TWI277635B - Silicone composition for encapsulating luminescent element and luminescent device - Google Patents
Silicone composition for encapsulating luminescent element and luminescent device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI277635B TWI277635B TW94125303A TW94125303A TWI277635B TW I277635 B TWI277635 B TW I277635B TW 94125303 A TW94125303 A TW 94125303A TW 94125303 A TW94125303 A TW 94125303A TW I277635 B TWI277635 B TW I277635B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- composition
- emitting element
- group
- polyfluorene
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
1277635 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關爲封閉如:二極管、晶體管等發光元件 之封閉發光元件用聚砂氧組成物及使用該組成物後,所得 之發光裝置。 【先前技術】 發光二極管(LED),影像偶合器寺發光裝置中,封閉 發光元件用組成物除保護由外部之發光元件之機能外,被 要求與發光元件或支撑發光元件之聚酞醯胺、陶瓷等支撑 基材呈良好且安定之黏合者。又,爲防止發光元件之亮度 降低,被要求具高度透明性者。 先行技術中,做爲此封閉用組成物者如:使用環氧樹 脂等者。惟,使用環氧樹脂等時,近年來伴隨LED等之 高亮度化而發熱量之增加、光短波長化’導致裂化’黃變 之產生、降低亮度之原因。 因此,做爲具良好耐熱性及耐紫外特性之封閉用組成 物者以有機聚矽氧烷組成物(聚矽氧組成物)被使用之。特 別是利用氫化矽烷化之加成反應型聚矽氧組成物藉由加熱 後於短時間硬化具良好生產性,硬化時不致出現副產物因 此被廣泛使用之。 做爲加成反應型聚矽氧組成物者如被揭示於專利文獻 1中之由至少含2個結合於矽原子之脂烯基之二有機聚政 氧烷、Si04/2 單位、Vi(R3)Si01/2 單位及 R33Si01/2 單位( (2) (2)1277635 式中Vi爲乙烯基、R3爲未含脂肪族不飽和鍵之非取代或 取代之一價烴基)所成之有機聚矽氧烷、1分子中至少含2 個結合於矽原子之氫原子有機氫化聚矽氧烷及含有鉑族金 屬系觸媒之聚矽氧組成物。 惟,專利文獻1所載之聚矽氧組成物相較於支撑基材 其硬化後之線膨脹係數較大,因此,加熱硬化後之殘留應 力大,與支撑基材之界面出現剝離,產生支撑基材之變形 問題。(如:專利文獻1)。 [專利文獻1]特開2000-1 98930公報 【發明內容】 本發明爲解決該課題,其目的以提供一種具良好封閉 發光元件用聚矽氧組成物之硬化物與支撑基材之黏著性的 封閉發光元件用聚矽氧組成物及藉由此硬化物封閉發光元 件之發光裝置。 本發明第1形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物之特 徵係含有(A)平均單位式: (Si04/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si01/2)c(式中,Vi 代表乙烯基, R係相同或相異之不包含烯基,取代或非取代之1價烴基 、a、b及c分別爲正數,且a/(a + b + c)爲0.2〜0.6之數、 b/(a + b + c)爲0.001〜〇·2之數)所代表之三維網孔狀構造之 含乙烯基之有機聚矽氧烷,(B)l分子中至少具有2個矽 原子鍵氫原子之有機氫化聚矽氧烷針對於1莫耳結合於 (A)成份之矽原子乙烯基時,矽原子鍵氫原子爲〇.3〜3.〇莫 (3) 1277635 耳之量,及(C)氫矽烷化反應用觸媒(觸媒量),硬化後之 線膨脹係數爲10〜290xl(T6/°C者。 本發明第2形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物之特徵係 含有00251時爲固體之平均單位式: (Si04/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si01/2)c(式中,Vi 代表乙烯基, R係相同或相異之不包含烯基,取代或非取代之1價烴基 、a、b及c分別爲正數,且a/(a + b + c)爲0.2〜0.6之數、 _ b/(a + b + c)爲0.001〜0.2之數)所示之三維網孔狀構造含乙 烯基之有機聚矽氧烷,(八2)25°〇黏度爲1〜100,000 111?&.3 含直鏈狀燒基之有機聚砂氧院,對於(Αι)成份與(A2)成份 合計量時,爲10〜80重量%,(B)l分子中至少含有2個矽 原子鍵氫原子之有機氫化聚矽氧烷,對於合計1莫耳結合 於(A〇成份中矽原子之乙烯基與結合於(a2)中矽原子之烯 基時,其Si-H鍵爲0.3〜3莫耳之量,及(C)氫矽烷化反應 用觸媒(觸媒量),硬化後之線膨脹係數爲10〜290xl(T6/°C •者° 又’本發明第1形態之發光裝置其特徵係藉由該第1 形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物進行封閉發 光元件者。 本發明第2形態之發光裝置其特徵係藉由該第2形態 之封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物進行封閉發光元 件者。 本發明封閉發光元件用聚矽氧組成物使硬化後之線膨 脹係數做成10〜290xl(T6/t:後,縮小硬化物與支撑基材之 (4) .1277635 殘留應力後,可取得具有長時間理想之安定黏著性之硬化 物。 本發明發光裝置更於該硬化物與支撑基材之間具良好 黏著性而具高度信賴性。 【實施方式】 [發明實施之最佳形態]
以下,針對本發明理想之實施形態進行說明。又,本 發明並未受限於以下實施形態。 本發明實施形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物係含 有(Si04/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si01/2)c(式中,Vi 爲乙烯基, R係相同或相異之不含烯基,取代或非取代之1價烴基、 a、b及c分別爲正數,且a/(a + b + c)爲0.2〜0.6之數、 b/(a + b + c)爲0.001〜0.2之數)所示之三維網孔狀構造之含 乙烯基之有機聚矽氧烷與(B)l分子中至少具有2個矽原 子結合氫原子之有機氫化聚矽氧烷,與(C)氫矽烷化反應 用觸媒。 (A)成份爲所得組成物之主成份,以平均單位式: (Si〇4/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si〇i/2)c 所示之三維網孔狀構造之含乙烯基之有機聚矽氧烷。1分 子務必具有1個以上與砍原子結合之乙嫌基,特別以具有 -7 - (5) 1277635 2個以上乙烯基爲最佳者。 上式中,Vi爲乙烯基,R係相同或不同之不含烯基’ 取代或非取代之1價烯基,a、b及c分別爲正數。 R爲不含烯基,碳數爲1〜12者宜,較佳爲1〜8之取 代或非取代1價烴基。R之例如:甲基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、異丁基、第三-丁基、己基、環己基、辛基 類之烷基;苯基、甲苯基類之芳基;苄基、苯基乙基類之 φ 芳院基;及此等基之部份或全部之氫原子被氟、氯、溴等 之鹵原子、氰基取代者,如:氯甲基、溴乙基、三氟丙基 '氰乙基等例。特別又以甲基、苯基爲最佳者。 上式中,a、b及 c分別爲正數,且 a/(a + b + c)爲 0·2 〜0.6 之數、b(a + b + c)爲 0.001 〜0.2 之數。 亦即,Si04/2單位之(A)成份中以具有0.2〜0.6,特別 是0.2〜0.4之比例爲最佳。此範圍下可附與理想流動性於 本組成物中。 φ ViR2Si01/2單位爲所得組成物之交聯點,(A)成份中 以具有〇· 〇〇1〜0.2 ’特別是0.001〜0.1之比例爲最佳。當未 達0.001時,則硬化物無法附與適當硬度,不易合成收率 佳之具有乙烯基之聚合物。反之,超出0·2時,則硬化本 組成物後所得硬化物之硬度太高,不易取得理想之橡膠彈 性。 此三維網孔狀構造之含乙烯有機聚矽氧烷可藉由公知 之方法使各單位源之化合物以上述比例進行組合,此於鹽 酸等酸的存在下藉由共同水解後製造之。 -8- (6) 1277635 (Α)成份可單獨或混合2種以上使用。(Α)成份爲固體 或液體,特別是25°C之黏度爲1〜1〇〇,〇〇〇 mPa · s之液狀 者爲最佳。 又,(A)成份於25°C下爲固體時,以如:25°C之黏度 爲1〜1 00,000 mPa· s之直鏈狀含烯基有機聚矽氧烷進行 稀釋後,做爲25°C黏度爲100〜1 00,000 mPa · s者宜。此 時本組成物之硬化後線膨脹係數爲不超出290x 1 (T6/°C者 〇 此直鏈狀含烯基有機聚矽氧烷之該脂烯基可存在於分 子Μ之兩末端’或存在於分子鍵兩末端及分子鏈途中。做 胃ft狀含烯基有機聚矽氧烷之代表例者如:下述一般 式:
fw] I I 1 —SiO·· 1 I -SiO- I I lx I
,R1爲相同或相異 1〜6之取代或非取代i 基或 Ri,η € Λ + 11爲〇或1以」 )例者。 R之例如··甲基、 3,3’3_Ξ氟丙基、氰乙基 之烷基;及苯基、氯苯3 之不含烯基,碳數1〜10、較佳者 丨烴基,X爲烯基,Υ爲獨立之烯 .之整數,m爲0或1以上之整數 乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、 等非取代或取代之碳原子數1〜3 :、氟苯基等非取代或取代之苯基 -9- (7) (7)1277635 例。 X爲脂烯基,如:乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯 基、丁烯基、己烯基、環己烯基等碳原子數2〜8之例,其 中又以乙烯基、烯丙基等碳原子數2〜4之低級脂烯基爲更 佳。 Y爲烯基或R1,做爲此烯基例者如:相同於該X所 示例者之例。R1爲與上述相同意義者,而做爲結合於分 子鏈兩末端矽原子之取代基之2個Y可爲相同或相異, 又以均爲烯基者較佳。 η爲0或1以上,較佳者爲0〜1,000之整數,更佳者 爲0〜800之整數。m爲0或1以上,較佳者爲0〜1〇〇〇之 整數。又,η 及 m 爲滿足 lSm + n$l,000,且 〇Sm/(m + n) S1)者宜,特別以滿足 l〇〇gm + n$800,且 0 S m/(m + n) ‘ 0 · 5爲最佳。 此直鏈狀之含烯基有機聚矽氧烷之配合量,對於與 (A)成份之合計量(100重量%)時爲10〜80重量%,較佳者 爲10〜60重量%。當未達10重量%時,則於組成物中不易 附與足夠之流動性,反之,超出8 0重量%時則不易調整 硬化物線膨脹係數爲290xl(T6/°C以下者。 (B)成份係做爲使(A)成份與氫矽烷化反應之組成物進 行硬化之交聯劑作用者。1分子中務必具有平均2個以上 之結合於矽原子之氫原子(SiH基)。此SiH基以具有2〜 2〇〇個者宜,更佳者爲3〜100個。結合於矽原子之氫原子 可結合於分子鏈末端之矽原子,或結合於分子鏈中任意之 -10- (8) 1277635 矽原子,甚至結合於兩者均可。 (B)成份爲平均組成式z R2dHeS i 〇[4一 (d + e)]/2 所示者被使用之。該式中R2爲不含脂肪族不飽和烴 碳原子數1〜12,較佳者爲1〜8之取代或非取代之1 基。 做爲R2例者如:甲基、乙基、丙基、異丙基、 、異丁基、第三-丁基、己基、環己基、辛基類之烷 苯基、甲苯基類之芳基;苄基、苯基乙基類之芳烷基 此等基之部份或全部之氫原子被氟、氯、溴等之鹵原 氰基取代者,如:氯甲基、溴乙基、三氟丙基、氰乙 例。此等中又以碳數1〜4者爲較理想,由其合成容易 成本面觀之,以烷基爲較佳。以甲基、乙基、丙基、 基、丁基、異丁基、第三-丁基者宜,特別以甲基爲 上式中,d、e分別爲正數,滿足〇.8SdS2.2、 Se‘l、〇.8<d + e<3之數者,較佳者爲滿足 O.OlSeSl、1.8gd + eg2.5 之數者。 做爲分子構造者可任意直鏈狀、支鏈狀、或環託 而,含有二有機氫化矽氧烷單位與Si04/2單位後,3 有三有機氫化矽氧烷單位,二有機矽氧烷單位之三系 狀構造者爲更佳者。 (B)成份之例如:1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、甲3 環聚矽氧烷、甲基氫化矽氧烷•二甲基矽氧烷環狀^ 基, 價烴 丁基 基; ;及 子、 基等 度, 異丙 最佳 0.002 2.2、 :者、 丨當含 :網孔 丨氫化 ^聚物 -11 - (9) (9)1277635 、兩末端三甲基矽氧烷基封鏈甲基氫化聚矽氧烷、兩末端 三甲基矽氧烷基封鏈二甲基矽氧烷、甲基氫化矽氧烷共聚 物、兩末端二甲基氫化矽氧烷封鏈二甲基聚矽氧烷等例。 25 °C之黏度以1〜5 00 mPa · s者宜,特別以 uoo m P a · s爲最佳。 (B) 成份之配合量對於(A)成份中結合於矽原子之乙烯 基與直鏈狀含烯基之有機聚矽氧烷中結合於矽原子之烯基 (特別是乙烯基)之總計1莫耳時,其Si-H鍵爲0.3〜3莫耳 之量者宜,較佳者爲〇·4〜2莫耳之量。當未達〇.3莫耳時 ,則無法取得足夠之交聯,反之,超出3莫耳則殘存大量 未反應之Si-H鍵,造成物性不安定者。 (C) 成份係爲促進該(A)成份之乙烯基與(B)成份之SiH 基之氫矽烷化反應的觸媒者。 (C)成份之例如:鉑黑、氯化鉑、氯化鉑酸、氯化鉑 酸與一價醇之反應物、氯化鉑酸與烯烴類、與乙烯矽氧烷 之錯合物、鈾雙乙醯醋酸酯等之鉑系觸媒、鈀系觸媒、铑 系觸媒等舶族金屬觸媒例。 (C)成份之配合量只要爲硬化時必要量即可,並未特 別限定,可因應(A)成份與(B)成份之種類,所期待硬化速 度等進行適當調節之。一般,換算成鉑份後,針對所得組 成物總量時,只要爲〇·〇ι〜looppm即可,由硬化物光滲透 率(透明性),成本面觀之,以1〜50ppm爲較佳者。 本發明實施形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物係以 該(A)〜(C)各成份做爲基本成份,附與對於各種支撑基材 -12- (10) (10)1277635 之黏著性,因此,更含有矽烷偶合劑亦可。做爲矽烷偶合 劑例者如:含環氧基之烷氧基矽烷,含Si-H之烷氧基矽 烷,含乙烯基之烷氧基矽烷等例。矽烷偶合劑之配合量當 (A)〜(C)成份總量100重量份時,爲0.1〜5重量份者宜。 又,爲提昇強度,亦可配合各種塡充劑。考量硬化透 明性又以平均粒徑爲1 以下者佳,特別以平均粒徑 爲5 0 n m以下爲最佳。做爲塡充劑例者如:B E T法之比表 面積爲150m2/g以上之矽鎂石、濕式二氧化矽等例。塡充 劑可直接使用,亦可預先以六甲基二矽氨烷等處理劑進行 表面處理後再行使用,或該處理劑於製造過程中反應後再 行使用均可。塡充劑之配合量針對100重量份之(A)成份 時爲0.5〜100重量份者宜。當超出100重量份時,則明顯 提昇未硬化時組成物之黏度,導致成型時之作業性不良。 反之,未達0.5重量份則附與硬化物之特性將不足。 更且,在不影響磷、氮、硫黃等化合物或乙炔系化合 物等反應抑制劑、硬化性之透明性之範圍下,亦可配合染 料、顏料、難燃性附與劑、耐熱劑等。 本發明實施形態之封閉發光元件用聚矽氧組成物可藉 由攪拌器均勻混合(A)〜(C)之基本成份與上述任意成份後 取得。所得組成物爲液狀者宜,25 °C之黏度爲10,000 mPa · s以下,特別是500〜5,000 mPa · s爲最佳。 一般,藉由攪拌器均勻混合(A)〜(C)基本成份與上述 任意成份後,室溫下,或加熱下進行硬化之,惟,爲快速 硬化,以加熱下進行者爲較佳。加熱溫度以50〜200 °C者 -13- (11) (11)1277635 宜。如此取得之硬化物爲橡膠狀,特別是硬質橡膠,或具 有易彎性之樹脂狀者。 硬化後之線膨脹係數爲10〜290xl(T6/°C者宜,特別以 10〜2 5 0X 1 〇_6/°C爲最佳。使硬化後線膨脹係數爲接近於陶 瓷、塑膠等支撑基材之線膨脹係數之値後,可縮小支撑基 材與硬化物之殘存應力,長期具有良好黏著性者。 本發明封閉發光元件用聚矽氧組成物可做爲電氣、電 子用之黏合劑、製陶劑、保護劑、被覆劑、封閉劑、或底 塡劑之使用。特別是其光滲透率熱高,極適於發光裝置之 保護劑、被覆劑或封閉劑等。 以下,針對本發明實施形態之發光裝置進行說明。 本發明實施形態之發光裝置係藉由上述封閉發光元件 用聚矽氧組成物之硬化物進行封閉發光元件者。封閉發光 元件之形態並未特別限定,一般如:圖1所示之稱爲表面 實裝型之發光裝置例者。 如圖1所示,發光裝置1係具有發光元件2,開口部 之支撑基材3及具有封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化 物。 做爲封閉發光元件2之方法爲具有引導電極5,於玻 璃纖維強化聚酞醯胺樹脂所成之支撑基材3以銀糊料等黏 著劑使發光元件2進行加熱固定之。再以Au線等結合線 6連接發光元件2與引導電極5。之後,使本發明實施形 態之封閉發光元件用聚矽氧組成物結合於發光元件2,以 5 0〜200°C進行加熱後,硬化之。藉由此,可取得發光裝置 -14- (12) (12)1277635 做爲發光元件例者如:二極體、晶體管、閘流晶體管 、固體攝影元件、單片1C,更如··混種1C中之半導體元 件例者。 做爲發光裝置例者如:二極管、發光二極管(LED)、 晶體管、閘流晶體管、影像偶合器、電荷結合元件(c c D) 、單片1C、混種1C、LSI、VLSI之例,較佳者如:發光 二極管(LED),影像偶合器等例。 其中,以玻璃纖維強化聚酞醯胺樹脂做爲支撑基材使 用之,.惟,並未受限於此,亦可使用各種纖維強化塑膠、 陶瓷等。 以下,以實施例爲例,進行本發明之具體說明,惟, 本發明並未受限於實施例。各例中,份爲重量份,實施例 中之黏度係於25 °C下所測定之値者。 封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物特性爲如下所 測定者。 [硬化物之線膨脹係數] 將封閉發光元件用聚矽氧組成物於1 5 0 °C下進行加熱 1小時後製成硬化物。藉由TMA(熱機械性分析)’於25〜 1 5 0 °C之範圍下測定此硬化物之線膨脹係數。 [硬化物之剝離試驗] 於10x10x45mm之玻璃池中塡入〇.85g之封閉發光元 -15- (13) 1277635 件用聚矽氧組成物,於80°C下進行加熱2小時,更於150 °C下加熱1小時,硬化後,製成硬化物。隨後以6(TC, 90% RH進行吸濕24小時後,於260 °C下加熱10分鐘。 此經冷卻後,進行觀測玻璃池與硬化物之界面狀態。 [實施例1] 將25°C爲固體之式1 : [(CH3) 3Si〇i/2] 5 (Si〇4/2) 8 [CH2=CH (CH3) 2Si〇i/2] 所示之含乙烯基有機聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量 1.0mmol/g)62 重量份,黏度 400 mPa· s,式 2: [(CH2 = CH) (CH3) 2Si〇i/2] [ (CH3) 2SiO] i3〇 [(CH2 = CH) (C H3) 2Si〇1/2] 參所示之直鏈狀分子鏈兩末端二甲基乙烯矽氧基封鏈二甲基 聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量〇.2mmol/g)38重量份,黏 度 20mPa· s,式3: [(CH3) 2HSi〇i/2] 2 (S1O4/2) 所示之有機氫化聚矽氧烷(矽原子鍵氫原子含量 10mmol/g)12.4重量份,做爲矽烷偶合劑之 CH2 = C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3 與式 4 : -16- (14) (14)1277635
[(CH3) HSiO] 3 (CH3) 2SiO 所示之有機矽氧烷之反應生成物1 · 5重量份,以鉑觸媒做 爲鉑原子之5ppm,式5 : [(CH2=CH) (CH3) S iO] 4 所示之反應抑制劑〇 · 0 2重量份進行混合,攪拌後,調整 封閉發光元件用聚矽氧組成物。 測定此封閉發光元件用聚矽氧組成物之特性,此等結 果示於表1。 [實施例2] 使25 °C爲固體之式1: [(CH3) 3S1O1/2] 5 (S1O4/2) 8 [CH2 = CH (CH3) 2S1O1/2] 所示之含乙烯基有機聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量 1.0mmol/g)50 重量份,黏度 5〇mPa· s,式 6: [(CH3) 3S1O1/2] 13 (Si04/2) 5 [CH2 = CH (CH3) 2S1O1/2] 所示之含乙烯基有機聚矽氧烷(矽原子鍵乙嫌基含量 -17- (15) (15)1277635 0.7mmol/g)50 重量份,黏度 20mPa· s,式 3: [(CH3) 2HSi01/2] 2 (S1O4/2) 所示之有機氫化聚矽氧烷(矽原子鍵氫原子之含量 10mmol/g)14.9重量份,做爲矽烷偶合劑之 CH2 = C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3 與式 4: [(CH3) HS iO] 3 (CH3) 2s i〇 所示之有機矽氧烷之反應生成物1.5重量份,以鉑觸媒做 爲鉑原子之5ppm,式5: [(CH2=CH) (CH3) SiO] 4 所示之反應抑制劑0 · 0 2重量份 均勻混合後,調整封閉發光元件用聚矽氧組成物。 測定此封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物特性。 等結果示於表1。 [實施例3] 使25t爲固體之式1 : [(CH3) 3Si01/2] 5 (S1O4/2) 8 [CH2=CH (CH3) 2Si01/2] -18- (16) 1277635 所示之含乙烯有機聚矽氧烷(矽子鍵乙烯基含量I 〇 mmol/g)40 重量份,黏度 3,000 mpa · s,式 7 :
[(CH2 = CH) (CH3) 2Si01/23 [ (CH3) 2SiO] 34〇 [(CH2=CH) (C H 3) 2 S i 0 1/2]
所示直鏈狀之分子鏈兩末端二甲基乙烯矽氧烷基封鏈二甲 基聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量0.08 m mo ι/g) 60重量份 ,黏度 20mPa*s,式 3: [(CH3) 2HSi01/2] 2 (S1O4/2) 所示之有機氫化聚矽氧烷(矽原子鍵氫原子之含量 10mmol/g)7.9重量份,做爲矽烷偶合劑之 CH2 = C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3 與式 4 : [(CH3) HSiO] a (CH3) 2Si〇 所示有機矽氧烷之反應生成物1 . 5重量份,以鉑觸媒做爲 鉑原子之5ppm,式5 : [(CH2 = CH) (CH3) SiO] 4 -19- (17) (17)1277635 所示之反應抑制劑Ο · Ο 2重量份 均勻混合後’調整封閉發光元件用聚矽氧組成物。 測定此封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物特性。 此等結果示於表1。 [比較例1 ] 使25°c爲固體之式1 : [(CH3) 3Si01/2] 5 (S1O4/2) 8 [CH2 = CH (CH3) 2Si01/2] 所示之含乙烯基有機聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量10 mmol/g)10 重量份,黏度 3,0 00 mpa· s,式 7:
[(CH2=CH) (CH3) 2Si01/2] [ (CH3) 2SiO] 340 [(CH2 = CH) (C H3) 2 S i 01/2] 所示直鏈狀之分子鏈兩末端二甲基乙烯矽氧烷基封鏈二甲 基聚矽氧烷(矽原子鍵乙烯基含量〇.〇8mmol/g)90重量份 ,黏度 20 mPa · s,式 3 : [(CH3) 2HSi01/2] 2 (S1O4/2) 所示之有機聚矽氧烷(矽原子鍵氫原子含量l〇mm 〇l/g )3. Ο 重量份,做爲矽烷偶合劑之 -20- (18) 1277635 CH2 = C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3 與式 4 :
C(CH3) HSiO] a (CH3) 2S1O 所示之有機矽氧烷之反應生成物1 · 5重量份,以鉑觸媒做 爲鉑原子之5ppm,式5 : [(CH2 = CH) (CH3) SiO] 4 所示之反應抑制劑0.02重量份 均勻混合後,調整封閉發光元件用聚矽氧組成物。 測定此封閉發光元件用聚矽氧組成物之特性。此等結 果示於表1。 表1 實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 <物性> 250 190 280 330 線膨脹係數(1(T6/°C ) 〇 〇 〇 X 剝離試驗 註)〇代表未與玻璃池剝離 X代表與玻璃池剝離者 由表1顯示,比較例1中,直鏈狀含乙烯基之有機聚 矽氧烷配合量針對三維網孔狀構造之含乙烯基有機聚矽氧 烷總量時爲超出8 0重量%者,因此,硬化後之線膨脹係 -21 - (19) (19)1277635 數無法做成290x1 0·6以下。相較於此,其實施例1〜3之 封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化後線膨脹係數卻可爲 10〜29〇xi〇_6/°c,且可明顯改善硬化物與玻璃池之黏著性 [產業上可利用性] 本發明封閉發光元件用聚矽氧組成物可使硬化後線膨 脹係數爲接近聚酞醯胺等支撑基材的線膨脹係數之値。藉 由此’使支撑基材與硬化物之殘存應力縮小,可長期具良 好之黏著性。因此,可做爲電氣、電子用之黏著劑,製陶 '劑' 保護劑、被覆劑、密封劑、或底塡劑等之使用。特 別是’其高度光滲透率,更適用於發光裝置之保護劑、被 覆劑、或密封劑等。 【圖式簡單說明】 [圖1]代表本發明發光裝置一例之截面圖。 【主要元件符號說明】 1 發光裝置 2 發光元件 3 支撐基材 4 硬化物 5 引導電極 6 結合線 -22-
Claims (1)
1277635 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種封閉發光元件用聚矽氧組成物,其特徵係含有 (A) 平均單位式: (Si〇4/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si01/2)c (式中,Vi代表乙烯基,R係相同或相異之不包含烯基之 取代或非取代之1價烴基、a、b及C分別爲正數,且 a/(a + b + c)爲 〇·2 〜0.6 之數、b/(a + b + c)爲 0.001 〜0.2 之數)所 示之三維網孔狀構造之含乙烯基之有機聚矽氧烷, (B) l分子中至少具有2個矽原子鍵氫原子之有機氫化聚 矽氧烷,對於1莫耳結合於(A)成份之矽原子之乙烯基時 ,其矽原子鍵氫原子爲0.3〜3.0莫耳之量,及 (C) 氫矽烷化反應用觸媒(觸媒量) ,硬化後之線膨脹係數爲10〜290xl(T6/°C。 2·如申請專利範圍第1項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中更含有矽烷偶合劑做爲附黏著性成份。 3 ·如申請專利範圍第1項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中該(八)成份之25°(:黏度爲1〜100,000 111?&*3。 4·如申請專利範圍第1項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中25°C黏度爲10,0 00 mPa· s以下。 5 · —種封閉發光元件用聚矽氧組成物,其特徵爲含 有0025^下爲固體、平均單位式: -23- (2)1277635 (Si04/2)a(ViR2Si01/2)b(R3Si01/2)c (式中,Vi代表乙烯基,R係相同或相異之不包含烯基之 取代或非取代之1價烴基、a、b及c分別爲正數,且 a/(a + b + c)爲 0.2 〜0.6 之數、b/(a + b + c)爲 0.001 〜0.2 之數)所 示之三維網孔狀構造之含乙烯基之有機聚矽氧烷, (A2)25°C黏度爲1〜1〇〇,〇〇〇 mPa· s之直鏈狀之含烯基之有 機聚矽氧烷,對於(AQ成份與(A2)成份之合計量時爲 1 0〜8 0重量0/〇, (B) 1分子中至少具有2個矽原子鍵氫原子之有機氫化聚 矽氧烷,對於鍵結於(Al)成份中之矽原子之乙烯基與鍵結 於(A2)中之矽原子之烯基之合計1莫耳時,Si-H鍵爲 0.3〜3莫耳之量,及 (C) 氫砂烷化反應用觸媒(觸媒量) ,硬化後之線膨脹係數爲10〜290x1 (T6/°C。 6·如申請專利範圍第5項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中該(A2)成份爲下述一般式: R1I SiOI R1 厂rM I Si丨 IlR1 I SiO I R1 I· -Si— I R1 (式中,R1係相同或相異之不包含烯基、碳數1〜10,較佳 爲1〜6之取代或非取代之1價烴基、X爲烯基、γ爲獨立 之烯基或R1、η爲〇〜1〇〇〇之整數,瓜爲〇〜1〇〇〇之整數 -24- (3) (3)1277635 ,11及 m 爲 l$m + nSl,000,且 0$m/(m + n)$l)所不者。 7.如申請專利範圍第5項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中使25°C黏度爲100〜l〇〇,〇〇〇mPa · s,以該(A2) 成份稀釋該(A〇成份。 8 .如申請專利範圍第5項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中更含有矽烷偶合劑做爲黏著性成份。 9. 如申請專利範圍第5項之封閉發光元件用聚矽氧組 成物,其中25°C黏度爲10,0 00 mPa· s以下。 10. —種發光裝置,其特徵係藉由如申請專利範圍第1 項之封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物後,使發光元 件封閉者。 1 1 · 一種發光裝置,其特徵係藉由如申請專利範圍第5 項之封閉發光元件用聚矽氧組成物之硬化物,使發光元件 封閉。 -25-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005015263 | 2005-01-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200626677A TW200626677A (en) | 2006-08-01 |
| TWI277635B true TWI277635B (en) | 2007-04-01 |
Family
ID=36692063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW94125303A TWI277635B (en) | 2005-01-24 | 2005-07-26 | Silicone composition for encapsulating luminescent element and luminescent device |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8293849B2 (zh) |
| EP (2) | EP2955206A1 (zh) |
| JP (2) | JP5705396B2 (zh) |
| KR (1) | KR101158955B1 (zh) |
| CN (1) | CN101107324B (zh) |
| TW (1) | TWI277635B (zh) |
| WO (1) | WO2006077667A1 (zh) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5247979B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2013-07-24 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物 |
| JP2007063538A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-03-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物 |
| JP2007246880A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
| JPWO2008047892A1 (ja) * | 2006-10-19 | 2010-02-25 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 |
| JP2008115302A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Kaneka Corp | シリコーン系重合体粒子を含有する光学材料用シリコーン系組成物 |
| WO2008065786A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Optical semiconductor device and transparent optical member |
| WO2008065787A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Optical semiconductor device and transparent optical member |
| WO2008065967A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Semiconductor optical device and transparent optical member |
| JP5210880B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
| KR101443591B1 (ko) * | 2007-02-07 | 2014-09-26 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 스펀지 형성성 액상 실리콘 고무 조성물 및 이로부터 제조된 실리콘 고무 스펀지 |
| JP2008222828A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
| TWI458780B (zh) * | 2007-07-31 | 2014-11-01 | Dow Corning Toray Co Ltd | 提供高透明矽酮硬化物之硬化性矽酮組合物 |
| WO2009025017A1 (ja) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | 半導体光装置及び透明光学部材 |
| CN101230197B (zh) * | 2007-12-20 | 2011-01-19 | 宁波安迪光电科技有限公司 | 用于制造发光二极管封装用胶水的有机硅组合物 |
| JP5149022B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2013-02-20 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
| KR101610013B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2016-04-07 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 다성분형 스펀지 형성성 액상 실리콘 고무 조성물 및 실리콘 고무 스펀지의 제조 방법 |
| JP5475296B2 (ja) | 2009-02-02 | 2014-04-16 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物 |
| JP5568240B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2014-08-06 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーンゴム組成物 |
| JP5475295B2 (ja) | 2009-02-02 | 2014-04-16 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物 |
| US20100289055A1 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Silicone leaded chip carrier |
| CN101712800B (zh) * | 2009-11-06 | 2012-10-03 | 陈俊光 | 大功率led的有机硅树脂封装料及其制备方法 |
| CN101717584B (zh) * | 2009-11-20 | 2012-01-25 | 陈俊光 | 大功率led的有机硅凝胶封装料及其制备方法 |
| JP5549568B2 (ja) | 2009-12-15 | 2014-07-16 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置 |
| ES2529616T3 (es) * | 2009-12-29 | 2015-02-23 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Composición de caucho de silicona líquida endurecible para conformar un elemento de sellado y elemento de sellado |
| CN102893417B (zh) * | 2010-03-23 | 2016-06-15 | 株式会社朝日橡胶 | 有机硅树脂制反射基材及其制造方法、以及用于该反射基材的原材料组合物 |
| WO2011136302A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置 |
| KR101277722B1 (ko) | 2010-07-14 | 2013-06-24 | 제일모직주식회사 | 하이브리드 실록산 중합체, 상기 하이브리드 실록산 중합체로부터 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자 |
| JP2012049519A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-03-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置 |
| CN101974228B (zh) * | 2010-10-11 | 2012-12-05 | 广州亿锘有机硅技术有限公司 | 一种发光元件封装用有机硅胶材料及其制备方法 |
| CN102115605B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-12-04 | 东莞市良展有机硅科技有限公司 | 一种封装硅胶的制备方法、制品及其应用 |
| JP6300218B2 (ja) | 2010-12-31 | 2018-03-28 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子 |
| WO2013008842A1 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
| JP5839880B2 (ja) * | 2011-08-04 | 2016-01-06 | 日東電工株式会社 | シリコーン樹脂組成物、封止材料および発光ダイオード装置 |
| JP6057503B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2017-01-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子 |
| CN103827218B (zh) * | 2011-12-08 | 2016-03-16 | 迈图高新材料日本合同公司 | 氢硅烷化固化型硅橡胶组合物 |
| KR101946914B1 (ko) | 2012-06-08 | 2019-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
| WO2014019195A1 (en) | 2012-08-02 | 2014-02-06 | Henkel (China) Company Limited | Curable compositions for LED encapsulants comprising a polycarbosilane and a hydrosilicone |
| KR20150037956A (ko) | 2012-08-02 | 2015-04-08 | 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 | 폴리카르보실란 및 이를 포함하는 led 캡슐화제 용의 경화성 조성물 |
| JP5524424B1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-06-18 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 光半導体素子封止用シリコーン組成物および光半導体装置 |
| JP5851970B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2016-02-03 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びled装置 |
| WO2014084624A1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 코오롱생명과학 주식회사 | 광디바이스용 경화형 투명 실리콘 조성물 |
| WO2014088451A1 (ru) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Vishnyakov Anatoly Vasilyevich | Способ получения модифицированных трехцветных светодиодных источников белого света |
| CN103013433B (zh) * | 2012-12-27 | 2014-04-09 | 广州天赐有机硅科技有限公司 | 一种高透明、高折光、自粘结的有机硅材料及其制备方法 |
| KR20140103696A (ko) * | 2013-02-19 | 2014-08-27 | 한국다우코닝(주) | 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름 |
| JP6010503B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2016-10-19 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス |
| CN103320087A (zh) * | 2013-06-03 | 2013-09-25 | 曹坚林 | 一种液体光学透明有机硅材料及其制备方法 |
| CN105440694B (zh) * | 2014-08-27 | 2018-01-23 | 广州慧谷化学有限公司 | 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法及半导体器件 |
| AU2015337799B2 (en) * | 2014-10-28 | 2018-02-01 | Maxheat Hot Water Pty Ltd | Hot water storage device |
| WO2016098883A1 (ja) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 難燃性ポリオルガノシロキサン組成物、難燃性硬化物、光学用部材、光源用レンズまたはカバー、および成形方法 |
| CN105778515A (zh) | 2014-12-26 | 2016-07-20 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种无卤无磷硅树脂组合物以及使用它的预浸料、层压板、覆铜板以及印制电路板 |
| JP6544962B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-07-17 | 東レエンジニアリング株式会社 | Ledモジュールおよびledモジュールの製造方法 |
| JP2017206622A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス |
| CN106147602A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-11-23 | 天津凯华绝缘材料股份有限公司 | 一种电子元件封装用有机硅组合物及其制备方法 |
| KR20180034937A (ko) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 | 유기 전자 소자 봉지재용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 봉지재 |
| CN112041376B (zh) * | 2018-04-16 | 2023-04-04 | 信越化学工业株式会社 | 有机el用透明干燥剂及其使用方法 |
| TW201946976A (zh) | 2018-05-11 | 2019-12-16 | 美商陶氏有機矽公司 | 可固化聚矽氧組成物及其固化產物 |
| TWI863907B (zh) | 2018-05-11 | 2024-12-01 | 美商陶氏有機矽公司 | 製造用於可撓式顯示裝置之聚矽氧背板之方法,可撓式顯示器及電子裝置 |
| JP7014745B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2022-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光学素子 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232460A (ja) | 1986-04-01 | 1987-10-12 | Toray Silicone Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JP3270489B2 (ja) | 1991-01-30 | 2002-04-02 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| US5717010A (en) * | 1992-01-23 | 1998-02-10 | General Electric Company | Low compression set silicone elastomers |
| WO1994006862A1 (en) | 1992-09-21 | 1994-03-31 | Thermoset Plastics, Inc. | Thermoplastic modified, thermosetting polyester encapsulants for microelectronics |
| GB9317813D0 (en) * | 1993-08-27 | 1993-10-13 | Dow Corning Sa | Silicone emulsion compositions |
| JP3553632B2 (ja) * | 1994-03-16 | 2004-08-11 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| JP3615784B2 (ja) * | 1994-04-21 | 2005-02-02 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 光学素子用樹脂組成物及び光学素子 |
| JPH1112470A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 高電圧電気絶縁部品用液状シリコーンゴム組成物 |
| US6124407A (en) * | 1998-10-28 | 2000-09-26 | Dow Corning Corporation | Silicone composition, method for the preparation thereof, and silicone elastomer |
| US6262188B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-07-17 | General Electric Company | Functionalized MQ resin as an adhesion enhancing additive |
| JP3523098B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2004-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物 |
| JP3595731B2 (ja) | 1999-06-21 | 2004-12-02 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置封止用付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置 |
| CN1399665A (zh) * | 1999-11-30 | 2003-02-26 | 科宁O.T.I.公开有限公司 | 将光学纤维组件固定在光学设备中的方法、所获得的光学设备和其中使用的聚合物组合物 |
| KR100549655B1 (ko) * | 2000-04-21 | 2006-02-08 | 카네카 코포레이션 | 경화성 조성물, 광학 재료용 조성물, 광학 재료,액정표시장치, 투명전도성 필름 및 이의 제조방법 |
| JP3910080B2 (ja) | 2001-02-23 | 2007-04-25 | 株式会社カネカ | 発光ダイオード |
| JP4880837B2 (ja) | 2001-09-05 | 2012-02-22 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物および硬化物 |
| JP2004002810A (ja) | 2002-04-18 | 2004-01-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光学材料用硬化性組成物、光学用材料、光学用材料の製造方法および光学材料を用いた発光ダイオード |
| JP4360595B2 (ja) | 2002-10-18 | 2009-11-11 | ペルノックス株式会社 | 光電変換装置 |
| JP4409160B2 (ja) * | 2002-10-28 | 2010-02-03 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP2004186168A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物 |
| US20040138396A1 (en) | 2003-01-13 | 2004-07-15 | Gabriel Karim M. | Resins and diluents for use in single component low volatile organic |
| US7160972B2 (en) * | 2003-02-19 | 2007-01-09 | Nusil Technology Llc | Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index |
| JP4766222B2 (ja) | 2003-03-12 | 2011-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
| TW200427111A (en) | 2003-03-12 | 2004-12-01 | Shinetsu Chemical Co | Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device |
| JP2004323764A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Ge Toshiba Silicones Co Ltd | 接着性ポリオルガノシロキサン組成物 |
| JP2004359756A (ja) | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd | Led用封止剤組成物 |
| JP2005008657A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-13 | Ge Toshiba Silicones Co Ltd | 低透湿性ポリオルガノシロキサン組成物 |
| TWI373150B (en) | 2003-07-09 | 2012-09-21 | Shinetsu Chemical Co | Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device |
| JP4586967B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2010-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
| US7287573B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-10-30 | General Electric Company | Silicone binders for investment casting |
| KR100603247B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-07-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP2006137895A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Ge Toshiba Silicones Co Ltd | 光学材料用ポリオルガノシロキサン組成物 |
-
2005
- 2005-07-22 US US11/795,603 patent/US8293849B2/en active Active
- 2005-07-22 WO PCT/JP2005/013451 patent/WO2006077667A1/ja not_active Ceased
- 2005-07-22 EP EP15179426.0A patent/EP2955206A1/en not_active Withdrawn
- 2005-07-22 JP JP2006553818A patent/JP5705396B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-22 EP EP05766435.1A patent/EP1845133B1/en not_active Revoked
- 2005-07-22 KR KR1020077016713A patent/KR101158955B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2005-07-22 CN CN2005800471634A patent/CN101107324B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-07-26 TW TW94125303A patent/TWI277635B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-06-05 US US13/489,140 patent/US8637628B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014035718A patent/JP5638714B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080160322A1 (en) | 2008-07-03 |
| JP2014168060A (ja) | 2014-09-11 |
| JP5638714B2 (ja) | 2014-12-10 |
| WO2006077667A1 (ja) | 2006-07-27 |
| EP2955206A1 (en) | 2015-12-16 |
| TW200626677A (en) | 2006-08-01 |
| US8293849B2 (en) | 2012-10-23 |
| EP1845133B1 (en) | 2015-10-14 |
| CN101107324A (zh) | 2008-01-16 |
| US20120306363A1 (en) | 2012-12-06 |
| CN101107324B (zh) | 2012-02-01 |
| KR20070097075A (ko) | 2007-10-02 |
| KR101158955B1 (ko) | 2012-06-21 |
| US8637628B2 (en) | 2014-01-28 |
| EP1845133A1 (en) | 2007-10-17 |
| EP1845133A4 (en) | 2011-11-30 |
| HK1116208A1 (zh) | 2008-12-19 |
| JP5705396B2 (ja) | 2015-04-22 |
| JPWO2006077667A1 (ja) | 2008-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI277635B (en) | Silicone composition for encapsulating luminescent element and luminescent device | |
| TWI786207B (zh) | 硬化性粒狀聚矽氧組成物、其硬化物、及其製造方法 | |
| TWI701295B (zh) | 硬化性有機聚矽氧烷組合物,包含其之半導體密封劑及半導體裝置 | |
| TWI831733B (zh) | 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法 | |
| US11136437B2 (en) | Curable particulate silicone composition, semiconductor member comprising curable particulate silicone composition, and method for molding semiconductor member | |
| JP5587148B2 (ja) | 自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物 | |
| EP3045499B1 (en) | Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device | |
| CN103881388B (zh) | 固化性硅酮树脂组合物、其固化物及光半导体装置 | |
| JP5602385B2 (ja) | 接着性ポリオルガノシロキサン組成物 | |
| TWI786120B (zh) | 固化性有機矽組合物、由其構成之光反射材料、及其製造方法 | |
| US11555119B2 (en) | Curable granular silicone composition, semiconductor member comprising same, and forming method thereof | |
| JP6532986B2 (ja) | 硬化性シリコーン組成物 | |
| JP6057503B2 (ja) | 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子 | |
| TW201817817A (zh) | 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之光反射材料、及其製造方法 | |
| CN103562321B (zh) | 半导体密封用有机硅组合物 | |
| TW200813162A (en) | Semiconductor device encapsulated by silicone resin composition, and silicone resin tablet for encapsulating semiconductor device | |
| KR20120024474A (ko) | 부가 경화형 실리콘 조성물, 상기 조성물을 포함하는 광학 소자 밀봉재, 및 이 광학 소자 밀봉재의 경화물에 의해 광학 소자가 밀봉된 반도체 장치 | |
| JP2007063538A (ja) | 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物 | |
| JP2013209454A (ja) | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 | |
| EP3710544A1 (en) | Hydrosilylation-curable silicone composition | |
| CN108795049B (zh) | 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、以及光学半导体装置 | |
| CN103571209A (zh) | 加成固化型硅酮组合物、及半导体装置 | |
| CN110382625A (zh) | 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件 | |
| TWI801654B (zh) | 加成硬化型聚矽氧組成物及半導體裝置 | |
| CN116731519A (zh) | 可固化的硅酮组合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |