JP6500311B2 - 有機発光デバイス - Google Patents

Description

本発明は、例えば、有機ＥＬ表示パネルのような有機発光デバイスに関し、特に、サブピクセルを区切るためのバンクに関する。

近年、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示パネル等の有機発光デバイスの開発が行われている。有機発光デバイスでは、有機発光層を含む有機機能層が印刷法により形成されることが知られている（特許文献１）。印刷法では、バンクで区切られた領域に、有機機能層の材料をインクの状態で塗布し、このインクを乾燥させることで有機機能層を形成する。一般的に、有機発光デバイスは、バンクとして、行方向に延伸する第１バンクと、列方向に延伸する第２バンクとを備える。第１バンクは発光色が同一のサブピクセルを区切り、第２バンクは発光色が異なるサブピクセルを区切る。一方、有機発光デバイスの製造は、例えば、基板と、サブピクセル単位に設けられる第１電極と、第１バンクと、第２バンクと、有機機能層と、第２電極とをこの順に形成することで行われる。第１バンクを形成した後に第２バンクを形成した場合、第１バンクと第２バンクとの交差箇所では、第１バンク上に第２バンクが位置する。第２バンクは上述のように発光色が異なるサブピクセルを区切る。また、第２バンクは撥液性を有する。そのため、印刷法で有機機能層を形成する工程では、隣り合うサブピクセルに塗布されるインクを区切ると考えられる。

特開２００２−７５６４０号公報

ところで、上記有機発光デバイスでは、有機機能層が第１電極の上方に形成される。この場合、第１電極の上方のうち第２バンクで区切られる領域（以下、「第１電極上方の塗布領域」という）全体に有機機能層を形成し、サブピクセル全体を発光させることが求められる。一方、印刷法で有機機能層を形成する工程において、有機機能層の材料をインクの状態で第１電極上方の塗布領域全体に塗布することを試みても、第１電極上方の塗布領域のうち第１バンクに近い領域で、有機機能層の材料が塗布されないことがある。この場合、有機機能層の材料を乾燥させても、サブピクセル内の第１バンクに近い領域には有機機能層が形成されない。このような有機機能層の形成不良により、有機機能層が形成されない箇所では発光が生じず、有機機能層が形成された箇所では発光が生じるというような、サブピクセル内での発光ムラが生じる。

本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、有機機能層の形成不良の発生を抑制した有機発光デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、基板と、前記基板の上方に設けられ、当該基板の主面に沿った方向のうち第１方向に間隔をあけるとともに、当該第１方向に対して交差する第２方向に間隔をあけて二次元配置された複数の第１電極と、前記基板の上方に設けられ、前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第１方向にそれぞれが延伸する状態で並設された複数の第１バンクと、前記基板の上方に設けられ、前記第１方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第２方向にそれぞれが延伸する状態で並設され、前記第１バンクと交差する箇所で当該第１バンク上に位置し、且つ、有機フッ素化合物を含んで構成された複数の第２バンクと、前記複数の第１電極の上方に設けられ、且つ、隣り合う前記第２バンクと第２バンクとの間に形成され、有機発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層の上方に設けられた第２電極と、を備え、前記第１バンクは、有機材料を含む有機バンク層の上に無機材料を含む無機バンク層を積層した構造体である、ことを特徴とする。

また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記無機バンク層に含まれる無機材料は、窒化シリコンまたは酸化シリコンまたは酸窒化シリコンであってもよい。
また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記無機バンク層の厚みは、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記基板と前記複数の第１電極との間に、層間絶縁層が設けられ、前記複数の第１バンクは前記層間絶縁層上に配置され、前記複数の第１バンクに含まれる前記有機バンク層の各々は、一部が前記層間絶縁層上のうち前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔に対応する部分を被覆するとともに、残部が当該隣り合う第１電極の各々の一部を被覆し、前記層間絶縁層の上面から前記有機バンク層の前記一部の上面までの高さは、前記層間絶縁層の上面から前記第１電極の上面までの高さよりも高くてもよい。

また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記基板と前記複数の第１電極との間に、層間絶縁層が設けられ、前記複数の第１バンクは前記層間絶縁層上に配置され、前記複数の第１バンクに含まれる前記有機バンク層の各々は、一部が前記層間絶縁層上のうち前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔に対応する部分を被覆するとともに、残部が当該隣り合う第１電極の各々の一部を被覆し、前記層間絶縁層には、前記第１電極の一部が埋め込まれた貫通孔が形成され、前記貫通孔には、前記第１電極の一部を被覆するように、前記有機バンク層の前記残部の少なくとも一部が埋め込まれていてもよい。

また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記第１バンクのうち前記貫通孔に埋め込まれた部分の上面は平坦であってもよい。
さらに、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記貫通孔には、前記有機バンク層のうち前記貫通孔に埋め込まれた部分を被覆するように、前記無機バンク層が埋め込まれていてもよい。

さらに、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記無機バンク層のうち前記貫通孔に埋め込まれた部分の深さは、前記貫通孔の深さよりも深くてもよい。
また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記有機バンク層に含まれる有機材料に対する親和性は、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記第１電極に含まれる材料に対する親和性よりも高くてもよい。

また、本態様に係る有機発光デバイスにおいて、前記第１電極と前記有機機能層との間に、ホール注入層が設けられ、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記有機バンク層に含まれる有機材料に対する親和性は、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記ホール注入層に含まれる材料に対する親和性よりも高くてもよい。

上記一態様に係る有機発光デバイスを製造する際には、第１バンクの形成後に、例えば、フォトリソグラフィーにより第２バンクを形成することができる。この場合、第２バンクの材料と第１バンクの材料と親和性が高いと仮定すると、第１バンクの表面上に第２バンクの材料が残存することがある。また、第２バンクの材料である有機フッ素化合物は、撥液性を有する。そのため、第１バンクの表面上に第２バンクの材料が残存すると、例えば、有機機能層を印刷法により形成する場合、有機機能層の材料であるインクが、第１電極上方の第１バンクおよび第２バンクで囲まれた領域のうち第１バンク付近で撥かれて、第1電極上方のこの領域全体にインクが広がりにくいことがある。

一方、上記一態様に係る有機発光デバイスでは、第２バンクの材料である有機フッ素化合物と無機バンク層に含まれる無機材料との親和性が低いため、第１バンクの表面上に第２バンクの材料が残存しにくい。そのため、有機機能層を印刷法により形成する場合、有機機能層の材料であるインクが、第１電極上方のうち第１バンクおよび第２バンクで囲まれた領域全体に広がりやすい。従って、有機機能層の形成不良の発生を抑制することができる。

本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。 有機発光デバイスにおけるサブピクセルに対する第１バンクおよび第２バンクの配置を示すレイアウト図である。 図２のＸ軸方向に隣り合うサブピクセルの構成を示す模式断面図である。 図２のＹ軸方向に隣り合うサブピクセルの構成を示す模式断面図である。 図２の第１バンクおよび第２バンクの交差箇所の構成を示す模式断面図である。 有機発光デバイスの製造過程を示すフローチャート図である。 比較例に係る有機発光デバイスを説明するための図であり、（ａ）は一部切り欠き斜視図を示し、（ｂ）は第１バンクが形成された基板を準備する工程の断面図を示し、（ｃ）は第２バンク材料を塗布する工程の断面図を示す。 有機発光デバイスを説明するための図であり、（ａ）は第２バンク形成後の断面図を示し、（ｂ）はホール輸送層材料を塗布する工程の断面図を示し、（ｃ）はホール輸送層を形成する工程の断面図を示す。 有機発光デバイスを説明するための図であり、（ａ）は一部切り欠き斜視図を示し、（ｂ）は第１バンクが形成された基板を準備する工程の断面図を示し、（ｃ）は第２バンク材料を塗布する工程の断面図を示す。 有機発光デバイスを説明するための図であり、（ａ）は第２バンク形成後の断面図を示し、（ｂ）はホール輸送層材料を塗布する工程の断面図を示し、（ｃ）はホール輸送層を形成する工程の断面図を示す。 （ａ）（ｂ）は、比較例に係る有機発光デバイスにおける有機機能層の形成不良を示す写真である。 有機発光デバイスの変形例を示す模式断面図である。 有機発光デバイスの変形例を示す模式断面図である。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の図面では、第１方向をＸ軸方向、第２方向をＹ軸方向として説明する。
＜＜実施の形態＞＞
１．概略構成
本実施の形態に係る有機発光デバイス１０を備えた有機ＥＬ表示装置１の概略構成について、図１の模式ブロック図を用いて説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、有機発光デバイス１０と、これに接続された制御駆動回路２０とを備える。有機発光デバイス１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルである。制御駆動回路２０は、４つの駆動回路と１つの制御回路とから構成されている。
２．有機発光デバイス１０の構成
＜第１バンクおよび第２バンクのレイアウト＞
まず、有機発光デバイス１０が備える第１バンクおよび第２バンクのレイアウトについて、図２のレイアウト図を用いて説明する。同図は、基板に垂直な方向から、有機発光デバイス１０におけるサブピクセルを区切る第１バンクおよび第２バンクを上面視した図である。ここでは、一例として、有機発光デバイス１０のうち６つのサブピクセルおよびこの６つのサブピクセル周辺の拡大図を示している。

有機発光デバイス１０において、複数のサブピクセル１０ａ〜１０ｃが、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に二次元配置されている。また、Ｘ軸方向において隣り合う３つのサブピクセル１０ａ〜１０ｃの組み合わせにより、１つの画素が構成されている。有機発光デバイス１０では、サブピクセル１０ａが赤色光（Ｒ）を出射し、サブピクセル１０ｂが緑色光（Ｇ）を出射し、サブピクセル１０ｃが青色光（Ｂ）を出射する。サブピクセル１０ａ〜１０ｃの形状は、矩形状である。

有機発光デバイス１０は、第１バンク１１６と、第２バンク１０５とを備える。第１バンク１１６は、Ｘ軸方向に延伸する状態で並設されている。第２バンク１０５は、Ｙ軸方向に延伸する状態で並設されている。第１バンク１１６は、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ〜１０ｃを区切る。第２バンク１０５は、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ〜１０ｃを区切る。第１バンク１１６と第２バンク１０５との交差箇所１０ｅでは、第２バンク１０５が第１バンク１１６上に位置している。

＜全体構成＞
次に、有機発光デバイス１０の全体構成について、図３〜図５の断面図を用いて説明する。図３は、図２におけるＡ−Ａ断面図であり、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ〜１０ｃの構成を示す。図４は、図２におけるＢ−Ｂ断面図であり、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃの構成を示す。図５は、図２におけるＣ−Ｃ断面図であり、第１バンク１１６と第２バンク１０５との交差箇所１０ｅの構成を示す。

図３に示すように、有機発光デバイス１０は、第１バンク１１６と第２バンク１０５とに加えて、基板１００と、ＴＦＴ層１０１と、層間絶縁層１０２と、第１電極１０３と、ホール注入層１０４と、有機機能層１１１と、第２電極１０９と、封止層１１０と、樹脂層１１２と、基板１１３とを備える。有機発光デバイス１０は、トップエミッション型の表示パネルである。そのため、同図における矢印のようにＺ軸方向上向きの光を出射する。以下、図３を用いて、有機発光デバイス１０の各構成部材について説明する。

２．有機発光デバイス１０の各構成部材
＜基板＞
基板１００は、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板である。ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどを用いることができる。プラスチック基板の材料としては、例えば、ポリエチレンなどを用いることができる。

＜ＴＦＴ層＞
ＴＦＴ層１０１は、基板１００上に配置されている。また、図示していないが、ＴＦＴ層１０１は、各サブピクセルに複数のトランジスタ素子部を備える。各トランジスタ素子部は、ゲート、ソース、ドレインの３電極、半導体層、およびパッシベーション膜等を含み構成されている。

＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１０２は、ＴＦＴ層１０１上に配置されている。層間絶縁層１０２の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂などを用いることができる。
＜第１電極＞
図３に示すように、第１電極１０３は、層間絶縁層１０２上においてＸ軸方向に間隔をあけて配置されている。また、図４に示すように、第１電極１０３は、層間絶縁層１０２上においてＹ軸方向に間隔をあけて配置されている。第１電極１０３が層間絶縁層１０２上においてＸ軸方向およびＹ軸方向に間隔をあけて配置されることにより、第１電極１０３は層間絶縁層１０２上において二次元配置されている。第１電極１０３は、ＴＦＴ層１０１に電気的に接続されており、陽極として機能する。第１電極１０３の材料としては、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料などを用いることができる。有機発光デバイス１０がトップエミッション型であるため、第１電極１０３の表面は、高い光反射性を有することが好ましい。第１電極１０３の厚みは、例えば、４００ｎｍである。

＜ホール注入層＞
ホール注入層１０４は、第１電極１０３上に配置されている。ホール注入層１０４は、第１電極１０３からの有機発光層１０７へのホール注入性を向上させる機能を有する。ホール注入層１０４の材料としては、金属酸化物などの無機材料を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの金属の酸化物を用いることができる。ホール注入層１０４の厚みは、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

＜有機機能層＞
有機機能層１１１は、ホール注入層１０４上に配置されている。本実施の形態では、有機機能層１１１は、ホール輸送層１０６と、有機発光層１０７と、電子輸送層１０８とで構成される。
ホール輸送層１０６は、ホール注入層１０４上に配置されている。ホール輸送層１０６は、第１電極１０３から注入されたホールを有機発光層１０７に輸送する機能を有する。ホール輸送層１０６の材料は、有機材料である。有機材料としては、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって親水基を備えないものを用いることができる。

有機発光層１０７は、ホール輸送層１０６上に配置されている。有機発光層１０７は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０７の発光色は、各サブピクセル１０ａ〜１０ｃについて異なり、例えば、サブピクセル１０ａにおける有機発光層１０７がＲであり、サブピクセル１０ｂにおける有機発光層１０７がＧであり、サブピクセル１０ｂにおける有機発光層１０７がＢである。有機発光層１０７の材料は、発光性の有機材料である。有機発光層１０７の材料としては、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物などを用いることができる。

電子輸送層１０８は、有機発光層１０７上に配置されている。電子輸送層１０８は、第２電極１０９から注入された電子を有機発光層１０７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１０８の材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナントロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用いることができる。

なお、有機機能層１１１は、図３に示すように、隣り合う第２バンク１０５の間に配置され、図４に示すように、第１バンク１１６を跨ぐ状態でＹ軸方向に延在している。また、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃにおいて、有機機能層１１１の厚みは同じである。Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃにおいて、ホール輸送層１０６の厚みは同じである。同様に、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃにおいて、有機発光層１０７の厚みは同じであり、電子輸送層１０８の厚みも同じである。図示していないが、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ、１０ｂにおいても、有機機能層１１１、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７および電子輸送層１０８の厚みについて同様のことがいえる。

また、発光色が異なるサブピクセル１０ａ〜１０ｃにおいて、有機機能層１１１の厚みを、発光色に応じた最適な厚みに設計することがある。そのため、図示していないが、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ，１０ｂにおいて、有機機能層１１１の厚みは異なることがある。同様に、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ａ，１０ｂにおいて、有機発光層１０７の厚みは異なることがあり、電子輸送層１０８の厚みも異なることがある。発光層の異なるＸ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｂ，１０ｃ、１０ａ，１０ｃにおいても、有機機能層１１１、ホール輸送層１０６、有機発光層１０７および電子輸送層１０８の厚みについて同様のことがいえる。

＜第２電極＞
第２電極１０９は、第１バンク１１６上方および電子輸送層１０８上の全面に配置されている。また、図３に示すように、第２電極１０９は、第２バンク１０５上および電子輸送層１０８上の全面に配置されている。第２電極１０９は、負極として機能する。第２電極１０９の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。有機発光デバイス１０はトップエミッション型であるため、第２電極１０９の材料は、光透過性の材料であることが好ましい。

＜封止層＞
封止層１１０は、第２電極１０９上に配置されている。封止層１１０は、各層が水分や空気に晒されることを抑制する機能を有する。封止層１１０の材料としては、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）などを用いることができる。
＜樹脂層＞
樹脂層１１２は、封止層１１０上に配置されている。樹脂層１１２は、各層が水分や空気に晒されることを抑制する機能を有する。樹脂層１１２の材料としては、透明樹脂材料、例えば、エポキシ系樹脂材料などを用いることができる。

＜基板＞
基板１１３は、樹脂層１１２上に配置されている。基板１１３は、基板１００と同様に、ガラス基板またはプラスチック基板を用いて構成される。
＜第２バンク＞
図３に示すように、第１バンク１１６と第２バンク１０５との交差箇所１０ｅ以外では、第２バンク１０５の一部は、Ｘ軸方向において隣り合う第１電極１０３の間隔に配されている。具体的には、第２バンク１０５は、ホール注入層１０４が形成された第１電極１０３の一部を被覆するとともに、Ｘ軸方向に隣り合う第１電極１０３の間隔に対応する層間絶縁層１０２上を被覆している。一方、図５に示すように、第１バンク１１６と第２バンク１０５との交差箇所１０ｅでは、第２バンク１０５は、第１バンク１１６上に配置されている。

第２バンク１０５の材料は、有機フッ素化合物を含む材料、例えば、フッ素化ネガ型フォトレジストであり、具体的には、ＰＦＯＡ（ペルフルオロオクタン酸アンモニウム塩）を含む材料である。第２バンク１０５の材料が有機フッ素化合物を含むため、有機機能層１１１を印刷法で形成する場合に、第２バンク１０５は、有機機能層１１１の材料であるインクに対して適度な撥液性を有する。第２バンク１０５の厚みは、例えば、１．０μｍである。

＜第１バンク＞
（全体構成）
上述のように、第１バンク１１６は、図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセルを区切る。第１バンク１１６の一部は、Ｙ軸方向において隣り合う第１電極１０３の間隔に配されている。第１バンク１１６は、有機バンク層１１７上に無機バンク層１１８が積層された構造体である。無機バンク層１１８は、有機バンク層１１７の上面１１７ａ全体を被覆している。図５に示すように、第１バンク１１６と第２バンク１０５との交差箇所１０ｅでは、第２バンク１０５は第１バンク１１６に直接接触している。具体的には、第２バンク１０５は、無機バンク層１１８に直接接触している。

図４における破線で囲んだ拡大図に示すように、有機バンク層１１７の一部１１７ｂは、層間絶縁層１０２上のうち、Ｙ軸方向において隣り合う第１電極１０３の間隔に対応する部分（以下、「層間絶縁層１０２上の間隔対応部１０２Ｙ」という）を被覆する。また、有機バンク層１１７の残部１１７ｃは、ホール注入層１０４が形成された第１電極１０３の各々の一部を被覆している。

有機バンク層１１７の材料としては、例えば、アクリル樹脂系のポジ型フォトレジストなどを用いることができる。無機バンク層１１８の材料としては、ＳｉＯ（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などを用いることができる。無機バンク層１１８の厚みは、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。なお、無機バンク層１１８の厚みとは、無機バンク層１１８の中央部分の厚みをいう。

（層間絶縁層上の間隔対応部周辺の構成）
以下、層間絶縁層１０２上の間隔対応部１０２Ｙ周辺の構成について、詳細に説明する。
仮に、層間絶縁層１０２上の間隔対応部１０２Ｙを、無機被覆層により被覆することを考える。例えば、無機材料をＣＶＤ法（化学蒸着法）等により積層することで、無機材料からなる層を形成することができる。そのため、無機被覆層は、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等により層間絶縁層１０２上に積層されると考えられる。ＣＶＤ法を用いて無機被覆層を形成すると、無機被覆層の上面は、無機被覆層の下層の形状を反映した形状となる。すなわち、層間絶縁層１０２と第１電極１０３との段差の形状が、無機被覆層の上面にそのまま現れて、無機被覆層の上面に段差が生じる。その場合、無機被覆層上に第２電極をスパッタリング法で形成すると、無機被覆層の段差が生じた箇所の上で、第２電極が途切れてしまったり第２電極の厚みが一部分で極端に薄くなったりすると考えられる。

一方、図４の拡大図に示すように、層間絶縁層１０２上の間隔対応部１０２Ｙを、有機材料で構成される有機バンク層１１７により被覆することを考える。有機バンク層１１７の材料は有機材料であるため、有機バンク層１１７は塗布法を用いて形成することができる。塗布法で塗布される有機材料は液体の状態であるため、塗布した直後の有機材料は流動性を有する。そのため、凹形状を有する下地に有機材料を塗布した場合、有機材料が凹み部に充填されるとともに、有機材料の上面は重力により平坦になる。その後、有機材料を乾燥させると、上面が平坦な有機層が形成されることになる。このように、有機バンク層１１７の上面は、有機バンク層１１７の下層の形状を反映した形状にはならない。具体的には、層間絶縁層１０２と第１電極１０３との段差周辺の上方において、有機バンク層１１７の上面を平坦化できる。具体的には、有機バンク層１１７の一部１１７ｂの上面１１７ｂ１と、有機バンク層１１７の残部１１７ｃのうち一部１１７ｂに近い領域の上面１１７ｃ１とを平坦化することができる。ところで、無機バンク層１１８は無機材料により構成されるため、ＣＶＤ法により形成することができる。この場合、有機バンク層１１７の上面１１７ｂ１、１１７ｃ１上に無機バンク層１１８を形成すると、無機バンク層１１８の上面は、平坦な有機バンク層１１７の上面１１７ｂ１、１１７ｃ１の形状を反映して、平坦な形状になる。ここでいう「各層の上面が平坦な形状である」とは、各層の上面の高さが各層の高さの平均値の９５％以上１０５％以下の範囲に収まるような形状をいう。

無機バンク層１１８の上面が平坦であるため、無機バンク層１１８上に第２電極１０９をスパッタリング法で形成しても、層間絶縁層１０２と第１電極１０３との段差周辺の上方において、第２電極１０９が途切れてしまったり第２電極１０９の厚みが一部分で極端に薄くなったりすることを抑制できる。この場合、層間絶縁層１０２の上面１０２ｂから有機バンク層１１７の一部１１７ｂの上面１１７ｂ１までの高さは、層間絶縁層１０２の上面１０２ｂから第１電極１０３の上面１０３ａまでの高さよりも高くなる。なお、ここでいう「層間絶縁層１０２の上面１０２ｂから有機バンク層１１７の一部１１７ｂの上面１１７ｂ１までの高さ」は、有機バンク層１１７の一部１１７ｂの厚みに相当する。有機バンク層１１７の一部１１７ｂの厚みは、例えば、４００ｎｍである。

（第１電極とＴＦＴ層との接続箇所周辺の構成）
次に、第１電極とＴＦＴ層との接続箇所周辺の構成ついてについて説明する。
層間絶縁層１０２には、貫通孔１０２ａが設けられている。一方、上述のように、第１電極１０３は、ＴＦＴ層１０１に電気的に接続されている。具体的には、図４に示すように、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセル１０ｃの間において、第１電極１０３が、層間絶縁層１０２に設けられた貫通孔１０２ａに埋め込まれている。また、第１電極１０３のうち貫通孔１０２ａに埋め込まれた一部は、ＴＦＴ層１０１のソースもしくはドレインと接続している。これにより、第１電極１０３に電位を与えることができる。このような構成を有する貫通孔１０２ａは、一般に、コンタクトホールと呼ばれている。

有機バンク層１１７の残部１１７ｃの一部は、第１電極１０３のうち貫通孔１０２ａに埋め込まれた一部を被覆している。すなわち、有機バンク層１１７の残部１１７ｃの一部は、貫通孔１０２ａの内側に埋め込まれている。ところで、上述のように、凹形状を有する下地に有機材料を塗布した場合、有機材料が凹み部に充填されるとともに、有機材料の上面は重力により平坦になる。そのため、塗布法を用いて有機バンク層１１７の材料を液体の状態で塗布すると、有機バンク層１１７の材料が貫通孔１０２ａに充填されるとともに、有機バンク層１１７の材料の上面は平坦になる。その後、有機バンク層１１７の材料を乾燥させることで、有機バンク層１１７の貫通孔１０２ａに埋め込まれた部分の上面１１７ｃ２を平坦化できる。さらに、無機バンク層１１８の一部は、貫通孔１０２ａの上方に配置されている。また、上述のように、無機バンク層１１８の材料が無機材料であるため、無機バンク層１１８は、ＣＶＤ法で形成することができる。この場合、貫通孔１０２ａの上方に無機バンク層１１８を形成すると、無機バンク層１１８の上面は、平坦な有機バンク層１１７の貫通孔１０２ａに埋め込まれた部分の上面１１７ｃ２の形状を反映して、平坦な形状になる。一方、上述のように、第２電極１０９はスパッタリング法で形成することができる。その場合、無機バンク層１１８上方に第２電極１０９をスパッタリング法により形成しても、貫通孔１０２ａ周辺の上方において、第２電極１０９が途切れてしまったり、第２電極１０９の厚みが一部分で極端に薄くなったりすることを抑制できる。

なお、貫通孔１０２ａには、有機バンク層１１７と無機バンク層１１８との二層構造の第１バンク１１６が埋め込まれている。これにより、貫通孔１０２ａに埋め込まれた第１電極１０３と第２電極１０９との間について、リーク電流に対するリスクを軽減できる。また、ＴＦＴ層と第１電極１０３との間のコンタクト不良を軽減できる。
３．有機発光デバイス１０の製造方法
以下、有機発光デバイス１０の製造方法の概要について、図６のフローチャートを用いて説明する。

まず、ＴＦＴ基板を準備する（ステップＳ１）。ＴＦＴ基板は、基板１００の上面にＴＦＴ層１０１を形成したものであり、公知の技術で作製される。
ＴＦＴ基板上に層間絶縁層１０２を形成する（ステップＳ２）。具体的には、ＴＦＴ基板上に有機材料を塗布することで有機材料膜を成膜する。さらに、有機材料膜に貫通孔１０２ａを形成することにより、層間絶縁層１０２が形成される。

層間絶縁層１０２上に、第１電極１０３およびホール注入層１０４を順に形成する（ステップＳ３、Ｓ４）。具体的には、まず、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて、層間絶縁層１０２上に金属膜を成膜する。その後、金属膜をサブピクセル１０ａ〜１０ｃ単位でパターニングすることで、第１電極１０３が形成される。さらに、スパッタリング法を用いて第１電極１０３上に金属酸化物膜を成膜する。その後、金属酸化物膜をサブピクセル１０ａ〜１０ｃ単位でパターニングすることで、ホール注入層１０４が形成される。

次に、有機バンク層１１７を形成する（ステップＳ５）。具体的には、有機バンク層１１７をフォトリソグラフィーにより形成する。すなわち、スピンコート法などの塗布法を用いて有機バンク層１１７の材料（例えば、感光性のアクリル系樹脂材料）を液体の状態で塗布することで樹脂膜を成膜する。さらに、この樹脂膜を露光および現像によりパターニングし、焼成を行うことで有機バンク層１１７が形成される。具体的には、露光としてＵＶ照射処理を、２００秒程度行う。現像では、硬化しなかった樹脂膜を現像液により除去する。焼成は、１５０℃以上２３０℃以下の温度で２０分程度行う。

有機バンク層１１７上に、無機バンク層１１８を形成する（ステップＳ６）。具体的には、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜した後、窒化シリコン膜をパターニングすることで、無機バンク層１１８が形成される。ステップＳ５、Ｓ６の工程により、第１バンク１１６が完成する。
さらに、第２バンク１０５の形成を行う（ステップＳ７）。具体的には、第２バンク１０５をフォトリソグラフィーにより形成する。すなわち、スピンコート法などを用いて第１電極１０３、ホール注入層１０４および第１バンク１１６が形成された層間絶縁層１０２全体を被覆するように、第２バンク１０５の材料（例えば、有機フッ素化合物）を液体の状態で塗布することで樹脂膜を成膜する。そして、ステップＳ５と同様に、樹脂膜を露光および現像によりパターニングし、焼成を行うことにより第２バンク１０５が形成される。具体的には、露光としてＵＶ照射処理を２００秒程度行う。現像では、硬化しなかった樹脂膜を現像液により除去する。焼成は、１５０℃以上２３０℃以下の温度で２０分程度行う。

次に、隣り合う第２バンク１０５で区切られた領域である塗布領域に対して、ホール輸送層１０６を形成する（ステップＳ８）。具体的には、印刷法を用いて、ホール輸送層１０６の材料をインクの状態で塗布領域に塗布する。その後、インクを乾燥することで、ホール輸送層１０６が形成される。なお、第２バンク１０５の厚みが厚く、且つ、第２バンク１０５が撥液性を有するフッ素有機化合物を含むため、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセルにおいて、塗布されたインクが互いに混ざることは無い。そのため、Ｘ軸方向に隣り合い、且つ、発光色が異なるサブピクセルにおいて、ホール輸送層１０６の特性を異ならせることができる。ここでいう「ホール輸送層の特性」とは、ホール輸送層の材料およびホール輸送層の厚みをいう。

一方、バンクのうちインクを区切る部分に関して、第１バンク１１６の厚みは、第２バンク１０５の厚みよりも薄い。さらに、第１バンク１１６の材料はフッ素原子を含んでおらず、撥液性を有しない。そのため、Ｙ軸方向に隣り合う第１バンク１１６間の領域および第１バンク１１６上の全面に、ホール輸送層１０６の材料をインクの状態で塗布すると、インクが流動性を有するため、Ｙ軸方向においてインクが連結する。その結果、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセルにおいて、各サブピクセルに塗布されるインクの体積を平準化することができる。この場合、連結したインクの上面は重力によりほぼ平坦になる。その後、インクを乾燥させると、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセルにおいて、形成されるホール輸送層１０６の厚みが同じとなる。そのため、Ｙ軸方向に隣り合い、且つ、発光色が異なるサブピクセルにおいて、ホール輸送層１０６の特性を異ならせることができる。

さらに、塗布領域に対して、有機発光層１０７および電子輸送層１０８を順に積層する（ステップＳ９，Ｓ１０）。ステップＳ８と同様に、各構成材料をインクの状態で塗布した後、インクを乾燥することで、有機発光層１０７および電子輸送層１０８がそれぞれ形成される。有機発光層１０７および電子輸送層１０８についても、Ｘ軸方向に隣り合うサブピクセルにおいて、塗布されたインクが互いに混ざることは無い。そのため、Ｘ軸方向に隣り合い、且つ、発光色が異なるサブピクセルにおいて、有機発光層１０７および電子輸送層１０８の特性をそれぞれ異ならせることができる。有機発光層１０７および電子輸送層１０８についても、Ｙ軸方向に隣り合う第１バンク１１６間の領域および第１バンク１１６上の全面に、材料をインクの状態で塗布することが考えられる。その結果、ホール輸送層１０６の場合と同様に、Ｙ軸方向に隣り合うサブピクセルにおいて、形成される有機発光層１０７および電子輸送層１０８の厚みは、それぞれ同じとなる。これにより、Ｙ軸方向に隣り合い、且つ、発光色が同一であるサブピクセルにおいて、有機発光層１０７および電子輸送層１０８の特性を同一にすることができる。

電子輸送層１０８および第２バンク１０５の上面を被覆するように、第２電極１０９および封止層１１０を順に積層する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。具体的には、スパッタリング法を用いて、第２電極１０９および封止層１１０が形成される。
この後、封止層１１０に基板１１３を貼り合わせることにより、有機発光デバイス１０が完成する（ステップＳ１３）。

４．無機バンク層の機能についての考察
無機バンク層１１８の機能について、図７〜図１０を用いて検討する。まず、比較例に係る有機発光デバイス９９９について説明する。比較例に係る有機発光デバイス９９９と実施の形態に係る有機発光デバイス１０とは、第１バンクの構成、具体的には無機バンク層１１８の有無のみが異なり、他の構成は同一である。

＜有機発光デバイス９９９＞
図７は（ａ）は比較例に係る有機発光デバイス９９９の一部切り欠き斜視図である。なお、有機発光デバイスの最上層（有機発光デバイス１０における基板１１３）については図示していない。図７（ｂ）、図７（ｃ）および図８（ａ）〜図８（ｄ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ断面図であり、それぞれステップＳ５〜Ｓ８の工程を示している。

図７（ａ）に示すように、有機発光デバイス９９９において、第１バンク９１６は、第２バンク９０５と接触している。また、第１バンク９１６は、有機バンク層のみで形成されている。以下、この構成における第１バンク９１６の形成工程からホール輸送層の形成工程まで（ステップＳ５〜Ｓ８）を説明する。
まず、図７（ｂ）に示すように第１バンク９１６を形成する。さらに、ホール注入層９０４および第１バンク９１６が形成された層間絶縁層９０２上の全面に、図７（ｃ）に示すように、第２バンクの材料９０５Ｉを塗布する。
その後、第２バンクの材料９０５Ｉに対して露光、現像および焼成を行う。現像は、第２バンクの材料９０５Ｉのうち、露光により硬化されなかった部分を洗い流すことを目的とする。ところで、ホール注入層９０４上のうち第１バンク９１６の近くに位置する端部９０４ｆから第１バンク９１６の裾にかけて、第１バンク９１６による段差が存在する。一般的に、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆと第１バンク９１６との段差に液体を流すと、この段差には構造的に液体が溜まりやすく流れにくいと考えられる。そのため、この構成において現像を行うと、第２バンクの材料９０５Ｉを含む現像液は、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆと第１バンク９１６との段差から洗い流されにくいと考えられる。その結果、第２バンクの材料９０５Ｉを含む現像液が、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆと第１バンク９１６との段差に付着して残ることがある。また、第２バンクの材料９０５Ｉに含まれる有機フッ素化合物と、第１バンク９１６に含まれる有機材料との親和性が高い。ここでいう「第２バンクの材料９０５Ｉに含まれる有機フッ素化合物と第１バンク９１６に含まれる有機材料との親和性が高い」とは、第２バンクの材料９０５Ｉに含まれる有機フッ素化合物の、第１バンク９１６に含まれる有機材料に対する分子間力が大きいことをいう。そのため、現像液に含まれる第２バンクの材料９０５Ｉの有機フッ素化合物と第１バンク９１６に含まれる有機材料とが、電子を共有し、共有結合をとる場合がある。そのため、現像において、第２バンクの材料９０５Ｉを含む現像液が、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆと第１バンク９１６との段差に付着して残る可能性が高い。
第２バンクの材料９０５Ｉを含む現像液が残ると、焼成を行った後に、図８（ａ）に示すように、第２バンク９０５の残渣９０５ｂが生じる。第２バンク９０５の残渣９０５ｂは、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆに生じる。

ところで、各サブピクセル全体を発光させるために、ホール輸送層９０６の形成工程では、ホール注入層９０４上の第２バンク９１６で区切られる領域全体に、ホール輸送層９０６を形成することが求められる。一方、ホール注入層９０４上の第２バンク９１６で区切られる領域全体に、ホール輸送層材料９０６Ｉを塗布することを試みても、図８（ｂ）に示すように、ホール注入層９０４上の端部９０４ｆにうち残渣９０５ｂが存在するため、ホール輸送層材料９０６Ｉは端部９０４ｆを被覆することができない。これは、第２バンク９０５に有機フッ素化合物が含まれることにより、第２バンク９０５の残渣９０５ｂが撥液性を有するためである。その後、ホール輸送層材料９０６Ｉを乾燥させても、図８（ｃ）に示すように、ホール輸送層９０６は、ホール注入層９０４上のうち第１バンク９１６に近い領域である端部９０４ｆは形成されず、ホール注入層９０４上のうち残りの領域で形成されるのみである。このように、ホール輸送層９０６に形成不良が発生する。この場合、サブピクセル内において、第１バンク９１６に近い領域では発光が生じず、それ以外の領域では発光が生じるという発光ムラが生じる。なお、実際に有機発光デバイス９９９を作製し、平面視において撮影したところ、図１１（ａ）（ｂ）に示すような写真が得られた。当該写真では、隣り合う第１バンク９１６および隣り合う第２バンク９０５で区切られたサブピクセル９１０ｄにおいて、有機機能層の形成不良領域９１０ｅ，９１０ｆが現れている。なお、図１１（ａ）（ｂ）はそれぞれ第２バンクの材料を異ならせた点以外は同じ構成を有する。

＜有機発光デバイス１０＞
次に、有機発光デバイス１０について検討する。図９（ａ）の一部切り欠き図に示すように、有機発光デバイス１０では、第２バンク１０５と有機バンク層１１７との間には、無機バンク層１１８が設けられている。なお、同図においても、最上層である基板１１３については図示していない。図９（ｂ）、図９（ｃ）、および図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、図９（ａ）のＥ−Ｅ断面図であり、それぞれステップＳ５〜Ｓ８の工程を示している。

図９（ａ）に示すように、有機発光デバイス１０において、第１バンク１１６は、第２バンク１０５と接触している。また、第１バンク１１６は、有機バンク層１１７上に無機バンク層１１８が積層された構造体である。以下、この構成における第１バンク１１６の形成工程からホール輸送層１０６の形成工程まで（ステップＳ５〜Ｓ８）を説明する。
図９（ｂ）に示すように、第１バンク１１６を形成する。有機バンク層１１７の上面は無機バンク層１１８により被覆されている。さらに、ホール注入層１０４および第１バンク１１６が形成された層間絶縁層１０２上の全面に、図９（ｃ）に示すように、第２バンク１０５の材料１０５Ｉを塗布する。有機バンク層１１７の上面は無機バンク層１１８により被覆されているため、第２バンク１０５の材料である有機フッ素化合物と有機バンク層１１７に含まれる有機材料とは接触しない。ところで、この構成でも、ホール注入層１０４上の第１バンク１１６の近くに位置する端部１０４ｆから第１バンク１１６の裾にかけて、第１バンク１１６による残渣が存在する。そのため、ホール注入層１０４上の端部１０４ｆと第１バンク１１６との段差に液体を流すと、この段差には構造的に液体が溜まりやすく流れにくいと考えられる。一方、ホール注入層１０４上の端部１０４ｆと段差を構成するものは、第１バンク１１６のうち無機バンク層１１８である。第２バンク１０５の材料である有機フッ素化合物と無機バンク層１１８の材料である無機材料とは親和性が低い。そのため、現像において、第２バンク１０５の材料１０５Ｉを含む現像液が、ホール注入層１０４上の端部１０４ｆと第１バンク１１６との段差に付着して残る可能性は低い。従って、図１０（ａ）に示すように、無機バンク層１１８の上面に、第２バンク１０５の残渣は生じない。この場合、図１０（ｂ）に示すように、ホール輸送層材料１０６Ｉは、ホール注入層１０４上の全面を被覆することができる。その結果、図１０（ｃ）に示すように、ホール輸送層１０６を全面に形成することができる。従って、ホール輸送層１０６の形成不良を抑制できるといえる。すなわち、有機発光デバイス１０では、有機機能層１１１の形成不良を抑制することができる。これにより、サブピクセル内の発光ムラを抑制することができる。

＜＜変形例＞＞
１．第１バンク
上記実施の形態では、有機バンク層の上面全体を被覆するように無機バンク層を形成した。しかしながら、これに限らず、図１２の断面図に示す有機発光デバイス２１０のように、有機バンク層２１７の上面２１７ａにおける一部、例えば、少なくとも周縁部分２１７ｂを被覆するように無機バンク層２１８を形成してもよい。有機発光デバイス２１０の製造工程において、第２バンク１０５の形成後に、有機バンク層２１７の上面２１７ａの中央部分２１７ｃが無機材料で被覆されていない。

一方、有機バンク層２１７の上面２１７ａの周縁部分２１７ｂが無機バンク層２１８で被覆されている。そのため、ホール注入層上のうち第１バンク２０５の近くに位置する端部と段差を構成するものは、第１バンク２１６のうち無機バンク層２１８である。そのため、ホール注入層上の端部と無機バンク層２１８との段差では、第２バンク層２１７の残渣は生じない。従って、有機機能層１１１の形成不良の発生を抑制することができる。

また、上記実施の形態では、層間絶縁層に設けられた貫通孔に有機バンク層が埋め込まれることで、貫通孔に埋め込まれた有機バンク層の上面が平坦になっていた。しかしながら、これに限らず、有機バンク層の上面が平坦にならない場合も考えられる。例えば、有機バンク層を塗布法で形成する工程において、液体の状態における有機バンク層の材料の粘度が高い場合には、有機バンク層の上面が平坦にならずに凹形状になることがある。また、有機バンク層を塗布法で形成する工程において、液体の状態における有機バンク層の材料の粘度が低くても、材料の塗布および露光の後に行われる焼成により有機バンク層の上面が凹形状になることがある。この構成では、焼成前における有機バンク層の材料の厚みが、貫通孔に埋め込まれた部分では厚くそれ以外の部分では薄い。そして、焼成における有機バンク層の材料の縮み率が均一である場合、焼成前後の有機バンク層の材料の厚みの縮み量が、貫通孔に埋め込まれた部分では大きくそれ以外の部分では小さくなる。その結果、有機バンク層の貫通孔に埋め込まれた部分が凹むことがある。このように、有機バンク層の上面が平坦にならずに凹形状になる場合でも、無機バンク層のうち貫通孔に埋め込まれた部分の上面が凹形状になることを抑制することで効果が得られる。以下、この変形例について説明する。

図１３の断面図に示すように、有機バンク層３１７の一部３１７ｃのうち貫通孔１０２ａに埋め込まれた部分の上面３１７ｃ２は凹形状である。この場合であっても、無機バンク層３１８のうち貫通孔１０２ａに埋め込まれた部分の深さは、貫通孔１０２全体の深さよりも、有機バンク層３１７が埋め込まれている分だけ浅くなっている。このように、無機バンク層３１８のうち貫通孔１０２ａに埋め込まれた部分の上面の凹形状が深くなることを抑制することができる。これにより、無機バンク層３１８上方に、第２電極１０９をスパッタリング法で形成しても、貫通孔１０２ａの上方において、第２電極１０９が途切れてしまったり、第２電極１０９の厚みが一部分で極端に薄くなったりすることを抑制できる。

さらに、上記実施の形態では、第１バンクにおける有機バンク層の材料は、アクリル樹脂系であったが、これ以外にも、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂などの有機材料であってもよい。
２．第２バンク
上記実施の形態では、第２バンクの材料は、フッ素化ネガ型フォトレジストであった。しかしながら、これに限らず、第２バンク材料として有機材料のみを用いてもよい。この場合、有材料を露光および現像した後、第２バンクが形成される領域のみが開口したマスクを介して、表面をフッ素ガスでプラズマ処理し、その後、マスクを外すことで、表面に撥液性をもたせればよい。

３．全体構成
上記実施の形態では、トップエミッション型の表示パネルを一例として採用したが、ボトムエミッション型の表示パネルに対して本発明の構成を採用することとしても、上記同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態では、それぞれが平面視において矩形状をした３つのサブピクセルの組み合わせにより１つの画素を構成することとしたが、これに限らない。例えば、各サブピクセルの平面視形状については、三角形や六角形、あるいは八角形などとすることもできるし、全体としてハニカム形状とすることもできる。１画素を構成するサブピクセルの数については、４つのサブピクセルとすることもできるし、それ以上とすることもできる。その場合には、１画素を構成するサブピクセルが互いに異なる発光色であるとすることもできるし、一部が同色の発光を行うものとすることもできる。

４．各部構成
上記実施の形態では、基板としてプラスチック基板を用いた場合、ポリエチレン以外の材料を用いることができる。例えば、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。

上記実施の形態では、第１電極を金属材料からなる単層構造としたが、これ以外にも、金属層と透明導電層との積層体を採用することもできる。透明導電層の材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
また、上記実施の形態では、有機機能層として、ホール輸送層、有機発光層、および電子輸送層を用いたが、これに限らず、例えば、有機機能層をホール輸送層および発光層に電子ブロック層やバッファ層を追加して構成してもよい。また、有機機能層を有機発光層のみで構成してもよい。この場合、第２バンクの残渣が無機バンク層の上面に発生しないことにより、有機発光層の形成不良の発生を抑制することができる。

さらに、上記実施の形態等では、隣り合う第２バンクの間において、有機機能層は、第１バンクを跨ぐ状態で列方向に連続的に形成されていた。しかしながら、これに限らず、有機機能層が列方向に連続的に形成されずに、有機機能層が列方向に第１バンクにより区切られていてもよい。この場合であっても、少なくとも有機機能層の製造段階において、あるサブピクセルに塗布した有機機能層の材料であるインクが、第１バンクを乗り越えて隣り合うサブピクセルに侵入できれば、列方向に隣り合うサブピクセルにおいて、各サブピクセルに塗布されたインクの体積を平準化することができる。その後、乾燥によりインクが収縮し、有機機能層が列方向に第１バンクの上面を横切る部分に形成されない場合であっても、列方向に隣り合う発光色が同一であるサブピクセルにおいて、有機機能層の厚みが均一となる。

上記実施の形態では、第１電極上にホール注入層を設けていたが、これに限らず、第１電極上に有機発光層を直接設けてもよい。このように、ホール注入層を設けない場合には、第２バンクの材料である有機フッ素化合物の第２バンクの材料である有機材料に対する親和性が、第２バンクの材料である有機フッ素化合物の第１電極の材料に対する親和性よりも高ければ、上記発明が有用である。

上記実施の形態で示した構成に加えて、第２電極に対する光出射方向側に、ブラックマトリクス層と、カラーフィルタ層とを備えてもよい。ブラックマトリクス層は、異なる発光色のサブピクル間の混色を抑制するために設けられている。ブラックマトリクス層の材料は、例えば、光吸収性および遮光性を有する黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料である。紫外線硬化樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂等がある。カラーフィルタ層は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の波長域の可視光を選択的に透過する機能を有する。カラーフィルタ層の材料は、例えば、アクリル樹脂をベースとする材料である。ブラックマトリクス層およびカラーフィルタ層を設けることで、より色純度を向上させた有機発光デバイスを実現することができる。

本発明は、高い発光性能を有する有機発光デバイスを実現するために有用である。

１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機発光デバイス
１０ａ〜１０ｃ．サブピクセル
２０．駆動制御回路部
１００．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０２．層間絶縁層
１０３．第１電極
１０４．ホール注入層
１０５．第２バンク
１０６．ホール輸送層
１０７．有機発光層
１０８．電子輸送層
１０９．第２電極
１１０．封止層
１１１．有機機能層
１１２．樹脂層
１１３．基板
１１６．第１バンク
１１７．有機バンク層
１１８．無機バンク層

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配された層間絶縁層と、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記基板の主面に沿った方向のうち第１方向に間隔をあけるとともに、当該第１方向に対して交差する第２方向に間隔をあけて二次元配置された複数の第１電極と、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第１方向にそれぞれが延伸する状態で並設された複数の第１バンクと、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記第１方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第２方向にそれぞれが延伸する状態で並設され、前記第１バンクと交差する箇所で当該第１バンク上に位置し、且つ、有機フッ素化合物を含んで構成された複数の第２バンクと、
   前記複数の第１電極の上方に設けられ、且つ、隣り合う前記第２バンクと第２バンクとの間に形成され、有機発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層の上方に設けられた第２電極と、
   を備え、
   前記第１バンクは、有機材料を含む有機バンク層の上に無機材料を含む無機バンク層を積層した構造体であり、
   前記複数の第１バンクに含まれる前記有機バンク層の各々は、一部が前記層間絶縁層上のうち前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔に対応する部分を被覆するとともに、残部が当該隣り合う第１電極の各々の一部を被覆し、
   前記層間絶縁層の上面から前記有機バンク層の前記一部の上面までの高さは、前記層間絶縁層の上面から前記第１電極の上面までの高さよりも高い、
   有機発光デバイス。
2. 基板と、
   前記基板の上方に配された層間絶縁層と、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記基板の主面に沿った方向のうち第１方向に間隔をあけるとともに、当該第１方向に対して交差する第２方向に間隔をあけて二次元配置された複数の第１電極と、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第１方向にそれぞれが延伸する状態で並設された複数の第１バンクと、
   前記層間絶縁層上に設けられ、前記第１方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第２方向にそれぞれが延伸する状態で並設され、前記第１バンクと交差する箇所で当該第１バンク上に位置し、且つ、有機フッ素化合物を含んで構成された複数の第２バンクと、
   前記複数の第１電極の上方に設けられ、且つ、隣り合う前記第２バンクと第２バンクとの間に形成され、有機発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層の上方に設けられた第２電極と、
   を備え、
   前記第１バンクは、有機材料を含む有機バンク層の上に無機材料を含む無機バンク層を積層した構造体であり、
   前記複数の第１バンクに含まれる前記有機バンク層の各々は、一部が前記層間絶縁層上のうち前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔に対応する部分を被覆するとともに、残部が当該隣り合う第１電極の各々の一部を被覆し、
   前記層間絶縁層には、前記第１電極の一部が埋め込まれた貫通孔が形成され、
   前記貫通孔には、前記第１電極の一部を被覆するように、前記有機バンク層の前記残部の少なくとも一部が埋め込まれている、
   有機発光デバイス。
3. 前記第１バンクのうち前記貫通孔に埋め込まれた部分の上面は平坦である、
   請求項２記載の有機発光デバイス。
4. 前記貫通孔には、前記有機バンク層のうち前記貫通孔に埋め込まれた部分を被覆するように、前記無機バンク層が埋め込まれている、
   請求項２記載の有機発光デバイス。
5. 前記無機バンク層のうち前記貫通孔に埋め込まれた部分の深さは、前記貫通孔の深さよりも深い、
   請求項４記載の有機発光デバイス。
6. 基板と、
   前記基板の上方に設けられ、当該基板の主面に沿った方向のうち第１方向に間隔をあけるとともに、当該第１方向に対して交差する第２方向に間隔をあけて二次元配置された複数の第１電極と、
   前記基板の上方に設けられ、前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第１方向にそれぞれが延伸する状態で並設された複数の第１バンクと、
   前記基板の上方に設けられ、前記第１方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第２方向にそれぞれが延伸する状態で並設され、前記第１バンクと交差する箇所で当該第１バンク上に位置し、且つ、有機フッ素化合物を含んで構成された複数の第２バンクと、
   前記複数の第１電極の上方に設けられ、且つ、隣り合う前記第２バンクと第２バンクとの間に形成され、有機発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層の上方に設けられた第２電極と、
   を備え、
   前記第１バンクは、有機材料を含む有機バンク層の上に無機材料を含む無機バンク層を積層した構造体であり、
   前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記第１バンクに含まれる有機材料に対する親和性は、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記第１電極に含まれる材料に対する親和性よりも高い、
   有機発光デバイス。
7. 基板と、
   前記基板の上方に設けられ、当該基板の主面に沿った方向のうち第１方向に間隔をあけるとともに、当該第１方向に対して交差する第２方向に間隔をあけて二次元配置された複数の第１電極と、
   前記基板の上方に設けられ、前記第２方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第１方向にそれぞれが延伸する状態で並設された複数の第１バンクと、
   前記基板の上方に設けられ、前記第１方向に隣り合う前記第１電極と第１電極との間隔にそれぞれ配され、前記第２方向にそれぞれが延伸する状態で並設され、前記第１バンクと交差する箇所で当該第１バンク上に位置し、且つ、有機フッ素化合物を含んで構成された複数の第２バンクと、
   前記複数の第１電極の上方に設けられ、且つ、隣り合う前記第２バンクと第２バンクとの間に形成され、有機発光層を含む有機機能層と、
   前記有機機能層の上方に設けられた第２電極と、
   を備え、
   前記第１バンクは、有機材料を含む有機バンク層の上に無機材料を含む無機バンク層を積層した構造体であり、
   前記第１電極と前記有機機能層との間に、ホール注入層が設けられ、
   前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記第１バンクに含まれる有機材料に対する親和性は、前記第２バンクに含まれる有機フッ素化合物の前記ホール注入層に含まれる材料に対する親和性よりも高い、
   有機発光デバイス。
8. 前記無機バンク層に含まれる無機材料は、窒化シリコンまたは酸化シリコンまたは酸窒化シリコンである、
   請求項１、２、６、７のいずれかに記載の有機発光デバイス。
9. 前記無機バンク層の厚みは、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、
   請求項１、２、６、７のいずれかに記載の有機発光デバイス。