JP6378355B2 - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法 - Google Patents

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許第７０６８３６７号 米国特許第７５８９３３７号 米国特許出願公開第２０１２／０８０５８４号 国際公開ＷＯ２０１４／０４２００３号 特願２０１２−１９９３６０ 特願２０１３−１１４９６４

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるステージと、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域で前記ドロップレットに前記レーザ光を照射する照射タイミングを制御する演算制御部と、を備えてもよい。

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成方法は、レーザ光の照射によりプラズマ生成領域においてターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、外部から前記プラズマ生成領域の位置を変更するためのプラズマ生成領域指示位置の情報を受信するステップと、前記情報に基づいて、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に供給するターゲット供給部を移動させるステップと、前記情報に基づいて、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域指示位置に集光するレーザ光集光光学系を移動させるステップと、前記ターゲット供給部により前記ターゲットを前記ドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に向けて出力させるステップと、前記ターゲット供給部から出力された前記ドロップレットの軌道と略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置されたドロップレット検出器により、前記ドロップレットを検出するステップと、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングと前記ターゲット供給部の移動距離及び前記所定角度とに基づいて、外部のレーザ装置に前記レーザ光を発振させるトリガ信号を出力するタイミングを定めるための遅延時間を算出するステップと、前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに前記遅延時間を付加して、前記トリガ信号を出力するステップと、含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３は、図２に示されたＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。 図４は、図２に示されたＥＵＶ光生成制御部におけるトリガ信号の出力までに係るタイムチャートを示す。 図５Ａは、ドロップレット検出器の構成を説明するための図を示す。 図５Ｂは、図５Ａに示されたドロップレット検出器の検出光軸とドロップレット軌道との関係を説明するための図を示す。 図６は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図７は、図６に示された演算制御部における動作を説明するためのフローチャートを示す。 図８は、図７に示された演算制御部におけるＸ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図９は、図７に示された演算制御部におけるＹ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１０は、図７に示された演算制御部におけるＺ位置補正処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１１は、図７に示された演算制御部におけるＥＵＶ光生成処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１２は、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１３は、第２実施形態の演算制御部におけるトリガ信号の出力までに係るタイムチャートを示す。 図１４Ａは、第３実施形態のドロップレット検出器の拡大図を示す。 図１４Ｂは、図１４Ａに示されたドロップレット検出器のＡ−Ａ線における断面図を示す。 図１４Ｃは、図１４Ａに示された光源部からの照明光のＭ−Ｍ線における断面図を示す。 図１４Ｄは、図１４Ａに示された光センサによって生成される通過タイミング信号等の波形を示す。 図１５Ａは、第４実施形態のドロップレット検出器の拡大図を示す。 図１５Ｂは、図１５Ａに示されたドロップレット検出器のＢ−Ｂ線における断面図を示す。 図１５Ｃは、図１５Ａに示されたスリット板のＮ−Ｎ線における断面図を示す。 図１５Ｄは、図１５Ａに示された光センサによって生成される通過タイミング信号等の波形を示す。 図１６は、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１７は、図１６に示されたＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器の構成を説明するための図を示す。 図１８は、図１７に示されたドロップレット計測制御部におけるドロップレット速度計測処理を説明するためのフローチャートを示す。 図１９は、図１７に示された画像計測器の撮像部で撮像されたドロップレットの画像を示す。 図２０は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用
８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用
９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部
９．１ 構成
９．２ 動作
９．３ 作用
１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器
１０．１ 構成
１０．２ 動作
１０．３ 作用
１１．各制御部のハードウェア環境

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。

本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、内部のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７がレーザ光３３の照射によりプラズマ化されＥＵＶ光が生成されるチャンバ２と、前記ターゲット２７をドロップレット２７１として前記チャンバ２内に出力することで前記プラズマ生成領域２５に前記ターゲット２７を供給するターゲット供給部２６と、前記ターゲット供給部２６から出力される前記ドロップレット２７１の軌道Ｆに対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部２６を移動させるステージ７４と、前記ターゲット供給部２６と前記プラズマ生成領域２５との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレット２７１を検出するドロップレット検出器４１と、前記ドロップレット検出器４１において前記ドロップレット２７１が検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域２５で前記ドロップレット２７１に前記レーザ光３３を照射する照射タイミングを制御する演算制御部５１と、を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸が傾けて設置されている状況下において、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．ドロップレット検出器を含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２及び図３を用いて、ドロップレット検出器４１を含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２では、ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２から露光装置６に向かってＥＵＶ光２５２を導出する方向をＺ軸とする。Ｘ軸及びＹ軸は、Ｚ軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図２の座標軸と同様とする。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２の中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。

筒形状のチャンバ２の側面部には、チャンバ２外からチャンバ２内へターゲット２７を供給するためのターゲット供給路２ａが設けられてもよい。ターゲット供給路２ａは、筒形状に形成されてもよい。ターゲット供給路２ａの先端には、ターゲット供給孔２ｂが設けられてもよい。筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向に対して略直交してもよい。筒形状のターゲット供給路２ａの中心軸方向は、後述するレーザ光集光光学系２２ａからのパルスレーザ光３３の照射方向と略直交してもよい。
チャンバ２が中空の球形状であれば、ターゲット供給路２ａは、チャンバ２の壁面部であってウインドウ２１及び接続部２９の設置されていない位置に設けられてもよい。

チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光光学系２３ａと、ターゲット回収部２８と、プレート２２５及びプレート２３５と、マニュピレータ２２６とが備えられてもよい。

プレート２３５は、チャンバ２の内側面に固定されてもよい。プレート２３５の中央には、その厚さ方向にパルスレーザ光３３が通過可能な孔２３５ａが設けられてもよい。孔２３５ａの開口方向は、図１における貫通孔２４及びプラズマ生成領域２５を通る軸と略同一方向であってもよい。
プレート２３５の一方の面には、ＥＵＶ集光光学系２３ａが設けられてもよい。
プレート２３５の他方の面には、マニュピレータ２２６を介してプレート２２５が設けられてもよい。

プレート２３５の一方の面に設けられたＥＵＶ集光光学系２３ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３とホルダ２３１とを含んでもよい。
ホルダ２３１は、ＥＵＶ集光ミラー２３を保持してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３を保持するホルダ２３１は、プレート２３５に固定されてもよい。

プレート２３５の他方の面に設けられたプレート２２５は、位置及び姿勢が、マニュピレータ２２６によって変更可能であってもよい。
マニュピレータ２２６は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向の３軸方向に、プレート２２５を動かすアクチュエータを含んでもよい。
マニュピレータ２２６のアクチュエータは、後述するＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。マニュピレータ２２６は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてプレート２２５を動かしてもよい。それにより、プレート２２５の位置及び姿勢が変更されてもよい。
プレート２２５には、レーザ光集光光学系２２ａが設けられてもよい。

レーザ光集光光学系２２ａは、Ｚ軸と略平行な方向であってプラズマ生成領域２５に向けて、パルスレーザ光３３を照射してもよい。
レーザ光集光光学系２２ａは、レーザ光集光ミラー２２と、ホルダ２２３及びホルダ２２４とを含んでもよい。
レーザ光集光ミラー２２は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２を含んでもよい。

ホルダ２２３は、軸外放物面ミラー２２１を保持してもよい。軸外放物面ミラー２２１を保持するホルダ２２３は、プレート２２５に固定されてもよい。
ホルダ２２４は、平面ミラー２２２を保持してもよい。平面ミラー２２２を保持するホルダ２２４は、プレート２２５に固定されてもよい。

軸外放物面ミラー２２１は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１及び平面ミラー２２２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
平面ミラー２２２は、孔２３５ａ及び軸外放物面ミラー２２１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５がマニュピレータ２２６を介してプレート２２５の位置及び姿勢を変更することに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２に入射したパルスレーザ光３２の反射光であるパルスレーザ光３３が、プラズマ生成領域２５に集光するように実行され得る。

ターゲット回収部２８は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が進行する方向の延長線上に配置されてもよい。

また、チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５と、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１とを備えてもよい。

レーザ光進行方向制御部３４は、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１とレーザ装置３との間に設けられてもよい。
レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２と、ホルダ３４３及びホルダ３４４とを含んでもよい。

ホルダ３４３は、高反射ミラー３４１を保持してもよい。ホルダ３４４は、高反射ミラー３４２を保持してもよい。
ホルダ３４３及びホルダ３４４は、ＥＵＶ光生成制御部５に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢が変更可能であってもよい。

高反射ミラー３４１は、パルスレーザ光３１が出力されるレーザ装置３の出射口及び高反射ミラー３４２とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４２は、チャンバ２のウインドウ２１及び高反射ミラー３４１とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２の位置及び姿勢は、ＥＵＶ光生成制御部５によりホルダ３４３及びホルダ３４４の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー３４１及び高反射ミラー３４２に入射したパルスレーザ光３１の反射光であるパルスレーザ光３２が、チャンバ２の底面部に設けられたウインドウ２１を透過するように実行され得る。

ターゲット生成器７は、チャンバ２のターゲット供給路２ａの端部に設けられてもよい。ターゲット生成器７は、ターゲット供給部２６と、温度調節機構７１と、圧力調節機構７２と、ドロップレット形成機構７３と、ステージ７４とを備えてもよい。

ターゲット供給部２６は、タンク２６１と、ノズル２６２とを含んでもよい。タンク２６１は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク２６１の内部には、ターゲット２７が収容されてもよい。
ターゲット２７を収容するタンク２６１の少なくとも内部は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット２７と反応し難い材料は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。

ノズル２６２は、筒形状のタンク２６１の底面部に設けられてもよい。ノズル２６２は、チャンバ２のターゲット供給孔２ｂを通してチャンバ２の内部に配置されてもよい。ターゲット供給孔２ｂは、ターゲット供給部２６が設置されることで塞がれ得る。それにより、チャンバ２の内部は大気と隔絶され得る。
ノズル２６２の少なくとも内面は、ターゲット２７と反応し難い材料で構成されてもよい。

パイプ状のノズル２６２の一端は、中空のタンク２６１に固定されてもよい。パイプ状のノズル２６２の他端には、図３に示すように、ノズル孔２６２ａが設けられてもよい。ノズル２６２の一端側にあるタンク２６１がチャンバ２の外部に位置し、ノズル２６２の他端側にあるノズル孔２６２ａがチャンバ２の内部に位置してもよい。ノズル２６２の中心軸方向の延長線上には、チャンバ２の内部にあるプラズマ生成領域２５が位置してもよい。タンク２６１、ノズル２６２、ターゲット供給路２ａ、及びチャンバ２は、その内部が互いに連通してもよい。
ノズル孔２６２ａは、溶融したターゲット２７をチャンバ２内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。

温度調節機構７１は、タンク２６１の温度を調節してもよい。
温度調節機構７１は、図３に示すように、ヒータ７１１と、ヒータ電源７１２と、を含んでもよい。

ヒータ７１１は、筒形状のタンク２６１の外側側面部に固定されてもよい。タンク２６１に固定されたヒータ７１１は、タンク２６１を加熱してもよい。タンク２６１を加熱するヒータ７１１は、ヒータ電源７１２と接続されてもよい。
ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１に電力を供給してもよい。ヒータ７１１に電力を供給するヒータ電源７１２は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ヒータ電源７１２は、ヒータ７１１への電力供給をＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

筒形状のタンク２６１の外側側面部には、図示しない温度センサが固定されてもよい。タンク２６１に固定された温度センサは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。温度センサは、タンク２６１の温度を検出し、検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、温度センサから出力された検出信号に基づいて、ヒータ７１１へ供給する電力を調節し得る。

上記構成によって温度調節機構７１は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてタンク２６１の温度を調節し得る。

圧力調節機構７２は、タンク２６１内の圧力を調節してもよい。圧力調節機構７２は、図３に示すように、圧力調節器７２１と、配管７２２と、ガスボンベ７２３とを含んでもよい。

配管７２２は、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２の反対側と、圧力調節器７２１とを連結してもよい。配管７２２は、タンク２６１を含むターゲット供給部２６と圧力調節器７２１とを連通させ得る。
配管７２２は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管７２２には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管７２２内の温度は、ターゲット供給部２６のタンク２６１内の温度と略同じ温度に保たれてもよい。

ガスボンベ７２３は、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが充填されていてもよい。ガスボンベ７２３は、圧力調節器７２１を介して、タンク２６１内に不活性ガスを給気してもよい。

圧力調節器７２１は、上述のように、筒形状のタンク２６１の底面部であってノズル２６２とは反対側に配管７２２を介して設けられてもよい。
圧力調節器７２１は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器７２１は、圧力センサを用いてタンク２６１内の圧力を検出してもよい。
圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に連結されてもよい。圧力調節器７２１は、ガスボンベ７２３に充填された不活性ガスを、タンク２６１内に給気してもよい。
圧力調節器７２１は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器７２１は、排気ポンプを動作させて、タンク２６１内のガスを排気してもよい。
圧力調節器７２１は、タンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気することによって、タンク２６１内の圧力を加圧又は減圧し得る。

圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。圧力調節器７２１は、検出した圧力の検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された制御信号が入力されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号は、圧力調節器７２１から出力された検出信号に基づいて、タンク２６１内の圧力が目標とする圧力になるよう圧力調節器７２１の動作を制御するための制御信号であってもよい。
圧力調節器７２１は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてタンク２６１内にガスを給気又はタンク２６１内のガスを排気してもよい。それにより、タンク２６１内の圧力は、目標とする圧力に調節され得る。

上記構成によって圧力調節機構７２は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいて、圧力調節器７２１にてタンク２６１内の圧力を調節し得る。

ドロップレット形成機構７３は、ノズル２６２からジェット状に噴出したターゲット２７の流れを周期的に分断し、ドロップレット２７１を形成してもよい。
ドロップレット形成機構７３は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット２７１を形成してもよい。コンティニュアスジェット方式では、ノズル２６２を振動させてジェット状に噴出したターゲット２７の流れに定在波を与え、当該ターゲット２７を周期的に分離してもよい。分離されたターゲット２７は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット２７１を形成し得る。
ドロップレット形成機構７３は、図３に示すように、ピエゾ素子７３１と、ピエゾ電源７３２とを含んでもよい。

ピエゾ素子７３１は、パイプ状のノズル２６２の外側側面部に固定されてもよい。ノズル２６２に固定されたピエゾ素子７３１は、ノズル２６２に振動を与えてもよい。
ノズル２６２に振動を与えるピエゾ素子７３１は、ピエゾ電源７３２と接続されてもよい。
ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１に電力を供給してもよい。ピエゾ素子７３１に電力を供給するピエゾ電源７３２は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ピエゾ電源７３２は、ピエゾ素子７３１への電力供給をＥＵＶ光生成制御部５によって制御されてもよい。

上記構成によってドロップレット形成機構７３は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてドロップレット２７１を形成し得る。

ドロップレット軌道Ｆは、ノズル孔２６２ａから出力されたドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に向かって移動する軌道であってもよい。
なお、ノズル孔２６２ａから出力されたドロップレット２７１が、プラズマ生成領域２５に向けて移動する方向を、「ドロップレットの進行方向」ともいう。

ステージ７４は、Ｘ方向及びＺ方向の２軸方向に、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。ステージ７４は、ＸＺ面である二次元平面に沿って、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。ステージ７４は、ドロップレット軌道Ｆの方向に対して略垂直な方向へ、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
ステージ７４は、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。ステージ７４には、ＥＵＶ光生成制御部５から出力された制御信号が入力されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５から出力される制御信号は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１が目標とする位置に到達するようにターゲット供給部２６の位置を調整するための制御信号であってもよい。
ステージ７４は、ＥＵＶ光生成制御部５の制御信号に基づいてターゲット供給部２６を移動させてもよい。それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のＸ方向及びＺ方向における位置は、ドロップレット２７１が目標とする位置に到達するように調整され得る。

ドロップレット検出器４１は、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１を検出してもよい。
ドロップレット検出器４１は、図２に示すように、ターゲット供給路２ａの側面部の所定位置に設けられてもよい。ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６とプラズマ生成領域２５との間に位置し得る。

ドロップレット検出器４１は、図３に示すように、光源部４１１と、受光部４１２とを備えてもよい。光源部４１１と受光部４１２とは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の進行経路であるドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向配置されてもよい。

なお、図２および図３では、光源部４１１と受光部４１２との対向方向がＸ方向に略直交する方向であるように便宜的に記載されているが、図２および図３の記載は、光源部４１１と受光部４１２との対向方向を特定するための記載ではない。

光源部４１１は、ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１に連続光である照明光を放射してもよい。ドロップレット２７１に照射される連続光は、連続レーザ光であってもよい。
光源部４１１は、光源４１１ａと、照明光学系４１１ｂと、ウインドウ４１１ｃとを含んでもよい。

光源４１１ａは、例えば、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ出力器等の連続レーザ光を出力する光源であってもよい。連続レーザ光のビーム径は、ドロップレット２７１の直径（例えば２０μｍ）よりも十分に大きくてもよい。

照明光学系４１１ｂは、レンズ等の光学素子を含んでもよい。光学素子は、レンズ等の透過型光学素子の他にミラー等の反射光学素子であってもよい。
照明光学系４１１ｂは、光源４１１ａから放射された連続レーザ光を、ウインドウ４１１ｃを介してドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに集光してもよい。

上記構成によって光源部４１１は、連続レーザ光をドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに向かって放射し得る。ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐに到達すると、光源部４１１から放射された連続レーザ光が当該ドロップレット２７１を照明し得る。

受光部４１２は、光源部４１１から放射された連続レーザ光を受光し、連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
受光部４１２は、光センサ４１２ａと、受光光学系４１２ｂと、ウインドウ４１２ｃとを含んでもよい。

受光光学系４１２ｂは、コリメータ等の光学系であってもよい。このコリメータ等の光学系は、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。受光光学系４１２ｂは、光源部４１１から放射された連続レーザ光を、ウインドウ４１２ｃを介して光センサ４１２ａに導いてもよい。

光センサ４１２ａは、フォトダイオードを含む受光素子であってもよい。光センサ４１２ａは、受光光学系４１２ｂによって導かれた連続レーザ光の光強度を検出してもよい。
光センサ４１２ａは、ＥＵＶ光生成制御部５と接続されてもよい。光センサ４１２ａは、検出した光強度の検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力してもよい。

上記構成によって受光部４１２は、光源部４１１から放射された連続レーザ光の光強度を検出してＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐに到達すると、ドロップレット２７１により遮蔽された連続レーザ光の受光部４１２における光強度は低下し得る。受光部４１２は、ドロップレット２７１の通過による光強度の変化に応じた信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。
なお、ドロップレット２７１による光強度の変化に応じた信号を、「通過タイミング信号」ともいう。

上記構成によってドロップレット検出器４１は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて進行するドロップレット２７１を検出し、通過タイミング信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給部２６からプラズマ生成領域２５に向けて進行するドロップレット２７１が検出されたタイミングを検出し得る。特に、ドロップレット２７１がドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐを通過したタイミングを検出し得る。
なお、ドロップレット検出器４１がドロップレット２７１を検出したタイミングを「検出タイミング」ともいう。検出タイミングは、通過タイミング信号が閾値を下回ったタイミングであり得る。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７、及びドロップレット検出器４１の動作を統括的に制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ヒータ電源７１２に制御信号を出力して、ヒータ電源７１２を含む温度調節機構７１の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、圧力調節器７２１に制御信号を出力して、圧力調節器７２１を含む圧力調節機構７２の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ピエゾ電源７３２に制御信号を出力して、ピエゾ電源７３２を含むドロップレット形成機構７３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ステージ７４に制御信号を出力して、ステージ７４の動作を制御してもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の制御部である露光装置制御部６１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６の指令に基づいてＥＵＶ光生成システム１１全体の動作を統括的に制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、プラズマ生成指示位置の指示に関する露光装置６の指令に基づいて、ステージ７４及びマニュピレータ２２６を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３の動作を制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ光進行方向制御部３４及びレーザ光集光光学系２２ａのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、パルスレーザ光３１〜３３の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７と、ドロップレット検出器４１との間で制御信号の送受を行ってもよい。それにより、ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７及びドロップレット検出器４１の動作を制御してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号に基づいて、ドロップレット検出信号を生成してもよい。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５がドロップレット検出信号を生成したタイミングを「生成タイミング」ともいう。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出信号が生成されてから遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５から出力されるトリガ信号は、レーザ装置３がレーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
遅延時間Ｔｄｌは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。それにより、ドロップレット軌道Ｆ上のドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１にパルスレーザ光３３が照射され得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、予め入力された遅延時間Ｔｄｌを記憶してもよい。
つまり、ＥＵＶ光生成制御部５は、生成タイミング及び遅延時間Ｔｄｌに基づいて、パルスレーザ光３３の照射タイミングを制御し得る。

［４．２ 動作］
図４を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ光生成制御部５の動作の概要について説明する。
図４は、ＥＵＶ光生成制御部５によって制御されるレーザ装置３の出力タイミングを説明するための図である。

ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御してもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５には、ドロップレット計測器４１から出力された通過タイミング信号が入力されてもよい。
ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過した場合に入力される通過タイミング信号の光強度は、上述したように、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過していない場合に入力される通過タイミング信号の光強度に比べて、低い値を示し得る。
ＥＵＶ光生成制御部５は、入力された通過タイミング信号の光強度が、閾値電圧Ｖｓよりも低い値を示した場合に、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過したと判定してもよい。この場合、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたとしてドロップレット検出信号を生成してもよい。
なお、閾値電圧Ｖｓは、ドロップレット２７１がドロップレット通過位置Ｐを通過した場合に通過タイミング信号の光強度が取り得る範囲に基づいて予め定められ入力された閾値であってもよい。
ドロップレット検出信号は、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１が検出されたことを示す信号であってもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット検出信号が生成されたタイミングから遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
上述したように、トリガ信号は、レーザ装置３がパルスレーザ光３１を出力する契機を与える信号であってもよい。
また、遅延時間Ｔｄｌは、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、ドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに同期させるための遅延時間であってもよい。

上記構成により、ＥＵＶ光生成制御部５は、入力された通過タイミング信号の光強度の変化に同期してトリガ信号をレーザ装置３に出力することにより、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを制御し得る。ＥＵＶ光生成制御部５は、レーザ装置３がレーザ出力を行うタイミングを、ドロップレット通過位置Ｐを通過したドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達したタイミングでパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるようなタイミングに制御し得る。
それにより、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１がプラズマ生成領域２５に到達すると、当該ドロップレット２７１に対してパルスレーザ光３３が照射され得る。
なお、ＥＵＶ光生成制御部５のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。

［５．課題］
ドロップレット検出器４１は、ターゲット供給路２ａ（図２参照）の側面部において、ＥＵＶ光生成装置１の他の構成との配置の都合上、傾けて配置することがあり得る。
具体的に、ドロップレット検出器４１における光源部４１１と受光部４１２との対向方向は、図５Ａに示すように、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して、所定角度（図中θ）傾けて配置されることがあり得る。

ここで、図５Ａに示す検出光軸は、光源部４１１から放射された照明光のうち受光部４１２によって検出される照明光の光路軸をいう。
検出光軸は、図５Ａに示すようにドロップレット検出器４１が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。

ここで、露光装置制御部６１は、プラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）に関する情報を出力し得る。
ターゲット供給部２６は、露光装置制御部６１から出力されたプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）に基づき、移動し得る。説明のため、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した場合を考える。
この場合、ターゲット供給部２６のノズル孔２６２ａとドロップレット検出器４１の検出光軸との距離は、ドロップレット軌道Ｆの方向（Ｙ方向）において、変化し得る。

図５Ｂは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前後における、ドロップレット２７１の軌道とドロップレット検出器４１の検出光軸との関係を示す図である。
図５Ｂは、図５Ａにおいて示す範囲Ｑの拡大図である。
図５Ｂにおいて、ドロップレット軌道Ｏは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前におけるドロップレット２７１の軌道を示し、ドロップレット軌道Ｍは、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した後におけるドロップレット２７１の軌道を示す。
図５Ｂにおいて、ドロップレット２７１の通過点Ｐ１は、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動する前におけるドロップレット軌道Ｏと検出光軸との交点である。
ドロップレット２７１の通過点Ｐ２は、ターゲット供給部２６がＺ方向に移動した後におけるドロップレット軌道Ｍと検出光軸との交点である。

ここで、図５Ｂに示すように、ドロップレットの軌道Ｏと略直交する方向に対する検出光軸の傾斜角度をθ、ターゲット供給部２６のＺ方向への移動距離をΔＺとすると、ノズル孔２６２ａ（図３参照）から通過点Ｐ２までの距離は、ノズル孔２６２ａから通過点Ｐ１までの距離よりも、ΔＺ×ｔａｎθ長くなり得る。

このため、ドロップレット軌道Ｍ上においてノズル孔２６２ａからドロップレット２７１が出力されてから通過点Ｐ２に到達するまでの時間は、ドロップレット軌道Ｏ上においてドロップレット２７１が出力されてから通過点Ｐ１へ到達する時間よりも長くなり得る。

更に、ドロップレット２７１の速度をＶとすると、出力されてから通過点Ｐ２に到達するまでの時間は、出力されてから通過点Ｐ１に到達するまでの時間よりも、ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ遅くなり得る。

このため、露光装置制御部６１からの指令に基づいてターゲット供給部２６をＺ方向に移動させる際には、Ｙ方向への移動を伴わなくても、ドロップレット２７１が検出光軸を通過するタイミングがずれてしまうことがあり得る。

この場合、ドロップレット検出器４１からＥＵＶ光生成制御部５に出力される通過タイミング信号の変化するタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
よって、ＥＵＶ光生成制御部５においてドロップレット検出信号が生成されるタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
そして、ＥＵＶ光生成制御部５からレーザ装置３にトリガ信号が出力されるタイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
このため、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングは、ずれてしまうことがあり得る。
ドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングがずれてしまうことにより、ＥＵＶ光２５１の発生は、不安定になり得る。

以上から、ドロップレット検出器４１が傾けて配置され、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、プラズマ生成領域２５におけるドロップレット２７１へのパルスレーザ光３３の照射タイミングを適正に調整し得る技術が望まれている。

［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
［６．１ 構成］
図６を用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４１及び演算制御部５１の構成について説明する。
第１実施形態のターゲット生成器７の構成は、図２及び図３に示したターゲット生成器７の構成と同様であってもよい。
第１実施形態のドロップレット検出器４１の構成において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

ドロップレット検出器４１における検出光軸は、図６に示すように、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して、所定角度（図中θ）傾けて配置されてもよい。
また、検出光軸は、ステージ７４によりターゲット供給部２６が移動させられるＸＺ面に対して、傾けて配置されてもよい。
ドロップレット検出器４１は、図６に示すように、ＸＺ面に対して傾けて配置されてもよい。

演算制御部５１は、図６に示す構成により、露光装置制御部６１から出力されたプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を受信してもよい。
演算制御部５１は、ステージ７４にプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を出力してもよい。演算制御部５１は、マニュピレータ２２６にプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報を出力してもよい。
演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から出力された通過タイミング信号を受信してもよい。
演算制御部５１は、レーザ発振を行ってパルスレーザ光３１を出力する契機を与えるためのトリガ信号を、レーザ装置３へ出力してもよい。

なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［６．２ 動作］
図７〜図１１を用いて、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作の概要について説明する。
ドロップレット検出器４１を備えるＥＵＶ光生成装置１の動作において、図２及び図３に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の動作については説明を省略する。

まず、図７を用いて、第１実施形態の演算制御部５１が含まれるＥＵＶ光生成装置１の動作の概要について説明する。

ステップＳ１において、演算制御部５１は、プラズマ生成領域２５の初期設定情報としてのプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）、及び初期遅延時間Ｔｄｌｉを、図示しないメモリから読み込んでもよい。プラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）、及び初期遅延時間Ｔｄｌｉは、オペレータによって入力されてもよい。
演算制御部５１は、遅延時間Ｔｄｌとして初期遅延時間Ｔｄｌｉを設定してもよい。

ステップＳ２において、演算制御部５１は、ドロップレット軌道Ｆ（図２参照）が、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）を通るように、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。
演算制御部５１は、ステージ７４を制御することによってターゲット供給部２６を移動させてもよい。

ステップＳ３において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）に、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。
レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置は、マニュピレータ２２６を制御することによって移動させられてもよい。

ステップＳ４において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光が生成されるプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）が露光装置制御部６１から出力されたか否かを判定してもよい。
演算制御部５１は、露光装置制御部６１からプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報が出力されたと判定した場合には、ステップＳ５に移行してもよい。
一方、演算制御部５１は、露光装置制御部６１からプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）の情報が出力されたと判定しなかった場合には、ステップＳ１２に移行してもよい。

ステップＳ５において、演算制御部５１は、プラズマ生成初期位置（Ｘｉ，Ｙｉ，Ｚｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｘｃ，Ｙｃ，Ｚｃ）との差分値Δを、座標ごとに算出してもよい。

ステップＳ６において、演算制御部５１は、Ｘ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｘｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｘｃ）との差分値（ΔＸ）が、０であるか否か判定してもよい。
演算制御部５１は、差分値（ΔＸ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ７に移行してもよい。
一方、演算制御部５１は、差分値（ΔＸ）が０であると判定した場合には、ステップＳ８に移行してもよい。

ステップＳ７において、演算制御部５１は、Ｘ位置補正処理を行ってもよい。
Ｘ位置補正処理の詳細については、図８を用いて後述する。

ステップＳ８において、演算制御部５１は、Ｙ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｙｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｙｃ）との差分値（ΔＹ）が、０であるか否か判定してもよい。
演算制御部５１は、差分値（ΔＹ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ９に移行してもよい。
演算制御部５１は、差分値（ΔＹ）が０であると判定した場合には、ステップＳ１０に移行してもよい。

ステップＳ９において、演算制御部５１は、Ｙ位置補正処理を行ってもよい。
Ｙ位置補正処理の詳細については、図９を用いて後述する。

ステップＳ１０において、演算制御部５１は、Ｚ方向におけるプラズマ生成初期位置（Ｚｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｚｃ）との差分値（ΔＺ）が、０であるか否か判定してもよい。
演算制御部５１は、差分値（ΔＺ）が０ではないと判定した場合には、ステップＳ１１に移行してもよい。
演算制御部５１は、差分値（ΔＺ）が０であると判定した場合には、ステップＳ１２に移行してもよい。

ステップＳ１１において、演算制御部５１は、Ｚ位置補正処理を行ってもよい。
Ｚ位置補正処理の詳細については、図１０を用いて後述する。

ステップＳ１２において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光生成処理を行ってもよい。
ＥＵＶ光生成処理の詳細については、図１１を用いて後述する。

ステップＳ１３において、演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止するか否かを判定してもよい。
演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止するための制御信号が露光装置制御部６１から出力された場合には、ＥＵＶ光の生成を中止すると判定し、本フローチャートの処理を終了してもよい。
演算制御部５１は、ＥＵＶ光の生成を中止しないと判定した場合には、上述のステップＳ４に戻してもよい。

図８を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＸ位置補正処理の概要について説明する。Ｘ位置補正処理は、図７におけるステップＳ７であってもよい。

ステップＳ７１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＸ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｘｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｘ）に、上述の差分値（ΔＸ）を加えた値に設定してもよい。
Ｘ＝Ｘ十ΔＸ

ステップＳ７２において、演算制御部５１は、ステップＳ７１において設定された座標（Ｘ）に基づいて、ステージ７４を制御することにより、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。

ステップＳ７３において、演算制御部５１は、ステップＳ７１において設定された座標（Ｘ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。

ここで、座標（Ｘ）の方向は、ターゲット供給部２６が移動可能な二次元平面（ＸＺ平面）に略平行な方向、かつ、検出光軸に垂直な方向であってもよい。
なお、この座標（Ｘ）の方向を、「所定方向」ともいう。
演算制御部５１は、図８に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｘ）の方向である場合には、遅延時間Ｔｄｌを更新しなくてもよい。

図９を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＹ位置補正処理の概要について説明する。Ｙ位置補正処理は、図７におけるステップＳ９であってもよい。

ステップＳ９１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＹ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｙｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｙ）に、上述の差分値（ΔＹ）を加えた値に設定してもよい。
Ｙ＝Ｙ十ΔＹ

ステップＳ９２において、演算制御部５１は、ステップＳ９１において設定された座標（Ｙ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。

ステップＳ９３において、演算制御部５１は、パルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５に集光されるタイミングを、座標（Ｙ）が変更されたプラズマ生成領域２５にドロップレット２７１が到達するタイミングに同期させる調整を行ってもよい。

演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＹ）の情報と、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報とに基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｙｉ）とプラズマ生成指示位置（Ｙｃ）との差分値（ΔＹ）におけるドロップレット２７１の移動時間（ΔＴ）を算出してもよい。
ΔＴ＝ΔＹ／Ｖ
演算制御部５１は、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報は、予めオペレータによってメモリに入力されていてもよい。

ステップＳ９４において、演算制御部５１は、ステップＳ９３において算出された移動時間（ΔＴ）に基づいて、以下のように、初期遅延時間Ｔｄｌｉが設定されている遅延時間Ｔｄｌに移動時間（ΔＴ）を加えて、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
Ｔｄｌ＝Ｔｄｌ＋ΔＴ
なお、本ステップＳ９４において更新された遅延時間Ｔｄｌを、「第１遅延時間」ともいう。

演算制御部５１は、図９に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｙ）の方向である場合には、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
つまり、演算制御部５１は、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が所定方向である座標（Ｘ）の方向ではない場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。

図１０を用いて、ドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のＺ位置補正処理の概要について説明する。Ｚ位置補正処理は、図７におけるステップＳ１１であってもよい。

ステップＳ１１１において、演算制御部５１は、ステップＳ５において算出された差分値（ΔＺ）の情報に基づいて、以下のように、プラズマ生成初期位置（Ｚｉ）が設定されているプラズマ生成位置（Ｚ）に、上述の差分値（ΔＺ）を加えた値に設定してもよい。
Ｚ＝Ｚ十ΔＺ

ステップＳ１１２において、演算制御部５１は、ステップＳ１１１において設定された座標（Ｚ）に基づいて、ステージ７４を制御することにより、ターゲット供給部２６を移動させてもよい。

ステップＳ１１３において、演算制御部５１は、ステップＳ１１１において設定された座標（Ｚ）に基づいて、マニュピレータ２２６を制御することにより、レーザ光集光光学系２２ａによる集光位置を移動させてもよい。

ステップＳ１１４において、演算制御部５１は、図５Ｂに示したように、ドロップレットの軌道Ｏと略直交する方向に対する検出光軸の傾斜角度θの情報と、ターゲット供給部２６のＺ方向への移動の長さである所定距離ΔＺの情報とに基づいて、以下のように、Ｙ方向における通過点Ｐ１と通過点Ｐ２との距離（ΔＹｚ）を算出してもよい。
ΔＹｚ＝ΔＺ×ｔａｎθ
演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸の傾斜角度（θ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。傾斜角度（θ）の情報は、予めオペレータによってメモリに入力されていてもよい。

ステップＳ１１５において、演算制御部５１は、ステップＳ１１４において算出された距離（ΔＹｚ）の情報と、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報とに基づいて、以下のように、ドロップレット２７１がノズル孔２６２ａから出力されてから通過点Ｐ１に到着するまでの時間と、ドロップレット２７１がノズル孔２６２ａから出力されてから通過点Ｐ２に到着するまでの時間との時間差（ΔＴｚ）を算出してもよい。
ΔＴｚ＝ΔＹｚ／Ｖ
演算制御部５１は、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、図示しないメモリから読み込んでもよい。

ステップＳ１１６において、演算制御部５１は、ステップＳ１１５において算出された時間差（ΔＴｚ）に基づいて、以下のように、当該時間差（ΔＴｚ）を加えて遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
Ｔｄｌ＝Ｔｄｌ＋ΔＴｚ
時間差（ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ）が加算される遅延時間Ｔｄｌは、図９のステップＳ９４に示すように、ターゲット供給部２６のＹ方向への移動に伴って移動時間（ΔＴ）が加算されて更新されている場合には、追加的に時間差（ΔＴｚ）を加えて更に更新してもよい。
なお、本ステップＳ１１６において加算される時間差（ΔＺ×ｔａｎθ／Ｖ）を、「第２遅延時間」ともいう。

演算制御部５１は、図１０に示すように、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される方向が座標（Ｚ）の方向であって、所定方向である座標（Ｘ）の方向ではない場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。

ここで、ターゲット供給部２６及びレーザ光集光光学系２２ａの移動される座標（Ｚ）の方向は、所定方向である座標（Ｘ）の方向とドロップレット軌道Ｄの方向とを含む平面（ＸＹ平面）内における方向とは、異なってもよい。
つまり、Ｚ位置補正処理において演算制御部５１は、所定方向とドロップレット軌道Ｄの方向とを含む平面（ＸＹ平面）内における方向以外の方向への移動を伴う場合に、遅延時間Ｔｄｌを更新してもよい。
そして、演算制御部５１は、図９のステップＳ９４に示すように、ターゲット供給部２６のＹ方向への移動に伴って移動時間（ΔＴ）が加算されている場合には、遅延時間Ｔｄｌを更に更新してもよい。

図１１を用いて、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ光生成制御部５及び演算制御部５１のＥＵＶ光生成処理の概要について説明する。ＥＵＶ光生成処理は、図７におけるステップＳ１２であってもよい。

ステップＳ１２１において、ＥＵＶ光生成制御部５は、ドロップレット２７１をチャンバ２内に出力するため、ターゲット供給部２６を制御してもよい。
なお、ターゲット供給部２６からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される周期を、ドロップレット２７１の「生成周期」ともいう。

ステップＳ１２２において、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から入力されている通過タイミング信号が閾値を超えたか否かを判定してもよい。
演算制御部５１は、通過タイミング信号が閾値を超えたと判定した場合には、ステップＳ１２３に移行してもよい。
一方、演算制御部５１は、通過タイミング信号が閾値を超えなかったと判定しなかった場合には、ステップＳ１２２に戻してもよい。

ステップＳ１２３において、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４１から入力された通過タイミング信号に基づき、ドロップレット検出信号を生成してもよい。

ステップＳ１２４において、演算制御部５１は、生成されたドロップレット検出信号から遅延時間Ｔｄｌだけ遅延したタイミングでトリガ信号をレーザ装置３に出力してもよい。
この後、レーザ装置３は、レーザ発振を行い、パルスレーザ光３１を出力してもよい。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経由して、パルスレーザ光３２としてチャンバ２内に導入され得る。チャンバ２内に導入されたパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２ａにて集光され、パルスレーザ光３３としてプラズマ生成領域２５に導かれ得る。

なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１の動作と同様であってもよい。

［６．３ 作用］
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４１の検出光軸が傾けて設置されている状況下において、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。
そして、ＥＵＶ光生成装置１は、プラズマ生成領域２５で実際に生成されるプラズマ光の位置を、露光装置制御部６１の指令により定められたプラズマ生成指示位置に略一致させ得る。
このため、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、適正に生成されたＥＵＶ光２５２を安定して露光装置６へ導出し得る。

［７．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
［７．１ 構成］
図１２及び図１３を用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４２の構成について説明する。
第２実施形態におけるドロップレット検出器４２は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１の別の実施形態であってもよい。
第２実施形態のドロップレット検出器４２の構成において、図２、図３、図５Ａ及び図６に示したドロップレット検出器４１と同様の構成については説明を省略する。

ドロップレット検出器４２における光源部４２１及び受光部４２２は、ＹＺ平面においてドロップレット軌道Ｆからみて、一方側（Ｚ方向側）に配置されてもよい。
第２実施形態における光源部４２１及び受光部４２２は、ドロップレット軌道Ｆを挟んだ位置に配置することなく、ドロップレット軌道Ｆに対して、一方側に配置し得る。

光源部４２１は、図１２に示すように、光源４２１ａからの照明光をコリメータ等の照明光学系４２１ｂにより、ドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１の通過位置Ｐｌ及びその周辺に導いてもよい。
ドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｆに沿って進行することにより、光源部４２１からの照明光を反射して、反射光を発してもよい。
受光部４２２は、ドロップレット２７１が発した反射光を受光してもよい。

ドロップレット軌道Ｆまで導かれた照明光のＹ方向における照射範囲（図中Ｌ１）の長さは、隣接するドロップレット２７１との間隔（図中Ｌ２）よりも短くてもよい。

また、受光部４２２は、光センサ４２２ａと受光光学系４２２ｂとの間に、不図示のスリット板を配置してもよい。
スリット板は、ドロップレット軌道Ｆにおける一つのドロップレット２７１のみからの反射光を検出するように、光センサ４２２ａへの反射光の入射範囲を制限してもよい。

図１２に示す検出光軸は、光源部４２１から放射された照明光を受けてドロップレット２７１が発する反射光のうち、受光部４２２によって検出される反射光の光路軸をいう。
検出光軸は、図１２に示すように受光部４２２が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。

なお、第２実施形態のドロップレット検出器４２の他の構成については、図２、図３、図５Ａ及び図６に示されたドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。

［７．２ 動作］
図１３を用いて、第２実施形態のドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
図１３は、ドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のトリガ信号の生成までに係るタイムチャートである。
図１３に示す演算制御部５１の動作において、図４に示したＥＵＶ光生成制御部５と同様の動作については説明を省略する。

ドロップレット２７１は、所定の生成周期でチャンバ２内に出力され、ドロップレット軌道Ｆ上の通過位置Ｐｌを通過してもよい。
このとき、演算制御部５１は、ドロップレット検出器４２から出力される通過タイミング信号に基づいて、レーザ装置３へ出力するトリガ信号の出力タイミングを、以下のように制御してもよい。

ドロップレット検出器４２における光源部４２１は、ドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１の通過位置Ｐｌ及びその周辺に向けて、連続光を発光し得る。
受光部４２２は、通過位置Ｐｌに到達したドロップレット２７１が発した反射光を受光してもよい。
受光部４２２における受光量は、ドロップレット軌道Ｆ上の通過位置Ｐｌにおいてドロップレット２７１が通過することに同期して、上昇し得る。
ドロップレット検出器４２は、通過タイミング信号を演算制御部５１にそのまま出力してもよい。

演算制御部５１は、入力された通過タイミング信号Ｓｐに対して、図１３の上段に示すように、閾値電圧Ｖｓを設定していてもよい。
演算制御部５１は、図１３の中段に示すように、通過タイミング信号Ｓｐが閾値電圧Ｖｓよりも上昇したタイミングで、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。

演算制御部５１は、ドロップレット検出信号Ｓｃが生成されると、図１３の下段に示すように、当該ドロップレット検出信号Ｓｃが生成された時点から遅延時間Ｔｄｌだけ遅延して、レーザ装置３へ出力するためのトリガ信号を生成してもよい。
演算制御部５１は、トリガ信号の生成とともに、レーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。
レーザ装置３は、トリガ信号が入力されると、パルスレーザ光３３をプラズマ生成領域２５に照射し得る。

なお、第２実施形態のドロップレット検出器４２の他の動作については、図４に示されたドロップレット検出器４１の動作と同様であってもよい。また、第２実施形態のドロップレット検出器４２を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の他の動作については、図６に示すドロップレット検出器４１を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作と同様であってもよい。

［７．３ 作用］
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４２における受光部４２２の検出光軸が、ドロップレット軌道Ｆに対して傾けて配置されていても、適切なタイミングで通過タイミング信号Ｓｐ及びドロップレット検出信号Ｓｃを生成し得る。
このため、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。

また、光源部４２１及び受光部４２２の配置は、ドロップレット軌道Ｆに対して、一方側に配置し得る。このため、ドロップレット検出器４２の大きさは、小型化が可能となり得る。

［８．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
［８．１ 構成］
図１４Ａ〜図１４Ｃを用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４３の構成について説明する。
第３実施形態におけるドロップレット検出器４３は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１及び第２実施形態におけるドロップレット検出器４２の別の実施形態であってもよい。
第３実施形態のドロップレット検出器４３の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６及び図１２に示したドロップレット検出器と同様の構成については説明を省略する。

図１４Ａに示す検出光軸は、光源部４３１から放射された照明光のうち受光部４３２によって検出される照明光の光路軸をいう。
検出光軸は、図１４Ａに示すようにドロップレット検出器４３が傾けて配置されると、ドロップレット軌道Ｆと略直交する方向に対して所定角度（図中θ）傾けて設定され得る。

照明光学系４３１ｂは、平面と凸面とを有する平凸シリンドリカルレンズであってもよい。平凸シリンドリカルレンズにおける凸面の中心軸は、検出光軸と、ドロップレット軌道Ｆとに対して、略直交させて配置してもよい。

図１４Ｂは、図１４Ａに示されたドロップレット検出器４３を、ドロップレット２７１の進行方向の上流側から見たＡ−Ａ断面図であってもよい。

想定軌道範囲Ｐａは、露光装置制御部６１から出力されるプラズマ生成指示位置（Ｘｃ）のとり得る範囲に基づいて、決定された範囲であってもよい。想定軌道範囲Ｐａは、図１４Ｂに示すドロップレット検出領域Ｋに含まれる領域であってもよい。
ここで、ドロップレット検出領域Ｋは、ドロップレット検出器４３によりドロップレット２７１を検出可能とする最大の範囲として、ドロップレット検出器４３の構成によって設定されてもよい。
したがって、ドロップレット検出器４３は、プラズマ生成指示位置（Ｘｃ）の取り得る範囲に到達するドロップレット２７１のすべてを検出できるよう構成されてもよい。

光源部４３１から放射された照明光は、照明光学系４３１ｂによりドロップレット検出領域Ｋ内にて一旦集光され拡散しつつ受光部４３２に入射されてもよい。

光源４３１ａは、光束の断面が円形である照明光を、照明光学系４３１ｂに向けて出力してもよい。
照明光学系４３１ｂは、光源４３１ａから出力された照明光の光束の断面を、楕円形に変換して、ドロップレット検出領域Ｋ内に集光してもよい。
想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束の断面は、長軸方向がＸ方向と略一致する楕円形となってもよい。
また、楕円形状の照明光の光束断面における短軸方向の長さは、ドロップレット２７１の径と略同じ長さであってもよい。
なお、図１４Ａ及び図１４Ｂにおいて、想定軌道範囲Ｐａの範囲は、見やすいように実際より大きく示されているが、図示された範囲より小さくてもよい。

楕円形状の照明光の光束断面におけるＸ方向に沿った長さは、ドロップレット検出領域Ｋに基づいて決定されてもよい。

楕円形状の照明光の光束断面における長軸方向は、ターゲット供給部２６が移動可能な二次元平面に略平行な方向であるとともに、検出光軸に垂直な方向である、所定方向と略一致してもよい。

ドロップレット２７１は、ドロップレット軌道Ｆに沿って進行し、光源部４３１と受光部４３２との間である想定軌道範囲Ｐａに到達することにより、ドロップレット検出器４３にて検出されてもよい。
ドロップレット２７１は、−Ｙ方向に移動して想定軌道範囲Ｐａに到達したときに、図１４Ｃに示すように、光源部４３１から受光部４３２に向けて放射された光の一部を遮ってもよい。これにより、受光部４３２へ入射する光量が変化し得る。

ドロップレット軌道Ｆは、図１４Ｃに示すように、Ｘ方向にずれる場合があり得る。
これは、ターゲット供給部２６のノズル孔２６２ａの周囲の状態（濡れ性など）が変化することに起因し得る。
また、ターゲット供給部２６をステージ７４によって移動させることに起因し得る。
ドロップレット軌道Ｆは、想定軌道範囲Ｐａのほぼ中央を通る場合もあり得るし（軌道Ａ）、想定軌道範囲Ｐａの中央からＸ方向に少しずれた位置を通る場合もあり得る（軌道Ｂ、軌道Ｃ）。
また、ドロップレット軌道Ｆは、想定軌道範囲Ｐａの端部付近を通る場合もあり得る（軌道Ｄ）。

ドロップレット軌道Ｆが想定軌道範囲Ｐａのほぼ中央を通る場合（軌道Ａ）に比べて、Ｘ方向に少しずれた位置を通る場合には（軌道Ｂ、軌道Ｃ）、ドロップレット２７１が光源部４３１からの照明光の一部を遮る時間が僅かに短くなり得る。
ドロップレット軌道Ｆが想定軌道範囲Ｐａの端部付近を通る場合には（軌道Ｄ）、ドロップレット２７１が光源部４３１からの照明光の一部を遮る時間がもう少し短くなり得る。

以上から、想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束断面を楕円形状としているので、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達するタイミングのずれは、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれた場合であっても、僅かとなり得る。

なお、第３実施形態のドロップレット検出器４３の他の構成については、図２、図３、図５Ａ、図６及び図１２に示されたドロップレット検出器の構成と同様であってもよい。

［８．２ 動作］
図１４Ｄを用いて、第３実施形態のドロップレット検出器４３を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
図１４Ｄは、ドロップレット検出器４３を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のドロップレット検出信号の生成までに係るタイムチャートである。
図１４Ｄに示す演算制御部５１の動作において、図４及び図１３にて説明した動作と同様の動作については説明を省略する。

ドロップレット検出器４３は、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達することで、演算制御部５１に出力される通過タイミング信号が変化してもよい。

演算制御部５１は、ドロップレット検出器４３から出力された通過タイミング信号に基づき、図１４Ｄに示すように、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。
図１４Ｄに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出器４３から出力される通過タイミング信号が変化するタイミングのずれが僅かとなることから、ドロップレット検出信号Ｓｃの生成されるタイミングのずれは、僅かになり得る。

なお、第３実施形態のドロップレット検出器４３の他の動作については、図４及び図１３に示されたドロップレット検出器の動作と同様であってもよい。

［８．３ 作用］
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４３が想定軌道範囲Ｐａにおける照明光の光束断面を楕円形状としているので、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出信号の生成されるタイミングのずれが僅かになり得る。
これにより、ドロップレット２７１の軌道がＸ方向にずれても、レーザ装置３がパルスレーザ光を出力するタイミングのずれが僅かになり得る。

［９．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるドロップレット検出器及び演算制御部］
［９．１ 構成］
図１５Ａ〜図１５Ｃを用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット検出器４４の構成について説明する。
第４実施形態におけるドロップレット検出器４４は、第１実施形態におけるドロップレット検出器４１、第２実施形態におけるドロップレット検出器４２及び第３実施形態におけるドロップレット検出器４３とは別の実施形態であってもよい。
第４実施形態のドロップレット検出器４４の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６、図１２、図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｃに示したドロップレット検出器と同様の構成については説明を省略する。

受光部４４２は、光センサ４４２ａと、受光光学系４４２ｂと、ウインドウ４４２ｃと、スリット板４４２ｄを含んでもよい。
スリット板４４２ｄは、検出光軸に対して略垂直に配置されてもよい。スリット板４４２ｄには、Ｘ方向に沿って長い長方形のスリット４４２ｅが形成されていてもよい。

スリット板４４２ｄは、スリット４４２ｅに入射する光を光センサ４４２ａ側へ通過させ、スリット４４２ｅの周囲に到達する光の通過を制限し得る。スリット４４２ｅを通過した光は、光センサ４４２ａによって検出され得る。

受光光学系４４２ｂは、複数のレンズ（凸レンズ）等の光学素子によって構成されていてもよい。
受光光学系４４２ｂは、ドロップレット軌道Ｆにおいて想定軌道範囲Ｐａを通過するとともに光源部４４１からの照明光を受けるドロップレット２７１の影の像を、スリット４４２ｅの位置に形成するように構成されてもよい。受光光学系４４２ｂによってスリット４４２ｅの位置に形成される像はドロップレット２７１の倒立像であってもよい。

ここで、図１５Ｂは、図１５Ａに示されたドロップレット検出器４４を、ドロップレット２７１の進行方向の上流側から見たＢ−Ｂ断面図であってもよい。
図１５Ｃは、図１５Ａに示したスリット板４４２ｄを通過する光の進行方向に略垂直なＮ−Ｎ断面図であってもよい。

ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃに示すように、スリット４４２ｅの位置において倒立像として形成されるため、ドロップレット２７１が−Ｙ方向に進行する場合には、ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃの上方向に移動し得る。
すなわち、ドロップレット２７１の像は、図１５Ｃにおける下方の位置から、スリット４４２ｅの位置を通って、図１５Ｃにおける上方の位置に移動し得る。

図１５Ｃに示されるように、ドロップレット２７１の像がスリット４４２ｅの位置に到達したときには、ドロップレット２７１により遮光されてスリット４４２ｅを通過する光の光量は、低下し得る。このとき、光センサ４４２ａの受光素子が受光する受光量は、減少し得る。

ドロップレット検出器４４は、ドロップレット２７１の像がスリット４４２ｅの位置に到達した際の、光センサ４４２ａにおける受光光量の変化に基づいて、通過タイミング信号を生成してもよい。

スリット４４２ｅの形状は、図１５Ｃに示されるように、Ｘ方向に沿って長い長方形であってもよい。スリット４４２ｅの形状は、長辺方向の長さが、想定軌道範囲Ｐａよりも大きいドロップレット検出領域Ｋに基づいて決定されてもよい。スリット４４２ｅの形状は、短辺方向の長さがドロップレット２７１の径と略同じ長さであってもよい。
この形状により、図１５Ｃに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、スリット４４２ｅにおいてドロップレット２７１の像が形成されるタイミングのずれは、抑制され得る。

なお、第４実施形態のドロップレット検出器４４の他の構成については、図２、図３、図５Ａ、図６、図１２及び図１４Ａ〜図１４Ｃに示されたドロップレット検出器の構成と同様であってもよい。

［９．２ 動作］
図１５Ｄを用いて、第４実施形態のドロップレット検出器４４を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１の動作について説明する。
図１５Ｄは、ドロップレット検出器４４を備えたＥＵＶ光生成装置１における演算制御部５１のドロップレット検出信号の生成までに係るタイムチャートである。
図１５Ｄに示す演算制御部５１の動作において、図４、図１３及び図１４Ｄにて説明した動作と同様の動作については説明を省略する。

ドロップレット検出器４４は、ドロップレット２７１が想定軌道範囲Ｐａに到達することで、演算制御部５１に出力される通過タイミング信号が変化してもよい。

演算制御部５１は、ドロップレット検出器４４から出力された通過タイミング信号に基づき、図１５Ｄに示すように、ドロップレット検出信号Ｓｃを生成してもよい。
図１５Ｄに示すように、ドロップレット軌道ＦがＸ方向にずれても、ドロップレット検出器４４から出力される通過タイミング信号が変化するタイミングのずれが抑制されるため、ドロップレット検出信号Ｓｃの生成されるタイミングのずれは、抑制され得る。

なお、第４実施形態のドロップレット検出器４４の他の動作については、図４、図１３及び図１４Ｄに示されたドロップレット検出器の動作と同様であってもよい。

［９．３ 作用］
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、ドロップレット検出器４４内に長方形のスリット４３２ｅが施されたスリット板４４２ｄを配置したため、Ｘ方向においてドロップレット２７１の通過位置が変わったとしても、通過タイミング信号が変化するタイミングを略一致させ得る。
よって、Ｘ方向においてドロップレット２７１の通過位置が変わったとしても、プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７１にパルスレーザ光３３を照射するタイミングが変化してしまうことを抑制し得る。

［１０．第５実施形態のＥＵＶ光生成装置が備える画像計測器］
［１０．１ 構成］
図１６及び図１７を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備える画像計測器６０の構成について説明する。

第５実施形態のターゲット生成器７の構成は、図２、図３及び図６に示したターゲット生成器７の構成と同様であってもよい。
第５実施形態のドロップレット検出器４１の構成は、図５Ａ、図６に示したドロップレット検出器４１の構成と同様であってもよい。
また、第５実施形態のドロップレット検出器４１は、図１２、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ及び図１５Ｂに示したドロップレット検出器４２、４３及び４４と置き換えられてもよい。
第５実施形態の演算制御部５１の構成は、図６に示した演算制御部５１の構成と同様であってもよい。

なお、第５実施形態のドロップレット検出器４１の構成において、図２、図３、図５Ａ、図６に示したドロップレット検出器４１と同様の構成については説明を省略する。
また、第５実施形態の演算制御部５１の構成において、図６に示した演算制御部５１と同様の構成については説明を省略する。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット生成器７、ドロップレット検出器４１、及び画像計測器６０の動作を制御してもよい。
演算制御部５１には、画像計測器６０から画像データに係る信号が入力されてもよい。

画像計測器６０は、チャンバ２内のドロップレット軌道Ｆにおけるドロップレット２７１を撮像し、その画像データを生成してもよい。

画像計測器６０は、光源部６０１と、撮像部６０２と、画像取得制御部６０３と、ドロップレット計測制御部６０４とを備えてもよい。
画像計測器６０は、ノズル２６２とドロップレット検出器４１との間に配置されてもよい。
光源部６０１と撮像部６０２とは、チャンバ２内に出力されたドロップレット２７１のドロップレット軌道Ｆを挟んで互いに対向配置されてもよい。
光源部６０１と撮像部６０２との対向方向は、ドロップレット軌道Ｆと略直交してもよい。

光源部６０１は、ドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１にパルス光を照射してもよい。
光源部６０１は、光源６０１ａと、照明光学系６０１ｂと、ウインドウ６０１ｃとを含んでもよい。

光源６０１ａは、例えば、キセノンフラッシュランプやレーザ光源等のパルス点灯する光源であってもよい。
光源部６０１に含まれる光源６０１ａの点灯を開始させてから終了させるまでの時間を、「点灯時間ΔＴ」ともいう。光源６０１ａの点灯時間ΔＴは、ターゲット生成器７からチャンバ２内にドロップレット２７１が出力される生成周波数が１００ｋＨｚの場合、例えば、１μｓ〜５μｓの所定の時間であってもよい。
光源６０１ａは、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。光源６０１ａは、ドロップレット計測制御部６０４から出力された点灯信号に基づいてパルス点灯して、パルス光を発光してもよい。

照明光学系６０１ｂは、コリメータ等の光学系であってよく、レンズ等の光学素子によって構成されていてもよい。照明光学系６０１ｂは、光源６０１ａから発光されたパルス光を、ウインドウ６０１ｃを介してドロップレット軌道Ｆ上に導いてもよい。

上記構成によって光源部６０１は、ドロップレット計測制御部６０４から出力された点灯信号に基づいて、パルス光をドロップレット軌道Ｆに向かって照射し得る。光源部６０１から照射されたパルス光は、光源部６０１と撮像部６０２との間のドロップレット軌道Ｆを進行するドロップレット２７１を照射し得る。

撮像部６０２は、光源部６０１によってパルス光が照射されたドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。
撮像部６０２は、イメージセンサ６０２ａと、転写光学系６０２ｂと、ウインドウ６０２ｃとを含んでもよい。

転写光学系６０２ｂは、一対のレンズ等の光学素子であってもよい。転写光学系６０２ｂは、ウインドウ６０２ｃを介して導かれたドロップレット２７１の影を、イメージセンサ６０２ａの受光面に結像してもよい。

イメージセンサ６０２ａは、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の２次元イメージセンサであってもよい。イメージセンサ６０２ａは、図示しないシャッタを備えていてもよい。そして、イメージセンサ６０２ａは、転写光学系６０２ｂによって結像されたドロップレット２７１の影の像を、撮像してもよい。イメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔は、光源６０１ａの点灯時間ΔＴよりも十分に長くてもよい。イメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔は、例えば０．１ｓ〜１ｓであってもよい。
なお、撮像部６０２に含まれるイメージセンサ６０２ａの時間的な撮像間隔を、画像計測器６０の「計測間隔Ｋ」ともいう。

イメージセンサ６０２ａは、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。イメージセンサ６０２ａは、ドロップレット計測制御部６０４からのシャッタ信号に基づいてシャッタを開閉して、ドロップレット２７１の影の像を撮像してもよい。イメージセンサ６０２ａは、図示しないシャッタが開いている間のみ撮像するようにしてもよい。シャッタは、電気的シャッタであっても機械的シャッタであってもよい。
なお、撮像部６０２に含まれるイメージセンサ６０２ａの１回の撮像においてシャッタが開いてから閉じるまでに要する時間を、１回の「撮像時間Δｔ」ともいう。

イメージセンサ６０２ａは、画像取得制御部６０３と接続されてもよい。イメージセンサ６０２ａは、撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像信号を、１回の撮像毎に画像取得制御部６０３に出力してもよい。

画像取得制御部６０３は、イメージセンサ６０２ａから出力された画像信号からドロップレット２７１の影の像に係るビットマップデータ等の画像データを生成してもよい。画像取得制御部６０３は、生成した画像データを当該画像データの識別情報に対応付けて記憶してもよい。画像データの識別情報は、画像データの生成時刻に関する情報等であってもよい。
画像取得制御部６０３は、ドロップレット計測制御部６０４と接続されてもよい。画像取得制御部６０３は、ドロップレット計測制御部６０４からの制御信号に基づいて、生成した画像データ及びその識別情報をドロップレット計測制御部６０４に出力してもよい。
なお、画像取得制御部６０３のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。

ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１及び撮像部６０２に点灯信号及びシャッタ信号を出力して、光源部６０１及び撮像部６０２の動作を制御してもよい。

ドロップレット計測制御部６０４は、画像取得制御部６０３から出力された画像データ及びその識別情報を記憶してもよい。
ドロップレット計測制御部６０４は、画像データに基づいて、ドロップレット２７１の進行速度ｖなど、ドロップレット２７１の状態に関するパラメータを計算するプログラムを、不図示のメモリに記憶しておいてもよい。
ドロップレット計測制御部６０４は、画像取得制御部６０３から出力された画像データに基づいて上記パラメータを計算してもよい。

上記プログラムを用いて計算されるパラメータは、チャンバ２内へ出力されたドロップレット２７１の力学的状態を示す物理量であってもよい。例えば、パラメータは、チャンバ２内を進行するドロップレット２７１の直径Ｄ、進行速度ｖ、間隔ｄ等であってもよい。

画像計測器６０がチャンバ２に固定されている場合、画像計測器６０に含まれる撮像部６０２は、ドロップレット軌道Ｆ上の特定範囲を定点観測し得る。ドロップレット２７１のＹ方向における位置は、ドロップレット２７１の進行方向における撮像範囲内での相対位置であってもよい。ドロップレット２７１のＹ方向における位置は、撮像された画像データにおいて、ドロップレット２７１の進行方向と略平行な方向におけるドロップレット２７１の位置であってもよい。

ドロップレット２７１の間隔ｄは、ターゲット供給部２６からチャンバ２内に順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１間の間隔であって、ドロップレット２７１の進行方向における間隔であってもよい。

ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１及び撮像部６０２の制御、画像データの取得、並びに、パラメータの計算に係る処理について、ＥＵＶ光生成制御部５からの指示に依らずに行ってもよい。
なお、ドロップレット計測制御部６０４のハードウェア構成については、図２０を用いて後述する。

上記構成によって画像計測器６０は、ターゲット供給部２６からチャンバ２内に出力されたドロップレット２７１の像を撮像して、その画像データを取得し得る。そして、画像計測器６０は、取得した画像データから当該ドロップレット２７１の進行速度ｖなどのパラメータを計算し、ＥＵＶ光生成制御部５の演算制御部５１に出力し得る。

なお、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２及び図６に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１０．２ 動作］
図１８及び図１９を用いて、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるドロップレット計測制御部６０４の動作について説明する。
第５実施形態は、図９に示したＹ位置補正処理のステップＳ９３や、図１０に示したＺ位置補正処理のステップＳ１１５にて用いられるドロップレット２７１の速度（Ｖ）の情報について、画像計測器６０によって撮像された画像データから算出した速度（ｖ）を適用して用いてもよい。

図１８に示す動作は、図１６及び図１７において説明した画像計測器６０のドロップレット計測制御部６０４において行われる、ドロップレット２７１の速度（Ｖ）の算出のための動作であってもよい。
先ず、図１８を用いて、ドロップレット速度算出処理に係る動作を説明する。

ステップＳ３０１において、ドロップレット計測制御部６０４には、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたドロップレット供給信号が入力されてもよい。

ステップＳ３０２において、ドロップレット計測制御部６０４は、タイマＴをリセットすると共に、タイマＴｍの計時をスタートしてもよい。

ステップＳ３０３において、ドロップレット計測制御部６０４は、撮像部６０２のイメージセンサ６０２ａのシャッタを開くためのシャッタ信号をイメージセンサ６０２ａに出力してもよい。
ドロップレット計測制御部６０４は、当該シャッタを開くためのシャッタ信号を出力した際のタイマＴｍの値を記憶してもよい。

ステップＳ３０４において、ドロップレット計測制御部６０４は、光源部６０１の光源６０１ａを点灯するために、所定の点灯時間ΔＴｍの期間だけ点灯信号を当該光源６０１ａに出力してもよい。光源６０１ａは、点灯時間ΔＴｍが経過するまでの間、ドロップレット軌道Ｆにパルス光を発光し得る。

ステップＳ３０５において、ドロップレット計測制御部６０４は、時刻Ｔｍから所定の撮像時間Δｔｍが経過すると、イメージセンサ６０２ａのシャッタを閉じるためのシャッタ信号をイメージセンサ６０２ａに出力してもよい。
撮像時間Δｔｍは、ステップＳ３０３でイメージセンサ６０２ａのシャッタを開いてから、このステップＳ３０５でシャッタを閉じるまでの時間であってもよい。イメージセンサ６０２ａは、撮像時間Δｔｍの間に結像されたドロップレット２７１の影の像を撮像し得る。ドロップレット計測制御部６０４は、当該シャッタを閉じるタイミングを決定するために、シャッタ信号を出力した際のタイマＴｍの値を記憶してもよい。

ステップＳ３０６において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０５で撮像したドロップレット２７１の影の像に係る画像データ（図１９参照）を画像取得制御部６０３から取得してもよい。

ステップＳ３０７において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０６で取得した画像データに含まれる複数のドロップレット２７１の影の像から、１つのドロップレット２７１の軌跡を特定してもよい。１つのドロップレット２７１の軌跡は、例えば図１９においては、ドロップレット２７１ｌの軌跡に相当し得る。

ステップＳ３０８において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０７で特定した軌跡からドロップレット２７１の直径Ｄを計算してもよい。
ドロップレット計測制御部６０４は、ドロップレット２７１の進行方向に略垂直な方向における軌跡の幅をドロップレット２７１の直径Ｄとしてもよい。

ステップＳ３０９において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０７で特定した軌跡の長さＬを計算してもよい。
軌跡の長さＬは、ドロップレット２７１の進行方向における当該ドロップレット２７１の軌跡の長さであってもよい。

ステップＳ３１０において、ドロップレット計測制御部６０４は、順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の軌跡から間隔ｄを計算してもよい。
順次出力された隣り合う２つのドロップレット２７１の軌跡は、例えば図１９においては、ステップＳ３０７で特定した軌跡２７１ｌと、これの直近の軌跡２７１ｋとであってもよい。
間隔ｄは、２つのドロップレット２７１の進行方向における間隔であってもよい。例えば図１９においては、軌跡２７１ｋと軌跡２７１ｌとの、ドロップレット２７１の進行方向における間隔ｄであってもよい。

ステップＳ３１１において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３０８で計算した直径Ｄと、ステップＳ３０９で計算した長さＬとに基づいて、ドロップレット２７１の速度ｖを計算してもよい。
ドロップレット計測制御部６０４は、ドロップレット２７１の速度ｖを次式から計算してもよい。
ｖ＝（Ｌ−Ｄ）／ΔＴｍ
上記右辺の（Ｌ−Ｄ）は、点灯時間ΔＴｍの間に１つのドロップレット２７１が進行した距離を意味し得る。

ステップＳ３１２において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３１１で計算したドロップレット２７１の速度ｖをパラメータ（Ｖ）＝ｖとして設定してもよい。
また、ドロップレット計測制御部６０４は、画像データを複数回取得し、複数の画像データからそれぞれ計算された速度ｖの平均値を算出し、その平均値をパラメータ（Ｖ）として設定してもよい。

ステップＳ３１３において、ドロップレット計測制御部６０４は、ステップＳ３１２で設定したパラメータ（Ｖ）をＥＵＶ光生成制御部５の演算制御部５１に出力してもよい。
演算制御部５１は、ドロップレット計測制御部６０４から出力されたドロップレット２７１の速度（パラメータ（Ｖ））に基づき、図９に示したＹ位置補正処理のステップＳ９３や、図１０に示したＺ位置補正処理のステップＳ１１５の際に、用いてもよい。

なお、第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の動作については、図７〜図１１に示されたＥＵＶ光生成装置１の動作と同様であってもよい。

［１０．３ 作用］
第５実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、画像計測器６０によりドロップレット２７１の画像データを随時取得できる。そして、当該画像データからドロップレット２７１の速度を随時計算できる。
そのため、遅延時間Ｔｄｌの更新に用いられるドロップレット２７１の速度の情報は、その正確性が向上し得る。このため、適正なドロップレット２７１の速度の情報を用いて、遅延時間Ｔｄｌの算出をより正確に行うことができる。よって、ターゲット供給部２６が移動した場合であっても、ドロップレット２７１に最適のタイミングでパルスレーザ光３３を照射し得る。

［１１．各制御部のハードウェア環境］
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。

図２０は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図２０の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。

処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。

図２０におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。

動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、ヒータ電源７１２、ピエゾ電源７３２、圧力調節器７２１、光源４１１ａ、光源４２１ａ、光源４３１ａ、光源４４１ａ、ステージ７４及びマニュピレータ２２６等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、光センサ４１２ａ、光センサ４２２ａ、光センサ４３２ａ、光センサ４４２ａ及びイメージセンサ６０２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。

例示的なハードウェア環境１００は、本開示における露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、露光装置制御部６１、ＥＵＶ光生成制御部５、演算制御部５１、画像取得制御部５０３、ドロップレット計測制御部５０４及びレーザ光進行方向制御部３４は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２５ …プラズマ生成領域
２６ …ターゲット供給部
２７ …ターゲット
２７１ …ドロップレット
４１、４２、４３、４４ …ドロップレット検出器
５ …ＥＵＶ光生成制御部
５１ …演算制御部
６０ …画像計測器

Claims (7)

1. 内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットがレーザ光の照射によりプラズマ化され極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記ターゲットをドロップレットとして前記チャンバ内に出力することで前記プラズマ生成領域に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
   外部装置からの指令に基づいて、前記ターゲット供給部から出力される前記ドロップレットの軌道に対して略垂直な方向へ、前記ターゲット供給部を移動させるステージと、
   前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間において、前記略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置され、前記所定角度傾いた方向から前記ドロップレットを検出するドロップレット検出器と、
   前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに遅延時間を付加して、前記プラズマ生成領域で前記ドロップレットに前記レーザ光を照射する照射タイミングを制御する演算制御部と、
   を備え、
   前記演算制御部は、
   前記外部装置からの指令に基づく前記ターゲット供給部の移動距離の情報、及び、前記所定角度の情報に基づいて前記遅延時間を更新する、
   極端紫外光生成装置。
2. 前記演算制御部は、
   前記ターゲット供給部の移動される方向が、
   前記ターゲット供給部が移動可能な二次元平面に略平行な方向であって、前記所定角度傾いた前記ドロップレット検出器の受光部により検出される検出光軸に垂直な方向である所定方向ではない場合に、
   前記遅延時間を更新する、
   請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記演算制御部は、
   前記ターゲット供給部の移動される方向が、
   前記所定方向と前記ドロップレットの軌道とを含む平面内の方向以外の方向を伴う場合に、
   前記遅延時間を更新する、
   請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記ドロップレットを撮像して前記ドロップレットの速度を算出する画像計測器を更に備え、
   前記演算制御部は、前記画像計測器により算出された前記速度に基づいて前記遅延時間を算出する、
   請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記プラズマ生成領域に前記レーザ光を集光させるレーザ光集光光学系と、
   外部からの指示に基づいて前記レーザ光集光光学系を移動させて、前記レーザ光集光光学系の集光位置を変更するマニュピレータと、
   を更に備える請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記ドロップレット検出器は、前記所定方向に延びた領域を通過する前記ドロップレットを検出する、
   請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
7. レーザ光の照射によりプラズマ生成領域においてターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、
   外部から前記プラズマ生成領域の位置を変更するためのプラズマ生成領域指示位置の情報を受信するステップと、
   前記情報に基づいて、前記ターゲットをドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に供給するターゲット供給部を移動させるステップと、
   前記情報に基づいて、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域指示位置に集光するレーザ光集光光学系を移動させるステップと、
   前記ターゲット供給部により前記ターゲットを前記ドロップレットとして前記プラズマ生成領域指示位置に向けて出力させるステップと、
   前記ターゲット供給部から出力された前記ドロップレットの軌道と略垂直な方向に対して所定角度傾けて配置されたドロップレット検出器により、前記ドロップレットを検出するステップと、
   前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングと前記ターゲット供給部の移動距離及び前記所定角度とに基づいて、外部のレーザ装置に前記レーザ光を発振させるトリガ信号を出力するタイミングを定めるための遅延時間を算出するステップと、
   前記ドロップレット検出器において前記ドロップレットが検出されたタイミングに前記遅延時間を付加して、前記トリガ信号を出力するステップと、
   を含む、極端紫外光生成方法。

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