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WO2019026717A1 - 半導体装置、電子機器、製造方法 - Google Patents

半導体装置、電子機器、製造方法 Download PDF

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WO2019026717A1
WO2019026717A1 PCT/JP2018/027843 JP2018027843W WO2019026717A1 WO 2019026717 A1 WO2019026717 A1 WO 2019026717A1 JP 2018027843 W JP2018027843 W JP 2018027843W WO 2019026717 A1 WO2019026717 A1 WO 2019026717A1
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WO
WIPO (PCT)
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semiconductor device
semiconductor chip
component
semiconductor
substrate
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2018/027843
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English (en)
French (fr)
Inventor
剣人 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
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Ceased legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof

Definitions

  • the present technology relates to a semiconductor device, an electronic device, and a manufacturing method, and, for example, to a semiconductor device, an electronic device, and a manufacturing method which can be miniaturized.
  • Patent Document 1 proposes to realize miniaturization by sealing a lens holder, a chip, and a substrate.
  • the present technology has been made in view of such a situation, and makes it possible to realize further miniaturization of a semiconductor device.
  • a semiconductor device includes a translucent substrate, a semiconductor chip, and a component that exchanges signals with the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the component include the translucent substrate. Are arranged on the same plane.
  • An electronic device includes a translucent substrate, a semiconductor chip including an imaging device, a component that transmits and receives a signal to and from the semiconductor chip, and a lens for condensing light on the imaging device And the semiconductor chip and the component are disposed on the same surface of the translucent base.
  • an adhesive is applied to a translucent substrate, and the semiconductor chip and a component for exchanging signals with the semiconductor chip are applied to the translucent substrate with the adhesive.
  • a semiconductor device is manufactured by fixing.
  • a semiconductor device includes a translucent substrate, a semiconductor chip, and a component for exchanging signals with the semiconductor chip, and the semiconductor chip and the component are the same as the translucent substrate. It is arranged on the surface.
  • An electronic device is a device including the semiconductor device.
  • the semiconductor device is manufactured.
  • the semiconductor device may be an independent device or an internal block constituting one device.
  • FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor device to which the present technology is applied.
  • FIG. 7 is a diagram for illustrating the manufacture of the semiconductor device in the first embodiment. It is a figure showing composition of a semiconductor device in a 2nd embodiment. It is a figure for demonstrating manufacture of the semiconductor device in 2nd Embodiment. It is a figure which shows the structure of the semiconductor device in 3rd Embodiment. It is a figure for demonstrating manufacture of the semiconductor device in 3rd Embodiment. It is a figure showing composition of a semiconductor device in a 4th embodiment. It is a figure for demonstrating manufacture of the semiconductor device in 4th Embodiment. It is a figure which shows the structure of the semiconductor device in 5th Embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device 10a according to a first embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 10 a includes a semiconductor chip 32, a support base 27 connected to the semiconductor chip 32 via an adhesive layer 28, a through electrode 26 formed on the semiconductor chip 32, and a through electrode 26.
  • the conductive layer 19 is drawn to the back surface of the semiconductor chip 32 to connect to the external terminal 31, and the protective layer 20 for sealing the semiconductor chip 32.
  • the semiconductor chip 32 has, for example, an active element such as a transistor (not shown), a protective film, and the like formed on a semiconductor substrate 11 made of silicon or the like. Further, a wiring layer 12 is formed on the semiconductor substrate 11 by laminating a conductive layer such as a wiring (not shown) or the pad electrode 13 and an insulating layer such as an interlayer insulating film covering the conductive layer.
  • an active element such as a transistor (not shown), a protective film, and the like formed on a semiconductor substrate 11 made of silicon or the like.
  • a wiring layer 12 is formed on the semiconductor substrate 11 by laminating a conductive layer such as a wiring (not shown) or the pad electrode 13 and an insulating layer such as an interlayer insulating film covering the conductive layer.
  • the semiconductor chip 32 includes, for example, a light receiving and / or light emitting element (not shown), a sensor surface for light receiving and / or light emitting, etc.
  • the color filter 30 and the microlens 29 are formed on the layer 12.
  • the semiconductor chip 32 is, for example, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor, a charge coupled device (CCD) image sensor, or the like.
  • CMOS complementary metal oxide semiconductor
  • CCD charge coupled device
  • the support substrate 27 is made of, for example, a light transmissive substrate such as glass.
  • the support base 27 can also be configured to be an IRCF (InfraRed Cut Filter).
  • the support base 27 is connected to the surface (main surface) of the semiconductor chip 32 on which the active element is formed, via an adhesive layer 28 made of resin or the like.
  • a hollow structure is formed between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip, but as will be described later with reference to FIG. 3, for example, a structure sealed with a light transmitting resin or the like. It may be
  • a through electrode 26 which penetrates the semiconductor substrate 11 and is connected to the pad electrode 13 is formed.
  • the through electrode 26 has a via hole in which the pad electrode 13 is opened from the surface (rear surface) side opposite to the surface on which the active element of the semiconductor chip 32 is formed with respect to the pad electrode 13 formed in the wiring layer 12. It is formed by covering the inside of the via hole with the conductive layer 19.
  • the conductive layer 19 is formed on the back surface of the semiconductor chip 32 through the pad electrode 13 and the inner side surface of the through electrode 26, and is connected to the external terminal 31 on the back surface side of the semiconductor chip 32. Further, in order to prevent energization due to the contact between the conductive layer 19 and the semiconductor substrate 11, the insulating layer 17 is formed so as to cover the back surface of the semiconductor substrate 11 and the inner side surface of the through electrode 26.
  • the protective layer 20 is formed on the entire back surface side of the semiconductor chip 32 except for the connection portion between the conductive layer 19 and the external terminal 31.
  • the protective layer 20 is formed of, for example, an insulating resin such as a polyimide resin or a solder resist.
  • the component 41 is disposed on the side of the semiconductor chip 32.
  • the component 41 is a passive component such as a resistor or a capacitor, an IC (Integrated Circuit) such as a driver for autofocus or a driver for camera shake correction, or a bare chip (bare die) not sealed in an IC package. , KGD (Known Good Die) which is guaranteed to be good.
  • the component 41 is a component that exchanges signals with the semiconductor chip 32 (processes a signal from the semiconductor chip 32 or supplies a control signal for controlling the semiconductor chip 32).
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are connected via the conductive layer 19.
  • a translucent substrate 101 is prepared.
  • the translucent base 101 is a portion to be the support base 27 when it is singulated.
  • the light-transmissive substrate 101 has the same behavior of linear expansion with temperature as possible as Si (semiconductor substrate 11 (semiconductor wafer 103 (step S13) to be semiconductor substrate 11) formed of silicon single crystal)). Should exhibit the behavior of For example, the translucent substrate 101 (support substrate 27) is formed of glass such as quartz glass or borosilicate glass.
  • the light transmitting substrate 101 prepared in step S11 When the light transmitting substrate 101 prepared in step S11 is bonded to the semiconductor wafer 103 at the wafer level, the light transmitting substrate 101 and the semiconductor wafer 103 have substantially the same shape.
  • the light-transmissive substrate 101 is formed in a rectangular shape or the like, and is disposed in a portion where the pixel region of the semiconductor wafer 103 is formed (in a state where the light-transmissive substrate 101 is divided in advance, It may be bonded to the semiconductor wafer 103).
  • step S12 the adhesive 102 is applied to a region (hereinafter referred to as an adhesive region as appropriate) including the position (region) where the component 41 of the translucent substrate 101 (support substrate 27) is disposed.
  • An adhesive layer 28 (portion to be the adhesive layer 28) is formed.
  • the adhesive layer 28 may be formed by applying the adhesive 102 only to the adhesive area of the light-transmissive substrate 101.
  • the adhesive 102 is applied to the entire surface of the translucent substrate 101, and then the adhesive 102 applied to the area other than the area to be the adhesion area is removed, resulting in the translucent substrate
  • the adhesive layer 28 may be formed by leaving the adhesive 102 only in the adhesive area including the area where the component 41 of 101 (support base 27) is disposed.
  • the adhesive 102 a liquid adhesive can be used.
  • the component 102 and the support substrate 27 may be adhered (fixed) by using the adhesive 102 as a transparent resin and curing the transparent resin.
  • a transparent adhesive is used as the adhesive 102
  • a silicone resin an acrylic resin, an epoxy resin, a dendrimer, or a copolymer thereof.
  • heat resistance / chemical resistance / light resistance even in the process of curing (for example, by heat or UV irradiation) or in the reliability test, and it is possible not to affect the imaging characteristics.
  • step S13 bonding of the light transmitting substrate 101 and the semiconductor wafer 103 and arrangement of the components 41 are performed.
  • a plurality of pixel areas and the like are formed on a substrate formed of silicon single crystal, and a semiconductor wafer 103 provided with a plurality of pixel areas is prepared.
  • the pixel region and the like are formed by the semiconductor element manufacturing process.
  • the semiconductor chip 32 is, for example, a CMOS image sensor, a CCD image sensor, or the like, and the pixel region is a region having a plurality of conversion elements, a plurality of transistors, and the like that convert incident light into charge.
  • the semiconductor wafer 103 in which a plurality of such pixel regions are formed by the semiconductor element manufacturing process is prepared in step S13, and is bonded to the light transmitting substrate 101.
  • the adhesive 102 is applied to the translucent substrate 101 in step S12, and the translucent substrate 101 and the semiconductor wafer 103 are bonded (fixed) by the adhesive 102.
  • the adhesive 102 is also applied to the area where the component 41 of the translucent substrate 101 is disposed, and the component 41 is fixed to the translucent substrate 101 by the adhesive 102.
  • variations in height of the component 41, variations in height of the semiconductor chip 32 and the component 41, and the like can be absorbed, and the component 41 and the semiconductor chip 32 can be arranged side by side flush.
  • the semiconductor chip 32 (the semiconductor wafer 103 including the semiconductor chip 32) may be planarized by polishing after being bonded to the light-transmissive substrate 101.
  • step S14 rewiring is formed.
  • the rewiring is a portion constituting the conductive layer 19.
  • the conductive layer 19 is formed of, for example, copper (Cu) or the like.
  • the patterning of the resist is performed on the back surface of the semiconductor wafer 103 (the side different from the side on which the light transmitting substrate 101 is disposed). Then, the conductive layer 19 is formed by removing an extra conductor which is etched using the resist as a mask.
  • the protective layer 20 is formed.
  • the protective layer 20 is formed of, for example, an insulating resin such as a polyimide resin or a solder resist.
  • a photosensitive resin for the protective layer 20 By using a photosensitive resin for the protective layer 20, patterning for forming the external terminals 31 and the like in step S16 can be easily formed by photolithography.
  • step S16 the external terminals 31 are formed by soldering or the like.
  • the integrated light transmitting substrate 101 and the semiconductor wafer 103 are cut and separated into pieces.
  • blade dicing or laser dicing can be applied.
  • Laser dicing is a preferable method because the processability of a thinned semiconductor wafer can be excellent, the width of cutting can be reduced, and the generation of burrs and the like on a cut surface can be suppressed.
  • the semiconductor device 10a as shown in FIG. 1 is completed.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • the variation in height between the semiconductor chip 32 and the component 41 and the variation in height between the components 41 can be absorbed by the adhesive layer 28. Therefore, as described above, the semiconductor chip 32 and the component 41 can be arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged on one surface of the support base 27, the overall height of the semiconductor device 10a can be reduced. That is, the semiconductor device 10a can be miniaturized.
  • the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 can be connected at the shortest distance.
  • the semiconductor device 10a when connecting a memory to the semiconductor device 10a, by connecting the semiconductor device 10a to a memory (not shown) via the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased. That is, by providing a large number of external terminals 31 and connecting the memory with the large number of external terminals 31, it is possible to connect to the memory with multiple electrodes, and power consumption and speeding up can be achieved.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device 10b in the second embodiment.
  • the semiconductor device 10b according to the second embodiment shown in FIG. 3 has a structure in which the space between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32 is sealed with a light transmitting resin or the like. This differs from the semiconductor device 10a in the first embodiment shown in FIG.
  • the semiconductor device 10 b is filled with a material for forming the adhesive layer 28 between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32.
  • the material forming the adhesive layer 28 is a light transmitting resin or the like.
  • step S21 a translucent substrate 101 made of a transparent material such as glass is prepared.
  • step S22 the adhesive 202 is applied to the entire surface of the translucent substrate 101.
  • the adhesive 202 is applied to the entire surface of the light transmitting substrate 101, and the process proceeds to the next step S23, which is different from the manufacturing process of the semiconductor device 10a described with reference to FIG.
  • step S23 the semiconductor wafer 103 is bonded and the component 41 is bonded to the light-transmissive substrate 101 on the entire surface of which the adhesive 202 is applied.
  • the adhesive can be formed between the support substrate 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32. It can be set as the structure 202 (adhesive layer 28) was filled.
  • step S24 rewiring is formed.
  • step S25 the protective layer 20 is formed.
  • step S26 the external terminal 31 is formed, and the integrated light transmitting substrate 101 and the semiconductor wafer 103 are cut and separated into pieces.
  • the semiconductor device 10b as shown in FIG. 3 is completed by such a process.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • the variation in height between the semiconductor chip 32 and the component 41 and the variation in height between the components 41 can be absorbed by the adhesive layer 28. Therefore, as described above, the semiconductor chip 32 and the component 41 can be arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged on one surface of the support base 27, the overall height of the semiconductor device 10b can be reduced. That is, the semiconductor device 10b can be miniaturized.
  • the component 41 by arranging the component 41 at a position adjacent to the semiconductor chip 32, the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened, so that the influence of noise can be reduced.
  • power consumption when connecting a memory to the semiconductor device 10b, by connecting the semiconductor device 10b to a memory (not shown) through the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased.
  • FIG. 5 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device 10c in the third embodiment.
  • the semiconductor device 10c according to the third embodiment shown in FIG. 5 has a structure in which the space between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32 is sealed with a light transmitting resin or the like.
  • the semiconductor device 10b has the same configuration as the semiconductor device 10b of the second embodiment shown in FIG.
  • the supporting base 27 in order to absorb the height of the component 41, has a configuration in which a counterbore is inserted, compared with the semiconductor device 10a in the first embodiment and the second embodiment. It differs from the semiconductor device 10b in the form.
  • a counterbore 27c is formed on the support base 27 of the semiconductor device 10c.
  • the counterbore 27 c is formed by partially reducing the thickness of the support substrate 27.
  • the counterbore 27c By forming the counterbore 27c on the support base 27, even if a component 41 having a thickness (height) larger than that of the semiconductor chip 32 is disposed in the portion of the counterbore 27c, its height is absorbed by the counterbore 27c.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 can be arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • the height of the semiconductor device 10c can be reduced without heightening.
  • step S31 a translucent substrate 301 made of a transparent material such as glass is prepared.
  • a portion which becomes the counterbore 27c of the support substrate 27 of the semiconductor device 10c when it is singulated is already formed.
  • step S 32 the adhesive 302 is applied to the entire surface of the translucent substrate 301.
  • the adhesive 302 is applied to the entire surface of the light-transmissive substrate 301, whereby the adhesive 302 is also filled in the portion of the counterbore 27c.
  • step S33 the semiconductor wafer 103 is adhered to the light transmitting base 301 to which the adhesive 302 is also applied to the counterbore 27c, and the component 41 is adhered.
  • the steps after step S33 are the same as the steps after step S23 shown in FIG.
  • the semiconductor device 10c as shown in FIG. 5 is completed.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27, and the semiconductor chip 32 and the component 41 are high. Since the variation in height and the variation in height between components 41 are absorbed by the adhesive layer 28, the semiconductor device 10c can be miniaturized.
  • the semiconductor device 10c even when the tall component 41 is disposed by forming the counterbore 27c, the semiconductor chip 32 and the component 41 are disposed side by side on one surface of the support base 27. As a result, the overall height of the semiconductor device 10c can be reduced. That is, the semiconductor device 10c can be miniaturized.
  • the component 41 by arranging the component 41 at a position adjacent to the semiconductor chip 32, the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened, so that the influence of noise can be reduced.
  • the semiconductor device 10c when connecting a memory to the semiconductor device 10c, by connecting the semiconductor device 10c to a memory (not shown) through the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased.
  • FIG. 7 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device 10d according to the fourth embodiment.
  • the semiconductor device 10d according to the fourth embodiment shown in FIG. 7 has the same structure as the semiconductor device 10a according to the first embodiment shown in FIG. It is hollow but its size is different.
  • the space between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32 is enlarged, in other words, between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32.
  • the second embodiment differs from the semiconductor device 10a according to the first embodiment in that the support base 27 has a counterbore structure in order to widen (provide a gap).
  • a counterbore 27d is formed in a region opposed to (the pixel region of) the semiconductor chip 32 in the support base 27 of the semiconductor device 10d.
  • the counterbore 27 d is formed by forming a part of the thickness of the support substrate 27 thin.
  • a counterbore 27d is formed on the support base 27, and a gap is provided between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32 by bonding the portion of the counterbore 27d so that the pixel region of the semiconductor chip 32 is located. be able to. Also, as in the first to third embodiments, the semiconductor chip 32 and the component 41 can be arranged side by side on one surface of the support base 27.
  • a translucent substrate 401 formed of a transparent material such as glass is prepared.
  • a portion to be the counterbore 27d of the support substrate 27 of the semiconductor device 10d is already formed when it is singulated.
  • step S42 the adhesive 402 is applied to the area other than the counterbore 27d of the translucent substrate 401.
  • the adhesive 402 is applied only to the area (adhesion area) including the position (area) where the component 41 of the translucent base 101 (support base 27) is disposed. State.
  • step S43 the semiconductor wafer 103 is bonded and the component 41 is bonded to the light transmitting substrate 401 having the adhesive 402 applied to portions other than the counterbore 27d. Since the process after process S43 is a process similar to the process after process S13 shown in FIG. 1, description is abbreviate
  • the semiconductor device 10d as shown in FIG. 7 is completed by such a process.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27, and the semiconductor chip 32 and the component 41 are high. Since the variation in height and the variation in height between components 41 are absorbed by the adhesive layer 28, the overall height of the semiconductor device 10d can be reduced. That is, the semiconductor device 10d can be miniaturized.
  • the component 41 by arranging the component 41 at a position adjacent to the semiconductor chip 32, the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened, so that the influence of noise can be reduced.
  • the semiconductor device 10 d when connecting a memory to the semiconductor device 10 d, by connecting the semiconductor device 10 d to a memory (not shown) through the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased.
  • the hollow is provided between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32 by forming the counterbore 27 d on the support base 27.
  • a configuration as shown in FIG. 1 may be used, and the hollow is formed larger by adjusting the thickness of the adhesive layer 28. It can also be done.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device 10e according to the fifth embodiment.
  • the semiconductor device 10e in the fifth embodiment shown in FIG. 9 has a configuration in which the semiconductor device 10c in the third embodiment and the semiconductor device 10d in the fourth embodiment are combined.
  • the counterbore 27c is formed at the position where the component 41 is arranged, and the counterbore 27d is arranged at the position where the semiconductor chip 32 (pixel region thereof) is arranged Is formed.
  • the height of the semiconductor device 10e is not increased even if the component 41 having a height is disposed, and the height is reduced. can do.
  • a hollow can be provided between the support base 27 and the main surface side of the semiconductor chip 32.
  • a translucent substrate 501 made of a transparent material such as glass is prepared.
  • the portions to be the counterbore 27c and the counterbore 27d of the support base 27 of the semiconductor device 10e are already formed when they are singulated. It is possible to carry out in the same manner as the manufacturing process of the semiconductor device 10d described with reference to FIG. 8 except that the light transmitting base 501 on which the counterbore 27c and the counterbore 27d are formed is prepared. , I omit the explanation here.
  • the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27, and the semiconductor chip 32 and the component 41 are high. Since the variation in height and the variation in height between components 41 are absorbed by the adhesive layer 28, the overall height of the semiconductor device 10e can be reduced. That is, the semiconductor device 10e can be miniaturized.
  • the component 41 by arranging the component 41 at a position adjacent to the semiconductor chip 32, the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened, so that the influence of noise can be reduced.
  • power consumption when connecting a memory to the semiconductor device 10e, by connecting the semiconductor device 10e to a memory (not shown) through the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased.
  • FIG. 11 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device 10f according to the sixth embodiment.
  • a semiconductor device 10f according to the sixth embodiment shown in FIG. 11 is different from the semiconductor device 10a according to the first embodiment shown in FIG. 1 in that a wiring layer 12f is added.
  • the pad electrode 13 and the through electrode 26 are connected, the through electrode 26 and the conductive layer 19 are connected, and the conductive layer 19 and the component 41-1 (in FIG. The one closer to the chip 32 is described as a component 41-1). Further, the component 41-1 and the wiring layer 12f are connected, and the wiring layer 12f and the component 41-2 are connected. Thus, the component 41-1 and the component 41-2 are connected by the wiring layer 12f.
  • the wiring layer 12 f is formed on the back surface side of the support base 27 (the side on which the component 41 is disposed).
  • the component 41-1 is connected to the conductive layer 19 on the lower surface and connected to the wiring layer 12f on the upper surface.
  • wiring layers may be provided on the lower surface and the upper surface of the component 41, respectively.
  • the semiconductor device 10f according to the sixth embodiment is an example of an embodiment in which the degree of freedom of wiring is increased.
  • the first manufacturing of the semiconductor device 10f shown in FIG. 11 will be described with reference to FIG.
  • the semiconductor device 10f is manufactured in substantially the same process as the semiconductor device 10a in the first embodiment, and therefore, the description overlapping with the manufacturing process of the semiconductor device 10a described with reference to FIG. 2 is appropriately omitted.
  • step S61 a translucent base 601 formed of a transparent material such as glass is prepared.
  • a portion to be the wiring layer 12f of the semiconductor device 10f is already formed when it is singulated.
  • step S62 the adhesive 602 is applied only to the area (adhesion area) including the position (area) where the component 41 of the translucent substrate 601 is disposed. Since the wiring layer 12f is also formed in the bonding area, the adhesive 602 is also applied on the wiring layer 12f.
  • step S63 the semiconductor wafer 103 is adhered to the light transmitting substrate 601 to which the adhesive 602 is applied, and the component 41 is adhered.
  • the component 41 (component 41-1 and component 41-2) is fixed in a state of being connected to the wiring layer 12f.
  • the adhesive 602 is an adhesive that electrically connects the component 41 and the wiring layer 12 f.
  • step S64 are basically the same as the steps after step S14 shown in FIG.
  • the semiconductor device 10 f as shown in FIG. 11 is completed by such a process.
  • step S71 a translucent substrate 701 formed of a transparent material such as glass is prepared.
  • a portion to be the wiring layer 12f of the semiconductor device 10f is already formed when it is singulated. Further, the component 41 is mounted on the formed wiring layer 12 f.
  • step S72 the adhesive 702 is applied only to the area (adhesion area) including the position (area) where the component 41 of the translucent substrate 601 is disposed. Since the wiring layer 12 f is already formed in the bonding area and the component 41 is mounted, the adhesive 702 is also applied on the region of the wiring layer 12 f not in contact with the component 41.
  • the processes after the process S73 are basically the same processes as the processes after the process S63 shown in FIG. 12, and thus the description thereof is omitted here.
  • the semiconductor device 10 f as shown in FIG. 11 is completed by such a process.
  • the semiconductor device 10f manufactured by such a process is the same as the semiconductor device 10a (FIG. 1), since the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27, the entire height of the semiconductor device 10f is Can be reduced in height. That is, the semiconductor device 10 f can be miniaturized.
  • the component 41 by arranging the component 41 at a position adjacent to the semiconductor chip 32, the length of the conductive film 16 connecting the semiconductor chip 32 and the component 41 can be shortened, so that the influence of noise can be reduced. .
  • the degree of freedom of wiring can be increased.
  • power consumption when connecting a memory to the semiconductor device 10 f, by connecting the semiconductor device 10 f and a memory (not shown) through the external terminal 31, power consumption can be reduced and speed can be increased.
  • FIG. 14 is a diagram showing the configuration of a semiconductor device 10g according to the seventh embodiment.
  • the semiconductor device 10g according to the seventh embodiment has the same basic configuration as the semiconductor device 10f according to the sixth embodiment shown in FIG. 11, but an interconnection layer 12f (FIG. The difference is that the wiring layer 12g) is used.
  • the semiconductor device 10g has a structure in which a part of the wiring layer 12g is exposed.
  • the wiring layer 12g in the portion where the component 41-2 is arranged can be used as an electrode for connection to an external device.
  • the semiconductor device 10g shown in FIG. 14 has a structure that can be connected to an external device by the wiring layer 12g, the semiconductor device 10g does not have the external terminal 31. Even when the external terminal 31 is not provided, it can be connected to an external device other than the wiring layer 12g.
  • the conductive layer 19 can be connected to an external device (a terminal for connection) outside the pixel region.
  • the semiconductor device 10g illustrated in FIG. 14 exemplifies a configuration in which the external terminal 31 is not provided, but the example in which the conductive layer 19 in the place where the external terminal 31 is provided is formed.
  • the conductive layer 19 is connected to a terminal (not shown) provided outside the pixel region, and the terminal can be configured to be connected to an external device.
  • the semiconductor device 10 g can be configured without the conductive layer 19.
  • the configuration including the external terminal 31 has been described as an example, but the semiconductor devices 10a to 10f in the first to sixth embodiments are not limited to the external terminal 31.
  • the semiconductor device 10 without the external terminal 31 is also within the scope of the present technology.
  • the back surface side of the semiconductor device 10 can be configured to be connected to an external device (for example, a memory). It is possible to connect them, or to connect to an external device through the wiring layer 12d.
  • an external device for example, a memory
  • the seventh embodiment will be described by giving an example in which the external terminal 31 is not provided, the external terminal 31 can be configured similarly to the first to sixth embodiments described above. It is.
  • the semiconductor device 10 has a configuration including the external terminal 31 and the conductive layer 19, a configuration including the conductive layer 19 but no external terminal 31, or the external terminal 31 and the conductive layer 19 depending on how the semiconductor device 10 is connected to the external device. It can be configured not to be provided.
  • the semiconductor device 10g according to the seventh embodiment has a region connected to an external device in a part of the wiring layer 12g.
  • Such a configuration, as shown in FIG. 14, is a support in which a counterbore is not formed.
  • the present invention can be applied to the substrate 27.
  • the wiring layer 12g is provided on the support substrate 27 on which the counterbore is formed, and a part of the wiring layer 12g has a region connected to an external device. It is also possible.
  • FIG. 15 shows an example in which the wiring layer 12g of the semiconductor device 10g and an FPC (Flexible Print Board) 801 are connected.
  • a connector 802 is provided on the FPC 801.
  • the connector 802 is connected to an external device (not shown), such as a main board of a mobile phone.
  • an ACF (Anisotropic Conductive Film) terminal 803 is formed in a portion where the wiring layer 12 g and the FPC 801 are connected.
  • the wiring layer 12g and the FPC 801 may be connected using a terminal other than the ACF terminal 803.
  • the semiconductor device 10g has a structure in which a part of the wiring layer 12g is exposed (a structure in which a lead wiring is provided), and the exposed wiring layer 12g and the FPC 801 are connected. be able to. With such a configuration, the semiconductor device 10g can be easily connected to the FPC 801.
  • the semiconductor device 10g can be easily connected to the FPC 801, whereby, for example, when the semiconductor device 10g is installed on the main board, the semiconductor device 10g can be installed without being restricted by the installation position.
  • the degree of freedom of the installation position of the semiconductor device 10g on the main board can be increased, and the semiconductor device 10g can be installed on the main board even if the positioning accuracy when installing on the main board is not high. It becomes.
  • FIG. 16 is a view showing a mounting example when the lens unit having an auto-focus (AF) function is mounted on the semiconductor device 10g.
  • the lens unit 851 is composed of an actuator 861, a lens barrel 862, and a lens 863.
  • a lens 863-1, a lens 863-2, and a lens 863-3 are incorporated inside the lens barrel 862, and the lens barrel 862 is configured to hold the lenses 863-1 to 863-3.
  • the lens barrel 862 is included in the actuator 861, and the semiconductor device 10 g is attached to the lower part of the actuator 861.
  • a coil is provided on the side surface of the lens barrel 862 (the lens carrier on which the lens barrel 862 is mounted).
  • a magnet is provided at a position facing the coil and inside the actuator 861.
  • the magnet is provided with a yoke, and the coil, the magnet, and the yoke constitute a voice coil motor.
  • the lens barrel 862 When the lens barrel 862 is configured to move by supplying a current to the coil, the lens barrel 862 is configured to include an AF terminal 871 for supplying electricity to the coil. As shown in FIG. 16, an AF terminal 871 is formed in a part of the lens unit 851, and the AF terminal 871 and a part of the wiring layer 12 g of the semiconductor device 10 g are connected by solder 881.
  • the semiconductor device 10g and the lens unit 851 are connected by the wiring layer 12g, the solder 881, and the AF terminal 871, and from the semiconductor device 10g, the lens unit 851 (inside is disposed via the wiring layer 12g, the solder 881, and the AF terminal 871). Power (not shown)) can be supplied.
  • the foot 852 of the lens unit 851 can be disposed in the area in which the through electrode 26 is disposed or in the area in which the component 41 is disposed.
  • the parts 41 can also be arranged on both sides of the semiconductor chip 32 as shown in FIG. 16. By arranging the parts 41 on both sides, the legs 852 of the lens unit 851 can be arranged in that area.
  • the imaging device 10g can be miniaturized.
  • step S81 a translucent base 601 formed of a transparent material such as glass is prepared.
  • a portion to be the wiring layer 12g of the semiconductor device 10f is already formed when it is singulated.
  • step S81 is the same as step S61 (FIG. 12).
  • step S82 the adhesive 902 is applied only to the area (adhesion area) including the position (area) where the component 41 of the translucent substrate 601 is disposed. Since the wiring layer 12g is also formed in the bonding area, the adhesive 902 is also applied on the wiring layer 12g. However, in the step S82, the adhesive 902 is used in a portion connected to a part of the wiring layer 12g, in other words, a solder 881 for connection with the ACF terminal 803 (FIG. 15) or the AF terminal 871. Not applied
  • the processes after the process S83 are basically the same processes as the processes after the process S63 shown in FIG. 12, and thus the description thereof is omitted here.
  • the semiconductor device 10g manufactured by such a process since the semiconductor chip 32 and the component 41 are arranged side by side on one surface of the support base 27, the entire height of the semiconductor device 10g is Can be reduced in height. That is, the semiconductor device 10g can be miniaturized.
  • the semiconductor device 10g can be miniaturized without hindering reduction in the overall height of the semiconductor device 10g.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a camera module 1000 in which the laminated lens structure 1011 and the semiconductor device 10a are combined.
  • the camera module 1000 includes a laminated lens structure 1011 in which a plurality of lens-mounted substrates 1041 a to 1041 e are laminated, and a semiconductor device 10 a.
  • the multilayer lens structure 1011 includes a plurality of optical units 1013.
  • An alternate long and short dash line 1084 represents the optical axis of each optical unit 1013.
  • the semiconductor device 10 a is disposed below the laminated lens structure 1011.
  • light incident into the camera module 1000 from above is transmitted through the laminated lens structure 1011 and received by the semiconductor device 10a disposed below the laminated lens structure 1011.
  • the multilayer lens structure 1011 includes five lens-mounted substrates 1041 a to 1041 e stacked. In the case where the five lens-equipped substrates 1041a to 1041e are not particularly distinguished, they will be described simply as the lens-equipped substrate 1041.
  • the cross-sectional shape of the through hole 1083 of each lens-equipped substrate 1041 constituting the laminated lens structure 1011 has a so-called downward concave shape in which the opening width decreases toward the lower side (the side on which the semiconductor device 10a is disposed). There is.
  • a diaphragm plate 1051 is disposed on the laminated lens structure 1011.
  • the diaphragm plate 1051 includes, for example, a layer formed of a light absorbing or light shielding material.
  • the aperture plate 1051 is provided with an opening 1052.
  • the semiconductor device 10a is, for example, a front side illumination type or a rear side illumination type CMOS image sensor.
  • the laminated lens structure 1011, the semiconductor device 10 a, the diaphragm plate 1051 and the like are accommodated in a lens barrel 1074.
  • the structural material 1073 is disposed on the upper side of the semiconductor device 10a.
  • the laminated lens structure 1011 and the semiconductor device 10 a are fixed via the structural material 1073.
  • the structural material 1073 is, for example, an epoxy resin.
  • the laminated lens structure 1011 includes the five lens-mounted substrates 1041a to 1041e laminated, but the number of laminated substrates with lenses 1041 is not particularly limited as long as it is two or more.
  • Each lens-equipped substrate 1041 constituting the laminated lens structure 1011 has a configuration in which a lens resin portion 1082 is added to a carrier substrate 1081.
  • the carrier substrate 1081 has a through hole 1083, and a lens resin portion 1082 is formed inside the through hole 1083.
  • the lens resin portion 1082 includes a lens, and the portion extending to the carrier substrate 1081 and carrying the lens also collectively represents a portion integrated by the material constituting the lens.
  • the semiconductor device 10a has been described as an example in FIG. 18, it is also possible to configure the camera module 1000 by combining the semiconductor device 10 of any of the semiconductor devices 10b to 10g with the multilayer lens structure 1011.
  • the present technology is not limited to application to a semiconductor device, and is an imaging device such as a digital still camera or a video camera, a portable terminal device having an imaging function such as a cellular phone, or a copy using an imaging device in an image reading unit.
  • the present invention is applicable to general electronic devices that use an imaging device as an image capturing unit (photoelectric conversion unit) such as a digital camera. Note that there is also a case where a module form mounted on an electronic device, that is, a camera module is used as an imaging device.
  • FIG. 19 is a block diagram illustrating a configuration example of an imaging device which is an example of the electronic device of the present disclosure.
  • an imaging apparatus 2000 according to the present disclosure includes an optical system including a lens group 2001, an imaging apparatus 2002, a DSP circuit 2003 which is a camera signal processing unit, a frame memory 2004, a display apparatus 2005, a recording apparatus 2006, An operation system 2007, a power supply system 2008, and the like are included.
  • the DSP circuit 2003, the frame memory 2004, the display device 2005, the recording device 2006, the operation system 2007, and the power supply system 2008 are mutually connected via a bus line 2009.
  • the CPU 310 controls each unit in the imaging apparatus 2000.
  • the lens group 2001 takes in incident light (image light) from a subject and forms an image on the imaging surface of the imaging device 2002.
  • the imaging device 2002 converts the light amount of incident light focused on the imaging surface by the lens group 2001 into an electrical signal in pixel units and outputs the electrical signal as a pixel signal.
  • the semiconductor device 10 according to the above-described embodiment can be used.
  • the display device 2005 is a panel-type display device such as a liquid crystal display device or an organic EL (electro luminescence) display device, and displays a moving image or a still image captured by the imaging device 2002.
  • the recording device 2006 records a moving image or a still image captured by the imaging device 2002 on a recording medium such as a video tape or a DVD (Digital Versatile Disk).
  • the operation system 2007 issues operation commands for various functions possessed by the imaging device under the operation of the user.
  • the power supply system 2008 appropriately supplies various power supplies serving as operation power supplies of the DSP circuit 2003, the frame memory 2004, the display device 2005, the recording device 2006, and the operation system 2007 to these supply targets.
  • Such an imaging device 2000 is applied to a video camera, a digital still camera, and a camera module for mobile devices such as a mobile phone. Then, in the imaging device 2000, the semiconductor device 10 according to the above-described embodiment can be used as the imaging device 2002.
  • the technology according to the present disclosure (the present technology) can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be applied to an endoscopic surgery system.
  • FIG. 20 is a diagram showing an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system to which the technology (the present technology) according to the present disclosure can be applied.
  • the endoscopic operation system 11000 includes an endoscope 11100, such as pneumoperitoneum tube 11111 and the energy treatment instrument 11112, and other surgical instrument 11110, a support arm device 11120 which supports the endoscope 11100 , the cart 11200 which various devices for endoscopic surgery is mounted, and a.
  • an endoscope 11100 such as pneumoperitoneum tube 11111 and the energy treatment instrument 11112
  • other surgical instrument 11110 such as pneumoperitoneum tube 11111 and the energy treatment instrument 11112
  • a support arm device 11120 which supports the endoscope 11100
  • the cart 11200 which various devices for endoscopic surgery is mounted
  • the endoscope 11100 includes a lens barrel 11101 whose region of a predetermined length from the tip is inserted into a body cavity of a patient 11132, and a camera head 11102 connected to a proximal end of the lens barrel 11101.
  • the endoscope 11100 configured as a so-called rigid endoscope having a barrel 11101 of the rigid endoscope 11100, be configured as a so-called flexible scope with a barrel of flexible Good.
  • the endoscope 11100 may be a straight endoscope, or may be a oblique endoscope or a side endoscope.
  • An optical system and an imaging device are provided inside the camera head 11102, and the reflected light (observation light) from the observation target is condensed on the imaging device by the optical system.
  • the observation light is photoelectrically converted by the imaging element to generate an electric signal corresponding to the observation light, that is, an image signal corresponding to the observation image.
  • the image signal is transmitted as RAW data to a camera control unit (CCU: Camera Control Unit) 11201.
  • CCU Camera Control Unit
  • the CCU 11201 is configured by a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), and the like, and centrally controls the operations of the endoscope 11100 and the display device 11202. Furthermore, the CCU 11201 receives an image signal from the camera head 11102 and performs various image processing for displaying an image based on the image signal, such as development processing (demosaicing processing), on the image signal.
  • a CPU Central Processing Unit
  • GPU Graphics Processing Unit
  • Display device 11202 under the control of the CCU11201, displays an image based on the image signal subjected to image processing by the CCU11201.
  • the light source device 11203 includes, for example, a light source such as an LED (light emitting diode), and supplies the endoscope 11100 with irradiation light at the time of imaging an operation part or the like.
  • a light source such as an LED (light emitting diode)
  • the input device 11204 is an input interface to the endoscopic surgery system 11000.
  • the user can input various information and input instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204.
  • the user type of illumination light, magnification and focal length
  • endoscopes 11100 by the imaging condition inputting the setting of the instruction or the like to change.
  • Surgical instrument control unit 11205 is, tissue ablation, to control the driving of the energy treatment instrument 11112 for such sealing of the incision or blood vessel.
  • the insufflation apparatus 11206 is a gas within the body cavity via the insufflation tube 11111 in order to expand the body cavity of the patient 11132 for the purpose of securing a visual field by the endoscope 11100 and securing a working space of the operator.
  • Send The recorder 11207 is a device capable of recording various types of information regarding surgery.
  • the printer 11208 is an apparatus capable of printing various types of information regarding surgery in various types such as text, images, and graphs.
  • the light source device 11203 that supplies the irradiation light when imaging the surgical site to the endoscope 11100 can be configured of, for example, an LED, a laser light source, or a white light source configured by a combination of these. If a white light source by a combination of RGB laser light source is constructed, since it is possible to control the output intensity and output timing of each color (each wavelength) with high accuracy, the adjustment of the white balance of the captured image in the light source apparatus 11203 It can be carried out.
  • a color image can be obtained without providing a color filter in the imaging device.
  • the drive of the light source device 11203 may be controlled so as to change the intensity of the light to be output every predetermined time. Acquiring an image at the time of controlling the driving of the image pickup device of the camera head 11102 divided in synchronization with the timing of the change of the intensity of the light, by synthesizing the image, a high dynamic no so-called underexposure and overexposure An image of the range can be generated.
  • the light source device 11203 may be configured to be able to supply light of a predetermined wavelength band corresponding to special light observation.
  • special light observation for example, the mucous membrane surface layer is irradiated by irradiating narrow band light as compared with irradiation light (that is, white light) at the time of normal observation using the wavelength dependency of light absorption in body tissue.
  • the so-called narrow band imaging is performed to image a predetermined tissue such as a blood vessel with high contrast.
  • fluorescence observation may be performed in which an image is obtained by fluorescence generated by irradiation with excitation light.
  • body tissue is irradiated with excitation light and fluorescence from the body tissue is observed (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally injected into body tissue and the body tissue is Excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent can be irradiated to obtain a fluorescence image or the like.
  • Light source device 11203 such may be configured to provide a narrow-band light and / or the excitation light corresponding to the special light observation.
  • FIG. 21 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the camera head 11102 and the CCU 11201 shown in FIG.
  • the camera head 11102 includes a lens unit 11401, an imaging unit 11402, a drive unit 11403, a communication unit 11404, and a camera head control unit 11405.
  • the CCU 11201 includes a communication unit 11411, an image processing unit 11412, and a control unit 11413. Camera head 11102 and CCU11201 are communicatively connected to each other by a transmission cable 11400.
  • Lens unit 11401 is an optical system provided in the connecting portion of the barrel 11101. Observation light taken from the tip of the barrel 11101 is guided to the camera head 11102, incident on the lens unit 11401.
  • the lens unit 11401 is configured by combining a plurality of lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the imaging device constituting the imaging unit 11402 may be one (a so-called single-plate type) or a plurality (a so-called multi-plate type).
  • the imaging unit 11402 When the imaging unit 11402 is configured as a multi-plate type, for example, an image signal corresponding to each of RGB may be generated by each imaging element, and a color image may be obtained by combining them.
  • the imaging unit 11402 may be configured to have a pair of imaging devices for acquiring image signals for right eye and left eye corresponding to 3D (dimensional) display. By 3D display is performed, the operator 11131 is enabled to grasp the depth of the living tissue in the operative site more accurately.
  • the imaging unit 11402 is to be composed by multi-plate, corresponding to the imaging elements, the lens unit 11401 may be provided a plurality of systems.
  • the imaging unit 11402 may not necessarily provided in the camera head 11102.
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101 immediately after the objective lens.
  • the driving unit 11403 is configured by an actuator, and moves the zoom lens and the focusing lens of the lens unit 11401 by a predetermined distance along the optical axis under the control of the camera head control unit 11405. Thereby, the magnification and the focus of the captured image by the imaging unit 11402 can be appropriately adjusted.
  • the communication unit 11404 is configured of a communication device for transmitting and receiving various types of information to and from the CCU 11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 to CCU11201 via a transmission cable 11400 as RAW data.
  • the communication unit 11404 also receives a control signal for controlling the drive of the camera head 11102 from the CCU 11201 and supplies the control signal to the camera head control unit 11405.
  • the the control signal for example, information that specifies the frame rate of the captured image, information that specifies the exposure value at the time of imaging, and / or magnification and information, etc. indicating that specifies the focal point of the captured image, captured Contains information about the condition.
  • the imaging conditions such as the frame rate, exposure value, magnification, and focus described above may be appropriately designated by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal. Good. In the latter case, the so-called AE (Auto Exposure) function, AF (Auto Focus) function, and AWB (Auto White Balance) function are incorporated in the endoscope 11100.
  • AE Auto Exposure
  • AF Auto Focus
  • AWB Automatic White Balance
  • the camera head control unit 11405 controls the drive of the camera head 11102 based on the control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is configured by a communication device for transmitting and receiving various types of information to and from the camera head 11102.
  • the communication unit 11411 is, from the camera head 11102 receives image signals transmitted via a transmission cable 11400.
  • the communication unit 11411 transmits a control signal for controlling driving of the camera head 11102 to the camera head 11102.
  • the image signal and the control signal can be transmitted by telecommunication or optical communication.
  • An image processing unit 11412 performs various types of image processing on an image signal that is RAW data transmitted from the camera head 11102.
  • Control unit 11413 the imaging of the operated portion due endoscope 11100, and various types of control related to the display of the captured image obtained by the imaging of the surgical section are performed.
  • the control unit 11413 generates a control signal for controlling the driving of the camera head 11102.
  • control unit 11413 causes the display device 11202 to display a captured image in which a surgical site or the like is captured, based on the image signal subjected to the image processing by the image processing unit 11412.
  • the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques. For example, the control unit 11413, by detecting the edge of the shape and color of an object or the like included in the captured image, the surgical instrument such as forceps, a specific body part, bleeding, during use of the energy treatment instrument 11112 mist etc. It can be recognized.
  • the control unit 11413 may superimpose various surgical support information on the image of the surgery section using the recognition result. The operation support information is superimposed and presented to the operator 11131, whereby the burden on the operator 11131 can be reduced and the operator 11131 can reliably proceed with the operation.
  • a transmission cable 11400 connecting the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electric signal cable corresponding to communication of an electric signal, an optical fiber corresponding to optical communication, or a composite cable of these.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure is realized as a device mounted on any type of mobile object such as a car, an electric car, a hybrid electric car, a motorcycle, a bicycle, personal mobility, an airplane, a drone, a ship, a robot May be
  • FIG. 22 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system that is an example of a mobile control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • Vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an external information detection unit 12030, an in-vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio image output unit 12052, and an in-vehicle network I / F (Interface) 12053 are illustrated as a functional configuration of the integrated control unit 12050.
  • the driveline control unit 12010 controls the operation of devices related to the driveline of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device for generating a drive force of the vehicle such as an internal combustion engine or a drive motor, a drive force transmission mechanism for transmitting the drive force to the wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control mechanism such as a steering mechanism that adjusts and a braking device that generates a braking force of the vehicle.
  • Body system control unit 12020 controls the operation of the camera settings device to the vehicle body in accordance with various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device of various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a blinker or a fog lamp.
  • the body system control unit 12020 the signal of the radio wave or various switches is transmitted from wireless controller to replace the key can be entered.
  • Body system control unit 12020 receives an input of these radio or signal, the door lock device for a vehicle, the power window device, controls the lamp.
  • Outside vehicle information detection unit 12030 detects information outside the vehicle equipped with vehicle control system 12000.
  • an imaging unit 12031 is connected to the external information detection unit 12030.
  • the out-of-vehicle information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image outside the vehicle, and receives the captured image.
  • the external information detection unit 12030 may perform object detection processing or distance detection processing of a person, a vehicle, an obstacle, a sign, characters on a road surface, or the like based on the received image.
  • Imaging unit 12031 receives light, an optical sensor for outputting an electric signal corresponding to the received light amount of the light.
  • the imaging unit 12031 can output an electric signal as an image or can output it as distance measurement information.
  • the light image pickup unit 12031 is received may be a visible light, it may be invisible light such as infrared rays.
  • Vehicle information detection unit 12040 detects the vehicle information.
  • a driver state detection unit 12041 that detects a state of a driver is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera for imaging the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 determines the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated or it may be determined whether the driver does not go to sleep.
  • the microcomputer 12051 calculates a control target value of the driving force generation device, the steering mechanism or the braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the outside information detecting unit 12030 or the in-vehicle information detecting unit 12040, and a drive system control unit A control command can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 the driving force generating device on the basis of the information around the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030 or vehicle information detection unit 12040, by controlling the steering mechanism or braking device, the driver automatic operation such that autonomously traveling without depending on the operation can be carried out cooperative control for the purpose of.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12030 based on the information outside the vehicle acquired by the external information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps in response to the preceding vehicle or the position where the oncoming vehicle is detected outside the vehicle information detection unit 12030, the cooperative control for the purpose of achieving the anti-glare such as switching the high beam to the low beam It can be carried out.
  • Audio and image output unit 12052 transmits, to the passenger or outside of the vehicle, at least one of the output signal of the voice and image to be output device to inform a visually or aurally information.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • Display unit 12062 may include at least one of the on-board display and head-up display.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of the installation position of the imaging unit 12031.
  • imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided as the imaging unit 12031.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, on the front nose of the vehicle 12100, a side mirror, a rear bumper, a back door, an upper portion of a windshield of a vehicle interior, and the like.
  • the imaging unit 12101 provided in the front nose and the imaging unit 12105 provided in the upper part of the windshield in the vehicle cabin mainly acquire an image in front of the vehicle 12100.
  • the imaging units 12102 and 12103 included in the side mirror mainly acquire an image of the side of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or the back door mainly acquires an image of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided on the top of the windshield in the passenger compartment is mainly used to detect a leading vehicle or a pedestrian, an obstacle, a traffic light, a traffic sign, a lane, or the like.
  • FIG. 23 illustrates an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • Imaging range 12111 indicates an imaging range of the imaging unit 12101 provided in the front nose
  • imaging range 12112,12113 are each an imaging range of the imaging unit 12102,12103 provided on the side mirror
  • an imaging range 12114 is The imaging range of the imaging part 12104 provided in the rear bumper or the back door is shown. For example, by overlaying the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, a bird's eye view of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging unit 12101 through 12104 may have a function of obtaining distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of imaging devices, or an imaging device having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 measures the distance to each three-dimensional object in the imaging ranges 12111 to 12114, and the temporal change of this distance (relative velocity with respect to the vehicle 12100). In particular, it is possible to extract a three-dimensional object traveling at a predetermined speed (for example, 0 km / h or more) in substantially the same direction as the vehicle 12100 as a leading vehicle, in particular by finding the it can. Further, the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance before the preceding vehicle, and can perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. Automatic operation or the like for autonomously traveling without depending on the way of the driver operation can perform cooperative control for the purpose.
  • automatic brake control including follow-up stop control
  • automatic acceleration control including follow-up start control
  • the microcomputer 12051 converts three-dimensional object data relating to three-dimensional objects into two-dimensional vehicles such as two-wheeled vehicles, ordinary vehicles, large vehicles, classification and extracted, can be used for automatic avoidance of obstacles.
  • the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 as obstacles visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles difficult to see.
  • the microcomputer 12051 determines the collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk is a setting value or more and there is a possibility of a collision, through the audio speaker 12061 or the display unit 12062 By outputting a warning to the driver or performing forcible deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be performed.
  • At least one of the imaging unit 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether a pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • Such pedestrian recognition is, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as an infrared camera, and pattern matching processing on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether it is a pedestrian or not
  • the procedure is to determine Microcomputer 12051 is, determines that the pedestrian in the captured image of the imaging unit 12101 to 12104 is present, recognizing the pedestrian, the sound image output unit 12052 is rectangular outline for enhancement to the recognized pedestrian to superimpose, controls the display unit 12062.
  • the audio image output unit 12052 is, an icon or the like indicating a pedestrian may control the display unit 12062 to display the desired position.
  • a system refers to an entire apparatus configured by a plurality of apparatuses.
  • the present technology can also have the following configurations.
  • the semiconductor chip according to (1) including an imaging device.
  • Apply an adhesive to the translucent substrate and A semiconductor device is manufactured by fixing a semiconductor chip, and a component that transmits and receives a signal to and from the semiconductor chip with the adhesive on the translucent base.
  • the manufacturing method according to (15), wherein the semiconductor chip on which an imaging element is formed is fixed to the translucent base.
  • the adhesive is applied to the light transmitting substrate which is partially formed thin, and the component is fixed to the portion formed thin.
  • the part is fixed with the adhesive to a part of the wiring layer of the transparent substrate in which a wiring layer is formed in a region in which the part is disposed;
  • the manufacturing method according to any one of (15) to (17), wherein an external device is connected to a portion of the wiring layer to which the component is not fixed.

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Abstract

本技術は、撮像素子を含む半導体装置を小型化することができるようにする半導体装置、電子機器、製造方法に関する。 透光性の透光性基体と、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品とを備え、半導体チップと部品は、透光性基体の同一面上に配置されている。半導体チップは、撮像素子を含む。透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、透光性基体に、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品を接着剤で固定することで半導体装置を製造する。本技術は、撮像素子を備える半導体チップを含む半導体装置に適用できる。

Description

半導体装置、電子機器、製造方法
　本技術は半導体装置、電子機器、製造方法に関し、例えば、より小型化できるようにした半導体装置、電子機器、製造方法に関する。
　近年、デジタルカメラの小型化や、デジタルカメラの機能を有する携帯電話機が普及するに伴い、オートフォーカス用の駆動装置などの小型化も望まれている。特許文献１には、レンズホルダ、チップ、基板を封止することで、小型化を実現することが提案されている。
特表２００７－５２３５６８号公報
　レンズなどの光学系を小型化することで、撮像素子を含む半導体装置の小型化を実現することは可能であるが、光量が減り、画質が落ちるなど好ましくない状態が発生する可能性が高い。そのため、レンズなどを小型化することで、半導体装置を小型化することは好ましくない。しかしながら、上記したように、半導体装置のさらなる小型化は望まれている。
　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、半導体装置のさらなる小型化を実現することができるようにするものである。
　本技術の一側面の半導体装置は、透光性の透光性基体と、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品とを備え、前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている。
　本技術の一側面の電子機器は、透光性の透光性基体と、撮像素子を含む半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品と、前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットとを備え、前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている。
　本技術の一側面の製造方法は、透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する。
　本技術の一側面の半導体装置においては、透光性の透光性基体と、半導体チップと、半導体チップと信号を授受する部品とが備えられ、半導体チップと部品は、透光性基体の同一面上に配置されている。
　本技術の一側面の電子機器においては、前記半導体装置を含む装置とされている。
　本技術の一側面の製造方法においては、前記半導体装置が製造される。
　なお、半導体装置は、独立した装置であっても良いし、１つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。
　本技術の一側面によれば、半導体装置のさらなる小型化を実現することができる。
　なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用した半導体装置の一実施の形態の構成を示す図である。 第１の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第２の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第２の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第３の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第３の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第４の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第４の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第５の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第５の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 第６の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 第６の実施の形態における半導体装置の第１の製造について説明するための図である。 第６の実施の形態における半導体装置の第２の製造について説明するための図である。 第７の実施の形態における半導体装置の構成を示す図である。 外部装置との接続について説明するための図である。 レンズユニットとの接続について説明するための図である。 第７の実施の形態における半導体装置の製造について説明するための図である。 積層レンズユニットとの接続について説明するための図である。 電子機器の一例の構成について説明するための図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。
　＜半導体装置の第１の実施の形態＞
　図１は本発明の第１の実施の形態に係わる半導体装置１０ａの断面図である。
　第１の実施の形態における半導体装置１０ａは、半導体チップ３２と、半導体チップ３２と接着層２８を介して接続された支持基体２７と、半導体チップ３２に形成された貫通電極２６と、貫通電極２６から半導体チップ３２の裏面に引き出されて外部端子３１と接続する導電層１９と、半導体チップ３２を封止する保護層２０とから構成される。
　半導体チップ３２は、例えば、シリコン等による半導体基体１１上に、図示しないトランジスタ等の能動素子や保護膜等が形成される。また、半導体基体１１上に配線（図示省略）やパッド電極１３等の導電層と、この導電層を覆う層間絶縁膜等による絶縁層とが積層されてなる配線層１２が形成される。
　さらに、半導体チップ３２には、この例では受発光素子の場合で、例えば図示しない受光及び／又は発光素子や、受光及び／又は発光用のセンサ面等と、このセンサ面に対応して、配線層１２上にカラーフィルタ３０やマイクロレンズ２９等が形成される。
　半導体チップ３２は、例えば、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサやＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサなどである。
　支持基体２７は、例えば、ガラス等の光透過性の基体からなる。また支持基体２７は、ＩＲＣＦ（InfraRed Cut Filter）である用に構成することも可能である。支持基体２７は、樹脂等による接着層２８を介して半導体チップ３２の能動素子が形成された面（主面）側に接続される。なお、図１において支持基体２７と半導体チップの主面側との間を中空の構造としているが、図３を参照して後述するように、例えば、光透過性の樹脂等により封止した構造としてもよい。
　また、半導体チップ３２には、半導体基体１１を貫通し、パッド電極１３に接続する貫通電極２６が形成される。貫通電極２６は、配線層１２に形成されたパッド電極１３に対して、半導体チップ３２の能動素子が形成された面とは反対側の面（裏面）側からパッド電極１３までを開口したビアホールが形成され、ビアホール内を導電層１９で覆うことで形成される。
　そして、導電層１９は、パッド電極１３から貫通電極２６の内側面を通り、半導体チップ３２の裏面に形成され、半導体チップ３２の裏面側で外部端子３１と接続される。また、導電層１９と半導体基体１１との接触による通電を防ぐため、半導体基体１１の裏面及び貫通電極２６の内側面を覆うように絶縁層１７が形成される。
　そして、導電層１９と外部端子３１との接続部分を除き、半導体チップ３２の裏面側の全面に保護層２０が形成される。保護層２０は、例えばポリイミド樹脂、ソルダーレジスト等の絶縁性の樹脂等によって形成される。
　また、半導体チップ３２の側方には、部品４１が配置されている。部品４１は、抵抗やコンデンサなどの受動部品、オートフォーカス用のドライバーや手振れ補正用のドライバーなどのＩＣ（Integrated Circuit）、ICパッケージに封止されていないベア・チップ（ベア・ダイ）の状態で、良品であることを保証されたものであるＫＧＤ（Known Good Die）などである。
　ここでは、部品４１は、半導体チップ３２と信号の授受（半導体チップ３２からの信号を処理したり、半導体チップ３２を制御する制御信号を供給したりする）を行う部品であるとして説明を続ける。
　半導体チップ３２と部品４１は、導電層１９を介して接続されている。
　＜第１の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図１に示した半導体装置１０ａの製造について、図２を参照して説明する。
　工程Ｓ１１において、透光性基体１０１が用意される。この透光性基体１０１は、個片化されたときに、支持基体２７となる部分である。
　透光性基体１０１（支持基体２７）は、できるだけ温度に対する線膨張の挙動が、Ｓｉ（シリコン単結晶から形成された半導体基板１１（半導体基板１１となる半導体ウエハ１０３（工程Ｓ１３）））と同様の挙動を示すものがよい。例えば、透光性基体１０１（支持基体２７）は、石英ガラス、ホウ珪酸ガラスなどのガラスで形成されている。
　工程Ｓ１１において用意されている透光性基体１０１は、半導体ウエハ１０３とウエハレベルで貼り合わせが行われる場合、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３は、略同形状とされている。
　または、透光性基体１０１は、矩形などの形状で形成され、半導体ウエハ１０３の画素領域が形成されている部分に配置される（透光性基体１０１は、予め個片化された状態で、半導体ウエハ１０３と貼り合わされる）ようにしても良い。
　工程Ｓ１２において、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（以下、接着領域と適宜記載する）に、接着剤１０２が塗布されることで、接着層２８（接着層２８となる部分）が形成される。透光性基体１０１の接着領域だけに、接着剤１０２が塗布されることで、接着層２８が形成されるようにしても良い。
　または、透光性基体１０１の全面に接着剤１０２が塗布され、その後、接着領域となる領域以外の領域に塗布されている接着剤１０２が除去されることで、結果的に、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される領域を含む接着領域だけに接着剤１０２が残るようにすることで接着層２８が形成されるようにしても良い。
　接着剤１０２としては、液状接着剤を用いることができる。また、接着剤１０２を、透明樹脂とし、透明樹脂を硬化させることで、部品４１や支持基板２７が接着される（固定される）ようにしても良い。
　また、接着剤１０２として、透明接着剤を用いる場合、シリコン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、デンドリマー、その共重合体を選択することで、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３を貼りあわせ後のプロセス（例えば、熱またはＵＶ照射により硬化させる処理）や信頼性試験でも耐熱性/耐薬品性/耐光性に問題が無く、且つ撮像特性へ影響を与えないようにすることができる。
　工程Ｓ１３において、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３の貼り合わせと、部品４１の配置が行われる。シリコン単結晶から形成された基板に、画素領域等が複数形成され、複数の画素領域を備えた半導体ウエハ１０３が準備される。画素領域等は、半導体素子製造工程によって形成される。
　半導体チップ３２は、例えば、CMOSイメージセンサやＣＣＤイメージセンサなどであり、画素領域は、入射光を電荷に変換する複数の変換素子や複数のトランジスタなどを有する領域である。そのような画素領域が、半導体素子製造工程により複数形成されている半導体ウエハ１０３が工程Ｓ１３において用意され、透光性基体１０１と貼り合わせられる。
　透光性基体１０１には、工程Ｓ１２において接着剤１０２が塗布されており、その接着剤１０２により、透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３は接着（固定）される。また、透光性基体１０１の部品４１が配置される領域にも接着剤１０２は塗布されており、その接着剤１０２により、部品４１が透光性基体１０１に固定される。
　接着剤１０２の厚みにより、部品４１の高さのばらつきや、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきなどを吸収し、面一で部品４１と半導体チップ３２を並べて配置することができる。
　また、半導体チップ３２（半導体チップ３２を含む半導体ウエハ１０３）に対して、透光性基体１０１と貼り合わされた後、研磨で平坦化される工程が含まれても良い。
　工程Ｓ１４において、再配線が形成される。この再配線は、導電層１９を構成する部分である。導電層１９は、例えば、銅（Ｃｕ）などを材料として形成される。例えば、半導体ウエハ１０３の裏面（透光性基体１０１が配置されている側とは異なる側）に、レジストのパターニングが行われる。そして、そのレジストをマスクにしてエッチングが行われる、余剰な導電体が除去されることにより、導電層１９が形成される。
　工程Ｓ１５において、保護層２０が形成される。保護層２０は、例えばポリイミド樹脂、ソルダーレジスト等の絶縁性の樹脂等によって形成される。保護層２０に、感光性の樹脂を用いることで、工程Ｓ１６において外部端子３１等を形成するためのパターニングを、フォトリソグラフィ法により容易に形成することができるようになる。
　工程Ｓ１６において、はんだ等による外部端子３１の形成が行われる。また、外部端子３１が形成された後、一体化された透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３が切断されて、個片化される。切断する方法は、ブレードダイシングやレーザダイシングなどを適用できる。レーザダイシングは、薄化された半導体ウエハの加工性に優れ、切断の幅が小さくでき、切断面のバリなどの発生を抑制できるので好適な方法である。
　このような工程により、図１に示したような半導体装置１０ａが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ａは、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されている。半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収することができる。よって、上記したように、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができる。
　また、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を配置することで、半導体装置１０ａの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ａを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができる。換言すれば、半導体チップ３２と部品４１を最短距離で接続することが可能となる。半導体チップ３２と部品４１の接続距離が長いと、例えば、半導体チップ３２からの信号を、部品４１に供給するとき、ノイズが乗りやすいが、接続距離が短くなることで、そのようなノイズの影響を低減させることができる。
　また、例えば、半導体装置１０ａにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ａとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。すなわち、外部端子３１を多数設け、その多数の外部端子３１で、メモリと接続することで、多電極で、メモリと接続することが可能となり低消費電力化や高速化を図ることができる。
　＜半導体装置の第２の実施の形態＞
　次に、第２の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図３は、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂの構成を示す図である。図３に示した第２の実施の形態における半導体装置１０ｂは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を、光透過性の樹脂等により封止した構造となっている点が、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なる。
　半導体装置１０ｂは、図２に示した例では、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間は、接着層２８を形成する材料で充たされている。この接着層２８を形成する材料は、光透過性の樹脂等である。
　＜第２の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図３に示した半導体装置１０ｂの製造について、図４を参照して説明する。半導体装置１０ｂは、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と重複する説明は適宜省略する。
　工程Ｓ２１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体１０１が用意される。工程Ｓ２２において、接着剤２０２が、透光性基体１０１の全面に塗布される。接着剤２０２が、透光性基体１０１の全面に塗布され、次の工程Ｓ２３に進む点が、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と異なる。
　工程Ｓ２３において、全面に接着剤２０２が塗布された透光性基体１０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。このように、透光性基体１０１の全面に接着剤２０２が塗布された状態で、半導体ウエハ１０３が接着されることで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に、接着剤２０２（接着層２８）が充填された構造とすることができる。
　工程Ｓ２４において、再配線が形成される。工程Ｓ２５において、保護層２０が形成される。そして、工程Ｓ２６において、外部端子３１が形成され、一体化された透光性基体１０１と半導体ウエハ１０３が切断されて、個片化される。
　このような工程により、図３に示したような半導体装置１０bが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｂは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されている。半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収することができる。よって、上記したように、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができる。
　また、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を配置することで、半導体装置１０ｂの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｂを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｂにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｂとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。
　＜半導体装置の第３の実施の形態＞
　次に、第３の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図５は、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃの構成を示す図である。図５に示した第３の実施の形態における半導体装置１０ｃは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を、光透過性の樹脂等により封止した構造となっている点で、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なり、図３に示した第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと同様の構成とされている。
　半導体装置１０ｃは、部品４１の高さを吸収するために、支持基体２７にザグリが入れられた構成とされている点が、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと異なる。
　図５を参照するに、半導体装置１０ｃの支持基体２７には、ザグリ２７ｃが形成されている。ザグリ２７ｃは、支持基板２７の厚みが一部薄く形成されることで形成される。ザグリ２７ｃを支持基体２７に形成することで、ザグリ２７ｃの部分に、半導体チップ３２よりも厚みのある（高さのある）部品４１を配置しても、その高さをザグリ２７ｃで吸収することができ、第１、第２の実施の形態と同じく、半導体チップ３２と部品４１を、支持基体２７の一面に並べて配置することができる。
　また、高さのある部品４１を配置しても、半導体装置１０ｃの高さが高くことなることなく、低背化することができる。
　＜第３の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図５に示した半導体装置１０ｃの製造について、図６を参照して説明する。半導体装置１０ｃは、第２の実施の形態における半導体装置１０ｂと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図４を参照して説明した半導体装置１０ｂの製造工程と重複する説明は適宜省略する。
　工程Ｓ３１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体３０１が用意される。この透光性基体３０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｃの支持基体２７のザグリ２７ｃとなる部分が、既に形成されている。
　工程Ｓ３２において、接着剤３０２が、透光性基体３０１の全面に塗布される。接着剤３０２が、透光性基体３０１の全面に塗布されることで、ザグリ２７ｃの部分にも、接着剤３０２が充填された状態となる。
　工程Ｓ３３において、ザグリ２７ｃの部分にも接着剤３０２が塗布された透光性基体３０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。工程Ｓ３３以降の工程は、図４に示した工程Ｓ２３以降の工程と同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。
　このような工程により、図５に示したような半導体装置１０ｃが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｃは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきが、接着層２８により吸収されるため半導体装置１０ｃを小型化することができる。
　また、半導体装置１０ｃにおいては、ザグリ２７ｃが形成されていることにより、背の高い部品４１を配置しても、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１を並んだ状態で配置することができため、半導体装置１０ｃの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｃを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｃにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｃとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。
　＜半導体装置の第４の実施の形態＞
　次に、第４の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図７は、第４の実施の形態における半導体装置１０ｄの構成を示す図である。図７に示した第４の実施の形態における半導体装置１０ｄは、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａと同じく、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間が中空に構成されているが、その大きさが異なる。
　半導体装置１０ｄは、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間の中空とされている空間を大きくするために、換言すれば、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間を広げる（ギャップを設ける）ために、支持基体２７にザグリが入れられた構成とされている点が、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと異なる。
　図７を参照するに、半導体装置１０ｄの支持基体２７のうち、半導体チップ３２（の画素領域）と対向する領域には、ザグリ２７ｄが形成されている。ザグリ２７ｄは、支持基板２７の厚みが一部薄く形成されることで形成される。
　ザグリ２７ｄを支持基体２７に形成し、ザグリ２７ｄの部分に、半導体チップ３２の画素領域が位置するように貼り合わせることで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間にギャップを設けることができる。また、第１乃至３の実施の形態と同じく、半導体チップ３２と部品４１を、支持基体２７の一面に並べて配置することができる。
　＜第４の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図７に示した半導体装置１０ｄの製造について、図８を参照して説明する。半導体装置１０ｄは、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図６を参照して説明した半導体装置１０ｃの製造工程と重複する説明は適宜省略する。
　工程Ｓ４１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体４０１が用意される。この透光性基体４０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｄの支持基体２７のザグリ２７ｄとなる部分が、既に形成されている。
　工程Ｓ４２において、接着剤４０２が、透光性基体４０１のザグリ２７ｄ以外の領域に塗布される。換言すれば、工程Ｓ１２（図２）と同じく、透光性基体１０１（支持基体２７）の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに接着剤４０２が塗布されている状態とされる。
　工程Ｓ４３において、ザグリ２７ｄ以外の部分に接着剤４０２が塗布された透光性基体４０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。工程Ｓ４３以降の工程は、図１に示した工程Ｓ１３以降の工程と同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。
　このような工程により、図７に示したような半導体装置１０dが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｄは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきが、接着層２８により吸収されるため、半導体装置１０ｄの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｄを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｄにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｄとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。
　なお第４の実施の形態においては、支持基体２７にザグリ２７ｄを形成することで、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設ける例を挙げて説明した。支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設ける場合、図１に示したような構成でも良く、その中空は、接着層２８の厚さを調整することで、より大きく形成されるようにすることもできる。
　＜半導体装置の第５の実施の形態＞
　次に、第５の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図９は、第５の実施の形態における半導体装置１０ｅの構成を示す図である。図９に示した第５の実施の形態における半導体装置１０ｅは、第３の実施の形態における半導体装置１０ｃと第４の実施の形態における半導体装置１０ｄを組み合わせた構成となっている。
　すなわち、図９を参照するに、半導体装置１０ｅの支持基体２７には、部品４１が配置される位置にザグリ２７ｃが形成され、半導体チップ３２（の画素領域）が配置される位置に、ザグリ２７ｄが形成されている。
　このような構成を有することで、第３の実施の形態の半導体装置１０ｃと同じく、高さのある部品４１を配置しても、半導体装置１０ｅの高さが高くことなることなく、低背化することができる。また、第４の実施の形態の半導体装置１０ｄと同じく、支持基体２７と半導体チップ３２の主面側との間に中空を設けた構造とすることができる。
　＜第５の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図９に示した半導体装置１０ｅの製造について、図１０を参照して説明する。
　工程Ｓ５１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体５０１が用意される。この透光性基体５０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｅの支持基体２７のザグリ２７ｃとザグリ２７ｄとなる部分が、それぞれ既に形成されている。このようなザグリ２７ｃとザグリ２７ｄが形成されている透光性基体５０１が用意される点以外は、図８を参照して説明した半導体装置１０ｄの製造工程と同様に行うことが可能であるため、ここではその説明を省略する。
　このようにして、図９に示したような半導体装置１０ｅが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｅは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置され、半導体チップ３２と部品４１の高さのばらつきや、部品４１同士の高さのばらつきは、接着層２８により吸収されるため、半導体装置１０ｅの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｅを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、例えば、半導体装置１０ｅにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｅとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。
　＜半導体装置の第６の実施の形態＞
　次に、第６の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図１１は、第６の実施の形態における半導体装置１０ｆの構成を示す図である。図１１に示した第６の実施の形態における半導体装置１０ｆは、図１に示した第１の実施の形態における半導体装置１０ａに、配線層１２ｆを追加した構成とされている点が異なる。
　半導体装置１０ｆの構造では、パッド電極１３と貫通電極２６が接続され、貫通電極２６と導電層１９が接続され、この導電層１９と部品４１－１（図１１では、２つの部品のうち、半導体チップ３２に近い方を部品４１－１として説明する）が接続されている。さらに、部品４１－１と配線層１２ｆが接続され、配線層１２fと部品４１－２が接続されている。このように、部品４１－１と部品４１－２は、配線層１２ｆで接続されている構成とされている。
　また、配線層１２ｆは、支持基体２７の裏面側（部品４１が配置されている側）に形成されている。部品４１－１は、下面で導電層１９と接続され、上面で配線層１２ｆと接続されている構成とされている。
　このように、部品４１の下面と上面に、それぞれ配線層を設ける構成としても良い。第６の実施の形態における半導体装置１０ｆは、配線の仕方の自由度が増す実施の形態の一例である。
　＜第６の実施の形態における半導体装置の第１の製造＞
　図１１に示した半導体装置１０ｆの第１の製造について、図１２を参照して説明する。半導体装置１０ｆは、第１の実施の形態における半導体装置１０ａと、ほぼ同様の工程で製造されるため、図２を参照して説明した半導体装置１０ａの製造工程と重複する説明は適宜省略する。
　工程Ｓ６１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体６０１が用意される。この透光性基体６０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｆとなる部分が、既に形成されている。
　工程Ｓ６２において、接着剤６０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｆも形成されているため、接着剤６０２は、配線層１２ｆ上にも塗布される。
　工程Ｓ６３において、接着剤６０２が塗布された透光性基体６０１に、半導体ウエハ１０３が接着され、部品４１が接着される。部品４１（部品４１－１と部品４１－２）は、配線層１２ｆと接続された状態で固定される。接着剤６０２は、部品４１と配線層１２ｆを電気的に接続する接着剤が用いられる。
　工程Ｓ６４以降の工程は、図１に示した工程Ｓ１４以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。
　このような工程により、図１１に示したような半導体装置１０ｆが完成する。
　＜第６の実施の形態における半導体装置の第２の製造＞
　図１１に示した半導体装置１０ｆの第２の製造について、図１３を参照して説明する。
　工程Ｓ７１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体７０１が用意される。この透光性基体７０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｆとなる部分が、既に形成されている。さらに、形成されている配線層１２ｆには、部品４１が実装されている。
　工程Ｓ７２において、接着剤７０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｆが既に形成され、部品４１が実装されている状態のため、接着剤７０２は、部品４１と接していない配線層１２ｆの領域上にも塗布される。
　工程Ｓ７３以降の工程は、図１２に示した工程Ｓ６３以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。
　このような工程により、図１１に示したような半導体装置１０ｆが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｆは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されているため、半導体装置１０ｆの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｆを小型化することができる。
　また、半導体チップ３２に隣接する位置に部品４１を配置することで、半導体チップ３２と部品４１を接続する導電膜１６の長さを短くすることができるため、ノイズの影響を低減させることができる。また、半導体装置１０ｆによれば、配線の自由度を高めた構成とすることができる。また、例えば、半導体装置１０ｆにメモリを接続するとき、外部端子３１を介して半導体装置１０ｆとメモリ（不図示）を接続することで、低消費電力化し、高速化することができる。
　＜半導体装置の第７の実施の形態＞
　次に、第７の実施の形態における半導体装置１０の構成と製造について説明する。
　図１４は、第７の実施の形態における半導体装置１０ｇの構成を示す図である。第７の実施の形態における半導体装置１０ｇは、図１１に示した第６の実施の形態における半導体装置１０ｆと基本的な構成は同様であるが、外部との接続に、配線層１２ｆ（図１４では配線層１２ｇ）を用いる構造とされている点が異なる。
　図１４を参照するに、半導体装置１０ｇは、配線層１２ｇの一部が露出した構造とされている。換言すれば、第６の実施の形態における半導体装置１０ｆにおいて部品４１－２が配置されていた部分の配線層１２ｇが、外部装置との接続用の電極として用いることができる構造とされている。
　また、図１４に示した半導体装置１０ｇは、外部装置と配線層１２ｇで接続できる構造とされているため、外部端子３１を備えない構成とされている。外部端子３１を設けない構成とした場合も、配線層１２ｇ以外で、外部装置と接続できる構成とすることも可能である。
　例えば、導電層１９は、画素領域外で、外部装置（と接続するための端子）と接続される構成とすることができる。図１４に示した半導体装置１０ｇは、外部端子３１を設けない構成を例示しているが、外部端子３１が設けられる所にある導電層１９は、形成されている例を示している。
　この導電層１９は、画素領域外に設けられている端子（不図示）と接続されており、その端子は、外部装置と接続される構成とされているようにすることができる。
　さらに、導電層１９を介して、外部装置と接続する構成としない場合、半導体装置１０ｇは、導電層１９を備えない構成とすることも可能である。
　上記した第１乃至第６の実施の形態においては、外部端子３１を備える構成を例に挙げて説明をしたが、第１乃至第６の実施の形態における半導体装置１０ａ乃至１０ｆを、外部端子３１を備えない構成とすることも可能であり、外部端子３１を備えない半導体装置１０も、本技術の適用範囲内である。
　本技術によれば、外部端子３１を設けることで、半導体装置１０の裏面側で、外部装置（例えば、メモリ）と接続する構成とすることもできるし、導電層１９を介して、外部装置と接続する構成とすることもできるし、配線層１２ｄで外部装置と接続する構成とすることも可能である。
　なお、第７の実施の形態においては、外部端子３１を備えない例を挙げて説明を続けるが、上記した第１乃至第６の実施の形態と同じく、外部端子３１を備える構成することも可能である。
　半導体装置１０は、外部装置とどのように接続するかにより、外部端子３１と導電層１９を備える構成、導電層１９を備えるが外部端子３１は備えない構成、または外部端子３１と導電層１９を備えない構成とすることができる。
　第７の実施の形態における半導体装置１０ｇは、配線層１２ｇの一部に外部装置と接続する領域を有するが、このような構成は、図１４に示したように、ザグリが形成されていない支持基板２７に対して適用することができる。また、図５に示した半導体装置１０ｃのように、ザグリが形成されている支持基板２７に、配線層１２ｇを設け、その配線層１２ｇの一部に外部装置と接続する領域を有す構成とすることも可能である。
　図１５は、半導体装置１０ｇの配線層１２ｇとＦＰＣ（Flexible Print Board）８０１が接続された例を示している。ＦＰＣ８０１には、コネクタ８０２が設けられている。このコネクタ８０２は、図示していない外部装置、例えば、携帯電話機のメインボードなどに接続される。
　配線層１２ｇとＦＰＣ８０１を接続する場合、配線層１２ｇとＦＰＣ８０１を接続する部分には、ＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film）端子８０３が形成される。なお、ＡＣＦ端子８０３以外の端子を用いて、配線層１２ｇとＦＰＣ８０１が接続されるようにしても良い。
　図１５に示したように、半導体装置１０ｇを、配線層１２ｇの一部を露出した構造（引き出し配線を設けた構造）とし、その露出されている配線層１２ｇとＦＰＣ８０１が接続されるようにすることができる。このような構成とすることで、半導体装置１０ｇを、ＦＰＣ８０１と簡便に接続できる構成とすることができる。
　また、半導体装置１０ｇを、ＦＰＣ８０１と簡便に接続できる構成とすることで、半導体装置１０ｇを、例えば、メインボードに設置するときに、その設置位置の制約を受けることなく設置することができる。換言すれば、メインボードに対する半導体装置１０ｇの設置位置の自由度を高めることができ、半導体装置１０ｇを、メインボードに設置するときの位置決め精度が高くなくても、メインボードに設置することが可能となる。
　図１６は、オートフォーカス（ＡＦ：Auto-Focus）機能を有するレンズユニットを、半導体装置１０ｇに装着した場合の装着例を示す図である。レンズユニット８５１は、アクチュエータ８６１、レンズバレル８６２、レンズ８６３から構成されている。
　レンズバレル８６２の内側には、レンズ８６３－１、レンズ８６３－２、レンズ８６３－３が組み込まれ、レンズバレル８６２は、それらのレンズ８６３－１乃至８６３－３を保持する構成とされている。レンズバレル８６２は、アクチュエータ８６１に内包され、半導体装置１０ｇは、アクチュエータ８６１の下部に装着される。
　レンズバレル８６２が図中、上下方向に可動するように構成し、オートフォーカスが行えように構成した場合、例えば、レンズバレル８６２の側面（レンズバレル８６２が装着されたレンズキャリ）に、コイルが設けられる。また、このコイルに対向する位置であり、アクチュエータ８６１の内側には、マグネットが設けられる。マグネットには、ヨークが備えられ、コイル、マグネット、およびヨークでボイスコイルモータが構成される。
　コイルに電流が流されると、図中上下方向に力が発生する。この発生された力で、レンズバレル８６２が上方向または下方向に移動する。レンズバレル８６２が移動することで、レンズバレル８６２が保持しているレンズ８６３－１乃至８６３－３と、半導体装置１０ａ（に含まれる撮像素子）の距離が変化する。このような仕組みにより、オートフォーカスを実現することができる。
　なお、他の仕組みでオートフォーカスが実現されるように構成することも可能であり、その実現の仕方に応じた構成とされる。
　レンズバレル８６２を、コイルに電流を流すことで可動するように構成した場合、そのコイルに電気を供給するためのＡＦ端子８７１を備える構成とされる。図１６に示すように、レンズユニット８５１の一部にＡＦ端子８７１が形成され、そのＡＦ端子８７１と、半導体装置１０ｇの配線層１２ｇの一部がハンダ８８１で接続される。
　半導体装置１０ｇと、レンズユニット８５１は、配線層１２ｇ、ハンダ８８１、およびＡＦ端子８７１で接続され、半導体装置１０ｇから、配線層１２ｇ、ハンダ８８１、およびＡＦ端子８７１を介して、レンズユニット８５１（内のコイル（不図示））に電力を供給することができる。
　図１６に示したように、レンズユニット８５１の足８５２は、貫通電極２６が配置されている領域や、部品４１が配置されている領域に配置することができる。部品４１は、図１６に示したように、半導体チップ３２の両側に配置することも可能であり、両側に配置することで、その領域にレンズユニット８５１の足８５２を配置することができる。
　よって、足８５２を配置するための領域を設ける必要がなく、部品４１を配置した領域を有効的に利用することができる。この点からも、レンズユニット８５１が装着された場合でも撮像装置１０ｇを小型化することができる。
　＜第７の実施の形態における半導体装置の製造＞
　図１４に示した半導体装置１０ｇの製造について、図１７を参照して説明する。
　工程Ｓ８１において、ガラスなどの透明な材料で形成されている透光性基体６０１が用意される。この透光性基体６０１には、個片化されたときに、半導体装置１０ｆの配線層１２ｇとなる部分が、既に形成されている。この工程Ｓ８１は、工程Ｓ６１（図１２）と同じである。
　工程Ｓ８２において、接着剤９０２が、透光性基体６０１の部品４１が配置される位置（領域）を含む領域（接着領域）のみに塗布される。接着領域内には、配線層１２ｇも形成されているため、接着剤９０２は、配線層１２ｇ上にも塗布される。ただし、工程Ｓ８２においては、配線層１２ｇの一部、換言すれば、ＡＣＦ端子８０３（図１５）や、ＡＦ端子８７１と接続するためのハンダ８８１と接続される領域には、接着剤９０２は、塗布されない。
　工程Ｓ８３以降の工程は、図１２に示した工程Ｓ６３以降の工程と基本的に同様の工程であるため、ここでは説明を省略する。
　このような工程により、図１４に示したような半導体装置１０ｇが完成する。
　このような工程により製造される半導体装置１０ｇは、半導体装置１０ａ（図１）と同じく、支持基体２７の一面に、半導体チップ３２と部品４１が並んで配置されているため、半導体装置１０ｇの全高を低背化することができる。すなわち、半導体装置１０ｇを小型化することができる。
　また、配線層１２ｇの一部を、露出した状態で形成することで、外部装置との接続を行う領域（端子など）を形成することができる。またそのような領域を設けた場合においても、半導体装置１０ｇの全高が低背化されることの妨げとなるようなことはなく、半導体装置１０ｇを小型化することができる。
　＜積層レンズ構造との組合せ＞
　上記した第１乃至第７の実施の形態における半導体装置１０ａ乃至１０ｇは、積層レンズ構造体と組み合わせることもできる。
　図１８は、積層レンズ構造体１０１１と半導体装置１０ａを組み合わせたカメラモジュール１０００の一例の構成を示す断面図である。
　カメラモジュール１０００は、複数のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅが積層された積層レンズ構造体１０１１と、半導体装置１０ａを含んで構成される。積層レンズ構造体１０１１は、 複数個の光学ユニット１０１３を備える。１点鎖線１０８４は、それぞれの光学ユニット１０１３の光軸を表す。
　半導体装置１０ａは、積層レンズ構造体１０１１の下側に配置されている。カメラモジュール１０００において、上方からカメラモジュール１０００内へと入射した光は、積層レンズ構造体１０１１を透過し、積層レンズ構造体１０１１の下側に配置された半導体装置１０ａで受光される。
　積層レンズ構造体１０１１は、積層された５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを備える。５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを特に区別しない場合には、単に、レンズ付き基板１０４１と記述して説明する。
　積層レンズ構造体１０１１を構成する各レンズ付き基板１０４１の貫通孔１０８３の断面形状は、下側(半導体装置１０ａを配置する側)に向かって開口幅が小さくなる、いわゆる下すぼみの形状となっている。
　積層レンズ構造体１０１１の上には、絞り板１０５１が配置されている。絞り板１０５１は、例えば、光吸収性もしくは遮光性を有する材料で形成された層を備える。絞り板１０５１には、開口部１０５２が設けられている。
　半導体装置１０ａは、第１の実施の形態として説明したように、例えば、表面照射型または裏面照射型のCMOSイメージセンサである。
　積層レンズ構造体１０１１、半導体装置１０ａ、絞り板１０５１などは、レンズバレル１０７４に収納されている。
　半導体装置１０ａの上側には、構造材１０７３が配置されている。その構造材１０７３を介して、積層レンズ構造体１０１１と半導体装置１０ａとが固定されている。構造材１０７３は、例えばエポキシ系の樹脂である。
　本実施の形態では、積層レンズ構造体１０１１は、積層された５枚のレンズ付き基板１０４１ａ乃至１０４１ｅを備えるが、レンズ付き基板１０４１の積層枚数は２枚以上であれば特に限定されない。
　積層レンズ構造体１０１１を構成するそれぞれのレンズ付き基板１０４１は、担体基板１０８１にレンズ樹脂部１０８２が追加された構成である。担体基板１０８１は貫通孔１０８３を有し、貫通孔１０８３の内側に、レンズ樹脂部１０８２が形成されている。レンズ樹脂部１０８２はレンズを含み、担体基板１０８１まで延在してレンズを担持する部位も併せて、レンズを構成する材料によって一体となった部分を表す。
　図１８では、半導体装置１０ａを例に挙げて説明したが、半導体装置１０ｂ乃至１０ｇのいずれかの半導体装置１０を積層レンズ構造体１０１１と組合せ、カメラモジュール１０００を構成することも可能である。
　＜電子機器＞
　本技術は、半導体装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。なお、電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
　図１９は、本開示の電子機器の一例である撮像装置の構成例を示すブロック図である。図７に示すように、本開示の撮像装置２０００は、レンズ群２００１等を含む光学系、撮像装置２００２、カメラ信号処理部であるＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、操作系２００７、及び、電源系２００８等を有している。
　そして、ＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、操作系２００７、及び、電源系２００８がバスライン２００９を介して相互に接続された構成となっている。ＣＰＵ３１０は、撮像装置２０００内の各部を制御する。
　レンズ群２００１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像装置２００２の撮像面上に結像する。撮像装置２００２は、レンズ群２００１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この撮像装置２００２として、先述した実施の形態に係る半導体装置１０を用いることができる。
　表示装置２００５は、液晶表示装置や有機ＥＬ(electro luminescence)表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像装置２００２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置２００６は、撮像装置２００２で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやＤＶＤ(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。
　操作系２００７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系２００８は、ＤＳＰ回路２００３、フレームメモリ２００４、表示装置２００５、記録装置２００６、及び、操作系２００７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
　このような撮像装置２０００は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールに適用される。そして、この撮像装置２０００において、撮像装置２００２として先述した実施の形態に係る半導体装置１０を用いることができる。
　＜内視鏡手術システムへの応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図２０は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図２０では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図２１は、図２０に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
　＜移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図２２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モーター等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図２３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図２３では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバーが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバーに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
　なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　透光性の透光性基体と、
　半導体チップと、
　前記半導体チップと信号を授受する部品と
　を備え、
　前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
　半導体装置。
（２）
　前記半導体チップは、撮像素子を含む
　前記（１）に記載の半導体装置。
（３）
　前記部品は、受動部品、ＩＣ（Integrated Circuit）またはＫＧＤ（Known Good Die）である
　前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
　前記半導体チップと前記部品は、接着剤で前記透光性基体に接続されている
　前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
　前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、中空とされている
　前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
　前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、透過性の材料が充填されている
　前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
　前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記部品が配置されている
　前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）
　前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記半導体チップが配置されている
　前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の半導体装置。
（９）
　前記透過性基体の前記部品が配置される領域には、配線層が形成されている
　前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の半導体装置。
（１０）
　前記配線層の一部は、前記部品と接続され、他の一部は、外部装置と接続される
　前記（９）に記載の半導体装置。
（１１）
　前記外部装置は、ＦＰＣ（Flexible Print Board）である
　前記（１０）に記載の半導体装置。
（１２）
　前記外部装置は、レンズを駆動するアクチュエータに電力を供給するための端子である
　前記（１０）に記載の半導体装置。
（１３）
　前記半導体チップは、前記透過性基体が固定されている面と対向する面に、電極を備える
　前記（１）乃至（１２）のいずれかに記載の半導体装置。
（１４）
　透光性の透光性基体と、
　撮像素子を含む半導体チップと、
　前記半導体チップと信号を授受する部品と、
　前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットと
　を備え、
　前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
　電子機器。
（１５）
　透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、
　前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する
　製造方法。
（１６）
　撮像素子が形成されている前記半導体チップを、前記透光性基体に固定する
　前記（１５）に記載の製造方法。
（１７）
　一部分が薄く形成されている前記透光性基体に、前記接着剤を塗布し、前記部品を前記薄く形成されている部分に固定する
　前記（１５）または（１６）に記載の製造方法。
（１８）
　前記部品が配置される領域に配線層が形成されている前記透過性基体の前記配線層の一部に、前記部品を前記接着剤で固定し、
　前記配線層の前記部品が固定されていない部分に、外部装置を接続する
　前記（１５）乃至（１７）のいずれかに記載の製造方法。
　１０　半導体装置，　１１　半導体基体，　１２　配線層，　１３　パッド電極，　１７　絶縁層，　２０　保護層，　２６　貫通電極，　２７　支持基体，　２８　接着層，　２９　マイクロレンズ，　３０　カラーフィルタ，　３１　外部端子，　３２　半導体チップ，　４１　部品，　１０１　透光性基体，　１０２　接着剤，　１０３　半導体ウエハ

Claims (18)

  1. 　透光性の透光性基体と、
    　半導体チップと、
    　前記半導体チップと信号を授受する部品と
    　を備え、
    　前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
    　半導体装置。
  2. 　前記半導体チップは、撮像素子を含む
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記部品は、受動部品、ＩＣ（Integrated Circuit）またはＫＧＤ（Known Good Die）である
    　請求項１に記載の半導体装置。
  4. 　前記半導体チップと前記部品は、接着剤で前記透光性基体に接続されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  5. 　前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、中空とされている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  6. 　前記透光性基体と前記半導体チップとの間は、透過性の材料が充填されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  7. 　前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記部品が配置されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  8. 　前記透過性基体の一部は、薄く形成され、その薄く形成されている部分に、前記半導体チップが配置されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  9. 　前記透過性基体の前記部品が配置される領域には、配線層が形成されている
    　請求項１に記載の半導体装置。
  10. 　前記配線層の一部は、前記部品と接続され、他の一部は、外部装置と接続される
    　請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記外部装置は、ＦＰＣ（Flexible Print Board）である
    　請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記外部装置は、レンズを駆動するアクチュエータに電力を供給するための端子である
    　請求項１０に記載の半導体装置。
  13. 　前記半導体チップは、前記透過性基体が固定されている面と対向する面に、電極を備える
    　請求項１に記載の半導体装置。
  14. 　透光性の透光性基体と、
    　撮像素子を含む半導体チップと、
    　前記半導体チップと信号を授受する部品と、
    　前記撮像素子に光を集光させるレンズを備えるレンズユニットと
    　を備え、
    　前記半導体チップと前記部品は、前記透光性基体の同一面上に配置されている
    　電子機器。
  15. 　透光性の透光性基体に接着剤を塗布し、
    　前記透光性基体に、半導体チップと、前記半導体チップと信号を授受する部品を前記接着剤で固定することで半導体装置を製造する
    　製造方法。
  16. 　撮像素子が形成されている前記半導体チップを、前記透光性基体に固定する
    　請求項１５に記載の製造方法。
  17. 　一部分が薄く形成されている前記透光性基体に、前記接着剤を塗布し、前記部品を前記薄く形成されている部分に固定する
    　請求項１５に記載の製造方法。
  18. 　前記部品が配置される領域に配線層が形成されている前記透過性基体の前記配線層の一部に、前記部品を前記接着剤で固定し、
    　前記配線層の前記部品が固定されていない部分に、外部装置を接続する
    　請求項１５に記載の製造方法。
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