[go: up one dir, main page]

RU2560380C1 - Способ получения искусственных алмазов из графита - Google Patents

Способ получения искусственных алмазов из графита Download PDF

Info

Publication number
RU2560380C1
RU2560380C1 RU2014129731/05A RU2014129731A RU2560380C1 RU 2560380 C1 RU2560380 C1 RU 2560380C1 RU 2014129731/05 A RU2014129731/05 A RU 2014129731/05A RU 2014129731 A RU2014129731 A RU 2014129731A RU 2560380 C1 RU2560380 C1 RU 2560380C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
graphite
electrodes
substrate
tube
diamond
Prior art date
Application number
RU2014129731/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Васильевич Леонов
Дмитрий Викторович Леонов
Original Assignee
Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Виктор Васильевич Леонов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет", Виктор Васильевич Леонов filed Critical Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Priority to RU2014129731/05A priority Critical patent/RU2560380C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2560380C1 publication Critical patent/RU2560380C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения алмазов. Искусственные алмазы получают из графита на подложке в присутствии электродов путем расположения графита на подложке, являющейся электродом с отрицательным зарядом, расположенной в кварцевой пробирке, и при нагреве до 1000°C при атмосферном давлении в радиационной печи. Другой электрод, положительно заряженный, размещают на внешней стороне пробирки и подводят к электродам постоянный ток напряжением 2,0-10 кВ, не создавая замкнутую электрическую цепь. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии, снижении энергетических затрат и снижении себестоимости синтеза алмазов за счет простоты технического решения, доступности используемых материалов и оборудования.

Description

Изобретение относится к способам получения алмазов, а более точно к способам прямого превращения графита в алмаз в области термодинамической устойчивости последнего.
Известен способ получения сверхтвердых материалов (алмазов), в котором превращаемый материал (графит) помещают в прочные металлические ампулы сохранения плоского или цилиндрического типа, в корпусе которых генерируют ударные волны детонацией заряда BB, находящегося в контакте с корпусом ампулы, или ударом о стенки ампулы лайнера, разгоняемого ПВ до больших скоростей [RU 94029279, МПК B01J 3/08, 10.07.1996]. Под воздействием высоких динамических давлений и температур осуществляется фазовый переход графит-алмаз в области термодинамической устойчивости последнего.
Недостатком данного способа является низкий (≅20%) выход материала. Комплексное воздействие остаточных температур и волны разрежения (снятие высокого давления практически до нуля за несколько мкс) приводит к частичному обратному переходу алмаза в графит.
Известен способ получения алмазоподобных фаз углерода, включающий воздействие на углеродсодержащий материал импульсов электрического тока с энергией импульса 3,5-18,0 кДж на 1 г углерода в углеродсодержащем материале [RU 2038294 от 27.06.1995].
Недостаток известного способа заключается в сложности получения алмазоподобных фаз за счет импульсного тока, что требует наличия дополнительного устройства.
Известен способ получения искусственных алмазов из графита путем его нагрева в присутствии электродов, к которым подводят постоянный ток, создавая замкнутую электрическую цепь, при этом графит нагревают до 1000°C при атмосферном давлении [US 5516500 от 14.05.1996].
Однако в данном способе для получения алмазов создают замкнутую электрическую цепь, что приводит к пересублимации графита с одного электрода на другой при пропускании тока.
Данный способ выбран за прототип.
Задачей изобретения является получение искусственных алмазов из графита при отсутствии пересублимации графита.
Решение этой технической задачи позволит упростить и удешевить технологию синтеза искусственных алмазов, а также получать искусственные алмазы, не меняя формы исходного графита.
Достигается это тем, что в способе получения искусственных алмазов из графита на подложке в присутствии электродов, на которые подают напряжение, согласно изобретению, графит помещают на подложку, являющуюся электродом с отрицательным зарядом, расположенную в кварцевой пробирке, другой электрод, положительно заряженный, размещают на внешней стороне пробирки, пробирку помещают в радиационную печь и нагревают до 1000°C при атмосферном давлении, а к электродам подводят постоянный ток напряжением 2,0-10 кВ, не создавая замкнутую электрическую цепь.
Данные условия воздействия на графит являются наиболее оптимальными для фазового перехода графита в алмаз. При температуре ниже 1000°C и напряжении менее 2 кВ процесс будет замедленным и экономически не оправданным, а повышение температуры выше 1000°C и напряжение более 10 кВ приводит к терморазрушению слоев графита и излишних затрат энергии.
Способ осуществляется следующим образом.
Предварительно подготавливается исходный образец. С этой целью кристаллические графитовые элементы (протяженные волокна диаметром до нескольких мкм, длиной до нескольких мм, отдельные частицы размером в несколько десятков мкм) помещают на подложку из металла. Металл подложки выбирают исходя их необходимых требований:
- невысокий температурный разогрев, обеспечивающий фазовый переход графит-алмаз в области термодинамической стабильности последнего.
- большая плотность металла в сжатом состоянии в области термодинамической стабильности алмаза по сравнению с последним
Figure 00000001
- крайне малая растворимость углерода в нем (<0,5%) в условиях воздействия температур.
Для осуществления способа проводили 3 эксперимента: образец графита размещали на стальной пластине, являющейся отрицательно заряженным электродом, помещали в кварцевую пробирку и нагревали до 1000°C в радиационной печи. Воздействие на графит осуществляют путем подачи электрического тока постоянного напряжения 2,0 кВ на электроды, положительно заряженный электрод расположен на внешней поверхности кварцевой пробирки, не создавая замкнутую электрическую цепь, т.е. ток не проходил через графит.
При подаче тока на пластину происходит повышение внутренней энергии графита, выше внутренней энергии алмаза, за счет чего и происходит самопроизвольное превращение выскоэнергетичного графита в менее энергетический алмаз с перестройкой кристаллической решетки при фазовом превращении. Скорость превращения графита в алмаз при этом наблюдалась в течение 1 часа.
При воздействии на графит электрического тока постоянного напряжения 5,0 кВ на электроды, скорость превращения графита в алмаз наблюдалась в течение 30 минут.
При воздействии на графит электрического тока постоянного напряжения 10,0 кВ на электроды, скорость превращения графита в алмаз наблюдалась в течение 20 минут.
Увеличение напряжения более 10 кВ приводит к терморазрушению слоев графита. Поэтому оптимальным будет воздействие на графит 2,0-10 кВ.
Таким образом, можно легко регулировать получение алмаза за счет напряжения постоянного тока.
Способ обеспечивает достижение следующих преимуществ по сравнению с известными ранее:
повышение качества синтезируемого продукта;
упрощение технологии, снижение энергетических затрат и снижение себестоимости синтеза алмазов за счет простоты технического решения, доступности используемых материалов и оборудования.

Claims (1)

  1. Способ получения искусственных алмазов из графита на подложке в присутствии электродов, на которые подают напряжение, отличающийся тем, что графит помещают на подложку, являющуюся электродом с отрицательным зарядом, расположенную в кварцевой пробирке, другой электрод, положительно заряженный, размещают на внешней стороне пробирки, пробирку помещают в радиационную печь и нагревают до 1000°C при атмосферном давлении, а к электродам подводят постоянный ток напряжением 2,0-10 кВ, не создавая замкнутую электрическую цепь.
RU2014129731/05A 2014-07-18 2014-07-18 Способ получения искусственных алмазов из графита RU2560380C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014129731/05A RU2560380C1 (ru) 2014-07-18 2014-07-18 Способ получения искусственных алмазов из графита

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014129731/05A RU2560380C1 (ru) 2014-07-18 2014-07-18 Способ получения искусственных алмазов из графита

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2560380C1 true RU2560380C1 (ru) 2015-08-20

Family

ID=53880631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014129731/05A RU2560380C1 (ru) 2014-07-18 2014-07-18 Способ получения искусственных алмазов из графита

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2560380C1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU411037A1 (ru) * 1971-10-28 1974-08-05 В. М. Гол ЯНОВ , А. П. Демидов Способ получения искусственных алмазов
RU2038294C1 (ru) * 1992-04-17 1995-06-27 Виктор Владимирович Иванов Способ получения алмазоподобных фаз углерода
US5516500A (en) * 1994-08-09 1996-05-14 Qqc, Inc. Formation of diamond materials by rapid-heating and rapid-quenching of carbon-containing materials

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU411037A1 (ru) * 1971-10-28 1974-08-05 В. М. Гол ЯНОВ , А. П. Демидов Способ получения искусственных алмазов
RU2038294C1 (ru) * 1992-04-17 1995-06-27 Виктор Владимирович Иванов Способ получения алмазоподобных фаз углерода
US5516500A (en) * 1994-08-09 1996-05-14 Qqc, Inc. Formation of diamond materials by rapid-heating and rapid-quenching of carbon-containing materials

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5649186B2 (ja) オニオンライクカーボンおよびその製造方法
JP2014007432A5 (ru)
RU2016148886A (ru) Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала
RU2560380C1 (ru) Способ получения искусственных алмазов из графита
CN108654537A (zh) 一种基于液电脉冲方法的原花青素辅助提取装置
CN103981531B (zh) 一种荧光碳点的制备方法
JP5370887B2 (ja) ナノダイヤモンドの製造方法
CN105319138B (zh) 用于进行岩石压裂试验的设备及方法
US1982012A (en) Process for manufacturing hard objects in silicidized carbon or other similar substances
CN106757263B (zh) 一种金属表面纳秒脉冲等离子体制备纳米颗粒的溶液及制备方法
RU2473463C2 (ru) Способ получения высокотвердых углеродных наночастиц c8
CN104736661A (zh) 紫外光产生用靶、电子束激发紫外光源和紫外光产生用靶的制造方法
Liu et al. Synthesis of aluminum nitride powders from a plasma-assisted ball milled precursor through carbothermal reaction
JP2009110795A (ja) 異極像結晶を用いたx線発生装置
WO2015038031A1 (ru) Способ получения кристаллических алмазных частиц
RU2038294C1 (ru) Способ получения алмазоподобных фаз углерода
CN105339299A (zh) 用于生产纳米级碳的胶体溶液的方法
RU2199381C1 (ru) Способ получения искусственного алмаза
Moore Delayed excimer emission from anthracene
CN106270836A (zh) 电火花放电制备荧光碳量子点的方法
RU2353687C1 (ru) Аппарат для йодидного рафинированного гафния
KR100324500B1 (ko) 레이저 애블레이션법과 고전압 방전 플라즈마 cvd법의혼합 방식에 의한 다이아몬드 박막 제조 및 고온고압조건하에서의 다이아몬드 벌크의 형성 방법
RU2302369C2 (ru) Способ получения наноалмазов в полимерподобной углеводородной матрице
UA75119C2 (en) A method for the diamonds synthesis
Takada et al. Control of plasma and cavitation bubble in liquid-phase laser ablation using supersonic waves

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180719