WO2025079282A1 - Method for manufacturing wiring circuit board - Google Patents
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
Definitions
- the present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board.
- Wired circuit boards are manufactured by laminating conductors such as wiring and various insulating layers on a substrate.
- the conductors and/or insulating layers are patterned, for example, by photolithography.
- processing liquids are used for cleaning metal substrates, rinsing after development when forming resist patterns, removing seed layers, etc. Since used processing liquids cannot be reused as they are, they are disposed of as waste liquids.
- a method for removing copper from a solution or liquid includes providing a system including an electrolytic cell including an anode and a cathode separated by a copper ion-permeable membrane; adding a liquid containing copper and a copper complexing agent to the system; and electrolytically treating the liquid (see, for example, Patent Document 1).
- the present invention includes the following.
- the second step comprises: A step of measuring the active ingredient in the recovered treatment liquid; a step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the active ingredient, thereby preparing the treatment liquid for forming a reused wiring circuit; Including
- the present invention provides a method for manufacturing a wiring circuit board that can reduce the environmental impact by reusing the processing solution for wiring circuit formation used in the wiring circuit formation process.
- the wiring circuit forming treatment liquid is not particularly limited as long as it is a liquid used in the wiring circuit forming process, and examples thereof include a cleaning liquid, a rinsing liquid, and an etching liquid.
- the cleaning solution may be, for example, an acidic cleaning solution.
- the rinse liquid may be, for example, an acid rinse liquid.
- the etching solution may be, for example, an acidic etching solution.
- the treatment liquid for forming the wiring circuit includes, for example, at least one of an acidic cleaning liquid for cleaning the surface in the wiring circuit formation process and an acidic etching liquid for etching in the wiring circuit formation process.
- the waste liquid is not particularly limited as long as it is a waste liquid from a processing liquid for forming a wiring circuit used in the wiring circuit forming process, and examples thereof include waste liquid from a cleaning liquid, waste liquid from a rinsing liquid, waste liquid from an etching liquid, and combinations of two or more of these.
- the waste liquid preferably contains at least one of the following waste liquids (1) to (3). (1) Waste liquid from cleaning solutions used in cleaning metal substrates prior to the formation of an insulating layer or resist pattern. (2) Waste liquid from rinsing solutions used in rinsing treatments following development treatments in the formation of resist patterns. (3) Waste liquid from etching solutions used in the removal (etching) of seed layers.
- the waste liquid from the treatment liquid for forming a wiring circuit contains unnecessary components.
- unnecessary components contained in the waste liquid include metal ions, such as copper ions, nickel ions, iron ions, titanium ions, and chromium ions.
- the waste cleaning liquid contains copper ions.
- the waste liquid of the etching solution contains nickel ions.
- the etching solution also etches a part of the plating layer, so that the waste liquid of the etching solution contains, for example, copper ions derived from the copper plating layer.
- the waste liquid recovery treatment is not particularly limited as long as it is at least one of an electrochemical treatment and a dialysis treatment.
- the recovery treatment may be an electrochemical treatment, a dialysis treatment, or an electrodialysis treatment that is a combination of these.
- the electrodialysis treatment is preferred in that it provides a high reuse rate of the wiring circuit forming treatment solution.
- the electrochemical treatment is not particularly limited as long as it is a treatment that uses electricity to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components from waste liquid.
- it can be a treatment in which waste liquid is placed in a recovery treatment chamber containing electrodes and electricity is passed through to cause unnecessary components (e.g., metal components) to adhere to the electrodes, thereby obtaining a recovered treatment liquid containing the treatment liquid components from which the unnecessary components have been removed.
- unnecessary components e.g., metal components
- the dialysis process is not particularly limited as long as it is a process that uses a dialysis membrane to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components from waste liquid.
- it can be a process that uses an ion exchange membrane as the dialysis membrane to separate metal components (metal cations) and anion components (e.g., anions that are ionized components of acids; e.g., sulfate ions, chloride ions, nitrate ions, etc.) using osmotic pressure to obtain a recovered treatment liquid containing anion components as treatment liquid components.
- metal components metal cations
- anion components e.g., anions that are ionized components of acids; e.g., sulfate ions, chloride ions, nitrate ions, etc.
- the electrodialysis device 1001 shown in FIG. In the electrodialysis tank 1002, a first tank 1011, a second tank 1012, and a third tank 1013 are disposed. The first tank 1011 and the second tank 1012 are separated by a cation exchange membrane 1021 . The first tank 1011 and the third tank 1013 are separated by a cation exchange membrane 1021 .
- the electrodialysis cell 1002 further includes a first electrode 1031 and a second electrode 1032 . The first electrode 1031 is disposed on the side of the second tank 1012 opposite to the first tank 1011 side.
- An anion exchange membrane 1022 is disposed on the first electrode 1031 side of the second tank 1012 .
- the second electrode 1032 is disposed on the side of the third tank 1013 opposite to the first tank 1011 side.
- An anion exchange membrane 1022 is disposed on the second electrode 1032 side of the third tank 1013 .
- the first electrode 1031 is a positive electrode
- the second electrode 1032 is a negative electrode.
- the waste liquid is an aqueous solution containing Ni cations, Cu cations, and nitrate ions.
- the component to be recovered and reused is the nitrate ions.
- the waste liquid is passed through the first tank 1011.
- Water with a relatively small amount of ions in the waste liquid is passed through the second tank 1012 and the third tank 1013. Examples of such water include deionized water and pure water. Due to osmotic pressure, nitrate ions permeate the cation exchange membrane 1021 and move to the second tank 1012 and the third tank 1013.
- Ni cations and Cu cations cannot permeate the cation exchange membrane 1021 and therefore remain in the first tank 1011.
- the photosensitive resin composition for forming an insulating layer is not particularly limited as long as it is a photosensitive resin composition that can be used to form an insulating layer.
- the photosensitive resin composition for forming an insulating layer may be in a liquid form or a film form (so-called dry film).
- the photosensitive resin composition for forming an insulating layer may be a positive type in which the exposed portion is soluble in a developer, or a negative type in which the unexposed portion is soluble in a developer.
- the insulating layer-forming photosensitive resin composition contains, for example, a resin.
- the insulating layer-forming photosensitive resin composition may contain, in addition to the resin, a crosslinking agent, a filler, various additives, and the like.
- the patterning process is performed by, for example, photolithography.
- the photolithography may be a subtractive method or a semi-additive method.
- the shape of the pattern to be formed is not particularly limited, and examples thereof include lines, lattices, dots, etc. Examples of dots include circles, ellipses, and polygons (such as squares).
- a resist pattern is formed using a resist material (sometimes referred to as a "resist pattern forming process").
- the patterned film formed from the photosensitive resin composition for forming an insulating layer is different from the resist pattern formed from the resist material, and remains as a part of the wiring circuit board as an insulating layer even after the wiring circuit is formed. Therefore, the photosensitive resin composition for forming an insulating layer is sometimes called a permanent resist in terms of distinction from the resist material in this specification.
- the resist pattern forming step is performed by, for example, photolithography.
- the photolithography may be a subtractive method or a semi-additive method.
- the shape of the pattern to be formed is not particularly limited, and examples thereof include lines, lattices, dots, etc. Examples of dots include circles, ellipses, and polygons (such as squares).
- photolithography for example, exposure, development, and the like are performed.
- a photomask is used during exposure.
- the exposure may be direct imaging exposure (direct writing exposure) without using a photomask.
- direct imaging exposure a laser beam is generally used as the exposure light.
- the wavelength of the exposure light is not particularly limited, and may be, for example, 210 nm to 440 nm.
- the light source of the exposure light is not particularly limited, and examples thereof include low-pressure mercury lamps (germicidal lamps, fluorescent chemical lamps, black lights), high-pressure discharge lamps (high-pressure mercury lamps, metal halide lamps), short arc discharge lamps (ultra-high pressure mercury lamps, xenon lamps, mercury-xenon lamps), light-emitting diodes (LEDs), and the like.
- the amount of radiation in the exposure is not particularly limited, and may be, for example, 5 mJ/cm 2 to 1,000 mJ/cm 2 .
- the development may be carried out using a solvent or an alkali.
- the development may be a dip development or a spray development.
- the developer used in the resist pattern formation process may be an alkaline developer or an organic solvent developer.
- the alkaline developer contains, for example, an alkali and water, and may further contain an alcohol.
- a seed layer is formed.
- the resist pattern is formed, for example, on the seed layer.
- plating is performed between the resist patterns.
- ⁇ Plating between resist patterns> As a method for plating between the resist patterns, for example, there is a method for plating between the resist patterns on the seed layer, in which electrolytic plating is usually performed.
- the plating solution may be, for example, a copper sulfate plating solution.
- An example of a method for plating is to immerse a laminate having a resist pattern formed on a seed layer in a plating solution.
- the resist pattern is peeled off and the seed layer is removed, for example.
- the second step is a step of preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit using the recovered treatment liquid.
- the recovered treatment liquid may be used as it is as a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
- the recovered treatment liquid may be mixed with a new treatment liquid for forming a wiring circuit to prepare a reused treatment liquid for forming a wiring circuit.
- the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by adjusting the concentration of the treatment liquid components in the recovered treatment liquid.
- the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by mixing the recovered treatment liquid with at least one of water, an acid, and an alcohol.
- the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by carrying out the following steps (1) and (2).
- Step (1) A step of measuring the effective components in the recovered treatment liquid.
- Step (2) A step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the effective components, thereby preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
- step (1) for example, when the treatment liquid for forming a wiring circuit is an acidic liquid, the concentration of the acid as an active ingredient is measured.
- the measurement method is not particularly limited, and examples thereof include specific gravity measurement, neutralization titration, and combinations thereof. These measurements may be performed automatically or manually.
- step (2) the treatment liquid for forming a reused wiring circuit is prepared by adding acid or water to the recovered treatment liquid based on the measurement result of the acid concentration obtained in step (1) to adjust the composition to a predetermined value. The addition of acid or water to the recovered treatment liquid may be performed automatically or manually.
- steps (1) and (2) the measurement and adjustment may be performed automatically or manually.
- the concentration of the alcohol as an active ingredient may be measured in step (1), and in step (2), based on the measurement result of the alcohol concentration obtained in step (1), alcohol or water may be added to the recovered treatment liquid to adjust the composition to a predetermined value, thereby preparing the reuse wiring circuit forming treatment liquid.
- the third step is a step of forming a wiring circuit using a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
- the process for forming the wiring circuit is not particularly limited, but may include, for example, at least one of the following: forming a patterned insulating layer using a photosensitive resin composition for forming an insulating layer, forming a resist pattern using a resist material, and plating between the resist patterns on the seed layer.
- the process for forming the wiring circuit may be, for example, a subtractive method or a semi-additive method.
- a semi-additive method for example, plating is performed.
- a seed layer is formed.
- the seed layer is a layer that serves as a base when plating is performed.
- the process of forming the wiring circuit includes, for example, cleaning of the metal substrate.
- the cleaning of the metal substrate is performed, for example, before the formation of an insulating layer or a resist pattern.
- a metal oxide film e.g., copper oxide
- a rust inhibitor e.g., benzotriazole
- the process of forming the wiring circuit includes, for example, a rinsing process that follows a development process in forming a resist pattern.
- the process of forming the wiring circuit includes, for example, removing the seed layer.
- the waste liquid of the treatment liquid for forming the reused wired circuit generated in the third step may be subjected to a recovery treatment and further reused. That is, the method for producing the wired circuit board may include the following fourth, fifth, and sixth steps. Furthermore, in the method for producing the wired circuit board, the fourth to sixth steps may be repeated multiple times.
- Fourth step A step of subjecting the waste liquid of the treatment liquid for forming the reused wiring circuit used in the third step to at least one of electrochemical treatment and dialysis treatment to obtain a second recovered treatment liquid containing a treatment liquid component.
- Fifth step A step of preparing a treatment liquid for forming a second reused wiring circuit using the second recovered treatment liquid.
- Sixth step A step of forming a wiring circuit using the treatment liquid for forming the second reused wiring circuit.
- the cleaning liquid used in step 1A may be a recycled cleaning liquid, a new cleaning liquid, or a mixture of recycled cleaning liquid and new cleaning liquid.
- Step 2A is a step of preparing a reused cleaning liquid using the recovered treatment liquid.
- the recovered treatment liquid may be used as a reused cleaning liquid as it is.
- the recovered treatment liquid may be mixed with a new cleaning liquid to prepare a reused cleaning liquid.
- the reuse cleaning liquid may be prepared by adjusting the concentration of the cleaning liquid component in the recovered processing liquid.
- the reuse cleaning liquid may be prepared by mixing the recovered processing liquid with at least one of water, an acid, and an alcohol.
- the reuse cleaning liquid may be prepared by carrying out the following steps (1A) and (2A).
- Step (1A) A step of measuring the amount of active ingredients in the recovered treatment liquid.
- Step (2A) A step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the active ingredients, thereby preparing a reused cleaning liquid.
- step (1A) for example, when the cleaning solution is an acidic aqueous solution, the concentration of the acid as an active ingredient is measured.
- the measurement method is not particularly limited, and examples thereof include specific gravity measurement, neutralization titration, and combinations thereof. These measurements may be performed automatically or manually.
- step (2A) based on the measurement result of the acid concentration obtained in step (1A), an acid or water is added to the recovered treatment liquid to adjust the composition to a predetermined value, thereby preparing a reused cleaning liquid. The addition of the acid or water to the recovered treatment liquid may be performed automatically or manually.
- steps (1A) and (2A) the measurement and adjustment may be performed automatically or manually.
- the 3A step is a step of cleaning the second metal substrate with the recycled treatment liquid.
- the second metal substrate is, for example, an element for ensuring the rigidity of the printed circuit board.
- the second metal substrate is, for example, a metal core layer.
- the material of the second metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Cu alloy, stainless steel, alloy 42, etc. Among these, from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity, Cu, Cu alloy, and stainless steel are preferable.
- the thickness of the second metal substrate is not particularly limited and is, for example, 10 ⁇ m or more, preferably 15 ⁇ m or more, and for example, 500 ⁇ m or less, preferably 300 ⁇ m or less.
- the method for cleaning the second metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the metal substrate in a cleaning liquid, and a method of spraying the cleaning liquid onto the metal substrate.
- the cleaning time for the second metal substrate is not particularly limited.
- the temperature of the cleaning liquid when cleaning the second metal substrate is not particularly limited.
- the first metal substrate and the second metal substrate may be made of the same material or different materials.
- the first metal substrate and the second metal substrate may be the same size or may be different sizes.
- the first metal substrate and the second metal substrate may have the same thickness or different thicknesses.
- Specific examples and preferred examples of Step 4A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1A.
- Specific examples and preferred examples of Step 5A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2A.
- Specific examples and preferred examples of Step 6A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3A.
- An example of a method for forming the first resist pattern is the resist pattern formation process described above.
- Step 2B is a step of preparing a reused rinse liquid using the recovered processing liquid.
- Step 2B is one embodiment of step 2.
- the reused rinse liquid in step 2B corresponds to the reused wiring circuit forming treatment liquid in step 2.
- Specific examples and preferred examples of Step 2B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2.
- the 3B step is a step of performing a rinsing treatment using a recycled rinsing liquid after the development treatment in forming the second resist pattern.
- the method of rinsing is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the resist pattern in a rinsing liquid, and a method of spraying the rinsing liquid onto the resist pattern.
- the rinsing time is not particularly limited.
- the temperature of the rinse liquid during the rinse treatment is not particularly limited.
- An example of a method for forming the second resist pattern is the resist pattern formation process described above.
- the method for forming the first resist pattern and the method for forming the second resist pattern may be the same process or different processes.
- An example of the same process is a process for forming resist patterns of the same shape.
- the waste rinsing liquid generated in the step 3B may be subjected to a recovery process and further reused. That is, the embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board may include the following steps 4B, 5B, and 6B. Furthermore, in the embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board, steps 4B to 6B may be repeated multiple times.
- Step 4B A step of subjecting the waste liquid of the reused rinse liquid used in Step 3B to a recovery process to obtain a second recovered treatment liquid containing a rinse liquid component.
- Step 5B A step of preparing a second reused rinse liquid using the second recovered treatment liquid.
- Step 6B A step of performing a rinse process after the development process in forming a third resist pattern using the second reused rinse liquid. Note that Step 4B is one embodiment of Step 4.
- Step 5B is an embodiment of step 5.
- Step 6B is an embodiment of step 6.
- Step 4B includes the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1B.
- Specific examples and preferred examples of Step 5B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2B.
- Specific examples and preferred examples of Step 6B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3B.
- the 1C step is a step of subjecting a waste liquid of the etching solution used in removing the first seed layer to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing an etching solution component.
- the method for removing the second seed layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the seed layer in an etching solution, a method of spraying the etching solution onto the seed layer, etc.
- the seed layer is usually immersed in the etching solution together with the plating pattern.
- the time for removing the second seed layer is not particularly limited.
- the temperature of the etching solution when removing the second seed layer is not particularly limited.
- the waste etching solution generated in the third C step may be subjected to a recovery process and further reused. That is, the embodiment (part 3) of the method for producing a wired circuit board may include the following steps 4C, 5C, and 6C. Furthermore, in the embodiment (part 3) of the method for producing a wired circuit board, steps 4C to 6C may be repeated multiple times.
- Step 4C A step of subjecting the waste liquid of the recycled etching liquid used in Step 3C to a recovery process to obtain a second recovered processing liquid containing an etching liquid component.
- Step 5C A step of preparing a second recycled etching liquid using the second recovered processing liquid.
- Step 6C A step of removing the third seed layer using the second recycled etching liquid. Note that Step 4C is one embodiment of Step 4.
- Step 5C is an embodiment of step 5.
- Step 6C is an embodiment of step 6.
- Step 4C includes the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1C.
- Specific examples and preferred examples of Step 5C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2C.
- Specific examples and preferred examples of Step 6C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3C.
- FIG. 2 is a flow chart of one embodiment of a method for manufacturing a printed circuit board.
- the first step 101 is carried out.
- waste liquid of the wiring circuit forming treatment liquid used in the wiring circuit forming step is subjected to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a treatment liquid component.
- a second step 102 is performed.
- the recovered treatment liquid obtained in the first step 101 is used to prepare a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
- a third step 103 is performed.
- the reuse wiring circuit forming treatment liquid prepared in the second step 102 is used to form a wiring circuit.
- FIG. 3 is a flow chart of another embodiment of the method for manufacturing a printed circuit board.
- the first step 101 to the third step 103 are performed.
- the first step 101 to the third step 103 are the same as the first step 101 to the third step 103 in the description of one embodiment of the method for producing a wired circuit board using FIG.
- a fourth step 104 is performed.
- the waste liquid of the processing liquid for forming the reused wiring circuit used in the third step 103 is subjected to a recovery process to obtain a second recovered processing liquid containing a processing liquid component.
- a fifth step 105 is performed.
- the second recovered processing liquid obtained in the fourth step 104 is used to prepare a second processing liquid for forming a reused wiring circuit.
- a sixth step 106 is performed.
- the second reuse wiring circuit forming treatment liquid prepared in the fifth step 105 is used to form a wiring circuit.
- FIG. 4 is a flow chart of another embodiment of the method for manufacturing a printed circuit board.
- the flowchart in FIG. 4 illustrates an embodiment in which the fourth to sixth steps are performed multiple times.
- the first step 101 to the sixth step 106 are performed.
- the first step 101 to the sixth step 106 are the same as the first step 101 to the sixth step 106 in the description of the embodiment of the method for producing a wired circuit board using FIG.
- a fourth step 104 is performed.
- waste liquid from the treatment liquid for forming a wiring circuit used in the step of forming a wiring circuit in the sixth step 106 is used as the waste liquid from the treatment liquid for forming a wiring circuit.
- a fifth step 105 and a sixth step 106 are carried out.
- FIG. 5 is a flow chart of an example of an embodiment (part 1) of a method for manufacturing a printed circuit board.
- the 1A step 1 is carried out.
- a waste liquid of a cleaning liquid used for cleaning a first metal substrate is subjected to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a cleaning liquid component.
- the 2A step 2 is carried out.
- the recovered and treated liquid obtained in the 1A step 1 is used to prepare a reused recovered and treated liquid.
- the 3A step 3 is carried out.
- the second metal substrate is cleaned using the recycled treatment liquid.
- ⁇ Cu ion removal rate> The amount of copper ions contained in the recovered solution obtained by electrodialysis was quantified by ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry).
- the measurement device used was an AGILENT 8800 manufactured by Agilent Technologies. The results are shown in Table 1. When the copper ion concentration in the recovered treated liquid is 500 ppm by mass, the Cu ion removal rate is 0%, and when the copper ion concentration in the recovered treated liquid is 0 ppm by mass, the Cu ion removal rate is 100%.
- the acid recovery rate was determined in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
- the Cu ion removal rate was determined in the same manner as in Test Example 1-1.
- the results are shown in Table 1.
- the cleaning properties were evaluated in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
- a comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in Table 1.
- Test Example 1-3 Cleaning Using Waste Cleaning Liquid
- a test was performed in the same manner as in Test Example 1-1, except that the electrodialysis treatment was not performed and the test waste liquid was used as a reused cleaning liquid in the cleaning test.
- the cleaning properties were evaluated in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
- a comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in Table 1.
- etching solution As an etching solution, TopRip manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. (aqueous solution with a nitric acid concentration of 25% by mass and a hydrogen peroxide concentration of 2% by mass) was used.
- etching test substrate a circuit board having a Ni layer corresponding to a seed layer formed on the copper surface [a polyimide film (thickness 20 ⁇ m ⁇ 10 cm ⁇ 10 cm) on which 20 ⁇ m of copper was laminated] was used.
- Electrodialysis treatment was carried out using the following electrodialysis apparatus.
- ⁇ Electrodialysis device Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom)
- CKP-S manufactured by Astom
- ASE manufactured by Astom
- Each ion exchange membrane was attached to a Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom), which is an apparatus for testing electrodialysis.
- test waste liquid was introduced into the micro-acid lyzer S3, and electrodialysis treatment was performed by applying a voltage of 15 V with a current of up to 2 A.
- the electrodialysis treatment was performed for about 2 hours while circulating the test waste liquid at a flow rate of about 5 L/min.
- the recovered solution obtained by the electrodialysis treatment was used in the following etching test.
- the etching test substrate was placed in the 1000 mL beaker, and the etching test substrate was etched at a temperature of 40° C. for 120 seconds. During the etching, the reused etching solution was stirred using a magnetic stirrer.
- the above test was evaluated as follows. ⁇ Acid recovery rate> The acid component (nitric acid) contained in the recovered solution obtained by electrodialysis was quantified by neutralization titration to determine the acid recovery rate. The results are shown in Table 2. When the acid component (nitric acid) concentration in the recovered solution is 0 mass %, the acid recovery rate is 0%, and when the acid component (nitric acid) concentration in the recovered solution is 25 mass %, the acid recovery rate is 100%.
- ⁇ Metal ion removal rate> The amounts of copper ions and nickel ions contained in the recovered solution obtained by electrodialysis were quantified by ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry).
- the measurement device used was an AGILENT 8800 manufactured by Aglient Technologies. The results are shown in Table 2. When the sum of the copper ion concentration and the nickel ion concentration in the recovered treatment liquid is 5,000 ppm by mass, the metal ion removal rate is 0%, and when the sum of the copper ion concentration and the nickel ion concentration in the recovered treatment liquid is 0 ppm by mass, the metal ion removal rate is 100%.
- Test Example 2-2 Etching Using Recycled Etching Solution A test was carried out in the same manner as in Test Example 2-1, except that the following concentration adjustment was carried out after the electrodialysis treatment and before the etching test.
- nitric acid and hydrogen peroxide were added to the recovered treated liquid obtained by the electrodialysis treatment to adjust the concentrations.
- the concentration adjustment was performed so that the nitric acid concentration and hydrogen peroxide concentration were the same as those of the etching solution.
- the acid recovery rate was determined in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
- the metal ion removal rate was determined in the same manner as in Test Example 2-1.
- the results are shown in Table 2.
- the etching property was evaluated in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
- a comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 2-1. The results are shown in Table 2.
- Test Example 2-3 Etching Using Waste Etching Solution
- a test was performed in the same manner as in Test Example 2-1, except that the electrodialysis treatment was not performed and the test waste solution was used as a reused etching solution in the etching test.
- the etching property was evaluated in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
- a comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 2-1. The results are shown in Table 2.
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board.
配線回路基板は、配線などの導体部及び各種の絶縁層が基材上において積層形成されて、製造される。導体部及び/又は絶縁層は、例えばフォトリソグラフィ法によって、パターン形成される。 Wired circuit boards are manufactured by laminating conductors such as wiring and various insulating layers on a substrate. The conductors and/or insulating layers are patterned, for example, by photolithography.
配線回路基板の製造においては、金属基板の洗浄、レジストパターンの形成の際の現像の後のリンス、シード層の除去などにおいて、各種処理液が用いられる。使用された処理液は、そのままでは再利用できないことから、廃液として処分される。 In the manufacture of printed circuit boards, various processing liquids are used for cleaning metal substrates, rinsing after development when forming resist patterns, removing seed layers, etc. Since used processing liquids cannot be reused as they are, they are disposed of as waste liquids.
廃液の処分方法としては、例えば、業者が廃液を引取る方法などがある。 One way to dispose of waste liquid is to have a company take it away.
他方で、溶液または液体(特にプリント回路板製造を通して生じた銅を含む使用済みエッチング溶液)から銅を除去するための方法として、銅錯生成剤を含む混合物から銅を除去する方法であって、銅イオン透過膜によって隔離されているアノード及びカソードを含む電解槽を含んでいるシステムを提供し;銅及び銅錯生成剤を含む液体をシステムに加えること;及び、該液体を電解処理することを含む方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 On the other hand, as a method for removing copper from a solution or liquid (particularly a used etching solution containing copper generated during printed circuit board manufacturing), a method for removing copper from a mixture containing a copper complexing agent has been proposed, which includes providing a system including an electrolytic cell including an anode and a cathode separated by a copper ion-permeable membrane; adding a liquid containing copper and a copper complexing agent to the system; and electrolytically treating the liquid (see, for example, Patent Document 1).
本発明は、配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の再利用による環境負荷低減を行うことができる配線回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a method for manufacturing a wiring circuit board that can reduce the environmental impact by reusing the processing solution for wiring circuit formation used in the wiring circuit formation process.
本発明者らは、上記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、上記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下を包含する。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted extensive research to solve the above problems, and as a result have found that the above problems can be solved, and have completed the present invention having the following gist.
That is, the present invention includes the following.
[1] 配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液を、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理に供して、処理液成分を含む回収処理液を得る第1工程と、
前記回収処理液を用いて再利用配線回路形成用処理液を用意する第2工程と、
前記再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う第3工程と、
を含む、配線回路基板の製造方法。
[2] 前記回収処理が、電気透析処理である、[1]に記載の配線回路基板の製造方法。
[3] 前記廃液、前記回収処理液、及び前記再利用配線回路形成用処理液が、酸を含む、[1]又は[2]に記載の配線回路基板の製造方法。
[4] 前記配線回路形成用処理液が、前記配線回路の形成工程において表面を洗浄するための酸性洗浄液、及び前記配線回路の形成工程においてエッチングをするための酸性エッチング液の少なくともいずれかを含む、[1]から[3]のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
[5] 前記廃液、前記回収処理液、及び前記再利用配線回路形成用処理液が、アルコール及び水を含む、[1]から[4]のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
[6] 前記第3工程に使用された前記再利用配線回路形成用処理液の廃液を、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理に供して、処理液成分を含む第2の回収処理液を得る第4工程と、
前記第2の回収処理液を用いて第2の再利用配線回路形成用処理液を用意する第5工程と、
前記第2の再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う第6工程と、
を含む、[1]から[5]のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
[7] 前記第2工程が、
前記回収処理液中の有効成分を測定する工程と、
前記有効成分の測定結果を用いて、前記回収処理液の組成を、所定の組成に調整することにより、前記再利用配線回路形成用処理液を調製する工程と、
を含む、
[1]から[6]のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
[8] 前記第1工程、前記第2工程、及び前記第3工程が、1つの事業所内で行われる、[1]から[7]のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
[1] A first step of subjecting a waste liquid of a wiring circuit forming treatment liquid used in a wiring circuit forming step to at least one of a recovery treatment of an electrochemical treatment and a dialysis treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a treatment liquid component;
A second step of preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit using the recovered treatment liquid;
A third step of forming a wiring circuit using the treatment liquid for forming a reused wiring circuit;
A method for manufacturing a wired circuit board, comprising:
[2] The method for producing a wired circuit board according to [1], wherein the recovery treatment is an electrodialysis treatment.
[3] The method for producing a wired circuit board according to [1] or [2], wherein the waste liquid, the recovery treatment liquid, and the treatment liquid for forming a reused wired circuit contain an acid.
[4] The method for producing a wired circuit board according to any one of [1] to [3], wherein the treatment liquid for forming a wired circuit includes at least one of an acidic cleaning liquid for cleaning a surface in a process for forming the wired circuit and an acidic etching liquid for etching in the process for forming the wired circuit.
[5] The method for producing a wired circuit board according to any one of [1] to [4], wherein the waste liquid, the recovery treatment liquid, and the treatment liquid for forming a reused wired circuit contain alcohol and water.
[6] A fourth step of subjecting the waste liquid of the treatment liquid for forming the reused wiring circuit used in the third step to at least one of a recovery treatment of an electrochemical treatment and a dialysis treatment to obtain a second recovered treatment liquid containing a treatment liquid component;
a fifth step of preparing a second reuse wiring circuit forming treatment liquid using the second recovered treatment liquid;
A sixth step of forming a wiring circuit using the second reuse wiring circuit forming treatment liquid;
The method for producing the wired circuit board according to any one of [1] to [5],
[7] The second step comprises:
A step of measuring the active ingredient in the recovered treatment liquid;
a step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the active ingredient, thereby preparing the treatment liquid for forming a reused wiring circuit;
Including,
A method for producing a wired circuit board according to any one of [1] to [6].
[8] The method for producing a wired circuit board according to any one of [1] to [7], wherein the first step, the second step, and the third step are performed in one business establishment.
本発明によれば、配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の再利用による環境負荷低減を行うことができる配線回路基板の製造方法を提供することができる。 The present invention provides a method for manufacturing a wiring circuit board that can reduce the environmental impact by reusing the processing solution for wiring circuit formation used in the wiring circuit formation process.
(配線回路基板の製造方法)
本発明の配線回路基板の製造方法は、第1工程と、第2工程と、第3工程とを含み、更に必要に応じて、第4工程、第5工程、第6工程などのその他の工程を含む。
第1工程:配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液を、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理(以下、「回収処理」と称することがある)に供して、処理液成分を含む回収処理液を得る工程
第2工程:回収処理液を用いて再利用配線回路形成用処理液を用意する工程
第3工程:再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う工程
(Method of manufacturing a wired circuit board)
The method for producing a wired circuit board of the present invention includes a first step, a second step, and a third step, and may further include other steps such as a fourth step, a fifth step, and a sixth step, as necessary.
First step: a step of subjecting waste liquid of the wiring circuit forming treatment liquid used in the wiring circuit forming step to at least one of electrochemical treatment and dialysis treatment (hereinafter, sometimes referred to as "recovery treatment") to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components. Second step: a step of preparing a reused wiring circuit forming treatment liquid using the recovered treatment liquid. Third step: a step of forming a wiring circuit using the reused wiring circuit forming treatment liquid.
配線回路基板の製造において、再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行うことで、環境負荷低減を行うことができる配線回路基板の製造方法を提供することができる。 In the manufacture of wired circuit boards, a method for manufacturing wired circuit boards that reduces the environmental impact can be provided by forming the wiring circuits using a treatment liquid for forming recycled wiring circuits.
第1工程、第2工程、及び第3工程は、1つの事業所内で行われることが好ましい。そうすることにより、回収処理を行って得られる処理液成分及び再利用配線回路形成用処理液の輸送コスト並びにそれらの輸送による環境負荷(例えば、ガソリンの使用及び排気ガス)を抑えることができ、結果、更なる環境負荷低減を行うことができるとともに、コスト低減を行うことができる。
1つの事業所は、複数の建物を有していてもよい。
第1工程、第2工程、及び第3工程が1つの事業所内で行われる場合、第1工程が行われる建物と、第2工程が行われる建物と、第3工程が行われる建物とは、同じ建物であってもよいし、異なる建物であってもよい。
It is preferable that the first, second, and third steps are carried out in one facility, which can reduce the transportation costs of the treatment solution components obtained by the recovery process and the treatment solution for forming a reused wiring circuit, as well as the environmental load (e.g., gasoline consumption and exhaust gas) caused by the transportation, thereby further reducing the environmental load and reducing costs.
A single business establishment may have multiple buildings.
When the first step, the second step, and the third step are carried out within one business establishment, the building in which the first step is carried out, the building in which the second step is carried out, and the building in which the third step is carried out may be the same building or different buildings.
更には、第1工程における、配線回路の形成工程、及び廃液の回収処理は、1つの事業所内で行われることが好ましい。そうすることにより、廃液の輸送コスト及び輸送による環境負荷(例えば、ガソリンの使用及び排気ガス)を抑えることができ、結果、更なる環境負荷低減を行うことができるとともに、コスト低減を行うことができる。
配線回路の形成工程、及び廃液の回収処理が1つの事業所内で行われる場合、パターン状の絶縁層の形成工程が行われる建物と、廃液の回収処理が行われる建物と、再利用配線回路形成用処理液の用意が行われる建物とは、同じ建物であってもよいし、異なる建物であってもよい。
Furthermore, it is preferable that the wiring circuit forming process and waste liquid recovery processing in the first process are performed in one facility, which can reduce the cost of transporting the waste liquid and the environmental load caused by the transport (e.g., gasoline consumption and exhaust gas), thereby further reducing the environmental load and reducing costs.
When the wiring circuit formation process and the waste liquid recovery processing are carried out within a single business establishment, the building in which the patterned insulating layer formation process is carried out, the building in which the waste liquid recovery processing is carried out, and the building in which the treatment liquid for forming the reused wiring circuit is prepared may be the same building or different buildings.
廃液、回収処理液、及び再利用配線回路形成用処理液は、例えば、処理液成分としての酸を含む。
廃液、回収処理液、及び再利用配線回路形成用処理液は、例えば、水溶液である。
廃液、回収処理液、及び再利用配線回路形成用処理液は、例えば、アルコール及び水を含む。
酸としては、無機酸であってもよいし、有機酸であってもよい。
無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、ホウ酸、過酸化水素などが挙げられる。
有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸、プロピオン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、アミノメタンスルホン酸、タウリン、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、スルファミン酸などが挙げられる。
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコールジエチレングリコールなどが挙げられる。
The waste liquid, the recovered processing liquid, and the processing liquid for forming a reused wiring circuit contain, for example, an acid as a processing liquid component.
The waste liquid, the recovered processing liquid, and the processing liquid for forming a reused wiring circuit are, for example, aqueous solutions.
The waste liquid, the recovered processing liquid, and the processing liquid for forming the reused wiring circuit include, for example, alcohol and water.
The acid may be an inorganic acid or an organic acid.
Examples of the inorganic acid include sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, phosphoric acid, boric acid, and hydrogen peroxide.
Examples of organic acids include formic acid, acetic acid, oxalic acid, propionic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, aminomethanesulfonic acid, taurine, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, and sulfamic acid.
Examples of the alcohol include methanol, ethanol, isopropanol, butanol, ethylene glycol, propylene glycol, and diethylene glycol.
<第1工程>
第1工程は、配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液を、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理に供して、処理液成分を含む回収処理液を得る工程である。
<First step>
The first step is a step of subjecting waste liquid of a wiring circuit forming treatment liquid used in a wiring circuit forming step to at least one of a recovery treatment, such as an electrochemical treatment or a dialysis treatment, to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components.
配線回路の形成工程は、例えば、サブトラクティブ法であってもよいし、セミアディティブ法であってもよい。
セミアディティブ法においては、例えば、めっきが行われる。
セミアディティブ法においては、例えば、シード層の形成が行われる。シード層は、めっきを行う際に下地となる層である。
The process for forming the wiring circuit may be, for example, a subtractive method or a semi-additive method.
In the semi-additive method, for example, plating is performed.
In the semi-additive method, for example, a seed layer is formed. The seed layer is a layer that serves as a base when plating is performed.
配線回路の形成工程としては、特に制限されないが、例えば、金属基板の洗浄を含む。金属基板の洗浄は、例えば、絶縁層の形成又はレジストパターンの形成の前に行われる。金属基板の洗浄では、金属基板の表面の金属酸化膜(例えば、酸化銅)、防錆剤(例えば、ベンゾトリアゾール)などが除去される。
配線回路の形成工程は、例えば、レジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を含む。
配線回路の形成工程は、例えば、シード層の除去(エッチング)を含む。
The process for forming the wiring circuit is not particularly limited, but includes, for example, washing of the metal substrate. The washing of the metal substrate is carried out, for example, before the formation of an insulating layer or a resist pattern. In the washing of the metal substrate, a metal oxide film (e.g., copper oxide), a rust inhibitor (e.g., benzotriazole), and the like on the surface of the metal substrate are removed.
The process of forming the wiring circuit includes, for example, a rinsing process after a development process in forming a resist pattern.
The process of forming the wiring circuit includes, for example, removing (etching) the seed layer.
更に、配線回路の形成工程は、例えば、絶縁層形成用感光性樹脂組成物を用いたパターン状の絶縁層の形成、レジスト材料を用いたレジストパターンの形成、及びシード層上のレジストパターンの間にめっきを施す処理の少なくともいずれを含む。 Furthermore, the process of forming the wiring circuit includes, for example, at least one of forming a patterned insulating layer using a photosensitive resin composition for forming an insulating layer, forming a resist pattern using a resist material, and performing plating between the resist patterns on the seed layer.
第1工程に使用される配線回路形成用処理液は、再利用配線回路形成用処理液であってもよいし、新しい配線回路形成用処理液であってもよいし、再利用配線回路形成用処理液と新しい配線回路形成用処理液との混合物であってもよい。 The treatment liquid for forming a wiring circuit used in the first step may be a treatment liquid for forming a reused wiring circuit, a treatment liquid for forming a new wiring circuit, or a mixture of a treatment liquid for forming a reused wiring circuit and a treatment liquid for forming a new wiring circuit.
配線回路形成用処理液としては、配線回路の形成工程に使用される液であれば、特に制限されないが、例えば、洗浄液、リンス液、エッチング液などが挙げられる。
洗浄液としては、例えば、酸性洗浄液などが挙げられる。
リンス液としては、例えば、酸性リンス液などが挙げられる。
エッチング液としては、例えば、酸性エッチング液などが挙げられる。
The wiring circuit forming treatment liquid is not particularly limited as long as it is a liquid used in the wiring circuit forming process, and examples thereof include a cleaning liquid, a rinsing liquid, and an etching liquid.
The cleaning solution may be, for example, an acidic cleaning solution.
The rinse liquid may be, for example, an acid rinse liquid.
The etching solution may be, for example, an acidic etching solution.
配線回路形成用処理液は、例えば、配線回路の形成工程において表面を洗浄するための酸性洗浄液、及び配線回路の形成工程においてエッチングをするための酸性エッチング液の少なくともいずれかを含む。 The treatment liquid for forming the wiring circuit includes, for example, at least one of an acidic cleaning liquid for cleaning the surface in the wiring circuit formation process and an acidic etching liquid for etching in the wiring circuit formation process.
廃液としては、配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液であれば、特に制限されないが、例えば、洗浄液の廃液、リンス液の廃液、エッチング液の廃液、及びこれらの2種以上の組み合わせなどが挙げられる。
廃液は、好ましくは、下記(1)~(3)の少なくともいずれかの廃液を含む。
(1)絶縁層の形成又はレジストパターンの形成の前に行われる金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液
(2)レジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理に使用されたリンス液の廃液
(3)シード層の除去(エッチング)に使用されたエッチング液の廃液
The waste liquid is not particularly limited as long as it is a waste liquid from a processing liquid for forming a wiring circuit used in the wiring circuit forming process, and examples thereof include waste liquid from a cleaning liquid, waste liquid from a rinsing liquid, waste liquid from an etching liquid, and combinations of two or more of these.
The waste liquid preferably contains at least one of the following waste liquids (1) to (3).
(1) Waste liquid from cleaning solutions used in cleaning metal substrates prior to the formation of an insulating layer or resist pattern. (2) Waste liquid from rinsing solutions used in rinsing treatments following development treatments in the formation of resist patterns. (3) Waste liquid from etching solutions used in the removal (etching) of seed layers.
配線回路形成用処理液を用いて各種処理をすることによって、配線回路形成用処理液の廃液には不要分が含まれる。
廃液に含まれる不要分としては、例えば、金属イオンが挙げられる。金属イオンとしては、例えば、銅イオン、ニッケルイオン、鉄イオン、チタンイオン、クロムイオンなどが挙げられる。
例えば、金属基板としての銅基板を洗浄した際には、洗浄液の廃液には、銅イオンが含まれる。
ニッケルシード層の除去を行った際には、エッチング液の廃液には、ニッケルイオンが含まれる。また、シード層の除去の際には、エッチング液は、めっき層の一部もエッチングすることになるため、エッチング液の廃液には、例えば、銅めっき層に由来する銅イオンが含まれる。
By carrying out various treatments using the treatment liquid for forming a wiring circuit, the waste liquid from the treatment liquid for forming a wiring circuit contains unnecessary components.
Examples of unnecessary components contained in the waste liquid include metal ions, such as copper ions, nickel ions, iron ions, titanium ions, and chromium ions.
For example, when a copper substrate as a metal substrate is cleaned, the waste cleaning liquid contains copper ions.
When the nickel seed layer is removed, the waste liquid of the etching solution contains nickel ions. In addition, when the seed layer is removed, the etching solution also etches a part of the plating layer, so that the waste liquid of the etching solution contains, for example, copper ions derived from the copper plating layer.
<<廃液の回収処理>>
廃液の回収処理としては、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理であれば、特に制限されない。
回収処理は、電気化学的処理であってもよいし、透析処理であってもよいし、それらを組み合わせた電気透析処理であってもよい。これらの中でも、電気透析処理が、配線回路形成用処理液の再利用率が高い点で好ましい。
<<Waste liquid recovery and treatment>>
The waste liquid recovery treatment is not particularly limited as long as it is at least one of an electrochemical treatment and a dialysis treatment.
The recovery treatment may be an electrochemical treatment, a dialysis treatment, or an electrodialysis treatment that is a combination of these. Among these, the electrodialysis treatment is preferred in that it provides a high reuse rate of the wiring circuit forming treatment solution.
電気化学的処理としては、電気を用いて、廃液から処理液成分を含む回収処理液を得る処理であれば、特に制限されず、例えば、電極を入れた回収処理室に廃液を入れて通電することにより電極に不要分(例えば、金属成分)を付着させて、不要分が取り除かれた、処理液成分を含む回収処理液を得る処理が挙げられる。 The electrochemical treatment is not particularly limited as long as it is a treatment that uses electricity to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components from waste liquid. For example, it can be a treatment in which waste liquid is placed in a recovery treatment chamber containing electrodes and electricity is passed through to cause unnecessary components (e.g., metal components) to adhere to the electrodes, thereby obtaining a recovered treatment liquid containing the treatment liquid components from which the unnecessary components have been removed.
透析処理としては、透析膜を用いて、廃液から処理液成分を含む回収処理液を得る処理であれば、特に制限されず、例えば、透析膜としてのイオン交換膜を用いて、浸透圧を利用して、金属成分(金属カチオン)と、陰イオン成分(例えば、酸の電離成分であるアニオン;例えば、硫酸イオン、塩化物イオン、硝酸イオンなど)とを分離し、処理液成分としての陰イオン成分を含む回収処理液を得る処理が挙げられる。 The dialysis process is not particularly limited as long as it is a process that uses a dialysis membrane to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components from waste liquid. For example, it can be a process that uses an ion exchange membrane as the dialysis membrane to separate metal components (metal cations) and anion components (e.g., anions that are ionized components of acids; e.g., sulfate ions, chloride ions, nitrate ions, etc.) using osmotic pressure to obtain a recovered treatment liquid containing anion components as treatment liquid components.
電気透析処理としては、電気と透析膜とを用いて、廃液から処理液成分を含む回収処理液を得る処理であれば、特に制限されず、例えば、電極と、透析膜としてのイオン交換膜とを用いて、電気エネルギーと浸透圧とを利用して、金属成分(金属カチオン)と、陰イオン成分(例えば、酸の電離成分であるアニオン;例えば、硫酸イオン、塩化物イオン、硝酸イオンなど)とを分離し、処理液成分としての酸を含む回収処理液を得る処理が挙げられる。 The electrodialysis process is not particularly limited as long as it is a process that uses electricity and a dialysis membrane to obtain a recovered treatment liquid containing treatment liquid components from waste liquid. For example, it can be a process that uses electrodes and an ion exchange membrane as a dialysis membrane to separate metal components (metal cations) and anion components (e.g., anions that are ionized components of acids; e.g., sulfate ions, chloride ions, nitrate ions, etc.) using electrical energy and osmotic pressure to obtain a recovered treatment liquid containing acids as treatment liquid components.
ここで、電気透析処理の一例を図1を用いて説明する。
図1に示す電気透析装置1001は、電気透析槽1002を有する。
電気透析槽1002内には、第1槽1011と第2槽1012と第3槽1013とが配されている。
第1槽1011と、第2槽1012とは、陽イオン交換膜1021で区画されている。
第1槽1011と、第3槽1013とは、陽イオン交換膜1021で区画されている。
電気透析槽1002は、更に、第1電極1031と、第2電極1032とを有する。
第1電極1031は、第2槽1012の第1槽1011側と反対側に配されている。
第2槽1012の第1電極1031側には、陰イオン交換膜1022が配されている。
第2電極1032は、第3槽1013の第1槽1011側と反対側に配されている。
第3槽1013の第2電極1032側には、陰イオン交換膜1022が配されている。
電気透析装置1001において、第1電極1031がプラス極であり、第2電極1032がマイナス極である。
An example of the electrodialysis treatment will now be described with reference to FIG.
The electrodialysis device 1001 shown in FIG.
In the electrodialysis tank 1002, a first tank 1011, a second tank 1012, and a third tank 1013 are disposed.
The first tank 1011 and the second tank 1012 are separated by a cation exchange membrane 1021 .
The first tank 1011 and the third tank 1013 are separated by a cation exchange membrane 1021 .
The electrodialysis cell 1002 further includes a first electrode 1031 and a second electrode 1032 .
The first electrode 1031 is disposed on the side of the second tank 1012 opposite to the first tank 1011 side.
An anion exchange membrane 1022 is disposed on the first electrode 1031 side of the second tank 1012 .
The second electrode 1032 is disposed on the side of the third tank 1013 opposite to the first tank 1011 side.
An anion exchange membrane 1022 is disposed on the second electrode 1032 side of the third tank 1013 .
In the electrodialysis device 1001, the first electrode 1031 is a positive electrode, and the second electrode 1032 is a negative electrode.
図1を用いた説明では、廃液は、Niカチオン、Cuカチオン、及び硝酸イオンを含む水溶液である。回収再利用したい成分は硝酸イオンである。
第1槽1011に廃液を通過させる。第2槽1012及び第3槽1013には、廃液中のイオンが比較的少ない水を通過させる。そのような水としては、例えば、脱イオン水、純水などが挙げられる。浸透圧により、硝酸イオンは、陽イオン交換膜1021を透過し、第2槽1012及び第3槽1013に移動する。一方で、Niカチオン、及びCuカチオンは、陽イオン交換膜1021を透過できないため、第1槽1011に留まる。更に、電気が作用し、プラス極である第1電極1031がある側の第2槽1012により多くの硝酸イオンが集まる。その結果、廃液から、Niカチオン及びCuカチオンと、硝酸イオンとが分離され、第2槽1012及び第3槽1013には、硝酸イオンが回収された回収処理液が得られる。
In the explanation using Fig. 1, the waste liquid is an aqueous solution containing Ni cations, Cu cations, and nitrate ions. The component to be recovered and reused is the nitrate ions.
The waste liquid is passed through the first tank 1011. Water with a relatively small amount of ions in the waste liquid is passed through the second tank 1012 and the third tank 1013. Examples of such water include deionized water and pure water. Due to osmotic pressure, nitrate ions permeate the cation exchange membrane 1021 and move to the second tank 1012 and the third tank 1013. On the other hand, Ni cations and Cu cations cannot permeate the cation exchange membrane 1021 and therefore remain in the first tank 1011. Furthermore, electricity acts, and more nitrate ions are collected in the second tank 1012 on the side where the first electrode 1031, which is the positive pole, is located. As a result, Ni cations, Cu cations, and nitrate ions are separated from the waste liquid, and a recovery treatment liquid in which nitrate ions have been recovered is obtained in the second tank 1012 and the third tank 1013.
廃液の回収処理における処理時間としては特に制限されない。 There are no particular limitations on the processing time for waste liquid recovery processing.
<<パターン状の絶縁層の形成>>
配線回路の形成工程では、例えば、絶縁層形成用感光性樹脂組成物を用いたパターン状の絶縁層の形成(「パターン形成処理」と称することがある)が行われる。
<<Formation of a patterned insulating layer>>
In the process of forming a wiring circuit, for example, a patterned insulating layer is formed using a photosensitive resin composition for forming an insulating layer (sometimes referred to as a "pattern forming process").
絶縁層形成用感光性樹脂組成物としては、絶縁層の形成に用いられる感光性樹脂組成物であれば、特に制限されない。
絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、液状であってもよいし、フィルム状(いわゆるドライフィルム)であってもよい。
絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、露光部が現像液に溶解可能なポジ型であってもよいし、未露光部が現像液に溶解可能なネガ型であってもよい。
絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、例えば、樹脂を含む。絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、樹脂の他に、架橋剤、フィラー、各種添加剤などを含んでいてもよい。
絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、例えば、ポリアミック酸を含む。
絶縁層形成用感光性樹脂組成物としては、例えば、特開平7-179604号公報に記載のネガ型感光性材料、特開2005-266075号公報に記載の感光性樹脂組成物、特開2013-100441号公報に記載のポリイミド前駆体組成物などが挙げられる。
The photosensitive resin composition for forming an insulating layer is not particularly limited as long as it is a photosensitive resin composition that can be used to form an insulating layer.
The photosensitive resin composition for forming an insulating layer may be in a liquid form or a film form (so-called dry film).
The photosensitive resin composition for forming an insulating layer may be a positive type in which the exposed portion is soluble in a developer, or a negative type in which the unexposed portion is soluble in a developer.
The insulating layer-forming photosensitive resin composition contains, for example, a resin. The insulating layer-forming photosensitive resin composition may contain, in addition to the resin, a crosslinking agent, a filler, various additives, and the like.
The photosensitive resin composition for forming an insulating layer contains, for example, a polyamic acid.
Examples of the photosensitive resin composition for forming an insulating layer include the negative photosensitive material described in JP-A-7-179604, the photosensitive resin composition described in JP-A-2005-266075, and the polyimide precursor composition described in JP-A-2013-100441.
パターン形成処理は、例えば、フォトリソグラフィーによって行われる。
フォトリソグラフィーは、サブトラクティブ法であってもよいし、セミアディティブ法であってもよい。
形成されるパターンの形状としては、特に制限されず、例えば、ライン状、格子状、ドット状などが挙げられる。ドットとしては、例えば、円、楕円、角形(四角形など)などが挙げられる。
The patterning process is performed by, for example, photolithography.
The photolithography may be a subtractive method or a semi-additive method.
The shape of the pattern to be formed is not particularly limited, and examples thereof include lines, lattices, dots, etc. Examples of dots include circles, ellipses, and polygons (such as squares).
フォトリソグラフィーでは、例えば、露光、現像、露光後ベークなどが行われる。
フォトリソグラフィーでは、例えば、露光の際に、フォトマスクが用いられる。また、露光は、フォトマスクを使用しないダイレクトイメージング露光(直接描画露光)であってもよい。ダイレクトイメージング露光では、一般的に、露光光としてレーザー光が使用される。
露光光の波長としては、特に制限されず、例えば、210nm~440nmが挙げられる。
露光光の光源としては、特に制限されず、例えば、低圧水銀ランプ(殺菌ランプ、蛍光ケミカルランプ、ブラックライト)、高圧放電ランプ(高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ)、ショートアーク放電ランプ(超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、水銀キセノンランプ)、発光ダイオード(light-emitting diode;LED)などが挙げられる。
露光における照射量としては、特に制限されず、例えば、5mJ/cm2~1,000mJ/cm2が挙げられる。
現像は、溶剤現像であってもよいし、アルカリ現像であってもよい。
現像は、ディップ現像であってもよいし、スプレー現像であってもよい。
露光の後かつ現像の前には、必要に応じて、露光後ベークを行ってもよい。露光後ベークは、絶縁層形成用感光性樹脂組成物の種類に応じて、適宜行われる。
Photolithography involves, for example, exposure, development, and post-exposure baking.
In photolithography, for example, a photomask is used during exposure. The exposure may be direct imaging exposure (direct writing exposure) without using a photomask. In direct imaging exposure, a laser beam is generally used as the exposure light.
The wavelength of the exposure light is not particularly limited, and may be, for example, 210 nm to 440 nm.
The light source of the exposure light is not particularly limited, and examples thereof include low-pressure mercury lamps (germicidal lamps, fluorescent chemical lamps, black lights), high-pressure discharge lamps (high-pressure mercury lamps, metal halide lamps), short arc discharge lamps (ultra-high pressure mercury lamps, xenon lamps, mercury-xenon lamps), light-emitting diodes (LEDs), and the like.
The amount of radiation in the exposure is not particularly limited, and may be, for example, 5 mJ/cm 2 to 1,000 mJ/cm 2 .
The development may be carried out using a solvent or an alkali.
The development may be a dip development or a spray development.
After the exposure and before the development, post-exposure baking may be performed as necessary. The post-exposure baking is appropriately performed depending on the type of the photosensitive resin composition for forming an insulating layer.
パターン形成処理で使用される現像液としては、アルカリ現像液であってもよいし、有機溶剤現像液であってもよい。
アルカリ現像液は、例えば、アルカリと水とを含む。アルカリ現像液は、更にアルコールを含んでいてもよい。
The developer used in the pattern formation process may be an alkaline developer or an organic solvent developer.
The alkaline developer contains, for example, an alkali and water, and may further contain an alcohol.
<<レジストパターンの形成>>
配線回路の形成工程では、例えば、レジスト材料を用いたレジストパターンの形成(「レジストパターン形成処理」と称することがある)が行われる。
<<Formation of Resist Pattern>>
In the process of forming the wiring circuit, for example, a resist pattern is formed using a resist material (sometimes referred to as a "resist pattern forming process").
レジスト材料としては、レジストパターンの形成に用いられるレジスト材料であれば、特に制限されない。
レジスト材料は、液状であってもよいし、フィルム状(いわゆるドライフィルム)であってもよい。
レジスト材料は、露光部が現像液に溶解可能なポジ型であってもよいし、未露光部が現像液に溶解可能なネガ型であってもよい。
レジスト材料は、例えば、樹脂を含む。レジスト材料は、樹脂の他に、各種添加剤などを含んでいてもよい。
なお、レジスト材料から形成されたレジストパターンは、配線回路の形成後には、剥離処理によって除去される。その点で、レジスト材料は、例えば、エッチングレジストとも呼ばれる。なお、絶縁層形成用感光性樹脂組成物から形成されるパターン状の膜は、レジスト材料から形成されたレジストパターンと異なり、配線回路の形成後も絶縁層として配線回路基板の一部として残ることから、絶縁層形成用感光性樹脂組成物は、本明細書のレジスト材料との区別の点から、永久レジストと呼ばれることがある。
There are no particular limitations on the resist material, so long as it is a resist material that can be used to form a resist pattern.
The resist material may be in a liquid form or a film form (so-called dry film).
The resist material may be a positive type in which the exposed areas are soluble in a developer, or a negative type in which the unexposed areas are soluble in a developer.
The resist material contains, for example, a resin. The resist material may contain various additives in addition to the resin.
The resist pattern formed from the resist material is removed by a peeling process after the wiring circuit is formed. In this respect, the resist material is also called, for example, an etching resist. The patterned film formed from the photosensitive resin composition for forming an insulating layer is different from the resist pattern formed from the resist material, and remains as a part of the wiring circuit board as an insulating layer even after the wiring circuit is formed. Therefore, the photosensitive resin composition for forming an insulating layer is sometimes called a permanent resist in terms of distinction from the resist material in this specification.
レジストパターン形成工程は、例えば、フォトリソグラフィーによって行われる。
フォトリソグラフィーは、サブトラクティブ法であってもよいし、セミアディティブ法であってもよい。
形成されるパターンの形状としては、特に制限されず、例えば、ライン状、格子状、ドット状などが挙げられる。ドットとしては、例えば、円、楕円、角形(四角形など)などが挙げられる。
The resist pattern forming step is performed by, for example, photolithography.
The photolithography may be a subtractive method or a semi-additive method.
The shape of the pattern to be formed is not particularly limited, and examples thereof include lines, lattices, dots, etc. Examples of dots include circles, ellipses, and polygons (such as squares).
フォトリソグラフィーでは、例えば、露光、現像などが行われる。
フォトリソグラフィーでは、例えば、露光の際に、フォトマスクが用いられる。また、露光は、フォトマスクを使用しないダイレクトイメージング露光(直接描画露光)であってもよい。ダイレクトイメージング露光では、一般的に、露光光としてレーザー光が使用される。
露光光の波長としては、特に制限されず、例えば、210nm~440nmが挙げられる。
露光光の光源としては、特に制限されず、例えば、低圧水銀ランプ(殺菌ランプ、蛍光ケミカルランプ、ブラックライト)、高圧放電ランプ(高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ)、ショートアーク放電ランプ(超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、水銀キセノンランプ)、発光ダイオード(light-emitting diode;LED)などが挙げられる。
露光における照射量としては、特に制限されず、例えば、5mJ/cm2~1,000mJ/cm2が挙げられる。
現像は、溶剤現像であってもよいし、アルカリ現像であってもよい。
現像は、ディップ現像であってもよいし、スプレー現像であってもよい。
In photolithography, for example, exposure, development, and the like are performed.
In photolithography, for example, a photomask is used during exposure. The exposure may be direct imaging exposure (direct writing exposure) without using a photomask. In direct imaging exposure, a laser beam is generally used as the exposure light.
The wavelength of the exposure light is not particularly limited, and may be, for example, 210 nm to 440 nm.
The light source of the exposure light is not particularly limited, and examples thereof include low-pressure mercury lamps (germicidal lamps, fluorescent chemical lamps, black lights), high-pressure discharge lamps (high-pressure mercury lamps, metal halide lamps), short arc discharge lamps (ultra-high pressure mercury lamps, xenon lamps, mercury-xenon lamps), light-emitting diodes (LEDs), and the like.
The amount of radiation in the exposure is not particularly limited, and may be, for example, 5 mJ/cm 2 to 1,000 mJ/cm 2 .
The development may be carried out using a solvent or an alkali.
The development may be a dip development or a spray development.
レジストパターン形成処理で使用される現像液としては、アルカリ現像液であってもよいし、有機溶剤現像液であってもよい。
アルカリ現像液は、例えば、アルカリと水とを含む。アルカリ現像液は、更にアルコールを含んでいてもよい。
The developer used in the resist pattern formation process may be an alkaline developer or an organic solvent developer.
The alkaline developer contains, for example, an alkali and water, and may further contain an alcohol.
レジストパターンの形成の前には、例えば、シード層の形成が行われる。レジストパターンは、例えば、シード層上に形成される。そして、レジストパターンの形成の後には、例えば、レジストパターンの間へのめっきが施される。 Before the resist pattern is formed, for example, a seed layer is formed. The resist pattern is formed, for example, on the seed layer. Then, after the resist pattern is formed, for example, plating is performed between the resist patterns.
<レジストパターンの間へのめっき>
レジストパターンの間へのめっきの方法としては、例えば、シード層上のレジストパターンの間へめっきを施す方法が挙げられる。この場合、通常、電解めっきが行われる。
めっき液としては、例えば、硫酸銅めっき液などが挙げられる。
めっきを施す方法としては、例えば、シード層上にレジストパターンが形成された積層体をめっき液に浸漬する方法が挙げられる。
<Plating between resist patterns>
As a method for plating between the resist patterns, for example, there is a method for plating between the resist patterns on the seed layer, in which electrolytic plating is usually performed.
The plating solution may be, for example, a copper sulfate plating solution.
An example of a method for plating is to immerse a laminate having a resist pattern formed on a seed layer in a plating solution.
シード層上のレジストパターンの間へめっきが施された後には、例えば、レジストパターンの剥離、及びシード層の除去が行われる。 After plating is applied between the resist patterns on the seed layer, the resist pattern is peeled off and the seed layer is removed, for example.
<第2工程>
第2工程は、回収処理液を用いて再利用配線回路形成用処理液を用意する工程である。
第2工程においては、回収処理液をそのまま再利用配線回路形成用処理液としてもよい。
第2工程においては、回収処理液を新しい配線回路形成用処理液と混合することで再利用配線回路形成用処理液を調製してもよい。
第2工程においては、回収処理液中の処理液成分の濃度調整を行って再利用配線回路形成用処理液を調製してもよい。例えば、回収処理液と、水、酸、及びアルコールの少なくともいずれかとを混合して、再利用配線回路形成用処理液を調製してもよい。
<Second step>
The second step is a step of preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit using the recovered treatment liquid.
In the second step, the recovered treatment liquid may be used as it is as a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
In the second step, the recovered treatment liquid may be mixed with a new treatment liquid for forming a wiring circuit to prepare a reused treatment liquid for forming a wiring circuit.
In the second step, the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by adjusting the concentration of the treatment liquid components in the recovered treatment liquid. For example, the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by mixing the recovered treatment liquid with at least one of water, an acid, and an alcohol.
第2工程においては、以下の工程(1)及び(2)を行うことにより、再利用配線回路形成用処理液を調製してもよい。
工程(1):回収処理液中の有効成分を測定する工程
工程(2):有効成分の測定結果を用いて、回収処理液の組成を、所定の組成に調整することにより、再利用配線回路形成用処理液を調製する工程
In the second step, the treatment liquid for forming a reused wiring circuit may be prepared by carrying out the following steps (1) and (2).
Step (1): A step of measuring the effective components in the recovered treatment liquid. Step (2): A step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the effective components, thereby preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
工程(1)では、例えば、配線回路形成用処理液が酸性液の場合、有効成分としての酸の濃度を測定する。測定方法としては、特に制限されず、例えば、比重測定、中和滴定、これらの組み合わせなどが挙げられる。これらの測定は、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
工程(2)では、工程(1)で得られた酸濃度の測定結果に基づいて、回収処理液に酸又は水を添加して、所定の組成に調整することにより、再利用配線回路形成用処理液を調製する。酸又は水の回収処理液への添加は、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
工程(1)及び工程(2)では、測定及び調整を、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
また、配線回路形成用処理液がアルコールを含有する場合、工程(1)では、有効成分としてのアルコールの濃度を測定してもよい。そして、工程(2)では、工程(1)で得られたアルコール濃度の測定結果に基づいて、回収処理液にアルコール又は水を添加して、所定の組成に調整することにより、再利用配線回路形成用処理液を調製してもよい。
In step (1), for example, when the treatment liquid for forming a wiring circuit is an acidic liquid, the concentration of the acid as an active ingredient is measured. The measurement method is not particularly limited, and examples thereof include specific gravity measurement, neutralization titration, and combinations thereof. These measurements may be performed automatically or manually.
In step (2), the treatment liquid for forming a reused wiring circuit is prepared by adding acid or water to the recovered treatment liquid based on the measurement result of the acid concentration obtained in step (1) to adjust the composition to a predetermined value. The addition of acid or water to the recovered treatment liquid may be performed automatically or manually.
In steps (1) and (2), the measurement and adjustment may be performed automatically or manually.
In addition, when the wiring circuit forming treatment liquid contains alcohol, the concentration of the alcohol as an active ingredient may be measured in step (1), and in step (2), based on the measurement result of the alcohol concentration obtained in step (1), alcohol or water may be added to the recovered treatment liquid to adjust the composition to a predetermined value, thereby preparing the reuse wiring circuit forming treatment liquid.
<第3工程>
第3工程は、再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う工程である。
<Third step>
The third step is a step of forming a wiring circuit using a treatment liquid for forming a reused wiring circuit.
配線回路の形成工程としては、特に制限されないが、例えば、絶縁層形成用感光性樹脂組成物を用いたパターン状の絶縁層の形成、及びレジスト材料を用いたレジストパターンの形成、及びシード層上のレジストパターンの間にめっきを施す処理の少なくともいずれを含む。 The process for forming the wiring circuit is not particularly limited, but may include, for example, at least one of the following: forming a patterned insulating layer using a photosensitive resin composition for forming an insulating layer, forming a resist pattern using a resist material, and plating between the resist patterns on the seed layer.
配線回路の形成工程は、例えば、サブトラクティブ法であってもよいし、セミアディティブ法であってもよい。
セミアディティブ法においては、例えば、めっきが行われる。
セミアディティブ法においては、例えば、シード層の形成が行われる。シード層は、めっきを行う際に下地となる層である。
The process for forming the wiring circuit may be, for example, a subtractive method or a semi-additive method.
In the semi-additive method, for example, plating is performed.
In the semi-additive method, for example, a seed layer is formed. The seed layer is a layer that serves as a base when plating is performed.
配線回路の形成工程は、例えば、金属基板の洗浄を含む。金属基板の洗浄は、例えば、絶縁層の形成又はレジストパターンの形成の前に行われる。金属基板の洗浄では、金属基板の表面の金属酸化膜(例えば、酸化銅)、防錆剤(例えば、ベンゾトリアゾール)などが除去される。
配線回路の形成工程は、例えば、レジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を含む。
配線回路の形成工程は、例えば、シード層の除去を含む。
The process of forming the wiring circuit includes, for example, cleaning of the metal substrate. The cleaning of the metal substrate is performed, for example, before the formation of an insulating layer or a resist pattern. In the cleaning of the metal substrate, a metal oxide film (e.g., copper oxide), a rust inhibitor (e.g., benzotriazole), and the like on the surface of the metal substrate are removed.
The process of forming the wiring circuit includes, for example, a rinsing process that follows a development process in forming a resist pattern.
The process of forming the wiring circuit includes, for example, removing the seed layer.
配線回路基板の製造方法では、第3工程によって生じた再利用配線回路形成用処理液の廃液を、回収処理を行って更に再利用してもよい。
即ち、配線回路基板の製造方法は、以下の第4工程、第5工程、及び第6工程を含んでいてもよい。更に、配線回路基板の製造方法では、第4工程~第6工程を複数回繰り返してもよい。
第4工程:第3工程に使用された再利用配線回路形成用処理液の廃液を、電気化学的処理及び透析処理の少なくともいずれかの回収処理に供して、処理液成分を含む第2の回収処理液を得る工程
第5工程:第2の回収処理液を用いて第2の再利用配線回路形成用処理液を用意する工程
第6工程:第2の再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う工程
In the method for producing a wired circuit board, the waste liquid of the treatment liquid for forming the reused wired circuit generated in the third step may be subjected to a recovery treatment and further reused.
That is, the method for producing the wired circuit board may include the following fourth, fifth, and sixth steps. Furthermore, in the method for producing the wired circuit board, the fourth to sixth steps may be repeated multiple times.
Fourth step: A step of subjecting the waste liquid of the treatment liquid for forming the reused wiring circuit used in the third step to at least one of electrochemical treatment and dialysis treatment to obtain a second recovered treatment liquid containing a treatment liquid component. Fifth step: A step of preparing a treatment liquid for forming a second reused wiring circuit using the second recovered treatment liquid. Sixth step: A step of forming a wiring circuit using the treatment liquid for forming the second reused wiring circuit.
第4工程の具体例及び好適例としては、第1工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第5工程の具体例及び好適例としては、第2工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第6工程の具体例及び好適例としては、第3工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
Specific examples and preferred examples of the fourth step include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of the first step.
Specific examples and preferred examples of the fifth step include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of the second step.
Specific examples and preferred examples of the sixth step include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of the third step.
以下に、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)~実施形態(その3)を挙げる。 Below are embodiments (part 1) to (part 3) of the method for manufacturing a wired circuit board.
<実施形態(その1)>
配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)において、第1工程~第3工程は、以下の通りである。
第1工程:第1の金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む回収処理液を得る工程(第1A工程)
第2工程:回収処理液を用いて再利用回収処理液を用意する工程(第2A工程)
第3工程:再利用回収処理液を用いて、第2の金属基板を洗浄する工程(第3A工程)
なお、実施形態(その1)において、配線回路形成用処理液は、洗浄液である。
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In the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board, the first to third steps are as follows.
First step: A step of subjecting a waste liquid of a cleaning liquid used for cleaning a first metal substrate to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a cleaning liquid component (step 1A).
Second step: preparing a reused recovered treated liquid using the recovered treated liquid (step 2A)
Third step: A step of cleaning the second metal substrate using the recycled treatment liquid (step 3A)
In the first embodiment, the treatment liquid for forming a wiring circuit is a cleaning liquid.
<<第1A工程>>
第1A工程は、第1の金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む回収処理液を得る工程である。
<<Step 1A>>
Step 1A is a step of subjecting a waste liquid of a cleaning liquid used for cleaning a first metal substrate to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a cleaning liquid component.
第1A工程に使用される洗浄液は、再利用洗浄液であってもよいし、新しい洗浄液であってもよいし、再利用洗浄液と新しい洗浄液との混合物であってもよい。 The cleaning liquid used in step 1A may be a recycled cleaning liquid, a new cleaning liquid, or a mixture of recycled cleaning liquid and new cleaning liquid.
洗浄液は、例えば、酸性水溶液である。この場合、洗浄液成分は、酸である。 The cleaning solution is, for example, an acidic aqueous solution. In this case, the cleaning solution component is an acid.
第1の金属基板は、例えば、配線回路基板の剛性を確保するための要素である。
第1の金属基板は、例えば、金属コア層である。
第1の金属基板の材質としては、特に制限されず、例えば、Cu、Cu合金、ステンレス、42アロイなどが挙げられる。これらの中でも、熱伝導性及び導電性の観点から、好ましくはCu、Cu合金、及びステンレスである。
第1の金属基板の厚みとしては、特に制限されず、例えば、10μm以上であり、好ましくは15μm以上であり、また、例えば、500μm以下であり、好ましくは300μm以下である。
The first metal substrate is, for example, an element for ensuring the rigidity of the printed circuit board.
The first metal substrate is, for example, a metal core layer.
The material of the first metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Cu alloy, stainless steel, alloy 42, etc. Among these, from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity, Cu, Cu alloy, and stainless steel are preferable.
The thickness of the first metal substrate is not particularly limited and is, for example, 10 μm or more, preferably 15 μm or more, and for example, 500 μm or less, preferably 300 μm or less.
第1の金属基板を洗浄する方法としては、特に制限されず、例えば、金属基板を洗浄液に浸漬する方法、金属基板に洗浄液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。
第1の金属基板の洗浄時間としては、特に制限されない。
第1の金属基板を洗浄する際の洗浄液の温度としては、特に制限されない。
The method for cleaning the first metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the metal substrate in a cleaning liquid, and a method of spraying the cleaning liquid onto the metal substrate.
The cleaning time for the first metal substrate is not particularly limited.
The temperature of the cleaning solution used when cleaning the first metal substrate is not particularly limited.
第1A工程における廃液の回収処理の方法としては、第1工程の<<廃液の回収処理>>で挙げた回収処理が挙げられる。
Examples of the method for recovering the waste liquid in step 1A include the recovery methods listed in <<Recovery of waste liquid>> in
<<第2A工程>>
第2A工程は、回収処理液を用いて再利用洗浄液を用意する工程である。
第2A工程においては、回収処理液をそのまま再利用洗浄液としてもよい。
第2A工程においては、回収処理液を新しい洗浄液と混合することで再利用洗浄液を調製してもよい。
第2A工程においては、回収処理液中の洗浄液成分の濃度調整を行って再利用洗浄液を調製してもよい。例えば、回収処理液と、水、酸、及びアルコールの少なくともいずれかとを混合して、再利用洗浄液を調製してもよい。
<<Step 2A>>
Step 2A is a step of preparing a reused cleaning liquid using the recovered treatment liquid.
In the step 2A, the recovered treatment liquid may be used as a reused cleaning liquid as it is.
In step 2A, the recovered treatment liquid may be mixed with a new cleaning liquid to prepare a reused cleaning liquid.
In the step 2A, the reuse cleaning liquid may be prepared by adjusting the concentration of the cleaning liquid component in the recovered processing liquid. For example, the reuse cleaning liquid may be prepared by mixing the recovered processing liquid with at least one of water, an acid, and an alcohol.
第2A工程においては、以下の工程(1A)及び(2A)を行うことにより、再利用洗浄液を調製してもよい。
工程(1A):回収処理液中の有効成分を測定する工程
工程(2A):有効成分の測定結果を用いて、回収処理液の組成を、所定の組成に調整することにより、再利用洗浄液を調製する工程
In step 2A, the reuse cleaning liquid may be prepared by carrying out the following steps (1A) and (2A).
Step (1A): A step of measuring the amount of active ingredients in the recovered treatment liquid. Step (2A): A step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the active ingredients, thereby preparing a reused cleaning liquid.
工程(1A)では、例えば、洗浄液が酸性水溶液の場合、有効成分としての酸の濃度を測定する。測定方法としては、特に制限されず、例えば、比重測定、中和滴定、これらの組み合わせなどが挙げられる。これらの測定は、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
工程(2A)では、工程(1A)で得られた酸濃度の測定結果に基づいて、回収処理液に酸又は水を添加して、所定の組成に調整することにより、再利用洗浄液を調製する。酸又は水の回収処理液への添加は、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
工程(1A)及び工程(2A)では、測定及び調整を、自動で行ってもよいし、手動で行ってもよい。
また、洗浄液がアルコールを含有する場合、工程(1A)では、有効成分としてのアルコールの濃度を測定してもよい。そして、工程(2A)では、工程(1A)で得られたアルコール濃度の測定結果に基づいて、回収処理液にアルコール又は水を添加して、所定の組成に調整することにより、再利用洗浄液を調製してもよい。
In step (1A), for example, when the cleaning solution is an acidic aqueous solution, the concentration of the acid as an active ingredient is measured. The measurement method is not particularly limited, and examples thereof include specific gravity measurement, neutralization titration, and combinations thereof. These measurements may be performed automatically or manually.
In step (2A), based on the measurement result of the acid concentration obtained in step (1A), an acid or water is added to the recovered treatment liquid to adjust the composition to a predetermined value, thereby preparing a reused cleaning liquid. The addition of the acid or water to the recovered treatment liquid may be performed automatically or manually.
In steps (1A) and (2A), the measurement and adjustment may be performed automatically or manually.
In addition, when the cleaning solution contains alcohol, the concentration of the alcohol as an active ingredient may be measured in step (1A), and in step (2A), a reuse cleaning solution may be prepared by adding alcohol or water to the recovered treatment solution to adjust the composition to a predetermined value based on the measurement result of the alcohol concentration obtained in step (1A).
<<第3A工程>>
第3A工程は、再利用回収処理液を用いて、第2の金属基板を洗浄する工程である。
<<Step 3A>>
The 3A step is a step of cleaning the second metal substrate with the recycled treatment liquid.
第2の金属基板は、例えば、配線回路基板の剛性を確保するための要素である。
第2の金属基板は、例えば、金属コア層である。
第2の金属基板の材質としては、特に制限されず、例えば、Cu、Cu合金、ステンレス、42アロイなどが挙げられる。これらの中でも、熱伝導性及び導電性の観点から、好ましくはCu、Cu合金、及びステンレスである。
第2の金属基板の厚みとしては、特に制限されず、例えば、10μm以上であり、好ましくは15μm以上であり、また、例えば、500μm以下であり、好ましくは300μm以下である。
The second metal substrate is, for example, an element for ensuring the rigidity of the printed circuit board.
The second metal substrate is, for example, a metal core layer.
The material of the second metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include Cu, Cu alloy, stainless steel, alloy 42, etc. Among these, from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity, Cu, Cu alloy, and stainless steel are preferable.
The thickness of the second metal substrate is not particularly limited and is, for example, 10 μm or more, preferably 15 μm or more, and for example, 500 μm or less, preferably 300 μm or less.
第2の金属基板を洗浄する方法としては、特に制限されず、例えば、金属基板を洗浄液に浸漬する方法、金属基板に洗浄液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。
第2の金属基板の洗浄時間としては、特に制限されない。
第2の金属基板を洗浄する際の洗浄液の温度としては、特に制限されない。
The method for cleaning the second metal substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the metal substrate in a cleaning liquid, and a method of spraying the cleaning liquid onto the metal substrate.
The cleaning time for the second metal substrate is not particularly limited.
The temperature of the cleaning liquid when cleaning the second metal substrate is not particularly limited.
第1の金属基板と、第2の金属基板とは、同じ材質であってもよいし、異なる材質であってもよい。
第1の金属基板と、第2の金属基板とは、同じ大きさであってもよいし、異なる大きさであってもよい。
第1の金属基板と、第2の金属基板とは、同じ厚みであってもよいし、異なる厚みであってもよい。
The first metal substrate and the second metal substrate may be made of the same material or different materials.
The first metal substrate and the second metal substrate may be the same size or may be different sizes.
The first metal substrate and the second metal substrate may have the same thickness or different thicknesses.
第1の金属基板と、第2の金属基板とは、同じプロセスに使用される金属基板であってもよいし、異なるプロセスに使用される金属基板であってもよい。
同じプロセスとしては、例えば、同じパターン形状の配線回路の形成を行うプロセスが挙げられる。
The first metal substrate and the second metal substrate may be metal substrates used in the same process, or may be metal substrates used in different processes.
An example of the same process is a process for forming wiring circuits of the same pattern shape.
配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)では、第3A工程によって生じた洗浄液の廃液を、回収処理に供して、更に再利用してもよい。
即ち、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)は、以下の第4A工程、第5A工程、及び第6A工程を含んでいてもよい。更に、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)では、第4A工程~第6A工程を複数回繰り返してもよい。
第4A工程:第3A工程に使用された再利用洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む第2の回収処理液を得る工程
第5A工程:第2の回収処理液を用いて第2の再利用洗浄液を用意する工程
第6A工程:再利用回収処理液を用いて、第3の金属基板を洗浄する工程
なお、第4A工程は、第4工程の一実施形態である。
第5A工程は、第5工程の一実施形態である。
第6A工程は、第6工程の一実施形態である。
In the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board, the waste cleaning liquid generated in the step 3A may be subjected to a recovery process and further reused.
That is, the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board may include the following steps 4A, 5A, and 6A. Furthermore, in the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board, steps 4A to 6A may be repeated multiple times.
Step 4A: A step of subjecting the waste liquid of the reused cleaning liquid used in Step 3A to a recovery process to obtain a second recovered processing liquid containing cleaning liquid components. Step 5A: A step of preparing a second reused cleaning liquid using the second recovered processing liquid. Step 6A: A step of cleaning a third metal substrate using the reused recovered processing liquid. Note that Step 4A is one embodiment of Step 4.
Step 5A is an embodiment of
Step 6A is an embodiment of
第4A工程の具体例及び好適例としては、第1A工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第5A工程の具体例及び好適例としては、第2A工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第6A工程の具体例及び好適例としては、第3A工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
Specific examples and preferred examples of Step 4A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1A.
Specific examples and preferred examples of Step 5A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2A.
Specific examples and preferred examples of Step 6A include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3A.
<実施態様(その2)>
配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)において、第1工程~第3工程は、以下の通りである。
第1工程:第1のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理に使用されたリンス液の廃液を、回収処理に供して、リンス液成分を含む回収処理液を得る工程(第1B工程)
第2工程:回収処理液を用いて再利用リンス液を用意する工程(第2B工程)
第3工程:再利用リンス液を用いて、第2のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を行う工程(第3B工程)
なお、実施形態(その2)において、配線回路形成用処理液は、リンス液である。
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In the second embodiment of the method for producing a wired circuit board, the first to third steps are as follows.
First step: a step of recovering a waste liquid of a rinse solution used in a rinse treatment after a development treatment in forming a first resist pattern, to obtain a recovered treatment liquid containing a rinse solution component (first B step).
Second step: preparing a reused rinse liquid using the recovered treatment liquid (step 2B)
Third step: A step of performing a rinsing treatment after the development treatment in forming the second resist pattern using the recycled rinsing liquid (Step 3B).
In the second embodiment, the processing liquid for forming a wiring circuit is a rinse liquid.
<<第1B工程>>
第1B工程は、第1のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理に使用されたリンス液の廃液を、回収処理に供して、リンス液成分を含む回収処理液を得る工程である。
<<Step 1B>>
Step 1B is a step of recovering a waste liquid of a rinse liquid used in a rinse treatment after a development treatment in forming a first resist pattern, to obtain a recovered treatment liquid containing a rinse liquid component.
第1B工程に使用されるリンス液は、再利用リンス液であってもよいし、新しいリンス液であってもよいし、再利用リンス液と新しいリンス液との混合物であってもよい。 The rinse liquid used in step 1B may be a recycled rinse liquid, a new rinse liquid, or a mixture of a recycled rinse liquid and a new rinse liquid.
リンス液は、例えば、酸性リンス液である。この場合、リンス液成分は、酸である。 The rinse solution is, for example, an acid rinse solution. In this case, the rinse solution component is an acid.
リンス処理の方法としては、特に制限されず、例えば、レジストパターンを洗浄液に浸漬する方法、レジストパターンに洗浄液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。
リンス処理の時間としては、特に制限されない。
リンス処理をする際のリンス液の温度としては、特に制限されない。
The method of rinsing is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the resist pattern in a cleaning liquid, and a method of spraying the cleaning liquid onto the resist pattern.
The rinsing time is not particularly limited.
The temperature of the rinse liquid during the rinse treatment is not particularly limited.
第1のレジストパターンの形成方法としては、例えば、前述のレジストパターン形成処理が挙げられる。 An example of a method for forming the first resist pattern is the resist pattern formation process described above.
<<第2B工程>>
第2B工程は、回収処理液を用いて再利用リンス液を用意する工程である。
第2B工程は、第2工程の一実施形態である。そして、第2B工程における再利用リンス液は、第2工程における再利用配線回路形成用処理液に相当する。
第2B工程の具体例及び好適例としては、第2工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
<<Step 2B>>
Step 2B is a step of preparing a reused rinse liquid using the recovered processing liquid.
Step 2B is one embodiment of
Specific examples and preferred examples of Step 2B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of
<<第3B工程>>
第3B工程は、再利用リンス液を用いて、第2のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を行う工程である。
<<Step 3B>>
The 3B step is a step of performing a rinsing treatment using a recycled rinsing liquid after the development treatment in forming the second resist pattern.
リンス処理の方法としては、特に制限されず、例えば、レジストパターンをリンス液に浸漬する方法、レジストパターンにリンス液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。
リンス処理の時間としては、特に制限されない。
リンス処理をする際のリンス液の温度としては、特に制限されない。
The method of rinsing is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the resist pattern in a rinsing liquid, and a method of spraying the rinsing liquid onto the resist pattern.
The rinsing time is not particularly limited.
The temperature of the rinse liquid during the rinse treatment is not particularly limited.
第2のレジストパターンの形成方法としては、例えば、前述のレジストパターン形成処理が挙げられる。 An example of a method for forming the second resist pattern is the resist pattern formation process described above.
第1のレジストパターンの形成方法と、第2のレジストパターンの形成方法とは、同じプロセスであってもよいし、異なるプロセスであってもよい。同じプロセスとしては、例えば、同じ形状のレジストパターンの形成を行うプロセスが挙げられる。 The method for forming the first resist pattern and the method for forming the second resist pattern may be the same process or different processes. An example of the same process is a process for forming resist patterns of the same shape.
配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)では、第3B工程によって生じたリンス液の廃液を、回収処理に供して、更に再利用してもよい。
即ち、配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)は、以下の第4B工程、第5B工程、及び第6B工程を含んでいてもよい。更に、配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)では、第4B工程~第6B工程を複数回繰り返してもよい。
第4B工程:第3B工程に使用された再利用リンス液の廃液を、回収処理に供して、リンス液成分を含む第2の回収処理液を得る工程
第5B工程:第2の回収処理液を用いて第2の再利用リンス液を用意する工程
第6B工程:第2の再利用リンス液を用いて、第3のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を行う工程
なお、第4B工程は、第4工程の一実施形態である。
第5B工程は、第5工程の一実施形態である。
第6B工程は、第6工程の一実施形態である。
In the embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board, the waste rinsing liquid generated in the step 3B may be subjected to a recovery process and further reused.
That is, the embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board may include the following steps 4B, 5B, and 6B. Furthermore, in the embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board, steps 4B to 6B may be repeated multiple times.
Step 4B: A step of subjecting the waste liquid of the reused rinse liquid used in Step 3B to a recovery process to obtain a second recovered treatment liquid containing a rinse liquid component. Step 5B: A step of preparing a second reused rinse liquid using the second recovered treatment liquid. Step 6B: A step of performing a rinse process after the development process in forming a third resist pattern using the second reused rinse liquid. Note that Step 4B is one embodiment of Step 4.
Step 5B is an embodiment of
Step 6B is an embodiment of
第4B工程の具体例及び好適例としては、第1B工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第5B工程の具体例及び好適例としては、第2B工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第6B工程の具体例及び好適例としては、第3B工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
Specific examples and preferred examples of Step 4B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1B.
Specific examples and preferred examples of Step 5B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2B.
Specific examples and preferred examples of Step 6B include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3B.
<実施形態(その3)>
配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)において、第1工程~第3工程は、以下の通りである。
第1工程:第1のシード層の除去に使用されたエッチング液の廃液を、回収処理に供して、エッチング液成分を含む回収処理液を得る工程(第1C工程)
第2工程:回収処理液を用いて再利用エッチング液を用意する工程(第2C工程)
第3工程:再利用エッチング液を用いて、第2のシード層を除去する工程(第3C工程)
なお、実施形態(その3)において、配線回路形成用処理液は、エッチング液である。
<Embodiment 3>
In the third embodiment of the method for producing a wired circuit board, the first to third steps are as follows.
First step: A step of subjecting a waste liquid of the etching solution used for removing the first seed layer to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing an etching solution component (first C step).
Second step: preparing a reused etching solution using the recovered treatment solution (second C step)
Third step: removing the second seed layer using the recycled etching solution (third step C)
In the third embodiment, the treatment liquid for forming a wiring circuit is an etching liquid.
<<第1C工程>>
第1C工程は、第1のシード層の除去に使用されたエッチング液の廃液を、回収処理に供して、エッチング液成分を含む回収処理液を得る工程である。
<<First C Step>>
The 1C step is a step of subjecting a waste liquid of the etching solution used in removing the first seed layer to a recovery treatment to obtain a recovered treatment liquid containing an etching solution component.
第1C工程に使用されるエッチング液は、再利用エッチング液であってもよいし、新しいエッチング液であってもよいし、再利用エッチング液と新しいエッチング液との混合物であってもよい。 The etching solution used in step 1C may be a recycled etching solution, a new etching solution, or a mixture of a recycled etching solution and a new etching solution.
エッチング液は、例えば、酸性エッチング液である。この場合、エッチング液成分は、酸である。 The etching solution is, for example, an acidic etching solution. In this case, the etching solution component is an acid.
第1のシード層の除去の方法としては、特に制限されず、例えば、シード層をエッチング液に浸漬する方法、シード層にエッチング液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。なお、シード層上にめっきパターンが形成されている場合は、通常、めっきパターンとともにシード層をエッチング液に浸漬させる。
第1のシード層の除去を行う時間としては、特に制限されない。
第1のシード層の除去を行う際のエッチング液の温度としては、特に制限されない。
The method for removing the first seed layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the seed layer in an etching solution, a method of spraying the etching solution onto the seed layer, etc. When a plating pattern is formed on the seed layer, the seed layer is usually immersed in the etching solution together with the plating pattern.
The time for removing the first seed layer is not particularly limited.
The temperature of the etching solution when removing the first seed layer is not particularly limited.
<<第2C工程>>
第2C工程は、回収処理液を用いて再利用エッチング液を用意する工程である。
第2C工程は、第2工程の一実施形態である。そして、第2C工程における再利用エッチング液は、第2工程における再利用配線回路形成用処理液に相当する。
第2C工程の具体例及び好適例としては、第2工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
<<Second C step>>
The 2C step is a step of preparing a reused etching liquid using the recovered treated liquid.
Step 2C is one embodiment of
Specific examples and preferred examples of Step 2C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of
<<第3C工程>>
第3C工程は、再利用エッチング液を用いて、第2のシード層を除去する工程である。
<<Step 3C>>
Step 3C is a step of removing the second seed layer by using the recycled etching solution.
第2のシード層の除去の方法としては、特に制限されず、例えば、シード層をエッチング液に浸漬する方法、シード層にエッチング液をスプレー塗布する方法などが挙げられる。なお、シード層上にめっきパターンが形成されている場合は、通常、めっきパターンとともにシード層をエッチング液に浸漬させる。
第2のシード層の除去を行う時間としては、特に制限されない。
第2のシード層の除去を行う際のエッチング液の温度としては、特に制限されない。
The method for removing the second seed layer is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the seed layer in an etching solution, a method of spraying the etching solution onto the seed layer, etc. When a plating pattern is formed on the seed layer, the seed layer is usually immersed in the etching solution together with the plating pattern.
The time for removing the second seed layer is not particularly limited.
The temperature of the etching solution when removing the second seed layer is not particularly limited.
第1のシード層と、第2のシード層とは、同じプロセスに使用されるシード層であってもよいし、異なるプロセスに使用されるシード層であってもよい。
同じプロセスとしては、例えば、同じパターン形状の配線回路の形成を行うプロセスが挙げられる。
The first seed layer and the second seed layer may be seed layers used in the same process, or may be seed layers used in different processes.
An example of the same process is a process for forming wiring circuits of the same pattern shape.
配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)では、第3C工程によって生じたエッチング液の廃液を、回収処理に供して、更に再利用してもよい。
即ち、配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)は、以下の第4C工程、第5C工程、及び第6C工程を含んでいてもよい。更に、配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)では、第4C工程~第6C工程を複数回繰り返してもよい。
第4C工程:第3C工程に使用された再利用エッチング液の廃液を、回収処理に供して、エッチング液成分を含む第2の回収処理液を得る工程
第5C工程:第2の回収処理液を用いて第2の再利用エッチング液を用意する工程
第6C工程:第2の再利用エッチング液を用いて、第3のシード層を除去する工程
なお、第4C工程は、第4工程の一実施形態である。
第5C工程は、第5工程の一実施形態である。
第6C工程は、第6工程の一実施形態である。
In the embodiment (third) of the method for producing a wired circuit board, the waste etching solution generated in the third C step may be subjected to a recovery process and further reused.
That is, the embodiment (part 3) of the method for producing a wired circuit board may include the following steps 4C, 5C, and 6C. Furthermore, in the embodiment (part 3) of the method for producing a wired circuit board, steps 4C to 6C may be repeated multiple times.
Step 4C: A step of subjecting the waste liquid of the recycled etching liquid used in Step 3C to a recovery process to obtain a second recovered processing liquid containing an etching liquid component. Step 5C: A step of preparing a second recycled etching liquid using the second recovered processing liquid. Step 6C: A step of removing the third seed layer using the second recycled etching liquid. Note that Step 4C is one embodiment of Step 4.
Step 5C is an embodiment of
Step 6C is an embodiment of
第4C工程の具体例及び好適例としては、第1C工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第5C工程の具体例及び好適例としては、第2C工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
第6C工程の具体例及び好適例としては、第3C工程の説明で挙げた具体例及び好適例とそれぞれ同じ具体例及び好適例が挙げられる。
Specific examples and preferred examples of Step 4C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 1C.
Specific examples and preferred examples of Step 5C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 2C.
Specific examples and preferred examples of Step 6C include the same specific examples and preferred examples as those given in the explanation of Step 3C.
以下に、図を用いて、配線回路基板の製造方法の実施形態を説明する。
図2は、配線回路基板の製造方法の一実施形態のフローチャートである。
まず、第1工程101を行う。第1工程101では、配線回路の形成工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液を、回収処理に供して、処理液成分を含む回収処理液を得る。
次に、第2工程102を行う。第2工程102では、第1工程101で得られた回収処理液を用いて再利用配線回路形成用処理液を用意する。
次に、第3工程103を行う。第3工程103では、第2工程102で用意された再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う。
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a printed circuit board will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is a flow chart of one embodiment of a method for manufacturing a printed circuit board.
First, the
Next, a
Next, a
図3は、配線回路基板の製造方法の他の一実施形態のフローチャートである。
まず、第1工程101~第3工程103を行う。第1工程101~第3工程103は、図2を用いた配線回路基板の製造方法の一実施形態の説明における第1工程101~第3工程103と同じである。
次に、第4工程104を行う。第4工程104では、第3工程103に使用された再利用配線回路形成用処理液の廃液を、回収処理に供して、処理液成分を含む第2の回収処理液を得る。
次に、第5工程105を行う。第5工程105では、第4工程104で得られた第2の回収処理液を用いて第2の再利用配線回路形成用処理液を用意する。
次に、第6工程106を行う。第6工程106では、第5工程105で用意された第2の再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う。
FIG. 3 is a flow chart of another embodiment of the method for manufacturing a printed circuit board.
First, the
Next, a
Next, a
Next, a
図4は、配線回路基板の製造方法の他の一実施形態のフローチャートである。
図4のフローチャートは、第4工程~第6工程を複数回行う実施形態である。
第1工程101~第6工程106を行う。第1工程101~第6工程106は、図3を用いた配線回路基板の製造方法の一実施形態の説明における第1工程101~第6工程106と同じである。
次に、第4工程104を行う。この第4工程104では、配線回路形成用処理液の廃液として、第6工程106の配線回路を形成する工程に使用された配線回路形成用処理液の廃液を用いる。
次に、第5工程105、及び第6工程106を行う。
FIG. 4 is a flow chart of another embodiment of the method for manufacturing a printed circuit board.
The flowchart in FIG. 4 illustrates an embodiment in which the fourth to sixth steps are performed multiple times.
The
Next, a
Next, a
以下に、図を用いて、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)を説明する。
図5は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の一例のフローチャートである。
まず、第1A工程1を行う。第1A工程1では、第1の金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む回収処理液を得る。
次に、第2A工程2を行う。第2A工程2では、第1A工程1で得られた回収処理液を用いて再利用回収処理液を用意する。
次に、第3A工程3を行う。第3A工程3では、再利用回収処理液を用いて、第2の金属基板を洗浄する。
Hereinafter, an embodiment (part 1) of the method for producing a printed circuit board will be described with reference to the drawings.
FIG. 5 is a flow chart of an example of an embodiment (part 1) of a method for manufacturing a printed circuit board.
First, the
Next, the
Next, the 3A step 3 is carried out. In the 3A step 3, the second metal substrate is cleaned using the recycled treatment liquid.
図6は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の他の一例のフローチャートである。
まず、第1A工程1~第3A工程3を行う。第1A工程1~第3A工程3は、図5を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第1A工程1~第3A工程3と同じである。
次に、第4A工程4を行う。第4A工程4では、第3A工程3に使用された再利用洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む第2の回収処理液を得る。
次に、第5A工程5を行う。第5A工程5では、第4A工程4で得られた第2の回収処理液を用いて第2の再利用洗浄液を用意する。
次に、第6A工程6を行う。第6A工程6では、第5A工程5で用意された第2の再利用回収処理液を用いて、第3の金属基板を洗浄する。
FIG. 6 is a flowchart of another example of the embodiment (part 1) of the method for manufacturing a printed circuit board.
First,
Next, the 4A step 4 is carried out. In the 4A step 4, the waste liquid of the reused cleaning liquid used in the 3A step 3 is subjected to a recovery treatment to obtain a second recovered treatment liquid containing a cleaning liquid component.
Next, the
Next, the
図7は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の他の一例のフローチャートである。
図7のフローチャートは、第4A工程~第6A工程を複数回行う実施形態である。
第1A工程1~第6A工程6を行う。第1A工程1~第6A工程6は、図6を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第1A工程1~第6A工程6と同じである。
次に、第4A工程4を行う。この第4A工程4では、洗浄液の廃液として、第6A工程6の第3の金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液を用いる。
次に、第5A工程5、及び第6A工程6を行う。
FIG. 7 is a flowchart of another example of the embodiment (part 1) of the method for manufacturing a printed circuit board.
The flowchart in FIG. 7 illustrates an embodiment in which steps 4A to 6A are performed multiple times.
The
Next, the 4A step 4 is carried out. In the 4A step 4, the waste cleaning liquid used in cleaning the third metal substrate in the
Next, step 5A5 and step 6A6 are carried out.
以下に、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)を、装置構成概略図を用いて説明する。
図8は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の一例を説明するための装置構成概略図である。
この一実施形態では、洗浄液タンク11、洗浄装置12、廃液タンク13、回収処理装置14、及び回収処理液タンク15を用いる。更には、それらをつなぐ配管を用いる。
この一実施形態では、有効成分の濃度調整をぜず、回収処理液をそのまま再利用洗浄液として用いる。
ここで説明する配線回路基板の製造方法の一実施形態では、第1A工程、第2A工程、及び第3A工程を行う。
まず、第1A工程を行う。第1A工程では、第1の金属基板の洗浄に使用された洗浄液の廃液を、回収処理に供して、洗浄液成分を含む回収処理液を得る。具体的には、洗浄液タンク11の洗浄液を用いて、洗浄装置12により、第1の金属基板の洗浄を行う。洗浄に使用した洗浄液は、廃液として、廃液タンク13に送られる。洗浄液の廃液は、廃液タンク13から、回収処理装置14に送られる。回収処理装置14では、回収処理の一例としての電気透析処理が行われる。回収処理を行って得られた回収処理液は、回収処理液タンク15に送られる。回収処理液以外の廃液は、廃液タンク13に戻され、廃液タンク13中の廃液と混合されて、再度、回収処理装置14に送られる。
次に、第2A工程を行う。第2A工程では、回収処理液を用いて再利用洗浄液を用意する。具体的には、回収処理液タンク15に送られた回収処理液は、有効成分の濃度調整が不要な場合は、そのまま、洗浄液タンク11に送られ、再利用洗浄液となる。
次に、第3A工程を行う。第3A工程では、再利用洗浄液を用いて、第2の金属基板を洗浄する。具体的には、洗浄液タンク11中の再利用洗浄液を用いて、洗浄装置12により、第2の金属基板の洗浄を行う。
なお、廃液タンク13中の廃液において洗浄液を構成する成分以外の成分の濃度がある程度高くなってきたら、回収処理の効率が低下するため、廃液は廃棄される。
Hereinafter, an embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board will be described with reference to a schematic diagram of an apparatus configuration.
FIG. 8 is a schematic diagram of an apparatus configuration for explaining one example of an embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board.
In this embodiment, a cleaning liquid tank 11, a cleaning device 12, a waste liquid tank 13, a recovery and treatment device 14, and a recovery and treatment liquid tank 15 are used. Furthermore, piping is used to connect these devices.
In this embodiment, the concentration of the active ingredient is not adjusted, and the recovered treated liquid is used as it is as a reused cleaning liquid.
In one embodiment of the method for producing a printed circuit board described here, a first A step, a second A step, and a third A step are performed.
First, the 1A step is performed. In the 1A step, the waste liquid of the cleaning liquid used for cleaning the first metal substrate is subjected to a recovery process to obtain a recovery process liquid containing a cleaning liquid component. Specifically, the first metal substrate is cleaned by a cleaning device 12 using the cleaning liquid in a cleaning liquid tank 11. The cleaning liquid used for cleaning is sent as a waste liquid to a waste liquid tank 13. The waste liquid of the cleaning liquid is sent from the waste liquid tank 13 to a recovery process device 14. In the recovery process device 14, an electrodialysis process is performed as an example of a recovery process. The recovery process liquid obtained by performing the recovery process is sent to a recovery process liquid tank 15. The waste liquid other than the recovery process liquid is returned to the waste liquid tank 13, mixed with the waste liquid in the waste liquid tank 13, and sent again to the recovery process device 14.
Next, step 2A is performed. In step 2A, the recovered processing liquid is used to prepare a reused cleaning liquid. Specifically, if the recovered processing liquid sent to the recovered processing liquid tank 15 does not require concentration adjustment of the active ingredient, the recovered processing liquid is sent directly to the cleaning liquid tank 11 to become the reused cleaning liquid.
Next, step 3A is performed. In step 3A, the second metal substrate is cleaned using the reused cleaning liquid. Specifically, the second metal substrate is cleaned by the cleaning device 12 using the reused cleaning liquid in the cleaning liquid tank 11.
When the concentration of components other than those constituting the cleaning liquid in the waste liquid tank 13 reaches a certain level, the efficiency of the recovery process decreases, and the waste liquid is discarded.
図9は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の他の一例を説明するための装置構成概略図である。
この一実施形態では、洗浄液タンク11、洗浄装置12、廃液タンク13、回収処理装置14、回収処理液タンク15、分析装置16、及び供給装置17を用いる。更には、それらをつなぐ配管を用いる。
この一実施形態では、分析装置16及び供給装置17を用いて、洗浄液タンク11において、有効成分の濃度調整を行い、回収処理液を用いて再利用洗浄液を調製する。
ここで説明する配線回路基板の製造方法の一実施形態では、第1A工程、第2A工程、及び第3A工程を行う。
まず、第1A工程を行う。第1A工程は、図8を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第1A工程と同じである。
次に、第2A工程を行う。第2A工程では、回収処理液を用いて再利用洗浄液を用意する。具体的には、回収処理液タンク15に送られた回収処理液は、更に洗浄液タンク11に送られる。洗浄液タンク11中の回収処理液をサンプリングして、分析装置16により、有効成分(例えば、酸)の濃度測定を行う。そして、その結果に基づいて、供給装置17から、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、洗浄液タンク11に供給する。そうすることにより、洗浄液タンク11において、回収処理液の濃度調整が行われ、再利用洗浄液が調製される。
次に、第3A工程を行う。第3A工程は、図8を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第3A工程と同じである。
なお、第2A工程において、分析装置16で得られた有効成分の濃度測定の結果は、例えば、有線又は無線により、供給装置17に送られる。
また、第2A工程における濃度調整は、手動で行ってもよいし、自動で行ってもよい。例えば、供給装置17を用いず、分析装置16で得られた有効成分(例えば、酸)の濃度測定の結果に基づいて、手動により、洗浄液タンク11に、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、供給してもよい。
なお、廃液タンク13中の廃液において洗浄液を構成する成分以外の成分の濃度がある程度高くなってきたら、回収処理の効率が低下するため、廃液は廃棄される。
FIG. 9 is a schematic diagram of an apparatus configuration for explaining another example of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board.
In this embodiment, a cleaning liquid tank 11, a cleaning device 12, a waste liquid tank 13, a recovery and processing device 14, a recovery and processing liquid tank 15, an analysis device 16, and a supply device 17 are used. Furthermore, piping is used to connect these devices.
In this embodiment, the concentration of the active ingredient is adjusted in the cleaning liquid tank 11 using the analysis device 16 and the supply device 17, and the reused cleaning liquid is prepared using the recovered treatment liquid.
In one embodiment of the method for producing a printed circuit board described here, a first A step, a second A step, and a third A step are performed.
First, step 1A is performed. Step 1A is the same as step 1A in the description of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board using FIG.
Next, step 2A is performed. In step 2A, the recovered processing liquid is used to prepare a reused cleaning liquid. Specifically, the recovered processing liquid sent to the recovered processing liquid tank 15 is further sent to the cleaning liquid tank 11. The recovered processing liquid in the cleaning liquid tank 11 is sampled, and the concentration of the active ingredient (e.g., acid) is measured by the analysis device 16. Then, based on the result, a predetermined amount of an ingredient (e.g., acid) for adjusting the concentration is supplied from the supply device 17 to the cleaning liquid tank 11. In this way, the concentration of the recovered processing liquid is adjusted in the cleaning liquid tank 11, and the reused cleaning liquid is prepared.
Next, step 3A is performed, which is the same as step 3A in the description of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board using FIG.
In step 2A, the result of the measurement of the concentration of the active ingredient obtained by the analysis device 16 is sent to the supply device 17, for example, by wire or wirelessly.
The concentration adjustment in step 2A may be performed manually or automatically. For example, without using the supply device 17, a predetermined amount of a component (e.g., an acid) for adjusting the concentration may be manually supplied to the cleaning solution tank 11 based on the result of the concentration measurement of the active ingredient (e.g., an acid) obtained by the analysis device 16.
When the concentration of components other than those constituting the cleaning liquid in the waste liquid tank 13 reaches a certain level, the efficiency of the recovery process decreases, and the waste liquid is discarded.
図10は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の他の一例を説明するための装置構成概略図である。
この一実施形態では、洗浄液タンク11、洗浄装置12、廃液タンク13、回収処理装置14、回収処理液タンク15、分析装置16、及び供給装置17を用いる。更には、それらをつなぐ配管を用いる。
この一実施形態では、分析装置16及び供給装置17を用いて、回収処理液タンク15において、有効成分の濃度調整を行い、回収処理液を用いて再利用洗浄液を調製する。
ここで説明する配線回路基板の製造方法の一実施形態では、第1A工程、第2A工程、及び第3A工程を行う。
まず、第1A工程を行う。第1A工程は、図8を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第1A工程と同じである。
次に、第2A工程を行う。第2A工程では、回収処理液を用いて再利用洗浄液を用意する。具体的には、回収処理液タンク15に送られた回収処理液をサンプリングして、分析装置16により、有効成分(例えば、酸)の濃度測定を行う。そして、その結果に基づいて、供給装置17から、濃度調整を行うための所定量の成分を、回収処理液タンク15に供給する。そうすることにより、回収処理液タンク15において、回収処理液の濃度調整が行われ、再利用洗浄液が調製される。得られた再利用洗浄液は、洗浄液タンク11に送られる。
次に、第3A工程を行う。第3A工程は、図8を用いた配線回路基板の製造方法の実施形態(その1)の説明における第3A工程と同じである。
なお、第2A工程において、分析装置16で得られた有効成分の濃度測定の結果は、例えば、有線又は無線により、供給装置17に送られる。
また、第2A工程における濃度調整は、手動で行ってもよいし、自動で行ってもよい。例えば、供給装置17を用いず、分析装置16で得られた有効成分の濃度測定の結果に基づいて、手動により、洗浄液タンク11に、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、供給してもよい。
なお、廃液タンク13中の廃液において洗浄液を構成する成分以外の成分の濃度がある程度高くなってきたら、回収処理の効率が低下するため、廃液は廃棄される。
FIG. 10 is a schematic diagram of an apparatus configuration for explaining another example of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board.
In this embodiment, a cleaning liquid tank 11, a cleaning device 12, a waste liquid tank 13, a recovery and processing device 14, a recovery and processing liquid tank 15, an analysis device 16, and a supply device 17 are used. Furthermore, piping is used to connect these devices.
In this embodiment, the concentration of the active ingredient is adjusted in the recovered and treated liquid tank 15 using the analysis device 16 and the supply device 17, and the recovered and treated liquid is used to prepare a reused cleaning liquid.
In one embodiment of the method for producing a printed circuit board described here, a first A step, a second A step, and a third A step are performed.
First, step 1A is performed. Step 1A is the same as step 1A in the description of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board using FIG.
Next, step 2A is performed. In step 2A, the recovered processing liquid is used to prepare a reused cleaning liquid. Specifically, the recovered processing liquid sent to the recovered processing liquid tank 15 is sampled, and the concentration of the active ingredient (e.g., acid) is measured by the analysis device 16. Then, based on the result, a predetermined amount of an ingredient for adjusting the concentration is supplied from the supply device 17 to the recovered processing liquid tank 15. In this way, the concentration of the recovered processing liquid is adjusted in the recovered processing liquid tank 15, and a reused cleaning liquid is prepared. The obtained reused cleaning liquid is sent to the cleaning liquid tank 11.
Next, step 3A is performed, which is the same as step 3A in the description of the embodiment (part 1) of the method for producing a wired circuit board using FIG.
In step 2A, the result of the measurement of the concentration of the active ingredient obtained by the analysis device 16 is sent to the supply device 17, for example, by wire or wirelessly.
The concentration adjustment in step 2A may be performed manually or automatically. For example, without using the supply device 17, a predetermined amount of a component (e.g., an acid) for adjusting the concentration may be manually supplied to the cleaning solution tank 11 based on the result of the concentration measurement of the active ingredient obtained by the analysis device 16.
When the concentration of components other than those constituting the cleaning liquid in the waste liquid tank 13 reaches a certain level, the efficiency of the recovery process decreases, and the waste liquid is discarded.
以下に、図を用いて、配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)を説明する。
図11は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)の一例のフローチャートである。
まず、第1B工程21を行う。第1B工程21では、第1のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理に使用されたリンス液の廃液を、回収処理に供して、リンス液成分を含む回収処理液を得る。
次に、第2B工程22を行う。第2B工程22では、第1B工程21で得られた回収処理液を用いて再利用リンス液を用意する。
次に、第3B工程23を行う。第3B工程23では、第2B工程22で用意された再利用リンス液を用いて、第2のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を行う。
Hereinafter, a second embodiment of the method for producing a printed circuit board will be described with reference to the drawings.
FIG. 11 is a flowchart of an example of the embodiment (part 2) of the method for producing a printed circuit board.
First, the
Next, the
Next, the 3B step 23 is performed. In the 3B step 23, the reused rinse liquid prepared in the
図12は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その2)の一例を説明するための装置構成概略図である。
この一実施形態では、リンス液タンク31、リンス装置32、廃液タンク33、回収処理装置34、回収処理液タンク35、分析装置36、及び供給装置37を用いる。更には、それらをつなぐ配管を用いる。
この一実施形態では、分析装置36及び供給装置37を用いて、リンス液タンク31において、有効成分の濃度調整を行い、回収処理液を用いて再利用リンス液を調製する。
ここで説明する配線回路基板の製造方法の一実施形態では、第1B工程、第2B工程、及び第3B工程を行う。
まず、第1B工程を行う。第1B工程では、第1のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理に使用されたリンス液の廃液を、回収処理に供して、リンス液成分を含む回収処理液を得る。具体的には、リンス液タンク31のリンス液を用いて、リンス装置32により、第1のレジストパターンの形成における現像処理の後のレジストパターンに対してリンス処理を行う。係るリンス処理の際に使用したリンス液は、廃液として、廃液タンク33に送られる。リンス液の廃液は、廃液タンク33から、回収処理装置34に送られる。回収処理装置34では、回収処理の一例としての電気透析処理が行われる。回収処理を行って得られた回収処理液は、回収処理液タンク35に送られる。回収処理液以外の廃液は、廃液タンク33に戻され、廃液タンク33中の廃液と混合されて、再度、回収処理装置34に送られる。
次に、第2B工程を行う。第2B工程では、回収処理液を用いて再利用リンス液を用意する。具体的には、回収処理液タンク35に送られた回収処理液は、更にリンス液タンク31に送られる。リンス液タンク31中の回収処理液をサンプリングして、分析装置36により、有効成分(例えば、酸)の濃度測定を行う。そして、その結果に基づいて、供給装置37から、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、リンス液タンク31に供給する。そうすることにより、リンス液タンク31において、回収処理液の濃度調整が行われ、再利用リンス液が調製される。
次に、第3B工程を行う。第3B工程では、再利用リンス液を用いて、第2のレジストパターンの形成における現像処理の後のリンス処理を行う。具体的には、リンス液タンク31中の再利用リンス液を用いて、リンス装置32により、第2のレジストパターンの形成における現像処理の後のレジストパターンに対してリンス処理を行う。
なお、第2B工程において、分析装置36で得られた有効成分の濃度測定の結果は、例えば、有線又は無線により、供給装置37に送られる。
また、第2B工程における濃度調整は、手動で行ってもよいし、自動で行ってもよい。例えば、供給装置37を用いず、分析装置36で得られた有効成分(例えば、酸)の濃度測定の結果に基づいて、手動により、リンス液タンク31に、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、供給してもよい。
なお、廃液タンク33中の廃液においてリンス液を構成する成分以外の成分の濃度がある程度高くなってきたら、回収処理の効率が低下するため、廃液は廃棄される。
FIG. 12 is a schematic diagram of an apparatus configuration for explaining one example of an embodiment (part 2) of the method for producing a wired circuit board.
In this embodiment, a rinse liquid tank 31, a rinse device 32, a waste liquid tank 33, a recovery and processing device 34, a recovery and processing liquid tank 35, an analysis device 36, and a supply device 37 are used. Furthermore, piping is used to connect these devices.
In this embodiment, the concentration of the active ingredient is adjusted in the rinse liquid tank 31 using the analysis device 36 and the supply device 37, and the reused rinse liquid is prepared using the recovered treatment liquid.
In one embodiment of the method for producing a wired circuit board described here, a 1B step, a 2B step, and a 3B step are performed.
First, the 1B step is performed. In the 1B step, the waste liquid of the rinse liquid used in the rinse process after the development process in the formation of the first resist pattern is subjected to a recovery process to obtain a recovered treatment liquid containing a rinse liquid component. Specifically, the rinse liquid in the rinse liquid tank 31 is used by the rinse device 32 to perform a rinse process on the resist pattern after the development process in the formation of the first resist pattern. The rinse liquid used in the rinse process is sent to the waste liquid tank 33 as a waste liquid. The waste liquid of the rinse liquid is sent from the waste liquid tank 33 to the recovery treatment device 34. In the recovery treatment device 34, an electrodialysis process as an example of a recovery process is performed. The recovered treatment liquid obtained by performing the recovery process is sent to the recovery treatment liquid tank 35. The waste liquid other than the recovered treatment liquid is returned to the waste liquid tank 33, mixed with the waste liquid in the waste liquid tank 33, and sent again to the recovery treatment device 34.
Next, step 2B is performed. In step 2B, the recovered processing liquid is used to prepare a reused rinse liquid. Specifically, the recovered processing liquid sent to the recovered processing liquid tank 35 is further sent to the rinse liquid tank 31. The recovered processing liquid in the rinse liquid tank 31 is sampled, and the concentration of an active ingredient (e.g., an acid) is measured by an analyzer 36. Then, based on the result, a predetermined amount of an ingredient (e.g., an acid) for adjusting the concentration is supplied from a supply device 37 to the rinse liquid tank 31. In this way, the concentration of the recovered processing liquid is adjusted in the rinse liquid tank 31, and the reused rinse liquid is prepared.
Next, step 3B is performed. In step 3B, a rinse process is performed using a reused rinse liquid after the development process in the formation of the second resist pattern. Specifically, the rinse device 32 uses the reused rinse liquid in the rinse liquid tank 31 to rinse the resist pattern after the development process in the formation of the second resist pattern.
In step 2B, the result of the measurement of the concentration of the active ingredient obtained by the analysis device 36 is sent to the supply device 37, for example, by wire or wirelessly.
The concentration adjustment in step 2B may be performed manually or automatically. For example, without using the supply device 37, a predetermined amount of a component (e.g., an acid) for adjusting the concentration may be manually supplied to the rinse liquid tank 31 based on the result of the concentration measurement of the active ingredient (e.g., an acid) obtained by the analysis device 36.
When the concentration of components other than the components constituting the rinsing liquid in the waste liquid tank 33 becomes high to a certain extent, the efficiency of the recovery process decreases, and the waste liquid is discarded.
以下に、図を用いて、配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)を説明する。
図13は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)の一例のフローチャートである。
まず、第1C工程41を行う。第1C工程41では、第1のシード層の除去に使用されたエッチング液の廃液を、回収処理に供して、エッチング液成分を含む回収処理液を得る。
次に、第2C工程42を行う。第2C工程42では、第1C工程41で得られた回収処理液を用いて再利用エッチング液を用意する。
次に、第3C工程43を行う。第3C工程43では、第2C工程42で用意された再利用エッチング液を用いて、第2のシード層を除去する。
Hereinafter, a third embodiment of the method for producing a printed circuit board will be described with reference to the drawings.
FIG. 13 is a flowchart of an example of the embodiment (part 3) of the method for producing a printed circuit board.
First, the 1C step 41 is performed. In the 1C step 41, a waste liquid of the etching solution used for removing the first seed layer is subjected to a recovery process to obtain a recovered treatment liquid containing an etching solution component.
Next, a 2C step 42 is performed. In the 2C step 42, the recovered treated liquid obtained in the 1C step 41 is used to prepare a reused etching liquid.
Next, a 3C process 43 is performed. In the 3C process 43, the second seed layer is removed using the recycled etching solution prepared in the 2C process 42.
図14は、配線回路基板の製造方法の実施形態(その3)の一例を説明するための装置構成概略図である。
この一実施形態では、エッチング液タンク51、エッチング装置52、廃液タンク53、回収処理装置54、回収処理液タンク55、分析装置56、及び供給装置57を用いる。更には、それらをつなぐ配管を用いる。
この一実施形態では、分析装置56及び供給装置57を用いて、回収処理液タンク55において、有効成分の濃度調整を行い、回収処理液を用いて再利用エッチング液を調製する。
ここで説明する配線回路基板の製造方法の一実施形態では、第1C工程、第2C工程、及び第3C工程を行う。
まず、第1C工程を行う。第1C工程では、第1のシード層の除去に使用されたエッチング液の廃液を、回収処理に供して、エッチング液成分を含む回収処理液を得る。具体的には、エッチング液タンク51のエッチング液を用いて、エッチング装置52により、第1のシード層のエッチングを行う。係るエッチングの際に使用したエッチング液は、廃液として、廃液タンク53に送られる。エッチング液の廃液は、廃液タンク53から、回収処理装置54に送られる。回収処理装置54では、回収処理の一例としての電気透析処理が行われる。回収処理を行って得られた回収処理液は、回収処理液タンク55に送られる。回収処理液以外の廃液は、廃液タンク53に戻され、廃液タンク53中の廃液と混合されて、再度、回収処理装置54に送られる。
次に、第2C工程を行う。第2C工程では、回収処理液を用いて再利用エッチング液を用意する。具体的には、回収処理液タンク55に送られた回収処理液をサンプリングして、分析装置56により、有効成分(例えば、酸)の濃度測定を行う。そして、その結果に基づいて、供給装置57から、濃度調整を行うための所定量の成分を、回収処理液タンク55に供給する。そうすることにより、回収処理液タンク55において、回収処理液の濃度調整が行われ、再利用エッチング液が調製される。得られた再利用エッチング液は、エッチング液タンク51に送られる。
次に、第3C工程を行う。第3C工程では、再利用エッチング液を用いて、第2のシード層を除去する。具体的には、エッチング液タンク51中の再利用エッチング液を用いて、エッチング装置52により、第2のシード層のエッチングを行う。
なお、第2C工程において、分析装置56で得られた有効成分の濃度測定の結果は、例えば、有線又は無線により、供給装置57に送られる。
また、第2C工程における濃度調整は、手動で行ってもよいし、自動で行ってもよい。例えば、供給装置57を用いず、分析装置56で得られた有効成分の濃度測定の結果に基づいて、手動により、エッチング液タンク51に、濃度調整を行うための所定量の成分(例えば、酸)を、供給してもよい。
なお、廃液タンク53中の廃液においてエッチング液を構成する成分以外の成分の濃度がある程度高くなってきたら、回収処理の効率が低下するため、廃液は廃棄される。
FIG. 14 is a schematic diagram of an apparatus configuration for explaining one example of an embodiment (part 3) of the method for producing a wired circuit board.
In this embodiment, an etching liquid tank 51, an etching device 52, a waste liquid tank 53, a recovery and processing device 54, a recovered and processed liquid tank 55, an analysis device 56, and a supply device 57 are used. Furthermore, piping is used to connect these devices.
In this embodiment, the concentration of the active ingredient is adjusted in the recovered and treated liquid tank 55 using the analysis device 56 and the supply device 57, and the recovered and treated liquid is used to prepare a reused etching liquid.
In one embodiment of the method for producing a printed circuit board described here, a first C step, a second C step, and a third C step are performed.
First, the 1C step is performed. In the 1C step, the waste liquid of the etching liquid used in removing the first seed layer is subjected to a recovery process to obtain a recovery process liquid containing an etching liquid component. Specifically, the etching liquid in the etching liquid tank 51 is used to etch the first seed layer by the etching device 52. The etching liquid used during the etching is sent to the waste liquid tank 53 as a waste liquid. The waste liquid of the etching liquid is sent from the waste liquid tank 53 to the recovery processing device 54. In the recovery processing device 54, an electrodialysis process as an example of a recovery process is performed. The recovery processing liquid obtained by performing the recovery process is sent to the recovery processing liquid tank 55. The waste liquid other than the recovery processing liquid is returned to the waste liquid tank 53, mixed with the waste liquid in the waste liquid tank 53, and sent again to the recovery processing device 54.
Next, the 2C step is performed. In the 2C step, the recovered processing liquid is used to prepare a reused etching liquid. Specifically, the recovered processing liquid sent to the recovered processing liquid tank 55 is sampled, and the concentration of the active ingredient (e.g., acid) is measured by the analysis device 56. Then, based on the result, a predetermined amount of an ingredient for adjusting the concentration is supplied from the supply device 57 to the recovered processing liquid tank 55. In this way, the concentration of the recovered processing liquid is adjusted in the recovered processing liquid tank 55, and a reused etching liquid is prepared. The obtained reused etching liquid is sent to the etching liquid tank 51.
Next, a process 3C is performed. In the process 3C, the second seed layer is removed using a recycled etching solution. Specifically, the second seed layer is etched by an etching device 52 using the recycled etching solution in an etching solution tank 51.
In step 2C, the result of the measurement of the concentration of the active ingredient obtained by the analysis device 56 is sent to the supply device 57, for example, by wire or wirelessly.
The concentration adjustment in the second C step may be performed manually or automatically. For example, without using the supply device 57, a predetermined amount of a component (e.g., an acid) for adjusting the concentration may be manually supplied to the etching solution tank 51 based on the result of the concentration measurement of the active ingredient obtained by the analysis device 56.
When the concentration of components other than those constituting the etching liquid in the waste liquid tank 53 becomes high to a certain extent, the efficiency of the recovery process decreases, and the waste liquid is discarded.
次に実施例を挙げ本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 The following examples are provided to specifically explain the present invention, but the present invention is not limited to these.
[試験例1-1] 再利用洗浄液を用いた洗浄
再利用洗浄液を用い基板の洗浄試験を行った。具体的には以下の様にして行った。
[Test Example 1-1] Cleaning using recycled cleaning solution A cleaning test of a substrate was carried out using a recycled cleaning solution.
<洗浄液>
洗浄液として、6質量%硫酸水溶液を用いた。
<Cleaning solution>
As the cleaning liquid, a 6% by mass aqueous solution of sulfuric acid was used.
<試験用廃液の調製>
銅イオン濃度が500質量ppmになるように洗浄液に銅を溶解させ、試験用廃液を得た。
<Preparation of waste liquid for testing>
Copper was dissolved in the cleaning liquid so that the copper ion concentration was 500 ppm by mass, to obtain a test waste liquid.
<洗浄試験用基板>
洗浄試験用基板として、酸化層を有し、かつ防錆剤(ベンゾトリアゾール)が銅表面に付着した回路基板[ポリイミド膜(厚み20μm×10cm×10cm)の上に銅20μmが積層したもの。]を用いた。
<Cleaning test substrate>
A circuit board having an oxide layer and a copper surface with a rust inhibitor (benzotriazole) attached thereto [a polyimide film (thickness 20 μm×10 cm×10 cm) with 20 μm of copper laminated thereon] was used as the cleaning test substrate.
<電気透析処理>
電気透析処理には、以下の電気透析装置を用いた。
・電気透析装置:マイクロアシライザーS3(アストム製)
・陽イオン交換膜:CKP-S(アストム製)
・陰イオン交換膜:ASE(アストム製)
各イオン交換膜を、電気透析のテスト用装置であるマイクロアシライザーS3(アストム製)に備え付けた。
23℃下、試験用廃液500mLを、マイクロアシライザーS3に導入し、電流2Aを上限として電圧15Vを印加して電気透析処理を行った。電気透析処理は試験用廃液を5L/min程度の流量で循環させつつ2時間ほど行った。
電気透析処理を行って得られた回収処理液を、以下の洗浄試験に用いた。
<Electrodialysis treatment>
The electrodialysis treatment was carried out using the following electrodialysis apparatus.
・Electrodialysis device: Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom)
・Cation exchange membrane: CKP-S (manufactured by Astom)
・Anion exchange membrane: ASE (manufactured by Astom)
Each ion exchange membrane was attached to a Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom), which is an apparatus for testing electrodialysis.
At 23° C., 500 mL of the test waste liquid was introduced into the micro-acid lyzer S3, and electrodialysis treatment was performed by applying a voltage of 15 V with a current of up to 2 A. The electrodialysis treatment was performed for about 2 hours while circulating the test waste liquid at a flow rate of about 5 L/min.
The recovered treated liquid obtained by electrodialysis was used in the following cleaning test.
<洗浄試験>
電気透析処理を行って得られた回収処理液500mLを1000mLビーカーに入れ、再利用洗浄液とした。その1000mLビーカーに洗浄試験用基板を入れ、温度30℃、時間180秒で、洗浄試験用基板を洗浄した。
なお、洗浄の際、マグネチックスターラーを用いて再利用洗浄液を撹拌した。
<Cleaning test>
500 mL of the recovered solution obtained by the electrodialysis treatment was placed in a 1000 mL beaker as a reused cleaning solution. A cleaning test substrate was placed in the 1000 mL beaker and cleaned at a temperature of 30° C. for 180 seconds.
During washing, the reused washing liquid was stirred using a magnetic stirrer.
上記試験について、以下の評価を行った。
<酸回収率>
電気透析処理を行って得られた回収処理液に含まれる酸成分(硫酸)を、中和滴定によって定量し、酸回収率を求めた。結果を表1に示した。
なお、回収処理液における硫酸濃度が6質量%の場合、酸回収率は80%である。
The above test was evaluated as follows.
<Acid recovery rate>
The acid component (sulfuric acid) contained in the recovered solution obtained by electrodialysis was quantified by neutralization titration to determine the acid recovery rate. The results are shown in Table 1.
When the sulfuric acid concentration in the recovered solution is 6 mass %, the acid recovery rate is 80%.
<Cuイオン除去率>
電気透析処理を行って得られた回収処理液に含まれる銅イオンの量を、ICP-MS法(誘導結合プラズマ質量分析法)によって定量した。測定装置として、Aglient Technologies製のAGILENT 8800を用いた。結果を表1に示した。
なお、回収処理液における銅イオン濃度が500質量ppmの場合、Cuイオン除去率は0%であり、回収処理液における銅イオン濃度が0質量ppmの場合、Cuイオン除去率は100%である。
<Cu ion removal rate>
The amount of copper ions contained in the recovered solution obtained by electrodialysis was quantified by ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry). The measurement device used was an AGILENT 8800 manufactured by Agilent Technologies. The results are shown in Table 1.
When the copper ion concentration in the recovered treated liquid is 500 ppm by mass, the Cu ion removal rate is 0%, and when the copper ion concentration in the recovered treated liquid is 0 ppm by mass, the Cu ion removal rate is 100%.
<洗浄性>
洗浄試験後の基板を、SEM-EDX法(走査型電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分光法)により分析し、以下の評価基準で洗浄性を評価した。測定装置として、キーエンス製のVE-880(倍率200倍、加速電圧5kV)を用いた。結果を表1に示した。
〔評価基準〕
○:防錆剤成分由来の窒素や炭素が低減している。かつ、酸化銅由来の酸素が低減している。
×:防錆剤成分由来の窒素や炭素の低減が見られない。または、酸化銅由来の酸素の低減が見られない。
<Cleaning ability>
The substrates after the cleaning test were analyzed by SEM-EDX (scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopy) and the cleaning properties were evaluated according to the following criteria. A Keyence VE-880 (magnification: 200 times, acceleration voltage: 5 kV) was used as the measuring device. The results are shown in Table 1.
[Evaluation Criteria]
○: Nitrogen and carbon derived from the rust inhibitor components are reduced, and oxygen derived from copper oxide is reduced.
×: No reduction in nitrogen or carbon derived from the rust inhibitor components was observed, or no reduction in oxygen derived from copper oxide was observed.
<総合評価>
総合評価として、洗浄液の廃液の再利用性の有無を評価した。
総合評価は、酸回収率、Cuイオン阻止率、及び洗浄性の結果から、以下の評価基準で評価した。結果を表1に示した。
〔評価基準〕
○:洗浄液の廃液の再利用性あり
×:洗浄液の廃液の再利用性なし
<Overall evaluation>
As a comprehensive evaluation, the reusability of the waste cleaning liquid was evaluated.
The overall evaluation was made based on the results of the acid recovery rate, the Cu ion rejection rate, and the cleaning ability, according to the following criteria. The results are shown in Table 1.
[Evaluation Criteria]
○: Waste cleaning liquid can be reused ×: Waste cleaning liquid cannot be reused
[試験例1-2] 再利用洗浄液を用いた洗浄
試験例1-1において、電気透析処理の後であって洗浄試験の前に、以下の濃度調整を行った以外は、試験例1-1と同様にして、試験を行った。
Test Example 1-2 Cleaning with Recycled Cleaning Solution A test was carried out in the same manner as in Test Example 1-1, except that the following concentration adjustment was carried out after the electrodialysis treatment and before the cleaning test.
<濃度調整>
洗浄試験を行う前に、電気透析処理を行って得られた回収処理液に、酸成分である硫酸を添加し、濃度調整を行った。
濃度調整は、濃度調整後の硫酸濃度が洗浄液の硫酸濃度である6質量%になるように行った。
<Density adjustment>
Before carrying out the cleaning test, sulfuric acid, which is an acid component, was added to the recovered treated liquid obtained by carrying out the electrodialysis treatment to adjust the concentration.
The concentration adjustment was performed so that the sulfuric acid concentration after the concentration adjustment was 6 mass %, which is the sulfuric acid concentration of the cleaning liquid.
試験例1-1と同様にして、酸回収率を求めた。結果を表1に示した。
試験例1-1と同様にして、Cuイオン除去率を求めた。結果を表1に示した。
試験例1-1と同様にして、洗浄性を評価した。結果を表1に示した。
試験例1-1と同様にして、総合評価を行った。結果を表1に示した。
The acid recovery rate was determined in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
The Cu ion removal rate was determined in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in Table 1.
The cleaning properties were evaluated in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
A comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in Table 1.
[試験例1-3] 洗浄液の廃液を用いた洗浄
試験例1-1において、電気透析処理を行わず、試験用廃液を再利用洗浄液として洗浄試験に用いた以外は、試験例1-1と同様にして、試験を行った。
試験例1-1と同様にして、洗浄性を評価した。結果を表1に示した。
試験例1-1と同様にして、総合評価を行った。結果を表1に示した。
Test Example 1-3 Cleaning Using Waste Cleaning Liquid A test was performed in the same manner as in Test Example 1-1, except that the electrodialysis treatment was not performed and the test waste liquid was used as a reused cleaning liquid in the cleaning test.
The cleaning properties were evaluated in the same manner as in Test Example 1-1, and the results are shown in Table 1.
A comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 1-1. The results are shown in Table 1.
[試験例2-1] 再利用エッチング液を用いたエッチング
再利用エッチング液を用いエッチング試験を行った。具体的には以下の様にして行って。
[Test Example 2-1] Etching using recycled etching solution An etching test was carried out using a recycled etching solution. Specifically, the procedure was as follows.
<エッチング液>
エッチング液として、奥野製薬製のトップリップ(硝酸濃度25質量%、過酸化水素濃度2質量%、水溶液)を用いた。
<Etching Solution>
As an etching solution, TopRip manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. (aqueous solution with a nitric acid concentration of 25% by mass and a hydrogen peroxide concentration of 2% by mass) was used.
<試験用廃液の調製>
金属イオン濃度が5000質量ppm(銅濃度が2500質量ppm、及びニッケル濃度が2500質量ppm)になるようにエッチング液に銅及びニッケルを溶解させ、試験用廃液を得た。
なお、ニッケルは、シード層の溶解成分を想定している。銅は、銅めっきの溶解成分を想定している。
<Preparation of waste liquid for testing>
Copper and nickel were dissolved in the etching solution so that the metal ion concentration was 5000 ppm by mass (copper concentration: 2500 ppm by mass, and nickel concentration: 2500 ppm by mass) to obtain a test waste liquid.
The nickel is assumed to be a soluble component of the seed layer, and the copper is assumed to be a soluble component of the copper plating.
<エッチング試験用基板>
エッチング試験用基板として、シード層に相当するNi層を銅表面に形成させた回路基板[ポリイミド膜(厚み20μm×10cm×10cm)の上に銅20μmが積層したもの。]を用いた。
<Substrate for etching test>
As the etching test substrate, a circuit board having a Ni layer corresponding to a seed layer formed on the copper surface [a polyimide film (thickness 20 μm×10 cm×10 cm) on which 20 μm of copper was laminated] was used.
<電気透析処理>
電気透析処理には、以下の電気透析装置を用いた。
・電気透析装置:マイクロアシライザーS3(アストム製)
・陽イオン交換膜:CKP-S(アストム製)
・陰イオン交換膜:ASE(アストム製)
各イオン交換膜を、電気透析のテスト用装置であるマイクロアシライザーS3(アストム製)に備え付けた。
23℃下、試験用廃液500mLを、マイクロアシライザーS3に導入し、電流2Aを上限として電圧15Vを印加して電気透析処理を行った。電気透析処理は試験用廃液を5L/min程度の流量で循環させつつ2時間ほど行った。
電気透析処理を行って得られた回収処理液を、以下のエッチング試験に用いた。
<Electrodialysis treatment>
The electrodialysis treatment was carried out using the following electrodialysis apparatus.
・Electrodialysis device: Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom)
・Cation exchange membrane: CKP-S (manufactured by Astom)
・Anion exchange membrane: ASE (manufactured by Astom)
Each ion exchange membrane was attached to a Micro Acilyzer S3 (manufactured by Astom), which is an apparatus for testing electrodialysis.
At 23° C., 500 mL of the test waste liquid was introduced into the micro-acid lyzer S3, and electrodialysis treatment was performed by applying a voltage of 15 V with a current of up to 2 A. The electrodialysis treatment was performed for about 2 hours while circulating the test waste liquid at a flow rate of about 5 L/min.
The recovered solution obtained by the electrodialysis treatment was used in the following etching test.
<エッチング試験>
電気透析処理を行って得られた回収処理液500mLを1000mLビーカーに入れ、再利用エッチング液とした。その1000mLビーカーにエッチング試験用基板を入れ、温度40℃、時間120秒で、エッチング試験用基板をエッチングした。
なお、エッチングの際、マグネチックスターラーを用いて再利用エッチング液を撹拌した。
<Etching test>
500 mL of the recovered solution obtained by the electrodialysis treatment was placed in a 1000 mL beaker to prepare a reused etching solution. The etching test substrate was placed in the 1000 mL beaker, and the etching test substrate was etched at a temperature of 40° C. for 120 seconds.
During the etching, the reused etching solution was stirred using a magnetic stirrer.
上記試験について、以下の評価を行った。
<酸回収率>
電気透析処理を行って得られた回収処理液に含まれる酸成分(硝酸)を、中和滴定によって定量し、酸回収率を求めた。結果を表2に示した。
なお、回収処理液における酸成分(硝酸)濃度が0質量%の場合、酸回収率は0%であり、回収処理液における酸成分(硝酸)濃度が25質量%の場合、酸回収率は100%である。
The above test was evaluated as follows.
<Acid recovery rate>
The acid component (nitric acid) contained in the recovered solution obtained by electrodialysis was quantified by neutralization titration to determine the acid recovery rate. The results are shown in Table 2.
When the acid component (nitric acid) concentration in the recovered solution is 0 mass %, the acid recovery rate is 0%, and when the acid component (nitric acid) concentration in the recovered solution is 25 mass %, the acid recovery rate is 100%.
<金属イオン除去率>
電気透析処理を行って得られた回収処理液に含まれる銅イオン及びニッケルイオンの量を、ICP-MS法(誘導結合プラズマ質量分析法)によって定量した。測定装置として、Aglient Technologies製のAGILENT 8800を用いた。結果を表2に示した。
なお、回収処理液における銅イオン濃度及びニッケルイオン濃度の合計が5000質量ppmの場合、金属イオン除去率は0%であり、回収処理液における銅イオン濃度及びニッケルイオン濃度の合計が0質量ppmの場合、金属イオン除去率は100%である。
<Metal ion removal rate>
The amounts of copper ions and nickel ions contained in the recovered solution obtained by electrodialysis were quantified by ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometry). The measurement device used was an AGILENT 8800 manufactured by Aglient Technologies. The results are shown in Table 2.
When the sum of the copper ion concentration and the nickel ion concentration in the recovered treatment liquid is 5,000 ppm by mass, the metal ion removal rate is 0%, and when the sum of the copper ion concentration and the nickel ion concentration in the recovered treatment liquid is 0 ppm by mass, the metal ion removal rate is 100%.
<エッチング性>
エッチング試験後の基板を、SEM-EDX法(走査型電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分光法)により分析し、以下の評価基準で洗浄性を評価した。測定装置として、キーエンス製のVE-880(倍率200倍、加速電圧5kV)を用いた。結果を表2に示した。
〔評価基準〕
○:シード層成分が残っていない。かつ、基板の変色が見られない。
×:シード層成分が残っている。または、基板が変色している。
<Etching property>
The substrate after the etching test was analyzed by SEM-EDX (scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopy) and the cleaning property was evaluated according to the following evaluation criteria. A Keyence VE-880 (magnification 200 times,
[Evaluation Criteria]
◯: No seed layer components remain, and no discoloration of the substrate is observed.
×: Seed layer components remain, or the substrate is discolored.
<総合評価>
総合評価として、エッチング液の廃液の再利用性の有無を評価した。
総合評価は、酸回収率、金属イオン除去率、及びエッチング性の結果から、以下の評価基準で評価した。結果を表2に示した。
〔評価基準〕
○:エッチング液の廃液の再利用性あり
×:エッチング液の廃液の再利用性なし
<Overall evaluation>
As a comprehensive evaluation, the reusability of the waste etching solution was evaluated.
The overall evaluation was made based on the results of the acid recovery rate, the metal ion removal rate, and the etching property, and was made according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 2.
[Evaluation Criteria]
○: Etching solution waste liquid can be reused ×: Etching solution waste liquid cannot be reused
[試験例2-2] 再利用エッチング液を用いたエッチング
試験例2-1において、電気透析処理の後であってエッチング試験の前に、以下の濃度調整を行った以外は、試験例2-1と同様にして、試験を行った。
Test Example 2-2 Etching Using Recycled Etching Solution A test was carried out in the same manner as in Test Example 2-1, except that the following concentration adjustment was carried out after the electrodialysis treatment and before the etching test.
<濃度調整>
エッチング試験を行う前に、電気透析処理を行って得られた回収処理液に、硝酸及び過酸化水素を添加し、濃度調整を行った。
濃度調整は、硝酸濃度及び過酸化水素濃度がエッチング液の硝酸濃度及び過酸化水素濃度と同じになるように行った。
<Density adjustment>
Before the etching test, nitric acid and hydrogen peroxide were added to the recovered treated liquid obtained by the electrodialysis treatment to adjust the concentrations.
The concentration adjustment was performed so that the nitric acid concentration and hydrogen peroxide concentration were the same as those of the etching solution.
試験例2-1と同様にして、酸回収率を求めた。結果を表2に示した。
試験例2-1と同様にして、金属イオン除去率を求めた。結果を表2に示した。
試験例2-1と同様にして、エッチング性を評価した。結果を表2に示した。
試験例2-1と同様にして、総合評価を行った。結果を表2に示した。
The acid recovery rate was determined in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
The metal ion removal rate was determined in the same manner as in Test Example 2-1. The results are shown in Table 2.
The etching property was evaluated in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
A comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 2-1. The results are shown in Table 2.
[試験例2-3] エッチング液の廃液を用いたエッチング
試験例2-1において、電気透析処理を行わず、試験用廃液を再利用エッチング液としてエッチング試験に用いた以外は、試験例2-1と同様にして、試験を行った。
試験例2-1と同様にして、エッチング性を評価した。結果を表2に示した。
試験例2-1と同様にして、総合評価を行った。結果を表2に示した。
Test Example 2-3 Etching Using Waste Etching Solution A test was performed in the same manner as in Test Example 2-1, except that the electrodialysis treatment was not performed and the test waste solution was used as a reused etching solution in the etching test.
The etching property was evaluated in the same manner as in Test Example 2-1, and the results are shown in Table 2.
A comprehensive evaluation was carried out in the same manner as in Test Example 2-1. The results are shown in Table 2.
以上より、洗浄液、エッチング液などの配線回路形成用処理液の廃液を回収処理に供することにより、配線回路形成用処理液が再利用可能であることが確認できた。 From the above, it was confirmed that by subjecting waste liquid from processing liquids for forming wiring circuits, such as cleaning liquids and etching liquids, to a recovery process, the processing liquids for forming wiring circuits can be reused.
1 第1A工程
2 第2A工程
3 第3A工程
4 第4A工程
5 第5A工程
6 第6A工程
11 洗浄液タンク
12 洗浄装置
13 廃液タンク
14 回収処理装置
15 回収処理液タンク
16 分析装置
17 供給装置
21 第1B工程
22 第2B工程
23 第3B工程
31 リンス液タンク
32 リンス装置
33 廃液タンク
34 回収処理装置
35 回収処理液タンク
36 分析装置
37 供給装置
41 第1C工程
42 第2C工程
43 第3C工程
51 エッチング液タンク
52 エッチング装置
53 廃液タンク
54 回収処理装置
55 回収処理液タンク
56 分析装置
57 供給装置
101 第1工程
102 第2工程
103 第3工程
104 第4工程
105 第5工程
106 第6工程
1001 電気透析装置
1002 電気透析槽
1011 第1槽
1012 第2槽
1013 第3槽
1021 陽イオン交換膜
1022 陰イオン交換膜
1031 第1電極
1032 第2電極
1 1st A
Claims (8)
前記回収処理液を用いて再利用配線回路形成用処理液を用意する第2工程と、
前記再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う第3工程と、
を含む、配線回路基板の製造方法。 a first step of subjecting waste liquid of a wiring circuit forming treatment liquid used in a wiring circuit forming step to at least one of electrochemical treatment and dialysis treatment to obtain a recovered treatment liquid containing a treatment liquid component;
A second step of preparing a treatment liquid for forming a reused wiring circuit using the recovered treatment liquid;
A third step of forming a wiring circuit using the treatment liquid for forming a reused wiring circuit;
A method for manufacturing a wired circuit board, comprising:
前記第2の回収処理液を用いて第2の再利用配線回路形成用処理液を用意する第5工程と、
前記第2の再利用配線回路形成用処理液を用いて、配線回路の形成を行う第6工程と、
を含む、請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。 a fourth step of subjecting the waste liquid of the processing solution for forming the reused wiring circuit used in the third step to at least one of a recovery treatment of an electrochemical treatment and a dialysis treatment to obtain a second recovered processing solution containing a processing solution component;
a fifth step of preparing a second reuse wiring circuit forming treatment liquid using the second recovered treatment liquid;
A sixth step of forming a wiring circuit using the second reuse wiring circuit forming treatment liquid;
The method for producing the wired circuit board according to claim 1 , comprising:
前記回収処理液中の有効成分を測定する工程と、
前記有効成分の測定結果を用いて、前記回収処理液の組成を、所定の組成に調整することにより、前記再利用配線回路形成用処理液を調製する工程と、
を含む、
請求項1に記載の配線回路基板の製造方法。 The second step is
A step of measuring the active ingredient in the recovered treatment liquid;
a step of adjusting the composition of the recovered treatment liquid to a predetermined composition using the measurement results of the active ingredient, thereby preparing the treatment liquid for forming a reused wiring circuit;
Including,
A method for producing the wired circuit board according to claim 1.
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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