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WO2003019168A1 - Capteur de gaz mos - Google Patents

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WO2003019168A1
WO2003019168A1 PCT/JP2002/006808 JP0206808W WO03019168A1 WO 2003019168 A1 WO2003019168 A1 WO 2003019168A1 JP 0206808 W JP0206808 W JP 0206808W WO 03019168 A1 WO03019168 A1 WO 03019168A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
metal oxide
gas sensor
high frequency
depressurizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2002/006808
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Teruaki Katsube
Kousei Onoue
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Uchiya Thermostat Co Ltd
Original Assignee
Uchiya Thermostat Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Uchiya Thermostat Co Ltd filed Critical Uchiya Thermostat Co Ltd
Publication of WO2003019168A1 publication Critical patent/WO2003019168A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid

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Abstract

L'invention concerne un capteur de gaz MOS et un procédé permettant de fabriquer ce capteur de gaz. Le capteur de gaz décrit dans cette invention comprend un dispositif de projection à chaud de plasma (20) constitué d'un réservoir de décompression (21) pourvu d'une électrode (15) formée sur un substrat (10) et comprenant un panneau isolant (22) sur lequel le substrat est placé, et une torche à plasma (24) reliée au réservoir de décompression et présentant une sonde (26) d'alimentation en poudre et une bobine à haute fréquence (25). Le procédé de fabrication décrit dans la présente invention consiste à utiliser le dispositif de projection à chaud de plasma (20); à installer le substrat sur le panneau isolant; à régler un écartement égal ou inférieur à 1000 mm entre la pointe latérale du substrat de la sonde d'alimentation en poudre et le substrat; à décompresser le réservoir de décompression; à fournir une poudre d'oxyde métallique à l'aide de la sonde d'alimentation en poudre et, en même temps, à générer un plasma à guidage par haute fréquence à partir de la bobine à haute fréquence; et à déposer, sur la surface du substrat, l'oxyde métallique constitué d'une portion à gros grains présentant des grosses tailles de grains et d'un grand nombre de portions à petits grains formées sur la surface périphérique de la portion à gros grains.
PCT/JP2002/006808 2001-08-27 2002-07-04 Capteur de gaz mos Ceased WO2003019168A1 (fr)

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JP2001-255541 2001-08-27

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WO2003019168A1 true WO2003019168A1 (fr) 2003-03-06

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