WO2018181737A1

WO2018181737A1 - ペースト状樹脂組成物

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Publication number: WO2018181737A1
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Inventors: 将司黒主; 啓志荻野
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Abstract

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）液状硬化剤、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）分散剤、を含有する、ペースト状樹脂組成物。

Description

ペースト状樹脂組成物

　本発明は、ペースト状樹脂組成物に関する。さらには、ペースト状樹脂組成物を使用した、回路基板、半導体チップパッケージ及び電子部材に関する。

　近年、電子機器の小型化及び高機能化が進み、プリント配線板における半導体素子の実装密度は高くなる傾向にある。実装される半導体素子の高機能化も相俟って、半導体素子が発生する熱を効率的に放熱する技術が求められている。

　例えば、特許文献１には、樹脂及び所定の要件を満たすアルミナを含む樹脂組成物を硬化させた絶縁層を回路基板に用いることで、放熱させることが開示されている。

特開２０１２－７７１２３号公報

　本発明者らは、半導体素子が発生する熱を更に効率的に放熱させるべく検討した。その結果、例えば炭化ケイ素を樹脂組成物に含有させると、絶縁層の熱伝導率を高くすることができるが、樹脂組成物の粘度が上昇してしまい、樹脂組成物を回路基板等に塗布できないおそれがあることを知見した。

　本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、熱伝導率が高い硬化物を得ることができる、粘度が低いペースト状樹脂組成物；該ペースト状樹脂組成物を使用した、回路基板、半導体チップパッケージ、及び電子部材を提供することにある。

　本発明の課題を達成すべく、本発明者らは鋭意検討した結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）液状硬化剤、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）分散剤を含有させることで、熱伝導率が高い硬化物を得ることができる、粘度が低いペースト状樹脂組成物を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］　（Ａ）エポキシ樹脂、
　（Ｂ）液状硬化剤、
　（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び
　（Ｄ）分散剤、を含有する、ペースト状樹脂組成物。
［２］　ペースト状樹脂組成物中に含まれる有機溶剤の含有量が、ペースト状樹脂組成物の全質量に対して、１．０質量％未満である、［１］に記載のペースト状樹脂組成物。
［３］　ペースト状樹脂組成物の硬化物の熱伝導率が、２．０Ｗ／ｍＫ以上である、［１］又は［２］に記載のペースト状樹脂組成物。
［４］　（Ｄ）成分が、オキシアルキレン含有リン酸エステルを含む、［１］～［３］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［５］　（Ｃ）成分が、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含む、［１］～［４］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［６］　（Ｃ）成分が、炭化ケイ素を含む、［１］～［５］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［７］　炭化ケイ素の平均粒径が、１μｍ以上３０μｍ以下である、［６］に記載のペースト状樹脂組成物。
［８］　（Ｃ）成分が、さらに、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含む、［６］又は［７］に記載のペースト状樹脂組成物。
［９］　（Ｃ）成分の含有量が、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、６０質量％以上９５質量％以下である、［１］～［８］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［１０］　（Ｂ）成分が、ポリチオール化合物、及び液状フェノール樹脂から選ばれる１種以上を含む、［１］～［９］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［１１］　（Ｂ）成分が、トリメチロールプロパントリス(３－メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトプロピオネート）、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－メルカプトプロピオネート）、トリス－[(３－メルカプトプロピオニルオキシ)－エチル]－イソシアヌレート、トリス(３－メルカプトプロピル)イソシアヌレート、チオグリコール酸オクチル、エチレングリコールビスチオグリコレート、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、３－メルカプトプロピオン酸、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン、１，３，５－トリス（３－メルカプトブチリルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトブチレート）、トリメチロールエタントリス（３－メルカプトブチレート）、１，３，４，６－テトラキス（２－メルカプトエチル）グリコールウリル、４，４’－イソプロピリデンビス［（３－メルカプトプロポキシ）ベンゼン］から選ばれる１種以上のポリチオール化合物、及びアルケニル基含有ノボラック型フェノール樹脂から選ばれる液状フェノール樹脂から選ばれる１種以上を含む、［１］～［１０］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［１２］　ペースト状樹脂組成物の２５℃における粘度が、３５０Ｐａ・ｓ以下である、［１］～［１１］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物。
［１３］　［１］～［１２］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。
［１４］　［１３］に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１５］　［１］～［１２］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物により封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
［１６］　ヒートシンクと、該ヒートシンク上に設けられた［１］～［１２］のいずれかに記載のペースト状樹脂組成物の硬化物と、該硬化物上に装着された電子部品と、を有する電子部材。

　本発明によれば、熱伝導率が高い硬化物を得ることができる、粘度が低いペースト状樹脂組成物；該ペースト状樹脂組成物を使用した、回路基板、半導体チップパッケージ、及び電子部材を提供することができる。

図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。

　以下、本発明のペースト状樹脂組成物、回路基板、半導体チップパッケージ、及び電子部材について詳細に説明する。

［ペースト状樹脂組成物］
　ペースト状樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）液状硬化剤、（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び（Ｄ）分散剤、を含有する。（Ａ）～（Ｄ）成分を含有することにより、ペースト状樹脂組成物の粘度を低くすることができ、その硬化物の熱伝導率を高くすることができる。また、ペースト状樹脂組成物はペースト状であるため、その硬化物と回路基板等の電子部材との密着性が向上する。ペースト状樹脂組成物の硬化物は熱伝導率が高く、且つ密着性が向上することから、該電子部材の放熱効率を向上させることができる。ペースト状樹脂組成物は、２５℃でペースト状である。ペースト状とは、回路基板等の電子部材に塗布することが可能な粘度を有する糊状の性状を表す。

　ペースト状樹脂組成物は、（Ａ）成分～（Ｄ）成分の他に、必要に応じてさらに（Ｅ）硬化促進剤、（Ｆ）難燃剤及び（Ｇ）任意の添加剤を含んでいてもよい。以下、ペースト状樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
　ペースト状樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含む。（Ａ）成分を含有させることにより、絶縁信頼性を向上させることができる。

　（Ａ）成分としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ａ）成分は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。樹脂組成物は、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）を含むことが好ましく、液状エポキシ樹脂と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（「固体状エポキシ樹脂」ともいう。）を組み合わせて含むことがより好ましい。液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系液状エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系固体状エポキシ樹脂がより好ましい。本発明において、芳香族系のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。

　液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及びシクロヘキサン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、及びナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　（Ａ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．０１～１：５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．０５～１：１の範囲がより好ましく、１：０．１～１：０．５の範囲がさらに好ましい。

　（Ａ）成分の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分全体を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。

　（Ａ）成分のエポキシ当量は、好ましくは５０～５０００、より好ましくは５０～３０００、さらに好ましくは８０～２０００、さらにより好ましくは１１０～１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

　（Ａ）成分の重量平均分子量は、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。

＜（Ｂ）液状硬化剤＞
　ペースト状樹脂組成物は、（Ｂ）液状硬化剤を含む。（Ｂ）成分と後述する（Ｄ）分散剤とを組み合わせて含ませることにより、ペースト状樹脂組成物の粘度を低くすることができる。（Ｂ）成分としては、（Ａ）成分を硬化させる機能を有し、温度２０℃で液状の硬化剤であれば特に限定されず、例えば、ポリチオール化合物、液状フェノール樹脂、酸無水物、イミダゾール等が挙げられる。（Ｂ）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　（Ｂ）成分としては、ペースト状樹脂組成物を低温度域で硬化させることができ、さらにペースト状樹脂組成物の低粘度化にも大きく寄与させる観点から、ポリチオール化合物、及び液状フェノール樹脂から選ばれる１種以上を含むことが好ましく、ポリチオール化合物、及び液状フェノール樹脂のいずれか一方を含むことが好ましい。

　ポリチオール化合物は、エポキシ基を架橋もしくは重合する化合物であれば特に限定されないが、１分子中のチオール基数が２～６（２官能～６官能）であるものが好ましく、３～６（３官能～６官能）であるものが好ましい。このようなポリチオール化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリス(３－メルカプトプロピオネート)（略称：ＴＭＴＰ）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトプロピオネート）（略称：ＰＥＭＰ）、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－メルカプトプロピオネート）（略称：ＤＰＭＰ）、トリス－[(３－メルカプトプロピオニルオキシ)－エチル]－イソシアヌレート（略称：ＴＥＭＰＩＣ）、トリス(３－メルカプトプロピル)イソシアヌレート（略称：ＴＭＰＩＣ）、チオグリコール酸オクチル（略称：ＯＴＧ）、エチレングリコールビスチオグリコレート（略称：ＥＧＴＧ）、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート（略称：ＴＭＴＧ）、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート（略称：ＰＥＴＧ）、３－メルカプトプロピオン酸（略称：３－ＭＰＡ）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン、１，３，５－トリス（３－メルカプトブチリルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトブチレート）（略称：ＴＰＭＢ）、トリメチロールエタントリス（３－メルカプトブチレート）（略称：ＴＥＭＢ）、１，３，４，６－テトラキス（２－メルカプトエチル）グリコールウリル、４，４’－イソプロピリデンビス［（３－メルカプトプロポキシ）ベンゼン］等が挙げられる。これらの化合物は公知の方法で合成することができ、例えば、トリス(３－メルカプトプロピル)イソシアヌレート（略称：ＴＭＰＩＣ）や４，４’－イソプロピリデンビス［（３－メルカプトプロポキシ）ベンゼン］は、例えば、特開２０１２－１５３７９４号公報や国際公開第２００１／００６９８号に記載の方法で合成することができる。

　ポリチオール化合物は市販品を用いてもよく、市販品としては、例えば「ＰＥＭＰ」（ＳＣ有機化学社製）、「ＯＴＧ」、「ＥＧＴＧ」、「ＴＭＴＧ」、「ＰＥＴＧ」、「３－ＭＰＡ」、「ＴＭＴＰ」、「ＰＥＴＰ」（淀化学社製）、「ＴＥＭＰ」、「ＰＥＭＰ」、「ＴＥＭＰＩＣ」、「ＤＰＭＰ」（堺化学工業社製）、「ＰＥ－１」（ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート））、「ＢＤ－１」（１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン）、「ＮＲ－１」（１，３，５－トリス（３－メルカプトブチリルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン）、「ＴＰＭＢ」、「ＴＥＭＢ」（昭和電工社製）、「ＴＳ－Ｇ」（メルカプトエチルグリコール）（四国化成工業社製）等が挙げられる。ポリチオール化合物は１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。

　ポリチオール化合物のチオール基当量は、好ましくは５０～５００ｇ／ｅｑ、より好ましくは７５～３００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは１００～２００ｇ／ｅｑである。「チオール基当量」とは１グラム当量のチオール基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）であり、公知の方法、例えばでんぷんを指示薬として用いるヨウ素溶液滴定法により測定できる。

　液状フェノール樹脂としては、フェノール性水酸基を含む温度２０℃で液状の樹脂である限り特に限定されない。フェノール性水酸基を含む温度２０℃で液状の樹脂としては、クレゾール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、および、それらの変性物等）、液状のアルケニル基含有フェノール樹脂等が挙げられ、液状のアルケニル基含有フェノール樹脂が好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２～１０、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、特に好ましくは３である。中でも、アルケニル基としては、２－プロペニル基（アリル基）が好ましい。

　液状のアルケニル基含有フェノール樹脂としては、アルケニル基含有ノボラック型フェノール樹脂が挙げられ、下記式（１）で表されるフェノール樹脂が好ましい。

〔式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又はアルケニル基を表し、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表し、ｊは０～５の整数を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の少なくとも１つはアルケニル基である。〕

　式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又はアルケニル基を表す。但し、式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５の少なくとも１つはアルケニル基である。アルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２～１０、より好ましくは２～６、さらに好ましくは２～４、特に好ましくは３である。中でも、アルケニル基としては、２－プロペニル基（アリル基）が好ましい。

　式（１）中、アルケニル基の個数は、１以上であれば特に限定されないが、好ましくはベンゼン環１個当たり１個又は２個、より好ましくはベンゼン環１個当たり１個である。

　式（１）中、複数あるＲ^１は、互いに同一でも相異なっていてもよい。Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５についても同様である。

　式（１）中、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。アルキル基の炭素原子数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～６、さらに好ましくは１～４、１～３、又は１である。

　式（１）中、Ｒ^７が複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。Ｒ^８についても同様である。

　式（１）中、ｊは０～５の整数、好ましくは０～３の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０である。

　Ｒ^１～Ｒ^８は、置換基を有していなくてもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えば、ハロゲン原子、－ＯＨ、－Ｏ－Ｃ_１－６アルキル基、－Ｎ（Ｃ_１－６アルキル基）_２、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_６－１０アリール基、－ＮＨ_２、－ＣＮ、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｃ_１－６アルキル基、－ＣＯＯＨ、－Ｃ（Ｏ）Ｈ、－ＮＯ_２等が挙げられる。ここで、「Ｃ_ｐ－ｑ」（ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ～ｑであることを表す。例えば、「Ｃ_１－６アルキル基」という表現は、炭素原子数１～６のアルキル基を示す。上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。

　液状フェノール樹脂は市販品を使用してもよい。液状フェノール樹脂の市販品としては、例えば、明和化成社製「ＭＥＨ－８０００Ｈ」、「ＭＥＨ－８００５」等が挙げられる。

　液状フェノール樹脂のフェノール性水酸基当量は、好ましくは５０～５００ｇ／ｅｑ、より好ましくは７５～３００ｇ／ｅｑ、さらに好ましくは１００～２００ｇ／ｅｑである。フェノール性水酸基当量は、ＪＩＳ　Ｋ００７０に従って測定することができ、１当量のフェノール性水酸基を含む樹脂の質量である。

　エポキシ樹脂と液状硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［液状硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．１～１：１０の範囲が好ましく、１：０．５～１：５がより好ましく、１：０．５～１：３がさらに好ましい。ここで、液状硬化剤の反応基とは、チオール基、フェノール性水酸基等であり、液状硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、液状硬化剤の反応基の合計数とは、各液状硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての液状硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と液状硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、ペースト状樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。

　（Ｂ）成分の含有量は、ペースト状樹脂組成物の低粘度化の観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分全体を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。上限は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。

　（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計含有量は、ペースト状樹脂組成物の低粘度化及び絶縁信頼性を向上させる観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上である。該合計含有量の上限は、特に限定されないが、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下である。

＜（Ｃ）熱伝導性フィラー＞
　ペースト状樹脂組成物は（Ｃ）熱伝導性フィラーを含む。（Ｃ）成分を含有させることで熱伝導率が高い硬化物（絶縁層）を得ることができる。

　（Ｃ）成分の材料は、例えば、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）等が挙げられる。（Ｃ）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、２種以上の同一材料を組み合わせて用いてもよい。中でも（Ｃ）成分は、熱伝導率が高い硬化物を得る観点から、炭化ケイ素を含むことが好ましい。また、（Ｃ）成分は、熱伝導率が高い硬化物を得るとともに、粘度を低下させる観点から、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含むことが好ましく、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる２種以上を含むことがより好ましく、炭化ケイ素とともに、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含むことがさらに好ましい。

　熱伝導性フィラーの熱伝導率は、熱伝導率が高い硬化物を得る観点から、好ましくは３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらに好ましくは２７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。上限は特に限定されないが、１０００Ｗ／ｍ・Ｋ以下等とし得る。

　炭化ケイ素の平均粒径は、熱伝導率が高い硬化物を得る観点から、好ましくは４５μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３５μｍ以下である。平均粒径の下限は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。

　炭化ケイ素を除く（Ｃ）成分の平均粒径は、熱伝導率が高い硬化物を得るとともにペースト状樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、好ましくは２．５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１．５μｍ以下である。平均粒径の下限は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．０８μｍ以上である。

　（Ｃ）成分の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、（Ｃ）成分を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ２２００」等を使用することができる。

　（Ｃ）成分の比表面積は、熱伝導率に優れる硬化物を得る観点から、好ましくは０．０１ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは０．０２５ｍ^２／ｇ以上、さらに好ましくは０．０５ｍ^２／ｇ以上である。上限は好ましくは３０ｍ^２／ｇ以下、より好ましくは２５ｍ^２／ｇ以下、さらに好ましくは２０ｍ^２／ｇ以下である。（Ｃ）成分の比表面積は、窒素ＢＥＴ法により測定することができる。具体的には自動比表面積測定装置を使用して測定することができ、自動比表面積測定装置としては、マウンテック社製「Ｍａｃｓｏｒｂ　ＨＭ－１２１０」等を使用することができる。

　（Ｃ）成分のアスペクト比は、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下、２以下、又は１．５以下である。下限は１．０以上等とし得る。斯かる範囲内のアスペクト比を有する（Ｃ）成分をペースト状樹脂組成物に含有させることで、粘度を上昇させずに熱伝導率に優れる硬化物を得ることができる。アスペクト比とは、（Ｃ）成分の粉体の長辺の長さを短辺の長さで除した値を指す。

　（Ｃ）成分は、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えばデンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、「ＡＳＦＰ－２０」、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、「ＳＳＣ－Ａ１５」、「ＳＳＣ－Ａ３０」、トクヤマ社製「ＨＦ－０１」、三井化学社製「ＭＢＮ－０１０Ｔ」等が挙げられる。

　（Ｃ）成分は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。

　表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）成分の分散性向上の観点から、（Ｃ）成分１００質量部に対して、０．２質量部～５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部～３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部～２質量部で表面処理されていることが好ましい。

　表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。（Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量は、（Ｃ）成分の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

　（Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の（Ｃ）成分を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された（Ｃ）成分に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて（Ｃ）成分の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。

　（Ｃ）成分は、平均粒径が異なる２種の同一材料を組み合わせて用いることが好ましい。このような構成とすることにより、熱伝導率がより高い硬化物を得るとともにペースト状樹脂組成物の粘度をより低下させることができる。２種の同一材料において、平均粒径が小さい（Ｃ）成分をＣ１とし、平均粒径が大きい（Ｃ）成分をＣ２とした場合、その質量比（Ｃ１／Ｃ２）としては、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．３以上である。上限は好ましくは１以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下である。

　（Ｃ）成分の含有量は、熱伝導率に優れる硬化物を得、ペースト状樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上である。上限は、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９３質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。

　（Ｃ）成分の含有量は、熱伝導率に優れる硬化物を得、ペースト状樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは３０体積％以上、より好ましくは４０体積％以上、さらに好ましくは５０体積％以上又は５５体積％以上である。上限は、好ましくは９０体積％以下、より好ましくは８５体積％以下、さらに好ましくは８０体積％以下又は７５体積％以下である。

＜（Ｄ）分散剤＞
　ペースト状樹脂組成物は、（Ｄ）分散剤を含有する。（Ｄ）成分を（Ｂ）成分とともに含有させることで、ペースト状樹脂組成物の流動性が向上し、その結果ペースト状樹脂組成物の粘度を低下させることができる。（Ｄ）成分としては、ペースト状樹脂組成物の粘度を低下させることができれば特に限定されず、例えば、オキシアルキレン含有リン酸エステル、チタネート系カップリング剤、ポリアクリル酸、ポリカルボン酸系分散剤等が挙げられ、オキシアルキレン含有リン酸エステル、チタネート系カップリング剤が好ましい。（Ｄ）成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　オキシアルキレン含有リン酸エステルとしては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルリン酸エステル等が挙げられ、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルが好ましい。

　ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルは、アルキル－オキシ－ポリ（アルキレンオキシ）基が、リン酸塩のリン原子に、１～３個結合している形態を有している。

　アルキル－オキシ－ポリ（アルキレンオキシ）基におけるポリ（アルキレンオキシ）部位のアルキレンオキシの繰り返し単位数としては、特に制限されないが、例えば、２～３０が好ましく、３～２０がより好ましい。

　ポリ（アルキレンオキシ）部位におけるアルキレン基としては、炭素原子数が２～４のアルキレン基が好ましい。このようなアルキレン基としては、例えばエチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチル基等が挙げられる。

　アルキル－オキシ－ポリ（アルキレンオキシ）基におけるアルキル基としては、炭素原子数が６～３０のアルキル基が好ましく、炭素原子数が８～２０のアルキル基がより好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。

　なお、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルが複数のアルキル－オキシ－ポリ（アルキレンオキシ）基を有している場合、複数のアルキル基、及びポリ（アルキレンオキシ）部位におけるアルキレン基は、異なっていてもよいが、同一であってもよい。なお、オキシアルキレン含有リン酸エステルは、アミンなどとの混合物であってもよい。

　オキシアルキレン含有リン酸エステルの酸価は、好ましくは１０以上、より好ましくは１５以上であり、また、好ましくは２００以下、より好ましくは１５０以下である。酸価は、中和滴定法などによって測定される。

　オキシアルキレン含有リン酸エステルは市販品を用いてもよく、市販品としては、例えば楠本化成社のＨＩＰＬＡＡＤシリーズ（例えば「ＥＤ１５２」、「ＥＤ１５３」、「ＥＤ１５４」、「ＥＤ１１８」、「ＥＤ１７４」、「ＥＤ２５１」等）等が挙げられる。

　チタネート系カップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリスステアロイルチタネ－ト、イソプロピルトリス（ジオクチルピロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルピロホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトライソプロピルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２、２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられ、テトラ（２，２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネートが好ましい。

　チタネート系カップリング剤は市販品を用いてもよく、市販品としては、例えば味の素ファインテクノ社製の「プレンアクト５５」、「プレンアクトＴＴＳ」、「プレンアクト４６Ｂ」等が挙げられる。

　（Ｄ）成分の含有量は、ペースト状樹脂組成物の低粘度化の観点から、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分全体を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。上限は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。

＜（Ｅ）硬化促進剤＞
　一実施形態において、ペースト状樹脂組成物は、（Ｅ）硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、ペースト状樹脂組成物の粘度を低下させ、ペースト状樹脂組成物の硬化物の密着性を向上させる観点から、リン系硬化促進剤が好ましい。

　リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸及びその塩が好ましい。

　アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。

　イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。

　イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。

　グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。

　金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

　ペースト状樹脂組成物が硬化促進剤を含有する場合、硬化促進剤の含有量は、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分全体を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上である。上限は、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。硬化促進剤の含有量を斯かる範囲内とすることで、粘度を低下させることができ、硬化物の密着性も向上させることができる。

＜（Ｆ）難燃剤＞
　一実施形態において、ペースト状樹脂組成物は、（Ｆ）難燃剤を含有し得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

　難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ－ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ－２００」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド等が好ましい。

　ペースト状樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．５質量％～２０質量％、より好ましくは０．５質量％～１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％～１０質量％がさらに好ましい。

＜（Ｇ）任意の添加剤＞
　樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、無機充填材（但し、（Ｃ）成分に該当するものは除く）、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

＜ペースト状樹脂組成物の物性、用途＞
　ペースト状樹脂組成物中に含まれる有機溶剤の含有量は、ペースト状樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。本発明のペースト状樹脂組成物は、有機溶剤を含まなくても、その粘度を低くすることができる。このように有機溶剤の量が少ないことにより、有機溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができるので、回路基板等の電子部材との密着性を良好にでき、その結果、該電子部材の放熱効率を向上させることができる。ここで、有機溶剤とは、（Ａ）成分を硬化させる機能を有さない、２５℃で液体の成分をいう。

　ペースト状樹脂組成物の２５℃における粘度は、好ましくは３５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３３０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは３１０Ｐａ・ｓ以下である。下限は特に制限はないが、１Ｐａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以上等とし得る。粘度は、後述する［粘度の測定］の記載に従って測定することができる。ペースト状樹脂組成物の粘度を斯かる範囲内とすることでペースト状樹脂組成物の流動性が高くなり、また、密着性も向上する。

　ペースト状樹脂組成物の硬化物（例えば、ペースト状樹脂組成物を１５０℃で６０分間熱硬化させて得られた硬化物、ペースト状樹脂組成物を１２０℃で６０分間熱硬化させて得られた硬化物、又はペースト状樹脂組成物を１５０℃６０分間熱硬化させた後、さらに１８０℃６０分間熱硬化させて得られた硬化物）は、優れた熱伝導率を示す。即ち熱伝導率が高い絶縁層をもたらす。熱伝導率としては、１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは３．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらに好ましくは５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。熱伝導率の上限は特に限定されないが、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下等とし得る。熱伝導率の評価は、後述する［熱伝導率の測定］に記載の方法に従って測定することができる。

　ペースト状樹脂組成物を１５０℃で６０分間熱硬化させて得られた硬化物は、優れた密着性を示す。即ち密着性に優れる絶縁層をもたらす。該硬化物のダイシェア強度としては、好ましくは１０Ｎ以上、より好ましくは２０Ｎ以上である。上限は特に限定されないが、２００Ｎ以下等とし得る。密着性の評価は、後述する［密着性の評価］に記載の方法に従って測定することができる。該硬化物は優れた密着性を示すとともに優れた熱伝導率を示すことから、硬化物と接触する電子部材等への放熱効率を高くすることができる。

　ペースト状樹脂組成物は流動性が高いペースト状であるため、例えば、ペースト状樹脂組成物をシリンジで注入し、ペースト状樹脂組成物を押圧して均一な厚みなるように広げて樹脂組成物層を形成することが可能となる。このため、特開２０１２－７７１２３号公報に記載されているように、有機溶剤を用いて樹脂ワニスを作製し、樹脂ワニスを乾燥させて有機溶剤を除去し、フィルム状に成形（樹脂組成物層を形成）する必要はない。ペースト状樹脂組成物は、有機溶剤を用いて樹脂ワニスを作製する必要がないので、有機溶剤が存在することによって、電子部材の放熱効率が低下してしまうおそれはない。

　本発明のペースト状樹脂組成物は熱伝導率及び密着性が高い絶縁層をもたらすことができる。したがって、本発明のペースト状樹脂組成物は、ヒートシンクと電子部品とを接着するためのペースト状樹脂組成物（ヒートシンクの接着用ペースト状樹脂組成物）、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するためのペースト状樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用ペースト状樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するためのペースト状樹脂組成物（回路基板の絶縁層用ペースト状樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するためのペースト状樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用ペースト状樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。また、半導体チップを封止するためのペースト状樹脂組成物（半導体チップ封止用ペースト状樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するためのペースト状樹脂組成物（半導体チップ配線形成用ペースト状樹脂組成物）としても好適に使用することができる。

［回路基板］
　本発明の回路基板は、本発明のペースト状樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
　本発明の回路基板の製造方法は、
　（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
　（２）ペースト状樹脂組成物を、配線層が埋め込まれるように、配線層付き基材上に塗布し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
　（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。

　工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。

＜工程（１）＞
　工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層をそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層を有する。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。

　基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ　Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。

　ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。

　基材とドライフィルムとの積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

　ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。

　配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

　ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。

　配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

　配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０～２０μｍ、又は１５～２０μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは２μｍ以上１００μｍ以下である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。

　配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。

＜工程（２）＞
　工程（２）は、ペースト状樹脂組成物を、配線層が埋め込まれるように、配線層付き基材上に塗布し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層上に、ペースト状樹脂組成物を塗布し、ペースト状樹脂組成物を熱硬化させ絶縁層を形成する。

　配線層とペースト状樹脂組成物の塗布は、例えば、ペースト状樹脂組成物をシリンジで注入し、ペースト状樹脂組成物を押圧して均一の厚さの樹脂組成物層を形成することにより行うことができる。

　配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上にペースト状樹脂組成物を塗布した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、ペースト状樹脂組成物の種類等によっても異なるが、例えば、硬化温度は１２０℃～２４０℃の範囲、硬化時間は５分間～１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。

　樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。

＜工程（３）＞
　工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。

　絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。

　レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。

　ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。

　ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。

　導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

　粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。

　ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。

　詳細は、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。

　導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。

　また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。

　絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。

＜工程（４）＞
　工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。

［半導体チップパッケージ］
　本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。

　半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。

　好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃～２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃～１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間～６０秒間の範囲（好ましくは５秒間～３０秒間）とすることができる。

　また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃～３００℃の範囲とすることができる。

　半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。モールドアンダーフィル材は、ペースト状樹脂組成物を使用してもよい。

　本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明のペースト状樹脂組成物で製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
　（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
　（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
　（Ｃ）本発明のペースト状樹脂組成物を、半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
　（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
　（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
　（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
　（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。
また、半導体チップパッケージの製造方法は、
　（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。

＜工程（Ａ）＞
　工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、前述の工程（１）での基材とドライフィルムとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

　基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ＦＲ－４基板等のガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板；ＢＴ樹脂等のビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板などが挙げられる。

　仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。

＜工程（Ｂ）＞
　工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。

＜工程（Ｃ）＞
　工程（Ｃ）は、本発明のペースト状樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。

　ペースト状樹脂組成物の塗布、熱硬化条件は、前述の回路基板の製造方法における工程（２）におけるペースト状樹脂組成物の塗布方法、熱硬化条件と同様である。

＜工程（Ｄ）＞
　工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。

　仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃～２５０℃で１秒間～９０秒間又は５分間～１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ^２～１０００ｍＪ／ｃｍ^２である。

＜工程（Ｅ）＞
　工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。

　再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。

　再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。

　ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。

　活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。

　次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。

　現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

　再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。

　ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。

＜工程（Ｆ）＞
　工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。

＜工程（Ｇ）＞
　工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。

　ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。

　また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。

＜工程（Ｈ）＞
　半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）～（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。

　半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。

　本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明のペースト状樹脂組成物で製造した半導体チップパッケージである。

［半導体装置］
　本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

［電子部材］
　本発明の電子部材は、ヒートシンクと、該ヒートシンク上に設けられた本発明のペースト状樹脂組成物の硬化物と、該硬化物上に装着された電子部品とを有する。ペースト状樹脂組成物の硬化物は、熱伝導率及び密着性に優れることから、例えば、ペースト状樹脂組成物の硬化物をヒートシンクに接着させるようにヒートシンク上に設け、該硬化物上に電子部品を装着することにより、電子部品のヒートシンクへの放熱効率が高くなる。硬化物の形成方法は、先述の工程（Ｃ）と同様の方法により行うことができる。

　電子部品としては、例えば、半導体チップ、パワー半導体、ＬＥＤ－ＰＫＧ等が挙げられる。電子部材としては、例えば、回路基板、半導体チップパッケージ、半導体装置等が挙げられる。

　以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

［ペースト状樹脂組成物の調製］
＜実施例１＞
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）１７部に、液状分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）１部を添加し、シンキー社製あわとり練太郎を用いて均一に撹拌しエポキシ樹脂組成物を得た。次に、得られたエポキシ樹脂組成物に、液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）１４部、及び硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」、テトラブチルホスホニウムデカン酸）０．１４部を加えて撹拌し、ベース樹脂組成物を調製した。
　ベース樹脂組成物に、熱伝導性フィラー（球状アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）６９部を加えて混練してペースト状樹脂組成物１を得た。ペースト状樹脂組成物１の有機溶剤含有量は、ペースト状樹脂組成物１の全質量に対して、０質量％であった。

＜実施例２＞
　実施例１において、熱伝導性フィラー（球状アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）６９部を、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、平均粒径１．４μｍ、比表面積：５．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）６４部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にしてペースト状樹脂組成物２を得た。

＜実施例３＞
　実施例１において、熱伝導性フィラー（球状アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）６９部を、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ１５」、平均粒径１８．６μｍ、比表面積：０．３ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）６４部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にしてペースト状樹脂組成物３を得た。

＜実施例４＞
　実施例１において、熱伝導性フィラー（球状アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）６９部を、熱伝導性フィラー（トクヤマ社製「ＨＦ－０１」の球状窒化アルミニウム粉末を、アドマッテクス社においてフェニルアミノシランで表面処理したもの、平均粒径０．９μｍ～１．４μｍ、比表面積：２．３ｍ^２／ｇ～２．９ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０～１．１）６５部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にしてペースト状樹脂組成物４を得た。

＜実施例５＞
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）３部、及び１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製、「ＺＸ１６５８ＧＳ」、エポキシ当量１３０－１４０ｇ／ｅｑ）３部を金属容器に計量し、そこに、テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１８７－１９７ｇ／ｅｑ）１部を計量した。その後、ＩＨヒーターを用いて溶解した。
　冷却後、分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）４部を添加し、均一に撹拌しエポキシ樹脂組成物を得た。
　次に、得られたエポキシ樹脂組成物に液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）６部、及び硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」、テトラブチルホスホニウムデカン酸）０．１４部を加えて撹拌し、ベース樹脂組成物を調製した。
　ベース樹脂組成物に熱伝導性フィラー（アルミナ粉末、デンカ社製「ＡＳＦＰ－２０」、平均粒径０．２μｍ～０．５μｍ、比表面積：１２ｍ^２／ｇ～１８ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）１３部、熱伝導性フィラー（アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）１９部、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、平均粒径１．４μｍ、比表面積：５．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）１３部、及び熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ１５」、平均粒径１８．６μｍ、比表面積：０．３ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）３８部を加えて撹拌してペースト状樹脂組成物５を得た。

＜実施例６＞
　実施例５において、
１）ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）の量を３部から４部とし、
２）テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１８７－１９７ｇ／ｅｑ）の量を１部から２部とし、
３）液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）６部を、液状硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ－８０００Ｈ」、２－アリルフェノール・ホルムアルデヒド重縮合物、ＯＨ当量１３９－１４３ｇ／ｅｑ）８部に変え、
４）分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）の量を４部から１部に変えた。
　以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物６を得た。

＜実施例７＞
　実施例５において、分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）４部を、分散剤（味の素ファインテクノ社製「プレンアクト５５」、チタネート系カップリング剤、（テトラ（２，２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート））４部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物７を得た。

＜実施例８＞
　実施例５において、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、平均粒径１．４μｍ、比表面積：５．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）１３部を、熱伝導性フィラー（トクヤマ社製「ＨＦ－０１」の球状窒化アルミニウム粉末を、アドマッテクス社においてフェニルアミノシランで表面処理したもの、平均粒径０．９μｍ～１．４μｍ、比表面積：２．３ｍ^２／ｇ～２．９ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０～１．１）１３部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物８を得た。

＜実施例９＞
　実施例５において、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、平均粒径１．４μｍ、比表面積：５．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）１３部を、熱伝導性フィラー（窒化ホウ素粉末、三井化学社製「ＭＢＮ－０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ～１．０μｍ、比表面積：１３．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比５．０）１３部に変えた。以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物９を得た。

＜実施例１０＞
　ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）２部、及び１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製、「ＺＸ１６５８ＧＳ」、エポキシ当量１３０－１４０ｇ／ｅｑ）２部を金属容器に計量し、そこに、テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１８７－１９７ｇ／ｅｑ）１部を計量した。その後、ＩＨヒーターを用いて溶解した。
　冷却後、分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）３部を添加し、均一に撹拌しエポキシ樹脂組成物を得た。
　次に、得られたエポキシ樹脂組成物に液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）４部、及び硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」、テトラブチルホスホニウムデカン酸）０．０９部を加えて撹拌し、ベース樹脂組成物を調製した。
　ベース樹脂組成物に熱伝導性フィラー（アルミナ粉末、デンカ社製「ＡＳＦＰ－２０」、平均粒径０．２μｍ～０．５μｍ、比表面積：１２ｍ^２／ｇ～１８ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）１４部、熱伝導性フィラー（アルミナ粉末、デンカ社製「ＤＡＷ－０５２５」、平均粒径５．３μｍ、比表面積：０．４ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．０）１９部、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ０１」、平均粒径１．４μｍ、比表面積：５．０ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）１４部、及び熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ１５」、平均粒径１８．６μｍ、比表面積：０．３ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）４１部を加えて撹拌してペースト状樹脂組成物１０を得た。

＜実施例１１＞
　実施例１０において、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ１５」、平均粒径１８．６μｍ、比表面積：０．３ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）４１部を、熱伝導性フィラー（球状炭化ケイ素粉末、信濃電気製錬社製「ＳＳＣ－Ａ３０」、平均粒径３４．４μｍ、比表面積：０．１ｍ^２／ｇ、アスペクト比１．２５）４１部に変えた。以上の事項以外は実施例１０と同様にしてペースト状樹脂組成物１１を得た。

＜実施例１２＞
　実施例１１において、液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）４部を、液状硬化剤（昭和電工社製「ＰＥ－１」、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート））４部に変えた。以上の事項以外は実施例１１と同様にしてペースト状樹脂組成物１２を得た。

＜実施例１３＞
　実施例１２において、液状硬化剤（昭和電工社製「ＰＥ－１」、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート））の量を４部から３部に変え、さらに液状硬化剤（明和化成社製「ＭＥＨ－８０００Ｈ」、２－アリルフェノール・ホルムアルデヒド重縮合物、ＯＨ当量１３９－１４３ｇ／ｅｑ）１部を加えた。以上の事項以外は実施例１２と同様にしてペースト状樹脂組成物１３を得た。

＜比較例１＞
　実施例５において、
１）ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）の量を３部から４部に変え、
２）液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）６部を、固形硬化剤（フェノールノボラック樹脂、アイカＳＤＫフェノール社製「ＢＲＧ－５５７」、ＯＨ当量１０３－１０７ｇ／ｅｑ）５部に変え、
３）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」、テトラブチルホスホニウムデカン酸）の量を０．１４部から０．１６部に変えた。
　以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物１１を得た。

＜比較例２＞
　実施例５において、
１）ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、エポキシ当量約１６９ｇ／ｅｑ、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）の量を３部から４部に変え、
２）１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製、「ＺＸ１６５８ＧＳ」、エポキシ当量１３０－１４０ｇ／ｅｑ）の量を３部から４部に変え、
３）テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量１８７－１９７ｇ／ｅｑ）の量を１部から２部に変え、
４）液状硬化剤（淀化学工業社製「ＴＭＴＰ」、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオナート）、分子量３９８、３官能）の量を６部から８部に変え、
５）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」、テトラブチルホスホニウムデカン酸）の量を０．１４部から０．１９部に変え、
６）分散剤（楠本化成社製「ＥＤ１５２」、アルキレンオキシド含有リン酸エステル）を添加しなかった。
　以上の事項以外は実施例５と同様にしてペースト状樹脂組成物１２を得た。

［粘度の測定］
　各実施例及び各比較例のペースト状樹脂組成物の温度を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＲＥ－８０Ｕ」、１°３４’×Ｒ２４コーン、回転数は１ｒｐｍ）を用いて測定した。

［熱伝導率の測定］
　実施例１～４の各ペースト状樹脂組成物を所定容器に入れ、熱循環オーブンで、１２０℃６０分間熱硬化し、厚み１０ｍｍ×直径φ３６ｍｍの円筒状硬化物を作製した。得られた円筒状硬化物を、測定温度２５℃、４０％ＲＨの恒温環境下で、京都電子工業社製「ＴＰＳ－２５００」を用いて、ホットディスク法により熱伝導率を測定した。
　実施例５、７～１０及び比較例２の各ペースト状樹脂組成物は、熱循環オーブンで熱硬化させる条件を、１２０℃６０分間から１５０℃６０分間とした。以上の事項以外は実施例１と同様にして熱伝導率を測定した。
　実施例６及び比較例１の各ペースト状樹脂組成物は、熱循環オーブンで熱硬化させる条件を、１２０℃６０分間から、１５０℃６０分間熱硬化させた後、さらに１８０℃６０分間とした。以上の事項以外は実施例１と同様にして熱伝導率を測定した。

［密着性の測定］
　ニッケルメッキ基板上に、ペースト状樹脂組成物を塗布し、その上にコンデンサチップを載せた。コンデンサチップの接着面積が１．２ｍｍ×２．０ｍｍとなるように、コンデンサチップからはみ出したペースト状樹脂組成物を除去し、テストピースを得た。
　次に、得られたテストピースのペースト状樹脂組成物を硬化させた。実施例１～４の硬化条件は１２０℃６０分間、実施例５、７～１０及び比較例２の硬化条件は１５０℃６０分間、実施例６及び比較例１の硬化条件は１５０℃６０分間熱硬化させた後、さらに１８０℃６０分間とした。
　デイジ社製シリーズ４０００を用いて、２５℃の環境下、２００μｍ／ｓの速度で、硬化させたペースト状樹脂組成物上のコンデンサチップを引掻くことで硬化させたペースト状樹脂組成物のダイシェア強度を測定した。この操作を３回行いその平均値を求めた。また、以下の基準で密着力を評価した。
◎：ダイシェア強度が２０Ｎ以上
○：ダイシェア強度が１０Ｎ以上２０Ｎ未満
△：ダイシェア強度が１０Ｎ未満

　ペースト状樹脂組成物１～１２の調製に用いた成分とその配合量（不揮発分の質量部）を下記表に示した。なお、下記表中の略語等は以下のとおりである。
（Ｃ）成分の含有量（質量％）：ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量
（Ｃ）成分の含有量（体積％）：ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合の（Ｃ）成分の含有量

　実施例１～１３は、粘度が低く、熱伝導率が高いことがわかる。また、各実施例は、ダイシェア強度が高いことから密着性に優れることもわかる。
　一方、（Ｂ）成分を含有しない比較例１、及び（Ｄ）成分を含有しない比較例２は、粘度が１０００Ｐａ・ｓを超えてしまい、銅箔やアルミ箔等の金属箔に塗布することができず、ペースト状樹脂組成物として使用できるものではなかった。

　実施例１～１３において、（Ｅ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。

Claims

　（Ａ）エポキシ樹脂、
　（Ｂ）液状硬化剤、
　（Ｃ）熱伝導性フィラー、及び
　（Ｄ）分散剤、を含有する、ペースト状樹脂組成物。
　ペースト状樹脂組成物中に含まれる有機溶剤の含有量が、ペースト状樹脂組成物の全質量に対して、１．０質量％未満である、請求項１に記載のペースト状樹脂組成物。
　ペースト状樹脂組成物の硬化物の熱伝導率が、２．０Ｗ／ｍＫ以上である、請求項１又は２に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｄ）成分が、オキシアルキレン含有リン酸エステルを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｃ）成分が、炭化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｃ）成分が、炭化ケイ素を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　炭化ケイ素の平均粒径が、１μｍ以上３０μｍ以下である、請求項６に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｃ）成分が、さらに、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムから選ばれる１種以上を含む、請求項６又は７に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｃ）成分の含有量が、ペースト状樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、６０質量％以上９５質量％以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｂ）成分が、ポリチオール化合物、及び液状フェノール樹脂から選ばれる１種以上を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　（Ｂ）成分が、トリメチロールプロパントリス(３－メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトプロピオネート）、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３－メルカプトプロピオネート）、トリス－[(３－メルカプトプロピオニルオキシ)－エチル]－イソシアヌレート、トリス(３－メルカプトプロピル)イソシアヌレート、チオグリコール酸オクチル、エチレングリコールビスチオグリコレート、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、３－メルカプトプロピオン酸、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、１，４－ビス（３－メルカプトブチリルオキシ）ブタン、１，３，５－トリス（３－メルカプトブチリルオキシエチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトブチレート）、トリメチロールエタントリス（３－メルカプトブチレート）、１，３，４，６－テトラキス（２－メルカプトエチル）グリコールウリル、４，４’－イソプロピリデンビス［（３－メルカプトプロポキシ）ベンゼン］から選ばれる１種以上のポリチオール化合物、及びアルケニル基含有ノボラック型フェノール樹脂から選ばれる液状フェノール樹脂から選ばれる１種以上を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　ペースト状樹脂組成物の２５℃における粘度が、３５０Ｐａ・ｓ以下である、請求項１～１１のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物。
　請求項１～１２のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む回路基板。
　請求項１３に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
　請求項１～１２のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物により封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
　ヒートシンクと、該ヒートシンク上に設けられた請求項１～１２のいずれか１項に記載のペースト状樹脂組成物の硬化物と、該硬化物上に装着された電子部品と、を有する電子部材。