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CN101543135A - 有机电致发光元件和其制造方法 - Google Patents

有机电致发光元件和其制造方法 Download PDF

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CN101543135A CNA200880000401XA CN200880000401A CN101543135A CN 101543135 A CN101543135 A CN 101543135A CN A200880000401X A CNA200880000401X A CN A200880000401XA CN 200880000401 A CN200880000401 A CN 200880000401A CN 101543135 A CN101543135 A CN 101543135A
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separation levee
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北村嘉朗
中谷修平
永井久雄
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。

Description

有机电致发光元件和其制造方法
技术领域
本发明涉及有机EL(Electroluminescent：电致发光)元件或有机EL显示屏等有机器件以及其制造方法。
背景技术
有机半导体元件或有机EL元件等有机器件通常具有：包含有机功能性材料的功能层，所述功能层被配置在阳极和阴极之间。通过有机功能性材料的功能，能够获得半导体元件(晶体管)、发光元件、或液晶元件等有机器件。半导体元件例如具有：有机半导体材料，其将配置在基板面上的源电极和漏电极连接；有机EL元件例如具有：层叠在阳极电极上的发光层，所述发光层包含有有机EL材料，并且所述有机EL元件以阴极电极夹着发光层，所述阳极电极被配置在基板面上。
为了在电极上将有机功能性材料图案化，有时形成包围着电极面的障壁(即，隔堤)，并在由隔堤规定的区域印刷包含有机功能性材料的合成物。隔堤的材质也可以是树脂。
在由隔堤规定的包含电极面的区域印刷包含有机功能性材料的墨水时，一般优选的是，要进行印刷的区域(包含电极表面)的亲液性较高，并且隔堤上面的亲液性较低。这是为了防止墨水泄漏到目的区域以外。
一般已知：氟素成分使物质表面的能量降低，而使亲液性降低。因此已知有以下技术，即，为了形成其上表面具有较低亲液性的隔堤，使用氟碳族气体，对隔堤表面进行等离子处理的技术(参照专利文献1)。但是，在使用氟碳族气体，对隔堤表面进行等离子处理时，通常氟素并不是化学性地结合到隔堤等材料表面，而是单纯地通过分子间力吸附于材料表面的状态。因此，即使通过等离子处理而使氟素吸附于材料表面，有时也会由于热处理等而产生氟素的迁移。如果氟素迁移到例如有机器件的有机功能层，则使器件特性恶化。特别是，如果电子吸引性较大的氟素原子混入有机发光层，则有可能使发光激励子失去活性而对发光效率等产生恶劣影响。
作为解决上述问题的方法，也提出了使用氟素光致抗蚀剂来形成隔堤的方法(参照专利文献2)。通过涂敷氟素光致抗蚀剂、显像、洗净、锻烧等光刻工艺而形成的隔堤，具有即使不进行等离子处理亲液性也低的特征。
专利文献1：(日本)特开2005-52835号公报
专利文献2：(日本)特表2005-522000号公报
如上所述，由于使用了氟素光致抗蚀剂的隔堤的亲液性较低，所以适合作为用于印刷有机材料的隔堤。但是，在使用了氟素光致抗蚀剂的隔堤中，有时隔堤的壁面的亲液性较低。因此，在由隔堤规定的区域内，涂敷有机材料而形成功能层时，有可能出现以下的情况，所涂敷的有机材料被隔堤的壁面排斥而无法与隔堤的壁面平整贴合，从而不能在所期望的区域内形成具有均匀的膜厚的功能层。
发明内容
本发明的目的在于：在使用氟素光致抗蚀剂形成隔堤时，通过控制隔堤的壁面的亲液性，在由隔堤规定的区域内形成具有均匀的膜厚的功能层。
也就是说，本发明的第一方面，是关于以下所述的有机显示屏。
[1]、一种有机EL显示屏，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其矩阵(matrix)状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机EL层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机EL层上，所述隔堤包含氟树脂。
[2]、[1]中记载的有机EL显示屏，其中，所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩，所述有机EL显示屏还包括：绝缘性无机膜，其从所述线状的隔堤延伸到所述线状的区域内，并且与所述空穴输送层的底面相接。
[3]、[1]中记载的有机EL显示屏，其中，所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合，所述有机EL显示屏还包括：绝缘性无机膜，其从所述线状的隔堤延伸到所述线状的区域内，并且与所述线状的中间层的底面相接。
[4]、[1]或[2]中记载的有机EL显示屏，其中，所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩，所述有机EL显示屏还包括：第二隔堤，在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，所述像素区域规定空穴输送层，所述第二隔堤具有将像素区域彼此连通的沟槽，所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度。
[5]、[1]或[3]中记载的有机EL显示屏，其中，所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合，所述有机EL显示屏还包括：第二隔堤，在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，所述像素区域规定中间层和有机EL层，所述第二隔堤具有将像素区域彼此连通的沟槽，所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度。
[6]、[1]至[5]任一个中记载的有机EL显示屏，其中，所述隔堤沿着所述隔堤的厚度方向而具有递变的氟浓度，所述隔堤的顶点处的氟浓度高于所述隔堤的底面处的氟浓度。
[7]、[1]至[6]任一个中记载的有机EL器件，其中，所述隔堤的顶点处的氟浓度为5～10原子(atom)％，所述树脂隔堤的底面处的氟浓度为0～3原子(atom)％。
[8]、[1]至[7]任一个中记载的有机EL显示屏，其中，所述隔堤为顺锥状。
本发明的第二方面，是关于以下所述的有机显示屏的制造方法。
[9]、一种有机EL显示屏的制造方法包括以下的步骤：在基板上形成阳极电极；以露出所述阳极电极的方式，在基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，规定线状的区域；在所述基板上形成矩阵状的空穴输送层；在所述线状的区域内，形成线状的中间层；在所述线状的区域内，通过喷注、分配器分配法(dispenser)、喷嘴涂敷(nozzle coating)、凹版印刷或凸版印刷线状地涂敷包含有有机EL材料和溶剂的墨水，形成线状的有机EL层；以及在所述有机EL层上形成阴极电极，所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩。
[10]、一种有机EL显示屏的制造方法，包括以下的步骤：在基板上形成阳极电极；在所述基板上形成矩阵状的空穴输送层；以露出所述空穴输送层的方式，在基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，规定线状的区域；在所述线状的区域内，形成线状的中间层；在所述线状的区域内，通过喷注、分配器分配法、喷嘴涂敷、凹版印刷或凸版印刷线状地涂敷包含有有机EL材料和溶剂的墨水，形成线状的有机EL层；以及在所述有机EL层上形成阴极电极，所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合。
发明的效果
本发明的有机器件具有其上表面包含亲液性较低的氟树脂的隔堤，所以在由隔堤规定的区域内涂敷的功能层的材料不会漏到其他的区域。另外，与隔堤的上表面相比，隔堤的壁面的亲液性较高，因此能够形成厚度均匀的功能层。特别是，若使本发明的有机器件所具有的、包含氟树脂的隔堤为顺锥状，根据其厚度亲液性也递变地变化(厚度越大，亲液性越低)，因此容易形成均匀的功能层。
附图说明
图1是表示具有顺锥状的隔堤有机EL元件的图。
图2是表示具有为顺锥状且有两个拐点的隔堤的有机EL元件的图。
图3是具有无机绝缘膜的有机EL元件的图。
图4是具有无机绝缘膜的有机EL元件的图。
图5是本发明的有机EL显示屏的平面图。
图6是从本发明的有机EL显示屏中除去阴极电极、有机EL层以及中间层后的平面图。
图7A是本发明的有机EL显示屏的剖面图。
图7B是本发明的有机EL显示屏的剖面图。
图8A是本发明的有机EL显示屏的剖面图。
图8B是本发明的有机EL显示屏的剖面图。
图9是表示本发明的有机半导体元件的图。
[附图标记的说明]
1、基板
2、阳极电极
3、隔堤
3’、第二隔堤
4、空穴输送层
5、中间层
6、有机EL层
7、阴极电极
8、无机绝缘膜
10、涂敷区域
11、像素区域
20、有机半导体元件
21、基板
22、栅极电极
23、源电极
24、漏电极
25、隔堤
26、有机半导体层
27、保护层
具体实施方式
1.有机EL元件
本发明的有机EL元件包括：基板、阳极电极、阴极电极、空穴输送层、中间层、有机EL层以及隔堤。
本发明的有机EL元件也可以具有用于驱动有机EL元件的薄膜晶体管(驱动TFT)，也可以将有机EL的阳极电极与驱动TFT的源电极或漏电极连接。
本发明的有机EL元件的基板，根据是底部发光型还是顶部发光型，其材质不同。在为底部发光型时，要求基板是透明的，因此是玻璃或透明树脂等基板即可。另一方面，在为顶部发光型时，不需要基板是透明的，因此只要该材质具有绝缘性，可以是任何材质。
在基板上形成有阳极电极。在有机EL元件是底部发光型时，要求阳极电极是透明电极，由氧化铟(ITO)等形成即可。在有机EL显示屏是顶部发光型时，对阳极电极要求光反射性，由例如包含银的合金、更具体而言银-钯-铜合金(也称为“APC”)等形成即可。
在阳极电极上配置空穴输送层或中间层。在阳极电极上也可以按照空穴输送层、中间层的顺序配置这两个层。此外，也会存在不形成空穴输送层的情况。
空穴输送层是由空穴输送材料构成的层。作为空穴输送材料的例子包括：掺杂了聚苯乙烯磺酸盐的聚(3、4-亚乙基二氧噻吩)(称为“PEDOT-PSS”)或其衍生物(共聚物等)。空穴输送层的厚度通常在10nm以上且100nm以下，可大约为30nm。
另外，空穴输送层的材质可以为钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)等氧化物、或者为这些氧化物的组合等。
中间层具有阻断电子被输送到空穴输送层的作用，还具有将空穴高效率地运送到有机EL层的作用。中间层例如是由聚苯胺类材料构成的层。中间层厚度通常在10nm以上且100nm以下，优选可约为40nm。
空穴输送层以及中间层被配置在后述的隔堤所规定的区域内。
在中间层上配置有机EL层。有机EL层所包含的有机材料可以是低分子类材料也可以是高分子类材料。在为低分子类有机EL材料时，包含掺杂材料和基质材料的组合，作为掺杂材料的例子包括：BCzVBi、香豆素(coumarin)、红荧烯(rubrene)、DCJTB等，作为基质材料的例子包括：DPVBi、Alq3等。
作为高分子类有机EL材料的例子包括：聚亚乙基苯(polyphenylenevinylene)以及其衍生物、聚乙炔(Poly acetylene)以及其衍生物、聚苯(Poly phenylene(PPP))以及其衍生物、聚对亚乙基苯(Poly paraphenylene ethylene(PPV))以及其衍生物、聚3-己基噻吩Poly 3-hexylthiophene(P3HT))以及其衍生物、聚芴(polyfluorene)以及其衍生物等。有机EL层所包含的有机材料优选是高分子类有机EL材料。
有机EL层形成在后述的隔堤所规定的区域内即可。
如上所述，本发明的有机EL元件具有用于规定中间层以及有机EL层的区域的隔堤。隔堤的特征在于，包含氟树脂。隔堤所包含的氟树脂只要是其高分子重复单元中的、至少一部分的重复单元具有氟素原子即可，并不特别限定。作为氟树脂的例子包括：氟化聚烯烃类树脂、氟化聚酰亚胺树脂、氟化聚丙烯酸树脂等。作为氟树脂的更为具体的例子包括：例如特表2002-543469号公报中记载的含氟聚合物；或氟乙烯和乙烯基醚的共聚物即LUMIFLON(旭硝子株式会社的登录商标)等。隔堤的从基板起的高度优选是0.1μm～2μm，特别优选是0.8μm～1.2μm。
此外，优选的是，隔堤的形状是顺锥状。顺锥状是指，隔堤的障壁面倾斜且隔堤的底面的面积大于隔堤的上面的面积的形状(参照图1)。在隔堤的形状是锥状时，锥角优选是20度～80度，特别优选是35度～45度。
本发明的隔堤的特征在于，隔堤上表面的亲液性较低。这里，隔堤的上表面是指，包含隔堤的顶点的面。亲液性较低是指，隔堤上表面的至少一部分的水接触角是80度以上，优选的是90度以上。此外，通常隔堤上表面的水接触角在110度以下。
另外，本发明的隔堤的特征在于，隔堤的底面的亲液性较高。亲液性较高是指，隔堤底面的至少一部分的水接触角是70度以下，优选的是60度以下。
这样，优选的是，本发明的隔堤沿着隔堤的厚度方向而具有递变的亲液性。隔堤的亲液性主要由氟素原子的浓度决定。因此，沿着隔堤的厚度方向的递变的亲液性，可通过沿着隔堤的厚度方向产生递变的氟浓度来获得。
如后所述，可通过对图案化成所期望的形状的含氟树脂合成物的膜进行烘培(bake)处理(加热处理)，而形成本发明的隔堤。本发明人发现以下的事实，即，通过使烘培处理所形成的隔堤为顺锥形状，从而能够沿着隔堤的厚度方向产生递变的氟浓度。
在本发明中，优选的是，隔堤上面的氟素原子浓度是5～10原子(atom)％，并且隔堤的底面处的氟浓度是0～3原子％。能够通过X-射线光电子能谱分析装置(也称为“XPS”或“ESCA”)测定氟素原子浓度。
以下，说对沿着隔堤的厚度方向递变的氟浓度产生的机理进行说明。
表1是表示以下关系的图表，即通过对含氟树脂合成物的膜进行烘焙处理(加热处理)而形成的隔堤的厚度与隔堤上表面的氟浓度的关系。
表1
  膜厚(μm)   水接触角   苯甲醚接触角   氟浓度(原子％)
  1   81.2度   45.5度   7.5
  0.9   78.9度   43.0度   6.9
  0.8   76.5度   40.6度   6.3
  0.7   74.1度   38.2度   5.6
  0.6   71.7度   35.7度   5.0
  0.5   69.4度   33.3度   4.3
  0.4   67.0度   30.8度   3.7
  0.3   64.6度   28.4度   3.0
  0.2   62.2度   25.9度   2.4
  0.1   59.9度   23.5度   1.7
如表1所示，隔堤越厚，隔堤上表面的氟浓度越高，水接触角以及苯甲醚接触角也越大(亲液性变低)。
另外，如上所述，隔堤的形状是顺锥状时，在其壁面，隔堤的厚度也递变地变化。也就是说，如图1所示，隔堤的厚度按照3a、3b、3c的顺序变小。
如上所述，薄的隔堤的上表面的氟素成分的密度变低，而厚的隔堤的上表面的氟素成分的密度变高。因此，图1所示的顺锥状的隔堤3中，3a所示的位置(隔堤的厚度大)处的氟浓度相对地增高，而且3c所示的位置(隔堤的厚度小)处的氟浓度相对地降低。因此，在隔堤3中的氟浓度按照3a、3b、3c的顺序变低。在图1中，1是基板，2是电极。
这样，通过使烘培处理所形成的隔堤为顺锥形状，能够沿着隔堤的厚度方向产生递变的氟浓度。另外，通过在隔堤的厚度方向上产生递变的氟浓度，从而能够获得沿隔堤的厚度方向的递变的亲液性。因此，亲液性低的隔堤上表面3a发挥了隔堤原本的作用，即，抑制由隔堤规定的功能层的材料的泄漏，而且由于隔堤壁面的下部3c的亲液性较高，所以能够将功能层(空穴输送层、中间层或有机EL层)可靠地配置到由隔堤规定的整个区域即直至隔堤与该区域的切线处为止。
这样，使进行了烘焙处理的氟树脂的隔堤的形状为顺锥状，而使隔堤下部的亲液性高于隔堤上部的亲液性，因此能够在图案化后的区域内形成无间隙且厚度均匀的功能层。进而，通过调整顺锥状的形状，也能够控制所形成的层的形状。例如，通过调整锥角，能够防止功能层超过由隔堤规定的区域而泄漏出去。
进而，隔堤的形状也可以是顺锥状且有两个拐点(参照图2)。如果为具有两个拐点的顺锥状，则隔堤3的下部的底部的角度变缓。因此，能够将包含功能层材料4的墨水容易地涂敷在隔堤规定的区域，并且能够无遗漏地涂敷于所规定的整个区域，从而能够获得均匀的薄膜。在图2中，1是基板，2是电极。
对于本发明的有机EL元件而言，在有机EL层上具有阴极电极层。根据是底部发光型还是顶部发光型，阴极电极层的材质不同。在为顶部发光型时需要阴极电极是透明的，所以优选形成ITO电极或IZO电极等。优选的是，在有机EL层和阴极电极层之间形成缓冲层等。另一方面，在为底部发光型时，不需要阴极电极是透明的，使用任意的材质的电极即可。
在本发明的有机EL元件中还可以在形成有阴极电极的面上设置覆盖材料进行密封。通过覆盖材料抑制水分或氧的侵入。
本发明的有机EL元件还可以具有电绝缘性无机膜(以下称为“无机绝缘膜”)。无机绝缘膜当然具有电绝缘性，还优选亲液性高的无机绝缘膜。作为无机绝缘膜的材质的例子包括：硅氧化物(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiON)等。无机绝缘膜的厚度优选是10nm～200nm。
优选的是，无机绝缘膜从隔堤一直延伸到隔堤所规定的区域内(参照图3)。优选的是，无机绝缘膜从隔堤延伸出5～10μm。
在本发明中，在从隔堤延伸出的无机绝缘膜上涂敷包含有功能层(空穴输送层或中间层)的材料的溶液。通过亲液性高的无机绝缘膜，能够将溶液均匀地涂敷于隔堤所规定的整个区域，获得膜厚均匀的功能层。这样，在本发明中，通过将在厚度方向上具有递变的亲液性的隔堤和无机绝缘膜结合，能够获得具有更均匀的厚度的功能层。
如上所述，本发明的有机EL元件具有从隔堤延伸出的无机绝缘膜(任意)，无机绝缘膜的配置位置根据空穴输送层的材质，可以分成以下两种形态。以下，对无机绝缘膜的形状和配置位置，分为两种形态进行说明。
(1)空穴输送层的材质为PEDOT-PSS的情况(参照图3)
本形态的无机绝缘膜以与空穴输送层的底面相接的方式配置在基板上(参照图3)。通过以与空穴输送层的底面相接的方式形成无机绝缘膜，能够使以PEDOT-PSS为材料的空穴输送层的膜厚更加均匀。
(2)空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物的情况(参照图4)
在本形态中，以与中间层的底面相接的方式形成无机绝缘膜(参照图4)。如果以与中间层的底面相接的方式形成无机绝缘膜，则可以将该无机绝缘膜配置在空穴输送层上(图4A)，也可以将该无机绝缘膜配置在基板上(图4B)，也可以将该无机绝缘膜配置在基板之上且空穴输送层之下(图4C)。通过以与中间层的底面相接的方式形成无机绝缘膜，能够使中间层的膜厚更加均匀，所述中间层是在隔堤所规定的区域内涂敷包含有中间层的材料的溶液而形成的。另外，通过在隔堤和空穴输送层之间配置无机绝缘膜(图4A)，提高隔堤与由氧化物构成的空穴输送层的紧密贴合性。
2.关于有机EL显示屏
也可以在一个基板上矩阵状地配置多个本发明的有机EL元件，构成有机EL显示屏(参照图5)。
本发明的有机EL显示屏具有有机EL元件，所述有机EL元件包括：基板、阳极电极、阴极电极以及两电极所夹着的空穴输送层、中间层和发光层。另外，本发明的有机EL显示屏具有隔堤。
本发明的有机EL显示屏基本上具有将上述的有机EL元件矩阵状地配置在基板上的结构，其特征在于：阳极电极、隔堤、空穴输送层、中间层、有机EL层以及阴极电极具有以下的形状。
阳极电极
在有机EL显示屏为无源矩阵(Passive Matrix)型时，线状地形成多个阳极电极。优选的是，线状的阳极电极彼此平行。在有机EL显示屏为有源矩阵(Active Matrix)型时，在基板上矩阵状(各个有机EL元件)地形成多个阳极电极。
隔堤
在基板上线状地形成多根隔堤，在基板上规定线状的区域(参照图5)。优选的是，线状的隔堤彼此平行。另外，在阳极电极为线状时，优选的是，线状的隔堤的线方向与阳极电极的线方向正交。
在线状的隔堤所规定的一个线状的区域内，配置有排成一列的多个有机EL元件。在线状的区域依次涂敷包含有功能层的材料的溶液。以下，将线状的隔堤所规定的线状的区域称为“涂敷区域”。
空穴输送层
在本发明的有机EL显示屏中，对应于各个有机EL元件配置空穴输送层。也就是说，矩阵状地形成空穴输送层(参照图6)。另外，在上述的涂敷区域内形成空穴输送层。
中间层
遍及一个涂敷区域内的多个有机EL元件而配置中间层。也就是说，在涂敷区域内线状地形成中间层。
有机EL层
遍及一个涂敷区域内的多个有机EL元件而配置有机EL层。也就是说，在涂敷区域内线状地形成有机EL层。
适当地选择有机EL材料，以使从各个涂敷区域产生所期望的发色(红色R、绿色G、蓝色B)。例如，在红色像素的旁边配置绿色像素，在绿色像素的旁边配置蓝色像素，在蓝色像素的旁边配置红色像素(参照图5)。
阴极电极
在配置于各个涂敷区域的有机EL层上形成阴极电极即可，但通常在涂敷区域线状地形成阴极电极(参照图5)。通常，线状的隔堤成为阴极电极分离器，以使在彼此相邻的涂敷区域内形成的阴极电极之间不通电。有时也可以不对应于各个涂敷区域分离阴极电极。也就是说，如果像有源矩阵型那样，对应于各个像素电极独立地控制阳极电极，由于驱动像素电极的TFT元件是独立的，所以多个涂敷区域能够共享阴极电极。
本发明的有机EL显示屏也可以具有从隔堤延伸到涂敷区域内的无机绝缘膜。
在空穴输送层的材质为PEDOT-PSS时，配置无机绝缘膜以使其与空穴输送层的底面相接。另外，在空穴输送层的材质为钨氧化物等氧化物时，配置无机绝缘膜以使其与中间层的底面相接。
本发明的有机EL显示屏也可以具有第二隔堤，该第二隔堤在涂敷区域内规定像素区域(参照图7)。这里，像素区域是指一个有机EL元件的开口部。第二隔堤的从基板起的高度可以与线状的隔堤的从基板起的高度相同，但优选第二隔堤的从基板起的高度低于线状的隔堤的从基板起的高度。第二隔堤的从基板起的高度优选是0.1～0.5μm。
第二隔堤的材质如果具有绝缘性，则并不特别限定，但优选绝缘性树脂。此外，第二隔堤的材质可以包含氟树脂也可以不包含氟树脂。因此，第二隔堤的材质可以是非氟素类树脂(非氟素类聚酰亚胺树脂或非氟素类聚丙烯酸树脂等)。
在规定像素区域的第二隔堤上设置有将相邻的像素区域彼此连通的沟槽(参照图7)。沟槽的宽度优选是10～30μm，更优选的是18～22μm。
第二隔堤根据空穴输送层的材质，其配置位置和功能不同。以下，对空穴输送层的材质是PEDOT-PSS时或是钨氧化物等氧化物时，分别说明第二隔堤的配置位置。
(1)空穴输送层的材质是PEDOT-PSS时。
空穴输送层的材质为PEDOT-PSS时，第二隔堤规定空穴输送层的区域。也就是说，空穴输送层的材质为PEDOT-PSS的情况下，第二隔堤具有以下的功能，即，将包含有PEDOT-PSS的溶液涂敷于涂敷区域时，防止溶液侵入到相邻的像素区域，并矩阵状地规定空穴输送层。
(2)空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物时。
空穴输送层的材质是氧化物时，第二隔堤规定中间层以及有机EL层的区域。此时，第二隔堤具有提高成品率的功能。
在本发明的有机EL显示屏的制造过程中，在形成中间层或有机EL层之前，有时在涂敷区域内会粘附有灰尘。如后所述，通过涂敷材料而形成中间层和有机EL层，因此在粘附有灰尘的涂敷区域内涂敷中间层或有机EL层的材料时，所涂敷的材料被灰尘吸引，在涂敷区域内产生没有形成中间层或有机EL层的区域。
另一方面，在涂敷区域内配置了规定多个像素区域的第二隔堤时，第二隔堤阻断所涂敷的中间层或有机EL层的材料被灰尘吸引。由此，即使在涂敷区域粘附有灰尘，在涂敷区域内也难以产生没有形成中间层或有机EL层的区域。因此，规定中间层以及有机EL层的第二隔堤有助于提高成品率。
此外，通过第二隔堤可抑制像素间的电串扰。另外，通过在第二隔堤上设置将像素区域彼此连通的沟槽，包含有中间层或有机EL层的材料的溶液能够在像素区域之间移动，从而在涂敷区域内使所形成的中间层或有机EL层的厚度均匀。
3.关于有机EL显示屏的制造方法
只要不损害本发明的效果，可以采用任何方法制造本发明的有机EL显示屏。此外，优选的是，根据空穴输送层的材质，本发明的有机EL显示屏的制造方法不同。
以下，分别说明空穴输送层的材质是PEDOT-PSS或是钨氧化物等氧化物的情况。
(1)空穴输送层的材质是PEDOT-PSS时。
在空穴输送层的材料是PEDOT-PSS时，优选的是，本发明的有机EL显示屏的制造方法包含以下步骤：<1>在基板上形成阳极电极；<2>以露出所述阳极电极的方式，在基板上形成线状的包含氟树脂的隔堤，规定线状的区域(涂敷区域)；<3>在所述基板上形成矩阵状的空穴输送层；<4>在涂敷区域内形成线状的中间层；<5>在涂敷区域内，形成线状的有机EL层；以及<6>在有机EL层上形成阴极电极。
本制造方法还可以在步骤<1>和步骤<2>之间，包括形成无机绝缘膜的步骤。例如，通过等离子化学气相沉积(CVD)法或溅射法形成无机绝缘膜。
在步骤<1>中，在基板上成膜出导电薄膜，并通过光刻加工或蚀刻加工进行图案化等形成阳极电极即可，并不特别限定其方法。
在步骤<2>中，使用光刻技术或印刷技术形成线状的隔堤。
使用光刻技术形成包含有氟树脂的隔堤时，包含以下的步骤：<a>在形成有阳极电极的基板上，形成包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜；以及<b>对所述膜进行曝光和显像，使所述阳极电极的一部分或全部露出。
在形成有阳极电极的基板面上形成包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜时，例如，对树脂合成物使用旋涂(spin-coating)法、模压涂层(die-coating)法、狭缝涂敷(slit-coating)法等方法，形成由树脂合成物构成的膜，并使形成后的膜干燥即可。干燥条件并不特别限定，放置在80度处2至3分钟即可。
通过对包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜进行曝光以及显像，规定线状的区域(涂敷区域)，露出阳极电极。如上所述，优选的是，使显像后的膜的壁面的形状为图1或图2所示的顺锥状。能够适当地设定曝光或显像的条件来控制壁面的形状。
对显像后的膜进行烘焙处理。可以推测，通过烘焙处理，能够使包含在膜中的氟树脂的氟素成分浮至膜表面。并不特别限定烘焙处理的条件，但是例如温度约为200度以上，时间约为1小时。由此，能够形成具有所期望的亲液性的表面的隔堤。如上所述，如果使壁面的形状为顺锥状，则能够根据隔堤的高度使壁面的亲液性变化。
另一方面，使用印刷技术形成规定图案的包含有氟树脂的树脂膜时，通过凹版印刷或凸版印刷等方法进行印刷即可。
另外，作为本制造方法的例子，也可以在步骤<2>中形成第二隔堤。在本制造方法中，第二隔堤规定空穴输送层。此外，也可以形成具有拨水性的自组装单分子膜(self assembly monolayer(SAM))代替第二隔堤。作为这样的自组装单分子膜的材质的例子包括硅烷偶合剂等。优选的是，自组装单分子膜与第二隔堤同样，规定像素区域。此外，优选的是，自组装单分子膜配置在无机绝缘膜上。形成自组装单分子膜时，也优选将像素区域彼此连通。
可以在形成隔堤后，使用臭氧水(ozone water)洗净涂敷区域内的基板和阳极电极表面。并不限定臭氧水的洗净步骤，但臭氧水的浓度为0.02～20ppm即可。更具体而言，将臭氧水滴入涂敷区域，旋转基板(约为10rpm)。在约二分钟的旋转后，旋转的同时，将水滴入，还滴入异丙醇等进行洗净。
通过用臭氧水进行洗净，不损伤烘焙处理后的隔堤表面，并能够适当地除去粘附在基板和阳极电极表面的隔堤成分。另一方面可知，以往，虽然用紫外线或等离子(例如，氧等离子)照射涂敷区域，提高了其亲液性，但由于紫外线或等离子的照射，有时容易使进行了烘焙处理的隔堤表面损伤，会除去遍及表面分布的氟树脂的氟素成分。因此，本发明优选不进行紫外线或等离子的照射。
这样，通过用臭氧水进行洗净，在涂敷区域的基板或阳极电极表面几乎不残存隔堤成分(即氟树脂)。几乎不残存隔堤成分是指，例如涂敷区域的基板或阳极电极表面的碳原子浓度为20原子％以下，优选的是15原子％以下，更优选的是12原子％以下。另外，优选的是，涂敷区域内的基板或阳极电极表面的氟原子浓度在5原子％以下。除去所层叠的功能层，使基板或阳极电极表面露出，用X-射线光电子能谱分析装置(也称为“XPS”或“ESCA”)测量基板或阳极电极表面的碳原子浓度或氟原子浓度即可。
在步骤<3>中，通过例如喷注法、模压涂层法或凸版印刷法等，涂敷包含有PEDOT-PSS的溶液，形成矩阵状的空穴输送层。在阳极电极上形成空穴输送层。另外，在形成有第二隔堤时，也可以将包含PEDOT-PSS的溶液涂敷在第二隔堤所规定的像素区域内，从而形成矩阵状的空穴输送层。
在步骤<4>中，通过喷注法、模压涂层法或凸版印刷法等，在涂敷区域内形成线状的中间层。
在步骤<5>中，在涂敷区域内，涂敷包含有线状的有机EL材料和溶剂的墨水。使用喷注、分配器分配法(dispenser)、喷嘴涂敷、凹版印刷或凸版印刷等方法进行涂敷即可。通过分配器分配法进行涂敷时，优选的是，通过在要涂敷的线的始端和未端进行反抽(suck back)动作等，控制来自分配器的墨水的排出。使所涂敷的墨水的厚度(涂层膜的厚度)约为1～10μm即可。进而，通过使涂层膜干燥，形成包含有有机EL材料的层。
在步骤<6>中，在有机EL层上形成阴极电极。通过蒸镀法形成阴极电极即可。
(2)空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物时。
在空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物时，优选的是，本发明的有机EL显示屏的制造方法包含以下步骤：<1>在基板上形成阳极电极；<2>在基板上形成矩阵状的空穴输送层；<3>以露出所述空穴输送层的方式，在基板上形成线状的包含氟树脂的隔堤，规定涂敷区域；<4>在涂敷区域内，形成线状的中间层；<5>在涂敷区域内，形成有机EL层；以及<6>在有机EL层上形成阴极电极。
本制造方法也可以在步骤<2>和步骤<3>之间，包括形成无机绝缘膜的步骤。
本制造方法中的、在基板面上形成阳极电极的步骤、形成线状的中间层和有机EL层的步骤、以及形成阴极电极的步骤是与上述(1)的制造方法相同的步骤，以相同的方法进行即可。
在步骤<2>中，在基板上形成由钨氧化物等氧化物构成的矩阵状的空穴输送层。按照以下方式形成矩阵状的空穴输送层即可，即，通过溅射法或加热蒸镀法在基板上形成由钨氧化物等氧化物构成的层后，通过蚀刻等矩阵状地进行图案化。另外，在阳极电极上形成空穴输送层。
在步骤<3>中，在形成有阳极电极和空穴输送层的基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，并使空穴输送层露出。隔堤的形成方法也可以与(1)的制造方法中的隔堤的形成方法相同。
另外，也可以在形成线状的包含有氟树脂的隔堤的同时或在其形成之后，形成第二隔堤。在本制造方法中，第二隔堤规定中间层和有机EL层的区域。另外，也可以形成自组装单分子膜代替第二隔堤。
进而，也可以在形成隔堤后，用臭氧水洗净露出的空穴输送层。用臭氧水进行洗净的方法可以与(1)的制造方法中的用臭氧水进行洗净的方法相同。
通过用臭氧水进行洗净，在涂敷区域的基板或空穴输送层表面几乎不残存隔堤成分(即氟树脂)。几乎不残存隔堤成分是指，例如涂敷区域的基板或空穴输送层表面的碳原子浓度为20原子％以下，优选的是15原子％以下，更优选的是12原子％以下。此外，优选的是，涂敷区域内的基板或空穴输送层表面的氟原子浓度在5原子％以下。除去所层叠的功能层，使基板或空穴输送层表面露出，用X-射线光电子能谱分析装置(也称为“XPS”或“ESCA”)测量基板或空穴输送层表面的碳原子浓度或氟原子浓度即可。
在步骤<4>中，在线状的涂敷区域内形成中间层，在步骤<5>中，在线状的涂敷区域内形成有机EL层。中间层和有机EL层的形成方法可以与(1)的制造方法中的中间层和有机EL层的形成方法相同。
此外，在形成有第二隔堤时，中间层和有机EL层的形成方法包括以下的步骤，即，将包含中间层和有机EL层的材料的溶液涂敷在第二隔堤规定的像素区域。
4.关于有机半导体元件
本发明的有机半导体元件包括：基板、源电极、漏电极以及有机半导体层。
经由间隔可对向配置源电极和漏电极。源电极与漏电极的间隔距离通常是几个μm。并不特别限制源电极和漏电极的材质，其为导电性金属或导电性聚合物等。作为导电性金属的例子包括：钼(Mo)、钨(W)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、金(Au)以及这些金属的合金等。源电极和漏电极也可以是不同种类的金属的多层金属膜。
基板上的源电极和漏电极以及连接两电极间的区域覆盖有半导体层(channel)，所述半导体层包含有机半导体材料。作为有机半导体材料的例子包括：低分子类有机半导体材料、高分子有机半导体材料以及碳纳米管，所述低分子类有机半导体材料为并五苯、并四苯、以及酞菁类化合物等，所述高分子有机半导体材料为聚噻吩或聚亚乙基苯等。优选的是，本发明的有机半导体元件具有高分子类有机半导体材料。
优选的是，将高分子类有机半导体材料涂敷在隔堤所规定的区域内而形成半导体层。
规定半导体层的隔堤的特征在于：与有机EL元件同样地包含氟树脂。本发明的半导体元件中的隔堤的材质也可以与有机EL元件中的隔堤的材质相同。此外，优选的是，沿着隔堤的厚度方向而具有递变的亲液性。也就是说，优选的是，隔堤的上表面的亲液性较低，隔堤的底面的亲液性较高。
如上所述，通过使烘焙处理所形成的隔堤的形状为顺锥状，能够获得沿着隔堤的厚度方向的递变的亲液性。
由此，能够将包含有涂敷在隔堤所规定的区域内的半导体层的材料的墨水适当地一直涂敷到隔堤端，从而能够获得厚度均匀的半导体层。由此，能够改善半导体层的信道特性。
另外，在形成隔堤之后，形成半导体层之前，也可以用臭氧水洗净在隔堤所规定的区域露出的电极和基板。用臭氧水进行洗净的方法也可以与有机EL显示屏的制造方法中的用臭氧水进行洗净的方法相同。通过用臭氧水进行洗净，能够在更洁净的电极表面上形成半导体层。
本发明的有机半导体配置有用于控制有机半导体层即信道的栅电极。栅电极可以是背栅(back gate)电极、可以是顶栅(top gate)电极、也可以是其他类型的栅电极。如果是有机半导体元件，还可以配置用于保护有机半导体层的保护层(overcoat layer)。
[实施方式1]
在实施方式1中对本发明的有机EL元件进行说明。
图2表示了本发明的有机EL元件的例子。图2所示的有机EL元件包括：基板1、阳极电极2、隔堤3、空穴输送层4、中间层5、有机EL层6以及阴极电极7。
如上所述，使有机EL元件为底部发光方式时，优选使基板1和阳极电极2的材质为透明的材质，而使有机EL元件为顶部发光方式时，优选使阴极电极7的材质为透明的材质，并使阳极电极2的材质为光反射性强的材质。
另外，优选的是，将阳极电极2的、与空穴输送层4相接的面的功函数控制为5.1～5.5eV。这是为了易于注入空穴。金属的阳极电极的功函数是指，从电极的表面向其外侧取出一个电子所需的最小能量。
优选的是，空穴输送层4、中间层5以及有机EL层6由高分子类的有机材料构成。这是因为，优选任一层都通过涂敷法形成。
隔堤3的特征在于：包含氟树脂。隔堤3的颜色并不特别限定，也可以为黑色。若使隔堤的颜色是与来自发光层的发光的对比度高的颜色(例如，为黑色)，则能够提高亮度。
如图2所示的隔堤3，其壁面被形成为顺锥状，所以如上所述，隔堤下部的亲液性较高，而且隔堤上部的亲液性较低。进而，对于隔堤3而言，其壁面为顺锥状且有两个拐点。也就是说，隔堤3的对阳极电极2的接触角度趋缓。因此，特别是在要通过涂敷法制作空穴输送层4时，能够将包含有空穴注入材料的墨水适当地一直涂敷到隔堤端，更容易形成具有均匀厚度的层。因此，容易从发光层的整个面发光，提高开口率。
[实施方式2]
在实施方式2中，对有源矩阵型的有机EL显示屏进行说明。此外，在本实施方式中，空穴输送层的材质是PEDOT-PSS。
图5是有源矩阵型的有机EL显示屏的平面图。在图5所示的面板上，配置有线状地形成的多根隔堤3。隔堤3规定涂敷区域10。涂敷区域10被分类为发出红色的光的涂敷区域10R、发出绿色的光的涂敷区域10G以及发出蓝色的光的涂敷区域10B，并被依序配置。以阴极电极7覆盖了涂敷区域10。通过隔堤3，对应于各个涂敷区域10分离阴极电极7。
隔堤3的特征在于：包含氟树脂。隔堤3的顏色并不特别限定，也可以为黑色。若使隔堤的顏色是与来自发光层的发光的对比度高的顏色(例如，为黑色)，则能够提高亮度。另外，虽未图示，但优选的是，隔堤的形状是顺锥状。
图6是除去阴极电极、有机EL层以及中间层后的本实施方式的有源矩阵型的有机EL显示屏的平面图。如图6所示，在第二隔堤3’所规定的像素区域11内配置有空穴输送层4。其结果，在基板1上，矩阵状地配置空穴输送层4。另外，第二隔堤3’具有将像素区域11彼此连通的沟槽。
图7A表示了图5所示的本实施方式的有机EL显示屏的线A-A处的剖面图。图7B表示了图5所示的本实施方式的有机EL显示屏的线B-B处的剖面图。
如图7A所示，配置无机绝缘膜8以使其与空穴输送层4的底面相接。通过无机绝缘膜8，将PEDOT-PSS涂敷在像素区域11而形成空穴输送层4时，使空穴输送层4的膜厚更加均匀。
如图7B所示，空穴输送层4以覆盖阳极电极2的方式独立地配置在各个阳极电极2上。另一方面，遍及涂敷区域10内的多个有机EL元件而配置中间层5和有机EL层6。
[实施方式3]
在实施方式2中，对空穴输送层的材质是PEDOT-PSS的有机EL显示屏进行了说明。在实施方式3中，对空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物的有机EL显示屏进行说明。
本实施方式的有机EL显示屏的平面图与实施方式2的有机EL显示屏的平面图相同。因此，图5也是本实施方式的平面图。
图8A表示了图5所示的本实施方式的有机EL显示屏的线A-A处的剖面图。图8B表示了图5所示的本实施方式的有机EL显示屏的线B-B处的剖面图。
如图8A和图8B所示，除了无机绝缘膜8的配置位置以外，本实施方式的有机EL显示屏与实施方式2的有机EL显示屏相同。因此，对与实施方式2的有机EL显示屏相同的部件标注相同附图标记，并省略说明。
如图8A所示，在本实施方式的有机EL显示屏中，配置了无机绝缘膜8以使其与中间层5的底面相接。在本实施方式中，由于空穴输送层的材质是钨氧化物等氧化物，所以不能通过涂敷法形成空穴输送层。因此，在本实施方式中，无机绝缘膜8实现以下的作用，即，使通过涂敷法形成的中间层5的膜厚均匀。
[实施方式4]
在实施方式4中，对有机半导体元件进行说明。
图9是表示本发明的有机半导体元件的例子。图9所示的有机半导体元件，即“背栅型”的薄膜晶体管，其包括：基板21、背栅电极22、源电极23、漏电极24、隔堤25、有机半导体层26以及保护层27。当然，本发明的有机半导体元件也可以是顶栅式。
隔堤25的特征在于：包含氟树脂。与图2相同，图9所示的隔堤25，其壁面被形成为顺锥状，所以隔堤下部的亲液性较高，而且隔堤上部的亲液性较低。进而，对于隔堤25而言，其壁面为顺锥状且有两个拐点。也就是说，隔堤25的对源电极23和漏电极24的接触角度趋缓。
因此，在要通过涂敷法制作有机半导体层26时，能够将包含有机半导体材料的墨水适当地一直涂敷到隔堤端，更容易形成具有均匀厚度的层，从而能够进行薄膜化。因此，改善有机半导体层26的信道特性(包括移动率的提高和ON/OFF比的提高)。
本申请主张基于2007年5月31日提交的特愿2007-145877的优先权。该申请说明书中所记载的内容，全部引用于本申请说明书。
工业实用性
本发明的有机EL元件使有机功能性层的功能合适地发挥。也就是说，能够使功能性层的厚度保持为一定的厚度，并且抑制了因隔堤成分等杂质所造成的功能低下。本发明的有机器件能够利用为例如有机半导体元件或有机EL元件等。

Claims (20)

1、一种有机电致发光显示屏，包括：
阳极电极，其被配置在基板上；
线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；
空穴输送层，其被矩阵状地配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；
线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；
线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及
阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，
所述隔堤包含氟树脂。
2、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩，
所述有机电致发光显示屏还包括：绝缘性无机膜，其从所述线状的隔堤延伸到所述线状的区域内，并且与所述空穴输送层的底面相接。
3、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合，
所述有机电致发光显示屏还包括：绝缘性无机膜，其从所述线状的隔堤延伸到所述线状的区域内，并且与所述线状的中间层的底面相接。
4、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩，
所述有机电致发光显示屏还包括：第二隔堤，在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，
所述像素区域规定空穴输送层，
所述第二隔堤具有将像素区域彼此连通的沟槽，
所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度。
5、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合，
所述有机电致发光显示屏还包括：第二隔堤，在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，
所述像素区域规定中间层和有机电致发光层，
所述第二隔堤具有将像素区域彼此连通的沟槽，
所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度。
6、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述隔堤沿着所述隔堤的厚度方向而具有递变的氟浓度，
所述隔堤的顶点处的氟浓度高于所述隔堤的底面处的氟浓度。
7、如权利要求6所述的有机器件，其中，
所述隔堤的顶点处的氟浓度是5～10原子％，所述树脂隔堤的底面处的氟浓度是0～3原子％。
8、如权利要求1所述的有机电致发光显示屏，其中，
所述隔堤是顺锥状。
9、一种有机电致发光显示屏的制造方法，包括以下的步骤：
在基板上形成阳极电极；
以露出所述阳极电极的方式，在基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，规定线状的区域；
在所述基板上形成矩阵状的空穴输送层；
在所述线状的区域内形成线状的中间层；
在所述线状的区域内通过喷注、分配器分配法、喷嘴涂敷、凹版印刷或凸版印刷线状地涂敷包含有有机电致发光材料和溶剂的墨水，形成线状的有机电致发光层；以及
在所述有机电致发光层上形成阴极电极，
所述空穴输送层的材质包括聚亚乙基二氧噻吩。
10、如权利要求9所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
在所述基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，包括以下的步骤：
在基板上形成包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜；
对所述包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜进行曝光以及显像，使所述阳极电极的一部分或全部露出；以及
对所述包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜进行烘焙。
11、如权利要求9所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括：用臭氧水对所述露出的阳极电极进行洗净的步骤。
12、如权利要求9所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括以下步骤：形成第二隔堤，所述第二隔堤在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，并且具有将所述像素区域彼此连通的沟槽，
所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度，
所述形成矩阵状的空穴输送层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有聚亚乙基二氧噻吩的溶液的步骤。
13、如权利要求9所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括以下步骤：形成自组装单分子膜，所述自组装单分子膜在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，
所述形成矩阵状的空穴输送层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有聚亚乙基二氧噻吩的溶液的步骤。
14、一种有机电致发光显示屏的制造方法，包括以下的步骤：
在基板上形成阳极电极；
在所述基板上形成矩阵状的空穴输送层；
以露出所述空穴输送层的方式，在基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，规定线状的区域；
在所述线状的区域内形成线状的中间层；
在所述线状的区域内通过喷注、分配器分配法、喷嘴涂敷、凹版印刷或凸版印刷线状地涂敷包含有有机电致发光材料和溶剂的墨水，形成线状的有机电致发光层；以及
在所述有机电致发光层上形成阴极电极，
所述空穴输送层的材质包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、钒氧化物(VOx)、或者这些氧化物的组合。
15、如权利要求14所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
所述在基板上形成线状的包含有氟树脂的隔堤，包含以下的步骤：
在基板上形成包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜；
对所述包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜进行曝光以及显像，使所述空穴输送层的一部分或全部露出；以及
对所述包含有氟树脂的感光性树脂合成物的膜进行烘焙。
16、如权利要求14所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括以下步骤：用臭氧水对所述露出的空穴输送层进行洗净。
17、如权利要求14所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括以下步骤：形成第二隔堤，所述第二隔堤在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，并且具有将所述像素区域彼此连通的沟槽，
所述第二隔堤的从基板起的高度低于所述线状的隔堤的从基板起的高度，
所述形成中间层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有所述中间层的材料的溶液的步骤，
所述形成有机电致发光层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有有机电致发光材料和溶剂的墨水的步骤。
18、如权利要求14所述的有机电致发光显示屏的制造方法，其中，
还包括以下步骤：形成自组装单分子膜，所述自组装单分子膜在所述线状的区域内规定两个以上的像素区域，
所述形成中间层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有所述中间层的材料的溶液的步骤，
所述形成有机电致发光层的步骤包括在所述像素区域内涂敷包含有有机电致发光材料和溶剂的墨水的步骤。
19、一种有机电致发光元件，包括：
基板；
形成在所述基板上的阳极电极；
形成在所述阳极电极上的有机电致发光层；以及
规定所述有机电致发光层的区域的隔堤，
所述隔堤包含氟树脂，沿着所述隔堤的厚度方向具有递变的氟浓度，所述隔堤的顶点处的氟浓度高于所述隔堤的底面处的氟浓度。
20、如权利要求19所述的有机元件，其中，所述隔堤的顶点处的氟浓度是5～10原子％，所述树脂隔堤的底面处的氟浓度是0～3原子％。
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WO (1) WO2008149498A1 (zh)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102292816A (zh) * 2010-04-13 2011-12-21 松下电器产业株式会社 有机半导体装置及其制造方法
US8530922B2 (en) 2009-12-04 2013-09-10 Panasonic Corporation Organic EL device and method for manufacturing same
CN103311269A (zh) * 2013-05-29 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素限定结构及其制作方法
CN103346123A (zh) * 2013-06-28 2013-10-09 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN103367391A (zh) * 2013-06-28 2013-10-23 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN103503124A (zh) * 2011-06-21 2014-01-08 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置
CN103503153A (zh) * 2011-06-21 2014-01-08 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
CN104377311A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 剑桥显示技术有限公司 疏水围堰
CN104377312A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 剑桥显示技术有限公司 膜轮廓
CN104409647A (zh) * 2014-11-14 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置
CN106105398A (zh) * 2014-03-31 2016-11-09 住友化学株式会社 附隔板的基板
US9716208B2 (en) 2012-12-21 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN107665916A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN107771358A (zh) * 2015-06-12 2018-03-06 默克专利有限公司 具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件
CN108198845A (zh) * 2018-01-10 2018-06-22 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
CN108428719A (zh) * 2018-03-16 2018-08-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层的制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
CN108573998A (zh) * 2018-04-19 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置
US10333066B2 (en) 2013-06-28 2019-06-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate and display device
CN110164931A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置
CN110350009A (zh) * 2019-07-04 2019-10-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110556401A (zh) * 2018-06-01 2019-12-10 创王光电股份有限公司 发光元件
CN110993807A (zh) * 2019-11-11 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管、制备方法及显示装置
CN112164708A (zh) * 2020-09-16 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板制备方法和oled显示面板
US10903280B2 (en) 2018-09-13 2021-01-26 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel, method for fabricating the same, and display device
US11251244B2 (en) 2018-06-01 2022-02-15 Int Tech Co., Ltd. Light-emitting device
CN114335132A (zh) * 2015-07-22 2022-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8503650B2 (en) 2001-02-27 2013-08-06 Verizon Data Services Llc Methods and systems for configuring and providing conference calls
US8761363B2 (en) 2001-02-27 2014-06-24 Verizon Data Services Llc Methods and systems for automatic forwarding of communications to a preferred device
US8751571B2 (en) 2001-02-27 2014-06-10 Verizon Data Services Llc Methods and systems for CPN triggered collaboration
EP2151868B1 (en) * 2007-05-28 2017-08-09 Joled Inc. Organic el device and display apparatus
CN101543136B (zh) * 2007-05-30 2012-05-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示屏和其制造方法
EP2141964B1 (en) * 2007-05-31 2011-09-07 Panasonic Corporation Organic EL element and manufacturing method thereof
GB2455747B (en) * 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
JP4439589B2 (ja) * 2007-12-28 2010-03-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
JP4495781B2 (ja) * 2008-06-06 2010-07-07 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP5125886B2 (ja) * 2008-08-26 2013-01-23 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US8570252B2 (en) * 2008-12-18 2013-10-29 Panasonic Corporation Organic EL light emitting device
JP5564794B2 (ja) * 2009-01-05 2014-08-06 株式会社リコー 回路基板、アクティブマトリクス回路基板及び画像表示装置
CN102308409B (zh) * 2009-02-05 2015-01-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光装置
WO2010092796A1 (ja) * 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法
WO2010092798A1 (ja) * 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 発光素子の製造方法と発光素子、および発光装置の製造方法と発光装置
JP5513415B2 (ja) * 2009-02-10 2014-06-04 パナソニック株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
JP4846873B2 (ja) * 2009-06-11 2011-12-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイ
JP2011009639A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP4951151B2 (ja) 2009-06-29 2012-06-13 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル
JP5437736B2 (ja) 2009-08-19 2014-03-12 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子
JP5343815B2 (ja) * 2009-11-11 2013-11-13 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
WO2011070680A1 (ja) * 2009-12-11 2011-06-16 パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル及びその製造方法
GB0921707D0 (en) * 2009-12-11 2010-01-27 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices
CN102576815B (zh) * 2010-03-17 2015-12-16 柯尼卡美能达控股株式会社 有机电子器件及其制造方法
WO2011158291A1 (ja) * 2010-06-16 2011-12-22 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法
CN102473847B (zh) 2010-06-24 2015-01-14 松下电器产业株式会社 有机el元件、显示装置以及发光装置
WO2011161727A1 (ja) 2010-06-24 2011-12-29 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法、表示装置、発光装置および紫外光照射装置
JP5471937B2 (ja) * 2010-07-27 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
WO2012014256A1 (ja) 2010-07-30 2012-02-02 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子
WO2012017487A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
WO2012017486A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子の製造方法
JP5677431B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置および発光装置
CN103038909B (zh) 2010-08-06 2015-07-29 株式会社日本有机雷特显示器 有机el元件及其制造方法
JP5612693B2 (ja) 2010-08-06 2014-10-22 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP5677434B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子
JP5620495B2 (ja) 2010-08-06 2014-11-05 パナソニック株式会社 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法
JP5677437B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子
JP5574456B2 (ja) 2010-08-06 2014-08-20 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
WO2012017492A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
WO2012017489A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置および発光装置
JP5612692B2 (ja) 2010-08-06 2014-10-22 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP5677436B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子
CN103038908B (zh) 2010-08-06 2016-01-06 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法
WO2012017490A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置および発光装置
WO2012073269A1 (ja) 2010-11-29 2012-06-07 パナソニック株式会社 有機elパネル、有機elパネルの製造方法、有機elパネルを用いた有機発光装置、及び有機elパネルを用いた有機表示装置
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
JP5884224B2 (ja) 2011-02-23 2016-03-15 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
JP5919807B2 (ja) 2011-03-30 2016-05-18 ソニー株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置
JP5096648B1 (ja) * 2011-04-22 2012-12-12 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
JPWO2012153445A1 (ja) 2011-05-11 2014-07-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置
WO2012168974A1 (ja) 2011-06-08 2012-12-13 パナソニック株式会社 発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム
JP2011181529A (ja) * 2011-06-20 2011-09-15 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ装置の製造方法
JP5793569B2 (ja) * 2011-07-15 2015-10-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子の製造方法
US8878176B2 (en) * 2011-08-11 2014-11-04 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal-oxide based thin-film transistors with fluorinated active layer
WO2013073086A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
CN103370776B (zh) 2011-11-14 2016-10-12 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件、以及有机el显示装置
WO2013073090A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
JPWO2013073088A1 (ja) 2011-11-14 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
JPWO2013073089A1 (ja) 2011-11-14 2015-04-02 パナソニック株式会社 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ｅｌ表示素子、および有機ｅｌ表示装置
CN103987664B (zh) 2011-12-06 2017-03-08 德尔塔阀门公司 龙头中的臭氧分配
WO2013111300A1 (ja) * 2012-01-26 2013-08-01 パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP6040441B2 (ja) * 2012-02-22 2016-12-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 機能膜の塗布装置とこれを用いる製造方法
JP5377705B2 (ja) * 2012-04-24 2013-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ装置の製造方法
WO2013190661A1 (ja) * 2012-06-20 2013-12-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP5932512B2 (ja) 2012-06-21 2016-06-08 東京応化工業株式会社 バンク形成用感光性樹脂組成物、バンク、及びバンクの形成方法
KR101939366B1 (ko) 2012-09-11 2019-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140064328A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
GB2514401B (en) * 2013-05-23 2017-08-23 Cambridge Display Tech Ltd Inkjet Devices
KR102088429B1 (ko) * 2013-10-11 2020-03-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2015072063A1 (ja) * 2013-11-12 2015-05-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法及び有機ｅｌ表示装置
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
KR20160047673A (ko) 2014-10-22 2016-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
JP2016091841A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイスと有機表示装置
JP6500311B2 (ja) 2014-12-12 2019-04-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光デバイス
JP6492713B2 (ja) * 2015-02-05 2019-04-03 王子ホールディングス株式会社 Ｅｌ表示装置
CN104779268B (zh) * 2015-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN104795429B (zh) * 2015-04-13 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
KR102467775B1 (ko) * 2015-07-20 2022-11-16 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판, 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN105118835A (zh) * 2015-07-22 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
JP2017054723A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 住友化学株式会社 バンク付き基板
WO2017112795A1 (en) 2015-12-21 2017-06-29 Delta Faucet Company Fluid delivery system including a disinfectant device
JP6688701B2 (ja) * 2016-08-10 2020-04-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102471270B1 (ko) 2016-08-17 2022-11-25 메르크 파텐트 게엠베하 뱅크 구조들을 가진 전자 디바이스
CN106449717B (zh) * 2016-11-14 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件基板、显示装置及制造方法
KR102525822B1 (ko) 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
JP7013218B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-31 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ装置
JP6805221B2 (ja) * 2017-12-15 2020-12-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および、その製造方法
DE102018209024B4 (de) 2018-06-07 2021-08-19 Infineon Technologies Ag Vorrichtung mit einer von einer Rahmenstruktur begrenzten Funktionsstruktur und Verfahren zum Herstellen derselben
JP7175168B2 (ja) 2018-11-29 2022-11-18 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、パターン化された硬化膜の製造方法、及びパターン化された硬化膜
KR20200134368A (ko) 2019-05-21 2020-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US11114515B2 (en) * 2019-07-23 2021-09-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof
KR102206329B1 (ko) * 2020-02-13 2021-01-21 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102877611B1 (ko) * 2020-05-15 2025-10-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
US20210367195A1 (en) * 2020-05-19 2021-11-25 Xianyang Caihong Optoelectronics Technology Co.,Ltd Method for encapsulating oled, oled device and display device
JP7511183B2 (ja) * 2020-09-17 2024-07-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 機能デバイス、および、機能デバイスの製造方法
KR102889237B1 (ko) 2022-03-10 2025-11-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널의 제조 방법

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US6790587B1 (en) * 1999-05-04 2004-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
KR20020012206A (ko) 1999-05-04 2002-02-15 메리 이. 보울러 플루오르화 중합체, 포토레지스트 및 마이크로리소그래피방법
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
JP2002237383A (ja) 2000-03-31 2002-08-23 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP2001286833A (ja) 2000-04-10 2001-10-16 Toppan Printing Co Ltd 洗浄装置及びカラーフィルタの製造方法
JP2002289357A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
WO2002099477A1 (fr) * 2001-06-01 2002-12-12 Seiko Epson Corporation Filtre colore et dispositif electro-optique
JP4865165B2 (ja) * 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003082042A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Jsr Corp 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。
JP2003086372A (ja) 2001-09-10 2003-03-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
DE10157945C2 (de) * 2001-11-27 2003-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektrolumineszierenden Displays sowie ein organisches, elektrolumineszierendes Display
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
GB0207134D0 (en) * 2002-03-27 2002-05-08 Cambridge Display Tech Ltd Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained
KR100537611B1 (ko) * 2002-04-10 2005-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법
KR100508002B1 (ko) * 2002-09-03 2005-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법
JP2004146796A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2005052835A (ja) 2002-09-30 2005-03-03 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、及び薄膜トランジスタ
US7219978B2 (en) * 2002-11-18 2007-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ink jet bank substrates with channels
US7063994B2 (en) * 2003-07-11 2006-06-20 Organic Vision Inc. Organic semiconductor devices and methods of fabrication including forming two parts with polymerisable groups and bonding the parts
JP4331771B2 (ja) 2003-08-06 2009-09-16 花王株式会社 エアゾール化粧料
JP2006114477A (ja) * 2003-09-26 2006-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法、および電子機器
KR101286219B1 (ko) * 2003-09-26 2013-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자의 제조방법
KR100993826B1 (ko) * 2003-11-19 2010-11-12 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
EP1695396B1 (en) * 2003-12-16 2009-06-03 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
JP2005235569A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、及び電子機器
JP2006060023A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及びエレクトロルミネッセンス装置の製造方法ならびに電子機器
JP4587458B2 (ja) 2004-12-13 2010-11-24 キヤノン株式会社 光学素子の製造方法
KR101030008B1 (ko) * 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
JP4466594B2 (ja) * 2005-03-30 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
JP2006330418A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Seiko Epson Corp 画素電極とその形成方法、電気光学装置、及び電子機器
US8334057B2 (en) * 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP4789706B2 (ja) * 2005-06-08 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器
JP5011667B2 (ja) * 2005-07-20 2012-08-29 凸版印刷株式会社 印刷物及びその製造方法
KR101209046B1 (ko) 2005-07-27 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
DE112006002220B4 (de) * 2005-08-23 2018-05-24 Cambridge Display Technology Ltd. Organische elektronische Vorrichtungsstrukturen und Herstellungsverfahren
JP2007095606A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、その製造方法、及び電子機器
US20080012480A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
EP2141964B1 (en) * 2007-05-31 2011-09-07 Panasonic Corporation Organic EL element and manufacturing method thereof
US8154032B2 (en) * 2007-07-23 2012-04-10 Seiko Epson Corporation Electrooptical device, electronic apparatus, and method for producing electrooptical device
JP4495781B2 (ja) * 2008-06-06 2010-07-07 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法

Cited By (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8530922B2 (en) 2009-12-04 2013-09-10 Panasonic Corporation Organic EL device and method for manufacturing same
CN102292816A (zh) * 2010-04-13 2011-12-21 松下电器产业株式会社 有机半导体装置及其制造方法
CN102292816B (zh) * 2010-04-13 2015-01-14 松下电器产业株式会社 有机半导体装置及其制造方法
CN103503124B (zh) * 2011-06-21 2016-06-01 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置
CN103503124A (zh) * 2011-06-21 2014-01-08 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置
CN103503153A (zh) * 2011-06-21 2014-01-08 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置
CN103503153B (zh) * 2011-06-21 2016-09-21 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件和有机el显示装置
US9716208B2 (en) 2012-12-21 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN103311269A (zh) * 2013-05-29 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素限定结构及其制作方法
US10446622B2 (en) 2013-05-29 2019-10-15 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED pixel defining structure with at least two intercommunicated sub-pixel defining zones of same color, manufacturing method thereof and array substrate
CN103367391A (zh) * 2013-06-28 2013-10-23 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
US10333066B2 (en) 2013-06-28 2019-06-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate and display device
CN103346123B (zh) * 2013-06-28 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN103367391B (zh) * 2013-06-28 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层的制作方法
CN103346123A (zh) * 2013-06-28 2013-10-09 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置
CN104377312A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 剑桥显示技术有限公司 膜轮廓
CN104377311A (zh) * 2013-08-16 2015-02-25 剑桥显示技术有限公司 疏水围堰
CN104377311B (zh) * 2013-08-16 2018-10-16 剑桥显示技术有限公司 疏水围堰
CN104377312B (zh) * 2013-08-16 2018-06-26 剑桥显示技术有限公司 膜轮廓
CN106105398B (zh) * 2014-03-31 2018-06-29 住友化学株式会社 附隔板的基板
CN106105398A (zh) * 2014-03-31 2016-11-09 住友化学株式会社 附隔板的基板
TWI668890B (zh) * 2014-03-31 2019-08-11 日商住友化學股份有限公司 附間隔壁的基板
CN104241329A (zh) * 2014-08-22 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法
US9466650B2 (en) 2014-08-22 2016-10-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel with pixel defining layer and manufacturing method of pixel defining layer
CN104409647A (zh) * 2014-11-14 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元及其制作方法、发光器件、显示装置
US9911795B2 (en) 2014-11-14 2018-03-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel unit and method of manufacturing the same, light emitting device and display device
CN107771358A (zh) * 2015-06-12 2018-03-06 默克专利有限公司 具有含氟聚合物台架结构的有机电子器件
CN114335132A (zh) * 2015-07-22 2022-04-12 三星显示有限公司 有机发光显示装置
CN107665916A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN107665916B (zh) * 2016-07-29 2023-08-11 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US11469374B2 (en) 2016-07-29 2022-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
CN108198845A (zh) * 2018-01-10 2018-06-22 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置
CN108428719A (zh) * 2018-03-16 2018-08-21 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层的制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
CN108428719B (zh) * 2018-03-16 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层的制作方法、显示基板及制作方法、显示装置
US10964758B2 (en) 2018-04-19 2021-03-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel unit, display panel, display device and method of manufacturing pixel unit
CN108573998B (zh) * 2018-04-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置
CN108573998A (zh) * 2018-04-19 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法、显示装置
US11251244B2 (en) 2018-06-01 2022-02-15 Int Tech Co., Ltd. Light-emitting device
US10581011B2 (en) 2018-06-01 2020-03-03 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device with different light emitting material overlapping width
CN110556401A (zh) * 2018-06-01 2019-12-10 创王光电股份有限公司 发光元件
TWI689117B (zh) * 2018-06-01 2020-03-21 創王光電股份有限公司 發光元件
CN110556401B (zh) * 2018-06-01 2022-07-26 台州观宇科技有限公司 发光元件
US10903280B2 (en) 2018-09-13 2021-01-26 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel, method for fabricating the same, and display device
CN110164931A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置
CN110164931B (zh) * 2019-05-23 2021-03-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、其制造方法及显示装置
US11825699B2 (en) 2019-05-23 2023-11-21 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED with a shape memory alloy bottom electrode, method for manufacturing the same, and display apparatus including the OLED
CN110350009A (zh) * 2019-07-04 2019-10-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110993807B (zh) * 2019-11-11 2022-08-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管、制备方法及显示装置
CN110993807A (zh) * 2019-11-11 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管、制备方法及显示装置
CN112164708B (zh) * 2020-09-16 2022-07-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板制备方法和oled显示面板
CN112164708A (zh) * 2020-09-16 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板制备方法和oled显示面板

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US20110140596A1 (en) 2011-06-16
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JP4336742B2 (ja) 2009-09-30
JP2009117391A (ja) 2009-05-28
JP4362147B2 (ja) 2009-11-11
JP2009200062A (ja) 2009-09-03
JP2009123714A (ja) 2009-06-04
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JP2009117390A (ja) 2009-05-28
US7710029B2 (en) 2010-05-04
EP2077698B1 (en) 2011-09-07

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