JP7574851B2 - 導電膜、光電子素子及び導電膜の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導電膜、光電子素子及び導電膜の製造方法に関する。

種々の光電子デバイスにおいて、光情報の出し入れに左右する光透過性は非常に重要なファクターである。この光透過を阻む第一の要因として、電極として使用される導電膜が有する低い光透過性が挙げられる。
一般に光電子デバイスを安定的に動作させるためには、電極の配線抵抗を一定以下に抑える必要がある。ディスプレイパネルを例に説明すると、パネルサイズが大型になるとＩＲドロップが起こりやすくなり、パネル面内で電圧分布が生じるなどの不具合が生じるため、電極を厚くして電極のシート抵抗を低く抑えるなどの対策が必要となる。
しかし一方で、電極が厚くなるほど光透過性が低下し、光電子デバイスの光透過性を妨げる要因となり、相反する課題を抱えている。
こうした課題に対して、光透過率が異なる２種の領域を有する導電膜が知られている。以下の説明では、光透過率が異なる２つの領域について、相対的に光透過率が低い領域を「第１領域」、光透過率が高い領域を「第２領域」と称することがある。このような導電膜は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子）や、光電変換素子等で用いられている。

このような導電膜の製造方法として、予め金属膜の形成を抑制する材料でパターン膜を形成した後、蒸着やスパッタ等でパターン膜に重ねて金属を成膜する方法が知られている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。

具体的には、特許文献１に記載の方法では、上記「金属膜の形成を抑制する材料」として多環式芳香族化合物のような有機半導体材料や、poly tetrafluoroethylene(ＰＴＦＥ)が提案されている。

また、非特許文献１に記載の方法では、上記「金属膜の形成を抑制する材料」として含フッ素化合物の溶液を用い、印刷プロセスによりパターン形成している。

このような方法によれば、予め形成されたパターン膜を避けて金属が成膜される。その結果、金属膜の形成を抑制する材料でパターン膜を形成した領域には光透過率が高い第２領域が形成される。また、パターン膜を形成していない領域には多くの金属が成膜され、相対的に光透過率が低い第１領域が形成され、それぞれの領域が形成された導電膜が得られる。

米国特許第１０２７００３３号明細書

Materials Horizons, 2020, 7, 143-148

しかしながら、上記方法には次のような問題がある。
まず、特許文献１に記載の方法で用いられる有機半導体材料は、金属膜の形成を抑制する効果が不十分であり、改善の余地があった。また、特許文献１に記載されるような公知のＰＴＦＥは、蒸着時に解重合や熱分解しやすく、安定的なパターン形成が困難であった。さらに、こうした解重合や熱分解によって発生したアウトガスや部分分解物が導電膜に残存した場合、導電膜を有する電子デバイスの素子性能や素子寿命を低下させるおそれがあった。

また、非特許文献１に記載の方法では、含フッ素化合物の溶液を塗布しているが、溶媒が印刷箇所の構成を劣化させ、素子性能を低下させるおそれがあった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、光透過率が異なる２種の領域を有する新規な導電膜を提供することを目的とする。また、このような導電膜を有する光電子素子を提供することを併せて目的とする。さらに、このような導電膜を容易に製造可能とする導電膜の製造方法を提供することを併せて目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、以下の態様を包含する。

［１］第１領域と、前記第１領域よりも高い光透過率を示す第２領域と、を有する導電膜であって、導電性材料を材料とする第１膜と、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜と、を有し、前記第１膜は、前記第１領域と前記第２領域のうちの少なくとも前記第１領域と重なって配置され、前記樹脂膜は、前記第２領域と重なって配置され、前記含フッ素重合体は、下記（１）及び（２）を満たす導電膜。（１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。（２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。

［２］導電性材料を材料とし、前記第１領域と前記第２領域にまたがる第２膜を備え、前記第２膜は、前記第１領域と重なる位置の前記第１膜よりも光透過率が高く、前記第２膜は、前記第１領域において前記第１膜と接する、［１］に記載の導電膜。
［３］前記樹脂膜の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下である、［１］又は［２］に記載の導電膜。
［４］前記含フッ素重合体の融点が３００℃以下である、［１］から［３］のいずれか１項に記載の導電膜。
［５］前記含フッ素重合体が非晶性である、［１］から［３］のいずれか１項に記載の導電膜。

［６］前記含フッ素重合体がトリフルオロメチル部位を有し、前記含フッ素重合体における前記トリフルオロメチル部位の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、［１］から［５］のいずれか１項に記載の導電膜。
［７］前記含フッ素重合体がフルオロオレフィンに由来する単位を有する、［１］から［６］のいずれか１項に記載の導電膜。
［８］前記含フッ素重合体が、少なくとも、テトラフルオロエチレンに由来する単位と、ペルフルオロアルキルビニルエーテルに由来する単位とを有する、［７］に記載の導電膜。
［９］前記含フッ素重合体が主鎖に脂肪族環構造を有する、［１］から［８］のいずれか１項に記載の導電膜。

［１０］［１］から［９］のいずれか１項に記載の導電膜を有する光電子素子。
［１１］基板と、前記基板に設けられた陽極と、前記陽極に対向する陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置された活性層と、を備え、前記陰極が前記導電膜である、［１０］に記載の光電子素子。

［１２］基材上に、下記（１）及び（２）を満たす含フッ素重合体をマスク蒸着し、前記含フッ素重合体を材料とする樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜の上から導電性材料をドライコーティングする工程と、を有する導電膜の製造方法。（１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。（２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
［１３］前記ドライコーティングする工程の後に、前記樹脂膜を除去する工程を有する、［１２］に記載の導電膜の製造方法。
［１４］前記樹脂膜を形成する工程に先立って、前記基材の表面に導電性材料を成膜する工程を有する、［１２］又は［１３］に記載の導電膜の製造方法。

本発明によれば、光透過率が異なる２種の領域を有する新規な導電膜を提供できる。また、このような導電膜を有する光電子素子を提供できる。さらに、このような導電膜を容易に製造可能とする導電膜の製造方法を提供できる。

図１は、導電膜１の平面図である。 図２は、図１の線分ＩＩ－ＩＩにおける矢視断面図である。 図３は、導電膜１の製造方法を示す模式図である。 図４は、導電膜１の製造方法を示す模式図である。 図５は、導電膜１の製造方法を示す模式図である。 図６は、要件（１）（２）を説明する模式図である。 図７は、樹脂膜１５を除去して得られる導電膜２を示す模式図である。 図８は、導電膜３を示す模式図である。 図９は、第２実施形態に係る光電子素子（有機ＥＬ素子）１００を示す断面模式図である。 図１０は、実施例の結果を示すグラフである。 図１１は、実施例の結果を示すグラフである。 図１２は、実施例の結果を示すグラフである。

本明細書における重合体を構成する「単位」とは、重合体中に存在して重合体を構成する、単量体１分子に由来する部分（すなわち、単量体単位）を意味する。以下、個々の単量体に由来する単位をその単量体名に「単位」を付した名称で呼ぶ場合がある。

本明細書において重合体の「主鎖」とは、炭素－炭素不飽和二重結合を有する単量体の付加重合により生じる、単量体において炭素－炭素不飽和二重結合を構成していた２つの炭素原子から構成される炭素原子鎖をいう。

「反応性官能基」とは、加熱等を行った際に、含フッ素重合体の分子間、又は含フッ素重合体とともに配合されている他の成分と反応（ただし、ラジカル反応を除く。）して結合を形成し得る反応性を有する基を意味する。

本明細書における「脂肪族環」は、環骨格が、炭素原子のみから構成される炭素環構造のものに加えて、環骨格に、炭素原子以外の原子（ヘテロ原子）を含む複素環構造のものも意味する。ヘテロ原子としては酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。

［第１実施形態］
以下、図１～図８を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る導電膜、導電膜の製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。

図１，２は、本実施形態の導電膜１を示す説明図である。図１は、導電膜１の平面図、図２は、図１の線分ＩＩ－ＩＩにおける矢視断面図である。

図１，２に示すように、本実施形態の導電膜１は、第１膜１０と、樹脂膜１５と、第２膜２０を有する。
本実施形態の導電膜１は、基材５０に設けられている。基材５０は、導電膜１を形成する対象である。基材５０は、光透過性を有している。
第２膜２０は、基材５０の上に設けられ、第１膜１０は、第２膜２０の上に設けられている。樹脂膜１５は、第１膜１０と第２膜２０との間に設けられている。

（第１膜）
第１膜１０は、導電材料からなる膜である。第１膜１０の材料である導電性材料としては、導電性を有する材料であれば特に限定されないが、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などを含むことが好ましい。具体的には、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）及びイッテルビウム銀（ＹｂＡｇ）などの金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性金属酸化物を挙げることができる。

第１膜１０は、第１領域１０Ａと、第１領域１０Ａよりも光透過率が高い第２領域１０Ｂと、を有している。本実施形態の導電膜１では、第１領域１０Ａには第１膜の厚膜部１１（以下、単に厚膜部１１という。）が位置しており、第２領域１０Ｂには第１膜の薄膜部１２（以下、単に薄膜部１２という。）が位置している。厚膜部１１と薄膜部１２とは、一体となり第１膜１０を構成している。

図１に示すように、導電膜１では、複数の第２領域１０Ｂ、すなわち複数の薄膜部１２がマトリクス状に配列しており、残る部分に格子状の第１領域１０Ａ、すなわち格子状の厚膜部１１を有している。図１では第２領域１０Ｂが平面視で矩形であることとしているが、これに限らず、設計に応じた種々の平面視形状を採用可能である。

厚膜部１１の下面１１ａは、第２膜２０に接している。また、厚膜部１１の側面１１ｂは、樹脂膜１５に接している。
薄膜部１２の下面１２ａは、樹脂膜１５に接している。

薄膜部１２は、厚膜部１１よりも薄い。例えば、厚膜部１１の膜厚は１０ｎｍ～１００００ｎｍであり、薄膜部１２の膜厚は０ｎｍ～５０ｎｍである。５０ｎｍ以下にまで薄く成膜された厚膜部１１は光透過性を有する。
厚膜部１１は、導電膜１全体の導電性確保のため、薄膜部１２よりも厚く形成されている。厚膜部１１は、必要とする導電性を確保できるのであれば、光透過性を有していてもよく、光透過性を有さなくてもよい。

（第２膜）
本実施形態の導電膜は、第２膜２０を有しても良いし、有さなくても良い。（第２膜を有さない形態については導電膜３として後述にて説明する。）
本実施形態の導電膜が第２膜２０を有する場合、第２膜２０は基材５０の表面５０ａに設けられている。第２膜２０は、導電材料からなる膜である。第２膜２０の材料である導電性材料としては、上記第１膜１０の材料として使用可能な導電性材料と同じ材料を挙げることができる。
第１膜１０の材料である導電性材料と、第２膜２０の材料である導電性材料とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。

第２膜２０は、光透過性を有する。第２膜２０は、厚膜部１１よりも光透過率が高い。第２膜２０の膜厚は０ｎｍ～２００ｎｍが好ましく、０ｎｍ～１００ｎｍがより好ましく、０ｎｍ～６０ｎｍがさらに好ましい。
また、第２膜２０は、薄膜部１２と平面的に重なる。そのため、第２膜２０の膜厚及び薄膜部１２の合計膜厚は、第２領域１０Ｂにおいて光透過性を有するように適宜調整するとよい。

発光素子や受光素子等の各種の光電子素子に用いられる透明電極として、第２膜２０のみを用いることも可能である。一方で、光透過性を有するほど薄く形成された第２膜２０は、配線抵抗が高い。
これに対し、本実施形態の導電膜１は、第２膜２０と第１膜１０とが積層されている。そのため、第１領域１０Ａと重なる位置においては、厚膜部１１と第２膜２０とが積層して厚膜化される。これにより、第２領域１０Ｂと重なる位置において光透過性を確保しながら、導電膜１全体としては低抵抗化できる。

（樹脂膜）
樹脂膜１５は、含フッ素重合体を材料とする。樹脂膜１５は、第２領域１０Ｂと重なって配置されている。樹脂膜１５は、後述する導電膜の製造方法において説明するように、第１膜１０の第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとをパターニングするために用いられる。

樹脂膜１５の材料である含フッ素重合体は、吸光度が低く、また屈折率が低いことから、近赤外領域を含む広い波長範囲で光吸収が少なく、光学特性に優れるという特長を有する。そのため、樹脂膜１５は、光透過性を有する第２領域１０Ｂと重なっても、第２領域１０Ｂの光透過性を阻害しない。

樹脂膜１５の材料である含フッ素重合体は、下記の要件（１）、（２）を満たす。
（１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。
（２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
要件（１）、（２）を満たす含フッ素重合体は、後述する製造方法に適した物性を有する。そのため、要件（１）、（２）を満たす含フッ素重合体を用いると、好適に導電膜１を製造できる。

以下、本実施形態の導電膜の製造方法について説明した後、樹脂膜１５及び樹脂膜１５の材料である含フッ素重合体について順に説明する。

（導電膜の製造方法）
図３～５は、上述した導電膜１の製造方法を示す模式図である。
まず、図３に示すように、基材５０の表面に上述した導電性材料を成膜し、第２膜２０を得る。第２膜２０は、例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）、ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）等のドライコーティング法により成膜できる。第２膜２０は、本発明における「下地層」に該当する。

次いで、図４に示すように、第２膜２０の表面２０ａに、マスクＭを介して上記要件（１）、（２）を満たす含フッ素重合体Ｐを、減圧下で蒸着する。マスクＭは、マトリクス状に配列した開口部Ｍ２と、格子状に設けられた遮蔽部Ｍ１とを有する。
含フッ素重合体Ｐの蒸着は、例えば、１×１０^－３Ｐａの圧力下において含フッ素重合体を加熱して行う。

含フッ素重合体Ｐは、マスクＭの開口部Ｍ２を通過して第２膜２０の表面２０ａに達する一方で、マスクＭの遮蔽部Ｍ１で遮蔽される。これにより、含フッ素重合体Ｐを材料とする樹脂膜１５が形成される。
樹脂膜１５は、表面２０ａ上にマトリクス状に配列している。また、樹脂膜１５が形成されていない箇所では、第２膜２０が格子状に露出している。

次いで、図５に示すように、樹脂膜１５の上から、上述した導電性材料１０Ｘをドライコーティングする。ドライコーティングとしては、蒸着、スパッタ、ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）等を採用できる。

導電性材料１０Ｘは、含フッ素重合体を材料とする樹脂膜１５の表面には付着しにくく、導電性材料を材料とする第２膜２０の表面には付着しやすい。そのため、マスクを使用することなく基材５０の上方から全面に導電性材料１０Ｘをドライコーティングすることにより、第２膜２０の表面には導電性材料１０Ｘが相対的に厚く成膜され、樹脂膜１５の表面には導電性材料１０Ｘが相対的に薄く成膜される。

これにより、第２膜２０の表面には、格子状の厚膜部１１が成膜される。また、樹脂膜１５の位置に対応して、マトリクス状に薄膜部１２が成膜される。厚膜部１１と薄膜部１２とは、第１膜１０を構成する。

これにより、導電膜１が得られる。厚膜部１１が形成された位置は、第１領域１０Ａである。また、薄膜部１２が形成された位置は、第２領域１０Ｂである。

仮に、マスク蒸着にて厚膜部１１を直接製造しようとした場合、マトリクス状に遮蔽部を有するマスクを用いる必要がある。このようなマスクは、遮蔽部を保持するための保持部が必要となるため、保持部に遮蔽される部分では厚膜部１１が形成されず、得られる厚膜部１１の膜厚が変化しやすい。又は、ストライプ状のマスクを用い、複数回に分けて蒸着することで、格子状の厚膜部１１を形成することも考えられるが、マスクの位置合わせが困難であり、作業が煩雑となる。

さらに、マスクの材料が金属である場合、蒸着にて厚膜部１１を製造しようとすると、蒸着する導電性材料１０Ｘがメタルマスクに徐々に付着し、マスクの開口部の大きさが変化するおそれがある。この場合、メタルマスクに付着した導電性材料１０Ｘを洗浄して取り除くか、新規のマスクに取り換える必要があり、煩雑な作業と膨大なコストが必要となる。

一方で、上述した製造方法では、図５に示すように含フッ素重合体Ｐを材料とする樹脂膜１５を成膜した上から、全面に導電性材料１０Ｘを蒸着することにより、自然に厚膜部１１と薄膜部１２とのパターニングがなされた第１膜１０が得られる。樹脂膜１５はマスク蒸着により精密に成膜できる。そのため、上述した導電膜の製造方法によれば、精密にパターニングされた導電膜を容易に製造できる。

（含フッ素重合体）
次に、含フッ素重合体について詳述する。

（要件（１））
上記製造方法で用いる含フッ素重合体は、要件（１）を満たす。
（１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。

本実施形態において、熱重量減少率は、真空示差熱天秤（アドバンス理工社製：ＶＰＥ－９０００）を用いて測定する値を採用する。具体的には、含フッ素重合体５０ｍｇを内径７ｍｍのセルに仕込み、１×１０^－３Ｐａの真空度にて、室温から５００℃まで毎分２℃で昇温させた際の、含フッ素重合体の初期重量（５０ｍｇ）に対する重量減少率（％）を測定する。
要件（１）の「実質的に」とは、上述した条件において熱重量減少率を測定したとき、４００℃以下の温度範囲において、熱重量減少が検出下限を下回っており、熱重量減少が確認できないことを意味する。

本実施形態の含フッ素重合体は、上記要件（１）を満たす温度が低いほど分子量（重合度）が低いということができる。

仮に、上記要件（１）を満たさない含フッ素重合体を蒸着させようとすると、４００℃を超える温度にまで加熱する必要が生じる。一方で、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、高温のため含フッ素重合体が解重合や熱分解するおそれがある。その場合、解重合や熱分解で生じた生成物が、蒸着で用いる真空チャンバーの内部圧力を上昇させるおそれがある。このように真空チャンバーの内部圧力が上昇すると、蒸着条件が不安定となり、得られる蒸着膜（樹脂膜）の品質が安定しないおそれがある。
また、上記要件（１）を満たさない含フッ素重合体を、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、部分的に解重合又は熱分解した分子量の小さい含フッ素重合体が樹脂膜中に混入し、樹脂膜の耐熱性が低下するおそれがある。
さらに、上記要件（１）を満たさない含フッ素重合体を、４００℃を超えた温度範囲で加熱すると、解重合や熱分解によって生じた不安定末端を有する含フッ素重合体が樹脂膜中に混入し、樹脂膜及び樹脂膜を含む素子の品質が損なわれるおそれがある。

一方、上記要件（１）を満たす含フッ素重合体は、真空下で行う蒸着材料として用いたとき、４００℃以下の温度で加熱することで、好適に蒸着させることが可能となる。これにより、上述した解重合や熱分解のおそれがなく、安定した蒸着条件で蒸着可能となる。

本実施形態の含フッ素重合体は、１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたときの熱重量減少率が、３５０℃以下で実質的に１００％に達する、すなわち熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度が３５０℃以下であることが好ましい。

（要件（２））
上記製造方法で用いる含フッ素重合体は、要件（２）を満たす。
（２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。

本実施形態の含フッ素重合体は、上記要件（２）を満たす温度幅が狭いほど分子量分布が狭いということができる。上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を用い樹脂膜を製造しようとすると、蒸着の始期に蒸着される含フッ素重合体の分子量と、蒸着の終期に蒸着される含フッ素重合体の分子量との差が大きく、同じ樹脂膜において、樹脂膜の厚み方向で含フッ素重合体の分子量が変化し、樹脂膜の物性が安定しないおそれがある。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、上記要件（２）を満たさない含フッ素重合体を用いると、製造される樹脂膜の品質がロット間でばらつくおそれがある。
さらに、含フッ素重合体に含有する低分子量体は、蒸着の際にアウトガスとして発生して真空チャンバー内に付着し、真空チャンバーを汚染するおそれがある。例えば、光電子素子作製の工程において、こうした汚染源が原因となり、素子の寿命の低下や短絡の原因となるなど、素子の品質を著しく損なうおそれがある。

一方、上記要件（２）を満たす含フッ素重合体は、蒸着の始期に蒸着される含フッ素重合体の分子量と、蒸着の終期に蒸着される含フッ素重合体の分子量との差が小さく、樹脂膜の厚み方向において含フッ素重合体の分子量の変化が小さい。そのため、得られる樹脂膜の物性が安定しやすい。
また、同条件で連続的に樹脂膜を製造する場合、製造される樹脂膜のロット間の品質ばらつきを抑制できる。
さらに、アウトガスの原因となる低分子量体を含まないため、蒸着チャンバーを汚染する懸念がない。
本実施形態の含フッ素重合体は、上記要件（２）を満たす温度幅が１００℃以内であることが好ましく、６０℃以内であることがより好ましい。

上記要件（２）を満たす分子量分布の狭い含フッ素重合体を得る方法としては、リビングラジカル重合等の制御重合による分子量調整や、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより分子量を分画する方法が挙げられる。

図６は、要件（１）、（２）を説明する模式図であり、測定温度に対する熱重量減少率の対応関係を示すグラフである。図６の横軸は測定温度（単位：℃）、縦軸は熱重量減少率（単位％）である。図６においては、要件（１）、（２）を満たす含フッ素重合体の挙動を符号Ｐで示し、要件（１）、（２）を満たさない含フッ素重合体の挙動を符号Ｐｘで示す。

図６においては、本実施形態の含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰは、４００℃よりも低い温度（Ｔｄ１００）で熱重量減少率が１００％に達している。対して、要件（１）（２）を満たさない含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰｘは、４００℃において熱重量減少率が１００％に達していない。
また、図６において、本実施形態の含フッ素重合体の挙動について示すグラフＰは、Ｔｄ９０－Ｔｄ１０の値Ｗが２００℃以下である。
図６からは、本実施形態の含フッ素重合体は、温度Ｔｄ１０と温度Ｔｄ９０との間で急峻に熱重量減少を生じることが分かる。

含フッ素重合体の蒸着の際の解重合や熱分解、アウトガスの有無は、真空チャンバーの内部圧力の変化に着目すると、以下のように評価できる。

（蒸着時のチャンバー圧変化の評価法）
真空蒸着機に含フッ素重合体を０．１g仕込み、チャンバー内の圧力を１０^－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜する。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測する。
下記計算式より求められるチャンバー圧力の上昇倍率が１０倍以下の含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが少なく、好適に蒸着させることが可能となる。
蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率＝蒸着中の最大圧力／蒸着前の初期圧力
上昇倍率が１０倍を超える含フッ素重合体は、解重合や熱分解、アウトガスが多く、蒸着に用いるには不適と判断できる。

（分子量分画）
使用しようとする含フッ素重合体が、上記要件（１）、（２）を満たしていない場合、含フッ素重合体分子量分画することで、上記要件（１）、（２）を満たす本実施形態の含フッ素重合体とせしめることが出来る。
上記要件（１）、（２）を満たす含フッ素重合体は、重合体を分子量分画することで得られる。以下の説明では、分子量分画の対象となる重合体を、「原料重合体」と称することがある。

分子量分画の方法としては、例えば、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィにより、分子量を分画し、要件（１）、（２）を満たす重合体に調整する方法が挙げられる。

（昇華精製）
昇華精製は、減圧下で精製対象物（原料重合体）を加熱して精製対象物の一部又は全部を昇華又は蒸発させた後に、気体状態の精製対象物に含まれる化合物の析出（あるいは凝縮）温度差を利用して、目的の化合物を固体（又は液体）として分離し、回収する手法である。このような昇華精製は、精製対象物を仕込む仕込み部と、気体状態の精製対象物を析出（あるいは凝縮）温度ごとに分離して固体（又は液体）として捕集する捕集部を有し、かつ高い真空度を保つことのできる昇華精製装置を用いて行うことができる。

昇華精製装置の構造は特に限定されないが、例えばガラス製の冷却管と冷却管を囲うフラスコ状のガラス容器と、ガラス容器の内部を減圧する真空排気装置からなる、いわゆるミル氏式の昇華精製装置を用いることができる。また、昇華精製装置としては、円筒状のガラス製の昇華管と、昇華管を内部に収容して昇華管を加熱する加熱装置と、昇華管の内部を減圧する高真空排気装置と、を備えたガラスチューブ式の昇華精製装置を用いることもできる。

以下、ガラスチューブ式の昇華精製装置を例に、含フッ素重合体の昇華精製及び昇華精製による分子量の分画方法を説明する。なお、ここでは固体として捕集する場合を例に説明するが、液体として捕集する場合も同様に説明できる。

含フッ素重合体の昇華精製では、昇華管の仕込み部に原料重合体を仕込み、高真空排気装置を用いて、例えば、圧力を１×１０^－３Ｐａ以下まで昇華管内の真空度を上げた後、加熱装置を用いて仕込み部を加熱する。これにより、原料重合体に含まれる含フッ素重合体が昇華又は蒸発する。
昇華管のうち、仕込み部よりも高真空排気装置による排気側にあたる領域は、「捕集部」に該当する。捕集部は、仕込み部の加熱温度よりも低い温度に設定されている。仕込み部で原料重合体から昇華又は蒸発させた含フッ素重合体は、捕集部の壁面で析出し固化して、捕集される。

捕集部の捕集温度は、含フッ素重合体が気体から固体へ昇華する温度（析出する温度）に対応し、含フッ素重合体の分子量に対応する。昇華管において捕集温度を異ならせた複数の捕集部を設けることにより、原料重合体を、分子量の異なる含フッ素重合体に分画できる。
例えば、具体的には、仕込み部をＡ℃に加熱し、捕集部を仕込み部に近い側からＢ℃とＣ℃とに加熱した場合（Ａ＞Ｂ＞Ｃ）、Ｂ℃に設定した捕集部では、Ａ℃では気体、Ｂ℃では固体となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。
同様に、Ｃ℃に設定した捕集部では、Ｂ℃では気体、Ｃ℃では固体となる分子量範囲の含フッ素重合体が捕集される。すなわち、Ｃ℃に設定した捕集部では、原料重合体に含まれる含フッ素重合体のうち、Ｂ℃では気体でありＣ℃では固体となる捕集温度幅Ｂ℃－Ｃ℃の含フッ素重合体が捕集される。

上述の要件（２）は、上述のように捕集温度幅を制御し、例えば捕集温度幅２００℃となる捕集部で捕集することで満たすことができる。なお、捕集した含フッ素重合体について、要件（２）を満たすか否かを確認し、要件（２）を満たさない場合には、捕集部の温度条件を制御し、捕集温度幅を狭くするとよい。

捕集部において、低い設定温度の領域で捕集された含フッ素重合体ほど、１×１０^－３Ｐａの圧力下における熱重量減少率が１００％に達する温度が低い、すなわち分子量が小さい含フッ素重合体となる。
捕集温度幅は、２００℃以下であることが好ましく、１００℃以下であることがより好ましく、６０℃以下であることがさらに好ましい。捕集温度幅が小さいほど、蒸着条件の変動が少なくなり、また、樹脂膜の品質が安定しやすい。

分子量分画した含フッ素重合体は、要件（１）、（２）を満たすならば、捕集温度幅の異なる複数の含フッ素重合体を混合してもよい。

（超臨界抽出）
超臨界抽出は、超臨界流体の高い溶解性と拡散性を利用して抽出物を得る技術である。超臨界抽出では、例えば、超臨界流体として超臨界ＣＯ_２を用い、超臨界ＣＯ_２に相対的に低分子量の含フッ素重合体を溶解させ、抽出物として得ることができる。

また、超臨界流体に対する添加剤（エントレーナー）として、含フッ素溶媒を用いることで、超臨界流体に対する含フッ素重合体の溶解性を高めることができる。
エントレーナーとして用いる含フッ素溶媒は、特に限定されない。例えば、下記方法で求める親フッ素パラメータＰ_Ｆが１以上である含フッ素溶媒が好ましい。

（親フッ素パラメータＰ_Ｆ）
３ｇのトルエンと３ｇのペルフルオロメチルシクロヘキサンとの二相系に、３０μＬの前記含フッ素溶媒を滴下してよく混合し一晩静置した後、前記トルエンに含まれる前記含フッ素溶媒と、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサンに含まれる前記含フッ素溶媒とをガスクロマトグラフィーにより測定する。前記トルエン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭ_Ｐ、前記ペルフルオロメチルシクロヘキサン中の前記含フッ素溶媒の濃度（単位：ｍＬ／Ｌ）をＭ_Ｆとしたとき、下記式（Ａ）で求められる値を親フッ素パラメータＰ_Ｆとする。
Ｐ_Ｆ＝Ｍ_Ｆ／Ｍ_Ｐ…（Ａ）

エントレーナーとして用いる含フッ素溶媒としては、例えば以下の化合物が挙げられる。

１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロヘキサン（ＡＣ－２０００、ＡＧＣ社製）（Ｐ_Ｆ＝１２）
１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロオクタン（ＡＣ－６０００、ＡＧＣ社製）（Ｐ_Ｆ＝５．６）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１００Ｅ（ＡＧＣ社製）（Ｐ_Ｆ＝８．２）
サイトップＣＴ－ＳＯＬＶ１８０（ＡＧＣ社製）（Ｐ_Ｆ＝∞）
ＨＦＥ７３００（３Ｍ社製）（Ｐ_Ｆ＝８．２）
１，１，１，２，２，３，４，５，５，５－Ｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａｎｅ（Ｖｅｒｔｒｅ ＸＦ、Ｃｈｅｍｏｕｒｓ社製）（Ｐ_Ｆ＝３．７）
１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ペルフルオロオクタノール（Ｐ_Ｆ＝１．１）
１，１，２，２－テトラフルオロエチル－２，２，２－トリフルオロエチルエーテル（ＡＥ－３０００、ＡＧＣ社製）（Ｐ_Ｆ＝０．６）
ＨＣＦＣ－２２５ｃａ／ＨＣＦＣ－２２５ｃｂ（４５／５５）（Ｐ_Ｆ＝０．３）
ペルフルオロベンゼン（Ｐ_Ｆ＝０．３）
ヘキサフルオロ－２－プロパノール（Ｐ_Ｆ＝０．２４）
１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ－ペルフルオロヘプタノール（Ｐ_Ｆ＝０．２３）
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ－ペルフルオロペンタノール（Ｐ_Ｆ＝０．１）

抽出工程は、例えば超臨界ＣＯ_２を用い、抽出圧力７．４ＭＰａ以上、抽出温度３１℃以上の条件で行うことができる。
抽出圧力は、３０ＭＰａ以上が好ましく、５０ＭＰａ以上がより好ましく、７０ＭＰａ以上がさらに好ましい。抽出圧力の上限値には特に制限はないが、１００ＭＰａ以下が好ましい。抽出圧力の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
抽出温度は、４０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましい。また、抽出温度は、３００℃以下が好ましく、２００℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。抽出温度の上限値と下限値とは、任意に組み合わせることができる。
上記範囲であれば、目的とする含フッ素重合体の分子量分画を効率よく行うことができる。

分子量分画は、含フッ素重合体の重合工程で使用した、開始剤、連鎖移動剤、溶媒や、副生物などの残留異物除去の目的からも有用である。こうした残留異物は、蒸着の際にアウトガスとして発生して真空チャンバー内に付着し、真空チャンバーを汚染するおそれがあるため、要件（１）、（２）を満たしている場合においても、昇華精製や超臨界抽出を行うことがより好ましい。

分子量分画した含フッ素重合体は、要件（１）、（２）を満たすならば、抽出条件の異なる複数の含フッ素重合体を混合してもよい。

（含フッ素重合体の構造）
本実施形態の導電膜及び導電膜の製造方法で用いられる含フッ素重合体としては、上記要件（１）、（２）を満たす含フッ素合体であればその重合体を構成する単位に特に制限はない。

含フッ素重合体のフッ素原子含有率は、２０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上がさらに好ましく、７０質量％以上が特に好ましい。フッ素原子含有率が高いほど、得られる樹脂膜１５の表面エネルギーが低くなり、樹脂膜１５の表面に導電性材料１０Ｘが付着し難くなる。そのため、上記のフッ素原子含有率の含フッ素重合体を用いると、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすい。

なお、フッ素原子含有率（質量％）は、下式で求められる。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。

上記ＮＦ及びＭＡは、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＦ及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。

含フッ素重合体は、トリフルオロメチル部位を含有することが好ましい。「トリフルオロメチル部位」とは、ＣＦ_３－を指す。トリフルオロメチル部位には、トリフルオロメチル基の他、ペンタフルオロエチル基に含まれるＣＦ_３－など、置換基の一部の構成も含む。

トリフルオロメチル部位の含有量は０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上が好ましく、０．３ｍｍｏｌ／ｇ以上がより好ましく、０．６ｍｍｏｌ／ｇ以上がさらに好ましい。トリフルオロメチル部位の含有量が高いほど、樹脂膜１５の表面エネルギーが低くなる。これにより、図５に示すドライコーティングの工程において、導電性材料１０Ｘが樹脂膜１５の表面に付着し難く、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすい。

なお、トリフルオロメチル部位の含有量（ｍｍｏｌ／ｇ）は、下式で求められる。
（トリフルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ_３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ_３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
上記ＮＣＦ_３及びＭＡは、^１Ｈ－ＮＭＲ、^１9Ｆ－ＮＭＲ、元素分析、ＩＲにより得られる含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量から算出できる。また、ＮＣＦ_３及びＭＡは、含フッ素重合体の製造に使用する単量体、及び開始剤の仕込み量から算出することもできる。

含フッ素重合体としては、以下の重合体（１）及び重合体（２）が好ましい。
重合体（１）：主鎖に脂肪族環を有さず、フルオロオレフィン単位を有する含フッ素重合体。
重合体（２）：主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体。
本発明では、含フッ素重合体として、重合体（１）、（２）のうちのいずれか１つのみを使用してもよく、重合体（１）、（２）を併用してもよい。

≪重合体（１）≫
重合体（１）は、フルオロオレフィンの単独重合体であってもよく、２種以上のフルオロオレフィンから成る共重合体であってもよく、フルオロオレフィンと、フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。

フルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）等のペルフルオロオレフィン、ペルフルオロ（メチルビニルエーテル）（ＰＭＶＥ）、ペルフルオロ（エチルビニルエーテル）（ＰＥＶＥ）、ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）等のペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）が挙げられる。
なお、（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）は、ペルフルオロ（アルコキシエチレン）と表現することもできる。

また、フルオロオレフィンとしては、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、トリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）、ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）、１，２－ジフルオロエチレン、１－フルオロエチレン等の水素原子や塩素原子を有するフルオロオレフィンも挙げられる。

フルオロオレフィンと共重合可能な他の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等のオレフィン、ビニルエーテル、ビニルエステル、スチレン等の芳香族ビニル化合物、アリルエーテル等のアリル化合物、アクリロイル化合物、メタクリロイル化合物等が挙げられる。
また、ペルフルオロアルキル基やペルフルオロポリエーテル基を有する、ビニルエーテル、ビニルエステル、芳香族ビニル化合物、アリル化合物、アクリロイル化合物、メタクリロイル化合物等の含フッ素単量体も使用できる。

なかでも、重合体（１）は、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）単位を有することが好ましい。より具体的には、含フッ素重合体は、ＰＰＶＥ単位を有することが好ましい。

重合体（１）は、ＰＰＶＥ単位の含有率が変化すると、結晶性が変化する。具体的には、含フッ素重合体に対するＰＰＶＥ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がる。

ＰＰＶＥ単位の含有率は 、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、２モル％以上が好ましく、４モル％以上がより好ましく、６モル％以上がさらに好ましい。上記範囲内であるほど、得られた樹脂膜の結晶性が低くなり、導電性材料１０Ｘが樹脂膜１５の表面に付着し難く、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすいため好ましい。

また、ＰＰＶＥ単位の含有率は、含フッ素重合体を構成する全ての単量体単位の総モル数に対して、１５モル％以下が好ましく、１２モル％以下がより好ましく、１０モル％以下がさらに好ましい。上記範囲を超えると、得られた樹脂膜の軟化温度が下がり、素子作製におけるプロセス温度や、素子の使用条件において、含フッ素重合体からなる膜の形状を保持できないおそれがある。

重合体（１）が共重合体である場合、フルオロオレフィン単位の割合は、２０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。

重合体（１）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。

重合体（１）としては、以下の重合体等が挙げられる。
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＰＡ）
エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）
ポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）
ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）
ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）
エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）

これらの中でも、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすいことから、炭素原子に結合しているすべての水素原子がフッ素に置換された重合体が好ましい。すなわち、
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）、
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、
テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＰＡ）が好ましい。

なお、上記「テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）」は、少なくともテトラフルオロエチレン単位と、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）単位とを有し、さらにそれら以外のペルフルオロ単量体単位を有する重合体であってもよい。

重合体（１）は、公知の方法を用いて製造できる。
重合体（１）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。

≪重合体（２）≫
重合体（２）は、主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体である。

「主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体」とは、含フッ素重合体が脂肪族環構造を有する単位を有し、かつ、該脂肪族環を構成する炭素原子の１個以上が主鎖を構成する炭素原子であることを意味する。脂肪族環は酸素原子等のヘテロ原子を有する環であってもよい。

重合体の「主鎖」とは、モノエンの重合体においては、重合性二重結合を構成した２つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。
また、環化重合しうるジエンの環化重合体においては、２つの重合性二重結合を構成した４つの炭素原子に由来する炭素原子の連鎖をいう。
さらに、モノエンと環化重合しうるジエンとの共重合体においては、該モノエンの上記２つの炭素原子と該ジエンの上記４つの炭素原子とに由来する炭素原子の連鎖をいう。

上記モノエンが脂肪族環の環骨格を構成する１つの炭素原子と環外の炭素原子との間に重合性二重結合を有するモノエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、モノエンの重合性二重結合を構成していた環骨格を構成する１つの炭素原子を有する。また、上記モノエンが脂肪族環の環骨格を構成する隣接した２つの炭素原子の間に重合性二重結合を有するモノエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、モノエンの重合性二重結合を構成していた環骨格を構成する２つの炭素原子を有する。
上記環化重合しうるジエンである場合は、主鎖に脂肪族環を有する重合体の主鎖は、そのジエンが有する２つの重合性二重結合を構成していた４つの炭素原子を有し、その４つの炭素原子の２～４個が脂肪族環の環骨格を構成する。

重合体（２）中の脂肪族環の環骨格を構成する原子の数は、４～７個が好ましく、５～６個が特に好ましい。すなわち、脂肪族環は４～７員環が好ましく、５～６員環が特に好ましい。脂肪族環の環を構成する原子としてヘテロ原子を有する場合、ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子等が挙げられ、酸素原子が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数は１～３個が好ましく、１個又は２個であることがより好ましい。

脂肪族環は置換基を有していてもよく、有さなくてもよい。「置換基を有していてもよい」とは、該脂肪族環の環骨格を構成する原子に置換基が結合してもよいことを意味する。

重合体（２）の脂肪族環を構成する炭素原子に結合した水素原子はフッ素原子に置換されていることが好ましい。また、脂肪族環が置換基を有する場合、その置換基に炭素原子に結合した水素原子を有する場合も、その水素原子はフッ素原子に置換されていることが好ましい。フッ素原子を有する置換基としては、ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、＝ＣＦ_２等が挙げられる。
重合体（２）中の脂肪族環としては、ペルフルオロ脂肪族環（置換基を含め、炭素原子に結合した水素原子のすべてがフッ素原子に置換されている脂肪族環）が好ましい。

重合体（２）としては、下記の重合体（２１）、（２２）が挙げられる。
重合体（２１）：環状含フッ素モノエンに由来する単位を有する含フッ素重合体、
重合体（２２）：環化重合しうる含フッ素ジエン（以下、単に「含フッ素ジエン」ともいう。）の環化重合により形成される単位を有する含フッ素重合体。

重合体（２１）：
「含フッ素環状モノエン」とは、脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体、及び、脂肪族環を構成する炭素原子と脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を１個有する含フッ素単量体を意味する。

含フッ素環状モノエンとしては、下記の化合物（１）及び化合物（２）が好ましい。

［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子、エーテル性酸素原子（－Ｏ－）を含んでいてもよいペルフルオロアルキル基、又はエーテル性酸素原子を含んでいてもよいペルフルオロアルコキシ基である。Ｘ^３及びＸ^４は相互に結合して環を形成してもよい。］

Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｙ^１及びＹ^２におけるペルフルオロアルキル基は、炭素数が１～７であることが好ましく、炭素数が１～４であることが特に好ましい。前記ペルフルオロアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状が好ましく、直鎖状が特に好ましい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられ、特にトリフルオロメチル基が好ましい。

Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｙ^１及びＹ^２におけるペルフルオロアルコキシ基としては、前記ペルフルオロアルキル基に酸素原子（－Ｏ－）が結合したものが挙げられ、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。

式（１）中、Ｘ^１は、フッ素原子であることが好ましい。
Ｘ^２は、フッ素原子、トリフルオロメチル基、又は炭素数１～４のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメトキシ基であることが特に好ましい。
Ｘ^３及びＸ^４は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～４のペルフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。
Ｘ^３及びＸ^４は相互に結合して環を形成してもよい。前記環の環骨格を構成する原子の数は、４～７個が好ましく、５～６個が特に好ましい。

化合物（１）の好ましい具体例として、化合物（１－１）～（１－５）が挙げられる。

式（２）中、Ｙ^１及びＹ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数１～４のペルフルオロアルキル基又は炭素数１～４のペルフルオロアルコキシ基であることが好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが特に好ましい。

化合物（２）の好ましい具体例として、化合物（２－１），（２－２）が挙げられる。

重合体（２１）は、前記の含フッ素環状モノエンの単独重合体であってもよく、含フッ素環状モノエンと共重合可能な他の単量体の共重合体であってもよい。
ただし、重合体（２１）中の全単位に対する含フッ素環状モノエンに由来する単位の割合は、２０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、１００モル％がさらに好ましい。

含フッ素環状モノエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、含フッ素ジエン、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロアルキルビニルエーテル等が挙げられる。

含フッ素ジエンとしては、後述する重合体（２２）の説明で挙げるものと同様のものが挙げられる。側鎖に反応性官能基を有する単量体としては、重合性二重結合及び反応性官能基を有する単量体が挙げられる。重合性二重結合としては、ＣＦ_２＝ＣＦ－、ＣＦ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＦ－、ＣＦＨ＝ＣＨ－、ＣＦ_２＝Ｃ－、ＣＦ＝ＣＦ－等が挙げられる。
なお、含フッ素環状モノエンと含フッ素ジエンとの共重合により得られる重合体は、重合体（２１）とする。

重合体（２２）：
「含フッ素ジエン」とは、２個の重合性二重結合及びフッ素原子を有する環化重合しうる含フッ素単量体である。重合性二重結合としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。含フッ素ジエンとしては、下記化合物（３）が好ましい。
ＣＦ_２＝ＣＦ－Ｑ－ＣＦ＝ＣＦ_２ ・・・（３）

式（３）中、Ｑは、エーテル性酸素原子を含んでいてもよく、フッ素原子の一部がフッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～５、好ましくは１～３の、分岐を有してもよいペルフルオロアルキレン基である。該フッ素以外のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

Ｑは、エーテル性酸素原子を含むペルフルオロアルキレン基であることが好ましい。その場合、前記ペルフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の両末端に存在していてもよく、前記ペルフルオロアルキレン基の炭素原子間に存在していてもよい。環化重合性の点から、前記ペルフルオロアルキレン基の一方の末端にエーテル性酸素原子が存在していることが好ましい。

化合物（３）の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦＣｌＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＣｌ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣ（ＣＦ_３）_２ＯＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ（ＯＣＦ_３）ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、
ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２。

化合物（３）の環化重合により形成される単位として、下記単位（３－１）～（３－４）が挙げられる。

重合体（２２）は、含フッ素ジエンの単独重合体であってもよく、含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体の共重合体であってもよい。

含フッ素ジエンと共重合可能な他の単量体としては、たとえば、側鎖に反応性官能基を有する単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ペルフルオロ（メチルビニルエーテル）等が挙げられる。

重合体（２２）の具体例としては、たとえば、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２（ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル））を環化重合させて得られる、下式（３－１－１）で表される重合体が挙げられる。
なお、以下、ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル）を「ＢＶＥ」という。

ただし、式（３－１－１）中、ｐは５～１０００の整数である。
ｐは、１０～８００の整数が好ましく、１０～５００の整数が特に好ましい。

重合体（２）としては、合成したものを用いてもよく、市販品を用いてもよい。
重合体（２）の具体例としては、ＢＶＥ環化重合体（ＡＧＣ社製：サイトップ（登録商標））、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（４－メトキシ－１，３－ジオキソール）共重合体（ソルベイ社製：ハイフロン（登録商標）ＡＤ）、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体（Ｄｕｐｏｎｔ社製：テフロン（登録商標）ＡＦ）、ペルフルオロ（４－メチル－２－メチレン－１，３－ジオキソラン）重合体（ＭＭＤ重合体）が好ましい。

本発明では、含フッ素重合体として、重合体（１）、（２）のうちのいずれか１つのみを使用してもよく、重合体（１）、（２）を併用してもよい。

（含フッ素重合体の末端構造）
含フッ素重合体は、通常、上述した各単量体を、ラジカル重合開始剤を用いたラジカル重合することにより重合される。この場合、重合終了時の含フッ素重合体は、分子鎖（主鎖）の末端の構造が、重合で用いたラジカル重合開始剤のフラグメントが付加した構造であることが考えられる。また、重合に際して連鎖移動剤を用いた場合、分子鎖（主鎖）の末端の構造は、連鎖移動剤のフラグメントが付加した構造を取り得る。

含フッ素重合体は、上記末端の構造が他の構造に変換されてもよい。例えば、上述した重合終了時の含フッ素重合体について２５０℃以上に熱処理することにより、主鎖の末端の構造は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｆとなり、含フッ素重合体は酸フッ化物となる。

また、上記酸フッ化物をメタノール処理することにより、主鎖の末端の構造は、メチルエステル基となる。メチルエステル基は、簡便なメタノール処理により、反応性が高い酸フッ化物から変換可能である。そのため、得られる含フッ素重合体の安定性を向上させやすいため好ましい。

さらに、上記酸フッ化物をフッ化処理することで、主鎖の末端の構造は、トリフルオロメチル基となる。フッ化処理としては、例えば、特開平１１－１５２３１０号公報の段落００４０に記載された処理方法を挙げることができる。トリフルオロメチル基は、耐熱性が高く、得られる含フッ素重合体の耐熱性が向上しやすいため好ましい。また、末端をトリフルオロメチル基とすると、得られた樹脂膜の表面エネルギーが低くなり、導電性材料１０Ｘが樹脂膜１５の表面に付着し難く、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすいため好ましい。

また、含フッ素重合体は、主鎖の末端の構造がメチルエステル基やトリフルオロメチル基であると、主鎖の末端における分子間相互作用が小さく、蒸着しやすくなるため好ましい。
上述した主鎖の末端の構造は、赤外線分光分析により確認できる。

（含フッ素重合体の結晶性）
本実施形態の含フッ素重合体は、結晶性が低い、又は非晶性であることが好ましい。結晶性の高い場合、導電膜の蒸着において結晶粒界（界面）が核形成の起点となり、導電膜の付着確率が高まる。すなわち、結晶性が低いほど、又は非晶性であることが、厚膜部１１と薄膜部１２とをパターニングしやすいため好ましい。

含フッ素重合体の結晶性を判断するための１つの指標として、融点が上げられる。
例えば、上述した重合体（１）がＰＰＶＥ単位を有する場合、ＰＰＶＥ単位の含有率が増えると、含フッ素重合体の結晶性が下がり、同時に融点が下がる。
また、重合体（２）は、その脂肪族環構造が結晶性を崩しやすいことから、結晶性の低い、又は非晶性の性質を有する。非晶性である場合、融点は観測されない。

本実施形態において、融点は、示差走査熱量計（例えば、ＮＥＴＺＳＣＨ製：ＤＳＣ ２０４ Ｆ１ Ｐｈｏｅｎｉｘ）を用いて測定する値を採用する。具体的には、含フッ素重合体９ｍｇを試料容器に仕込み、－７０℃から３５０℃まで毎分１０℃で昇温させた際の熱容量を測定し、得られた融解ピークより融点を求める。

本実施形態で用いられる含フッ素重合体の融点は、３００℃以下であることが好ましく、２７０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。融点の下限は特に限定されないが、含フッ素重合体からなる膜の形状保持の観点から１００℃以上が好ましい。
また、含フッ素重合体は非晶性であることも好ましい。その場合、上述の方法によって融点が観測されない。

（含フッ素重合体の分子量）
結晶性の高い含フッ素重合体は溶媒への溶解性が低いため分子量の測定が困難だが、非晶性の含フッ素重合体は含フッ素溶媒への溶解性が高いため、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）等による分子量測定が可能である。

含フッ素重合体の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」で表す。）は１０００～２００００が好ましく、１５００～１５０００がより好ましく、２０００～１００００がさらに好ましい。

重量平均分子量が１０００より小さい場合は、含フッ素樹脂の軟化温度が低くなり、素子作製におけるプロセス温度や、素子の使用条件において、含フッ素重合体からなる膜の形状を保持できないおそれがある。
重量平均分子量が２００００より大きい場合は、蒸着の際に含フッ素重合体の主鎖が開裂し、含フッ素重合体が低分子量化してしまい、形成される層の強度が不十分となり、さらに分解物に由来する欠陥が発生し、平滑な表面を得にくい。また、主鎖の開裂により生じ意図せず混入した分子又はイオンが導電膜の導電性に影響を与える可能性が想定される。また、本実施形態の導電膜を有する素子の寿命（例えば有機ＥＬ素子の発光寿命）を短くするおそれがある。
よって含フッ素重合体のＭｗが１０００～２００００の範囲であれば、含フッ素重合体の主鎖が開裂を起こすことなく、十分な強度と平滑な表面を有する層が形成できる。

含フッ素重合体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定する値である。まず、分子量既知のＰＭＭＡ標準試料を、ＧＰＣを用いて測定し、ピークトップの溶出時間と分子量から、較正曲線を作成する。ついで、含フッ素重合体を測定し、較正曲線からＭｗとＭｎを求める。移動相溶媒には１，１，１，２，３，４，４，５，５，５－デカフルオロ－３－メトキシ－２－（トリフルオロメチル）ペンタン／ヘキサフルオロイソプロピルアルコール（体積比で８５／１５）の混合溶媒を用いる。

「分子量分布」とは、数平均分子量（以下、「Ｍｎ」で表す。）に対するＭｗの割合、すなわち、Ｍｗ／Ｍｎをいう。
形成される層における品質の安定性の観点から、含フッ素重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は小さい方が好ましく、２以下が好ましい。含フッ素重合体の分子量分布は、１．５以下がより好ましく、１．２以下がさらに好ましい。なお分子量分布の理論的な下限値は１である。
含フッ素重合体の分子量分布が小さいほど、蒸着条件の変動が少なくなり、また、膜厚方向において均質な相分離構造が形成されやすい。

分子量分布の小さい含フッ素重合体を得る方法としては、リビングラジカル重合等の制御重合による分子量調整や、昇華精製や超臨界抽出、サイズ排除クロマトグラフィによる分子量を分画する方法が挙げられる。

本明細書中、重量平均分子量及び分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される値である。

（樹脂膜の表面エネルギー）
上記含フッ素重合体を材料とする樹脂膜１５としては、表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下であるものが好ましく、２５ｍＮ／ｍ以下であるものがより好ましく、２０ｍＮ／ｍ以下であるものがさらに好ましい。樹脂膜１５がこのような表面エネルギーを有すると、導電性材料１０Ｘをドライコーティングする際に、導電性材料１０Ｘが樹脂膜１５の表面に付着し難く、パターニングが容易となる。

樹脂膜１５の表面エネルギーは、用いる含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率を変更することで調整可能である。含フッ素重合体のフッ素原子含有率や、トリフルオロメチル部位の含有率をそれぞれ高くすると、樹脂膜１５の表面エネルギーを小さくなる。

以上のような構成の導電膜によれば、光透過率が異なる２種の領域を有する新規な導電膜となる。
また、以上のような導電膜の製造方法によれば、このような導電膜を容易に製造可能となる。

なお、本実施形態においては、導電膜１の第２領域１０Ｂには薄膜部１２が存在することとしたが、薄膜部１２は無くてもよい。
また、本実施形態においては、導電膜１の第２領域１０Ｂには樹脂膜１５が存在することとしたが、図５に示すドライコーティングする工程の後に、樹脂膜を除去する工程を有することとしてもよい。樹脂膜１５を除去すると、樹脂膜１５と薄膜部１２とを同時に除去できる。

図７は、樹脂膜１５を除去して得られる導電膜２を示す模式図であり、図２に対応する図である。図７に示すように、導電膜２は、第１膜１３と、第２膜２０を有する。導電膜２の第１領域１３Ａには、格子状の厚膜部１１と第２膜２０とが重なっている。また、導電膜２の第２領域１３Ｂには、第２膜２０が存在している。
このような構成の導電膜２では、第２領域１３Ｂの光透過率が、上述した導電膜１の第２領域１０Ｂの光透過率よりも高くなり、第１領域１３Ａと第２領域１３Ｂとのコントラストが高くなる。

樹脂膜１５を除去する方法としては、例えば、含フッ素溶媒を用いて含フッ素重合体を溶解又は剥離させて除去する方法や、ドライエッチングによって除去する方法が挙げられる。

含フッ素溶媒としては、樹脂膜１５を溶解し導電膜１が形成された基板を構成する他の材料を実質的に溶解しない溶媒を用いる。そのため、有機光電子素子の品質を損なうことなく、含フッ素重合体を除去することが出来る。
含フッ素重合体の除去に用いる含フッ素溶媒は、例えば上述した親フッ素パラメータＰ_Ｆが１以上である含フッ素溶媒が好ましい。

また、本実施形態においては、第２膜２０を有することとしたが、第２膜２０は無くてもよい。

図８は、本実施形態の変形例に係る説明図であり、図２に対応する図である。
図８に示す導電膜３は、第１膜１０と、樹脂膜１５とを有する。第１膜１０は、基材５０の上に設けられている。樹脂膜１５は、第１膜１０と基材５０との間に設けられている。

第１膜１０が有する厚膜部１１の下面１１ａは、基材５０に接している。また、厚膜部１１の側面１１ｂは、樹脂膜１５に接している。
第１膜１０が有する薄膜部１２の下面１２ａは、樹脂膜１５に接している。

このような導電膜３は、図３に示す工程を有さず基材５０の表面５０ａに直接含フッ素重合体Ｐを蒸着すること以外は、上述の導電膜の製造方法と同様にして製造することができる。
さらに、図５に示すドライコーティングする工程によって導電膜３を製造した後に、上述した樹脂膜１５を除去する工程を有することとしてもよい。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、上述した本発明の第１実施形態である導電膜を有する、光電子素子である。
かかる光電素子としては、基板と、前記基板に設けられた陽極と、前記陽極に対向する陰極と、前記陽極と前記陰極との間に配置された活性層とを備え、前記陰極が本発明の第１実施形態である導電膜である、有機ＥＬ素子が好ましい。

図９は、有機ＥＬ素子（本発明の第２実施形態に係る光電子素子）１００を示す断面模式図である。有機ＥＬ素子１００は、基板１１０、陽極１１１、隔壁１１２、機能層１１３、陰極１１５が積層した構造を有している。機能層１１３には、発光層が含まれる。
本実施形態の有機ＥＬ素子１００は、機能層１１３で生じた光が、陰極１１５を介して外部へ射出されるトップエミッション方式を採用している。

（基板）
基板１１０は、光透過性を備えていてもよく、光透過性を備えなくてもよい。基板１１０の形成材料としては、ガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、表面の絶縁性が確保されるならば、基板１１０の形成材料として金属材料を採用することもできる。
また、基板１１０は、有機ＥＬ素子に電気的に接続される不図示の各種配線、駆動素子を備えている。

（陽極）
陽極１１１は、基板１１０上に形成され、機能層１１３に正孔（ホール）を供給する。また、陽極１１１は、機能層１１３に含まれる発光層から発せられた光を反射する光反射性を有する。

陽極１１１の形成材料としては、導電材料からなる。導電材料としては、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電性金属酸化物を用いることができる。また、陽極１１１に光反射性を付与するため、陽極１１１の基板１１０側又は陽極１１１の機能層１１３側に、金属を形成材料とする反射膜を設けても良い。すなわち、陽極１１１は、導電性金属酸化物を形成材料とする層と、金属を形成材料とする反射膜との積層構造を有しても良い。
また、陽極１１１の形成材料として、銀等の金属を用いることとしてもよい。

陽極１１１の厚さは、特に制限されないが、３０～３００ｎｍが好ましい。陽極１１１の厚さは、たとえば１００ｎｍである。

（隔壁）
隔壁１１２は、陽極１１１の周縁部に重なり、例えば格子状に形成されている。隔壁１１２の開口部分には、機能層１１３が形成されており、有機ＥＬ素子１００を区画している。
隔壁１１２は、例えばポリイミド等の樹脂を材料とする。

（機能層）
機能層１１３は、陽極１１１に重なって形成されている。機能層１１３は発光層を有する。発光層では、陽極１１１から注入された正孔及び陰極１１５から注入された電子が再結合し、光子を放出して発光する。その際の発光波長は、発光層の形成材料に応じて定まる。発光層は、本発明における「活性層」に該当する。

発光層は、有機ＥＬ素子の発光層の材料として公知の材料を用いて形成できる。
発光層の形成材料は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよく、所望の発光波長に応じて適宜選択される。

機能層１１３は、発光層と陽極１１１との間に、正孔注入層、正孔輸送層を有していてもよい。
正孔注入層は、陽極から正孔輸送層への正孔の注入を容易にする機能を有する。
正孔輸送層は、陽極１１１から注入された正孔を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。

また、機能層１１３は発光層と陰極１１５との間に、電子輸送層、電子注入層を有していてもよい。
電子輸送層は、陰極１１５から注入された電子を発光層に向けて良好に輸送する機能を有する。
電子注入層は、陰極１１５から電子輸送層への電子の注入を容易にする機能を有する。

（陰極）
陰極１１５は、隔壁１１２及び機能層１１３を覆って全面に形成されている。陰極１１５は、機能層に電子を注入する機能を有する。

本実施形態の光電子素子においては、陰極１１５は、上述した本発明における導電膜を採用する。陰極１１５は、第１膜１１６と、樹脂膜１１７と、第２膜１１８とを有する。

第２膜１１８は、隔壁１１２及び機能層１１３を覆って形成されている。第２膜１１８の構成、材料については、第１実施形態の第２膜２０について示した構成及び材料を採用できる。

樹脂膜１１７は、機能層１１３と平面的に重なり第２膜１１８の上面１１８ａに形成されている。樹脂膜１１７の構成、材料については、第１実施形態の樹脂膜１５について示した構成及び材料を採用できる。

第１膜１１６は、隔壁１１２と平面的に重なって形成されている。第１膜１１６の構成、材料については、第１実施形態の第１膜１０について示した構成及び材料を採用できる。

すなわち、陰極１１５の第１領域は隔壁１１２に重なっており、陰極１１５の第２領域は発光層を含む機能層１１３に重なっている。

（マイクロキャビティ構造）
本実施形態の有機ＥＬ素子１００においては、陽極１１１と陰極１１５が、陽極１１１と陰極１１５との間、すなわち陽極１１１の反射膜の上面と第２膜１１８の下面との間で光を共振させる光共振構造（マイクロキャビティ）を構成している。陽極１１１と陰極１１５との間では、発光層で生じた光が反射を繰り返し、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致した波長の光が共振して増幅される。一方で、陽極１１１と陰極１１５との間の光路長と合致しない波長の光は減衰する。
ここでいう「光路長」は、素子外部に射出される所望の光の波長と、当該所望の光の波長における各層の屈折率と、を用いて算出されるものとする。

陽極１１１と陰極１１５との間の光路長は、たとえば機能層１１３に含まれる発光層で生じる光Ｌの中心波長の整数倍に設定されている。この場合、発光層で発せられた光Ｌは、中心波長に近いほど増幅され、中心波長から離れるほど減衰して有機ＥＬ素子１００の外部に射出される。このようにして、有機ＥＬ素子１００から射出される光Ｌは、発光スペクトルの半値幅が狭く、色純度が向上したものとなる。

このような構成の有機ＥＬ素子１００においては、陰極１１５として本発明における導電膜を有するため、第２領域において高い光取出し効率を維持しながら陰極１１５の配線抵抗を低減することができ、良好な駆動を実現できる。

なお、上述の実施形態においては、光電子素子として有機ＥＬ素子を例示して説明したが、本発明の導電膜が適用される光電子素子は、有機ＥＬ素子に限らない。

本発明の光電子素子は、例えば半導体レーザーであってもよい。半導体レーザーとしては公知の構成を採用できる。半導体レーザーが有する陰極に上述の導電膜を採用することにより、陰極が低抵抗化され、出力が向上した半導体レーザーとなる。

また、本発明の光電子素子は、例えば、光センサ、太陽電池などの受光素子であってもよい。光センサ及び太陽電池としては、活性層（受光層）が受光した光の強度に応じて活性層で生じた正孔及び電子を、半導体層を介してカソード及びアノードに伝える公知の構成を採用できる。
光センサ及び太陽電池が有する電極（アノード、カソード）に上述の導電膜を採用することにより、検出性能を向上させた光センサや、発電効率を向上させた太陽電池となる。

さらに、本発明の導電膜及び光電子素子は、素子全体としての透過性が高くなることから、透明ディスプレイ等の用途において有用である。また、アンダーディスプレイカメラやアンダーディスプレイセンサ等においては、カメラ及びセンサ上部のディスプレイの透過率を上げる必要があり、本発明の導電膜が非常に有用である。

さらに、本発明の導電膜は、光電子素子の他にもパターニングされた電極及び配線として使用することもできる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

＜評価方法＞
本実施形態においては、以下の各方法により評価を行った。

［含フッ素重合体の真空下における熱重量減少率の測定］
真空示差熱天秤（アドバンス理工社製：ＶＰＥ－９０００）を用いて測定した。含フッ素重合体５０ｍｇを内径７ｍｍのセルに仕込み、１×１０^－３Ｐａの真空度にて、室温から５００℃まで毎分２℃で昇温させた際の、含フッ素重合体の初期重量（５０ｍｇ）に対する重量減少率（％）を測定した。
この測定により、重量減少率が１００％となる温度（Ｔ_ｄ１００）、重量減少率が１０％となる温度（Ｔ_ｄ１０）及び重量減少率が９０％となる温度（Ｔ_ｄ９０）を求めた。

［融点の測定］
示差走査熱量計（ＮＥＴＺＳＣＨ製：ＤＳＣ ２０４ Ｆ１ Ｐｈｏｅｎｉｘ）を用いて測定した。含フッ素重合体９ｍｇを試料容器に仕込み、－７０℃から３５０℃まで毎分１０℃で昇温させた際の熱容量を測定し、得られた融解ピークより融点を求めた。

［樹脂膜の表面エネルギーの測定］
（接触角の測定用試料の作製）
２５ｍｍ角のシリコン基板に、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１００ｎｍの樹脂膜を成膜して、測定用試料を得た。

（表面エネルギーの評価）
接触角計（ＫＲＵＳＳ社製：ＤＳＡ２５）を用い、水平に置いた測定用試料の樹脂膜表面に水及びｎ－ヘキサデカンの２μＬの液滴をそれぞれ滴下し、接触角を測定した。
得られた接触角と下記式（Ａ）とを用いて、樹脂膜の表面エネルギーγ_Ｓの分散項γ_Ｓ ^ｄと、樹脂膜の表面エネルギーγ_Ｓの極性項γ_Ｓ ^ｐとを算出し、得られた値と下記式（Ｂ）とを用いて樹脂膜の表面エネルギーγ_Ｓを算出した。

γ_Ｌ（ｃｏｓθ＋１）／（２（γ_Ｌ ^ｄ）^１／２）＝（γ_Ｓ ^ｐ）^１／２×（γ_Ｌ ^ｐ）^１／２／（γ_Ｌ ^ｄ）^１／２＋（γ_Ｓ ^ｄ）^１／２ …（Ａ）
γ_Ｌ ：水又はｎ－ヘキサデカンの表面エネルギー
γ_Ｌ ^ｄ：水又はｎ－ヘキサデカンの表面エネルギーの分散項
γ_Ｌ ^ｐ：水又はｎ－ヘキサデカンの表面エネルギーの極性項
θ ：水又はｎ－ヘキサデカンの接触角

γ_Ｓ＝γ_Ｓ ^ｄ＋γ_Ｓ ^ｐ …（Ｂ）
γ_Ｓ ：樹脂膜の表面エネルギー
γ_Ｓ ^ｄ：樹脂膜の表面エネルギーの分散項
γ_Ｓ ^ｐ：樹脂膜の表面エネルギーの極性項

なお、水及びｎ－ヘキサデカンの分散項、極性項、及び表面エネルギーについては、下記表１の各値を用いた。

（ＣＦ_３濃度の測定）
トリフルオロメチル部位の含有量（ｍｍｏｌ／ｇ）は、下式より求めた。
（トリフルオロメチル部位の含有量）＝［ＮＣＦ_３／ＭＡ］×１０００
ＮＣＦ_３：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するトリフルオロメチル部位のモル数と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるトリフルオロメチル部位のモル数、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。

（フッ素原子含有率の測定）
フッ素原子含有率（質量％）は、下式で求めた。
（フッ素原子含有率）＝［１９×ＮＦ／ＭＡ］×１００
ＮＦ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成するフッ素原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
ＭＡ：含フッ素重合体を構成する単位の種類毎に、単位を構成する全ての原子の原子量の合計と、全単位に対する当該単位のモル比率とを乗じた値の総和。
なお、上述の式に用いるフッ素原子の原子量、単位を構成する全ての原子の原子量の合計、モル比率等は、含フッ素重合体をＮＭＲ分析及びＩＲ分析して得られた、含フッ素重合体の構成単位のモル比率及び末端量を用いて算出した。

＜含フッ素重合体の合成＞
評価に用いた含フッ素重合体は、以下のように合成した。

［合成例１］
ペルフルオロ（３－ブテニルビニルエーテル）（ＢＶＥ）を３０ｇ、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－トリデカフルオロヘキサン（１Ｈ－ＰＦＨ）を３０ｇ、メタノールを０．５ｇ及びジイソプロピルペルオキシジカーボネート（ＩＰＰ）を０．４４ｇそれぞれ秤量し、内容積５０ｍｌのガラス製反応器に仕込んだ。反応器内を高純度窒素ガスにて置換した後、４０℃に加熱して２４時間重合を行った。
得られた溶液から、６６６Ｐａ（絶対圧）、５０℃の条件で溶媒を除去し、重合体を２８ｇ得た。

次いで、得られた重合体を３００℃のオーブンで加熱した後、特開平１１－１５２３１０号公報の段落［００４０］に記載の方法で処理し、フッ素ガスにより不安定末端基を－ＣＦ_３基に置換して、含フッ素重合体Ａを得た。

得られた含フッ素重合体Ａを上述したガラスチューブ式の昇華精製装置の原料仕込み部に仕込み、捕集部内を３．０×１０^－３Ｐａに減圧した。次いで、原料仕込み部を３３０℃まで徐々に加温し、含フッ素重合体Ａを昇華させた。昇華精製装置では、捕集部を仕込み部に近い側から３１０℃、２８０℃、２５０℃、２００℃の設定温度で加熱した。

このうち、設定温度２００℃、２５０℃、２８０℃及び３１０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ａ１を得た。

［合成例２］
合成例１と同様にして製造した重合体を、３００℃のオーブンで加熱した後、メタノールに浸漬し、７５℃のオーブンで２０時間加熱することで、末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｂを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｂを昇華させた。設定温度２００℃、２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｂ１を得た。

［合成例３］
内容積１００６ｍＬのステンレス製オートクレーブに、ペルフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）を１５２．９ｇ、ＡＣ２０００（ＡＧＣ社製）を８０５ｇ、メタノールを２．４０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を１．１５ｇ仕込み、液体窒素で凍結脱気をした。

オートクレーブを７０℃に昇温した後、オートクレーブ内にテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）を５６．３ｇ導入し、重合を開始させた。重合の進行により、オートクレーブ内の圧力が低下するため、ＴＦＥを連続的に供給し、オートクレーブの温度と圧力を一定に保持しながら重合させた。重合開始から５時間後にオートクレーブを冷却して重合を停止し、系内のガスを排出して反応溶液を得た。

反応溶液にメタノールを８００ｇ加えて混合し反応溶液に溶解する重合体を析出させた後、層分離させ、重合体が分散している下層を回収した。得られた重合体の分散液を８０℃で１６時間温風乾燥し、次に１００℃で１６時間真空乾燥して、重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝１４：８６（モル％）であった。

次いで、得られた重合体を３３０℃のオーブンで加熱した後、メタノールに浸漬し、７５℃のオーブンで４０時間加熱することで、末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｃを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｃを昇華させた。設定温度２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｃ１を得た。

［合成例４］
ＰＰＶＥを７８．９ｇ、ＡＣ２０００を７６７ｇ、メタノールを４．２３ｇ、ＡＩＢＮを１．２７ｇ、ＴＦＥを４８．４ｇ用いたこと以外は、合成例３と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝９：９１（モル％）であった。

次いで、合成例３と同様にして重合体の末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｄを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｄを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｄ１を得た。

［合成例５］
ＰＰＶＥを５７．９ｇ、メタノールを４．１３ｇ、ＡＩＢＮを１．２４ｇ用いたこと以外は、合成例３と同様にして重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝６：９４（モル％）であった。

次いで、合成例４と同様にして重合体の末端基をメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｅを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｅを昇華させた。設定温度２００℃、２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した５ｇの含フッ素重合体Ｅ１を得た。

［合成例６］
内容積１．３５１Ｌのジャケット付きの重合槽（ステンレス鋼製）を脱気し、重合槽内に、１，１，２，２－テトラフルオロエチル－２，２，２－トリフルオロエチルエーテル（ＡＥ－３０００、ＡＧＣ社製）を６４９ｇ、ペルフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）を１５２ｇ、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）を１０９ｇ、メタノールを１５．５ｇ、それぞれ秤量して仕込んだ。
重合槽の温度を６０℃に保持して、ｔ－ブチルパーオキシピバレート（ＰＢＰＶ）の０．７９質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬを仕込み、重合を開始させた。

重合中、重合の進行に伴い重合圧力が低下するため、重合圧力がほぼ一定になるように重合槽内にＴＦＥを連続的に導入した。重合圧力は、１．０４±０．０４ＭＰａＧ（ゲージ圧）に保持した。
ＴＦＥの導入量が１２１ｇになった時点で重合を終了させ、重合体を得た。
得られた重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝４：９６（モル％）であった。

次いで、得られた重合体を３３０℃のオーブンで加熱した後、合成例１と同様の方法で重合体の末端基を－ＣＦ_３基に置換して、含フッ素重合体Ｆを得た。
含フッ素重合体Ｆを２０ｇ用い、合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｆを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｆ１を得た。

また、得られた含フッ素重合体Ｆの２０ｇを超臨界抽出装置の圧力容器に仕込み、二酸化炭素による超臨界抽出を行った。
抽出温度を４０℃、抽出圧力３０ＭＰａ、二酸化炭素流量３０ｍｌ／分で（条件１）０．２ｇを抽出した後、抽出温度を８０℃、抽出圧力を６０ＭＰａに上げ、さらにエントレーナーとしてＡＣ－２０００（ＡＧＣ社製）を二酸化炭素に対して１０体積％の比率で用いて（条件２）１．４ｇの抽出物を得た。
超臨界抽出で得られた抽出物を、含フッ素重合体Ｆ２とした。

［合成例７］
合成例６と同様にして製造した重合体の末端基を、合成例３と同様の条件でメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｇを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｇを昇華させた。設定温度２５０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｇ１を得た。

［合成例８］
ＡＥ－３０００を７０１ｇ、ＰＰＶＥを５７ｇ、ＴＦＥを１０８ｇ、メタノールを３５．７ｇ、ＰＢＰＶの０．５３質量％溶液（溶媒：ＡＥ－３０００）の１８．９ｍＬ用いたこと以外は合成例６と同様にして、重合体を得た。
得られた含フッ素重合体の組成は、ＰＰＶＥ単位：ＴＦＥ単位＝２：９８（モル％）であった。

次いで、合成例１と同様の方法で重合体の末端基を－ＣＦ_３基に置換して、含フッ素重合体Ｈを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｈを昇華させた。設定温度２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｈ１を得た。

［合成例９］
合成例８と同様にして製造した重合体の末端基を、合成例３と同様の条件でメチルエステル基に置換し、含フッ素重合体Ｉを得た。
合成例１と同様にして含フッ素重合体Ｉを昇華させた。設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した４ｇの含フッ素重合体Ｉ１を得た。

［市販の含フッ素重合体］
市販の含フッ素重合体として、以下の材料を評価に用いた。
・Ｆｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥ（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン重合体
・Ｆｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３（ＡＧＣ社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロプロピルビニルエーテル共重合体
・ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００（デュポン社製）：テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）共重合体
・ｋｙｎａｒ３０１Ｆ（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体
・ｋｙｎａｒ７２０（アルケマ社製）：ビニリデンフルオライド重合体

さらに、ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００を５０ｇ秤量し、合成例１と同様にして昇華させ、設定温度２５０℃及び２８０℃の捕集部に析出させた物質を回収し、精製した２ｇの含フッ素重合体Ｊ１を得た。

＜評価＞
得られた含フッ素重合体を用い、以下評価１～４を行った。

［評価１：蒸着時のチャンバー圧変化］
真空蒸着装置に含フッ素重合体を０．１ｇ仕込み、チャンバー内の圧力を１０^－４Ｐａ以下に減圧した上で、含フッ素重合体を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で２００ｎｍ成膜した。この際にチャンバー内の圧力をモニターし、蒸着時における圧力の最大値を計測した。計測値を用い、下記計算式より圧力の上昇倍率を求めた。
［蒸着時のチャンバー圧力の上昇倍率］＝［蒸着中の最大圧力］／［蒸着前の初期圧力］

チャンバー圧力の上昇倍率が２倍以下である含フッ素重合体は「良品」と評価し、上昇倍率が２倍を超える含フッ素重合体は「不良」と評価した。
なお、本評価で不良と評価した含フッ素重合体については、チャンバーの汚染が懸念されることから、以下に続く導電膜の評価の実施を断念した。

［評価２：導電膜のパターニング性評価１］
（透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で１０ｎｍとなるまで行った。

続いて、樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、透過率測定用の導電膜試料を作製した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１５ｎｍとなるまで行った。

（透過率測定）
作製した導電膜試料の透過率測定は、分光光度計（島津製作所製、型番：ＵＶ－３６００ Ｐｌｕｓ）を用いて行った。得られた結果から、透過率が高いほど、パターニング性が良好（パターニングが容易）であると判断した。

［例１～１１］
上述の含フッ素重合体Ａ１～Ｊ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価１及び２を行った。

［例１２］
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＴＦＥ Ｌ１７３ＪＥを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。

［例１３］
含フッ素重合体としてＦｌｕｏｎ ＰＦＡ Ｐ－６３を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。

［例１４］
含フッ素重合体としてＴＥＦＬＯＮ ＡＦ １６００を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。

［例１５］
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ３０１Ｆを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。

［例１６］
含フッ素重合体としてｋｙｎａｒ７２０を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価した。
評価１にて蒸着時のチャンバー内上昇が著しく大きかったため、他の評価は行わなかった。

［例１７］
含フッ素重合体の代わりに、下記の３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，２，４-トリアゾール（以下、ＴＡＺ）を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価を行った。ＴＡＺは、先行特許文献１（米国特許第１０２７００３３号明細書）において用いられる多環式の有機半導体である。

［例１８］
含フッ素重合体の代わりに、下記のＮ－（ジフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾイル－３イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（以下、ＨＴ２１１）を用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１と同様にして評価を行った。

［参考例１］
石英基板上にＡｇを膜厚１５ｎｍに成膜し、評価２を行った。
参考例１におけるＡｇ膜の膜厚は、例１～例１８の評価２において樹脂膜と重ならない位置に成膜された金属膜と同じ膜厚である。

［参考例２］
石英基板上にＡｇを膜厚２ｎｍに成膜し、評価２を行った。

上記例１～１８において、例１～１１が実施例に該当し、例１２～１８が比較例に該当する。評価結果を表２、３に示す。表２は樹脂膜の材料についての物性値、表３は評価結果をそれぞれまとめた表である。なお、表中「－」は、データが存在しないことを示す。

また、評価２の結果を図１０に示す。

評価の結果、例１～１１においては、蒸着時のチャンバー内圧上昇が無く、解重合や熱分解、アウトガスの発生が見られないことが分かった。
また、例１～１１は、作成した試料における第２領域の光透過率は、参考例１の光透過率と比べて大きいことが分かる。そのため、例１～１１においては、第１領域と第２領域のパターニングができていることが分かった。
また、例１～１１は、特に近赤外領域を含む長波長領域において高い透過率を有しており、近赤外線を用いる光学式認証センサを搭載したアンダーディスプレイセンサ用途において非常に有用であることが確認された。
特に、例１～５については、４５０ｎｍ以上の波長範囲において、参考例２（Ａｇ２ｎｍ）よりも光透過率が高く、例１，３，４については、測定した全波長範囲において、参考例２よりも光透過率が高かった。

対して、例１２～１６においては、蒸着時のチャンバー内圧上昇が認められ、蒸着中に解重合や熱分解、アウトガスの発生を伴うことが分かり、実質的に本実施形態の導電膜の作製には向かないことが分かった。
また、例１７，１８においては、作成した試料における第２領域の光透過率は、参考例１の光透過率と比べて大きいと評価できるが、例１～１１と比べると光透過率が低いことが分かった。すなわち、例１７，１８で形成した樹脂膜は、例１～１１で形成した樹脂膜よりも上面に金属膜が成膜されやすく、第１領域と第２領域とのコントラストが大きい状態のパターニングが困難であることが分かった。特に近赤外領域を含む長波長領域における透過率が低く、本実施形態の導電膜と比べるとパターニング性が大きく劣ることが分かった。

［評価３：導電膜のパターニング性評価２］
（透過率測定用の試料の作製）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板の全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、第２膜を形成した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１０ｎｍとなるまで行った。

次に、上記のＡｇを全面蒸着した石英基板に対し、基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で５０ｎｍとなるまで行った。

続いて、Ａｇの全面蒸着膜と樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずにＡｇ又はＭｇを蒸着し、透過率測定用の導電膜試料を作製した。
Ａｇ又はＭｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇ又はＭｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１５ｎｍとなるまで行った。

（透過率測定）
作製した導電膜試料の透過率測定は、分光光度計（島津製作所製、型番：ＵＶ－３６００ Ｐｌｕｓ）を用いて行った。得られた結果から、透過率が高いほど、パターニング性が良好であると判断した。

［例１９］
上述の含フッ素重合体Ｄ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価３を行った。
［例２０］
含フッ素重合体の代わりにＴＡＺを用いて樹脂膜を成膜したこと以外は、例１９と同様にして評価した。

［参考例３］
石英基板上にＡｇを膜厚１０ｎｍに成膜し、続いてＡｇ又はＭｇを膜厚１５ｎｍに成膜し、評価３を行った。
参考例３におけるＡｇ膜及びＭｇ膜の膜厚は、例１９および例２０の評価３において樹脂膜と重ならない位置に成膜された金属膜と同じ膜厚である。

例１９が実施例に該当し、例２０が比較例に該当する。評価結果を表４に示す。

また、評価３の結果を図１１に示す。

例１９は、作製した試料における第２領域の光透過率が、参考例３の光透過率と比べて大きいことが分かる。そのため、例１９においては、第１領域と第２領域のパターニングができていることが分かった。また、例１９は、近赤外領域を含む長波長領域において透過率が高くなっており、近赤外線を用いる光学式認証センサを搭載したアンダーディスプレイセンサ用途において有用であることが確認された。

対して、例２０においては、作成した試料における第２領域の光透過率が、参考例１の光透過率と比べて同等以下であることが分かった。すなわち、例２０で形成した樹脂膜は、例１９で形成した樹脂膜よりも上面に金属膜が成膜されやすく、第１領域と第２領域とのパターニングが困難であることが分かった。

［評価４：導電膜のパターニング性評価３］
（導電膜試料の作製１：全光線透過率測定用）
（工程１）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板の全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、第２膜を形成した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、３０ｎｍとなるまで行った。

（工程２）
次に、上記のＡｇを全面蒸着した上述の基板に対し、基板の平面視中央に、２１ｍｍ×５ｍｍの矩形の開口部を有するメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で５０ｎｍとなるまで行った。

（工程３）
続いて、工程２で作製した樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずにＡｇを蒸着し、全光線透過率測定用の導電膜試料を作製した。作製した導電膜試料において、樹脂膜が形成されていない領域は本発明における「第１領域」、樹脂膜が形成された領域は本発明における「第２領域」に対応する。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、７０ｎｍとなるまで行った。

（導電膜試料の作製２：膜厚測定用）
石英基板の代わりに２５ｍｍ×２５ｍｍのシリコン基板を用いたこと以外は導電膜試料の作製１と同様にして、膜厚測定用の導電膜試料を作製した。
また、シリコン基板に対し工程１を実施し、第２膜のみを形成した基準試料１と、シリコン基板に対し工程１と工程２とを実施し、第２膜及び樹脂膜を形成した基準試料２とを作製した。

（全光線透過率測定）
全光線透過率測定用の導電膜試料について、第２領域の全光線透過率を、ヘイズメーター（スガ試験機製、型番：ＨＺ－Ｖ３、測定光：Ｄ６５光）を用いて測定した。

（膜厚測定）
膜厚測定用の導電膜試料の第１領域において、第１膜の表面からシリコン基板に達する傷をつけ、第１膜の表面からシリコン基板表面までの膜厚（第１領域における総膜厚）を測定した。
同様に、膜厚測定用の導電膜試料の第２領域において、第１膜の表面からシリコン基板に達する傷をつけ、第１膜の表面からシリコン基板表面までの膜厚（第２領域における総膜厚）を測定した。
同様に、基準試料１において、第２膜の表面からシリコン基板に達する傷をつけ、第２膜の表面からシリコン基板表面までの膜厚（基準試料１の第２膜の膜厚）を測定した。
同様に、基準試料２の第２領域において、樹脂膜の表面からシリコン基板に達する傷をつけ、樹脂膜の表面からシリコン基板表面までの膜厚（基準試料２の第２膜と樹脂膜との合計膜厚）を測定した。
なお、膜厚の測定は、触針式表面計測装置（ブルカー・エイエックスエス社製、Ｄｅｋｔａｋ ＸＴ）を用いて行った。

第１領域における第１膜の膜厚ａと、第２領域における第１膜の膜厚ｂとを下記式に基づいて算出した。
第１領域における第１膜の膜厚ａ（ｎｍ）
＝第１領域における総膜厚（ｎｍ）－基準試料１の第２膜の膜厚（ｎｍ）
第２領域における第１膜の膜厚ｂ（ｎｍ）
＝第２領域における総膜厚（ｎｍ）－基準試料２の第２膜と樹脂膜との合計膜厚（ｎｍ）

（パターニング性評価）
樹脂膜を用いたパターニングが可能であるか否かについて、以下の基準で評価した。Ａ、Ｂを良、Ｃ，Ｄを不良として評価した。
Ａ：膜厚ａに対して膜厚ｂが０％以上１０％以下
Ｂ：膜厚ａに対して膜厚ｂが１０％を超え５０％以下
Ｃ：膜厚ａに対して膜厚ｂが５０％を超え９０％以下
Ｄ：膜厚ａに対して膜厚ｂが９０％を超え１００％以下

［例２１］
上述の含フッ素重合体Ａ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価４を行った。

［参考例４］
石英基板上にＡｇを膜厚３０ｎｍに成膜し、続いてＡｇを膜厚７０ｎｍに成膜した。得られた試料について、全光線透過率測定を行った。参考例４におけるＡｇ膜の膜厚は、例２１において作製した導電膜試料の、第１領域に成膜された金属膜と同じ膜厚である。

例２１は実施例に該当する。
評価の結果、例２１の第２領域の全光線透過率は２７％であった。
また、例２１の第１領域における第１膜の膜厚ａは６８ｎｍ、第２領域における第１膜の膜厚ｂは０ｎｍであり、パターニング性評価の結果はＡ評価であった。
また、参考例４の全光線透過率は０．６％であった。

例２１の導電膜試料の第２領域及び参考例４の試料の全光透過率の測定結果から、例２１の導電膜試料において、第２領域は、第１領域に対して高い光透過性を有することが分かった。
また、例２１の膜厚測定の結果から、例２１の導電膜試料では、第２領域に対する第１膜の形成が抑制できていることが確かめられた。
これらの結果より、例２１の導電膜試料は、良好に第１領域と第２領域のパターニングができていることが分かった。

［評価５：導電膜のパターニング形状確認］
（導電膜の作製：顕微鏡観察用）
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５２５ｍｍ石英基板を用いた。石英基板に、直径３０μｍの円状の開口部が平面上のＸ軸方向及びＹ軸方向に６０μｍピッチで配置されたメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。
含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で行った。また、含フッ素重合体の蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で３０ｎｍとなるまで行った。
続いて、樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずに第１膜となるＡｇを蒸着し、パターニング形状確認用の導電膜試料を作製した。
Ａｇの蒸着は、蒸着速度０．５ｎｍ／秒の条件で行った。また、Ａｇの蒸着は、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、７０ｎｍとなるまで行った。

（顕微鏡観察及びパターンサイズ計測）
作製したパターニング形状確認用の導電膜試料を、デジタル顕微鏡（キーエンス社製、型番：ＶＨＸ－２０００）を用いて観察した。また、領域Ｂの直径を計測した。

［例２２］
上述の含フッ素重合体Ａ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価５を行った。
［例２３］
上述の含フッ素重合体Ｃ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価５を行った。
［例２４］
上述の含フッ素重合体Ｄ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価５を行った。
［参考例５］
評価５の含フッ素重合体の蒸着の際に用いたメタルマスクについて、評価５のパターンサイズ計測と同様にして開口部の直径を測定した。測定値は２７μｍであった。

顕微鏡画像及び領域Ｂの直径（単位はμｍ）の計測結果を表５に示す。
表５に示す通り、含フッ素重合体を用いて得られた導電膜は、メタルマスクの設計を反映した領域Ｂを有し、数十μｍという微細なパターニング加工のなされた導電膜を形成している。

［評価６：導電膜のシート抵抗評価］
（導電膜の作製：シート抵抗測定用）
（工程１）
７５ｍｍ×７５ｍｍの石英基板の全面に、マスクを使用せずにＭｇ：Ａｇを蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２膜を形成した。蒸着は、ＭｇとＡｇとの体積比が１：１０となるように調整した。また、ＭｇとＡｇの合計の蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした。
（工程２）
次に、上記のＭｇ：Ａｇを全面蒸着した石英基板に対し、直径１５０μｍの円状の開口部が平面上のＸ軸方向及びＹ軸方向に２５０μｍピッチで配置されたメタルマスクを用いて含フッ素重合体を蒸着し、樹脂膜を有する石英基板を作製した。含フッ素重合体の蒸着は、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で５０ｎｍとなるまで行った。
（工程３）
続いて、工程２で作製した樹脂膜を有する石英基板に対し、樹脂膜の上から全面に、マスクを使用せずに第１膜となるＭｇ：Ａｇを蒸着し、シート抵抗測定用の導電膜試料を作製した。蒸着は、ＭｇとＡｇとの体積比が１：１０となるように調整し、蒸着装置に付随の膜厚計の測定値で、１５ｎｍとなるまで行った。また、ＭｇとＡｇの合計の蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした。

（第１膜の膜厚の異なる導電膜の作製）
上記の工程１から工程３と同様にして、工程３における第１膜の膜厚が４５ｎｍ及び７５ｎｍとなるシート抵抗測定用の導電膜試料を作製した。
（シート抵抗測定）
作製したシート抵抗測定用の導電膜試料のシート抵抗は、低抵抗抵抗率計（日東精工アナリテック社製、ロレスタ）を用いて測定した。導電膜試料の上面よりロレスタの四探針プローブを押し当て、シート抵抗を測定した。

［例２５］
上述の含フッ素重合体Ｄ１を用いて樹脂膜を成膜し、上述の評価６を行った。
［参考例６］
７５ｍｍ×７５ｍｍの石英基板の全面に、マスクを使用せずにＭｇ：Ａｇを蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２膜を形成した。蒸着は、ＭｇとＡｇとの体積比が１：１０となるように調整した。また、ＭｇとＡｇの合計の蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした
樹脂膜及び第１膜は形成せずに、評価６のシート抵抗測定を行った。

例２５は実施例に該当する。
シート抵抗の測定結果を図１２に示す。
評価の結果、第１膜を有さない参考例６に対して、例２５のシート抵抗は低い値となった。また、第１膜の膜厚が１５ｎｍ、４５ｎｍ、７５ｎｍと大きくなるほど、シート抵抗が低減されることが確認された。

以上の結果より、本発明が有用であることが確認できた。
なお、２０２０年０６月３０日に出願された日本特許出願２０２０－１１２９６２号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１，２，３，１１，１２…導電膜、１０，１３，１１６…第１膜、１０Ａ，１３Ａ…第１領域、１０Ｂ，１３Ｂ…第２領域、１０Ｘ…導電性材料、１５，１１７…樹脂膜、２０，１１８…第２膜、２０ａ，５０ａ…表面、５０…基材、１１０…基板、１１１…陽極、１１５…陰極、Ｐ…含フッ素重合体、Ｍ…マスク

Claims (14)

1. 第１領域と、前記第１領域よりも高い光透過率を示す第２領域と、を有する導電膜であって、
   導電性材料を材料とする第１膜と、
   含フッ素重合体を材料とする樹脂膜と、を有し、
   前記第１膜は、前記第１領域と前記第２領域のうちの少なくとも前記第１領域と重なって配置され、
   前記樹脂膜は、前記第２領域と重なって配置され、
   前記含フッ素重合体は、下記（１）及び（２）を満たす導電膜。
   （１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。
   （２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
2. 導電性材料を材料とし、前記第１領域と前記第２領域にまたがる第２膜を備え、
   前記第２膜は、前記第１領域と重なる位置の前記第１膜よりも光透過率が高く、
   前記第２膜は、前記第１領域において前記第１膜と接する、請求項１に記載の導電膜。
3. 前記樹脂膜の表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下である、請求項１又は２に記載の導電膜。
4. 前記含フッ素重合体の融点が３００℃以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の導電膜。
5. 前記含フッ素重合体が非晶性である、請求項１から３のいずれか１項に記載の導電膜。
6. 前記含フッ素重合体がトリフルオロメチル部位を有し、
   前記含フッ素重合体における前記トリフルオロメチル部位の含有量が０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上である、請求項１から５のいずれか１項に記載の導電膜。
7. 前記含フッ素重合体がフルオロオレフィンに由来する単位を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の導電膜。
8. 前記含フッ素重合体が、少なくとも、テトラフルオロエチレンに由来する単位とペルフルオロアルキルビニルエーテルに由来する単位とを有する、請求項７に記載の導電膜。
9. 前記含フッ素重合体が主鎖に脂肪族環構造を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載の導電膜。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の導電膜を有する光電子素子。
11. 基板と、
    前記基板に設けられた陽極と、
    前記陽極に対向する陰極と、
    前記陽極と前記陰極との間に配置された活性層と、を備え、
    前記陰極が前記導電膜である、請求項１０に記載の光電子素子。
12. 基材上に、下記（１）及び（２）を満たす含フッ素重合体をマスク蒸着し、前記含フッ素重合体を材料とする樹脂膜を形成する工程と、
    前記樹脂膜の上から導電性材料をドライコーティングする工程と、を有する導電膜の製造方法。
    （１）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が実質的に１００％に達する温度は、４００℃以下である。
    （２）１×１０^－３Ｐａの圧力下において昇温速度２℃／分で昇温させたとき、熱重量減少率が１０％となる温度から９０％になる温度までの温度幅が２００℃以内である。
13. 前記ドライコーティングする工程の後に、前記樹脂膜を除去する工程を有する、請求項１２に記載の導電膜の製造方法。
14. 前記樹脂膜を形成する工程に先立って、前記基材の表面に導電性材料を成膜する工程を有する、請求項１２又は１３に記載の導電膜の製造方法。
    
    
    
    
    

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