RU2012115464A

RU2012115464A - Солнечный элемент, способ изготовления солнечного элемента и модуль солнечных элементов

Info

Publication number: RU2012115464A
Application number: RU2012115464/28A
Authority: RU
Inventors: Хироси ХАСИГАМИ; Такенори ВАТАБЕ; Хироюки ОЦУКА
Original assignee: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2010-05-24
Publication date: 2013-10-27
Also published as: EP3770974A1; US11538944B2; JP5649580B2; US20190140114A1; US11545588B2; EP3806165B1; JPWO2011033826A1; US20120174960A1; WO2011033826A1; EP4287272A2; KR20120083400A; EP2479804A4; KR102340522B1; EP2479804A1; AU2010296714B2; EP3806165A1; KR102017558B1; KR20200053655A; US20230074411A1; US10032940B2

Abstract

1. Солнечный элемент, содержащий полупроводниковую подложку, имеющую светопринимающую поверхность и не принимающую свет поверхность, pn-переход, образованный в полупроводниковой подложке, пассивирующий слой, расположенный на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности, и электроды отвода мощности, расположенные на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности, при этом упомянутый пассивирующий слой включает в себя пленку оксида алюминия, имеющую толщину до 40 нм.2. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый пассивирующий слой расположен на не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки р-типа или светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки n-типа.3. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый пассивирующий слой включает в себя пленку оксида алюминия и расположенную на ней другую диэлектрическую пленку, причем другая диэлектрическая пленка образована из оксида кремния, оксида титана, карбида кремния или оксида олова.4. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый электрод представляет собой спеченный продукт, полученный обжигом проводящей пасты, и этот спеченный продукт проникает сквозь пассивирующий слой, включающий в себя пленку оксида алюминия, устанавливая электрический контакт между электродом и подложкой.5. Солнечный элемент по пункту 4, при этом упомянутый спеченный продукт содержит оксид одного или более элементов, выбранных из группы, состоящей из B, Na, Al, K, Ca, Si, V, Zn, Zr, Cd, Sn, Ba, Ta, Tl, Pb и Bi.6. Солнечный элемент по пункту 4, при этом упомянутая пленка оксида алюминия имеет встроенный отрицательный электрический заряд, кот�

Claims

1. Солнечный элемент, содержащий полупроводниковую подложку, имеющую светопринимающую поверхность и не принимающую свет поверхность, pn-переход, образованный в полупроводниковой подложке, пассивирующий слой, расположенный на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности, и электроды отвода мощности, расположенные на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности, при этом упомянутый пассивирующий слой включает в себя пленку оксида алюминия, имеющую толщину до 40 нм.

2. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый пассивирующий слой расположен на не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки р-типа или светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки n-типа.

3. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый пассивирующий слой включает в себя пленку оксида алюминия и расположенную на ней другую диэлектрическую пленку, причем другая диэлектрическая пленка образована из оксида кремния, оксида титана, карбида кремния или оксида олова.

4. Солнечный элемент по пункту 1, при этом упомянутый электрод представляет собой спеченный продукт, полученный обжигом проводящей пасты, и этот спеченный продукт проникает сквозь пассивирующий слой, включающий в себя пленку оксида алюминия, устанавливая электрический контакт между электродом и подложкой.

5. Солнечный элемент по пункту 4, при этом упомянутый спеченный продукт содержит оксид одного или более элементов, выбранных из группы, состоящей из B, Na, Al, K, Ca, Si, V, Zn, Zr, Cd, Sn, Ba, Ta, Tl, Pb и Bi.

6. Солнечный элемент по пункту 4, при этом упомянутая пленка оксида алюминия имеет встроенный отрицательный электрический заряд, который увеличен с помощью этапа обжига.

7. Солнечный элемент по пункту 4, при этом область упомянутой пленки оксида алюминия, которая должна быть расположена непосредственно под электродом, замещена путем проникновения спеченного продукта, и упомянутая пленка оксида алюминия присутствует в, по меньшей мере, части данной области, исключая область, расположенную непосредственно под электродом.

8. Модуль солнечных элементов, содержащий множество электрически соединенных солнечных элементов по любому из пунктов 1-7.

9. Способ изготовления солнечного элемента, содержащий этапы формирования pn-перехода в полупроводниковой подложке, формирования пассивирующего слоя на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки и формирования электродов отбора мощности на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности, при этом в качестве пассивирующего слоя формируют пленку оксида алюминия, имеющую толщину до 40 нм.

10. Способ по пункту 9, при этом электрод формируют обжигом проводящей пасты при 500-900°С в течение от 1 секунды до 30 минут с образованием спеченного продукта, который проникает через пассивирующий слой, устанавливая электрический контакт между электродом и подложкой.

11. Способ по пункту 10, при этом упомянутый спеченный продукт содержит оксид одного или более элементов, выбранных из группы, состоящей из B, Na, Al, K, Ca, Si, V, Zn, Zr, Cd, Sn, Ba, Ta, Tl, Pb и Bi.

12. Способ по пункту 10, при этом упомянутая пленка оксида алюминия имеет встроенный отрицательный электрический заряд, который увеличивают с помощью этапа обжига.