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WO2012017492A1 - 発光素子とその製造方法、および発光装置 - Google Patents

発光素子とその製造方法、および発光装置 Download PDF

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WO2012017492A1
WO2012017492A1 PCT/JP2010/004963 JP2010004963W WO2012017492A1 WO 2012017492 A1 WO2012017492 A1 WO 2012017492A1 JP 2010004963 W JP2010004963 W JP 2010004963W WO 2012017492 A1 WO2012017492 A1 WO 2012017492A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
bank
light emitting
injection layer
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/004963
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English (en)
French (fr)
Inventor
孝之 竹内
誠司 西山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
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Priority to JP2012527470A priority patent/JP5658256B2/ja
Publication of WO2012017492A1 publication Critical patent/WO2012017492A1/ja
Priority to US13/739,384 priority patent/US8921838B2/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element utilizing an electroluminescence phenomenon of an organic material, a method for manufacturing the same, and a light emitting device.
  • organic electroluminescence elements (hereinafter referred to as “organic EL elements”) that are being researched and developed are light-emitting elements that utilize the electroluminescence phenomenon of organic materials.
  • An organic EL element has a configuration in which an organic light emitting layer is interposed between an anode and a cathode. Holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode, so that holes and A device from which light is extracted by recombination with electrons. Note that the shape of the light emitting layer is defined by a bank made of an insulating material.
  • a hole injection layer is interposed between the anode and the organic light emitting layer, if necessary, and for example, an electron injection layer is interposed between the cathode and the organic light emitting layer, if necessary.
  • charge injection layer the hole injection layer and the electron injection layer are collectively referred to as “charge injection layer”.
  • the charge injection layer is formed using a conductive polymer material such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) represented by [Chemical Formula 1] (see Patent Document 1 and the like). .
  • PEDOT a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid
  • the present invention has been made in view of the above-described demands, and even when a metal oxide is applied as a charge injection layer, a light-emitting element capable of achieving high light emission characteristics and long life, and its An object is to provide a manufacturing method and a light-emitting device.
  • a stacked body of at least a charge injection layer, a charge transport layer, and a light-emitting layer is interposed between the first electrode and the second electrode, and the shape of the light-emitting layer
  • the first electrode is a metal layer that remains unoxidized in a layer that includes one surface side portion that is oxidized and a portion that remains unoxidized.
  • the charge injection layer is an oxidized metal oxide layer, and is formed in a recessed structure with an upper surface sinking in a region defined by the bank, and the edge of the recess of the charge injection layer is The charge transport layer is covered with a part of the bank, and an edge of the charge transport layer is formed above the sinked portion of the recess of the charge injection layer covered with a part of the bank.
  • the edge of the recessed portion of the recessed structure in the charge injection layer is covered with a part of the bank, and electric field concentration on the edge of the recessed portion of the recessed structure is suppressed during light emission. Can do. Therefore, in the light-emitting element according to one embodiment of the present invention, the light emission characteristics and the life characteristics can be further improved.
  • FIG. 6 is an end view used for explaining a process of obtaining one embodiment of the present invention.
  • 1 is a block diagram schematically showing an overall configuration of a display device 1 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is an end view schematically showing a main part of the display panel 10 in the display device 1.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the shape of a bank 104 in the display device 1.
  • FIG. It is an enlarged end view which expands and shows the A section in FIG.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a part of process in manufacturing the display device 1.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a part of process in manufacturing the display device 1.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a part of process in manufacturing the display device 1.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a part of process in manufacturing the display device 1.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a part of process in manufacturing the display device 1.
  • FIG. 1 is a block diagram schematically showing an overall configuration
  • FIG. 6 is an end view showing an enlarged main part of an organic EL element 110 according to Embodiment 2.
  • FIG. 10 is an end view showing an enlarged main part of an organic EL element 120 according to Embodiment 3.
  • FIG. 10 is an end view schematically showing some steps in the manufacture of an organic EL element 120 according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is an end view schematically showing a main part of an organic EL element 130 according to Embodiment 4.
  • FIG. 10 is an end view schematically showing a main part of an organic EL element 140 according to Embodiment 5. It is an end view which shows typically a part of process in manufacture of the organic EL element which concerns on a modification. It is a schematic plan view which shows the form of the line bank 65 which concerns on a modification.
  • 1 is an external perspective view showing an external appearance of a display device 1.
  • FIG. 10 is an end view showing an enlarged main part of an organic EL element 120 according to Embodiment 3.
  • FIG. 10 is an end view
  • FIG. 1 is an end view showing a part of the manufacturing process of the organic EL display.
  • an anode 902 As shown in FIG. 1A, an anode 902, a hole injection layer 903, and a bank 904 are formed on a TFT substrate 901.
  • the anode 902 has a stacked structure in which an anode base layer 9021 and ITO (indium tin oxide) 9022 are stacked in this order from the surface side of the TFT substrate 901.
  • ITO indium tin oxide
  • a hole transport layer 905A, an organic light emitting layer 905B, an electron injection layer 906, a cathode 907, and a sealing layer 908 are sequentially stacked on the hole injection layer 903.
  • a recess 903a is formed on the upper surface of the hole injection layer 903 in the bank 904 formation process (see FIG. 1A).
  • the organic light emitting layer 905B is formed in a state where the concave portion 903a is formed in the hole injection layer 903 (see FIG. 1B)
  • the concave portion of the concave portion 903a is emitted during the light emission of the organic EL display.
  • a phenomenon occurs in which the electric field concentrates in the vicinity of the edge 903c (see FIG. 1A).
  • a current may flow locally to the organic light emitting layer 905B via the hole transport layer 905A, and this local current flow causes a short life due to uneven brightness in the light emitting surface and local deterioration. Problem arises.
  • the present inventors have covered the recess edge when a metal oxide is applied as a hole injection layer with a part of the bank, thereby the vicinity of the recess edge during light emission. As a result, it was possible to conceive the technical feature of suppressing the generation of a local current flow in the organic light emitting layer through the hole transport layer. .
  • a stacked body of at least a charge injection layer, a charge transport layer, and a light-emitting layer is interposed between the first electrode and the second electrode, and the shape of the light-emitting layer
  • the first electrode is a metal layer that remains unoxidized in a layer that includes one surface side portion that is oxidized and a portion that remains unoxidized.
  • the charge injection layer is an oxidized metal oxide layer, and is formed in a recessed structure with an upper surface sinking in a region defined by the bank, and the edge of the recess of the charge injection layer is The charge transport layer is covered with a part of the bank, and an edge of the charge transport layer is formed above the sinked portion of the recess of the charge injection layer covered with a part of the bank.
  • the edge of the concave portion of the concave structure in the charge injection layer is covered with a part of the bank, and the bank is made of an insulating material. Electric field concentration on the edge of the recess can be suppressed. Therefore, in the light-emitting element according to one embodiment of the present invention, local current can be suppressed from flowing to the light-emitting layer through the charge transport layer.
  • the charge transport layer is in contact with a covering portion that covers an edge of the concave portion of the charge injection layer in the bank.
  • the charge transport layer includes the depressed portion of the concave portion of the charge injection layer in the region defined by the bank and the concave portion of the charge injection layer in the bank. It is formed in the area
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the metal oxide layer is eroded by a liquid used when a bank is formed. As described above, when the metal oxide layer is eroded by the liquid used at the time of bank formation, a charge injection layer having a recessed structure is formed as described above. By adopting a configuration in which the edge of the recess is covered with a part of the bank, it is possible to suppress a local current from flowing through the light emitting layer.
  • a part of the bank reaches the bottom surface of the recess in the recessed structure of the charge injection layer, and the side surface of the bank extends to the bottom surface of the recess in the charge injection layer. It is characterized by an upward slope from the arrival point to the apex.
  • a printing technique such as an ink jet method
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, a part of the bank does not reach the bottom surface of the concave portion in the concave structure of the charge injection layer. In the case of adopting such a configuration, it is not necessary to allow the bank material to enter the bottom of the recess, and the heat treatment temperature can be lowered and the heat treatment time can be shortened.
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the first electrode has a single-layer structure or a stacked structure including at least the metal layer. As described above, the above-described configuration can be employed for elements having various structures.
  • the first electrode in the above structure, includes a lower layer having a visible light reflectance of 60% or more and an upper layer that is the metal layer provided over the lower layer. It is the laminated structure which has these. With such a configuration, a highly reflective metal can be used as the lower layer independently of the upper layer formed of the metal oxide layer to be oxidized. Therefore, the range of material selection for each layer is widened, and in particular, it is possible to more easily optimize the performance as a top emission type organic EL element.
  • the light-emitting element has the above structure, in which the first electrode is provided on a lower layer that is an alloy containing at least one of aluminum and silver; and on the lower layer, molybdenum, chromium, vanadium, It is a laminated structure having an upper layer that is the metal layer containing at least one of tungsten, nickel, and iridium.
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the thickness of the metal layer in the first electrode is 20 [nm] or less. With such a configuration, it is possible to effectively suppress a decrease in reflectance due to the upper layer, that is, attenuation of light emission of the top emission type organic EL element, and it is possible to make maximum use of the high reflectance of the lower layer.
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the light-emitting layer is an organic EL layer.
  • the light-emitting element according to one embodiment of the present invention can be characterized in that, in the above structure, the charge injection layer extends to the side of the bank along the bottom surface of the bank.
  • the edge of the recess in the charge injection layer is a convex corner portion formed by a region that is not recessed in the upper surface of the charge injection layer and the side surface of the recess. It can also be characterized.
  • a light-emitting device includes a plurality of the light-emitting elements described above.
  • a stacked body of at least a charge injection layer, a charge transport layer, and a light-emitting layer is interposed between a first electrode and a second electrode, and the light emission
  • a method of manufacturing a light-emitting element having a bank that defines a shape of a layer, the first step of forming a metal layer, and a metal by oxidizing one (on the light-emitting layer side) surface side portion of the metal layer The second step of forming the oxide layer, the third step of forming the bank material layer made of the material constituting the bank on the metal oxide layer, and removing the part of the bank material layer, the corresponding region And removing the metal oxide layer in the second step to expose a portion of the metal layer remaining unoxidized in the second step, and oxidizing the exposed surface of the metal layer to form the corresponding region.
  • a charge injection layer made of a metal oxide layer is formed
  • a fifth step in which the metal layer remaining unoxidized is the first electrode
  • the charge injection layer is made of a material that is eroded by the liquid used when removing a part of the bank material layer, and is exposed in a corresponding region where the charge injection layer is removed.
  • the surface is formed in a recessed structure that sinks from the level of the bottom surface of the remaining portion of the bank material layer due to the erosion of the liquid.
  • the remaining portion of the bank material layer is given fluidity, thereby
  • the charge transport layer is extended to the edge of the recess of the recess structure, and the charge injection layer of the charge injection layer covered with a part of the bank material layer is formed in the seventh step. It is formed above the exposed surface of the recess.
  • the method for manufacturing a light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the oxidation in the fifth step is either natural oxidation by exposure to the atmosphere or oxidation by oxidation treatment.
  • the method for manufacturing a light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the oxidation in the fifth step is natural oxidation by exposure to the atmosphere. In the case of such a configuration, a process for oxidation is not particularly required, which is effective from the viewpoint of production efficiency.
  • the method for manufacturing a light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the first electrode has a single-layer structure or a stacked structure.
  • a lower layer having a visible light reflectance of 60% or more is prepared in the first step, and the metal layer is formed on the lower layer. It is characterized by forming.
  • the first electrode has a stacked structure including the lower layer and the upper layer made of the metal layer stacked on the lower layer.
  • a metal having high reflectance can be used as the lower layer independently of the upper layer formed of the metal oxide layer to be oxidized. Therefore, the range of material selection for each layer is widened, and in particular in the manufacture of top emission type organic EL elements, the performance can be optimized more easily.
  • a lower layer that is an alloy containing at least one of aluminum and silver is prepared, and molybdenum, chromium is formed on the lower layer.
  • the metal layer containing at least one of vanadium, tungsten, nickel, and iridium is formed.
  • the first electrode has a laminated structure having a lower layer made of an alloy containing at least one of aluminum and silver and an upper layer made of the metal layer laminated on the lower layer. It becomes.
  • the method for manufacturing a light-emitting element according to one embodiment of the present invention is characterized in that, in the above structure, the thickness of the metal layer of the first electrode is 20 [nm] or less. With such a configuration, it is possible to effectively suppress a decrease in reflectivity due to the upper layer, that is, attenuation of light emission of the top emission type organic EL element, and to maximize the high reflectivity of the lower layer.
  • the display device 1 includes a display panel unit 10 and a drive control unit 20 connected to the display panel unit 10.
  • the display panel unit 10 is an organic EL panel using an electroluminescence phenomenon of an organic material, and a plurality of organic EL elements are arranged and configured.
  • the drive control unit 20 includes four drive circuits 21 to 24 and a control circuit 25.
  • the arrangement of the drive control unit 20 with respect to the display panel unit 10 is not limited to this.
  • the display panel 10 includes organic EL elements 100a, 100b, and 100c each having an organic light emitting layer having an emission color of red (R), green (G), or blue (B) in a matrix. Arranged and configured.
  • the display panel 10 is a top emission type organic EL display.
  • An anode 102 is formed on a TFT substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) 101, and a hole injection layer 103 is laminated on the anode 102.
  • the anode 102 has a laminated structure in which an anode base layer 1021, ITO (indium tin oxide) 1022, and an anode metal layer 1023 are laminated in this order from the surface side of the substrate 101.
  • the anode 102 is formed in a state of being separated for each of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c.
  • a hole injection layer 103 is provided on the upper periphery of the anode 102, and further, a hole transport layer 105A and an organic light emitting layer are formed in a region defined by a bank 104 made of an insulating material.
  • the layer 105B is stacked. Further, on the organic light emitting layer 105B, the electron injection layer 106, the cathode 107, and the sealing layer 108 are continuously connected to the entire organic EL elements 100a, 100b, and 100c beyond the region defined by the bank 104, respectively. It is formed to do.
  • a bank 104 is integrally formed with a bank element 104a extending in the Y-axis direction and a bank element 104b extending in the X-axis direction.
  • a so-called pixel bank is employed.
  • the organic light emitting layers 105Ba, 105b, and 105c of subpixels adjacent in the X-axis direction are partitioned by bank elements 104a.
  • each organic light emitting layer of subpixels adjacent in the Y-axis direction is partitioned. They are partitioned by a bank element 104b.
  • three subpixels adjacent in the X-axis direction correspond to the respective colors of red (R), green (G), and blue (B), and one set of the three adjacent subpixels is set. As a result, one pixel is formed.
  • the substrate 101 is, for example, alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, boric acid glass, quartz, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyethylene, polyester, silicone resin. Or an insulating material such as alumina.
  • the anode base layer 1021 of the anode 102 is made of, for example, Ag (silver), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCr (molybdenum and chromium alloy), NiCr (nickel). And an alloy of chromium).
  • Ag silver
  • APC silver, palladium, copper alloy
  • ARA silver, rubidium, gold alloy
  • MoCr molybdenum and chromium alloy
  • NiCr nickel
  • an alloy of chromium In the case of a top emission type organic EL element as in the present embodiment, it is preferably formed of a highly reflective material.
  • the ITO layer 1022 is formed so as to cover the surface of the anode base layer 1021.
  • the anode metal layer 1023 is made of, for example, a metal material such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or the like. It is composed of an alloy.
  • a metal material such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or the like. It is composed of an alloy.
  • the portion (metal lower layer) that is oxidized from the upper main surface side of the metal single layer and remains unoxidized is the anode metal in the anode 102.
  • the layer 1023 is used.
  • the thickness of the anode metal layer 1023 is thinner in the portion corresponding to the opening of the bank 104 than in the other portions.
  • the thickness of the anode metal layer 1023 in the portion is preferably 20 [nm] or less. This is because when the thickness of the portion is larger than 20 [nm], the reflectance of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c reflects the reflectance of the anode metal layer 1022, and the anode base layer 1021 This is because it becomes difficult to reflect the reflectance.
  • the hole injection layer 103 is a metal oxide upper layer formed by oxidizing a metal single layer from the upper main surface side and oxidizing the metal single layer. Therefore, the hole injection layer 103 is made of an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), or iridium (Ir).
  • the hole injection layer 103 made of such a metal oxide has a function of injecting and transporting holes to the organic light emitting layer 105B in a stable manner or assisting the generation of holes, and has a large work function. Have.
  • the hole injection layer 103 is made of an oxide of a transition metal, a plurality of levels can be obtained by taking a plurality of oxidation numbers. As a result, hole injection becomes easy and the drive voltage is reduced. Can be reduced.
  • the hole injection layer 103 extends laterally along the bottom surfaces 104a and 104b of the bank 104, and a part of the top surface sinks to form a recessed structure 103a.
  • the bottom surface 103 b of the recess 103 a in the hole injection layer 103 is depressed below the level 104 c of the bottom surface 104 a of the bank 104.
  • the depth of the recess 103a in the hole injection layer 103 is about 5 [nm] to 30 [nm].
  • the film thickness of the hole injection layer 103 is, for example, preferably in the range of 0.1 [nm] to 20 [nm], and more preferably in the range of 1 [nm] to 10 [nm]. This is because if the thickness of the hole injection layer 103, that is, the thickness of the metal oxide upper layer (the oxidized portion of the metal single layer) is smaller than the above range, the hole injection property is lowered from the viewpoint of uniformity, This is because if it is thick, the driving voltage becomes high.
  • the recess edge 103 c of the recess 103 a in the hole injection layer 103 is covered with a covering portion 104 d that is a part of the bank 104. Since the recess edge 103c in the hole injection layer 103 protrudes from the bottom surface 103b of the recess 103a, if the recess edge 103c is not covered with the insulating covering portion 104d, an electric field concentration occurs here, and the hole A current flows locally to the organic light emitting layer 105B through the transport layer 105A. As a result, there arises a problem that the life of the product is shortened due to uneven brightness in the light emitting surface and local deterioration of the organic light emitting layer 105B.
  • the recess edge 103c is covered with the insulating covering portion 104d, it is possible to suppress the occurrence of such a problem.
  • the shape of the recess edge 103c in the hole injection layer 103 is more polygonal or rounded than the edge shape shown in FIGS. 2 and 3 shown as an example, thereby further suppressing electric field concentration. it can.
  • the covering portion 104d of the bank 104 reaches the bottom surface 103b of the recess 103a in the hole injection layer 103, and the side surface of the bank 104 is the hole injection layer 103.
  • the concave portion 103a has an upward slope from the point reaching the bottom surface 103b to the apex.
  • the method for oxidizing the surface layer from the upper main surface side of the metal single layer to form the hole injection layer 103 is not particularly limited.
  • natural oxidation or ultraviolet irradiation to the main surface of the metal single layer is possible.
  • Light ozone treatment, plasma treatment in an oxidizing gas atmosphere, treatment with a solution containing ozone, or the like can also be used.
  • the hole transport layer 105A is a layer having a thickness of about 10 nm to 20 nm and has a function of transporting holes injected from the hole injection layer 103 into the organic light emitting layer 105B.
  • a hole transporting organic material is used as the hole transport layer 105A.
  • the hole transporting organic material is an organic substance having a property of transferring generated holes by intermolecular charge transfer reaction. This is sometimes called a p-type organic semiconductor.
  • the hole transport layer 105A may be a high molecular material or a low molecular material, but is formed by a wet printing method.
  • a crosslinking agent so that it is difficult to elute into the organic light emitting layer 105B.
  • a copolymer containing a fluorene moiety and a triarylamine moiety or a low molecular weight triarylamine derivative can be used.
  • the crosslinking agent dipentaerythritol hexaacrylate or the like can be used. In this case, it is preferably formed of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with polystyrene sulfonic acid (PEDOT-PSS) or a derivative thereof (such as a copolymer).
  • the bank 104 is made of an organic material such as resin and has an insulating property.
  • the organic material used for forming the bank 104 include acrylic resin, polyimide resin, and novolac type phenol resin.
  • the bank 104 preferably has organic solvent resistance.
  • the bank 104 since the bank 104 may be subjected to an etching process, a baking process, or the like, it is preferable that the bank 104 be formed of a highly resistant material that does not excessively deform or alter the process.
  • the surface can be treated with fluorine to give water repellency.
  • a material having a water repellency that has a resistivity of 10 5 [ ⁇ ⁇ cm] or more can be used, including the above-described materials. This is because when a material having a resistivity of 10 5 [ ⁇ ⁇ cm] or less is used, a leakage current between the anode 102 and the cathode 107 or a leakage current between adjacent elements is generated. This is because various problems such as an increase in power consumption are caused.
  • the bank 104 when the bank 104 is formed using a hydrophilic material, the difference in affinity / water repellency between the surface of the bank 104 and the surface of the hole injection layer 103 is reduced, so that the organic light emitting layer 105B is formed. This is because it becomes difficult to selectively hold the ink containing the organic substance in the opening of the bank 104.
  • the structure of the bank 104 not only a single layer structure as shown in FIGS. 3 and 5, but also a multilayer structure of two or more layers can be adopted.
  • the above materials can be combined for each layer, and an inorganic material and an organic material can be used for each layer.
  • Organic light emitting layer 105B is a layer having a thickness of about 50 nm to 80 nm, and has a function of emitting light by generating an excited state when holes and electrons are injected and recombined.
  • As a material used for forming the organic light emitting layer 105B it is necessary to use a light emitting organic material that can be formed by a wet printing method.
  • the oxinoid compound, perylene compound, coumarin compound, azacoumarin compound, oxazole compound, oxadiazole compound, perinone compound, pyrrolopyrrole described in Japanese Patent Publication (JP-A-5-163488) Compound, naphthalene compound, anthracene compound, fluorene compound, fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound , Diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, dicyanomethylenepyran compound, dicyanomethylenethiopyran compound, fluoro Cein compound, pyrylium compound, thiapyrylium compound, seren
  • Electron injection layer 106 The electron injection layer 106 has a function of transporting electrons injected from the cathode 107 to the organic light emitting layer 105B, and is preferably formed of, for example, barium, phthalocyanine, lithium fluoride, or a combination thereof.
  • the cathode 107 is made of, for example, ITO or IZO (indium zinc oxide).
  • ITO indium zinc oxide
  • permeability shall be 80 [%] or more.
  • a structure in which a layer containing an alkali metal, an alkaline earth metal, or a halide thereof and a layer containing silver are stacked in this order may be used. it can.
  • the layer containing silver may be formed of silver alone, or may be formed of a silver alloy.
  • a highly transparent refractive index adjusting layer can be provided on the silver-containing layer.
  • the sealing layer 108 has a function of preventing the organic light emitting layer 105B and the like from being exposed to moisture or air, for example, a material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride). It is formed using. In the case of the top emission type organic EL elements 100a, 100b, and 100c, it is preferably formed of a light transmissive material.
  • an Ag thin film is formed on the main surface of the substrate 101 by a sputtering method, and the Ag thin film is patterned by, for example, photolithography to form an anode base layer in a matrix shape. 1021 is formed.
  • a vacuum vapor deposition method can also be used for forming the Ag thin film.
  • an ITO thin film is formed on the surface of the anode base layer 1021 by, for example, a sputtering method, and the ITO thin film is patterned by, for example, a photolithography method to form an ITO layer 1022.
  • a Mo—Cr (97: 3) metal film with a film thickness of 100 [nm] is formed on the surface of the substrate 101 including the ITO layer 1022 by sputtering.
  • the metal film 1025 is formed by patterning the metal film of Mo—Cr (97: 3) by photolithography and etching using a photosensitive resist, and further peeling the photosensitive resist.
  • a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid can be used as an etching solution.
  • the metal single layer 1025 laminated on the ITO layer 1022 as described above is partially oxidized from one main surface side, and the oxidized portion is subjected to metal oxidation.
  • the material layer 1031 is formed, and the remaining portion is the metal layer 1024.
  • the film thickness of the portion (metal oxide layer 1031) to be oxidized at this time is, for example, 1 [nm] to 5 [nm].
  • a film made of an insulating material for forming the bank 104 is formed on the metal oxide layer 1031 by, for example, a spin coating method, exposure using a photomask, and a predetermined developer (
  • a bank preparation layer (a layer made of a bank material) 1040 is formed by patterning into a predetermined shape by a development method using a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution or the like.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the metal oxide layer 1031 has a property of being easily dissolved in pure water or a TMAH solution, the portion of the metal oxide layer 1031 exposed at the bottom of the opening of the bank preparation layer 1040 when the wet process is performed is substantially omitted. Everything elutes. Therefore, as shown in FIG. 7A, a recessed structure 1030a is formed in the metal oxide layer 1030 at the opening bottom of the bank preparation layer 1040, and the metal layer 1024 is exposed at the bottom. To do.
  • the metal oxide layer 1030 below the bank preparation layer 1040 is not melted, the metal oxide layer 1030 is exposed on the side wall portion of the recess structure 1024a, and the recess edge 1030c is formed by the metal oxide layer 1030.
  • the metal layer 1024 exposed at the bottom of the opening of the bank preparation layer 1030 is partially oxidized again from its main surface side by natural oxidation, and the oxidized upper layer becomes the hole injection layer 103.
  • the remaining metal lower layer becomes the anode metal layer 1023 (see FIG. 7B).
  • the bank preparation layer 1040 is heat-treated to give a certain degree of fluidity to the remaining portion, and the bank material (insulating material) is extended from the remaining portion until reaching the recess bottom surface 103b.
  • the recess edge 103c of the hole injection layer 103 is covered with the covering portion 104d formed by extension.
  • thermal curing can be employed for the heat treatment applied to the bank preparation layer 1040.
  • the temperature and time of the heat cure may be appropriately set in consideration of the type of bank material and the required thickness of the covering portion 104d.
  • the surface of the remaining portion of the bank preparation layer 1040 is subjected to a liquid repellency treatment using, for example, fluorine plasma to form the bank 104.
  • a hole transport layer 105A is formed in an area defined in the bank 104 based on, for example, a wet printing method.
  • a wet printing method The nozzle jet method represented by the inkjet method and the dispenser method can be used.
  • the ink jet method the organic film forming material converted into ink is jetted from the nozzle to the metal oxide layer. Thereby, the hole transport layer 105A is formed.
  • a composition ink containing an organic EL material (hereinafter simply referred to as “ink”) is dropped onto the hole transport layer 105A by, for example, an ink jet method.
  • the ink is dried to form the organic light emitting layer 105B.
  • the ink may be dropped by a dispenser method, a nozzle coating method, a spin coating method, intaglio printing, letterpress printing, or the like.
  • drying of the ink is performed by vacuum drying at 50 [° C.] for 10 [min], followed by baking at 130 [° C.] for 30 [min] in a nitrogen atmosphere.
  • the average film thickness of the organic light emitting layer 105B is about 70 [nm].
  • barium 5 [nm] (manufactured by Aldrich, purity 99 [%] or more) is formed on the organic light emitting layer 105B and the bank 104 by, for example, a vacuum deposition method.
  • a film 20 [nm] of a compound Alq (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., purity 99 [%] or more) mixed with barium 20 [%] is formed by a co-evaporation method, whereby the electron injection layer 106 is formed.
  • a film 20 [nm] of a compound Alq manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., purity 99 [%] or more
  • the electron injection layer 106 is formed.
  • an ITO thin film (film thickness 100 [nm]) that becomes the cathode 107 on the electron injection layer 106 using, for example, a plasma coating apparatus manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd. ) And a sealing layer 108 is further formed thereon as shown in FIG.
  • the recess edge 103c formed in the exposed portion of the hole injection layer 103 in the manufacturing process is covered with the covering portion 104d of the bank 104 made of an insulating material. Since the hole transport layer 105 ⁇ / b> A and the organic light emitting layer 105 ⁇ / b> B are sequentially formed thereon, it is possible to suppress the electric field from being concentrated on the recess edge 103 c of the hole injection layer 103.
  • the organic EL elements 100a, 100b, and 100c include the hole injection layer 103 made of a metal oxide. Therefore, each organic EL element 100a, 100b, 100c in the display panel 10 is generally superior in voltage-current density characteristics and has a large current compared to the case where the hole injection layer is formed using PEDOT. Even when the emission intensity is increased by flowing, it has the advantage of being hardly deteriorated.
  • the surface layer portion is oxidized from one main surface side of the metal single layer, and the oxidized upper layer portion is used as the hole injection layer 103. Since the remaining metal lower layer portion is the anode metal layer 1023 in the anode 102, the number of formed layers in the organic EL elements 100a, 100b, and 100c can be reduced, and the number of manufacturing steps can be reduced. Yes.
  • the recess edge 103c of the recess structure 103a in the hole injection layer 103 is covered with the covering portion 104d of the bank 104, and the bank 104 is made of an insulating material. Electric field concentration on the recess edge 103c can be suppressed. Therefore, in the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the present embodiment, the local current is suppressed from flowing to the organic light emitting layer 105B through the hole transport layer 105A.
  • each of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c in the display panel 10 includes the hole injection layer 103 made of a metal oxide, so that the voltage-current density is increased. It has excellent characteristics and has an advantage that it does not easily deteriorate even when the emission intensity is increased by passing a large current, and the recess edge 103c of the hole injection layer 103 is covered with the covering portion 104d of the bank 104. Thus, a local current is suppressed from flowing through the hole transport layer 105A to the organic light emitting layer 105B during light emission.
  • the metal oxide layer 1031 having a uniform thickness is formed, a part of the surface portion is dissolved at the time of cleaning the etching residue using pure water, thereby forming a concave structure.
  • the hole injection layer 103 is formed by reducing the thickness in the light emitting region.
  • Embodiment 2 The configuration of the organic EL element 110 according to Embodiment 2 will be described with reference to FIG.
  • the same components as those of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted in the following description.
  • the organic EL element 110 includes the organic EL element 110 according to the first embodiment in the shape of the anode metal layer 1123 of the anode 112 and the hole injection layer 113 formed thereon. This is different from the EL elements 100a, 100b, and 100c. Specifically, in the organic EL element 110, the anode metal layer 1123 is formed so as to cover the side surface 1022f of the ITO layer 1022, and accordingly, the hole injection layer 113 also has the main surface of the substrate 101 at both ends thereof. Borders.
  • the surface layer portion is oxidized from the upper main surface side in the metal single layer, and the oxidized metal oxide layer portion (upper layer portion) is the hole injection layer 113.
  • the remaining metal lower layer portion is the anode metal layer 1123 in the anode 112.
  • Constituent materials and forming methods of anode metal layer 1123 and hole injection layer 113 are the same as those of the first embodiment in the basic part.
  • the organic EL element 110 according to the present embodiment also has a recessed structure in which the surface portion of the hole injection layer 113 is sunk, and the recessed edge 113c is covered with the covering portion 104d in the bank 104. Therefore, the organic EL element 110 according to the present embodiment also has the superiority of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment.
  • Embodiment 3 The configuration of the organic EL element 120 according to Embodiment 3 will be described with reference to FIG. 10, and the characteristic part of the manufacturing method will be described with reference to FIG. In FIG. 10 and FIG. 11, the same components as those of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment are given the same reference numerals, and redundant description is omitted in the following description.
  • the organic EL element 120 according to the present embodiment is different from the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment in the shape of the anode 122.
  • the width of the anode base layer 1221 in the anode 122 and the ITO layer 1222 laminated thereon is the same as the width of the hole injection layer 103.
  • 11A to 11C correspond to the steps of FIGS. 6A to 6C in the first embodiment.
  • a metal layer 1226, an ITO layer 1227, and a metal layer 1228 are sequentially stacked on the upper main surface of the substrate 101.
  • the formation material of the metal layer 1226 and the metal layer 1228 is the same as the formation material of the anode base layer 1021 and the formation material of the metal layer 1025 in the first embodiment.
  • the metal layer 1226, the ITO layer 1227, and the metal layer 1228 are collectively etched for each region where the organic EL element 120 is to be formed.
  • the anode base layer 1221, the ITO layer 1222, and the metal layer 1225 are sequentially stacked from the substrate 101 side.
  • the upper metal layer 1228 is naturally oxidized from the upper main surface side, and the upper layer portion is used as a metal oxide layer 1321.
  • the metal layer 1224 which is the remaining lower layer portion becomes the base of the anode metal layer 1223 similarly to the metal layer 1024 in FIG.
  • the organic EL element 120 is formed through the same steps as in FIGS. 5 and 6 of the first embodiment.
  • the metal single layer is oxidized from the upper main surface side, the oxidized metal oxide layer portion (upper layer portion) is the hole injection layer 103, and the remaining metal
  • the lower layer portion is an anode metal layer 1223 in the anode 122.
  • Constituent materials and forming methods of anode metal layer 1223 and hole injection layer 103 are the same as those of the first embodiment in the basic part.
  • the surface portion of the hole injection layer 103 has a concave structure, and the concave edge 103 c is covered with the covering portion 104 d in the bank 104. Therefore, the organic EL element 120 according to the present embodiment also has the superiority of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment.
  • Embodiment 4 The configuration of the organic EL element 130 according to Embodiment 4 will be described with reference to FIG. In FIG. 12, the same components as those of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted in the following description.
  • the anode 132 is configured with a single layer structure.
  • a single layer metal layer (metal single layer) is formed on the upper main surface of the substrate 101, the metal single layer is oxidized from the upper main surface side, and the oxidized upper layer portion is formed into a hole.
  • the injection layer 133 is used, and the remaining metal lower layer portion is used as the anode 132.
  • the point that the hole injection layer 133 has a concave structure at the bottom of the opening of the bank 104 is the same as described above, and the point that the concave edge 133c of the concave structure is covered with the covering portion 104d of the bank 104 is also the same.
  • the anode 132 has a single-layer structure, so that the number of layers included in the configuration is further reduced, and the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment described above. Compared to the above, the number of manufacturing steps can be reduced. Therefore, this structure is advantageous for further cost reduction.
  • the recess edge 133c in the recess structure of the hole injection layer 133 is covered by the covering portion 104d in the bank 104. 1 has the superiority of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to 1.
  • Embodiment 5 The configuration of the organic EL element 140 according to Embodiment 5 will be described with reference to FIG. In FIG. 13, the same components as those of the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted in the following description.
  • the shape of the covering portion 144d in the bank 144 is different from the organic EL elements 100a, 100b, and 100c according to the first embodiment. .
  • the cover 104d of the bank 104 gets over the recess edge 103c in the hole injection layer 103 and reaches the recess bottom surface 103b.
  • the covering portion 144d of the bank 144 is the same in that it covers the recessed portion edge 103c of the recessed structure, but it reaches the recessed portion bottom surface 103b of the hole injection layer 103. Not reach.
  • the bank material does not have to flow to the bottom surface 103b of the recess of the hole injection layer 103, so that the heat treatment temperature and time can be reduced to a short time.
  • the concave edge 103c of the hole injection layer 103 is covered with the covering portion 144d in the bank 144, so that the organic EL element according to the first embodiment is used.
  • the EL elements 100a, 100b, and 100c have the superiority as they are.
  • a configuration in which the lower end of the slope in the bank preparation layer 1040 and the recess edge 1030c of the metal oxide layer 1030 are matched is adopted as an example.
  • they do not necessarily have to match each other.
  • the lower end of the slope of the bank preparation layer 1040 recedes from the recess edge 1530c of the recess structure 1530a in the metal oxide layer 1530, Thereby, a part of the region 1530e that is not recessed (see the portion surrounded by the two-dot chain line in FIG. 14A) may be exposed.
  • the recess edge 1530c is a convex corner formed by a region that is not recessed on the upper surface of the metal oxide layer 1530 and the side surface of the recess structure 1530a.
  • the display panel 10 is assumed. However, a lighting device that emits light from the entire surface is used. In the case of an apparatus, the anodes 102, 112, 122, and 132 may be uniformly formed on the entire surface or most of the substrate 101.
  • the anodes 102, 112, 122, 132 may be patterned so that specific figures and characters can be displayed. In this case, a characteristic pattern of light emission can be obtained, which can be used for advertising display.
  • the hole injection layers 103, 113, 133, and 153 in the above are provided as, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection / hole transport layer.
  • the anode base layers 1021 and 1221 of the anodes 102, 112, 122, and 132 are formed of an Ag thin film, and the ITO layers 1022 and 1222 are formed thereon. It is said.
  • the anode base layers 1021, 1221 of the anodes 102, 112, 122, 132 can be formed using an Al-based material. In either case, the ITO layer can be omitted.
  • a configuration including a so-called pixel bank (a bank having a cross-shaped planar shape) is adopted as an example (see FIG. 4).
  • a line bank or the like can be adopted as the planar shape of the banks 104 and 144.
  • the plane shape of the line bank will be supplementarily described with reference to FIG.
  • organic light emitting layers 66a, 66b, 66c adjacent in the X-axis direction are divided.
  • the organic light emitting layers adjacent to each other in the Y-axis direction are not defined by the bank elements, but influence each other by appropriately setting the driving method and the size and interval of the anode. It can be made to emit light without.
  • the top emission type is described.
  • the present invention is not limited to this, and a bottom emission type may be used.
  • the configuration in which only the electron injection layer 106 is interposed between the organic light emitting layer 105B and the cathode 107 is adopted as an example, but in addition to this, the electron transport layer is interposed.
  • the inserted configuration can also be adopted.
  • the surface layer portion of the metal layer is oxidized and the oxidized surface layer portion is used as the hole injection layers 103, 113, and 133.
  • the oxidized surface layer portion can be used as an electron injection layer, an electron transport layer, or an electron injection / transport layer.
  • the appearance of the display device 1 is not shown.
  • the display device 1 may have the appearance shown in FIG.
  • the present invention is useful for realizing an organic EL element suitable for application to a display device or a lighting device.

Landscapes

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Abstract

　本発明は、電荷注入層として金属酸化物を適用した場合にあっても、高い発光特性と長寿命化を図ることができる発光素子とその製造方法、発光装置を提供することを目的とする。　具体的に有機ＥＬ素子１００ａ～１００ｃの各々では、基板１０１上に、陽極１０２、ホール注入層１０３、ホール輸送層１０５Ａおよび有機発光層１０５Ｂを含む機能層、陰極１０７を同順に積層し、有機発光層１０５Ｂの形状をバンク１０４により規定する。ホール注入層１０３は、金属層からなる陽極１０２の表面が酸化された金属酸化物層とする。さらにホール注入層１０３は、バンク１０４で規定された領域を沈下した凹入構造に形成し（凹部構造１０３ａ）、凹部構造１０３ａの凹部縁１０３ｃをバンク１０４の一部（被覆部１０４ｄ）で被覆する。

Description

発光素子とその製造方法、および発光装置
　本発明は、有機材料の電界発光現象を利用した発光素子とその製造方法、および発光装置に関する。
　近年、研究・開発がすすんでいる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下では、「有機ＥＬ素子」と記載する。）は、有機材料の電界発光現象を利用した発光素子である。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、有機発光層が介挿された構成を有し、陽極からホールが注入され、陰極から電子が注入されることにより、有機発光層内でホールと電子とを再結合させて光が取り出されるデバイスである。なお、発光層は、絶縁材料からなるバンクにより形状が規定されている。
　陽極と有機発光層との間には、例えば、必要に応じてホール注入層が介挿されており、陰極と有機発光層との間には、例えば、必要に応じて電子注入層が介挿されている（以下では、ホール注入層および電子注入層を総称して、「電荷注入層」と記載する）。
　従来の有機ＥＬ素子では、電荷注入層が、［化１］で示されるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を用い形成されていた（特許文献１などを参照）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　ここで、最近では、ＰＥＤＯＴに代えて、遷移金属酸化物などの金属酸化物を用いて電荷注入層を形成するという技術開発がなされている（例えば、特許文献２、３を参照）。金属酸化物を用いて電荷注入層を形成する場合には、ＰＥＤＯＴを用いる場合に比べて、一般的に、素子での電圧－電流密度特性に優れ、また、大電流を流して発光強度を高める場合にも、劣化し難いという優位性を有する。
特表２００７－５２７５４２号公報 特開２００７－２８８０７１号公報 特開２００５－２０３３３９号公報
　ところで、上記のように電荷注入層として金属酸化物を適用した構成においても、発光特性について更なる改善を図る必要があり、また、更なる長寿命化を図る必要がある。
　そこで、本発明は、上記要望を鑑みてなされたものであって、電荷注入層として金属酸化物を適用した場合にあっても、高い発光特性と長寿命化を図ることができる発光素子とその製造方法、発光装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る発光素子は、第１電極と第２電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有する発光素子であって、前記第１電極は、酸化されてなる一方の表面側部分と、酸化されずに残る部分とを含む層中の、前記酸化されずに残る金属層であり、前記電荷注入層は、前記酸化されてなる金属酸化物層であり、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、前記電荷注入層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆され、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンクの一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における前記沈下した部分の上方に形成されていることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子では、電荷注入層における凹入構造の凹部の縁がバンクの一部で被覆されており、発光時に凹入構造の凹部の縁への電界集中を抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る発光素子では、発光特性および寿命特性を更に改善することができる。
本発明の一態様を得るに至った経緯を説明するために用いる端面図である。 実施の形態１に係る表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。 表示装置１における表示パネル１０の要部を模式的に示す端面図である。 表示装置１におけるバンク１０４の形状を示す模式平面図である。 図１におけるＡ部を拡大して示す拡大端面図である。 表示装置１の製造における一部の工程を模式的に示す端面図である。 表示装置１の製造における一部の工程を模式的に示す端面図である。 表示装置１の製造における一部の工程を模式的に示す端面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ素子１１０の要部を拡大して示す端面図である。 実施の形態３に係る有機ＥＬ素子１２０の要部を拡大して示す端面図である。 実施の形態３に係る有機ＥＬ素子１２０の製造における一部の工程を模式的に示す端面図である。 実施の形態４に係る有機ＥＬ素子１３０の要部を模式的に示す端面図である。 実施の形態５に係る有機ＥＬ素子１４０の要部を模式的に示す端面図である。 変形例に係る有機ＥＬ素子の製造における一部の工程を模式的に示す端面図である。 変形例に係るラインバンク６５の形態を示す模式平面図である。 表示装置１の外観を示す外観斜視図である。
　［本発明の一態様を得るに至った経緯］
　本発明者等は、上記［背景技術］の欄において記載した内容、即ち、金属酸化物を用い電荷注入層を形成する場合には、その後におけるバンクの形成でのウェットプロセスで用いられる液により電荷注入層の表面が浸食されることにより沈下し、素子発光時に凹入構造における凹部縁に電界が集中してしまうという問題が生じることを鋭意研究により究明した。そして、この点に関し、本発明者等が検討を重ねた結果、以下のような知見を得るに至った。
　図１は、有機ＥＬディスプレイの製造工程の一部を示す端面図である。
　図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板９０１上に、陽極９０２、ホール注入層９０３およびバンク９０４が形成されている。なお、陽極９０２は、ＴＦＴ基板９０１の表面側から、陽極ベース層９０２１、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）９０２２が順に積層された積層構成を有している。
　図１（ｂ）に示すように、ホール注入層９０３上に、ホール輸送層９０５Ａ、有機発光層９０５Ｂ、電子注入層９０６、陰極９０７および封止層９０８が順に積層されている。
　ホール注入層９０３として金属酸化物を適用した場合には、バンク９０４の形成工程において、ホール注入層９０３の上面に凹部９０３ａが形成されてしまう（図１（ａ）を参照）。このように、ホール注入層９０３に凹部９０３ａが形成された状態で、有機発光層９０５Ｂを形成した場合には（図１（ｂ）を参照）、有機ＥＬディスプレイの発光時において、凹部９０３ａの凹部縁９０３ｃ（図１（ａ）を参照）付近に電界が集中するという現象が生じる。この結果、ホール輸送層９０５Ａを介して有機発光層９０５Ｂに局部的に電流が流れてしまう場合があり、この局部的な電流の流れにより、発光面内の輝度ムラや局部的な劣化による短寿命化という問題が発生する。
　上記課題および知見は、ホール注入層９０３として金属酸化物を適用した有機ＥＬ表示パネルに特有のものであり、且つ、これまで究明されていなかったと考えられる点で、技術的な意義を有するものである。
　以上の通り、一連の研究および検討を通じ、本発明者等は、ホール注入層として金属酸化物を適用した場合における凹部縁を、バンクの一部によって被覆し、これにより、発光時における凹部縁付近での電界集中を抑制し、その結果、ホール輸送層を介して有機発光層での局部的な電流の流れが生じるのを抑制する、という技術的な特徴に想到することができたものである。
　［本発明の一態様の概要］
　本発明の一態様に係る発光素子は、第１電極と第２電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有する発光素子であって、前記第１電極は、酸化されてなる一方の表面側部分と、酸化されずに残る部分とを含む層中の、前記酸化されずに残る金属層であり、前記電荷注入層は、前記酸化されてなる金属酸化物層であり、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、前記電荷注入層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆され、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンクの一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における前記沈下した部分の上方に形成されていることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子では、電荷注入層における凹入構造の凹部の縁がバンクの一部で被覆されており、バンクが絶縁材料から構成されているので、発光時に凹入構造の凹部の縁への電界集中を抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る発光素子では、電荷輸送層を介して発光層に局部的な電流が流れるのを抑制することができる。
　また、本発明の一態様に係る発光素子では、前記電荷輸送層は、前記バンクにおける、前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部に接触していることを特徴とする。
　また、本発明の一態様に係る発光素子では、前記電荷輸送層は、前記バンクで規定された領域における前記電荷注入層の前記凹部の前記沈下した部分と、前記バンクにおける前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部とにより囲まれる領域に形成されていることを特徴とする。
　また本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、金属酸化物層が、バンクを形成するときに用いられる液体により浸食されることを特徴とする。このように、金属酸化物層が、バンク形成時に用いられる液体により浸食される場合には、上記のように、凹入構造を有する電荷注入層が形成されることになるが、上記のようにバンクの一部で凹部の縁が被覆される構成を採用することで、発光層に局部的な電流が流れるのを抑制することができる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記バンクの一部が、電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達し、バンクの側面が、電荷注入層における凹部の底面への到達点から頂点にかけて上り斜面になっていることを特徴とする。このような構成を採用する場合には、例えば、インクジェット法などの印刷技術で発光層を形成する際に、バンクで規定される領域内の隅々までインクを入り込ませることが容易となり、ボイドなどの発生を抑えることができる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記バンクの一部は、電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達していないことを特徴とする。このような構成を採用する場合には、バンク材料を凹部底面まで入り込ませる必要がなく、熱処理の温度を低温にし、また、熱処理の時間を短時間とすることが可能となる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、第１電極が、少なくとも上記金属層を含む単層構造または積層構造であることを特徴とする。このように種々の構造の素子に対して上記構成を採用することができる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記第１電極は、可視光の反射率が６０［％］以上である下層と、前記下層上に設けられた上記金属層である上層とを有する積層構造であることを特徴とする。このような構成により、酸化される金属酸化物層からなる上層とは独立して、下層として反射率の高い金属を用いることができる。よって、各層の材料選択の幅が広がり、特にトップエミッション型有機ＥＬ素子としての性能の最適化がより容易とすることができる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記第１電極は、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも１つを含む合金である下層と、前記下層上に設けられ、モリブデン、クロム、バナジウム、タングステン、ニッケル、イリジウムのうち少なくとも１つを含む上記金属層である上層とを有する積層構造であることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記第１電極における上記金属層の膜厚は、２０［ｎｍ］以下であることを特徴とする。このような構成により、上層による反射率の低下、即ち、トップエミッション型有機ＥＬ素子の発光の減衰を効果的に抑えることができ、下層の高反射率を最大限活かすことが可能となる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、発光層が、有機ＥＬ層であることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、電荷注入層が、バンクの底面に沿ってバンクの側方に延出していることを特徴とすることもできる。
　本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、電荷注入層における凹部の縁が、電荷注入層の上面において凹入されていない領域と凹部の側面とで形成された凸角部分であることを特徴とすることもできる。
　本発明の一態様に係る発光装置は、上記の何れかに記載の発光素子を複数備えることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、第１電極と第２電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有する発光素子の製造方法であって、金属層を形成する第１工程と、前記金属層における一方の（発光層側となる）表面側部分を酸化することにより金属酸化物層を形成する第２工程と、金属酸化物層上にバンクを構成する材料からなるバンク材料層を形成する第３工程と、バンク材料層の一部を除去することにより、対応する領域の金属酸化物層を除去し、第２工程で酸化されずに残った金属層の一部を露出させる第４工程と、金属層における前記露出された表面を酸化することにより、上記対応領域に金属酸化物層からなる電荷注入層を形成し、且つ、酸化されずに残った金属層を第１電極とする第５工程と、電荷注入層上のバンク材料層の残留部に熱処理を施す第６工程と、第６工程の実行の後、対応領域に形成した電荷注入層上に発光層を形成する第７工程と、前記形成された電荷輸送層上に発光層を形成する第８工程とを含む。
　そして、本発明の一態様に係る製造方法では、電荷注入層が、バンク材料層の一部を除去するときに用いられる液体により浸食される材料からなり、電荷注入層の除くい対応領域における露出面が、上記液体の浸食によりバンク材料層の残留部底面のレベルから沈下した凹入構造に形成され、第６工程において、バンク材料層の残留部に流動性を与えることにより、残留部からバンクを構成する材料を上記凹入構造の凹部の縁まで延出させ、前記第７工程では、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンク材料層の一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における露出面の上方に形成されることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第５工程における酸化が、大気に晒すことによる自然酸化、または、酸化処理による酸化の何れかであることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第５工程における酸化が、大気に晒すことによる自然酸化であることを特徴とする。このような構成の場合には、特に酸化のための工程を必要とせず、生産効率という観点から効果的である。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第１電極が、単層構造または積層構造であることを特徴とする。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、上記第１工程で、可視光の反射率が６０［％］以上である下層を準備し、この下層上に、上記金属層を形成することを特徴とする。この場合には、第５工程の実行により、第１電極は、上記下層と下層上に積層された上記金属層からなる上層とを有する積層構造となることを特徴とする。このような特徴を採用する場合には、酸化される金属酸化物層からなる上層とは独立して、下層として反射率の高い金属を用いることができる。よって、各層の材料選択の幅が広がり、特にトップエミッション型有機ＥＬ素子の製造においては、性能の最適化がより容易とすることができる。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、上記第１工程で、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも１つを含む合金である下層を準備し、この下層上に、モリブデン、クロム、バナジウム、タングステン、ニッケル、イリジウムのうち少なくとも１つを含む上記金属層を形成することを特徴とする。この場合には、第５工程の実行により、第１電極は、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも１つを含む合金である下層と、下層上に積層された上記金属層からなる上層とを有する積層構造となる。
　本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第１電極の上記金属層の膜厚は、２０［ｎｍ］以下であることを特徴とする。このような構成により、上層による反射率の低下、即ち、トップエミッション型有機ＥＬ素子の発光の減衰を効果的に抑えることができ、下層の高反射率を最大限生かすことが可能となる。
　以下では、本発明を実施するための形態について、数例を用い説明する。
　なお、以下の説明で用いる実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
　［実施の形態１］
　１．表示装置１の全体構成
　本実施の形態に係る表示装置１の全体構成について、図２を用い説明する。
　図２に示すように、表示装置１は、表示パネル部１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。表示パネル部１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が配列され構成されている。
　また、駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とから構成されている。
　なお、実際の表示装置１では、表示パネル部１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
　２．表示パネル１０の構成
　表示パネル１０の構成について、図３から図４を用い説明する。
　図３に示すように、表示パネル１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備える有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃがマトリクス状に配置され構成されている。表示パネル１０は、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。
　ＴＦＴ基板（以下では、単に「基板」と記載する。）１０１上には、陽極１０２が形成されており、陽極１０２上に、ホール注入層１０３が積層形成されている。なお、陽極１０２は、基板１０１の表面側から、陽極ベース層１０２１、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）１０２２、陽極金属層１０２３が順に積層された積層構成を有している。なお、陽極１０２は、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ毎に分かれた状態で形成されている。
　図３に示すように、陽極１０２の周辺上部にはホール注入層１０３が設けられており、さらにその上には、絶縁材料からなるバンク１０４で規定された領域内にホール輸送層１０５Ａと有機発光層１０５Ｂが積層形成されている。さらに、有機発光層１０５Ｂの上には、電子注入層１０６、陰極１０７、および封止層１０８が、それぞれバンク１０４で規定された領域を超えて、全体の有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃで連続するように形成されている。
　なお、図４に示すように、表示パネル１０においては、バンク１０４が、Ｙ軸方向に延設されたバンク要素１０４ａと、Ｘ軸方向に延設されたバンク要素１０４ｂとが一体に形成された、所謂、ピクセルバンクが採用されている。そして、Ｘ軸方向において隣接するサブピクセルの各有機発光層１０５Ｂａ、１０５ｂ、１０５ｃ同士の間は、バンク要素１０４ａにより区画されており、同様に、Ｙ軸方向において隣接するサブピクセルの各有機発光層同士の間は、バンク要素１０４ｂにより区画されている。
　図４に示すように、Ｘ軸方向において隣接する３つのサブピクセルは、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応し、それら隣接する３つのサブピクセルを１セットとして１つのピクセル（画素）が構成されている。
　ａ）基板１０１
　基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
　ｂ）陽極１０２
　陽極１０２の陽極ベース層１０２１は、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などから形成されている。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には、高反射性の材料で形成されていることが好ましい。
　ＩＴＯ層１０２２は、陽極ベース層１０２１の表面を被覆する状態に形成されている。
　陽極金属層１０２３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの金属材料、またはこれらの合金などから構成されている。
　なお、有機ＥＬ素子の製造方法の欄で説明するが、本実施の形態では、金属単層における上主面側から酸化し、酸化されずに残った部分（金属下層）を陽極１０２における陽極金属層１０２３としている。
　なお、図５に示すように、陽極金属層１０２３の膜厚は、バンク１０４の開口に相当する部分の方が、他の部分に比べて薄くなっている。当該部分における陽極金属層１０２３の膜厚は、２０［ｎｍ］以下であることが好ましい。これは、当該部分における膜厚を２０［ｎｍ］よりも厚くした場合には、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃの反射率が陽極金属層鵜１０２３の反射率を反映し、陽極ベース層１０２１の反射率を反映することが困難となるためである。
　ｃ）ホール注入層１０３
　ホール注入層１０３は、上記のように、金属単層をその上主面側から酸化し、当該酸化により形成された金属酸化物上層である。よって、ホール注入層１０３は、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる。このような金属酸化物からなるホール注入層１０３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０５Ｂに対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
　なお、ホール注入層１０３を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
　図５に示すように、ホール注入層１０３は、バンク１０４の底面１０４ａ、１０４ｂに沿って側方に延出しているとともに、上面の一部が沈下して凹入構造１０３ａが形成されている。ホール注入層１０３における凹部１０３ａの底面１０３ｂは、バンク１０４の底面１０４ａのレベル１０４ｃよりも沈下している。ホール注入層１０３における凹部１０３ａの深さは、概ね５［ｎｍ］～３０［ｎｍ］程度である。
　また、ホール注入層１０３の膜厚は、例えば、０．１［ｎｍ］～２０［ｎｍ］の範囲が好ましく、１［ｎｍ］～１０［ｎｍ］の範囲とするのがより好ましい。これは、ホール注入層１０３の膜厚、即ち、金属酸化物上層（金属単層の酸化された部分）の厚みが、上記範囲よりも薄いと、均一性という観点からホール注入性が低くなり、厚いと、駆動電圧が高くなってしまうためである。
　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、ホール注入層１０３における凹部１０３ａの凹部縁１０３ｃが、バンク１０４の一部である被覆部１０４ｄにより被覆されている。ホール注入層１０３における凹部縁１０３ｃは、凹部１０３ａの底面１０３ｂに対して突出しているので、仮に、凹部縁１０３ｃが絶縁性の被覆部１０４ｄで覆われていなければ、ここに電界集中が生じ、ホール輸送層１０５Ａを介して有機発光層１０５Ｂに局部的に電流が流れる。その結果、発光面内での輝度ムラや有機発光層１０５Ｂの局部的劣化による製品の短寿命化という問題が生じる。
　しかしながら、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、凹部縁１０３ｃが絶縁性の被覆部１０４ｄにより被覆されているので、そのような問題が生じるのを抑制することができる。なお、電界集中を効果的に抑制するには、バンク１０４の被覆部１０４ｄの厚み（凹部縁１０３ｃからホール輸送層１０５Ａまでの最短距離）を２［ｎｍ］～５［ｎｍ］とするのが望ましい。
　また、ホール注入層１０３における凹部縁１０３ｃの形状は、一例として示した図２および図３のようなエッヂ形状よりも、多角形、あるいは丸みを帯びた形状とすることで、電界集中をより抑制できる。
　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃででは、バンク１０４の被覆部１０４ｄが、ホール注入層１０３における凹部１０３ａの底面１０３ｂまで達し、バンク１０４の側面が、ホール注入層１０３における凹部１０３ａの底面１０３ｂへの到達点から頂点にかけて上り斜面になっている。このような構成を採用することにより、有機発光層１０５Ｂの形成に際して、有機発光層１０５Ｂ用のインクを、インクジェット法などの印刷技術で形成する場合に、バンクに規定される領域内の隅々にインクを入り込ませやすくでき、ボイドなどの発生を抑えることができる。
　ホール注入層１０３を形成するために、金属単層の上主面側から表層を酸化させる方法は、特に限定されるものではないが、例えば、自然酸化や、金属単層の主面への紫外光オゾン処理、酸化性ガス雰囲気下でのプラズマ処理、あるいはオゾンを含む溶液による処理などを用いることもできる。
　ｄ）ホール輸送層１０５Ａ
　ホール輸送層１０５Ａは、厚み１０ｎｍ～２０ｎｍ程度の層であって、ホール注入層１０３から注入された正孔（ホール）を有機発光層１０５Ｂ内へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１０５Ａとしては、ホール輸送性の有機材料を用いる。正孔輸送性の有機材料とは、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ－型の有機半導体と呼ばれることもある。
　ホール輸送層１０５Ａは、高分子材料でも低分子材料であってもよいが、湿式印刷法で製膜される。上層である有機発光層１０５Ｂを形成する際に、これに溶出しにくいよう、架橋剤を含むことが好ましい。正孔輸送性の材料の例としてはフルオレン部位とトリアリールアミン部位を含む共重合体や低分子量のトリアリールアミン誘導体を用いることが出来る。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。この場合、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３、４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ）や、その誘導体（共重合体など）で形成されていることが好適である。
　ｅ）バンク１０４
　バンク１０４は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。バンク１０４の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０４は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０４はエッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
　なお、バンク１０４の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以上であって、撥水性を有する材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、陽極１０２と陰極１０７との間でのリーク電流、あるいは隣接素子間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
　また、バンク１０４を親水性の材料を用い形成した場合には、バンク１０４の表面とホール注入層１０３の表面との親和性／撥水性の差異が小さくなり、有機発光層１０５Ｂを形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０４の開口部に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
　さらに、バンク１０４の構造については、図３および図５に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
　ｆ）有機発光層１０５Ｂ
　有機発光層１０５Ｂは、厚み５０ｎｍ～８０ｎｍ程度の層であって、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０５Ｂの形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
　具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
　ｇ）電子注入層１０６
　電子注入層１０６は、陰極１０７から注入された電子を有機発光層１０５Ｂへ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。
　ｈ）陰極１０７
　陰極１０７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
　陰極１０７の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
　ｉ）封止層１０８
　封止層１０８は、有機発光層１０５Ｂなどが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
　３．表示パネル１０の製造方法
　表示パネル１０の製造方法について、図６から図８を用い説明する。なお、図６から図８では、表示パネル１０の一の有機ＥＬ素子を抜き出して模式的に示している。
　まず、図６（ａ）に示すように、基板１０１の主面上に、スパッタリング法によりＡｇ薄膜を製膜し、当該Ａｇ薄膜を、例えば、フォトリソグラフィでパターニングすることによりマトリクス状に陽極ベース層１０２１を形成する。なお、Ａｇ薄膜の製膜には、スパッタリング法の他に、真空蒸着法を用いることもできる。
　次に、陽極ベース層１０２１の表面に対し、例えば、スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製膜し、当該ＩＴＯ薄膜を、例えば、フォトリソグラフィ法によりパターニングして、ＩＴＯ層１０２２を形成する。
　次に、図６（ｂ）に示すように、ＩＴＯ層１０２２を含む基板１０１の表面に対し、スパッタリング法によりＭｏ－Ｃｒ（９７：３）の金属膜を、膜厚１００［ｎｍ］で製膜する。そして、Ｍｏ－Ｃｒ（９７：３）の金属膜を、感光性レジストを用いるフォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、さらに感光性レジストの剥離を行うことによって、金属層１０２５を形成する。金属層１０２５の形成に際してのエッチングには、燐酸、硝酸、酢酸の混合溶液をエッチング液として用いることができる。
　図６（ｃ）に示すように、上記のようにＩＴＯ層１０２２上に積層形成された金属単層１０２５は、その一主面側から一部が自然酸化され、当該酸化された部分が金属酸化物層１０３１となり、残余の部分が金属層１０２４となる。このとき酸化されることになる部分（金属酸化物層１０３１）の膜厚は、例えば、１［ｎｍ］～５［ｎｍ］である。
　次に、金属酸化物層１０３１の上に、バンク１０４を形成するための絶縁材料からなる膜を、例えば、スピンコート法などにより製膜し、フォトマスクを用いた露光、及び所定の現像液（テトラメチルアンモニウムハイドロキシオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液等）を用いた現像法により所定の形状にパターニングし、バンク準備層（バンク材料からなる層）１０４０を形成する。そして、中性洗剤（或いは水系もしくは非水系の剥離剤）と純水を用いて基板洗浄（ウェットプロセス）を実行し、バンク残渣としてのエッチング残渣を洗浄除去する。ここで、金属酸化物層１０３１が純水やＴＭＡＨ溶液に溶けやすい性質を持つので、このウェットプロセスの実行の際に、金属酸化物層１０３１におけるバンク準備層１０４０の開口底に露出した部分の略全部が溶出する。このため、図７（ａ）に示すように、バンク準備層１０４０の開口底では、金属酸化物層１０３０に凹入構造１０３０ａが形成されることになり、その底部分には金属層１０２４が露出する。
　なお、バンク準備層１０４０の下部の金属酸化物層１０３０は溶失しないので、凹部構造１０２４ａの側壁部分には金属酸化物層１０３０が露出し、当該金属酸化物層１０３０により凹部縁１０３０ｃが形成される。
　次に、バンク準備層１０３０の開口底に露出した金属層１０２４は、自然酸化により、再度、その一主面側から一部が酸化されて、酸化された上層がホール注入層１０３となる。また、残余の金属下層が陽極金属層１０２３となる（図７（ｂ）を参照）。
　そして、この状態で、バンク準備層１０４０に対して熱処理を施して残留部にある程度の流動性を与え、残留部から凹部底面１０３ｂに到達するまでバンク材料（絶縁材料）を延出させる。これにより、図７（ｂ）に示すように、ホール注入層１０３の凹部縁１０３ｃは、延出により形成された被覆部１０４ｄに覆われることになる。
　バンク準備層１０４０に対して施される熱処理は、例えば、熱キュアを採用することができる。熱キュアの温度および時間は、バンク材料の種類や必要とする被覆部１０４ｄの厚みなどを勘案して適宜設定すればよい。その後、必要に応じて、バンク準備層１０４０の残留部表面に対し、例えば、フッ素プラズマなどによる撥液処理を施して、バンク１０４が形成される。
　次に、図７（ｃ）に示すように、バンク１０４内に規定された領域に、たとえば湿式印刷法に基づき、ホール輸送層１０５Ａを形成する。湿式印刷法としては、特に限定されるものではないが、インクジェット法に代表されるノズルジェット法や、ディスペンサー法を用いることができる。この場合、インクジェット法は、インク化した有機成膜材料をノズルから金属酸化物層へ噴射する。これによりホール輸送層１０５Ａを形成する。
　次に、バンク１０４で規定された領域内１０４ｈにおいて、ホール輸送層１０５Ａの上に、例えば、インクジェット法により有機ＥＬ材料を含む組成物インク（以下、単に「インク」と称する）を滴下し、そのインクを乾燥させて有機発光層１０５Ｂを形成する。なお、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等によりインクを滴下しても良い。
　上記において、インクの乾燥は、５０［℃］で１０［ｍｉｎ］間真空乾燥を行い、引き続き、窒素雰囲気中において１３０［℃］で３０［ｍｉｎ］間ベークを行う。有機発光層１０５Ｂの平均膜厚は、約７０［ｎｍ］である。
　次に、図８（ａ）に示すように、有機発光層１０５Ｂおよびバンク１０４の上に、例えば、真空蒸着法により、バリウム５［ｎｍ］（アルドリッチ製、純度９９［％］以上）を製膜し、引き続き、バリウム２０［％］を混合した化合物Ａｌｑ（新日鐵化学製、純度９９［％］以上）の膜２０［ｎｍ］を共蒸着法により製膜することにより、電子注入層１０６を製膜する。
　次に、図８（ｂ）に示すように、電子注入層１０６の上に、例えば、住友重機械工業株式会社製のプラズマコーティング装置を用いて陰極１０７となるＩＴＯ薄膜（膜厚１００［ｎｍ］）を製膜し、図８（ｃ）に示すように、さらにその上に、封止層１０８を製膜する。
　本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法によれば、製造過程においてホール注入層１０３の露出部分に形成される凹部縁１０３ｃが、絶縁材料からなるバンク１０４の被覆部１０４ｄで被覆され、その上にホール輸送層１０５Ａ及び有機発光層１０５Ｂが順次形成されるため、ホール注入層１０３の凹部縁１０３ｃに電界が集中するのを抑制することができる。
　４．効果
　本実施の形態に係る表示装置１の表示パネル１０においては、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃが、金属酸化物からなるホール注入層１０３を備える。このため、表示パネル１０における各有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、ＰＥＤＯＴを用いてホール注入層を形成する場合に比べて、一般的に、電圧－電流密度特性に優れ、また、大電流を流して発光強度を高める場合にも、劣化し難いという優位性を有する。
　また、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、図７（ｂ）に示すように、金属単層の一主面側から表層部分を酸化させ、当該酸化された上層部分をホール注入層１０３とし、残余の金属下層部分を陽極１０２における陽極金属層１０２３としているので、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃにおける形成層数を低減することができ、製造工数の低減を図ることが可能な構成となっている。
　さらに、有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、ホール注入層１０３における凹入構造１０３ａの凹部縁１０３ｃを、バンク１０４の被覆部１０４ｄで被覆しており、バンク１０４が絶縁材料からなるので、発光時に凹部縁１０３ｃへの電界集中を抑制することができる。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、ホール輸送層１０５Ａを介して有機発光層１０５Ｂに局部的な電流が流れるのが抑制される。
　以上より、本実施の形態に係る表示装置１は、表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃの各々が、金属酸化物から構成されたホール注入層１０３を備えることで、電圧－電流密度特性に優れ、また、大電流を流して発光強度を高める場合にも、劣化し難いという優位性を有し、且つ、ホール注入層１０３における凹部縁１０３ｃをバンク１０４の被覆部１０４ｄで被覆することで、発光時における有機発光層１０５Ｂにホール輸送層１０５Ａを介して局部的な電流が流れることが抑制される。
　また、上記製造方法によれば、一旦、一様な厚みの金属酸化物層１０３１を形成した後、純水を用いたエッチング残渣の洗浄時において、その表面部分を一部溶解させ、凹入構造を持つように形成することで、発光領域における厚み部分を薄くし、ホール注入層１０３を形成する。このように、実際の成膜プロセスにおいては、最初から薄い膜を形成するよりも、一旦厚い膜を形成し、その後、厚みを調節する方が、安定した生産性を発揮できる。
　すなわち一般に、成膜プロセスにおいて非常に薄い膜を成膜する場合には、成膜開始から終了までを比較的短い時間で実施する必要があるが、このような薄い膜は、膜厚、膜質等が安定せず、バラツキが生じやすい。これは、成膜条件が安定するまでの時間（例えばスパッタ法では、放電によってチャンバー内にプラズマを生成し、プラズマ状態が安定するまでの時間）においても成膜がなされるため、この時間内に成膜された不安定な特性を持つ膜の厚みの全膜厚に占める割合が大きくなるからである。これに対し上記製造方法によれば、最初に一定の厚みの金属酸化物層１０３１を形成した後、部分的に表面を溶解させて凹入構造を形成することにより、電荷注入輸送性能に優れ、かつ発光領域では膜厚の薄いホール注入層１０３を効率よく作製できるので有利である。
　［実施の形態２］
　実施の形態２に係る有機ＥＬ素子１１０の構成について、図９を用い説明する。なお、図９では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
　図９に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１１０は、陽極１１２の陽極金属層１１２３と、その上に形成されるホール注入層１１３の形状において、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃとの差異を有する。具体的には、有機ＥＬ素子１１０では、陽極金属層１１２３がＩＴＯ層１０２２の側面１０２２ｆも覆う状態で形成されており、これに伴ってホール注入層１１３についても、その両端で基板１０１の主面に境界を接している。
　なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１１０においても、金属単層における上主面側から表層部分が酸化され、当該酸化された金属酸化物層部分（上層部分）がホール注入層１１３であり、残余の金属下層部分が陽極１１２における陽極金属層１１２３である。陽極金属層１１２３およびホール注入層１１３の構成材料および形成方法については、基本的な部分において上記実施の形態１と同様である。
　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１１０においても、ホール注入層１１３の表面部分が沈下した凹入構造となっており、その凹部縁１１３ｃがバンク１０４における被覆部１０４ｄにより被覆されている。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１１０においても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃが有する優位性をそのまま有する。
　［実施の形態３］
　実施の形態３に係る有機ＥＬ素子１２０の構成について図１０を用い説明し、その製造方法の特徴部分について図１１を用い説明する。図１０および図１１では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
　図１０に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１２０は、陽極１２２の形状において、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃとの差異を有する。具体的には、陽極１２２における陽極ベース層１２２１およびその上に積層されているＩＴＯ層１２２２の幅が、ホール注入層１０３の幅と同一になっている。
　他の構成については、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃと同一である。
　図１１（ａ）から図１１（ｃ）の各工程は、上記実施の形態１における図６（ａ）から図６（ｃ）の各工程に対応している。図１１（ａ）に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１２０の製造方法では、基板１０１の上部主面上に、金属層１２２６、ＩＴＯ層１２２７および金属層１２２８を順に積層する。金属層１２２６および金属層１２２８の形成材料は、上記実施の形態１における陽極ベース層１０２１の形成材料および金属層１０２５の形成材料と同様である。
　次に、図１１（ｂ）に示すように、金属層１２２６、ＩＴＯ層１２２７および金属層１２２８を、有機ＥＬ素子１２０を形成しようとする領域ごとに一括エッチングを行う。これにより、基板１０１の側から、陽極ベース層１２２１、ＩＴＯ層１２２２および金属層１２２５が順に積層形成された状態となる。
　次に、図１１（ｃ）に示すように、上層の金属層１２２８をその上主面側から自然酸化させ、当該上層部分を金属酸化物層１３２１とする。残余の下層部分である金属層１２２４は、図６（ｃ）の金属層１０２４と同様に、陽極金属層１２２３の基となる。
　この後については図示を省略しているが、上記実施の形態１の図５および図６と同様の工程を経て、有機ＥＬ素子１２０が形成される。
　本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１２０においても、金属単層をその上主面側から酸化し、当該酸化された金属酸化物層部分（上層部分）がホール注入層１０３であり、残余の金属下層部分が陽極１２２における陽極金属層１２２３である。陽極金属層１２２３およびホール注入層１０３の構成材料および形成方法については、基本的な部分において上記実施の形態１と同様である。
　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１２０においても、ホール注入層１０３の表面部分が凹入構造となっており、その凹部縁１０３ｃがバンク１０４における被覆部１０４ｄにより被覆されている。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１２０においても、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃが有する優位性をそのまま有する。
　［実施の形態４］
　実施の形態４に係る有機ＥＬ素子１３０の構成について、図１２を用い説明する。なお、図１２では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
　図１２に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１３０では、陽極１３２が単層構造を以って構成されている点が、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃとの差異点である。有機ＥＬ素子１３０では、基板１０１の上部主面上に単層構造の金属層（金属単層）を形成し、当該金属単層を上主面側から酸化し、当該酸化された上層部分をホール注入層１３３とし、残余の金属下層部分を陽極１３２としている。ホール注入層１３３がバンク１０４の開口底において凹入構造をとる点は上記同様であり、凹入構造の凹部縁１３３ｃがバンク１０４の被覆部１０４ｄで被覆されている点も同様である。
　本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１３０では、陽極１３２を単層構造とすることにより、構成中に含まれる層数がさらに低減され、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃに比べて、製造工数の低減を図ることができる。よって、更なるコスト削減に優位な構造である。
　なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１３０においても、上述のように、ホール注入層１３３の凹入構造における凹部縁１３３ｃがバンク１０４における被覆部１０４ｄにより被覆されているので、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃが有する優位性をそのまま有する。
　［実施の形態５］
　実施の形態５に係る有機ＥＬ素子１４０の構成について、図１３を用い説明する。なお、図１３では、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
　図１３に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１４０では、バンク１４４における被覆部１４４ｄの形状が、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃとの差異点である。具体的には、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃでは、バンク１０４の被覆部１０４ｄが、ホール注入層１０３における凹部縁１０３ｃを乗り越え、凹部底面１０３ｂまで到達しているが、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１４０では、バンク１４４の被覆部１４４ｄが、凹入構造の凹部縁１０３ｃを被覆している点は同じであるが、ホール注入層１０３の凹部底面１０３ｂにまで到達しない。このような構成を採用する場合には、バンク材料をホール注入層１０３の凹部底面１０３ｂにまで流さなくてもよいので、熱処理の温度および時間を低温かつ短時間にすることができる。
　なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１４０においても、上述のように、ホール注入層１０３の凹部縁１０３ｃがバンク１４４における被覆部１４４ｄにより被覆されているので、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃが有する優位性をそのまま有する。
　［その他の事項］
　上記実施の形態１～５では、例えば、図７（ａ）に示すように、バンク準備層１０４０における斜面の下端と、金属酸化物層１０３０の凹部縁１０３０ｃとが合致した構成を一例として採用したが、必ずしも互いに合致している必要はない。例えば、図１４（ａ）に示すように、バンク準備層１０４０の材料によっては、バンク準備層１０４０の斜面の下端が、金属酸化物層１５３０における凹入構造１５３０ａの凹部縁１５３０ｃよりも後退し、これにより、凹入されていない領域１５３０ｅ（図１４（ａ）の二点鎖線で囲んだ部分を参照）の一部が露出する場合もある。
　換言すると、凹部縁１５３０ｃは、金属酸化物層１５３０の上面において凹入されていない領域と凹部構造１５３０ａの側面とで形成された凸角部分である。
　上記の場合においても、バンク準備層１０４０に熱処理を施すことにより、図１４（ｂ）に示すように、バンク１０４の一部で覆わせることとすることで、上記同様の効果を得ることができる（バンク１０４における被覆部１０４ｄ）。
　上記実施の形態１～５では、有機発光層１０５Ｂの形成に高分子有機材料が用いられた例を示したが、代わりに低分子有機材料を用いて形成した場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
　また、上記実施の形態１～実施の形態５に係る有機ＥＬ素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１１０、１２０、１３０、１４０では、表示パネル１０を想定する形態としたが、全面発光する照明装置などを装置する場合には、基板１０１上の全面あるいは大部分に一様に陽極１０２、１１２、１２２、１３２を形成することとしてもよい。
　あるいは、この陽極１０２、１１２、１２２、１３２は、特定の図形や文字を表示できるようにパターン化されていても良い。この場合は、特性のパターン状の発光が得られるので広告表示などに用いることができる。
　なお、上記におけるホール注入層１０３、１１３、１３３、１５３は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、あるいはホール注入兼ホール輸送層として設けられている。
　また、上記実施の形態１～３および実施の形態５では、陽極１０２、１１２、１２２、１３２の陽極ベース層１０２１、１２２１をＡｇ薄膜で形成し、ＩＴＯ層１０２２、１２２２をその上に形成することとしている。これに対して、陽極１０２、１１２、１２２、１３２の陽極ベース層１０２１、１２２１をＡｌ系の材料を用い形成することもできる。またいずれの場合にも、ＩＴＯ層を省略することもできる。
　また、上記実施の形態１～５では、所謂、ピクセルバンク（井桁状の平面形状を有するバンク）を備える構成を一例として採用したが（図４を参照）、の要部を断面で示したため、バンク１０４、１４４の平面形状については、この他に、ラインバンクなどを採用することができる。ラインバンクの平面形状について、図１５を用い補足説明する。
　図１５に示すように、ライン状のバンク（ラインバンク）６５を採用する場合には、Ｘ軸方向に隣接する有機発光層６６ａ、６６ｂ、６６ｃが区分けされる。
　なお、ラインバンク６５を採用する場合には、Ｙ軸方向に隣接する有機発光層同士はバンク要素により規定されていないが、駆動方法および陽極のサイズおよび間隔などを適宜設定することにより、互いに影響せず発光させることができる。
　また、上記実施の形態１～５では、トップエミッション型で説明しているが、これに限定されず、ボトムエミッション型であってもよい。
　また、上記実施の形態１～５では、有機発光層１０５Ｂと陰極１０７との間に電子注入層１０６のみが介挿されている構成を一例として採用したが、これに加えて電子輸送層が介挿されている構成を採用することもできる。
　さらに、上記実施の形態１～５では、金属層の表層部分を酸化させ、当該酸化された表層部分をホール注入層１０３、１１３、１３３としたが、バンク１０４、１４４下に陰極が配される構成を採用する場合には、酸化された表層部分を以って電子注入層、電子輸送層、または電子注入兼輸送層とすることもできる。
　また、上記実施の形態１～５では、表示装置１の外観を示さなかったが、例えば、図１６に示すような外観を有するものとすることができる。
　本発明は、表示装置や照明装置などへの適用に適した有機ＥＬ素子を実現するのに有用である。
　　　１　表示装置
　　１０　表示パネル
　　２０　駆動制御部
　　２１～２４　駆動回路
　　２５　制御回路
　　６５　ラインバンク
　１００ａ～１００ｃ、１１０、１２０、１３０、１４０　有機ＥＬ素子
　１０１、２１１　ＴＦＴ基板
　１０２、１１２、１２２、１３２　陽極
　１０３、１１３、１３３、１５３　ホール注入層
　１０４、１４４　バンク
　１０５Ａ　　ホール輸送層
　１０５Ｂ、５６ａ１、５６ａ２、５６ｂ１、５６ｂ２、５６ｃ１、５６ｃ２、６６ａ、６６ｂ、６６ｃ　有機発光層
　１０６　電子注入層
　１０７、２７１　陰極
　１０８　封止層
１０２１、１２２１　陽極ベース層
１０２２、１２２２、１２２７　ＩＴＯ層
１０２３、１１２３、１２２３　陽極金属層
１０２４、１０２５、１２２４、１２２５、１２２６、１２２８　金属層
１０３０、１０３１、１３２１　金属酸化物層

Claims (21)

  1. 第１電極と第２電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有する発光素子であって、
    　前記第１電極は、酸化されてなる一方の表面側部分と、酸化されずに残る部分とを含む層中の、前記酸化されずに残る金属層であり、
    　前記電荷注入層は、前記酸化されてなる金属酸化物層であり、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、
    　前記電荷注入層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆され、
    　前記電荷輸送層は、その縁が前記バンクの一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における前記沈下した部分の上方に形成されている、
    ことを特徴とする発光素子。
  2. 　前記電荷輸送層は、前記バンクにおける、前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部に接触している、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記電荷輸送層は、前記バンクで規定された領域における前記電荷注入層の前記凹部の前記沈下した部分と、前記バンクにおける前記電荷注入層の凹部の縁を被覆する被覆部とにより囲まれる領域に形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  4. 　前記金属酸化物層は、前記バンクを形成するときに用いられる液体により浸食される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  5. 　前記バンクの一部は、前記電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達し、
    　前記バンクの側面は、前記凹部の底面への到達点から頂点にかけて上り斜面になっている
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  6. 　前記バンクの一部は、前記電荷注入層の凹入構造における凹部の底面まで達していない
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  7. 　前記第１電極は、少なくとも前記金属層を含む単層構造または積層構造である
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  8. 　前記第１電極は、可視光の反射率が６０％以上である下層と、前記下層上に設けられた前記金属層である上層とを有する積層構造である
    　ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
  9. 　前記第１電極は、アルミニウムおよび銀のうち少なくとも１つを含む合金である下層と、前記下層上に設けられ、モリブデン、クロム、バナジウム、タングステン、ニッケル、イリジウムのうち少なくとも１つを含む前記金属層である上層とを有する積層構造である
    　ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
  10. 　前記第１電極における前記金属層の膜厚は、２０ｎｍ以下である
    　ことを特徴とする請求項１の記載の発光素子。
  11. 　前記発光層は、有機ＥＬ層である
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  12. 　前記電荷注入層は、前記バンクの底面に沿って前記バンクの側方に延出している
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  13. 　前記電荷注入層における凹部の縁は、前記電荷注入層の上面において凹入されていない領域と前記凹部の側面とで形成された凸角部分である
    　ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  14. 　請求項１から１１の何れかに記載の発光素子を複数備えた発光装置。
  15. 　第１電極と第２電極との間に、少なくとも電荷注入層と電荷輸送層と発光層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有する発光素子の製造方法であって、
    　金属層を形成する第１工程と、
    　前記金属層における一方の表面側部分を酸化することにより金属酸化物層を形成する第２工程と、
    　前記金属酸化物層上にバンクを構成する材料からなるバンク材料層を形成する第３工程と、
    　前記バンク材料層の一部を除去することにより、対応する領域の金属酸化物層を除去し、前記第２工程で酸化されずに残った金属層の一部を露出させる第４工程と、
    　前記金属層における前記露出した表面を酸化することにより、前記対応領域に金属酸化物層からなる電荷注入層を形成し、酸化されずに残る金属層を第１電極とする第５工程と、
    　前記電荷注入層上の前記バンク材料層の残留部に熱処理を施す第６工程と、
    　前記第６工程後、前記対応領域に形成した前記電荷注入層上に電荷輸送層を形成する第７工程と、
    前記形成された電荷輸送層上に発光層を形成する第８工程と、
    を含み、
    　前記電荷注入層は、前記バンク材料層の一部を除去するときに用いられる液体により浸食される材料からなり、
    　前記電荷注入層の前記対応領域における露出面は、前記液体の浸食により前記バンク材料層の残留部底面のレベルから沈下した凹入構造に形成され、
    　前記第６工程では、前記バンク材料層の残留部に流動性を与えることにより、前記残留部から前記バンクを構成する材料を前記凹入構造の凹部の縁まで延出させ、
    前記第７工程では、前記電荷輸送層は、その縁が前記バンク材料層の一部で被覆された前記電荷注入層の前記凹部における露出面の上方に形成される、
    ことを特徴とする発光素子の製造方法。
  16. 　前記酸化は、大気に晒すことによる自然酸化、または、酸化処理による酸化の何れかである
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
  17. 　前記酸化は、大気に晒すことによる自然酸化である
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
  18. 　前記第１電極は、単層構造または積層構造である
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
  19. 　前記第１工程では、
    　可視光の反射率が６０％以上である下層を準備し、
    　前記下層上に、前記金属層を形成し、
    　前記第５工程の実行により、前記下層と、前記下層上に積層された前記金属層からなる上層とを有する積層構造の前記第１電極が形成される
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
  20. 　前記第１工程は、
    　アルミニウムおよび銀のうち少なくとも１つを含む合金である下層を準備し、
    　前記下層上に、モリブデン、クロム、バナジウム、タングステン、ニッケル、イリジウムのうち少なくとも１つを含む前記金属層を形成し、
    　前記第５工程の実行により、前記下層と、前記下層上に積層された前記金属層部分からなる上層とを有する積層構造の前記第１電極が形成される
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
  21. 　前記第１電極における前記金属層の膜厚は、２０ｎｍ以下である
    　ことを特徴とする請求項１５に記載の発光素子の製造方法。
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