JP2000183379A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶系半導体を用いた光電変換効率の高いｐ
ｎ接合型の太陽電池を、製造工程を少なくして安価に製
造し得るようにする。 【解決手段】 結晶系半導体（半導体基板１）の非電極
部分の表面に不純物を含有した拡散膜１１を形成し、こ
の膜１１の形成後に不純物を含む拡散ガスの雰囲気中で
半導体に熱拡散を施し、非電極部分に膜１１からの不純
物の拡散膜に基づく低濃度ドープ層（ｎ^＋層２ａ）を形
成すると共に、電極部分に拡散ガスからの不純物の拡散
に基づく高濃度ドープ層（ｎ^＋＋層２ｂ）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶系半導体に不
純物の熱拡散を施し、その表面側の電極部分に非電極部
分より高濃度に不純物を拡散して光電変換効率が高いｐ
ｎ接合型の太陽電池を形成する太陽電池の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ｐｎ接合型の標準的な太陽電池
は、例えばｐ型の結晶系半導体として、抵抗率０．３〜
１Ωcmのｐ型の結晶シリコン（以下結晶シリコンをｃ−
Ｓｉという）を使用し、このｐ型のｃ−Ｓｉ基板の表面
側（受光面側）にｎ型不純物を熱拡散し、ｐｎ接合を形
成して製造される。

【０００３】そして、この太陽電池は、一般に、拡散層
深さ（接合深さ）が０．５μｍ，ｎ層の不純物密度が２
〜４×１０^−２０cm^−３であり、この場合、ｎ層の最表
面領域では不純物密度（表層濃度）が１０^２１cm^−３と
非常に高くなるため、この領域における少数キャリアの
寿命が再結合によって短くなり、光電変換効率が低い欠
点がある。

【０００４】一方、電気を取出すという側面からは、不
純物密度を高くして極力低抵抗にすることが望ましい。

【０００５】そこで、拡散表面に酸化・エッチングを
施して拡散層深さを０．２〜０．３μｍに浅くし、ｎ層
の不純物濃度を１桁小さくして短波長域での光応答性を
改善したり、電極が形成される電極部分の直列抵抗を
下げるために不純物を多量に添加してｎ^＋層でなく、ｎ
^＋＋層を形成したりして光電変換効率を改善することが
試みられ、その結果、図２に示すセル構造の光電変換効
率が高いｐｎ接合型の太陽電池が考案されている。

【０００６】この図２の太陽電池はｐ型半導体基板１の
表面側にｎ層２が形成され、このｎ層２の非電極部分の
表面は反射防止膜３で覆われ、電極部分の表面にはいわ
ゆるくし型電極としての格子状電極パターンの表面Ａｇ
電極４が設けられている。

【０００７】また、半導体基板１の裏面側にはキャリア
の再結合を防止するため、ｐ^＋層(ハイドープ層）５を
介して裏面電極としての背面Ａｌ電極６及び背面Ａｇ電
極７が設けられている。

【０００８】そして、ｎ層２の電極が形成されない非電
極部分（受光部分）は、キャリアの再結合を防止するた
め、低濃度ドープ層すなわちｎ^＋層２ａであり、ほぼ表
面Ａｇ電極４の直下の電極部分は低抵抗にするため、ｎ
^＋層２ａより多量に不純物を含んだ高濃度ドープ層すな
わちｎ^＋＋層２ｂである。

【０００９】つぎに、この図２の太陽電池の従来の製造
方法を、図３の製造工程図を参照して説明する。まず、
図３の（ａ）に示すように３×１０^１５〜４×１０^１６
cm^−３の不純物濃度のｐ型半導体基板１を用意する。

【００１０】この半導体基板１は、一般に、（１００）
の主面を有するｃ−Ｓｉ基板からなり、その表面（受光
面）は、光の反射を低減するため、多くの微細なピラミ
ッド状の凹凸を有するテクスチャ表面に形成される。

【００１１】このテクスチャ表面は、数パーセントのＮ
ａＯＨを含む溶液中でイソプロピルアルコールを添加し
ながら、半導体基板１を８０℃〜９０℃に２０〜３０分
間加熱処理して形成される。

【００１２】そして、拡散ガスとして例えばＰＯＣｌ
_３ ガスを含む雰囲気中において、半導体基板１に８５
０℃で３０分間熱拡散処理を施し、図３の（ｂ）に示す
ように半導体基板１の全面に例えば０．４μｍの厚さの
ｎ^＋層２ａを形成する。

【００１３】さらに、酸素ガス雰囲気中において半導体
基板１を１０００℃で６０分間酸化処理し、図３の
（ｃ）に示すようにｎ^＋層２ａを覆う拡散マスク用のＳ
ｉＯ_２の酸化膜８を形成する。

【００１４】そして、フォトリソグラフィ工程により酸
化膜８の表面に、半導体基板１の表面側の非電極部分の
みを覆うパターンの図３の（ｄ）のレジスト膜９を形成
し、ドライエッチング工程により酸化膜８のマスクパタ
ーン加工を施し、基板１の表面の電極部分の酸化膜８を
除去し、この加工後にレジスト膜９を除去する。

【００１５】つぎに、例えばＰＯＣｌ_３ガスを含む雰囲
気中において、半導体基板１に例えば９００℃で４０分
間熱拡散処理を施し、図３の（ｅ）に示すように半導体
基板１の表面側のほぼ電極直下の部分にｎ^＋＋層２ｂを
形成し、この形成後、半導体基板１を１０％のＨＦを含
む溶液中に１分間浸漬し、不要になったレジスト膜９及
びｎ^＋層２ａ，ｎ^＋＋層２ｂの表面に形成されたリンガ
ラスを除去する。

【００１６】さらに、図３の（ｆ）に示すように半導体
基板１の表面側のｎ^＋層２ａ，ｎ^{＋ ＋}層２ｂが形成する
ｎ層２の表面に、反射防止膜３を約７０〜８０nmの厚さ
に形成し、図中の破線外側の不要なｎ^＋＋層２ｂを除去
するため、反射防止膜３の表面に耐酸性のレジスト膜１
０をスクリーン印刷法により塗布し、乾燥して形成す
る。

【００１７】そして、ＨＦとＨＮＯ_３とを１：３の割合
いで含む混酸（ＨＦ：ＨＮＯ_３＝１：３）で半導体基板
１をエッチングし、基板１の前記の不要なｎ^＋＋層２ｂ
を除去し、この除去後、トルエン，キシレン等の溶剤で
レジスト膜１０も除去し、図３の（ｇ）に示すように半
導体基板１の表面にｎ層２，反射防止膜３を積層形成す
る。

【００１８】つぎに、半導体基板１の裏面にＡｇを含む
ペーストと，Ａｌを含むペーストとを用いてスクリーン
印刷法等でそれぞれ所定のパターンに塗布して乾燥した
後、半導体基板１を７００℃〜８００℃で熱処理し、半
導体基板１の裏面に約２０μｍの厚さの背面Ａｌ電極６
を焼成する。

【００１９】このとき、背面Ａｇ電極７も形成される。
その際、アルミとシリコンが合金化し、半導体基板１の
Ａｌ電極６に接した部分にｐ^＋層５が形成され、このｐ
^＋層５は約５μｍのほぼ厚さであり、ＢＳＦ（Back Sur
face Field）効果を生じる。

【００２０】さらに、反射防止膜３の表面にスクリーン
印刷法等でＡｇを含むペーストを塗布して乾燥した後、
半導体基板１を６００℃〜７００℃で熱処理し、約２０
μｍの厚さの表面Ａｇ電極４を焼成する。

【００２１】このとき、Ａｇを含むペースト（銀ペース
ト）はガラスフリットを含み、表面Ａｇ電極４は反射防
止膜３を通してｎ^＋＋層２ｂとオーミック接続される。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】前記図３の従来の結晶
系半導体を用いたｐｎ接合型の太陽電池の製造方法の場
合、ｎ^＋＋層２ｂを形成してｎ層２の電極部分の不純物
の拡散濃度を非電極部分のｎ^＋層２ａより高くするた
め、ｎ^＋層２ａを形成する工程と別個に、図３の（ｃ）
の拡散マスク用の酸化膜８を形成し、この酸化膜８に同
図の（ｄ）のフォトレジスト処理を施し、同図の（ｅ）
の熱拡散処理を施してｎ^＋＋層２ｂを形成する工程が必
要になる。

【００２３】そして、熱拡散をｎ^＋層２ａの形成とｎ
^＋＋層２ｂの形成との計２回も行うため、製造工程数が
多く処理が煩雑で、しかも、製造コストが高くなる問題
点がある。

【００２４】本発明は、製造工程数を少なくして処理を
簡素化し、光電変換効率が高いｐｎ接合型のこの種の太
陽電池を安価に製造し得るようにすることを課題とす
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明の太陽電池の製造方法においては、結晶系
半導体の非電極部分の表面に不純物を含有した拡散膜を
形成し、この拡散膜の形成後に不純物を含む拡散ガスの
雰囲気中で半導体に熱拡散を施し、非電極部分に拡散膜
の不純物の拡散に基づく低濃度ドープ層を形成すると共
に、電極部分に拡散ガスからの不純物の拡散に基づく高
濃度ドープ層を形成する。

【００２６】したがって、結晶系半導体をｐ型半導体と
すると、この半導体の表面側の非電極部分の低濃度ドー
プ層がｎ^＋層であり、電極部分の高濃度ドープ層がｎ
^＋＋層であり、これらの両層が１回の熱拡散処理で形成
されるため、従来より製造工程数が少なくなって安価に
ｐｎ接合型のこの種の太陽電池を製造することができ
る。

【００２７】そして、拡散膜を、拡散ガス中に含まれる
不純物がほとんど結晶系半導体には到達しない膜厚に形
成することが好ましい。

【００２８】また、拡散膜中の不純物濃度，拡散ガス中
の不純物濃度或いは熱拡散の条件を、拡散膜から非電極
部分に拡散する不純物の量よりも、拡散ガスから電極部
分に拡散する不純物の量の方が多くなるように調整する
ことが望ましい。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、製
造工程を示した図１を参照して説明する。 （１形態）まず、本発明の実施の１形態を説明する。図
１の（ａ）〜（ｆ）において、図３の（ａ）〜（ｈ）と
同一符号は同一もしくは相当するものを示す。

【００３０】そして、結晶系半導体として、この実施の
形態においては、図１の（ａ）のｐ型半導体基板１を用
意する。

【００３１】この半導体基板１は、従来基板と同様、例
えば（１００）の主面を有するｃ−Ｓｉ基板からなり、
その表面がテクスチャ表面に形成されている。

【００３２】そして、同図の（ｂ）に示すように半導体
基板１の非電極部分の表面に、ｎ^＋層２ａとして適当な
濃度（低濃度）のｎ型ドーパント剤の膜，すなわちｎ型
の不純物を含有した拡散膜１１をスクリーン印刷法等で
塗布して形成する。

【００３３】この拡散膜１１のドーパント剤は、具体的
には、例えば２００mlのイソプロピルアルコール及び４
５ｇの５酸化リン（Ｐ_２Ｏ_５）を含むペースト状のドー
パント剤であり、他の成分として酢酸エチル・カルボン
酸・二酸化ケイ素等が含まれる。

【００３４】また、このドーパント剤の５酸化リンの量
は、実際には半導体基板１に所望の低拡散濃度（１０
^１９cm^−３〜１０^２０cm^−３）でｎ^＋層２ａが形成され
るように、拡散条件に応じて２０ｇ〜７０ｇの範囲で増
減調整される。

【００３５】つぎに、半導体基板１の温度を上げて拡散
膜１１を仮乾燥した後、半導体基板１を拡散治具にセッ
トし、拡散ガスとしての例えばＰＯＣｌ_３ガスを含む雰
囲気中で熱拡散を施す。

【００３６】このように熱拡散を施すことで、半導体基
板１の表面側における拡散膜１１に覆われた非電極部分
には拡散膜１１中に含まれる不純物（リン）が拡散し、
図１の（ｃ）に示すｎ^＋層２ａが形成される。

【００３７】一方、半導体基板１の表面側における拡散
膜１１に覆われていない電極部分には、拡散ガス中の不
純物（リン）が拡散して図１の（ｃ）のｎ^＋＋層２ｂが
形成される。

【００３８】このとき、拡散膜１１が形成された非電極
部分においては、拡散ガス中の不純物の拡散は拡散膜１
１により抑制される。したがって、拡散膜１１の膜厚を
調整することで、拡散ガス中に含まれる不純物の半導体
基板１への拡散を抑制することができる。そして、本発
明にあっては、拡散膜１１の膜厚を、拡散ガス中に含ま
れる不純物がほとんど半導体基板１には到達しないよう
な膜厚としている。このように拡散膜１１の膜厚を調整
することにより、非電極部分に形成されるｎ^＋層２ａの
不純物量を、拡散膜１１から拡散される不純物の量によ
り制御することが可能となる。

【００３９】以上のような方法によれば、ｎ^＋層２ａの
不純物濃度を拡散膜１１中におけるドーパント剤の不純
物濃度、及び熱拡散の条件により制御することができ、
また、ｎ^＋＋層２ｂの不純物濃度を拡散ガス中の不純物
濃度及び熱拡散の条件により制御することができる。そ
して、本発明にあっては、ｎ^＋＋層２ｂの不純物濃度が
ｎ^＋層２ａの不純物濃度より高くなるように、拡散膜１
１中の不純物濃度、拡散ガス中の不純物濃度及び熱拡散
の条件が決められている。

【００４０】したがって、前記の１回の熱拡散により、
半導体基板１の表面側の非電極部分のｎ^＋層２ａと電極
部分のｎ^＋＋層２ｂとが同時に形成される。

【００４１】そして、この１回の熱拡散で形成したｎ^＋
層２ａ，ｎ^＋＋層２ｂの濃度（表層濃度）及び拡散層深
さは、ＰＯＣｌ_３ガスを含む雰囲気で９００℃，４０分
の熱拡散を施したところ、ｎ^＋層２ａが濃度：１〜５×
１０^１９cm^−３，拡散層深さ０．２〜０．３μｍにな
り、ｎ^＋＋層２ｂは濃度：２×１０^２０cm^−３〜１×１
０^２１cm^−３，拡散層深さ０．５〜２．０μｍになり、
良好な結果が得られた。

【００４２】なお、前記の熱拡散により半導体基板１の
拡散膜１１で覆われていない側面及び裏面にも熱拡散に
よる高濃度ドープ層（ｎ^＋＋層２ｂ）が形成される。

【００４３】そして、拡散処理の終了後、例えば１０％
のＨＦを含む溶液中に半導体基板１を１分間浸漬し、ｎ
^＋ 層２ａ，ｎ^＋＋層２ｂの表面に形成された不要なリ
ンガラスを除去する。

【００４４】つぎに、図１の（ｄ）に示すように半導体
基板１の表面側のｎ^＋層２ａ，ｎ^{＋ ＋}層２ｂが形成する
ｎ層２の表面に従来と同様、反射防止膜３を約７０〜８
０nmの厚さに形成し、その後図中の破線外側の不要なｎ
^＋＋層２ｂを除去するため、従来と同様、反射防止膜３
の表面に耐酸性のレジスト膜１０をスクリーン印刷法で
塗布し、乾燥して形成する。

【００４５】さらに、ＨＦとＨＮＯ_３とを１：３の割合
いで含む混酸（ＨＦ：ＨＮＯ_３＝１：３）で半導体基板
１をエッチングし、半導体基板１の前記の不要なｎ^＋＋
層２ｂを除去し、トルエン，キシレン等の溶剤でレジス
ト膜１０も除去し、図１の（ｅ）に示すように半導体基
板１の表面にｎ層２，反射防止膜３を積層形成する。

【００４６】つぎに、半導体基板１の裏面にＡｇを含む
ペーストと，Ａｌを含むペーストとをスクリーン印刷法
等で所定のパターンに塗布して乾燥した後、半導体基板
１を７００℃〜８００℃で熱処理し、半導体基板１の裏
面に従来と同様の背面Ａｌ電極６，背面Ａｇ電極７を形
成し、アルミとシリコンの合金化により半導体基板１の
Ａｌ電極６に接した部分に約５μｍの厚さのｐ^＋層５を
形成する。

【００４７】そして、反射防止膜３の表面にスクリーン
印刷法等でＡｇを含むペーストを塗布して乾燥した後、
半導体基板１を６００℃〜７００℃で熱処理し、従来と
同様の表面Ａｇ電極４を焼成し、太陽電池を形成する。

【００４８】したがって、この実施の形態の場合は、基
板１の非電極部分表面に拡散膜１１を塗布形成して熱拡
散処理を施すことにより、１回の熱拡散処理でｎ^＋層２
ａとｎ^＋＋層２ｂとが同時に形成され、図１の（ａ）〜
（ｆ）と図３の（ａ）〜（ｇ）との比較からも明らかな
ように、従来のｎ^＋＋層２ｂを形成する工程を省くこと
ができ、ｐ型の結晶系半導体を用いて光電変換効率が高
いｐｎ接合型のこの種の太陽電池を簡単かつ安価に製造
することができる。

【００４９】（他の形態）前記実施の１形態において
は、結晶系半導体をｐ型半導体基板とし、この基板にｐ
型不純物を熱拡散してｐｎ接合を形成する場合に適用し
たが、本発明は、結晶系半導体をｎ型半導体基板とし、
この基板にｎ型不純物を熱拡散してｐｎ接合を形成する
場合にも同様に適用することができる。

【００５０】この形態においては、ｎ型半導体基板にｐ
型不純物を熱拡散してｐｎ接合を形成する場合につき、
図１を参照して説明する。

【００５１】まず、図１の半導体基板１の代わりにｎ型
半導体基板を用意する。この半導体基板には抵抗率０．
５〜３．０Ωcmのｎ型のｃ−Ｓｉを用いることができ
る。

【００５２】そして、ｎ型半導体基板の非電極部分の表
面に、図１の拡散膜１１に相当するｐ型の拡散膜を塗布
して形成する。

【００５３】このｐ型の拡散膜はｐ型の不純物を含有し
たドーパント剤からなり、このドーパント剤は例えば２
００mlのイソプロピルアルコール及び３０ｇの３酸化ボ
ロン（Ｂ_２Ｏ_３）を含むペースト状である。

【００５４】そして、３酸化ボロンの量は、半導体基板
の表面側の非電極部分に所望の低濃度（１０^１９cm^−３
〜１０^２０cm^−３）のｐ^＋層が形成されるように、拡散
条件等に応じて１０〜６０ｇの範囲で増減調整される。

【００５５】そして、拡散膜を塗布して仮乾燥した後、
半導体基板を拡散治具にセットし、拡散ガスとしても例
えばＢＢｒ_３ガスの雰囲気中で熱拡散を施す。

【００５６】このように熱拡散を施すことで、半導体基
板の表面側における拡散膜に覆われた非電極部分には拡
散膜中に含まれる不純物（ボロン）が拡散し、図１の
（ｃ）のｎ^＋層２ａの位置にｐ^＋層が形成される。

【００５７】−方、半導体基板の表面側における拡散膜
に覆われていない電極部分には、拡散ガス中の不純物
（ボロン）が拡散して図１の（ｃ）のｎ^＋＋層２ｂの位
置にｐ ^＋＋層が形成される。

【００５８】このとき、本形態においても１形態と同様
に、拡散膜の膜厚を、拡散ガス中に含まれる不純物がほ
とんど半導体基板には到達しないような膜厚としてい
る。

【００５９】したがって、ｐ^＋層の不純物濃度を拡散膜
中におけるドーパント剤の不純物濃度、及び熱拡散の条
件により制御することができ、またｐ^＋＋層の不純物濃
度を拡散ガス中の不純物濃度及び熱拡散の条件により制
御することができる。そして、本形態においても、ｐ
^＋＋層の不純物濃度がｐ^＋層の不純物濃度より高くなる
ように、拡散膜中の不純物濃度、拡散ガス中の不純物濃
度及び熱拡散の条件が決められている。

【００６０】そして、非電極部分のｐ^＋層，電極部分の
ｐ^＋＋層の表層濃度，拡散層深さは、ＢＢｒ_３ガスを含
む雰囲気で１０００℃，６０分の熱拡散を施したところ
ｐ^＋層が濃度：１〜５×１０^１９cm^−３，拡散層深さ：
０．２〜０．３μｍ，ｐ^＋＋層が濃度：２×１０^２０cm
^−３〜１×１０^２１cm^−３，拡散層深さ：０．５〜２．
０μｍになり、良好な結果が得られた。

【００６１】さらに、熱拡散の終了後、半導体基板を１
０％のＨＦを含む溶液中に１分間浸漬し、ｐ^＋層，ｐ
^＋＋層の表面に形成された不要なボロンガラスを除去す
る。

【００６２】その後、図１の（ｄ）の反射防止膜３，レ
ジスト膜１０に相当する反射防止膜，レジスト膜を形成
して混酸（ＨＦ：ＨＮＯ_３＝１：３）で半導体基板をエ
ッチングし、不要部分を除去し、さらに、図１の（ｆ）
の各電極３，６，７に相当する電極をそれぞれ形成す
る。

【００６３】したがって、この形態の場合も１回の熱拡
散を施してｎ型半導体基板の表面側の非電極部分に低濃
度のｐ^＋層を形成し、電極部分に高濃度のｐ^＋＋層を形
成することができ、前記１形態の場合と同様の効果が得
られる。

【００６４】ところで、拡散膜等の形成は、スクリーン
印刷法以外の例えばジェットプリンタを用いた印刷法で
行うようにしてもよいし、或いは他の方法を用いて形成
してもよい。

【００６５】また、結晶系半導体，不純物等は前記の両
実施の形態のものに限定されるものではなく、各工程に
おける処理時間，濃度等は、半導体，不純物等の種類や
寸法，量等に応じて適当に設定すればよいのは勿論であ
る。

【００６６】

【発明の効果】本発明は、以下に記載する効果を奏す
る。結晶系半導体の非電極部分表面に拡散膜を塗布した
後に熱拡散処理を施して製造するようにしたため、半導
体の表面側の非電極部分については、拡散膜からの不純
物の拡散によって低濃度ドープ層（ｎ^＋層２ａ）を形成
することができ、半導体の表面側の電極部分について
は、拡散ガスからの不純物の拡散によって高濃度ドープ
層（ｎ^＋＋層２ｂ）を形成することができる。

【００６７】したがって、１回の熱拡散処理で両ドープ
層を形成することができ、製造工程数を従来より低減し
て安価にｐｎ接合型のこの種の太陽電池を製造すること
ができる。

【００６８】そして、拡散膜を、拡散ガス中に含まれる
不純物がほとんど結晶系半導体には到達しない膜厚に形
成することにより、両ドープ層の不純物量を適切に制御
することができる。

【００６９】さらに、拡散膜中の不純物濃度，拡散ガス
中の不純物濃度或いは熱拡散の条件を、拡散膜から非電
極部分に拡散する不純物の量よりも、拡散ガスから電極
部分に拡散する不純物の量の方が多くなるように調整す
ることにより、両ドープ層の不純物量を一層精度よく制
御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施の１形態の製造
工程の説明図である。

【図２】ｐｎ接合型の太陽電池セルの説明図である。

【図３】（ａ）〜（ｈ）は従来方法の製造工程の説明図
である。

【符号の説明】

１ ｐ型半導体基板 ２ ｎ層 ２ａ ｎ^＋層 ２ｂ ｎ^＋＋層 １１ 拡散膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶系半導体の表面側において、電極部
   分に非電極部分より高濃度に不純物を拡散してｐｎ接合
   を形成する太陽電池の製造方法において、 前記非電極部分の表面に前記不純物を含有した拡散膜を
   形成し、 前記拡散膜の形成後に前記不純物を含む拡散ガスの雰囲
   気中で前記半導体に熱拡散を施し、 前記非電極部分に前記拡散膜からの前記不純物の拡散に
   基づく低濃度ドープ層を形成すると共に、 前記電極部分に前記拡散ガスからの前記不純物の拡散に
   基づく高濃度ドープ層を形成することを特徴とする太陽
   電池の製造方法。
2. 【請求項２】 拡散膜を、拡散ガス中に含まれる不純物
   がほとんど結晶系半導体には到達しない膜厚に形成する
   ことを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
3. 【請求項３】 拡散膜中の不純物濃度，拡散ガス中の不
   純物濃度或いは熱拡散の条件を、拡散膜から非電極部分
   に拡散する不純物の量よりも、前記拡散ガスから電極部
   分に拡散する不純物の量の方が多くなるように調整する
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の太陽電池
   の製造方法。