JP6434029B2 - 導電性アセンブリ - Google Patents

Description

本出願は、２０１３年９月６日に出願された欧州特許出願公開第１３１８３２８２．６号に対する優先権を主張し、この出願の全内容は、あらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、光透過性導電性多層アセンブリ、その製造方法および様々な用途におけるその使用に関する。

光透過性導電性酸化物（ＴＣＯ）半導体材料は、それらの可視スペクトルにおける光透過性および高い導電性の独特の組み合わせのために、フラットパネルディスプレイ、薄膜太陽電池ならびにレーザおよび発光ダイオードなどの用途で有望な機能性材料として長く考えられてきた。

ＴＣＯ半導体材料は、典型的には１種または２種の金属元素を含む二元または三元化合物である。ＴＣＯ半導体材料の最も代表的な例は、不純物ドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、ならびにＺｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３などの三元化合物およびＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の組み合わせからなる多成分酸化物である。

現在、ＳｎドープドＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）は、ＴＣＯ用途に最も広く用いられている材料である。しかしながら、ＩＴＯの大規模な実装は、インジウムの不足、毒性および高コストのために著しく妨げられている。

したがって、ＩＴＯのものと同等のデバイス性能を有する代替ＴＣＯ材料が非常に望まれている。

化学蒸着、物理蒸着、パルスレーザー蒸着およびマグネトロンスパッタリングを含めて、種々の基板、典型的にはガラス基板上にＴＣＯ薄膜を製造するためにいくつかの方法が開発されてきた。

これらの方法は、典型的には、堆積時のＴＣＯ材料の膜結晶性を改善するために、通常は４００℃を超える高いアニーリング温度の後処理工程を必要とする。改善された膜結晶性は、有利にはより良い光透過率、導電率およびキャリア移動度をもたらす。

しかしながら、従来の基板は高いアニーリング温度に耐えることができないため、堆積プロセスは、比較的低い温度下で完了させなければならない。

したがって、ポリマー基板を含む種々の基板上に光透過性導電性アセンブリを容易に製造するための代替方法、ならびにそれらの表面、特に大面積表面にわたって均一に高い透過性および高い導電性を与えられたアセンブリを提供することが当技術分野で依然として必要とされている。

今や、有利には電磁スペクトルの可視領域における低い吸収係数と高い導電率値とを併せ持つ光透過性導電性多層アセンブリが、種々の基板、特にポリマー基板上で本発明の方法によって容易に得ることができることがわかった。

また、意外なことに、導電性パターン化膜と導電性連続膜とを組み合わせることによって、有利には、それにより得られる多層アセンブリの厚さを減少させ、したがって、それらの表面、特に大面積表面にわたって均一に、電磁スペクトルの可視領域における低い吸収係数を確実にする一方で、より高い導電率値および卓越した機械的特性を首尾よく得ることができることがわかった。

さらに、本発明の方法は、有利には液相、好ましくは環境に優しい水系媒体中で行うことができることがわかった。

第１の例において、本発明は、多層アセンブリを製造する方法であって、以下の工程：
（１）
（１−ａ） 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］を得る工程、
（１−ｂ） 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ１）］を得る工程、
（１−ｃ） 任意選択により、化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ２）」を得る工程、
（１−ｄ） 組成物（Ｌ１）を使用して、層（ＬＴ−１）の少なくとも１つの面上に、パターン化層［層（ＬＭＰ）］を印刷する工程、
（１−ｅ） 任意選択により、工程（１−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）を組成物（Ｌ２）と接触させる工程、および
（１−ｆ） 工程（１−ｄ）または工程（１−ｅ）のいずれかで得られたパターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程
を含む方法によって得られ得る、少なくとも１つのパターン化基板を得る工程と、
（２）
（２−ａ） 層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］を得る工程、
（２−ｂ） 少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ３）］を得る工程、
（２−ｃ） 任意選択により、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面を処理する工程、
（２−ｄ） 工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた層（ＬＴ−２）を、組成物（Ｌ３）と接触させ、それにより、光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）」を得る工程、および
（２−ｅ） 工程（２−ｄ）で得られた非パターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程
を含む方法により得られ得る、少なくとも１つの非パターン化基板を得る工程と、
（３）前記少なくとも１つのパターン化基板を、前記少なくとも１つの非パターン化基板の少なくとも１つの面上に適用し、それにより、多層アセンブリを得る工程と
を含む方法に関する。

第２の例において、本発明は、
（１）
− 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
− 任意選択により、層（ＬＭＰ）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着されている、光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］と
を含む、少なくとも１つのパターン化基板と、
（２）
− もしあれば、層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
− 層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と
を含み、前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、少なくとも１つの非パターン加基板と
を含む多層アセンブリに関する。

本発明の多層アセンブリは、有利には本発明の方法によって得られ得る。

第３の例において、本発明は、電子デバイスにおける光透過性電極としての本発明の多層アセンブリの使用に関する。

本発明の光透過性電極は、有利には電子デバイス、例えば、パネルディスプレイ、光電池、ウィンドウ、トランジスタ、発光ダイオードおよびレーザに使用されてもよい。

本発明の目的のために、「パターン化基板」によって、前記基板の少なくとも１つの面上にパターン化層を含む基板が意味される。

「パターン化層」という用語によって、任意のパターン幾何形状を有する層を意味することが本明細書によって意図される。

本発明の目的のために、「非パターン化基板」によって、前記基板の少なくとも１つの面上に連続層を含む基板が意味される。

本発明の多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の上に直接接着される。

本発明の多層アセンブリのパターン化基板および非パターン化基板は、有利には両方とも光透過性である。

本発明の目的のために、「光透過性」という用語によって、約２００ｎｍ〜約３μｍの波長を有する入射電磁放射線に対して光透過性であることが意味される。

層（ＬＴ−１）または層（ＬＴ−２）の厚さは、特には限定されず；それにもかかわらず、層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、典型的には少なくとも５μｍ、好ましくは少なくとも１０μｍの厚さを有する。５μｍ未満の厚さを有する層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、本発明の多層アセンブリになお適するが、十分な機械抵抗が必要とされる場合は使用されない。

層（ＬＴ−１）または層（ＬＴ−２）の厚さの上限によって、これは特には限定されず、但し、前記層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）が、目的とされる使用の特定の分野に必要とされる光透過性をなお与え得ることを条件とする。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）の性質に依存して、当業者は、必要とされる光透過性を与えるように前記層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）の適当な厚さを選択する。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、互いに等しいかまたは異なり、有利には入射電磁放射線の少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％の透過率を有する。

したがって、本発明の多層アセンブリも、有利には光透過性である。

本発明の多層アセンブリは、典型的には入射電磁放射線の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも５５％、より好ましくは少なくとも６０％の透過率を有する。

透過率は、典型的には任意の適切な技術によって分光光度計を使用して測定される。

層（ＬＭＰ）および層（ＬＭＴ）は、有利には導電性層である。

本発明の多層アセンブリは、有利には多くとも５０Ω／スクウェア、好ましくは多くとも２５Ω／スクウェア、より好ましくは多くとも２０Ω／スクウェア、さらにより好ましくは多くとも１５Ω／スクウェアの電気抵抗率を有する。

本発明の多層アセンブリは、典型的には２５μｍ〜２５０μｍ、好ましくは１００μｍ〜１５０μｍに含まれる厚さを有する。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、互いに等しいかまたは異なり、多孔質基板層または非多孔質基板層のいずれであってもよい。

「多孔質」という用語によって、有限寸法の細孔を含有する基板層を意味することが本明細書によって意図される。

「非孔質基材層」という用語によって、有限寸法の細孔を含有しない高密度基板層を意味することが本明細書によって意図される。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、互いに等しいかまたは異なり、典型的にはガラスおよびポリマーから選択される材料から作られている。

好適なポリマーの非限定的な例には、フルオロポリマー、ポリエチレンおよびポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、エチレン酢酸ビニルならびにポリ塩化ビニルが含まれる。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、互いに等しいかまたは異なり、有利には非導電性基板層である。

非導電性基板層は、前記非導電性基板層が５０Ω／スクウェアを超える電気抵抗率を有する点で導電性層と区別する。

層（ＬＭＰ）は、好ましくは少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化グリッド層［層（ＬＭＰ’）］である。

本発明の多層アセンブリのパターン化基板は、好ましくは
− 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化グリッド層［層（ＬＭＰ’）］と、
− 任意選択により、層（ＬＭＰ’）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＭＰ’）の１つの面上に直接接着されている、光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］と
を含む、パターン化グリッド基板である。

「パターン化グリッド層」という用語によって、グリッドパターン幾何形状を有する層を意味することが本明細書によって意図される。

層（ＬＭＰ’）は、好ましくは、１００μｍ〜８００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜５００μｍに含まれるメッシュサイズを有する。

層（ＬＭＰ’）は、好ましくは、５μｍ〜７０μｍ、好ましくは７μｍ〜３５μｍに含まれるバー幅を有する。

層（ＬＭＰ’）のメッシュサイズおよびバー幅は、典型的には任意の適切な技術によってデジタル顕微鏡を使用して測定される。

パターン化基板が１００μｍ〜８００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜５００μｍに含まれるメッシュサイズおよび５μｍ〜７０μｍ、好ましくは７μｍ〜３５μｍに含まれるバー幅を有する層（ＬＭＰ’）を含む、本発明の多層アセンブリは、有利には光透過性であり、入射電磁放射線の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも５５％、より好ましくは少なくとも６０％の透過率を有する。

本発明の方法のある実施形態によれば、層（ＬＴ−１）は、上で定義されたとおりの本発明の多層アセンブリの非パターン化基板であってもよく、前記非パターン化基板は、工程（２−ａ）〜工程（２−ｅ）を含む本発明の方法によって得られ得る。

本発明の方法のこの実施形態によれば、多層アセンブリを製造する方法は、
（１’−ａ） 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］を得る工程、
（１’−ｂ） 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ１）］を得る工程、
（１’−ｃ） 任意選択により、化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ２）］を得る工程、
（１’−ｄ） 組成物（Ｌ１）を使用して、層（ＬＴ−１）の少なくとも１つの面上にパターン化層［層（ＬＭＰ）］を印刷する工程、
（１’−ｅ） 任意選択により、工程（１’−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）を組成物（Ｌ２）と接触させる工程、および
（１’−ｆ） 工程（１’−ｄ）または工程（１’−ｅ）のいずれかで得られたパターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程
を含む方法により得られ得る、少なくとも１つのパターン化基板を得る工程を含み、ここで、前記層（ＬＴ−１）は、
（２−ａ） 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］を得る工程と、
（２−ｂ） 少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ３）］を得る工程と、
（２−ｃ） 任意選択により、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面を処理する工程と、
（２−ｄ） 工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた層（ＬＴ−２）を組成物（Ｌ３）と接触させ、それにより、光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］を得る工程と、
（２−ｅ） 工程（２−ｄ）で得られた非パターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程と
を含む方法によって得られ得る、非パターン化基板である。

本発明の方法のこの実施形態の非パターン化基板は、典型的には、
− 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
− 層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と
を含み、
層（ＬＴ−２）の前記少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される。

本発明の方法のこの実施形態の変形形態によれば、工程（１’−ｄ）の下で、パターン化基板の層（ＬＭＰ）は、非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の反対面上に印刷される。

本発明の第１の実施形態によれば、多層アセンブリは、
（１）
− 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコアから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
− 層（ＬＭＰ）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着された光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］と
を含む、少なくとも１つのパターン化基板と、
（２）
− 層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
− 層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と
を含み、前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、少なくとも１つの非パターン化基板と
を含む。

本発明のこの第１の実施形態の多層アセンブリのパターン化基板は、有利には工程（１−ａ）、工程（１−ｂ）、工程（１−ｄ）および工程（１−ｆ）を含む、本発明の方法により得られ得る。

本発明のこの第１の実施形態の多層アセンブリのパターン化基板は、典型的には層（ＬＴ−１）の上に支持される。

本発明のこの第１の実施形態の多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着される。

本発明のこの第１の実施形態の変形形態によれば、多層アセンブリは、
− 光透過性基板［層（ＬＴ−１）］、
− 層（ＬＴ−１）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１］のコアから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］、
− 層（ＬＭＰ）の反対面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］、および
− 層（ＬＭＴ）の反対面に直接接着されている、層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］
を含み、
層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着された層（ＬＴ−２）の面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される。

本発明の第２の実施形態によれば、多層アセンブリは、
（１）少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］を含む、少なくとも１つのパターン化基板と、
（２）
− 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
− 層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面、好ましくは層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ］と
を含み、前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、少なくとも１つの非パターン化基板と
を含む。

本発明のこの第２の実施形態の多層アセンブリのパターン化基板は、典型的には層（ＬＴ−１）を含まない。

層（ＬＴ−１）が非多孔質光透過性基板層である場合、層（ＬＭＰ）は、典型的には前記層（ＬＴ−１）から分離され、それにより、本発明の第２の実施形態の多層アセンブリを得、前記多層アセンブリは、層（ＬＴ−１）を含まない自立性パターン化基板を含む。

本発明のこの第２の実施形態の多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着される。

本発明のこの第２の実施形態の第１の変形形態によれば、多層アセンブリは、
− 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
−層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と、
− 層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着された光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と
を含み、ここで、層（ＬＭＴ）の反対上に直接接着された層（ＬＴ−２）の面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される。

本発明の第２の実施形態のこの第１の変形形態の多層アセンブリのパターン化基板は、有利には工程（１−ａ）〜工程（１−ｆ）を含む、本発明の方法によって得られ得る。

本発明の第２の実施形態のこの第１の変形形態の多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着される。

本発明のこの第２の実施形態の第２の変形形態によれば、多層アセンブリは、
− 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
− 層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と、
− 層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着された光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と
を含み、ここで、層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着された層（ＬＴ−２）の面は、エッチングの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される。

本発明の第２の実施形態のこの第２の変形形態の多層アセンブリのパターン化基板は、有利には工程（１’−ａ）〜工程（１’−ｆ）を含む、本発明の方法によって得られ得る。

本発明の第２の実施形態のこの第２の変形形態の多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着される。

本発明の目的のために、「フルオロポリマー」という用語は、少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含むフルオロポリマー［ポリマー（Ｆ）］を意味すると理解される。

「フッ素化モノマー」という用語によって、少なくとも１個のフッ素原子を含むエチレン性不飽和モノマーを意味することが本明細書によって意図される。

「少なくとも１種のフッ素化モノマー」という用語によって、ポリマー（Ｆ）が１種または２種以上のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含んでいてもよいことを意味すると理解される。本文の残りにおいて、表現「フッ素化モノマー」という表現は、本発明の目的のために、複数形および単数形の両方で、すなわち、それらは、上で定義されたような１種または２種以上のフッ素化モノマーの両方を意味すると理解される。

好適なフッ素化モノマーの非限定的な例には、特に、以下：
− Ｃ_３〜Ｃ_８パーフルオロオレフィン、例えば、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）およびヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）；
− Ｃ_２〜Ｃ_８の水素化フルオロオレフィン、例えば、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、フッ化ビニル、１，２−ジフルオロエチレン、およびトリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）；
− 式ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ_ｆ０（式中、Ｒ_ｆ０は、Ｃ_１〜Ｃ_６パーフルオロアルキル基である）のパーフルオロアルキルエチレン；
− クロロ−および／またはブロモ−および／またはヨード−Ｃ_２〜Ｃ_６フルオロオレフィン、例えば、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ_ｆ１（式中、Ｒ_ｆ１は、Ｃ_１〜Ｃ_６フルオロ−またはパーフルオロアルキル基、例えば、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７である）の（パー）フルオロアルキルビニルエーテル；
− ＣＦ_２＝ＣＦＯＸ_０（パー）フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル（式中、Ｘ_０は、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２オキシアルキル基、または１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_１２（パー）フルオロオキシアルキル、例えば、パーフルオロ−２−プロポキシ−プロピル基である）；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲ_ｆ２（式中、Ｒ_ｆ２は、Ｃ_１〜Ｃ_６のフルオロ−またはパーフルオロアルキル基、例えば、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７などの、または１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_６（パー）フルオロオキシアルキル基、例えば、−Ｃ_２Ｆ_５−Ｏ−ＣＦ_３である）の（パー）フルオロアルキルビニルエーテル；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＹ_０（式中、Ｙ_０は、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルもしくは（パー）フルオロアルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２オキシアルキル基、または１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_１２（パー）フルオロオキシアルキル基であり、かつＹ_０は、その酸、酸ハライドまたは塩の形態でカルボン酸またはスルホン酸基を含む）の官能性（パー）フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル；
− フルオロジオキソール、好ましくはパーフルオロジオキソール；および
− 式ＣＲ_７Ｒ_８＝ＣＲ_９ＯＣＲ_１０Ｒ_１１（ＣＲ_１２Ｒ_１３）_ａ（Ｏ）_ｂＣＲ_１４＝ＣＲ_１５Ｒ_１６（式中、各Ｒ_７〜Ｒ_１６は、互いに独立して、−ＦおよびＣ_１〜Ｃ_３フルオロアルキル基から選択され、ａは、０または１であり、ｂは、０または１であり、ただし、ａが１である場合、ｂは０であることを条件とする）の環化重合可能なモノマー
が含まれる。

ポリマー（Ｆ）は、少なくとも１種の水素化モノマーをさらに含んでいてもよい。

「水素化モノマー」という用語は、少なくとも１個の水素原子を含み、フッ素原子を含まないエチレン性不飽和モノマーを意味することが本明細書によって意図される。

「少なくとも１種の水素化モノマー」という用語は、ポリマー（Ｆ）が１種または２種以上の水素化モノマーに由来する繰り返し単位を含んでいてもよいことを意味すると理解される。本文の残りにおいて、「水素化モノマー」という表現は、本発明の目的のために、複数形および単数形の両方で、すなわち、それらが、上で定義されたとおりの１種または２種以上の水素化モノマーの両方を意味すると理解される。

好適な水素化モノマーの非限定的な例には、特に、非フッ素化モノマー、例えば、エチレン、プロピレン、酢酸ビニルなどのビニルモノマー、メチルメタクリレートおよびブチルアクリレートなどのアクリルモノマー、ならびにスチレンおよびｐ−メチルスチレンなどのスチレンモノマーが含まれる。

ポリマー（Ｆ）は半結晶質または非晶質であってもよい。

「半結晶質」という用語は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８−０８に従って測定して、１０〜９０Ｊ／ｇ、好ましくは３０〜６０Ｊ／ｇ、より好ましくは３５〜５５Ｊ／ｇの融解熱を有するポリマー（Ｆ）を意味することが本明細書によって意図される。

「非晶質」という用語は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８−０８に従って測定して、５Ｊ／ｇ未満、好ましくは３Ｊ／ｇ未満、より好ましくは２Ｊ／ｇ未満の融解熱を有するポリマー（Ｆ）を意味することが本明細書によって意図される。

ポリマー（Ｆ）は、典型的には、
（１）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）およびクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）から選択される少なくとも１種のフッ素化モノマー、エチレン、プロピレンおよびイソブチレンから選択される少なくとも１種の水素化モノマー（ＴＦＥおよび／またはＣＴＦＥならびに前記水素化モノマーの総量に基づいて、典型的には０．０１モル％〜３０モル％の量で１種以上の追加のコモノマーを任意選択により含む）に由来する繰り返し単位を含むポリマー（Ｆ−１）；
（２）フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、および任意選択により、ＶＤＦとは異なる１種以上のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含むポリマー（Ｆ−２）；
（３）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、および
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ_ｆ１’（式中、Ｒ_ｆ１’は、Ｃ_１〜Ｃ_６パーフルオロアルキル基である）のパーフルオロアルキルビニルエーテル；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＸ_０（式中、Ｘ_０は、１つ以上のエーテル基を有するＣ_１〜Ｃ_１２パーフルオロオキシアルキル基、例えば、パーフルオロ−２−プロポキシ−プロピル基である）のパーフルオロ−オキシアルキルビニルエーテル；
− Ｃ_３〜Ｃ_８パーフルオロオレフィン、例えば、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）；および
− 式（Ｉ）：
（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は、互いに等しいかまたは異なり、−Ｆ、１個以上の酸素原子を任意選択により含むＣ_１〜Ｃ_６フルオロアルキル基、および１個以上の酸素原子を任意選択により含むＣ_１〜Ｃ_６フルオロアルコキシ基からなる群から独立して選択される）
のパーフルオロジオキソール
からなる群から選択される、ＴＦＥとは異なる少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位とを含むポリマー（Ｆ−３）；ならびに
（４）式ＣＲ_７Ｒ_８＝ＣＲ_９ＯＣＲ_１０Ｒ_１１（ＣＲ_１２Ｒ_１３）_ａ（Ｏ）_ｂＣＲ_１４＝ＣＲ_１５Ｒ_１６（式中、Ｒ_７〜Ｒ_１６は、互いに独立して、−ＦおよびＣ_１〜Ｃ_３フルオロアルキル基から選択され、ａは、０または１であり、ｂは、０または１であり、但し、ａが１の場合、ｂは０であることを条件とする）の少なくとも１種の環化重合可能なモノマーに由来する繰り返し単位を含むポリマー（Ｆ−４）
からなる群から選択される。

ポリマー（Ｆ−１）は、好ましくはエチレン（Ｅ）ならびにクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）およびテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）の少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む。

ポリマー（Ｆ−１）は、より好ましくは、
（ａ）３０モル％〜４８モル％、好ましくは３５モル％〜４５モル％のエチレン（Ｅ）；
（ｂ）５２モル％〜７０モル％、好ましくは５５モル％〜６５モル％の、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）またはそれらの混合物；ならびに
（ｃ）モノマー（ａ）およびモノマー（ｂ）の総量に基づいて、５モル％まで、好ましくは２．５モル％までの１種以上のフッ素化および／または水素化コモノマー
を含む。

コモノマーは、好ましくは（メタ）アクリルモノマーの群から選択される水素化コモノマーである。水素化コモノマーは、より好ましくはヒドロキシアルキルアクリレートコモノマー、例えば、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレートおよび（ヒドロキシ）エチルヘキシルアクリレート、ならびにアルキルアクリレートコモノマー、例えば、ｎ−ブチルアクリレートの群から選択される。

ポリマー（Ｆ−１）の中で、ＥＣＴＦＥコポリマー、すなわち、エチレンとＣＴＦＥと、任意選択により第３のコモノマーとのコポリマーが好ましい。

本発明の方法に好適なＥＣＴＦＥポリマーは、典型的には２１０℃を超えない、好ましくは２００℃を超えない、さらには１９８℃を超えない、好ましくは１９５℃を超えない、より好ましくは１９３℃を超えない、さらにより好ましくは１９０℃を超えない融点を有する。ＥＣＴＦＥポリマーは、有利には少なくとも１２０℃、好ましくは少なくとも１３０℃、なお好ましくは少なくとも１４０℃、より好ましくは少なくとも１４５℃、さらにより好ましくは少なくとも１５０℃の融点を有する。

融点は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って、加熱速度１０℃／分で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって決定される。

特に良好な結果を与えることが見出されたＥＣＴＦＥポリマーは、
（ａ）３５モル％〜４７モル％のエチレン（Ｅ）；
（ｂ）５３モル％〜６５モル％のクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）
に由来する繰り返し単位から本質的になるものである。

上述のものとは異なる繰り返し単位をもたらす末端鎖、欠陥、または微量のモノマー不純物が、材料の性質に影響せずに、好ましいＥＣＴＦＥになお含まれ得る。

２３０℃および２．１６ｋｇでＡＳＴＭ３２７５−８１の手順に従って測定された、ＥＣＴＦＥポリマーのメルトフローレートは、一般に０．０１〜７５ｇ／１０分、好ましくは０．１〜５０ｇ／１０分、さらに好ましくは０．５〜３０ｇ／１０分の範囲である。

ポリマー（Ｆ−１）の融解熱は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って、１０℃／分の加熱速度で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって決定される。

ポリマー（Ｆ−１）は、典型的には最大で３５Ｊ／ｇ、好ましくは最大で３０Ｊ／ｇ、より好ましくは最大で２５Ｊ／ｇの融解熱を有する。

ポリマー（Ｆ−１）は、典型的には少なくとも１Ｊ／ｇ、好ましくは少なくとも２Ｊ／ｇ、より好ましくは少なくとも５Ｊ／ｇの融解熱を有する。

ポリマー（Ｆ−１）は、有利には半結晶質ポリマーである。

ポリマー（Ｆ−２）は、好ましくは：
（ａ’）少なくとも６０モル％、好ましくは少なくとも７５モル％、より好ましくは少なくとも８５モル％のフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）；
（ｂ’）任意選択により、０．１モル％〜１５モル％、好ましくは０．１モル％〜１２モル％、より好ましくは０．１モル％〜１０モル％の、フッ化ビニル（ＶＦ_１）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、トリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）およびパーフルオロメチルビニルエーテル（ＰＭＶＥ）から選択される１種以上のフッ素化モノマー
を含む。

ポリマー（Ｆ−２）は、０．０１モル％〜２０モル％、好ましくは０．０５モル％〜１８モル％、より好ましくは０．１モル％〜モル１０％の上で定義されたとおりの少なくとも１種の（メタ）アクリルモノマーをさらに含んでもよい。

ポリマー（Ｆ−３）は、好ましくはテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）に由来する繰り返し単位、およびＴＦＥとは異なる少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する１．５重量％、好ましくは少なくとも５重量％、より好ましくは少なくとも７重量％の繰り返し単位を含む。

ポリマー（Ｆ−３）は、好ましくはテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）に由来する繰り返し単位、およびＴＦＥとは異なる少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する多くとも３０重量％、好ましくは多くとも２５重量％、より好ましくは多くとも２０重量％の繰り返し単位を含む。

ポリマー（Ｆ−３）は、より好ましくは：
− テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ならびに式ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３のパーフルオロメチルビニルエーテル、式ＣＦ_２＝ＣＦＯＣ_２Ｆ_５のパーフルオロエチルビニルエーテル、および式ＣＦ_２＝ＣＦＯＣ_３Ｆ_７のパーフルオロプロピルビニルエーテルからなる群から選択される少なくとも１種のパーフルオロアルキルビニルエーテルに由来する繰り返し単位を含む、ポリマー（Ｆ−３Ａ）と；
− テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）および式（Ｉ）：
（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は、互いに等しいかまたは異なり、−Ｆ、Ｃ_１〜Ｃ_３パーフルオロアルキル基（例えば、−ＣＦ_３、−Ｃ_２Ｆ_５、−Ｃ_３Ｆ_７）、および１個の酸素原子を任意選択により含むＣ_１〜Ｃ_３パーフルオロアルコキシ基（例えば、−ＯＣＦ_３、−ＯＣ_２Ｆ_５、−ＯＣ_３Ｆ_７、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_３）からなる群から独立して選択され；好ましくは、式中、Ｒ_１＝Ｒ_２＝−Ｆであり、Ｒ_３＝Ｒ_４は、Ｃ_１〜Ｃ_３パーフルオロアルキル基であり、好ましくはＲ_３＝Ｒ_４＝−ＣＦ_３であるか、または式中、Ｒ_１＝Ｒ_３＝Ｒ_４＝−Ｆであり、Ｒ_２は、Ｃ_１〜Ｃ_３パーフルオロアルコキシ（例えば−ＯＣＦ_３、−ＯＣ_２Ｆ_５、−ＯＣ_３Ｆ_７）である）
の少なくとも１種のパーフルオロジオキソールに由来する繰り返し単位を含むポリマー（Ｆ−３Ｂ）と
からなる群から選択される。

好適なポリマー（Ｆ−３Ａ）の非限定的な例には、特に、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ Ｉｔａｌｙ Ｓ．ｐ．Ａから、商標名ＨＹＦＬＯＮ（登録商標）ＰＦＡ ＰシリーズおよびＭシリーズ、ならびにＨＹＦＬＯＮ（登録商標）ＭＦＡの下で市販されているものが含まれる。

ポリマー（Ｆ−３Ｂ）は、より好ましくはテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、および上で定義されたとおりの式（Ｉ）（式中、Ｒ_１＝Ｒ_３＝Ｒ_４＝−Ｆであり、Ｒ_２＝−ＯＣＦ_３であるか、または式中、Ｒ_１＝Ｒ_２＝−Ｆであり、Ｒ_３＝Ｒ_４＝−ＣＦ_３である）の少なくとも１種のパーフルオロジオキソールに由来する繰り返し単位を含む。

好適なポリマー（Ｆ−３Ｂ）の非限定的な例には、特に、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ Ｉｔａｌｙ Ｓ．ｐ．Ａから商標名ＨＹＦＬＯＮ（登録商標）ＡＤおよびＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏ．からＴＥＦＬＯＮ（登録商標）の下で市販されているものが含まれる。

ポリマー（Ｆ−４）は、好ましくは式ＣＲ_７Ｒ_８＝ＣＲ_９ＯＣＲ_１０Ｒ_１１（ＣＲ_１２Ｒ_１３）_ａ（Ｏ）_ｂＣＲ_１４＝ＣＲ_１５Ｒ_１６（式中、各Ｒ_７〜Ｒ_１６は、互いに独立して−Ｆであり、ａ＝１であり、ｂ＝０である）の少なくとも１種の環化重合可能なモノマーに由来する繰り返し単位を含む。

ポリマー（Ｆ−４）は、典型的には非晶質である。

好適なポリマー（Ｆ−４）の非限定的な例には、特に、旭硝子株式会社から商標名ＣＹＴＯＰ（登録商標）の下で市販されているものが含まれる。

ポリマー（Ｆ）は、典型的には懸濁重合法または乳化重合法によって製造される。

層（ＬＴ−１）および層（ＬＴ−２）は、互いに等しいかまたは異なり、好ましくはフルオロポリマー、好ましくは上で定義されたとおりのポリマー（Ｆ−１）、ポリエチレンナフタレートおよびポリエチレンテレフタレートからなる群から選択される材料から作られている。

本発明の目的のために、「液体組成物」によって、大気圧下２０℃で液体状態の媒体が意味される。

組成物（Ｌ１）は、典型的には少なくとも１種の化合物（Ｍ１）、水および少なくとも１種の有機溶媒［溶媒（Ｓ）］を含む。

化合物（Ｍ１）は、その元素状態の金属、または酸化状態の１種以上の金属イオンを含む金属化合物であってもよい。

化合物（Ｍ１）は、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、それらの合金、およびそれらの誘導体からなる群から選択される。

好適な有機溶媒（Ｓ）の非限定な例には、以下：
− 脂肪族、脂環式または芳香族エーテルオキシド類、より詳しくは、ジエチルオキシド、ジプロピルオキシド、ジイソプロピルオキシド、ジブチルオキシド、メチルテルチオブチルエーテル（ｍｅｔｈｙｌｔｅｒｔｉｏｂｕｔｙｌｅｔｈｅｒ）、ジペンチルオキシド、ジイソペンチルオキシド、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテルベンジルオキシド；ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、
− グリコールエーテル類、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル；
− グリコールエーテルエステル類、例えば、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート；
− アルコール類、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ジアセトンアルコール；
− ケトン類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、および
− 線状または環状エステル類、例えば、イソプロピルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、メチルアセトアセテート、ジメチルフタレート、ｇ−ブチロラクトン
が含まれる。

組成物（Ｌ１）は、好ましくはＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、それらの合金、およびそれらの誘導体から選択される少なくとも１種の化合物（Ｍ１）を含む。

組成物（Ｌ１）は、好ましくはいかなる溶媒（Ｓ）も含まない。

本発明の方法の工程（１−ｄ）の下で、組成物（Ｌ１）は、典型的にはスクリーン、グラビア、フレキソまたはインクジェット印刷技術によって層（ＬＴ−１）の少なくとも１つの面上に印刷される。

本発明の方法の工程（１−ｄ）の下で、組成物（Ｌ１）は、好ましくはインクジェット印刷技術によって層（ＬＴ−１）の少なくとも１つの面上に印刷される。

本発明の方法の工程（１’−ｄ）の下で、組成物（Ｌ１）は、典型的にはスクリーン、グラビア、フレキソまたはインクジェット印刷技術によって層（ＬＭＴ）の反対面上に印刷される。

本発明の方法の工程（１’−ｄ）の下で、組成物（Ｌ１）は、好ましくはインクジェット印刷技術によって層（ＬＭＴ）の反対面上に印刷される。

組成物（Ｌ２）は、典型的には少なくとも１種の化合物（Ｍ２）および少なくとも１種のイオン液体［液体（Ｉ）］を含む。

化合物（Ｍ２）は、その元素状態の金属、または酸化状態の１種以上の金属イオンを含む金属化合物であってもよい。

化合物（Ｍ２）は、化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なっていてもよい。

化合物（Ｍ２）は、典型的にはＲｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、それらの合金、およびそれらの誘導体からなる群から選択され得る。

本発明の目的のために、「イオン液体［液体（Ｉ）］」という用語によって、大気圧下１００℃未満の温度で液体状態において正に荷電したカチオンと負に荷電したアニオンとの組み合わせにより形成される化合物が意味される。

液体（Ｉ）は、典型的には
− スルホニウムイオン、またはイミダゾリウム環、ピリジニウム環、ピロリジウム環、またはピペリジウム環（前記環は、窒素原子上で、特に１〜８個の炭素原子を有する１個以上のアルキル基によって、および炭素原子上で、特に１〜３０個の炭素原子を有する１個以上のアルキル基によって任意選択により置換されている）からなる群から選択されるカチオン、ならびに
− ハロゲン化物アニオン、パーフッ素化アニオンおよびほう酸塩からなる群から選択されるアニオン
を含むイオン液体からなる群から選択される。

組成物（Ｌ２）は、好ましくはＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｄ、それらの合金、およびそれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１種の化合物（Ｍ２）を含む。

本発明の方法の工程（１−ｅ）の下で、もしあれば、工程（１−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）は、典型的には組成物（Ｌ２）と電気めっきまたは無電解めっき技術によって接触させられる。

本発明の方法の工程（１’−ｅ）の下で、もしあれば、工程（１’−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）は、典型的には組成物（Ｌ２）と電気めっきまたは無電解めっき技術によって接触させられる。

本発明の方法が工程（１−ｅ）または工程（１’−ｅ）をさらに含む場合、それにより得られた多層アセンブリのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には、少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）」のシェルから作られている。

本発明の方法が工程（１−ｅ）または工程（１’−ｅ）をさらに含む場合、それにより得られた多層アセンブリのパターン化基板は、典型的には層（ＬＴ−１）を含まない。

本発明の方法が工程（１−ｅ）または工程（１’−ｅ）をさらに含む場合、層（ＬＭＰ）は、典型的には層（ＬＴ−１）から分離され、それにより、本発明の第２の実施形態の第１の変形形態の多層アセンブリを得、前記多層アセンブリは、層（ＬＴ−１）を含まない自立性パターン化基板を含む。

本発明の目的のために、「電気めっき」によって、典型的には、金属化合物をその酸化状態からその元素状態に還元するために電流が使用される電解槽で行われるプロセスが意味される。

本発明の目的のために、「無電解めっき」によって、典型的には、金属化合物が、適切な化学還元剤の存在下でその酸化状態からその元素状態に還元されるめっき浴で行われる、酸化還元プロセスが意味される。

本発明の方法の工程（１−ｅ）の下で、もしあれば、工程（１−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）は、好ましくは組成物（Ｌ２）と電気めっき技術によって接触させられる。

本発明の方法の工程（１’−ｅ）の下で、もしあれば、工程（１’−ｄ）で得られた層（ＬＭＰ）は、好ましくは組成物（Ｌ２）と電気めっき技術によって接触させられる。

本発明の方法の工程（１−ｆ）の下で、工程（１−ｄ）または工程（１−ｅ）のいずれかで得られた多層アセンブリのパターン化基板は、典型的には５０℃〜１５０℃に含まれる温度、好ましくは１００℃〜１５０℃に含まれる温度で乾燥される。

本発明の方法の工程（１’−ｆ）の下で、工程（１’−ｄ）または工程（１’−ｅ）のいずれかで得られた多層アセンブリのパターン化基板は、典型的には５０℃〜１５０℃に含まれる温度、好ましくは１００℃〜１５０℃に含まれる温度で乾燥される。

本発明の方法の工程（２−ｃ）の下で、もしあれば、層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって処理される。

「高周波グロー放電法」によって、エッチングガスが入っているセルの中で２つの電極間に電圧をかけることによってグロー放電が発生する、高周波増幅器を動力源とする方法を意味することが本明細書によって意図される。そのように発生したグロー放電は、次いで、噴射ヘッドを通って、処理される材料の表面に到達する。

「エッチングガス」によって、高周波グロー放電法における使用に好適なガスまたはガス混合物を意味することが本明細書によって意図される。

エッチングガスは、好ましくは空気、Ｎ_２、ＮＨ_３、ＣＨ_４、ＣＯ_２、Ｈｅ、Ｏ_２、Ｈ_２およびそれらの混合物から選択される。

高周波グロー放電法は、典型的には減圧下または大気圧下で行われる。

高周波グロー放電法は、好ましくは約７６０Ｔｏｒｒにて大気圧下で行われる。

大気圧プラズマは、低圧プラズマまたは高圧プラズマとは対照的に、大気圧とは異なる圧力レベルの維持を確実にするために反応容器が必要とされないため、卓越した技術的意義を有する。

高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＶ〜５０ｋＶに含まれる電圧で行われる。

本発明の方法の第１の実施形態によれば、工程（２−ｃ）の下での高周波グロー放電法は、コロナ放電を発生させる。

本発明の方法の第１の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には５ｋＨｚ〜１５ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

本発明の方法のこの第１の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＶ〜２０ｋＶに含まれる電圧で行われる。

コロナ放電は、典型的には１×１０^９〜１×１０^１３ｃｍ^−３に含まれる密度を有する。

本発明の方法の第２の実施形態によれば、工程（２−ｃ）の下での高周波グロー放電法は、プラズマ放電を発生させる。

本発明の方法のこの第２の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

本発明の方法のこの第２の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には５ｋＶ〜１５ｋＶに含まれる電圧で行われる。

プラズマ放電は、典型的には１×１０^１６〜１×１０^１９ｃｍ^−３に含まれる密度を有する。

本出願人は、エッチングガスの存在下での高周波グロー放電法による層（ＬＴ−２）の処理後、層（ＬＴ−２）は、その光透過性を含むそのバルク特性を首尾よく維持することを見出した。

本出願人は、これが本発明の範囲を限定するものではないが、アンモニア雰囲気の存在下での高周波グロー放電法によって、アミン官能基が層（ＬＴ−２）の処理面にグラフトされると考える。

また、本出願人は、これが本発明の範囲を限定するものではないが、アンモニア雰囲気の存在下での高周波グロー放電法によって、窒素系官能基が層（ＬＴ−２）の処理面にグラフトされると考える。

本発明の方法の工程（２−ｄ）の下で、工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた層（ＬＴ−２）は、典型的には組成物（Ｌ３）と無電解めっき技術によって接触させられる。

組成物（Ｌ３）は、典型的には少なくとも１種の化合物（Ｍ_ｏｔ）、少なくとも１種の溶媒（Ｓ）および少なくとも１種の還元剤［剤（Ｒ）］を含む。

化合物（Ｍ_ｏｔ）は、典型的には、
− 不純物ドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、例えば、ＳｎドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、
− 三元金属酸化物化合物、例えば、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３、ならびに
− ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の組み合わせからなる多成分金属酸化物
からなる群から選択される金属酸化物である。

組成物（Ｌ３）は、好ましくは不純物ドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、例えば、Ｓｎ−ドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２およびＣｄＯからなる群から選択される少なくとも１種の化合物（Ｍｏｔ）を含む。

剤（Ｒ）は、典型的にはホルムアルデヒド、ヒドラジンおよびジ亜リン酸ナトリウムからなる群から選択される。

工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた層（ＬＴ−２）が組成物（Ｌ３）と無電解技術によって接触させられる場合、層（ＬＴ−２）は、無電解金属化触媒と前もって接触させられ、それにより、触媒層［層（ＬＴ−２_ｃ）］を得る。次いで、層（ＬＴ−２_ｃ）は、組成物（Ｌ３）と接触させられる。

無電解金属化触媒は、典型的にはパラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、ニッケル、銅、銀および金に由来する触媒からなる群から選択される。

無電解金属化触媒は、好ましくはＰｄＣｌ_２などのパラジウムに由来する触媒から選択される。

本出願人は、そのように処理された層（ＬＴ−２）の表面が、無電解めっき技術によってそれに適用された層（ＬＭＴ）との卓越した層間接着をもたらすことを見出した。

本発明の方法の工程（２−ｅ）の下で、それにより得られた多層アセンブリの非パターン化基板は、典型的には５０℃〜１５０℃に含まれる温度、好ましくは１００℃〜１５０℃に含まれる温度で乾燥される。

本発明の方法の工程（３）の下で、少なくとも１つのパターン化基板の層（ＬＭＰ）は、典型的には少なくとも１つの非パターン化基板の層（ＬＭＴ）の上に適用される。

本発明の方法の工程（３）の下で、少なくとも１つのパターン化基板は、一般に当技術分野で通常知られた技術を使用して少なくとも１つの非パターン化基板の少なくとも１つの面上に適用される。

これらの技術の１つまたは他の選択は、典型的には前記パターン化基板および前記非パターン化基板の材料および厚さに基づいてなされる。

本発明の方法の工程（３）の下で、少なくとも１つのパターン化基板は、少なくとも１つの非パターン化基板の少なくとも１つの面上に、典型的には前記少なくとも１つのパターン化基板および前記少なくとも１つの非パターン化基板を互いの上にアセンブルすることによって適用される。

参照により本明細書に組み込まれる特許、特許出願、および刊行物のいずれかの開示が用語を不明瞭にさせ得る程度まで本出願の記載と矛盾する場合、本記載が優先するものとする。

本発明は、以下の実施例に関連してこれからより詳細に説明されるが、その目的は、例示的なものであるにすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。

原材料
Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈから市販されているポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）。

Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈから市販されているＳｎドープドＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）。

Ｓｕｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｉｎｃ．からＳｕｎＴｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｊｅｔｔａｂｌｅ Ｓｉｌｖｅｒ Ｉｎｋ Ｕ５６０３として市販されているＡｇを含む組成物［組成物（Ａｇ］。

実施例１ − 多層アセンブリの製造
ＳｎドープドＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）から作られている光透過性連続層の上に直接接着されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から作られている層を有する、１２５μｍの厚さを有する非パターン化基板を得た。多層アセンブリを、１０−ｐＬプリントヘッドおよび２２０ｎｍシリンジフィルタを通して濾過した組成物（Ａｇ）を収容する溶媒耐性カートリッジを有する、Ｄｉｍａｔｉｘ ＤＭＰ−２８３１インクジェットプリンタを使用して、インクジェット印刷技術により、１．２μｍの厚さを有するパターン化グリッド層を前記非パターン化基板のＩＴＯから作られている光透過性連続層の上に印刷することによって製造した。それにより得られたＡｇから作られているパターン化グリッド層は、４００μｍのメッシュサイズおよび２０μｍのバー幅を有した。

比較例１ − パターン化基板の製造
１２０μｍの厚さを有するＰＥＴ層の１つの面上に、組成物（Ａｇ）を使用してパターン化グリッド層をインクジェット印刷技術により印刷することによって、１２５μｍの厚さを有するパターン化グリッド基板を製造した。それにより得られたＡｇから作られているパターン化グリッド層は、４００μｍのメッシュサイズおよび２０μｍのバー幅を有した。

比較例２ − 非パターン化基板の製造
１２５μｍの厚さを有する、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈから市販されている非パターン化基板を使用し、ここで、ＳｎドープドＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）から作られている光透過性連続層は、１２０μｍの厚さを有するＰＥＴ層上に直接接着されていた。

メッシュおよびバー幅構造の決定
パターン化グリッド層のメッシュおよびバー幅構造は、Ｄｉｍａｔｉｘ ＤＭＰ−２８３１インクジェットプリンタ基準カメラおよびそのデジタルソフトウェアを使用することによって決定した。

光透過性の決定
アセンブリの光透過性は、ダブルビーム式分光光度計（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｌａｍｂｄａ ２）を使用して透過率値を測定することによって決定した。波長測定範囲は、２００〜１０００ｎｍであり、データポイント間隔は、１ｎｍであった。

電気抵抗率の決定
アセンブリの電気抵抗率は、標準環境において室温で２５ｃｍ^２試料に対して４点手法（Ｍｕｌｔｉ Ｈｅｉｇｈｔ Ｐｒｏｂｅ、Ｂｒｉｄｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）を使用することによって決定した。

結果を以下の表１に示す。

したがって、本発明の多層アセンブリは、有利には高い透過率値を維持しながら、有利には従来技術のアセンブリと比較してより低い電気抵抗率値を与えることがわかった。

Claims (16)

1. 多層アセンブリを製造する方法であって、以下の工程：
   （１）
   （１−ａ） 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］を得る工程、
   （１−ｂ） 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ１）］を得る工程、
   （１−ｃ） 任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ２）］を得る工程、
   （１−ｄ） 前記組成物（Ｌ１）を使用して、前記層（ＬＴ−１）の少なくとも１つの面上に、パターン化層［層（ＬＭＰ）］を印刷する工程、
   （１−ｅ） 任意選択により、工程（１−ｄ）で得られた前記層（ＬＭＰ）を前記組成物（Ｌ２）と接触させる工程、および
   （１−ｆ） 工程（１−ｄ）または工程（１−ｅ）のいずれかで得られたパターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程
   を含む方法によって得られ得る、少なくとも１つのパターン化基板を得る工程と、
   （２）
   （２−ａ） 前記層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］を得る工程、
   （２−ｂ） 少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ３）］を得る工程、
   （２−ｃ） 任意選択により、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面を処理する工程、
   （２−ｄ） 工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた前記層（ＬＴ−２）を、前記組成物（Ｌ３）と接触させ、それにより、光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］を得る工程、および
   （２−ｅ） 工程（２−ｄ）で得られた非パターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程
   を含む方法によって得られ得る、少なくとも１つの非パターン化基板を得る工程と、
   （３）前記少なくとも１つのパターン化基板の前記層（ＬＭＰ）を、前記少なくとも１つの非パターン化基板の前記層（ＬＭＴ）上に適用し、それにより、多層アセンブリを得る工程と
   を含む方法。
2. 少なくとも１つのパターン化基板を得る工程を含む、多層アセンブリを製造する方法であって、前記パターン化基板は、
   （１’−ａ）
   − 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
   − 前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面、好ましくは前記層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と
   を含み、
   前記層（ＬＴ−２）の前記少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、非パターン化基板である、光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］を得る工程と、
   （１’−ｂ） 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ１）］を得る工程と、
   （１’−ｃ） 任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ２）］を得る工程と、
   （１’−ｄ） 前記組成物（Ｌ１）を使用して、前記層（ＬＭＴ）の反対面上に、パターン化層［層（ＬＭＰ）］を印刷する工程と、
   （１’−ｅ） 任意選択により、工程（１’−ｄ）で得られた前記層（ＬＭＰ）を前記組成物（Ｌ２）と接触させる工程と、
   （１’−ｆ） 工程（１’−ｄ）または工程（１’−ｅ）のいずれかで得られた前記パターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程と
   を含む方法によって得られ得る、方法。
3. 前記非パターン化基板が、
   （２−ａ） 外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］を得る工程と、
   （２−ｂ） 少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］を含む液体組成物［組成物（Ｌ３）」を得る工程と、
   （２−ｃ） 任意選択により、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって前記層（ＬＴ−２）の少なくとも１つの面を処理する工程と、
   （２−ｄ） 工程（２−ａ）または工程（２−ｃ）のいずれかで得られた前記層（ＬＴ−２）を前記組成物（Ｌ３）と接触させ、それにより、光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］を得る工程と、
   （２−ｅ） 工程（２−ｄ）で得られた前記非パターン化基板を少なくとも５０℃の温度で乾燥させる工程と
   を含む方法によって得られ得る、請求項２に記載の方法。
4. 前記組成物（Ｌ３）の前記化合物（Ｍ_ｏｔ）が、
   − 不純物ドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、例えば、ＳｎドープドＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２およびＣｄＯ、
   − 三元金属酸化物化合物、例えば、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３、ならびに
   − ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の組み合わせからなる多成分金属酸化物
   からなる群から選択される金属酸化物である、請求項１または３に記載の方法。
5. 工程（２−ｄ）の下で、前記層（ＬＴ−２）が、前記組成物（Ｌ３）と無電解めっき技術によって接触させられる、請求項１、３または４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記組成物（Ｌ１）の前記化合物（Ｍ１）が、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、それらの合金、およびそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 工程（１−ｄ）または工程（１’−ｄ）の下で、前記組成物（Ｌ１）が、スクリーン、グラビア、フレキソまたはインクジェット印刷技術によって印刷される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記組成物（Ｌ２）の前記化合物（Ｍ２）が、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、それらの合金、およびそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 工程（１−ｅ）または工程（１’−ｅ）の下で、前記層（ＬＭＰ）が、前記組成物（Ｌ２）と、電気めっきまたは無電解めっき技術によって接触させられる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. （１）
    − 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
    − 任意選択により、前記層（ＬＭＰ）の少なくとも１つの面、好ましくは前記層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着されている、光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］と
    を含む、少なくとも１つのパターン化基板と、
    （２）
    − もしあれば、前記層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、外面および内面を有する光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と、
    − 前記層（ＬＴ−２）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と
    を含み、前記層（ＬＴ−２）の前記少なくとも１つの面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、少なくとも１つの非パターン化基板と
    を含む多層アセンブリであって、
    前記多層アセンブリの前記パターン化基板の前記層（ＬＭＰ）は、前記非パターン化基板の前記層（ＬＭＴ）の反対面上に直接接着される、多層アセンブリ。
11. − 光透過性基板層［層（ＬＴ−１）］と、
    − 前記層（ＬＴ−１）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコアから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
    − 前記層（ＬＭＰ）の前記反対面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と、
    − 前記層（ＬＭＴ）の前記反対面上に直接接着されている、前記層（ＬＴ−１）に等しいかまたはそれとは異なる、光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と
    を含み、
    前記層（ＬＭＴ）の前記反対面上に直接接着された前記層（ＬＴ−２）の前記面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、請求項１０に記載の多層アセンブリ。
12. − 少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化層［層（ＬＭＰ）］と、
    − 前記層（ＬＭＰ）の１つの面上に直接接着されている、少なくとも１種の光透過性金属化合物［化合物（Ｍ_ｏｔ）］から作られている光透過性非パターン化層［層（ＬＭＴ）］と、
    − 前記層（ＬＭＴ）の前記反対面上に直接接着された光透過性基板層［層（ＬＴ−２）］と
    を含み、
    前記層（ＬＭＴ）の前記反対面上に直接接着された前記層（ＬＴ−２）の前記面は、エッチングガスの存在下で高周波グロー放電法によって任意選択により処理される、請求項１０に記載の多層アセンブリ。
13. 前記層（ＬＭＰ）が、少なくとも１種の第１の金属化合物［化合物（Ｍ１）］のコア、および任意選択により、前記化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれとは異なる、前記コアを少なくとも部分的にコーティングする少なくとも１種の第２の金属化合物［化合物（Ｍ２）］のシェルから作られているパターン化グリッド層［層（ＬＭＰ’）］である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の多層アセンブリ。
14. 前記層（ＬＭＰ’）が、１００μｍ〜８００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜５００μｍに含まれるメッシュサイズを有する、請求項１３に記載の多層アセンブリ。
15. 前記層（ＬＭＰ’）が、５μｍ〜７０μｍ、好ましくは７μｍ〜３５μｍに含まれるバー幅を有する、請求項１３または１４に記載の多層アセンブリ。
16. 電子デバイスにおける光透過性電極としての、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の多層アセンブリの使用。