TW200914994A - Radiation-sensitive composition and compound - Google Patents

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200914994 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種敏輻射線性組成物，更詳言之，尤 其是關於可藉由電子束（以下有時記爲「E B」）或極紫外線 (以下有時記爲「EUV」）適於形成細微圖案之正型敏輻射 線性組成物以及有關可獲得該敏輻射線性組成物之化合物 【先前技術】 積體電路元件製造中所代表之細微加工領域，爲了獲 得更高積體度之積體電路，而急速發展微影蝕刻中設計嵌 線之細微化，因而強烈積極推展可安定進行細微加工之微 影蝕刻製程之開發。 但，過去所使用之例如使用KrF、ArF準分子雷射之 微影蝕刻製程，難以以高精度形成細微圖案。因此，最近 爲了達成細微加工，因此提出有使用電子束代替KrF、 ArF準分子雷射之微影蝕刻製程。 作爲使用此電子束之微影蝕刻製程中所用之電子束光 阻材料，已提案有例如（ΟΡΜΗA(聚甲基丙烯酸甲酯）等之 甲基丙烯酸系主鏈切斷型正光阻劑（例如參照專利文獻1、 2) ; (2)具有以酸解離性基部分保護之聚羥基苯乙烯系樹 脂（KrF準分子用樹脂）及酚醛清漆（i線用樹脂）及酸產生劑 之化學增幅型正光阻劑（例如參照非專利文獻1); (3)含有 具有杯芳烴（calixarene)、富勒烯（fuUerene)等之薄膜形成 200914994 能（非晶形性）之有機低分子之正及負型光阻劑（例如，參 照專利文獻3〜1 1 )、使用多元酚化合物之光阻劑（例如，參 照專利文獻12〜13)等。又，亦提案有含有1,3, 5 -參[4-(2 -第 三丁氧基羰基氧基）苯基]苯作爲除杯芳烴、富勒烯以外之 具有薄膜形成能之有機低分子之化學增幅型光阻劑（例如 ，參照非專利文獻2)。 [專利文獻1]特開2000-147777號公報 [專利文獻2]特開平1 1 -296 1 2號公報 [專利文獻3 ]特開平1 1 - 3 2 2 6 5 6號公報 [專利文獻4 ]特開平1 1 - 7 2 9 1 6號公報 [專利文獻5]特開平9-23 69 1 9號公報 [專利文獻6]國際公開第2005/075 3 9 8號說明書 [專利文獻7]特開平7- 1 3 44 1 3號公報 [專利文獻8]特開平9-2 1 1 862號公報 [專利文獻9]特開平1〇_28 2649號公報 [專利文獻10]特開平1 1 - 1 43074號公報 [專利文獻1 1]特開平1 1 -25 8796號公報 [專利文獻12]特開2006-267996號公報 [專利文獻13]特開2006-235340號公報 [非專利文獻 l]Proc. SPIE. VOL5376 75 7-764(2004) [非專利文獻 2]J. Photo Sci. and Tech. VOL12 No2 375-376(1999) 【發明內容】 -6- 200914994 然而’上述電子束光阻劑材料中，（丨）之正型光阻劑 在蝕刻抗性、敏感度上有問題，而難以實用化。例如，爲 了改善敏感度雖提案有使用聚第三丁基α_氯甲基苯乙烯 者’或於樹脂末端導入容易以電子束切斷之原子（Ν、0、 S)者（專利文獻1、2)，但雖認爲敏感度有某種程度的改良 ，惟在敏感度、蝕刻抗性方面亦未到達實用之程度。另外 ，（2)之化學增幅型正光阻劑（例如，非專利文獻丨）雖敏度 高’但由於使用樹脂’使形成細微圖案時有微小表面凹凸 之問題。此處’所謂微小表面凹凸，意指於光阻劑之圖案 與基板界面之邊緣，肇因於光阻劑之特性，由於與直線方 向垂直之方向不規則變動，而自圖案正上方觀看時，邊緣 看起來凹凸者。以光阻劑作爲光罩藉由蝕刻步驟意外地使 該凹凸轉印，故電特性意外地劣化，發生良率降低。尤其 ，於0 · 1 5 μηι以下之超微細領域中微小表面凹凸之改良成 爲極重要的課題。（3)之光阻劑中，使用杯芳烴之光阻劑（ 例如專利文獻3〜5 )之蝕刻抗性雖優異，但構造上之分子間 相互作用非常強，對顯像液之溶解性惡化故而無法獲得令 人滿足之圖案。又，關於使用杯芳烴衍生物之化合物雖有 報告（例如參見專利文獻6)，但關於微小表面凹凸之性能 則尙未明確。 又，使用富勒烯之光阻劑（例如專利文獻7 ~ 1 1)雖蝕刻 抗性良好，但塗佈性及敏感度尙未到達時用程度之地步。 又，含有1,3,5-參[4-(2-第三丁氧基羰基氧基）苯基]苯作爲 除杯芳烴、富勒烯以外之具有薄膜形成能之有機低分子之 200914994 化學增幅型光阻劑（例如，非專利文獻2)其塗佈性、與基 板之接著性及敏感度方面並不充分，並未到達實用程度° 再者，使用多元酚之光阻劑（例如專利文獻1 2〜1 3 )關於解 性度雖良好，但敏感度尙未到達實用程度。 本發明係鑑於如此先前技術所具有之問題點所完成者 ，作爲其課題係提供一種可成膜爲對電子束或極紫外線可 有效感應、微小表面凹凸、蝕刻抗性、敏感度優異、可高 精度且安定地形成微細圖案之化學增幅型正型光阻劑膜之 敏輻射線性組成物以及可獲得此敏輻射線性組成物之化合 物。 本發明人等對欲達成上述課題而進行廣泛檢討之結果 ，發現藉由具有特定構造之化合物以及含有該化合物及敏 輻射線性酸產生劑之敏輻射線性組成物，可達成上述課題 ，因而完成本發明。 亦即，本發明提供一種以下所示之化合物及敏輻射線 性組成物。 [1 ] 一種敏輻射線性組成物，包含（a )以下列通式（1 )表 示之化合物，及（b)藉由輻射線照射而產生酸之敏輻射線 性酸產生劑， 200914994 [化1]

(通式（1)中，R 各獨此爲氫原子或1儐酸解離性基’ R丨彼此 :立爲經取代或未經取代之伸甲基或…之經取代: 未經取代之伸院基，Y彼此獨立爲碳數Μ。之經取代= Γ谓基、碳數一取代或未經取代之稀基: ==Γ未經取代之炔基、碳數—取代或 基久‘:;基未：數1〜10之經取代或未經取代之院氧 。 代或未經取代之苯氧基，q ί皮此獨立爲0或！） [概述⑴之敏輻射線性組成物，其中以上述通式 不之化合物爲以下列通式（2)表示之化合物： 200914994 【化2】

(2) (通式（2)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，R1彼此 獨立爲經取代或未經取代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或 未經取代之伸烷基）。 [3 ]如上述[2 ]之敏輻射線線組成物，其中以上述通式 (2)表示之化合物爲以下列通式（3)表示之化合物： 【化3】

(3) (通式（3 )中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基）。 -10- 200914994 [4 ]如上述[1 ]至[3 ]中任一項之敏輻射線性組成物，其 中上述酸解離性基爲以下列通式（4-1)或（4-2)表示之基： 【化4】

R4 (4-1) (4-2) (通式（4_1)中，R2爲經可含雜原子之取代基取代或未經取 代之碳數1〜40之具有直鏈狀、分支狀或環狀構造之烷基， η爲0〜3之整數，又通式（4-2)中，R3爲經可含雜原子之取 代基取代或未經取代之碳數1〜40之具有直鏈狀、分支狀或 環狀構造之烷基，R4爲氫原子或碳數1~5之烷基）。 [5 ]如上述[4 ]之敏輻射線性組成物，其中上述通式（4 -1)中之R2爲第三丁基、2-甲基-2-金剛烷基、2_乙基-2-金 剛烷基、1-乙基環戊基或1-甲基環戊基，且η爲0或1，上 述通式（4-2)中之R3爲金剛烷基且R4爲氫原子，或R4爲甲 基且R3爲2 -甲基-2-金剛院基，或R4爲甲基且R3爲2 -乙 基-2-金剛烷基。 [6]如上述[5]之敏輻射線性組成物，其中上述（b)敏輻 射線性酸產生劑係選自由鑰鹽、重氮甲院化合物及磺醯亞 胺化合物所組成之群組之至少一種。 [7 ]如上述[1 ]至[6 ]任一項之敏輻射線性組成物，其進 一步含有（c)酸擴散控制劑。 -11 - 200914994 [8]—種以下列通式（1)表示之化合物， 【化5】

(通式（1 )中 一 —m哄阱離性基， 中至少-個爲酸解離性基，，此獨立爲經取代或未R 代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或未經取代之伸垸基經取 彼此獨立爲碳數1〜10之經取代或未經取代之烷基、，’ Y 2:10之經取代或未經取代之烯基、碳數2〜丨。之：取代：數 韃取代之炔基、碳數H。之經取代或未經取代之芳烷：未 碳數卜10之經取代或未經取代之烷氧基、或經取代：： 取代之苯氧基，q彼此獨立爲〇或丨）。 〜 [9]如上述[8]之化合物，其係以下列通式（2)表示： -12- 200914994 【化6】

(2) (通式（2)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，且R 中至少一個爲酸解離性基，R 1彼此獨立爲經取代或未經取 代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或未經取代之伸烷基）。 [10]如上述[9]之化合物，其係以下列通式（3)表示： 【化7】

(3)

(通式（3)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，且R -13- 200914994 中至少一個爲酸解離性基）° [11]如上述[1〇]之化合物’其中上述酸解離性基爲以 下式（4-1)或（4-2)表示之基：

(通式（4- 1 )中，R2爲經可含雜原子之取代基取代或未經取 代之碳數1〜4〇之具有直鏈狀、分支狀或環狀構造之院基， η爲0〜3之整數，又，通式（4-2)中’ R3爲經可含雜原子之 取代基取代或未經取代之碳數1〜40之具有直鏈狀、分支狀 或環狀構造之烷基，R4爲氫原子或碳數1〜5之烷基）。 本發明之敏輻射線性組成物爲可成膜爲對電子束或極 紫外線可有效感應、微小表面凹凸、蝕刻抗性、敏感度優 異、可高精度且安定地形成微細圖案之化學增幅型正型光 阻劑膜而發揮效果者。 本發明之化合物爲可獲得可成膜爲對電子束或極紫外 線可有效感應、微小表面凹凸、蝕刻抗性、敏感度優異、 可高精度且安定地形成微細圖案之化學增幅型正型光阻劑 膜之敏輻射線性組成物而發揮效果者。。 [實施發明的最佳形態] -14- 200914994 以下，說明本發明實施之最佳形態，但本發明並不受 下列實施形態之限制，在不脫離本發明精神之範圍內’熟 悉本技藝者可基於熟知知識，對以下之實施形態進行適當 的改變、改良等，但須了解該等均屬本發明之範圍。 π]化合物： 本發明化合物爲以下列通式（1)表示之化合物（以下有 時稱爲「（a)化合物」）。此（a)化合物爲具有鍵結於苯環上 之複數個羥基，且該羥基中之至少一個具有以酸解離性基 保護之構造之含酸解離性基（修飾）之化合物。據此，（a)ft 合物爲藉由酸解離其酸解離性基，使上述酸解離性基脫離 後，成爲鹼可溶性者。

1且R中 未經取代 通式（1)中’ R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基 至少一個爲酸解離性基。R1彼此獨立爲經取代$ -15- 200914994 之伸甲基或碳數2〜8之經取 μ n 4未經取代之伸 此獨立爲碳數丨〜丨0之經取 ，γ彼 丨、-义禾經取代之烷基 之經取代或未經取代之烯基、 如數2〜1〇 峨數2〜1 〇之經取佧Bf· +卜 代之炔基 '碳數7〜1()之經取代 次未經取 丁工取代或未經取代之芳烷 之經取代或未經取代之院氧 碳數 夕芏~宜 楚或經取代或未經取什

乙本氧基。q彼此獨立爲〇或1。 R 其中較佳爲以下列通式（2)表示之構造： 【化1 0】

通式（2)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，且 R中至少一個爲酸解離性基’ R1彼此獨立爲經取代或未經 取代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或未經取代之伸烷基 更好爲以下列通式（3)表示之化合物： -16- 200914994 【化1 !】

通式（3 )中’ R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基’且 R中至少一個爲酸解離性基。 上述（a)化合物可藉由例如以下列方法製造獲得前驅 物後，於該前驅物中導入至少一個酸解離性基而獲得。 首先，可例如在溶劑中’於觸媒存在下使以下列通式 (5)表示之化合物與以下式（6)表示之化合物’於反應時間 12小時〜50小時、反應溫度60〜9(TC之條件下脫水縮合，而 獲得用以製造上述（a)化合物之前驅物。上述觸媒可舉例 爲例如酸觸媒等。至於觸媒可使用例如鹽酸等。觸媒之用 量於例如間苯二酚20毫莫耳（官能基當量4〇毫莫耳）及it 己二胺5毫莫耳（官能基當量10毫莫耳）之反應系統中爲ι·5 毫升之1 2當量濃度之濃鹽酸。 -17- 200914994

【化1 3】 〇HC——(CH2)4——CHO (6) 再者’以上述通式（5)表示之化合物（以下有時稱爲「 化合物（5 )」）與以上式（6)表示之化合物（以下有時稱爲「 化合物（6)」）之混合比並無特別限制，但由收率之觀點而 固’相對於1莫耳之化合物（6)，化合物（5)較好在 8·00〜1.00莫耳之間’更好在6.00~2.00莫耳之間，且最好 在5.00〜3.00莫耳之間。若化合物（5)未達ι·〇〇莫耳，則有 目標化合物收率降低之情況。另一方面，若超過8.00莫耳 ’則有目標化合物收率降低之情況。 又’反應溶液中之基質濃度（化合物（5 )與化合物（6 )之 合計濃度）並無特別限制，但就收率之觀點而言，較好爲2 旲耳/升以上’更好爲4莫耳/升以上，且最好在4〜1〇莫耳/ 升之範圍。單體濃度若未達2莫耳/升，則有目標化合物收 率降低之情況。溶劑可使用例如乙醇、異丙醇、正丙醇等 ，該等中，就獲得高收率而言，較好爲乙醇。 溶劑之用量在例如間苯二酚20毫莫耳（官能基當量4〇 -18- 200914994 毫莫耳）及1，6 -己二胺5毫莫耳（官能基當量1〇毫莫耳）之反 應系統中爲4.5毫升。 接著’於溶劑中’於酸或鹼存在下，使上述前驅物與 具有以下述通式（4-1)或通式（4-2)表示之基之化合物，在 反應時間1小時~ 2 0小時、反應溫度-2 0〜1 〇 〇 之條件下反 應’獲得上述（a)化合物。 又’上述前驅物與具有以通式（4-1)或通式（4-2)表示 之基之化合物混合比並無特別限制，但就收率之觀點而言 ’相對於1莫耳之上述前驅物，具有以上述通式（d)或通 式（4-2)表示之基之化合物較好爲1莫耳以上，更好爲5~2〇 莫耳。具有以上述通式（‘；!）或通式（4_2)表示之基之化合 物若未達1莫耳’則有目標化合物收率降低之情況。另一 方面’若上述前驅物之羥基全部經保護，則有微小表面凹 凸惡化之情況。 上述通式（3)中之R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基 。其中’ R中至少一個較好爲氫原子。上述酸解離性基其 構造並無特別限制，但較好爲例如以下列通式（4 -1)或（4 -2)表示之基。而且，上述通式（3)中之R經複數個酸解離 性基取代時’ R可爲各獨立爲以下列通式（4-1)或（4-2)表 示之基： -19- 200914994 【化1 4】

R4 (4-1) (4-2) 通式（4-1)中，R2爲具有經可含雜原子之取代基取代 或未經取代之碳數1〜40之直鏈狀、分支狀或環狀構造之烷 基’ η爲〇〜3之整數。又，通式（4_2)中，R3爲具有經可含 雜原子之取代基取代或未經取代之碳數丨〜4〇之直鏈狀、分 支狀或環狀構造之烷基，R 4侄气百不 ^ t_ R爲氫原子或碳數1〜5之烷基。 以上述通式（4-1)表$ 不之基可舉例爲例如以下列通式 (7-1)〜（7-9)表示之基： 【化1 5】

(7-3) (7-4) 20- 200914994

(7-7) 【化1 6 (7-8) R5 【化1 7】 〇 R5 (7-9) II I , -C-O-C-R5 R5 (以上述通式（7-1)〜（7-9)表示之基中，R5爲碳數1〜5之烷基 ，η爲1〜3之整數）。 又，以上述通式（7-1)〜（7-9)表示之基中較佳爲以通式 (7-1)、（7-8)或（7-9)表示之基。 上述通式（7-1)〜（7-9)中之R5爲低級烷基（碳數1〜5之院 基），具體而言可舉例爲甲基、乙基、丙基、異丙基、正 -21 - 200914994 丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基等之低 級直鏈狀或分支狀烷基。該等中較好爲甲基或乙基，更好 爲曱基。 又，上述通式（4-1)中之R2具體而言較好爲2-甲基-2-金剛烷基、2-乙基-2-金剛烷基、1-乙基環戊基或1-甲基環 戊基、第三丁基。 又，以上述通式（4-1)表示之基具體而言較好爲2 -甲 基-2-金剛院基氧基滕基甲基、2 -乙基-2-金剛院基氧基羯 基甲基、1-乙基環戊基氧基羰基甲基、1-甲基環戊基氧基 羰基甲基、第三丁氧基羰基甲基、第三丁氧基羰基。 以上述通式（4-2)表示之基可舉例爲例如以下列通式 (8-1)〜（8-14)表示之基。 【化1 8】

-22 - 200914994

(8-5) (8-6)

【化1 9】

(8-13) (8-14) -23 - 200914994 上述通式（8_1)~(8-14)中’ R4及R5爲氫原子或碳數ι~5 之烷基。至於碳數1〜5之烷基可舉例爲例如甲基、乙基、 丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊 基、新戊基等低級直鏈狀或分支狀烷基。又，上述通式 (8-1)〜（8-10)中，m爲0〜2之整數，且較好爲0或1。 以上述通式（4-2)表示之基具體而言較好爲2-金剛院基 氧基甲基、以下列通式（9)、下列通式（1〇)或下列通式;（1 υ 表取之基： 【化2 0】

【化2 1】

(9) (10)

(11) [2]敏輻射線性組成物： 本發明之敏輻射線性組成物爲包含上述（a)化合物及 -24- 200914994 (b)藉由照射輻射線產生酸之敏輻射線性酸產生劑。本發 明之敏輻射線性組成物藉由含有（a)化合物而成爲含有具 有苯環骨架之化合物，故鈾刻抗性優異。又，本發明之敏 輻射線性組成物所含之（a)化合物爲非樹脂之低分子化合 物，故不會引起因樹脂而造成之凝聚，因此微小表面凹凸 優異。另外，本發明之敏輻射線性組成物由於導入與化學 增幅型光阻劑相同之酸解離性基，因此敏感度優異。因而 ，在微影蝕刻製程中，對電子束或極紫外線可有效感應、 微小表面凹凸、蝕刻抗性、感度優異、可以高精度且安定 地形成細微圖案。 [2-1]敏輻射線性酸產生劑： 上述（b)敏輻射線性酸產生劑爲可在微影蝕刻製程中 以電子束等照射敏輻射線性組成物時，在敏輻射線性組成 物內產生酸之物質，藉由該產生酸之作用可使既有之上述 (a)化合物之酸解離性基解離。 (b)敏輻射線性酸產生劑就酸產生效率、耐熱性等良 好之觀點，較好爲選自由鑰鹽、重氮甲烷化合物及磺醯亞 胺化合物組成之群組之至少一種。而且，該等可單獨使用 或組合複數種使用。 鑰鹽可舉例爲例如碘鑰鹽、锍鹽、錢鹽、重氮鑰鹽、 吡啶鑰鹽等。其中，鑰鹽之具體例爲三苯基毓三氟甲烷磺 酸鹽、三苯基锍九氟正丁烷磺酸鹽、三苯基锍苯磺酸鹽、 三苯基鏑1 0-樟腦磺酸鹽、三苯基毓全氟正辛烷磺酸鹽、 -25- 200914994 三苯基锍4_三氟甲基苯磺酸鹽、三苯基毓萘磺酸鹽、三苯 基鏑全氟苯磺酸鹽、三苯基鏑1，1，2,2 -四氟-2-(四環 [4,4,0，125,17’1()]十二烷-8-基）乙烷磺酸鹽、三苯基锍1，1-二氟-2-(雙環[2.2.1]庚烷-2-基）乙烷磺酸鹽； (4-第三丁氧基苯基）二苯基鏑三氟甲烷磺酸鹽、（4-第 三丁氧基苯基）二苯基鏑九氟正丁烷磺酸鹽、（4-第三丁氧 基苯基）二苯基銃全氟正辛烷磺酸鹽； (4_羥基苯基）二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、（4-羥基苯基 )二苯基鏑九氟正丁烷磺酸鹽' (4_羥基苯基）二苯基毓全氟 正辛烷磺酸鹽、（4-羥基苯基）二苯基毓1〇_樟腦磺酸鹽、 (4 -羥基苯基）二苯基锍正辛烷磺酸鹽； 參（4 -甲氧基苯基）鏑三氟甲烷磺酸鹽、參（4 -甲氧基苯 基）锍九氟正丁烷磺酸鹽、參（4 -甲氧基苯基）锍全氟正辛烷 磺酸鹽、參（4-甲氧基苯基）錡ι〇_樟腦磺酸鹽； (4 -氟苯基）一苯基鏡三氟甲院磺酸鹽、（4 -氟苯基）二 苯基鏑九氟正丁烷磺酸鹽、（4 -氟苯基）二苯基锍10-樟腦磺 酸鹽；參（4 -氟苯基）锍三氟甲烷磺酸鹽、參（4_氟苯基）锍 九氟正丁烷磺酸鹽、參（4-氟苯基）锍10-樟腦烷磺酸鹽、參 (4-氟苯基）锍對甲苯磺酸鹽、參（4-三氟甲基苯基）鏑三氟 甲烷磺酸鹽； 2,4,6-三甲基苯基二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、2,4,6-三 甲基苯基二苯基锍2,4·二氟苯磺酸鹽、2,4,6-三甲基苯基 二苯基锍4 -三氟甲基苯磺酸鹽； 二苯基碘鐵三氟甲烷磺酸鹽、二苯基碘鑰九氟正丁烷 -26- 200914994 磺酸鹽、二苯基碘鑰全氟正辛烷磺酸鹽、二苯基碘鎗1〇-樟腦磺酸鹽、二苯基碘鑰正辛烷磺酸鹽； 雙（4-第三丁基苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、雙（4-第三 丁基苯基）碘鐵九氟正丁烷磺酸鹽、雙（4_第三丁基苯基）碘 鑰全氟正辛烷磺酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘鑰10-樟腦磺 酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘鑰正辛烷磺酸鹽； (4-甲氧基苯基）苯基碘鎗三氟甲烷磺酸鹽、（4-甲氧基 苯基）苯基碘鎗九氟正丁烷磺酸鹽、（4_甲氧基苯基）苯基碘 鎗全氟正辛烷磺酸鹽； (4-氟苯基）苯基碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、（4-氟苯基）苯 基碘鑰九氟正丁烷磺酸鹽、（4-氟苯基）苯基碘鎗10-樟腦磺 酸鹽； 雙（4-氟苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、雙（4-氟苯基）碘 鐡九氟正丁烷磺酸鹽、雙（4-氟苯基）碘鎗10-樟腦磺酸鹽： 雙（4-氯苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、雙（4_氯苯基）碘 鑰九氟正丁烷磺酸鹽 '雙（4-氯苯基）碘鑰全氟正辛烷磺酸 鹽、雙（4_氯苯基）碘鑰10-樟腦磺酸鹽、雙（4-氯苯基）碘鑰 正辛烷磺酸鹽、雙（4-氯苯基）碘鑰4-三氟甲基苯磺酸鹽、 雙（4_氯苯基）碘鑰全氟苯磺酸鹽； 雙（4-三氟甲基苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、雙（4-三氟 甲基苯基）碘鑰九氟正丁烷磺酸鹽、雙（4_三氟甲基苯基）碘 鐵全氟正辛烷磺酸鹽、雙（4-三氟甲基苯基）碘鑰正十二烷 基苯磺酸鹽、雙（4-三氟甲基苯基）碘鑰對甲苯磺酸鹽、雙 (4-三氟甲基苯基）碘鑰苯磺酸鹽、雙（4-三氟甲基苯基）碘 -27- 200914994 鐵1 〇 -樟腦磺酸鹽、雙（4 -三氟甲基苯基）碘鎗正辛烷磺酸鹽 、雙（4-三氟甲基苯基）碘鎗4 -三氟甲基苯磺酸鹽、雙（4 -三 氟甲基苯基）碘鐵全氟苯擴酸鹽， 該等中較佳爲三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、三苯基鏑九 氟正丁院磺酸鹽、三苯基锍1 0 -樟腦磺酸鹽、（4 -羥基苯基） 二苯基毓三氟甲烷磺酸鹽、（4_羥基苯基）二苯基毓九氟正 丁烷磺酸鹽、參（4 -甲氧基苯基）毓三氟甲烷磺酸鹽、參（4_ 甲氧基苯基）锍九氟正丁烷磺酸鹽、（4 -氟苯基）二苯基毓三 氟甲烷磺酸鹽、（4 -氟苯基）二苯基鏡九氟正丁烷磺酸鹽、 2,4,6-三甲基苯基二苯基鏡三氟甲烷磺酸鹽、2,4,6 -三甲基 苯基二苯基鏑2,4-二氟苯磺酸鹽、2,4,6-三甲基苯基二苯 基蔬4 -三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基碘:鍚二氟甲院擴酸鹽、 二苯基碘鑰九氟正丁烷磺酸鹽、二苯基碘鎗1 〇-樟腦磺酸 鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、雙（4-第三 丁基苯基）碘鐡九氟正丁烷磺酸鹽、雙（4-第三丁基苯基）碘 鑰10-樟腦磺酸鹽' (4-氟苯基）苯基碘鐵三氟甲烷磺酸鹽、 (4 -氟苯基）苯基碘鑰九氟正丁烷磺酸鹽、（4 -氟苯基）苯基 碘鑰10-樟腦磺酸鹽、雙（4_氟苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸鹽、 雙（4 -氟苯基）碘鐵九氟正丁烷磺酸鹽、雙（4·氟苯基）碘鑰 10-樟腦磺酸鹽、參（4 -三氟甲基苯基）鏑三氟甲烷磺酸鹽。 該等可單獨使用或以複數種組合使用。 重氮甲烷化合物可舉例爲例如雙（三氟甲烷磺醯基）重 氮甲烷、雙（環己基磺醯基）重氮甲烷、雙（3,3 -二甲基-1,5-二氧雜螺[5.5]十二烷-8-磺醯基）重氮甲烷、雙（1,4_二氧雜 -28- 200914994 螺[4 5]癸烷-7-磺醯基）重氮甲烷、雙（第三丁基磺醯基）重 氮甲烷等。 該等中較佳爲雙（環己基磺醯基）重氮甲烷、雙（3, 3-二 甲基-1,5-二氧雜螺[5.5]十二烷-8-磺醯基）重氮甲烷、雙 (1，4-二氧雜螺[4.5]癸烷-7-磺醯基）重氮甲烷。該等可單獨 使用或以複數種組合使用。 磺醯亞胺化合物舉例爲例如N-(三氟甲基磺醯基氧基） 雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯基 氧基）-7-氧雜雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧醯亞胺、N-(三 氟甲基磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯 亞胺， N-(10-樟腦磺醯基氧基）琥珀醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯 基氧基）酞醯亞胺、N-( 10-樟腦磺醯基氧基）-7-氧雜雙環 [2.2.1] 庚-5-烯-2,3-二羧醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯基氧基） 雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯亞胺、N-(10-樟腦磺 醯基氧基）萘醯亞胺、N-[(5-甲基-5-羧基甲基雙環[2.2.1] 庚烷-2-基）磺醯基氧基]琥珀醯亞胺； ^^-(正辛基磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧醯 亞胺、N-(正辛基磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯亞胺、 N-(全氟苯基磺醯基氧基）雙環[2_2.1]庚-5-烯-2,3-二羧 醯亞胺、N-(全氟苯基磺醯基氧基）-7-氧雜雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧醯亞胺、N-(全氟苯基磺醯基氧基）雙環 [2.2.1] 庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯亞胺、 -29- 200914994 N-(九氟正丁基磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二 羧醯亞胺、N-(九氟正丁基磺醯基氧基）-7 -氧雜雙環[2.2.1] 庚-5-烯-2,3-二羧醯亞胺、N-(九氟正丁基磺醯基氧基）雙 環[2.2.1]庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯亞胺、 N-(全氟正辛基磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二 羧醯亞胺、N-(全氟正辛基磺醯基氧基）-7-氧雜雙環[2.2.1] 庚-5-烯-2,3 -二羧醯亞胺、N-(全氟正辛基磺醯基氧基）雙 環[2.2.1]庚烷-5,6-氧基-2,3-二羧醯亞胺。 該等中較佳爲N-(三氟甲基磺醯基氧基）雙環[2.2.n 庚-5-烯-2,3 -二羧醯亞胺、N-(10 -樟腦磺醯基氧基）琥珀醯 亞胺、N-[(5-甲基-5-羧基甲基雙環[2.2.1]庚烷-2-基）磺醯 基氧基]琥珀醯亞胺。該等可單獨使用或複數種組合使用 〇 (b)敏輻射線性酸產生劑之用量相對於1 〇〇質量份之（a) 化合物較好爲0.1 ~3 0質量份，更好爲0.5〜2 5質量份。若（b) 敏輪射線性酸產生劑之用重未達〇 · 1質量份，則有感度及 顯像性降低之情況。另一方面，若超過3 0質量份，則有對 於輻射線之透明性 '圖案形狀、耐熱性等降低之情況。 [2-2](〇酸擴散抑制劑： 本發明之敏輻射線性組成物較好進一步含有（c)酸擴 散抑制劑。（c)酸擴散抑制劑可控制因曝光而自（b)敏輻射 線性酸產生劑產生之酸在光阻被膜中之擴散現象，且具有 在未曝光區域中抑制不期望化學反應作用之成分。藉由調 -30- 200914994 配如此之（C)酸擴散抑制劑’可提升所得敏輻射線性組成 物之儲存安定性’又’進一步提升作爲光阻劑之解像度’ 且抑制因自曝光至曝光後之加熱處理前之放置時間（PED) 改變而造成之光阻圖案線寬變化，而獲得製程安定性極優 異之敏輻射線性組成物。 至於（c)酸擴散控制劑較好爲例如含氮有機化合物或 感光性鹼性化合物。上述含氮有機化合物可舉例爲例如以 下列通式（12)表示之化合物（以下稱爲「含氮化合物（i)」） ，同一分子內含有2個氮原子之化合物（以下稱爲「含氮化 合物（ii)」）、具有3個以上氮原子之聚胺基化合物或聚合 物（以下通稱該等爲「含氮化合物（iii)」）、含醯胺基之化 合物、尿素化合物、含氮雜環化合物等。 【化2 3】 R6 (12) R6-N-R6 (上述通式（12)中，各R6彼此獨立爲氫原子、可經取代之 直鏈狀、分支狀或環狀烷基、可經取代之芳基、或可經取 代之芳烷基）。 含氮化合物（i)較好爲例如正己基胺、正庚基胺、正辛 基胺、正壬基胺、正癸基胺、環己基胺等單（環）烷基胺類 ;二正丁基胺、二正戊基胺、二正己基胺、二正庚基胺、 二正辛基胺、二正壬基胺、二正癸基胺、環己基甲基胺、 二環己基胺等二（環）烷基胺類；三乙胺、三正丙基胺、三 -31 - 200914994 正丁基胺、三正戊基胺、三正己基胺、三正庚基胺、三正 辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、環己基二甲基胺、甲 基二環己基胺、三環己基胺等之三（環）烷基胺類；三乙醇 胺等之經取代之院基胺；苯胺、N -甲基苯胺、N，N -二甲基 苯胺、2 -甲基苯胺、3_甲基苯胺、4_甲基苯胺、4_硝基苯 胺、二苯基胺、三苯基胺、萘胺、2,4,6-三第三丁基-N-甲 基苯胺、N -苯基二乙醇胺、2,6 -二異丙基苯胺等芳香族胺 含氮化合物（Η)較好爲例如乙二胺、N，N，N’，N’_四甲 基乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4二胺基二 苯基甲烷、4,4’ -二胺基二苯基醚、4，4’ -二胺基二苯甲酮 、4,4，-二胺基二苯基胺、2,2-雙（4-胺基苯基）丙烷、2-(3-胺基苯基）_2_(4 -胺基苯基）丙烷、2-(4 -胺基苯基）-2-(3 -羥 基苯基）丙烷、2-(4_胺基苯基）-2-(4 -羥基苯基）丙烷、ι，4-雙[1-(4-胺基苯基）-卜甲基乙基]苯 ' 丨，3-雙[丨气4-胺基苯基 )_1_甲基乙基]苯、雙（2-二甲基胺基乙基）醚、雙（2_二乙基 胺基乙基）醚、1-(2-羥基乙基）-2-咪唑啶酮、2-羥基唾噁啉 、N，N，N，，N，-肆（2-羥基丙基）乙二胺、N，N,N’，N，’，N，，-五甲 基二伸乙基三胺等。 含氮化合物（iii)較好爲例如聚伸乙基亞胺、聚嫌丙基 胺、2 -二甲胺基乙基丙烯醯胺之聚合物等。 丁氧基羰基二 N-第三丁氧基 基胺、N -第三 上述含醯胺基之化合物除例如N -第三 正辛基胺、N -第二丁氧基鑛基二正壬基胺、 羰基二正癸基肢、N-第三丁氧基羰基二環己 -32- 200914994 丁氧基羰基-1 -金剛烷基胺、n -第三丁氧基碳基_ 2 -金剛院 基胺、N -第三丁氧基羰基-N -甲基_1·金剛院基胺、（S)-(_)-1-(第三丁氧基羰基）-2-吡咯啶甲醇、+ 第三丁氧 基羰基）-2-耻咯啶甲醇、N-第三丁氧基羰基-4-羥基哌啶、 N-第三丁氧基羰基吡咯啶、N-第三丁氧基簾基哌曉、Ν，Ν· 二第三丁氧基羰基-卜金剛烷基胺、Ν，Ν_二第三丁氧基羰 基_Ν -甲基-1-金剛烷基胺、Ν-第三丁氧基羰基_4,4’_二胺 基二苯基甲烷、Ν，Ν，-二第三丁氧基羰基六亞甲基二胺、 Ν,Ν,Ν，，Ν’-四-第三丁氧基羰基六亞甲基一胺、Ν，Ν’_二第 三丁氧基羰基_1，7_二胺基庚烷、Ν，Ν’_二第二丁氧基羰基_ 1，8 -二胺基辛烷、Ν，Ν，-二第三丁氧基锻基-1，9.二胺基壬 烷、Ν，Ν，-二第三丁氧基羰基二胺基癸烷、Ν，Ν’-二 第三丁氧基羰基-1，12 -二胺基十二烷、Ν，Ν’-二第三丁氧基 羯基- 4,4，-二胺基二苯基甲院、Ν-第三丁氧基簾基苯并咪 唑、Ν -第三丁氧基羰基·2_甲基苯并咪α坐、Ν -第二丁氧基 羯基-2-苯基苯并咪唑等之含-第三丁氧基羯基之胺基化 合物，此外較好爲甲醯胺、Ν-甲基甲醯胺、Ν’Ν_二甲基甲 醯胺、乙醯胺、Ν -甲基乙酿胺、Ν,Ν -二甲基乙醯胺、丙醯 胺、苯甲醯胺、吡咯啶酮、Ν _甲基吡咯啶酮、Ν -乙醯基-b金剛烷基胺、異尿氰酸參（2-羥基乙酯）等。 上述尿素化合物較好爲例如尿素、甲基尿素、1，1 -二 甲基尿素、1，3 -二甲基尿素、1,1,3,3 -四甲基尿素、1，3-二 苯基尿素、三-正丁基尿素等。 上述含氮雜環化合物除例如咪唑、4-甲基咪唑、4-甲 -33- 200914994 基-2-苯基咪唑 '苯并咪唑、2-苯基苯并咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、卜苄基-2-甲基-1H -咪唑等咪唑類；吡啶、2 -甲 基吡啶、4 -甲基吡啶、2 -乙基吡啶、4 -乙基吡啶、2 -苯基 吡啶、4 -苯基吡啶、2 -甲基-4 -苯基吡啶、菸鹼、菸鹼酸、 菸鹼酸醯胺、喹啉、4 -羥基喹啉、8 _氧基喹啉、吖啶、 2,2’，6’，2”-三聯吡啶等吡啶類；哌嗪、1_(2_羥基乙基）哌 嗪等哌嗪類以外，較好爲吡嗪、吡唑、嗒嗪、喹噁啉、嘌 呤、吡咯啶、哌啶、哌啶乙醇、3 -哌啶基-1，2 -丙二醇、嗎 啉、4 -甲基嗎啉、1 - (4 -嗎啉基）乙醇、4 -乙醯基嗎啉、3 -(N -嗎啉基）-1,2 -丙二醇、1,4 -二甲基哌嗪、1,4 -二氮雜雙 環[2.2.2]辛烷等。 又’上述感光性鹼性化合物爲對應於曝光區域可有效 率地分解成中性片段，於未曝光部份則未分解而就此殘留 之成分。該等感光性鹼性化合物與非感光性鹼性化合物相 比’由於曝光部份（曝光區域）可有效地活用所產生之酸， 因此可提升敏感度。 上述感光性鹼性化合物之種類，只要具有上述性質， 則無特別限制，例如可適當地使用以下列通式（1 3 - 1 )、通 式（13-2)表示之化合物： -34- 200914994

(上述通式（13-1)及通式（13_2)中，r7〜ru分別表 、鹵素原子、可具有取代基之碳數hiO之烷基、 取代基之脂環式烴基，X·代表0H-、r12OH·、R 該X —之R12代表1價有機基）。 R7〜R11之可具有取代基之碳數卜^之烷基可 如甲基、乙基、正丁基、第三丁基、三氟甲基、 甲氧基、弟二丁氧基、第三丁氧基羯基甲基氧基 ’ R7〜R11較好爲氫原子、第三丁基。 又’ t之R12之1價有機基可舉例爲例如可具 之烷基、可具有取代基之芳基。 又，上述X-可適當使用OH—、CH3COO·、以 之化合物： 示氮原子 或可真有 '2C〇〇-, 舉例舄例 氟原子、 等。而且 有取代基 下式袠示 -35- 200914994 【化2 5】

COO ^γ-0Η ^^^coo" 上述感光性鹼性化合物之具體例可舉例之較佳例爲二 苯基锍化合物（以上述通式（1 3 - 1 )表示之化合物）、其陰離 子部份（X·)爲OH-、CH3COO·或以下式表示之化合物： 【化2 6】 ^^COO-

【化2 7】 COO

再者，上述（c)酸擴散控制劑可單獨使用或混合兩種 以上使用。 (C)酸擴散控制劑之調配量相對於（a)化合物100質量份 較好爲15質量份以下’更好爲0:001〜10質量份，最好爲 -36- 200914994 0.005~5質量份。若（c)酸擴散劑之調配量超過15質量份’ 則有作爲光阻劑之敏感度或曝光部份之顯像性降低之情況 。又’若（c)酸擴散控制劑之調配量未達〇.〇〇1質量份，則 隨著製程條件’作爲有光阻劑之圖案形狀或尺寸忠實度降 低之情況。 [2-3]其他成分： 本發明之敏輻射線性組成物較好爲使上述（a)化合物 、（b)敏輻射線性酸產生劑及（c)酸擴散控制劑溶解於溶劑 中而成者。換言之’較好爲含有溶劑作爲其他成分。又， 本發明之敏輻射線性組成物可視需要調配界面活性劑、增 感劑、脂肪族添加劑等各種添加劑作爲其他成分。 上述溶劑較好爲選自丙二醇單甲基醚乙酸酯、2-庚醇 及環己酮之群之至少一種（以下稱爲「溶劑1」）。溶劑亦 可使用上述溶劑1以外之溶劑（以下稱爲「其他溶劑」）。 而且，可混合使用溶劑1與其他溶劑。 其他溶劑可舉例爲例如丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二 醇單正丙基醚乙酸酯、丙二醇單異丙基醚乙酸酯、丙二醇 單正丁基醚乙酸酯、丙二醇單異丁基醚乙酸酯、丙二醇單 第二丁基醚乙酸酯、丙二醇單第三丁基醚乙酸酯等之丙二 醇單烷基醚乙酸酯類； 2-丁酮、2-戊酮、3-甲基-2-丁酮、2-己酮、4-甲基-2- 戊酮、3-甲基-2-戊酮、3,3-二甲基-2-丁酮、2-辛酮等直鏈 狀或分支狀酮類；環戊酮、3-甲基環戊酮、2-甲基環己酮 -37- 200914994 、2,6 -二甲基環己酮、異佛耳酮等環狀酮類；2_羥基 甲酯、2 -羥基丙酸乙酯、2 -羥基丙酸正丙酯、2_羥基 異丙酯、2-經基丙酸正丁醋' 2-經基丙酸異丁酯、2. 丙酸第二丁酯、2 -羥基丙酸第三丁酯等之2_羥基丙酸 類；3 -甲氧基丙酸甲酯、3 -甲氧基丙酸乙酯、3_乙氧 酸甲酯' 3 -乙氧基丙酸乙酯等之3 -烷氧基丙酸烷酯類 正丙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、環己醇、 醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單正丙基醚、 醇單正丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基 二乙二醇二正丙基醚、二乙二醇二正丁基醚、乙二醇 基醚乙酸酯、乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單正丙 乙酸酯、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇 丙基醚， 甲苯、二甲苯、2 -羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧 酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3· 基丁基乙酸酯、3 -甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3 -甲 甲氧基丁基丙酸酯、3 -甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、 乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、乙醯基乙酸甲酯、 基乙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、N-甲基吡咯 、N，N-二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、苄基乙基 二正己基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚 酸、辛酸、1-辛醇、1_壬醇、苄基醇、乙酸苄酯、苯 乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、丁內酯、碳 烯酯、碳酸丙烯酯等。 丙酸 丙酸 羥基 烷酯 基丙 乙二 乙二 醚、 單甲 基醚 單正 基乙 甲氧 基-3-乙酸 乙醯 口定酮 醚、 、己 甲酸 酸乙 -38- 200914994 該等其他溶劑中，較好爲直鏈狀或分支狀酮類、環狀 酮類、丙二醇單烷基醚乙酸酯、2-羥基丙酸烷酯類、3-烷 氧基丙酸烷酯類、r-丁內酯等。上述其他溶劑可單獨使 用或混合兩種以上使用。 當使用溶劑1與其他溶劑之混合溶劑作爲溶劑時’其 他溶劑之比例相對於全部溶劑較好在50質量％以下，更好 在4 0質量％以下，且最好在3 0質量％以下。 本發明之敏輻射線性組成物通常於其使用時之全固體 成分濃度較好爲1〜5 0質量％，更好爲1〜2 5質量％。因此， 使U)化合物、（b)敏輻射線性酸產生劑、（c)酸擴散控制劑 及視需要之其他添加物（溶劑除外）以成爲上述全部固體成 分濃度之方式溶解於溶劑中成爲均勻溶液後，較好經過例 如孔徑0.2 μιη左右之過濾器過濾，獲得由敏輻射線性組成 物構成之組成物溶液。 另外，作爲其他成分而含有之界面活性劑爲顯示改善 塗佈性、儲存性、顯像性等作用之成分。該等界面活性劑 可舉例爲例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚 氧乙烯油基醚、聚氧乙烯正辛基苯基醚、聚氧乙烯正壬基 苯基醚、聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等非 離子性界面活性劑，以及以下列商品名ΚΡ 3 4 1 (信越化學 工業公司製造）、POLYFLOW No.75、POLYFLOW Νο·95( 共榮社化學公司製造）、F TOP EF301、F TOP EF303、F TOP EF3 52 (TORKEMU PRODUCT 公司製造）、ΜEGAFAX F171、MEGAFAX F173(大日本油墨化學工業公司製造）、 -39- 200914994 FLORARD FC43 0、FLORARD F C 4 3 1 (住友 3 M 公司製造）、 AS AHIGU ARD AG710、SURFLON S-3 82 ' SURFLON SC-101 ' SURFLON SC-102、SURFLON SC-103、SURFLON SC-104、SURFLON SC-105、SURFLON SC-106(旭硝子公 司製造）等。該等界面活性可單獨使用一種或混合兩種以 上使用。 界面活性可單獨使用或混合兩種以上使用。界面活性 劑之調配量’相對於（a)化合物1〇〇質量份，較好爲o.ooi〜2 質量份。 上述增感劑爲顯示吸收輻射線能量，使其能量傳達到 (b)敏輻射線性酸產生劑中，藉此増加該等酸之生成量之 作用者’具有僅提升敏輻射線性組成物之敏感度之效果。 該等增感劑可舉例爲咔唑類、苯乙酮類、二苯甲酮類、萘 類、酚類、聯乙醯、伊紅（Eosin)、玫瑰紅、嵌二萘 (Pyrenes)類、蒽類、菲噻嗪類等。又，該等增感劑可單獨 使用或混合兩種以上使用。增感劑之調配量相對於（a)化 合物100質量份’較好爲0.1〜10質量份。 又’藉由調配染料或顏料，使曝光部份之潛像成爲可 見’可緩和曝光時光暈（halati〇n)之影響。藉由調配接著 助劑’可改善與基板之接著性。 又’本發明之敏輻射線性組成物可添加具有酸解離性 基之脂環族添加劑或不具有酸解離性基之脂環族添加劑。 具有酸解離性基之脂環族添加劑或不具有酸解離性基之脂 環族添加劑爲具有進一步改善乾蝕刻抗性、圖案形狀、與 -40- 200914994 基板之接著性等作用之成分。 該等脂環族添加劑可舉例爲例如1 -金剛烷羧酸、2-金 剛烷酮、1 -金剛烷羧酸第三丁酯、1 -金剛烷羧酸第三丁氧 基羰基甲酯、1-金剛烷羧酸α-丁內酯、1,3-金剛烷二羧酸 二第三丁酯、1 -金剛烷乙酸第三丁酯、1 -金剛烷乙酸第三 丁氧基羰基甲酯、1,3-金剛烷二乙酸二第三丁酯、2,5-二 甲基_2,5-二（金剛烷羰基氧基）己烷等金剛烷衍生物類；去 氧膽酸第三丁酯、去氧膽酸第三丁氧基羯基甲酯、去氧膽 酸2-乙氧基乙酯、去氧膽酸2-環己基氧基乙酯、去氧膽酸 3-氧代環己酯、去氧膽酸四氫吡喃基酯、去氧膽酸甲瓦龍 酸內酯等去氧膽酸酯類；石膽酸第三丁酯、石膽酸第三丁 氧基羰基甲酯、石膽酸2 -乙氧基乙酯、石膽酸2 -環己基氧 基乙酯、石膽酸3 -氧代環己酯、石膽酸四氫吡喃基酯、石 膽酸甲瓦龍酸內酯等石膽酸酯類；己二酸二甲酯、己二酸 二乙酯、己二酸二丙酯、己二酸二正丁酯、己二酸二第三 丁酯等烷基甲酸酯類，或3-[2-羥基-2,2-雙（三氟甲基）乙基 ]四環[4.4.0.12’5.17’1()]癸烷等。 該等脂環族添加劑可單獨使用或混合兩種以上使用。 脂環族添加劑之調配量’相對於（a)化合物1 00質量份，較 好爲0.5〜20質量份。若脂環族添加劑之調配量超過20質量 份時，則有作爲光阻劑之耐熱性降低之情況。 另外，除上述以外之添加劑可舉例爲鹼可溶性樹脂、 具有酸解離性保護基之低分子鹼溶解性控制劑、防光暈劑 、儲存安定化劑、消泡劑等。 -41 - 200914994 [3]光阻圖案之形成方法： 本發明之敏輻射線性組成物作爲化學增幅型光阻劑尤 #有用。上述化學增幅型光阻劑係藉由曝光自（b)敏輻射 糸泉性酸產生劑產生酸之作用，使（a)化合物之酸解離性基 月兌離’產生鹼可溶性部位，其結果使光阻劑之曝光部份對 於驗顯像液之溶解性變高，使該曝光部分溶解於鹼顯像液 中’去除後獲得正型光阻圖案。 藉由本發明之敏輻射線性組成物形成光阻圖案時，係 藉由旋轉塗佈、澆鑄塗佈、輥塗佈等適宜之塗佈方法在例 如砂晶圓、被覆鋁之晶圓等基板上塗佈上述之組成物溶液 ’形成光阻被覆膜，且視情況進行預加熱處理（以下稱爲 「PB」）後’以形成特定光阻劑圖案之方式使該光阻被覆 膜曝光。此時使用之輻射線可適當的選用例如K r F準分子 雷射（波長2 4 8nm)、EUV(極紫外線，波長13nm)等遠紫外 線’或同步加速器輻射線等X射線、電子束等帶電粒子 束等。又’曝光量等之曝光條件係對應於輻射敏感性樹脂 組成物之調配組成、添加劑之種類等適當選擇，即使以液 浸曝光亦可。 本發明較好在曝光後進行加熱處理（以下稱爲「P E B」 )。藉由該PEB，可使（a)化合物之酸解離性基之脫離順利 進行。P E B之加熱條件隨著敏輻射線性組成物之調配組成 而變，但通常較好爲30~200°C，更好爲50〜170°C。 本發明爲了使敏輻射線性組成物之潛在能力發揮至最 -42- 200914994 大限度，因此可如特公平6-1 2452號公報等之揭示般，在 所使用之基板上形成有機系或無機系防反射膜。又，爲了 防止環境氛圍氣體中所含之鹼性不純物等之影響，因此可 如特開平5 - 1 8 8 5 9 8號公報等所揭示般，在光阻被覆膜上設 置保護膜。另外，亦可組合使用該等技術。 接著，使經曝光之光阻被覆膜顯像，藉此形成預定光 阻圖案。顯像時使用之顯像液較好爲例如使氫氧化鈉、氫 氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙基胺、正 丙基胺、二乙基胺、二正丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基 胺、乙基二甲基胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨、吡咯、 哌啶、膽鹼、1,8 -二氮雜雙環[5.4.0]-7 -十一烷烯、1,5 -二 氮雜雙環[4·3·0]-5-壬烷等鹼性化合物之至少一種溶解之 鹼性水溶液。 上述鹼性水溶液之濃度較好爲1 0質量％以下。若鹼性 水溶液之濃度超過1 〇質量％，則有非曝光部分亦溶解於顯 像液中之情況。又’顯像液較好爲ΡΗ8~14，更好爲 ρ Η 9 〜1 4 〇 又’由上述鹼性水溶液組成之顯像液中亦可添加例如 有機溶劑。上述有機溶劑可舉例爲例如丙酮、甲基乙基酮 、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、3_甲基環戊酮、2,6-二甲基環己酮等酮類；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正 丁醇、第三丁醇、環戊醇、環己醇、丨，4_己二醇、1，4-己 烷二甲醇等醇類；四氫呋喃、二噁烷等醚類；乙酸乙酯、 乙酸正丁酯、乙酸異戊酯等酯類；甲苯、二甲苯等芳香族 -43 - 200914994 烴類，或酚、乙醯基丙酮、二甲基甲醯胺等。該等有機溶 劑可單獨使用或混合兩種以上使用。 有機溶劑之用量相對於鹼性水溶液1 〇 〇體積份較好爲 100體積份以下。若有機溶劑之使用量超過100體積份，則 有顯像性降低’曝光部份顯像大量殘留之情況。又，由驗 性水溶液組成之顯像液中’可適量添加界面活性劑。又， 可在由鹼性水溶液組成之顯像液中顯像後，以水洗滌並乾 燥。 【實施方式】 以下基於實施例具體說明本發明，但本發明並不受該 等實施例之限制。另外，實施例、比較例中之「份」及「 %」若未特別說明則以質量爲準。 [實施例1] (1，6-己二醛之合成） 將40 0克（1.8莫耳）作爲氧化劑之氯化鉻酸吡啶鎗鹽 (PCC)與400克矽膠（3 00網目）混合並粉碎，懸浮於2.6升之 二氯甲烷中之後，添加溶解於500毫升二氯甲烷中之72克 (600毫莫耳）1，6-己二醇之溶液，且在室溫下進行攪拌2小 時。反應結束後，將5升二乙醚添加於該系統中’以傾析 回收二乙醚層，且減壓餾除溶劑。隨後，進行矽膠層析（ 溶離溶劑：二乙醚），減壓餾除展開溶劑後，進行減壓蒸 餾純化，獲得5 3克無色透明液體，收率74%。 -44 - 200914994 所得液體以IR及1η-nmr測定，確認爲以下式（〇表 示之1，6-己二醛（沸點：40.5〜41.1°(：(2.〇1111111^))°111測定 及1H-NMR測定結果列於下。 【化2 8】 式(c)

OHaC-CHb2-(CHc2)rCHbrCHaO IR(薄膜，cm_1) : 2925 ’ 2853，及 2712〇 C-H) ’ 1730 ’ 17 12〇 C = 0) 'H-NMR(400MHz，CDC13，TMS)， δ (ppm) : l_26(s， 4.0H，Hc)，4.17(m，4.0H，Hb)，9.76(bs，2.0H ’ Ha) [實施例2] (杯芳烴二聚物化合物之合成） 在內含回轉子之容積1升茄型瓶內，使22克（200毫莫 耳：官能基當量400毫莫耳）間苯二酧溶於乙醇中，進一步 添加1 5毫升作爲觸媒之鹽酸後，在冰冷卻下滴加5 . 8克（5 0 毫莫耳：官能基當量100毫莫耳）之1,6-己二醛。隨後’在 45毫升乙醇中，於80 °C下加熱48小時，獲得紅色懸浮液。 反應結束後，將反應母液注入二乙醚中，析出固體。使所 得固體減壓乾燥24小時，獲得6.7克紅色固體，收率44%。 所得紅色固體之構造確認係以MALDI-TOF-MS(型號 SHIMAZU/KRATOS Matrix支援之雷射離子化飛行時間型 -45 - 200914994 質量分析裝置KOMPACT MALDI IV tDE，島津製作所公 司製）' IR(NICOLET 3 80 FT-IR，島津製作所製）及ιΗ_ NMR(型號 JNM-ECX-5400P型，日本電子公司製）進行。 結果列於下列。 【化2 9】

He

He (14) IR(cm'') ： 3 26 9( v O-H) ， 293 3 R 2 8 5 9( v C-H) ， 192〇 ， 1 500，及 1 443 ( v C = C 芳族） *H-NMR(400MHz ， DMSO-d6 ， TMS) ， δ (PPm) · 1.06~2.35(b，32.OH > Ha，Hb)，4.05~4.22(m，8.〇H，Hc) ，6.14(bs，8_0H，芳族 He)，6_91(bs，8_0H，芳族 H<i)， 9.1 3(m，1 6.0H，OHf) 質量分析（MALDI-TOF MS) 實測値（m/z)1195.22[M + H] + 計算値（m/z)1194.32[M + H] + -46- 200914994 合成作爲以上述通式（1)表示之化合物（（a)化合物）之 下列化合物（A-1)〜（A-2)，且合成比較用之下列化合物（A_ 3)〜（A-4)。 [實施例3 ]化合物（A - 1 )之合成 藉由使3克上述杯芳烴二聚物化合物（a)、0.64克四丁 基溴化銨（TBAB)添加於30毫升吡啶中，使杯芳烴二聚物 化合物（a)溶解後，在冰冷卻下緩慢滴加4.4克二碳酸二第 三丁酯（DiBoc)，且在室溫下攪拌24小時。反應結束後， 以氯仿稀釋母液，以1 N鹽酸洗滌三次並以水洗滌一次， 有機層使用如無水硫酸鎂之乾燥劑乾燥，過濾乾燥劑後經 濃縮，隨後，以己烷：乙酸乙酯=1 : 4作爲餾出液以矽膠 管柱純化，獲得1.5克白色固體，收率30%。 所得白色固體以IR測定及W-NMR測定，確認爲通 式（1)中之R爲第三丁氧基羰基之杯芳烴二聚物化合物， 又確認保護率（杯芳烴二聚物化合物中之酚性羥基之氫原 子經第三丁氧基羰基取代之比例）爲40%。IR測定及1H-NMR測定之結果如下所示： IRCcm·1) ： 298 1 ， 2934 及 2864( C-H)， 1 760( v C = 0)， 1615，1 5 92 及 1 497(vC = C 芳族），1371〇t-丁基），1272 及 1 1 4 3 ( y C - Ο - C 醚） 'H-NMR(400MHz) - DMSO-d6 > TMS : ά (ppm): 0.86〜2.01(m，89.6H，第三丁基 H，-CH2(CH2)2CH2-)， 3.79〜4·12(m，8·0H，>CH-)，6_81〜7.13(m，16.0H，芳族 -47- 200914994 Η)，8.33 〜1 0.22(m，9.6Η，OH) [實施例4]化合物（A-2)之合成 添加3克上述杯芳烴二聚物化合物（a)、〇· 64克四丁基 溴化銨，且添加3 0克1 -甲基-2 -吡咯啶酮後，在7 0 °C下攪 拌1小時。隨後，添加2.8克碳酸鉀’在70°C下攪拌1小時 。隨後，緩慢添加溶於10克1-甲基-2-吡咯啶酮中之3.9克 溴乙酸第三丁酯，且在6 0 °C下攪拌6小時。冷卻至室溫後 ，以水/二氯甲烷進行萃取，接著，以100毫升3wt%之草酸 水溶液洗滌兩次後，以100毫升洗滌兩次。丟棄水層，有 機層以硫酸鎂乾燥。隨後，以己烷：乙酸乙酯=1 : 4作爲 餾出液經矽膠管柱純化，獲得3. 8克化合物（A-2)。進行1H-NMR分析後，化合物（A-2)之保護率（化合物（A-2)中之酚 性羥基之氫原子經第三丁氧基羰基甲基取代之比例爲40% [實施例5]化合物（A-5)之合成 將3.0克上述杯芳烴二聚物化合物（a)、0.65克四丁基 溴化銨一起添加於3 0毫升吡啶中，藉此使杯芳烴二聚物化 合物（a)溶解後，在冰冷卻下緩慢滴加1 3克（6 0毫莫耳）之二 碳酸二第三丁酯（DiBoc)，且在室溫下攪拌24小時。反應 結束後，以氯仿稀釋母液，且以1N鹽酸洗滌三次，以自 來水洗漉一次，有機層使用如無水硫酸鎂之乾燥劑乾燥， 過濾'乾'丨采劑後經濃1(0，以作爲良好溶劑之氯仿及作爲弱溶 -48- 200914994 劑之己烷進行再沉澱處理，獲得3.7克白色固體，收率52% 〇 進行1H-NMR分析後，化合物（A-5)之保護率（化合物 (A-5)中之酚性羥基之氫原子經第三丁氧基羰基甲基取代 之比例爲1 0 0 %。 [實施例6]比較合成例1化合物（A-3)、化合物（A-4): 使3.8克化合物（A-4’）溶解於30毫升四氫呋喃中。添加 5.6毫升三乙胺、0.25克4-二甲胺基吡啶。在室溫下攪拌5 分鐘使之溶解。緩慢滴加溶解於1 〇毫升四氫呋喃中之6 · 6 克二碳酸二第三丁酯，在6(TC下攪拌7小時。減壓餾除四 氫呋喃，且以50毫升二氯甲烷萃取。以己烷：乙酸乙酯=5 :1作爲餾出液以矽膠管柱純化、分離，獲得1 . 8克下列化 合物（A-3)、3.6克下列化合物（A-4)。 【化3 0】

(A-4’） 【化3 1】

-49- 200914994

(A-4) [實施例7]比較合成例2含有酸解離性基之樹脂（A-6): 在含10克聚羥基苯乙烯（VP 8 000，日本曹達公司製造 (Mw9000’Mw/Mn=l.l))之乙酸丁酯20%溶液中緩慢滴加 5.50克二碳酸二第三丁酯、2.8〇克三乙基胺，使該反應液 在60 °C下攪拌7小時。隨後，於上述反應溶液中添加大量 水，重複再沉澱純化操作。接著，進行減壓乾燥，獲得 12.0克3 0%羥基經第三丁氧基羰基保護之聚羥基苯乙烯（A-6) 〇 [實施例8 ] 使1 〇〇份化合物（A-1 )、9份作爲（b)敏輻射線性酸產生 劑之三苯基锍三氟甲烷磺酸酯（表1中表示爲「B-1」）、1 份作爲（c)酸擴散控制劑之三正辛基胺（表1中表示爲「C-1 」）、600份作爲溶劑之乳酸乙酯（表1中表示爲「D-1」）及 1 5 00份丙二醇單甲基醚乙酸酯（表1中表示爲「D-3」）混合 ，使該混合液經孔徑200ηιη之薄膜過濾器過濾，獲得組成 物溶液（敏輻射線性組成物）。 接著，在東京電子公司製造之CLEAN TRACK ACT-8 內，將上述組成物溶液旋轉塗佈於矽晶圓上之後’在1 3 0 °C下進行PB(加熱處理）90秒，形成膜厚l〇〇nm之光阻劑（ 敏輻射線性組成物）被覆膜。隨後，使用簡易型電子束描 -50- 200914994 畫裝置（日立製作所製造，型式「HL800D」，輸出； 50KeV，電流密度：5.0安培/cm2)對光阻被覆膜照射電子 束。電子束照射後，在1 3 0 °C下進行 P E B 9 0秒。隨後，使 用2.3 8 %四甲基氫氧化銨溶液，在2 3 t下以攪拌法顯像1分 鐘後’以純水洗滌，經乾燥形成光阻圖案。如此形成之光 阻劑係以下列要領進行評價。 (1) 感度（L/S) 使矽晶圓上形成之光阻劑被覆膜曝光後立即進行PEB ’隨後經鹼顯像、水洗、乾燥形成光阻圖案。此時，以1 對1之線寬形成爲線寬1 5 Onm之線及空間圖案（1 L 1 S )之曝 光量作爲最適曝光量，以該最適曝光量評價感度。 (2) 解像度（L/S) 對於線及空間圖案（1L1S)，以最適曝光量解像之線圖 案之最小線寬（nm)作爲解像度。 (3) 微小表面凹凸： 對於設計尺寸1 5 0 nm之線及空間圖案（1 L 1 S )，以掃描 電子顯微鏡測定線圖案之剖面尺寸，最小尺寸爲Lin ’最 大尺寸爲Lout，且以（Lout-Lin)作爲Ld，由Ld之値’以 下列基準進行評價。

Ld 未達 Ο.ΟΙμηι: ◎

Ld 爲 Ο.ΟΙμηι:〇 -51 - 200914994

Ld 大於 Ο.ΟΙμχη: x 本實施例之各評價結果，感度爲17.0pC/cm2，解像度 爲8 0nm，微小表面凹凸爲◎。 (實施例9~14，比較例1〜3) 以表1中所示之量混合表1中所示各成分成爲均勻溶液 ，除以表1所示之條件進行處理以外，與實施例8同樣調製 組成物溶液（敏輻射線性組成物）。隨後，由經調整之_ _ 射線性組成物形成光阻圖案，對所形成之光阻劑進行± $ 各種評價。評價結果列於表1。 -52- 200914994 爲小表 面凹凸 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 X 無法形成圖案 X 解像度 90nm 80nm 90nm 90nm 80nm 90nm lOOnm 110nm 敏感度 (μ C/cm2) o (N o s' o (N o m (N p m (N i〇 >ri (N o vd (N ο PEB條件 時間 (S) § § g § § 溫度 CC) 〇 o m § 〇 cn r—* 〇 〇 ο ο PB條件 時間 (S) § § § § § § § § 溫度 CC) o O 〇 cn 〇 cn o m o o ο ο 溶劑 m ^ ιϊιϊΒ o i〇 O vn o o 〇 wn o o ο Ό ο 種類 CN Q (N Q fN Q cn Q m Q Q cn Q m ά rn Q _ a ru Λη en Φ ιΙΤΤΗ o s o § o Ό o s o Ό 〇 o Ό ο ο § 種類 Q Q ά Q Q Q Q ά ά (c)酸擴散控制劑 _ A ru m Φ liiiH 1 1 1 1 1 1 1 I 1 種類 1 1 t 1 r 1 1 1 1 TTJ 七 mi Φ m w liiiB o 〇 Ov 〇 o 〇 o rn 〇 cn ο rn Ο 種類 1_ 1 u U ΓΛ ΰ 1 U ΰ <N u 3 3 ό m m 驩侧 β起 黯v 〇\ o 〇\ 〇s ON o Os ΟΝ Ον 種類 cn ώ CN ώ 1 m ώ 1 DD ώ CQ CQ (a)化合物 _ a ru rir> m. Φ 1111a O O O O o O 〇 o ο ο ο 種類 5 1 < CN < (N < (N < < rn < < < 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 比較例1 比較例2 比較例3 -53- 200914994 又，實施例9〜1 4及比較例1〜3中使用之材料如下所不 (b)敏輻射線性酸產生劑： B-1 :三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽 B-2: N-(三氟甲烷磺醯基氧基）雙環[2.2.1]庚-5-稀 2,3-二羧醯亞胺 (Ο酸擴散控制劑： C-1 :三正辛基胺 C-2 :三苯基锍水楊酸鹽 C-3 : N-第三丁氧基羰基二環己基胺 溶劑： D - 1 :乳酸乙酯 D-2:丙二醇單甲基醚乙酸酯 由表1可明瞭，含有實施例3〜5之化合物任一種之實施 例8〜1 4之敏輻射線性組成物，相較於含有比較合成例1之 化合物及比較合成例2之樹脂之任一種之比較例1〜3之敏輻 射線性組成物，確認可成膜爲對電子束或極紫外線可有效 感應、且微小表面凹凸、蝕刻抗性、敏感度均優異，且可 高精度且安定的形成細微圖案之化學增幅型正型光阻膜。 [產業上之可利用性] -54- 200914994 本發明之敏輻射線性組成物形成圖案時不僅線及空間 圖案之解像度優異，且微小表面凹凸優異，故可用於以 E B ' E U V、X線形成細微圖案。因此，本發明之敏輻射線 性組成物作爲於今後進行至更微細化以及預想之半導體裝 置製造用之化學增幅型光阻劑者極爲有用。 -55 -

Claims (1)

1. 200914994 十、申請專利範圍 1 · 一種敏輻射線性組成物，其特徵爲包含 U)以下列通式（1)表示之化合物，及 (b)藉由輻射線照射而產生酸之敏輻射線性酸產生劑

   (通式（1)中，R各獨立爲氫原子或丨價酸解離性基，Rl彼此 獨立爲經取代或未經取代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或 未經取代之伸烷基，γ彼此獨立爲碳數之經取代或未 經取代之烷基、碳數2〜1〇之經取代或未經取代之烯基、碳 數2〜10之經取代或未經取代之炔基、碳數？〜1〇之經取代或 未經取代之芳焼基、碳數卜10之經取代或未經取代之烷氧 基、或經取代或未經取代之苯氧基，q彼此獨立爲。或” 0 2,如申請專利範圍第i項之敏輻射線性組成物 -56- ，、卞 200914994 列通式（2)表示之化合 以上述通式（1)表千々 、J衣不之化合物爲以下 物： 【化2】

   (通式（2)中’ R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，r1彼此 獨立爲經取代或未經取代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或 未經取代之伸烷基）。 3 ·如申請專利範圍第2項之敏輻射線線組成物，其中 以上述通式（2)表示之化合物爲以下列通式（3)表示之化合 物： -57- 200914994 【化3】

   (通式（3)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基）。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之敏輻射線性組 成物，其中上述酸解離性基爲以下列通式（4 _ 1)或（4 -2)表 示之基 ： 【化4】 Ο

   R4 (4-1) (4-2) (通式（4-1)中，R2爲經可含雜原子之取代基取代或未經取 代之碳數1〜40之具有直鏈狀、分支狀或環狀構造之烷基， η爲〇~3之整數，又通式（4-2)中，R3爲經可含雜原子之取 代基取代或未經取代之碳數1〜40之具有直鏈狀、分支狀或 -58- 200914994 環狀構造之烷基，R4爲氫原子或碳數1~5之烷基）。 5 ·如申請專利範圍第4項之敏輻射線性組成物，其中 上述通式（4-1)中之R2爲第三丁基、2-甲基_2_金剛烷基、 2_乙基-2_金剛烷基、1-乙基環戊基或1-甲基環戊基，且η 爲0或1， 上述通式（4-2)中之R3爲金剛烷基且R4爲氫原子，或 R4爲甲基且R3爲2-甲基-2-金剛烷基，或R4爲甲基且R3爲 2 -乙基-2 _金剛烷基。 6 .如申請專利範圍第5項之敏輻射線性組成物，其中 上述（b)敏輻射線酸產生劑係選自由鑰鹽、重氮甲烷化合 物及磺醯亞胺化合物所組成之群組之至少一種。 7 .如申請專利範圍第1至3、5及6項中任一項之敏輻射 線性組成物，其進一步含有（c)酸擴散控制劑。 8 ·如申請專利範圍第4項之敏輻射線性組成物，其進 而含有（c)酸擴散控制劑。 9 · 一種以下列通式（1)表示之化合物’ -59- 200914994 【化5】

   (通式（1)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，且 中至少一個爲酸解離性基，R1彼此獨立爲經取代或未經取R 代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或未經取代之伸院基^ γ 彼此獨立爲碳數丨〜⑺之經取代或未經取代之院基 '碳 ㈣之經取代或未經取代之稀基、碳數2〜1〇之經 經取代之炔基、碾動7〗Λ々滅而似— 禾 碳數7〜10之經取代或未經取代之芳 碳數1〜1 0之經取件寸土 ◊一 w /上丄 逢、 弋或未經取代之烷氧基、或經取代 取代之苯氧基’q彼此獨立爲⑷）。 為經 1〇.如申請粵利範圍第9項之化合物，其係 (2)表示： 1々通式 -60- 200914994 【化6】

   (2) (通式（2)中，R各獨立爲氫原子或1價酸解離性基，且R 中至少一個爲酸解離性基，R1彼此獨立爲經取代或未經取 代之伸甲基或碳數2〜8之經取代或未經取代之伸烷基）。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之化合物，其係以下列通 式（3)表示： 【化7】

   -61 - 200914994 (通式（3)中’ R各獨立爲氫原子或〗價酸解離性基，且R 中至少一個爲酸解離性基）。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之化合物，其中上述酸解 離性基爲以下式（^)或（4_2)表示之基： 【化8】

   R4 (4_1) (4-2) (通式（4-1)中’ R2爲經可含雜原子之取代基取代或未經取 代之碳數1〜4〇之具有直鏈狀、分支狀或環狀構造之烷基 ，η爲〇〜3之整數，又，通式（4_2)中，R3爲經可含雜原 子之取代基取代或未經取代之碳胃1〜40 &具有直鏈狀、 分支狀或環狀構造之烷基，V爲氫原子或碳m卜5之烷 基）。 -62- 200914994 明 說 單 無簡 :號 為符 圖件 表元 代之 定圖 :指表 圖案代 表本本 無 代\ 定一二 旨 Γν /IV 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： (Y)q

   (1)