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TWI400311B - 壓敏性黏著劑組成物、壓敏性黏著板和使用彼之半導體晶圓背面研磨方法 - Google Patents

壓敏性黏著劑組成物、壓敏性黏著板和使用彼之半導體晶圓背面研磨方法 Download PDF

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TWI400311B
TWI400311B TW098115999A TW98115999A TWI400311B TW I400311 B TWI400311 B TW I400311B TW 098115999 A TW098115999 A TW 098115999A TW 98115999 A TW98115999 A TW 98115999A TW I400311 B TWI400311 B TW I400311B
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TW
Taiwan
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meth
acrylate
pressure
sensitive adhesive
film
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TW098115999A
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Se Ra Kim
Yoon Jeong Baek
Jang Soon Kim
Jae Kwan Lee
Hyun Woo Park
Original Assignee
Lg Chemical Ltd
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Publication date
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Description

壓敏性黏著劑組成物、壓敏性黏著板和使用彼之半導體晶圓背面研磨方法
本發明係關於壓敏性黏著劑組成物、使用該壓敏性黏著劑組成物製造之壓敏性黏著板，及使用該壓敏性黏著板之背面研磨法。
隨著電子產物朝向微小化和重量降低的近來趨勢，對於無鉛、薄膜和高積體晶片半導體封裝的需求日增。欲符合此需求，對於半導體封裝中之大直徑薄膜晶圓的需求亦提高。
欲有效地處理朝向大直徑薄膜半導體晶圓的趨勢，精確地控制背面研磨程序(其為晶圓研磨程序)和切片程序(其為重組程序)有其重要性。因此，須要能夠控制這些程序的高效技巧。此背面研磨法含括以機械或化學方式拋光具有高積體互聯電路的晶圓表面以使得晶圓變薄。此程序中，以8吋晶圓為例，常將晶圓研磨至約200微米至400微米，此約之前程序厚度的一半。然而，隨著薄膜晶圓的需求，常需將晶圓研磨至200微米或較低，並因此保護膜通常不僅用以在研磨期間內保護薄膜晶圓，亦於處理薄膜晶圓時用於強化。此外，隨著晶圓直徑的提高，在背面研磨程序期間內常發生晶圓損傷情況(如晶圓污染和破裂)。此處，認為晶圓加工保護膜所扮演的角色有其重要性。
日本公開專利案第2006-169496號揭示可再剝離的水媒式(waterborne)丙烯酸系壓敏性黏著板，其具有的壓敏性黏著劑包括丙烯酸系乳液型共聚物作為主要組份且具有有限的物理性質，如，彈性模量、最大強度和凝膠分率。
日本公開專利案第Hei 06-77193號揭示一種晶圓加工帶，其中將乳液型壓敏性黏著劑施用於基底，而該乳液型壓敏性黏著劑係藉由將反應性界面活性劑加至包括矽單體的單體混合物中及聚合該混合物而製得。日本公開專利案第Hei 06-77194和Hei 06-73347號分別揭示藉具有氟界面活性劑加入其中的乳液型丙烯酸系樹脂製造的晶圓加工帶及藉具有矽界面活性劑加至其中的乳液型丙烯酸系樹脂製造的晶圓加工帶。
前述技巧皆使用水媒式壓敏性黏著劑，且特徵皆在於調整壓敏性黏著劑組成物中的界面活性劑、單體或交聯劑或調整其他物性以提供防水性。
然而，前述技藝中揭示的細節受限於水媒式或乳液型壓敏性黏著劑，且難以施用於溶劑性壓敏性黏著劑。因此，有須要開發可施用至任何類型的壓敏性黏著劑(無論其為溶劑性或水性壓敏性黏著劑)之技巧，並賦予對於壓敏性黏著劑之極佳的防水性、剝離性和潤濕性。
本發明已考慮先前技藝的前述問題，本發明的一個目的係提供與晶圓之間具有優良的剝離和再剝離性及極佳潤濕性且具有極佳的防水性之壓敏性黏著劑組成物；提供藉由使用該壓敏性黏著劑組成物而製造的壓敏性黏著板；及提供使用該板的背面研磨法。
本發明提供一種包括單體混合物的聚合物之壓敏性黏著劑組成物作為達成前述目的之手段，其中該單體混合物包括：含有(甲基)丙烯酸異冰片酯的(甲基)丙烯酸酯單體；和可交聯的單體，包含至少一種選自羥基、羧基和含氮官能基之官能基。
本發明提供一種壓敏性黏著板作為達到前述目的另一方式，該壓敏性黏著板包括底膜；和壓敏性黏著層，其形成於該底膜的一或兩面上，並含有根據本發明之壓敏性黏著劑組成物之固化產物。
本發明提出一種背面研磨法作為達到前述目的另一方法，該背面研磨法包含：將根據本發明之壓敏性黏著板黏著至半導體晶圓的第一步驟；和使與壓敏性黏著板黏合的半導體晶圓之背面進行研磨的第二步驟。
本發明中，藉由使用屬堅硬型單體且親水性低的(甲基)丙烯酸異冰片酯，提供與晶圓之間具有優良的剝離和再剝離性及潤濕性且具有極佳的防水性之壓敏性黏著劑組成物；提供藉由使用該組成物而製造的壓敏性黏著板；及提供使用該板的背面研磨法。根據本發明之壓敏性黏著劑組成物施用作為，例如，用於半導體加工程序的保護膜時，可防止晶圓因為在背面研磨程序期間內施用的水或其他外來物質的污染或損傷，在研磨之後易再剝離，且可顯著改良產量。
最佳模式
本發明係關於一種包含單體混合物的聚合物之壓敏性黏著劑組成物，其中該單體混合物含有：含有(甲基)丙烯酸異冰片酯的(甲基)丙烯酸酯單體；和可交聯的單體，包括至少一種選自羥基、羧基和含氮官能基之官能基。
下文中，將詳細描述根據本發明之壓敏性黏著劑組成物。
根據本發明之壓敏性黏著劑組成物中所含的聚合物包括(甲基)丙烯酸異冰片酯作為單體組份，且玻璃轉變溫度係-50℃至15℃。若該聚合物的玻璃轉變溫度低於-50℃，則擔心剝離強度會根據剝離速率而大幅提高，並因此，例如，用於晶圓加工程序之典型剝離速率(約1.0米/分鐘)的剝離強度過度提高，造成晶圓損傷。此外，如果玻璃轉變溫度超過15℃，則擔心與黏著物(如，半導體晶圓)的潤濕性降低或發生上提情況。
本發明中，該聚合物之重量平均分子量以50,000至700,000為佳。若該聚合物的重量平均分子量低於50,000，則擔心因為壓敏性黏著劑的黏著強度降低而造成的轉移會引發污染。如果該聚合物的重量平均分子量超過700,000，則擔心壓敏黏著劑的性質可能受損。
如所述者，根據本發明之聚合物包括含有(甲基)丙烯酸異冰片酯的(甲基)丙烯酸酯單體作為單體組份。“含有(甲基)丙烯酸異冰片酯的(甲基)丙烯酸酯單體”是指僅包括(甲基)丙烯酸異冰片酯，或同時包括(甲基)丙烯酸異冰片酯以及其他(甲基)丙烯酸酯單體(下文中稱為第二單體)之單體或單體混合物。(甲基)丙烯酸異冰片酯是一種具有高玻璃轉變溫度和低親水性的堅硬型單體。因此，(甲基)丙烯酸異冰片酯可將壓敏性黏著劑的剝離強度降低至適當程度及維持極佳的防水性。即，(甲基)丙烯酸異冰片酯可提供壓敏性黏著劑高交聯密度並維持最適的壓敏性黏著強度，並提供極佳的防水性。
本發明之體系中，對於可含括於(甲基)丙烯酸酯單體中的第二單體的類型沒有特殊限制。本發明中，例如，(甲基)丙烯酸烷酯可作為第二單體。如果第二單體中含括的烷基之鏈過長，則壓敏性黏著劑的黏著強度會降低且難以調整玻璃轉變溫度(Tg )或壓敏黏著性。因此，希望使用具1至12個碳原子的烷基之(甲基)丙烯酸酯單體。該單體的例子包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯和(甲基)丙烯酸十四酯，且在本發明中，它們可單獨使用或以其中的一種或二或更多種之混合物使用。
本發明的體系中，例如，第二單體可為玻璃轉變溫度低於(甲基)丙烯酸異冰片酯之可共聚的單體。藉由令此單體與(甲基)丙烯酸異冰片酯混合，可進一步改良壓敏性黏著劑對於晶圓表面的潤濕性，壓敏性黏著劑的防水性和再剝離性。然而，前述調合物僅為製造根據本發明之單體組成物的一個例子，只要該聚合物包括(甲基)丙烯酸異冰片酯作為單體組份且玻璃轉變溫度在前述範圍內，則未特別限制該單體組成。
本發明中，當(甲基)丙烯酸酯單體包括(甲基)丙烯酸異冰片酯和第二單體時，其可包括1至30重量份的(甲基)丙烯酸異冰片酯和60至98.9重量份的該第二單體，且較佳地，可包括5至25重量份的(甲基)丙烯酸異冰片酯和65至93.9重量份的該第二單體。若該(甲基)丙烯酸異冰片酯含量低於1重量份，則改良防水性的效果降低。或含量超過30重量份，則在剝離程序期間內無法順利脫膜或會發生黏滑現象。
若該第二單體含量低於60重量份，則該壓敏性黏著劑的初黏著強度可能會降低。若該含量超過98.9重量份，則會因為黏著強度的降低而發生耐久性的問題。
根據本發明之單體混合物中所含之可交聯的單體可在聚合物中添加能夠與，例如，下面所述之多官能性交聯劑反應的官能基，以經由熱固化形成交聯結構，藉此調整壓敏性黏著劑的耐久可靠性、壓敏黏著強度和黏合強度。即，藉由包括下文所述之可交聯的單體和交聯劑，根據本發明之壓敏性黏著劑組成物可調配成熱可固化的組成物。
未特別限制可包含於可交聯的單體中之可交聯的官能基類型，只要其可藉熱固化法形成交聯結構即可，且交聯性官能基的例子包括羥基、羧基和含氮的官能基。換言之，在本發明之體系中，可交聯的單體可為含羥基的單體、含羧基的單體、或含氮的單體。該含羥基的單體的例子包括(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙二醇酯和(甲基)丙烯酸2-羥丙二醇酯。該含羧基的例子包括(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基)丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基)丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚體、衣康酸、順-丁烯二酸和順-丁烯二酸酐。該含氮的單體的例子包括(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己內醯胺，但並不限於此。本發明中，它們可單獨使用或以其中的一種或兩種或更多種之混合物使用。
根據本發明之單體混合物以包含90至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯單體和0.1至10重量份的該可交聯的單體為佳。若可交聯的單體含量低於0.1重量份，則該壓敏性黏著板的耐久可靠性會降低。若含量超過10重量份，則該壓敏黏著性和/或剝離強度會降低。
根據本發明之單體混合物可進一步包括具有相當高玻璃轉變溫度之可共聚的單體以進一步改良壓敏性黏著強度和黏合強度。未特別限制可含括於該單體混合物中之可共聚的單體類型，只要其可改良壓敏性黏著劑的壓敏性黏著強度和黏合強度即可，且例如，其可為下式表示的化合物：
其中R1 至R3 分別代表氫或烷基；R4 代表氰基、未經取代或經烷基取代的苯基、乙醯氧基或COR5 ；而R5 代表未經取代或經烷基或烷氧基烷基取代的胺基或縮水甘油氧基。
R1 至R5 的定義中，烷基或烷氧基代表1至8個碳原子的烷基或烷氧基，以甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基為佳。
式1代表的單體的詳細例子可包括但不限於一或多種下列：(甲基)丙烯酸酯，如(甲基)丙烯酸甲酯或(甲基)丙烯酸乙酯；含氮的單體，如(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺或N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺；苯乙烯單體，如苯乙烯或甲基苯乙烯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；或碳酸乙烯酯，如乙酸乙烯酯。當可共聚的單體含括於單體混合物中時，相對於(甲基)丙烯酸酯單體或可交聯的單體之含量，其含量以低於20重量份為佳。若該含量超過20重量份，則壓敏性黏著劑組成物的撓曲性和/或剝除強度會降低。
本發明中，未特定限制製造單體混合物之壓敏黏著性聚合物之方法，且例如，可為一般聚合法，如，溶液聚合法、光聚合法、整體聚合法、懸浮聚合法或乳化聚合法。本發明中，該聚合物可藉使用熱引發劑的溶液聚合法製造。當該聚合物以此方式製造時，此方法是有利的，且該聚合物可具有優良的均勻度。較佳地，溶液聚合法於50℃至140℃的聚合溫度，藉添加與單體均勻混合的引發劑進行。可使用之引發劑的例子可包括一般引發劑，如以偶氮為主的聚合引發劑，如偶氮基雙異丁腈或偶氮基雙環己腈；和/或過氧化物，如苄醯化過氧和乙醯化過氧，且它們可以單獨或以它們的一種或二或更多種之混合物使用。
根據本發明之壓敏性黏著劑組成物，除了上述的成份以外，可進一步包含相對於100重量份的聚合物為0.1至10重量份的交聯劑(固化劑)。該交聯劑可根據用量而調整該壓敏性黏著劑的壓敏黏著性。藉與壓敏黏著性聚合物中所含的交聯性官能基反應，該交聯劑亦可改良該壓敏性黏著劑的黏合強度。
未特定限制可用於本發明之交聯劑的詳細類型，只要其可藉熱固化法形成交聯結構即可，且例如，可為異氰酸酯化合物、環氧化物、氮丙啶化合物或金屬鉗合化合物。
異氰酸酯化合物可選自二異氰酸甲苯酯、二異氰酸二甲苯酯、二異氰酸二苯基甲烷酯、二異氰酸己二酯、二異氰酸異佛爾酮酯、二異氰酸四甲基二甲苯酯、二異氰酸萘酯和至少一前述二異氰酸酯與多元醇(如，三羥甲基丙烷)之反應產物中之一或多者。環氧化物可為選自乙二醇二縮水甘油醚、三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、N,N,N’,N’-四縮水甘油基乙二胺和甘油二縮水甘油醚中之一或多者。氮丙啶化合物可為選自N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三伸乙基三聚氰胺、雙異酞醯基-1-(2-甲基氮丙啶)和三-1-氮丙啶膦化氧中之一或多者。該金屬鉗合化合物可為多價金屬(如Al、Fe、Zn、Sn、Ti、Sb、Mg和/或V)配位至化合物(如乙醯基丙酮或乙醯基乙酸乙酯)之化合物，但並不限於此。
相對於100重量份的壓敏黏著劑聚合物，該交聯劑含量以0.1至10重量份為佳。若含量低於0.1重量份，則在高溫或高濕度下會因為壓敏性黏著劑的黏合強度降低而造成黏合失效。若含量超過10重量份，則耐久可靠性受損，導致層間脫離或上提；或流動相容性降低。
在不會影響本發明之效果的範圍內，根據本發明之壓敏性黏著劑組成物可進一步包括一或多種添加劑，該添加劑選自發黏樹脂、引發劑、低分子量材料、環氧樹脂、固化劑、紫外光(UV)安定劑、抗氧化劑、著色劑、強化劑、消沫劑、界面活性劑、起泡劑、有機鹽、稀釋劑和阻燃劑。
本發明亦係關於壓敏性黏著板，其包括底膜；和壓敏性黏著層，而其係形成於該底膜的一或兩面上，並含有根據本發明之壓敏性黏著劑組成物的固化產物。
圖式1係為根據本發明之壓敏性黏著板的截面圖，其中壓敏性黏著層10形成於底膜20的一面上。
根據本發明之壓敏性黏著板可作為，例如，半導體加工板，如半導體晶圓背面研磨期間的保護膜。特別地，根據本發明之壓敏性黏著板係製自壓敏性黏著劑組成物，並藉此可以因為其優良的晶圓可潤濕性、剝離性和特別是極佳的防水性，而有效地防止晶圓因為背面研磨期間內的水或外來物質造成的污染或損傷。
未特定限制根據本發明之壓敏性黏著板中使用的底膜類型，且可使用於約23℃(以20℃至25℃為佳，且15℃至30℃較佳)之糙度低於240公斤．毫米(或較佳210公斤．毫米或更低)的底膜。文中所謂“糙度”係指以拉伸試驗測定的值，詳言之，該值指出材料的硬度和柔軟度。
例如，可藉下列方法測定底膜的韌度：首先，製得預定尺寸的膜形狀的樣品作為進行韌度測定的底膜。此試樣可為膜狀且具有，例如，長約15毫米且寬約15毫米。試樣的尺寸(如長和寬)是指除去以膠帶黏貼以固定試樣的部分以外的部分之尺寸。
於前述條件下製造試樣之後，安置試樣以使得試樣的長度方向與機械(拉伸試驗機)方向垂直，且以約180毫米/分鐘至約220毫米/分鐘(以約200毫米/分鐘為佳)的拉伸速率施加力量於長度方向。之後，藉由應用膜(試樣)的寬度和厚度，直到試樣破裂之施加的力量與距離的關係圖以拉伸率(X軸)和拉伸強度(Y軸)的關係圖表示。當以前述方式得到拉伸曲線時，可自曲線的初斜率定出拉伸模量，且可由曲線面積測得韌度。
本發明中，若韌度超過240公斤．毫米，則膜過度堅硬且其切割性質會因為底膜之彈性模量的提高而降低。此外，若底膜的韌度過度提高，避震性質會變弱，並因此，例如，當膜施於晶圓背面研磨法時，膜的應力紓緩效果受損，造成研磨準確度降低或晶圓受損。
本發明中，未特定限制底膜的韌度下限，只要其在前述範圍內即可。但是，如果底膜韌度過小，則膜會過度柔軟，當膜纏於輥或纏繞的膜欲自黏著的輥剝離至晶圓時，造成晶圓破裂或受損。因此，本發明中，可在60公斤．毫米或更高的範圍內適當地調整底膜的韌度。
未特定限制本發明中使用之底膜的詳細類型，且例如，可以無限制地使用一般材料，如合成橡膠、合成樹脂、或天然樹脂。本發明，底膜的更詳細例子可包括聚乙烯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸烷酯共聚物膜(其烷基以具1至4個碳原子為佳)、乙烯-α-烯烴共聚物膜、丙烯-α-烯烴共聚物膜、聚烯烴膜(如，聚丙烯)、聚酯膜(如，聚對酞酸乙二酯膜或聚對酞酸丁二酯膜)、聚氯乙烯膜、聚酯彈性體和胺甲酸酯膜中之一種或二或更多種。二或多種該底膜可意謂由前述例子的二或多種層壓製得或係由前述例子的二或更多種樹脂之摻合物製得者。該底膜可藉此領域已知的一般方法製造，且代表性的製造法可包括，但不限於，T-模具擠壓、膨脹和砑光。
本發明中，無特定限制地根據底膜用途而適當地選擇底膜的厚度，且例如，可為10微米至500微米，且以50微米至300微米為佳。較佳地，根據本發明之底膜具有就半導體加工程序效能而言的適當模量，且例如，其於-10℃至100℃(以約20℃為佳)的溫度下之儲存模量為1×107 Pa至1×109 Pa。
本發明中，可在底膜上進行表面處理(如底塗處理或電暈處理)以改良與壓敏性黏著層的緊密黏著性，及可添加用於有效率的半導體加工之適當顏色。
未特定限制在底膜上形成壓敏性黏著層之方法。例如，本發明中，該方法可包括將前述壓敏性黏著劑組成物施用至底膜及之後固化所得者，或藉由將壓敏性黏著劑組成物施用至剝離基底及之後將壓敏性黏著層轉移至底膜而形成壓敏性黏著層。本發明中，未特定限制將壓敏性黏著劑組成物施用至底膜或剝離基底表面之方法，且例如，如，棒塗佈機、刮刀塗佈機、滾筒塗佈機、噴塗機、凹板塗佈機、簾塗佈機、缺角輪塗佈機(comma coater)和/或唇形塗佈機(lip coater)裝置可用以進行施用。本發明中，未特定限制固化壓敏性黏著劑組成物之方法，且可以使用一般的熱固化或光固化形成，以使用熱固化為佳。藉熱固化形成壓敏性黏著劑，相較於藉由光固化，程序效能獲改良且製得的壓敏性黏著劑具有優良均勻度。
更特定言之，本發明中，該方法包括將壓敏性黏著劑組成物施用於底膜，使其乾燥及之後老化，或將壓敏性黏著劑組成物施用至剝離基底表面，使其乾燥，將形成於剝離底膜上的壓敏性黏著層轉移至基底表面及之後使其老化。
本發明中，希望經由在壓敏性黏著劑形成階段的適當乾燥和老化程序而調整壓敏性黏著層的交聯結構。藉由調整交聯結構，可得到具有彈性和強黏合性的壓敏性黏著層，藉此改良壓敏性黏著膜的壓敏黏著性，如，耐久可靠性和切割性。更特定言之，壓敏性黏著板的壓敏性黏著層之交聯密度以80至99%為佳。如果壓敏性黏著層的交聯密度低於80%，則壓敏性黏著層的黏合強度降低且壓敏性黏著劑組份轉移至黏著物(如，水)，造成殘留物。若交聯密度超過99%，則剝除強度降低，導致在晶圓加工期間內因噴水而浸沒。
根據本發明之壓敏性黏著板的壓敏性黏著層厚度以0.5微米至50微米為佳，1微米至30微米更佳。若厚度超出此範圍，則難以得到均勻的壓敏性黏著層，使得膜的物性不一致。
根據本發明之壓敏性黏著板中，欲防止外來物質進入壓敏性黏著層，可以在壓敏性黏著層上形成剝離膜。圖式2係截面圖，所示者為根據本發明之體系的壓敏性黏著板，其中壓敏性黏著層10形成於底膜20的一面上，而剝離膜30形成於壓敏性黏著層10上。未特定限制剝離膜的詳細類型，且例如，可以使用藉剝離處理聚對酞酸乙二酯(PET)膜的一面或兩面而得的膜或具有矽或醇酸樹脂脫膜劑的烯烴膜。沒有特定限制地，根據用途而適當地設定剝離膜的厚度，且可在10微米至70微米的範圍內選擇。
本發明亦係關於一種背面研磨法，其包含：將根據本發明之壓敏性黏著板黏著至半導體晶圓的第一步驟；和使與壓敏性黏著板黏合的半導體晶圓之背面進行研磨的第二步驟。
該背面研磨法之特徵在於使用根據本發明之壓敏性黏著膜作為晶圓加工保護膜，且未特別限制其他加工條件細節。例如，本發明中，可以在藉加壓或熱輥層壓法將壓敏性黏著膜黏著至晶圓及將其固定至研磨工具(如研磨機)之後實施背面研磨法。如前述者，根據本發明之壓敏性黏著膜可以其優良的晶圓潤濕性和極佳剝除性和耐水性而有效地施用至背面研磨法。根據本發明之研磨法中，一般的半導體封裝法(如晶圓切片、模具結合、金屬線結合和模塑)可自背面研磨法連續進行，且未特定限制條件細節。
本發明之模式
下文中，將參考根據本發明之實例和非根據本發明之比較例地詳細描述本發明，但本發明之範圍不限於下文描述的實例。
實例1
製得包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)，使得該混合物中含有5重量份的丙烯酸異冰片酯(IBOA)，且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為-25℃。之後，該單體混合物經聚合以製造固體含量為45重量%的丙烯酸系壓敏性黏著聚合物。之後，異氰酸酯交聯劑以相對於100重量份壓敏性黏著聚合物為2重量份的量加至製得的壓敏性黏著聚合物中。將所得者施用於厚度為80微米的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，並於之後乾燥，藉此製得壓敏性黏著層(厚度：20微米)。製得的壓敏性黏著板於50℃老化2小時，之後進行下述試驗。
實例2
除了使用丙烯酸異冰片酯(IBOA)的含量為10重量份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為-9℃以外，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。
實例3
除了使用丙烯酸異冰片酯(IBOA)的含量為20重量份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為-1℃以外，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。
實例4
除了使用丙烯酸異冰片酯(IBOA)的含量為25重量份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為13℃以外，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。
比較例1
除了使用包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)及自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為-27℃以外，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。
比較例2
除了使用包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物(100重量份)及自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度為-2℃以外，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。
藉由使用根據實例和比較例製得的壓敏性黏著板，以下列方式評估物性。
1.保護膜的黏著性
使用晶圓封裝機(DS Precision Inc.DYWMDS-8’)，使壓敏性黏著板黏著至8吋矽晶圓，並觀察晶圓表面以計算產生薄片狀泡沫的部分，之後以3或更少個泡沫為○，4至7個泡沫為△，和8或更多個泡沫為×進行評估。
2.180°剝離力
基於JIS Z 0237，評估壓敏性黏著板的180°剝離力。首先，使用2公斤滾筒及之後維持於23℃溫度和55%相對濕度1小時，使得壓敏性黏著板黏著至矽晶圓。之後，使用拉伸試驗機，在剝離速率1.0米/分鐘下評估剝離力。試樣係於切成尺寸為2.5公分×24公分(水平×垂直)後使用。
3.研磨性
使用晶圓封裝機，將壓敏性黏著板黏著至8吋矽晶圓之後，該板根據晶圓形狀於擴張機(expender)上切割，且在使用背面研磨機(SVG-502MKII8)之後評估晶圓損傷和破裂量。更特定言之，研磨5次並以0個晶圓破裂或受損為○，1個晶圓破裂或受損為△，和2或多個晶圓破裂或受損為×進行評估。
4.防水性
基於上提測量而評估壓敏性黏著板的防水性。更特定言之，壓敏性黏著板黏著至8吋晶圓並在擴張機中切成晶圓形狀，之後使用晶圓背面研磨機(SVG-502MKII8)進行背面研磨程序。根據下列標準評估晶圓表面和壓敏性黏著板之間的水滲透性和上提。
○：無上提或脫離
△：些微上提或脫離
×：更多上提或脫離
5.再剝離性
8吋矽晶圓研磨至150微米之後，它們維持於室溫24小時，將黏著有壓敏性黏著板的面朝上置於扁平平面上，且在安全支撐經研磨過的晶圓時，使壓敏性黏著板剝離。藉評估晶圓於剝離期間內之破裂和損傷，根據下列標準評估再剝離性。
○：晶圓中無破裂和損傷
△：晶圓中有少數破裂和損傷
×：晶圓中有大量破裂和損傷
以前述方式進行的測定結果示於表1。
如由表1中所示結果可見者，本發明之使用包括丙烯酸異冰片酯作為單體組份的壓敏性黏著聚合物的實例具有優良黏著性、研磨、防水性和再剝離性，並維持適當程度的180°剝離力。另一方面，未包括丙烯酸異冰片酯的比較例具有過高的剝離力並驅使其他物性以及各物性之間的平衡明顯降低。
10．．．壓敏性黏著層
20．．．底膜
30．．．剝離膜
圖式1係根據本發明之體系的壓敏性黏著板之截面圖。
圖式2係根據本發明之另一體系的壓敏性黏著板之截面圖。
10．．．壓敏性黏著層
20．．．底膜

Claims (16)

  1. 一種用於半導體處理板之壓敏性黏著劑組成物，其包括：含有下列之單體混合物的聚合物：(甲基)丙烯酸酯單體混合物，而該(甲基)丙烯酸酯單體混合物包含1至30重量份的(甲基)丙烯酸異冰片酯和60至98.9重量份之該(甲基)丙烯酸異冰片酯以外的(甲基)丙烯酸酯單體；及可交聯的單體，而其包括至少一種選自羥基、羧基和含氮官能基之官能基。
  2. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中該聚合物之玻璃轉變溫度係-50℃至15℃。
  3. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中該聚合物之重量平均分子量係50,000至700,000。
  4. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中該(甲基)丙烯酸異冰片酯以外的(甲基)丙烯酸酯單體是選自下列中至少一者：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯和(甲基)丙烯酸十四酯。
  5. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中可交聯的單體係選自(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙二醇酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙二醇酯、(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基)丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基)丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚體、衣康酸、順-丁烯二酸、順-丁烯二酸酐、(甲基)丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己內醯胺中之一或多者。
  6. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中該單體混合物包含90至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯單體混合物和0.1至10重量份的該可交聯的單體。
  7. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其中該單體混合物進一步包含式1所示化合物 其中R1 至R3 分別代表氫或烷基；R4 代表氰基、未經取代或經烷基取代的苯基、乙醯氧基或COR5 ；而R5 代表未經取代或經烷基或烷氧基烷基取代的胺基或縮水甘油氧基。
  8. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物，其進一步包含相對於100重量份的聚合物為0.1至10重 量份的交聯劑。
  9. 如申請專利範圍第8項之壓敏性黏著劑組成物，其中該交聯劑係選自異氰酸酯化合物、環氧化物、氮丙啶化合物和金屬鉗合化合物中之一或多者。
  10. 一種半導體處理板，其包含：底膜；和壓敏性黏著層，而其係形成於該底膜的一或兩面上，並含有如申請專利範圍第1至9項中任一項之壓敏性黏著劑組成物的固化產物。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體處理板，其中該底膜係聚乙烯膜、乙烯-乙酸乙烯基共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸烷酯共聚物膜、乙烯-α-烯烴共聚物膜、丙烯-α-烯烴共聚物膜、聚烯烴膜、聚酯膜、聚氯乙烯膜、聚酯彈性體或胺甲酸酯膜。
  12. 如申請專利範圍第10項之半導體處理板，其中該底膜厚度係10微米至500微米。
  13. 如申請專利範圍第10項之半導體處理板，其中該底膜於-10℃至100℃的溫度下之儲存模量為1×107 Pa至1×109 Pa。
  14. 如申請專利範圍第10項之半導體處理板，其中該壓敏性黏著層的厚度係0.5微米至50微米。
  15. 如申請專利範圍第10項之半導體處理板，其進一步包含形成於該壓敏性黏著層上的剝離膜。
  16. 一種背面研磨法，其包含： 將如申請專利範圍第10項之半導體處理板黏著至半導體晶圓的第一步驟；和使與該半導體處理板黏合的半導體晶圓之背面進行研磨的第二步驟。
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