JP6599769B2 - 光電変換装置 - Google Patents

Description

本発明は、光電変換装置に関する。

近年、光電変換装置としての太陽電池が注目されている。太陽電池の一例として、裏面電極型の太陽電池がある。

裏面電極型の太陽電池は、例えば、特開２００７−２８１１５６号公報に開示されている。上記公報において、裏面電極型の太陽電池は、結晶半導体と、前記結晶半導体の、太陽光の照射面とは反対側になる裏面に形成されたｎ型非晶質半導体層と、前記裏面に形成されたｐ型非晶質半導体層と、前記ｎ型非晶質半導体層上および前記ｐ型非晶質半導体層上に形成された電極とからなる。

しかしながら、上記公報のように、非晶質半導体層上に電極を形成する場合、非晶質半導体層と電極との間の接触抵抗が高くなるという問題があった。

本発明の目的は、不純物を含む非晶質半導体層と当該非晶質半導体層上に形成される電極との接触抵抗を低減して、素子特性を向上させることができる、光電変換装置を提供することにある。

本発明の実施の形態による光電変換装置は、半導体基板と、第１半導体層と、第２半導体層と、第１電極と、第２電極とを備える。第１半導体層は、第１導電型を有する。第２半導体層は、第１導電型とは反対の第２導電型を有する。第１電極は、第１半導体層上に形成される。第２電極は、第２半導体層上に形成される。第１電極は、第１導電層と、第２導電層とを含む。第２導電層は、第１導電層に接して形成される。第１導電層は、第１金属を主成分として含む。第２導電層は、第２金属を含む。第２金属は、第１金属よりも酸化されやすい。

本発明の実施の形態による光電変換装置は、不純物を含む非晶質半導体層と当該非晶質半導体層上に形成される電極との接触抵抗を低減して、光電変換装置の特性を向上させることができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態による光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図２Ａは、図１に示す光電変換装置の製造方法を説明するための断面図であって、図１に示す光電変換装置のシリコン基板を示す断面図である。 図２Ｂは、図２Ａに示すシリコン基板に真性非晶質シリコン層、ｐ型非晶質シリコン層、被覆層が形成された状態を示す断面図である。 図２Ｃは、図２Ｂに示すシリコン基板において被覆層及びｐ型非晶質シリコン層をパターニングして、被覆層及びｐ型非晶質シリコン層を形成した状態を示す図である。 図２Ｄは、図２Ｃに示すシリコン基板にｎ型非晶質シリコン層を形成する工程を説明する図である。 図２Ｅは、図２Ｃに示すシリコン基板の裏面に真性非晶質シリコン層が形成され、且つ、真性非晶質シリコン層上にｎ型非晶質シリコン層及びｐ型非晶質シリコン層が形成された状態を示す断面図である。 図２Ｆは、図２Ｅに示すシリコン基板の受光面にパッシベーション膜が形成された状態を示す断面図である。 図２Ｇは、図２Ｅに示すシリコン基板において、パッシベーション膜上に反射防止膜が形成された状態を示す断面図である。 図２Ｈは、図２Ｇに示すシリコン基板において、銀からなる導電層及びチタンからなる導電層が形成された状態を示す断面図である。 図２Ｉは、図２Ｈに示すシリコン基板に電極が形成された状態を示す断面図である。 図３は、平均結晶粒径とアニール温度との関係を示すグラフである。 図４は、２層の導電層を備える電極とｎ型非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示すグラフである。 図５は、ｎ型非晶質シリコン層に接する電極が１層の導電層からなる場合において、電極とｎ型非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示すグラフである。 図６は、２層の導電層を備える電極とｐ型非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示すグラフである。 図７は、ｐ型非晶質シリコン層に接する電極が１層の導電層からなる場合において、電極とｐ型非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示すグラフである。 図８は、１７５℃で熱処理をしたときのｐ型非晶質シリコン層に接する電極の深さ方向の組成分布をオージェ電子分光法で測定した結果を示すグラフである。 図９Ａは、平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。 図９Ｂは、平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。 図９Ｃは、平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。 図１０は、接触抵抗を測定したときのサンプルの概略構成を示す断面図である。 図１１は、金属結晶粒の界面準位を説明するための概念図である。 図１２は、金属結晶粒が小さい場合の電極とｎ型非晶質シリコン層との界面のバンド図である。 図１３は、金属結晶粒が大きい場合の電極とｎ型非晶質シリコン層との界面のバンド図である。 図１４は、セル抵抗と平均結晶粒径の平均値との関係を示すグラフである。 図１５は、変換効率ηの変化率と電極構成との関係を示すグラフである。 図１６は、曲線因子ＦＦの変化率と電極構成との関係を示すグラフである。 図１７は、変換効率ηの変化率と平均結晶粒径との関係を示すグラフである。 図１８は、曲線因子ＦＦの変化率と平均結晶粒径との関係を示すグラフである。 図１９は、本発明の第１の実施の形態の変形例１に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図２０Ａは、図１９に示す光電変換素子の電極を製造する工程を説明する図であって、シリコン基板において電極を構成する３層の導電層が形成された状態を示す図である。 図２０Ｂは、図２０Ａに示す３層の導電層をパターニングした状態を示す図である。 図２０Ｃは、図２０Ｂに示す導電層を熱処理して電極が形成された状態を示す図である。 図２１は、図１０に示すサンプルの構成を示す図である。 図２２Ａは、図２１に示すサンプルＡ〜Ｃにおける、電極と非晶質シリコン層との接触抵抗とアニール温度の関係を示す図である。 図２２Ｂは、図２１に示すサンプルＤ〜Ｆにおける、電極と非晶質シリコン層との接触抵抗とアニール温度の関係を示す図である。 図２３Ａは、図２１に示すサンプルＢにおける電極とｎ型非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す図である。 図２３Ｂは、図２１に示すサンプルＡにおける電極と非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す図である。 図２３Ｃは、図２１に示すサンプルＥにおける電極と非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す図である。 図２３Ｄは、図２１に示すサンプルＤにおける電極と非晶質シリコン層との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す図である。 図２４は、平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。 図２５Ａは、本発明の第１の実施の形態の変形例４に係る光電変換素子で採用される第２導電層の概略構成を示す断面図である。 図２５Ｂは、本発明の第１の実施の形態の変形例４に係る光電変換素子で採用される第２導電層の概略構成を示す断面図である。 図２６Ａは、本発明の第１の実施の形態の変形例５に係る光電変換素子で採用される第２導電層の概略構成を示す断面図である。 図２６Ｂは、本発明の第１の実施の形態の変形例５に係る光電変換素子で採用される第２導電層の概略構成を示す断面図である。 図２７Ａは、本発明の第１の実施の形態の変形例６に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図２７Ｂは、本発明の第１の実施の形態の変形例６に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図２８Ａは、本発明の第１の実施の形態の変形例７に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図２８Ｂは、本発明の第１の実施の形態の変形例７に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図２９Ａは、本発明の第１の実施の形態の変形例８に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図２９Ｂは、本発明の第１の実施の形態の変形例８に係る光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。 図３０は、本発明の第２の実施の形態による光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３１Ａは、図３０に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の裏面側にｎ型拡散層が形成された状態を示す図である。 図３１Ｂは、図３１Ａに示すシリコン基板の裏面に絶縁膜が形成された状態を示す断面図である。 図３１Ｃは、図３１Ｂに示すシリコン基板の表面側にｐ型拡散層が形成された状態を示す断面図である。 図３１Ｄは、図３１Ｃに示すシリコン基板の受光面に非晶質膜が形成された状態を示す断面図である。 図３１Ｅは、図３１Ｄに示すシリコン基板においてパッシベーション膜上に非晶質膜が形成された状態を示す断面図である。 図３１Ｆは、図３１Ｅに示すシリコン基板において金属膜が形成された状態を示す断面図である。 図３１Ｇは、図３１Ｆに示すシリコン基板に電極が形成された状態を示す断面図である。 図３２は、本発明の第２の実施の形態の変形例１に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３３Ａは、図３２に示す光電変換素子の電極の製造工程を説明する図である。 図３３Ｂは、図３３Ａに示す導電層をパターニングして電極が形成された状態を示す断面図である。 図３４Ａは、本発明の第２の実施の形態の変形例２に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３４Ｂは、本発明の第２の実施の形態の変形例２に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３５は、本発明の第３の実施の形態による光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３６Ａは、図３５に示すシリコン基板の裏面側にｎ型拡散層が形成された状態を示す断面図である。 図３６Ｂは、図３６Ａに示すシリコン基板の表面側にｐ型拡散層が形成された状態を示す断面図である。 図３６Ｃは、図３６Ｂに示すシリコン基板の表面に非晶質膜が形成された状態を示す断面図である。 図３６Ｄは、図３６Ｃに示すシリコン基板の裏面に非晶質膜が形成された状態を示す断面図である。 図３６Ｅは、図３６Ｄに示すシリコン基板に金属膜が形成された状態を示す断面図である。 図３６Ｆは、図３６Ｅに示すシリコン基板に電極が形成された状態を示す断面図である。 図３７は、本発明の第３の実施の形態による光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３８Ａは、本発明の第３の実施の形態の変形例１に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３８Ｂは、本発明の第３の実施の形態の変形例１に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３９Ａは、本発明の第３の実施の形態の変形例２に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図３９Ｂは、本発明の第３の実施の形態の変形例２に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図４０は、本発明の第４の実施の形態に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図４１Ａは、図４０に示すシリコン基板の表面にｎ型拡散層が形成された状態を示す断面図である。 図４１Ｂは、図４１Ａに示すシリコン基板において酸化シリコンからなる絶縁層がｎ型拡散層の表面に形成された状態を示す断面図である。 図４１Ｃは、図４１Ｂに示すシリコン基板の表面に窒化シリコンからなる絶縁層が形成され、シリコン基板の裏面に酸化シリコンからなる絶縁層が形成された状態を示す断面図である。 図４１Ｄは、図４１Ｂに示す絶縁層の一部に開口部を形成し、ｎ型拡散層及びｐ型拡散層の一部が露出された状態を示す断面図である。 図４１Ｅは、図４１Ｄに示すシリコン基板に銀からなる導電層、チタンからなる導電層、銀からなる導電層が形成された状態を示す断面図である。 図４２は、本発明の第５の実施の形態に係る光電変換素子の概略構成を示す断面図である。 図４３Ａは、図４２に示すシリコン基板の一方の面に２層の非晶質膜が形成され、シリコン基板の他方の面に２層の非晶質膜が形成された状態を示す断面図である。 図４３Ｂは、図４３Ａに示すシリコン基板の一方の面の非晶質膜の表面に導電性金属酸化物層が形成され、シリコン基板の他方の面の非晶質膜の表面に導電性金属酸化物層が形成された状態を示す断面図である。 図４３Ｃは、図４３Ｂに示す導電性金属酸化物層の上に、３層の導電層を形成後、パターニングされた状態を示す断面図である。 図４４は、図４３Ｃに示すシリコン基板の光入射面とは反対側の電極がパターニングされていない状態を示す断面図である。 図４５は、この実施の形態による光電変換素子を備える光電変換モジュールの構成を示す概略図である。 図４６は、この実施の形態による光電変換素子を備える太陽光発電システムの構成を示す概略図である。 図４７は、図４６に示す光電変換モジュールアレイの構成を示す概略図である。 図４８は、この実施の形態による光電変換素子を備える太陽光発電システムの構成を示す概略図である。

本発明の第１の態様に係る光電変換装置は、半導体基板と、第１半導体層と、第２半導体層と、第１電極と、第２電極とを備える。第１半導体層は、第１導電型を有する。第２半導体層は、第１導電型とは反対の第２導電型を有する。第１電極は、第１半導体層上に形成される。第２電極は、第２半導体層上に形成される。第１電極は、第１導電層と、第２導電層とを含む。第２導電層は、第１導電層に接して形成される。第１導電層は、第１金属を主成分として含む。第２導電層は、第２金属を含む。第２金属は、第１金属よりも酸化されやすい。

第１の態様においては、第１金属の酸化を抑制できる。そのため、例えば、光電変換装置を製造するときに熱処理をする場合であっても、第１導電層そのものの抵抗を小さくできる。その結果、第１半導体層と第１電極との接触抵抗を小さくできる。そのため、光電変換装置の特性を向上させることができる。

本発明の第２の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換装置において、第２導電層は、第１導電層と第１半導体層との間に配置される。

第２の態様においては、第１半導体層の酸化を抑制できる。そのため、例えば、光電変換装置を製造するときに熱処理をしても、第１電極と第１半導体層との界面に高抵抗層が形成され難くなる。その結果、第１半導体層と第１電極との接触抵抗を小さくできる。そのため、光電変換装置の特性を向上させることができる。好ましくは、第２導電層は第１半導体層に接して形成される。この場合、例えば、光電変換素子を製造するときに熱処理をしても、第１電極と第１半導体層との界面における高抵抗層の形成をさらに抑制できる。

本発明の第３の態様に係る光電変換装置は、第２の態様に係る光電変換装置において、前記第１電極は、さらに、前記第１半導体層と前記第２導電層との間に形成された第３導電層を含み、前記第３導電層は、前記第２金属よりも酸化されにくい第３金属を主成分として含む。

第３の態様においては、第２導電層は、第１導電層及び第３導電層よりも酸化されやすいので、例えば酸素含有雰囲気中でアニールを行う場合であっても、第３導電層はほとんど酸化されることなく、第１導電層中を酸素が拡散して第２導電層を酸化する。このため、第３導電層が酸化されて高抵抗化するのを抑制することができる。また、第２導電層の酸化によって、第２導電層で酸素がブロックされるため、第３導電層及び第１半導体層の酸化を抑制することができ、接触抵抗の増加を抑制することができる。なお、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中でアニールを行う場合であっても、残留酸素ガスの混入を完全には防ぐことができないため、不活性ガス雰囲気中でのアニールを行う場合も、酸素含有雰囲気中でアニールを行う場合と同様の効果を得ることができる。

本発明の第４の態様に係る光電変換装置は、第３の態様に係る光電変換装置において、前記第１電極は、さらに、前記第１半導体層と前記第３導電層とに接して形成された第４導電層を含み、前記第４導電層は、前記第３金属よりも酸化されやすい第４金属を含む。

第４の態様においては、第２導電層に加え、第４導電層が優先的に酸化されるため、耐熱性が更に向上する。

本発明の第５の態様に係る光電変換装置は、第４の態様に係る光電変換装置において、前記第４導電層は、酸素原子を含む。

第５の態様においては、第３金属の酸化を抑制できる。

本発明の第６の態様に係る光電変換装置は、第５の態様に係る光電変換装置において、前記第４導電層中における前記酸素原子の最大濃度は、前記第４導電層の膜厚方向の中央よりも、前記半導体基板とは反対側にある。

第６の態様においては、第３金属の酸化を抑制できる。

本発明の第７の態様に係る光電変換装置は、第４〜第６の何れかの態様の光電変換装置において、前記第４金属は、前記第１半導体層の主成分元素よりも酸化されやすい。

第７の態様においては、例えば、光電変換装置を製造するときに熱処理をしても、第１半導体層の主成分元素の酸化を抑制できる。

本発明の第８の態様に係る光電変換装置は、第１〜第７のいずれかの態様に係る光電変換素子において、前記第２導電層は、酸素原子を含む。

第８の態様においては、第１金属の酸化を抑制できる。

本発明の第９の態様に係る光電変換装置は、第８の態様に係る光電変換装置において、前記第２導電層中における前記酸素原子の最大濃度は、前記第２導電層の膜厚方向の中央よりも、前記半導体基板とは反対側にある。第９の態様においては、第１金属の酸化を抑制できる。

本発明の第１０の態様に係る光電変換装置は、第１〜第９の何れかの態様に係る光電変換装置において、前記第２金属は、前記第１半導体層の主成分元素よりも酸化されやすい。

第１０の態様においては、例えば、光電変換装置を製造するときに熱処理をしても、第１半導体層の主成分元素の酸化を抑制できる。

本発明の第１１の態様に係る光電変換装置は、第１〜第１０の何れかの態様に係る光電変換装置において、第１半導体層は、非晶質半導体を含む。

第１１の態様においては、第２導電層の酸化によって、外部から拡散してくる酸素を効果的に遮断するため、非晶質半導体の酸化が起こりにくい。このため、非晶質半導体を含有する第１半導体層と第１電極との接触抵抗を低減し、光電変換装置の光電変換効率を向上させることができる。

本発明の第１２の態様に係る光電変換装置は、第１１の態様に係る光電変換装置において、前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つである。

第１２の態様においては、第１金属の酸化を抑制できる。

本発明の第１３態様に係る光電変換装置は、第３又は第４の態様に係る光電変換装置において、前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであり、前記第３金属は、銀、白金及び金の何れかである。

第１３の態様においては、第１金属と第１半導体層の酸化を抑制することができる。

本発明の第１４の態様に係る光電変換装置は、第４〜第７の何れかの態様に係る光電変換装置において、前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであり、前記第３金属は、銀、白金及び金の何れかであり、前記第４金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つである。

第１４の態様においては、第１金属と第３金属の酸化を抑制できる。

本発明の第１５の態様に係る光電変換装置は、第１〜第１４の何れかの態様に係る光電換装置において、前記第１導電層は、金属結晶粒を複数含み、前記第１導電層の面内方向における前記金属結晶粒の平均結晶粒径が前記第１導電層の厚みのよりも大きい。

第１５の態様においては、第１電極と第１半導体層との接触抵抗が高くなるのを抑制できる。

本発明の第１６の態様に係る光電変換装置は、第４〜第７の何れかの態様に係る光電変換装置において、前記第３導電層は、金属結晶粒を複数含み、前記第３導電層の面内方向における前記金属結晶粒の平均結晶粒径が前記第３導電層の厚みのよりも大きい。

第１６の態様においては、第１電極と第１半導体層との接触抵抗が高くなるのを抑制できる。

本発明の第１７の態様に係る光電変換装置は、第１５又は第１６の態様に係る光電変換装置において、前記金属結晶粒は、前記半導体基板の厚み方向に平行な結晶軸が＜１１１＞方向に優先配向している。

第１７態様においては、接触抵抗のばらつきを抑制することができる。

本発明の第１８の態様に係る光電変換装置は、第１〜第１７の何れかの態様に係る光電変換装置において、第１導電層は、さらに、錫を含む。

第１８の態様においては、第１導電層上にハンダをつける場合、第１金属とハンダ中のスズが合金化し、高密着性且つ低抵抗の効果を得ることができる。また、第２導電層がバリア層として機能し、ハンダが第１導電層を突きぬけて半導体層に達するのを防ぐことができる。この結果、開放電圧の低下を抑制することができる。

本発明の第１９の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換素子において、半導体基板と第１半導体層との間に、真性の非晶質半導体を含む第３半導体層が形成される。

第１９の態様においては、第１半導体層が半導体基板上に直接形成される場合と比べて、半導体基板の裏面のパッシベーション性が向上する。

本発明の第２０の態様に係る光電変換装置は、第１８の態様に係る光電変換装置において、真性の非晶質半導体は、水素化アモルファスシリコンである。

第２０の態様においては、半導体基板の裏面のパッシベーション性がさらに向上する。

本発明の第２１の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換装置において、第１導電型の非晶質半導体は、水素化アモルファスシリコンである。

第２１の態様においては、第１電極と第１半導体層との接触界面の劣化を抑制できる。

本発明の第２２の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換装置において、第２半導体層は、第２導電型の非晶質半導体を含む。第２電極は、第１導電層及び第２導電層を含む。

第２２の態様においては、第２電極と第２半導体層との接触抵抗が高くなるのを抑制できる。

本発明の第２３の態様に係る光電変換装置は、第２２の態様に係る光電変換装置において、半導体基板と第２半導体層との間に、真性の非晶質半導体を含む第４半導体層が形成される。

第２３の態様においては、第２半導体層が半導体基板上に直接形成される場合と比べて、半導体基板の裏面のパッシベーション性が向上する。

本発明の第２４の態様に係る光電変換装置は、第２２又は第２３の態様に係る光電変換素子において、第２導電型の非晶質半導体は、水素化アモルファスシリコンである。

第２４の態様においては、第２電極と第２半導体層との接触界面の劣化を抑制できる。

本発明の第２５の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換装置において、第１半導体層及び第２半導体層は、半導体基板における受光面とは反対側の裏面に形成される。

第２５の態様においては、裏面電極型の光電変換装置において、装置特性を向上させることができる。

本発明の第２６の態様に係る光電変換装置は、第２５の態様に係る光電変換装置において、第１半導体層は、第２半導体層よりも半導体基板の面内方向での幅寸法が小さい。

第２６の態様においては、光生成された少数キャリアが、第２半導体層に到達するまでに移動しなくてはならない距離が減少する。そのため、第２半導体層に到達するまでに再結合する少数キャリアの数が減少し、短絡光電流が増加する。したがって、光電変換装置の変換効率を向上させることができる。

本発明の第２７の態様に係る光電変換装置は、第１の態様に係る光電変換装置において、第１導電型は、ｐ型である。

第２７の態様においては、第１電極と第１半導体層との接触抵抗が高くなるのを抑制できる。

本発明の第１の態様に係る光電変換モジュールは、本発明の第１〜第２７の態様の何れかに係る光電変換装置を含む。第１の態様においては、光電変換モジュールの性能を向上させることができる。

本発明の第１の態様に係る光電変換システムは、本発明の第１の態様に係る光電変換モジュールを含む。第１の態様においては、光電変換システムの性能を向上させることができる。

以下、本発明のより具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、本明細書において、光電変換装置には、例えば、光電変換素子、太陽電池、光電変換モジュール、光電変換システム等が含まれる。以下、本発明の実施の形態に係る光電変換装置について具体的に説明する。

［第１の実施の形態］
図１には、本発明の第１の実施の形態による光電変換装置としての光電変換素子１０が示されている。光電変換素子１０は、裏面電極型の太陽電池である。

光電変換素子１０は、シリコン基板１２と、パッシベーション膜１４と、反射防止膜１６と、真性非晶質シリコン層１８、１９と、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと、電極２２ｎと、電極２２ｐとを備える。

シリコン基板１２は、ｎ型の単結晶シリコン基板である。シリコン基板１２の厚さは、例えば、５０〜３００μｍである。シリコン基板１２の比抵抗は、例えば、１．０〜１０．０Ω・ｃｍである。なお、ｎ型単結晶シリコン基板に代えて、ｎ型多結晶シリコン基板、ｎ型単結晶ゲルマニウム、ｎ型単結晶シリコンゲルマニウム等を用いてもよく、一般的には、半導体基板を用いてもよい。ｎ型の代わりにｐ型を用いてもよい。

シリコン基板１２の受光面には、図示はしていないが、テクスチャ構造が形成されている。これにより、シリコン基板１２に入射した光を閉じ込めて、光の利用効率を高めることができる。

シリコン基板１２の面方位は（１００）が望ましい。これにより、テクスチャ構造の形成が容易になる。

シリコン基板１２の受光面は、パッシベーション膜１４で覆われている。パッシベーション膜１４は、例えば、水素化アモルファスシリコン膜である。パッシベーション膜１４の膜厚は、例えば、３〜３０ｎｍである。なお、パッシベーション膜１４として、水素化アモルファスシリコン膜の代わりに、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等を用いてもよい。

反射防止膜１６は、パッシベーション膜１４を覆う。反射防止膜１６は、例えば、シリコン窒化膜である。反射防止膜１６の膜厚は、例えば、５０〜２００ｎｍである。

シリコン基板１２の裏面上には、真性非晶質シリコン層１８、１９が形成されている。真性非晶質シリコン１８、１９は、例えば、ｉ型の水素化アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ：Ｈ）からなる。真性非晶質シリコン層１８は、シリコン基板１２の裏面の一部に形成されている。真性非晶質シリコン層１９は、シリコン基板１２の裏面において真性非晶質シリコン層１８に隣接して形成されている。つまり、真性非晶質シリコン層１８、１９は、シリコン基板１２の裏面の全体に交互に形成されている。真性非晶質シリコン層１８，１９の厚さは、例えば、１０ｎｍである。図１に示す例では、真性非晶質シリコン層１９は、真性非晶質シリコン層１８に隣接して形成されているが、例えば、シリコン基板１２の裏面において真性非晶質シリコン層１８が形成されていない領域の一部に形成されていてもよい。また、真性非晶質シリコン層１８、１９は、非晶質相のみからなっていてもよいし、微細な結晶相と非晶質相とからなっていてもよい。

真性非晶質シリコン層１８上には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎが形成されている。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎは、ｎ型不純物（例えば、リン）を含む水素化アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ：Ｈ（ｎ））からなる。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎの厚さは、例えば、１０ｎｍである。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎの不純物濃度は、例えば、１×１０^１９ｃｍ^−３〜１×１０^２１ｃｍ^−３である。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎは、非晶質相のみからなっていてもよいし、微細な結晶相と非晶質相とからなっていてもよい。微細な結晶相と非晶質相とからなっている場合の一例は、例えば、ｎ型微結晶シリコンである。

真性非晶質シリコン層１９上には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐが形成されている。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐは、ｐ型不純物（例えば、ボロン）を含む水素化アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ：Ｈ（ｐ））からなる。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの厚さは、例えば、１０ｎｍである。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの不純物濃度は、例えば、１×１０^１９ｃｍ^−３〜１×１０^２１ｃｍ^−３である。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐは、非晶質相のみからなっていてもよいし、微細な結晶相と非晶質相とからなっていてもよい。微細な結晶相と非晶質相とからなっている場合の一例は、例えば、ｐ型微結晶シリコンである。図１に示す例では、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎは、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに隣接して形成されているが、必ずしも隣接する必要はなく、例えば、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎは非晶質シリコン層１８上の少なくとも一部に形成されていてもよく、また、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐは非晶質シリコン層１９上の少なくとも一部に形成されていてもよい。

シリコン基板１２の面内方向において、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎの幅寸法は、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの幅寸法よりも小さいほうが好ましい。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎの面積とｐ型非晶質シリコン層２０ｐの面積の和に対するｐ型非晶質シリコン層２０ｐの面積の割合（ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの面積率）が高いほど、光生成された少数キャリア（正孔）が、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに到達するまでに移動しなくてはならない距離が減少する。そのため、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに到達するまでに再結合する正孔の数が減少し、短絡電流が増加する。したがって、光電変換素子１０の変換効率が向上する。好ましいｐ型非晶質シリコン層２０ｐの面積率は、６３〜９０％である。

シリコン基板１２の裏面には、図示はしていないが、テクスチャ構造が形成されていてもよい。この場合、真性非晶質シリコン層１８、１９、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐには、シリコン基板１２の裏面のテクスチャ構造に対応した凹凸が形成される。

ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上には、電極２２ｎが形成されている。電極２２ｎは、導電層２６ｎと、導電層２８ｎとを含む。

導電層２６ｎは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層２６ｎは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層２６ｎの厚さは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。導電層２６ｎは、導電層２８ｎに接して形成される。導電層２６ｎにおける銀の含有率（組成比）は、５０％以上が好ましく、更に好ましくは、８０％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。銀の代わりに、金、白金等を用いてもよい。導電層２６ｎの厚さは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

導電層２８ｎは、例えばチタン等の金属（第２金属）を含む。導電層２８ｎの厚さは、例えば、０．１〜１０ｎｍであるのが好ましい。この場合、チタン等の金属（第２金属）による光吸収が少なくなり、電極２２ｎによる反射率が大きくなる。したがって、素子特性が向上する。導電層２８の厚さは、１原子層以下であってもよい。導電層２８ｎは、導電層２６ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとに接して形成される。導電層２８ｎにおけるチタン（Ｔｉ）の含有率（組成比）は、１％以上が好ましく、更に好ましくは、１０％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。導電層２８ｎに含まれる第２金属以外の金属は、第２金属よりも酸化されにくいことが好ましい。この場合、導電層２８ｎの酸化による高抵抗化が起こりにくい。第２金属の一例としてのチタンの一部は酸化されていてもよい。つまり、導電層２８ｎは、酸素を含んでいてもよい。導電層２８ｎ中の酸素の量は、例えば１ａｔ％以上５０ａｔ％以下が好ましい。この場合、接触抵抗を低く保ったまま導電層２８ｎ（第２導電層）による光吸収を少なくすることができる。チタンの代わりに、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちいずれか１つ以上を用いてもよい。導電層２８ｎは、少なくとも膜厚方向に導電性を有する。

ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上には、電極２２ｐが形成されている。電極２２ｐは、導電層２６ｐと、導電層２８ｐとを含む。

導電層２６ｐは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層２６ｐは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層２６ｐの厚さは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。導電層２６ｐは、導電層２８ｐに接して形成される。導電層２６ｐにおける銀の含有率（組成比）は、５０％以上が好ましく、更に好ましくは、８０％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。銀の代わりに、金、白金等を用いてもよい。導電層２６ｐの厚さは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

導電層２８ｐは、例えばチタン等の金属（第２金属）を含む。導電層２８ｐの厚さは、例えば、０．１〜１０ｎｍであるのが好ましい。この場合、チタンによる光吸収が少なくなり、電極２２ｐによる反射率が大きくなる。したがって、素子特性が向上する。なお、導電層２８の厚さは、１原子層以下であってもよい。導電層２８ｐは、導電層２６ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとに接して形成される。導電層２８ｐにおけるチタン（Ｔｉ）の含有率（組成比）は、１％以上が好ましく、更に好ましくは、１０％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。導電層２８ｐに含まれる第２金属以外の金属は、第２金属よりも酸化されにくいことが好ましい。第２金属の一例としてのチタンの一部は酸化されていてもよい。つまり、導電層２８ｐは、酸素を含んでいても良い。導電層２８ｐ中の酸素の量は、例えば１ａｔ％以上５０ａｔ％以下が好ましい。この場合、接触抵抗を低く保ったまま導電層２８ｐによる光吸収を少なくすることができる。チタンの代わりに、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちいずれか１つ以上を用いても良い。導電層２８ｐは、少なくとも膜厚方向に導電性を有する。導電層２８ｐの厚さは、例えば、１〜５００ｎｍである。

なお、本明細書において、２種の金属Ａと金属Ｂについて、「金属Ａが金属Ｂより酸化されやすい」とは、ある温度において、「金属Ａの酸化物の標準生成ギブスエネルギーが、金属Ｂの酸化物の標準生成ギブスエネルギーよりも小さい（絶対値が大きい）」ことを意味する。「ある温度」とは、例えば１００〜５００℃である。

導電層２８ｎ、２８ｐにおいて、第２金属の一例としてのチタンの一部が酸化されている場合、導電層２８ｎ、２８ｐ中のチタンに対する酸素の組成比は、それぞれ２未満であり、好ましくは１以下である。組成比がストイキオメトリである場合よりも金属リッチである場合のほうが、酸素の吸収が可能である。その結果、導電層２６ｎ、２６ｐ、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐの酸化を抑制できる。つまり、完全なＴｉＯ_２になっているということは、熱処理によってＡｇまたは非晶質シリコンが酸化されることになる。酸化チタンに酸化される余地があるということは、熱処理によるＡｇまたは非晶質シリコンの酸化を防いだことになる。

なお、シリコン基板１２の裏面にテクスチャ構造を形成する場合には、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの密着性、及び、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの密着性が向上する。これにより、光電変換素子１０の歩留まり及び信頼性が向上する。更に、シリコン基板１２の裏面が平坦な場合に比べて、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触面積、及び、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触面積が大きくなるため、接触抵抗が低減される。なお、シリコン基板１２の厚み方向から見て、電極２２ｎと重なる領域の少なくとも一部を含む領域、または、電極２２ｐと重なる領域の少なくとも一部を含む領域のいずれか一方にテクスチャを形成してもよい。

［光電変換素子の製造方法］
図２Ａ〜図２Ｆを参照しながら、光電変換素子１０の製造方法について説明する。

先ず、図２Ａに示すように、シリコン基板１２を準備する。シリコン基板１２は、受光面の全体にテクスチャ構造を有する。テクスチャ構造を形成する方法は、例えば、ウェットエッチングである。シリコン基板１２の受光面の全体にウェットエッチングを実施することにより、シリコン基板１２の受光面の全体にテクスチャ構造が形成される。ウェットエッチングは、例えば、アルカリ溶液等を用いて実施される。ウェットエッチングの時間は、例えば、１０〜６０分である。ウェットエッチングに用いられるアルカリ溶液は、例えば、ＮａＯＨやＫＯＨであり、その濃度は、例えば、５％である。

続いて、図２Ｂに示すように、シリコン基板１２の裏面に真性非晶質シリコン層１７、ｐ型非晶質シリコン層２１、被覆層２３をこの順に形成する。

真性非晶質シリコン層１７は、例えば、プラズマＣＶＤを用いて形成される。プラズマＣＶＤで形成する場合、プラズマＣＶＤ装置が備える反応室に導入される反応ガスは、シランガス及び水素ガスである。シリコン基板１２の温度は、例えば、１００〜３００℃である。

ｐ型非晶質シリコン層２１は、例えば、プラズマＣＶＤを用いて形成される。プラズマＣＶＤで形成する場合、プラズマＣＶＤ装置が備える反応室に導入される反応ガスは、シランガス、水素ガス及びジボランガスである。シリコン基板１２の温度は、例えば、１００〜３００℃である。

被覆層２３は、例えば、窒化シリコン膜からなる。窒化シリコンは、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて成膜される。窒化シリコン膜の代わりに、酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜等を用いてもよい。

次に、図２Ｃに示すように、被覆層２３およびｐ型非晶質シリコン層２１をパターニングして、被覆層２３ｐおよびｐ型非晶質シリコン層２０ｐを形成する。真性非晶質シリコン層１７のうち、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに覆われる領域が真性非晶質シリコン層１９となり、それ以外の領域が真性非晶質シリコン層１８となる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法を用いる。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐとなる領域をフォトレジストが被覆するようにパターニングした後、フォトレジストをマスクとして、例えばフッ酸と硝酸の混合液を用いて、被覆層２３およびｐ型非晶質シリコン層２１をエッチングすることによって行われる。このとき真性非晶質シリコン層１７のうち、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに覆われていない領域（真性非晶質シリコン層１８）が露出する。

続いて、図２Ｄに示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ｎ型非晶質シリコン層２４を、シリコン基板１２の裏面側に形成する。プラズマＣＶＤ法を用いる場合、プラズマＣＶＤ装置が備える反応室に導入される反応ガスは、シランガス、水素ガス及びフォスフィンガスである。シリコン基板１２の温度は、例えば、１００〜３００℃である。

続いて、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に形成された被覆層２３を除去することにより、図２Ｅに示すように、被覆層２３上のｎ型非晶質シリコン層２４をリフトオフする。これにより、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎが真性非晶質シリコン層１８上に形成される。ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に形成された被覆層２３を除去する方法は、例えば、フッ酸等を用いたウェットエッチングである。

次に、図２Ｆに示すように、シリコン基板１２の受光面上に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜１４を形成する。続いて、図２Ｇに示すように、パッシベーション膜１４上に反射防止膜１６を形成する。反射防止膜１６は、例えば、プラズマＣＶＤによって、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等を成膜することによって形成される。

続いて、図２Ｈに示すように、導電層２７ｎ，２７ｐ、及び導電層２５ｎ，２５ｐを形成する。導電層２７ｎ，２７ｐ、及び導電層２５ｎ，２５ｐの形成方法は、例えば、以下のとおりである。

先ず、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に、蒸着法又はスパッタリング法等により、チタンからなる導電層、銀からなる導電層をこの順に形成する。続いて、マスクとしてのレジストパターンを銀からなる導電層上に形成する。レジストパターンは、銀からなる導電層上に形成されたレジストをパターニングすることで得られる。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィ法等によって実施される。レジストパターンは、シリコン基板１２の厚さ方向から見た場合に、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの境界部が開口されるように形成される。

続いて、チタンからなる導電層及び銀からなる導電層のうち、レジストで覆われていない部分を、ウェットエッチング等の処理によって除去する。

続いて、レジストパターンを除去する。レジストパターンを除去する方法は、例えば、ウェットエッチングである。これにより、導電層２７ｎがｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に形成され、導電層２５ｎが導電層２７ｎ上に形成される。また、導電層２７ｐがｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に形成され、導電層２５ｐが導電層２７ｐ上に形成される。

続いて、図２Ｉに示すように、電極２２ｎ、２２ｐを形成する。これにより、目的とする光電変換素子１０が得られる。

電極２２ｎは、導電層２５ｎ及び導電層２７ｎを熱処理することで形成される。電極２２ｐは、導電層２５ｐ及び導電層２７ｐを熱処理することで形成される。熱処理は、例えば、ホットプレートを用いて実施される。熱処理の時間は、例えば、１５分である。熱処理の温度は、１２５℃〜２００℃が好ましい。熱処理は、例えば、大気中で実施する。不活性雰囲気中または真空中で実施してもよい。熱処理は、導電層２５ｎ、２５ｐ及び導電層２７ｎ、２７ｐを形成した後であれば、何れの工程で行ってもよい。

例えば、モジュールを製造するとき等において、熱処理を行ってもよい。より具体的には、電極にハンダ付けする際にハンダを溶融するのに必要な熱処理と兼ねても良い。また、電極２２ｎおよび電極２２ｐの上に、更に、導電膜を形成してもよい。また、外部配線との接続のために電極２２ｎ、２２ｐ上にハンダを付ける場合、導電層２６ｎ、２６ｐの一部または全部をハンダと合金化してもよい。即ち、導電層２６ｎ、２６ｐは、第１金属と、ハンダの主成分としてのスズ（Ｓｎ）の合金を含んでいてもよい。この場合、導電層２８ｎ、２８ｐがバリア層として機能し、ハンダが導電層２８ｎ、２８ｐを突きぬけて半導体層（ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ）に達するのを防ぐことができる。特に、導電層２８ｎ、２８ｐに酸素が含まれている場合、導電層２８ｎ、２８ｐはバリア層として効果的に機能する。尚、ハンダが半導体層（ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ）に到達すると、パッシベーション性能が低下し、開放電圧（Ｖｏｃ）が低下し易い。

また、熱処理等を実施して所望のサイズの金属結晶粒を成長させた後、電極２２ｎおよび電極２２ｐの上に、更に、導電膜を形成してもよい。この場合、電極２２ｎと導電膜、および、電極２２ｐと導電膜との境界は、金属結晶粒の分布の不連続性、組成の不連続性等から判断できる。

［平均結晶粒径］
光電変換素子１０においては、導電層２６ｎ、２６ｐに含まれる複数の金属結晶粒の平均結晶粒径（以下、単に平均結晶粒径と称する）を導電層２６ｎ、２６ｐの厚みよりも大きくすることで、素子特性を向上させることができる。以下、この点について説明する。なお、熱処理等を実施して所望のサイズの金属結晶粒を成長させた後、電極２２ｎおよび電極２２ｐの上に、更に、導電膜を形成する場合については、所望のサイズの金属結晶粒が形成されている導電層における平均結晶粒径と当該導電層の厚みとの関係が、上記の条件を満たせばよい。

平均結晶粒径は、電子後方散乱回折法（Electron Backscatter Diffraction Pattern）によって、導電層２６ｎ、２６ｐの表面を解析することで求められる。導電層２６ｎ、２６ｐは、複数の金属結晶粒を含む。

平均結晶粒径は、各金属結晶粒の結晶粒径と面積占有率との積を平均したものである。結晶粒径は、以下の式（１）により、求められる。
結晶粒径＝２×｛（結晶粒の面積）／π｝^１／２・・・（１）

式（１）における「結晶粒の面積」は、電子後方散乱回折法を用いて測定したものである。式（１）は、結晶粒の面積を円の面積と仮定し、且つ、結晶粒径を円の直径と仮定して計算することを意味する。結晶粒径を求める際、シグマ３（Σ３）の対応粒界は、粒界として取り扱わないこととする。また、結晶方位のずれが１０度以内である場合には、同一の結晶粒とみなすこととする。

面積占有率は、金属結晶粒の面積を測定領域の面積で除することで得られる。ここで、金属結晶粒の面積とは、シリコン基板１２の厚さ方向に垂直な平面に正射影したときの面積である。測定領域は、８μｍ×２３μｍである。尚、測定領域の境界を含む金属結晶粒については、平均結晶粒径の計算には含めないものとする。

シリコン基板１２の厚さ方向から見た場合、金属結晶粒の結晶方位は、＜１１１＞に優先配向している。この場合、金属結晶粒の結晶方位が揃っているので、導電層２６ｎと導電層２８ｎとの界面における金属結晶粒の仕事関数、及び、導電層２６ｐと導電層２８ｐとの界面における金属結晶粒の仕事関数の均一性が向上する。その結果、接触抵抗のばらつきを抑制することができる。また、銀の｛１１０｝面、｛１００｝面、｛１１１｝面の仕事関数はそれぞれ、４．５２ｅＶ、４．６４ｅＶ、４．７４ｅＶであり、｛１１１｝面の仕事関数が最も大きい。従って、金属結晶粒の面方位を｛１１１｝に優先配向させることは、特に、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと電極２２ｐとの接触抵抗を低くする効果がある。

金属膜２１ｎを１５０℃で１５分熱処理した場合において、シリコン基板１２の厚さ方向に対して１０度以内に＜１１１＞方向の結晶方位を有する金属結晶粒が導電層２８ｎに占める割合は、６１．０％であった。金属膜２１ｐを１５０℃で１５分熱処理した場合において、シリコン基板１２の厚さ方向に対して１０度以内に＜１１１＞方向の結晶方位を有する金属結晶粒が導電層２８ｐに占める割合は、６０．３％であった。

導電層２６ｎの膜厚が０．５μｍの場合、複数の金属結晶粒のうち、０．５μｍ以上の粒径を有する金属結晶粒が導電層２６ｎに占める割合は、熱処理前は０．０％であり、１５０℃で１５分熱処理した後は２８．４％であった。導電層２６ｐの膜厚が０．５μｍの場合、複数の金属結晶粒のうち、０．５μｍ以上の粒径を有する金属結晶粒が導電層２６ｐに占める割合は、熱処理前は４．６％であり、１５０℃で１５分熱処理した後は３０．６％であった。

平均結晶粒径の大きさは、導電層２５ｎ、２５ｐ及び導電層２７ｎ、２７ｐを熱処理するときの温度（以下、単にアニール温度と称する）に依存する。図３は、平均結晶粒径とアニール温度との関係を示すグラフである。図３には、アニール温度が２５℃である場合の平均結晶粒径が示されている。これは熱処理をしていない状態での平均結晶粒径を意味する。図３に示すように、導電層２６ｎ、２６ｐでは、熱処理をすることにより、平均結晶粒径が熱処理をしないときの平均結晶粒径よりも大きくなる。また、アニール温度が高くなるに従って、平均結晶粒径が大きくなる。尚、図３の凡例において、Ａｇ／Ｔｉ／ｎの表記は、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に、チタンからなる導電層２７ｎと銀からなる導電層２５ｎを形成した場合を示し、Ａｇ／Ｔｉ／ｐの表記は、ｐ型非晶質シリコン層２０ｎ上に、チタンからなる導電層２７ｐと銀からなる導電層２５ｐを形成した場合を示している。

ここで、光電変換素子１０においては、導電層２７ｎ、２７ｐがチタンを含む。チタンは、銀よりも酸化しやすい。そのため、電極２２ｎ、２２ｐを形成するときの熱処理において、チタンが酸化することにより、銀の酸化を抑制できる。つまり、平均結晶粒径を大きくするために、熱処理をしても、高抵抗な酸化銀の生成を抑制できる。また、チタンが酸化されることにより、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐが酸化されて高抵抗層が形成されるのを効果的に抑制できる。特に、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎよりもｐ型非晶質シリコン層２０ｐのほうが酸化されやすい傾向にあるため、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの酸化防止に効果的である。

図４は、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。図５は、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が導電層２６ｎのみからなる場合において、電極とｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。図６は、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。図７は、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が導電層２６ｐのみからなる場合において、電極とｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。なお、図４〜図７に示す酸素濃度のピーク値は、オージェ電子分光法で測定した。また、横軸の数字はアニール温度を示し、「なし」は熱処理を行わない場合を示している。

図４及び図５を参照して、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が電極２２ｎである場合には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が導電層２６ｎのみからなる場合と比べて、導電層２６ｎに含まれる銀の酸化が抑制される。具体的には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が電極２２ｎである場合には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が導電層２６ｎのみからなる場合と比べて、酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が１／２以下になる。

また、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が電極２２ｎである場合には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が導電層２６ｎのみからなる場合と比べて、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに含まれるシリコンの酸化が抑制される。具体的には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が電極２２ｎである場合には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接する電極が導電層２６ｎのみからなる場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が１／１０以下になる。

つまり、導電層２８ｎに含まれるチタンは、導電層２６ｎに含まれる銀、及び、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに含まれるシリコンの酸化を抑制することができる。

図６及び図７を参照して、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が電極２２ｐである場合には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が導電層２６ｐのみからなる場合と比べて、導電層２６ｐに含まれる銀の酸化が抑制される。具体的には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が電極２２ｐである場合には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が導電層２６ｐのみからなる場合と比べて、酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）が検出されなかった。

図６及び図７を参照して、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が電極２２ｐである場合には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が導電層２６ｐのみからなる場合と比べて、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに含まれるシリコンの酸化が抑制される。具体的には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が電極２２ｐである場合には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接する電極が導電層２６ｐのみからなる場合と比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が９／１０よりも小さくなる。

つまり、導電層２８ｐに含まれるチタンは、導電層２６ｐに含まれる銀、及び、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに含まれるシリコンの酸化を抑制することができる。

図８は、１７５℃で熱処理をしたときの電極２２ｐの深さ方向の組成分布をオージェ電子分光法で測定した結果を示すグラフである。図８に示すように、導電層２８ｐにおける酸素原子の最大濃度は、導電層２８ｐの膜厚方向の中央よりも、半導体基板１２とは反対側にある。

図９Ａは、平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。図９Ａの凡例において、Ａｇ／Ｔｉ／ｎの表記は、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を表わし、Ａｇ／Ｔｉ／ｐの表記は電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗を表わす。

接触抵抗については、図１０に示すサンプル３０を作成し、当該サンプル３０を用いて測定した。サンプル３０は、シリコン基板３２と、電極３４と、非晶質シリコン層３６と、電極３８とを備えていた。

電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗については、電極３４を電極２２ｎとした。この場合、非晶質シリコン層３６はｎ型不純物を含み、シリコン基板３２はｎ型シリコン基板であった。ｎ型シリコン基板の比抵抗は、０．０１Ω・ｃｍ以下であった。電極３４の構成及び厚みは、電極２２ｎの構成及び厚みと同じであった。非晶質シリコン層３６の厚み及び不純物濃度は、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと同じであった。シリコン基板３２の厚みは、３００μｍであった。

電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗については、電極３４を電極２２ｐとした。この場合、非晶質シリコン層３６はｐ型不純物を含み、シリコン基板３２はｐ型シリコン基板であった。ｐ型シリコン基板の比抵抗は、０．０１Ω・ｃｍ以下であった。電極３４の構成及び厚みは、電極２２ｐの構成及び厚みと同じであった。非晶質シリコン層３６の厚み及び不純物濃度は、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと同じであった。

電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を測定する場合、及び、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗を測定する場合の何れにおいても、電極３８は、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び銀（Ａｇ）の積層構造であった。

上述のように、光電変換素子１０では、１２５〜２００℃の温度で熱処理をしても、高抵抗な酸化銀が導電層２６ｎ、２６ｐで生成されるのを抑制できる。そのため、アニール温度を高くして、図９Ａに示すように、導電層２６ｎにおける平均結晶粒径を導電層２６ｎの厚み（０．５μｍ）より大きくすることにより、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２ｎとの接触抵抗を、熱処理をしていない状態での接触抵抗よりも小さくできる。具体的には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２ｎとの接触抵抗を、熱処理をしていない状態での接触抵抗の２／３以下にできる。

ここで、平均結晶粒径が大きくなることで接触抵抗が低くなる理由としては、例えば、以下の理由が考えられる。

図１１に示すように、金属結晶粒２４間の界面である結晶粒界には、高密度の界面準位が存在すると考えられる。つまり、結晶粒界が密であるほど、界面準位の影響を大きく受ける。

金属結晶粒２４が小さい場合には、界面準位が多くなる。そのため、図１２に示すように、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎの空乏層中のイオン化したドナー不純物と、金属結晶粒界の界面準位にトラップされた電子との間に、ダイポールが形成される。その結果、エネルギー障壁が大きくなり、非オーミックな特性になりやすく、接触抵抗が高くなる。なお、図１２では、界面準位の影響を判り易く示すために、酸化チタン（導電層２８ｎ）とＡｇ（導電層２６ｎ）との間に界面準位領域があるものとして記載している。また、酸化チタンＴｉＯｘ（ｘ＜２）のバンド構造の詳細は不明であるが、バンドギャップを有する場合について記載した。

一方、金属結晶粒２４が大きい場合には、結晶粒界が少なくなる。そのため、界面準位密度が実効的に減少する。この場合、図１３に示すように、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎのフェルミ準位と、電極２２ｎのフェルミ準位とが一致するように、バンドベンディングが起こり、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ中に空乏層が形成される。ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ中のドナー不純物濃度が十分に大きい場合、空乏層幅が十分に小さくなり、トンネル電流が流れる。この場合、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２ｎとの間のエネルギー障壁が小さいので、オーミック特性となり、接触抵抗が低くなる。つまり、金属結晶粒２４の結晶粒径を大きくしたほうが、接触抵抗を低くできる。尚、導電層２６ｎにおける平均結晶粒径が導電層２６ｎの膜厚より大きくなると、金属結晶粒２４間の結晶粒界の多くが導電層２６ｎの膜厚方向に貫通するため、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの界面付近における結晶粒界密度が非常に小さくなり、界面準位密度が非常に小さくなる。従って、導電層２６ｎにおける平均結晶粒径は、導電層２６ｎの膜厚より大きいことが好ましい。（同様に、導電層２６ｐにおける平均結晶粒径は、導電層２６ｐの膜厚より大きいことが好ましい。）尚、導電層２８ｎがない場合も上記と同様の理由によって、金属結晶粒２４が大きいほど界面準位の影響を受けにくくなり、接触抵抗が低減される。この場合も、導電層２６ｎにおける平均結晶粒径は、導電層２６ｎの膜厚より大きいことが好ましい。導電層２６ｐについても同様である。

また、電極２２ｐについても、アニール温度を高くして、図９Ａに示すように、導電層２６ｐにおける平均結晶粒径を導電層２６ｐの厚み（０．５μｍ）より大きくすることにより、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと電極２２ｐとの接触抵抗を、熱処理をしていない状態での接触抵抗よりも小さくできる。具体的には、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと電極２２ｐとの接触抵抗を、熱処理をしていない状態での接触抵抗の１／６以下にできる。

導電層２６ｐにおける平均結晶粒径が導電層２６ｐの厚みより大きい場合に接触抵抗が低くなる理由は、導電層２６ｎにおける平均結晶粒径が導電層２６ｎの厚みより大きい場合に接触抵抗が低くなる理由と同様であると考えられる。

図９Ｂは、導電層２６ｎの平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。図９Ｂの凡例において、Ａｇ／Ｔｉ／ｎの表記は、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を表わし、Ａｇ／ｎの表記は、電極２２ｎにおいて導電層２８ｎがない場合のｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を表わす。導電層２８ｎを設けることによって、導電層２８ｎがない場合よりも接触抵抗が大きく低減されることがわかる。

図９Ｃは、導電層２６ｐの平均結晶粒径と接触抵抗との関係を示すグラフである。図９Ｃの凡例において、Ａｇ／Ｔｉ／ｐの表記は電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗を表わし、Ａｇ／ｐの表記は、電極２２ｐにおいて導電層２８ｐがない場合のｎ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗を表わす。導電層２８ｐを設けることによって、導電層２８ｐがない場合よりも接触抵抗が著しく低減されることがわかる。

図１４は、光電変換素子面積１ｃｍ^２当たりの接触抵抗（セル抵抗）と、平均結晶粒径の平均値との関係を示すグラフである。図１４において、凡例中のｎ：ｐ＝２：１、ｎ：ｐ＝１：１、ｎ：ｐ＝１：２の各表記は、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触面積と、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触面積との比がそれぞれ、２：１、１：１、１：２であることを示す。セル抵抗は、電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触面積と、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触面積との比率を仮定したときの光電変換素子１０の接触抵抗である。平均結晶粒径の平均値は、電極２２ｎにおける平均結晶粒径と電極２２ｐにおける平均結晶粒径との平均値である。

電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触面積を１とし、電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触面積をＮとした場合、セル抵抗は、以下の式（２）により、求められる。
セル抵抗＝｛（電極２２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗）×（１＋Ｎ）｝＋｛（電極２２ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗）×（１＋Ｎ）／Ｎ｝・・（２）

図１４に示すように、導電層２６ｎ、２６ｐにおける平均結晶粒径を導電層２６ｎ、２６ｐの厚みより大きい場合には、熱処理をしていない状態でのセル抵抗よりも著しく低くなった。

図１５は、光電変換素子１０の変換効率ηと電極構成との関係を示すグラフである。図１５において、変換効率ηは、電極が導電層２６ｎ、２６ｐのみからなる場合を基準に規格化している。図１５において、「Ｔｉなし」は電極が導電層２６ｎ、２６ｐのみからなる場合（導電層２８ｎ，２８ｐがない場合）を示し、「Ｔｉあり」は導電層２８ｎ、２８ｐがある場合を示している。

図１６は、曲線因子ＦＦと電極構成との関係を示すグラフである。図１６において、曲線因子ＦＦは、電極が導電層２６ｎ、２６ｐのみからなる場合を基準に規格化している。図１６において、「Ｔｉなし」は電極が導電層２６ｎ、２６ｐのみからなる場合（導電層２８ｎ，２８ｐがない場合）を示し、「Ｔｉあり」は導電層２８ｎ、２８ｐがある場合を示している。

図１５及び図１６に示すように、電極２２ｎ、２２ｐを備える場合においては、電極が導電層２６ｎ、２６ｐのみからなる場合と比べて、素子特性（具体的には、変換効率η及び曲線因子ＦＦ）が向上する。特に、曲線因子ＦＦが向上するのは、熱処理をすることにより、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２ｎとの接触抵抗、及び、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと電極２２ｐとの接触抵抗が小さくなるからである。

つまり、光電変換素子１０においては、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２ｎとの接触抵抗、及び、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと電極２２ｐとの接触抵抗を小さくすることができるので、曲線因子ＦＦを向上させることができる。その結果、変換効率ηを向上させることができる。

図１７は、光電変換素子１０の変換効率ηと平均結晶粒径との関係を示すグラフである。変換効率ηは、熱処理をしていない状態での変換効率ηを基準に規格化している。平均結晶粒径の平均値は、導電層２６ｎに含まれる複数の金属結晶粒の平均結晶粒径と、導電層２６ｐに含まれる複数の金属結晶粒の平均結晶粒径とを平均したものである。

図１８は、光電変換素子１０の曲線因子ＦＦと平均結晶粒径との関係を示すグラフである。曲線因子ＦＦは、熱処理をしていない状態での曲線因子ＦＦを基準に規格化している。平均結晶粒径の平均値は、導電層２６ｎに含まれる複数の金属結晶粒の平均結晶粒径と、導電層２６ｐに含まれる複数の金属結晶粒の平均結晶粒径とを平均したものである。

図１７及び図１８は、導電層２６ｎ、２６ｐの厚みが０．５μｍである場合の測定結果を示す。図１７及び図１８に示すように、平均結晶粒径が導電層２６ｎ、２６ｐの厚みよりも大きい場合に、素子特性（具体的には、変換効率η及び曲線因子ＦＦ）が向上する。

平均結晶粒径の平均値は、好ましくは、０．５６μｍ以上である。この場合、図１７及び図１８に示すように、素子特性が向上する。

［光電変換素子１０の変形例］
本発明の実施の形態による光電変換素子は、以下のような構成であってもよい。

［変形例１］
図１９は、本実施形態の変形例１に係る光電変換素子１０Ａの概略構成の一例を示す断面図である。図１９に示すように、光電変換素子１０Ａは、光電変換素子１０と比べて、電極２２１ｎ、２２１ｐにおいて、導電層２８ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎの間と、導電層２８ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐの間に、さらに、導電層３０ｎ、３０ｐをそれぞれ備える点で異なる。導電層３０ｎは、導電層２８ｎに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属を主成分とする。導電層３０ｐは、導電層２８ｐに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属を主成分とする。

導電層３０ｎ、３０ｐは、第３金属の一例として、例えば、銀からなる。導電層３０ｎ、３０ｐは、銀以外の金属を含んでいてもよい。銀の割合が大きいほど反射率が高くなるため、光電変換効率が高くなる。導電層３０ｎ、３０ｐにおける銀の含有率（組成比）は、５０％以上が好ましく、更に好ましくは、８０％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。銀の代わりに、金、白金等を用いてもよい。導電層３０ｎ、３０ｐの厚さは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。導電層３０ｎは、導電層２８ｎ及びｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接して形成される。導電層３０ｐは、導電層２８ｐ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接して形成される

（製造方法）
本実施形態における光電変換素子１０Ａの製造方法は、例えば、以下のとおりである。

先ず、第１実施形態における図２Ｇにおいて、パッシベーション膜１４上に反射防止膜１６を形成した後、図２０Ａに示すように、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に、蒸着法またはスパッタリング法等により、銀からなる導電層２９、チタンからなる導電層２７、及び銀からなる導電層２５をこの順番で形成する。次に、図２０Ｂに示すように、導電層２５、導電層２７、導電層２９をパターニングして、導電層２５Ａ、２５Ｂ、導電層２７Ａ、２７Ｂ、導電層２９Ａ、２９Ｂを形成する。パターニングは、例えば、次のように行う。まず、フォトリソグラフィ法又は印刷法等により、マスクとしてのレジストパターンを、銀からなる導電層２５上に形成する。レジストパターンは、シリコン基板１２の厚さ方向から見た場合に、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎとｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの境界部が開口されるように形成される。続いて、銀からなる導電層２９、チタンからなる導電層２７及び銀からなる導電層２５のうち、レジストで覆われていない部分を、例えば、ウェットエッチングで除去する。その後レジストを除去する。これにより、図２０Ｂに示すように、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ，２０ｐ上に導電層２９ｎ，２９ｐがそれぞれ形成され、導電層２９ｎ，２９ｐ上に導電層２７ｎ、２７ｐがそれぞれ形成される。そして、導電層２７ｎ，２７ｐ上に、導電層２５ｎ，２５ｐがそれぞれ形成される。

続いて、図２０Ｃに示すように、導電層２９ｎ，２９ｐ、導電層２７ｎ，２７ｐ、及び導電層２６ｎ，２６ｐを熱処理することにより、電極２２１ｎ，２２１ｐが形成される。熱処理の方法及び熱処理を行うタイミングは、第１実施形態と同様である。

光電変換装置１０Ａは、電極２２１ｎ、２２１ｐにおいて導電層２８ｎ，２８ｐを有しているため、電極２２１ｎ、２２１ｐの形成後にアニールを行っても、導電層２６ｎ、２６ｐ、導電層３０ｎ、３０ｐ、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐが酸化して高抵抗化するのを抑制することができる。この結果、光電変換装置１０Ａは、導電層２８ｎ、２８ｐがない場合に比べて、電極２２ｎ、２２ｐの形成後に、より高い温度でアニールを行うことによって、電極と半導体層（ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ）との接触抵抗を低減することができ、光電変換効率を向上させることができる。以下、その理由について説明する。

図１０に示したサンプル３０を用いて、電極と半導体層との接触抵抗を評価した。シリコン基板３２の導電型がｎ型の場合、非晶質シリコン層３６の導電型をｎ型とし、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと同じ条件で成膜した。シリコン基板３２の導電型がｐ型の場合、非晶質シリコン３５の導電型をｐ型とし、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと同じ条件で成膜した。シリコン基板３２の裏面の電極３８は、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び銀（Ａｇ）の積層構造であった。

非晶質シリコン層３６のそれぞれの導電型に対し、電極３４の構造として、銀（Ａｇ）の単層膜（Ａｇ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）の順に積層した積層膜（Ａｇ／Ｔｉ／Ａｇ）、及び、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）の順に積層した積層膜（Ａｇ／Ｎｉ／Ａｇ）を有する６種類のサンプル（以下、サンプルＡ〜Ｆ）を作製した。

図２１は、６種のサンプルＡ〜Ｆの構成を示す。単層膜（Ａｇ）のサンプルＡ、Ｄは、導電層２８ｎ、２８ｐを成膜しない他は、上記電極２２ｎ、２２ｐと同じ条件で作製した。積層膜（Ａｇ／Ｔｉ／Ａｇ）のサンプルＢ、Ｅは、電極２２ｎ、２２ｐと同じ条件で成膜した。積層膜（Ａｇ／Ｎｉ／Ａｇ）のサンプルＣ、Ｆは、導電層２８ｎ、２８ｐとして、チタン（Ｔｉ）の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）を用いた他は、電極２２ｎ、２２ｐと同じ条件で成膜した。

図２２Ａに、サンプルＡ〜Ｃにおける、電極３４と非晶質シリコン層３６との接触抵抗とアニール温度の関係を示す。

サンプルＡ（電極３４が単層膜Ａｇ）の場合、電極３４と非晶質シリコン層３６（ｎ型）との接触抵抗は、１７５℃以下ではアニール温度が高くなるほど減少し、１７５℃以上では緩やかに増加した。

サンプルＢ（電極３４が積層膜（Ａｇ／Ｔｉ／Ａｇ））、及びサンプルＣ（電極３４が積層膜（Ａｇ／Ｎｉ／Ａｇ））の場合、電極３４と非晶質シリコン層３６（ｎ型）との接触抵抗は、アニール温度が高くなるほど小さくなり、１２５℃以上では、サンプルＡより小さくなった。

次に、図２２Ｂに、サンプルＤ〜Ｆにおける、電極３４と非晶質シリコン層３６との接触抵抗とアニール温度の関係を示す。

サンプルＤ（電極３４が単層膜Ａｇ）の場合、電極３４と非晶質シリコン層３６（ｐ型）との接触抵抗は、１５０℃以下ではアニール温度が高くなるほど減少し、１５０℃以上ではアニール温度が高くなるほど増加した。

サンプルＥ（電極３４が積層膜Ａｇ／Ｔｉ／Ａｇ）、及びサンプルＦ（電極３４が積層膜Ａｇ／Ｎｉ／Ａｇ）の場合、電極３４と非晶質シリコン層３６（ｐ型）との接触抵抗は、アニール温度が高くなるほど小さくなり、１２５℃以上では、サンプルＤより小さくなった。更に、１７５℃以上では、サンプルＥよりもサンプルＦの方が、接触抵抗が小さくなった。

図２２Ａ，２２Ｂに示すように、導電層２８ｎ、２８ｐを設ける方が、導電層２８ｎ、２８ｐを設けない場合に比べて、低い接触抵抗が得られることが分かる。この効果は、半導体層（非晶質シリコン層３６）の導電型がｐ型の場合に、特に顕著に現れる。また、光電変換装置１０Ａにおいて、導電層２８ｎ、２８ｐを設けなかった場合の光電変換効率が２３．６％であったのに対し、光電変換装置１０Ａの光電変換効率は２４．５％であった。

光電変換装置１０Ａにおいて、導電層２８ｎ、２８ｐはチタンを含む。チタンは、銀よりも酸化しやすい。そのため、電極２２１ｎ、２２１ｐを形成するときの熱処理において、チタンが酸化することにより、銀の酸化を抑制できる。つまり、導電層３０ｎ、３０ｐの平均結晶粒径を大きくするために、熱処理をしても、高抵抗な酸化銀の生成を抑制できる。また、チタンが酸化されることにより、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐが酸化されて高抵抗層が形成されるのを効果的に抑制できる。特に、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎよりもｐ型非晶質シリコン層２０ｐの方が酸化されやすい傾向にあるため、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐの酸化防止に効果的である。また、導電層３０ｎ，３０ｐは、導電層２６ｎ，２６ｐと同様、導電層２８ｎ，２８ｐよりも酸化されにくい金属からなる。そのため、導電層３０ｎ，３０ｐよりも導電層２８ｎ，２８ｐが優先的に酸化され、導電層３０ｎ，３０ｐの酸化が抑制される。そのため、導電層３０，３０ｐを備えていない電極２２ｎ，２２ｐよりも、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐと導電層３０ｎ，３０ｐとの間が高抵抗となりにくく、光電変換効率をさらに向上させることができる。更に、光電変換装置１０Ａにおいては、導電層３０ｎ、３０ｐとして銀等の反射率の高い材料を用いることにより、シリコン基板を透過する光が導電層３０ｎ、３０ｐによって効率的に反射されるため、光電変換装置１０に比べて、接触抵抗を損なうことなく高い短絡電流を得ることができる。これにより、光電変換効率が更に高くなる。

ここで、図２３Ａに、サンプルＢにおける電極３４とｎ型非晶質シリコン層３６（ｎ型）との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。また、図２３Ｂは、サンプルＡにおける電極３４と非晶質シリコン層３６（ｎ型）との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。図２３Ｃは、サンプルＥにおける電極３４と非晶質シリコン層３６（ｐ型）との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。また、図２３Ｄは、サンプルＤにおける電極３４と非晶質シリコン層３６（ｐ型）との界面近傍での酸素濃度のピーク値を示す。なお、図２３Ａ〜図２３Ｄに示す酸素濃度のピーク値は、オージェ電子分光法で測定した。

図２３Ａ及び図２３Ｂを参照して、サンプルＢはサンプルＡよりも導電層３０ｎに含まれる銀の酸化が抑制される。具体的には、アニール温度１７５℃の場合、サンプルＢとサンプルＡの酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）の各検出量は０．５％と０．７％であった。サンプルＢは、サンプルＡに比べて、酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が約２９％減少した。

また、サンプルＢは、サンプルＡに比べて、非晶質シリコン層３６（ｎ型）に含まれるシリコンの酸化が抑制される。具体的には、アニール温度１７５℃の場合、サンプルＢとサンプルＡの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の各検出量は０．５％と１．１％であった。サンプルＢは、サンプルＡに比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が約５５％減少した。

この結果から、導電層２８ｎに含まれるチタンによって、導電層３０ｎに含まれる銀、及び、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに含まれるシリコンの酸化が抑制されることが分かる。

次に、図２３Ｃ及び図２３Ｄを参照して、サンプルＥはサンプルＤに比べて、導電層３０ｐに含まれる銀の酸化が抑制される。具体的には、アニール温度１７５℃の場合、サンプルＥとサンプルＤの酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）の各検出量は０．６％と３．０％であった。サンプルＥはサンプルＤに比べて、酸化銀（Ａｇ_２Ｏ）に含まれる酸素（Ｏ）が１／５に減少した。

図２３Ｃ及び図２３Ｄを参照して、サンプルＥはサンプルＤに比べて、非晶質シリコン層３６（ｐ型）に含まれるシリコンの酸化が抑制される。具体的には、サンプルＥとサンプルＤの酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の各検出量は０．６％と３．６％であり、サンプルＥはサンプルＤに比べて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）に含まれる酸素（Ｏ）の検出量が１／６に減少した。

この結果より、導電層２８ｐに含まれるチタンによって、導電層３０ｐに含まれる銀、及び、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに含まれるシリコンの酸化を抑制されることが分かる。

上述した光電変換装置１０Ａは、電極２２１ｎ、２２１ｐの形成において熱処理を行っても、導電層２６ｎ、２６ｐ及び導電層３０ｎ、３０ｐにおいて高抵抗な酸化銀が生成されず、さらに、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐに高抵抗な酸化シリコンが生成されない。そのため、アニール温度を高くすることによって、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと電極２２１ｎとの接触抵抗を、導電層２８ｎ、２８ｐを設けない場合に比べて、更に低減することができる。

導電層２６ｎ、２６ｐが酸化されにくいので、例えば、太陽電池モジュール製造等のために電極上にハンダ付けする際、ハンダと導電層２６ｎ、２６ｐとの濡れ性が向上し、接触抵抗を低減することができる。特に、半導体（ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐ）が導電層３０ｎ、３０ｐよりも酸化されやすい場合、導電層３０ｎ、３０ｐに酸素が拡散してくると半導体が導電層３０ｎ、３０ｐよりも先に酸化されて、半導体の酸化物からなる絶縁層が形成され、高抵抗化し易いが、本変形例１の構成によれば、導電層２８ｎ、２８ｐが優先的に酸化されるため、このような問題が起こりにくい。また、導電層３０ｎ、３０ｐが半導体よりも酸化されやすい場合、つまり、例えば、半導体がシリコン、導電層３０ｎ、３０ｐがアルミニウムの場合、アニール等の熱処理を行うと導電層３０ｎ、３０ｐが酸化されて導電層３０ｎ、３０ｐの酸化物からなる絶縁層が形成され、高抵抗化しやすいが、本変形例１の構成によれば、導電層２８ｎ、２８ｐが優先的に酸化されるため、このような問題が起こりにくい。また、導電層３０ｎ、導電層３０ｐにおける平均結晶粒径は、それぞれ、導電層３０ｎ、導電層３０ｐの厚みよりも大きいことが好ましい。この場合、金属結晶粒間の界面準位の影響が小さくなり、接触抵抗が著しく低減される。また、導電層３０ｎ、導電層３０ｐにおける金属結晶粒の、シリコン基板１２の厚み方向の結晶方位は、＜１１１＞方向に優先配向することが好ましい。この場合、接触抵抗が更に低減される。

また、導電層２６ｐとｐ型非晶質シリコン層２０ｐの間に、さらに、第３金属よりも酸化しやすい第４金属（たとえば、チタン等）を含む導電層を設けても良い。この場合、導電層２６ｐおよびｐ型非晶質シリコン層の酸化を更に抑制することができる。また、導電層２６ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎの間に、さらに、第３金属よりも酸化しやすい第４金属（たとえば、チタン等）を含む導電層を設けても良い。この場合、導電層２６ｎおよびｎ型非晶質シリコン層２０ｎの酸化を更に抑制することができる。

［変形例２］
本実施の形態及び変形例１において、例えば、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接触する電極のみが導電層２８ｎを備えていてもよい。

図２４は、導電層２６ｎのみを備える電極とｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗、及び、導電層２６ｐのみを備える電極とｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗について、平均結晶粒径との関係を示すグラフである。なお、図２４は、導電層２６ｎ、２６ｐの厚さが０．５μｍである場合の接触抵抗と平均結晶粒径との関係を示す。

変形例２において、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接触する電極は、導電層２６ｐのみからなる。図２４に示すように、平均結晶粒径を１．２μｍ以下に設定すれば、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接触する電極が導電層２８ｐを備えていなくても、導電層２６ｐのみを備える電極とｐ型非晶質シリコン層２０ｐとの接触抵抗を小さくできる。また、本変形例２においては、導電層２６ｐのみを備える電極において、導電層２６ｐにおける平均結晶粒径が１．２μｍより大きい場合であっても、少なくとも電極３２ｎとｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を低減することができる。したがって、本発明の実施の形態による光電変換素子は、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接触する電極のみが導電層２８ｎを備える構成を採用することができる。

［変形例３］
本実施の形態及び変形例１において、例えば、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接触する電極のみが導電層２８ｐを備えていてもよい。この場合、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接触する電極は、導電層２６ｎのみからなる。図２４に示すように、平均結晶粒径を０．５μｍ以上に設定すれば、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接触する電極が導電層２８ｎを備えていなくても、導電層２６ｎのみを備える電極とｎ型非晶質シリコン層２０ｎとの接触抵抗を熱処理がない場合に比べて著しく小さくできる。したがって、本発明の実施の形態による光電変換素子は、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐに接触する電極のみが導電層２８ｐを備える構成を採用することができる。

［変形例４］
本実施の形態及び変形例１において、導電層２８ｎは、例えば、それぞれ図２５Ａ、２５Ｂに示すように、第１酸化チタン層２８１ｎと、第２酸化チタン層２８２ｎとを含んでいてもよい。第１酸化チタン層２８１ｎは、導電層２６ｎに接して形成される。第２酸化チタン層２８２ｎは、第１酸化チタン層２８１ｎ及びｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接して形成される。第２酸化チタン層２８２ｎは、第１酸化チタン層２８１ｎよりも酸素含有量が少ない。このような構成であっても、目的とする効果は得られる。尚、第２酸化チタン層２８２ｎは、酸素を含まない層であってもよい。

［変形例５］
本実施の形態及び変形例１において、導電層２８ｎは、例えば、それぞれ図２６Ａ、２６Ｂに示すように、第１酸化チタン層２８１ｎと、第２酸化チタン層２８２ｎと、第３酸化チタン層２８３ｎとを含む。第１酸化チタン層２８１ｎは、導電層２６ｎに接して形成される。第２酸化チタン層２８２ｎは、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎに接して形成される。第３酸化チタン層２８３ｎは、第１酸化チタン層２８１ｎ及び第２酸化チタン層２８３ｎに接して形成される。第３酸化チタン層２８３ｎは、第１酸化チタン層２８１ｎ及び第２酸化チタン層２８２ｎよりも酸素含有量が少ない。このような構成であっても、目的とする効果は得られる。尚、第３酸化チタン層は、酸素を含まない層であってもよい。

なお、変形例４及び５では、導電層２８ｎを例に説明したが、導電層２８ｐについても、同じ構成を採用することができる。

［変形例６］
図２７Ａは、本実施の形態の変形例６に係る光電変換素子１０Ｂの概略構成の一例を示す断面図である。図２７Ａに示すように、光電変換素子１０Ｂは、光電変換素子１０と比べて、真性非晶質シリコン層１８を備えていない。

光電変換素子１０Ｂを製造するときには、例えば、真性非晶質シリコン層とｐ型非晶質シリコン層とを、この順番で、シリコン基板１２の裏面上に形成する。続いて、ｐ型非晶質シリコン層のうち、後にｐ型非晶質シリコン層２０ｐとなる部分以外を除去するのと共に、真性非晶質シリコン層のうち、後に真性非晶質シリコン層１９となる部分以外も除去する。続いて、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に形成されたレジストパターン上と、シリコン基板１２の裏面上とに、ｎ型非晶質シリコン層を形成する。続いて、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐ上に形成されたレジストパターンを除去する。これにより、シリコン基板１２の裏面上には、真性非晶質シリコン層１９及びｐ型非晶質シリコン層２０と、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎとが形成される。

なお、図２７Ｂに示すように、図２７Ａに示す光電変換素子１０Ｂにおいて、電極２２ｎ、２２ｐに代えて、電極２２１ｎ、２２１ｐを備えていてもよい。電極２２１ｎ、２２１ｐは、変形例１と同様、導電層２６ｎ，２６ｐ及び導電層２８ｎ，２８ｐに加え、導電層３０ｎ、３０ｐを含む。この場合も、図２７Ａに示す光電変換素子１０Ｂと同様の製造方法を用い、ｐ型非晶質シリコン層２０と、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎを形成した後、導電層２９、導電層２７、導電層２５の順に成膜し、電極２２ｎ、２２ｐを形成する。

［変形例７］
図２８Ａは、本実施の形態の変形例７に係る光電変換素子１０Ｃの概略構成の一例を示す断面図である。図２８Ａに示すように、光電変換素子１０Ｃは、光電変換素子１０と比べて、真性非晶質シリコン層１９を備えていない。

光電変換素子１０Ｃを製造するときには、例えば、真性非晶質シリコン層とｎ型非晶質シリコン層と被覆層とを、この順番で、シリコン基板１２の裏面上に形成する。続いて、フォトリソグラフィ法等を利用して、被覆層とｎ型非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層とをパターニングして、シリコン基板１２の一部を露出させるのとともに、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと真性非晶質シリコン層１８とを形成する。このとき、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上には被覆層が形成されている。続いて、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に形成された被覆層上と、シリコン基板１２の裏面上とに、ｐ型非晶質シリコン層を形成する。続いて、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に形成された被覆層を除去する。これにより、シリコン基板１２の裏面上には、真性非晶質シリコン層１８と、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐとが形成され、真性非晶質シリコン層１８上には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎが形成される。

なお、図２８Ｂに示すように、図２８Ａに示す光電変換素子１０Ｃにおいて、電極２２ｎ、２２ｐに代えて、電極２２１ｎ、２２１ｐを備えていてもよい。電極２２１ｎ、２２１ｐは、変形例１と同様、導電層２６ｎ，２６ｐ及び導電層２８ｎ，２８ｐに加え、導電層３０ｎ，３０ｐを備える。この場合も、図２８Ａに示す光電変換素子１０Ｃと同様の製造方法を用い、ｐ型非晶質シリコン層２０と、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎを形成した後、導電層２９、導電層２７、導電層２５の順に成膜し、電極２２ｎ、２２ｐを形成する。

［変形例８］
図２９Ａは、本実施の形態の変形例８に係る光電変換素子１０Ｄの概略構成の一例を示す断面図である。図２９Ａに示すように、光電変換素子１０Ｄは、光電変換素子１０と比べて、真性非晶質シリコン層１８、１９を備えていない。

光電変換素子１０Ｄを製造するときには、例えば、ｎ型非晶質シリコン層と被覆層とを、この順番で、シリコン基板１２の裏面上に形成する。続いて、被覆層とｎ型シリコン層とをパターニングし、シリコン基板１２の一部を露出させるのとともに、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎを形成する。このとき、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上には被覆層が形成されている。続いて、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に形成された被覆層上と、シリコン基板１２の裏面上とに、ｐ型非晶質シリコン層を形成する。続いて、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ上に形成された被覆層を除去する。これにより、シリコン基板１２の裏面上には、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐとが形成される。

なお、図２９Ｂに示すように、図２９Ａに示す光電変換素子１０Ｄにおいて、電極２２ｎ、２２ｐに代えて、電極２２１ｎ、２２１ｐを備えていてもよい。電極２２１ｎ、２２１ｐは、変形例１と同様、導電層２６ｎ，２６ｐ及び導電層２８ｎ，２８ｐに加え、導電層３０ｎ，３０ｐを備える。この場合も、図２９Ａに示す光電変換素子１０Ｄと同様の製造方法を用い、ｐ型非晶質シリコン層２０と、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎを形成した後、導電層２９、導電層２７、導電層２５の順に成膜し、電極２２ｎ、２２ｐを形成する。

［変形例９］
変形例１において、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎと導電層３０ｎの間と、ｐ型非晶質シリコン層２０ｐと導電層３０ｐの間とのうち少なくとも一方に、導電層３０ｎ、３０ｐの主成分金属よりも酸化されやすい金属元素（例えばチタン等）を含む導電層をそれぞれ設けてもよい。この場合、ｎ型非晶質シリコン２０ｎと、導電層３０ｎの酸化、及びｐ型非晶質シリコン２０ｐと導電層３０ｐの酸化が更に抑制され、接触抵抗が小さくなり、光電変換効率を向上させることができる。なお、チタンの代わりに、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのいずれか１つ以上の金属を用いてもよい。

［第２の実施の形態］
図３０は、本発明の第２の実施の形態による光電変換素子５０の構成を示す断面図である。光電変換素子５０は、シリコン基板５２と、非晶質膜５４と、非晶質膜５６と、電極５８と、絶縁膜６０と、電極６２とを含む。

シリコン基板５２は、ｎ型単結晶シリコン基板である。シリコン基板５２は、ｐ型拡散層６４ｐと、ｎ型拡散層６４ｎとを含む。

ｐ型拡散層６４ｐは、ｐ型の不純物として、例えば、ボロン（Ｂ）を含む。ボロン（Ｂ）の最大濃度は、例えば、１×１０^１８ｃｍ^−３〜１×１０^２０ｃｍ^−３である。ｐ型拡散層６４ｐは、例えば、５０〜１０００ｎｍの厚みを有する。

ｎ型拡散層６４ｎは、シリコン基板５２の光入射側の表面と反対側の裏面に接してシリコン基板５２の面内方向に所望の間隔で配置される。ｎ型拡散層６４ｎは、ｎ型の不純物として、例えば、リン（Ｐ）を含む。リン（Ｐ）の最大濃度は、例えば、１×１０^１８ｃｍ^−３〜１×１０^２０ｃｍ^−３である。ｎ型拡散層６４ｎは、例えば、５０〜１０００ｎｍの厚みを有する。

シリコン基板５２についてのその他の説明は、シリコン基板１２の説明と同じである。

非晶質膜５４は、シリコン基板５２の光入射側の表面に接して配置される。非晶質膜５４は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜５４の膜厚は、例えば、１〜２０ｎｍである。ａ−Ｓｉ：Ｈの導電型はｉ型またはｐ型が好ましく、ｉ型であることがより好ましい。シリコン基板５２の表面はａ−Ｓｉ：Ｈによって効果的にパッシベーションされるため、シリコン基板５２表面付近での少数キャリアライフタイムが向上し、光電変換効率が向上する。

非晶質膜５６は、非晶質膜５４に接して配置される。非晶質膜５４は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、窒化シリコンからなる。非晶質膜５６の膜厚は、例えば、５０〜２００ｎｍである。ａ−Ｓｉ：Ｈを含む非晶質膜５４の上に更に窒化シリコンからなる非晶質膜５６を成膜することにより、シリコン基板５２の表面付近での少数キャリアライフタイムが更に向上し、光電変換効率が更に向上する。

電極５８は、非晶質膜５４及び非晶質膜５６を貫通してシリコン基板５２のｐ型拡散層６４ｐに接するとともに非晶質膜５６上に配置される。電極５８は、導電層５８Ａと、導電層５８Ｂとを含む。導電層５８Ａは、ｐ型拡散層６４ｐに接する。導電層５８Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。第２金属の一部は酸化していても良い。導電層５８Ａは、例えば、酸化チタンを含んでいても良い。導電層５８Ａの厚みは、例えば、０．１〜１０ｎｍである。導電層５８Ｂは、導電層５８Ａに接する。導電層５８Ｂは、例えば、第１金属の一例として銀を主成分とする。導電層５８Ｂは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層５８Ｂの厚みは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。電極５８がｐ型拡散層６４に接するため、非常に低い接触抵抗が得られる。

絶縁膜６０は、シリコン基板５２の裏面に接して配置される。絶縁膜６０は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウム等からなる。絶縁膜６０は、例えば、５０〜１０００ｎｍの厚みを有する。

電極６２は、絶縁膜６０を貫通してシリコン基板５２のｎ型拡散層６４ｎに接するとともに絶縁膜６０を覆うように配置される。電極６２は、導電層６２Ａと、導電層６２Ｂとを含む。導電層６２Ａは、ｎ型拡散層６４ｎに接する。導電層６２Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。第２金属の一部は酸化していても良い。導電層６２Ａは、例えば、酸化チタンを含んでいても良い。導電層６２Ａの厚みは、例えば、０．１〜１０ｎｍである。導電層６２Ｂは、導電層６２Ａに接する。導電層６２Ｂは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層６２Ｂは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層６２Ｂの厚みは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。

［光電変換素子の製造方法］
図３１Ａ〜図３１Ｇを参照しながら、光電変換素子５０の製造方法について説明する。

先ず、図３１Ａに示すように、シリコン基板５２にｎ型拡散層６４ｎを形成する。具体的には、先ず、シリコン基板５２を準備する。続いて、シリコン基板５２の裏面にレジストを塗布する。続いて、レジストをフォトリソグラフィ法でパターニングし、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてＰおよび砒素（Ａｓ）等のｎ型不純物をシリコン基板５２にイオン注入する。これによって、ｎ型拡散層６４ｎがシリコン基板５２の裏面側に形成される。なお、イオン注入後、ｎ型不純物を電気的に活性化するための熱処理を行ってもよい。イオン注入法の代わりに、気相拡散法、固相拡散法、プラズマドーピング法、イオンドーピング法等を用いてもよい。

続いて、図３１Ｂに示すように、シリコン基板５２の裏面全体に絶縁膜６０を形成する。絶縁膜６０は、例えば、プラズマＣＶＤ法によって形成される。なお、絶縁膜６０は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法および熱ＣＶＤ法等によって形成されてもよい。

続いて、図３１Ｃに示すように、シリコン基板５２にｐ型拡散層６４ｐを形成する。具体的には、Ｂ、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）等のｐ型不純物を光入射側からシリコン基板５２にイオン注入する。これによって、ｐ型拡散層６４ｐがシリコン基板５２の光入射側に形成される。なお、イオン注入後、ｐ型不純物を電気的に活性化するための熱処理を行ってもよい。また、ｐ型拡散層６４ｐは、イオン注入に限らず、気相拡散法および固相拡散法等によって形成されてもよい。イオン注入法の代わりに、気相拡散法、固相拡散法、プラズマドーピング法、イオンドーピング法等を用いてもよい。

続いて、図３１Ｄに示すように、シリコン基板５２の受光面上に非晶質膜５４を形成する。非晶質膜５４は、例えば、プラズマＣＶＤによって形成される。

続いて、図３１Ｅに示すように、非晶質膜５４上に非晶質膜５６を形成する。非晶質膜５６は、例えば、プラズマＣＶＤによって形成される。

続いて、図３１Ｆに示すように、導電層５８１Ａ、６２１Ａ及び導電層５８１Ｂ、６２１Ｂを形成する。導電層５８１Ａ、６２１Ａ及び導電層５８１Ｂ、６２１Ｂの形成方法は、例えば、以下のとおりである。

先ず、非晶質膜５６の全面にレジストを塗布する。続いて、レジストをフォトリソグラフィ法でパターニングし、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとしてフッ酸と硝酸の混合液等を用いて非晶質膜５６及び非晶質膜５４の一部をエッチングする。続いて、レジストパターンを除去する。これにより、ｐ型拡散層６４ｐの一部が露出される。続いて、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて、チタンの上に銀を積層した金属膜を非晶質膜５６の全面に形成する。続いて、金属膜をパターニングする。これにより、チタンからなる導電層５８１Ａおよび、銀からなる導電層５８１Ｂが形成される。

続いて、絶縁膜６０の全面にレジストを塗布する。続いて、レジストをフォトリソグラフィ法でパターニングし、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとして、フッ酸等を用いて、絶縁膜６０の一部をエッチングし、レジストパターンを除去する。これにより、シリコン基板５２のｎ型拡散層６４ｎの一部が露出される。

続いて、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて、導電層６２１Ａ及び導電層６２１Ｂを形成する。

続いて、図３１Ｆに示すように、導電層５８１Ａ、６２１Ａ、導電層５８１Ｂ、６２１Ｂを熱処理し、電極５８、６２を形成する。この熱処理により、導電層５８１Ａ、導電層６２１Ａ、導電層５８１Ｂ、導電層６２１Ｂはそれぞれ、導電層５８Ａ、導電層６２Ａ、導電層５８Ｂ、導電層６２Ｂとなる。熱処理は、第１の実施の形態と同様にして行われる。これにより、光電変換素子５０が得られる。

光電変換素子５０においても、光電変換素子１０と同様に、素子特性が向上する。光電変換素子５０においては、シリコン基板５２表面全体に設けられたｐ型拡散層６４ｐによって、シリコン基板５２の受光面側全体に空乏層が形成されるのとともに、ｐ型拡散層６４ｐによる横方向の高いキャリア伝導を得ることで、光によって生成される電子・正孔対の分離を効率的に行うことができる。更に、シリコン基板５２表面に設けた非晶質膜５４（例えばｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ）によって高いパッシベーション効果を得ることができる。非晶質膜５４としてａ−Ｓｉ：Ｈを用いる場合、高温処理（例えば３００℃以上）によってパッシベーション性能が低下してしまうが、光電変換素子５０においては、２５０℃以下の低温プロセスにて低い接触抵抗が得られる。

なお、光電変換素子５０は、ｐ型拡散層６４ｐに代えてｎ型拡散層を備え、ｎ型拡散層６４ｎに代えてｐ型拡散層を備えていてもよい。また、光電変換素子５０において、シリコン基板５２の導電型はｐ型であってもよい。

[変形例１]
図３２は、本実施の形態の変形例１に係る光電変換装置５０Ａの構成を示す断面図である。光電変換装置５０Ａは、電極５８及び電極６２に代えて、電極５８２及び電極６２２を備える点で光電変換装置５０と異なる。電極５８２及び電極６２２のそれぞれは、導電層５８Ａ、６２Ａ、及び導電層５８Ｂ、６２Ｂに加えて、導電層５８Ｃ、６２Ｃを備える。導電層５８Ｃは導電層５８Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層６２Ｃは、導電層６２Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層５８Ｃ、６２Ｃの厚みは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

（製造方法）
光電変換装置５０Ａの製造方法は、以下の通りである。まず光電変換素子１０と同様に図３１Ｅまでの工程を実施して非晶質膜５４上に非晶質膜５６を形成する。

次に、図３３Ａに示すように、図３１Ｆにおける工程と同様にしてｐ型拡散層６４ｐの一部を露出させた後、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて、銀からなる導電層５８１Ｃ、チタンからなる導電層５８１Ａ、銀からなる導電層５８１Ｂを順に形成する。

次に、図３１Ｆにおける工程と同様にして、絶縁膜６０の一部をエッチングしてシリコン基板５２のｎ型拡散層６４ｎの一部を露出させた後、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて、銀からなる導電層６２１Ｃ、チタンからなる導電層６２１Ａ、及び、銀からなる導電層６２１Ｂを形成する。

そして、図３３Ｂに示すように、フォトリソグラフィ法等を用いることによって、導電層５８１Ｃ、導電層５８１Ａ、及び、導電層５８１Ｂをパターニングした後、第１の実施の形態と同様に熱処理を行う。これにより、導電層５８１Ｃ、導電層５８１Ａ、導電層５８１Ｂ、導電層６２１Ｃ、導電層６２１Ａ、導電層６２１Ｂは、それぞれ、導電層５８Ｃ、導電層５８Ａ、導電層５８Ｂ、導電層６２Ｃ、導電層６２Ａ、導電層６２Ｂとなり、電極５８２、電極６２２が形成される。

光電変換装置５０Ａにおいても、光電変換装置５０と同様に、高いパッシベーション性能と高いキャリア収集効率が得られ、高い光電変換効率が得られる。また、光電変換装置５０よりも、電極と半導体層との接触抵抗が更に低減され、光電変換効率を向上させることができる。なお、光電変換装置５０Ａにおいて、ｐ型拡散層６４ｐに代えてｎ型拡散層を備え、ｎ型拡散層６４ｎに代えてｐ型拡散層を備えていてもよい。また、光電変換装置５０Ａにおいて、シリコン基板５２の導電型はｐ型であってもよい。また、本実施の形態においては、電極５８２，６２２の両方に第２金属を含む導電層（導電層５８Ａ，６２Ａ）を形成したが、電極５８２、６２２のうちいずれか一方だけに第２金属を含む導電層（導電層５８Ａ，６２Ａ）を設けてもよい。また、導電層５８Ａ、６２Ａの両方を省略しても光電変換素子として機能できる。

［変形例２］
図３４Ａは、本実施の形態の変形例２に係る光電変換素子５０Ｂの概略構成を示す断面図である。光電変換素子５０Ｂは、光電変換素子５０と比べて、非晶質膜５４の代わりに、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を備える。また、光電変換素子５０Ｂは、光電変換素子５０と比べて、電極５８の代わりに、電極７６を備える。

非晶質膜７０は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ａ−Ｓｉからなる。非晶質膜７０は、ｉ型ａ−Ｓｉからなることが好ましいが、非晶質膜７２に含まれるｐ型不純物の濃度よりも低い濃度のｐ型不純物を含んでいてもよい。非晶質膜７０は、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜７０は、シリコン基板５０のｐ型拡散層６４ｐに接してｐ型拡散層６４ｐ上に配置され、シリコン基板５２をパッシベーションする。これにより、シリコン基板５２表面付近の少数キャリアライフタイムが向上し、光電変換効率が向上する。なお、非晶質膜７０は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜７０は、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なＳｉ結晶を含んでいてもよい。

非晶質膜７２は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜７２は、例えば、１〜３０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜７２は、非晶質膜７０に接して非晶質膜７０上に配置される。これにより、シリコン基板５２表面付近の少数キャリアライフタイムが更に向上し、光電変換効率が更に向上する。尚、非晶質膜７２は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜７２は、例えば、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なＳｉ結晶を含んでいてもよい。

電極７６は、非晶質膜５６を貫通して非晶質膜７２に接し、非晶質膜５６上に配置される。電極７６は、導電層７６Ａと、導電層７６Ｂとを含む。導電層７６Ａは、非晶質膜７２に接する。導電層７６Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。第２金属の一部は酸化されていても良い。つまり、導電層７６Ａは、例えば、酸化チタンを含んでいてもよい。導電層７６Ａの厚みは、例えば、０．１〜１０ｎｍである。導電層７６Ｂは、導電層７６Ａに接する。導電層７６Ｂは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層７６Ｂは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層７６Ｂの厚みは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。

光電変換素子５０Ｂの製造方法は、光電変換素子５０の製造方法のうち、非晶質膜５４を形成する工程を、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を形成する工程に変更し、且つ、電極５８を形成する工程を、電極７６を形成する工程に変更すればよい。電極７６を形成する際、非晶質膜５６をエッチングして非晶質膜７２でエッチングを止めることによって、非晶質膜５６に開口部を形成する。続いて、スパッタ法または蒸着法等を用いてチタン、銀を順に堆積した後、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングし、熱処理することによって、チタンを含む導電層７６Ａ、銀を主成分とする導電層７６Ｂを形成して電極７６を形成する。

なお、図３４Ｂに示すように、光電変換素子５０Ｂにおいて、電極６２，７６に代えて、電極６２２、７６１を備えてもよい。電極６２２、７６１は、それぞれ、導電層６２Ａ、７６Ａと導電層６２Ｂ、７６Ｂに加え、さらに導電層６２Ｃ、７６Ｃを含む。導電層６２Ｃは導電層６２Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層７６Ｃは、導電層７６Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層６２Ｃ、７６Ｃの厚みは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

なお、光電変換素子５０Ｂは、非晶質膜７０を備えていなくてもよい。光電変換素子５０Ａにおいては、ｐ型拡散層６４ｐをｎ型拡散層に代え、ｎ型拡散層６４ｎをｐ型拡散層に代え、非晶質膜７２をｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるものに代えてもよい。シリコン基板５２の導電型をｐ型に変更してもよい。

光電変換装置５０Ｂは、電極７６が直接シリコン基板５２に接することがなく、シリコン基板５２表面が非晶質膜７０で被覆されているため、光電変換装置５０Ａに比べて更に良好なパッシベーション特性が得られる。この結果、光電変換効率を更に向上させることができる。なお、本変形例においては、電極６２、７６の両方に第２金属を含む導電層を設けたが、電極６２、７６のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けてもよい。また、第２導電層を省略しても、光電変換素子として機能する。

［第３の実施の形態］
図３５は、本発明の第３の実施の形態による光電変換素子８０の概略構成を示す断面図である。光電変換素子８０は、光電変換素子５０（図３０参照）のシリコン基板５２をシリコン基板８２に代え、絶縁膜６０を非晶質膜８４、８６に代え、電極６２を電極８８に代えたものである。その他は、光電変換素子５０と同じである。

シリコン基板８２は、シリコン基板５２のｎ型拡散層６４ｎをｎ型拡散層９０ｎに代えたものである。その他は、シリコン基板５２と同じである。

ｎ型拡散層９０ｎは、シリコン基板８２の光入射側と反対側の裏面全体に接してシリコン基板８２中に配置される。ｎ型拡散層９０ｎは、ｎ型拡散層６４ｎと同じ厚みを有するとともに、ｎ型拡散層６４ｎのｎ型不純物と同じ濃度のｎ型不純物を含む。

非晶質膜８４は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈまたはｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。また、非晶質膜８４の膜厚は、例えば、１〜２０ｎｍである。非晶質膜８４は、シリコン基板８２の光入射側と反対側の裏面に接してシリコン基板８２上に配置される。

非晶質膜８６は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、窒化シリコンからなる。また、非晶質膜８６の膜厚は、例えば、５０〜２００ｎｍである。

電極８８は、非晶質膜８４、８６を貫通してｎ型拡散層９０ｎに接し、非晶質膜８６上に配置される。電極８８は、導電層８８Ａと、導電層８８Ｂとを含む。導電層８８Ａは、ｎ型拡散層９０ｎに接する。導電層８８Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。第２金属の一部は酸化されていても良い。導電層８８Ａは、例えば、酸化チタンを含んでいてもよい。導電層８８Ａの厚みは、例えば、０．１〜１０ｎｍである。導電層８８Ｂは、導電層８８Ａに接する。導電層８８Ｂは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層８８Ｂは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層８８Ｂの厚みは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。

光電変換素子８０においては、シリコン基板８２の光入射側の表面は、非晶質膜５４によってパッシベーションされ、シリコン基板８２の裏面は、非晶質膜８４によってパッシベーションされる。これにより、高い光電変換効率が得られる。なお、シリコン基板８０の裏面側から光を入射してもよい。

［光電変換素子の製造方法］
図３６Ａ〜３６Ｆを参照しながら、光電変換素子８０の製造方法について説明する。

先ず、図３６Ａに示すように、シリコン基板８２にｎ型拡散層９０ｎを形成する。具体的には、Ｐおよび砒素（Ａｓ）等のｎ型不純物をシリコン基板８２にイオン注入して、ｎ型拡散層９０ｎをシリコン基板８２の裏面側に形成する。なお、イオン注入後、ｎ型不純物を電気的に活性化するための熱処理を行ってもよい。イオン注入法の代わりに、気相拡散法、固相拡散法、プラズマドーピング法、イオンドーピング法等を用いてもよい。

続いて、図３６Ｂに示すように、シリコン基板８２にｐ型拡散層６４ｐを形成する。具体的には、Ｂ、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）等のｐ型不純物を光入射側からシリコン基板８２にイオン注入する。これによって、ｐ型拡散層６４ｐがシリコン基板８２の光入射側に形成される。なお、イオン注入後、ｐ型不純物を電気的に活性化するための熱処理を行ってもよい。また、ｐ型拡散層６４ｐは、イオン注入に限らず、気相拡散法および固相拡散法等によって形成されてもよい。

続いて、図３６Ｃに示すように、シリコン基板８２の受光面上に非晶質膜５４、５６を形成する。非晶質膜５４、５６は、例えば、プラズマＣＶＤによって形成される。

続いて、図３６Ｄに示すように、非晶質膜８４，８６をシリコン基板８２の裏面に順次積層する。非晶質膜８４、８６は、例えば、プラズマＣＶＤによって形成される。

続いて、図３６Ｅに示すように、導電層５８１Ａ、８８１Ａ及び導電層５８１Ｂ、８８１Ｂを形成する。導電層５８１Ａ、８８１Ａ及び導電層５８１Ｂ、８８１Ｂの形成方法は、例えば、以下のとおりである。

先ず、非晶質膜５６の全面にレジストを塗布する。続いて、レジストをフォトリソグラフィ法でパターニングし、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとして非晶質膜５６及び非晶質膜５４の一部をエッチングする。続いて、レジストパターンを除去する。これにより、ｐ型拡散層６４ｐの一部が露出される。続いて、蒸着法およびスパッタリング法等を用いて、チタンからなる導電層及び銀からなる導電層を形成する。続いて、チタンからなる導電層及び銀からなる導電層をパターニングする。これにより、導電層５８１Ａ及び導電層５８１Ｂが形成される。

続いて、非晶質膜８６の全面にレジストを塗布する。続いて、レジストをフォトリソグラフィ法でパターニングし、レジストパターンを形成する。続いて、レジストパターンをマスクとして非晶質膜８６および非晶質膜８４の一部をエッチングし、レジストパターンを除去する。これにより、シリコン基板８２のｎ型拡散層９０ｎの一部が露出される。

続いて、蒸着法およびスパッタリング法等を用いて、例えばチタンからなる導電層及び銀からなる導電層を形成する。続いて、チタンからなる導電層及び銀からなる導電層をパターニングする。これにより、導電層８８１Ａ及び導電層８８１Ｂが形成される。

続いて、図３６Ｆに示すように、熱処理を行うことにより、導電層５８１Ａ、導電層５８１Ｂ、導電層８８１Ａ、導電層８８１Ｂを、それぞれ、チタンを含む導電層５８Ａ、銀を主成分とする導電層５８Ｂ、チタンを含む導電層８８Ａ、銀を主成分とする導電層８８Ｂとし、電極５８、８８を形成する。熱処理は、第１の実施の形態と同様にして行われる。これにより、図３６Ｆに示すように、光電変換素子８０が得られる。

なお、図３７に示すように、光電変換素子８０において、電極５８、８８に代えて電極５８２、８８２を備えていてもよい。電極５８２は、導電層５８Ａ、導電層５８Ｂに加え、さらに導電層５８Ｃを含む。電極８８２は、導電層８８Ａ、導電層８８Ｂに加え、さらに導電層８８Ｃを含む。導電層５８Ｃは導電層５８Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層８８Ｃは、導電層８８Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層５８Ｃ、８８Ｃの厚みは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。この場合には、図３６Ｅの工程において、ｐ型導電層６４ｐの一部を露出後、蒸着法又はスパッタリング法等を用いて、例えば、銀、チタン、銀を順に堆積し、ｎ型導電層９０ｎの一部を露出後、蒸着法またはスパッタリング法等によって、例えば、銀、チタン、銀の順に堆積する。その後、図３６Ｅの工程と同様に、パターニングを行い、図３６Ｆの工程と同様に熱処理を行うことにより、導電層５８Ｃ、導電層５８Ａおよび導電層５８Ｂからなる電極５８と、導電層８８Ｃ、導電層８８Ａ及び導電層８８Ｂからなる電極８８が形成される。

光電変換装置８０は、シリコン基板８２の光入射側の表面は、非晶質膜５４によって効果的にパッシベーションされ、シリコン基板８２の裏面は、非晶質膜８４によって効果的にパッシベーションされる。この結果、極めて良好なパッシベーション特性が得られるため、光電変換効率を向上させることができる。

なお、光電変換素子８０においては、ｐ型拡散層６４ｐをｎ型拡散層に代え、ｎ型拡散層９０ｎをｐ型拡散層に代えてもよい。この場合、非晶質膜５４は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈまたはｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、非晶質膜８４は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈまたはｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。なお、本実施の形態においては、電極５８、８８の両方に第２金属を含む導電層を設けたが、電極５８、８８のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けてもよい。同様に、電極５８２、８８２のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けても良い。また、第２金属を含む導電層を省略しても、光電変換素子として機能する。

［変形例１］
図３８Ａは、本実施の形態の変形例１に係る光電変換素子８０Ａの概略構成を示す断面図である。光電変換素子８０Ａは、光電変換素子８０と比べて、非晶質膜５４の代わりに、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を備える。非晶質膜８４の代わりに、非晶質膜９４及び非晶質膜９６を備える。電極５８の代わりに、電極７６を備える。電極８８の代わりに、電極９８を備える。非晶質膜７０、非晶質膜７２、非晶質膜５６、電極７６、導電層７６Ａ、導電層７６Ｂに関する説明は、第２の実施の形態の変形例２と同様である。

非晶質膜９４は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈまたはｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈの方が好ましい。非晶質膜９４は、シリコン基板８２の裏面に接してシリコン基板８２の裏面上に配置される。

非晶質膜９６は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜９６は、非晶質膜９４に接して非晶質膜９４１上に配置される。

電極９８は、非晶質膜８６を貫通して非晶質膜９６に接し、非晶質膜８６上に配置される。電極９８は、導電層９８Ａと、導電層９８Ｂとを含む。導電層９８Ａは、非晶質膜９６に接する。導電層９８Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。導電層９８Ａの厚みは、例えば、０．１〜１０ｎｍである。導電層９８Ｂは、導電層９８Ａに接する。導電層９８Ｂは、第１金属の一例としての銀を主成分とする。導電層９８Ｂは、銀以外の金属を含んでいてもよい。導電層９８Ｂの厚みは、例えば、１００〜１０００ｎｍである。

光電変換素子８０Ａの製造方法は、光電変換素子８０の製造方法のうち、非晶質膜５４を形成する工程を、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を形成する工程に変更し、非晶質膜８４を形成する工程を、非晶質膜９４及び非晶質膜９６を形成する工程に変更し、電極５８を形成する工程を、電極７６を形成する工程に変更し、電極８８を形成する工程を、電極９８を形成する工程に変更すればよい。

なお、図３８Ｂに示すように、光電変換素子８０Ａにおいて、電極７６、９８に代えて電極７６１、９８１を備えていてもよい。電極７６１は、導電層７６Ａ、導電層７６Ｂに加え、さらに導電層７６Ｃを含む。また、電極９８１は、導電層９８Ａ、導電層９８Ｂに加え、さらに導電層９８Ｃを含む。導電層７６Ｃは、導電層７６Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば、銀を主成分として含む。導電層９８Ｃは、導電層９８Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層７６Ｃ、９８Ｃの厚みは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

図３８Ａ、３８Ｂの構成では、電極７６，７６１とシリコン基板８２の間には非晶質膜７０，７２が形成され、電極９８，９８１とシリコン基板８２の間には非晶質膜９４，９６が形成されているため、図３５及び図３７に示す光電変換素子８０と比べ、より高いパッシベーション効果が得られる。

光電変換素子８０Ａは、非晶質膜７０、９４を備えていなくてもよい。光電変換素子８０Ａにおいては、ｐ型拡散層６４ｐをｎ型拡散層に代え、ｎ型拡散層９０ｎをｐ型拡散層に代え、非晶質膜７２をｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるものに代え、非晶質膜９６をｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるものに代えてもよい。シリコン基板８２の導電型をｐ型に変更してもよい。また、図３８Ａの構成では、電極７６、９８の両方に第２金属を含む導電層を設けたが、電極７６、９８のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けてもよい。同様に、図３８Ｂの構成においても、電極７６１、９８１のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けても良い。また、第２金属を含む導電層を省略しても、光電変換素子として機能する。

［変形例２］
図３９Ａは、第３の実施の形態の変形例２に係る光電変換素子８０Ｂの概略構成を示す縦断面図である。光電変換素子８０Ｂは、光電変換素子８０と比べて、非晶質膜５４の代わりに、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を備える。電極５８の代わりに、電極７６を備える。

光電変換素子８０Ｂの製造方法は、光電変換素子８０の製造方法のうち、図３６Ｃにおいて非晶質膜５４を形成する工程を、非晶質膜７０及び非晶質膜７２を形成する工程に変更し、図３６Ｅにおいて電極５８を形成する工程を、電極７６を形成する工程に変更すればよい。

なお、図３９Ｂに示すように、光電変換素子８０Ｂにおいて、電極７６、８８に代えて電極７６１、８８２を備えてもよい。電極７６１は、導電層７６Ａ、７６Ｂに加え、さらに導電層７６Ｃを含む。また、電極８８２は、導電層８８Ａ、８８Ｂに加え、さらに導電層８８Ｃを含む。導電層７６Ｃは、導電層７６Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層８８Ｃは、導電層８８Ａに含まれる第２金属よりも酸化されにくい第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層７６Ｃ、８８Ｃの厚みは、例えば、５０〜１０００ｎｍである。

図３９Ａ及び３９Ｂにおいては、シリコン基板８２の受光面側は非晶質膜７０、７２で覆われているため、非常に高いパッシベーション効果が得られる。一方、シリコン基板８２の裏面側は、シリコン基板表面の大部分が非晶質膜８４によってパッシベートされ、電極８８、８８２は、ｎ型拡散層９０ｎに直接接して設けられることにより、非常に低い接触抵抗と高いパッシベーション効果が得られる。従って、シリコン基板８２中の過剰キャリア密度が裏面側に比べて高くなる受光面側においては、裏面側よりも高いパッシベーション特性を有する。さらに、過剰キャリア密度が受光面側よりも低くなる裏面側においては、高いパッシベーション特性を殆ど損なうことなく低い接触抵抗を実現することができるので、光電変換効率をより向上させることができる。

光電変換素子８０Ｂは、非晶質膜７０を備えていなくてもよい。光電変換素子８０Ｂにおいては、ｐ型拡散層６４ｐをｎ型拡散層に代え、ｎ型拡散層９０ｎをｐ型拡散層に代え、非晶質膜７２をｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなるものに代えてもよい。シリコン基板８２の導電型をｐ型に変更してもよい。また、図３９Ａの構成では、電極７６、８８の両方に第２金属を含む導電層を設けたが、電極７６、８８のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けてもよい。同様に、図３９Ｂの構成においても、電極７６１、８８２のいずれか一方に第２金属を含む導電層を設けても良い。また、第２金属を含む導電層を省略しても、光電変換素子として機能する。

［第４の実施の形態］
図４０は、本発明の実施の形態に係る光電変換素子１００の概略構成を示す断面図である。光電変換素子１００は、シリコン基板１０１、絶縁層１０５、絶縁層１０６、絶縁層１０７、電極１１０ｎ、及び電極１１０ｐを備える。

絶縁層１０５、１０６は、例えば酸化シリコンからなる。絶縁層１０７は、例えば窒化シリコンからなる。

シリコン基板１０１は、ｎ型単結晶シリコン基板である。シリコン基板１０１は、ｎ型拡散層１０２と、ｎ型拡散層１０４ｎと、ｐ型拡散層１０４ｐとを含む。

ｐ型拡散層１０４ｐは、ｐ型の不純物として、例えば、ボロン（Ｂ）を含む。ｎ型拡散層１０２、１０４ｎは、ｎ型の不純物として、例えば、リン（Ｐ）を含む。

電極１１０ｎは、導電層１１０Ａｎ、導電層１１０Ｂｎと、導電層１１０Ｃｎとを含む。また、電極１１０ｐは、導電層１１０Ａｐと、導電層１１０Ｂｐと、導電層１１０Ｃｐとを含む。

導電層１１０Ｃｎ、１１０Ｃｐは、第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層１１０Ａｎ、１１０Ａｐは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。導電層１１０Ｂｎ、１１０Ｂｐは、第１金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。

（製造方法）
図４１Ａ〜４１Ｅを参照しながら、光電変換素子１００の製造方法について説明する。図４１Ａに示すように、シリコン基板１０１表面に、例えばイオン注入法を用いて、Ｐ、Ａｓ等のドナー不純物をイオン注入することにより、シリコン基板１０１表面にｎ型拡散層１０２を形成する。

次に、ｎ型拡散層１０２とは反対側のシリコン基板１０１の裏面に、例えばフォトリソグラフィ法等を用いてレジストパターンを形成後、Ｐ，Ａｓ等のドナー不純物をイオン注入することにより、ｎ型拡散層１０４ｎを形成する。

レジストを除去した後、例えばフォトリソグラフィ法等を用いてレジストパターンを形成し、Ｂ（ボロン）等のアクセプタ不純物をイオン注入することにより、ｐ型拡散層１０４ｐを形成する。その後、レジストを除去する。なお、このとき、不純物を活性化させるための熱処理を行ってもよい。また、イオン注入法の代わりに、気相拡散法、固相拡散法、プラズマドーピング法、イオンドーピング法等を用いてもよい。

次に、熱酸化処理を行うことにより、図４１Ｂに示すように、酸化シリコンからなる絶縁層１０６、１０８をｎ型拡散層１０４ｎの表面に形成する。続いて、ＬＰ−ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて、例えば窒化シリコンからなる絶縁層１０７、１０９を、それぞれ絶縁層１０６、１０８の表面に形成する。窒化シリコンの代わりに酸化シリコン、酸窒化シリコン等を用いても良い。これにより、シリコン基板１０１の裏面には、絶縁層１０８と絶縁層１０９の積層膜からなる絶縁層１０５が形成される。尚、絶縁層１０６、１０８を省略することもできる。

なお、図４１Ｃに示すように、シリコン基板１０１の表面だけに、窒化シリコンからなる絶縁層１０７を形成し、シリコン基板１０１の裏面には、酸化シリコンからなる絶縁層１０５を形成してもよい。

次に、図４１Ｄに示すように、例えばフォトリソグラフィ法等を用いて、絶縁層１０５の一部に開口部１０５ａを形成し、ｎ型拡散層１０４ｎ及びｐ型拡散層１０４ｐの一部を露出させる。

続いて、図４１Ｅに示すように、真空蒸着法又はスパッタ法等を用いて、例えば、銀、チタン、銀をこの順に積層した積層膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法等を用いて、当該積層膜をパターニングする。その後、熱処理を行うことにより、電極１１０ｎ、１１０ｐが形成され、光電変換素子１００が得られる。

なお、電極１１０ｎは、銀からなる導電層１１０Ａｎと、チタンを含む導電層１１０Ｂｎと、銀からなる導電層１１０Ｃｎとを含み、電極１１０ｐは、銀からなる導電層１１０Ａｐと、チタンを含む導電層１１０Ｂｐと、銀からなる導電層１１０Ｃｐとを含む。導電層１１０Ｂｎ、１１０Ｂｐは酸素を含んでいてもよい。

光電変換素子１００においても、光電変換装置１０と同様に、電極１１０ｎ，１１０ｐと半導体層（ｎ型拡散層１０４ｎ及びｐ型拡散層１０４ｐ）との接触抵抗が低減され、光電変換効率が向上する。また、導電層１１０Ｂｎ、１１０Ｂｐが高い反射率を有する材料（たとえば、銀）からなるため、シリコン基板１０１を透過する光を効果的に反射することにより、光電変換効率が向上する。

なお、光電変換素子１００は、ｐ型拡散層１０４ｐに代えてｎ型拡散層を備え、ｎ型拡散層１０４ｎに代えてｐ型拡散層を備えていてもよい。また、光電変換素子１００において、シリコン基板１０１の導電型はｐ型であってもよい。また、本実施の形態においては、電極１１０ｎ、１１０ｐが、それぞれ、３つの導電層１１０Ａｎ、導電層１１０Ｂｎ、導電層１１０Ｃｎ、および、導電層１１０Ａｐ、導電層１１０Ｂｐ、導電層１１０Ｃｐからなる例を説明したが、導電層１１０Ｃｎおよび導電層１１０Ｃｐを省略することもできる。また、電極１１０ｎ、１１０ｐの両方に導電層１１０Ａｎ，１１０Ａｐを形成する代わりに、電極１１０ｎ、１１０ｐのうちいずれか一方だけに導電層１１０Ａｎ，１１０Ａｐを設けてもよい。導電層１１０Ａｎおよび導電層１１０ｐの両方を省略しても光電変換素子として機能することはできる。

［第５の実施の形態］
図４２は、本発明の実施の形態に係る光電変換素子２００の概略構成を示す断面図である。光電変換素子２００は、シリコン基板２０１、非晶質膜２０２、非晶質膜２０３、非晶質膜２０４、非晶質膜２０５、導電性金属酸化物層２０６，２０７、及び電極２０８，２０９を含む。

シリコン基板２０１は、ｎ型単結晶シリコン基板である。電極２０８は、導電層２０８Ａと、導電層２０８Ｂと、導電層２０８Ｃとを含む。電極２０９は、導電層２０９Ａと、導電層２０９Ｂと、導電層２０９Ｃとを含む。導電層２０８Ｃ，２０９Ｃは、第３金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。導電層２０８Ａ，２０９Ａは、第２金属の一例として、例えばチタンを含む。導電層２０８Ａ，２０９Ａは、第１金属の一例として、例えば銀を主成分として含む。

非晶質膜２０４は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜２０４は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなることが好ましいが、非晶質膜２０５に含まれるｐ型不純物の濃度よりも低い濃度のｐ型不純物を含んでいてもよい。非晶質膜２０４は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜２０４は、シリコン基板２０１に接して配置され、シリコン基板２０１を効果的にパッシベーションする。これにより、シリコン基板２０１の少数キャリアライフタイムが向上し、光電変換効率が向上する。なお、非晶質膜２０４は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜２０４は、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なシリコン結晶を含んでいてもよい。

非晶質膜２０５は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜２０５は、例えば、１〜３０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜２０５は、非晶質膜２０４に接して非晶質膜２０４上に配置される。これにより、シリコン基板２０１の少数キャリアライフタイムが更に向上し、光電変換効率が更に向上する。なお、非晶質膜２０５は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜７２は、例えば、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なシリコン結晶を含んでいてもよい。

非晶質膜２０２は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜２０２は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなることが好ましいが、非晶質膜２０３に含まれるｎ型不純物の濃度よりも低い濃度のｎ型不純物を含んでいてもよい。非晶質膜２０２は、例えば、１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜２０２は、シリコン基板２０１に接して配置され、シリコン基板２０１を効果的にパッシベーションする。これにより、シリコン基板２０１の少数キャリアライフタイムが向上し、光電変換効率が向上する。なお、非晶質膜２０２は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜２０２は、例えば、ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なシリコン結晶を含んでいてもよい。

非晶質膜２０３は、少なくとも非晶質相を含み、例えば、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。非晶質膜２０３は、例えば、１〜３０ｎｍの膜厚を有する。非晶質膜２０３は、非晶質膜２０２に接して非晶質膜２０２上に配置される。これにより、シリコン基板２０１の少数キャリアライフタイムが更に向上し、光電変換効率が更に向上する。尚、非晶質膜２０３は、非晶質相を含む限り、結晶相を含んでいてもよい。非晶質膜２０３は、例えば、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈと共に微細なシリコン結晶を含んでいてもよい。

導電性金属酸化物層２０６，２０７は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＷＯ（インジウムタングステン酸化物）、亜鉛酸化物、又は錫酸化物等からなる。なお、導電性金属酸化物層２０６，２０７の材料は必ずしも同じである必要はない。

（製造方法）
図４３Ａ〜４３Ｄを参照しながら、光電変換素子２００の製造方法について説明する。尚、図示していないが、シリコン基板２０１の表面（受光面、または、受光面および裏面の両面）にはテクスチャ構造を形成しておいても良い。

図４３Ａに示すように、シリコン基板２０１の一方の面に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、非晶質膜２０２を成膜し、続いて、非晶質膜２０２の上に非晶質膜２０３を成膜する。次に、非晶質膜２０２とは反対側のシリコン基板２０１の面に、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、非晶質膜２０４を成膜し、続いて、非晶質膜２０４の上に非晶質膜２０５を成膜する。

続いて、図４３Ｂに示すように、例えばスパッタ法等を用いて、非晶質膜２０３の表面に導電性金属酸化物層２０６を形成し、続いて、非晶質膜２０５の表面に導電性金属酸化物層２０７を形成する。なお、スパッタ法に代えて、真空蒸着法、イオンプレーティング法、リモートプラズマ堆積法等を用いてもよい。

次に、図４３Ｃに示すように、例えば真空蒸着法を用いて、導電性金属酸化物層２０７の上に、例えば、銀、チタン、銀をこの順に成膜する。同様に、導電性金属酸化物層２０６の上に、例えば、銀、チタン、銀をこの順に成膜する。なお、真空蒸着法に代えて、スパッタ法、塗布法等を用いてもよい。

続いて、例えばフォトリソグラフィ法等を用いて、導電性酸化物層２０７上の銀、チタン、銀からなる積層膜と、導電性酸化物層２０６上の銀、チタン、銀からなる積層膜とをパターニングする。その後、第１の実施の形態と同様にして熱処理を行うことにより、銀を主成分として含む導電層２０８Ｃ、チタンを含む導電層２０８Ａ、銀を主成分として含む導電層２０８Ｂからなる電極２０８、および、銀を主成分として含む導電層２０９Ｃ、チタンを含む導電層２０９Ａ、銀を主成分として含む導電層２０９Ｂからなる電極２０９が形成され、光電変換素子２００が得られる。

なお、図４４に示すように、光入射面とは反対側の電極２０９はパターニングしなくてもよい。この場合には、シリコン基板２０１を透過する光が電極２０９で反射されてシリコン基板２０１に再入射することにより、光電変換効率を向上させることができる。

光電変換素子２００においては、導電層２０８Ｃ、２０９Ｃがそれぞれ導電性金属酸化物層２０６、２０７に接するため、熱処理時に導電層２０８Ｃ、２０９Ｃが酸化されやすくなるが、第２金属を含む導電層２０８Ａ、２０９Ａを備えることにより、導電層２０８Ｃ、２０９Ｃの酸化による高抵抗化を抑制することができる。従って、光電変換素子２００においても、第１の実施の形態と同様、電極２０８，２０９と導電性金属酸化物層２０６，２０７との接触抵抗が低減され、光電変換効率を向上させることができる。更に、導電層２０８Ｃ、２０９Ｃの酸化を抑制することによって、導電層２０８Ｃ、２０９Ｃとして反射率の高い材料（例えば、銀等）を採用することができる。従って、更に光電変換効率を向上することができる。

なお、光電変換素子２００は、ｐ型非晶質膜２０５に代えてｎ型非晶質膜を備え、ｎ型非晶質膜２０３に代えてｐ型非晶質膜を備えていてもよい。また、光電変換素子２００において、シリコン基板２０１の導電型はｐ型であってもよい。また、本実施の形態においては、電極２０８、２０９の両方に導電層２０８Ａ，２０９Ａを形成したが、電極２０８、２０９のうちいずれか一方だけに導電層２０８Ａ，２０９Ａを設けてもよい。また、電極２０８，２０９の各々は、導電層２０８Ｃ，２０９Ｃを省略することもできる。

［第６の実施の形態］
図４５は、本発明の実施の形態による光電変換素子を備える光電変換モジュールの構成を示す概略図である。図３３を参照して、光電変換モジュール１０００は、複数の光電変換素子１００１と、カバー１００２と、出力端子１００３，１００４とを備える。

複数の光電変換素子１００１は、アレイ状に配置され、直列に接続される。直列に接続する代わりに、並列接続、または、直列と並列を組み合わせた接続を行ってもよい。複数の光電変換素子１００１の各々は、光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，５０Ｂ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかからなる。

カバー１００２は、耐候性のカバーからなり、複数の光電変換素子１００１を覆う。カバー１００２は、例えば、光電変換素子１００１の受光面側に設けられた透明基材（例えばガラス等）と、前記光電変換素子１００１の受光面側とは反対の裏面側に設けられた裏面基材（例えば、ガラス、樹脂シート等）と、前記透明基材と前記樹脂基材との間の隙間を埋める封止材（例えばＥＶＡ等）とを含む。

出力端子１００３は、直列に接続された複数の光電変換素子１００１の一方端に配置される光電変換素子１００１に接続される。

出力端子１００４は、直列に接続された複数の光電変換素子１００１の他方端に配置される光電変換素子１００１に接続される。

上述したように、光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，５０Ｂ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００は、素子特性が向上している。従って、光電変換モジュール１０００の性能を向上させることができる。

なお、第６の実施の形態による光電変換モジュールは、図４５に示す構成に限らず、光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかを用いる限り、どのような構成であってもよい。

［第７の実施の形態］
図４６は、この実施の形態による光電変換素子を備える太陽光発電システムの構成を示す概略図である。図４６を参照して、太陽光発電システム１１００は、光電変換モジュールアレイ１１０１と、接続箱１１０２と、パワーコンディショナー１１０３と、分電盤１１０４と、電力メーター１１０５とを備える。

接続箱１１０２は、光電変換モジュールアレイ１１０１に接続される。パワーコンディショナー１１０３は、接続箱１１０２に接続される。分電盤１１０４は、パワーコンディショナー１１０３および電気機器１１１０に接続される。電力メーター１１０５は、分電盤１１０４および商用電力系統に接続される。

光電変換モジュールアレイ１１０１は、太陽光を電気に変換して直流電力を発電し、その発電した直流電力を接続箱１１０２に供給する。

接続箱１１０２は、光電変換モジュールアレイ１１０１が発電した直流電力を受け、その受けた直流電力をパワーコンディショナー１１０３へ供給する。

パワーコンディショナー１１０３は、接続箱１１０２から受けた直流電力を交流電力に変換し、その変換した交流電力を分電盤１１０４に供給する。

分電盤１１０４は、パワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力および／または電力メーター１１０５を介して受けた商用電力を電気機器１１１０へ供給する。また、分電盤１１０４は、パワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力が電気機器１１１０の消費電力よりも多いとき、余った交流電力を、電力メーター１１０５を介して、商用電力系統へ供給する。

電力メーター１１０５は、商用電力系統から分電盤１１０４へ向かう方向の電力を計測するとともに、分電盤１１０４から商用電力系統へ向かう方向の電力を計測する。

図４７は、図４６に示す光電変換モジュールアレイ１１０１の構成を示す概略図である。図３５を参照して、光電変換モジュールアレイ１１０１は、複数の光電変換モジュール１１２０と、出力端子１１２１，１１２２とを含む。

複数の光電変換モジュール１１２０は、アレイ状に配列され、直列に接続される。複数の光電変換モジュール１１２０の各々は、図４６３３に示す光電変換モジュール１０００からなる。

出力端子１１２１は、直列に接続された複数の光電変換モジュール１１２０の一方端に位置する光電変換モジュール１１２０に接続される。

出力端子１１２２は、直列に接続された複数の光電変換モジュール１１２０の他方端に位置する光電変換モジュール１１２０に接続される。

太陽光発電システム１１００における動作を説明する。光電変換モジュールアレイ１１０１は、太陽光を電気に変換して直流電力を発電し、その発電した直流電力を、接続箱１１０２を介してパワーコンディショナー１１０３へ供給する。

パワーコンディショナー１１０３は、光電変換モジュールアレイ１１０１から受けた直流電力を交流電力に変換し、その変換した交流電力を分電盤１１０４へ供給する。

分電盤１１０４は、パワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力が電気機器１１１０の消費電力以上であるとき、パワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力を電気機器１１１０に供給する。そして、分電盤１１０４は、余った交流電力を電力メーター１１０５を介して商用電力系統へ供給する。

また、分電盤１１０４は、パワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力が電気機器１１１０の消費電力よりも少ないとき、商用電力系統から受けた交流電力およびパワーコンディショナー１１０３から受けた交流電力を電気機器１１１０へ供給する。

太陽光発電システム１１００は、上述したように、素子特性が向上している光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，５０Ｂ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかを備えている。従って、太陽光発電システム１１００の性能を向上させることができる。

なお、第７の実施の形態による太陽光発電システムは、図４６，４７に示す構成に限らず、光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかを用いる限り、どのような構成であってもよい。

［第８の実施の形態］
図４８は、この実施の形態による光電変換素子を備える太陽光発電システムの構成を示す概略図である。図４８を参照して、太陽光発電システム１２００は、サブシステム１２０１〜１２０ｎ（ｎは２以上の整数）と、パワーコンディショナー１２１１〜１２１ｎと、変圧器１２２１とを備える。太陽光発電システム１２００は、図４６に示す太陽光発電システム１１００よりも規模が大きい太陽光発電システムである。

パワーコンディショナー１２１１〜１２１ｎは、それぞれ、サブシステム１２０１〜１２０ｎに接続される。

変圧器１２２１は、パワーコンディショナー１２１１〜１２１ｎおよび商用電力系統に接続される。

サブシステム１２０１〜１２０ｎの各々は、モジュールシステム１２３１〜１２３ｊ（ｊは２以上の整数）からなる。

モジュールシステム１２３１〜１２３ｊの各々は、光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉ（ｉは２以上の整数）と、接続箱１３１１〜１３１ｉと、集電箱１３２１とを含む。

光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉの各々は、図４６に示す光電変換モジュールアレイ１１０１と同じ構成からなる。

接続箱１３１１〜１３１ｉは、それぞれ、光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉに接続される。

集電箱１３２１は、接続箱１３１１〜１３１ｉに接続される。また、サブシステム１２０１のｊ個の集電箱１３２１は、パワーコンディショナー１２１１に接続される。サブシステム１２０２のｊ個の集電箱１３２１は、パワーコンディショナー１２１２に接続される。以下、同様にして、サブシステム１２０ｎのｊ個の集電箱１３２１は、パワーコンディショナー１２１ｎに接続される。

モジュールシステム１２３１のｉ個の光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉは、太陽光を電気に変換して直流電力を発電し、その発電した直流電力をそれぞれ接続箱１３１１〜１３１ｉを介して集電箱１３２１へ供給する。モジュールシステム１２３２のｉ個の光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉは、太陽光を電気に変換して直流電力を発電し、その発電した直流電力をそれぞれ接続箱１３１１〜１３１ｉを介して集電箱１３２１へ供給する。以下、同様にして、モジュールシステム１２３ｊのｉ個の光電変換モジュールアレイ１３０１〜１３０ｉは、太陽光を電気に変換して直流電力を発電し、その発電した直流電力を、それぞれ接続箱１３１１〜１３１ｉを介して集電箱１３２１へ供給する。

そして、サブシステム１２０１のｊ個の集電箱１３２１は、直流電力をパワーコンディショナー１２１１へ供給する。

サブシステム１２０２のｊ個の集電箱１３２１は、同様にして直流電力をパワーコンディショナー１２１２へ供給する。

以下、同様にして、サブシステム１２０ｎのｊ個の集電箱１３２１は、直流電力をパワーコンディショナー１２１ｎへ供給する。

パワーコンディショナー１２１１〜１２１ｎは、それぞれ、サブシステム１２０１〜１２０ｎから受けた直流電力を交流電力に変換し、その変換した交流電力を変圧器１２２１へ供給する。

変圧器１２２１は、パワーコンディショナー１２１１〜１２１ｎから交流電力を受け、その受けた交流電力の電圧レベルを変換して商用電力系統へ供給する。

太陽光発電システム１２００は、上述したように、素子特性が向上している光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかを備えている。従って、太陽光発電システム１２００の性能を向上させることができる。

なお、第８の実施の形態による太陽光発電システムは、図４８に示す構成に限らず、光電変換素子１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，５０，５０Ａ，５０Ｂ，８０，８０Ａ，８０Ｂ，１００，２００のいずれかを用いる限り、どのような構成であってもよい。

以上、本発明の実施形態について、詳述してきたが、これらはあくまでも例示であって、本発明は、上述の実施形態によって、何等、限定されない。

（１）例えば、第１の実施の形態において、シリコン基板１２はｐ型の単結晶シリコン基板であってもよい。この場合、シリコン基板１２の面内方向でｐ型非晶質シリコン層２０ｐの幅寸法がｎ型非晶質シリコン層２０ｎの幅寸法よりも小さくなる。これは、第１の実施の形態の変形例と、第２〜第４の実施の形態及びその変形例についても、同様である。

（２）第１の実施の形態において、シリコン基板１２の受光面側のテクスチャ構造及び裏面側のテクスチャ構造は、必須の構成要素ではない。これは、第１の実施の形態の変形例と、第２〜第４の実施の形態及びその変形例についても、同様である。

（３）第１の実施の形態において、パッシベーション膜１４及び反射防止膜１６は、必須の構成要素ではない。これは、第１の実施の形態の変形例についても、同様である。

（４）第１の実施の形態において、シリコン基板１２の受光面側に高濃度領域が形成されていてもよい。高濃度領域は、シリコン基板１２と同じ導電型を有する不純物がシリコン基板１２よりも高濃度にドーピングされた領域である。高濃度領域は、ＦＳＦ（Front Surface Field）として機能する。これは、第１の実施の形態の変形例と、第４の実施の形態についても、同様である。

（６）第１〜第４の実施の形態及びその変形例において、第１金属は、銀、白金及び金の何れかであればよい。第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであればよい。第３金属は、銀、白金及び金の何れかであればよい。第４金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであればよい。また、第１の実施の形態では、電極２２ｎ、２２ｐが接する半導体層、つまり、ｎ型非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐの主成分は、シリコンである。電極２２ｎ、２２ｐが接する半導体層（非晶質シリコン層２０ｎ及びｐ型非晶質シリコン層２０ｐ）の酸化を抑制する点において、第２金属は、シリコンよりも酸化されやすい金属が好ましい。具体的には、第２金属は、チタン、アルミニウム、マグネシウムおよびセリウムのうちの少なくとも１つであればよい。これは、第１の実施の形態の変形例と、第２〜第４の実施の形態及びその変形例についても、同様である。

本発明は、光電変換素子、太陽電池、光電変換モジュール、光電変換システム等に利用することができる。

Claims (14)

1. 半導体基板と、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層と、
   前記第１半導体層上に形成された第１電極と、
   前記第２半導体層上に形成された第２電極とを備え、
   前記第１電極は、
   第１導電層と、
   前記第１導電層に接して形成された第２導電層とを含み、
   前記第１導電層は、第１金属を主成分として含み、
   前記第２導電層は、前記第１金属よりも酸化されやすい第２金属を含み、
   前記第２導電層は、前記第１導電層と前記第１半導体層との間に配置され、
   前記第１電極は、さらに、前記第１半導体層と前記第２導電層との間に形成された第３導電層を含み、
   前記第３導電層は、前記第２金属よりも酸化されにくい第３金属を主成分として含む、光電変換装置。
2. 請求項１に記載の光電変換装置であって、
   前記第１電極は、さらに、前記第１半導体層と前記第３導電層とに接して形成された第４導電層を含み、
   前記第４導電層は、前記第３金属よりも酸化されやすい第４金属を含む、光電変換装置。
3. 請求項２に記載の光電変換装置であって、
   前記第４導電層は、酸素原子を含む、光電変換装置。
4. 請求項３に記載の光電変換装置であって、
   前記第４導電層中における前記酸素原子の最大濃度は、前記第４導電層の膜厚方向の中央よりも、前記半導体基板とは反対側にある、光電変換装置。
5. 請求項２〜４の何れか１項に記載の光電変換装置であって、
   前記第４金属は、前記第１半導体層の主成分元素よりも酸化されやすい、光電変換装置。
6. 請求項１〜５の何れか１項に記載の光電変換装置であって、
   前記第２導電層は、酸素原子を含む、光電変換装置。
7. 請求項６に記載の光電変換装置であって、
   前記第２導電層中における前記酸素原子の最大濃度は、前記第２導電層の膜厚方向の中央よりも、前記半導体基板とは反対側にある、光電変換装置。
8. 請求項１〜７の何れか１項に記載の光電変換装置であって、
   前記第２金属は、前記第１半導体層の主成分元素よりも酸化されやすい、光電変換装置。
9. 半導体基板と、
   第１導電型を有する第１半導体層と、
   前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２半導体層と、
   前記第１半導体層上に形成された第１電極と、
   前記第２半導体層上に形成された第２電極とを備え、
   前記第１電極は、
   第１導電層と、
   前記第１導電層に接して形成された第２導電層とを含み、
   前記第１導電層は、第１金属を主成分として含み、
   前記第２導電層は、前記第１半導体層と前記第１導電層との間に配置され、前記第１金属よりも酸化されやすい第２金属の単体、および前記第２金属の酸化物のうちの前記第２金属の単体を少なくとも含む金属層であり、
   前記第１半導体層は、非晶質半導体を含み、
   前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、
   前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、
   前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つである、光電変換装置。
10. 請求項１に記載の光電変換装置であって、
    前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、
    前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、
    前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであり、
    前記第３金属は、銀、白金及び金の何れかである、光電変換装置。
11. 請求項２〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
    前記第１半導体層の主成分元素は、シリコンであり、
    前記第１金属は、銀、白金及び金の何れかであり、
    前記第２金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つであり、
    前記第３金属は、銀、白金及び金の何れかであり、
    前記第４金属は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、亜鉛、タンタル、マンガン、チタン、アルミニウム、マグネシウム、セリウム、ニオブ、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つである、光電変換装置。
12. 請求項１〜１１の何れか１項に記載の光電変換装置であって、前記第１導電層は、さらに、錫を含む、光電変換装置。
13. 請求項９に記載の光電変換装置であって、
    前記第２導電層の膜厚は、前記第１導電層の膜厚よりも薄い、光電変換装置。
14. 請求項９に記載の光電変換装置であって、
    前記第２導電層は、更に、酸素原子を含み、
    前記第２導電層中における前記酸素原子の最大濃度は、前記第２導電層の膜厚方向の中央よりも、前記半導体基板とは反対側にある、光電変換装置。

Images