RU2008140743A - Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений - Google Patents
Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008140743A RU2008140743A RU2008140743/15A RU2008140743A RU2008140743A RU 2008140743 A RU2008140743 A RU 2008140743A RU 2008140743/15 A RU2008140743/15 A RU 2008140743/15A RU 2008140743 A RU2008140743 A RU 2008140743A RU 2008140743 A RU2008140743 A RU 2008140743A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- silicon
- boron
- silicon oxide
- water
- Prior art date
Links
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 42
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract 6
- 235000014633 carbohydrates Nutrition 0.000 claims abstract 5
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 claims abstract 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 claims abstract 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical class [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims abstract 2
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 claims abstract 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims abstract 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims 1
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims 1
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims 1
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims 1
- 229910021386 carbon form Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
- C01B33/039—Purification by conversion of the silicon into a compound, optional purification of the compound, and reconversion into silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
1. Способ получения кремния, имеющего высокую чистоту, подходящего для фотогальванических элементов, включающий восстановление оксида кремния предварительно очищенного в водном растворе с углеродсодержащим агентом, где предварительно очищенный оксид кремния имеет малое количество бора, подходящее для фотогальванических элементов. ! 2. Способ по п.1, где оксид кремния получают через очищающий способ, используя водный раствор водорастворимой формы оксида кремния, где водный раствор фильтруют для удаления твердых примесей и обрабатывают бор-специфической хелатообразующей смолой. ! 3. Способ по п.2, где бор-специфическая хелатообразующая смола является ионообменной смолой, имеющей функциональную группу N-меглумина. ! 4. Способ по п.2, где переходный металл, кальций или магний добавляют в водный раствор водорастворимой формы оксида кремния перед фильтрацией. ! 5. Способ по п.2, где водный раствор водорастворимой формы оксида кремния обрабатывают молибдатной солью или молибдатной солью обработанной анионной смолой. ! 6. Способ по п.1, где водорастворимая форма оксида кремния является щелочным силикатом. ! 7. Способ по п.1, где углеродсодержащий агент является существенно свободным от бора и фосфора. ! 8. Способ по п.7, где углеродсодержащий агент получают из горючего газа. ! 9. Способ по п.8, где горючий газ является природным газом, метаном, этаном, ацетиленом, этиленом, пропаном, пропеном, алленом, бутан, широкими фракциями легких углеводородов или вообще любыми газами C1-C4, которые являются существенно свободными от бора и фосфора. ! 10. Способ по п.7, где углерод получают из углевода, крахмала или другого углеродсодержащего
Claims (36)
1. Способ получения кремния, имеющего высокую чистоту, подходящего для фотогальванических элементов, включающий восстановление оксида кремния предварительно очищенного в водном растворе с углеродсодержащим агентом, где предварительно очищенный оксид кремния имеет малое количество бора, подходящее для фотогальванических элементов.
2. Способ по п.1, где оксид кремния получают через очищающий способ, используя водный раствор водорастворимой формы оксида кремния, где водный раствор фильтруют для удаления твердых примесей и обрабатывают бор-специфической хелатообразующей смолой.
3. Способ по п.2, где бор-специфическая хелатообразующая смола является ионообменной смолой, имеющей функциональную группу N-меглумина.
4. Способ по п.2, где переходный металл, кальций или магний добавляют в водный раствор водорастворимой формы оксида кремния перед фильтрацией.
5. Способ по п.2, где водный раствор водорастворимой формы оксида кремния обрабатывают молибдатной солью или молибдатной солью обработанной анионной смолой.
6. Способ по п.1, где водорастворимая форма оксида кремния является щелочным силикатом.
7. Способ по п.1, где углеродсодержащий агент является существенно свободным от бора и фосфора.
8. Способ по п.7, где углеродсодержащий агент получают из горючего газа.
9. Способ по п.8, где горючий газ является природным газом, метаном, этаном, ацетиленом, этиленом, пропаном, пропеном, алленом, бутан, широкими фракциями легких углеводородов или вообще любыми газами C1-C4, которые являются существенно свободными от бора и фосфора.
10. Способ по п.7, где углерод получают из углевода, крахмала или другого углеродсодержащего материала.
11. Способ по п.9, где углерод получают способом включающим разложение на составляющие углевода в воде; очистку получающегося раствора; удаление воды; и пиролизацию очищенного углевода для получения углерода.
12. Способ по п.11, где пиролизацию проводят для получения степени графитизации приблизительно 40-45%.
13. Способ по п.12, где желательную степень графитизации получают смешением различных углеродных форм.
14. Способ по п.7, где углерод обрабатывают хлором для удаления B и P.
15. Способ по п.7, где предварительно очищенный оксид кремния находится в кристаллической форме.
16. Способ по п.7, где предварительно очищенный оксид кремния и/или углерод находится в брикетированной форме.
17. Способ по п.7, где предварительно очищенный оксид кремния и углерод получают со-осаждением так, чтобы оксид кремния и углерод были однородно смешаны.
18. Способ по п.1, где предварительно очищенный оксид кремния имеет содержание бора приблизительно 5 частей на миллион или меньше.
19. Способ по п.1, где предварительно очищенный оксид кремния имеет содержание бора приблизительно 1 часть на миллион или меньше.
20. Способ по п.1, где способ очистки проводят в основном условии.
21. Способ по п.7, где реакцию восстановления выполняют, используя облицовку в дуговой печи с закрытой дугой, где формируют расплавленный кремний высокой чистоты.
22. Способ по п.21, где печь изготавливают из тугоплавких материалов с крайне низким содержанием бора и фосфора.
23. Способ по п.21, где печь использует высокочистые графитовые нагревательные стержни для электродов.
24. Способ по п.21, где печь имеет нижний слив для удаления расплавленного кремния высокой чистоты от низа.
25. Способ по п.21, где внешняя часть печи в точке расплавленной кремниевой выгрузки имеет инертную газовую камеру, чтобы позволить расплавленному кремнию охлаждаться в инертном газе так, чтобы кремний не реагировал с кислородом в атмосфере.
26. Способ по п.21, где расплавленный кремний дополнительно обрабатывают редкоземельным металлом для удаления углерода, кислорода, азота, бора и других примесей из кремния.
27. Способ получения высокочистого кремния, включающий:
(a) получение водного силикатного раствора;
(b) фильтрование раствора;
(c) прохождение фильтрата через бор-специфическую колонку ионной смолы;
(d) преобразование силиката до оксида кремния;
(e) восстановление оксида кремния углеродом, имеющим малое содержание бора и фосфора в печи; и
(f) охлаждение полученного кремния высокой чистоты.
28. Способ по п.21, дополнительно включающий преобразование низко чистого оксида кремния, песка, кварца или других содержащих оксид кремния материалов или кремния или монооксида кремния в щелочной силикат.
29. Способ по п.27, где углерод получают пиролизацией углевода.
30. Способ получения высокочистого кремния, имеющего малые содержания B и P, включающий:
(a) получение водного раствора силиката;
(b) необязательное добавление переходного металла, кальция или магния;
(c) фильтрование раствора;
(d) пропускание отфильтрованного через бор-специфическую колонку ионной смолы;
(e) удаление воды; и
(f) преобразование полученной соли силиката до оксида кремния.
31. Способ по п.30, дополнительно включающий обработку водного раствора силиката анионообменной смолой, которая является предварительно обработанной аммоний молибдатом или вольфраматом.
32. Способ по п.1, где продукт является высокочистым карбидом кремния.
33. Способ по п.1, где продукт является высокочистым монооксидом кремния.
34. Способ по п.1, где углеродсодержащий агент имеет содержание бора приблизительно 1 часть на миллион или меньше.
35. Способ по п.1, где восстанавливающий агент является активным очищенным металлом, таким как алюминий или магний вместо углерода.
36. Способ очистки кремния низкого сорта до кремния высокой чистоты, подходящего для фотогальванических элементов включающий:
(a) преобразование кремния низкого сорта в водорастворимую форму;
(b) очистку водорастворимой формы оксида кремния в водном растворе;
(c) преобразование очищенной водорастворимой формы оксида кремния до оксида кремния; и
(d) преобразование полученного оксида кремния до высокочистого кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US78236106P | 2006-03-15 | 2006-03-15 | |
| US60/782,361 | 2006-03-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008140743A true RU2008140743A (ru) | 2010-04-20 |
| RU2441839C2 RU2441839C2 (ru) | 2012-02-10 |
Family
ID=38510271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008140743/05A RU2441839C2 (ru) | 2006-03-15 | 2007-03-14 | Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7922989B2 (ru) |
| EP (1) | EP2001797A4 (ru) |
| JP (1) | JP5615542B2 (ru) |
| KR (1) | KR101450346B1 (ru) |
| CN (1) | CN101426722B (ru) |
| AU (1) | AU2007226533B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0709288A2 (ru) |
| CA (1) | CA2646180A1 (ru) |
| IL (1) | IL193964A (ru) |
| MX (1) | MX2008011655A (ru) |
| RU (1) | RU2441839C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007106860A2 (ru) |
| ZA (1) | ZA200807787B (ru) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007019494A2 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Reveo, Inc. | Si ribbon, sio2 ribbon and ultra pure ribbons of other substances |
| US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
| US20100129996A1 (en) * | 2008-04-28 | 2010-05-27 | Jian Zhong Yuan | Silicon material surface etching for large grain polysilicon thin film deposition and structure |
| ITMI20081086A1 (it) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | N E D Silicon S P A | Procedimento ed apparecchiatura per la purificazione di silicio di grado metallurgico mediante solidificazione direzionale e l'ottenimento di lingotti di silicio per uso fotovoltaico. |
| US8475758B2 (en) * | 2008-08-06 | 2013-07-02 | Mayaterials, Inc. | Low cost routes to high purity silicon and derivatives thereof |
| KR101658356B1 (ko) * | 2008-09-30 | 2016-09-22 | 헴로크세미컨덕터코포레이션 | 오염 물질이 고순도 규소에 제공하는 불순물의 양을 결정하는 방법과 고순도 규소를 처리하기 위한 노 |
| WO2010037709A2 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von solar-silicium aus siliciumdioxid |
| EA201100572A1 (ru) * | 2008-09-30 | 2011-10-31 | Эвоник Дегусса Гмбх | Получение кремния для солнечных батарей из диоксида кремния |
| DE102008042498A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| DE102008043606A1 (de) * | 2008-11-10 | 2010-05-12 | Evonik Degussa Gmbh | Energieeffiziente Anlage zur Herstellung von Ruß, bevorzugt als energetischer Verbund mit Anlagen zur Herstellung von Siliziumdioxid und/oder Silizium |
| DE102008059769A1 (de) * | 2008-12-01 | 2010-06-02 | Evonik Degussa Gmbh | Anlage zur Herstellung von Silizium mit verbesserter Ressourcennutzung |
| US8168123B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-05-01 | Siliken Chemicals, S.L. | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon |
| US20100213643A1 (en) * | 2009-02-26 | 2010-08-26 | Gadgil Prasad N | Rapid synthesis of polycrystalline silicon sheets for photo-voltaic solar cell manufacturing |
| TW201033123A (en) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | Radiant Technology Co Ltd | Method for manufacturing a silicon material with high purity |
| WO2010123869A1 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | Methods and system for cooling a reaction effluent gas |
| WO2010123873A1 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Ae Polysilicon Corporation | A reactor with silicide-coated metal surfaces |
| WO2011055650A1 (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 三菱化学株式会社 | シリコンの製造方法及び製造装置 |
| EP2322474A1 (de) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur Pyrolyse von Kohlehydraten |
| EP2322476A1 (de) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | Evonik Degussa GmbH | Neues Verfahren zur Herstellung von Silicium |
| WO2011111766A1 (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | 三菱化学株式会社 | シリコンの製造方法および治具 |
| DE102011004533A1 (de) | 2011-02-22 | 2013-05-16 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Reinigung starker Säuren bzw. stark saurer Medien von zwei- und höherwertigen Metallionen |
| DE102011004753A1 (de) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zum Aufreinigen von Silicium |
| DE102011004748A1 (de) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von SiO2-Formkörpern |
| CN103391909A (zh) | 2011-02-25 | 2013-11-13 | 赢创德固赛有限公司 | 用于制造 SiO2 模制品的方法 |
| DE102011006406A1 (de) | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von SiO2-Formkörpern |
| DE102011004750A1 (de) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Evonik Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Verarbeiten eines SiO2-haltigen Materials |
| CN102191562B (zh) * | 2011-04-25 | 2012-08-29 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散方法 |
| CN102225563B (zh) * | 2011-04-27 | 2013-09-25 | 佳科太阳能硅(龙岩)有限公司 | 木片洁净化处理的方法 |
| ITRM20110426A1 (it) * | 2011-08-08 | 2013-02-09 | N E D Silicon S P A | Metodo perfezionato per la preparazione di silicio di grado metallurgico ad alta purezza, in particolare per uso nel campo fotovoltaico. |
| DE102012202587A1 (de) | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem SiO2 |
| DE102012202586A1 (de) | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silizium über carbothermische Reduktion von Siliciumoxid mit Kohlenstoff in einem Schmelzofen |
| DE102012202589A1 (de) | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Evonik Degussa Gmbh | Einsatz für einen Schmelztiegel |
| US8875728B2 (en) | 2012-07-12 | 2014-11-04 | Siliken Chemicals, S.L. | Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods |
| DE102012213021A1 (de) | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Evonik Degussa Gmbh | Formkörper umfassend Siliziumdioxid |
| DE102012218823A1 (de) | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliziumnitrid |
| DE102012218815A1 (de) | 2012-10-16 | 2014-04-17 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Reinigung von Phosphonsäure- bzw. Phosphonatgruppen enthaltenden Verbindungen |
| WO2014085467A1 (en) | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Trustees Of Boston University | Method and apparatus for producing solar grade silicon using a som electrolysis process |
| US20150110701A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Wadham Energy Lp | Biogenic silica as a raw material to create high purity silicon |
| DE102014009462A1 (de) | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Sameday Media Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silicium auf Quarzsubstrat |
| US9950320B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-04-24 | Lanxess Deutschland Gmbh | Sulfonated aminomethylated chelate resins |
| CN104230049B (zh) * | 2014-09-01 | 2016-02-03 | 上海希瑞歌恩环境技术有限公司 | 一种光伏行业的废水处理方法 |
| RU2588627C1 (ru) * | 2015-03-30 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Способ рафинирования металлургического кремния |
| CN105384175A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-03-09 | 苏州格瑞动力电源科技有限公司 | 一种工业废硅的纯化方法 |
| WO2019168690A1 (en) | 2018-03-02 | 2019-09-06 | Pörner Ingenieurgesellschaft M.B.H. | Sustainable silicates and methods for their extraction |
| JP7074350B2 (ja) * | 2019-12-19 | 2022-05-24 | Ｓｅａｖａｃ株式会社 | 高純度シリカの製造方法 |
| CN111044434B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-02-15 | 太原科技大学 | 一种熔化极气体保护焊熔滴过渡过程的模拟装置及方法 |
| RU2753600C1 (ru) * | 2020-08-20 | 2021-08-18 | Акционерное общество "ЭКОС-1" | Способ получения особо чистого порошкообразного кристобалита из диоксида кремния |
| CN114914322B (zh) * | 2022-05-18 | 2023-10-27 | 一道新能源科技股份有限公司 | 一种n型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法 |
| CN118639024B (zh) * | 2024-08-16 | 2025-03-25 | 浙江中创资源循环利用创新中心有限公司 | 一种废旧锂离子电池正极回收方法 |
Family Cites Families (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1760160C3 (de) | 1968-04-11 | 1974-04-11 | Heinrich Josef Winter Kunststoffverarbeitung Und Werkzeugbau Gmbh, 6451 Hainstadt | Brandsohle |
| NO129623B (ru) | 1972-01-25 | 1974-05-06 | Elkem Spigerverket As | |
| GB1430578A (en) * | 1972-06-08 | 1976-03-31 | United States Borax Chem | Selective ion-exchangers moulding plastic articles |
| DE2343026A1 (de) | 1973-08-25 | 1975-03-06 | Dynamit Nobel Ag | Verfahren zur herstellung waessriger alkalipolysilikatloesungen |
| US4120938A (en) | 1973-08-25 | 1978-10-17 | Dynamit Nobel Aktiengesellschaft | Aqueous solutions of alkali polysilicates |
| AU497891B2 (en) | 1974-05-22 | 1979-01-18 | J.M. Huber Corp. | Siliceous pigments & their production |
| US4127641A (en) | 1975-12-10 | 1978-11-28 | Joseph Crosfield And Sons Limited | Process for the preparation of precipitated silicas having morphology similar to pyrogenic silicas |
| JPS53110528A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Color photographic material with fading resistance improved |
| DE2742496A1 (de) | 1977-09-21 | 1979-03-29 | Reuter Technologie Gmbh | Sonnenenergie absorbierende beschichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4214920A (en) * | 1979-03-23 | 1980-07-29 | Exxon Research & Engineering Co. | Method for producing solar cell-grade silicon from rice hulls |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| FR2462390A1 (fr) | 1979-07-25 | 1981-02-13 | Ugine Kuhlmann | Procede de fabrication de silicate de sodium |
| DE2933164A1 (de) | 1979-08-16 | 1981-02-26 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
| DE2945070A1 (de) * | 1979-11-08 | 1981-06-04 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Semikontinuierliches verfahren zur herstellung von reinem silicium |
| DE3114493A1 (de) | 1981-04-10 | 1982-10-28 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | "faellungskieselsaeuren und verfahren zu ihrer herstellung" |
| DE3210141A1 (de) | 1982-03-19 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer insbesondere solarzellen verwendbarem silicium |
| DE3215981A1 (de) * | 1982-04-29 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen hochreiner ausgangsmaterialien fuer die fertigung von silizium fuer solarzellen nach dem carbothermischen reduktionsverfahren |
| DE3246121A1 (de) | 1982-12-13 | 1984-06-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von borfreiem siliziumdioxid |
| DE3310828A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von silicium |
| JPS6022934A (ja) | 1983-07-19 | 1985-02-05 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ホウ素選択吸着樹脂の再生方法 |
| JPS6024613A (ja) | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Canon Inc | 電子機器システム |
| JPS6090811A (ja) * | 1983-10-22 | 1985-05-22 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカの製造法 |
| JPS60204613A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 高純度シリカゲルの製造方法 |
| DE3423945A1 (de) | 1984-06-29 | 1986-01-09 | Henkel KGaA, 4000 Düsseldorf | Verfahren und vorrichtung zur kontinuierlichen hydrothermalen herstellung von natriumsilikatloesungen |
| IT1176955B (it) | 1984-10-12 | 1987-08-26 | Samin Abrasivi Spa | Procedimento di produzione di silicio metallico adatto per essere impiegato nell'industria fotovoltaica |
| JPS61286212A (ja) | 1985-06-11 | 1986-12-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 二酸化珪素原料の製造方法 |
| CA1271307A (en) | 1985-06-27 | 1990-07-10 | Iwao Ohshima | Process for manufacturing high purity silica |
| JPH0643246B2 (ja) | 1985-10-08 | 1994-06-08 | 川鉄鉱業株式会社 | シリカの高純度化方法 |
| US4981668A (en) | 1986-04-29 | 1991-01-01 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide as a raw material for silicon production |
| US4702902A (en) | 1986-04-29 | 1987-10-27 | Dow Corning Corporation | Handling of by-product gases from a silicon furnace |
| JPH0796447B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1995-10-18 | モ−ゼス レイク インダストリ−ズ インコ−ポレイテツド | 高純度シリカの製造方法 |
| JPS6346005A (ja) | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | デジタルト−ン発生回路 |
| US4755298A (en) * | 1986-12-04 | 1988-07-05 | The Dow Chemical Company | Process for removing boron ions from aqueous solutions |
| CA1300848C (en) * | 1986-12-16 | 1992-05-19 | National Research Council Of Canada | Recovery and purification of silica |
| JPH0761852B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1995-07-05 | 日東化学工業株式会社 | 非焼結クリストバライト化シリカの製造方法 |
| US4973462A (en) * | 1987-05-25 | 1990-11-27 | Kawatetsu Mining Company, Ltd. | Process for producing high purity silica |
| JPS63291808A (ja) | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Kawatetsu Kogyo Kk | 高純度シリカの製造方法 |
| DE3732073A1 (de) * | 1987-09-23 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Hochreine innenauskleidung fuer einen elektroniederschachtofen |
| US4973642A (en) * | 1988-01-21 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | High temperature crumb rubber for use in composite manufacture |
| US4865643A (en) | 1988-02-17 | 1989-09-12 | Globe Metallurgical, Inc. | Smelting process for making elemental silicon and alloys thereof, and apparatus therefor |
| US5000933A (en) | 1989-01-31 | 1991-03-19 | Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien | Process for hydrothermal production of sodium silicate solutions |
| DE3902753A1 (de) | 1989-01-31 | 1990-08-02 | Henkel Kgaa | Verfahren zur hydrothermalen herstellung von kaliumsilikatloesungen mit hohem si0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts):k(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)0-molverhaeltnis |
| JPH0699135B2 (ja) | 1989-02-20 | 1994-12-07 | 富士デヴィソン株式会社 | 球状シリカゲルの製造法 |
| JPH02311310A (ja) | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 高純度シリカ微粉末の製造方法 |
| US5229095A (en) | 1989-10-25 | 1993-07-20 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for producing amorphous sodium silicate |
| US5236682A (en) | 1989-10-25 | 1993-08-17 | Hoechst Aktiengesellschaft | Process for producing crystalline sodium silicates having a layered structure |
| US5009703A (en) * | 1990-08-13 | 1991-04-23 | Dow Corning Corporation | Silicon smelting process in direct current furnace |
| US5174982A (en) * | 1990-12-12 | 1992-12-29 | Dow Corning Corporation | Control of carbon balance in a silicon smelting furnace |
| US5208001A (en) * | 1991-06-20 | 1993-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for silicon purification |
| JPH0624613A (ja) | 1992-07-09 | 1994-02-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 親水性原布の接続方法 |
| US5346678A (en) | 1992-09-25 | 1994-09-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Production of high specific activity silicon-32 |
| EP0643015B1 (de) | 1993-08-07 | 1996-09-18 | Degussa Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer Fällungskieselsäure |
| JP2542797B2 (ja) | 1994-09-29 | 1996-10-09 | 日本化学工業株式会社 | 高純度シリカの製造方法 |
| AUPN118095A0 (en) | 1995-02-16 | 1995-03-09 | Csr Limited | Improved process for the refining of sugar |
| CA2232777C (en) | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
| JPH11189408A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
| US6090734A (en) | 1998-03-18 | 2000-07-18 | Amcol International Corporation | Process for purifying clay by the hydrothermal conversion of silica impurities to a dioctahedral or trioctahedral smectite clay |
| US6132618A (en) | 1998-04-16 | 2000-10-17 | Pq Corporation | System and method for waking a computer having a plurality of power resources from a system state using a data structure |
| US6580026B1 (en) | 1999-06-30 | 2003-06-17 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Photovoltaic cell |
| JP4517512B2 (ja) | 2001-02-13 | 2010-08-04 | 東ソー株式会社 | 高純度シリカの製造方法 |
| FR2827592B1 (fr) | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
| JP5057622B2 (ja) | 2001-09-27 | 2012-10-24 | 株式会社渡辺商行 | 低ホウ素シリカ粒子の製造方法、この方法により得られる低ホウ素シリカ粒子及びこれを用いた低ホウ素石英ガラス粒子の製造方法 |
| JP2003128411A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Sharp Corp | 板状シリコン、板状シリコンの製造方法および太陽電池 |
| JP4022640B2 (ja) | 2001-11-20 | 2007-12-19 | 東ソー株式会社 | 塊状高純度シリカ及びその製造方法 |
| JP4436904B2 (ja) | 2002-07-23 | 2010-03-24 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | Ｓｉ製造方法 |
| WO2005010216A2 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-03 | Amalgamated Research, Inc. | Method for purification of high purity sucrose material |
| US7588745B2 (en) * | 2004-04-13 | 2009-09-15 | Si Options, Llc | Silicon-containing products |
| US7297318B2 (en) * | 2005-11-17 | 2007-11-20 | J.M. Huber Corporation | Method of removing heavy metals from silicate sources during silicate manufacturing |
-
2007
- 2007-03-14 RU RU2008140743/05A patent/RU2441839C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-03-14 BR BRPI0709288-1A patent/BRPI0709288A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-03-14 EP EP07758531.3A patent/EP2001797A4/en not_active Withdrawn
- 2007-03-14 AU AU2007226533A patent/AU2007226533B2/en not_active Ceased
- 2007-03-14 KR KR1020087025086A patent/KR101450346B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 US US11/685,899 patent/US7922989B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 CA CA002646180A patent/CA2646180A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-14 JP JP2009500595A patent/JP5615542B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 CN CN2007800146181A patent/CN101426722B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-14 MX MX2008011655A patent/MX2008011655A/es active IP Right Grant
- 2007-03-14 WO PCT/US2007/063985 patent/WO2007106860A2/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-09-08 IL IL193964A patent/IL193964A/en not_active IP Right Cessation
- 2008-09-10 ZA ZA200807787A patent/ZA200807787B/xx unknown
-
2011
- 2011-03-07 US US13/041,756 patent/US8568683B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX2008011655A (es) | 2009-01-14 |
| RU2441839C2 (ru) | 2012-02-10 |
| AU2007226533B2 (en) | 2012-12-13 |
| JP2009530218A (ja) | 2009-08-27 |
| WO2007106860A2 (en) | 2007-09-20 |
| US20110176984A1 (en) | 2011-07-21 |
| KR20080108543A (ko) | 2008-12-15 |
| US8568683B2 (en) | 2013-10-29 |
| EP2001797A4 (en) | 2015-05-27 |
| US20070217988A1 (en) | 2007-09-20 |
| JP5615542B2 (ja) | 2014-10-29 |
| KR101450346B1 (ko) | 2014-10-14 |
| EP2001797A2 (en) | 2008-12-17 |
| ZA200807787B (en) | 2009-06-24 |
| WO2007106860A3 (en) | 2008-08-21 |
| BRPI0709288A2 (pt) | 2011-07-05 |
| CN101426722B (zh) | 2013-06-05 |
| CN101426722A (zh) | 2009-05-06 |
| AU2007226533A1 (en) | 2007-09-20 |
| CA2646180A1 (en) | 2007-09-20 |
| IL193964A (en) | 2013-11-28 |
| US7922989B2 (en) | 2011-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008140743A (ru) | Способ получения кремния для фотоэлементов и других применений | |
| KR101351317B1 (ko) | 코크스 오븐 가스 및 제철 부생가스를 이용한 환원가스의 제조방법 | |
| CN110612269B (zh) | 用于生产商业级硅的方法 | |
| JPS63166710A (ja) | 二酸化ケイ素の固体炭素質還元剤での環元によるケイ素の製造方法 | |
| JP2010100508A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| CN101837954B (zh) | 一种利用电石炉尾气制备氢气的方法 | |
| US3316062A (en) | Method of purifying titanium diboride | |
| JP2018131351A (ja) | 大気中ｃｏ２を回収して炭素を分離する方法 | |
| CN105314635A (zh) | 一种高纯碳化钛粉体及其制备方法 | |
| JP5937858B2 (ja) | マグネシウム製錬方法 | |
| CN102557039A (zh) | 一种造渣精炼工业硅熔体除硼的精炼剂 | |
| JPH02256626A (ja) | 高純度アセチレンガスの製造方法 | |
| KR100653541B1 (ko) | 코크스오븐가스(ｃｏｇ)로부터 수소를 제조하는 방법 | |
| JP7028027B2 (ja) | Ｃｏ２を吸収して炭素に分解する方法、及びｃｏ２吸収材 | |
| RU2327639C2 (ru) | Способ получения кремния высокой чистоты | |
| JP2019019029A (ja) | リンの製造方法 | |
| RU2385291C1 (ru) | Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты) | |
| AU2020289191A1 (en) | Method and system network for treating the carbon oxide arising in the production of aluminium | |
| CN119018889A (zh) | 4n以上高纯石墨及其连续气相制备方法和应用 | |
| CN113912042A (zh) | 一种铝电解产生的全氟化碳制备碳纳米管的方法 | |
| JP7035725B2 (ja) | アルカリ珪酸化物の再生方法及びｃｏ２の回収・分解方法 | |
| Qi¹ et al. | Synthesis of Ferrosilicon Using Sustainable | |
| KR20090066882A (ko) | 석탄화학 부산물로부터 수소가스 제조방법 | |
| RU2554150C1 (ru) | Способ и устройство карботермического получения кремния высокой чистоты | |
| JP5937875B2 (ja) | 石灰窒素を用いたマグネシウム製錬方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170315 |