[go: up one dir, main page]

WO2017077930A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

極端紫外光生成装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017077930A1
WO2017077930A1 PCT/JP2016/081825 JP2016081825W WO2017077930A1 WO 2017077930 A1 WO2017077930 A1 WO 2017077930A1 JP 2016081825 W JP2016081825 W JP 2016081825W WO 2017077930 A1 WO2017077930 A1 WO 2017077930A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser beam
pulse laser
actuator
optical path
light generation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/081825
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
隆之 薮
阿部　保
憲一 宮尾
阿部　徹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2017548726A priority Critical patent/JP6715259B2/ja
Publication of WO2017077930A1 publication Critical patent/WO2017077930A1/ja
Priority to US15/953,774 priority patent/US10102938B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0086—Optical arrangements for conveying the laser beam to the plasma generation location
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383—Parallel arrangements
    • H01S3/2391—Parallel arrangements emitting at different wavelengths

Definitions

  • This disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • the EUV light generation apparatus includes an LPP (Laser Produced Plasma) type device that uses plasma generated by irradiating a target material with pulsed laser light, and a DPP (Discharge Produced Plasma) that uses plasma generated by discharge. ) Type devices and SR (Synchrotron Radiation) type devices using synchrotron radiation light have been proposed.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus is configured to irradiate a secondary target in a predetermined region with a first pulsed laser beam for irradiating the target in a predetermined region to generate a secondary target
  • a second pulsed laser beam for generating plasma a chamber having a window for incidence, a mirror for reflecting the first pulsed laser beam, and a first actuator for controlling the position or posture of the mirror
  • a beam combiner that outputs the first pulsed laser beam reflected by the mirror and the second pulsed laser beam with substantially the same optical path, and the first pulsed laser beam output from the beam combiner and the first pulsed laser beam.
  • a second optical system for controlling the position or posture of the reflection optical system;
  • a plurality of sensors for outputting detection data for detecting the optical path position in the vicinity of the predetermined region of the first pulse laser beam, and the first actuator based on the detection data,
  • a controller that controls the second actuator based on the control value of the actuator.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • FIG. 3 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • FIG. 4A shows a temporal transition of EUV light energy when the laser beam focusing optical system actuator 84 is not controlled in the EUV light generation system shown in FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 4B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 4A.
  • FIG. 4A shows a temporal transition of EUV light energy when the laser beam focusing optical system actuator 84 is not controlled in the EUV light generation system shown in FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 4B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 4A
  • FIG. 5A shows a temporal transition of EUV light energy when the laser beam focusing optical system actuator 84 is controlled in the EUV light generation system shown in FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 5B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 5A.
  • FIG. 6 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of optical path adjustment by the EUV light generation controller 5 shown in FIG.
  • FIG. 8 shows temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p when the optical path is not adjusted in the first embodiment. Further, FIG.
  • FIG. 8 also shows temporal transition of the optical path position and the optical path adjustment range accompanying the optical path adjustment by the high-speed actuator 411 and the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • FIG. 9A shows a temporal transition of EUV light energy when the high-speed actuator 411 and the laser light focusing optical system actuator 84 are controlled in the EUV light generation system shown in FIG.
  • FIG. 9B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 9A.
  • FIG. 10 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 12A to 12I are diagrams for explaining the principle of calculating the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the prepulse laser light based on the image of the target immediately after being irradiated with the prepulse laser light.
  • FIG. 13 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 15 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the control unit.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may further include an EUV light generation control unit 5 and a target sensor 4.
  • the target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other.
  • a wall 291 in which an aperture is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical system for defining the traveling direction of the pulse laser beam and an actuator for adjusting the arrangement, posture, and the like of the optical system.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 passes through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enters the chamber 2. May be.
  • the pulse laser beam 32 may travel along the at least one laser beam path into the chamber 2, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 in the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulse laser beam 33 is turned into plasma, and radiation light 251 can be emitted from the plasma.
  • the EUV collector mirror 23 may reflect the EUV light included in the emitted light 251 with a higher reflectance than light in other wavelength ranges.
  • the reflected light 252 including the EUV light reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. Further, the EUV light generation control unit 5 may be configured to control the timing at which the target 27 is output, the output direction of the target 27, and the like, for example. Further, the EUV light generation control unit 5 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 3, the traveling direction of the pulse laser light 32, the condensing position of the pulse laser light 33, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • FIGS. 2 and 3 schematically illustrate a configuration of an EUV light generation system according to a comparative example of the present disclosure.
  • the output direction of the EUV light may be the Z direction.
  • the direction opposite to the target output direction may be the Y direction.
  • the direction perpendicular to both the Z direction and the Y direction may be the X direction.
  • FIG. 2 shows the EUV light generation system viewed from the position in the ⁇ X direction in the X direction.
  • FIG. 3 shows the EUV light generation system viewed from the position in the Z direction in the ⁇ Z direction.
  • the definition of the coordinate system is not limited to this.
  • the Y direction may be inclined with respect to the output direction of the target.
  • the target supply unit 26 may be disposed so as to penetrate the through hole 2b formed in the wall surface of the chamber 2a. Sealing means (not shown) may be disposed between the wall surface of the chamber 2a around the through hole 2b and the target supply unit 26. The space between the wall surface of the chamber 2a around the through hole 2b and the target supply unit 26 may be sealed by the sealing means.
  • the target supply unit 26 may store the melted target material inside.
  • the target material may be pressurized by an inert gas supplied into the target supply unit 26.
  • the target supply unit 26 may have an opening (not shown) located inside the chamber 2a.
  • An excitation device (not shown) may be disposed near the opening of the target supply unit 26.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 in accordance with a control signal output from the EUV light generation control unit 5.
  • the laser device 3 may include a pre-pulse laser 3p and a main pulse laser 3m.
  • the prepulse laser 3p may be configured to output the prepulse laser beam 31p in accordance with a control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the main pulse laser 3m may be configured to output the main pulse laser beam 31m in accordance with a control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the wavelength of the main pulse laser beam 31m may be longer than the wavelength of the pre-pulse laser beam 31p.
  • the energy of the main pulse laser beam 31m may be larger than the energy of the pre-pulse laser beam 31p.
  • the pre-pulse laser beam 31p may correspond to the first pulse laser beam in the present disclosure.
  • the main pulse laser beam 31m may correspond to the second pulse laser beam in the present disclosure.
  • the laser beam traveling direction control unit 34a disposed outside the chamber 2a may include high reflection mirrors 341 and 342.
  • the high reflection mirrors 341 and 342 may be disposed in the optical path of the prepulse laser beam 31p output from the prepulse laser 3p.
  • the high reflection mirror 341 may be supported by the holder 343.
  • the high reflection mirror 342 may be supported by the holder 344.
  • the high reflection mirrors 341 and 342 may be configured to sequentially reflect the prepulse laser beam 31p.
  • the laser beam traveling direction control unit 34a may further include high reflection mirrors 345 and 346.
  • the high reflection mirrors 345 and 346 may be disposed in the optical path of the main pulse laser beam 31m output from the main pulse laser 3m.
  • the high reflection mirror 345 may be supported by the holder 347.
  • the high reflection mirror 346 may be supported by the holder 348.
  • the high reflection mirrors 345 and 346 may be configured to sequentially reflect the main pulse laser beam 31m.
  • the laser beam traveling direction control unit 34a may further include a beam combiner module 40.
  • the beam combiner module 40 may include highly reflective mirrors 405 and 406 and a beam combiner 409.
  • the high reflection mirror 405 may be disposed in the optical path of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 346.
  • the high reflection mirror 405 may be supported by the holder 407.
  • the high reflection mirror 405 may be configured to reflect the main pulse laser beam 31m.
  • the beam combiner 409 may be disposed at a position where the optical path of the pre-pulse laser beam 31p reflected by the high reflection mirror 342 and the optical path of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 405 intersect.
  • the position where the optical paths intersect is not limited to the case where the central axes of the optical paths intersect, but refers to the position where at least a part of the optical paths defined by the beam widths of the two laser beams intersect.
  • the beam combiner 409 may be supported by the holder 410.
  • the beam combiner 409 may be configured so that the central axes of the optical paths of the pre-pulse laser beam 31p and the main pulse laser beam 31m substantially coincide.
  • the high reflection mirror 406 may be disposed in the optical path of the pre-pulse laser beam 31p and the main pulse laser beam 31m output from the beam combiner 409.
  • the high reflection mirror 406 may be supported by the holder 408.
  • the high reflection mirror 406 may be configured to reflect the pre-pulse laser beam 31p and the main pulse laser beam 31m toward the inside of the chamber 2a.
  • the pre-pulse laser beam 31p reflected by the high reflection mirror 406 and the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 406 may be collectively referred to as pulse laser beam 32.
  • a laser light condensing optical system 22a In the chamber 2a, there are a laser light condensing optical system 22a, an EUV condensing mirror holder 81, a plate 82 and a plate 83, and a laser light condensing optical system actuator 84. And may be provided.
  • the plate 82 may be fixed to the chamber 2a.
  • the EUV collector mirror 23 may be fixed to the plate 82 via an EUV collector mirror holder 81.
  • the plate 83 may be supported by the plate 82 via a laser beam condensing optical system actuator 84.
  • the laser beam condensing optical system 22 a may include an off-axis paraboloid convex mirror 221 and an elliptical concave mirror 222.
  • the off-axis paraboloid convex mirror 221 may be supported by the holder 223.
  • the ellipsoidal concave mirror 222 may be supported by the holder 224.
  • the holders 223 and 224 may be fixed to the plate 83.
  • the laser beam condensing optical system actuator 84 may be capable of changing the position of the plate 83 relative to the plate 82 in accordance with a control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the off-axis paraboloid convex mirror 221 may be a mirror having a convex surface of the rotating paraboloid as a reflection surface.
  • the off-axis paraboloid convex mirror 221 may be arranged such that the axis of the rotary paraboloid is substantially parallel to the central axis of the optical path of the pulsed laser light 32 incident on the off-axis paraboloid convex mirror 221. .
  • the elliptical concave mirror 222 may be a mirror having a concave surface of the spheroid as a reflecting surface.
  • the ellipsoidal concave mirror 222 may have a first focus and a second focus.
  • the elliptical concave mirror 222 may be arranged so that the focal point of the off-axis paraboloidal convex mirror 221 and the first focal point of the elliptical concave mirror 222 substantially coincide.
  • the second focal point of the ellipsoidal concave mirror 222 may be located in the plasma generation region 25.
  • EUV light sensors 70c to 70e may be attached to the wall surface of the chamber 2a.
  • the EUV light sensors 70c to 70e may be directed to the plasma generation region 25, respectively.
  • the EUV light sensors 70c and 70d may be arranged at positions that are mirror images of each other across a virtual plane that is parallel to the XZ plane and passes through the plasma generation region 25.
  • the EUV light sensors 70d and 70e may be arranged at positions that are mirror images of each other across an imaginary plane that is parallel to the YZ plane and passes through the plasma generation region 25.
  • the EUV light sensor 70c may include an energy measurement unit 71c, an EUV light transmission filter 72c, and a housing 73c.
  • the energy measuring unit 71c and the EUV light transmission filter 72c may be accommodated in the housing 73c.
  • the components of the EUV light sensors 70d and 70e may be the same as the components of the EUV light sensor 70c. However, the constituent elements of the EUV light sensor 70d are illustrated with “d” at the end of each symbol, and the constituent elements of the EUV light sensor 70e are illustrated with “e” at the end of each symbol.
  • the target material pressurized by the inert gas may be output through the opening.
  • the target material may be separated into a plurality of droplets by applying vibration to the target supply unit 26 by the above-described vibration device. Each droplet may move as a target 27 along a trajectory from the target supply unit 26 to the plasma generation region 25.
  • the pre-pulse laser beam 31p output from the pre-pulse laser 3p and the main pulse laser beam 31m output from the main pulse laser 3m pass through the laser beam traveling direction control unit 34a as the pulse laser beam 32. It may be guided to the laser beam condensing optical system 22a.
  • the pulse laser beam 32 may be expanded by being reflected by an off-axis paraboloid convex mirror 221 included in the laser beam focusing optical system 22a.
  • the pulsed laser light 32 reflected by the off-axis paraboloidal convex mirror 221 may be reflected by the ellipsoidal concave mirror 222 and focused on the plasma generation region 25 as the pulsed laser light 33.
  • the pulse laser beam 33 may include a pre-pulse laser beam 31p and a main pulse laser beam 31m.
  • the pre-pulse laser beam 31p may be irradiated to the target 27 at the timing when one target 27 reaches the plasma generation region 25.
  • the target 27 irradiated with the prepulse laser beam 31p may expand or diffuse to become a secondary target.
  • the secondary target may be irradiated with the main pulse laser beam 31m at a timing when the secondary target expands or diffuses to a desired size.
  • the secondary target irradiated with the main pulse laser beam 31m may be turned into plasma, and radiation light 251 including EUV light may be emitted from the plasma.
  • Each of the EUV light sensors 70c to 70e may detect the energy of EUV light emitted from the plasma and reaching each of the EUV light sensors 70c to 70e.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the EUV center of gravity position as follows based on the energy of the EUV light detected by the EUV light sensors 70c to 70e.
  • the “center of gravity” can mean the point of action of the resultant force of gravity acting on each part of the object.
  • the EUV barycentric position is one of the indices reflecting the laser optical path position, and may be one piece of information used for controlling the laser optical path position.
  • the EUV centroid position is a spatial position calculated from a plurality of observation values obtained by observing electromagnetic waves including light radiated from plasma with a plurality of sensors observing from different positions. obtain.
  • the energy of EUV light detected in each of the EUV light sensors 70c to 70e may be different depending on the distance from the EUV center of gravity position to each of the EUV light sensors 70c to 70e. For example, when the energy of the EUV light detected by the EUV light sensors 70c and 70d is E1 and E2, respectively, and the energy E2 is larger than the energy E1, the EUV center of gravity position is closer to the EUV light sensor 70d than the EUV light sensor 70c. May be considered close. It may be considered that the larger the difference between the energy E1 and the energy E2, the greater the difference between the distance from the EUV gravity center position to the EUV light sensor 70c and the distance from the EUV gravity center position to the EUV light sensor 70d.
  • the EUV gravity center position in the Y direction may be calculated based on the difference between the EUV light energy E1 and E2 detected by the EUV light sensors 70c and 70d. Further, the EUV gravity center position in the X direction may be calculated based on the difference between the EUV light energy E2 and E3 detected by the EUV light sensors 70d and 70e.
  • the position of the center of gravity of the plasma in the Y direction may be calculated by the equation (E1-E2) / (E1 + E2).
  • the barycentric position of the plasma in the X direction may be calculated by the equation (E2-E3) / (E2 + E3).
  • FIG. 4A shows a temporal transition of EUV light energy when the laser light focusing optical system actuator 84 is not controlled in the EUV light generation system shown in FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 4B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 4A.
  • the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulsed laser light may be estimated from the above-described calculation result of the EUV centroid position. Further, this optical path position may be represented by an optical path position in the X direction and an optical path position in the Y direction.
  • the EUV light generation system pauses output of EUV light between a burst period in which EUV light is output at a high repetition frequency and a plurality of burst periods based on a control signal from the exposure apparatus.
  • the pause period to be performed may be alternately repeated.
  • One burst period may correspond to a period during which one chip area of a semiconductor wafer including a plurality of chip areas is exposed.
  • the rest period is a period in which the position of the semiconductor wafer is moved by driving a wafer stage (not shown) so that one chip area of the semiconductor wafer is exposed to a position where another chip area can be exposed. It may correspond.
  • the suspension period may correspond to a period in which the semiconductor wafer set on the wafer stage is replaced with another semiconductor wafer.
  • the optical elements included in the laser beam traveling direction control unit 34a, the laser beam focusing optical system 22a, and the like can be heated by the energy of the pulsed laser beam.
  • the optical element can be deformed when heated and change the optical path of the pulsed laser beam.
  • FIG. 4B when the laser beam condensing optical system actuator 84 is not controlled, the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulsed laser beam changes and can gradually move away from the original position.
  • the irradiation position of the pulse laser beam on the target 27 can change. Thereby, the position where the plasma is generated changes, and the EUV center of gravity position can also change.
  • the optical path position of the pulse laser beam is controlled by controlling the laser beam focusing optical system actuator 84 so that the EUV barycentric position is stabilized based on the EUV barycentric position. May be adjusted.
  • FIG. 5A shows a temporal transition of EUV light energy when the laser beam focusing optical system actuator 84 is controlled in the EUV light generation system shown in FIGS. 2 and 3.
  • FIG. 5B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pulse laser beam in the case shown in FIG. 5A.
  • the laser beam condensing optical system actuator 84 may be controlled for each pause period. Thereby, even if it repeats many burst periods and idle periods, the energy of EUV light can be stabilized over a long period of time.
  • the entire plate 83 to which the optical elements included in the laser beam focusing optical system 22 a are fixed can be moved by the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the optical element included in the laser beam condensing optical system 22a is attached with a cooling device for suppressing deformation due to heating, or at least a part of a refrigerant flow path, and may have a relatively large weight. For this reason, it may be difficult to move the optical path of the pulsed laser light at high speed by the laser light focusing optical system actuator 84. In particular, the fluctuation speed of the optical path position within the burst period may greatly exceed the adjustment speed of the optical path position by the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the resonance frequency when the entire plate 83 to which the optical element is fixed is driven by the laser beam focusing optical system actuator 84 can be about 10 Hz.
  • the response speed of the laser beam condensing optical system actuator 84 can be about 100 mS.
  • the optical path position within the burst period can vary by several mS.
  • the optical path position of the pulse laser beam can vary within each burst period. For this reason, as shown in FIG. 5A, it may be difficult to stabilize the energy of the EUV light within each burst period.
  • the optical path of the pulse laser beam is similarly controlled at high speed even when the optical path of the pulse laser beam is controlled within the burst period. Similar problems can arise because it can be difficult to move.
  • a high-reflection mirror with a high-speed actuator may be disposed in the optical path of the pre-pulse laser beam, and this high-speed actuator may be controlled based on the EUV barycentric position.
  • FIG. 6 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the high reflection mirror 401 and the high reflection mirror 402 may be arranged in the optical path of the pre-pulse laser beam 31p before being combined with the optical path of the main pulse laser beam 31m by the beam combiner 409.
  • the high reflection mirror 401 may be supported by the holder 403.
  • the high reflection mirror 402 may be supported by the holder 404.
  • the postures of the high reflection mirror 402 and the holder 404 may be changeable by the high speed actuator 411.
  • the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p may be adjustable.
  • the high-speed actuator 411 may be controlled by the EUV light generation controller 5.
  • the high-speed actuator 411 may correspond to the first actuator in the present disclosure.
  • the laser beam condensing optical system actuator 84 described above may correspond to the second actuator in the present disclosure. About another point, it may be the same as that of the structure of the comparative example demonstrated referring FIG.2 and FIG.3.
  • the condensing diameter of the pre-pulse laser beam 31p by the laser beam condensing optical system 22a may be smaller than the condensing diameter of the main pulse laser beam 31m by the laser beam condensing optical system 22a. Therefore, increasing the accuracy of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p increases the energy of the EUV light than increasing the accuracy of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the main pulse laser beam 31m. It is easy to contribute to stabilization.
  • the energy of the pre-pulse laser beam 31p may be smaller than the energy of the main pulse laser beam 31m. Therefore, it is not necessary to attach a cooling device to the high reflection mirror 402 and the holder 404 arranged in the optical path of the prepulse laser beam 31p. Thereby, the weight of the high reflection mirror 402 and the holder 404 can be reduced, and the resonance frequency can be increased. Therefore, the response speed of the high speed actuator 411 can be increased.
  • the resonance frequency of the high-speed actuator 411 to which the high reflection mirror 402 and the holder 404 are attached may be about 1 kHz, for example. In this case, the response speed of the high speed actuator 411 may be 0.5 mS or more and 10 mS or less. Furthermore, 1 mS or more and 3 mS or less may be sufficient.
  • the response speed of the laser beam focusing optical system actuator 84 may be slower than the response speed of the high speed actuator 411.
  • the optical path adjustment range by the laser beam condensing optical system actuator 84 may be larger than the optical path adjustment range by the high-speed actuator 411. Therefore, the laser beam focusing optical system actuator 84 may be adjusted at a low speed while the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p is adjusted at a high speed by the high-speed actuator 411. Thereby, the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p can be adjusted in a range wider than the optical path adjustment range by the high-speed actuator 411.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a processing procedure of optical path adjustment by the EUV light generation controller 5 shown in FIG.
  • the EUV light generation controller 5 may control the high-speed actuator 411 and the laser light focusing optical system actuator 84 by the following processing.
  • the EUV light generation controller 5 may initialize some parameters. For example, the EUV light generation controller 5 may set the value of the number n1 of detection data acquisition times by the EUV light sensors 70c to 70e to 1. Further, the EUV light generation control unit 5 may set the value of the driving frequency n2 of the high-speed actuator 411 to 1.
  • the EUV light generation controller 5 may acquire energy data respectively detected by the EUV light sensors 70c to 70e.
  • the EUV light generation controller 5 may store the energy data respectively detected by the EUV light sensors 70c to 70e in the storage device in association with the value of the data acquisition count n1.
  • the storage device may be a memory 1002 described later.
  • the EUV light generation controller 5 may update the value of the data acquisition count n1 by adding 1 to the value of the data acquisition count n1.
  • the EUV light generation controller 5 may determine whether or not the value of the data acquisition count n1 exceeds a predetermined value N1.
  • the predetermined value N1 may be an energy acquisition count for calculating an average value of the EUV light energy.
  • the EUV light generation controller 5 returns the process to S102 described above and repeats the process such as the acquisition of energy data. Good.
  • the EUV light generation controller 5 may advance the process to S105.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the values of the average energies E1, E2, and E3 corresponding to the EUV light sensors 70c, 70d, and 70e, respectively. This calculation may be performed based on energy data for N1 times respectively measured by the EUV light sensors 70c, 70d, and 70e.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the EUV gravity center position based on the values of the average energies E1, E2, and E3.
  • the EUV centroid position may be represented by a centroid position Cent X in the X direction and a centroid position Cent Y in the Y direction.
  • Set value of the control signal applied to the high speed actuator 411 may include a Y-direction of the setting value SV Y.
  • the set value SV X in the X direction may be calculated as follows.
  • ⁇ X Cent targetX -Cent X
  • SV X Kp X ⁇ ⁇ X + Ki X ⁇ I X ( ⁇ X )
  • delta X may be a deviation between the target position Cent targetX and EUV centroid position Cent X of EUV centroid.
  • the set value SV X is a set value that is input to the control target in the PI control.
  • the product of the proportional gain Kp X and the deviation ⁇ X is the product of the integral gain Ki X and the integral term I X ( ⁇ X ). May be added.
  • the setting value SV Y in the Y direction may be calculated as follows. However, all subscripts X may be replaced with Y.
  • the EUV light generation control unit 5 may calculate the position of the high speed actuator 411 based on the set values SV X and SV Y of the control signal given to the high speed actuator 411.
  • Position of the high-speed actuator 411 is set to the position M X in the X direction may be represented by the position M Y in the Y direction.
  • the positions M X and M Y of the high speed actuator 411 may be calculated as follows.
  • M X M X + SV X ⁇ ⁇ X
  • M Y M Y + SV Y ⁇ ⁇ Y
  • each of ⁇ X and ⁇ Y may be a characteristic parameter of the high-speed actuator 411.
  • the EUV light generation controller 5, the position M X and M Y of fast actuator 411, in association with the value of the drive number n2 of fast actuator 411, may be stored in the storage device.
  • the storage device may be a memory 1002 described later.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit a control signal to the fast actuator 411 by using the setting value SV X and SV Y.
  • the EUV light generation controller 5 may return the value of the data acquisition count n1 to 1. Further, the EUV light generation control unit 5 may update the value of the driving frequency n2 of the high-speed actuator 411 by adding 1 to the value of the driving frequency n2 of the high-speed actuator 411.
  • the EUV light generation controller 5 may determine whether or not the value of the driving frequency n2 of the high-speed actuator 411 exceeds a predetermined value N2.
  • the predetermined value N2 may be the number of times of driving the high speed actuator 411 for calculating the average position of the high speed actuator 411. If the value of the number of times of driving n2 of the high-speed actuator 411 does not exceed the predetermined value N2 (S110: NO), the EUV light generation control unit 5 returns the process to S102 described above to acquire energy data and the high-speed actuator 411. Processing such as driving may be repeated.
  • the EUV light generation controller 5 may advance the process to S111.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate a set value of a control signal to be given to the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the set value of the control signal given to the laser beam focusing optical system actuator 84 may not be calculated directly based on the EUV barycentric position.
  • the set value of the control signal given to the laser beam focusing optical system actuator 84 may be calculated based on the control value of the high speed actuator 411.
  • Set value of the control signal supplied to the laser beam focusing optical system actuator 84, the center position S targetX and S targetY the movable range of the high-speed actuator 411, the position M X and M of N2 times the fast actuator 411 calculated in S107 Y may be calculated based on Y.
  • Set value of the control signal supplied to the laser beam focusing optical system actuator 84 includes an X-direction of the set value sv x, it may include a setting value sv y in the Y direction.
  • the set value sv x in the X direction may be calculated as follows.
  • ⁇ x S targetX ⁇ Average (M X )
  • sv x kp x ⁇ ⁇ x + ki x ⁇ i x ( ⁇ x )
  • ⁇ x may be a deviation between the center position S targetX of the movable range of the high speed actuator 411 and the average position Average (M X ) of N2 times of the high speed actuator 411.
  • the set value sv x is, for example, a set value input to a control target in PI control, and is obtained by multiplying the product of the proportional gain kp x and the deviation ⁇ x by the integral gain ki x and the integral term i x ( ⁇ x ). The product may be added.
  • the deviation ⁇ x between the center position S targetX of the movable range of the high speed actuator 411 and the average position Average (M X ) for N2 times of the high speed actuator 411. Can approach 0.
  • the set value sv y in the Y direction may be calculated as follows. However, all subscripts x may be replaced with y.
  • ⁇ y S targetY -Average (M Y )
  • sv y kp y ⁇ ⁇ y + ki y ⁇ i y ( ⁇ y )
  • Position of the laser beam focusing optical system actuator 84 is set to the position S x in the X direction may be represented by the position S y in the Y direction.
  • the positions S x and S y of the laser beam focusing optical system actuator 84 may be calculated as follows.
  • each of ⁇ x and ⁇ y may be a characteristic parameter of the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the EUV light generation controller 5 may transmit a control signal to the laser beam focusing optical system actuator 84 using the set values sv x and sv y .
  • the control signal is transmitted to the laser beam focusing optical system actuator 84
  • the driving of the laser beam focusing optical system actuator 84 may be started.
  • the driving of the laser beam condensing optical system actuator 84 may be slower than the driving of the high speed actuator 411.
  • the EUV light generation controller 5 may return the process to S101 described above. As a result, the EUV light generation controller 5 may return the value of the driving frequency n2 of the high-speed actuator 411 to 1 and repeat the above-described processing. Note that, after the control signal is transmitted to the laser beam focusing optical system actuator 84 in S112 described above, before the driving of the laser beam focusing optical system actuator 84 is completed, based on the energy of the EUV light newly measured. The high speed actuator 411 may be controlled. Therefore, even if the laser beam condensing optical system actuator 84 is driven, the EUV center of gravity position does not deviate significantly from the target positions Cent targetX and Cent targetY .
  • FIG. 8 shows temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p when the optical path is not adjusted in the first embodiment. Further, FIG. 8 also shows temporal transition of the optical path position and the optical path adjustment range accompanying the optical path adjustment by the high-speed actuator 411 and the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • FIG. 8 exemplarily shows only the optical path position in the X direction and the optical path adjustment in the X direction. The optical path position in the X direction is indicated by the position in the X direction from the target position of the EUV center of gravity to the optical path position, where the target position of the EUV center of gravity is 0.
  • the optical path adjustment by the high-speed actuator 411 may be performed every time the EUV energy data is acquired N1 times.
  • Optical path adjustment by the high-speed actuator 411 is indicated by a broken-line arrow.
  • the dashed arrow may indicate the optical path adjustment timing by the high speed actuator 411.
  • the optical path adjustment by the high-speed actuator 411 may be performed with high frequency and high accuracy almost corresponding to the fluctuation of the optical path position.
  • the optical path adjustment range of the high-speed actuator 411 may be relatively narrow.
  • the high-speed actuator 411 may be capable of adjusting the optical path only between the broken line L and the broken line H in FIG.
  • the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84 may be performed every time the high-speed actuator 411 is driven N2 times.
  • the optical path adjustment by the laser beam condensing optical system actuator 84 is indicated by a one-dot chain line arrow.
  • the one-dot chain line arrow may indicate the optical path adjustment timing by the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • the optical path adjustment by the laser beam condensing optical system actuator 84 may be performed at a low frequency or at a low speed. Accordingly, the high-speed actuator 411 may be driven a plurality of times while the laser beam focusing optical system actuator 84 is driven once.
  • the optical path adjustment by the high speed actuator 411 may be performed by subtracting the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84. Therefore, the control amount of the high speed actuator 411 can be small. Further, when the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84 is performed, the optical path adjustment range of the high-speed actuator 411 indicated by the broken line L and the broken line H can be shifted. Thereby, the target position of the EUV center of gravity may be maintained so as to be included in the optical path adjustment range of the high-speed actuator 411. Furthermore, even if the optical path adjustment range by the high-speed actuator 411 is narrow, by combining with the optical path adjustment by the laser beam focusing optical system actuator 84, a wide range of optical path adjustment is possible.
  • FIG. 9A shows a temporal transition of EUV light energy when the high-speed actuator 411 and the laser light focusing optical system actuator 84 are controlled in the EUV light generation system shown in FIG.
  • FIG. 9B shows the temporal transition of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p in the case shown in FIG. 9A.
  • the control of the laser beam condensing optical system actuator 84 is not limited to the pause period but can be performed in the burst period.
  • one target 27 is irradiated with one pre-pulse laser beam and one main pulse laser beam has been described, but the present disclosure is not limited thereto.
  • the present disclosure is not limited thereto.
  • irradiating two or more pre-pulse laser beams and one main pulse laser beam to one target 27, for example, by arranging a high-speed actuator in the optical path of the first pre-pulse laser beam and performing the same control as described above The same effect can be obtained.
  • a case where two prepulse laser beams and one main pulse laser beam are irradiated onto one target 27 will be described later with reference to FIGS. 13 and 14.
  • FIG. 10 schematically illustrates the configuration of an EUV light generation system according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the attitude of the high-reflection mirror 406 and the holder 408 arranged in the optical path of the main pulse laser beam 31m and the pre-pulse laser beam 31p after being combined by the beam combiner 409 can be changed by the mirror actuator 412. It may be.
  • the mirror actuator 412 By controlling the mirror actuator 412, the optical path position of the main pulse laser beam 31m and the pre-pulse laser beam 31p in the vicinity of the plasma generation region 25 may be adjustable.
  • the mirror actuator 412 may be controlled by the EUV light generation controller 5.
  • the mirror actuator 412 may correspond to the second actuator in the present disclosure.
  • the laser beam condensing optical system actuator 84 that is the second actuator in the first embodiment may not be provided in the second embodiment. About another point, it may be the same as that of the structure of 1st Embodiment demonstrated referring FIG.
  • the mirror actuator 412 may be controlled in the same manner as the laser beam condensing optical system actuator 84 in the first embodiment. According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.
  • FIG. 11 schematically illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the third embodiment of the present disclosure.
  • target cameras 80c and 80d may be provided.
  • the target cameras 80c and 80d may be disposed at substantially the same positions as the EUV light sensors 70c and 70d described with reference to FIG.
  • Windows 21c and 21d may be arranged on the wall surface of the chamber 2a at positions where the target cameras 80c and 80d are attached, respectively.
  • the target camera 80c may include an image sensor 74c, a transfer optical system 75c, and a housing 73c.
  • the image sensor 74c and the transfer optical system 75c may be accommodated in the housing 73c.
  • the housing 73c may further accommodate a high-speed shutter (not shown).
  • the components of the target camera 80d may be the same as the components of the target camera 80c. However, the constituent elements of the target camera 80d are illustrated with “d” at the end of each symbol.
  • a light source (not shown) may be provided in the chamber 2a in order to photograph the target.
  • the EUV light sensors 70c to 70e in the first embodiment may not be provided in the third embodiment.
  • a C direction and a D direction that are perpendicular to each other in the XY plane may be defined.
  • the C direction may correspond to the shooting direction of the target camera 80c
  • the D direction may correspond to the shooting direction of the target camera 80d.
  • the target cameras 80c and 80d may photograph the target immediately after being irradiated with the pre-pulse laser beam 31p.
  • the EUV light generation controller 5 determines the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the prepulse laser light 31p based on the image of the target immediately after being irradiated with the prepulse laser light 31p and before being irradiated with the main pulse laser light 31m. May be calculated.
  • the target cameras 80c and 80d may photograph plasma generated by irradiating the target 27 with the pre-pulse laser beam 31p and the main pulse laser beam 31m.
  • the EUV light generation controller 5 may calculate the EUV gravity center position based on the plasma image.
  • 12A to 12I are diagrams for explaining the principle of calculating the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the pre-pulse laser beam 31p based on the target image immediately after being irradiated with the pre-pulse laser beam 31p.
  • 12A to 12C show images obtained by the target camera 80d when the pre-pulse laser beam 31p is irradiated to the target 27 with a shift from the center of the spherical target 27 toward the C direction.
  • 12D to 12F show images obtained by the target camera 80d when the pre-pulse laser beam 31p is applied to the approximate center of the spherical target 27.
  • FIGS. 12B, 12E, and 12H show images obtained by the target camera 80d when the pre-pulse laser beam 31p is irradiated to the target 27 while being shifted toward the ⁇ C direction from the center of the spherical target 27.
  • FIG. 12A, 12D, and 12G show images of the target irradiated with the pre-pulse laser beam 31p.
  • 12B, 12E, and 12H show external images of the target diffused in a dome shape by irradiation with the pre-pulse laser beam 31p.
  • 12C, 12F, and 12I show enlarged images of the diffusion target in the images of FIGS. 12B, 12E, and 12H, respectively.
  • the outline image of the target diffused in a dome shape may include a curved portion F near the Z direction and a substantially straight portion B near the ⁇ Z direction.
  • the external image of the target diffused in a dome shape is substantially symmetric with respect to the Z axis.
  • the substantially straight portion B described above may be substantially perpendicular to the Z direction.
  • FIGS. 12A to 12C when the pre-pulse laser beam 31p is irradiated to the target 27 with a deviation from the center of the target 27 toward the C direction, the above-described substantially straight portion B is in the Z direction.
  • the inclination may be slightly shifted clockwise from the vertical angle.
  • the deviation amount between the pre-pulse laser beam 31p on the C axis and the center of the target 27 may be ⁇ C, and the angle of the portion B with respect to the Z axis may be ⁇ .
  • the above-described substantially straight portion B is in the Z direction.
  • the angle may be slightly shifted counterclockwise from the angle perpendicular to the angle.
  • the relationship between the deviation amount ⁇ C of the prepulse laser beam 31p and the inclination ⁇ of the substantially straight line portion B is measured in advance, and compared with the image data that is actually picked up, thereby the plasma of the prepulse laser beam 31p.
  • the optical path position in the vicinity of the generation area 25 may be calculated. About another point, it may be the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment or 2nd Embodiment.
  • FIG. 13 illustrates a configuration of an EUV light generation system according to the fourth embodiment of the present disclosure. Is shown schematically.
  • the laser device 3 may include a first prepulse laser 3fp, a second prepulse laser 3sp, and a main pulse laser 3m.
  • the first prepulse laser 3fp may be configured to output the first prepulse laser light 31fp in accordance with a control signal output from the EUV light generation controller 5.
  • the second prepulse laser 3sp may be configured to output the second prepulse laser light 31sp in accordance with a control signal output from the EUV light generation control unit 5.
  • the first pre-pulse laser beam 31fp may correspond to the first pulse laser beam in the present disclosure.
  • the second pre-pulse laser beam 31sp and the main pulse laser beam 31m may correspond to a plurality of second pulse laser beams in the present disclosure.
  • the laser beam traveling direction control unit 34a may include a high reflection mirror 349.
  • the beam combiner module 40 included in the laser beam traveling direction control unit 34a may include a beam combiner 413.
  • the high reflection mirror 349 may be disposed in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp output from the first prepulse laser 3fp.
  • the high reflection mirror 349 may be supported by the holder 350.
  • the high reflection mirror 402 may be disposed in the optical path of the first pre-pulse laser beam 31fp reflected by the high reflection mirror 349.
  • the posture of the high reflection mirror 402 may be changeable by the high speed actuator 411.
  • the high reflection mirror 341 may be disposed in the optical path of the second prepulse laser beam 31sp output from the second prepulse laser 3sp.
  • the high reflection mirror 342 may be disposed in the optical path of the second pre-pulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 341.
  • the high reflection mirror 401 may be disposed in the optical path of the second pre-pulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 342.
  • the beam combiner 413 is arranged at a position where the optical path of the first prepulse laser beam 31fp reflected by the high reflection mirror 402 and the optical path of the second prepulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 401 intersect. Also good.
  • the beam combiner 413 may be supported by the holder 414.
  • the beam combiner 413 may be a polarization beam splitter.
  • the polarization direction of the first prepulse laser beam 31fp and the polarization direction of the second prepulse laser beam 31sp may be substantially perpendicular to the surface of the beam combiner 413.
  • the beam combiner 413 may be configured to transmit the first pre-pulse laser beam 31fp with high transmittance and reflect the second pre-pulse laser beam 31sp with high reflectivity.
  • the beam combiner 413 may be configured so that the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp substantially coincide.
  • the beam combiner 409 is a position where the optical paths of the first pre-pulse laser light 31fp and the second pre-pulse laser light 31sp emitted from the beam combiner 413 and the optical path of the main pulse laser light 31m reflected by the high reflection mirror 405 intersect. May be arranged.
  • the beam combiner 409 may be composed of a dichroic mirror.
  • the wavelength of the first prepulse laser beam 31fp and the wavelength of the second prepulse laser beam 31sp may be substantially the same.
  • the wavelength of the main pulse laser beam 31m may be longer than the wavelength of the first prepulse laser beam 31fp and the wavelength of the second prepulse laser beam 31sp.
  • the beam combiner 409 may be configured to reflect the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp with a high reflectance and transmit the main pulse laser beam 31m with a high transmittance.
  • the beam combiner 409 may be configured so that the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp substantially coincide with the central axis of the optical path of the main pulse laser beam 31m. .
  • the beam combiner 413 may correspond to the first beam combiner in the present disclosure.
  • the beam combiner 409 may correspond to the second beam combiner in the present disclosure.
  • the laser beam condensing optical system 22a may be disposed in the optical path of the first pre-pulse laser beam 31fp, the second pre-pulse laser beam 31sp, and the main pulse laser beam 31m emitted from the laser beam traveling direction control unit 34a.
  • the position of the laser beam focusing optical system 22 a may be changeable by the laser beam focusing optical system actuator 84. About another point, it may be the same as that of the structure of 1st Embodiment demonstrated referring FIG.
  • the first pre-pulse laser beam 31fp, the second pre-pulse laser beam 31sp, and the main pulse laser beam 31m pass through the laser beam traveling direction control unit 34a and the laser beam focusing optical system 22a, and then the pulse laser beam 33 May be focused on the plasma generation region 25.
  • the condensing diameter of the first prepulse laser light 31fp by the laser light condensing optical system 22a is the condensing diameter of the second prepulse laser light 31sp by the laser light condensing optical system 22a and the main condensing diameter by the laser light condensing optical system 22a. It may be smaller than the condensed diameter of the pulse laser beam 31m.
  • the condensing diameter of the second pre-pulse laser light 31sp by the laser light condensing optical system 22a may be substantially the same as the condensing diameter of the main pulse laser light 31m by the laser light condensing optical system 22a.
  • the energy of the main pulse laser beam 31m may be larger than the energy of the first prepulse laser beam 31fp and the energy of the second prepulse laser beam 31sp.
  • the pulse time width of the first pre-pulse laser beam 31fp may be shorter than the pulse time width of the second pre-pulse laser beam 31sp and the pulse time width of the main pulse laser beam 31m.
  • the first pre-pulse laser beam 31fp may be irradiated to the target 27 at the timing when one target 27 reaches the plasma generation region 25.
  • the target 27 irradiated with the first pre-pulse laser beam 31fp may expand or diffuse to become a secondary target.
  • the second pre-pulse laser beam 31sp may be irradiated to the secondary target at a timing when the secondary target expands or diffuses to a desired size.
  • the secondary target after irradiation with the second prepulse laser beam 31sp is more dispersed in the fine particles constituting the secondary target than the secondary target before irradiation with the second prepulse laser beam 31sp. The deviation of the fine particles in the inside may be small.
  • the secondary pulse may be irradiated with the main pulse laser beam 31m.
  • the secondary target irradiated with the main pulse laser beam 31m may be turned into plasma, and radiation light 251 including EUV light may be emitted from the plasma.
  • control on the high-speed actuator 411 and control on the laser beam focusing optical system actuator 84 may be performed.
  • control on the mirror actuator 412 may be performed instead of control on the laser beam focusing optical system actuator 84.
  • control based on the image data by the target cameras 80c and 80d may be performed.
  • the control based on the image data may be control based on image data obtained by imaging the secondary target before the second pre-pulse laser beam 31sp is irradiated onto the secondary target.
  • control based on the image data is based on the image data obtained by imaging the secondary target before the main pulse laser beam 31m is irradiated after the second pre-pulse laser beam 31sp is irradiated on the secondary target. There may be.
  • one target 27 is irradiated with the first pre-pulse laser beam 31fp, the second pre-pulse laser beam 31sp, and the main pulse laser beam mp.
  • a high reflection mirror 402 whose posture is controlled by a high speed actuator 411 is arranged in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp. Thereby, the accuracy of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the first pre-pulse laser beam 31fp can be increased.
  • the condensing diameter of the first pre-pulse laser beam 31fp may be smaller than the condensing diameter of the second pre-pulse laser beam 31sp and the condensing diameter of the main pulse laser beam 31m. Therefore, the energy of the EUV light can be stabilized by increasing the accuracy of the optical path position in the vicinity of the plasma generation region 25 of the first pre-pulse laser beam 31fp.
  • the first prepulse laser beam that is first irradiated to the target 27 to generate the secondary target may correspond to the first pulse laser beam in the present disclosure.
  • the second pre-pulse laser beam, the third pre-pulse laser beam, and the main pulse laser beam irradiated on the secondary target may correspond to the plurality of second pulse laser beams in the present disclosure.
  • FIG. 14 schematically illustrates the configuration of an EUV light generation system according to the fifth embodiment of the present disclosure.
  • the laser beam traveling direction control unit 34a may include a beam combiner 351.
  • the beam combiner module 40 included in the laser beam traveling direction control unit 34a may include a beam splitter 415.
  • a high reflection mirror 349 may be disposed in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp output from the first prepulse laser 3fp.
  • the posture of the high reflection mirror 349 and the holder 350 that supports the high reflection mirror 349 may be changeable by an actuator 359.
  • the beam combiner 351 is disposed at a position where the optical path of the first prepulse laser light 31fp reflected by the high reflection mirror 349 and the optical path of the second prepulse laser light 31sp output from the second prepulse laser 3sp intersect. May be.
  • the beam combiner 351 may be supported by the holder 352.
  • the beam combiner 351 may be configured with a polarization beam splitter.
  • the polarization direction of the first prepulse laser beam 31fp and the polarization direction of the second prepulse laser beam 31sp may be substantially perpendicular on the surface of the beam combiner 351.
  • the beam combiner 351 may be configured to reflect the first pre-pulse laser beam 31fp with a high reflectance and transmit the second pre-pulse laser beam 31sp with a high transmittance.
  • the beam combiner 351 may be configured so that the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp substantially coincide.
  • the beam combiner 351 may correspond to the third beam combiner in the present disclosure.
  • An optical sensor may be disposed at any position in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp emitted from the beam combiner 351.
  • This optical sensor may detect the beam position and pointing of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp emitted from the beam combiner 351.
  • the actuator 359 is maintained so that the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp emitted from the beam combiner 351 are substantially matched. May be controlled.
  • a high reflection mirror 341 may be disposed in the optical path of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp emitted from the beam combiner 351.
  • the posture of the high reflection mirror 341 and the holder 343 that supports the high reflection mirror 341 may be changeable by an actuator 353.
  • An optical sensor may be disposed at any position in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 341.
  • This optical sensor may detect the beam position and pointing of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 341.
  • the actuator 353 may be controlled so that the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp are incident on a desired position of the high reflection mirror 342.
  • the high reflection mirror 342 may be disposed in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 341.
  • the posture of the high reflection mirror 342 and the holder 344 that supports the high reflection mirror 342 may be changeable by an actuator 354.
  • An optical sensor (not shown) may be disposed at an arbitrary position in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 342. This optical sensor may detect the beam position and pointing of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 342. Based on the output of the optical sensor, the actuator 354 may be controlled so that the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp enter the desired position of the beam combiner module 40.
  • the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp between the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342 may have a length of several tens of meters.
  • a plurality of high reflection mirrors (not shown) may be disposed in the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp between the high reflection mirror 341 and the high reflection mirror 342.
  • the posture of the high reflection mirror 345 and the holder 347 that supports the high reflection mirror 345 may be changeable by an actuator 357.
  • An optical sensor (not shown) may be disposed at an arbitrary position in the optical path of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 345. This optical sensor may detect the beam position and pointing of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 345. Based on the output of the optical sensor, the actuator 357 may be controlled so that the main pulse laser beam 31m is incident on a desired position of the high reflection mirror 346.
  • the attitude of the high reflection mirror 346 and the holder 348 that supports the high reflection mirror 346 may be changeable by an actuator 358.
  • An optical sensor (not shown) may be disposed at an arbitrary position in the optical path of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 346. This optical sensor may detect the beam position and pointing of the main pulse laser beam 31m reflected by the high reflection mirror 346. Based on the output of this optical sensor, the actuator 358 may be controlled so that the main pulse laser beam 31m is incident on a desired position of the beam combiner module 40.
  • the optical path of the main pulse laser beam 31m between the high reflection mirror 345 and the high reflection mirror 346 may have a length of several tens of meters.
  • a plurality of high reflection mirrors (not shown) may be arranged on the optical path of the main pulse laser beam 31m between the high reflection mirror 345 and the high reflection mirror 346.
  • the above-described actuators 359, 353, 354, 357, and 358 may be controlled by the EUV light generation controller 5.
  • the above-mentioned optical sensor that acquires data for controlling these actuators may be arranged in the beam combiner module 40.
  • the beam splitter 415 may be disposed in the optical path of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 342.
  • the beam splitter 415 may be supported by the holder 416.
  • the beam splitter 415 may be a polarization beam splitter.
  • the beam splitter 415 may be configured to emit the first prepulse laser beam 31fp along the first optical path by reflecting the first prepulse laser beam 31fp with a high reflectance.
  • the beam splitter 415 may be configured to emit the second pre-pulse laser beam 31sp along the second optical path by transmitting the second pre-pulse laser beam 31sp with high transmittance.
  • the high reflection mirror 402 may be disposed in the first optical path of the first pre-pulse laser beam 31fp reflected by the beam splitter 415.
  • the high reflection mirror 401 may be disposed in the second optical path of the second pre-pulse laser beam 31sp that has passed through the beam splitter 415.
  • a beam combiner 413 is arranged at a position where the optical path of the first prepulse laser beam 31fp reflected by the high reflection mirror 402 and the optical path of the second prepulse laser beam 31sp reflected by the high reflection mirror 401 intersect. Also good. About another point, it may be the same as that of the structure of 4th Embodiment demonstrated referring FIG.
  • the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp whose optical axes are substantially aligned by the beam combiner 351 pass through the high-reflection mirror 341 and the high-reflection mirror 342, and then the beam splitter 415. May be incident.
  • the beam splitter 415 may separate the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the optical path of the second prepulse laser beam 31sp.
  • the first pre-pulse laser beam 31fp emitted from the beam splitter 415 may be reflected by the high reflection mirror 402 whose posture is controlled by the high speed actuator 411.
  • the beam combiner 413 may make the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp substantially coincide again. Other points may be the same as the operation of the fourth embodiment.
  • the optical elements from the high reflection mirror 341 to the high reflection mirror 342 can be shared by the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp.
  • the common use of the optical element is particularly preferable when the wavelengths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp are substantially the same.
  • the number of mirrors and other components can be greatly reduced when the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp are transmitted over a long distance.
  • the optical axes of the first prepulse laser beam 31fp and the second prepulse laser beam 31sp are controlled by the actuators 353 and 354.
  • the optical axis control of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp up to the front of the beam combiner module 40 can be made common, and the control can be simplified.
  • the beam splitter 415 separates the optical path of the first prepulse laser beam 31fp and the optical path of the second prepulse laser beam 31sp, so that the optical path position of the first prepulse laser beam 31fp can be accurately adjusted by the high speed actuator 411. Can be controlled. Further, the beam combiner 413 makes the central axes of the optical paths of the first pre-pulse laser beam 31fp and the second pre-pulse laser beam 31sp substantially coincide with each other, thereby condensing these pre-pulse laser beams in the vicinity of the plasma generation region 25. be able to.
  • FIG. 15 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the control unit.
  • the control unit such as the EUV light generation control unit 5 in the above-described embodiment may be configured by a general-purpose control device such as a computer or a programmable controller. For example, it may be configured as follows.
  • the control unit includes a processing unit 1000, a storage memory 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, and D / A connected to the processing unit 1000. And a converter 1040. Further, the processing unit 1000 may include a CPU 1001, a memory 1002 connected to the CPU 1001, a timer 1003, and a GPU 1004.
  • the processing unit 1000 may read a program stored in the storage memory 1005.
  • the processing unit 1000 may execute the read program, read data from the storage memory 1005 in accordance with execution of the program, or store data in the storage memory 1005.
  • the parallel I / O controller 1020 may be connected to devices 1021 to 102x that can communicate with each other via a parallel I / O port.
  • the parallel I / O controller 1020 may control communication using a digital signal via a parallel I / O port that is performed in the process in which the processing unit 1000 executes a program.
  • the serial I / O controller 1030 may be connected to devices 1031 to 103x that can communicate with each other via a serial I / O port.
  • the serial I / O controller 1030 may control communication using a digital signal via a serial I / O port that is performed in a process in which the processing unit 1000 executes a program.
  • the A / D and D / A converter 1040 may be connected to devices 1041 to 104x that can communicate with each other via an analog port.
  • the A / D and D / A converter 1040 may control communication using an analog signal via an analog port that is performed in the process in which the processing unit 1000 executes a program.
  • the user interface 1010 may be configured such that the operator displays the execution process of the program by the processing unit 1000, or causes the processing unit 1000 to stop the program execution by the operator or perform interrupt processing.
  • the CPU 1001 of the processing unit 1000 may perform arithmetic processing of a program.
  • the memory 1002 may temporarily store a program during the course of execution of the program by the CPU 1001 or temporarily store data during a calculation process.
  • the timer 1003 may measure time and elapsed time, and output the time and elapsed time to the CPU 1001 according to execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to the execution of the program and output the result to the CPU 1001.
  • the devices 1021 to 102x connected to the parallel I / O controller 1020 and capable of communicating via the parallel I / O port may be the laser device 3, the exposure device 6, other control units, and the like.
  • the devices 1031 to 103x connected to the serial I / O controller 1030 and capable of communicating via the serial I / O port may be the target supply unit 26, the laser beam focusing optical system actuator 84, the high-speed actuator 411, or the like. Good.
  • the devices 1041 to 104x connected to the A / D and D / A converter 1040 and capable of communicating via analog ports may be various sensors such as the EUV light sensors 70c to 70e. With the configuration as described above, the control unit may be able to realize the operation shown in each embodiment.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

極端紫外光生成装置は、第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光とが入射するためのウインドウを有するチャンバと、第１のパルスレーザ光を反射するミラーと、ミラーの位置又は姿勢を制御する第１のアクチュエータと、ミラーによって反射された第１のパルスレーザ光と第２のパルスレーザ光との光路をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、ビームコンバイナから出力された第１のパルスレーザ光及び第２のパルスレーザ光を、所定の領域に向けて出力する反射光学系と、反射光学系の位置又は姿勢を制御する第２のアクチュエータと、第１のパルスレーザ光の所定の領域の近傍における光路位置を検出するための検出データをそれぞれ出力する複数のセンサと、検出データに基づいて、第１のアクチュエータを制御し、第１のアクチュエータの制御値に基づいて、第２のアクチュエータを制御するコントローラと、を備えてもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１３／００４３４０１号明細書 国際公開第２０１５／０２９１３７号
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、所定の領域においてターゲットに照射されて二次ターゲットを生成するための第１のパルスレーザ光と、所定の領域において二次ターゲットに照射されてプラズマを生成するための第２のパルスレーザ光と、が入射するためのウインドウを有するチャンバと、第１のパルスレーザ光を反射するミラーと、ミラーの位置又は姿勢を制御する第１のアクチュエータと、ミラーによって反射された第１のパルスレーザ光と、第２のパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、ビームコンバイナから出力された第１のパルスレーザ光及び第２のパルスレーザ光を、所定の領域に向けて出力する反射光学系と、反射光学系の位置又は姿勢を制御する第２のアクチュエータと、第１のパルスレーザ光の所定の領域の近傍における光路位置を検出するための検出データをそれぞれ出力する複数のセンサと、検出データに基づいて、第１のアクチュエータを制御し、第１のアクチュエータの制御値に基づいて、第２のアクチュエータを制御するコントローラと、を備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図３は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図４Ａは、図２及び図３に示されるＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御しない場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図４Ｂは、図４Ａに示す場合のパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。 図５Ａは、図２及び図３に示されるＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御した場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図５Ｂは、図５Ａに示す場合のパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。 図６は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図７は、図６に示されるＥＵＶ光生成制御部５による光路調整の処理手順を示すフローチャートである。 図８は、第１の実施形態において光路調整をしない場合のプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。さらに図８は、高速アクチュエータ４１１による光路調整及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整に伴う光路位置および光路調整範囲の時間的な推移も示す。 図９Ａは、図６に示されるＥＵＶ光生成システムにおいて高速アクチュエータ４１１及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御した場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図９Ｂは、図９Ａに示す場合のパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。 図１０は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１２Ａ～図１２Ｉは、プリパルスレーザ光を照射された直後のターゲットの画像に基づいてプリパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を算出する原理について説明する図である。 図１３は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１４は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図１５は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
実施形態
＜内容＞
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　２．１　構成
　　２．１．１　ターゲット供給部
　　２．１．２　レーザ装置
　　２．１．３　レーザ光進行方向制御部
　　２．１．４　レーザ光集光光学系
　　２．１．５　ＥＵＶ光センサ
　２．２　動作
　　２．２．１　ターゲットの出力
　　２．２．２　プラズマの生成
　　２．２．３　ＥＵＶ重心位置の検出
　２．３　課題
３．光路を調整可能なビームコンバイナモジュール
　３．１　構成
　３．２　動作及び作用
　３．３　効果
４．複数のアクチュエータを含むビームコンバイナモジュール
５．複数のターゲットカメラを含むＥＵＶ光生成装置
　５．１　構成
　５．２　動作
６．１つのターゲットに２つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射するＥＵＶ光生成装置
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　効果
７．２つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを長距離伝送するＥＵＶ光生成装置
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　効果
８．制御部の構成
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、パルスレーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
　１．２　動作
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３としてターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
　２．１　構成
　図２及び図３は、本開示の比較例に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。図２及び図３に示されるように、ＥＵＶ光の出力方向をＺ方向としてもよい。ターゲットの出力方向と反対の方向をＹ方向としてもよい。Ｚ方向とＹ方向との両方に垂直な方向をＸ方向としてもよい。図２は－Ｘ方向の位置からＸ方向に見たＥＵＶ光生成システムを示す。図３はＺ方向の位置から－Ｚ方向に見たＥＵＶ光生成システムを示す。座標系の定義はこれに限定されず、例えばターゲットの出力方向に対してＹ方向が傾いていてもよい。
　２．１．１　ターゲット供給部
　ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの壁面に形成された貫通孔２ｂを貫通するように配置されていてもよい。貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面と、ターゲット供給部２６との間には、図示しないシール手段が配置されてもよい。シール手段により、貫通孔２ｂの周囲のチャンバ２ａの壁面とターゲット供給部２６との間が密閉されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、溶融されたターゲットの材料を、内部に貯蔵してもよい。このターゲットの材料は、ターゲット供給部２６の内部に供給される不活性ガスによって加圧されてもよい。ターゲット供給部２６は、チャンバ２ａの内部に位置する図示しない開口部を有してもよい。ターゲット供給部２６の上記開口部付近に、図示しない加振装置が配置されてもよい。ターゲット供給部２６は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プラズマ生成領域２５に向けてターゲット２７を出力するように構成されてもよい。
　２．１．２　レーザ装置
　レーザ装置３は、プリパルスレーザ３ｐと、メインパルスレーザ３ｍとを含んでもよい。プリパルスレーザ３ｐは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プリパルスレーザ光３１ｐを出力するように構成されてもよい。メインパルスレーザ３ｍは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、メインパルスレーザ光３１ｍを出力するように構成されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐの波長よりも、メインパルスレーザ光３１ｍの波長が長くてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐのエネルギーよりも、メインパルスレーザ光３１ｍのエネルギーが大きくてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐは、本開示における第１のパルスレーザ光に相当し得る。メインパルスレーザ光３１ｍは、本開示における第２のパルスレーザ光に相当し得る。
　２．１．３　レーザ光進行方向制御部
　チャンバ２ａの外部に配置されたレーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２を含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、プリパルスレーザ３ｐから出力されるプリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー３４１は、ホルダ３４３によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４２は、ホルダ３４４によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、プリパルスレーザ光３１ｐを順次反射するように構成されていてもよい。
　レーザ光進行方向制御部３４ａは、さらに、高反射ミラー３４５及び３４６を含んでもよい。高反射ミラー３４５及び３４６は、メインパルスレーザ３ｍから出力されるメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー３４５は、ホルダ３４７によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４６は、ホルダ３４８によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４５及び３４６は、メインパルスレーザ光３１ｍを順次反射するように構成されていてもよい。
　レーザ光進行方向制御部３４ａは、さらに、ビームコンバイナモジュール４０を含んでもよい。ビームコンバイナモジュール４０は、高反射ミラー４０５及び４０６と、ビームコンバイナ４０９とを含んでもよい。高反射ミラー４０５は、高反射ミラー３４６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０５は、ホルダ４０７によって支持されていてもよい。高反射ミラー４０５は、メインパルスレーザ光３１ｍを反射するように構成されてもよい。
　ビームコンバイナ４０９は、高反射ミラー３４２によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐの光路と、高反射ミラー４０５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路とが交差する位置に配置されてもよい。光路が交差する位置とは、光路の中心軸が交差する場合に限られず、２つのレーザ光のビーム幅で規定される光路のそれぞれ少なくとも一部が交差する場合に、その交差する位置をいう。ビームコンバイナ４０９は、ホルダ４１０によって支持されていてもよい。ビームコンバイナ４０９は、プリパルスレーザ光３１ｐとメインパルスレーザ光３１ｍの光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されてもよい。
　高反射ミラー４０６は、ビームコンバイナ４０９から出力されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路に配置されてもよい。高反射ミラー４０６は、ホルダ４０８によって支持されてもよい。高反射ミラー４０６は、プリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍを、チャンバ２ａの内部に向けて反射するように構成されてもよい。本明細書においては、高反射ミラー４０６によって反射されたプリパルスレーザ光３１ｐ及び高反射ミラー４０６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍをまとめてパルスレーザ光３２と称することがある。
　２．１．４　レーザ光集光光学系
　チャンバ２ａの内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及びプレート８３と、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４とが設けられてもよい。
　プレート８２は、チャンバ２ａに固定されてもよい。プレート８２には、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してＥＵＶ集光ミラー２３が固定されてもよい。さらに、プレート８２には、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を介して、プレート８３が支持されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面凸面ミラー２２１及び楕円面凹面ミラー２２２を含んでもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、ホルダ２２３によって支持されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、ホルダ２２４によって支持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、プレート８２に対するプレート８３の位置を変更可能であってもよい。
　軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の凸面を反射面とするミラーであってもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１は、回転放物面の軸が、軸外放物面凸面ミラー２２１に入射するパルスレーザ光３２の光路の中心軸とほぼ平行となるように配置されてもよい。
　楕円面凹面ミラー２２２は、回転楕円面の凹面を反射面とするミラーであってもよい。楕円面凹面ミラー２２２は、第１の焦点と第２の焦点を有してもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１の焦点と、楕円面凹面ミラー２２２の第１の焦点とがほぼ一致するように、楕円面凹面ミラー２２２が配置されてもよい。楕円面凹面ミラー２２２の第２の焦点は、プラズマ生成領域２５に位置してもよい。
　２．１．５　ＥＵＶ光センサ
　図３に示されるように、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅが、それぞれチャンバ２ａの壁面に取り付けられてもよい。
　ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、それぞれプラズマ生成領域２５に向けられていてもよい。ＥＵＶ光センサ７０ｃ及び７０ｄは、ＸＺ面に平行でプラズマ生成領域２５を通る仮想の平面を挟んで互いに鏡像となる位置に配置されていてもよい。ＥＵＶ光センサ７０ｄ及び７０ｅは、ＹＺ面に平行でプラズマ生成領域２５を通る仮想の平面を挟んで互いに鏡像となる位置に配置されていてもよい。
　ＥＵＶ光センサ７０ｃは、エネルギー計測部７１ｃと、ＥＵＶ光透過フィルタ７２ｃと、筐体７３ｃと、を含んでもよい。エネルギー計測部７１ｃ及びＥＵＶ光透過フィルタ７２ｃが、筐体７３ｃに収容されてもよい。ＥＵＶ光センサ７０ｄ及び７０ｅの構成要素は、ＥＵＶ光センサ７０ｃの構成要素と同様でよい。但し、ＥＵＶ光センサ７０ｄの構成要素は、それぞれの符号の末尾を「ｄ」として図示され、ＥＵＶ光センサ７０ｅの構成要素は、それぞれの符号の末尾を「ｅ」として図示されている。
　２．２　動作
　２．２．１　ターゲットの出力
　上述のターゲット供給部２６において、不活性ガスによって加圧されたターゲットの材料は、上記開口部を介して出力されてもよい。上述の加振装置によってターゲット供給部２６に振動が与えられることにより、ターゲットの材料は複数のドロップレットに分離されてもよい。それぞれのドロップレットが、ターゲット２７として、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５までの軌道に沿って移動してもよい。
　２．２．２　プラズマの生成
　プリパルスレーザ３ｐから出力されたプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ３ｍから出力されたメインパルスレーザ光３１ｍは、レーザ光進行方向制御部３４ａを経て、パルスレーザ光３２としてレーザ光集光光学系２２ａに導かれてもよい。
　パルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａに含まれる軸外放物面凸面ミラー２２１によって反射されることによりビーム拡大されてもよい。軸外放物面凸面ミラー２２１によって反射されたパルスレーザ光３２は、楕円面凹面ミラー２２２によって反射され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。パルスレーザ光３３は、プリパルスレーザ光３１ｐとメインパルスレーザ光３１ｍとを含んでもよい。
　１つのターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングで、プリパルスレーザ光３１ｐがターゲット２７に照射されてもよい。プリパルスレーザ光３１ｐが照射されたターゲット２７は膨張又は拡散して、二次ターゲットとなってもよい。二次ターゲットが所望の大きさに膨張又は拡散したタイミングで、メインパルスレーザ光３１ｍが二次ターゲットに照射されてもよい。メインパルスレーザ光３１ｍが照射された二次ターゲットはプラズマ化して、このプラズマからＥＵＶ光を含む放射光２５１が放射されてもよい。
　２．２．３　ＥＵＶ重心位置の検出
　ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅの各々は、プラズマから放射されてＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅの各々に到達するＥＵＶ光のエネルギーを検出してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによって検出されたＥＵＶ光のエネルギーに基づいて、以下のようにＥＵＶ重心位置を算出してもよい。
　なお、「重心」とは、力学の分野においては、物体の各部分に働く重力の合力の作用点を意味し得る。しかしながら本明細書中では、ＥＵＶ重心位置は、レーザ光路位置を反映する指標の一つであって、レーザ光路位置を制御するために用いられる情報の一つであってよい。具体的には、ＥＵＶ重心位置は、プラズマから放射される光を含む電磁波を、各々異なる位置から観測する複数のセンサで観測して得られる複数の観測値から算出される空間的な位置であり得る。
　ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅの各々において検出されるＥＵＶ光のエネルギーは、ＥＵＶ重心位置からＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅの各々までの距離に応じて異なってもよい。例えば、ＥＵＶ光センサ７０ｃ及び７０ｄにおいて検出されるＥＵＶ光のエネルギーをそれぞれＥ１及びＥ２としたとき、エネルギーＥ１よりエネルギーＥ２が大きい場合は、ＥＵＶ重心位置がＥＵＶ光センサ７０ｃよりもＥＵＶ光センサ７０ｄに近いとみなされてもよい。エネルギーＥ１とエネルギーＥ２との差が大きくなるほど、ＥＵＶ重心位置からＥＵＶ光センサ７０ｃまでの距離と、ＥＵＶ重心位置からＥＵＶ光センサ７０ｄまでの距離との差が大きいとみなされてもよい。
　従って、ＥＵＶ光センサ７０ｃ及び７０ｄにおいて検出されるＥＵＶ光のエネルギーＥ１及びＥ２の差に基づいて、Ｙ方向のＥＵＶ重心位置が算出されてもよい。また、ＥＵＶ光センサ７０ｄ及び７０ｅにおいて検出されるＥＵＶ光のエネルギーＥ２及びＥ３の差に基づいて、Ｘ方向のＥＵＶ重心位置が算出されてもよい。例えば、プラズマのＹ方向の重心位置は、（Ｅ１－Ｅ２）／（Ｅ１＋Ｅ２）の式で算出されてもよい。プラズマのＸ方向の重心位置は、（Ｅ２－Ｅ３）／（Ｅ２＋Ｅ３）の式で算出されてもよい。
　２．３　課題
　図４Ａは、図２及び図３に示されるＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御しない場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図４Ｂは、図４Ａに示す場合のパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。パルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置は、上述のＥＵＶ重心位置の算出結果から推定されてもよい。また、この光路位置は、Ｘ方向の光路位置とＹ方向の光路位置とで表されてもよい。
　図４Ａに示されるように、ＥＵＶ光生成システムは、露光装置からの制御信号に基づいて、高い繰り返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、複数のバースト期間の間でＥＵＶ光の出力を休止する休止期間と、を交互に繰り返してもよい。１つのバースト期間は、複数のチップ領域が含まれる半導体ウェハの、１つのチップ領域を露光する期間に相当してもよい。休止期間は、上記半導体ウェハの１つのチップ領域を露光可能な位置から、別のチップ領域を露光可能な位置となるように、図示しないウェハステージを駆動して半導体ウェハの位置を移動させる期間に相当してもよい。また、休止期間は、上記ウェハステージにセットされた半導体ウェハを別の半導体ウェハに交換する期間に相当してもよい。
　図２及び図３に示されるＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムにおいて、レーザ光進行方向制御部３４ａやレーザ光集光光学系２２ａ等に含まれる光学素子は、パルスレーザ光のエネルギーによって加熱され得る。光学素子は、加熱されると変形し、パルスレーザ光の光路を変化させ得る。図４Ｂに示されるように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御しない場合には、パルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置が変化し、元の位置から次第に離れ得る。パルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置が変化すると、ターゲット２７に対するパルスレーザ光の照射位置が変化し得る。これにより、プラズマが生成される位置が変化し、ＥＵＶ重心位置も変化し得る。
　パルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置が変化すると、ターゲット２７に対する最適な照射状態とは異なった照射状態となり、図４Ａに示されるようにＥＵＶ光のエネルギーが低下し得る。光路位置が大幅にずれると、ターゲット２７にパルスレーザ光が当たらなくなり、ＥＵＶ光が生成されなくなるおそれもあり得る。そこで、光路位置をターゲット２７に対する最適な位置とするように、パルスレーザ光の光路位置を制御することが望ましい。図２及び図３に示される比較例においては、ＥＵＶ重心位置に基づいて、ＥＵＶ重心位置が安定化するように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御することにより、パルスレーザ光の光路位置が調節されてもよい。
　図５Ａは、図２及び図３に示されるＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御した場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図５Ｂは、図５Ａに示す場合のパルスレーザ光のプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。
　図５Ｂに示されるように、例えば休止期間ごとに、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４が制御されるようにしてもよい。これにより、バースト期間と休止期間とを多数繰り返しても、長期にわたってＥＵＶ光のエネルギーを安定化させることができる。
　しかしながら、この比較例においては、レーザ光集光光学系２２ａに含まれる光学素子を固定したプレート８３全体を、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４によって動かし得る。レーザ光集光光学系２２ａに含まれる光学素子は、加熱による変形を抑制するための冷却装置、あるいは少なくともその一部である冷媒流路等が取り付けられ、比較的大きい重量を有し得る。このため、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４によってパルスレーザ光の光路を高速で移動させることは困難であり得る。特に、バースト期間内における光路位置の変動速度は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路位置の調整速度を大きく上回る場合があり得る。例えば、光学素子を固定したプレート８３全体をレーザ光集光光学系アクチュエータ８４で駆動する場合の共振周波数は１０Ｈｚ程度となり得る。また、この場合のレーザ光集光光学系アクチュエータ８４応答速度は１００ｍＳ程度となり得る。これに対して、バースト期間内における光路位置は数ｍＳで変動し得る。
　従って、図５Ｂに示されるように休止期間ごとにパルスレーザ光の光路を制御しても、各々のバースト期間内においてはパルスレーザ光の光路位置が変動し得る。このため、図５Ａに示されるように、各々のバースト期間内においてＥＵＶ光のエネルギーを安定化させることは困難であり得る。なお、ここでは休止期間ごとにパルスレーザ光の光路を制御する場合について図示したが、バースト期間内においてパルスレーザ光の光路を制御する場合であっても同様に、パルスレーザ光の光路を高速で移動させることは困難であり得るので、同様の問題が生じ得る。
　以下に説明する実施形態においては、プリパルスレーザ光の光路に高速アクチュエータ付きの高反射ミラーを配置し、この高速アクチュエータを、ＥＵＶ重心位置に基づいて制御してもよい。
３．光路を調整可能なビームコンバイナモジュール
　３．１　構成
　図６は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第１の実施形態においては、ビームコンバイナ４０９によってメインパルスレーザ光３１ｍの光路と結合される前のプリパルスレーザ光３１ｐの光路に、高反射ミラー４０１及び高反射ミラー４０２が配置されてもよい。高反射ミラー４０１はホルダ４０３に支持されてもよい。高反射ミラー４０２はホルダ４０４に支持されてもよい。
　高反射ミラー４０２及びホルダ４０４は、高速アクチュエータ４１１によってその姿勢を変更可能であってもよい。高速アクチュエータ４１１を制御することにより、プリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を調整可能であってもよい。高速アクチュエータ４１１は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。高速アクチュエータ４１１は、本開示における第１のアクチュエータに相当し得る。上述のレーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、本開示における第２のアクチュエータに相当し得る。
　他の点については、図２及び図３を参照しながら説明した比較例の構成と同様でよい。
　３．２　動作及び作用
　レーザ光集光光学系２２ａによるプリパルスレーザ光３１ｐの集光径は、レーザ光集光光学系２２ａによるメインパルスレーザ光３１ｍの集光径より小さくてよい。従って、プリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の精度を高めることは、メインパルスレーザ光３１ｍのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の精度を高めることよりも、ＥＵＶ光のエネルギーの安定化に寄与しやすい。
　また、プリパルスレーザ光３１ｐのエネルギーは、メインパルスレーザ光３１ｍのエネルギーよりも小さくてよい。従って、プリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置された高反射ミラー４０２及びホルダ４０４には、冷却装置を取り付けなくてもよい。これにより、高反射ミラー４０２及びホルダ４０４の重量が小さくて済み、共振周波数が高くなり得る。従って、高速アクチュエータ４１１の応答速度を早くすることができる。高反射ミラー４０２及びホルダ４０４が取り付けられた高速アクチュエータ４１１の共振周波数は、例えば１ｋＨｚ程度でもよい。この場合、高速アクチュエータ４１１の応答速度は０．５ｍＳ以上１０ｍＳ以下でよい。さらには１ｍＳ以上３ｍＳ以下でもよい。
　レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の応答速度は、高速アクチュエータ４１１の応答速度より遅くてもよい。一方、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整範囲は、高速アクチュエータ４１１による光路調整範囲より大きくてもよい。従って、高速アクチュエータ４１１によってプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を高速で調整しつつ、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を低速で調整してもよい。これにより、高速アクチュエータ４１１による光路調整範囲よりも広い範囲でプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を調整し得る。具体的な処理の手順は、図７のフローチャートを参照しながら説明する。
　図７は、図６に示されるＥＵＶ光生成制御部５による光路調整の処理手順を示すフローチャートである。ＥＵＶ光生成制御部５は、以下の処理により、高速アクチュエータ４１１及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御してもよい。
　まず、Ｓ１０１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、幾つかのパラメータを初期設定してもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによる検出データの取得回数ｎ１の値を、１に設定してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値を、１に設定してもよい。
　次に、Ｓ１０２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによりそれぞれ検出されたエネルギーのデータを取得してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによりそれぞれ検出されたエネルギーのデータを、データの取得回数ｎ１の値と対応付けて、記憶装置に記憶させてもよい。記憶装置は、後述のメモリ１００２であってもよい。
　次に、Ｓ１０３において、ＥＵＶ光生成制御部５は、データの取得回数ｎ１の値に１を加えて、データの取得回数ｎ１の値を更新してもよい。
　次に、Ｓ１０４において、ＥＵＶ光生成制御部５は、データの取得回数ｎ１の値が所定の値Ｎ１を超えたか否かを判定してもよい。所定の値Ｎ１は、ＥＵＶ光のエネルギーの平均値を算出するためのエネルギーの取得回数であってもよい。データの取得回数ｎ１の値が所定の値Ｎ１を超えていない場合（Ｓ１０４：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理を上述のＳ１０２に戻してエネルギーデータの取得等の処理を繰り返してもよい。データの取得回数ｎ１の値が所定の値Ｎ１を超えた場合（Ｓ１０４：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１０５に進めてもよい。
　Ｓ１０５において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ、７０ｄ、７０ｅにそれぞれ対応する平均エネルギーＥ１、Ｅ２、Ｅ３の値を計算してもよい。この計算は、ＥＵＶ光センサ７０ｃ、７０ｄ、７０ｅによりそれぞれ計測されたＮ１回分のエネルギーのデータに基づいて行われてもよい。
　次に、Ｓ１０６において、ＥＵＶ光生成制御部５は、平均エネルギーＥ１、Ｅ２、Ｅ３の値に基づいて、ＥＵＶ重心位置を計算してもよい。ＥＵＶ重心位置は、Ｘ方向の重心位置ＣｅｎｔＸと、Ｙ方向の重心位置ＣｅｎｔＹとで表されてもよい。ＥＵＶ重心位置ＣｅｎｔＸ及びＣｅｎｔＹは、以下のように計算されてもよい。
　　　ＣｅｎｔＸ＝（Ｅ２－Ｅ３）／（Ｅ２＋Ｅ３）
　　　ＣｅｎｔＹ＝（Ｅ１－Ｅ２）／（Ｅ１＋Ｅ２）
　次に、Ｓ１０７において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ重心位置ＣｅｎｔＸ及びＣｅｎｔＹの値と、ＥＵＶ重心の目標位置ＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＸ及びＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＹと、に基づいて、高速アクチュエータ４１１に与える制御信号の設定値を計算してもよい。高速アクチュエータ４１１に与える制御信号の設定値は、Ｘ方向の設定値ＳＶＸと、Ｙ方向の設定値ＳＶＹとを含んでもよい。Ｘ方向の設定値ＳＶＸは、以下のように計算されてもよい。
　　　ΔＸ＝ＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＸ－ＣｅｎｔＸ
　　　ＳＶＸ＝ＫｐＸ×ΔＸ＋ＫｉＸ×ＩＸ（ΔＸ）
ここで、ΔＸは、ＥＵＶ重心の目標位置ＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＸとＥＵＶ重心位置ＣｅｎｔＸとの偏差であってもよい。設定値ＳＶＸは、ＰＩ制御において制御対象に入力される設定値であって、比例ゲインＫｐＸと偏差ΔＸとの積に、積分ゲインＫｉＸと積分項ＩＸ（ΔＸ）との積を加算したものでもよい。
　Ｙ方向の設定値ＳＶＹも、Ｘ方向の設定値ＳＶＸと同様に、以下のように算出されてもよい。但し、添え字のＸはすべてＹに入れ替わってもよい。
　　　ΔＹ＝ＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＹ－ＣｅｎｔＹ
　　　ＳＶＹ＝ＫｐＹ×ΔＹ＋ＫｉＹ×ＩＹ（ΔＹ）
　さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１に与える制御信号の設定値ＳＶＸ及びＳＶＹに基づいて、高速アクチュエータ４１１の位置を計算してもよい。高速アクチュエータ４１１の位置は、Ｘ方向の位置ＭＸと、Ｙ方向の位置ＭＹとで表されてもよい。高速アクチュエータ４１１の位置ＭＸ及びＭＹは、以下のように計算されてもよい。
　　　ＭＸ＝ＭＸ＋ＳＶＸ×αＸ
　　　ＭＹ＝ＭＹ＋ＳＶＹ×αＹ
ここで、αＸ及びαＹの各々は、高速アクチュエータ４１１の特性パラメータであってもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１の位置ＭＸ及びＭＹを、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値と対応付けて、記憶装置に記憶させてもよい。記憶装置は、後述のメモリ１００２であってもよい。
　次に、Ｓ１０８において、ＥＵＶ光生成制御部５は、設定値ＳＶＸ及びＳＶＹを用いて高速アクチュエータ４１１に制御信号を送信してもよい。
　次に、Ｓ１０９において、ＥＵＶ光生成制御部５は、データの取得回数ｎ１の値を１に戻してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値に１を加えて、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値を更新してもよい。
　次に、Ｓ１１０において、ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値が所定の値Ｎ２を超えたか否かを判定してもよい。所定の値Ｎ２は、高速アクチュエータ４１１の平均位置を算出するための高速アクチュエータ４１１の駆動回数であってもよい。高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値が所定の値Ｎ２を超えていない場合（Ｓ１１０：ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理を上述のＳ１０２に戻して、エネルギーデータの取得及び高速アクチュエータ４１１の駆動等の処理を繰り返してもよい。高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値が所定の値Ｎ２を超えた場合（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理をＳ１１１に進めてもよい。
　Ｓ１１１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値を計算してもよい。以下に説明するように、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値は、直接的にＥＵＶ重心位置に基づいて算出されなくてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値は、高速アクチュエータ４１１の制御値に基づいて算出されてもよい。
　レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値は、高速アクチュエータ４１１の可動範囲の中心位置ＳｔａｒｇｅｔＸ及びＳｔａｒｇｅｔＹと、Ｓ１０７において計算されたＮ２回分の高速アクチュエータ４１１の位置ＭＸ及びＭＹと、に基づいて算出されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値は、Ｘ方向の設定値ｓｖｘと、Ｙ方向の設定値ｓｖｙとを含んでもよい。Ｘ方向の設定値ｓｖｘは、以下のように計算されてもよい。
　　　Δｘ＝ＳｔａｒｇｅｔＸ－Ａｖｅｒａｇｅ（ＭＸ）
　　　ｓｖｘ＝ｋｐｘ×Δｘ＋ｋｉｘ×ｉｘ（Δｘ）
ここで、Δｘは、高速アクチュエータ４１１の可動範囲の中心位置ＳｔａｒｇｅｔＸと、高速アクチュエータ４１１のＮ２回分の平均位置Ａｖｅｒａｇｅ（ＭＸ）と、の偏差であってもよい。設定値ｓｖｘは、例えばＰＩ制御において制御対象に入力される設定値であって、比例ゲインｋｐｘと偏差Δｘとの積に、積分ゲインｋｉｘと積分項ｉｘ（Δｘ）との積を加算したものでもよい。
　以上のように制御信号の設定値ｓｖｘを算出することにより、高速アクチュエータ４１１の可動範囲の中心位置ＳｔａｒｇｅｔＸと、高速アクチュエータ４１１のＮ２回分の平均位置Ａｖｅｒａｇｅ（ＭＸ）と、の偏差Δｘを、０に近づけることができる。
　Ｙ方向の設定値ｓｖｙも、Ｘ方向の設定値ｓｖｘと同様に、以下のように算出されてもよい。但し、添え字のｘはすべてｙに入れ替わってもよい。
　　　Δｙ＝ＳｔａｒｇｅｔＹ－Ａｖｅｒａｇｅ（ＭＹ）
　　　ｓｖｙ＝ｋｐｙ×Δｙ＋ｋｉｙ×ｉｙ（Δｙ）
　さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に与える制御信号の設定値ｓｖｘ及び設定値ｓｖｙに基づいて、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の位置を計算してもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の位置は、Ｘ方向の位置Ｓｘと、Ｙ方向の位置Ｓｙとで表されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の位置Ｓｘ及びＳｙは、以下のように計算されてもよい。
　　　Ｓｘ＝Ｓｘ＋ｓｖｘ×αｘ
　　　Ｓｙ＝Ｓｙ＋ｓｖｙ×αｙ
ここで、αｘ及びαｙの各々は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の特性パラメータであってもよい。
　次に、Ｓ１１２において、ＥＵＶ光生成制御部５は、設定値ｓｖｘ及びｓｖｙを用いてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４に制御信号を送信してもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に制御信号を送信すると、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の駆動が開始されてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の駆動は、高速アクチュエータ４１１の駆動に比べて低速であってもよい。
　Ｓ１１２の後、ＥＵＶ光生成制御部５は、処理を上述のＳ１０１に戻してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、高速アクチュエータ４１１の駆動回数ｎ２の値を１に戻して、上述の処理を繰り返してもよい。なお、上述のＳ１１２においてレーザ光集光光学系アクチュエータ８４に制御信号が送信された後、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の駆動が終了する前に、新たに計測されるＥＵＶ光のエネルギーに基づいて高速アクチュエータ４１１が制御されてもよい。従って、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４を駆動しても、ＥＵＶ重心位置が目標位置ＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＸ及びＣｅｎｔｔａｒｇｅｔＹから大幅にずれてしまうわけではない。
　３．３　効果
　図８は、第１の実施形態において光路調整をしない場合のプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。さらに図８は、高速アクチュエータ４１１による光路調整及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整に伴う光路位置および光路調整範囲の時間的な推移も示す。図８においては、Ｘ方向の光路位置とＸ方向の光路調整のみを例示的に示している。Ｘ方向の光路位置は、ＥＵＶ重心の目標位置を０として、ＥＵＶ重心の目標位置から光路位置までのＸ方向の位置で示している。
　図８の時刻Ｔ＝０において、光路調整をしない場合のプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置が０であると仮定する。ＥＵＶ光を生成しながら時間が経過すると、光学素子の加熱により、光路位置が時間とともに変動し得る。そこで、ＥＵＶエネルギーデータをＮ１回取得するごとに、高速アクチュエータ４１１による光路調整が行われてもよい。高速アクチュエータ４１１による光路調整が、破線の矢印で示されている。破線の矢印は、高速アクチュエータ４１１による光路調整タイミングを示してもよい。高速アクチュエータ４１１による光路調整は、光路位置の変動にほぼ対応して、高い頻度及び高い精度で行うことができてもよい。但し、高速アクチュエータ４１１の光路調整範囲は、比較的狭くてもよい。高速アクチュエータ４１１は、図８における折れ線Ｌと折れ線Ｈとの間でのみ、光路調整が可能であってもよい。
　さらに、高速アクチュエータ４１１をＮ２回駆動するごとに、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整が行われてもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整が、一点鎖線の矢印で示されている。一点鎖線の矢印は、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整タイミングを示してもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整は、低い頻度でもよく、低速度でもよい。従って、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４が一回駆動されている間に、高速アクチュエータ４１１が複数回駆動されることがあってもよい。レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整が行われた場合には、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整分を差し引いて、高速アクチュエータ４１１による光路調整をすればよい。従って、高速アクチュエータ４１１の制御量が小さくて済むようになる。また、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整が行われた場合には、折れ線Ｌと折れ線Ｈとで示される高速アクチュエータ４１１の光路調整範囲がシフトし得る。これにより、ＥＵＶ重心の目標位置が、高速アクチュエータ４１１の光路調整範囲に含まれるように維持することができてもよい。さらに、高速アクチュエータ４１１による光路調整範囲が狭くても、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４による光路調整と併せることにより、広範囲の光路調整が可能となる。
　図９Ａは、図６に示されるＥＵＶ光生成システムにおいて高速アクチュエータ４１１及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４を制御した場合のＥＵＶ光のエネルギーの時間的な推移を示す。図９Ｂは、図９Ａに示す場合のプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の時間的な推移を示す。
　図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら説明したように、比較例においてはバースト期間内におけるＥＵＶ光のエネルギーの安定化が困難であった。これに対し、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、第１の実施形態によればプリパルスレーザ光３１ｐの光路位置及びＥＵＶ光のエネルギーの安定化が可能となり得る。なお、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４の制御は、休止期間中に限らず、バースト期間においても可能である。
　ここでは１つのターゲット２７に１つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。１つのターゲット２７に２つ以上のプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射する場合に、例えば最初のプリパルスレーザ光の光路に高速アクチュエータを配置し、上述と同様の制御を行うことにより、同様の効果を奏し得る。１つのターゲット２７に２つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射する場合について、図１３及び図１４を参照しながら後述する。
４．複数のアクチュエータを含むビームコンバイナモジュール
　図１０は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第２の実施形態において、ビームコンバイナ４０９によって結合された後のメインパルスレーザ光３１ｍ及びプリパルスレーザ光３１ｐの光路に配置された高反射ミラー４０６及びホルダ４０８は、ミラーアクチュエータ４１２によってその姿勢を変更可能であってもよい。ミラーアクチュエータ４１２を制御することにより、メインパルスレーザ光３１ｍ及びプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を調整可能であってもよい。ミラーアクチュエータ４１２は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。ミラーアクチュエータ４１２は、本開示における第２のアクチュエータに相当し得る。第１の実施形態における第２のアクチュエータであるレーザ光集光光学系アクチュエータ８４は、第２の実施形態においては設けられなくてもよい。
　他の点については、図６を参照しながら説明した第１の実施形態の構成と同様でよい。
　第２の実施形態において、ミラーアクチュエータ４１２に対して、第１の実施形態におけるレーザ光集光光学系アクチュエータ８４と同様の制御が行われてもよい。
　第２の実施形態によれば、上述の第１の実施形態の効果と同様の効果を奏し得る。
５．複数のターゲットカメラを含むＥＵＶ光生成装置
　５．１　構成
　図１１は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第３の実施形態においては、ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄが設けられていてもよい。ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄは、図３を参照しながら説明したＥＵＶ光センサ７０ｃ及び７０ｄとそれぞれほぼ同等の位置に配置されていてもよい。チャンバ２ａの壁面には、ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄが取り付けられる位置に、それぞれウインドウ２１ｃ及び２１ｄが配置されていてもよい。ターゲットカメラ８０ｃは、イメージセンサ７４ｃと、転写光学系７５ｃと、筐体７３ｃと、を含んでもよい。イメージセンサ７４ｃ及び転写光学系７５ｃが、筐体７３ｃに収容されてもよい。筐体７３ｃには、図示しない高速シャッタがさらに収容されていてもよい。ターゲットカメラ８０ｄの構成要素は、ターゲットカメラ８０ｃの構成要素と同様でよい。但し、ターゲットカメラ８０ｄの構成要素は、それぞれの符号の末尾を「ｄ」として図示されている。
　チャンバ２ａ内には、ターゲットを撮影するために、図示しない光源が設けられていてもよい。第１の実施形態におけるＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅは、第３の実施形態においては設けられなくてもよい。
　なお、図１１においては、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の他に、ＸＹ面内で互いに垂直なＣ方向とＤ方向とが定義されてもよい。Ｃ方向はターゲットカメラ８０ｃの撮影方向に相当し、Ｄ方向はターゲットカメラ８０ｄの撮影方向に相当し得る。
　５．２　動作
　ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄは、プリパルスレーザ光３１ｐを照射された直後のターゲットを撮影してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、プリパルスレーザ光３１ｐを照射された直後でメインパルスレーザ光３１ｍが照射される前のターゲットの画像に基づいて、プリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を算出してもよい。あるいは、ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄは、ターゲット２７にプリパルスレーザ光３１ｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍが照射されることにより生成されたプラズマを撮影してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマの画像に基づいて、ＥＵＶ重心位置を算出してもよい。
　図１２Ａ～図１２Ｉは、プリパルスレーザ光３１ｐを照射された直後のターゲットの画像に基づいてプリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置を算出する原理について説明する図である。図１２Ａ～図１２Ｃは、プリパルスレーザ光３１ｐが球状のターゲット２７の中心よりもＣ方向寄りにずれてターゲット２７に照射された場合の、ターゲットカメラ８０ｄによる画像を示す。図１２Ｄ～図１２Ｆは、プリパルスレーザ光３１ｐが球状のターゲット２７のほぼ中心に照射された場合の、ターゲットカメラ８０ｄによる画像を示す。図１２Ｇ～図１２Ｉは、プリパルスレーザ光３１ｐが球状のターゲット２７の中心よりも－Ｃ方向寄りにずれてターゲット２７に照射された場合の、ターゲットカメラ８０ｄによる画像を示す。また、図１２Ａ、１２Ｄ、１２Ｇは、プリパルスレーザ光３１ｐが照射されているターゲットの画像を示す。図１２Ｂ、１２Ｅ、１２Ｈは、プリパルスレーザ光３１ｐの照射によってドーム状に拡散したターゲットの外形画像を示す。図１２Ｃ、１２Ｆ、１２Ｉは、それぞれ図１２Ｂ、１２Ｅ、１２Ｈの画像における拡散ターゲットの拡大画像を示す。
　プリパルスレーザ光３１ｐが－Ｚ側からＺ方向に向けてターゲット２７に照射されると、ターゲット２７の－Ｚ方向寄りの面において急激なレーザアブレーションが生じ、ターゲットが粉々に破壊されてドーム状に拡散し得る。ドーム状に拡散したターゲットの外形画像は、Ｚ方向寄りの曲線部分Ｆと、－Ｚ方向寄りのほぼ直線の部分Ｂとを含み得る。
　図１２Ｄ～図１２Ｆに示されるように、プリパルスレーザ光３１ｐがターゲット２７のほぼ中心に照射された場合には、ドーム状に拡散したターゲットの外形画像は、Ｚ軸に対してほぼ対称であり、上述のほぼ直線の部分ＢはＺ方向とほぼ垂直であってもよい。
　図１２Ａ～図１２Ｃに示されるように、プリパルスレーザ光３１ｐがターゲット２７の中心よりもＣ方向寄りにずれてターゲット２７に照射された場合には、上述のほぼ直線の部分Ｂは、Ｚ方向と垂直な角度よりも、時計回りにわずかにずれた傾きを有していてもよい。なお、Ｃ軸におけるプリパルスレーザ光３１ｐとターゲット２７中心とのずれ量をΔＣ、Ｚ軸に対する部分Ｂの角度をθとしてもよい。
　図１２Ｇ～図１２Ｉに示されるように、プリパルスレーザ光３１ｐがターゲット２７の中心よりも－Ｃ方向寄りにずれてターゲット２７に照射された場合には、上述のほぼ直線の部分Ｂは、Ｚ方向と垂直な角度よりも、反時計回りにわずかにずれた傾きを有していてもよい。
　そこで、プリパルスレーザ光３１ｐのずれ量ΔＣと上述のほぼ直線の部分Ｂの傾きθとの関係を予め計測しておき、実際に撮像される画像データと比較することにより、プリパルスレーザ光３１ｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置が算出されてもよい。
　他の点については、上述の第１の実施形態又は第２の実施形態と同様でよい。
６．１つのターゲットに２つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射するＥＵＶ光生成装置
　６．１　構成
　図１３は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第４の実施形態においては、レーザ装置３が、第１のプリパルスレーザ３ｆｐと、第２のプリパルスレーザ３ｓｐと、メインパルスレーザ３ｍとを含んでもよい。
　第１のプリパルスレーザ３ｆｐは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐを出力するように構成されてもよい。第２のプリパルスレーザ３ｓｐは、ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号に従い、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを出力するように構成されてもよい。
　第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐは、本開示における第１のパルスレーザ光に相当し得る。第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐ及びメインパルスレーザ光３１ｍは、本開示における複数の第２のパルスレーザ光に相当し得る。
　レーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４９を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４ａに含まれるビームコンバイナモジュール４０は、ビームコンバイナ４１３を含んでもよい。
　高反射ミラー３４９は、第１のプリパルスレーザ３ｆｐから出力される第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路に配置されていてもよい。高反射ミラー３４９は、ホルダ３５０によって支持されていてもよい。高反射ミラー３４９によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路に、高反射ミラー４０２が配置されていてもよい。高反射ミラー４０２は、高速アクチュエータ４１１によってその姿勢を変更可能であってもよい。
　第２のプリパルスレーザ３ｓｐから出力される第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に、高反射ミラー３４１が配置されていてもよい。高反射ミラー３４１によって反射された第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に、高反射ミラー３４２が配置されていてもよい。高反射ミラー３４２によって反射された第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に、高反射ミラー４０１が配置されていてもよい。
　ビームコンバイナ４１３は、高反射ミラー４０２によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路と、高反射ミラー４０１によって反射された第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路とが交差する位置に配置されてもよい。ビームコンバイナ４１３は、ホルダ４１４によって支持されていてもよい。
　ビームコンバイナ４１３は、偏光ビームスプリッタで構成されていてもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの偏光方向及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの偏光方向は、ビームコンバイナ４１３の表面において略垂直であってもよい。ビームコンバイナ４１３は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐを高い透過率で透過させ、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを高い反射率で反射するように構成されていてもよい。ビームコンバイナ４１３は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されていてもよい。
　ビームコンバイナ４０９は、ビームコンバイナ４１３から出射した第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路と、高反射ミラー４０５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路とが交差する位置に配置されてもよい。
　ビームコンバイナ４０９は、ダイクロイックミラーで構成されていてもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの波長及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの波長は、略同一であってもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの波長及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの波長よりも、メインパルスレーザ光３１ｍの波長が長くてもよい。ビームコンバイナ４０９は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光３１ｍを高い透過率で透過させるように構成されていてもよい。ビームコンバイナ４０９は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸と、メインパルスレーザ光３１ｍの光路の中心軸とをほぼ一致させるように構成されていてもよい。
　ビームコンバイナ４１３は、本開示における第１のビームコンバイナに相当し得る。ビームコンバイナ４０９は、本開示における第２のビームコンバイナに相当し得る。
　レーザ光進行方向制御部３４ａから出射する第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐ、及びメインパルスレーザ光３１ｍの光路に、レーザ光集光光学系２２ａが配置されてもよい。レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４によってその位置を変更可能であってもよい。
　他の点については、図６を参照しながら説明した第１の実施形態の構成と同様でよい。
　６．２　動作
　第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐ、及びメインパルスレーザ光３１ｍは、レーザ光進行方向制御部３４ａ及びレーザ光集光光学系２２ａを経て、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。
　レーザ光集光光学系２２ａによる第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの集光径は、レーザ光集光光学系２２ａによる第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの集光径及びレーザ光集光光学系２２ａによるメインパルスレーザ光３１ｍの集光径より小さくてもよい。レーザ光集光光学系２２ａによる第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの集光径は、レーザ光集光光学系２２ａによるメインパルスレーザ光３１ｍの集光径と略同一でもよい。
　第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐのエネルギー及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐのエネルギーよりも、メインパルスレーザ光３１ｍのエネルギーが大きくてもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐのパルス時間幅は、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐのパルス時間幅及びメインパルスレーザ光３１ｍのパルス時間幅より短くてもよい。
　１つのターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングで、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐがターゲット２７に照射されてもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐが照射されたターゲット２７は膨張又は拡散して、二次ターゲットとなってもよい。二次ターゲットが所望の大きさに膨張又は拡散したタイミングで、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが二次ターゲットに照射されてもよい。第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが照射される前の二次ターゲットよりも、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが照射された後の二次ターゲットの方が、二次ターゲットを構成する微粒子が分散した空間内における微粒子の偏りが小さくてもよい。その後、メインパルスレーザ光３１ｍが二次ターゲットに照射されてもよい。メインパルスレーザ光３１ｍが照射された二次ターゲットはプラズマ化して、このプラズマからＥＵＶ光を含む放射光２５１が放射されてもよい。
　第１の実施形態と同様に、高速アクチュエータ４１１に対する制御及びレーザ光集光光学系アクチュエータ８４に対する制御が行われてもよい。
　あるいは、第２の実施形態と同様に、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４に対する制御の代わりにミラーアクチュエータ４１２に対する制御が行われてもよい。
　あるいは、第３の実施形態と同様に、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅによる検出データに基づく制御の代わりに、ターゲットカメラ８０ｃ及び８０ｄによる画像データに基づく制御が行われてもよい。画像データに基づく制御は、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが二次ターゲットに照射される前の当該二次ターゲットを撮像した画像データに基づく制御であってもよい。あるいは、画像データに基づく制御は、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが二次ターゲットに照射された後、メインパルスレーザ光３１ｍが照射される前の当該二次ターゲットを撮像した画像データに基づく制御であってもよい。
　６．３　効果
　第４の実施形態においては、１つのターゲット２７に第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐと、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐと、メインパルスレーザ光ｍｐとが照射される。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路に、高速アクチュエータ４１１によって姿勢制御される高反射ミラー４０２が配置されている。これにより、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の精度を高めることができる。
　第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの集光径は、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの集光径及びメインパルスレーザ光３１ｍの集光径より小さくてもよい。従って、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐのプラズマ生成領域２５の近傍における光路位置の精度を高めることにより、ＥＵＶ光のエネルギーを安定化することができる。
　１つのターゲット２７に３つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを照射する場合においても、同様でよい。この場合、３つのプリパルスレーザ光のうちで最初にターゲット２７に照射されて二次ターゲットを生成する第１のプリパルスレーザ光が、本開示における第１のパルスレーザ光に相当し得る。二次ターゲットに照射される第２のプリパルスレーザ光、第３のプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光が、本開示における複数の第２のパルスレーザ光に相当し得る。
７．２つのプリパルスレーザ光と１つのメインパルスレーザ光とを長距離伝送するＥＵＶ光生成装置
　７．１　構成
　図１４は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。第５の実施形態においては、レーザ光進行方向制御部３４ａが、ビームコンバイナ３５１を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４ａに含まれるビームコンバイナモジュール４０は、ビームスプリッタ４１５を含んでもよい。
　第１のプリパルスレーザ３ｆｐから出力された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路に、高反射ミラー３４９が配置されていてもよい。高反射ミラー３４９及びこれを支持するホルダ３５０は、アクチュエータ３５９によって姿勢を変更可能であってもよい。
　ビームコンバイナ３５１は、高反射ミラー３４９によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路と、第２のプリパルスレーザ３ｓｐから出力された第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路とが交差する位置に配置されてもよい。ビームコンバイナ３５１は、ホルダ３５２によって支持されていてもよい。
　ビームコンバイナ３５１は、偏光ビームスプリッタで構成されていてもよい。第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの偏光方向及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの偏光方向は、ビームコンバイナ３５１の表面において略垂直であってもよい。ビームコンバイナ３５１は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐを高い反射率で反射し、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを高い透過率で透過させるように構成されていてもよい。ビームコンバイナ３５１は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸をほぼ一致させるように構成されていてもよい。
　ビームコンバイナ３５１は、本開示における第３のビームコンバイナに相当し得る。
　図示しない光センサが、ビームコンバイナ３５１から出射した第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の任意の位置に配置されてもよい。この光センサが、ビームコンバイナ３５１から出射する第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐのビームポジション及びポインティングを検出してもよい。この光センサの出力に基づいて、ビームコンバイナ３５１から出射する第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸をほぼ一致させた状態が維持されるように、アクチュエータ３５９が制御されてもよい。
　ビームコンバイナ３５１から出射した第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に、高反射ミラー３４１が配置されていてもよい。高反射ミラー３４１及びこれを支持するホルダ３４３は、アクチュエータ３５３によって姿勢を変更可能であってもよい。
　図示しない光センサが、高反射ミラー３４１によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の任意の位置に配置されてもよい。この光センサが、高反射ミラー３４１によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐのビームポジション及びポインティングを検出してもよい。この光センサの出力に基づいて、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐが高反射ミラー３４２の所望位置に入射するように、アクチュエータ３５３が制御されてもよい。
　高反射ミラー３４１によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に、高反射ミラー３４２が配置されていてもよい。高反射ミラー３４２及びこれを支持するホルダ３４４は、アクチュエータ３５４によって姿勢を変更可能であってもよい。
　図示しない光センサが、高反射ミラー３４２によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の任意の位置に配置されてもよい。この光センサが、高反射ミラー３４２によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐのビームポジション及びポインティングを検出してもよい。この光センサの出力に基づいて、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐがビームコンバイナモジュール４０の所望位置に入射するように、アクチュエータ３５４が制御されてもよい。
　高反射ミラー３４１と高反射ミラー３４２との間の第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路は、数十メートルの長さを有する場合があり得る。高反射ミラー３４１と高反射ミラー３４２との間の第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路には、図示しない複数の高反射ミラーが配置されていてもよい。
　高反射ミラー３４５及びこれを支持するホルダ３４７は、アクチュエータ３５７によって姿勢を変更可能であってもよい。
　図示しない光センサが、高反射ミラー３４５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路の任意の位置に配置されてもよい。この光センサが、高反射ミラー３４５によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジション及びポインティングを検出してもよい。この光センサの出力に基づいて、メインパルスレーザ光３１ｍが高反射ミラー３４６の所望位置に入射するように、アクチュエータ３５７が制御されてもよい。
　高反射ミラー３４６及びこれを支持するホルダ３４８は、アクチュエータ３５８によって姿勢を変更可能であってもよい。
　図示しない光センサが、高反射ミラー３４６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍの光路の任意の位置に配置されてもよい。この光センサが、高反射ミラー３４６によって反射されたメインパルスレーザ光３１ｍのビームポジション及びポインティングを検出してもよい。この光センサの出力に基づいて、メインパルスレーザ光３１ｍがビームコンバイナモジュール４０の所望位置に入射するように、アクチュエータ３５８が制御されてもよい。
　高反射ミラー３４５と高反射ミラー３４６との間のメインパルスレーザ光３１ｍの光路は、数十メートルの長さを有する場合があり得る。高反射ミラー３４５と高反射ミラー３４６との間のメインパルスレーザ光３１ｍの光路には、図示しない複数の高反射ミラーが配置されていてもよい。
　上述のアクチュエータ３５９、３５３、３５４、３５７、３５８は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。これらのアクチュエータを制御するためのデータを取得する上述の光センサは、ビームコンバイナモジュール４０に配置されていてもよい。
　ビームスプリッタ４１５は、高反射ミラー３４２によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路に配置されていてもよい。ビームスプリッタ４１５は、ホルダ４１６によって支持されていてもよい。ビームスプリッタ４１５は、偏光ビームスプリッタで構成されていてもよい。ビームスプリッタ４１５は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐを高い反射率で反射することにより第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐを第１の光路に沿って出射させるように構成されていてもよい。ビームスプリッタ４１５は、第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを高い透過率で透過させることにより第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを第２の光路に沿って出射させるように構成されていてもよい。
　ビームスプリッタ４１５によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの第１の光路に、高反射ミラー４０２が配置されていてもよい。
　ビームスプリッタ４１５を透過した第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの第２の光路に、高反射ミラー４０１が配置されていてもよい。
　高反射ミラー４０２によって反射された第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路と、高反射ミラー４０１によって反射された第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路とが交差する位置に、ビームコンバイナ４１３が配置されてもよい。
　他の点については、図１３を参照しながら説明した第４の実施形態の構成と同様でよい。
　７．２　動作
　ビームコンバイナ３５１によって光路の中心軸をほぼ一致させられた第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐは、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２を経て、ビームスプリッタ４１５に入射してもよい。
　ビームスプリッタ４１５は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路と第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路とを分離させてもよい。ビームスプリッタ４１５から出射した第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐは、高速アクチュエータ４１１によって姿勢制御される高反射ミラー４０２によって反射されてもよい。ビームコンバイナ４１３が、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸を、再びほぼ一致させてもよい。
　他の点については、第４の実施形態の動作と同様でよい。
　７．３　効果
　第５の実施形態においては、高反射ミラー３４１から高反射ミラー３４２までの光学素子を第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐで共用化することができる。光学素子の共用化は、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの波長がほぼ同一である場合に特に好ましい。光学素子の共用化により、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐを長距離伝送する場合に、ミラー及びその他の部品点数を大幅に削減することができる。
　また、第５の実施形態においては、アクチュエータ３５３及び３５４により、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光軸制御を行っている。これにより、ビームコンバイナモジュール４０の手前までの第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光軸制御を共通化し、制御を簡略化することができる。
　また、ビームスプリッタ４１５が第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路と第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路とを分離させることにより、第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐの光路位置を、高速アクチュエータ４１１によって精度よく制御することができる。また、ビームコンバイナ４１３が第１のプリパルスレーザ光３１ｆｐ及び第２のプリパルスレーザ光３１ｓｐの光路の中心軸を再びほぼ一致させることにより、これらのプリパルスレーザ光をプラズマ生成領域２５の近傍に集光することができる。
８．制御部の構成
　図１５は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
　上述した実施の形態におけるＥＵＶ光生成制御部５等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
（構成）
　制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。
（動作）
　処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部１０００は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１～１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
　シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１～１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
　Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１～１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。
　処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１～１０２ｘは、レーザ装置３、露光装置６、他の制御部等であってもよい。
　シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１～１０３ｘは、ターゲット供給部２６、レーザ光集光光学系アクチュエータ８４、高速アクチュエータ４１１等であってもよい。
　Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１～１０４ｘは、ＥＵＶ光センサ７０ｃ～７０ｅ等の各種センサであってもよい。
　以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　所定の領域においてターゲットに照射されて二次ターゲットを生成するための第１のパルスレーザ光と、前記所定の領域において前記二次ターゲットに照射されてプラズマを生成するための第２のパルスレーザ光と、が入射するためのウインドウを有するチャンバと、
    　前記第１のパルスレーザ光を反射するミラーと、
    　前記ミラーの位置又は姿勢を制御する第１のアクチュエータと、
    　前記ミラーによって反射された前記第１のパルスレーザ光と、前記第２のパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力するビームコンバイナと、
    　前記ビームコンバイナから出力された前記第１のパルスレーザ光及び前記第２のパルスレーザ光を、前記所定の領域に向けて出力する反射光学系と、
    　前記反射光学系の位置又は姿勢を制御する第２のアクチュエータと、
    　前記第１のパルスレーザ光の前記所定の領域の近傍における光路位置を検出するための検出データをそれぞれ出力する複数のセンサと、
    　前記検出データに基づいて、前記第１のアクチュエータを制御し、前記第１のアクチュエータの制御値に基づいて、前記第２のアクチュエータを制御するコントローラと、
    を備える極端紫外光生成装置。
  2. 　前記複数のセンサは、前記第１のパルスレーザ光の前記所定の領域の近傍における光路軸と垂直な１つの平面内に配置された、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  3. 　前記複数のセンサは、前記プラズマから放出される光をそれぞれ受光して前記検出データをそれぞれ出力する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  4. 　前記複数のセンサは、前記二次ターゲットをそれぞれ撮像して前記検出データをそれぞれ出力する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  5. 　前記反射光学系は、前記第１のパルスレーザ光及び前記第２のパルスレーザ光を、前記所定の領域に集光する光学系である、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  6. 　前記コントローラは、前記第１のアクチュエータを、前記第２のアクチュエータよりも高い頻度で制御する、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  7. 　前記第１のアクチュエータの応答速度は、前記第２のアクチュエータの応答速度よりも早い、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  8. 　前記第１のアクチュエータによる光路調整範囲よりも、前記第２のアクチュエータによる光路調整範囲が広い、
    請求項１記載の極端紫外光生成装置。
  9. 　所定の領域においてターゲットに照射されて二次ターゲットを生成するための第１のパルスレーザ光と、前記所定の領域において前記二次ターゲットに照射されてプラズマを生成するための複数の第２のパルスレーザ光と、が入射するためのウインドウを有するチャンバと、
    　前記第１のパルスレーザ光を反射するミラーと、
    　前記ミラーの位置又は姿勢を制御する第１のアクチュエータと、
    　前記ミラーによって反射された前記第１のパルスレーザ光と、前記複数の第２のパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力する少なくとも１つのビームコンバイナと、
    　前記ビームコンバイナから出力された前記第１のパルスレーザ光及び前記複数の第２のパルスレーザ光を、前記所定の領域に向けて出力する反射光学系と、
    　前記反射光学系の位置又は姿勢を制御する第２のアクチュエータと、
    　前記第１のパルスレーザ光の前記所定の領域の近傍における光路位置を検出するための検出データをそれぞれ出力する複数のセンサと、
    　前記検出データに基づいて、前記第１のアクチュエータを制御し、前記第１のアクチュエータの制御値に基づいて、前記第２のアクチュエータを制御するコントローラと、
    を備える極端紫外光生成装置。
  10. 　前記第１のパルスレーザ光は、第１のプリパルスレーザ光を含み、
    　前記複数の第２のパルスレーザ光は、第２のプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光とを含み、
    　前記第２のプリパルスレーザ光は、前記二次ターゲットに照射され、
    　前記メインパルスレーザ光は、前記第２のプリパルスレーザ光が前記二次ターゲットに照射された後に前記二次ターゲットに照射される、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  11. 　前記少なくとも１つのビームコンバイナは、
    　前記ミラーによって反射された前記第１のプリパルスレーザ光と、前記第２のプリパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力する第１のビームコンバイナと、
    　前記第１のビームコンバイナから出力された前記第１のプリパルスレーザ光と、前記第１のビームコンバイナから出力された前記第２のプリパルスレーザ光と、前記メインパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力する第２のビームコンバイナと、
    を含む、請求項１０記載の極端紫外光生成装置。
  12. 　前記第１のプリパルスレーザ光と、前記第２のプリパルスレーザ光と、の光路をほぼ一致させて出力する第３のビームコンバイナと、
    　前記第３のビームコンバイナから出力された前記第１のプリパルスレーザ光を前記ミラーへの第１の光路に沿って出力し、前記第３のビームコンバイナから出力された前記第２のプリパルスレーザ光を前記第１のビームコンバイナへの第２の光路に沿って出力するビームスプリッタと、
    をさらに備える、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
  13. 　前記複数のセンサは、前記第２のプリパルスレーザ光が前記二次ターゲットに照射される前の前記二次ターゲットをそれぞれ撮像して前記検出データをそれぞれ出力する、
    請求項１０記載の極端紫外光生成装置。
  14. 　前記複数のセンサは、前記第２のプリパルスレーザ光が前記二次ターゲットに照射された後の前記二次ターゲットをそれぞれ撮像して前記検出データをそれぞれ出力する、
    請求項１０記載の極端紫外光生成装置。
  15. 　前記複数のセンサは、前記第１のパルスレーザ光の前記所定の領域の近傍における光路軸と垂直な１つの平面内に配置された、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  16. 　前記複数のセンサは、前記プラズマから放出される光をそれぞれ受光して前記検出データをそれぞれ出力する、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  17. 　前記反射光学系は、前記第１のパルスレーザ光及び前記複数の第２のパルスレーザ光を、前記所定の領域に集光する光学系である、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  18. 　前記コントローラは、前記第１のアクチュエータを、前記第２のアクチュエータよりも高い頻度で制御する、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  19. 　前記第１のアクチュエータの応答速度は、前記第２のアクチュエータの応答速度よりも早い、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
  20. 　前記第１のアクチュエータによる光路調整範囲よりも、前記第２のアクチュエータによる光路調整範囲が広い、
    請求項９記載の極端紫外光生成装置。
PCT/JP2016/081825 2015-11-03 2016-10-27 極端紫外光生成装置 Ceased WO2017077930A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017548726A JP6715259B2 (ja) 2015-11-03 2016-10-27 極端紫外光生成装置
US15/953,774 US10102938B2 (en) 2015-11-03 2018-04-16 Extreme ultraviolet light generating apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2015/080971 WO2017077584A1 (ja) 2015-11-03 2015-11-03 極端紫外光生成装置
JPPCT/JP2015/080971 2015-11-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/953,774 Continuation US10102938B2 (en) 2015-11-03 2018-04-16 Extreme ultraviolet light generating apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017077930A1 true WO2017077930A1 (ja) 2017-05-11

Family

ID=58662000

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/080971 Ceased WO2017077584A1 (ja) 2015-11-03 2015-11-03 極端紫外光生成装置
PCT/JP2016/081825 Ceased WO2017077930A1 (ja) 2015-11-03 2016-10-27 極端紫外光生成装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/080971 Ceased WO2017077584A1 (ja) 2015-11-03 2015-11-03 極端紫外光生成装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10102938B2 (ja)
JP (1) JP6715259B2 (ja)
WO (2) WO2017077584A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020170362A1 (ja) * 2019-02-20 2020-08-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014192872A1 (ja) * 2013-05-31 2014-12-04 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
WO2017090167A1 (ja) * 2015-11-26 2017-06-01 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10743397B2 (en) 2018-09-12 2020-08-11 ETH Zürich Method and device for generating electromagnetic radiation by means of a laser-produced plasma
US10477664B1 (en) * 2018-09-12 2019-11-12 ETH Zürich Method and device for generating electromagnetic radiation by means of a laser-produced plasma
KR20210131798A (ko) 2020-04-24 2021-11-03 삼성전자주식회사 Euv 노광 장치, 및 그 노광 장치를 이용한 오버레이 보정 방법과 반도체 소자 제조방법
JP7544316B2 (ja) * 2020-09-07 2024-09-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
KR20250160949A (ko) * 2023-03-23 2025-11-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. Euv 방사선 소스 및 위치 제어 가능 미러

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134447A (ja) * 2010-11-29 2012-07-12 Komatsu Ltd 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム
JP2012199512A (ja) * 2011-03-10 2012-10-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法
JP2013069655A (ja) * 2011-03-30 2013-04-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2014534559A (ja) * 2011-10-07 2014-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源
JP2015015251A (ja) * 2009-07-29 2015-01-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体
WO2015029137A1 (ja) * 2013-08-27 2015-03-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8993976B2 (en) 2011-08-19 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Energy sensors for light beam alignment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015015251A (ja) * 2009-07-29 2015-01-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体
JP2012134447A (ja) * 2010-11-29 2012-07-12 Komatsu Ltd 光学装置、光学装置を備えるレーザ装置、及びレーザ装置を備える極端紫外光生成システム
JP2012199512A (ja) * 2011-03-10 2012-10-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法
JP2013069655A (ja) * 2011-03-30 2013-04-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2014534559A (ja) * 2011-10-07 2014-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源
WO2015029137A1 (ja) * 2013-08-27 2015-03-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020170362A1 (ja) * 2019-02-20 2020-08-27 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法
JPWO2020170362A1 (ja) * 2019-02-20 2021-12-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017077930A1 (ja) 2018-08-30
US10102938B2 (en) 2018-10-16
US20180240562A1 (en) 2018-08-23
WO2017077584A1 (ja) 2017-05-11
JP6715259B2 (ja) 2020-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6715259B2 (ja) 極端紫外光生成装置
CN105723811B (zh) 用于控制euv光源中的靶材料的微滴的系统和方法
US9538629B2 (en) Chamber for extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation apparatus
US10531551B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus
US10225918B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus
JP6775606B2 (ja) 極端紫外光生成システム
US9647406B2 (en) Laser unit and extreme ultraviolet light generating system
US9510434B2 (en) Extreme ultraviolet light generating apparatus, method of generating extreme ultraviolet light, concentrated pulsed laser light beam measuring apparatus, and method of measuring concentrated pulsed laser light beam
WO2017056324A1 (ja) 極端紫外光生成システム
TW201329643A (zh) 對齊系統和極紫外光產生系統
JP6646676B2 (ja) 極端紫外光生成装置
US9578730B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus and extreme ultraviolet light generation system
JP6779301B2 (ja) レーザ装置、及び極端紫外光生成システム
US20190289707A1 (en) Extreme ultraviolet light generation system
JP6378355B2 (ja) 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法
JP6838155B2 (ja) レーザシステム、極端紫外光生成装置、及び極端紫外光生成方法
US11924954B2 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus and electronic device manufacturing method
US20160370706A1 (en) Extreme ultraviolet light generation apparatus
WO2019092831A1 (ja) 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法
WO2014119200A1 (ja) ミラー装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16861991

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017548726

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16861991

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1