JP2022119326A - 複素環化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]
下記一般式(1):
で表される複素環化合物。
[2]
(A)項目1に記載の複素環化合物;
(B)エチレン性不飽和基を有する樹脂;
(C)重合開始剤;及び
(D)溶剤;
を含むことを特徴とする樹脂組成物。
[3]
前記(B)エチレン性不飽和基を有する樹脂が、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、脂環式構造を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂、ポリイミド前駆体樹脂、及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、項目2に記載の樹脂組成物。
[4]
前記(C)重合開始剤が、オキシムエステル、及びパーオキサイドからなる群から選ばれる少なくとも1種である、項目2又は3に記載の樹脂組成物。
[5]
項目2~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物と支持体または基材とを備える積層体。
[6]
下記の特性:
(i)ピール強度≧0.4N;
(ii)Df2 - Df1 ≦ 0.001;
{式中、Df2は、前記(A)成分を含む前記樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示し、そしてDf1は、前記樹脂組成物から前記(A)成分を除いた樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示す)を満たす、項目5に記載の積層体。
[7]
項目5又は6に記載の積層体を備えるプリント配線板。
[8]
項目7に記載のプリント配線板を備える高速通信用モジュール。
本実施形態に係る複素環化合物は、下記一般式(1):
で表される。
で表される置換若しくは非置換の1,2,4-トリアゾール骨格を有する1価の基、又は下記式(2A-2):
複素環化合物I{X=式(2A-1)で表される1価の基、Y=S、R2=H、R3=メチル基};
複素環化合物II{X=式(2A-2)で表される1価の基、Y=S、R2=H、R3=メチル基};及び
複素環化合物III{X=式(2Z)で表される1価の基、Y=NH、R2=H、R3=メチル基}。
本実施形態に係る複素環化合物の製造方法は、例えば、エポキシドの開裂反応、エポキシドの付加反応、オキシラン類の開環反応、アミン類とエポキシドの反応、チオール類とエポキシドの反応、エポキシ系化合物の(部分)架橋反応又は硬化反応、イミダゾール類又はテトラゾール類によるエポキシドの反応促進、三級アミンによるチオール類とエポキシドの反応促進、その他の触媒作用による反応促進などを含むことができる。これらは、単独で、又は組み合わせて使用されることができる。
X-SH {式中、Xは、上記式(1)において定義されたとおりである};及び/又は
X-NH2 {式中、Xは、上記式(1)において定義されたとおりである}
で表される化合物とを反応させることにより、上記一般式(1)で表される複素環化合物を得ることができる。
で表される化合物、又は3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-トリアゾールであることが好ましく、より好ましくは、3-メルカプト-1,2,4-トリアゾール、又は3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-トリアゾールである。
本発明の別の態様は、次の成分:
(A)上記で説明された本実施形態に係る複素環化合物;
(B)エチレン性不飽和基を有する樹脂;及び
(C)重合開始剤
を含む樹脂組成物を提供する。
一実施形態では、上記で説明された樹脂組成物又はそのワニスと、支持体または基材とを備える積層体が提供される。プリント配線板などの電子回路基板の材料として積層体を用いる場合には、積層体は、上記で説明されたワニスを用いて形成されることが好ましい。積層体は、支持体若しくは基材の材質、又は支持体若しくは基材への適用方法に適合するように設計されることができ、具体的には、樹脂フィルム、基材と樹脂との含浸複合体(以下、「プリプレグ」ともいう)、樹脂付金属箔、若しくは金属張積層体、又はこれらの少なくとも1種を含む積層体である。
(i)支持体に対する樹脂組成物の硬化物のピール強度≧0.4N
(ii)Df2 - Df1 ≦ 0.001
{式中、Df2は、上記(A)成分を含む樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示し、そしてDf1は、上記(A)成分を除いた樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示す)
を満たすことが好ましく、特性(i)及び(ii)を満たすことがより好ましい。
本実施形態に係るプリント配線板は、上記で説明された積層体を少なくとも1つ備えており、それにより、電気特性(例えば、低誘電率及び低誘電正接など)及び絶縁信頼性に優れ、かつ防錆性を有することができる。プリント配線板は、電気特性の観点から、好ましくは、金属張積層板から金属箔の一部が除去されているように構成される。
反応条件を表1に示すように変更したこと以外は上記スキーム1と同様の方法で、反応(ア)及び(イ)を行なった。
(i)反応(ア)の19hr.の時点、及び反応(イ)の42hr.の時点で、それぞれ原料ピークが消失したので、いずれの反応においてもサンプリング時点より早く反応が終了している可能性がある。
(ii)反応(ア)では、高分子量成分に由来するピークについて、有意に少なく、かつ経時的な増加もほぼ観察されていない。他方、反応(イ)では、高分子量成分に由来する2つのピークが観察されており、それらは経時的に増加する。したがって、溶媒エタノールの存在下で触媒を用いる場合には、反応点が増す可能性がある。
反応容器として20mL瓶を用いて、室温で、表2に示される反応条件下、撹拌子を用いて攪拌を行なうこと以外は上記スキーム2と同様の方法で、合成反応(ウ)~(オ)を行なった。
反応容器としてスクリュー管を用いて、室温で、表3に示される反応条件下、24時間に亘って撹拌子で攪拌を行なうこと以外は上記スキーム3と同様の方法で、合成反応(カ)及び(キ)を行った。
表4に示されるとおりにガラスクロス、銅箔及び配合成分を用意し、表5に示される組成に従って、溶剤としてのトルエンに対して、エチレン性不飽和基を有する複素環化合物、PPE成分、エラストマー、及びその他の添加剤を配合して、溶解するまで攪拌を継続した。次いで、溶解物へ架橋剤及び開始剤をそれぞれ添加し、十分に攪拌して、ワニスを得た。
得られたワニスを銅箔上に、乾燥後の膜厚が25μmになる様に塗布し、90℃で10分間、送風オーブン内で乾燥して樹脂付き銅箔を作製した。
更に、得られた樹脂付き銅箔2枚の樹脂側が接する様に貼り合わせて、室温から昇温速度2℃/分で加熱し、200℃で60分間、圧力10kg/cm2で真空プレス積層することにより、両面銅張板を作製した。
また、得られたワニスにガラスクロス基材を含浸させた後、所定のスリットに通すことにより余分なワニスを掻き落とし、120℃の乾燥オーブンにて所定時間乾燥させ、トルエンを除去することにより、プリプレグを得た。このプリプレグを所定サイズに切り出した。
得られたプリプレグを所定枚数重ね、更にその重ね合わせたプリプレグの両面に金属箔を重ね合わせた状態で、真空プレスを行うことにより、銅張積層板を得た。この真空プレスの工程では、温度条件として、室温から昇温速度2℃/分で加熱し、200℃で60分間保持し、圧力40kg/cm2で加圧した。
上記の真空プレスで成形された両面銅張板、銅張積層板から銅箔を一定速度で引き剥がす際の応力を測定した。具体的には、両面銅張板、または銅張積層板を、幅10mm×長さ100mmのサイズに切り出した。オートグラフ(AG-5000D、株式会社島津製作所製)を用い、銅箔を銅張積層板に対し90℃の角度で50mm/分の速度で引き剥がした際の荷重の平均値を測定し、3回の測定の平均値を求めた。算出された平均値を、プリプレグと銅箔の間のピール強度、又は金属層接着強度として見なした。金属層接着強度を次の基準によりランク分けした。
◎(著しく良好) 0.45≦金属層接着強度(N)
〇(良好) 0.4≦金属層接着強度(N)<0.45
×(不良) 金属層接着強度(N)<0.4
上記で得られた銅張積層板に、配線幅100μm、配線間幅100μmで交互に配置された正極、負極の電極配線パターンを有する内層回路基材を作製した。この内層回路基材上に、上記樹脂付き銅箔、またはプリプレグと銅箔を重ねて、温度条件として室温から2℃/分で昇温し、200℃で60分間、圧力条件40kg/cm2の真空プレス条件で積層し、その後、内層回路から引回し電極部を形成してマイグレーション評価用サンプルを作製した。耐マイグレーション測定は、温度85℃及び相対湿度85%の条件下、直流電圧50Vを印加し、絶縁抵抗値の変動、銅デンドライトの成長の有無を観察し、次の基準によりランク分けした。
○(良好):500hr後の絶縁抵抗値が1×108Ωを上回り、かつデンドライトの成長が認められなかったもの。
△(許容):500hr後の絶縁抵抗値が1×108Ωを上回るか、又はデンドライトの成長が認められなかったもの。
×(不良):500hr後の絶縁抵抗値が1×108Ωを下回り、かつデンドライトの成長が認められたもの。
積層板、ガラスサンプルの10GHzでの誘電率及び誘電正接を、空洞共振法にて測定した。測定装置としてネットワークアナライザー(N5230A、AgilentTechnologies社製)、及び関東電子応用開発社製の空洞共振器(Cavity Resornator CPシリーズ)を用いた。厚さ約0.5mmの積層板又はガラスサンプルを、積層板についてはガラスクロスの経糸が長辺となるように、幅約2mm、長さ50mmの大きさに切り出した。次にサンプルを105℃±2℃のオーブンに入れ、2時間乾燥させた後、温度23℃及び相対湿度50±5%の環境下に96±5時間静置した。その後、温度23℃及び相対湿度50±5%の環境下で上記測定装置を用いることにより、サンプルの誘電率及び誘電正接を測定した。
〇(良好) Df2 - Df1 ≦ 0.0005
△(許容) 0.0005 < Df2 - Df1 ≦ 0.001
×(不良) Df2 - Df1 > 0.001
実施例及び比較例により得られた銅張積層板について、上記のとおりに評価した結果を表5に示す。
<略語の説明>
3MTA:3-メルカプト-1,2,4-トリアゾール
3A5MTA:3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-トリアゾール
5ATz:5-アミノテトラゾール
GA:グリシジルアクリレート
GMA:グリシジルメタクリレート
GEA:グリシジルエタクリレート
TEA:トリエチルアミン
DMSO:ジメチルスルホキシド
重DMSO:ジメチルスルホキシド-D6
EtOH:エタノール
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
TAIC:トリアリルイソシアヌレート
Claims (8)
- (A)請求項1に記載の複素環化合物;
(B)エチレン性不飽和基を有する樹脂;
(C)重合開始剤;及び
(D)溶剤;
を含むことを特徴とする樹脂組成物。 - 前記(B)エチレン性不飽和基を有する樹脂が、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、脂環式構造を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂、ポリイミド前駆体樹脂、及びフェノール樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、請求項2に記載の樹脂組成物。
- 前記(C)重合開始剤が、オキシムエステル、及びパーオキサイドからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項2又は3に記載の樹脂組成物。
- 請求項2~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物と支持体または基材とを備える積層体。
- 下記の特性:
(i)ピール強度≧0.4N;
(ii)Df2 - Df1 ≦ 0.001;
{式中、Df2は、前記(A)成分を含む前記樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示し、そしてDf1は、前記樹脂組成物から前記(A)成分を除いた樹脂組成物の硬化物の誘電正接を示す)を満たす、請求項5に記載の積層体。 - 請求項5又は6に記載の積層体を備えるプリント配線板。
- 請求項7に記載のプリント配線板を備える高速通信用モジュール。
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