WO2019043761A1

WO2019043761A1 - 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法

Info

Publication number: WO2019043761A1
Application number: PCT/JP2017/030790
Authority: WO
Inventors: 誠二金子; 庸輔神崎; 貴翁斉藤; 昌彦三輪; 雅貴山中
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2017-08-28
Filing date: 2017-08-28
Publication date: 2019-03-07
Anticipated expiration: 2020-02-28
Also published as: US20190372032A1

Abstract

右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）においては、防湿層（３）とゲート絶縁層（５）と第２絶縁層（７）と第３絶縁層（９）との無機膜から露出する下地ＰＩ層（２）を覆う感光性ＰＩ層（１０）が形成されている。

Description

表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法

　本発明は、表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法に関するものである。

　近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されており、特に、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：エレクトロルミネッセンス）表示装置及び無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬ表示装置等のＥＬ表示装置等は、高画質化及び低消費電力化を実現できることから高い注目を浴びている。

　そして、このようなＥＬ表示装置や反射型の液晶表示素子を備えた表示装置などのように、バックライトを備える必要がない表示装置については、自由に曲げることができるように、フレキシブル表示装置化への要求が高い。

　信頼性の高いフレキシブル表示装置（可撓性表示装置）を実現するためには、フレキシブル表示装置の製造工程において必須工程として含まれる高温工程である、アクティブ素子（例えば、ＴＦＴ素子）の形成工程などは、高耐熱性及び非可撓性基板である例えば、ガラス基板上で行い、その後、このガラス基板を剥離し、可撓性を確保する方法が一般的に用いられている。

　特許文献１には、ＬａｓｅｒＬｉｆｔＯｆｆ工程（ＬＬＯ工程ともいう）を含むフレキシブル表示装置の製造方法について記載されている。

国際公開公報「ＷＯ２０１５/００８６４２」公報（２０１５年０１月２２日公開）

　このようなＬＬＯ工程を含むフレキシブル表示装置の製造方法においても、生産性を向上するという観点から大型のガラス基板（マザーガラス基板ともいう）に対してＬＬＯ工程を行う必要がある。

　ＬＬＯ工程においては、大型のガラス基板（非可撓性基板）の一方側の面上に、例えば、ポリイミド樹脂からなるＰＩ層を形成する必要があるが、この際には、スリットコータを用いてＰＩ層を塗布するのが一般的である。なお、必要に応じて、熱吸収層を形成した後、この熱吸収層上に、ポリイミド樹脂からなるＰＩ層を形成してもよい。

　しかしながら、スリットコータを用いて大型のガラス基板上に形成したＰＩ層の場合、塗布するポリイミド樹脂の粘度などにより、その程度に差は生じるが、スリットコータの塗布開始端、スリットコータの塗布終了端、スリットコータの移動方向の右端及びスリットコータの移動方向の左端において、ＰＩ層の他の部分より膜厚が薄い領域が形成されてしまう。

　このようなＰＩ層の膜厚が薄い領域、すなわち、大型のガラス基板の４辺の端部領域においては、ＬＬＯ工程に含まれる、大型のガラス基板側からレーザー光を照射することで、ＰＩ層と大型のガラス基板との界面でアブレーションを起こし、大型のガラス基板をＰＩ層から剥離する工程（デラミネーション工程ともいう）において、剥離不具合が生じるという問題がある。

　このデラミネーション工程は、フレキシブル表示装置の製造工程中、比較的最後の方に近い工程であるため、このデラミネーション工程において、剥離不具合が生じると、歩留まりの低下のみでなく、製造コストも大幅に上がってしまう。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板と、ＬＬＯ工程に含まれる、大型のガラス基板を、例えば、ポリイミド樹脂からなるＰＩ層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制させた可撓性表示装置の製造方法と、を提供することを目的とする。

　本発明の可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、非可撓性基板の一方側の面上に、第１樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第１樹脂層を形成する第１工程と、上記第１樹脂層上に、１層以上の無機膜を形成する第２工程と、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第１樹脂層を露出させる第３工程と、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、第２樹脂層を、上記第１樹脂層上に形成する第４工程と、上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第５工程と、上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第６工程と、を含むことを特徴としている。

　上記方法によれば、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記第２樹脂層を、上記第１樹脂層上に形成しているので、膜厚が薄く形成された上記第１樹脂層においても、ＬＬＯ工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。

　本発明の可撓性表示装置は、上記の課題を解決するために、一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第１樹脂層が形成されており、上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、上記第１樹脂層上には、１層以上の無機膜が形成されており、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されていることを特徴としている。

　上記構成によれば、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されているので、膜厚が薄く形成された上記第１樹脂層においても、ＬＬＯ工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

　本発明の一態様によれば、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板と、ＬＬＯ工程に含まれる、大型のガラス基板をポリイミド樹脂からなるＰＩ層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制させた可撓性表示装置の製造方法と、を提供できる。

ガラス基板の各ＰＩ塗布端部からの距離による下地ＰＩ層の膜厚の変化を示す図である。図１において用いられたガラス基板の各端部を示す図である。図１において用いられたガラス基板の各端部において、下地ＰＩ層が薄く形成された模様を示す図である。下地ＰＩ層が形成されたガラス基板の一部を示す図である。折り曲げ領域（ＢＡ）を有するフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。図５に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置の端子部の製造工程の一例を説明するための図である。フレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程に含まれるＬａｓｅｒＬｉｆｔＯｆｆ工程（ＬＬＯ工程ともいう）を説明するための図である。実施形態２のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。実施形態３のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。実施形態４のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。実施形態５のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

　本発明の実施の形態について図１から図１１に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　なお、以下の各実施形態においては、表示素子（光学素子）の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、電圧によって輝度や透過率が制御され、バックライトを必要としない、反射型の液晶表示素子などであってもよい。

　上記表示素子（光学素子）は、電流によって輝度や透過率が制御される光学素子であってもよく、電流制御の光学素子としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイ、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等がある。

　〔実施形態１〕
　図１から図７に基づき、本発明の実施形態１について説明する。

　図１は、第１ポリイミド樹脂層（第１樹脂層）である下地ＰＩ層２の高耐熱性及び非可撓性基板である大型のガラス基板１の各ＰＩ塗布端部からの距離による膜厚の変化を示す図である。

　図２は、ガラス基板１の各端部を示す図である。

　図３は、ガラス基板１の各端部において、下地ＰＩ層２が薄く形成された模様を示す図である。

　図４は、下地ＰＩ層２が形成され、かつ、表示領域（ＡＡ）、折り曲げ領域（ＢＡ）及び端子領域（ＴＡ）を備えた複数の有機ＥＬ表示装置１ｕを含む大型のガラス基板１（マザーガラス基板）の一部を示す図である。

　図２に図示しているように、ガラス基板１上に下地ＰＩ層２を、図中の左方向から右方向にスリットコータを移動させながら塗布すると、図中の左端部が塗布開始端となり、図中の右端部が塗布終了端となり、図中の上端部がスリットコータ移動方向の左端となり、図中の下端部がスリットコータ移動方向の右端となる。

　図１に図示しているように、塗布開始端においては、図２の矢印Ａの位置に対応する塗布開始端の中央部分（Ａ）と、図２の矢印Ｅの位置に対応する塗布開始端の左端部分（Ｅ）と、図２の矢印Ｆの位置に対応する塗布開始端の右端部分（Ｆ）とにおいての下地ＰＩ層２の膜厚変化を示しており、塗布終了端においては、図２の矢印Ｂの位置に対応する塗布終了端の中央部分（Ｂ）においての下地ＰＩ層２の膜厚変化を示しており、スリットコータ移動方向の左端においては、図２の矢印Ｃの位置に対応するスリットコータ移動方向の左端の中央部分（Ｃ）においての下地ＰＩ層２の膜厚変化を示しており、スリットコータ移動方向の右端においては、図２の矢印Ｄの位置に対応するスリットコータ移動方向の右端の中央部分（Ｄ）においての下地ＰＩ層２の膜厚変化を示している。

　ガラス基板１上に形成する下地ＰＩ層２の目標膜厚を、例えば２０μｍとし、その許容可能最大膜厚を２３μｍ、その許容可能最小膜厚を１７μｍとした場合、ガラス基板１の各ＰＩ塗布端から６．５ｍｍ（６５００μｍ）以上離れた領域において、下地ＰＩ層２の膜厚が上記許容可能膜厚範囲内に収まることがわかる。

　一方、図１に図示されているように、ガラス基板１の各ＰＩ塗布端から１．０ｍｍ（１０００μｍ）以内の領域においては、下地ＰＩ層２の膜厚が、許容可能最小膜厚１７μｍ未満であり、かつ、ガラス基板１の中央部分から端部に行く程、その膜厚が薄くなる傾斜形状に形成されている。

　図３の（ａ）は、ガラス基板１の塗布開始端から１．０ｍｍ以内の領域に形成された下地ＰＩ層２を示す図であり、図３の（ｂ）は、ガラス基板１の塗布終了端から１．０ｍｍ以内の領域に形成された下地ＰＩ層２を示す図である。

　ガラス基板１の各ＰＩ塗布端から１．０ｍｍ以内の領域、例えば、図３の（ａ）及び図３の（ｂ）に図示した形状の下地ＰＩ層２が形成された部分においては、ＬＬＯ工程に含まれ、大型のガラス基板１側からレーザー光を照射することで、下地ＰＩ層２と大型のガラス基板１との界面でアブレーションを起こし、大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程ともいう）において、剥離不具合が生じるという問題がある。

　このデラミネーション工程は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程中、比較的最後の方に近い工程であるため、このデラミネーション工程において、剥離不具合が生じると、歩留まりの低下のみでなく、製造コストも大幅に上がってしまう。

　本実施形態においては、ガラス基板１の各ＰＩ塗布端から１．０ｍｍ以内の領域において、剥離不具合が生じる場合を一例に挙げて説明したが、ガラス基板１の各ＰＩ塗布端からどの程度の距離離れた領域までにおいて、剥離不具合が生じるかは、下地ＰＩ層２を形成する材料の粘度などによって変わる。

　下地ＰＩ層２を形成する材料の粘度が比較的高い場合には、剥離不具合が生じる領域が狭くなる傾向にあり、下地ＰＩ層２を形成する材料の粘度が比較的低い場合には、剥離不具合が生じる領域が広くなる傾向にある。

　なお、本実施形態においては、ガラス基板１上に直接、下地ＰＩ層２を形成した場合を一例に挙げて説明したが、必要に応じて、ガラス基板１上に熱吸収層（図示せず）を形成した後、この熱吸収層上に、下地ＰＩ層２を形成してもよい。

　図４に図示しているように、複数の有機ＥＬ表示装置１ｕを含む大型のガラス基板１における下地ＰＩ層２の端から例えば、１．０ｍｍ以内の領域は、下地ＰＩ層２の膜厚が、外側に行く程、徐々に薄くなる傾斜形状に形成された下地ＰＩ層２の端部領域（ＥＲ）となる。

　図示されているように、下地ＰＩ層２の枠状の端部領域（ＥＲ）は、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）と、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）と、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）と、図示していない左側ＰＩ層傾斜領域とからなる。

　そして、下地ＰＩ層２の枠状の端部領域（ＥＲ）の内側が、下地ＰＩ層２の中央領域（ＣＲ）であり、下地ＰＩ層２の中央領域（ＣＲ）においては、下地ＰＩ層２の膜厚は所定範囲内で略均一に形成されている。

　したがって、この下地ＰＩ層２の中央領域（ＣＲ）を利用して、有機ＥＬ表示装置１ｕに含まれる表示領域（ＡＡ）、折り曲げ領域（ＢＡ）及び端子領域（ＴＡ）などが形成されることとなる。

　以下、図５から図７に基づいて、ガラス基板１の各ＰＩ塗布端から所定距離以内の領域において、下地ＰＩ層２が、許容可能最小膜厚未満で形成されたガラス基板１を用いても、ＬＬＯ工程に含まれる、ガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置を製造できる理由について説明する。

　なお、本実施形態においては、下地ＰＩ層２の枠状の端部領域（ＥＲ）である右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）においてのみその露出部分が感光性ＰＩ層１０によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分が感光性ＰＩ層１０によって覆われるようにしてもよく、全ての領域（四つの領域）において、その露出部分が感光性ＰＩ層１０によって覆われるようにすることがより好ましい。

　図５は、折り曲げ領域（ＢＡ）を有するフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。

　図５の（ａ）から図５の（ｃ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の非表示領域は、折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）と右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とを含み、表示領域（ＡＡ）の周辺には、表示領域（ＡＡ）と隣接する折り曲げ領域（ＢＡ）と、折り曲げ領域（ＢＡ）より外側の端子領域（ＴＡ）と、端子領域（ＴＡ）より外側の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とが備えられている。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）は、図４に図示したように、ガラス基板１上に形成される下地ＰＩ層２の膜厚が、表示領域（ＡＡ）、折り曲げ領域（ＢＡ）及び端子領域（ＴＡ）より薄く形成された領域である。

　図５の（ａ）に図示されているように、先ず、スリットコータ（図示せず）を用いて、非可撓性基板としてのガラス基板１上に下地ＰＩ層２を塗布した（Ｓ１工程）。

　下地ＰＩ層２は、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）とにおいての膜厚より右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）の膜厚が薄く形成されているとともに、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）においては、端子領域（ＴＡ）から近い方から端子領域（ＴＡ）から遠い方に行く程、膜厚が薄くなるように形成されている。

　本実施形態においては、後工程に含まれる高温工程と、後工程においてレーザー光を通すこととを考慮し、高耐熱性を有するガラス基板１を用いる場合を一例に挙げて説明するが、後工程に含まれる高温工程に耐えることができ、かつ、後工程においてレーザー光を通すことができるのであれば、ガラス基板に限定されることはない。

　次に、図５の（ａ）に図示されているように、下地ＰＩ層２上に防湿層３（バリア層ともいう）を形成した（Ｓ２工程）。

　防湿層３は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の使用時に、水分や不純物が、アクティブ素子や表示素子に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　そして、図示してないが、表示領域（ＡＡ）において、防湿層３上に半導体層を所定形状に形成し（Ｓ３工程）、その後、図５の（ａ）に図示されているように、防湿層３及び上記半導体層を覆う第１絶縁層としてのゲート絶縁層５を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）と右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とに形成した（Ｓ４工程）。

　ゲート絶縁層５は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　それから、図示してないが、表示領域（ＡＡ）において、ゲート絶縁層５上に、ゲート電極と容量電極とを所定形状に形成し（Ｓ５工程）、その後、ゲート絶縁層５、ゲート電極、容量電極及びゲート電極引き伸ばし配線６ｃを覆う第２絶縁層７を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）と右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とに形成した（Ｓ６工程）。

　第２絶縁層７は、キャパシタ（容量素子）形成用の絶縁膜層であり、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜であってもよい。

　次に、図示してないが、表示領域（ＡＡ）において、第２絶縁層７上に容量電極と平面視において重なる容量対向電極を所定形状に形成し（Ｓ７工程））、その後、第２絶縁層７と上記容量対向電極とを覆う第３絶縁層９を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）と右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とに形成した（Ｓ８工程）。

　第３絶縁層９は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　次に、図５の（ａ）及び図５の（ｂ）に図示されているように、所定部分に開口を有するレジスト１６をマスクとして、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、折り曲げホール（ＢＨ）を形成し、折り曲げ領域（ＢＡ）を形成するとともに、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が露出するように、所定部分に開口を有するレジスト１６をマスクとして、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、下地ＰＩ層２の露出ホール（ＰＨ）を形成した（Ｓ９工程）。

　なお、折り曲げホール（ＢＨ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の折り曲げ領域（ＢＡ）での１８０度折り曲げや曲げやすさなどを考慮すると、無機膜からなる積層膜全体を除去して形成することが好ましいが、無機膜からなる積層膜中、上側の１つ以上の膜のみを除去して形成してもよい。

　また、本実施形態においては、ドライエッチングを行い、折り曲げホール（ＢＨ）と、下地ＰＩ層２の露出ホール（ＰＨ）とを形成したが、これに限定されることはない。

　次に、図５の（ｃ）に図示されているように、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）としての感光性ＰＩ層１０が、下地ＰＩ層２の上記露出部分、すなわち、下地ＰＩ層２上において、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、下地ＰＩ層２の露出ホール（ＰＨ）を形成した部分を覆い、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が感光性ＰＩ層１０によって覆われるようにした（Ｓ１０工程）。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）における下地ＰＩ層２と感光性ＰＩ層１０とを合わせた膜厚が、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）とにおける下地ＰＩ層２の膜厚以上となるように、感光性ＰＩ層１０を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。

　本実施形態においては、感光性ＰＩ層１０を所定以上の膜厚で形成するため、図５の（ｃ）に図示されているように、感光性ＰＩ層１０の右端のように、露光及び現像工程によって、膜厚が薄く形成された感光性ＰＩ層１０は除去している。

　さらに、本実施形態においては、感光性ＰＩ層１０を用いて、折り曲げ領域（ＢＡ）の折り曲げホール（ＢＨ）を埋めている。

　感光性ＰＩ層１０は、感光性材料を含むポリイミド樹脂であり、ポジ型であってもネガ型であってもよい。

　また、本実施形態においては、第２ポリイミド樹脂層として感光性ＰＩ層１０を用いているが、これに限定されることはなく、第２ポリイミド樹脂層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂であってもよく、このような場合には、図５の（ｃ）に図示されているような感光性ＰＩ層１０の右端の形状は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングを行い形成することができる。

　図６は、図５に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置の端子部の製造工程の一例を説明するための図である。

　図５の（ｃ）及び図６に図示されているように、第２絶縁層７及び第３絶縁層９にコンタクトホール（ＣＨ）を形成した後、コンタクトホール（ＣＨ）を介して、ゲート電極引き伸ばし配線６ｃと接触する引き回し配線１１ｄを所定形状で形成した。

　そして、第３絶縁層９、感光性ＰＩ層１０及び引き回し配線１１ｄを覆うように平坦化層としての感光性平坦化層１２を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）とに形成した。

　感光性平坦化層１２には、引き回し配線１１ｄと平面視において重なる開口１２ａが設けられており、この開口１２ａを介して、引き回し配線１１ｄが露出している部分が端子部である。

　なお、本実施形態においては、図６に図示した構成の端子部を採用したが、これに限定されることはなく、図６に図示した構成以外の端子部を採用することができるのは言うまでもない。

　本実施形態においては、感光性平坦化層１２を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）とに設けている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、感光性平坦化層１２を、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）と右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）とに設けてもよい。

　なお、本実施形態においては、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる点を考慮し、感光性平坦化層１２として、感光性材料を含むポリイミド樹脂を用いたがこれに限定されることはなく、感光性材料を含むアクリル樹脂であってもよい。

　なお、感光性平坦化層１２は、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口が形成されるポジ型を用いた。

　また、本実施形態においては、平坦化層として感光性平坦化層１２を用いているが、平坦化層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂であってもよく、このような場合には、開口は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングなどで形成することができる。

　図７は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程に含まれるＬａｓｅｒＬｉｆｔＯｆｆ工程（ＬＬＯ工程ともいう）を説明するための図である。

　なお、図７においては、フレキシブル有機ＥＬ表示装置において、防湿層３より上層であって、表示素子１４に含まれる図示していない第１電極より下層である積層膜は、積層膜１７として図示している。

　積層膜１７上には、複数の赤色発光有機ＥＬ素子１４Ｒ、複数の緑色発光有機ＥＬ素子１４Ｇ及び複数の青色発光有機ＥＬ素子１４Ｂが形成されており、複数の赤色発光有機ＥＬ素子１４Ｒ、複数の緑色発光有機ＥＬ素子１４Ｇ及び複数の青色発光有機ＥＬ素子１４Ｂを覆うように封止膜１５が形成されている。

　また、図示してないが、第１電極の各々の端部を取り囲むように、エッジカバーが形成されている。

　赤色発光有機ＥＬ素子１４Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子１４Ｇ及び青色発光有機ＥＬ素子１４Ｂの各々は、例えば、図示してないが、第１電極、正孔注入層、正孔輸送層、各色の発光層、電子輸送層、電子注入層及び第２電極の積層体である。

　封止膜１５は、赤色発光有機ＥＬ素子１４Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子１４Ｇ及び青色発光有機ＥＬ素子１４Ｂを覆い、水、酸素等の異物の浸透を防ぐ。封止膜１５は、第１無機封止膜と、第１無機封止膜よりも上層に形成され、バッファ膜として機能する有機封止膜と、第１無機封止膜及び有機封止膜を覆う第２無機封止膜とを含んでいてもよい。

　第１無機封止膜及び第２無機封止膜はそれぞれ、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜は、第１無機封止膜及び第２無機封止膜よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させてもよい。

　なお、上記エッジカバーは、ポリイミドやアクリル等で形成することができる。

　図７の（ａ）に図示されているように、非可撓性基板であるガラス基板１側からレーザー光を照射し、下地ＰＩ層２とガラス基板１との界面でアブレーションを起こした。

　それから、図７の（ｂ）に図示されているように、ガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離した。

　最後に、図７の（ｃ）に図示されているように、可撓性基板であるフィルム基板１９の一方側の面１９ａに設けられえた接着層（図示せず）を介して、フィルム基板１９を下地ＰＩ層２に貼り付けて、フレキシブル有機ＥＬ表示装置３０を完成した。

　以上のように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置３０によれば、図６に図示されているように、感光性ＰＩ層１０が、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域を覆うように形成されているので、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、膜厚が薄く形成された下地ＰＩ層２においても、ＬＬＯ工程に含まれる、図７の（ｂ）に図示した大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置３０を実現できる。

　また、フレキシブル有機ＥＬ表示装置３０によれば、図６に図示されているように、折り曲げ領域（ＢＡ）を埋める樹脂層である感光性ＰＩ層１０を用いて、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域を覆っているので、下地ＰＩ層２の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。

　なお、本実施形態においては、引き回し配線１１ｄをゲート電極引き伸ばし配線６ｃと電気的に接続させた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、引き回し配線１１ｄを、例えば、ソース電極引き伸ばし配線などと電気的に接続させてもよい。

　本実施形態においては、第１ポリイミド樹脂層として下地ＰＩ層２を、第２ポリイミド樹脂層として感光性ＰＩ層１０を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。

　〔実施形態２〕
　次に、図８に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態においては、感光性ＰＩ層１０ではなく、感光性平坦化層１２を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っている点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図８は、本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

　図８に図示されているように、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）としての感光性平坦化層１２が、下地ＰＩ層２の上記露出部分、すなわち、下地ＰＩ層２上において、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、下地ＰＩ層２の露出ホールを形成した部分を覆い、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層１２によって覆われるようにした。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）における下地ＰＩ層２と感光性平坦化層１２とを合わせた膜厚が、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）の下地ＰＩ層２の膜厚以上となるように、感光性平坦化層１２を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。

　そして、感光性平坦化層１２は、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）とにおいては、第３絶縁層９と、折り曲げ領域（ＢＡ）を埋める感光性ＰＩ層１０と、引き回し配線１１ｄとを覆うように形成されている。

　図８に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層１２によって覆われているので、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、膜厚が薄く形成された下地ＰＩ層２においても、ＬＬＯ工程に含まれる、図７の（ｂ）に図示した大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置を実現できる。

　また、図８に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、感光性平坦化層１２を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っているので、下地ＰＩ層２の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。

　本実施形態においては、第１ポリイミド樹脂層（第１樹脂層）として下地ＰＩ層２を、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）として感光性平坦化層１２を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。

　なお、本実施形態においては、下地ＰＩ層２の枠状の端部領域（ＥＲ）である右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）においてのみその露出部分が感光性平坦化層１２によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分が感光性平坦化層１２によって覆われるようにしてもよく、全ての領域（四つの領域）において、その露出部分が感光性平坦化層１２によって覆われるようにすることがより好ましい。

　〔実施形態３〕
　次に、図９に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態においては、感光性ＰＩ層１０または感光性平坦化層１２ではなく、エッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層）を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っている点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図９は、本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

　図９の（ａ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域（ＡＡ）の概略構成を示す図であり、図９の（ｂ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域（ＡＡ）、折り曲げ領域（ＢＡ）、端子領域（ＴＡ）及び右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）の概略構成を示す図である。

　図９の（ａ）に図示されているように、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域（ＡＡ）においては、防湿層３上に半導体層４が所定形状に形成されており、防湿層３と半導体層４とを覆うように、ゲート絶縁層５が形成されている。

　そして、ゲート絶縁層５上には、ゲート電極６ａと容量電極６ｂとが所定形状に形成されており、ゲート絶縁層５、ゲート電極６ａ、容量電極６ｂ及びゲート電極引き伸ばし配線６ｃ（図９の（ｂ）に図示）を覆うように、第２絶縁層７が形成されている。

　それから、図示されているように、半導体層４とのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、半導体層４と接触するドレイン配線１１ａと、ゲート電極６ａとのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、ゲート電極６ａと接触するゲート配線１１ｂと、容量対向電極８とのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、容量対向電極８と接触する容量配線１１ｃとが形成されている。

　そして、第３絶縁層９と、ドレイン配線１１ａと、ゲート配線１１ｂと、容量配線１１ｃとを覆うように、感光性平坦化層１２が形成されている。

　表示領域（ＡＡ）において、感光性平坦化層１２には、ドレイン配線１１ａと平面視において重なる位置に開口１２ａが形成されており、感光性平坦化層１２上には、アクティブ素子（本実施形態においては、ＴＦＴ素子）及び表示素子（図示せず）と電気的に接続された第１電極（電極層）１３が形成されている。

　第１電極１３は、開口１２ａを介して、ドレイン配線１１ａと電気的に接続されており、第１電極１３の端部を覆うようにエッジカバー層２０が、第１電極１３及び感光性平坦化層１２上に形成されている。

　エッジカバー層２０は、感光性材料を含むポリイミド樹脂であり、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口が形成されるポジ型を用いた。

　また、本実施形態においては、エッジカバー層２０として感光性材料を含むポリイミド樹脂を用いているが、これに限定されることはなく、エッジカバー層２０は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂であってもよく、このような場合には、パターニングは、感光性材料を含まないポリイミド樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングを行い形成することができる。

　図９の（ｂ）に図示されているように、第１ポリイミド樹脂層（第１樹脂層）である下地ＰＩ層２の露出部分を、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）であるエッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層２０）が覆っている。

　すなわち、第２ポリイミド樹脂層としてのエッジカバー層２０が、下地ＰＩ層２の上記露出部分、すなわち、下地ＰＩ層２上において、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、下地ＰＩ層２の露出ホールを形成した部分を覆い、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層２０によって覆われるようにした。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）における下地ＰＩ層２とエッジカバー層２０とを合わせた膜厚が、表示領域（ＡＡ）と折り曲げ領域（ＢＡ）と端子領域（ＴＡ）の下地ＰＩ層２の膜厚以上となるように、エッジカバー層２０を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。

　図９に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層２０によって覆われているので、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、膜厚が薄く形成された下地ＰＩ層２においても、ＬＬＯ工程に含まれる、図７の（ｂ）に図示した大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置を実現できる。

　また、図９に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層２０を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っているので、下地ＰＩ層２の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。

　本実施形態においては、第１ポリイミド樹脂層として下地ＰＩ層２を、第２ポリイミド樹脂層としてエッジカバー層２０を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。

　なお、本実施形態においては、下地ＰＩ層２の枠状の端部領域（ＥＲ）である右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）においてのみその露出部分がエッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層）によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）、上側ＰＩ層傾斜領域（ＵＰＡ）、下側ＰＩ層傾斜領域（ＬＰＡ）及び図示していない左側ＰＩ層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分がエッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層）によって覆われるようにしてもよく、全ての領域（四つの領域）において、その露出部分がエッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層）によって覆われるようにすることがより好ましい。

　〔実施形態４〕
　次に、図１０に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態においては、折り曲げ領域（ＢＡ）が備えられていない点において、実施形態２とは異なり、その他については実施形態２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０は、本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

　図１０に図示されているように、第１ポリイミド樹脂層（第１樹脂層）である下地ＰＩ層２の露出部分を、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）である感光性平坦化層１２が覆っている。

　すなわち、第２ポリイミド樹脂層としての感光性平坦化層１２が、下地ＰＩ層２の上記露出部分、すなわち、下地ＰＩ層２上において、防湿層３、ゲート絶縁層５、第２絶縁層７及び第３絶縁層９を除去して、下地ＰＩ層２の露出ホールを形成した部分を覆い、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層１２によって覆われるようにした。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）における下地ＰＩ層２と感光性平坦化層１２とを合わせた膜厚が、表示領域（ＡＡ）と端子領域（ＴＡ）の下地ＰＩ層２の膜厚以上となるように、感光性平坦化層１２を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。

　図１０に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層１２によって覆われているので、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、膜厚が薄く形成された下地ＰＩ層２においても、ＬＬＯ工程に含まれる、図７の（ｂ）に図示した大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置を実現できる。

　また、図１０に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、感光性平坦化層１２を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っているので、下地ＰＩ層２の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。

　本実施形態においては、第１ポリイミド樹脂層として下地ＰＩ層２を、第２ポリイミド樹脂層として感光性平坦化層１２を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。

　〔実施形態５〕
　次に、図１１に基づき、本発明の実施形態５について説明する。本実施形態においては、本実施形態においては、折り曲げ領域（ＢＡ）が備えられていない点において、実施形態３とは異なり、その他については実施形態３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１１は、本実施形態のフレキシブル有機ＥＬ表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

　図１１の（ａ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域（ＡＡ）の概略構成を示す図であり、図１１の（ｂ）は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置の表示領域（ＡＡ）、端子領域（ＴＡ）及び右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）の概略構成を示す図である。

　図１１の（ｂ）に図示されているように、第１ポリイミド樹脂層（第１樹脂層）である下地ＰＩ層２の露出部分を、第２ポリイミド樹脂層（第２樹脂層）であるエッジカバー層２０（エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層）が覆っている。

　なお、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）における下地ＰＩ層２とエッジカバー層２０とを合わせた膜厚が、表示領域（ＡＡ）と端子領域（ＴＡ）の下地ＰＩ層２の膜厚以上となるように、エッジカバー層２０を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。

　図１１に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、下地ＰＩ層２の右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層２０によって覆われているので、右側ＰＩ層傾斜領域（ＲＰＡ）において、膜厚が薄く形成された下地ＰＩ層２においても、ＬＬＯ工程に含まれる、図７の（ｂ）に図示した大型のガラス基板１を下地ＰＩ層２から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機ＥＬ表示装置を実現できる。

　また、図１１に図示したフレキシブル有機ＥＬ表示装置によれば、エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層２０を用いて、下地ＰＩ層２の露出部分を覆っているので、下地ＰＩ層２の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、非可撓性基板の一方側の面上に、第１樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第１樹脂層を形成する第１工程と、上記第１樹脂層上に、１層以上の無機膜を形成する第２工程と、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第１樹脂層を露出させる第３工程と、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、第２樹脂層を、上記第１樹脂層上に形成する第４工程と、上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第５工程と、上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第６工程と、を含むことを特徴としている。

　本発明の態様２に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１において、折り曲げ領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、上記第３工程においては、上記第２工程において形成した上記１層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域である上記折り曲げ領域を形成し、上記第４工程においては、上記第２樹脂層を用いて、上記折り曲げ領域を埋めてもよい。

　上記方法によれば、上記第２樹脂層は、上記第１樹脂層の端部領域においては、上記第１樹脂層上に形成されるとともに、上記折り曲げ領域を埋める。

　本発明の態様３に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１において、上記第４工程においては、上記第１樹脂層の中央領域上において、上記第２樹脂層を、上記１層以上の無機膜を覆うように形成してもよい。

　上記方法によれば、上記第２樹脂層は、上記第１樹脂層の端部領域においては、上記第１樹脂層上に形成されるとともに、上記第１樹脂層の中央領域においては、上記１層以上の無機膜を覆うように形成されている。

　本発明の態様４に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１において、表示素子を備えた表示領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、上記表示素子は最下層として電極層を含み、上記第２樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されていてもよい。

　上記方法によれば、上記第２樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されている。

　本発明の態様５に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１から４の何れかにおいて、上記第４工程においては、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、上記第１樹脂層と上記第２樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における上記第１樹脂層の膜厚以上となるように、上記第２樹脂層が形成されていてもよい。

　上記方法によれば、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。

　本発明の態様６に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１から５の何れかにおいて、上記第３工程においては、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域全てにおいて、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第１樹脂層を露出させてもよい。

　上記方法によれば、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのをさらに抑制した可撓性表示装置を実現できる。

　本発明の態様７に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１から６の何れかにおいて、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。

　上記方法によれば、水分や不純物の浸透をより効率的に防ぐ層であるポリイミド樹脂を備えた可撓性表示装置を実現できる。

　本発明の態様８に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１から７の何れかにおいて、上記第２樹脂層は、感光性材料を含むことが好ましい。

　上記方法によれば、上記第２樹脂層は、露光及び現像によってパターニングできる。

　本発明の態様９に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様１から８の何れかにおいて、上記第１工程においては、上記第１樹脂層を、スリットコータを用いて形成してもよい。

　上記方法によれば、上記第１樹脂層を、スリットコータを用いて形成できる。

　本発明の態様１０に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記の課題を解決するために、一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第１樹脂層が形成されており、上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、上記第１樹脂層上には、１層以上の無機膜が形成されており、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されていることを特徴としている。

　本発明の態様１１に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０において、折り曲げ領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、上記折り曲げ領域は、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、上記第２樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋める構成であってもよい。

　上記構成によれば、上記第２樹脂層は、上記第１樹脂層の端部領域においては、上記第１樹脂層上に形成されるとともに、上記折り曲げ領域を埋める。

　本発明の態様１２に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０において、上記第１樹脂層の中央領域上において、上記第２樹脂層は、上記１層以上の無機膜を覆うように形成されていてもよい。

　上記構成によれば、上記第２樹脂層は、上記第１樹脂層の端部領域においては、上記第１樹脂層上に形成されるとともに、上記第１樹脂層の中央領域においては、上記１層以上の無機膜を覆うように形成されている。

　本発明の態様１３に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０において、表示素子を備えた表示領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、上記表示素子は最下層として電極層を含み、上記第２樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲む構成であってもよい。

　上記構成によれば、上記第２樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲む。

　本発明の態様１４に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１３の何れかにおいて、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、上記第１樹脂層と上記第２樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における上記第１樹脂層の膜厚以上となるように、上記第２樹脂層が形成されていてもよい。

　上記構成によれば、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

　本発明の態様１５に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１４の何れかにおいて、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域全てにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されていてもよい。

　上記構成によれば、大型のガラス基板を上記第１樹脂層から剥離する工程（デラミネーション工程）において、剥離不具合が生じるのをさらに抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

　本発明の態様１６に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１５の何れかにおいて、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂であってもよい。

　上記構成によれば、水分や不純物の浸透をより効率的に防ぐ層であるポリイミド樹脂を備えている。

　本発明の態様１７に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１６の何れかにおいて、上記第２樹脂層は、感光性材料を含むことが好ましい。

　上記構成によれば、上記第２樹脂層は、露光及び現像によってパターニングできる。

　本発明の態様１８に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１７の何れかにおいて、上記表示素子は、有機ＥＬ表示素子であってもよい。

　上記構成によれば、有機ＥＬ表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

　本発明の態様１９に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様１０から１７の何れかにおいて、上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であってもよい。

　上記構成によれば、反射型の液晶表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法に利用することができる。

　１　　　　　　　ガラス基板（非可撓性基板）
　１ｕ　　　　　　有機ＥＬ表示装置
　２　　　　　　　下地ＰＩ層（第１樹脂層）
　３　　　　　　　防湿層（無機膜）
　４　　　　　　　半導体層
　５　　　　　　　ゲート絶縁層（無機膜）
　６ａ　　　　　　ゲート電極
　６ｂ　　　　　　容量電極
　６ｃ　　　　　　ゲート電極引き伸ばし配線
　７　　　　　　　第２絶縁層（無機膜）
　８　　　　　　　容量対向電極
　９　　　　　　　第３絶縁層（無機膜）
　１０　　　　　　感光性ＰＩ層（第２樹脂層）
　１１ａ　　　　　ドレイン配線
　１１ｂ　　　　　ゲート配線
　１１ｃ　　　　　容量配線
　１１ｄ　　　　　引き回し配線
　１２　　　　　　感光性平坦化層（第２樹脂層）
　１２ａ　　　　　開口
　１３　　　　　　第１電極（電極層）
　１４　　　　　　表示素子
　１５　　　　　　封止膜
　１９　　　　　　フィルム基板（可撓性基板）
　２０　　　　　　エッジカバー層（第２樹脂層）
　３０　　　　　　フレキシブル有機ＥＬ表示装置（可撓性表示装置）
　ＡＡ　　　　　　表示領域
　ＢＡ　　　　　　折り曲げ領域
　ＴＡ　　　　　　端子領域
　ＣＲ　　　　　　下地ＰＩ層の中央領域
　ＲＰＡ　　　　　右側ＰＩ層傾斜領域
　ＵＰＡ　　　　　上側ＰＩ層傾斜領域
　ＬＰＡ　　　　　下側ＰＩ層傾斜領域
　ＥＲ　　　　　　下地ＰＩ層の端部領域
　ＣＨ　　　　　　コンタクトホール
　ＢＨ　　　　　　折り曲げホール
　ＰＨ　　　　　　下地ＰＩ層の露出ホール

Claims

　非可撓性基板の一方側の面上に、第１樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、
　上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第１樹脂層を形成する第１工程と、
　上記第１樹脂層上に、１層以上の無機膜を形成する第２工程と、
　上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第１樹脂層を露出させる第３工程と、
　上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、第２樹脂層を、上記第１樹脂層上に形成する第４工程と、
　上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第５工程と、
　上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第６工程と、を含むことを特徴とする可撓性表示装置の製造方法。
　折り曲げ領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、
　上記第３工程においては、上記第２工程において形成した上記１層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域である上記折り曲げ領域を形成し、
　上記第４工程においては、上記第２樹脂層を用いて、上記折り曲げ領域を埋めることを特徴とする請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第４工程においては、上記第１樹脂層の中央領域上において、上記第２樹脂層を、上記１層以上の無機膜を覆うように形成することを特徴とする請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　表示素子を備えた表示領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、
　上記表示素子は最下層として電極層を含み、
　上記第２樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第４工程においては、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、上記第１樹脂層と上記第２樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における上記第１樹脂層の膜厚以上となるように、上記第２樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第３工程においては、上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域全てにおいて、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第１樹脂層を露出させることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第２樹脂層は、感光性材料を含むことを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　上記第１工程においては、上記第１樹脂層を、スリットコータを用いて形成することを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
　一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、
　上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第１樹脂層が形成されており、
　上記第１樹脂層の中央領域を囲む上下左右の４つの領域からなる上記第１樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第１樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、
　上記第１樹脂層上には、１層以上の無機膜が形成されており、
　上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されていることを特徴とする表示素子を備えた非可撓性基板。
　折り曲げ領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、
　上記折り曲げ領域は、上記１層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、
　上記第２樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めることを特徴とする請求項１０に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記第１樹脂層の中央領域上において、上記第２樹脂層は、上記１層以上の無機膜を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　表示素子を備えた表示領域は、上記第１樹脂層の中央領域の一部を含み、
　上記表示素子は最下層として電極層を含み、
　上記第２樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲むことを特徴とする請求項１０に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域中、上記第１樹脂層を露出させた領域において、上記第１樹脂層と上記第２樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第１樹脂層の中央領域における上記第１樹脂層の膜厚以上となるように、上記第２樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１０から１３の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記第１樹脂層の端部領域における上記４つの領域全てにおいて、上記１層以上の無機膜から露出する上記第１樹脂層を覆う第２樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１０から１４の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１０から１５の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記第２樹脂層は、感光性材料を含むことを特徴とする請求項１０から１６の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記表示素子は、有機ＥＬ表示素子であることを特徴とする請求項１０から１７の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
　上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であることを特徴とする請求項１０から１７の何れか１項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。