alicyclic structure-containing polymer such as norbornene polymer; rod-like liquid crystal polymer.
  • polymers may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios.
  • the polymer may be a homopolymer or a copolymer.
  • alicyclic structure-containing polymers are preferred because they are excellent in mechanical properties, heat resistance, transparency, low hygroscopicity, dimensional stability and lightness.
  • the thickness of the support layer is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 13 ⁇ m or more, particularly preferably 15 ⁇ m or more, preferably 60 ⁇ m or less, more preferably 58 ⁇ m or less, and particularly preferably 55 ⁇ m or less.
  • the thickness of the support layer is not less than the lower limit value of the range, the handleability of the conductive film can be improved, and when the thickness is not more than the upper limit value of the range, the conductive film can be thinned.
  • examples of the optional layer include a hard coat layer, an index matching layer, an adhesive layer, a retardation layer, a polarizer layer, and an optical compensation layer.
  • the conductive film is excellent in bending resistance. Therefore, even when the conductive film is bent, the conductivity of the conductive layer is unlikely to decrease. Further, even when the conductive film is bent, it is difficult to cause changes in appearance such as whitening.
  • the mechanism for obtaining such excellent bending resistance is assumed as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited to the mechanism described below.
  • the resin layer provided in the conductive film of the present invention has an appropriate range of storage elastic modulus, it has excellent flexibility. Therefore, when the conductive film is bent, it can be easily deformed to absorb the stress caused by bending. Therefore, it is difficult for the conductive layer to be broken by the stress generated by bending. For this reason, even if a conductive film is bent, the surface resistance value of the conductive layer is unlikely to increase, and therefore a decrease in conductivity can be suppressed. Further, since the resin layer has a storage elastic modulus in an appropriate range, when the conductive film is bent, the resin layer is hardly broken and the resin layer and the conductive layer are hardly peeled off.
  • the generation of minute voids due to the above-described destruction or peeling is unlikely to occur, so that the haze is hardly increased at the bent portion, and therefore, changes in appearance such as whitening are suppressed.
  • the resin layer has excellent elasticity, the original shape can be easily recovered even if it is bent, so that it is difficult to form a folding mark.
  • the conductive film includes a resin layer as a layer for supporting the conductive layer, it is usually superior in impact resistance and workability as compared with the conductive glass. Furthermore, the conductive film is usually lighter than the conductive glass.
  • the total light transmittance of the conductive film is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more.
  • the haze of the conductive film is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, particularly preferably 1% or less, and ideally 0%.
  • the thickness of the conductive film is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 7.5 ⁇ m or more, particularly preferably 10 ⁇ m or more, preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 175 ⁇ m or less, and particularly preferably 150 ⁇ m or less.
  • the thickness of the conductive film is equal to or higher than the lower limit value of the range, the mechanical strength of the conductive film can be increased, and when the thickness is equal to or lower than the upper limit value of the range, the conductive film is thinned. Is possible.
  • An electroconductive film can be manufactured by the manufacturing method including the process of manufacturing a resin layer, and the process of providing a conductive layer on the said resin layer, for example.
  • the conductive layer may be formed on the resin layer using the material of the conductive layer. However, the conductive layer is formed on an appropriate base material, and the formed conductive layer is bonded to the resin layer to form a resin.
  • a conductive layer may be provided over the layer. For example, when a conductive layer is formed by a sputtering method using a conductive metal oxide, the resin layer may be damaged depending on film formation conditions during sputtering.
  • a conductive film can be obtained while avoiding damage to the resin layer. Can do.
  • the layer configuration can be arbitrarily set within the range including the resin layer and the conductive layer.
  • an example of a suitable layer structure of the conductive film will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film 10 as a first embodiment of the present invention.
  • the conductive film 10 according to the first embodiment is a film having a two-layer structure including only a resin layer 110 and a conductive layer 120. Since this conductive film 10 has the conductive layer 120 with a small surface resistance value, it is excellent in conductivity. Moreover, since the conductive film 10 has the resin layer 110 having a storage elastic modulus in an appropriate range, the conductive film 10 is excellent in bending resistance. Therefore, even if it is bent, it is difficult to cause a decrease in conductivity and a change in appearance.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film 20 as a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is sectional drawing which shows typically the electroconductive film 30 as 3rd embodiment of this invention.
  • the conductive films 20 and 30 according to the second and third embodiments may include a support layer 130 in combination with the resin layer 110 and the conductive layer 120.
  • the order of each layer is arbitrary, and the resin layer 110, the conductive layer 120, and the support layer 130 may be provided in this order like the conductive film 20 shown in FIG.
  • the support layer 130, the resin layer 110, and the conductive layer 120 may be provided in this order.
  • the electroconductive films 20 and 30 provided with the support body layer 130 can improve handling property further.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a conductive film 40 as a fourth embodiment of the present invention.
  • the number of layers included in the conductive film is arbitrary.
  • the support layer 130, the conductive layer 120, the resin layer 110, the conductive layer 140, and the support The layer 150 may be provided in this order.
  • the materials, shapes, and thicknesses of the conductive layers 120 and 140 may be the same or different.
  • the pattern shape of one conductive layer 120 may be different from the pattern shape of the other conductive layer 140.
  • the material, shape, and thickness of the support layers 130 and 150 may be the same or different.
  • Electrode for light emitting elements such as an organic EL element
  • NC-10 non-contact resistance measuring instrument
  • Rate of increase in surface resistance [%] ⁇ (R i ⁇ R 0 ) / R 0 ⁇ ⁇ 100 (X)
  • the increase rate of the surface resistance value thus obtained was evaluated according to the following criteria. Here, it shows that a transparent conductive film is excellent in bending resistance, so that the raise rate of the surface resistance value by a folding test is small.
  • B The increase rate of the surface resistance value before and after the flexibility test shows a value of 5% or more and less than 10%.
  • C The increase rate of the surface resistance value before and after the flexibility test shows a value of 10% or more.
  • the triblock copolymer hydride (ia1) (100 parts) was combined with 1.8 parts of vinyltrimethoxysilane to form a triblock. Pellets of the alkoxysilyl modified product (ia1-s) of copolymer hydride were produced.
  • the resin layer (1) was produced.
  • the alkoxysilyl-modified product (ia1-s) was supplied to a twin screw extruder. Hydrogenated polybutene was continuously fed from the side feeder so that the proportion of hydrogenated polybutene (“Pearl Ream (registered trademark) 24” manufactured by NOF Corporation) was 15 parts per 100 parts of this alkoxysilyl-modified product (ia1-s).
  • the molten resin containing the alkoxysilyl modified product (ia1-s) and hydrogenated polybutene was obtained. And this molten resin was extruded on the cast roll from T-die, and it shape
  • This extrusion was performed under molding conditions of a molten resin temperature of 180 ° C, a T die temperature of 180 ° C, and a cast roll temperature of 40 ° C.
  • the extruded molten resin was cooled by a cast roll to obtain a resin layer (1) having a thickness of 50 ⁇ m.
  • a PET film (thickness 50 ⁇ m) for release was supplied to one surface of the resin layer (1) extruded onto the cast roll, and the resin layer (1) and the PET film were overlapped and wound up into a roll shape and collected. . Thereby, the roll of the multilayer film provided with the resin layer (1) and PET film was obtained.
  • the multilayer film was pulled out from the roll, and the PET film was peeled off to obtain a resin layer (1).
  • the storage elastic modulus of the resin layer (1) was measured at 25 ° C., it was 143 MPa. Moreover, it was 437 Mpa when the bending elastic modulus of the resin layer (1) was measured in 25 degreeC.
  • Triblock copolymer hydride (ia2) was supplied to a twin screw extruder and melted to obtain a molten resin. And this molten resin was extruded on the cast roll from T-die, and it shape
  • a release PET film (thickness 50 ⁇ m) was supplied to one side of the resin layer (2) extruded onto the cast roll, and the resin layer (2) and the PET film were overlapped and wound on a roll to be collected. Thereby, the roll of the multilayer film provided with the resin layer (2) and PET film was obtained.
  • the multilayer film was pulled out from the base roll, and the PET film was peeled off to obtain a resin layer (2).
  • the storage elastic modulus of the resin layer (2) was measured at 25 ° C., it was 111 MPa. Moreover, it was 760 MPa when the bending elastic modulus of the resin layer (2) was measured at 25 degreeC.
  • Triblock copolymer hydride (ia3) was supplied to a twin screw extruder and melted to obtain a molten resin. And this molten resin was extruded on the cast roll from T-die, and it shape
  • a PET film for release (thickness 50 ⁇ m) was supplied to one side of the resin layer (3) extruded onto the cast roll, and the resin layer (3) and the PET film were overlapped and wound on a roll and collected. Thereby, the roll of the multilayer film provided with the resin layer (3) and PET film was obtained.
  • the multilayer film was pulled out from the roll and the PET film was peeled off to obtain a resin layer (3).
  • the storage elastic modulus of the resin layer (3) was measured at 25 ° C., it was 800 MPa. Moreover, it was 1260 MPa when the bending elastic modulus of the resin layer (3) was measured in 25 degreeC.
  • Example 1 Example using conductive polymer
  • a coating composition was applied onto the resin layer (1) produced in Production Example 1 using a bar coater (manufactured by Yasuda Seiki Seisakusho), and heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 minute using a dryer. Thereby, the 1-micrometer-thick conductive layer was formed on the resin layer (1), and the transparent conductive film (a) was obtained. When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (a) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (a) was evaluated by the method described above.
  • Example 2 Example using silver nanowires
  • a dispersion containing silver nanowires (“Clear Ohm” manufactured by Cambrios Technologies Corporation) was prepared.
  • the dispersion was applied using a bar coater and dried at 80 ° C. Thereby, the 1-micrometer-thick conductive layer was formed on the resin layer (1), and the transparent conductive film (b) was obtained.
  • the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (b) was measured, it was 750 ⁇ / sq. Met.
  • This transparent conductive film (b) was evaluated by the method described above.
  • Example 3 Example using CNT
  • Carbon nanotubes were produced by the super-growth method according to the description of WO 2006/011655.
  • this carbon nanotube is sometimes referred to as “SGCNT” as appropriate.
  • the obtained SGCNT has a BET specific surface area of 804 m 2 / g by nitrogen adsorption, a BET specific surface area of 2.4 m 2 / g by water vapor adsorption, a mass density of 0.03 g / cm 3 , and a micropore volume of 0.44 mL / g. g.
  • the average diameter (Av) was 3.3 nm, and the sample standard deviation ( ⁇ ) of the diameter was multiplied by 3 (3 ⁇ ).
  • the sample standard deviation of the diameter was multiplied by 3 (3 ⁇ ).
  • 3 ⁇ / Av was 0.58
  • the average length was 500 ⁇ m.
  • the obtained SGCNT mainly contained single-walled carbon nanotubes (single-walled CNT).
  • the CNT dispersion was applied using a bar coater and dried. Thereby, the 1.5-micrometer-thick conductive layer was formed on the resin layer (1), and the transparent conductive film (c) was obtained.
  • the surface resistance value of the conductive layer of the transparent conductive film (c) obtained was measured, it was 1000 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (c) was evaluated by the method described above.
  • Example 4. Example using silver particles A silver ink (“Silver Nanoparticle Ink” manufactured by Sigma-Aldrich Japan) was prepared as a conductive layer forming composition containing silver nanoparticles as metal particles. The silver ink was applied onto the resin layer (1) produced in Production Example 1 using a bar coater and dried at 120 ° C. for 60 seconds. As a result, a conductive layer having a thickness of 0.7 ⁇ m was formed on the resin layer (1) to obtain a transparent conductive film (d). When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (d) was measured, 300 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (d) was evaluated by the method described above.
  • Example 5 Example using conductive metal oxide
  • a cycloolefin polymer film having a thickness of 50 ⁇ m (“ZEONOR FILM ZF16-50” manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., hereinafter sometimes referred to as “COP film”) was prepared as a substrate.
  • Sputtering was performed using a film winding type magnetron sputtering apparatus to form an ITO layer as a conductive layer on the COP film, thereby obtaining a multilayer film including the COP film and the ITO layer.
  • the sputtering is performed by firing tin oxide and indium oxide as targets, an argon (Ar) flow rate of 150 sccm, an oxygen (O 2 ) flow rate of 10 sccm, an output of 4.0 kW, a degree of vacuum of 0.3 Pa, and a film conveyance speed of 0. It carried out on condition of 0.5 m / min.
  • Ar argon
  • O 2 oxygen
  • sccm is a unit of gas flow rate, and indicates the amount of gas flowing per minute as a volume (cm 3 ) when the gas is 25 ° C. and 1 atm.
  • the surface of the obtained multilayer film on the ITO layer side and the resin layer (1) produced in Production Example 1 were bonded together by a thermal laminating method (temperature 100 ° C., conveyance speed 1 m / min, pressure 0.4 MPa). . Thereafter, the COP film was peeled off to obtain a transparent conductive film (e) having a resin layer (1) and an ITO layer having a thickness of 30 nm. When the surface resistance value of the ITO layer of the transparent conductive film (e) obtained was measured, it was 150 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (e) was evaluated by the method described above.
  • Example 6 A transparent conductive film (f) was produced in the same manner as in Example 1 except that the resin layer (2) produced in Production Example 2 was used instead of the resin layer (1). When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (f) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (f) was evaluated by the method described above.
  • Example 7 A transparent conductive film (g) was produced in the same manner as in Example 5 except that the resin layer (3) produced in Production Example 3 was used instead of the resin layer (1).
  • the surface resistance value of the conductive layer of the transparent conductive film (g) obtained was measured, it was 150 ⁇ / sq. Met.
  • This transparent conductive film (g) was evaluated by the method described above.
  • the haze of the obtained transparent conductive film (g) was measured based on JIS K 7136 using a haze meter (“NDH-4000” manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.). It was.
  • Example 1 The same operation as in Example 1 was performed except that a polyethylene terephthalate film (“U-34” manufactured by Toray Industries Inc., thickness 50 ⁇ m, storage elastic modulus 4000 MPa at 25 ° C.) was used instead of the resin layer (1).
  • a transparent conductive film (g) was produced. When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (g) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (g) was evaluated by the method described above.
  • Example 2 The same operation as in Example 1 was performed except that a polyethylene naphthalate film (“Q65HA” manufactured by Teijin DuPont, thickness 50 ⁇ m, storage elastic modulus 5000 MPa at 25 ° C.) was used instead of the resin layer (1).
  • a transparent conductive film (h) was produced. When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (h) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (h) was evaluated by the method described above.
  • Example 3 The same operation as in Example 1 was performed except that a polycarbonate film (“Pure Ace” manufactured by Teijin DuPont, thickness 50 ⁇ m, storage elastic modulus 1300 MPa at 25 ° C.) was used instead of the resin layer (1), and A conductive film (i) was obtained. When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (i) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (i) was evaluated by the method described above.
  • a polycarbonate film (“Pure Ace” manufactured by Teijin DuPont, thickness 50 ⁇ m, storage elastic modulus 1300 MPa at 25 ° C.) was used instead of the resin layer (1), and A conductive film (i) was obtained.
  • the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (i) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (i) was evaluated by the method described above.
  • Adhesive film comprising a release substrate and a layer of pressure-sensitive adhesive (“CS9621” manufactured by Nitto Denko Corporation) provided on the release substrate (manufactured by Nitto Denko Corporation, thickness of adhesive layer 20 ⁇ m, The storage elastic modulus at 25 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer was 1 Mpa, and the thickness of the release substrate was 50 ⁇ m.
  • the coating composition produced in Example 1 was applied using a bar coater (manufactured by Yasuda Seiki Seisakusho) and heat-treated at 100 ° C. for 1 minute using a dryer. Was given.
  • a conductive layer was formed on the pressure-sensitive adhesive layer. Then, the peeling base material was peeled and the transparent conductive film (j) provided with the layer of an adhesive and a conductive layer was obtained. When the surface resistance value of the conductive layer of the obtained transparent conductive film (j) was measured, it was 450 ⁇ / sq. Met. This transparent conductive film (j) was evaluated by the method described above.
  • PET Polyethylene terephthalate film.
  • PEN Polyethylene naphthalate film.
  • PC Polycarbonate film.
  • PSA layer of pressure sensitive adhesive.
  • Storage elastic modulus Storage elastic modulus of the resin layer at 25 ° C.
  • Flexural modulus The flexural modulus of the resin layer at 25 ° C.
  • CNT Carbon nanotube
  • the obtained resin solution was applied onto a 50 ⁇ m-thick release PET film (“MRV38” manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.) using a slit coater, dried at 120 ° C. for 3 minutes, and then on the release PET film. A resin layer A having a thickness of 20 ⁇ m was formed. Thereafter, the release PET film was peeled off to obtain a resin layer A having a thickness of 20 ⁇ m as a single film.
  • MMV38 manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.
  • Conductive film 110 Resin layer 120 and 140 Conductive layer 130 and 150 Support layer

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Abstract

樹脂層と導電層とを含み、25℃における前記樹脂層の貯蔵弾性率が、10MPaより大きく、且つ、1000MPa未満であり、前記導電層の表面抵抗値が、1000Ω/sq.以下である、導電性フィルム。

Description

導電性フィルム
 本発明は、導電性フィルムに関する。
 従来、透明導電性部材として、ガラス板上に酸化インジウム薄膜を形成した導電性ガラスが知られている。しかし、導電性ガラスは、基材がガラスであるために、可撓性及び加工性に劣り、用途によっては適用が困難である。そこで、可撓性及び加工性に優れる透明導電性部材として、樹脂を利用した導電性フィルムの提案がなされている(特許文献1及び2参照)。
 また、特許文献3のような技術は、知られている。
特公昭61-026649号公報 特開2014-168886号公報 国際公開第2015/178370号
 近年、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、適宜「有機EL素子」ということがある。)を備えるディスプレイデバイスの検討が進められている。このような有機EL素子を備えたディスプレイデバイスは、フォルダブル、ローラブルといった新たな性能の実現が望まれている。そこで、このような性能の実現のため、高い導電性を有しながら、耐屈曲性に優れた導電性フィルムの開発が求められている。
 導電性フィルムとして、特許文献1には、スチレン-ジエン系ブロック共重合体とチオフェン系共重合体とからなる導電性フィルムが提案されている。しかし、特許文献1記載の導電性フィルムは、導電性に乏しい。
 また、導電性フィルムとして、特許文献2には、透明樹脂フィルムと、この透明樹脂フィルム上に形成された導電層とを含む透明導電性フィルムが提案されている。しかし、特許文献2記載の透明導電性フィルムは、耐屈曲性に乏しい。
 さらに、特許文献3には、所定のブロック共重合体水素化物からなる光学用フィルムが記載されている。また、特許文献3には、この光学用フィルムの用途として、透明導電フィルムが記載されている。しかし、特許文献3には、その透明導電フィルムの具体的な構造は、記載されていない。
 本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、導電性及び耐屈曲性の両方に優れる導電性フィルムを提供することを目的とする。
 本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、25℃において所定の貯蔵弾性率を有する樹脂層と、所定の表面抵抗値を有する導電層とを組み合わせることにより、導電性及び耐屈曲性の両方に優れる導電性フィルムを実現できることを見い出し、本発明を完成させた。
 すなわち、本発明は、以下のものを含む。
 〔1〕 樹脂層と導電層とを含み、
 25℃における前記樹脂層の貯蔵弾性率が、10MPaより大きく、且つ、1000MPa未満であり、
 前記導電層の表面抵抗値が、1000Ω/sq.以下である、導電性フィルム。
 〔2〕 25℃における前記樹脂層の曲げ弾性率が、500MPa以下である、〔1〕記載の導電性フィルム。
 〔3〕 前記樹脂層が、ブロック共重合体水素化物のアルコキシシリル基変性物[3]を含み、
 前記アルコキシシリル基変性物[3]が、ブロック共重合体[1]の主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合及び芳香環の炭素-炭素不飽和結合を水素化した水素化物[2]のアルコキシシリル基変性物であり、
 前記ブロック共重合体[1]は、芳香族ビニル化合物単位を含有する、前記ブロック共重合体[1]1分子あたり2個以上の重合体ブロック[A]と、鎖状共役ジエン化合物単位を含有する、前記ブロック共重合体[1]1分子あたり1個以上の重合体ブロック[B]とを有し、
 前記ブロック共重合体[1]の全体に占める前記重合体ブロック[A]の重量分率wAと、前記ブロック共重合体[1]の全体に占める前記重合体ブロック[B]の重量分率wBとの比(wA/wB)が、20/80~60/40である、〔1〕又は〔2〕記載の導電性フィルム。
 〔4〕 前記導電層が、金属、導電性ナノワイヤ及び導電性ポリマーからなる群より選ばれる少なくとも1種類の導電材料を含む、〔1〕~〔3〕のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
 本発明によれば、導電性及び耐屈曲性の両方に優れる導電性フィルムを提供できる。
図1は、本発明の第一実施形態としての導電性フィルムを模式的に示す断面図である。 図2は、本発明の第二実施形態としての導電性フィルムを模式的に示す断面図である。 図3は、本発明の第三実施形態としての導電性フィルムを模式的に示す断面図である。 図4は、本発明の第四実施形態としての導電性フィルムを模式的に示す断面図である。
 以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
[1.導電性フィルムの概要]
 本発明の導電性フィルムは、樹脂層及び導電層を含む。また、本発明の導電性フィルムは、必要に応じて、任意の層を含んでいてもよい。ただし、通常、導電層と樹脂層との間には任意の層は設けられず、導電層と樹脂層とは直接に接している。
[2.樹脂層]
 〔2.1.25℃における樹脂層の貯蔵弾性率〕
 樹脂層は、樹脂からなる層であって、25℃において所定範囲の貯蔵弾性率を有する。25℃における樹脂層の具体的な貯蔵弾性率は、通常10MPaより大きく、好ましくは15MPaより大きく、より好ましくは30MPaより大きく、且つ、通常1000MPa未満、好ましくは950MPa未満、より好ましくは900MPa未満である。
 25℃における樹脂層の貯蔵弾性率が前記の範囲に収まっていることにより、導電性フィルムの耐屈曲性を効果的に高めることができる。ここで、導電性フィルムの耐屈曲性とは、当該導電性フィルムを曲げても、導電層の導電性が低下し難く、且つ、白化等の外観変化を生じ難い性質を意味する。具体的には、25℃における樹脂層の貯蔵弾性率が、前記範囲の下限値より大きいことにより、導電性フィルムを折り曲げた場合の外観変化を生じ難くできる。また、25℃における樹脂層の貯蔵弾性率が、前記範囲の上限値未満であることにより、導電性フィルムを折り曲げた場合の導電層の導電性の低下を抑制できる。
 樹脂層の貯蔵弾性率は、動的粘弾性装置を用いて、周波数1Hzの条件で測定しうる。
 〔2.2.樹脂層に含まれる樹脂〕
 樹脂層が含む樹脂としては、通常、重合体を含み、更に必要に応じて任意の成分を含む樹脂を用いる。このような重合体としては、特定のアルコキシシリル基変性物[3]を用いることが好ましい。このアルコキシシリル基変性物[3]は、特定のブロック共重合体[1]の不飽和結合を水素化した水素化物[2]のアルコキシシリル基変性物である。
 (2.2.1.ブロック共重合体[1])
 ブロック共重合体[1]は、ブロック共重合体[1]1分子あたり2個以上の重合体ブロック[A]と、ブロック共重合体[1]1分子あたり1個以上の重合体ブロック[B]とを有するブロック共重合体である。
 重合体ブロック[A]は、芳香族ビニル化合物単位を含有する重合体ブロックである。ここで、芳香族ビニル化合物単位とは、芳香族ビニル化合物を重合して形成される構造を有する構造単位のことをいう。
 重合体ブロック[A]が有する芳香族ビニル化合物単位に対応する芳香族ビニル化合物としては、例えば、スチレン;α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,4-ジイソプロピルスチレン、4-t-ブチルスチレン、5-t-ブチル-2-メチルスチレン等の、置換基として炭素数1~6のアルキル基を有するスチレン類;4-クロロスチレン、ジクロロスチレン、4-モノフルオロスチレン等の、置換基としてハロゲン原子を有するスチレン類;4-メトキシスチレン等の、置換基として炭素数1~6のアルコキシ基を有するスチレン類;4-フェニルスチレン等の、置換基としてアリール基を有するスチレン類;1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン等のビニルナフタレン類;等が挙げられる。これらは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、吸湿性を低くできることから、スチレン、置換基として炭素数1~6のアルキル基を有するスチレン類等の、極性基を含有しない芳香族ビニル化合物が好ましく、工業的入手のし易さから、スチレンが特に好ましい。
 重合体ブロック[A]における芳香族ビニル化合物単位の含有率は、好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上、特に好ましくは99重量%以上である。重合体ブロック[A]において芳香族ビニル化合物単位の量が前記のように多いことにより、樹脂層の硬さ及び耐熱性を高めることができる。
 重合体ブロック[A]は、芳香族ビニル化合物単位以外に、任意の構造単位を含んでいてもよい。重合体ブロック[A]は、任意の構造単位を、1種類で単独でも含んでいてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて含んでいてもよい。
 重合体ブロック[A]が含みうる任意の構造単位としては、例えば、鎖状共役ジエン化合物単位が挙げられる。ここで、鎖状共役ジエン化合物単位とは、鎖状共役ジエン化合物を重合して形成される構造を有する構造単位のことをいう。鎖状共役ジエン化合物単位に対応する鎖状共役ジエン化合物としては、例えば、重合体ブロック[B]が有する鎖状共役ジエン化合物単位に対応する鎖状共役ジエン化合物の例として挙げるものと同じ例が挙げられる。
 また、重合体ブロック[A]が含みうる任意の構造単位としては、例えば、芳香族ビニル化合物及び鎖状共役ジエン化合物以外の任意の不飽和化合物を重合して形成される構造を有する構造単位が挙げられる。任意の不飽和化合物としては、例えば、鎖状ビニル化合物、環状ビニル化合物等のビニル化合物;不飽和の環状酸無水物;不飽和イミド化合物;等が挙げられる。これらの化合物は、ニトリル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシカルボニル基、又はハロゲン基等の置換基を有していてもよい。これらの中でも、吸湿性の観点から、エチレン、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-ヘプテン、1-オクテン、1-ノネン、1-デセン、1-ドデセン、1-エイコセン、4-メチル-1-ペンテン、4,6-ジメチル-1-ヘプテン等の1分子当たり炭素数2~20の鎖状オレフィン;ビニルシクロヘキサン等の1分子当たり炭素数5~20の環状オレフィン;等の、極性基を有しないビニル化合物が好ましく、1分子当たり炭素数2~20の鎖状オレフィンがより好ましく、エチレン、プロピレンが特に好ましい。
 重合体ブロック[A]における任意の構造単位の含有率は、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下、特に好ましくは1重量%以下である。
 ブロック共重合体[1]1分子における重合体ブロック[A]の数は、好ましくは2個以上であり、好ましくは5個以下、より好ましくは4個以下、特に好ましくは3個以下である。1分子中に複数個ある重合体ブロック[A]は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
 1分子のブロック共重合体[1]に、異なる重合体ブロック[A]が複数存在する場合、重合体ブロック[A]の中で、重量平均分子量が最大の重合体ブロックの重量平均分子量をMw(A1)とし、重量平均分子量が最小の重合体ブロックの重量平均分子量をMw(A2)とする。このとき、Mw(A1)とMw(A2)との比「Mw(A1)/Mw(A2)」は、好ましくは4.0以下、より好ましくは3.0以下、特に好ましくは2.0以下である。これにより、各種物性値のばらつきを小さく抑えることができる。
 重合体ブロック[B]は、鎖状共役ジエン化合物単位を含有する重合体ブロックである。前述のように、鎖状共役ジエン化合物単位とは、鎖状共役ジエン化合物を重合して形成される構造を有する構造単位のことをいう。
 この重合体ブロック[B]が有する鎖状共役ジエン化合物単位に対応する鎖状共役ジエン化合物としては、例えば、1,3-ブタジエン、イソプレン、2,3-ジメチル-1,3-ブタジエン、1,3-ペンタジエン等が挙げられる。これらは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、吸湿性を低くできることから、極性基を含有しない鎖状共役ジエン化合物が好ましく、1,3-ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。
 重合体ブロック[B]における鎖状共役ジエン化合物単位の含有率は、好ましくは70重量%以上、より好ましくは80重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。重合体ブロック[B]において鎖状共役ジエン化合物単位の量が前記のように多いことにより、樹脂層の可撓性を向上させることができる。
 重合体ブロック[B]は、鎖状共役ジエン化合物単位以外に、任意の構造単位を含んでいてもよい。重合体ブロック[B]は、任意の構造単位を、1種類で単独でも含んでいてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて含んでいてもよい。
 重合体ブロック[B]が含みうる任意の構造単位としては、例えば、芳香族ビニル化合物単位、並びに、芳香族ビニル化合物及び鎖状共役ジエン化合物以外の任意の不飽和化合物を重合して形成される構造を有する構造単位が挙げられる。これらの芳香族ビニル化合物単位、並びに、任意の不飽和化合物を重合して形成される構造を有する構造単位としては、例えば、重合体ブロック[A]に含まれていてもよいものとして例示したものと同じ例が挙げられる。
 重合体ブロック[B]における任意の構造単位の含有率は、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、特に好ましくは10重量%以下である。重合体ブロック[B]における任意の構造単位の含有率が低いことにより、樹脂層の可撓性を向上させることができる。
 ブロック共重合体[1]1分子における重合体ブロック[B]の数は、通常1個以上であるが、2個以上であってもよい。ブロック共重合体[1]における重合体ブロック[B]の数が2個以上である場合、それらの重合体ブロック[B]は、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。
 1分子のブロック共重合体[1]に、異なる重合体ブロック[B]が複数存在する場合、重合体ブロック[B]の中で、重量平均分子量が最大の重合体ブロックの重量平均分子量をMw(B1)とし、重量平均分子量が最小の重合体ブロックの重量平均分子量をMw(B2)とする。このとき、Mw(B1)とMw(B2)との比「Mw(B1)/Mw(B2)」は、好ましくは4.0以下、より好ましくは3.0以下、特に好ましくは2.0以下である。これにより、各種物性値のばらつきを小さく抑えることができる。
 ブロック共重合体[1]のブロックの形態は、鎖状型ブロックでもよく、ラジアル型ブロックでもよい。中でも、鎖状型ブロックが、機械的強度に優れ、好ましい。ブロック共重合体[1]が鎖状型ブロックの形態を有する場合、ブロック共重合体[1]の分子鎖の両端が重合体ブロック[A]であることが、樹脂層のベタツキを所望の低い値に抑えることができるので、好ましい。
 ブロック共重合体[1]の特に好ましいブロックの形態は、[A]-[B]-[A]で表されるように、重合体ブロック[B]の両端に重合体ブロック[A]が結合したトリブロック共重合体;[A]-[B]-[A]-[B]-[A]で表されるように、重合体ブロック[A]の両端に重合体ブロック[B]が結合し、更に該両重合体ブロック[B]の他端にそれぞれ重合体ブロック[A]が結合したペンタブロック共重合体;である。特に、[A]-[B]-[A]のトリブロック共重合体であることが、製造が容易であり且つ物性を所望の範囲に容易に収めることができるため、特に好ましい。
 ブロック共重合体[1]において、ブロック共重合体[1]の全体に占める重合体ブロック[A]の重量分率wAと、ブロック共重合体[1]の全体に占める重合体ブロック[B]の重量分率wBとの比(wA/wB)は、特定の範囲に収まる。具体的には、前記の比(wA/wB)は、通常20/80以上、好ましくは25/75以上、より好ましくは30/70以上、特に好ましくは40/60以上であり、通常60/40以下、好ましくは55/45以下である。前記の比wA/wBが前記範囲の下限値以上であることにより、樹脂層の硬さ及び耐熱性を向上させたり、複屈折を小さくしたりすることができる。また、前記の比wA/wBが前記範囲の上限値以下であることにより、樹脂層の可撓性を向上させることができる。ここで、重合体ブロック[A]の重量分率wAは、重合体ブロック[A]全体の重量分率を示し、重合体ブロック[B]の重量分率wBは、重合体ブロック[B]全体の重量分率を示す。
 前記のブロック共重合体[1]の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは40,000以上、より好ましくは50,000以上、特に好ましくは60,000以上であり、好ましくは200,000以下、より好ましくは150,000以下、特に好ましくは100,000以下である。
 また、ブロック共重合体[1]の分子量分布(Mw/Mn)は、好ましくは3以下、より好ましくは2以下、特に好ましくは1.5以下であり、好ましくは1.0以上である。ここで、Mnは、数平均分子量を表す。
 前記ブロック共重合体[1]の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフラン(THF)を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によって、ポリスチレン換算の値として測定しうる。
 ブロック共重合体[1]の製造方法としては、例えば、リビングアニオン重合等の方法により、芳香族ビニル化合物を含有するモノマー組成物(a)と鎖状共役ジエン化合物を含有するモノマー組成物(b)を交互に重合させる方法;芳香族ビニル化合物を含有するモノマー組成物(a)と鎖状共役ジエン化合物を含有するモノマー組成物(b)を順に重合させた後、重合体ブロック[B]の末端同士を、カップリング剤によりカップリングさせる方法;が挙げられる。
 モノマー組成物(a)中の芳香族ビニル化合物の含有量は、好ましくは90重量%以上、より好ましくは95重量%以上、特に好ましくは99重量%以上である。また、モノマー組成物(a)は、芳香族ビニル化合物以外の任意のモノマー成分を含有していてもよい。任意のモノマー成分としては、例えば、鎖状共役ジエン化合物、任意の不飽和化合物が挙げられる。任意のモノマー成分の量は、モノマー組成物(a)に対し、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下、特に好ましくは1重量%以下である。
 モノマー組成物(b)中の鎖状共役ジエン化合物の含有量は、好ましくは70重量%以上、より好ましくは80重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。また、モノマー組成物(b)は、鎖状共役ジエン化合物以外の任意のモノマー成分を含有していてもよい。任意のモノマー成分としては、芳香族ビニル化合物、任意の不飽和化合物が挙げられる。任意のモノマー成分の量は、モノマー組成物(b)に対して、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、特に好ましくは10重量%以下である。
 モノマー組成物を重合してそれぞれの重合体ブロックを得る方法としては、例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、配位アニオン重合、配位カチオン重合などを用いうる。重合操作及び後工程での水素化反応を容易にする観点では、ラジカル重合、アニオン重合及びカチオン重合などを、リビング重合により行う方法が好ましく、リビングアニオン重合により行う方法が特に好ましい。
 重合は、重合開始剤の存在下で行いうる。例えばリビングアニオン重合では、重合開始剤として、n-ブチルリチウム、sec-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、ヘキシルリチウム、フェニルリチウム等のモノ有機リチウム;ジリチオメタン、1,4-ジリチオブタン、1,4-ジリチオ-2-エチルシクロヘキサン等の多官能性有機リチウム化合物;などを用いうる。これらは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 重合温度は、好ましくは0℃以上、より好ましくは10℃以上、特に好ましくは20℃以上であり、好ましくは100℃以下、より好ましくは80℃以下、特に好ましくは70℃以下である。
 重合反応の形態は、例えば溶液重合及びスラリー重合などを用いうる。中でも、溶液重合を用いると、反応熱の除去が容易である。
 溶液重合を行う場合、溶媒としては、各工程で得られる重合体が溶解しうる不活性溶媒を用いうる。不活性溶媒としては、例えば、n-ブタン、n-ペンタン、イソペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素溶媒;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロ[4.3.0]ノナン、トリシクロ[4.3.0.12,5]デカン等の脂環式炭化水素溶媒;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒;などが挙げられる。これらは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、溶媒として脂環式炭化水素溶媒を用いると、水素化反応にも不活性な溶媒としてそのまま使用でき、ブロック共重合体[1]の溶解性が良好であるため、好ましい。溶媒の使用量は、全使用モノマー100重量部に対して、好ましくは200重量部~2000重量部である。
 それぞれのモノマー組成物が2種以上のモノマーを含む場合、ある1成分の連鎖だけが長くなるのを抑制するために、ランダマイザーを使用しうる。特に重合反応をアニオン重合により行う場合には、例えばルイス塩基化合物をランダマイザーとして使用することが好ましい。ルイス塩基化合物としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルフェニルエーテル等のエーテル化合物;テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の第3級アミン化合物;カリウム-t-アミルオキシド、カリウム-t-ブチルオキシド等のアルカリ金属アルコキシド化合物;トリフェニルホスフィン等のホスフィン化合物;などが挙げられる。これらは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 (2.2.2.水素化物[2])
 水素化物[2]は、ブロック共重合体[1]の不飽和結合を水素化して得られる重合体である。ここで、水素化されるブロック共重合体[1]の不飽和結合には、ブロック共重合体[1]の主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合、並びに、芳香族性及び非芳香族性の炭素-炭素不飽和結合を、いずれも含む。
 水素化率は、ブロック共重合体[1]の主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合及び芳香環の炭素-炭素不飽和結合の、好ましくは90%以上、より好ましくは97%以上、特に好ましくは99%以上である。水素化率が高いほど、樹脂層の透明性、耐熱性及び耐候性を良好にでき、更には樹脂層の複屈折を小さくし易い。ここで、水素化物[2]の水素化率は、H-NMRによる測定により求めうる。
 特に、非芳香族性の炭素-炭素不飽和結合の水素化率は、好ましくは95%以上、より好ましくは99%以上である。非芳香族性の炭素-炭素不飽和結合の水素化率を高めることにより、樹脂層の耐光性及び耐酸化性を更に高くできる。
 また、芳香族性の炭素-炭素不飽和結合の水素化率は、好ましくは90%以上、より好ましくは93%以上、特に好ましくは95%以上である。芳香環の炭素-炭素不飽和結合の水素化率を高めることにより、重合体ブロック[A]を水素化して得られる重合体ブロックのガラス転移温度が高くなるので、樹脂層の耐熱性を効果的に高めることができる。さらに、樹脂層の光弾性係数を下げることができる。
 水素化物[2]の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは40,000以上、より好ましくは50,000以上、特に好ましくは60,000以上であり、好ましくは200,000以下、より好ましくは150,000以下、特に好ましくは100,000以下である。水素化物[2]の重量平均分子量(Mw)が前記の範囲に収まることにより、樹脂層の機械強度及び耐熱性を向上させることができ、更には樹脂層の複屈折を小さくし易い。
 水素化物[2]の分子量分布(Mw/Mn)は、好ましくは3以下、より好ましくは2以下、特に好ましくは1.5以下であり、好ましくは1.0以上である。水素化物[2]の分子量分布(Mw/Mn)が前記の範囲に収まることにより、樹脂層の機械強度及び耐熱性を向上させることができ、更には樹脂層の複屈折を小さくし易い。
 水素化物[2]の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算の値で測定しうる。
 前述した水素化物[2]は、ブロック共重合体[1]を水素化することにより、製造しうる。水素化方法としては、水素化率を高くでき、ブロック共重合体[1]の鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましい。このような水素化方法としては、例えば、国際公開第2011/096389号、国際公開第2012/043708号に記載された方法が挙げられる。
 具体的な水素化方法の例としては、例えば、ニッケル、コバルト、鉄、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、及びレニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を含む水素化触媒を用いて水素化を行う方法が挙げられる。水素化触媒は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。水素化触媒は、不均一系触媒、均一系触媒のいずれも使用可能である。また、水素化反応は、有機溶媒中で行うのが好ましい。
 不均一系触媒は、例えば、金属又は金属化合物のままで用いてもよく、適切な担体に担持して用いてもよい。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化ケイ素、フッ化カルシウムなどが挙げられる。触媒の担持量は、触媒及び担体の合計量に対して、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは1重量%以上であり、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。また、担持型触媒の比表面積は、好ましくは100m/g~500m/gである。さらに、担持型触媒の平均細孔径は、好ましくは100Å以上、より好ましくは200Å以上であり、好ましくは1000Å以下、より好ましくは500Å以下である。ここで、比表面積は、窒素吸着量を測定しBET式を用いて求めうる。また、平均細孔径は、水銀圧入法により測定しうる。
 均一系触媒としては、例えば、ニッケル、コバルト又は鉄の化合物と有機金属化合物(例えば、有機アルミニウム化合物、有機リチウム化合物)とを組み合わせた触媒;ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等を含む有機金属錯体触媒;などを用いることができる。
 ニッケル、コバルト又は鉄の化合物としては、例えば、各種金属のアセチルアセトナト化合物、カルボン酸塩、シクロペンタジエニル化合物等が用いられる。
 有機アルミニウム化合物としては、例えば、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等のハロゲン化アルミニウム;ジイソブチルアルミニウムハイドライド等の水素化アルキルアルミニウム;等が挙げられる。
 有機金属錯体触媒としては、例えば、ジヒドリド-テトラキス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム、ジヒドリド-テトラキス(トリフェニルホスフィン)鉄、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル等の遷移金属錯体が挙げられる。
 水素化触媒の使用量は、ブロック共重合体[1]100重量部に対して、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.05重量部以上、特に好ましくは0.1重量部以上であり、好ましくは100重量部以下、より好ましくは50重量部以下、特に好ましくは30重量部以下である。
 水素化反応の温度は、好ましくは10℃以上、より好ましくは50℃以上、特に好ましくは80℃以上であり、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、特に好ましくは180℃以下である。このような温度範囲で水素化反応を行なうことにより、水素化率を高くでき、また、ブロック共重合体[1]の分子切断を少なくできる。
 水素化反応時の水素圧力は、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは1MPa以上、特に好ましくは2MPa以上であり、好ましくは30MPa以下、より好ましくは20MPa以下、特に好ましくは10MPa以下である。このような水素圧力で水素化反応を行なうことにより、水素化率を高くでき、ブロック共重合体[1]の分子鎖切断を少なくでき、操作性が良好となる。
 上述した方法で得られる水素化物[2]は、通常、水素化物[2]、水素化触媒及び重合触媒を含む反応液として得られる。そこで、水素化物[2]は、この反応液から例えば濾過及び遠心分離等の方法によって、水素化触媒及び重合触媒を除去した後に、反応液から回収してもよい。反応液から水素化物[2]を回収する方法としては、例えば、水素化物[2]を含む反応液からスチームストリッピングにより溶媒を除去するスチーム凝固法;減圧加熱下で溶媒を除去する直接脱溶媒法;水素化物[2]の貧溶媒中に反応液を注いで析出又は凝固させる凝固法;などを方法が挙げられる。
 回収された水素化物[2]の形態は、その後のシリル化変性反応(アルコキシシリル基を導入する反応)に供し易いように、ペレット形状とすることが好ましい。例えば、溶融状態の水素化物[2]をダイスからストランド状に押し出し、冷却後、ペレタイザーでカッティングしてペレット状にして、各種の成形に供してもよい。また、凝固法を用いる場合は、例えば、得られた凝固物を乾燥した後、押出機により溶融状態で押し出し、上記と同じくペレット状にして各種の成形に供してもよい。
 (2.2.3.アルコキシシリル基変性物[3])
 アルコキシシリル基変性物[3]は、上述したブロック共重合体[1]の水素化物[2]に、アルコキシシリル基を導入して得られる重合体である。この際、アルコキシシリル基は、上述した水素化物[2]に直接結合していてもよく、例えばアルキレン基などの2価の有機基を介して間接的に結合していてもよい。アルコキシシリル基が導入されたアルコキシシリル基変性物[3]は、ガラス、金属等の無機材料との接着性に特に優れる。そのため、樹脂層は、通常、前記の無機材料との接着性に優れる。
 アルコキシシリル基変性物[3]におけるアルコキシシリル基の導入量は、アルコキシシリル基の導入前の水素化物[2]100重量部に対して、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.2重量部以上、特に好ましくは0.3重量部以上であり、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下、特に好ましくは3重量部以下である。アルコキシシリル基の導入量を前記範囲に収めると、水分等で分解されたアルコキシシリル基同士の架橋度が過剰に高くなることを防止できるので、樹脂層の無機材料に対する接着性を高く維持することができる。
 アルコキシシリル基の導入量は、H-NMRスペクトルにて計測しうる。また、アルコキシシリル基の導入量の計測の際、導入量が少ない場合は、積算回数を増やして計測しうる。
 アルコキシシリル基変性物[3]の重量平均分子量(Mw)は、導入されるアルコキシシリル基の量が少ないため、通常は、アルコキシシリル基を導入する前の水素化物[2]の重量平均分子量(Mw)から大きく変化しない。ただし、アルコキシシリル基を導入する際には、通常は過酸化物の存在下で水素化物[2]を変性反応させるので、その水素化物[2]の架橋反応及び切断反応が進行し、分子量分布は大きく変化する傾向がある。アルコキシシリル基変性物[3]の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは40,000以上、より好ましくは50,000以上、特に好ましくは60,000以上であり、好ましくは200,000以下、より好ましくは150,000以下、特に好ましくは100,000以下である。また、アルコキシシリル基変性物[3]の分子量分布(Mw/Mn)は、好ましくは3.5以下、より好ましくは2.5以下、特に好ましくは2.0以下であり、好ましくは1.0以上である。アルコキシシリル基変性物[3]の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)がこの範囲であると、樹脂層の良好な機械強度及び引張り伸びが維持できる。
 アルコキシシリル基変性物[3]の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフランを溶媒としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によって、ポリスチレン換算の値として測定しうる。
 アルコキシシリル基変性物[3]は、前述したブロック共重合体[1]の水素化物[2]にアルコキシシリル基を導入することにより、製造しうる。水素化物[2]にアルコキシシリル基を導入する方法としては、例えば、水素化物[2]とエチレン性不飽和シラン化合物とを、過酸化物の存在下で反応させる方法が挙げられる。
 エチレン性不飽和シラン化合物としては、水素化物[2]とグラフト重合でき、水素化物[2]にアルコキシシリル基を導入できるものを用いうる。このようなエチレン性不飽和シラン化合物の例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン等のビニル基を有するアルコキシシラン;アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン等のアリル基を有するアルコキシシラン;p-スチリルトリメトキシシラン、p-スチリルトリエトキシシラン等のp-スチリル基を有するアルコキシシラン;3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン等の3-メタクリロキシプロピル基を有するアルコキシシラン;3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリエトキシシラン等の3-アクリロキシプロピル基を有するアルコキシシラン;2-ノルボルネン-5-イルトリメトキシシラン等の2-ノルボルネン-5-イル基を有するアルコキシシラン;などが挙げられる。これらの中でも、本発明の効果がより得られやすいことから、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシランが好ましい。また、エチレン性不飽和シラン化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 エチレン性不飽和シラン化合物の量は、アルコキシシリル基を導入する前の水素化物[2]100重量部に対して、好ましくは0.1重量部以上、より好ましくは0.2重量部以上、特に好ましくは0.3重量部以上であり、好ましくは10重量部以下、より好ましくは5重量部以下、特に好ましくは3重量部以下である。
 過酸化物としては、ラジカル反応開始剤として機能するものを用いうる。このような過酸化物としては、通常、有機過酸化物を用いる。有機過酸化物としては、例えば、ジベンゾイルパーオキシド、t-ブチルパーオキシアセテート、2,2-ジ-(t-ブチルパーオキシ)ブタン、t-ブチルパーオキシベンゾエート、t-ブチルクミルパーオキシド、ジクミルパーオキサイド、ジ-t-ヘキシルパーオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシヘキサン)、ジ-t-ブチルパーオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)ヘキサン-3、t-ブチルヒドロパーオキシド、t-ブチルパーオキシイソブチレート、ラウロイルパーオキシド、ジプロピオニルパーオキシド、p-メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。これらの中でも、1分間半減期温度が170℃~190℃のものが好ましく、具体的には、t-ブチルクミルパーオキシド、ジクミルパーオキサイド、ジ-t-ヘキシルパーオキシド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシヘキサン)、ジ-t-ブチルパーオキシドが好ましい。また、過酸化物は、1種類を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
 過酸化物の量は、アルコキシシリル基を導入する前の水素化物[2]100重量部に対して、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは0.1重量部以上、特に好ましくは0.2重量部以上であり、好ましくは5重量部以下、より好ましくは3重量部以下、特に好ましくは2重量部以下である。
 ブロック共重合体[1]の水素化物[2]とエチレン性不飽和シラン化合物とを過酸化物の存在下で反応させる方法は、例えば、加熱混練機及び反応器を用いて行いうる。具体例を挙げると、水素化物[2]とエチレン性不飽和シラン化合物と過酸化物との混合物を、二軸混練機にて、水素化物[2]の溶融温度以上で加熱溶融させて、所望の時間混練することにより、アルコキシシリル基変性物[3]を得ることができる。混練時の具体的な温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは190℃以上、特に好ましくは200℃以上であり、好ましくは240℃以下、より好ましくは230℃以下、特に好ましくは220℃以下である。また、混練時間は、好ましくは0.1分以上、より好ましくは0.2分以上、特に好ましくは0.3分以上であり、好ましくは15分以下、より好ましくは10分以下、特に好ましくは5分以下である。二軸混練機、単軸押出し機などの連続混練設備を使用する場合は、滞留時間が上記範囲になるようにして、連続的に混練及び押出しを行いうる。
 樹脂層が含む樹脂において、アルコキシシリル基変性物[3]等の重合体の割合は、好ましくは80重量%~100重量%、より好ましくは90重量%~100重量%、特に好ましくは95重量%~100重量%である。樹脂における重合体の割合が前記範囲に収まることにより、樹脂層の貯蔵弾性率を上述した範囲に容易に収めることができる。
 (2.2.4.任意の成分)
 樹脂層に含まれる樹脂は、上述した重合体に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、ガラス転移温度及び弾性率を調整するための可塑剤;耐候性及び耐熱性を向上させるための光安定剤;紫外線吸収剤;酸化防止剤;滑剤;無機フィラー;などが挙げられる。また、任意の成分は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 重合体と任意の成分とを混合する方法の例としては、任意の成分を適切な溶媒に溶解して重合体の溶液と混合した後、溶媒を除去して任意の成分を含む樹脂を回収する方法;二軸混錬機、ロール、ブラベンダー、押出機等の混練機で、重合体を溶融状態にして任意の成分と混練する方法;などが挙げられる。
 〔2.3.樹脂層の物性〕
 100℃における樹脂層の貯蔵弾性率は、好ましくは10MPa未満、より好ましくは7.5MPa未満、特に好ましくは5MPa未満である。高温環境における樹脂層の貯蔵弾性率が前記のように低いことにより、樹脂層を任意の部材に容易に加熱圧着することができる。よって、樹脂層と導電層とを加熱圧着して導電性フィルムを容易に製造できる。また、導電性フィルムを任意の部材に加熱圧着によって容易に貼り合わせることができる。100℃における樹脂層の貯蔵弾性率の下限は、耐熱性を向上させる観点から、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.5MPa以上、特に好ましくは1MPa以上である。
 25℃における樹脂層の曲げ弾性率は、好ましくは1MPa以上、より好ましくは5MPa以上、特に好ましくは10MPa以上であり、好ましくは500MPa以下、より好ましくは450MPa以下、特に好ましくは400MPa以下である。25℃における樹脂層の曲げ弾性率が、前記の範囲の下限値以上であることにより、導電性フィルムの取り扱い性を高めることができ、前記範囲の上限値以下であることにより、導電性フィルムの耐屈曲性を向上させることができる。
 樹脂層の曲げ弾性率は、万能試験機(例えばインストロン社製「電気機械式万能試験機5900」)を用い、JIS K 7117に従って測定しうる。
 樹脂層は、通常、高い透明性を有する。樹脂層の具体的な全光線透過率は、好ましくは70%以上、より好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長400nm~700nmの範囲で測定しうる。
 また、樹脂層のヘイズは、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下、特に好ましくは1%以下であり、理想的には0%である。ヘイズは、JIS K7361-1997に準拠して、日本電色工業社製「濁度計 NDH-300A」を用いて、5箇所測定し、それから求めた平均値を採用しうる。
 〔2.4.樹脂層の製造方法〕
 樹脂層の製造方法に制限は無い。例えば、上述したアルコキシシリル基変性物[3]を含む樹脂のような熱可塑性樹脂によって樹脂層を形成する場合、樹脂層は、溶融成形法、溶液流延法などの成形方法により製造しうる。中でも、溶媒等の揮発性成分の樹脂層への残留を抑制できることから、溶融成形法が好ましい。溶融成形法は、さらに詳細には、押出成形法、プレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法などに分類できる。これらの方法の中でも、機械強度及び表面精度に優れた樹脂層を得るために、押出成形法、インフレーション成形法及びプレス成形法が好ましく、効率よく簡単に樹脂層を製造できる観点から、押出成形法が特に好ましい。
 〔2.5.樹脂層の厚み〕
 樹脂層の厚みは、好ましくは5μm以上、より好ましくは10μm以上、特に好ましくは15μm以上であり、好ましくは200μm以下、より好ましくは175μm以下、特に好ましくは150μm以下である。樹脂層の厚みが、前記範囲の下限値以上であることにより、導電性フィルムの機械的強度を高くでき、また、前記範囲の上限値以下であることにより、導電性フィルムの耐屈曲性を効果的に高くできる。
[3.導電層]
 〔3.1.導電層の表面抵抗値〕
 導電層の表面抵抗値は、通常1000Ω/sq.以下、好ましくは900Ω/sq.以下、より好ましくは800Ω/sq.以下である。導電層の表面抵抗値がこのように低いことにより、高い導電性を得ることができる。導電層の表面抵抗値の下限に特段の制限は無いが、製造が容易であることから、好ましくは1Ω/sq.以上、より好ましくは2.5Ω/sq.以上、特に好ましくは5Ω/sq.以上である。
 〔3.2.導電層の組成〕
 前記のような導電層は、通常、導電性を有する材料(以下、適宜「導電材料」ということがある。)を含む層として形成される。このような導電材料としては、例えば、金属、導電性金属酸化物、導電性ナノワイヤ、導電性ポリマーなどが挙げられる。また、導電材料は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中でも、導電性フィルムの耐屈曲性を高くする観点から、導電層は、金属、導電性ナノワイヤ及び導電性ポリマーからなる群より選ばれる少なくとも1種類の導電材料を含むことが好ましい。
 金属としては、例えば、金、白金、銀及び銅が挙げられる。なかでも好ましくは銀、銅及び金であり、より好ましくは銀である。これらの金属は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。これらの金属によって導電層を形成する場合、導電層を細い線状に形成することによって、透明な導電層を得ることができる。例えば、格子状に形成された金属メッシュ層として導電層を形成することにより、透明な導電層を得ることができる。
 金属を含む導電層は、例えば、金属粒子を含む導電層形成用組成物を塗布することによって、形成できる。このとき、前記の導電層形成用組成物を所定の格子パターンに印刷することによって、金属メッシュ層としての導電層を得ることができる。さらに、例えば、銀塩を含む導電層形成用組成物を塗工し、露光処理及び現像処理によって金属細線を所定の格子パターンに形成することにより、導電層を金属メッシュ層として形成できる。このような導電層及びその形成方法の詳細については、特開2012-18634号公報、特開2003-331654号公報を参照しうる。
 導電性金属酸化物としては、例えば、ITO(インジウム錫オキサイド)、IZO(インジウム亜鉛オキサイド)、ZnO(酸化亜鉛)、IWO(インジウムタングステンオキサイド)、ITiO(インジウムチタニウムオキサイド)、AZO(アルミニウム亜鉛オキサイド)、GZO(ガリウム亜鉛オキサイド)、XZO(亜鉛系特殊酸化物)、IGZO(インジウムガリウム亜鉛オキサイド)等が挙げられる。これらの中でも、光線透過性及び耐久性の観点より、ITOが特に好ましい。導電性金属酸化物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 導電性金属酸化物を含む導電層は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、アーク放電プラズマ蒸着法、熱CVD法、プラズマCVD法、鍍金法、及びこれらの組み合わせ等の成膜方法によって、形成しうる。これらの中でも、蒸着法及びスパッタリング法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。スパッタリング法では、厚みが均一な導電層を形成できるので、導電層に局所的に薄い部分が発生することを抑制できる。
 導電性ナノワイヤとは、形状が針状または糸状であり、径がナノメートルサイズの導電性物質をいう。導電性ナノワイヤは直線状であってもよく、曲線状であってもよい。このような導電性ナノワイヤは、導電性ナノワイヤ同士が隙間を形成して網の目状となることにより、少量の導電性ナノワイヤであっても良好な電気伝導経路を形成することができ、電気抵抗の小さい導電層を実現できる。また、導電性ワイヤは、網の目状となることにより、網の目の隙間に開口部を形成するので、光透過率の高い導電層を得ることができる。
 導電性ナノワイヤの太さdと長さLとの比(アスペクト比:L/d)は、好ましくは10~100,000であり、より好ましくは50~100,000であり、特に好ましくは100~10,000である。このようにアスペクト比の大きい導電性ナノワイヤを用いれば、導電性ナノワイヤが良好に交差して、少量の導電性ナノワイヤにより高い導電性を発現させることができる。その結果、透明性に優れる導電性フィルムを得ることができる。ここで、「導電性ナノワイヤの太さ」とは、導電性ナノワイヤの断面が円状である場合はその直径を意味し、楕円状である場合はその短径を意味し、多角形である場合は最も長い対角線を意味する。導電性ナノワイヤの太さおよび長さは、走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡によって測定しうる。
 導電性ナノワイヤの太さは、好ましくは500nm未満であり、より好ましくは200nm未満であり、更に好ましくは10nm~100nmであり、特に好ましくは10nm~50nmである。これにより、導電層の透明性を高めることができる。
 導電性ナノワイヤの長さは、好ましくは2.5μm~1000μmであり、より好ましくは10μm~500μmであり、特に好ましくは20μm~100μmである。これにより、導電層の導電性を高めることができる。
 導電性ナノワイヤとしては、例えば、金属により構成される金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブを含む導電性ナノワイヤ等が挙げられる。
 金属ナノワイヤに含まれる金属としては、導電性の高い金属が好ましい。好適な金属の例としては、金、白金、銀及び銅が挙げられ、なかでも好ましくは、銀、銅及び金であり、より好ましくは銀である。また、上記金属にメッキ処理(例えば、金メッキ処理)を行った材料を用いてもよい。さらに、前記の材料は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 金属ナノワイヤの製造方法としては、任意の適切な方法が採用され得る。例えば、溶液中で硝酸銀を還元する方法;前駆体表面にプローブの先端部から印可電圧又は電流を作用させ、プローブ先端部で金属ナノワイヤを引き出し、該金属ナノワイヤを連続的に形成する方法;等が挙げられる。溶液中で硝酸銀を還元する方法においては、エチレングリコール等のポリオール、およびポリビニルピロリドンの存在下で、硝酸銀等の銀塩の液相還元をすることによりにより、銀ナノワイヤが合成され得る。均一サイズの銀ナノワイヤは、例えば、Xia, Y.etal., Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、 Xia, Y.etal., Nano letters(2003)3(7)、955-960に記載される方法に準じて、大量生産が可能である。
 カーボンナノチューブとしては、例えば、直径が0.3nm~100nm、長さ0.1μm~20μm程度の、いわゆる多層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ等が用いられる。なかでも、導電性が高い点から、直径10nm以下、長さ1μm~10μmの単層もしくは二層カーボンナノチューブが好ましい。また、カーボンナノチューブの集合体には、アモルファスカーボン及び触媒金属などの不純物は、含まないことが好ましい。カーボンナノチューブの製造方法としては、任意の適切な方法が採用されうる。好ましくは、アーク放電法で作製されたカーボンナノチューブが用いられる。アーク放電法で作製されたカーボンナノチューブは結晶性に優れるため好ましい。
 導電性ナノワイヤを含む導電層は、導電性ナノワイヤを溶媒に分散させて得られた導電性ナノワイヤ分散液を塗工及び乾燥させることにより、製造しうる。
 導電性ナノワイヤ分散液に含まれる溶媒としては、例えば、水、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒等が挙げられ、中でも、環境負荷低減の観点から、水を用いることが好ましい。また、溶媒は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 導電性ナノワイヤ分散液における導電性ナノワイヤの濃度は、好ましくは0.1重量%~1重量%である。これにより、導電性および透明性に優れる導電層を形成することができる。
 導電性ナノワイヤ分散液は、導電性ナノワイヤ及び溶媒に組み合わせて、任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、導電性ナノワイヤの腐食を抑制する腐食抑制剤、導電性ナノワイヤの凝集を抑制する界面活性剤、導電性ナノワイヤを導電層に保持するためのバインダーポリマー等が挙げられる。また、任意の成分は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 導電性ナノワイヤ分散液の塗工方法としては、例えば、スプレーコート法、バーコート法、ロールコート法、ダイコート法、インクジェットコート法、スクリーンコート法、ディップコート法、スロットダイコート法、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等が挙げられる。乾燥方法としては、任意の適切な乾燥方法(例えば、自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)が採用されうる。例えば、加熱乾燥の場合には、乾燥温度は100℃~200℃であり、乾燥時間は1分~10分としうる。
 導電層における導電性ナノワイヤの割合は、導電層の全重量に対して、好ましくは80重量%~100重量%であり、より好ましくは85重量%~99重量%である。これにより、導電性および光透過性に優れる導電層を得ることができる。
 導電性ポリマーとしては、例えば、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリパラフェニレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、ポリパラフェニレンビニレン系ポリマー、ポリピロール系ポリマー、ポリフェニレン系ポリマー、アクリル系ポリマーで変性されたポリエステル系ポリマー等が挙げられる。中でも、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリパラフェニレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、ポリパラフェニレンビニレン系ポリマーおよびポリピロール系ポリマーが好ましい。
 その中でも、特に、ポリチオフェン系ポリマーが好ましい。ポリチオフェン系ポリマーを用いることにより、透明性及び化学的安定性に優れる導電層を得ることができる。ポリチオフェン系ポリマーの具体例としては、ポリチオフェン;ポリ(3-ヘキシルチオフェン)等のポリ(3-C1-8アルキル-チオフェン);ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4-プロピレンジオキシチオフェン)、ポリ[3,4-(1,2-シクロヘキシレン)ジオキシチオフェン]等のポリ(3,4-(シクロ)アルキレンジオキシチオフェン);ポリチエニレンビニレン等が挙げられる。ここで、「C1-8アルキル」とは、炭素原子数が1~8のアルキル基を示す。また、前記の導電性ポリマーは、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
 導電性ポリマーは、好ましくは、アニオン性ポリマーの存在下で重合される。例えば、ポリチオフェン系ポリマーは、アニオン性ポリマーの存在下で酸化重合させることが好ましい。アニオン性ポリマーとしては、カルボキシル基、スルホン酸基、又はその塩を有する重合体が挙げられる。好ましくは、ポリスチレンスルホン酸等のスルホン酸基を有するアニオン性ポリマーが用いられる。
 導電性ポリマーを含む導電層は、例えば、導電性ポリマーを含む導電層形成用組成物を塗工し、乾燥することにより形成しうる。導電性ポリマーを含む導電層については、特開2011-175601号公報を参照しうる。
 〔3.3.導電層の平面形状〕
 導電層は、樹脂層の片面に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。また、導電層は、樹脂層の面の全体に形成されていてもよく、樹脂層の面の一部に形成されていてもよい。例えば、導電層は、樹脂層の面の一部に、所定のパターンにパターン化されて形成されていてもよい。導電層のパターンの形状は、導電性フィルムの用途に応じて設定しうる。例えば、導電性フィルムを回路基板として用いる場合、導電層の平面形状は、回路の配線形状に対応したパターンに形成してもよい。また、例えば、導電性フィルムをタッチパネル用のセンサフィルムとして用いる場合、導電層の平面形状は、タッチパネル(例えば、静電容量方式タッチパネル)として良好に動作するパターンが好ましく、具体例を挙げると、特表2011-511357号公報、特開2010-164938号公報、特開2008-310550号公報、特表2003-511799号公報、特表2010-541109号公報に記載のパターンが挙げられる。
 〔3.4.導電層の物性〕
 導電層は、通常、高い透明性を有する。よって、可視光線は、通常、この導電層を透過することができる。導電層の具体的な透明性は、導電性フィルムの用途に応じて調整しうる。導電層の具体的な全光線透過率は、好ましくは80%以上であり、より好ましくは90%以上、さらに好ましくは95%以上である。
 〔3.5.導電層の厚み〕
 導電層の1層当たりの厚みは、好ましくは0.01μm~10μm、より好ましくは0.05μm~3μm、特に好ましくは0.1μm~1μmである。導電性フィルムが2層以上の導電層を備える場合、それらの導電層の厚みは、同じでもよく、異なっていてもよい。中でも、樹脂層の両側に導電層がある場合、導電性フィルムのシワ及びカール等の変形を抑制する観点から、導電層の厚みは同じであることが好ましい。
[4.任意の層]
 導電性フィルムは、必要に応じて、任意の層を含みうる。任意の層としては、例えば、樹脂層よりも高い貯蔵弾性率を有する支持体層が挙げられる。25℃における支持体層の具体的な貯蔵弾性率は、好ましくは1000MPa以上、より好ましくは1500MPa以上、特に好ましくは2000MPa以上であり、好ましくは5000MPa以下、より好ましくは4500MPa以下、特に好ましくは4000MPa以下である。このように大きい貯蔵弾性率を有する支持体層を含むことにより、導電性フィルムの加工、運搬、及び、実装時の取り扱い性を高めることができる。
 支持体層としては、高い貯蔵弾性率を有する樹脂からなる層が挙げられる。支持体層に含まれる樹脂は、重合体と、必要に応じて任意の成分を含みうる。重合体としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル;ポリフェニレンサルファイド等のポリアリーレンサルファイド;ポリビニルアルコール;ポリカーボネート;ポリアリレート;セルロースエステル重合体、ポリエーテルスルホン;ポリスルホン;ポリアリルサルホン;ポリ塩化ビニル;ノルボルネン系重合体等の、脂環式構造含有重合体;棒状液晶ポリマーなどが挙げられる。これらの重合体は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。また、重合体は、単独重合体でもよく、共重合体でもよい。これらの中でも、機械特性、耐熱性、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、脂環式構造含有重合体が好ましい。
 支持体層の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは13μm以上、特に好ましくは15μm以上であり、好ましくは60μm以下、より好ましくは58μm以下、特に好ましくは55μm以下である。支持体層の厚みが、前記範囲の下限値以上であることにより、導電性フィルムの取り扱い性を高めることができ、また、前記範囲の上限値以下であることにより、導電性フィルムを薄くできる。
 さらに、任意の層としては、例えば、ハードコート層、インデックスマッチング層、接着層、位相差層、偏光子層、光学補償層などが挙げられる。
[5.導電性フィルムの物性及び厚み]
 導電性フィルムは、耐屈曲性に優れる。そのため、導電性フィルムは、曲げても、導電層の導電性は低下し難い。さらに、導電性フィルムは、曲げても、白化等の外観の変化を生じ難い。このように優れた耐屈曲性が得られる仕組みは、下記のとおりと推察される。ただし、本発明の技術的範囲は、下記に説明する仕組みに制限されない。
 本発明の導電性フィルムが備える樹脂層は、適切な範囲の貯蔵弾性率を有するので、優れた可撓性を有する。そのため、導電性フィルムを曲げた場合には、容易に変形して、曲げによる応力を吸収できる。よって、曲げよって生じた応力による導電層の破壊が生じ難い。このため、導電性フィルムを曲げても、導電層の表面抵抗値が上昇し難く、したがって、導電性の低下を抑制できる。
 また、樹脂層が適切な範囲の貯蔵弾性率を有するので、導電性フィルムを曲げた場合、樹脂層の破壊が生じ難く、また、樹脂層と導電層との剥離が生じ難い。そのため、前記の破壊又は剥離による微小な空隙の発生が生じ難いので、折り曲げ部におけるヘイズの上昇が起こり難く、したがって、白化等の外観の変化が抑制される。また、樹脂層が優れた弾性を有するので、折り曲げても容易に元の形状を回復するので、折り曲げ跡が形成され難い。
 導電性フィルムは、導電層を支持するための層として樹脂層を備えるので、導電性ガラスに比べて、通常は、耐衝撃性及び加工性に優れる。さらに、導電性フィルムは、通常、導電性ガラスよりも、軽量である。
 導電性フィルムの全光線透過率は、好ましくは70%以上、より好ましくは80%以上、更に好ましくは90%以上である。
 また、導電性フィルムのヘイズは、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下、特に好ましくは1%以下であり、理想的には0%である。
 導電性フィルムの厚みは、好ましくは5μm以上、より好ましくは7.5μm以上、特に好ましくは10μm以上であり、好ましくは200μm以下、より好ましくは175μm以下、特に好ましくは150μm以下である。導電性フィルムの厚みが、前記範囲の下限値以上であることにより、導電性フィルムの機械的強度を高めることができ、また、前記範囲の上限値以下であることにより、導電性フィルムの薄膜化が可能である。
[6.導電性フィルムの製造方法]
 導電性フィルムは、例えば、樹脂層を製造する工程と、前記の樹脂層上に導電層を設ける工程とを含む製造方法によって、製造しうる。導電層は、当該導電層の材料を用いて樹脂層上に形成してもよいが、適切な基材上に導電層を形成し、その形成した導電層を樹脂層と貼り合わせることによって、樹脂層上に導電層を設けてもよい。例えば、導電性金属酸化物によるスパッタリング法によって導電層を形成する場合、樹脂層はスパッタリング時の成膜条件によってはダメージを受ける可能性がある。その場合、スパッタリングに耐えうる基材に導電層を形成した後で、その導電層を樹脂層と貼り合わせて導電性フィルムを製造すれば、樹脂層へのダメージを避けながら導電性フィルムを得ることができる。
[7.層構成の例]
 本発明の導電性フィルムは、樹脂層及び導電層を含む範囲において、その層構成を任意に設定できる。以下、導電性フィルムの好適な層構成の例を、図面を示して説明する。
 図1は、本発明の第一実施形態としての導電性フィルム10を模式的に示す断面図である。図1に示すように、第一実施形態に係る導電性フィルム10は、樹脂層110及び導電層120のみを備える2層構造のフィルムである。この導電性フィルム10は、表面抵抗値が小さい導電層120を有するので、導電性に優れる。また、導電性フィルム10は、適切な範囲の貯蔵弾性率を有する樹脂層110を有するので、耐屈曲性に優れる。そのため、例え折り曲げても導電性の低下及び外観の変化を生じ難い。
 図2は、本発明の第二実施形態としての導電性フィルム20を模式的に示す断面図である。また、図3は、本発明の第三実施形態としての導電性フィルム30を模式的に示す断面図である。図2及び図3に示すように、第二及び第三実施形態に係る導電性フィルム20及び30は、樹脂層110及び導電層120に組み合わせて、支持体層130を備えていてもよい。この際、各層の順番は任意であり、図2に示す導電性フィルム20のように樹脂層110、導電層120及び支持体層130がこの順に設けられていてもよく、図3に示す導電性フィルム30のように支持体層130、樹脂層110及び導電層120がこの順に設けられていてもよい。このように支持体層130を備える導電性フィルム20及び30は、第一実施形態と同じ利点に加えて、更にハンドリング性を向上させることができる。
 図4は、本発明の第四実施形態としての導電性フィルム40を模式的に示す断面図である。導電性フィルムが含む層の数は任意であり、例えば図4に示す第四実施形態に係る導電性フィルム40のように、支持体層130、導電層120、樹脂層110、導電層140及び支持層150がこの順に設けられていてもよい。この場合、導電層120及び140の材料、形状、厚みは同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、一方の導電層120のパターン形状と、他方の導電層140のパターン形状とが異なっていてもよい。さらに、支持体層130及び150の材料、形状、厚みは同じでもよく、異なっていてもよい。このように、樹脂層、導電層、及び、支持体層等の任意の層が、それぞれ複数設けられている場合でも、第一実施形態~第三実施形態と同じ利点を得ることができる。
[8.導電性フィルムの用途]
 導電性フィルムの用途に制限は無い。導電性フィルムの好適な用途の例を挙げると、抵抗式タッチパネル及び静電容量式タッチパネル等のタッチパネル用のセンサフィルム;有機EL素子等の発光素子用の電極;などが挙げられる。
 以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において、任意に変更して実施しうる。
 以下の説明において、量を表す「%」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。
 また、以下の説明において、別に断らない限り、「PEDOT」とは、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を表し、「PSS」とは、ポリスチレンスルホン酸を表し、「PEDOT/PSS」とは、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を表す。
[評価方法]
 〔貯蔵弾性率の測定方法〕
 樹脂層の貯蔵弾性率は、動的粘弾性装置(SII社製「DMS6100」)を用いて、周波数1Hzの条件で測定した。
 〔曲げ弾性率の測定方法〕
 樹脂層の曲げ弾性率は、電気機械式万能試験機(インストロン社製「5900」)を用いて、JIS K 7117に従って測定した。
 〔表面抵抗値の測定方法〕
 透明導電性フィルムの導電層の表面抵抗値は、非接触抵抗測定器(ナプソン社製「NC-10」)を用いて測定した。
 〔折り返し試験による表面抵抗値の変化の評価方法〕
 透明導電性フィルムに対して、折り返し試験を行った。この折り返し試験では、屈曲試験機(ユアサシステム機器社製「TCDM111LH」)を用いて、透明導電性フィルムに対して、曲率半径5mmでの折り返し操作を1万回行った。その後、透明導電性フィルムの導電層の表面抵抗値を測定した。そして、折り返し試験前の表面抵抗値Rと、折り返し試験後の表面抵抗値Rとから、下記式(X)により、折り返し試験による表面抵抗値の上昇率を計算した。
 表面抵抗値の上昇率[%]={(R-R)/R}×100 (X)
 こうして求めた表面抵抗値の上昇率を、下記の基準で評価した。ここでは、折り返し試験による表面抵抗値の上昇率が小さいほど、透明導電性フィルムが耐屈曲性に優れることを示す。
 A:屈曲性試験前後の表面抵抗値の上昇率が、5%未満の値を示す。
 B:屈曲性試験前後の表面抵抗値の上昇率が、5%以上10%未満の値を示す。
 C:屈曲性試験前後の表面抵抗値の上昇率が、10%以上の値を示す。
 〔折り返し試験後の外観の評価方法〕
 前記の折り返し試験を行った後で、透明導電性フィルムの目視観察を行い、下記の基準で評価した。折り返し試験による外観の変化が小さい方が、透明導電性フィルムが耐屈曲性に優れることを示す。
 A:折り曲げ箇所の外観の変化が全く無い。
 B:折り曲げ箇所にうっすらと見える折り曲げ跡がついている。
 C:折り曲げ箇所が白化しているか、または、はっきり見える折り曲げ跡がついている。
 D:折り曲げ箇所が白化しており、且つ、はっきりみえる折り曲げ跡がついている。
[製造例1.樹脂層(1)の製造]
 国際公開2014/077267号に記載された方法を参考にして、スチレン25部、イソプレン50部及びスチレン25部をこの順に重合して、トリブロック共重合体水素化物(ia1)(重量平均分子量Mw=48,200;分子量分布Mw/Mn=1.04;主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素-炭素不飽和結合の水素化率≒100%)を製造した。さらに、前記国際公開2014/077267号に記載された方法を参考にして、前記のトリブロック共重合体水素化物(ia1)100部に、ビニルトリメトキシシラン1.8部を結合させて、トリブロック共重合体水素化物のアルコキシシリル変性物(ia1-s)のペレットを製造した。
 サイドフィーダー及び幅400mmのTダイを備えた二軸押出機(東芝機械社製「TEM-37B」)、並びに、キャストロール及び離形フィルム供給装置を備えたシート引取機を使用し、下記の方法で、樹脂層(1)を製造した。
 アルコキシシリル変性物(ia1-s)を、二軸押出機に供給した。このアルコキシシリル変性物(ia1-s)100部に対して水素化ポリブテン(日油社製「パールリーム(登録商標) 24」)15部の割合となるように、サイドフィーダーから水素化ポリブテンを連続的に供給して、前記のアルコキシシリル変性物(ia1-s)及び水素化ポリブテンを含む溶融樹脂を得た。そして、この溶融樹脂をTダイからキャストロール上に押し出し、フィルム状に成形した。この押し出しは、溶融樹脂温度180℃、Tダイ温度180℃、キャストロール温度40℃の成形条件にて行った。押し出された溶融樹脂はキャストロールによって冷却されて、厚み50μmの樹脂層(1)を得た。
 キャストロール上に押し出した樹脂層(1)の片面に、離形用のPETフィルム(厚さ50μm)を供給し、樹脂層(1)とPETフィルムとを重ねてロール状に巻き取り、回収した。これにより、樹脂層(1)及びPETフィルムを備える複層フィルムのロールを得た。
 前記のロールから複層フィルムを引き出し、PETフィルムを剥離して、樹脂層(1)を得た。25℃において樹脂層(1)の貯蔵弾性率を測定したところ、143MPaであった。また、25℃において樹脂層(1)の曲げ弾性率を測定したところ、437MPaであった。
[製造例2.樹脂層(2)の製造]
 国際公開2011/096389号に記載された方法を参考にして、スチレン25部、イソプレン50部及びスチレン25部をこの順に重合して、トリブロック共重合体水素化物(ia2)(重量平均分子量Mw=48,200;分子量分布Mw/Mn=1.04;主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素-炭素不飽和結合の水素化率≒100%)のペレットを製造した。
 幅400mmのTダイを備えた二軸押出機(東芝機械社製「TEM-37B」)、並びに、キャストロール及び離形フィルム供給装置を備えたシート引取機を使用し、下記の条件で、樹脂層(2)を製造した。
 トリブロック共重合体水素化物(ia2)を、二軸押出機に供給し、溶融させて、溶融樹脂を得た。そして、この溶融樹脂をTダイからキャストロール上に押し出し、フィルム状に成形した。この押し出しは、溶融樹脂温度180℃、Tダイ温度180℃、キャストロール温度40℃の成形条件にて行った。押し出された溶融樹脂はキャストロールによって冷却されて、厚み50μmの樹脂層(2)を得た。
 キャストロール上に押し出した樹脂層(2)の片面に、離形用のPETフィルム(厚さ50μm)を供給し、樹脂層(2)とPETフィルムとを重ねてロールに巻き取り、回収した。これにより、樹脂層(2)及びPETフィルムを備える複層フィルムのロールを得た。
 塩基のロールから複層フィルムを引き出し、PETフィルムを剥離して、樹脂層(2)を得た。25℃において樹脂層(2)の貯蔵弾性率を測定したところ、111MPaであった。また、25℃において樹脂層(2)の曲げ弾性率を測定したところ、760MPaであった。
[製造例3.樹脂層(3)の製造]
 国際公開2011/096389号に記載された方法を参考にして、スチレン30部、イソプレン40部及びスチレン30部をこの順に重合して、トリブロック共重合体水素化物(ia3)(重量平均分子量Mw=48,200;分子量分布Mw/Mn=1.04;主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合、並びに、芳香環の炭素-炭素不飽和結合の水素化率≒100%)のペレットを製造した。
 幅400mmのTダイを備えた二軸押出機(東芝機械社製「TEM-37B」)、並びに、キャストロール及び離形フィルム供給装置を備えたシート引取機を使用し、下記の条件で、樹脂層(3)を製造した。
 トリブロック共重合体水素化物(ia3)を、二軸押出機に供給し、溶融させて、溶融樹脂を得た。そして、この溶融樹脂をTダイからキャストロール上に押し出し、フィルム状に成形した。この押し出しは、溶融樹脂温度180℃、Tダイ温度180℃、キャストロール温度40℃の成形条件にて行った。押し出された溶融樹脂はキャストロールによって冷却されて、厚み50μmの樹脂層(3)を得た。
 キャストロール上に押し出した樹脂層(3)の片面に、離形用のPETフィルム(厚さ50μm)を供給し、樹脂層(3)とPETフィルムとを重ねてロールに巻き取り、回収した。これにより、樹脂層(3)及びPETフィルムを備える複層フィルムのロールを得た。
 前記のロールから複層フィルムを引き出し、PETフィルムを剥離して、樹脂層(3)を得た。25℃において樹脂層(3)の貯蔵弾性率を測定したところ、800MPaであった。また、25℃において樹脂層(3)の曲げ弾性率を測定したところ、1260MPaであった。
[実施例1.導電性ポリマーを用いた例]
 工業用変性アルコール(日本アルコール販売社製「ソルミックスAP-7」)100gに、PEDOT/PSS(ヘレウス社製「Clevios PH1000」)10g、アクリル樹脂(東亜合成社製「ジュリマーAT-510」、固形分30%)0.8g、及び、エチレングリコール(和光純薬社製)3gを加えて撹拌し、導電層形成用組成物としてのコーティング組成物を製造した。
 製造例1で製造した樹脂層(1)上に、バーコーター(安田精機製作所製)を用いて、コーティング組成物を塗布し、乾燥器を用いて100℃で1分間、加熱処理を施した。これにより、樹脂層(1)上に厚み1μmの導電層が形成されて、透明導電性フィルム(a)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(a)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(a)を、上述した方法で評価した。
[実施例2.銀ナノワイヤを用いた例]
 導電性ナノワイヤ分散液として、銀ナノワイヤを含む分散液(カンブリオス・テクノロジーズ・コーポレーション社製「クリアオーム」)を用意した。
 製造例1で製造した樹脂層(1)上に、バーコーターを用いて、前記の分散液を塗布し、80℃で乾燥させた。これにより、樹脂層(1)上に厚み1μmの導電層が形成されて、透明導電性フィルム(b)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(b)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、750Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(b)を、上述した方法で評価した。
[実施例3.CNTを用いた例]
 (スーパーグロース法によるカーボンナノチューブの製造)
 国際公開第2006/011655号の記載に従って、スーパーグロース法によって、カーボンナノチューブを製造した。以下、このカーボンナノチューブを、適宜「SGCNT」ということがある。得られたSGCNTは、窒素吸着によるBET比表面積が804m/g、水蒸気吸着によるBET比表面積が2.4m/g、質量密度が0.03g/cm、マイクロ孔容積が0.44mL/gであった。また、透過型電子顕微鏡を用い、無作為に100本のSGCNTの直径を測定した結果、平均直径(Av)が3.3nm、直径の標本標準偏差(σ)に3を乗じた値(3σ)が1.9nm、(3σ/Av)が0.58、平均長さが500μmであった。また、得られたSGCNTは、主に単層カーボンナノチューブ(単層CNT)を含んでいた。
 (導電性フィルムの製造)
 容量30mLのサンプル瓶に、SGCNTを0.015g、及び、分散剤としてスチレンスルホン酸ナトリウム/マレイン酸ジナトリウムの共重合体(モノマーのモル比1/1、平均重合度2万)を0.030g量り取り、イオン交換水8g及びエタノール2gを加えた後、硝酸を用いてpHを2.5に調整した。その後、バス型超音波分散機で2時間処理することで、導電性ナノワイヤ分散液としてCNT分散液を得た。
 製造例1で製造した樹脂層(1)上に、バーコーターを用いて、前記のCNT分散液を塗布し、乾燥させた。これにより、樹脂層(1)上に厚み1.5μmの導電層が形成されて、透明導電性フィルム(c)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(c)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、1000Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(c)を、上述した方法で評価した。
[実施例4.銀粒子を用いた例]
 金属粒子として銀ナノ粒子を含む導電層形成用組成物としての銀インク(シグマ-アルドリッチ ジャパン製「Silver Nanoparticle Ink」)を用意した。
 製造例1で製造した樹脂層(1)上に、バーコーターを用いて、前記の銀インクを塗布し、120℃で60秒間乾燥させた。これにより、樹脂層(1)上に厚み0.7μmの導電層が形成されて、透明導電性フィルム(d)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(d)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、300Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(d)を、上述した方法で評価した。
[実施例5.導電性金属酸化物を用いた例]
 基材として、厚み50μmのシクロオレフィンポリマーフィルム(日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム ZF16-50」。以下、「COPフィルム」ということがある。)を用意した。フィルム巻き取り式マグネトロンスパッタリング装置を用いてスパッタリングを行って、前記のCOPフィルム上に導電層としてITO層を形成して、COPフィルム及びITO層を含む複層フィルムを得た。前記のスパッタリングは、ターゲットとして酸化スズ及び酸化インジウムを焼成したものを用いて、アルゴン(Ar)流量150sccm、酸素(O)流量10sccm、出力4.0kW、真空度0.3Pa、フィルム搬送速度0.5m/minの条件で行った。ここで、「sccm」は、気体の流量の単位であり、1分間当たりに流れる気体の量を、その気体が25℃、1atmである場合の体積(cm)で示す。
 得られた複層フィルムのITO層側の面と、製造例1で製造した樹脂層(1)とを熱ラミネート法(温度100℃、搬送速度1m/min、圧力0.4MPa)によって貼り合わせた。その後、COPフィルムを剥離して、樹脂層(1)及び厚み30nmのITO層を備える透明導電性フィルム(e)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(e)のITO層の表面抵抗値を測定したところ、150Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(e)を、上述した方法で評価した。
[実施例6]
 樹脂層(1)の代わりに、製造例2で製造した樹脂層(2)を用いたこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、透明導電性フィルム(f)を製造した。
 得られた透明導電性フィルム(f)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(f)を、上述した方法で評価した。
[実施例7]
 樹脂層(1)の代わりに、製造例3で製造した樹脂層(3)を用いたこと以外は、実施例5と同じ操作を行って、透明導電性フィルム(g)を製造した。
 得られた透明導電性フィルム(g)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、150Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(g)を、上述した方法で評価した。
 さらに、得られた透明導電性フィルム(g)のヘイズを、ヘイズメーター(日本電色株式会社製「NDH-4000」)を用いて、JIS K 7136に基づき測定した結果、0.5%であった。
[比較例1]
 樹脂層(1)の代わりに、ポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製「U-34」、厚み50μm、25℃における貯蔵弾性率4000MPa)を用いたこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、透明導電性フィルム(g)を製造した。
 得られた透明導電性フィルム(g)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(g)を、上述した方法で評価した。
[比較例2]
 樹脂層(1)の代わりに、ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポン社製「Q65HA」、厚み50μm、25℃における貯蔵弾性率5000MPa)を用いたこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、透明導電性フィルム(h)を製造した。
 得られた透明導電性フィルム(h)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(h)を、上述した方法で評価した。
[比較例3]
 樹脂層(1)の代わりに、ポリカーボネートフィルム(帝人デュポン社製「ピュアエース」、厚み50μm、25℃における貯蔵弾性率1300MPa)を用いたこと以外は、実施例1と同じ操作を行って、透明導電性フィルム(i)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(i)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(i)を、上述した方法で評価した。
[比較例4]
 離型基材と、この離型基材上に設けられた感圧性粘着剤(日東電工社製「CS9621」)の層とを備える粘着フィルム(日東電工社製、粘着剤の層の厚み20μm、粘着剤の層の25℃における貯蔵弾性率1Mpa、剥離基材の厚み50μm)を用意した。
 前記の粘着フィルムの粘着剤の層上に、バーコーター(安田精機製作所製)を用いて、実施例1で製造したコーティング組成物を塗布し、乾燥器を用いて100℃で1分間、加熱処理を施した。これにより、粘着剤の層上に導電層が形成された。その後、剥離基材を剥離して、粘着剤の層及び導電層を備える透明導電性フィルム(j)を得た。
 得られた透明導電性フィルム(j)の導電層の表面抵抗値を測定したところ、450Ω/sq.であった。この透明導電性フィルム(j)を、上述した方法で評価した。
[結果]
 前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称の意味は、下記のとおりである。
 PET:ポリエチレンテレフタレートフィルム。
 PEN:ポリエチレンナフタレートフィルム。
 PC:ポリカーボネートフィルム。
 PSA:感圧性粘着剤の層。
 貯蔵弾性率:25℃における樹脂層の貯蔵弾性率。
 曲げ弾性率:25℃における樹脂層の曲げ弾性率。
 CNT:カーボンナノチューブ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
[検討]
 前記の実施例及び比較例に示すように、25℃において所定範囲の貯蔵弾性率を有する樹脂層と、所定範囲の表面抵抗値を有する導電層とを組み合わせた導電性フィルムは、当該導電性フィルムを曲げても、導電層の表面抵抗値が上昇し難く、且つ、白化等の外観変化を生じ難い。したがって、前記の実施例及び比較例の結果から、本発明によれば導電性及び耐屈曲性の両方に優れる導電性フィルムを実現できることが確認できた。
[参考例1]
 (樹脂層Aの製造)
 製造例1で得られたトリブロック共重合体水素化物のアルコキシシリル変性物(ia1-s)のペレット46.15gと、水素化ポリブテン(日油株式会社製「10SH」)13.85gを、シクロヘキサン140g中へ溶解し、樹脂溶液を得た。
 得られた樹脂溶液を、厚み50μmの離型PETフィルム(三菱樹脂株式会社製「MRV38」)上へ、スリットコーターを用いて塗工し、120℃3分で乾燥させて、離型PETフィルム上に厚み20μmの樹脂層Aを形成した。その後、離型PETフィルムを剥離し、単体のフィルムとして厚み20μmの樹脂層Aを得た。
 (折り返し試験による樹脂層Aの耐折り曲げ性の評価1)
 樹脂層Aに対して、屈曲性試験機(ユアサシステム機器社製「TCDM111LHA」)を用いて、曲率半径2.5mmでの折り返し操作を20万回行った。
 その後、樹脂層Aの目視観察を行った。観察の結果、折り曲げ箇所の外観の変化が全く無い事を確認した。
 (折り返し試験による樹脂層Aの耐折り曲げ性の評価2)
 樹脂層Aに対して、屈曲性試験機(ユアサシステム機器社製「DLDM111LHA」)を用いて、間隙4mmでの折り返し操作を20万回行った。
 その後、樹脂層Aの目視観察を行った。観察の結果、折り曲げ箇所の外観の変化が全く無い事を確認した。
 10,20、30及び40 導電性フィルム
 110 樹脂層
 120及び140 導電層
 130及び150 支持体層

Claims (4)

  1.  樹脂層と導電層とを含み、
     25℃における前記樹脂層の貯蔵弾性率が、10MPaより大きく、且つ、1000MPa未満であり、
     前記導電層の表面抵抗値が、1000Ω/sq.以下である、導電性フィルム。
  2.  25℃における前記樹脂層の曲げ弾性率が、500MPa以下である、請求項1記載の導電性フィルム。
  3.  前記樹脂層が、ブロック共重合体水素化物のアルコキシシリル基変性物[3]を含み、
     前記アルコキシシリル基変性物[3]が、ブロック共重合体[1]の主鎖及び側鎖の炭素-炭素不飽和結合及び芳香環の炭素-炭素不飽和結合を水素化した水素化物[2]のアルコキシシリル基変性物であり、
     前記ブロック共重合体[1]は、芳香族ビニル化合物単位を含有する、前記ブロック共重合体[1]1分子あたり2個以上の重合体ブロック[A]と、鎖状共役ジエン化合物単位を含有する、前記ブロック共重合体[1]1分子あたり1個以上の重合体ブロック[B]とを有し、
     前記ブロック共重合体[1]の全体に占める前記重合体ブロック[A]の重量分率wAと、前記ブロック共重合体[1]の全体に占める前記重合体ブロック[B]の重量分率wBとの比(wA/wB)が、20/80~60/40である、請求項1又は2記載の導電性フィルム。
  4.  前記導電層が、金属、導電性ナノワイヤ及び導電性ポリマーからなる群より選ばれる少なくとも1種類の導電材料を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の導電性フィルム。
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