RU2006137039A - Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) - Google Patents
Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006137039A RU2006137039A RU2006137039/28A RU2006137039A RU2006137039A RU 2006137039 A RU2006137039 A RU 2006137039A RU 2006137039/28 A RU2006137039/28 A RU 2006137039/28A RU 2006137039 A RU2006137039 A RU 2006137039A RU 2006137039 A RU2006137039 A RU 2006137039A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electronic device
- organic electronic
- electroactive
- phosphonic
- functional
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 12
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 11
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims 10
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims 10
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 claims 10
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 5
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims 5
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 4
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 claims 4
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical class 0.000 claims 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 3
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 claims 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 2
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001253 acrylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 claims 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 claims 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CVMBCYJJZICNKP-UHFFFAOYSA-N 2-(phosphonomethyl)prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C(=C)CP(O)(O)=O CVMBCYJJZICNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 claims 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 claims 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- -1 aryl peroxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000006870 function Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 230000007787 long-term memory Effects 0.000 claims 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001918 phosphonic acid ester group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 claims 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 claims 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 claims 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- YOKDQEBPBYOXHX-UHFFFAOYSA-N prop-1-en-2-ylphosphonic acid Chemical compound CC(=C)P(O)(O)=O YOKDQEBPBYOXHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RZKYDQNMAUSEDZ-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CC=C RZKYDQNMAUSEDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims 1
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0014—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material
- G11C13/0016—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising cells based on organic memory material comprising polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/50—Resistive cell structure aspects
- G11C2213/55—Structure including two electrodes, a memory active layer and at least two other layers which can be a passive or source or reservoir layer or a less doped memory active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/311—Purifying organic semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Claims (53)
1. Органическое электронное устройство, содержащее электроактивные органические материалы в виде конденсатороподобной структуры и способные реагировать физически или химически на воздействие на них электрических полей или токов, при этом конденсатороподобная структура представляет собой многослойную структуру, содержащую первый и второй комплекты соответствующих электродов, контактирующих какой-либо стороной со слоем электроактивных органических материалов, причем по меньшей мере один электроактивный материал в конденсатороподобной структуре образует диэлектрический материал этой структуры, который выполнен с возможностью доступа к нему электрически прямо или косвенно через электроды, при этом каждая конденсатороподобная структура выполнена с возможностью обращения к ней избирательно для вызова электроактивного ответа и содержит по меньшей мере один функциональный промежуточный слой, состоящий из одного или более материалов, содержащих молекулярные фрагменты, содержащие группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей, причем один функциональный слой в любом случае расположен между по меньшей мере одним из электродов и прилежащими электроактивными органическими материалами, и в случае, если имеется более одного функционального слоя, вышеуказанные промежуточные слои имеют одинаковые или различные составы.
2. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что представляет собой долговременное устройство памяти с одной или более ячейками памяти в виде вышеуказанной конденсатороподобной структуры, причем указанные одна или более ячейки памяти содержат электроактивный материал, который является электрически поляризуемым диэлектрическим запоминающим материалом с ферроэлектрическими или электретными свойствами и способным проявлять гистерезис или остаточную поляризацию, причем ячейки памяти в долговременном устройстве памяти являются элементами активного или пассивного матрикса, а вызванный электроактивный ответ представляет собой операцию записи/чтения/удаления, устанавливающую желаемое состояние поляризации в ячейке памяти или выполняющую ее поляризационное переключение, при этом определенное состояние поляризации, установленное в ячейке памяти, определяет ее логическое состояние.
3. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что электроактивные органические материалы состоят из отдельных молекул, олигомеров, гомополимеров, сополимеров или их смесей или соединений.
4. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что материалы функционального промежуточного слоя состоят из отдельных молекул, олигомеров, гомополимеров, сополимеров или их смесей или соединений.
5. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включают в себя молекулы формулы RP, где R обозначает органическую молекулу, а Р обозначает одну или более групп фосфоновой или фосфорной кислот или их солей.
6. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включают в себя полимеры, содержащие группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей.
7. Органическое электронное устройство по п.6, отличающееся тем, что вышеуказанные полимеры являются одним или более чем одним полимером, выбранным из поливинилов, полиакрилатов, полиакриламидов, простых полиэфиров, простых и/или сложных полиглицидиловых эфиров, сложных полиэфиров, полиэфиркетонов, полиамидов, полиуретанов или полимочевин.
8. Органическое электронное устройство по п.6, отличающееся тем, что вышеуказанные группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей соединены с основной цепью полимера через амидные, уретановые, аминные, сложноэфирные, карбонатные или простые эфирные группы.
9. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включают в себя гомополимеры с мономерами, содержащими одну или более групп фосфоновой или фосфорной кислоты или их солей.
10. Органическое электронное устройство по п.9, отличающееся тем, что вышеуказанные гомополимеры являются одним или более чем одним полимером, выбранным из поли[1-фосфоновой кислоты-1,2-этанди ила], более известного под названием поливинилфосфоновой кислоты или PVPA, или гомополимеров аллилфосфоновой кислоты, алкенилфосфоновых кислот, таких как изопропенилфосфоновая кислота, 1,1-винилидендифосфоновая кислота, или 2-фосфонометилакрилатов.
11. Органическое электронное устройство по п.9, отличающееся тем, что вышеуказанные мономеры являются одним или более чем одним мономером следующих типов: винил, винилиден, алкенил, акрилаты или акриловые кислоты, сложные акриловые эфиры, метакриловые кислоты, сложные метакриловые эфиры, сложные акриловые эфиры, акриламиды, простые виниловые эфиры, простые и/или сложные глицидиловые эфиры и стиролы.
12. Органическое электронное устройство по п.9, отличающееся тем, что вышеуказанные мономеры содержат одну или несколько других функциональных групп для улучшения адгезии и/или обеспечения сшивания, или другим способом облегчающих обработку.
13. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включают в себя сополимеры двух или более сомономеров, причем по меньшей мере один из сомономеров содержит группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей.
14. Органическое электронное устройство по п.13, отличающееся тем, что вышеуказанные сомономеры являются одним или более чем одним сомономером следующих типов: винил, винилиден, алкенил, акрилаты или акриловые кислоты, сложные акриловые эфиры, метакриловые кислоты, сложные метакриловые эфиры, сложные акриловые эфиры, акриламиды, простые виниловые эфиры, простые и/или сложные глицидиловые эфиры и стиролы.
15. Органическое электронное устройство по п.13, отличающееся тем, что один или несколько сомономеров содержат одну или более чем одну функциональную группу для улучшения адгезии и/или обеспечения сшивания, или другим способом облегчающих обработку.
16. Органическое электронное устройство по п.15, отличающееся тем, что вышеуказанная функциональная группа является одной или более чем одной группой, выбранной из следующих: карбоновая кислота, сложный эфир карбоновой кислоты, моно- и диэфиры фосфоновой или фосфорной кислот, фторалкильные цепи или простые эфиры.
17. Органическое электронное устройство по п.13, отличающееся тем, что вышеуказанный сополимер является сополимером поливинилфосфоновой кислоты и акриловой кислоты.
18. Органическое электронное устройство по п.17, отличающееся тем, что массовое процентное содержание винилфосфоновой кислоты находится в диапазоне от 50% до 100%.
19. Органическое электронное устройство по п.13, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включают в себя сополимеры мономеров, содержащих группы фосфоновой кислоты, и мономеров, содержащих группы сложного эфира фосфоновой кислоты, причем вышеуказанный сложный эфир является моноэфиром или диэфиром фосфоновой кислоты.
20. Органическое электронное устройство по п.19, отличающееся тем, что сополимеры сложных фосфоновых эфиров и фосфоновых кислот получены посредством частичного гидролиза полимерной фосфоновой кислоты.
21. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что вышеуказанные молекулярные фрагменты включены в смеси полимеров с одним или несколькими полимерами, содержащими группы фосфоновой или фосфорной кислоты и/или сложных эфиров или солей этих кислот.
22. Органическое электронное устройство по п.21, отличающееся тем, что по меньшей мере один полимер содержит одну или несколько функциональных групп для улучшения адгезии и/или обеспечения сшивания, или другим способом облегчающих обработку.
23. Органическое электронное устройство по п.22, отличающееся тем, что вышеуказанные функциональные группы являются одной или несколькими группами из следующих: карбоновые кислоты, сложные эфиры карбоновых кислот, амиды, моно- и диэфиры фосфоновой или фосфорной кислот, простые эфиры, спирты или фенолы, меркаптаны или амины.
24. Органическое электронное устройство по п.21, отличающееся тем, что один из полимеров является поливинилфосфоновой кислотой (PVPA), а второй полимер является полималеиновой кислотой.
25. Органическое электронное устройство по п.21, отличающееся тем, что один из полимеров является поливинилфосфоновой кислотой (PVPA), а второй полимер является полиметакриловой кислотой.
26. Органическое электронное устройство по п.21, отличающееся тем, что один из полимеров является поливинилфосфоновой кислотой (PVPA), а второй полимер является полиакриловой кислотой.
27. Органическое электронное устройство по п.26, отличающееся тем, что массовое соотношение PVPA:PAA находится в диапазоне от 85:15 до 95:5.
28. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что соли содержат один или несколько из следующих компонентов: щелочные металлы, щелочно-земельные металлы, Zn, Al, Ti, Zr, замещенные имидазолы и триазолы в целом, аммоний, алкил- или арилзамещенные амины в целом, поливинилпиридины, замещенные полиаминостиролы в целом, замещенные поливиниламины, полиаллиламины, полидиаллиламины и полиэтиленимины в целом.
29. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина верхнего функционального промежуточного слоя находится в диапазоне от до 500 Å.
30. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина нижнего функционального промежуточного слоя меньше 500 Å.
31. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что по меньшей мере один из функциональных промежуточных слоев устойчив к разрушению в процессе осаждения электродов.
32. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что материал электродов выбран таким образом, что они выполнены с возможностью управляемого взаимлдействия с функциональным промежуточным слоем с образованием границы раздела с высокой комплексной диэлектрической постоянной.
33. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что материал по меньшей мере одного из электродов является одним или более чем одним из следующих элементов: Au, Pt, Pd, Ti или Al.
34. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что по меньшей мере один из электродов состоит из Ti или Ti/TiOx.
35. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что между электродом и функциональным промежуточным слоем предусмотрен защитный слой.
36. Органическое электронное устройство по п.35, отличающееся тем, что защитный слой образован оксидом или нитридом.
37. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что по меньшей мере на один из функциональных промежуточных слоев нанесен рисунок.
38. Органическое электронное устройство по п.1, отличающееся тем, что органическое электронное устройство содержит параллельные ленточные электроды, находящиеся на поверхности, и изолирующий материал, находящийся на поверхности и расположенный в пространствах между электродами.
39. Способ изготовления органического электронного устройства, содержащего электроактивные органические материалы в виде конденсатороподобной структуры и способные реагировать физически или химически на воздействие на них электрических полей или токов, при этом конденсатороподобная структура представляет собой многослойную структуру, содержащую первый и второй комплекты соответствующих электродов, контактирующих какой-либо стороной со слоем электроактивных органических материалов, причем по меньшей мере один электроактивный материал в конденсатороподобной структуре образует диэлектрический материал этой структуры, который выполнен с возможностью доступа к нему электрически прямо или косвенно через электроды, при этом каждая конденсатороподобная структура выполнена с возможностью обращения к ней избирательно для вызова электроактивного ответа и содержит по меньшей мере один функциональный промежуточный слой, состоящий из одного или более материалов, содержащих молекулярные фрагменты, содержащие группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей, причем один функциональный слой в любом случае расположен между по меньшей мере одним из электродов и прилежащими электроактивными органическими материалами, характеризующийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством одного из следующих способов: нанесения покрытия способом центрифугирования, испарения, напыления, химического осаждения из паровой фазы (CVD), физического осаждения из паровой фазы, самосборки или чередующегося послойного (LBL) осаждения разноименно заряженных полиэлектролитов или формирования LBL-структур с использованием металлофосфонатной химии.
40. Способ по п.39, отличающийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством центрифугирования, а центрифугирование осуществляют в вакуумной камере.
41. Способ по п.39, отличающийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством центрифугирования, а центрифугирование осуществляют в атмосфере, состоящей из одного или нескольких из следующих газов или паров: N2, инертные газы, благородные газы или пары одного или нескольких материалов, осаждаемых способом центрифугирования, и растворителей.
42. Способ по п.39, отличающийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством центрифугирования, при котором используют нагретый раствор для нанесения покрытия способом центрифугирования.
43. Способ по п.39, отличающийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством центрифугирования, при котором используют растворитель, который является смесью воды с одним или несколькими спиртами.
44. Способ по п.43, отличающийся тем, что смесь является смесью 1-пропанола, и/или 2-пропанола, и/или 2,2,2-трифторэтанола с водой, причем массовое соотношение спирта и воды выбрано в диапазоне от 50:50 до 90:10.
45. Способ по п.39, отличающийся тем, что материал функционального промежуточного слоя осаждают посредством центрифугирования, причем осуществляют предварительную обработку поверхности, на которую осаждают промежуточный слой, пероксидами, такими как H2O2 или алкил- или арилпероксиды.
46. Способ изготовления органического электронного устройства, содержащего электроактивные органические материалы в виде конденсатороподобной структуры и способные реагировать физически или химически на воздействие на них электрических полей или токов, при этом конденсатороподобная структура представляет собой многослойную структуру, содержащую первый и второй комплекты соответствующих электродов, контактирующих какой-либо стороной со слоем электроактивных органических материалов, причем по меньшей мере один электроактивный материал в конденсатороподобной структуре образует диэлектрический материал этой структуры, который выполнен с возможностью доступа к нему электрически прямо или косвенно через электроды, при этом каждая конденсатороподобная структура выполнена с возможностью обращения к ней избирательно для вызова электроактивного ответа и содержит по меньшей мере один функциональный промежуточный слой, состоящий из одного или более материалов, содержащих молекулярные фрагменты, содержащие группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей, причем один функциональный слой в любом случае расположен между по меньшей мере одним из электродов и прилежащими электроактивными органическими материалами, характеризующийся тем, что осуществляют стабилизацию и/или перевод в нерастворимую форму по меньшей мере одного из материалов функционального промежуточного слоя.
47. Способ по п.46, отличающийся тем, что используют сшивающие агенты для обеспечения стабильности и/или снижения растворимости функционального промежуточного слоя.
48. Способ по п.46, отличающийся тем, что молекулы сшивающих агентов включают в материал функционального промежуточного слоя и инициируют реакцию сшивания после осаждения посредством нагревания или облучения.
49. Способ по п.48, отличающийся тем, что используют молекулы сшивающего агента, содержащие две или более эпоксидных групп.
50. Способ по п.48, отличающийся тем, что осуществляют сшивание посредством реакций, индуцированных теплом.
51. Способ по п.48, отличающийся тем, что осуществляют сшивание посредством реакций, индуцированных УФ-излучением.
52. Способ изготовления органического электронного устройства, содержащего электроактивные органические материалы, способные реагировать физически или химически на воздействие на них электрических полей или токов, при этом электроактивные материалы образуют многослойную структуру между первым и вторым наборами соответствующих электродов, причем в электроактивных материалах выделена ячейка конденсатороподобной структуры, которая выполнена с возможностью доступа к ней электрически прямо или косвенно через электроды, при этом каждая ячейка выполнена с возможностью обращения к ней избирательно для вызова электроактивного ответа, а также содержащего по меньшей мере один функциональный промежуточный слой, состоящий из одного или нескольких материалов, содержащих молекулярные фрагменты, содержащие группы фосфоновой или фосфорной кислот или их солей, причем один функциональный слой в любом случае расположен между по меньшей мере одним из электродов и прилежащими электроактивными органическими материалами, характеризующийся тем, что по меньшей мере на один из функциональных слоев наносят рисунок.
53. Способ по п.52, отличающийся тем, что для нанесения рисунка используют твердый шаблон.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20041276 | 2004-03-26 | ||
| NO20041276A NO321555B1 (no) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Organisk elektronisk innretning og fremgangsmate til fremstilling av en slik innretning |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006137039A true RU2006137039A (ru) | 2008-05-10 |
Family
ID=34859229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006137039/28A RU2006137039A (ru) | 2004-03-26 | 2005-03-21 | Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7265379B2 (ru) |
| EP (1) | EP1728286A1 (ru) |
| JP (1) | JP2007531265A (ru) |
| CN (1) | CN1938876A (ru) |
| AU (1) | AU2005226489A1 (ru) |
| CA (1) | CA2559462A1 (ru) |
| NO (1) | NO321555B1 (ru) |
| RU (1) | RU2006137039A (ru) |
| WO (1) | WO2005093870A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552402C2 (ru) * | 2009-06-05 | 2015-06-10 | Пластик Лоджик Лимитед | Электронные устройства |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7205595B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-04-17 | Intel Corporation | Polymer memory device with electron traps |
| NO321280B1 (no) * | 2004-07-22 | 2006-04-18 | Thin Film Electronics Asa | Organisk, elektronisk krets og fremgangsmate til dens fremstilling |
| JP2006191005A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法 |
| US8314417B2 (en) | 2004-12-07 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
| US7926726B2 (en) * | 2005-03-28 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Survey method and survey system |
| US8247802B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device |
| US7646013B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-01-12 | Acreo Ab | Transistor with large ion-complexes in electrolyte layer |
| TWI304213B (en) * | 2006-01-11 | 2008-12-11 | Ind Tech Res Inst | Organic memory device and method of fabricating the same |
| US7405462B2 (en) | 2006-01-31 | 2008-07-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | FPGA architecture at conventional and submicron scales |
| KR101224768B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2013-01-21 | 삼성전자주식회사 | 유기 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
| KR101316558B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2013-10-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 소자 및 반도체 장치 |
| US7910386B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-03-22 | General Electric Company | Method of making organic light emitting devices |
| TW200809739A (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-16 | Ritdisplay Corp | Method for fabricating active matrix organic electro-luminescence display panel |
| US7858550B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-12-28 | Dressick Walter J | Method of making a nanostructured electrode |
| KR100836759B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2008-06-10 | 삼성전자주식회사 | 유기 메모리 소자 및 그 형성 방법 |
| US8003980B2 (en) * | 2007-01-30 | 2011-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Layered electro-organic devices with crosslinked polymer and methods of preparing the same |
| US9044715B2 (en) * | 2007-08-22 | 2015-06-02 | Colorado School Of Mines | Unsupported palladium alloy membranes and methods of making same |
| DE102007046679B4 (de) | 2007-09-27 | 2012-10-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | RFID-Transponder |
| DE102007055137A1 (de) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organische Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP2010021401A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP2286988A1 (de) * | 2008-12-13 | 2011-02-23 | Bayer MaterialScience AG | Ferroelektret-Zwei- und Mehrschichtverbund und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102008061928A1 (de) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Polylc Gmbh & Co. Kg | Organisch elektronische Schaltung |
| DE102009032696A1 (de) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organisch elektronische Schaltung |
| US8906270B2 (en) * | 2010-03-19 | 2014-12-09 | Colorado School Of Mines | Acidic ion exchange membrane and method for making and using the same |
| US9401471B2 (en) * | 2010-09-15 | 2016-07-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof, and liquid droplet discharging head and liquid droplet discharging apparatus |
| JP5517065B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-06-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | スイッチング素子及びスイッチアレイ |
| JP6002158B2 (ja) * | 2011-02-19 | 2016-10-05 | ユナイテッド アラブ エミレーツ ユニバーシティＵｎｉｔｅｄ Ａｒａｂ Ｅｍｉｒａｔｅｓ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | 半導体材料とストレージデバイス |
| JP5674520B2 (ja) | 2011-03-24 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 有機分子メモリの製造方法 |
| US8859098B2 (en) * | 2012-05-18 | 2014-10-14 | Lord Corporation | Acrylic adhesion promoters |
| JP6296701B2 (ja) | 2012-10-15 | 2018-03-20 | 住友化学株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| AU2014215300B2 (en) * | 2013-02-08 | 2017-03-30 | Kuraray Co., Ltd. | Multilayer structure and method for producing same |
| AU2014215298B2 (en) * | 2013-02-08 | 2017-03-30 | Kuraray Co., Ltd. | Electronic device |
| EP2779261B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-30 | Acreo Swedish ICT AB | Ferroelectric field-effect transistor |
| CN103762217B (zh) * | 2014-01-26 | 2016-05-04 | 江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 | 一种铁电存储器的制造方法 |
| CN105321886B (zh) * | 2014-05-29 | 2019-07-05 | 联华电子股份有限公司 | 电容器结构及其制造方法 |
| CN107223038A (zh) * | 2014-11-24 | 2017-09-29 | 塔吉特Gdl公司 | 在地板覆盖物中具有压力传感器的监视系统 |
| US10707526B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-07-07 | New Dominion Enterprises Inc. | All-inorganic solvents for electrolytes |
| US10653798B2 (en) | 2015-06-04 | 2020-05-19 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Electroactive supramolecular polymeric assemblies, methods of making electroactive supramolecular polymeric assemblies, and method of using electroactive supramolecular polymeric assemblies |
| US20170092533A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor |
| US10707531B1 (en) | 2016-09-27 | 2020-07-07 | New Dominion Enterprises Inc. | All-inorganic solvents for electrolytes |
| US10074559B1 (en) | 2017-03-07 | 2018-09-11 | Applied Materials, Inc. | Selective poreseal deposition prevention and residue removal using SAM |
| US11224878B2 (en) | 2017-05-05 | 2022-01-18 | Quantum-Si Incorporated | Substrates having modified surface reactivity and antifouling properties in biological reactions |
| AU2020364058A1 (en) | 2019-10-11 | 2022-05-26 | Quantum-Si Incorporated | Surface modification in the vapor phase |
| DE102021125407A1 (de) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Polymer Competence Center Leoben Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums für einen Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und Kondensator |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2675803B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1997-11-12 | キヤノン株式会社 | スイッチング素子 |
| EP0549345B1 (en) * | 1991-12-24 | 1997-03-05 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | EL element comprising organic thin film |
| US7166241B1 (en) * | 1993-03-03 | 2007-01-23 | International Business Machines Corporation | Water-soluble electrically conducting polymers, their synthesis and use |
| ES2191057T3 (es) * | 1994-09-06 | 2003-09-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Dispositivo electroluminiscente que comprende una capa de poli-3,4-dioxitiofeno. |
| NO972803D0 (no) * | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Opticom As | Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte |
| NO309500B1 (no) * | 1997-08-15 | 2001-02-05 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme |
| US6284654B1 (en) * | 1998-04-16 | 2001-09-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for fabrication of hybrid electrodes |
| US6548843B2 (en) * | 1998-11-12 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Ferroelectric storage read-write memory |
| US6611096B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-08-26 | 3M Innovative Properties Company | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
| NO20005980L (no) * | 2000-11-27 | 2002-05-28 | Thin Film Electronics Ab | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling |
| EP1271561B1 (en) * | 2001-06-27 | 2011-06-22 | FUJIFILM Corporation | Conductive film |
| US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
| US6946676B2 (en) * | 2001-11-05 | 2005-09-20 | 3M Innovative Properties Company | Organic thin film transistor with polymeric interface |
| NO317912B1 (no) | 2001-11-23 | 2004-12-27 | Thin Film Electronics Asa | Ferroelektrisk eller elektret minnekrets |
| NO20015735D0 (no) * | 2001-11-23 | 2001-11-23 | Thin Film Electronics Asa | Barrierelag |
| DE10200475A1 (de) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Samsung Sdi Co | Nichtflüchtiges Speicherelement und Anzeigematrizen daraus |
| DE10209419A1 (de) * | 2002-03-05 | 2003-09-25 | Celanese Ventures Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Polymerelektrolytmembran und deren Anwendung in Brennstoffzellen |
| DE10213540A1 (de) | 2002-03-06 | 2004-02-19 | Celanese Ventures Gmbh | Lösung aus Vinylphosphonsäure, Verfahren zur Herstellung einer Polymerelektrolytmembran aus Polyvinylphosphaonsäure und deren Anwendung in Brennstoffzellen |
| US6812509B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
| US7075105B2 (en) * | 2003-03-19 | 2006-07-11 | Masataka Kano | Organic bistable element, organic bistable memory device using the same, and method for driving said organic bistable element and organic bistable memory device |
| US6825060B1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photosensitive polymeric memory elements |
-
2004
- 2004-03-26 NO NO20041276A patent/NO321555B1/no unknown
-
2005
- 2005-03-21 EP EP05730696A patent/EP1728286A1/en not_active Withdrawn
- 2005-03-21 AU AU2005226489A patent/AU2005226489A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-21 JP JP2007504905A patent/JP2007531265A/ja not_active Abandoned
- 2005-03-21 CA CA002559462A patent/CA2559462A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-21 RU RU2006137039/28A patent/RU2006137039A/ru not_active Application Discontinuation
- 2005-03-21 CN CNA2005800097345A patent/CN1938876A/zh active Pending
- 2005-03-21 WO PCT/NO2005/000101 patent/WO2005093870A1/en not_active Ceased
- 2005-03-24 US US11/088,194 patent/US7265379B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2552402C2 (ru) * | 2009-06-05 | 2015-06-10 | Пластик Лоджик Лимитед | Электронные устройства |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2559462A1 (en) | 2005-10-06 |
| AU2005226489A1 (en) | 2005-10-06 |
| CN1938876A (zh) | 2007-03-28 |
| WO2005093870A1 (en) | 2005-10-06 |
| US20050249975A1 (en) | 2005-11-10 |
| EP1728286A1 (en) | 2006-12-06 |
| NO20041276L (no) | 2005-09-27 |
| US7265379B2 (en) | 2007-09-04 |
| NO321555B1 (no) | 2006-05-29 |
| JP2007531265A (ja) | 2007-11-01 |
| NO20041276D0 (no) | 2004-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2006137039A (ru) | Органическое электронное устройство и способ его изготовления (варианты) | |
| JP3162717B2 (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| Chung et al. | Synthesis and properties of ferroelectric fluoroterpolymers with Curie transition at ambient temperature | |
| JP4860933B2 (ja) | 有機発光ダイオードを向上させるためのポリチオフェン組成物 | |
| KR101176716B1 (ko) | 전자제품 응용을 위한 중합체 산 콜로이드와 함께 제조된수분산성 폴리피롤 | |
| CN1934164B (zh) | 由聚合酸胶体制备的用于电子用途的水分散性聚苯胺 | |
| KR100974771B1 (ko) | 전도성 중합체를 이용한 박막 축전기 | |
| US6946676B2 (en) | Organic thin film transistor with polymeric interface | |
| JP7031891B2 (ja) | メモリデバイス及び容量性エネルギー蓄積デバイス | |
| CN104916778A (zh) | 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物 | |
| JP2007529608A (ja) | 高分子酸コロイドおよび水混和性有機液体を含む水分散性ポリジオキシチオフェン | |
| CN1993822A (zh) | 形成互连件的方法 | |
| KR20170091962A (ko) | 그래핀 기반 박막 적층체의 제조방법 및 상기 그래핀 기반 박막 적층체 | |
| US6974858B2 (en) | Process of fractionating polymers | |
| KR102164694B1 (ko) | 랜덤 공중합체, 미세 패턴 형성 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US10583651B2 (en) | Droplet deposition head | |
| JP6620806B2 (ja) | 透明導電体及び透明導電体の製造方法 | |
| JP2012099244A (ja) | 電極、電極の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌ）装置、同装置の製造方法 | |
| CN114945635B (zh) | 导电性组合物、抗蚀剂被覆材料、抗蚀剂及抗蚀剂图案的形成方法 | |
| US20060147730A1 (en) | Adhesion promoter for ferroelectric polymer films | |
| JP4854928B2 (ja) | キャスティングされた強誘電性ポリマーフィルム用レベリング剤 | |
| KR100737383B1 (ko) | 절연막, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 제조방법 | |
| US20120165467A1 (en) | New polyelectrolyte complexes and the use thereof | |
| JPH11233095A (ja) | 電池用セパレーター | |
| HK1072659A (en) | Thin film capacitor using conductive polymers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20090225 |