[go: up one dir, main page]

RU2007139436A - Солнечный элемент и способ его изготовления - Google Patents

Солнечный элемент и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2007139436A
RU2007139436A RU2007139436/28A RU2007139436A RU2007139436A RU 2007139436 A RU2007139436 A RU 2007139436A RU 2007139436/28 A RU2007139436/28 A RU 2007139436/28A RU 2007139436 A RU2007139436 A RU 2007139436A RU 2007139436 A RU2007139436 A RU 2007139436A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diffusion layer
coating
conductivity
alloying
diffusion
Prior art date
Application number
RU2007139436/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Хироюки ОЦУКА (JP)
Хироюки ОЦУКА
Наоки ИСИКАВА (JP)
Наоки ИСИКАВА
Масатоси ТАКАХАСИ (JP)
Масатоси Такахаси
Original Assignee
Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp)
Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд.
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp)
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp), Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд., Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp), Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. filed Critical Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp)
Publication of RU2007139436A publication Critical patent/RU2007139436A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, причем способ включает следующие операции: ! наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и второго диффузионного слоя, образованного смежно с первым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя. ! 2. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции: ! наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно второго диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и первого диффузионного слоя, образованного смежно со вторым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего большую проводимость, чем проводимость второго диффузионного слоя. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния. ! 4. Способ по п.2, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния. ! 6. Способ по п.4, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатны

Claims (21)

1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, причем способ включает следующие операции:
наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и второго диффузионного слоя, образованного смежно с первым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя.
2. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции:
наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно второго диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и первого диффузионного слоя, образованного смежно со вторым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего большую проводимость, чем проводимость второго диффузионного слоя.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
11. Способ по п.5, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
12. Способ по п.6, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают травлению.
14. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают окислению.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают окислению.
16. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
19. Способ по п.15, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
20. Солнечный элемент, изготовленный способом в соответствии с любым из пп.1-12 и содержащий
первый диффузионный слой, имеющий проводимость противоположного типа по отношению к типу проводимости полупроводниковой подложки, и
второй диффузионный слой, имеющий меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя, при этом
первый диффузионный слой и второй диффузионный слой сформированы на светоприемной поверхности полупроводниковой подложки.
21. Солнечный элемент по п.21, отличающийся тем, что дополнительно содержит диффузионный слой, сформированный на тыльной стороне подложки и имеющий проводимость типа, совпадающего с типом проводимости подложки.
RU2007139436/28A 2005-04-26 2006-04-07 Солнечный элемент и способ его изготовления RU2007139436A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005127898A JP2006310368A (ja) 2005-04-26 2005-04-26 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP2005-127898 2005-04-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007139436A true RU2007139436A (ru) 2009-06-10

Family

ID=37307779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007139436/28A RU2007139436A (ru) 2005-04-26 2006-04-07 Солнечный элемент и способ его изготовления

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20090020156A1 (ru)
EP (1) EP1876650A1 (ru)
JP (1) JP2006310368A (ru)
KR (1) KR20080014751A (ru)
CN (1) CN101164173A (ru)
AU (1) AU2006243111A1 (ru)
NO (1) NO20076105L (ru)
RU (1) RU2007139436A (ru)
TW (1) TW200703699A (ru)
WO (1) WO2006117975A1 (ru)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101394739A (zh) * 2006-02-28 2009-03-25 西巴控股公司 抗微生物化合物
ATE441156T1 (de) * 2006-05-04 2009-09-15 Elektrobit Wireless Comm Ltd Verfahren zum betrieb eines rfid-netzwerks
PL2165371T3 (pl) * 2007-07-18 2012-08-31 Imec Sposób wytwarzania struktur emitera i struktury emitera wytwarzane tym sposobem
JP5236914B2 (ja) * 2007-09-19 2013-07-17 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP2009231595A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Oki Data Corp 半導体素子製造方法
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
US7833808B2 (en) * 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
CN101960617B (zh) * 2008-03-27 2014-06-11 三菱电机株式会社 光电动势装置及其制造方法
CN103400898B (zh) * 2008-03-27 2016-01-20 三菱电机株式会社 光电动势装置的制造方法
DE102008019402A1 (de) * 2008-04-14 2009-10-15 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur selektiven Dotierung von Silizium sowie damit behandeltes Silizium-Substrat
US8053867B2 (en) * 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US7951696B2 (en) 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
US7820532B2 (en) * 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
TWI420679B (zh) * 2008-12-31 2013-12-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池
US20100180939A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Sharma Pramod K Heat treatable magnesium fluoride inclusive coatings, coated articles including heat treatable magnesium fluoride inclusive coatings, and methods of making the same
KR101142861B1 (ko) * 2009-02-04 2012-05-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101110304B1 (ko) 2009-02-27 2012-02-15 주식회사 효성 반응성 이온식각을 이용한 태양전지의 제조방법
KR101145928B1 (ko) * 2009-03-11 2012-05-15 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법
EP2409331A4 (en) * 2009-03-20 2017-06-28 Intevac, Inc. Advanced high efficiency crystalline solar cell fabrication method
CA2759708C (en) * 2009-04-21 2019-06-18 Tetrasun, Inc. High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
SM200900034B (it) * 2009-05-05 2012-05-03 Antonio Maroscia Metodo per la realizzazione di un dispositivo fotovoltaico e dispositivo fotovoltaico ottenuto con tale metodo
US8420517B2 (en) * 2009-07-02 2013-04-16 Innovalight, Inc. Methods of forming a multi-doped junction with silicon-containing particles
US20110003466A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 Innovalight, Inc. Methods of forming a multi-doped junction with porous silicon
US7888158B1 (en) * 2009-07-21 2011-02-15 Sears Jr James B System and method for making a photovoltaic unit
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
KR101597825B1 (ko) * 2009-07-24 2016-02-25 엘지전자 주식회사 태양전지, 태양전지의 제조방법 및 열확산용 열처리 장치
JP2011187858A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池
FR2959870B1 (fr) * 2010-05-06 2012-05-18 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique comportant une zone suspendue par un motif conducteur et procede de realisation.
WO2012012167A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-26 Innovalight, Inc Methods of forming a floating junction on a solar cell with a particle masking layer
CN102339876B (zh) * 2010-07-23 2014-04-30 上海凯世通半导体有限公司 太阳能晶片及其制备方法
DE102010035582B4 (de) * 2010-08-27 2017-01-26 Universität Konstanz Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer texturierten Frontseite sowie entsprechende Solarzelle
US8669169B2 (en) 2010-09-01 2014-03-11 Piquant Research Llc Diffusion sources from liquid precursors
CN102386247B (zh) * 2010-09-03 2013-07-31 上海凯世通半导体有限公司 太阳能晶片及其制备方法
CN102412335B (zh) * 2010-09-21 2014-11-05 上海凯世通半导体有限公司 太阳能晶片及其制备方法
KR20130129919A (ko) * 2010-11-17 2013-11-29 히타치가세이가부시끼가이샤 태양 전지의 제조 방법
KR101145472B1 (ko) * 2010-11-29 2012-05-15 현대중공업 주식회사 태양전지의 제조방법
KR101198430B1 (ko) 2010-12-31 2012-11-06 현대중공업 주식회사 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
KR101114198B1 (ko) 2010-12-31 2012-03-13 현대중공업 주식회사 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
KR20120084104A (ko) * 2011-01-19 2012-07-27 엘지전자 주식회사 태양전지
KR101668402B1 (ko) * 2011-03-30 2016-10-28 한화케미칼 주식회사 태양 전지 제조 방법
KR20120137821A (ko) 2011-06-13 2012-12-24 엘지전자 주식회사 태양전지
KR101406339B1 (ko) * 2011-07-25 2014-06-16 한국에너지기술연구원 선택적 에미터층 제조방법, 이에 의하여 제조된 선택적 에미터층 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
KR101969032B1 (ko) * 2011-09-07 2019-04-15 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013093563A (ja) * 2011-10-04 2013-05-16 Shin Etsu Chem Co Ltd ホウ素拡散用塗布剤
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
JP5599379B2 (ja) * 2011-11-04 2014-10-01 信越化学工業株式会社 太陽電池素子の製造方法
US9493357B2 (en) 2011-11-28 2016-11-15 Sino-American Silicon Products Inc. Method of fabricating crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer
TWI424584B (zh) * 2011-11-30 2014-01-21 Au Optronics Corp 製作太陽能電池之方法
KR101838278B1 (ko) * 2011-12-23 2018-03-13 엘지전자 주식회사 태양 전지
US20130199604A1 (en) * 2012-02-06 2013-08-08 Silicon Solar Solutions Solar cells and methods of fabrication thereof
JP6076615B2 (ja) * 2012-04-27 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 不純物拡散方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101387718B1 (ko) 2012-05-07 2014-04-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP2013235942A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
KR101879781B1 (ko) * 2012-05-11 2018-08-16 엘지전자 주식회사 태양 전지, 불순물층의 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법
KR101871273B1 (ko) * 2012-05-11 2018-08-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101921738B1 (ko) * 2012-06-26 2018-11-23 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101956734B1 (ko) * 2012-09-19 2019-03-11 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
US20150349156A1 (en) * 2012-12-18 2015-12-03 Pvg Solutions Inc. Solar battery cell and method of manufacturing the same
US9530923B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-27 Sunpower Corporation Ion implantation of dopants for forming spatially located diffusion regions of solar cells
NL2010941C2 (en) * 2013-06-07 2014-12-09 Stichting Energie Photovoltaic cell and method for manufacturing such a photovoltaic cell.
US9960287B2 (en) 2014-02-11 2018-05-01 Picasolar, Inc. Solar cells and methods of fabrication thereof
JP2016092238A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 信越化学工業株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP6502651B2 (ja) * 2014-11-13 2019-04-17 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法
GB2535495A (en) * 2015-02-18 2016-08-24 Oclaro Tech Plc Dither free bias control
WO2016136474A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 東レ株式会社 ｐ型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法ならびに太陽電池およびその製造方法
JP6410951B2 (ja) * 2015-08-28 2018-10-24 三菱電機株式会社 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
JP2017050520A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社島津製作所 半導体装置及びその製造方法
JP6270889B2 (ja) * 2016-03-16 2018-01-31 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
WO2018021117A1 (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 東レ株式会社 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
JP2017059835A (ja) * 2016-10-14 2017-03-23 日立化成株式会社 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
CN113169248B (zh) * 2018-12-07 2024-10-01 东丽株式会社 半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4374391A (en) * 1980-09-24 1983-02-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Device fabrication procedure
JPS6366929A (ja) * 1986-09-08 1988-03-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アンチモン拡散用シリカ系被膜形成組成物
JPH06105694B2 (ja) * 1987-08-13 1994-12-21 富士電機株式会社 ボロンの固相拡散方法
JPH05283352A (ja) * 1992-04-03 1993-10-29 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造法
JPH08283100A (ja) * 1995-04-07 1996-10-29 Mitsubishi Materials Corp リン拡散用組成物
JPH09283458A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Toshiba Corp 半導体用塗布拡散剤
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6180869B1 (en) * 1997-05-06 2001-01-30 Ebara Solar, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
JP3639423B2 (ja) * 1997-12-26 2005-04-20 新日本無線株式会社 半導体熱拡散層の形成方法
JP2000091254A (ja) * 1998-09-11 2000-03-31 Oki Electric Ind Co Ltd Ｚｎ固相拡散方法およびこれを用いた発光素子
JP2000183379A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池の製造方法
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
JP2002124692A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Hitachi Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP4996025B2 (ja) * 2001-09-27 2012-08-08 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP2004172271A (ja) * 2002-11-19 2004-06-17 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP2004221149A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Hitachi Ltd 太陽電池の製造方法
JP2005072120A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080014751A (ko) 2008-02-14
NO20076105L (no) 2008-01-25
US20090020156A1 (en) 2009-01-22
JP2006310368A (ja) 2006-11-09
AU2006243111A1 (en) 2006-11-09
TW200703699A (en) 2007-01-16
EP1876650A1 (en) 2008-01-09
WO2006117975A1 (ja) 2006-11-09
CN101164173A (zh) 2008-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007139436A (ru) Солнечный элемент и способ его изготовления
RU2007139437A (ru) Солнечный элемент, способ его изготовления и способ изготовления полупроводникового устройства
US9196483B1 (en) Carrier channel with element concentration gradient distribution and fabrication method thereof
WO2009140117A3 (en) Solar cell having a high quality rear surface spin-on dielectric layer
MX2010009367A (es) Célula solar que tiene homounión p-n de silicio cristalino y heterouniones de silio amorfo para pasivación de superficie.
MY145709A (en) Method of manufacturing crystalline silicon solar cells with improved surface passivation
WO2007130188A3 (en) Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
EP0993050A3 (en) Substrate for producing semiconductor device, method for producing the substrate, photoelectric conversion device and method for producing the photoelectric conversion device
JP2009520369A5 (ru)
WO2011157422A3 (de) Verfahren zur herstellung einer photovoltaischen solarzelle
JP2012530361A (ja) 半導体装置および半導体装置のための製造方法
WO2009140116A3 (en) Solar cell spin-on based process for simultaneous diffusion and passivation
CN100423302C (zh) 硅发光装置和制造此装置的方法
TW200633277A (en) Method for producing a nanostructured pn junction light-emitting diode and diode obtained by such a method
WO2009038323A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR20040042209A (ko) 박막형 실리콘 태양 전지
JP2009272453A5 (ru)
JP2005303150A5 (ru)
JP2011523219A5 (ru)
FR3058264B1 (fr) Procede de fabrication de cellules photovoltaiques a contacts arriere.
CN201017889Y (zh) 采用psg掺杂技术的vdmos、igbt功率器件
JP2004111821A5 (ru)
US9040401B1 (en) Method for forming patterned doping regions
RU2009105792A (ru) Полупроводниковый фотоэлектрический генератор и способ его изготовления
RU2009111577A (ru) Полупроводниковый фотопреобразователь и способ его изготовления