[go: up one dir, main page]

RU2766066C1 - Method for measuring the transient response of digital integrated microchips - Google Patents

Method for measuring the transient response of digital integrated microchips Download PDF

Info

Publication number
RU2766066C1
RU2766066C1 RU2020142038A RU2020142038A RU2766066C1 RU 2766066 C1 RU2766066 C1 RU 2766066C1 RU 2020142038 A RU2020142038 A RU 2020142038A RU 2020142038 A RU2020142038 A RU 2020142038A RU 2766066 C1 RU2766066 C1 RU 2766066C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
logic elements
logical unit
measuring
frequency switching
Prior art date
Application number
RU2020142038A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вячеслав Андреевич Сергеев
Виктор Васильевич Юдин
Владимир Александрович Ламзин
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority to RU2020142038A priority Critical patent/RU2766066C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2766066C1 publication Critical patent/RU2766066C1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

FIELD: measuring.
SUBSTANCE: invention relates to the technology for measuring the thermal characteristics and thermal parameters of digital integrated microchips (DIMC) and can be used for monitoring the quality of DIMC of a small and medium degree of integration in the output or output monitoring. Substance: supply voltage Esup is supplied to the monitored microchip, the chip is heated by supplying high-frequency switching pulses to the inputs of the logic elements thereof, the instantaneous consumed power and a temperature-sensitive parameter with a known temperature coefficient KU are measured in the process of heating the microchip at preset time points. Prior to supplying the high-frequency switching pulses, all logic elements of the monitored microchip are set to the state of the logical unit at the output and the sum U1(0) of voltages of the logical unit at the output of all logic elements and the consumption current Icons(t0) before heating are measured within a short time interval τmeas. High-frequency switching pulses are then applied to the inputs of all logic elements. At preset times tk, the supply of high-frequency switching pulses is terminated, all logic elements of the monitored chip are set to the state of the logical unit at the output for a short time interval τmeas. Within the time τmeas, the sum of voltages U1(tk) of the logical unit at the output of all logic elements and the consumption current Icons (tk) of the microchip are measured. The value of the transient heat response at the preset time point is determined by the formula
Figure 00000010
wherein
Figure 00000011
is the average consumption current of the microchip from the time t0 to the time tk.
EFFECT: developed method for measuring the transient response of DIMC.
1 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к технике измерения тепловых характеристик и тепловых параметров цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) и может быть использовано для контроля качества ЦИМС малой и средней степени интеграции на выходном или выходном контроле.The invention relates to a technique for measuring the thermal characteristics and thermal parameters of digital integrated circuits (CIMS) and can be used to control the quality of the CIMS of a low and medium degree of integration at the output or output control.

Известен способ определения теплового сопротивления переход-корпус ЦИМС, в котором контролируемую микросхему подключают к источнику питания, нагревают путем переключения одного или несколько логических элементов (ЛЭ), выбранных в качестве источника тепла, последовательностью ВЧ импульсов, частоту следования которых модулируют по гармоническому закону с периодом, на порядок превышающим тепловую постоянную времени данного типа ЦИМС, и определяют тепловое сопротивление как отношение амплитуды переменной составляющей температурочувствительного параметра (ТЧП), в качестве которого используется напряжения на выходе ЛЭ, выбранного в качестве датчика температурную амплитуде переменной составляющей греющей мощности на частоте модуляции и температурному коэффициенту ТЧП (см. АС 1310754 СССР, Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А. Сергеев, Г.Ф. Афанасьев, Б.Н. Романов, В.В. Юдин. - №912623/24-21; заявл. 17.06.85; опубл. 15.05.87, Бюл. №18).There is a known method for determining the thermal resistance of the junction-case of the CIMS, in which the controlled microcircuit is connected to a power source, heated by switching one or more logic elements (LE) selected as a heat source by a sequence of RF pulses, the repetition frequency of which is modulated according to a harmonic law with a period , an order of magnitude greater than the thermal time constant of this type of CIMS, and determine the thermal resistance as the ratio of the amplitude of the variable component of the temperature-sensitive parameter (TCP), which is used as the voltage at the output of the LE, selected as a sensor, the temperature amplitude of the variable component of the heating power at the modulation frequency and the temperature TC coefficient (see AS 1310754 USSR, Method for measuring the thermal resistance of the transition-case of digital integrated circuits / V.A. Sergeev, G.F. Afanasiev, B.N. Romanov, V.V. Yudin. - No. 912623 / 24- 21; application 06/17/85; published 05/15/87, Bull. No. 18).

Основным недостатком известного способа является большая погрешность из-за паразитного влияния падения напряжения на внутренней токоведущей металлизации ЦИМС, обусловленного протеканием переменного тока потребления ЦИМС. Кроме того, в известном способе для нагрева используются не все ЛЭ ЦИМС, как минимум один ЛЭ используется в качестве датчика температуры, при этом ЛЭ-датчик температуры находится на некотором удалении от ЛЭ-источников тепла и дает значения температуры в области кристалла ЦИМС, удаленной от области нагрева.The main disadvantage of the known method is a large error due to the parasitic effect of the voltage drop on the internal current-carrying plating of the CIMS, due to the flow of alternating current consumption of the CIMS. In addition, in the known method, not all LE CIMS are used for heating, at least one LE is used as a temperature sensor, while the LE temperature sensor is located at some distance from the LE heat sources and gives temperature values in the region of the CIMS crystal, remote from heating areas.

Известен способ определения теплового сопротивления цифровых КМОП интегральных микросхем (см. Патент 2172493 РФ Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А. Сергеев. - Опубл. 20.08.2001, Бюл. №23, ч. 2), заключающийся в том, что логическое состояние одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов, частота следования которых увеличивается по линейному закону с заданной крутизной, измеряют скорость изменения ТЧП (напряжения на выходе) того ЛЭ, логическое состояние которого не изменяется, и по скорости изменения ТЧП определяют искомое тепловое сопротивление. В качестве ТЧП в данном способе используется выходное напряжение логической единицы ЛЭ-датчика температуры.A known method for determining the thermal resistance of digital CMOS integrated circuits (see Patent 2172493 of the Russian Federation Method for measuring the thermal resistance of the junction-case of digital integrated circuits / V.A. Sergeev. - Publ. 20.08.2001, Bull. No. 23, part 2), consisting in that the logical state of one or more LE of the controlled microcircuit is changed by applying to their inputs a sequence of switching pulses, the repetition rate of which increases according to a linear law with a given steepness, the rate of change of the PFC (output voltage) of that LE, the logical state of which does not change, is measured , and the desired thermal resistance is determined from the rate of change of the FST. In this method, the output voltage of the logical unit of the LE temperature sensor is used as the TFC.

Недостатком этого способа также является большая погрешность из-за паразитного влияния падения напряжения на внутренней токоведущей металлизации ЦИМС, обусловленного протеканием линейно нарастающего тока потребления ЦИМС и из-за относительно небольшой модуляции греющей мощности и малого полезного изменения ТЧП на уровне большого квазистатического значения этого параметра. В этом способе для нагрева также используются не все ЛЭ ЦИМС и ЛЭ - датчик температуры дает значения температуры в области кристалла ЦИМС, удаленной от области нагрева.The disadvantage of this method is also a large error due to the parasitic effect of the voltage drop on the internal current-carrying plating of the CIMS, due to the flow of a linearly increasing current of the consumption of the CIMS, and due to the relatively small modulation of the heating power and the small useful change in the FST at the level of a large quasi-static value of this parameter. In this method, not all LE CIMS and LE are also used for heating - the temperature sensor gives the temperature values in the region of the CIMS crystal, remote from the heating area.

Известен способ определения теплового сопротивления ЦИМС (см. Патент №2490657 РФ Способ определения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.В. Юдин, В.А. Сергеев, В.А. Ламзин, опубл. 20.08.2013), включающий нагрев и измерение уровня электрической греющей мощности одного или нескольких ЛЭ, выбранных в качестве источников тепла, измерение изменения ТЧП ЛЭ, выбранного в качестве датчика температуры, определение теплового сопротивления как отношения изменения ТЧП к уровню электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту ТЧП. Для нагрева ЦИМС в этом способе используют защитные диоды нескольких ЛЭ ЦИМС, а в качестве ТЧП падение напряжения на защитных диодах ЛЭ-датчика температуры.A known method for determining the thermal resistance of CIMS (see Patent No. 2490657 of the Russian Federation Method for determining the thermal resistance of the transition-case of digital integrated circuits / V.V. Yudin, V.A. Sergeev, V.A. Lamzin, publ. 20.08.2013), including heating and measuring the level of electric heating power of one or more LE selected as heat sources, measuring the change in FST of the LE selected as a temperature sensor, determining thermal resistance as the ratio of the change in FST to the level of electric heating power and the known temperature coefficient of FST. To heat the CIMS in this method, protective diodes of several LE CIMS are used, and the voltage drop across the protective diodes of the LE temperature sensor is used as the TFC.

Недостатком данного способа является большая погрешность измерения, поскольку площади р-n переходов защитных диодов занимают очень небольшую часть площади кристалла ЦИМС и даже при греющих токах через защитные диоды, близких к предельно допустимым для данного типа ЦИМС, нагрев кристалла ЦИМС и изменение ТЧП мало, а погрешность его измерения значительна. Кроме того, нагрев ЦИМС с помощью защитных диодов не соответствует нагреву ЦИМС в реальном режиме работы.The disadvantage of this method is a large measurement error, since the areas of p-n junctions of protective diodes occupy a very small part of the area of the CIMS crystal, and even with heating currents through protective diodes close to the maximum allowable for this type of CIMS, the heating of the CIMS crystal and the change in the FST are small, and the measurement error is significant. In addition, the heating of the CIMS with the help of protective diodes does not correspond to the heating of the CIMS in real operation.

Ключевой задачей контроля тепловых свойств полупроводниковых приборов (ППП) является определение параметров их тепловой эквивалентной схемы, по которым можно рассчитать температуру активной области (р-n-перехода) ППП в любом заданном режиме работы прибора. В приближении одномерной тепловой схемы ППП задача сводится к определению набора значений тепловых сопротивлений (RTi) и теплоемкостей (СTi) или тепловых постоянных времени (τTi=RTi⋅СTi) отдельных элементов и слоев материалов, составляющих конструкцию ППП. Указанные параметры могут быть определены по переходной тепловой характеристике (ПТХ) H(t) ППП, то есть по изменению температуры Δθn(t) активной области прибора при его саморазогреве постоянной мощностью, заданного уровня Р0: H(t)=Δθn(t)/P0.The key task of controlling the thermal properties of semiconductor devices (SDS) is to determine the parameters of their thermal equivalent circuit, which can be used to calculate the temperature of the active region (p-n junction) of SDS in any given mode of operation of the device. In the approximation of a one-dimensional thermal scheme of the PPP, the problem is reduced to determining a set of values of thermal resistances (R Ti ) and heat capacities (С Ti ) or thermal time constants (τ Ti =R Ti ⋅С Ti ) of individual elements and layers of materials that make up the PPP structure. These parameters can be determined by the transient thermal characteristic (TTH) H(t) TPP, that is, by the change in temperature Δθ n (t) of the active region of the device during its self-heating with a constant power, a given level Р 0 : H(t)=Δθ n ( t)/P 0 .

Наиболее близким к заявляемому и принятым за прототип является способ измерения ПТХ ЦИМС (см. Патент №2613481 РФ. Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных схем // Сергеев В.А., Тетенькин Я.Г. Опубл. 16.03.2017, Бюл. №8), включающий подачу на контролируемую микросхему напряжения питания заданного значения, разогрев ЦИМС электрической греющей мощностью путем включения нечетного количества ЛЭ ЦИМС по схеме кольцевого генератора (КГ), измерение в процессе разогрева в заданные моменты времени tk мгновенной потребляемой мощности ЦИМС и используемой в качестве ТЧП частоты колебаний КГ, температурный коэффициент которой известен, определение средней мощности потребления ЦИМС за время от начала нагрева t0=0 до момента времени tk, нахождение значения ПТХ как отношения приращения ТЧП к известному температурному коэффициенту и к средней потребленной ЦИМС мощности для каждого заданного момента времени tk.Closest to the claimed and adopted as a prototype is a method for measuring the PTC CIMS (see Patent No. 2613481 of the Russian Federation. Method for measuring the transient thermal characteristic of digital integrated circuits // Sergeev V.A., Tetenkin Ya.G. Publ. 16.03.2017, Bull. No. 8), including supplying the controlled microcircuit with a supply voltage of a given value, heating the CIMS with electric heating power by turning on an odd number of LE CIMS according to the ring oscillator (CG) circuit, measuring during heating at specified times t k of the instantaneous power consumption of the CIMS and used in as the PFC of the frequency of oscillations of the CH, the temperature coefficient of which is known, the determination of the average power consumption of the CIMS for the time from the start of heating t 0 =0 to the time t k , finding the value of the PTH as the ratio of the increment of the CP to the known temperature coefficient and to the average power consumed by the CIMS for each given moment of time t k .

Недостатком данного способа является большая погрешность, обусловленная малым значением температурного коэффициента частоты КГ и значительной погрешностью дискретизации при измерении частоты за короткие интервалы времени (см., например, Сергеев В.А., Тетенькин Я.Г. Измерение тепловых характеристик цифровых ИС по температурным зависимостям времени задержки // Измерительная техника. - 2018. - №2. - С. 46-50). Недостатком данного способа является также его низкая чувствительность, поскольку для нагрева используются не все ЛЭ ЦИМС.The disadvantage of this method is a large error due to the small value of the temperature coefficient of the KG frequency and a significant discretization error when measuring the frequency over short time intervals (see, for example, Sergeev V.A., Tetenkin Ya.G. Measurement of the thermal characteristics of digital ICs by temperature dependences delay time // Measuring technology. - 2018. - No. 2. - P. 46-50). The disadvantage of this method is also its low sensitivity, since not all LE CIMS are used for heating.

Технический результат - повышение чувствительности и точности измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных микросхем.The technical result is an increase in the sensitivity and accuracy of measuring the transient thermal characteristic of digital integrated circuits.

Технический результат достигается тем, что в известном способе измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных микросхем, состоящем в подаче на контролируемую микросхему напряжения питания Еп нагреве микросхемы путем подачи на входы ее логических элементов высокочастотных переключающих импульсов и измерении в процессе разогрева микросхемы в заданные моменты времени температурочувствительного параметра с известным температурным коэффициентом KU, отличие заключается в том, что в качестве ТЧП выбирают напряжение логической единицы, до подачи высокочастотных переключающих импульсов все логические элементы контролируемой микросхемы устанавливают в состояние логической единицы на выходе и за короткий интервал времени τизм измеряют сумму U1(0) напряжений логической единицы на выходе всех логических элементов и ток потребления Iпот(t0) до разогрева, затем на входы всех логических элементов подают высокочастотные переключающие импульсы, в заданные моменты времени tk подачу высокочастотных переключающих импульсов прекращают, все логические элементы контролируемой микросхемы на короткий интервал времени τизм устанавливают в состояние логической единицы на выходе, за это время τизм измеряют сумму напряжений U1(tk) логической единицы на выходе всех логических элементов и ток Iпот(tk) потребления микросхемы, и определяют значение переходной тепловой характеристики в заданный момент времени по формулеThe technical result is achieved by the fact that in the known method for measuring the transient thermal response of digital integrated circuits, which consists in applying a supply voltage E p to the controlled microcircuit, heating the microcircuit by supplying high-frequency switching pulses to the inputs of its logic elements and measuring the temperature-sensitive parameter with a known temperature coefficient K U , the difference lies in the fact that the voltage of a logical unit is chosen as the TFC, before the high-frequency switching pulses are applied, all logical elements of the controlled microcircuit are set to the state of a logical unit at the output and for a short time interval τ meas they measure the sum U 1 (0) logic unit voltage at the output of all logic elements and current consumption I sweat (t 0 ) before heating, then high-frequency switching pulses are applied to the inputs of all logic elements, at specified times t k the supply of high-frequency switching pulses is stopped, all logic elements of the controlled microcircuit for a short time interval τ meas are set to the state of a logical unit at the output, during this time τ meas the sum of the voltages U 1 (t k ) of the logical unit at the output of all logic elements and the current I are measured sweat (t k ) consumption of the microcircuit, and determine the value of the transient thermal characteristic at a given point in time according to the formula

Figure 00000001
Figure 00000001

где

Figure 00000002
- средний ток потребления микросхемы с момента времени t0 до момента времени tk.where
Figure 00000002
- the average current consumption of the microcircuit from time t 0 to time t k .

Технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе ВЧ импульсами разогреваются все логические элементы ЦИМС и мощность, потребляемая, а значит и разогрев ЦИМС, будет как минимум в (1+1/n) раз больше, чем в известных способах. При этом ЦИМС работает в режиме близком к эксплуатационному, и кристалл ЦИМС разогревается более равномерно. Напряжение логической единицы, используемое в предлагаемом способе в качестве ТЧП, всех логических элементов ЦИМС суммируется, и полезный сигнал будет в n раз больше, чем в известных способах.The technical result is achieved by the fact that in the proposed method, RF pulses heat up all the logic elements of the CIMS and the power consumed, and hence the heating of the CIMS, will be at least (1+1/n) times greater than in known methods. In this case, the CIMS operates in a mode close to the operational one, and the CIMS crystal is heated more evenly. The voltage of the logical unit, used in the proposed method as a TNV, of all logic elements of the CIMS is summed up, and the useful signal will be n times greater than in known methods.

В предлагаемом способе по существу измеряется усредненное по всем логическим элементам ЦИМС значение ТЧП, которое пропорционально средней температуре кристалла ЦИМС, а не значению температуры в некоторой локальной области, удаленной от источников тепла.In the proposed method, in essence, the value of FST, averaged over all CIMS logic elements, is measured, which is proportional to the average temperature of the CIMS crystal, and not to the temperature value in some local area remote from heat sources.

На фиг. 1 приведена структурная схема устройства, реализующего способ. На фиг. 2 показаны формы сигналов, поясняющие способ.In FIG. 1 shows a block diagram of a device that implements the method. In FIG. 2 shows waveforms explaining the method.

Устройство содержит контактную колодку 1 для подключения контролируемой ЦИМС, источник напряжения питания 2, генератор 3 высокочастотных переключающих импульсов, устройство управления 4, сумматор 5, цифровые вольтметры (или аналого-цифровые преобразователи) 6 и 7, вычислитель 8 и индикатор (отображающее устройство) 9. Положительный полюс источника питания подключен к соответствующему выводу ЦИМС. Между выводом ЦИМС для подключения к отрицательному полюсу источника питания и общей шиной включен токосъемный резистор RI. Выход генератора 3 подключен к входам ЛЭ ЦИМС, к выходам которых подключены сопротивления нагрузки RH и входы сумматора 5.The device contains a terminal block 1 for connecting a controlled CIMS, a power supply 2, a generator 3 of high-frequency switching pulses, a control device 4, an adder 5, digital voltmeters (or analog-to-digital converters) 6 and 7, a calculator 8 and an indicator (display device) 9 The positive pole of the power supply is connected to the corresponding output of the CIMS. Between the CIMS output for connecting to the negative pole of the power source and the common bus, a current-collecting resistor R I is connected. The output of the generator 3 is connected to the inputs of the LE CIMS, to the outputs of which the load resistances R H and the inputs of the adder 5 are connected.

Генератор 3, вырабатывающий высокочастотные переключающие импульсы (фиг. 2а) запускается и выключается по сигналам UУ устройства управления (фиг. 2в). Напряжения логической единицы с выхода всех ЛЭ подается на сумматор 5 и по сигналам устройства управления UУ (фиг. 2в) в заданные моменты времени tk сумму напряжений U1(tk) логической единицы всех ЛЭ ЦИМС на выходе сумматора за короткий интервал времени τизм измеряет цифровой вольтметр 6; в это же время цифровой вольтметр 7 измеряет ток Iпот (tk) потребления ЦИМС Результаты измерения тока потребления и суммы напряжений логической единицы ЛЭ поступают в вычислитель 8, который вычисляет изменение ТЧП ΔU1(tk) (фиг. 2б) и значение ПТХ по формуле (1) и отображает результат вычисления на индикаторе 9.The generator 3, which generates high-frequency switching pulses (Fig. 2a), is started and switched off by the signals U U of the control device (Fig. 2c). The voltage of the logical unit from the output of all LE is fed to the adder 5 and according to the signals of the control device U U (Fig. 2c) at specified times t k the sum of the voltages U 1 (t k ) of the logical unit of all LE CIMS at the output of the adder for a short time interval τ ISM measures digital voltmeter 6; at the same time, the digital voltmeter 7 measures the current I pot (t k ) of the consumption of the CIMS. The results of measuring the current consumption and the sum of the voltages of the logical unit of the LE are fed to the calculator 8, which calculates the change in the PFC ΔU 1 (t k ) (Fig. 2b) and the value of the PTH according to the formula (1) and displays the calculation result on indicator 9.

Claims (3)

Способ измерения переходной тепловой характеристики цифровых интегральных микросхем, состоящий в подаче на контролируемую микросхему напряжения питания Епит, нагреве микросхемы путем подачи на входы ее логических элементов высокочастотных переключающих импульсов и измерении в процессе разогрева микросхемы в заданные моменты времени температурочувствительного параметра с известным температурным коэффициентом KU, отличающийся тем, что в качестве температурочувствительного параметра выбирают напряжение логической единицы, до подачи высокочастотных переключающих импульсов все логические элементы контролируемой микросхемы устанавливают в состояние логической единицы на выходе и за короткий интервал времени τизм измеряют сумму U1(0) напряжений логической единицы на выходе всех логических элементов и ток потребления Iпот(t0) до разогрева, затем на входы всех логических элементов подают высокочастотные переключающие импульсы, в заданные моменты времени tk подачу высокочастотных переключающих импульсов прекращают, все логические элементы контролируемой микросхемы на короткий интервал времени τизм устанавливают в состояние логической единицы на выходе, за это время τизм измеряют сумму напряжений U1(tk) логической единицы на выходе всех логических элементов и ток Iпот(tk) потребления микросхемы, и определяют значение переходной тепловой характеристики в заданный момент времени по формулеA method for measuring the transient thermal response of digital integrated circuits, consisting in supplying a controlled microcircuit with a supply voltage Е pit , heating the microcircuit by applying high-frequency switching pulses to the inputs of its logic elements and measuring, during the microcircuit warming up, at predetermined times a temperature-sensitive parameter with a known temperature coefficient K U , characterized in that the voltage of a logical unit is selected as a temperature-sensitive parameter, before the high-frequency switching pulses are applied, all the logical elements of the controlled microcircuit are set to the state of a logical unit at the output and, in a short time interval τ meas , the sum U 1 (0) of the voltage of the logical unit at the output is measured of all logic elements and the current consumption I sweat (t 0 ) until warming up, then high-frequency switching pulses are fed to the inputs of all logic elements, at given times t k the supply of high-frequency switching pulses are stopped, all logical elements of the controlled microcircuit for a short time interval τ meas are set to the state of a logical unit at the output, during this time τ meas the sum of the voltages U 1 (t k ) of the logical unit at the output of all logical elements and the current I pot (t k ) microcircuit consumption, and determine the value of the transient thermal characteristic at a given point in time according to the formula
Figure 00000003
Figure 00000003
 где
Figure 00000004
- средний ток потребления микросхемы с момента времени t0 до момента времени tk.where
Figure 00000004
- the average current consumption of the microcircuit from time t 0 to time t k .
RU2020142038A 2020-12-18 2020-12-18 Method for measuring the transient response of digital integrated microchips RU2766066C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020142038A RU2766066C1 (en) 2020-12-18 2020-12-18 Method for measuring the transient response of digital integrated microchips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020142038A RU2766066C1 (en) 2020-12-18 2020-12-18 Method for measuring the transient response of digital integrated microchips

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2766066C1 true RU2766066C1 (en) 2022-02-07

Family

ID=80214885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020142038A RU2766066C1 (en) 2020-12-18 2020-12-18 Method for measuring the transient response of digital integrated microchips

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2766066C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU237187U1 (en) * 2024-11-21 2025-09-12 Михаил Владимирович Трухин Digital Integrated Circuit Transient Thermal Response Meter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103344662B (en) * 2013-07-08 2016-03-30 上海大学 Semiconductor device transient heat proving installation
US9557368B2 (en) * 2012-08-16 2017-01-31 Industrial Technology Research Institute Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device
RU2613481C1 (en) * 2015-10-27 2017-03-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of digital integrated circuits transient thermal characteristics measuring
RU2639989C2 (en) * 2016-04-19 2017-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products
RU2697028C2 (en) * 2017-11-22 2019-08-08 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9557368B2 (en) * 2012-08-16 2017-01-31 Industrial Technology Research Institute Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device
CN103344662B (en) * 2013-07-08 2016-03-30 上海大学 Semiconductor device transient heat proving installation
RU2613481C1 (en) * 2015-10-27 2017-03-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of digital integrated circuits transient thermal characteristics measuring
RU2639989C2 (en) * 2016-04-19 2017-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products
RU2697028C2 (en) * 2017-11-22 2019-08-08 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU237187U1 (en) * 2024-11-21 2025-09-12 Михаил Владимирович Трухин Digital Integrated Circuit Transient Thermal Response Meter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2640089C2 (en) System and method of monitoring working condition of igbt device in real time
JP2019524047A (en) Power converter for thermal system
RU2724148C1 (en) Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices
RU2766066C1 (en) Method for measuring the transient response of digital integrated microchips
RU2685769C1 (en) Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control
RU2300115C1 (en) Mode of definition of thermal resistance transition-body of power of semi-conductive devices fulfilled in a body
RU2613481C1 (en) Method of digital integrated circuits transient thermal characteristics measuring
RU2504793C1 (en) Method for determination of heat-transfer resistance for digital cmos integrated circuits
RU2639989C2 (en) Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products
RU2327177C1 (en) Method for determining thermal resistance of digital integrated microcircuits
SU1310754A1 (en) Method of determining junction-case thermal resistance of digital integrated circuits
RU237187U1 (en) Digital Integrated Circuit Transient Thermal Response Meter
CN119199443A (en) Method for setting the relationship between on-state voltage drop and junction temperature of power devices under high current switching state
RU2796812C1 (en) Method for determining parameters of a two-link thermal equivalent circuit of a semiconductor product
RU2521789C2 (en) Method of determining thermal impedance of very large scale integrated circuits - microprocessors and microcontrollers
RU2787328C1 (en) Method for measuring transition-case thermal resistance and transition-case thermal time constant of a semiconductor product
US11313819B2 (en) Thermal analysis of semiconductor devices
RU2624406C1 (en) Method of measuring the thermal impedance of leds
RU2744716C1 (en) Method of determining thermal resistance of digital integral microcircuits
CN110945330B (en) Temperature sensor circuit
RU2697028C2 (en) Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits
RU2572794C1 (en) Method to measure thermal junction-to-case resistance of high-capacity mis transistors
RU2707757C1 (en) Method of reducing measurement error of temperature with electric bridge
Туз et al. Voltage spectral structure of the thermocouple with temperature dependent wires
US6842014B2 (en) Methods for determining inductance and resistance of an inductor