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WO2020170362A1 - 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2020170362A1
WO2020170362A1 PCT/JP2019/006345 JP2019006345W WO2020170362A1 WO 2020170362 A1 WO2020170362 A1 WO 2020170362A1 JP 2019006345 W JP2019006345 W JP 2019006345W WO 2020170362 A1 WO2020170362 A1 WO 2020170362A1
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WO
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pulse laser
laser light
generation system
extreme ultraviolet
actuator
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English (en)
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祐一 西村
隆之 薮
司 堀
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Gigaphoton Inc
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Gigaphoton Inc
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    • H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
    • H05G2/0084—Control of the laser beam

Definitions

  • the present disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation system and a method for manufacturing an electronic device.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • An extreme ultraviolet light generation system includes a chamber, a target supply unit that outputs a target toward a predetermined region in the chamber, and a prepulse laser device that outputs a prepulse laser beam with which the target is irradiated.
  • a main pulse laser device that outputs a main pulse laser beam that is irradiated to a target that is irradiated with the pre-pulse laser beam; a beam combiner that substantially matches the optical path of the pre-pulse laser beam and the optical path of the main pulse laser beam;
  • a condensing optical system arranged in the optical paths of the pre-pulse laser light and the main pulse laser light emitted from the combiner, and condensing the pre-pulse laser light and the main pulse laser light in the vicinity of a predetermined area, a pre-pulse laser device and a beam combiner.
  • First control for controlling the first actuator so that the evaluation value calculated from the output approaches the target value, and after the first control, for controlling the second actuator so that the evaluation value approaches the target value.
  • An electronic device manufacturing method is an electronic device manufacturing method, which comprises a chamber, a target supply unit that outputs a target toward a predetermined region in the chamber, and a target.
  • a pre-pulse laser device that outputs a pre-pulse laser beam
  • a main pulse laser device that outputs a main pulse laser beam that irradiates a target irradiated with the pre-pulse laser beam
  • an optical path of the pre-pulse laser beam and an optical path of the main pulse laser beam Is arranged in the optical path of the pre-pulse laser light and the main pulse laser light emitted from the beam combiner, and the condensing optics for converging the pre-pulse laser light and the main pulse laser light in the vicinity of a predetermined area.
  • a first optical element arranged in the optical path of the prepulse laser beam between the prepulse laser device and the beam combiner, and a first actuator for changing the traveling direction of the prepulse laser beam emitted from the first optical element
  • a second actuator for changing the irradiation position of the pre-pulse laser light and the main-pulse laser light in a plane orthogonal to the traveling directions of the pre-pulse laser light and the main-pulse laser light emitted from the condensing optical system
  • a controller for controlling the first actuator and the second actuator based on the outputs of the plurality of sensors for detecting the light emitted from the predetermined region by irradiating the target with the laser light, Within one burst period, the first control that controls the first actuator so that the evaluation value calculated from the outputs of the plurality of sensors approaches the target value, and the evaluation value is the target value after the first control.
  • an extreme ultraviolet light generation system that includes a controller that executes a second control that controls the second actuator so as to approach the target.
  • a controller that executes a second control that controls the second actuator so as to approach the target.
  • To generate extreme ultraviolet light output the extreme ultraviolet light to an exposure apparatus, and expose the photosensitive substrate with the extreme ultraviolet light in the exposure apparatus to manufacture an electronic device.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrangement example of the EUV light sensor.
  • FIG. 3 is a side view of FIG.
  • FIG. 4 is a graph exemplarily showing how the EUV energy and the EUV center-of-gravity position change during each burst period when the EUV center-of-gravity control is not performed.
  • FIG. 5 is a graph exemplarily showing how the EUV energy changes and the EUV center-of-gravity position changes during each burst period when the EUV center-of-gravity control is performed.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrangement example of the EUV light sensor.
  • FIG. 3 is a side view of FIG.
  • FIG. 4 is a graph exemplarily showing how the EUV energy and the EUV center-of-gravity position change
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of the EUV light generation system according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram exemplarily showing the relationship between the relative position shift amount between the pre-pulse laser light and the CO 2 laser light and the EUV center-of-gravity position.
  • FIG. 8 is a diagram exemplarily showing the relationship between the relative position shift amount between the pre-pulse laser light and the CO 2 laser light and the EUV center-of-gravity position.
  • FIG. 9 is a graph showing the operation of the EUV light generation system according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing the state of the timing before the initial burst irradiation shown in (i) of FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing the timing of the burst head portion shown by (ii) in FIG.
  • FIG. 12 is a diagram schematically showing the state of the timing in the steady state of the droplet shift shown in (iii) of FIG.
  • FIG. 13 is a diagram schematically showing the timing of the latter half of the burst shown in (iv) of FIG.
  • FIG. 14 is a diagram schematically showing the timing of the latter half of the burst shown in (v) of FIG.
  • FIG. 15 is a diagram schematically showing the timing of the burst pause period shown in (vi) of FIG.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing the timing of the droplet shift steady state at the burst head shown in (vii) in FIG.
  • FIG. 17 is a diagram schematically showing the timing of the latter half of the burst shown in (viii) of FIG.
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing the timing of the burst pause period shown by (ix) in FIG.
  • FIG. 19 is a diagram schematically showing the timing of the droplet shift steady state at the burst head portion shown by (x) in FIG.
  • FIG. 20 is a diagram schematically showing a state of timing in the latter half of the burst indicated by (xi) in FIG.
  • FIG. 21 is a flowchart showing an example of the control operation in the first embodiment.
  • FIG. 22 schematically shows the configuration of the EUV light generation system according to the second embodiment.
  • FIG. 22 schematically shows the configuration of the EUV light generation system according to the second embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing the relationship between the relative positional deviation amount ⁇ PPL1 of the first pre-pulse laser light and the EUV centroid position with respect to the irradiation positions of the second pre-pulse laser light and the CO2 laser light.
  • FIG. 24 is a diagram exemplifying the configuration of the EUV light generation system according to the third embodiment.
  • FIG. 25 is a diagram exemplifying the configuration of the EUV light generation system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 26 is a diagram schematically showing the relationship between the relative positional deviation amount ⁇ PPL1_2 of the irradiation positions of the pre-pulse laser light and the CO 2 laser light and the EUV centroid position.
  • FIG. 27 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus connected to the EUV light generation system.
  • Embodiment 4 7.1 Configuration 7.2 EUV centroid value calculation formula 7.3 Operation 7.4 Action/effect 8. Example of Manufacturing Method of Electronic Device Using EUV Light Generation System
  • Embodiment 4 7.1 Configuration 7.2 EUV centroid value calculation formula 7.3 Operation 7.4 Action/effect 8. Example of Manufacturing Method of Electronic Device Using EUV Light Generation System
  • a “target” is an irradiation target of laser light introduced into a chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • the droplet formed by the liquid target material is one form of the target.
  • the target serves as a plasma generation source.
  • Target trajectory is the path along which the target output in the chamber travels. The target trajectory intersects with the optical path of the laser light introduced into the chamber in the plasma generation region.
  • the plasma generation region is a region where the target output into the chamber is irradiated with laser light and the target is turned into plasma.
  • the plasma generation region corresponds to a region where generation of plasma for outputting EUV light is started.
  • Pulsma light is radiant light emitted from plasma.
  • the radiated light emitted from the target turned into plasma is one form of plasma light, and the radiated light includes EUV light.
  • EUV light is an abbreviation notation for “extreme ultraviolet light”.
  • Extreme ultraviolet light generation system is described as "EUV light generation system”.
  • the "burst operation" by the EUV light generation system is an operation in which a burst period in which EUV light is output at a predetermined repetition frequency for a certain period and a rest period in which EUV light is not output for a predetermined period are repeated.
  • the laser device outputs pulsed laser light to irradiate the target. The output of the pulsed laser light is stopped during the pause period, or the propagation of the pulsed laser light to the plasma generation region is suppressed.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system 100.
  • the EUV light generator 11 is used with at least one laser device.
  • the EUV light generation apparatus 11 shown in FIG. 1 is used with a pre-pulse laser device 12 and a main pulse laser device 14 as a laser device.
  • a system including the EUV light generation device 11, the pre-pulse laser device 12, and the main pulse laser device 14 is referred to as an EUV light generation system 100.
  • Either or both of the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14 may be a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
  • the MOPA system includes a laser oscillator and at least one laser amplifier.
  • a YAG laser device that outputs a pulse laser beam having a wavelength of 1.06 ⁇ m can be used.
  • "YAG” is an abbreviation for Yttrium Aluminum Garnet.
  • the YAG laser device uses a YAG crystal as a laser medium for an oscillator and/or an amplifier.
  • the YAG crystal may be doped with an element such as neodymium (Nd).
  • the main pulse laser device 14 is, for example, a CO 2 laser device.
  • CO2 represents carbon dioxide.
  • the CO2 laser device uses CO2 gas as a laser medium for an oscillator and/or an amplifier.
  • the main pulse laser device 14 shown in FIG. 1 includes a master oscillator 16, an optical isolator (not shown), and a CO 2 laser amplifier 18.
  • the master oscillator 16 outputs laser light including the wavelength in the amplification region of the CO2 laser amplifier 18 at a predetermined repetition frequency.
  • a solid-state laser device can be adopted as the master oscillator 16.
  • the wavelength of the laser light output from the master oscillator 16 may be, for example, 10.59 ⁇ m, and the repetition frequency of pulse oscillation may be, for example, 100 kHz.
  • the CO2 laser amplifier 18 is arranged on the optical path of the laser light output from the master oscillator 16.
  • FIG. 1 shows a configuration including three CO 2 laser amplifiers 18, the main pulse laser device 14 can be configured to include n CO 2 laser amplifiers 18. n may be an integer of 1 or more.
  • the EUV light generation device 11 is configured to include a first laser light transmission device 20, a second laser light transmission device 22, a beam combiner 26, a chamber 28, and a controller 30.
  • Each of the first laser light transmission device 20 and the second laser light transmission device 22 has an optical element for defining the transmission state of the laser light, and an actuator for adjusting the position, posture, etc. of the optical element. Equipped with.
  • the first laser light transmission device 20 includes a first high-reflection mirror 31 and a second high-reflection mirror 32 as optical elements for defining the traveling direction of the laser light output from the pre-pulse laser device 12. ..
  • the laser light output from the pre-pulse laser device 12 is called a pre-pulse laser light 72.
  • the first laser light transmission device 20 can form a laser light path that guides the pre-pulse laser light 72 to the beam combiner 26.
  • the second laser light transmission device 22 includes a third high reflection mirror 33 and a fourth high reflection mirror 34 as optical elements for defining the traveling direction of the laser light output from the main pulse laser device 14. Including.
  • the laser light output from the main pulse laser device 14 is called a main pulse laser light 74.
  • the second laser light transmission device 22 can form a laser light path that guides the main pulse laser light 74 to the beam combiner 26.
  • the beam combiner 26 includes a fifth high-reflection mirror 36, a dichroic mirror 37, and a sixth high-reflection mirror 38.
  • the fifth high-reflection mirror 36 reflects the main pulse laser light 74 transmitted via the second laser light transmission device 22 toward the dichroic mirror 37.
  • the dichroic mirror 37 is an optical element that reflects the pre-pulse laser light 72 and transmits the main pulse laser light 74.
  • the dichroic mirror 37 may be a diamond substrate coated with a film that reflects the pre-pulse laser beam 72 with high reflectance and transmits the main pulse laser beam 74 with high transmittance.
  • the dichroic mirror 37 transmits the main pulse laser light 74 reflected by the fifth high-reflection mirror 36 and reflects the pre-pulse laser light 72 transmitted via the first laser light transmission device 20. Substantially match the optical paths of the two lights.
  • substantially coincident is not limited to a case where the coincidence is exact, but means “substantially coincidence” that includes a predetermined allowable range that can be regarded as substantially coincident.
  • substantially matching the optical paths of a plurality of lights is called multiplexing.
  • the sixth high-reflection mirror 38 reflects the pulsed laser light 76 multiplexed by the dichroic mirror 37 and defines the traveling direction of the pulsed laser light 76.
  • the pulse laser light 76 is either or both of the pre-pulse laser light 72 and the main pulse laser light 74.
  • the beam combiner 26 may be fixed to the chamber 28.
  • the chamber 28 is a container that can be sealed.
  • the chamber 28 may be formed in, for example, a hollow spherical shape or a cylindrical shape.
  • the chamber 28 includes a droplet generator 40, a droplet detection sensor 42, and a droplet collector 44.
  • a window 46 for introducing the pulsed laser light 76 into the chamber 28 is arranged on the wall of the chamber 28. The pulsed laser light 76 output from the beam combiner 26 passes through the window 46.
  • a laser condensing unit 50 and an EUV light condensing mirror 52 are arranged in the chamber 28.
  • a plurality of EUV light sensors including EUV light sensors 54a and 54b are arranged on the wall of the chamber 28. Although the EUV light sensors 54a and 54b are shown in FIG. 1 for convenience of illustration, three EUV light sensors 54a, 54b, and 54c are arranged on the wall of the chamber 28 as shown in FIG.
  • the droplet generator 40 is configured to supply the droplet 58 of the target material into the chamber 28, and is attached so as to penetrate the wall of the chamber 28, for example.
  • the material of the target material may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the droplet generator 40 includes a tank 60 that stores a target material, a nozzle 62 that includes a nozzle hole that outputs the target material, and a piezo element (not shown) disposed in the nozzle 62.
  • the tank 60 may be formed in a hollow cylindrical shape.
  • the target material is contained in the hollow tank 60.
  • At least the inside of the tank 60 is made of a material that does not easily react with the target substance.
  • tin which is an example of the target substance, for example, SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , molybdenum, tungsten, tantalum, or the like can be used.
  • a heater (not shown) and a temperature sensor (not shown) are fixed to the outer side surface of the tank 60.
  • the EUV light generation apparatus 11 includes a pressure regulator 64 that regulates the pressure inside the tank 60.
  • the pressure regulator 64 is arranged in the pipe 68 between the inert gas supply unit 66 and the tank 60.
  • the inert gas supply unit 66 may include a gas cylinder filled with an inert gas such as helium or argon.
  • the inert gas supply unit 66 can supply the inert gas into the tank 60 via the pressure regulator 64.
  • the pressure regulator 64 is connected to an exhaust pump (not shown).
  • the pressure regulator 64 may operate an exhaust pump to exhaust the gas in the tank 60.
  • the pressure regulator 64 may include a solenoid valve (not shown) for supplying and exhausting air, a pressure sensor (not shown), and the like inside.
  • the pressure regulator 64 may detect the pressure in the tank 60 using a pressure sensor.
  • the pressure regulator 64 is connected to the controller 30.
  • the nozzle 62 is provided on the bottom surface of the tubular tank 60.
  • a plasma generation region 80 inside the chamber 28 is located on an extension line of the nozzle 62 in the central axis direction.
  • FIG. 1 for convenience of explanation, a three-dimensional XYZ orthogonal coordinate system is introduced, and the central axis direction of the nozzle 62 is defined as the Y axis direction.
  • the direction in which EUV light is extracted from the chamber 28 toward the exposure apparatus 110 is the Z-axis direction, and the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1 is the X-axis direction.
  • the nozzle hole of the nozzle 62 is formed in a shape that jets a molten target material into the chamber 28 in a jet shape.
  • Liquid tin can be used as an example of the target material to be output from the nozzle hole.
  • the droplet generator 40 forms the droplet 58 by a continuous jet method, for example.
  • the nozzle 62 is vibrated to give a standing wave to the flow of the target ejected in a jet shape, and the target material is periodically separated.
  • the separated target material may form a free interface by its own surface tension to form the droplet 58.
  • a piezo element (not shown) is arranged in the nozzle 62.
  • the piezo element can be an element that constitutes a droplet forming mechanism that gives the nozzle 62 the vibration necessary for forming the droplet 58.
  • the piezo element is connected to a piezo power source (not shown).
  • the piezo power supply supplies power to the piezo element.
  • the piezo power source is connected to the controller 30, and the controller 30 controls the power supply to the piezo element.
  • the droplet detection sensor 42 is configured to detect any one or a plurality of the presence, trajectory, position, and speed of the droplet 58 output in the chamber 28.
  • the droplet detection sensor 42 is any one of a photodiode, a photodiode array, an avalanche photodiode, a photomultiplier tube, a multi-pixel photon counter, an image sensor such as a CCD (Charge-coupled device) camera, and an image intensifier. It can be configured by
  • the droplet detection sensor 42 for example, a configuration including a light source unit and a light receiving unit can be adopted.
  • the light source unit and the light receiving unit can be arranged at positions facing each other with the trajectory of the droplet 58 interposed therebetween.
  • a plurality of droplet detection sensors 42 may be arranged in the chamber 28.
  • the laser condensing unit 50 is configured to include a condensing optical system that condenses the pulsed laser light 76 that has entered the chamber 28 through the window 46 into the plasma generation region 80.
  • the laser condensing unit 50 includes a highly reflective off-axis paraboloidal mirror 82, a highly reflective concave off-axis elliptical mirror 83, a mirror support plate 84, and a triaxial stage 85.
  • the high-reflection off-axis paraboloidal mirror 82 is held by a mirror holder (not shown) and fixed to the mirror support plate 84.
  • the highly reflective concave off-axis elliptical mirror 83 is held by a mirror holder (not shown) and fixed to the mirror support plate 84.
  • the triaxial stage 85 is a stage capable of moving the mirror support plate 84 in the directions of the three axes of the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other.
  • the triaxial stage 85 includes an actuator (not shown) and is electrically driven according to a command from the controller 30.
  • the EUV light collecting mirror 52 is supported by a supporting member 86.
  • the support member 86 is fixed to the inner wall of the chamber 28.
  • the EUV light collecting mirror 52 has a spheroidal reflecting surface.
  • the EUV light collecting mirror 52 has a first focus and a second focus.
  • On the reflecting surface of the EUV light collecting mirror 52 for example, a multilayer reflecting film in which molybdenum and silicon are alternately laminated is formed.
  • the EUV light collecting mirror 52 is arranged, for example, such that its first focus is located in the plasma generation region 80 and its second focus is located in an intermediate focusing point (IF: Intermediate Focusing point) 90. ..
  • a through hole 53 is provided at the center of the EUV light collecting mirror 52, and the pulsed laser light 76 passes through the through hole 53.
  • the droplet collector 44 is arranged on an extension line of a direction in which the droplet 58 output from the droplet generator 40 into the chamber 28 advances.
  • the dropping direction of the droplet 58 is parallel to the Y axis, and the droplet collector 44 is arranged at a position facing the droplet generator 40 in the Y axis direction.
  • the chamber 28 is provided with an exhaust device (not shown) and a pressure sensor (not shown), and the chamber 28 is connected to a gas supply device (not shown).
  • the EUV light generation apparatus 11 includes a connection portion 92 that connects the inside of the chamber 28 and the inside of the exposure apparatus 110. Inside the connecting portion 92, a wall having an aperture (not shown) is provided inside the connecting portion 92. The aperture is arranged so as to be located at the intermediate focal point 90 which is the second focus position of the EUV light focusing mirror 52.
  • the exposure apparatus 110 includes an exposure apparatus control unit 112, and the exposure apparatus control unit 112 is connected to the controller 30.
  • the controller 30 is configured to control the entire EUV light generation system 100.
  • the controller 30 is connected to each of the pre-pulse laser device 12, the main pulse laser device 14, the droplet generator 40, the pressure adjuster 64, the droplet detection sensor 42, the EUV light sensors 54a to 54c, and the triaxial stage 85. .. Further, the controller 30 is connected to an exhaust device (not shown), a pressure sensor, a gas supply control valve, and the like.
  • the controller 30 controls the operation of the droplet generator 40. Further, the controller 30 controls the output timing of each laser beam of the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14 based on the detection result of the droplet detection sensor 42. The controller 30 generates a trigger signal that specifies the output timing of each laser beam of the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14.
  • the controller 30 controls the timing at which the droplet 58 is output, the output direction of the droplet 58, the speed of the droplet 58, etc., based on the detection result of the droplet detection sensor 42. Further, the controller 30 sets, for example, the respective oscillation timings of the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14, the traveling directions of the pre-pulse laser light 72 and the main pulse laser light 74, and the focusing positions of the pulse laser light 76. Control.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary, or some control functions may be omitted.
  • control device such as the controller 30 and the exposure device control unit 112 can be realized by a combination of hardware and software of one or a plurality of computers.
  • the computer may be configured to include a CPU (Central Processing Unit) and a memory.
  • Software is synonymous with program.
  • Programmable controllers are included in the concept of computers.
  • the CPU included in the computer is an example of a processor. Even if some or all of the processing functions of the controller 30 and the exposure apparatus control unit 112 and other control apparatus are realized by using an integrated circuit represented by an FPGA (Field Programmable Gate Array) or an ASIC (Application Specific Circuit). Good.
  • FPGA Field Programmable Gate Array
  • ASIC Application Specific Circuit
  • controller 30 and the exposure apparatus control unit 112 and the like may be connected to each other via a communication network such as a local area network or the Internet.
  • program units may be stored in both local and remote memory storage devices.
  • the controller 30 controls the exhaust by the exhaust device and the gas supply from the gas supply device so that the pressure in the chamber 28 falls within a predetermined range based on the detection value of the pressure sensor attached to the chamber 28. ..
  • the predetermined range of the pressure in the chamber 28 is, for example, a value between several Pascal [Pa] and several hundred Pascal [Pa].
  • the controller 30 controls the heater provided in the tank 60 to heat the target material in the tank 60 to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point.
  • the controller 30 controls the heater so that the tin in the tank 60 reaches a predetermined temperature in the temperature range of 250° C. to 300° C., for example. To do. As a result, the tin in the tank 60 melts and becomes a liquid.
  • the controller 30 also controls the pressure adjuster 64 so that the pressure in the tank 60 is a pressure at which a jet of liquid tin can be output from the nozzle 62 at a predetermined speed.
  • the controller 30 transmits a signal that supplies a voltage having a predetermined waveform to the piezo element so that the droplet 58 is generated.
  • the piezoelectric element vibrates when a voltage having a predetermined waveform is supplied to the piezoelectric element.
  • the jet of liquid tin output from the nozzle hole is subjected to regular vibration.
  • the jet-like liquid tin is divided into the droplets 58, and the droplets 58 having substantially the same volume are periodically generated.
  • each of the droplets 58 output from the droplet generator 40 moves along the droplet trajectory from the nozzle hole to the plasma generation region 80.
  • the droplet detection sensor 42 includes, for example, a light source unit and a light receiving unit (not shown), and the illumination light output from the light source unit passes through a predetermined position of the droplet trajectory where the droplet 58 advances and the light receiving unit. Is received by.
  • the light intensity received by the light receiving unit decreases in synchronization with the passage of the droplet 58 at a predetermined position. This change in light intensity is detected by the light receiving unit, and the detection result is output from the light receiving unit to the controller 30.
  • the controller 30 When the pulse laser light 76 is applied to the droplet 58, the controller 30 generates the droplet detection signal at the timing when the detection signal obtained from the droplet detection sensor 42 falls below the threshold voltage.
  • the controller 30 outputs a light emission trigger signal delayed by a predetermined time with respect to the droplet detection signal to the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14.
  • the delay time set for each of the pre-pulse laser device 12 and the main pulse laser device 14 is such that the pulse laser light 76 is applied to the droplet 58 when the droplet 58 reaches the plasma generation region 80. Set it.
  • the pre-pulse laser device 12 When the light emission trigger signal is input to the pre-pulse laser device 12, the pre-pulse laser device 12 outputs the pre-pulse laser light 72. When the light emission trigger signal is input to the main pulse laser device 14, the main pulse laser device 14 outputs the main pulse laser light 74. The power of the laser light output from the main pulse laser device 14 reaches several kW to several tens of kW.
  • the pre-pulse laser light 72 output from the pre-pulse laser device 12 passes through the window 46 via the first laser light transmission device 20 and the beam combiner 26, and is input to the chamber 28.
  • the main pulse laser light 74 output from the main pulse laser device 14 passes through the window 46 via the second laser light transmission device 22 and the beam combiner 26, and is input to the chamber 28.
  • the pulsed laser light 76 including the pre-pulse laser light 72 and the main pulsed laser light 74 is condensed by the laser condensing unit 50 and is applied to the droplet 58 reaching the plasma generation region 80.
  • the droplet 58 is irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 76.
  • the droplet 58 irradiated with the pulsed laser light 76 is turned into plasma, and the emitted light 116 is emitted from the plasma.
  • the EUV light 118 included in the emitted light 116 is selectively reflected by the EUV light collecting mirror 52.
  • the EUV light 118 reflected by the EUV light condensing mirror 52 is condensed at the intermediate condensing point 90 and output to the exposure device 110.
  • one droplet 58 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulsed laser light 76.
  • one droplet 58 is irradiated with the pulse of the pre-pulse laser light 72 and the pulse of the main pulse laser light 74.
  • the pre-pulse laser light 72 is irradiated to the droplet 58 at the timing when one droplet 58 reaches the plasma generation region 80.
  • the droplet 58 irradiated with the pre-pulse laser beam 72 expands or diffuses to become a secondary target.
  • the secondary target may be, for example, a mist-like diffused target.
  • the main pulse laser beam 74 is applied to the secondary target at the timing when the secondary target expands or diffuses to a desired size.
  • the secondary target irradiated with the main pulse laser light 74 is turned into plasma, and the emitted light 116 containing EUV light is emitted from this plasma.
  • the droplet collector 44 collects the droplet 58 that has not passed through the plasma generation region 80 without being irradiated with the pulsed laser light 76, or a portion of the droplet 58 that has not diffused due to the irradiation of the pulsed laser light 76.
  • the EUV light sensors 54a, 54b, 54c measure the energy of the EUV light generated in the chamber 28.
  • the controller 30 calculates the position of the center of gravity of the plasma and the drive amount of the laser condensing unit 50 necessary for correcting the laser irradiation position from the measurement values obtained from the EUV light sensors 54a, 54b, 54c, and the triaxial stage.
  • a drive command is sent to 85.
  • the triaxial stage 85 is driven according to the drive command from the controller 30, and the pulsed laser light 76 is focused at a predetermined position.
  • the position of the center of gravity of plasma means the position of the center of gravity of EUV energy.
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams exemplifying arrangements of EUV light sensors. As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of EUV light sensors 54 a, 54 b, 54 c are arranged around the plasma generation region 80.
  • each of the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c is arranged on the wall of the chamber 28 so as to face the plasma generation region 80 from different directions.
  • Each of the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c is arranged so as not to block the optical path of the EUV light 118 reflected by the EUV light collecting mirror 52.
  • Each of the plurality of EUV light sensors 54 a, 54 b, 54 c is arranged along the outer peripheral edge of the EUV light collecting mirror 52.
  • Each of the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c is arranged with its light receiving port facing the plasma generation region 80.
  • the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c use the plasma generation area 80 so that the difference in energy measured by the EUV light sensors 54a, 54b, 54c becomes small when plasma is generated in the plasma generation area 80. Are placed equidistant from each other. It is preferable that each of the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c is arranged at a position where it is easy to evaluate the EUV centroid position.
  • the EUV centroid position means the centroid position of the energy distribution of the EUV light 118 near the plasma generation region 80.
  • the EUV center-of-gravity position is the position of the weighted average in the energy distribution of the EUV light 118.
  • the EUV center-of-gravity position is a spatial position specified by a plurality of measurement values obtained by measuring with the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c.
  • a plurality of EUV optical sensors 54a, 54b, 54c are arranged at the respective vertices of an isosceles right triangle as shown in FIG.
  • the right isosceles triangle shown in FIG. 2 is a right isosceles triangle in which the midpoint of the long side passes through the plasma generation region 80 and the two short sides are arranged along the X axis and the Y axis, respectively. is there.
  • the EUV light sensor 54c is arranged at the position of the apex, the EUV light sensor 54a is arranged in the Y-axis direction from the EUV light sensor 54c, and the EUV light sensor 54b is arranged in the X-axis direction from the EUV light sensor 54c.
  • An example is shown.
  • EUV light sensors is not limited to this example, and four or more EUV light sensors may be arranged. In order to properly evaluate the EUV center of gravity position, it is preferable to arrange at least three EUV optical sensors in the chamber 28.
  • EUV center-of-gravity control means that the EUV center-of-gravity position becomes a target center-of-gravity position based on the measurement results of each of the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c during generation of the EUV light 118.
  • the light irradiation position is controlled by a feedback method.
  • the irradiation position of the laser light is an irradiation position of the laser light emitted from the laser condensing unit 50 toward the target in the vicinity of the plasma generation region 80 (that is, the condensing position of the laser light), and particularly the laser condensing unit 50.
  • the irradiation position of the laser beam is represented as a position in the XY plane defined by the X axis and the Y axis.
  • EUV center-of-gravity value The evaluation value for evaluating the EUV center-of-gravity position calculated based on the plurality of measurement values obtained from the plurality of EUV light sensors 54a, 54b, 54c is called "EUV center-of-gravity value”.
  • the target value of EUV center-of-gravity control (target center-of-gravity position) is preset by the sequence operation of the EUV light generation system.
  • the controller 30 calculates the EUV centroid value according to the equations (Equation 1A) and (Equation 1B) of the EUV centroid value based on the outputs of the EUV light sensors 54a, 54b, 54c.
  • EUV Centroid_x is the X-axis coordinate component of the EUV centroid value. EUV Centroid_x indicates the uneven distribution of the energy distribution of EUV light in the direction along the X axis. EUV Centroid_y is the Y-axis coordinate component of the EUV centroid value. EUV Centroid_y indicates the uneven distribution of the energy distribution of EUV light in the direction along the Y axis.
  • the controller 30 calculates the relative positional relationship between the droplet 58 and the irradiation position (focusing position) of the laser light according to the EUV centroid value calculated from Equation 1A and Equation 1B, and the EUV centroid value becomes the target value.
  • the laser condensing unit 50 is moved by driving the triaxial stage 85.
  • the laser light and the droplets 58 are irradiated with the laser light in a positional relationship that is deviated, the EUV energy becomes unstable, and the amount of unnecessary scattered matter (debris) also increases (see FIG. 4 ).
  • FIG. 4 is a graph exemplarily showing changes in EUV energy and EUV center-of-gravity position in each burst period when EUV center-of-gravity control is not performed.
  • the graph shown at the top of FIG. 4 represents the timing of the burst gate signal.
  • the period of the burst gate on is the burst period, and the period of the burst gate off is the burst pause period.
  • the burst gate signal is given to the controller 30 from the exposure apparatus controller 112, for example.
  • the controller 30 controls the irradiation of the pre-pulse laser light 72 and the main pulse laser light 74 to the droplet 58 according to the burst gate signal.
  • the middle graph in FIG. 4 shows the EUV energy of EUV light generated for each burst period.
  • the EUV energy is high at the beginning of the burst and low at the latter half of the burst. Further, when comparing between bursts, the EUV energy in the first burst period is the highest, and the EUV energy gradually decreases as the number of bursts passes.
  • the lower graph in Fig. 4 shows the transition of the EUV centroid position calculated within each burst period.
  • the EUV center-of-gravity position changes from the initial set position within one burst period. Further, when comparing the bursts, the deviation of the EUV centroid position increases as the number of bursts passes.
  • the EUV center-of-gravity control including the control of the stage position of the laser condensing unit 50 is not performed, the EUV center-of-gravity position moves away from the initial center as shown in FIG. 4, and the EUV energy decreases between bursts. ..
  • the EUV centroid value calculated from the outputs of the EUV light sensors 54a, 54b, 54c is used to determine the laser condensing unit 50.
  • Feedback control is performed to adjust the stage position to compensate for the deviation of the irradiation position of the laser light onto the droplet 58 (see FIG. 5).
  • FIG. 5 is a graph exemplarily showing how the EUV energy changes and the EUV center-of-gravity position changes in each burst period when the EUV center-of-gravity control is performed.
  • the uppermost graph in FIG. 5 represents the timing of the burst gate signal.
  • the notation “Alg2” in the figure represents the type of control algorithm applied during the period of the burst gate on. That is, it indicates that the control by the algorithm Alg2 is performed in the burst period.
  • the algorithm Alg2 is referred to as a "second algorithm Alg2" in order to distinguish it from the first algorithm Alg1 described in Embodiment 1 described later.
  • Alg2 represents an algorithm for controlling the irradiation positions of all the laser beams including the pre-pulse laser beam 72 and the main pulse laser beam 74 by moving the laser focusing unit 50 based on the EUV centroid value.
  • the graph shown in the middle part of FIG. 5 represents the EUV energy of EUV light generated for each burst period.
  • the timing indicated by the arrow in this graph represents the timing of a command instructing the driving of the laser focusing unit 50 by the second algorithm Alg2. That is, the processing of the second algorithm Alg2 is executed during the period of the burst gate on, and the movement command signal (command) of the stage position of the laser condensing unit 50 is issued at the command timing shown by the arrow in FIG.
  • the triaxial stage 85 of the laser condensing unit 50 operates according to the command output at this timing. As a result, the energy value of the leading pulse in each burst period is kept substantially constant between bursts, and the EUV energy average value for each burst period is kept substantially constant between bursts.
  • the control speed is slow as shown in "command timing" in FIG. 5, so that the droplet position fluctuation (hereinafter referred to as “droplet shift") that significantly occurs at the beginning of the burst.
  • droplet shift the droplet position fluctuation
  • the correction for the sudden EUV energy reduction phenomenon due to () becomes insufficient.
  • Control of moving the stage of the laser condensing unit 50 is slow in operation, for example, since the response frequency is about 10 Hz, it is difficult to correct the fluctuation of the EUV energy due to the droplet shift generated at the burst head.
  • the laser condensing unit 50 has a mirror cooling structure for receiving a high-power CO2 laser beam that reaches several tens of kW. Since the weight of this mirror cooling structure is large, the response speed of the laser condensing unit 50 with a stage is about 100 ms. Therefore, as shown in FIG. 5, the EUV energy decrease at the burst head portion remains.
  • Embodiment 1 4.1 Overview
  • the actuator to be controlled and the control algorithm are switched within the burst ON period.
  • an optical element with a high-speed actuator that changes the traveling direction of the pre-pulse laser light 72 is arranged in the optical path of the pre-pulse laser light upstream of the beam combiner 26.
  • the first algorithm Alg1 is applied to control the high-speed actuator for a certain period in the first half of the burst including the burst head portion, and the pre-pulse laser beam 72 is controlled against the droplet shift generated at the burst head portion.
  • the irradiation position is tracked at high speed. Then, in the latter half of the burst after a certain period of time, the control algorithm is switched to the second algorithm Alg2, and the second algorithm Alg2 is applied to control the laser condensing unit 50.
  • formulas 2A and 2B described later are used instead of formulas 1A and 1B.
  • FIG. 6 schematically shows the configuration of the EUV light generation system 101 according to the first embodiment. Differences from FIG. 1 will be described.
  • a mirror holder 202 with a high-speed actuator having an actuator that operates at high speed is arranged on the optical path of the pre-pulse laser light 72 between the pre-pulse laser device 12 and the beam combiner 26. ..
  • the mirror holder with a high-speed actuator will be referred to as “high-speed ACT” hereinafter.
  • the high-speed ACT 202 holds a second high-reflection mirror 32 as an optical element that changes the traveling direction of the pre-pulse laser beam 72.
  • the EUV light generation apparatus 11A shown in FIG. 6 includes a high reflection mirror 210, on the optical path between the first high reflection mirror 31 and the second high reflection mirror 32 in the first laser light transmission apparatus 20. 212 is arranged.
  • the high-reflection mirrors 210 and 212 are arranged so that the laser light reflected by the first high-reflection mirror 31 is incident on the second high-reflection mirror 32.
  • the pre-pulse laser light 72 Comparing the pre-pulse laser light 72 and the main pulse laser light 74, it is the pre-pulse laser light 72 that has a large effect on the EUV energy. Therefore, in order to cause the prepulse laser beam 72 to follow the droplet shift, which is a high-speed phenomenon that occurs at the beginning of the burst, it is preferable to dispose the high-speed ACT 202 in the optical path of the prepulse laser beam 72 as shown in FIG. ..
  • the high-speed ACT 202 is configured so that the focus position (irradiation position) of the pre-pulse laser beam 72 can be moved on the XY plane in the plasma generation region 80. Since the high-speed ACT 202 holds the mirror (here, the second high-reflection mirror 32) that receives the pre-pulse laser beam 72 having energy that does not require mirror cooling, the load is small and high-speed scanning is possible.
  • the settling time of the high speed ACT 202 may be, for example, 0.01 ms or more and 10 ms or less.
  • the EUV center-of-gravity value is calculated by adding the correction formula f( ⁇ PPL) using ⁇ PPL as a variable to the right side of the formulas (Formula 1A) and (Formula 1B).
  • Equation 2B is used.
  • the correction formula f( ⁇ PPL) may be a first-order polynomial or a third-order polynomial having ⁇ PPL as a variable.
  • EUV Centroid_x ⁇ (E2-E3)/(E2+E3) ⁇ +f( ⁇ PPLx) (Formula 2A)
  • EUV Centroid_y ⁇ (E1-E3)/(E1+E3) ⁇ +f( ⁇ PPLy) (Formula 2B)
  • ⁇ PPLx represents the value of the relative displacement amount of ⁇ PPL in the X-axis direction
  • ⁇ PPLy represents the value of the relative displacement amount of ⁇ PPL in the Y-axis direction.
  • a portion surrounded by a broken line shown as “MST” in the drawing represents a mist generation range of a diffusion target (secondary target) generated by irradiation with the pre-pulse laser beam 72.
  • the portion surrounded by the chain double-dashed line indicated as “CO2L” represents the irradiation position of the CO 2 laser light which is the main pulse laser light 74.
  • the overlapping portion of the irradiation range of the CO 2 laser light surrounded by the chain double-dashed line in the figure and the mist generation range surrounded by the broken line is the EUV light generation region, and the EUV centroid position is schematically shown as the centroid of this region. ..
  • the position of the mark with a cross in the circle shown as "EUV_C" in the figure represents the EUV centroid position.
  • ⁇ PPL is small as shown in Fig. 7.
  • the pre-pulse laser irradiation position PPL is deviated from the droplet position DL toward the ⁇ side (minus side) in the X-axis direction, the EUV center-of-gravity value is calculated as a value in the ⁇ side along the X-axis. Therefore, the pre-pulse laser irradiation position PPL is corrected to the + side (plus side) in the X-axis direction so as to correct this (lower diagram in FIG. 7).
  • the mist generation range MST of the secondary target generated by irradiating the droplet 58 with the pre-pulse laser light 72 at the position corrected in this way is the irradiation range of the CO 2 laser light, and the EUV centroid position also approaches the droplet position DL.
  • the EUV center-of-gravity value is still calculated as a value on the ⁇ side in the X-axis direction from the pre-pulse laser irradiation position PPL. Therefore, in the next control, the pre-pulse laser irradiation position PPL is further moved to the + side in the X-axis direction so as to correct this. Then, the mist generation range MST moves to the + side in the X-axis direction and deviates from the CO2 laser irradiation range.
  • FIG. 9 is a graph showing the operation of the EUV light generation system 101 according to the first embodiment.
  • the waveform shown at the top of FIG. 9 represents the timing of the burst gate.
  • the high-speed ACT 202 is controlled according to the first algorithm Alg1 during a certain period ⁇ of the first half of the burst from the start of rising of the burst gate.
  • the algorithm is switched to the second algorithm Alg2, and the triaxial stage 85 of the laser condensing unit 50 is controlled according to the second algorithm Alg2.
  • PID Proportional-Integral-Differential
  • the graph shown in the middle part of FIG. 9 represents the EUV energy of the EUV light generated for each burst period.
  • the timings indicated by the triangle marks in this graph represent the timings of commands for instructing the driving of the high speed ACT 202 by the first algorithm Alg1. That is, the processing of the first algorithm Alg1 is executed in the burst head portion, which is a predetermined period of time ⁇ from the start of the burst, and the movement command signal (command) of the high speed ACT 202 is issued at the command timing indicated by the triangle mark in FIG. ..
  • a movement command signal to the high speed ACT 202 based on the first algorithm Alg1 is referred to as a first command.
  • the high speed ACT 202 operates according to the first command.
  • a movement command signal for the laser condensing unit 50 based on the second algorithm Alg2 is referred to as a second command.
  • the triaxial stage 85 of the laser focusing unit 50 operates.
  • the time interval between the timings when the first command is output by the first algorithm Alg1 is sufficiently shorter than the time interval between the timings when the second command is output by the second algorithm Alg2. That is, the response speed of the high-speed ACT 202 is higher than the response speed of the triaxial stage 85 of the laser focusing unit 50.
  • FIG. 10 to 20 are schematic diagrams in the vicinity of the plasma generation region 80 at respective timings (i) to (xi) in FIG.
  • FIG. 10 schematically shows the state of the timing before the initial burst irradiation shown by (i) in FIG. In the state before the initial burst irradiation, these positional relationships are appropriately adjusted so that the droplet position DL, the pre-pulse laser irradiation position PPL, and the CO2 laser irradiation position CO2L coincide with each other.
  • FIG. 11 schematically shows the state of the timing of the burst head portion shown by (ii) in FIG.
  • Droplet shift occurs at the beginning of the burst immediately after the burst gate on, causing a deviation between the pre-pulse laser irradiation position PPL and the droplet position DL.
  • a state is shown in which the droplet 58 has begun to shift toward the + side in the X direction.
  • the EUV center-of-gravity value is calculated as a value on the ⁇ side in the X direction.
  • the controller 30 uses the energy values E1, E2, and E3 obtained from the EUV photosensors 54a, 54b, and 54c to calculate the EUV centroid value by the equations 2A and 2B so that the calculated EUV centroid value becomes constant.
  • the high speed ACT 202 is feedback controlled. This control algorithm is the first algorithm Alg1.
  • FIG. 12 schematically shows the state of the timing in the steady state of the droplet shift shown in (iii) of FIG. Since the high speed ACT 202 is driven by the first algorithm Alg1 with respect to the droplet shift, the pre-pulse laser irradiation position PPL follows the droplet 58.
  • control algorithm is switched to the second algorithm Alg2 after ⁇ has elapsed from the beginning of the burst gate on.
  • the coaxial relationship between the pre-pulse laser light 72 and the CO2 laser light may be restored.
  • the three positions of the laser condensing unit 50 are adjusted so that the relationship between the CO2 laser irradiation position CO2L and the prepulse laser irradiation position PPL approaches an optimum positional relationship without largely changing the prepulse laser irradiation position PPL.
  • the axis stage 85 and the high speed ACT 202 are simultaneously moved.
  • both the laser irradiation positions of the pre-pulse laser irradiation position PPL and the CO2 laser irradiation position CO2L move, so the high-speed ACT 202 is driven at the same time and the pre-pulse laser irradiation is performed.
  • the position PPL is controlled to remain at the current position.
  • the "optimal positional relationship" between the CO2 laser irradiation position CO2L and the pre-pulse laser irradiation position PPL is a positional relationship in which the EUV energy is most observed when the droplet 58 is appropriately laser-irradiated.
  • FIG. 13 schematically shows the timing at the latter half of the burst shown in (iv) of FIG. At the timing shown in (iv), the laser irradiation position changes due to the heat load.
  • the controller 30 Based on the energy values E1, E2, E3 obtained from the EUV light sensors 54a, 54b, 54c, the controller 30 adjusts the three values of the laser condensing unit 50 so that the EUV centroid value calculated by the equations 2A and 2B becomes constant.
  • the axis stage 85 is controlled.
  • FIG. 14 schematically shows the timing of the latter half of the burst shown in (v) of FIG.
  • the timing indicated by (v) in FIG. 9 is a timing later than the command timing based on the second algorithm Alg2. That is, the second algorithm Alg2 drives the laser condensing unit 50 with the EUV center-of-gravity value as a control amount, and compensates for fluctuations in the laser irradiation position due to thermal load.
  • the focusing position of the laser focusing unit 50 is further moved in the droplet shift direction, and the high-speed ACT 202 is moved in the original position direction, so that the relative position between the droplet position DL and the pre-pulse laser irradiation position PPL.
  • the relative positional relationship between the pre-pulse laser irradiation position PPL and the CO2 laser irradiation position CO2L is corrected.
  • the relative positional relationship between the pre-pulse laser irradiation position PPL and the CO2 laser irradiation position CO2L is returned to a state close to the original state.
  • the relative positional relationship between the droplet position DL and the pre-pulse laser irradiation position PPL is described as “relative positional relationship between DL-PPL”.
  • the relative positional relationship between the pre-pulse laser irradiation position PPL and the CO2 laser irradiation position CO2L is described as "relative positional relationship of PPL-CO2L”.
  • FIG. 15 schematically shows the timing of the burst pause period shown in (vi) of FIG.
  • the droplet shift that occurs at the beginning of the burst returns to the original position at the same time as the burst gate off with a time constant of about 1 ms to 50 ms.
  • the "original position" here means the initial position before the first burst irradiation described in FIG. Therefore, the controller 30 drives the high-speed ACT 202 so as to match the droplet position (original position).
  • the driving amount at this time is the amount of ⁇ PPL immediately before the burst stop is added to the relative position correction amount of the pre-pulse laser irradiation position PPL and the CO2 laser irradiation position CO2L.
  • the driving direction at this time is opposite to the direction of the droplet shift.
  • the laser irradiation position shift between bursts due to thermal effects will return to the original state in the order of seconds to minutes after the burst gate is turned off.
  • the burst pause period is about several tens of ms. Therefore, the relative positional relationship between the droplet 58 and the pre-pulse laser beam 72 is restored by the high speed ACT 202 according to the burst gate off until the next burst irradiation. Good.
  • the “return operation” described in the switching of the control algorithm may be the same.
  • FIG. 16 schematically shows the timing of the droplet shift steady state at the beginning of the burst shown by (vii) in FIG.
  • the pre-pulse laser irradiation position PPL follows the position of the droplet.
  • the CO2 laser irradiation position CO2L of the next burst is close to the droplet position in the droplet shift steady state.
  • FIG. 17 schematically shows the timing of the latter half of the burst indicated by (viii) in FIG.
  • the operation here is the same as the operation (v) described in FIG.
  • the effect of compensation based on the second algorithm Alg2 improves the relative positional relationship of PPL-CO2L in the steady state of droplet shift.
  • FIG. 18 schematically shows the timing of the burst pause period shown by (ix) in FIG.
  • the operation here is the same as the operation (vi) described with reference to FIG.
  • the relative positional relationship of PPL-CO2L gradually returns.
  • FIG. 19 schematically shows the timing of the droplet shift steady state at the burst head shown by (x) in FIG.
  • the operation here is the same as the operation (iii) described in FIG. 12 and the operation (vii) described in FIG. 16. Since a plurality of bursts have passed until the timing of (x), the relative positional relationship of PPL-CO2L in the droplet shift steady state is completely restored.
  • FIG. 20 schematically shows a timing situation in the latter half of the burst shown by (xi) in FIG.
  • the operation here is the same as the operation (v) described in FIG. 14 and the operation (viii) described in FIG.
  • the relative positional relationship among the droplet 58, the pre-pulse laser irradiation position, and the CO 2 laser irradiation position can be maintained.
  • FIG. 21 is a flowchart showing an example of the control operation in the first embodiment.
  • the processes and operations illustrated in FIG. 21 are realized by, for example, a processor functioning as the controller 30 executing a program.
  • Each display from (i) to (v) in FIG. 21 corresponds to each display from (i) to (v) shown in FIG.
  • the burst gate is turned on, the flowchart of FIG. 21 starts.
  • step S12 the controller 30 determines whether or not a predetermined time ⁇ has elapsed from the start of rising of the burst gate on.
  • the time ⁇ is a time preset in order to define the period in which the control of the first algorithm Alg1 is performed as shown in FIG. It is preferable that the time ⁇ is set to be approximately equal to the time until the droplet shift reaches the steady state (hereinafter, referred to as “droplet shift steady state arrival time”).
  • the time ⁇ may be set to a time equal to or longer than the droplet shift steady state arrival time.
  • step S12 determines whether the determination result of step S12 is No. If the determination result of step S12 is No, the controller 30 proceeds to step S14.
  • step S14 the controller 30 drives the high-speed ACT 202 according to the first algorithm Alg1 to cause the irradiation position of the pre-pulse laser light to follow the droplet 58.
  • step S16 the controller 30 determines whether the burst gate is off. When the determination result of step S16 is No, the controller 30 returns to step S12. Steps S12 to S16 are repeated until the time ⁇ has elapsed. When the determination result of step S12 is Yes, that is, when the time ⁇ has elapsed, the controller 30 proceeds to step S22.
  • step S22 the controller 30 drives the laser condensing unit 50 according to the second algorithm Alg2 to compensate the laser irradiation position variation caused by the heat load. Further, in step S24, the controller 30 combines the driving of the laser focusing unit 50 and the driving of the high-speed ACT 202 to perform the compensating operation of the relative positional relationship between the pre-pulse laser light 72 and the CO2 laser light. That is, the laser condensing unit 50 is moved in the droplet shift direction, and the high-speed ACT 202 is moved in the original position direction to maintain the relative positional relationship between the droplet 58 and the pre-pulse laser light 72 while maintaining the pre-pulse laser light 72. The relative positional relationship of the CO2 laser light is restored (see FIG. 14).
  • step S26 the controller 30 determines whether or not the burst gate is off.
  • the controller 30 returns to step S22. Steps S22 to S26 are repeated until the burst gate is turned off.
  • the determination result of step S26 is Yes, that is, when the burst gate is turned off, the controller 30 proceeds to step S32. Also, if the determination result of step S16 is Yes, the process proceeds to step S32.
  • step S32 the controller 30 drives the high-speed ACT 202 according to the position of the droplet that returns to the original position due to the burst pause, and maintains the relative positional relationship between the droplet 58 and the pre-pulse laser beam 72.
  • step S34 the controller 30 determines whether or not the burst gate is on.
  • the controller 30 returns to step S32. Steps S32 to S34 are repeated until the burst gate is turned on.
  • step S34 determines whether the burst gate is turned on. If the determination result of step S34 is yes, that is, if the burst gate is turned on, the controller 30 returns to step S12 and repeats steps S12 to S34 described above.
  • the target value of the EUV centroid value is the EUV centroid when the relative positional relationship between the droplet position, the pre-pulse laser irradiation position, and the main pulse (CO2 laser irradiation position) is optimal. Set to the value.
  • the optimum state here may be a linear center of the EUV center-of-gravity characteristic with a small EUV energy variation (3 ⁇ ) within a burst.
  • the technique described in International Publication No. 2017/164251 can be applied.
  • the variation in EUV energy within a burst can be evaluated by, for example, obtaining the standard deviation ⁇ of the energy of each pulse of EUV light that emits burst light and using the value of “3 ⁇ ”.
  • the EUV center-of-gravity characteristic is a characteristic indicating the relationship between the EUV center-of-gravity value and each scanning level measured at a plurality of different scanning positions (scanning levels) when the laser beam is scanned within the irradiation position of the laser beam on the target.
  • a graph of EUV centroid characteristics is typically Fitting can be done using a third order polynomial approximation. It is possible to set a center point (for example, an inflection point) or the like of a portion showing a substantially linear change in the cubic curve as a target value.
  • the pre-pulse laser beam 72 By causing the pre-pulse laser beam 72 to follow the droplet shift that occurs at the beginning of the burst by the first algorithm Alg1, it is possible to compensate for the sudden EUV energy drop phenomenon within the burst.
  • the second algorithm Alg2 causes the entire laser light including the pre-pulse laser light 72 and the CO2 laser light to follow the droplet 58 with respect to the deviation of the irradiation position of the laser light due to the thermal influence of the EUV emission. It is possible to compensate for the EUV energy reduction phenomenon between bursts. Thereby, stable EUV light emission can be realized during the entire operation period of the burst operation by the EUV light generation system 101.
  • the droplet generator 40 in the first embodiment is an example of the “target supply unit” in the present disclosure.
  • the high-speed ACT 202 is an example of the “first actuator” in the present disclosure
  • the second high-reflection mirror 32 driven by the high-speed ACT 202 is an example of the “first optical element” in the present disclosure.
  • the laser condensing unit 50 is an example of the “condensing optical system” in the present disclosure.
  • the triaxial stage 85 of the laser condensing unit 50 is an example of the “second actuator” in the present disclosure.
  • the plasma generation region 80 is an example of the “predetermined region” in the present disclosure.
  • the EUV light sensors 54a, 54b, 54c are examples of the “plurality of sensors” in the present disclosure.
  • the control by the first algorithm Alg1 is an example of the “first control” in the present disclosure
  • the control by the second algorithm Alg2 is an example of the “second control” in the present disclosure.
  • FIG. 22 schematically shows the configuration of the EUV light generation system 102 according to the second embodiment.
  • the EUV light generation system 102 includes a first prepulse laser device 12A as a prepulse laser device and a second prepulse laser device 12B.
  • the first pre-pulse laser device 12A is, for example, a laser light source having a wavelength of 1.06 ⁇ m and a pulse width of less than 1 ns.
  • the first prepulse laser device 12A may have the same configuration as the prepulse laser device 12 described in FIG.
  • the pre-pulse laser light output from the first pre-pulse laser device 12A is referred to as a first pre-pulse laser light 72A.
  • the second pre-pulse laser device 12B is, for example, a laser light source having the same wavelength (wavelength 1.06 ⁇ m) and a pulse width of 1 ns or more as the first pre-pulse laser device 12A.
  • the pre-pulse laser light output from the second pre-pulse laser device 12B is referred to as the second pre-pulse laser light 72B.
  • the EUV light generation apparatus 11B shown in FIG. 22 includes a prepulse combining element 230 that substantially matches the optical path of the first prepulse laser light 72A and the optical path of the second prepulse laser light 72B.
  • the pre-pulse multiplexing element 230 is arranged in the optical path between the second high-reflection mirror 32 having the high-speed ACT 202 and the beam combiner 26.
  • the EUV light generation apparatus 11B guides the second pre-pulse laser light 72B output from the second pre-pulse laser device 12B to the pre-pulse multiplexing element 230, and high-reflection mirrors 221, 222 as a laser light transmission optical system. 223 included.
  • the first pre-pulse laser light 72A output by the first pre-pulse laser device 12A and the second pre-pulse laser light 72B output by the second pre-pulse laser device 12B are each laser light on the surface of the pre-pulse multiplexing element 230.
  • the polarization directions may be orthogonal to each other.
  • the pre-pulse multiplexing element 230 can be constituted by a polarization beam splitter.
  • the first pre-pulse laser beam 72A is guided to the pre-pulse multiplexing element 230 via the first high-reflection mirror 31 and the second high-reflection mirror 32.
  • the second pre-pulse laser beam 72B is guided to the pre-pulse multiplexing element 230 via the high reflection mirrors 221, 222, 223.
  • the optical paths of the first pre-pulse laser light 72A and the second pre-pulse laser light 72B whose optical paths are substantially matched by the pre-pulse combining element 230 are substantially matched with the CO2 laser light in the beam combiner 26.
  • the beam combiner 26 includes the dichroic mirror 37 similar to that of the first embodiment.
  • the high-speed ACT 202 in the optical path of the pre-pulse laser light that is first irradiated to the target supplied to the plasma generation region 80.
  • the high-speed ACT 202 is configured so that the focus position of the first pre-pulse laser beam 72A that is first irradiated on the target can be moved on the XY plane in the plasma generation region 80.
  • the first pre-pulse laser beam 72A irradiates a droplet-shaped target to generate a secondary target in which minute droplets of the target material are dispersed in space.
  • the second pre-pulse laser beam 72B is applied to the secondary target to spatially disperse the fine particles of the target material and generate a tertiary target with optimized density.
  • the EUV center-of-gravity control for the high-speed droplet shift phenomenon on the order of milliseconds is performed by the optical axis control using the high-speed ACT 202 arranged in the optical path of the first pre-pulse laser beam 72A.
  • each of the first pre-pulse laser beam 72A, the second pre-pulse laser beam 72B, and the main pulse laser beam 74 (CO2 laser beam) is calculated with respect to the EUV centroid value.
  • a correction formula g ( ⁇ PPL1) using ⁇ PPL1 as a variable is added to the right side of the calculation formulas (Formula 1A) and (Formula 1B) to calculate (Formula 3A) and (Equation 3A). Equation 3B) is used.
  • the correction equation g( ⁇ PPL1) may be a first-order polynomial or a third-order polynomial with ⁇ PPL1 as a variable.
  • ⁇ PPL1x represents the value of the relative displacement amount of ⁇ PPL1 in the X-axis direction
  • ⁇ PPL1y represents the value of the relative displacement amount of ⁇ PPL1 in the Y-axis direction.
  • the function g of the correction term regarding ⁇ PPL1 is changed with respect to the function f of the correction term regarding ⁇ PPL applied to the first embodiment. This is because the irradiation of the second pre-pulse laser beam 72B changes the relationship between ⁇ PPL1 and the correction amount with respect to the relationship between ⁇ PPL and the correction amount in the first embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing the relationship between the relative displacement amount ⁇ PPL1 of the first pre-pulse laser beam 72A and the EUV center of gravity position with respect to the irradiation positions of the second pre-pulse laser beam 72B and the CO2 laser beam.
  • the portion shown as "PPL1" in the figure represents the irradiation position of the first pre-pulse laser beam 72A.
  • the portion surrounded by the one-dot chain line shown as "PPL2" represents the irradiation position of the second pre-pulse laser beam 72B.
  • the left diagram shown in FIG. 23 shows that the irradiation position of the first pre-pulse laser beam 72A is displaced from the droplet 58 due to the droplet shift at the burst head portion.
  • the right diagram of FIG. 23 shows a state in which the first pre-pulse laser irradiation position PPL1 is made to coincide with the droplet position DL by performing control using the first algorithm Alg1 from the state of FIG.
  • the controller 30 switches to the second algorithm Alg2 after ⁇ has elapsed from the beginning of the burst gate on.
  • the coaxial relationship between the first pre-pulse laser light 72A, the second pre-pulse laser light 72B, and the CO2 laser light that is the main pulse laser light 74 may be restored.
  • the controller 30 makes the EUV centroid value calculated by the calculation formulas (Equation 3A) and (Equation 3B) constant based on the energy values E1, E2, E3 obtained from the EUV light sensors 54a, 54b, 54c. Then, the triaxial stage 85 of the laser focusing unit 50 is controlled.
  • Droplet shift that occurs at the beginning of the burst returns to the original position at the same time as the burst gate off. Further, the laser irradiation position shift between bursts due to thermal effects returns to the original state in the order of seconds to minutes after the burst gate is turned off.
  • the high-speed ACT and the laser condensing unit 50 are driven according to the burst gate off to restore the relative positional relationship between the droplet 58 and the first pre-pulse laser beam 72A. Good.
  • the first algorithm Alg1 causes the first pre-pulse laser beam 72A to follow the droplet shift that occurs at the beginning of the burst.
  • the deterioration phenomenon can be compensated.
  • the second algorithm Alg2 causes the first pre-pulse laser light 72A, the second pre-pulse laser light 72B, and the main pulse laser light 74( By making all laser light (CO2 laser light) follow, it is possible to compensate for the EUV energy reduction phenomenon between bursts.
  • the EUV energy can be stabilized within and between the bursts, and stable EUV light emission can be realized during the entire operation period of the burst operation of the EUV light generation apparatus 11B.
  • the EUV light generation system 102 having the triple pulse configuration can also achieve the same effect as the first embodiment.
  • the pre-pulse multiplexing element 230 in the second embodiment is an example of the “multiplexing element” in the present disclosure.
  • the laser beam to be first irradiated to the droplet is controlled by the high speed ACT 202, and at least one of the other laser beams is controlled to another actuator.
  • the contents of the present disclosure can be applied as long as the configuration is controlled by (for example, the triaxial stage 85 of the laser focusing unit 50).
  • FIG. 24 exemplarily shows the configuration of the EUV light generation system 103 according to the third embodiment.
  • the same or similar elements as those of the configuration shown in FIG. 22 are designated by the same reference numerals. Differences from the second embodiment shown in FIG. 22 will be described.
  • the EUV light generation system 103 independently scans (moves) each laser beam of the first pre-pulse laser beam 72A, the second pre-pulse laser beam 72B, and the main pulse laser beam 74 (CO2 laser beam). Equipped with possible actuators.
  • the EUV light generation apparatus 11C shown in FIG. 24 includes a mirror holder 252 with an actuator in the optical path of the second pre-pulse laser light 72B.
  • the mirror holder 252 with an actuator that changes the propagation direction of the second pre-pulse laser beam 72B is hereinafter referred to as “PPL2-ACT252”.
  • the high-reflection mirror 223 is held by the PPL2-ACT 252.
  • the PPL2-ACT 252 is configured so that the position (irradiation position) of the second pre-pulse laser beam 72B can be moved on the XY plane in the plasma generation region 80.
  • the PPL2-ACT 252 functions as a scanning actuator for the second pre-pulse laser irradiation position PPL2.
  • the EUV light generation apparatus 11C includes the mirror holder 254 with an actuator in the optical path of the CO2 laser light.
  • the mirror holder 254 with an actuator that changes the propagation direction of the CO 2 laser light is hereinafter referred to as “CO2L-ACT254”.
  • the fourth high-reflection mirror 34 is held by the CO2L-ACT 254.
  • the CO2L-ACT 254 is configured so that the position of CO2 laser light (irradiation position) can be moved on the XY plane in the plasma generation region 80.
  • the second algorithm Alg2 in the latter half of the burst is used to move the laser condensing unit 50 when moving all the laser light on the XY plane in the plasma generation region 80. ..
  • the high speed ACT 202, the PPL2-ACT 252, and the CO2L-ACT 254 are driven in synchronization.
  • the high-speed ACT 202 has the same control as that of the second embodiment, and realizes the function of the triaxial stage 85 of the laser condensing unit 50 by combining the PPL2-ACT 252 and the CO2L-ACT 254. Therefore, in the third embodiment, it is not necessary to control the triaxial stage 85. Instead, in the EUV light generation system 103 according to the third embodiment, the PPL2-ACT 252 and the CO2L-ACT 254 are driven so as to maintain the positional relationship between the second pre-pulse laser irradiation position PPL2 and the CO2 laser irradiation position CO2L. To do.
  • the fourth high reflection mirror 34 driven by the CO2L-ACT 254 is configured to be resistant to the high output CO2 laser light, and therefore, The fourth high reflection mirror 34 has a mirror cooling structure (not shown). Therefore, CO2L-ACT254 cannot be expected to have a response speed as high as that of the high-speed ACT202.
  • the fourth high-reflecting mirror 34 can be configured to be lighter than the laser condensing unit 50. Therefore, in the third embodiment, the control cycle of the second algorithm Alg2 is increased as compared with the first and second embodiments. You can Therefore, according to the third embodiment, the EUV energy stability within the burst is further improved.
  • the high-reflection mirror 223 according to the third embodiment is an example of the “second optical element” in the present disclosure.
  • the PPL2-ACT 252 that moves the high-reflection mirror 223 is an example of the “third actuator” in the present disclosure.
  • the fourth high reflection mirror 34 is an example of the “third optical element” in the present disclosure.
  • the CO2L-ACT 254 that moves the fourth high-reflection mirror 34 is an example of the “fourth actuator” in the present disclosure.
  • FIG. 25 exemplarily shows the configuration of the EUV light generation system 104 according to the fourth embodiment.
  • the same or similar elements as those of the configuration shown in FIG. 22 are designated by the same reference numerals. Differences from the second embodiment shown in FIG. 22 will be described.
  • the high speed ACT 202 may be arranged on the optical path where a plurality of pre-pulse laser lights are combined.
  • the high-speed ACT 202 is arranged in the optical path between the prepulse combining element 230 and the beam combiner 26.
  • the EUV light generation apparatus 11D includes high-reflection mirrors 240 and 242 that guide the pre-pulse laser light 72C emitted from the pre-pulse multiplexing element 230 to the beam combiner 26.
  • the high reflection mirror 242 is held by the high speed ACT 202.
  • the high-speed ACT 202 is configured so that the focus position of the pre-pulse laser beam 72C can be moved on the XY plane in the plasma generation region 80.
  • each of the first prepulse laser beam 72A, the second prepulse laser beam 72B, and the CO2 laser beam has sensitivity to the EUV centroid value. Therefore, when the pre-pulse laser light 72C obtained by combining the first pre-pulse laser light 72A and the second pre-pulse laser light 72B is caused to follow the droplet shift using the high reflection mirror 242, the CO2 laser light and the pre-pulse laser light are used. It is desirable to correct the EUV centroid value according to the change in the relative position to the light 72C.
  • the relative displacement amount ⁇ PPL1_2 between the CO2 laser light and the pre-pulse laser light 72C is used.
  • the drive amount of the high-speed ACT 202 may be used to calculate ⁇ PPL1_2.
  • a correction formula h( ⁇ PPL1_2) using ⁇ PPL1_2 as a variable is added to the right side of the calculation formulas (Formula 1A) and (Formula 1B) to calculate the following formula (Formula 4A).
  • the correction expression h( ⁇ PPL1_2) may be a first-order polynomial or a third-order polynomial in which ⁇ PPL1_2 is a variable.
  • EUV Centroid_x ⁇ (E2-E3)/(E2+E3) ⁇ +h( ⁇ PPL1_2x) (Equation 4A)
  • EUV Centroid_y ⁇ (E1-E3)/(E1+E3) ⁇ +h( ⁇ PPL1_2y) (Equation 4B)
  • ⁇ PPL1_2x represents the value of the relative positional deviation amount of ⁇ PPL1_2 in the X-axis direction
  • ⁇ PPL1_2y represents the value of the relative positional deviation amount of ⁇ PPL1_2 in the Y-axis direction.
  • FIG. 26 is a diagram schematically showing the relationship between the relative displacement amount ⁇ PPL1_2 of the irradiation positions of the pre-pulse laser light and the CO2 laser light and the EUV center of gravity position.
  • the description rule of FIG. 26 is the same as that of FIG.
  • the left diagram of FIG. 26 shows a state in which the irradiation positions of the first pre-pulse laser beam 72A and the second pre-pulse laser beam 72B are displaced from the droplet 58 due to the droplet shift at the burst head portion.
  • the first pre-pulse laser irradiation position PPL1 and the second pre-pulse laser irradiation position PPL2 are set to the droplet position DL by performing control using the first algorithm Alg1 from the state of the left diagram of FIG. It shows the state of matching.
  • the laser irradiation position can be followed with respect to the droplet shift while maintaining the relative positional relationship between the first pre-pulse laser irradiation position PPL1 and the second pre-pulse laser irradiation position PPL2. Is. According to the fourth embodiment, it is possible to reduce the amount of decrease in EUV energy due to the collapse of the relative positional relationship of the laser beams, and further improve the EUV energy stability within the burst.
  • the high-reflection mirror 242 according to the fourth embodiment is an example of the “first optical element” in the present disclosure.
  • FIG. 27 is a diagram showing a schematic configuration of the exposure apparatus 110 connected to the EUV light generation system 100.
  • the exposure apparatus 110 includes a mask irradiation section 462 and a workpiece irradiation section 464.
  • the mask irradiation unit 462 illuminates the mask pattern on the mask table MT with the EUV light 118 incident from the EUV light generation system 100 via the reflection optical system 463.
  • the work piece irradiation unit 464 forms an image of the EUV light 118 reflected by the mask table MT on a work piece (not shown) arranged on the work piece table WT via the reflection optical system 465.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with photoresist.
  • the exposure apparatus 110 exposes the workpiece with EUV light reflecting the mask pattern by synchronously moving the mask table MT and the workpiece table WT in parallel.
  • the semiconductor device can be manufactured by transferring the device pattern to the semiconductor wafer through the above-described exposure process.
  • the semiconductor device is an example of the “electronic device” in the present disclosure.
  • the EUV light generation system 100 connected to the exposure apparatus 110 may be the EUV light generation systems 101 to 104 described in each embodiment.

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Abstract

本開示の一観点に係る極端紫外光生成システムは、プリパルスレーザ装置とビームコンバイナとの間のプリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子から出射するプリパルスレーザ光の進行方向を変更する第１のアクチュエータと、集光光学系から出射するプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の照射位置を変更する第２のアクチュエータと、メインパルスレーザ光がターゲットに照射されることにより所定領域から放射される光を検出する複数のセンサと、コントローラとを備え、コントローラは、１つのバースト期間内において、複数のセンサの出力から算出される評価値が目標値に近づくように第１のアクチュエータを制御した後に、評価値が目標値に近づくように第２のアクチュエータを制御する。

Description

極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開第2018/131146号 米国特許第8569722号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させるビームコンバイナと、ビームコンバイナから出射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の光路に配置され、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を所定領域の付近に集光する集光光学系と、プリパルスレーザ装置とビームコンバイナとの間のプリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子と、第１の光学素子から出射するプリパルスレーザ光の進行方向を変更する第１のアクチュエータと、集光光学系から出射するプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の進行方向に対して直交する面内のプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の照射位置を変更する第２のアクチュエータと、メインパルスレーザ光がターゲットに照射されることにより所定領域から放射される光を検出する複数のセンサと、複数のセンサの出力に基づいて第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータを制御するコントローラであって、１つのバースト期間内において、複数のセンサの出力から算出される評価値が目標値に近づくように第１のアクチュエータを制御する第１の制御と、第１の制御の後に、評価値が目標値に近づくように第２のアクチュエータを制御する第２の制御と、を実施するコントローラと、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、チャンバと、チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、プリパルスレーザ光の光路とメインパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させるビームコンバイナと、ビームコンバイナから出射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の光路に配置され、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を所定領域の付近に集光する集光光学系と、プリパルスレーザ装置とビームコンバイナとの間のプリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子と、第１の光学素子から出射するプリパルスレーザ光の進行方向を変更する第１のアクチュエータと、集光光学系から出射するプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の進行方向に対して直交する面内のプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の照射位置を変更する第２のアクチュエータと、メインパルスレーザ光がターゲットに照射されることにより所定領域から放射される光を検出する複数のセンサと、複数のセンサの出力に基づいて第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータを制御するコントローラであって、１つのバースト期間内において、複数のセンサの出力から算出される評価値が目標値に近づくように第１のアクチュエータを制御する第１の制御と、第１の制御の後に、評価値が目標値に近づくように第２のアクチュエータを制御する第２の制御と、を実施するコントローラと、を備える極端紫外光生成システムを用いてターゲットにプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光を照射することにより、ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、ＥＵＶ光センサの配置例を示す図である。 図３は、図２の側面図である。 図４は、ＥＵＶ重心制御を実施しない場合における各バースト期間のＥＵＶエネルギの変化とＥＵＶ重心位置の変化の様子を例示的に示すグラフである。 図５は、ＥＵＶ重心制御を実施した場合の各バースト期間のＥＵＶエネルギの変化とＥＵＶ重心位置の変化の様子を例示的に示すグラフである。 図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図７は、プリパルスレーザ光とＣＯ２レーザ光との相対位置ずれ量と、ＥＵＶ重心位置との関係を例示的に示す図である。 図８は、プリパルスレーザ光とＣＯ２レーザ光との相対位置ずれ量と、ＥＵＶ重心位置との関係を例示的に示す図である。 図９は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システムの動作を示すグラフである。 図１０は、図９中の(i)で示す初バースト照射前のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１１は、図９中の(ii)で示すバースト先頭部のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１２は、図９中の(iii)で示すドロップレットシフトの定常状態におけるタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１３は、図９中の(iv)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１４は、図９中の(v)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１５は、図９中の(vi)で示すバースト休止期間のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１６は、図９中の(vii)で示すバースト先頭部のドロップレットシフト定常状態のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１７は、図９中の(viii)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１８は、図９中の(ix)で示すバースト休止期間のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図１９は、図９中の(x)で示すバースト先頭部におけるドロップレットシフト定常状態のタイミングの様子を模式的に示す図である。 図２０は、図９中の(xi)で示すバースト後半部におけるタイミングの様子を模式的に示す図である。 図２１は、実施形態１における制御動作の例を示すフローチャートである。 図２２は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２３は、第２のプリパルスレーザ光及びＣＯ２レーザ光の照射位置に対する第１のプリパルスレーザ光の相対位置ずれ量ΔPPL1とＥＵＶ重心位置との関係を模式的に示す図である。 図２４は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成システムの構成を例示的に示す図である。 図２５は、実施形態４に係るＥＵＶ光生成システムの構成を例示的に示す図である。 図２６は、プリパルスレーザ光とＣＯ２レーザ光の照射位置の相対位置ずれ量ΔPPL1_2とＥＵＶ重心位置との関係を模式的に示す図である。 図２７は、ＥＵＶ光生成システムと接続された露光装置の概略構成を示す図である。
実施形態
　－目次－
１．用語の説明
２．極端紫外光生成システムの全体説明
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　ＥＵＶ光センサの配置例
　２．４　ＥＵＶ重心制御の概要
３．課題
４．実施形態１
　４．１　概要
　４．２　構成
　４．３　ＥＵＶ重心値の計算式
　４．４　プリパルスレーザ光の相対位置ずれ量ΔPPLとＥＵＶ重心位置との関係
　４．５　動作
　４．６　ＥＵＶ重心値の目標値について
　４．７　作用・効果
５．実施形態２
　５．１　構成
　５．２　ＥＵＶ重心値の計算式
　５．３　動作
　５．４　作用・効果
　５．５　その他
６．実施形態３
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用・効果
７．実施形態４
　７．１　構成
　７．２　ＥＵＶ重心値の計算式
　７．３　動作
　７．４　作用・効果
８．ＥＵＶ光生成システムを用いた電子デバイスの製造方法の例
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．用語の説明
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。液状のターゲット物質によって形成されるドロップレットは、ターゲットの一形態である。ターゲットはプラズマの発生源となる。
　「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。
　「プラズマ生成領域」は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。プラズマ生成領域はＥＵＶ光を出力するためのプラズマの生成が開始される領域に相当する。
　「プラズマ光」は、プラズマから放射される放射光である。プラズマ化したターゲットから放射される放射光はプラズマ光の一形態であり、この放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
　「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。「極端紫外光生成システム」は「ＥＵＶ光生成システム」と表記される。
　ＥＵＶ光生成システムによる「バースト動作」とは、ある期間所定の繰返し周波数でＥＵＶ光を出力するバースト期間と、所定の期間ＥＵＶ光を出力しない休止期間とを繰り返す動作である。バースト期間中は、レーザ装置からパルスレーザ光が出力され、ターゲットに照射される。休止期間中はパルスレーザ光の出力が停止されるか、又はプラズマ生成領域へのパルスレーザ光の伝搬が抑制される。
　２．極端紫外光生成システムの全体説明
　２．１　構成
　図１に例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１００の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１１は、少なくとも１つのレーザ装置と共に用いられる。図１に示されたＥＵＶ光生成装置１１は、レーザ装置としてのプリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１１とプリパルスレーザ装置１２とメインパルスレーザ装置１４とを含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１００と称する。
　プリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４のいずれか又は両方は、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ　Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってよい。ＭＯＰＡシステムは、レーザ発振器と、少なくとも１つのレーザ増幅器とを含む。プリパルスレーザ装置１２として、例えば、波長１．０６μｍのパルスレーザ光を出力するＹＡＧレーザ装置を用いることができる。「ＹＡＧ」はイットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙｔｔｒｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｕｍ　Ｇａｒｎｅｔ）の略称である。ＹＡＧレーザ装置は、発振器及び／又は増幅器に、レーザ媒質としてＹＡＧ結晶を用いる。ＹＡＧ結晶は、ネオジム（Ｎｄ）などの元素をドープしたものであってよい。
　メインパルスレーザ装置１４は、例えば、ＣＯ２レーザ装置である。「ＣＯ２」は二酸化炭素を表す。ＣＯ２レーザ装置は、発振器及び／又は増幅器に、レーザ媒質としてＣＯ２ガスを用いる。図１に示されたメインパルスレーザ装置１４は、マスターオシレータ１６と、図示せぬ光アイソレータと、ＣＯ２レーザ増幅器１８とを含んで構成される。
　マスターオシレータ１６は、ＣＯ２レーザ増幅器１８の増幅領域の波長を含むレーザ光を所定の繰り返し周波数で出力する。マスターオシレータ１６には固体レーザ装置を採用することができる。マスターオシレータ１６が出力するレーザ光の波長は例えば１０．５９μｍであり、パルス発振の繰り返し周波数は例えば１００ｋＨｚであってよい。
　ＣＯ２レーザ増幅器１８は、マスターオシレータ１６から出力されるレーザ光の光路上に配置される。図１では３個のＣＯ２レーザ増幅器１８を備える形態が示されているが、メインパルスレーザ装置１４はｎ個のＣＯ２レーザ増幅器１８を含む構成とすることができる。ｎは１以上の整数であってよい。
　ＥＵＶ光生成装置１１は、第１のレーザ光伝送装置２０と、第２のレーザ光伝送装置２２と、ビームコンバイナ２６と、チャンバ２８と、コントローラ３０と、を含んで構成される。
　第１のレーザ光伝送装置２０と第２のレーザ光伝送装置２２の各々は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
　第１のレーザ光伝送装置２０は、プリパルスレーザ装置１２から出力されるレーザ光の進行方向を規定するための光学素子として、第１の高反射ミラー３１と第２の高反射ミラー３２とを含む。プリパルスレーザ装置１２から出力されるレーザ光をプリパルスレーザ光７２と呼ぶ。第１のレーザ光伝送装置２０はプリパルスレーザ光７２をビームコンバイナ２６へと導くレーザ光路を形成し得る。
　第２のレーザ光伝送装置２２は、メインパルスレーザ装置１４から出力されるレーザ光の進行方向を規定するための光学素子として、第３の高反射ミラー３３と第４の高反射ミラー３４とを含む。メインパルスレーザ装置１４から出力されるレーザ光をメインパルスレーザ光７４と呼ぶ。第２のレーザ光伝送装置２２はメインパルスレーザ光７４をビームコンバイナ２６へと導くレーザ光路を形成し得る。
　ビームコンバイナ２６は、第５の高反射ミラー３６とダイクロイックミラー３７と第６の高反射ミラー３８とを含んで構成される。第５の高反射ミラー３６は、第２のレーザ光伝送装置２２を介して伝送されたメインパルスレーザ光７４をダイクロイックミラー３７に向けて反射する。
　ダイクロイックミラー３７は、プリパルスレーザ光７２を反射し、かつ、メインパルスレーザ光７４を透過する光学素子である。ダイクロイックミラー３７は、ダイヤモンド基板に、プリパルスレーザ光７２を高い反射率で反射し、かつ、メインパルスレーザ光７４を高い透過率で透過する膜をコーティングしたものであってよい。ダイクロイックミラー３７は、第５の高反射ミラー３６によって反射されたメインパルスレーザ光７４を透過させ、第１のレーザ光伝送装置２０を介して伝送されたプリパルスレーザ光７２を反射することにより、２つの光の光路を実質的に一致させる。「実質的に一致」とは、厳密に一致する場合に限らず、概ね一致しているものと見做して扱うことができる所定の許容範囲を含む「ほぼ一致」を意味する。複数の光の光路を実質的に一致させることを合波という。
　第６の高反射ミラー３８は、ダイクロイックミラー３７によって合波されたパルスレーザ光７６を反射してパルスレーザ光７６の進行方向を規定する。パルスレーザ光７６は、プリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４のいずれか又は両方である。ビームコンバイナ２６はチャンバ２８に固定されていてもよい。
　チャンバ２８は密閉可能な容器である。チャンバ２８は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。チャンバ２８は、ドロップレット生成器４０と、ドロップレット検出センサ４２と、ドロップレット回収器４４と、を備える。チャンバ２８の壁には、パルスレーザ光７６をチャンバ２８内に導入するためのウインドウ４６が配置されている。ビームコンバイナ２６から出力されるパルスレーザ光７６はウインドウ４６を透過する。
　チャンバ２８内には、レーザ集光ユニット５０とＥＵＶ光集光ミラー５２とが配置される。また、チャンバ２８の壁には、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂを含む複数のＥＵＶ光センサが配置されている。図１では図示の都合上、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂを示すが、チャンバ２８の壁には、図２に示すように、３つのＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃが配置される。
　ドロップレット生成器４０は、ターゲット物質のドロップレット５８をチャンバ２８内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ２８の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　ドロップレット生成器４０は、ターゲット物質を貯蔵するタンク６０と、ターゲット物質を出力するノズル孔を含むノズル６２と、ノズル６２に配置された図示せぬピエゾ素子と、を含む。タンク６０は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク６０の内部には、ターゲット物質が収容される。タンク６０の少なくとも内部は、ターゲット物質と反応し難い材料で構成される。ターゲット物質の一例であるスズと反応し難い材料として、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、モリブデン、タングステン、或いはタンタルなどを用いることができる。また、タンク６０の外側側面部には図示せぬヒータと図示せぬ温度センサとが固定される。
　ＥＵＶ光生成装置１１は、タンク６０内の圧力を調節する圧力調節器６４を備えている。圧力調節器６４は不活性ガス供給部６６とタンク６０との間の配管６８に配置される。不活性ガス供給部６６は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されているガスボンベを含んでいてもよい。不活性ガス供給部６６は、圧力調節器６４を介してタンク６０内に不活性ガスを給気し得る。
　圧力調節器６４は図示せぬ排気ポンプに連結されている。圧力調節器６４は排気ポンプを動作させてタンク６０内のガスを排気することができる。圧力調節器６４は給気及び排気用の図示せぬ電磁弁や図示せぬ圧力センサ等を内部に含んでいてよい。圧力調節器６４は圧力センサを用いてタンク６０内の圧力を検出し得る。圧力調節器６４はコントローラ３０と接続される。
　ノズル６２は、筒形状のタンク６０の底面部に設けられている。ノズル６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２８の内部にあるプラズマ生成領域８０が位置する。図１において説明の便宜上、３次元のＸＹＺ直交座標系を導入し、ノズル６２の中心軸方向をＹ軸方向とする。チャンバ２８から露光装置１１０に向かってＥＵＶ光を導出する方向をＺ軸方向とし、図１の紙面に垂直な方向をＸ軸方向とする。
　ノズル６２のノズル孔は、溶融したターゲット物質をチャンバ２８内へジェット状に噴出するような形状で形成されている。ノズル孔から出力させるターゲット物質の一例として、液体スズを採用し得る。
　ドロップレット生成器４０は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット５８を形成する。コンティニュアスジェット方式では、ノズル６２を振動させてジェット状に噴出したターゲットの流れに定在波を与え、ターゲット物質を周期的に分離する。分離されたターゲット物質は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット５８を形成し得る。
　ノズル６２には図示せぬピエゾ素子が配置される。ピエゾ素子は、ドロップレット５８の形成に必要な振動をノズル６２に与えるドロップレット形成機構を構成する要素となり得る。ピエゾ素子は、図示せぬピエゾ電源と接続される。ピエゾ電源はピエゾ素子に電力を供給する。ピエゾ電源はコントローラ３０と接続され、コントローラ３０によってピエゾ素子への電力供給が制御される。
　ドロップレット検出センサ４２は、チャンバ２８内に出力されたドロップレット５８の存在、軌跡、位置、及び速度のうちいずれか又は複数を検出するよう構成される。ドロップレット検出センサ４２は、フォトダイオード、フォトダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオード、光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ　ｄｅｖｉｃｅ）カメラ等のイメージセンサ、及びイメージインテンシファイアのうちのいずれかによって構成することができる。
　ドロップレット検出センサ４２として、例えば、光源部と受光部とを備える構成を採用することができる。光源部と受光部は互いにドロップレット５８の軌道を挟んで対向する位置に配置することができる。図１ではドロップレット検出センサ４２を１つのみ図示したが、チャンバ２８には複数のドロップレット検出センサ４２が配置され得る。
　レーザ集光ユニット５０は、ウインドウ４６を介してチャンバ２８に入射したパルスレーザ光７６をプラズマ生成領域８０に集光する集光光学系を含んで構成される。レーザ集光ユニット５０は、高反射軸外放物面ミラー８２と、高反射凹面軸外楕円ミラー８３と、ミラー支持プレート８４と、三軸ステージ８５と、を含む。高反射軸外放物面ミラー８２は図示せぬミラーホルダに保持されて、ミラー支持プレート８４に固定される。高反射凹面軸外楕円ミラー８３は図示せぬミラーホルダに保持されて、ミラー支持プレート８４に固定される。
　三軸ステージ８５は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の互いに直交する三軸の方向にミラー支持プレート８４を移動可能なステージである。三軸ステージ８５は図示せぬアクチュエータを含み、コントローラ３０からの指令に従い電動駆動される。
　ＥＵＶ光集光ミラー５２は支持部材８６に支持されている。支持部材８６はチャンバ２８の内壁に固定されている。ＥＵＶ光集光ミラー５２は、回転楕円面形状の反射面を有する。ＥＵＶ光集光ミラー５２は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー５２の反射面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ光集光ミラー５２は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域８０に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ：Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）９０に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー５２の中央部には貫通孔５３が設けられ、貫通孔５３をパルスレーザ光７６が通過する。
　ドロップレット回収器４４は、ドロップレット生成器４０からチャンバ２８内に出力されたドロップレット５８が進行する方向の延長線上に配置される。図１ではドロップレット５８の滴下方向がＹ軸と平行な方向であり、ドロップレット回収器４４はドロップレット生成器４０に対してＹ軸方向に対向する位置に配置される。
　また、チャンバ２８には図示せぬ排気装置と図示せぬ圧力センサとが設けられており、チャンバ２８は図示せぬガス供給装置と接続される。
　ＥＵＶ光生成装置１１は、チャンバ２８の内部と露光装置１１０の内部とを連通させる接続部９２を含む。接続部９２の内部には、図示せぬアパーチャが形成された壁が設けられる。アパーチャはＥＵＶ光集光ミラー５２の第２の焦点位置である中間集光点９０に位置するように配置される。
　露光装置１１０は露光装置制御部１１２を含んでおり、露光装置制御部１１２はコントローラ３０と接続される。
　コントローラ３０は、ＥＵＶ光生成システム１００全体の制御を統括するよう構成される。コントローラ３０は、プリパルスレーザ装置１２、メインパルスレーザ装置１４、ドロップレット生成器４０、圧力調節器６４、ドロップレット検出センサ４２、ＥＵＶ光センサ５４ａ～５４ｃ及び三軸ステージ８５の各々と接続されている。さらにコントローラ３０は、図示せぬ排気装置、圧力センサ及びガスの供給制御弁等と接続されている。
　コントローラ３０は、ドロップレット生成器４０の動作を制御する。また、コントローラ３０は、ドロップレット検出センサ４２の検出結果に基づいて、プリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４の各々のレーザ光の出力タイミングを制御する。コントローラ３０は、プリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４のそれぞれのレーザ光の出力タイミングを指定するトリガ信号の生成を行う。
　コントローラ３０は、ドロップレット検出センサ４２の検出結果に基づいて、例えば、ドロップレット５８が出力されるタイミング、ドロップレット５８の出力方向、ドロップレット５８の速度等を制御する。さらに、コントローラ３０は、例えば、プリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４のそれぞれの発振タイミング、プリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４のそれぞれの進行方向、パルスレーザ光７６の集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよいし、一部の制御機能を省略してもよい。
　本開示において、コントローラ３０及び露光装置制御部１１２等の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。コンピュータは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）及びメモリを含んで構成され得る。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。コンピュータに含まれるＣＰＵはプロセッサの一例である。コントローラ３０及び露光装置制御部１１２その他の制御装置の処理機能の一部又は全部は、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）やＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）に代表される集積回路を用いて実現してもよい。
　また、複数の制御装置の機能を１台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、コントローラ３０及び露光装置制御部１１２等は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　２．２　動作
　図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１００の動作を説明する。コントローラ３０は、チャンバ２８に取り付けられている圧力センサの検出値に基づいて、チャンバ２８内の圧力が所定の範囲内となるように、排気装置による排気及びガス供給装置からのガス供給を制御する。チャンバ２８内の圧力の所定の範囲とは、例えば、数パスカル［Ｐａ］から数百パスカル［Ｐａ］の間の値である。
　コントローラ３０は、タンク６０に備えられたヒータを制御することにより、タンク６０内のターゲット物質を融点以上の所定の温度まで加熱する。ターゲット物質として融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合、コントローラ３０は、タンク６０内のスズが、例えば、２５０℃から３００℃の温度範囲の所定の温度になるようにヒータを制御する。その結果、タンク６０内のスズは融解して液体となる。
　また、コントローラ３０は、タンク６０内の圧力がノズル６２から所定の速度で液体スズのジェットを出力し得る圧力となるように圧力調節器６４を制御する。
　次にコントローラ３０は、ドロップレット５８が生成されるように、ピエゾ素子に所定の波形の電圧を供給する信号を送信する。ピエゾ素子に所定の波形の電圧が供給されることによりピエゾ素子が振動する。その結果、ノズル孔から出力される液体スズのジェットに、規則的な振動が与えられる。これにより、ジェット状の液体スズがドロップレット５８に分断され、周期的にほぼ同じ体積のドロップレット５８が生成される。
　こうして、ドロップレット生成器４０から出力されたそれぞれのドロップレット５８は、ノズル孔からプラズマ生成領域８０までのドロップレット軌道に沿って移動する。
　ドロップレット検出センサ４２は、例えば、図示せぬ光源部と受光部とを備え、光源部から出力された照明光は、ドロップレット５８が進行するドロップレット軌道の所定の位置を通過して受光部に受光される。
　ドロップレット５８が所定の位置を通過するのに同期して受光部に受光される光強度が低下する。この光強度の変化は受光部により検出され、その検出結果が受光部からコントローラ３０に出力される。
　ドロップレット５８にパルスレーザ光７６を照射する場合、コントローラ３０は、ドロップレット検出センサ４２から得られる検出信号が閾値電圧を下回ったタイミングでドロップレット検出信号を生成する。コントローラ３０は、ドロップレット検出信号に対して所定の時間遅延させた発光トリガ信号をプリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４に出力する。なお、プリパルスレーザ装置１２及びメインパルスレーザ装置１４の各々に対して設定される遅延時間は、ドロップレット５８がプラズマ生成領域８０に到達した時にパルスレーザ光７６がドロップレット５８に照射されるように設定しておく。
　プリパルスレーザ装置１２に発光トリガ信号が入力されると、プリパルスレーザ装置１２からプリパルスレーザ光７２が出力される。メインパルスレーザ装置１４に発光トリガ信号が入力されると、メインパルスレーザ装置１４からメインパルスレーザ光７４が出力される。メインパルスレーザ装置１４から出力されるレーザ光のパワーは、数ｋＷから数十ｋＷに達する。プリパルスレーザ装置１２から出力されたプリパルスレーザ光７２は、第１のレーザ光伝送装置２０とビームコンバイナ２６を経由してウインドウ４６を通過し、チャンバ２８に入力される。メインパルスレーザ装置１４から出力されたメインパルスレーザ光７４は、第２のレーザ光伝送装置２２とビームコンバイナ２６を経由してウインドウ４６を通過し、チャンバ２８に入力される。
　プリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４を含むパルスレーザ光７６はレーザ集光ユニット５０によって集光されて、プラズマ生成領域８０に到達したドロップレット５８に照射される。
　ドロップレット５８には、パルスレーザ光７６に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光７６が照射されたドロップレット５８はプラズマ化し、そのプラズマから放射光１１６が放射される。放射光１１６に含まれるＥＵＶ光１１８は、ＥＵＶ光集光ミラー５２によって選択的に反射される。ＥＵＶ光集光ミラー５２によって反射されたＥＵＶ光１１８は、中間集光点９０で集光され、露光装置１１０に出力される。
　なお、１つのドロップレット５８に対して、パルスレーザ光７６に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。本例の場合、１つのドロップレット５８に対して、プリパルスレーザ光７２のパルスと、メインパルスレーザ光７４のパルスとが照射される。
　１つのドロップレット５８がプラズマ生成領域８０に到達したタイミングで、プリパルスレーザ光７２がドロップレット５８に照射される。プリパルスレーザ光７２が照射されたドロップレット５８は膨張又は拡散して二次ターゲットとなる。二次ターゲットは、例えば、ミスト状に拡散した拡散ターゲットであってよい。二次ターゲットが所望の大きさに膨張又は拡散したタイミングで、メインパルスレーザ光７４が二次ターゲットに照射される。メインパルスレーザ光７４が照射された二次ターゲットはプラズマ化して、このプラズマからＥＵＶ光を含む放射光１１６が放射される。
　ドロップレット回収器４４は、パルスレーザ光７６が照射されずにプラズマ生成領域８０を通過したドロップレット５８や、パルスレーザ光７６の照射によっても拡散しなかったドロップレット５８の一部分を回収する。
　ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃは、チャンバ２８内で生成したＥＵＶ光のエネルギを計測する。コントローラ３０は、各ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られる計測値から、プラズマの重心位置と、レーザ照射位置の補正に必要なレーザ集光ユニット５０の駆動量とを計算し、三軸ステージ８５に駆動指令を送る。コントローラ３０からの駆動指令に従い三軸ステージ８５が駆動され、パルスレーザ光７６を所定の位置に集光させる。プラズマの重心位置とは、ＥＵＶエネルギの重心位置を意味する。
　２．３　ＥＵＶ光センサの配置例
　図２及び図３は、ＥＵＶ光センサの配置を例示的に示す図である。図２及び図３に示すように、複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃがプラズマ生成領域８０の周囲に配置される。
　すなわち、複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれは、互いに異なる方向からプラズマ生成領域８０と対向するようにチャンバ２８の壁に配置される。複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー５２によって反射されたＥＵＶ光１１８の光路を遮らないように配置される。複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれは、ＥＵＶ光集光ミラー５２の外周縁に沿って配置される。複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれは、受光口をプラズマ生成領域８０に向けて配置される。
　複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃは、プラズマ生成領域８０においてプラズマが生成された際に、各ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃによって計測されるエネルギの差が小さくなるよう、プラズマ生成領域８０に対して互いに等距離に配置される。複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれは、ＥＵＶ重心位置を評価し易いような位置に配置されることが好ましい。
　ＥＵＶ重心位置とは、プラズマ生成領域８０付近におけるＥＵＶ光１１８のエネルギ分布の重心位置をいう。ＥＵＶ重心位置は、ＥＵＶ光１１８のエネルギ分布における加重平均の位置である。具体的には、ＥＵＶ重心位置は、複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃで計測して得られた複数の計測値から特定される空間的な位置である。
　ＥＵＶ重心位置を評価し易くするため、例えば、複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃは、図２に示されるような直角二等辺三角形の各頂点にそれぞれ配置される。図２に示された直角二等辺三角形は、その長辺の中点がプラズマ生成領域８０を通過し、２つの短辺がＸ軸及びＹ軸にそれぞれ沿うように配置された直角二等辺三角形である。
　ここでは、頂角の位置にＥＵＶ光センサ５４ｃが配置され、ＥＵＶ光センサ５４ｃからＹ軸方向にＥＵＶ光センサ５４ａが配置され、ＥＵＶ光センサ５４ｃからＸ軸方向にＥＵＶ光センサ５４ｂに配置される例が示されている。
　なお、ＥＵＶ光センサの個数はこの例に限らず、４個以上のＥＵＶ光センサを配置してもよい。ＥＵＶ重心位置を適切に評価するために、少なくとも３個のＥＵＶ光センサをチャンバ２８に配置することが好ましい。
　２．４　ＥＵＶ重心制御の概要
　ＥＵＶ重心制御とは、ＥＵＶ光１１８の生成中に複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれの計測結果に基づいてＥＵＶ重心位置が目標重心位置となるようレーザ光の照射位置をフィードバック方式で制御することである。レーザ光の照射位置とは、レーザ集光ユニット５０からターゲットに向けて出射するレーザ光のプラズマ生成領域８０付近における照射位置（すなわちレーザ光の集光位置）であり、特に、レーザ集光ユニット５０から出射するレーザ光の進行方向に直交する面内の照射位置をいう。本例の場合、レーザ光の照射位置はＸ軸とＹ軸で規定されるＸＹ平面内の位置として表される。
　複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られる複数の計測値を基に算出されるＥＵＶ重心位置を評価するための評価値を「ＥＵＶ重心値」という。
　ＥＵＶ重心制御の目標値（目標重心位置）は、ＥＵＶ光生成装置のシーケンス動作によってあらかじめ設定される。コントローラ３０は、複数のＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃのそれぞれの出力を基に、ＥＵＶ重心値の計算式（式１Ａ）及び（式１Ｂ）に従ってＥＵＶ重心値を算出する。
　EUV Centroid_x　＝（Ｅ２－Ｅ３）/(Ｅ２＋Ｅ３) 　（式１Ａ）
　EUV Centroid_y　＝（Ｅ１－Ｅ３）/(Ｅ１＋Ｅ３) 　（式１Ｂ）
　Ｅ１は、ＥＵＶ光センサ５４ａの出力値である。Ｅ２は、ＥＵＶ光センサ５４ｂの出力値である。Ｅ３は、ＥＵＶ光センサ５４ｃの出力値である。
　EUV Centroid_xは、ＥＵＶ重心値のＸ軸座標成分である。EUV Centroid_xは、Ｘ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光のエネルギ分布の偏在性を示す。EUV Centroid_yは、ＥＵＶ重心値のＹ軸座標成分である。EUV Centroid_yは、Ｙ軸に沿った方向におけるＥＵＶ光のエネルギ分布の偏在性を示す。
　コントローラ３０は、式１Ａ及び式１Ｂから算出されるＥＵＶ重心値に従って、ドロップレット５８とレーザ光の照射位置（集光位置）との相対位置関係を演算し、ＥＵＶ重心値が目標値となる方向に三軸ステージ８５を駆動することによってレーザ集光ユニット５０を移動させる。
　３．課題
　ＥＵＶ光生成装置１１では、ドロップレット５８に対してプリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４を位置的に正確に照射するために、各レーザ光の光軸をビームコンバイナ２６の入口まで制御している。しかし、その後の光路、すなわちビームコンバイナ２６の内部からレーザ集光ユニット５０の出口までの間の光路中でずれが生じる。これは、プラズマ、若しくはレーザ光の熱により光路中の構成部品に歪みが生じるためである。その結果、レーザ光とドロップレット５８とがずれた位置関係でレーザ光が照射され、ＥＵＶエネルギが不安定になり、不要な飛散物(デブリ)の量も増加する（図４参照）。
　図４は、ＥＵＶ重心制御を実施しない場合における各バースト期間のＥＵＶエネルギの変化とＥＵＶ重心位置の変化の様子を例示的に示すグラフである。図４の最上段に示すグラフはバーストゲートの信号のタイミングを表す。バーストゲートｏｎの期間がバースト期間であり、バーストゲートｏｆｆの期間がバースト休止期間である。バーストゲートの信号は、例えば、露光装置制御部１１２からコントローラ３０に与えられる。
　コントローラ３０は、バーストゲートの信号に従い、ドロップレット５８へのプリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４の照射を制御する。
　図４の中段のグラフは、バースト期間ごとに生成されるＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを表す。１つのバースト期間内において、バースト先頭部はＥＵＶエネルギが高く、バースト後半部はＥＵＶエネルギが低くなる。また、バースト間で比較すると、最初のバースト期間のＥＵＶエネルギが最も高く、バーストの数を経るにつれて、次第にＥＵＶエネルギが低下している。
　図４の下段のグラフは、各バースト期間内において算出されるＥＵＶ重心位置の推移を表している。１つのバースト期間内において、ＥＵＶ重心位置は初期の設定位置から変化していく。また、バースト間で比較すると、バーストの数を経るにつれて、ＥＵＶ重心位置のずれは大きくなっていく。
　つまり、レーザ集光ユニット５０のステージ位置の制御を含むＥＵＶ重心制御を実施しない場合、図４に示すようにＥＵＶ重心位置が初期の中心から離れていき、バースト間でＥＵＶエネルギが減少していく。
　図４に示すような課題に対して、バースト間でのＥＵＶエネルギの安定化のために、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃの出力から算出されるＥＵＶ重心値を用いてレーザ集光ユニット５０のステージ位置を調整して、ドロップレット５８に対するレーザ光の照射位置ずれを補償するフィードバック制御が行われる（図５参照）。
　図５は、ＥＵＶ重心制御を実施した場合の各バースト期間のＥＵＶエネルギの変化とＥＵＶ重心位置の変化の様子を例示的に示すグラフである。図５の最上段のグラフは、バーストゲートの信号のタイミングを表す。図中の「Ａｌｇ２」という表記は、バーストゲートｏｎの期間に適用される制御のアルゴリズムの種類を表している。つまり、バースト期間においてアルゴリズムＡｌｇ２による制御が行われることを示している。なお、後述の実施形態１において説明する第１のアルゴリズムＡｌｇ１と区別するために、アルゴリズムＡｌｇ２のことを「第２のアルゴリズムＡｌｇ２」と呼ぶ。ここでの「Ａｌｇ２」は、ＥＵＶ重心値を基にレーザ集光ユニット５０を動かしてプリパルスレーザ光７２及びメインパルスレーザ光７４を含むすべてのレーザ光の照射位置を制御するアルゴリズムを表す。
　図５の中段に示すグラフは、バースト期間ごとに生成されるＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを表す。このグラフの矢印で示すタイミングは、第２のアルゴリズムＡｌｇ２によるレーザ集光ユニット５０の駆動を指令するコマンドのタイミングを表す。つまり、バーストゲートｏｎの期間に第２のアルゴリズムＡｌｇ２の処理が実行され、図５中の矢印で示すコマンドタイミングにおいてレーザ集光ユニット５０のステージ位置の移動指令信号（コマンド）が発せられる。このタイミングで出力されるコマンドに従い、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５が動作する。これにより、各バースト期間の先頭パルスのエネルギ値はバースト間で概ね一定に保たれ、バースト期間ごとのＥＵＶエネルギ平均値はバースト間で概ね一定に保たれる。
　しかし、この第２のアルゴリズムＡｌｇ２による制御方法では図５の「コマンドタイミング」に示されるように制御速度が遅いため、バースト先頭部で顕著に生じるドロップレット位置変動（以下「ドロップレットシフト」という。）による急激なＥＵＶエネルギ低下現象への補正が不十分となる。レーザ集光ユニット５０のステージを動かす制御は動作が遅く、例えば、応答周波数が概ね１０Ｈｚ程度であるため、バースト先頭部で生じるドロップレットシフトによるＥＵＶエネルギの変動を補正することは困難である。
　レーザ集光ユニット５０は、数十ｋＷに達する高出力ＣＯ２レーザ光を受光するためのミラー冷却構造を備えている。このミラー冷却構造の重量が大きく、ステージ付きのレーザ集光ユニット５０の応答速度は、概ね１００ｍｓ程度となってしまう。よって、図５に示すようにバースト先頭部のＥＵＶエネルギ低下は残ったままとなる。
　４．実施形態１
　４．１　概要
　バースト先頭部のドロップレットシフト、及び熱影響によるレーザ照射位置ずれを補償するために、実施形態１では、バーストＯＮの期間内で、制御対象のアクチュエータ、及び制御のアルゴリズムを切り替える。具体的には、ビームコンバイナ２６よりも上流のプリパルスレーザ光の光路に、プリパルスレーザ光７２の進行方向を変更する高速アクチュエータ付きの光学素子を配置する。そして、各バースト期間において、バースト先頭部を含むバースト前半の一定期間は第１のアルゴリズムＡｌｇ１を適用して高速アクチュエータを制御し、バースト先頭部で発生するドロップレットシフトに対してプリパルスレーザ光７２の照射位置を高速に追従させる。そして、一定期間経過後のバースト後半部は、制御のアルゴリズムを第２のアルゴリズムＡｌｇ２に切り替え、第２のアルゴリズムＡｌｇ２を適用してレーザ集光ユニット５０を制御する。
　また、実施形態１では、ＥＵＶ重心値の計算式として、式１Ａ及び式１Ｂに代えて、後述する式２Ａ及び式２Ｂを用いる。
　４．２　構成
　図６は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１０１の構成を概略的に示す。図１との相違点を説明する。図６に示すＥＵＶ光生成システム１０１は、プリパルスレーザ装置１２とビームコンバイナ２６との間のプリパルスレーザ光７２の光路上に、高速で動作するアクチュエータを備えた高速アクチュエータ付きミラーホルダ２０２が配置される。表記の簡略化のために、以後、高速アクチュエータ付きミラーホルダを「高速ＡＣＴ」と表記する。
　高速ＡＣＴ２０２には、プリパルスレーザ光７２の進行方向を変える光学素子としての第２の高反射ミラー３２が保持される。また、図６に示すＥＵＶ光生成装置１１Ａは、第１のレーザ光伝送装置２０における第１の高反射ミラー３１と第２の高反射ミラー３２との間の光路上に、高反射ミラー２１０、２１２が配置される。高反射ミラー２１０、２１２は、第１の高反射ミラー３１で反射されたレーザ光を第２の高反射ミラー３２に入射させるように配置される。
　プリパルスレーザ光７２とメインパルスレーザ光７４を比較すると、ＥＵＶエネルギに大きく影響するのはプリパルスレーザ光７２である。したがって、バースト先頭部で発生する高速現象であるドロップレットシフトに対してプリパルスレーザ光７２を追従させるために、図６に示すように、プリパルスレーザ光７２の光路に高速ＡＣＴ２０２を配置することが好ましい。
　高速ＡＣＴ２０２は、プラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上でプリパルスレーザ光７２の集光位置（照射位置）を移動できるよう構成される。高速ＡＣＴ２０２はミラー冷却が不要となる程度のエネルギのプリパルスレーザ光７２を受けるミラー（ここでは第２の高反射ミラー３２）を保持するため、荷重が小さく高速な走査が可能である。高速ＡＣＴ２０２の整定時間は、例えば、０．０１ｍｓ以上１０ｍｓ以下であってよい。
　４．３　ＥＵＶ重心値の計算式
　ＥＵＶ重心値に対して、プリパルスレーザ光７２と、メインパルスレーザ光７４（ＣＯ２レーザ光）のそれぞれが感度を有するため、プリパルスレーザ光７２を単独でドロップレットシフトに追従させる際には、プリパルスレーザ光７２とＣＯ２レーザ光との相対位置変化に応じてＥＵＶ重心位置の評価値（ＥＵＶ重心値）を補正する必要がある。このＥＵＶ重心値の補正にはプリパルスレーザ光とＣＯ２レーザ光の照射位置の相対位置ずれ量ΔPPLを用いる必要があり、ΔPPLの算出には高速ＡＣＴ２０２の駆動量を用いてもよい。
　実施形態１においてＥＵＶ重心値の算出には、ΔPPLを変数に用いた補正式ｆ（ΔPPL）を計算式（式１Ａ）及び（式１Ｂ）の右辺に加えた下記の計算式（式２Ａ）及び（式２Ｂ）を用いる。ここで補正式ｆ（ΔPPL）は、ΔPPLを変数とした１次多項式でもよく、３次多項式などでもよい。
　EUV Centroid_x ＝｛（Ｅ２－Ｅ３）/(Ｅ２＋Ｅ３)｝＋ｆ（ΔPPLx）（式２Ａ）
　EUV Centroid_y ＝｛（Ｅ１－Ｅ３）/(Ｅ１＋Ｅ３)｝＋ｆ（ΔPPLy）（式２Ｂ）
　式中のΔPPLxはΔPPLのＸ軸方向の相対位置ずれ量の値を表し、ΔPPLyはΔPPLのＹ軸方向の相対位置ずれ量の値を表す。
　４．４　プリパルスレーザ光の相対位置ずれ量ΔPPLとＥＵＶ重心位置との関係
　プリパルスレーザ光７２とＣＯ２レーザ光との相対位置ずれ量（ΔPPL）が大きくなるほど、ＥＵＶ重心値に基づくフィードバック制御が破綻しやすくなる。この理由を図７及び図８を用いて説明する。図中「ＤＬ」として示す灰色に塗りつぶした丸はドロップレット５８の位置を表す。図中「ＰＰＬ」として示す部分はプリパルスレーザ光７２の照射位置を表す。図中「ＭＳＴ」として示す破線で囲まれる部分はプリパルスレーザ光７２の照射によって生成される拡散ターゲット（二次ターゲット）のミスト生成範囲を表す。図中「ＣＯ２Ｌ」として示す二点鎖線で囲まれる部分はメインパルスレーザ光７４であるＣＯ２レーザ光の照射位置を表す。
　図中二点鎖線で囲まれるＣＯ２レーザ光の照射範囲と、破線で囲まれるミスト生成範囲との重なり部分が概ねＥＵＶ光の生成領域であり、ＥＵＶ重心位置はこの領域の重心として模式的に示す。図中の「ＥＵＶ＿Ｃ」として示す円の中に十字を付したマークの位置はＥＵＶ重心位置を表す。
　まず、図７に示すようにΔPPLが小さい場合を考える。プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬがドロップレット位置ＤＬに対してＸ軸方向－側（マイナス側）にずれている場合、ＥＵＶ重心値はＸ軸方向－側の値として算出される。したがって、これを補正するようにプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬはＸ軸方向＋側（プラス側）に補正される（図７の下図）。このように補正された位置でドロップレット５８にプリパルスレーザ光７２を照射して生成する二次ターゲットのミスト生成範囲ＭＳＴはＣＯ２レーザ光の照射範囲でありＥＵＶ重心位置もドロップレット位置ＤＬに近づく。
　次に、図８の上段に示すようにΔPPLが大きい場合を考える。プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬがドロップレット位置ＤＬに対してＸ軸方向－側にずれている場合、これを補正するようにプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬはＸ軸方向＋側に補正される（図８の下図）。このように補正されると、ミスト生成範囲ＭＳＴのＸ軸方向－側の一部のみがＣＯ２レーザ光の照射範囲と重なる。この場合ＥＵＶ重心値は依然としてプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬからＸ軸方向－側の値として算出される。よって次回の制御ではこれを補正するようにプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬをさらにＸ軸方向＋側に移動させてしまう。そうすると、ミスト生成範囲ＭＳＴがＸ軸方向＋側に移動してＣＯ２レーザの照射範囲から外れてしまう。
　したがって、式２Ａ及び式２Ｂのように、ΔPPLの関数としての補正式ｆ（ΔPPL）によってＥＵＶ重心値を補正するようにすると、このような状況を回避することができる。
　４．５　動作
　図９は、実施形態１に係るＥＵＶ光生成システム１０１の動作を示すグラフである。図９の最上段に示す波形は、バーストゲートのタイミングを表す。バーストゲートの立ち上がり開始からバースト前半部分の一定期間τの間は、第１のアルゴリズムＡｌｇ１に従って高速ＡＣＴ２０２が制御される。その後バースト後半部分では第２のアルゴリズムＡｌｇ２に切り替え、第２のアルゴリズムＡｌｇ２に従ってレーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５が制御される。第１のアルゴリズムＡｌｇ１による制御、及び、第２のアルゴリズムによる制御には、ＥＵＶ重心値と目標値との偏差に基づくＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ－Ｉｎｔｅｇｒａｌ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）制御が適用される。
　図９の中段に示すグラフは、バースト期間ごとに生成されるＥＵＶ光のＥＵＶエネルギを表す。このグラフの三角マークで示すタイミングは、第１のアルゴリズムＡｌｇ１による高速ＡＣＴ２０２の駆動を指令するコマンドのタイミングを表す。つまり、バースト開始から時間τの所定期間であるバースト先頭部において第１のアルゴリズムＡｌｇ１の処理が実行され、図９中の三角マークで示すコマンドタイミングにおいて高速ＡＣＴ２０２の移動指令信号（コマンド）が発せられる。第１のアルゴリズムＡｌｇ１に基づく高速ＡＣＴ２０２に対する移動指令信号を第１のコマンドという。第１のコマンドに従い、高速ＡＣＴ２０２が動作する。
　また、時間τの経過後のバースト後半部において、第２のアルゴリズムＡｌｇ２の処理が実行され、図９中の矢印で示すコマンドタイミングにおいてレーザ集光ユニット５０の移動指令信号（コマンド）が発せられる。第２のアルゴリズムＡｌｇ２に基づくレーザ集光ユニット５０に対する移動指令信号を第２のコマンドという。第２のコマンドに従い、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５が動作する。
　第１のアルゴリズムＡｌｇ１によって第１のコマンドが出力されるタイミングの時間間隔は、第２のアルゴリズムＡｌｇ２によって第２のコマンドが出力されるタイミングの時間間隔よりも十分に短い。すなわち、高速ＡＣＴ２０２の応答速度は、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５の応答速度よりも高速である。
　図９中の（ｉ）から（ｘｉ）で示す各タイミングにおけるプラズマ生成領域８０付近の模式図を図１０から図２０に示す。図１０は、図９中の(i)で示す初バースト照射前のタイミングの様子を模式的に示す。初バースト照射前の状態では、ドロップレット位置ＤＬとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌが一致するように、これらの位置関係が適切に調整されている。
　図１１は、図９中の(ii)で示すバースト先頭部のタイミングの様子を模式的に示す。バーストゲートｏｎの直後のバースト先頭部においてドロップレットシフトが発生し、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとドロップレット位置ＤＬにずれが生じる。ここでは、Ｘ方向＋側にドロップレット５８がシフトし始めた様子が示されている。その結果、ＥＵＶ重心値はＸ方向－側の値として算出される。
　コントローラ３０は、各ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られるエネルギ値Ｅ１，Ｅ２、Ｅ３を用いて式２Ａ及び式２ＢによってＥＵＶ重心値を算出し、算出したＥＵＶ重心値が一定になるように高速ＡＣＴ２０２をフィードバック制御する。この制御アルゴリズムが第１のアルゴリズムＡｌｇ１である。
　図１２は、図９中の(iii)で示すドロップレットシフトの定常状態におけるタイミングの様子を模式的に示す。ドロップレットシフトに対して、第１のアルゴリズムＡｌｇ１によって高速ＡＣＴ２０２が駆動されるため、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬがドロップレット５８に追従する。
　その後、バーストゲートｏｎの先頭からの時間がτ経過後に、制御アルゴリズムを第２のアルゴリズムＡｌｇ２に切り替える。
　制御アルゴリズムを切り替える際に、プリパルスレーザ光７２とＣＯ２レーザ光の同軸関係を復帰させてもよい。この復帰動作の際には、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬを大きく変化させずにＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとの関係が最適な位置関係に近づくように、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５と高速ＡＣＴ２０２とを同時に動かす。具体的には、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５を駆動するとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌの両方のレーザ照射位置が移動するので、同時に高速ＡＣＴ２０２を駆動してプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬを現位置に残すように制御する。ＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとの「最適な位置関係」とは、例えばドロップレット５８に対して適切にレーザ照射した場合にＥＵＶエネルギが最も多く観測される位置関係である。
　図１３は、図９中の(iv)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す。この（iv）で示すタイミングでは、熱負荷によりレーザ照射位置が変動する。
　コントローラ３０は、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られるエネルギ値Ｅ１，Ｅ２、Ｅ３を基に、式２Ａ及び式２Ｂによって算出したＥＵＶ重心値が一定になるようにレーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５を制御する。
　図１４は、図９中の(v)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す。図９中の（v）で示すタイミングは第２のアルゴリズムＡｌｇ２に基づくコマンドタイミングよりも後のタイミングである。すなわち、第２のアルゴリズムＡｌｇ２により、ＥＵＶ重心値を制御量にレーザ集光ユニット５０を駆動し、熱負荷によるレーザ照射位置の変動を補償する。本例の場合、さらに、レーザ集光ユニット５０の集光位置をドロップレットシフト方向に移動させると共に、高速ＡＣＴ２０２を元位置方向へ移動させて、ドロップレット位置ＤＬとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬの相対位置関係を維持しながら、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌの相対位置関係を修正する。これにより、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌの相対位置関係を元の状態と近い状態に復帰させる。
　ドロップレット位置ＤＬとプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬの相対位置関係を「ＤＬ－ＰＰＬの相対位置関係」と表記する。プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌの相対位置関係を「ＰＰＬ－ＣＯ２Ｌの相対位置関係」と表記する。
　図１５は、図９中の(vi)で示すバースト休止期間のタイミングの様子を模式的に示す。バースト先頭部で生じるドロップレットシフトは、バーストゲートｏｆｆと同時に概ね１ｍｓから５０ｍｓ程度の時定数で元の位置に復帰する。ここでの「元の位置」とは図１０で説明した初バースト照射前の初期の位置をいう。このためコントローラ３０は、高速ＡＣＴ２０２をドロップレット位置（元位置）に合うように駆動させる。この時の駆動量はバースト休止直前のΔPPLに、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬとＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌの相対位置修正量を加えたものとなる。また、このときの駆動方向はドロップレットシフトの方向と逆方向となる。
　また、熱的な影響によるバースト間のレーザ照射位置ずれはバーストゲートｏｆｆの後、秒から分のオーダで元の状態に復帰する。一般的なバースト運転ではバースト休止期間が数十ｍｓ程度であるため、バーストゲートｏｆｆに応じて高速ＡＣＴ２０２を用いて次バースト照射までにドロップレット５８とプリパルスレーザ光７２の相対位置関係を復帰させてもよい。また、例えば、１秒以上の長期的な運転休止中においては、制御アルゴリズムの切り替えのところで説明した「復帰動作」と同様でよい。
　図１６は、図９中の(vii)で示すバースト先頭部のドロップレットシフト定常状態のタイミングの様子を模式的に示す。第１のアルゴリズムＡｌｇ１に基づいて高速ＡＣＴ２０２を駆動することにより、プリパルスレーザ照射位置ＰＰＬがドロップレットの位置に追従する。ここでは、(v)においてＰＰＬ－ＣＯ２Ｌの相対位置関係を復帰させた分、次バーストのＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌはドロップレットシフト定常状態のドロップレット位置に近い。
　図１７は、図９中の(viii)で示すバースト後半部のタイミングの様子を模式的に示す。ここでの動作は図１４で説明した（v）の動作と同様である。第２のアルゴリズムＡｌｇ２に基づく補償の効果により、ドロップレットシフトの定常状態におけるＰＰＬ－ＣＯ２Ｌの相対位置関係が改善される。
　図１８は、図９中の(ix)で示すバースト休止期間のタイミングの様子を模式的に示す。ここでの動作は図１５で説明した（vi）の動作と同様である。バースト数を経るほど、ＰＰＬ－ＣＯ２Ｌの相対位置関係が徐々に復帰してゆく。
　図１９は、図９中の(x)で示すバースト先頭部におけるドロップレットシフト定常状態のタイミングの様子を模式的に示す。ここでの動作は図１２で説明した（iii）及び図１６で説明した（vii）の動作と同様である。（x）のタイミングに至るまで、複数バースト経過したため、ドロップレットシフト定常状態におけるＰＰＬ－ＣＯ２Ｌの相対位置関係が完全に復帰する。
　図２０は、図９中の(xi)で示すバースト後半部におけるタイミングの様子を模式的に示す。ここでの動作は図１４で説明した（v）及び図１７で説明した（viii）の動作と同様である。ドロップレットシフト定常状態において、ドロップレット５８とプリパルスレーザ照射位置とＣＯ２レーザ照射位置との３者の相対位置関係を維持することができる。
　図２１は、実施形態１における制御動作の例を示すフローチャートである。図２１に示す処理及び動作は、例えば、コントローラ３０として機能するプロセッサがプログラムを実行することによって実現される。
　図２１中の（i）から（v）の各表示は図９に示した（i）から（v）の各表示に対応している。バーストゲートがｏｎになると、図２１のフローチャートがスタートする。
　ステップＳ１２において、コントローラ３０はバーストゲートｏｎの立ち上がり開始から所定の時間τが経過したか否かを判定する。時間τは、図９に示したように第１のアルゴリズムＡｌｇ１の制御を実施する期間を規定するために予め設定されている時間である。時間τは、ドロップレットシフトが定常状態に到達するまでの時間（以下、「ドロップレットシフト定常状態到達時間」という。）と概ね同等の時間に設定されることが好ましい。時間τは、ドロップレットシフト定常状態到達時間以上の時間に設定されてよい。
　ステップＳ１２の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ３０はステップＳ１４に進む。ステップＳ１４において、コントローラ３０は第１のアルゴリズムＡｌｇ１に従い高速ＡＣＴ２０２を駆動し、プリパルスレーザ光の照射位置をドロップレット５８に追従させる。
　ステップＳ１６において、コントローラ３０はバーストゲートがｏｆｆであるか否かを判定する。ステップＳ１６の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ３０はステップＳ１２に戻る。時間τが経過するまで、ステップＳ１２からステップＳ１６が繰り返される。ステップＳ１２の判定結果がＹｅｓ判定である場合、すなわち、時間τが経過した場合、コントローラ３０はステップＳ２２に進む。
　ステップＳ２２において、コントローラ３０は第２のアルゴリズムＡｌｇ２に従いレーザ集光ユニット５０を駆動し、熱負荷に起因するレーザ照射位置変動を補償する。さらに、ステップＳ２４において、コントローラ３０はレーザ集光ユニット５０の駆動と高速ＡＣＴ２０２の駆動とを組み合わせてプリパルスレーザ光７２とＣＯ２レーザ光の相対位置関係の補償動作を行う。すなわち、レーザ集光ユニット５０をドロップレットシフト方向に移動させ、かつ高速ＡＣＴ２０２を元位置方向へ移動させて、ドロップレット５８とプリパルスレーザ光７２の相対位置関係を維持しながら、プリパルスレーザ光７２とＣＯ２レーザ光の相対位置関係を復帰させる（図１４参照）。
　次に、ステップＳ２６において、コントローラ３０はバーストゲートがｏｆｆであるか否かを判定する。ステップＳ２６の判定結果がＮｏ判定である場合、コントローラ３０はステップＳ２２に戻る。バーストゲートがｏｆｆになるまでステップＳ２２からステップＳ２６が繰り返される。ステップＳ２６の判定結果がＹｅｓ判定の場合、つまり、バーストゲートがｏｆｆになると、コントローラ３０はステップＳ３２に進む。また、ステップＳ１６の判定結果がＹｅｓ判定の場合もステップＳ３２に進む。
　ステップＳ３２において、コントローラ３０はバースト休止によって元位置に復帰するドロップレットの位置に合わせて高速ＡＣＴ２０２を駆動し、ドロップレット５８とプリパルスレーザ光７２の相対位置関係を維持する。
　次に、ステップＳ３４において、コントローラ３０はバーストゲートがｏｎであるか否かを判定する。ステップＳ３４の判定結果がｎｏ判定である場合、つまり、バースト休止期間中である場合、コントローラ３０はステップＳ３２に戻る。バーストゲートがｏｎになるまでステップＳ３２からＳ３４が繰り返される。
　ステップＳ３４の判定結果がｙｅｓ判定である場合、つまり、バーストゲートがｏｎになると、コントローラ３０はステップＳ１２に戻り、上述したステップＳ１２からステップＳ３４を繰り返す。
　４．６　ＥＵＶ重心値の目標値について
　ＥＵＶ重心値の目標値は、ドロップレットの位置、プリパルスレーザ照射位置、及びメインパルス（ＣＯ２レーザ照射位置）の相対位置関係が最適な状態の時のＥＵＶ重心値に設定される。ここでいう最適な状態とは、バースト内のＥＵＶエネルギばらつき（３σ）が小さく、ＥＵＶ重心特性の線形中心などであってよい。ＥＵＶ重心値の目標値の設定方法に関しては、例えば、国際公開第２０１７／１６４２５１号明細書に記載の技術を適用することができる。
　バースト内におけるＥＵＶエネルギのばらつきは、例えば、バースト発光するＥＵＶ光の各パルスのエネルギの標準偏差σを求め、「３σ」の値を用いて評価することができる。ＥＵＶ重心特性とは、ターゲットに対するレーザ光の照射位置内でレーザ光を走査させた際のそれぞれ異なる複数の走査位置（走査水準）で計測されるＥＵＶ重心値と各走査水準との関係を示す特性をいう。
　横軸に走査水準、縦軸にＥＵＶ重心値をとって、各走査水準にて計測されるＥＵＶ重心値をグラフにプロットすると、ＥＵＶ重心特性のグラフ（評価値の分布）は、典型的には３次の多項式近似を用いてフィッティングし得る。この３次曲線において概ね線形の変化を示す部分の中心点（例えば、変曲点）などを目標値に定めることができる。
　４．７　作用・効果
　バースト先頭部で生じるドロップレットシフトに対して、第１のアルゴリズムＡｌｇ１によってプリパルスレーザ光７２を追従させることでバースト内の急激なＥＵＶエネルギ低下現象を補償することができる。また、ＥＵＶ発光に伴う熱的な影響によるレーザ光の照射位置ずれに対して、第２のアルゴリズムＡｌｇ２によってプリパルスレーザ光７２及びＣＯ２レーザ光を含む全レーザ光をドロップレット５８に追従させることで、バースト間のＥＵＶエネルギ低下現象を補償することができる。これにより、ＥＵＶ光生成システム１０１によるバースト運転の全稼動期間において安定なＥＵＶ発光を実現することができる。
　実施形態１におけるドロップレット生成器４０は本開示における「ターゲット供給部」の一例である。高速ＡＣＴ２０２は本開示における「第１のアクチュエータ」の一例であり、高速ＡＣＴ２０２により駆動される第２の高反射ミラー３２は本開示における「第１の光学素子」の一例である。レーザ集光ユニット５０は本開示における「集光光学系」の一例である。レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５は本開示における「第２のアクチュエータ」の一例である。プラズマ生成領域８０は本開示における「所定領域」の一例である。ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃは本開示における「複数のセンサ」の一例である。また、第１のアルゴリズムＡｌｇ１による制御は本開示における「第１の制御」の一例であり、第２のアルゴリズムＡｌｇ２による制御は本開示における「第２の制御」の一例である。
　５．実施形態２
　５．１　構成
　図２２は、実施形態２に係るＥＵＶ光生成システム１０２の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成システム１０２は、プリパルスレーザ装置としての第１のプリパルスレーザ装置１２Ａと第２のプリパルスレーザ装置１２Ｂと、を含む。
　第１のプリパルスレーザ装置１２Ａは、例えば、波長１．０６μｍ、パルス幅１ｎｓ未満のレーザ光源である。第１のプリパルスレーザ装置１２Ａは、図６で説明したプリパルスレーザ装置１２と同様の構成であってよい。第１のプリパルスレーザ装置１２Ａから出力されるプリパルスレーザ光を第１のプリパルスレーザ光７２Ａという。第２のプリパルスレーザ装置１２Ｂは、例えば、第１のプリパルスレーザ装置１２Ａと同波長（波長１．０６μｍ）、パルス幅１ｎｓ以上のレーザ光源である。第２のプリパルスレーザ装置１２Ｂから出力されるプリパルスレーザ光を第２のプリパルスレーザ光７２Ｂという。
　図２２に示すＥＵＶ光生成装置１１Ｂは、第１のプリパルスレーザ光７２Ａの光路と第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの光路とを実質的に一致させるプリパルス合波素子２３０を含む。プリパルス合波素子２３０は、高速ＡＣＴ２０２を備えた第２の高反射ミラー３２と、ビームコンバイナ２６との間の光路に配置される。
　また、ＥＵＶ光生成装置１１Ｂは、第２のプリパルスレーザ装置１２Ｂから出力された第２のプリパルスレーザ光７２Ｂをプリパルス合波素子２３０へと導くレーザ光伝送光学系としての高反射ミラー２２１、２２２、２２３を含む。
　第１のプリパルスレーザ装置１２Ａが出力する第１のプリパルスレーザ光７２Ａと、第２のプリパルスレーザ装置１２Ｂが出力する第２のプリパルスレーザ光７２Ｂとは、プリパルス合波素子２３０の表面における各レーザ光の偏光方向が互いに直交するように構成されてもよい。その場合、プリパルス合波素子２３０は偏光ビームスプリッタで構成し得る。
　第１のプリパルスレーザ光７２Ａは、第１の高反射ミラー３１及び第２の高反射ミラー３２を介してプリパルス合波素子２３０に導かれる。第２のプリパルスレーザ光７２Ｂは、高反射ミラー２２１、２２２、２２３を介してプリパルス合波素子２３０に導かれる。
　プリパルス合波素子２３０によって光路が実質的に一致した第１のプリパルスレーザ光７２Ａと第２のプリパルスレーザ光７２Ｂは、ビームコンバイナ２６においてＣＯ２レーザ光と、その光路が実質的に一致させられる。ビームコンバイナ２６は、実施形態１と同様のダイクロイックミラー３７を含む。
　図２２に示すように、複数のプリパルスレーザ装置を備える構成の場合、プラズマ生成領域８０に供給されたターゲットに対して最初に照射するプリパルスレーザ光の光路に高速ＡＣＴ２０２を配置する形態が好ましい。
　高速ＡＣＴ２０２は、ターゲットに最初に照射される第１のプリパルスレーザ光７２Ａの集光位置をプラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上で移動できるように構成される。
　第１のプリパルスレーザ光７２Ａはドロップレット状のターゲットに照射され、ターゲット物質の微小液滴が空間に分散した状態の二次ターゲットを生成する。
　第２のプリパルスレーザ光７２Ｂは二次ターゲットに照射され、ターゲット物質の微粒子を空間的に分散させ、密度を最適化した三次ターゲットを生成する。
　このように、１つのターゲットに対して複数のレーザ光を順次照射する場合、ＥＵＶエネルギに大きく影響するのは最初にターゲットに照射される第１のプリパルスレーザ光である。したがって、ミリ秒オーダの高速なドロップレットシフト現象を対象としたＥＵＶ重心制御は、第１のプリパルスレーザ光７２Ａの光路に配置した高速ＡＣＴ２０２を用いた光軸制御を実施することが好ましい。
　５．２　ＥＵＶ重心値の計算式
　実施形態２の場合、ＥＵＶ重心値に対して第１のプリパルスレーザ光７２Ａ、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ、及びメインパルスレーザ光７４（ＣＯ２レーザ光）のそれぞれが感度を有する。したがって、第１のプリパルスレーザ光７２Ａを単独でドロップレットシフトに追従させる際には、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ及びＣＯ２レーザ光との相対位置変化に応じてＥＵＶ重心値を補正する必要がある。この補正には第１のプリパルスレーザ光７２Ａの相対位置ずれ量ΔPPL1を用いる必要があり、ΔPPL1の算出には高速ＡＣＴ２０２の駆動量を用いてもよい。
　実施形態２におけるＥＵＶ重心値の算出には、ΔPPL1を変数に用いた補正式ｇ（ΔPPL1）を、計算式（式１Ａ）及び（式１Ｂ）の右辺に加えた計算式（式３Ａ）及び（式３Ｂ）を用いる。この補正式ｇ（ΔPPL1）は、ΔPPL1を変数とした１次多項式でもよく、３次多項式でもよい。
　EUV Centroid_x ＝｛（Ｅ２－Ｅ３）/(Ｅ２＋Ｅ３)｝＋ｇ（ΔPPL1x）（式３Ａ）
　EUV Centroid_y ＝｛（Ｅ１－Ｅ３）/(Ｅ１＋Ｅ３)｝＋ｇ（ΔPPL1y）（式３Ｂ）
　式中のΔPPL1xはΔPPL1のＸ軸方向の相対位置ずれ量の値を表し、ΔPPL1yはΔPPL1のＹ軸方向の相対位置ずれ量の値を表す。
　ΔPPL1に関する補正項の関数ｇは、実施形態１に適用されるΔPPLに関する補正項の関数ｆに対して変更する。これは第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの照射により、ΔPPL1と補正量の関係が実施形態１におけるΔPPLと補正量の関係に対して変化するからである。
　図２３は、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ及びＣＯ２レーザ光の照射位置に対する第１のプリパルスレーザ光７２Ａの相対位置ずれ量ΔPPL1とＥＵＶ重心位置との関係を模式的に示す図である。図中「ＰＰＬ１」として示す部分は第１のプリパルスレーザ光７２Ａの照射位置を表す。図中「ＰＰＬ２」として示す一点鎖線で囲まれる部分は第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの照射位置を表す。
　図２３に示す左図は、バースト先頭部のドロップレットシフトによって第１のプリパルスレーザ光７２Ａの照射位置がドロップレット５８に対してずれている様子を表している。
　図２３の右図は、図２３の状態から第１のアルゴリズムＡｌｇ１による制御を実施することにより、第１のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ１をドロップレット位置ＤＬに一致させた様子を表している。
　５．３　動作
　実施形態２に係るＥＵＶ光生成システム１０２の動作を説明する。コントローラ３０は、バーストゲートがｏｎになると、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られるエネルギ値を基に、計算式（式３Ａ）及び（式３Ｂ）によって算出したＥＵＶ重心値が一定になるように高速ＡＣＴ２０２を制御する。この制御のアルゴリズムは第１のアルゴリズムＡｌｇ１に相当する。
　コントローラ３０は、バーストゲートｏｎの先頭からの時間がτ経過後に、第２のアルゴリズムＡｌｇ２に切り替える。
　アルゴリズムを切り替える際に、第１のプリパルスレーザ光７２Ａと第２のプリパルスレーザ光７２Ｂと、メインパルスレーザ光７４であるＣＯ２レーザ光の同軸関係を復帰させてもよい。
　その後、コントローラ３０は、ＥＵＶ光センサ５４ａ、５４ｂ、５４ｃから得られるエネルギ値Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を基に、計算式（式３Ａ）及び（式３Ｂ）によって算出したＥＵＶ重心値が一定になるようにレーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５を制御する。
　バースト先頭部で生じるドロップレットシフトは、バーストゲートｏｆｆと同時に元の位置に復帰する。また、熱的な影響によるバースト間のレーザ照射位置ずれは、バーストゲートｏｆｆの後、秒から分のオーダで元の状態に復帰する。
　このような現象に対応する為に、バーストゲートｏｆｆに応じて高速ＡＣＴと、レーザ集光ユニット５０とを駆動し、ドロップレット５８と第１のプリパルスレーザ光７２Ａの相対位置関係を復帰させてもよい。
　５．４　作用・効果
　実施形態２によれば、バースト先頭部で生じるドロップレットシフトに対し、第１のアルゴリズムＡｌｇ１によって第１のプリパルスレーザ光７２Ａを追従させることで、バースト内の急激なＥＵＶエネルギ低下現象を補償することができる。また、ＥＵＶ発光に伴う熱的な影響によるレーザ光照射位置ずれに対しては、第２のアルゴリズムＡｌｇ２によって第１のプリパルスレーザ光７２Ａ、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ、及びメインパルスレーザ光７４（ＣＯ２レーザ光）の全レーザ光を追従させることで、バースト間のＥＵＶエネルギ低下現象を補償することができる。これにより、バースト内及びバースト間においてＥＵＶエネルギの安定化を実現でき、ＥＵＶ光生成装置１１Ｂのバースト運転の全稼動期間において安定なＥＵＶ発光を実現することができる。
　実施形態２によれば、トリプルパルス構成のＥＵＶ光生成システム１０２でも実施形態１と同様の効果を奏することができる。
　実施形態２おけるプリパルス合波素子２３０は本開示における「合波素子」の一例である。
　５．５　その他
　１つのターゲットに順次照射するレーザ光の数がいくつであっても、最初にドロップレットに照射するレーザ光を高速ＡＣＴ２０２で制御し、他のレーザ光の少なくとも１つを他のアクチュエータ（例えば、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５）で制御する構成であれば本開示の内容が適用できる。
　６．実施形態３
　６．１　構成
　図２４は、実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１０３の構成を例示的に示す。図２４において、図２２に示した構成と同一又は類似の要素には同一の参照符号を付す。図２２に示した実施形態２との相違点を説明する。
　実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１０３は、第１のプリパルスレーザ光７２Ａ、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ、及びメインパルスレーザ光７４（ＣＯ２レーザ光）の各レーザ光を独立に走査（移動）可能なアクチュエータを備えている。
　すなわち、図２４に示すＥＵＶ光生成装置１１Ｃは、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの光路にアクチュエータ付きミラーホルダ２５２を備える。表記の簡略化のために、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの伝播方向を変更するアクチュエータ付きミラーホルダ２５２を、以下「ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２」という。ここでは、高反射ミラー２２３がＰＰＬ２-ＡＣＴ２５２に保持される。
　ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２は、プラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上で第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの位置（照射位置）を移動できるように構成される。ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２は、第２のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ２の走査用アクチュエータとして機能する。
　また、実施形態３におけるＥＵＶ光生成装置１１Ｃは、ＣＯ２レーザ光の光路にアクチュエータ付きミラーホルダ２５４を備える。表記の簡略化のために、ＣＯ２レーザ光の伝播方向を変更するアクチュエータ付きミラーホルダ２５４を、以下「ＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４」という。ここでは、第４の高反射ミラー３４がＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４に保持される。
　ＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４は、プラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上でＣＯ２レーザ光の位置（照射位置）を移動できるように構成される。
　６．２　動作
　実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１０３の動作について、実施形態１及び２の動作との相違点を説明する。実施形態１及び実施形態２においては、バースト後半部の第２のアルゴリズムＡｌｇ２により、全レーザ光をプラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上で移動させる際にレーザ集光ユニット５０を移動させる構成を採用する。これに対し、実施形態３に示す構成の場合、レーザ集光ユニット５０の駆動に代えて、高速ＡＣＴ２０２、ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２、及びＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４を同期して駆動させる。
　実施形態３において高速ＡＣＴ２０２は、実施形態２と同様の制御とし、ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２とＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４との組み合わせによって、レーザ集光ユニット５０の三軸ステージ８５の機能を実現する。このため、実施形態３では三軸ステージ８５を制御しなくてよい。その代わりに、実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１０３では、第２のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ２とＣＯ２レーザ照射位置ＣＯ２Ｌとの位置関係を維持するように、ＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２とＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４とを駆動する。なお、第２のプリパルスレーザ光７２ＢとＣＯ２レーザ光との照射時刻の差は僅かであるため、この間のターゲットの位置変動は考慮しなくてよい。したがって、バースト内におけるＥＵＶエネルギ安定化の観点からは両者の照射位置を独立に制御する必要性は低い。
　６．３　作用・効果
　実施形態３に係るＥＵＶ光生成システム１０３の場合、ＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４によって駆動される第４の高反射ミラー３４は高出力ＣＯ２レーザ光に耐性を持つよう構成されるため、当該第４の高反射ミラー３４は図示せぬミラー冷却構造を備える。したがって、ＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４は高速ＡＣＴ２０２ほどの応答速度は期待できない。
　しかし、第４の高反射ミラー３４は、レーザ集光ユニット５０よりは軽く構成できるため、実施形態３は実施形態１や実施形態２と比較して、第２のアルゴリズムＡｌｇ２の制御周期を上げることができる。このため、実施形態３によればバースト内のＥＵＶエネルギ安定性はさらに向上する。
　実施形態３における高反射ミラー２２３は本開示における「第２の光学素子」の一例である。高反射ミラー２２３を動かすＰＰＬ２－ＡＣＴ２５２は本開示における「第３のアクチュエータ」の一例である。第４の高反射ミラー３４は本開示における「第３の光学素子」の一例である。第４の高反射ミラー３４を動かすＣＯ２Ｌ－ＡＣＴ２５４は本開示における「第４のアクチュエータ」の一例である。
　７．実施形態４
　７．１　構成
　図２５は、実施形態４に係るＥＵＶ光生成システム１０４の構成を例示的に示す。図２５において、図２２に示した構成と同一又は類似の要素には同一の参照符号を付す。図２２に示した実施形態２との相違点を説明する。
　複数のプリパルスレーザ装置を備えるシステム構成の場合、複数のプリパルスレーザ光が合波された光路上に高速ＡＣＴ２０２を配置してもよい。図２５に示すＥＵＶ光生成装置１１Ｄでは、プリパルス合波素子２３０とビームコンバイナ２６との間の光路に高速ＡＣＴ２０２が配置される。ＥＵＶ光生成装置１１Ｄは、プリパルス合波素子２３０から出射されたプリパルスレーザ光７２Ｃをビームコンバイナ２６に導く高反射ミラー２４０、２４２を備える。高反射ミラー２４２は高速ＡＣＴ２０２に保持される。高速ＡＣＴ２０２は、プリパルスレーザ光７２Ｃの集光位置をプラズマ生成領域８０におけるＸＹ平面上で移動できるように構成される。
　７．２　ＥＵＶ重心値の計算式
　実施形態４の場合、ＥＵＶ重心値に対して第１のプリパルスレーザ光７２Ａ、第２のプリパルスレーザ光７２Ｂ、及びＣＯ２レーザ光のそれぞれが感度を有する。したがって、第１のプリパルスレーザ光７２Ａ及び第２のプリパルスレーザ光７２Ｂを合波したプリパルスレーザ光７２Ｃを、高反射ミラー２４２を用いてドロップレットシフトに追従させる際には、ＣＯ２レーザ光とプリパルスレーザ光７２Ｃとの相対位置の変化に応じてＥＵＶ重心値を補正することが望ましい。
　この補正には、ＣＯ２レーザ光とプリパルスレーザ光７２Ｃとの相対位置ずれ量ΔPPL1_2を用いる。ΔPPL1_2の算出には高速ＡＣＴ２０２の駆動量を用いてもよい。実施形態４におけるＥＵＶ重心値の算出には、ΔPPL1_2を変数に用いた補正式ｈ(ΔPPL1_2)を、計算式（式１Ａ）及び（式１Ｂ）の右辺に加えた下記の計算式(式４Ａ)及び（式４Ｂ）を用いて行う。補正式ｈ(ΔPPL1_2)は、ΔPPL1_2を変数とした１次多項式でもよく、３次多項式でもよい。
　EUV Centroid_x ＝｛（Ｅ２－Ｅ３）/(Ｅ２＋Ｅ３)｝＋ｈ（ΔPPL1_2x）（式４Ａ）
　EUV Centroid_y ＝｛（Ｅ１－Ｅ３）/(Ｅ１＋Ｅ３)｝＋ｈ（ΔPPL1_2y）（式４Ｂ）
　式中のΔPPL1_2xはΔPPL1_2のＸ軸方向の相対位置ずれ量の値を表し、ΔPPL1_2yはΔPPL1_2のＹ軸方向の相対位置ずれ量の値を表す。
　図２６は、プリパルスレーザ光とＣＯ２レーザ光の照射位置の相対位置ずれ量ΔPPL1_2とＥＵＶ重心位置との関係を模式的に示す図である。図２６の記載ルールは、図２３と同様である。図２６の左図は、バースト先頭部のドロップレットシフトによって第１のプリパルスレーザ光７２Ａ及び第２のプリパルスレーザ光７２Ｂの照射位置がドロップレット５８に対してずれている様子を表している。
　図２６の右図は、図２６の左図の状態から第１のアルゴリズムＡｌｇ１による制御を実施することにより、第１のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ１及び第２のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ２をドロップレット位置ＤＬに一致させた様子を表している。
　７．３　動作
　実施形態４に係るＥＵＶ光生成システム１０４の動作について、実施形態１及び２の動作との相違点を説明する。実施形態４に示す構成の場合、第１のアルゴリズムＡｌｇ１によって、高速ＡＣＴ２０２を制御する。その後、第２のアルゴリズムＡｌｇ２によって実施形態２と同様の制御を行う。
　７．４　作用・効果
　実施形態４によれば、第１のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ１と第２のプリパルスレーザ照射位置ＰＰＬ２の相対位置関係を維持したままドロップレットシフトに対してレーザ照射位置の追従可能である。実施形態４によれば、レーザ光の相対位置関係の崩れによるＥＵＶエネルギ低下量を低減することができ、バースト内のＥＵＶエネルギ安定性はさらに向上する。
　実施形態４における高反射ミラー２４２は本開示における「第１の光学素子」の一例である。
　８．ＥＵＶ光生成システムを用いた電子デバイスの製造方法の例
　図２７は、ＥＵＶ光生成システム１００と接続された露光装置１１０の概略構成を示す図である。図２７において、露光装置１１０は、マスク照射部４６２とワークピース照射部４６４とを含む。マスク照射部４６２は、ＥＵＶ光生成システム１００から入射したＥＵＶ光１１８によって、反射光学系４６３を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。
　ワークピース照射部４６４は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１１８を、反射光学系４６５を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。
　ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置１１０は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光をワークピースに露光する。
　以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。露光装置１１０に接続されるＥＵＶ光生成システム１００は、各実施形態で説明したＥＵＶ光生成システム１０１～１０４であってもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (18)

  1. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    　前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、
    　前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、
    　前記プリパルスレーザ光の光路と前記メインパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させるビームコンバイナと、
    　前記ビームコンバイナから出射された前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の光路に配置され、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を前記所定領域の付近に集光する集光光学系と、
    　前記プリパルスレーザ装置と前記ビームコンバイナとの間の前記プリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子と、
    　前記第１の光学素子から出射する前記プリパルスレーザ光の進行方向を変更する第１のアクチュエータと、
    　前記集光光学系から出射する前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の進行方向に対して直交する面内の前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の照射位置を変更する第２のアクチュエータと、
    　前記メインパルスレーザ光が前記ターゲットに照射されることにより前記所定領域から放射される光を検出する複数のセンサと、
    　前記複数のセンサの出力に基づいて前記第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータを制御するコントローラであって、１つのバースト期間内において、前記複数のセンサの出力から算出される評価値が目標値に近づくように前記第１のアクチュエータを制御する第１の制御と、前記第１の制御の後に、前記評価値が前記目標値に近づくように前記第２のアクチュエータを制御する第２の制御と、を実施するコントローラと、
    　を備える極端紫外光生成システム。
  2. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記評価値は、前記所定領域から放射される光の重心位置を評価する値である、
    極端紫外光生成システム。
  3. 　請求項２に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記評価値を算出する計算式は、前記プリパルスレーザ光の照射位置と、前記メインパルスレーザ光の照射位置との相対位置ずれ量を変数に用いた関数によって表される補正項を含んでいる、
    極端紫外光生成システム。
  4. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記第１のアクチュエータは、前記第１の光学素子を駆動するように配置される、
    極端紫外光生成システム。
  5. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記第２のアクチュエータは、前記集光光学系を駆動するように配置される、
    極端紫外光生成システム。
  6. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記コントローラは、前記第１の制御において、前記第１のアクチュエータを駆動させる指令信号である第１のコマンドを出力し、前記第２の制御において、前記第２のアクチュエータを駆動させる指令信号の第２のコマンドを出力するよう構成され、
    　第１のコマンドが出力されるタイミングの時間間隔は、第２のコマンドが出力されるタイミングの時間間隔よりも短い、極端紫外光生成システム。
  7. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記第１のアクチュエータの応答速度は、前記第２のアクチュエータの応答速度よりも高速である、
    極端紫外光生成システム。
  8. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記コントローラは、前記バースト期間の先頭部の所定期間に、前記第１の制御を実施し、前記所定期間の経過後に前記第２の制御を実施する、
    極端紫外光生成システム。
  9. 　請求項８に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記コントローラは、前記第２の制御を実施する際に、前記第１の制御にて駆動した前記第１のアクチュエータを元の位置の方向に駆動して、前記第１の制御によって実現された前記ターゲットと前記プリパルスレーザ光の照射位置との相対位置関係を維持しながら、前記第２のアクチュエータを駆動することにより、前記プリパルスレーザ光の照射位置と前記メインパルスレーザ光の照射位置との相対位置関係を修正する、
    極端紫外光生成システム。
  10. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記コントローラは、バースト休止期間中に、前記第１のアクチュエータを前記第１の制御による駆動の方向と逆方向に駆動させる、
    極端紫外光生成システム。
  11. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記プリパルスレーザ装置は、前記所定領域に供給された前記ターゲットに対して最初に照射される第１のプリパルスレーザ光を出力する第１のプリパルスレーザ装置と、前記第１のプリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射される第２のプリパルスレーザ光を出力する第２のプリパルスレーザ装置と、を含み、
    　前記第１のプリパルスレーザ装置と前記ビームコンバイナとの間の前記第１のプリパルスレーザ光の光路に前記第１のアクチュエータを備えた前記第１の光学素子が配置される、
    極端紫外光生成システム。
  12. 　請求項１１に記載の極端紫外光生成システムであって、さらに、
    　前記第１のプリパルスレーザ光の光路と前記第２のプリパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させる合波素子、を含み、
    　前記合波素子から出射される前記第１のプリパルスレーザ光及び前記第２のプリパルスレーザ光が前記ビームコンバイナに入射するよう構成され、
    　前記第１のプリパルスレーザ装置と前記合波素子との間の光路に前記第１のアクチュエータを備えた前記第１の光学素子が配置される、
    極端紫外光生成システム。
  13. 　請求項１１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記評価値を算出する計算式は、前記第１のプリパルスレーザ光の照射位置と、前記メインパルスレーザ光の照射位置との相対位置ずれ量を変数に用いた関数によって表される補正項を含んでいる、
    極端紫外光生成システム。
  14. 　請求項１１に記載の極端紫外光生成システムであって、さらに、
    　前記第２のプリパルスレーザ装置と前記ビームコンバイナとの間の前記第２のプリパルスレーザ光の光路に配置された第２の光学素子と、
    　前記メインパルスレーザ装置と前記ビームコンバイナとの間の前記メインパルスレーザ光の光路に配置された第３の光学素子と、を含み、
    　前記第２のアクチュエータは、前記第２の光学素子を駆動する第３のアクチュエータと、
    前記第３の光学素子を駆動する第４のアクチュエータと、を含み、
    　前記コントローラは、前記第２の制御において、前記第２のプリパルスレーザ光の照射位置と、前記メインパルスレーザ光の照射位置との相対位置関係を維持するように、前記第３のアクチュエータ及び前記第４のアクチュエータを駆動させる、
    極端紫外光生成システム。
  15. 　請求項１１に記載の極端紫外光生成システムであって、さらに、
    　前記第１のプリパルスレーザ光の光路と前記第２のプリパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させる合波素子を含み、
    　前記合波素子と前記ビームコンバイナとの間の光路に前記第１のアクチュエータを備えた前記第１の光学素子が配置される、
    極端紫外光生成システム。
  16. 　請求項１５に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記評価値を算出する計算式は、前記合波素子から出射した前記第１のプリパルスレーザ光及び前記第２のプリパルスレーザ光を含むプリパルスレーザ光の照射位置と、前記メインパルスレーザ光の照射位置との相対位置ずれ量を変数に用いた関数によって表される補正項を含んでいる、
    極端紫外光生成システム。
  17. 　請求項１に記載の極端紫外光生成システムであって、
    　前記第１の制御及び第２の制御はともにＰＩＤ制御である、極端紫外光生成システム。
  18. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　チャンバと、
    　前記チャンバ内の所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    　前記ターゲットに照射されるプリパルスレーザ光を出力するプリパルスレーザ装置と、
    　前記プリパルスレーザ光が照射された前記ターゲットに照射されるメインパルスレーザ光を出力するメインパルスレーザ装置と、
    　前記プリパルスレーザ光の光路と前記メインパルスレーザ光の光路とを実質的に一致させるビームコンバイナと、
    　前記ビームコンバイナから出射された前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の光路に配置され、前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を前記所定領域の付近に集光する集光光学系と、
    　前記プリパルスレーザ装置と前記ビームコンバイナとの間の前記プリパルスレーザ光の光路に配置された第１の光学素子と、
    　前記第１の光学素子から出射する前記プリパルスレーザ光の進行方向を変更する第１のアクチュエータと、
    　前記集光光学系から出射する前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の進行方向に対して直交する面内の前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光の照射位置を変更する第２のアクチュエータと、
    　前記メインパルスレーザ光が前記ターゲットに照射されることにより前記所定領域から放射される光を検出する複数のセンサと、
    　前記複数のセンサの出力に基づいて前記第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータを制御するコントローラであって、１つのバースト期間内において、前記複数のセンサの出力から算出される評価値が目標値に近づくように前記第１のアクチュエータを制御する第１の制御と、前記第１の制御の後に、前記評価値が前記目標値に近づくように前記第２のアクチュエータを制御する第２の制御と、を実施するコントローラと、
    　を備える極端紫外光生成システムを用いて前記ターゲットに前記プリパルスレーザ光及び前記メインパルスレーザ光を照射することにより、前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成し、
    　前記極端紫外光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
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