[go: up one dir, main page]

WO2018143681A1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
WO2018143681A1
WO2018143681A1 PCT/KR2018/001366 KR2018001366W WO2018143681A1 WO 2018143681 A1 WO2018143681 A1 WO 2018143681A1 KR 2018001366 W KR2018001366 W KR 2018001366W WO 2018143681 A1 WO2018143681 A1 WO 2018143681A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
disposed
phosphor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2018/001366
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
홍승식
타케야모토노부
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority to US16/482,854 priority Critical patent/US11456401B2/en
Priority to CN201880005226.7A priority patent/CN110114892A/zh
Publication of WO2018143681A1 publication Critical patent/WO2018143681A1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US17/875,358 priority patent/US20220367761A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly to a light emitting diode package comprising a phosphor layer.
  • a light emitting diode is an inorganic semiconductor device that emits light generated through recombination of electrons and holes. Recently, light emitting diodes have been used in various fields such as display devices, vehicle lamps, and general lighting. The light emitting diode has a long lifespan, low power consumption, and fast response time, and is rapidly replacing a conventional light source due to these advantages.
  • white light may be implemented using a light emitting diode emitting blue light, a light emitting diode emitting green light, and a light emitting diode emitting red light.
  • a light emitting diode emitting blue light a light emitting diode emitting green light
  • a light emitting diode emitting red light a light emitting diode emitting red light.
  • a light emitting diode emitting red light is mainly used as a light emitting diode package that converts blue light or ultraviolet light emitted from a light emitting diode emitting blue light or ultraviolet rays to emit red light to the outside.
  • 1 is a cross-sectional view showing a conventional LED package.
  • a conventional light emitting diode package is a diagram illustrating a package using a light emitting diode as described above.
  • the conventional light emitting diode package includes a light emitting diode chip and a phosphor layer.
  • the substrate 11 supports the LED package, and the LED package is disposed on the substrate 11.
  • the light emitting diode chip 12 is disposed on the substrate 11 and emits monochromatic light.
  • the light emitting diode chip 12 included in the conventional light emitting diode package 12 will be described with respect to the light emitting diode chip 12 emitting blue light or ultraviolet light.
  • a red phosphor layer 13 is disposed to cover the light emitting diode chip 12 to convert blue light or ultraviolet light into red light.
  • the red phosphor layer 13 may convert the blue light or ultraviolet light emitted from the light emitting diode chip 12 to emit red light to the outside.
  • the light emitted from the conventional LED package as described above does not emit only red light, there is a problem that some blue light is emitted to the outside as well.
  • FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a conventional LED package
  • FIGS. 3A and 3B are graphs showing light intensity according to wavelengths of the LED packages illustrated in FIGS. 1 and 2A to 2C.
  • 2A to 2C are conventional LED packages for preventing blue light from being emitted to the outside from red light emitted to the outside through the LED package shown in FIG. 1.
  • the light emitting diode package illustrated in FIG. 2A has a thicker thickness of the phosphor layer 13 disposed on the light emitting diode chip 12 in order to minimize the blue light from the red light emitted from the light emitting diode package illustrated in FIG. 1. It is.
  • a light emitting diode chip having BR102Q as a red phosphor and a phosphor layer 13 containing 100% of a red phosphor BR102Q in a resin forming the phosphor layer 13 have a shape as shown in FIG. 1.
  • the phosphor layer 13 is compared with the arrangement on the light emitting diode chip 12 in the shape as shown in Fig. 2a.
  • the phosphor layer 13 of the LED package includes more than 150% of the red phosphor, or thickened the thickness of the phosphor layer 13 disposed on the LED chip 12 is emitted from the LED package The blue light included in the light can be reduced.
  • the thickening of the phosphor layer 13 has a disadvantage in that the productivity and workability of the LED package decreases as the size of the product increases, and there is a limitation of the red color, resulting in a decrease in color gamut.
  • the wall portions 15 may be disposed on both sides of the LED chip 12, and the phosphor layer 13 may be disposed on the wall portion 15 and the LED chip 12.
  • the phosphor layer 13 may be disposed to cover the entire light emitting diode chip 12, and the wall portion 15 may be disposed on the side surface of the phosphor layer 13 (Type B). . Accordingly, by blocking the blue light or ultraviolet rays emitted from the side of the light emitting diode chip 12, it is possible to reduce the emission of blue light or ultraviolet rays from the light emitting diode package.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can have a desired color reproducibility without increasing the size of the light emitting diode package.
  • a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, a light emitting diode chip; A phosphor layer disposed to cover an upper portion of the light emitting diode chip and wavelength converting light emitted from the light emitting diode chip; And a color filter layer disposed to cover an upper portion of the phosphor layer, and blocking light of some wavelengths from light emitted through the phosphor layer.
  • the phosphor layer may be disposed to cover the side and the top of the light emitting diode chip, and the color filter layer may be disposed to cover the side and the top of the phosphor layer.
  • the light emitting diode chip may be a light emitting diode chip emitting blue light or ultraviolet rays
  • the phosphor layer may emit red light by wavelength converting blue light or ultraviolet light emitted from the light emitting diode chip.
  • the color filter layer may block blue light or ultraviolet light from the light emitted through the phosphor layer.
  • the thickness of the color filter layer may be 0.5um to 3um.
  • the phosphor layer may include one or more kinds of phosphors.
  • the light emitting diode chip may further include a wall part disposed on a side surface of the light emitting diode chip and reflecting light emitted from the light emitting diode chip.
  • the phosphor layer may be disposed above the light emitting diode chip and the wall portion, and the wall portion may be disposed in contact with the light emitting diode chip.
  • the wall portion may be disposed to be spaced apart from the light emitting diode chip.
  • the phosphor layer may be disposed to cover the side and the top of the LED chip
  • the color filter layer may be disposed to cover the side and the top of the phosphor layer
  • the wall portion may be disposed to contact the side of the color filter layer.
  • the upper surface of the wall portion and the upper surface of the color filter layer may be the same plane.
  • the peak wavelength emitted from the light emitting diode chip may be 445 nm to 455 nm.
  • the color filter layer may be formed by a spin coating method.
  • a red light when a red light is implemented using a blue light emitting diode chip, an ultraviolet light emitting diode chip, and a phosphor without using a red light emitting diode chip, a color coated on the phosphor layer to emit blue light or ultraviolet rays together with red light.
  • a color coated on the phosphor layer By blocking blue light or ultraviolet rays with the filter layer, only the red light can be emitted to the outside.
  • the red coordinates of the red light emitted from the light emitting diode package can be freely realized, and the desired red color can be realized from pure red to deep red.
  • 1 is a cross-sectional view showing a conventional LED package.
  • FIGS. 2A through 2C are cross-sectional views illustrating a conventional LED package.
  • 3A and 3B are graphs showing the intensity of light according to the wavelength of the LED packages shown in FIGS. 1 and 2A to 2C.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • 5A and 5B are graphs comparing the intensity of light according to the wavelength of the LED package of the present invention with the intensity of light according to the wavelength of the conventional LED package.
  • FIG. 6 is a graph illustrating color coordinates of white light using a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • the LED package 100 of the present invention includes a LED chip 120, a phosphor layer 130, and a color filter layer 140.
  • the light emitting diode chip 120 may be disposed on the substrate 110 and may emit light by an externally supplied power.
  • the light emitting diode chip 120 may be a light emitting diode chip 120 emitting blue light or ultraviolet light, and may include an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer.
  • the n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer may each include a III-V group compound semiconductor, and may include, for example, a nitride semiconductor such as (Al, Ga, In) N.
  • the n-type semiconductor layer may be a conductive semiconductor layer including n-type impurities (eg, Si), and the p-type semiconductor layer may be a conductive semiconductor layer including p-type impurities (eg, Mg).
  • the active layer may be interposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, and may include a multi quantum well structure (MQW).
  • the composition ratio may be determined to emit light of a desired peak wavelength.
  • the light emitting diode chip 120 may be a light emitting diode emitting blue light or ultraviolet light.
  • the peak wavelength emitted from the light emitting diode chip 120 may be 445 nm to 455 nm. Since the LED package 100 according to an embodiment of the present invention is to emit red light to the outside, it is necessary to convert the wavelength of blue light or ultraviolet light emitted from the LED chip 120. Accordingly, as shown in FIG. 4, the phosphor layer 130 is disposed to cover the light emitting diode chip 120.
  • the phosphor layer 130 may include one or more kinds of phosphors capable of emitting red light to the outside by converting blue light or ultraviolet light into the inside thereof. That is, the phosphor layer 130 may include at least one kind of phosphor and a support such as silicon supporting at least one kind of phosphor. In addition, the phosphor layer 130 may be disposed by compression-mixing one or more kinds of phosphors and glass grains as necessary. In this case, the phosphor included in the phosphor layer 130 may include a nitride or a fluoride-based red phosphor.
  • the color filter layer 140 may be disposed to cover the phosphor layer 130.
  • the color filter layer 140 is disposed to block light corresponding to a wavelength below a predetermined level from the light emitted through the phosphor layer 130.
  • the color filter layer 140 may block light having a wavelength emitted from the LED chip 120. That is, for example, when the peak wavelength of the light emitted from the light emitting diode chip 120 is 445 nm to 455 nm, the color filter may block light of 455 nm or less and transmit light of more than 455 nm.
  • the color filter layer 140 is disposed to cover the phosphor layer 130 and may be coated by spin coating. Accordingly, it can be formed to a desired thickness according to the spin speed [rpm] and the coating time (coating time). In this embodiment, the spin speed of the color filter layer 140 may be coated for about 5 to 90 seconds at a speed of 3000 to 6000 rpm. Accordingly, the thickness of the color filter layer 140 may be 0.5 to 3um.
  • the thickness of the color filter layer 140 as described above may be determined in consideration of the peak wavelength, color coordinates, and light loss of red light emitted from the LED package 100.
  • the plurality of light emitting diode chips 120 are disposed on the substrate 110 so as to be spaced apart from each other, and the phosphor layer 130 is disposed to cover the entirety of the plurality of light emitting diode chips 120.
  • the phosphor layer 130 may be in a liquid state having a viscosity, and may be disposed to cover each light emitting diode chip 120 and to fill a plurality of light emitting diode chips 120.
  • a dicing process is performed to distinguish each light emitting diode chip 120.
  • a grinding process may be added on the phosphor layer 130.
  • the color filter layer 140 may be formed through a spin coating process to cover the light emitting diode chip 120 in which the phosphor layer 130 is disposed.
  • the coating of the color filter layer 140 may be coated with a spin speed of about 5 to 90 seconds at a speed of 3000 to 6000 rpm, and formed to a thickness of about 0.5 to 3 ⁇ m.
  • an additional dicing process may be performed to remove unnecessary portions of the color filter layer 140.
  • the color filter layer 140 has been described in the present embodiment through the spin coating process, the color filter layer 140 may be formed through another process.
  • 5A and 5B are graphs comparing the intensity of light according to the wavelength of the LED package of the present invention with the intensity of light according to the wavelength of the conventional LED package.
  • 5A is a graph illustrating the intensity of light emitted from the LED package 100 and the conventional LED package 100 shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4.
  • # 1 to # 4 of the graphs shown are for the light emitted from the LED package 100 having the phosphor layer 130 and the color filter layer 140 disposed on the LED chip 120.
  • # 8 is a graph of light emitted from the LED package 100 having only the phosphor layer 130 disposed on the LED chip 120.
  • # 1 represents the intensity of light emitted from the LED package 100 coated with the color filter layer 140 at a spin speed of 4500 rpm for 30 seconds
  • # 2 of the graph shows the color filter layer 140 spins. It represents the intensity of light emitted from the coated LED package 100 for 90 seconds at a speed of 6000rpm
  • # 3 represents the intensity of light emitted from the LED package 100 coated with the color filter layer 140 at a spin speed of 6000 rpm for 30 seconds
  • # 4 of the graph shows that the color filter layer 140 It represents the intensity of light emitted from the coated LED package 100 for 30 seconds at a spin speed of 3000 rpm.
  • # 8 in the graph shown represents the intensity of light emitted from the LED package 100 in which the color filter layer 140 is not disposed and only the phosphor layer 130 is disposed on the LED chip 120.
  • the intensity of the red light emitted from the LED package 100 in which the color filter layer 140 is disposed decreases slightly compared with the related art, it can be seen that the peak hardly appears in the wavelength of the blue light band. Accordingly, it can be seen that the blue light of the wavelength range of 445 nm to 455 nm is significantly reduced in the light emitted from the light emitting diode package 100 according to the present embodiment.
  • 5B is an enlarged graph of a portion of blue light having a wavelength band of 445 nm to 455 nm.
  • the wavelength range of 445 nm to 455 nm in the LED package 100 including the color filter layers 140 corresponding to # 1 to # 4 compared to the light emitted from the conventional LED package 100 corresponding to # 8. It can be confirmed more clearly that the blue light of.
  • FIG. 6 is a graph illustrating color coordinates of white light using a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Standard color coordinate values include color coordinates that implement red light using the LED package 100 according to the present embodiment, and implement white light using a blue LED chip emitting blue light and a green LED chip emitting green light. The comparison with FIG. 6 is shown.
  • the configured LED system includes a blue LED chip, a green LED chip, and a red LED package 100.
  • the CIE color coordinates of the light emitting diode system are 75% compared to BT2020 standard, 101% compared to NTSC, and 142% compared to sRGB. This can increase the color coordinate area ratio compared to each standard.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • a light emitting diode package 100 includes a light emitting diode chip 120, a phosphor layer 130, a color filter layer 140, and a wall portion 150.
  • a light emitting diode chip 120 includes a light emitting diode chip 120, a phosphor layer 130, a color filter layer 140, and a wall portion 150.
  • the same description as in the embodiment is omitted.
  • the light emitting diode chip 120 is disposed on the substrate 110.
  • the wall 150 is disposed to surround the side surface of the LED chip 120.
  • the wall part 150 may be disposed in contact with the light emitting diode chip 120, and may be disposed at the same height as the light emitting diode chip 120.
  • the wall part 150 may be formed to be white so that light emitted from the LED chip 120 is not transmitted and can be reflected. Accordingly, the light emitting diode chip 120 may emit light to the upper portion of the light emitting diode chip 120.
  • the phosphor layer 130 may be disposed to cover the upper portion of the LED chip 120 and the upper portion of the wall portion 150. Accordingly, light emitted in the upper direction of the LED chip 120 may be wavelength-converted through the phosphor layer 130 and emitted to the outside.
  • the color filter layer 140 may be disposed on the phosphor layer 130.
  • the color filter layer 140 is not disposed on the side of the phosphor layer 130, but is disposed to cover only the upper portion, and light corresponding to a wavelength of a predetermined value or less in light emitted through the upper portion of the phosphor layer 130. Can be blocked.
  • the color filter layer 140 may be formed through spin coating, as in an embodiment, and the thickness may be determined in consideration of the peak wavelength, color coordinates, and light loss of the emitted light.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
  • a light emitting diode package 100 includes a light emitting diode chip 120, a phosphor layer 130, a color filter layer 140, and a wall portion 150.
  • a light emitting diode chip 120 includes a light emitting diode chip 120, a phosphor layer 130, a color filter layer 140, and a wall portion 150.
  • the same description as in the embodiment is omitted.
  • the light emitting diode chip 120 is disposed on the substrate 110.
  • the phosphor layer 130 may be disposed to cover the side surface and the top surface of the light emitting diode chip 120, and may include one or more kinds of phosphors therein.
  • the color filter layer 140 may be disposed to cover the phosphor layer 130.
  • the color filter layer 140 blocks light corresponding to a predetermined wavelength or less from light emitted through the phosphor layer 130.
  • the wall 150 is disposed to surround the side surface of the color filter layer 140. In this case, the wall part 150 may be disposed to contact the side surface of the color filter layer 140, and the light emitted from the light emitting diode chip 120 may be reflected by the wall part 150 to be emitted toward the upper side.
  • the size of the LED chip 120 may have a smaller size than in the embodiment. Accordingly, the size of the LED package 100 according to the embodiment and the LED package 100 according to the present embodiment may be substantially similar.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및 상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 적색 발광 다이오드 칩을 사용하지 않고, 청색 발광 다이오드 칩이나 자외선 발광 다이오드 칩 및 형광체를 이용하여 적색광을 구현할 때, 적색광과 함께 청색광 또는 자외선이 같이 방출되는 것을 형광체층에 코팅한 컬러필터층으로 청색광 또는 자외선을 차단함으로써, 적색광만 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.

Description

발광 다이오드 패키지
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 형광체층을 포함하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명 등과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비 전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있으며, 이러한 장점으로 인해 기존의 광원을 빠르게 대체해 가고 있다.
이러한 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현하는 방법은 다양한데, 그 중 청색광을 방출하는 발광 다이오드, 녹색광을 방출하는 발광 다이오드 및 적색광을 방출하는 발광 다이오드를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다. 이때, 파장 변환하지 않고, 청색광 및 녹색광을 방출하는 발광 다이오드를 제조하는 것은 무리가 없으나, 적색광을 방출하는 발광 다이오드를 제조하는 것이 제조비용 및 수율 등의 문제로 제조가 쉽지 않다. 그에 따라 적색광을 방출하는 발광 다이오드는 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출하는 발광 다이오드 패키지가 주로 사용된다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발광 다이오드 패키지는 상기에서 설명한 바와 같이, 발광 다이오드를 이용한 패키지를 도시한 도면이다. 종래의 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩 및 형광체층을 포함한다.
기판(11)은 발광 다이오드 패키지를 지지하고, 발광 다이오드 패키지는 기판(11) 상에 배치된다.
발광 다이오드 칩(12)은 기판(11) 상에 배치되며, 단색광을 방출한다. 이때, 종래의 발광 다이오드 패키지에 포함됨 발광 다이오드 칩(12)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩(12)에 대해 설명한다. 이때, 종래에 적색광을 방출하기 위해서는 청색광 또는 자외선을 적색광으로 파장변환하기 위해 발광 다이오드 칩(12)을 덮도록 적색 형광체층(13)이 배치된다. 여기서, 적색 형광체층(13)은 발광 다이오드 칩(12)에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출할 수 있다.
그런데, 후술하겠지만, 상기와 같은 종래의 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광은 적색광만 외부로 방출되지 않고, 일부의 청색광이 외부로 같이 방출되는 문제가 있다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도들이고, 도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2a 내지 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지들의 파장에 따른 광의 세기를 도시한 그래프들이다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 종래의 발광 다이오드 패키지는, 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지를 통해 외부로 방출되는 적색광에서 청색광이 함께 외부로 방출되는 것을 방지하기 위한 종래의 발광 다이오드 패키지이다.
도 2a에 도시된 발광 다이오드 패키지는, 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 적색광에서 청색광을 최소화하기 위해 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 배치된 형광체층(13)의 두께를 보다 두껍게 형성한 것이다.
이렇게 종래의 발광 다이오드 패키지에서 방출된 광의 스펙트럼을 도 3a에 도시된 그래프를 통해 비교한다. 도 3a를 참조하면, 적색 형광체로, BR102Q를 이용하고, 형광체층(13)을 이루는 수지에 적색 형광체 BR102Q가 100% 포함된 형광체층(13)이 도 1에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것, 적색 형광체 BR102Q가 150% 포함된 형광체층(13)이 도 1에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것 그리고 적색 형광체 BR102Q가 150% 포함된 형광체층(13)이 도 2a에 도시된 바와 같은 형상으로 발광 다이오드 칩(12)에 배치된 것을 비교한다.
이를 통해 보면, 발광 다이오드 패키지의 형광체층(13)에 적색 형광체가 150% 이상 포함되거나, 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 배치된 형광체층(13)의 두께를 두껍게 하여 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 광에 포함된 청색광을 줄일 수 있다.
하지만, 상기와 같이, 형광체층(13)에 포함된 형광체의 양을 늘리는 경우, 발광 다이오드 패키지의 생산성 및 작업성을 떨어뜨리는 단점이 있다. 또한, 형광체층(13)의 두께를 두껍게 하는 것은 제품의 사이즈가 커짐에 따라 발광 다이오드 패키지의 생산성 및 작업성이 떨어지고, 적색 구현의 한계가 있어 색 재현성(color gamut)이 떨어지는 단점이 있다.
또한, 도 2b에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(12)의 양측에 벽부(15)를 배치하고, 벽부(15)와 발광 다이오드 칩(12)의 상부에 형광체층(13)을 배치할 수 있다(Type A). 그리고 도 2c에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(12)의 전체를 덮도록 형광체층(13)을 배치하고, 형광체층(13)의 측면에 벽부(15)를 배치할 수도 있다(Type B). 그에 따라 발광 다이오드 칩(12)의 측면에서 방출되는 청색광이나 자외선을 차단하여, 발광 다이오드 패키지에서 청색광이나 자외선이 방출되는 것을 줄일 수 있다.
상기와 같이, 발광 다이오드 패키지의 구조를 변형하더라도 도 3b에 도시된 그래프와 같이, 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지(Type B)에서 방출되는 광에서만 청색광이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 하지만, 두 가지 타입(Type A, B)은 모두, 적색을 구현하는 한계가 있으며, 색 재현성이 떨어지는 단점이 있으며, 형광체층(13)의 두께가 두꺼워지는 구조적 한계로 인해 발광 다이오드 패키지의 전체적인 크기가 커지는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광 다이오드 패키지의 크기가 커지지 않으면서, 원하는 색 재현성을 가질 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및 상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함할 수 있다.
이때, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되며, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치될 수 있다.
그리고 상기 발광 다이오드 칩은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있으며, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 방출시킬 수 있다. 이때, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층을 통해 방출되는 광 중 청색광 또는 자외선을 차단할 수 있다.
여기서, 상기 컬러필터층의 두께는 0.5um 내지 3um일 수 있다.
그리고 상기 형광체층은 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩의 측면에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사하는 벽부를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩 및 벽부의 상부에 배치될 수 있고, 상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 접촉되게 배치될 수 있다.
또한, 상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 이격되게 배치될 수 있다. 그리고 상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되고, 상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치되며, 상기 벽부는 상기 컬러필터층의 측면에 접촉되게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 벽부의 상면과 컬러필터층의 상면과 동일한 평면일 수 있다.
그리고 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm일 수 있다.
또한, 상기 컬러필터층은 스핀 코팅 방식으로 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 적색 발광 다이오드 칩을 사용하지 않고, 청색 발광 다이오드 칩이나 자외선 발광 다이오드 칩 및 형광체를 이용하여 적색광을 구현할 때, 적색광과 함께 청색광 또는 자외선이 같이 방출되는 것을 형광체층에 코팅한 컬러필터층으로 청색광 또는 자외선을 차단함으로써, 적색광만 외부로 방출할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기와 같이, 컬러필터층을 이용함으로써, 발광 다이오드 패키지에서 방출되는 적색광의 적색 좌표 구현이 자유롭고, 퓨어 레드(pure red)부터 딥 레드(deep red)까지 원하는 적색을 구현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1 및 도 2a 내지 도 2c에 도시된 발광 다이오드 패키지들의 파장에 따른 광의 세기를 도시한 그래프들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 종래의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 비교한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 백색광의 색좌표를 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130) 및 컬러필터층(140)을 포함한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 외부에서 공급된 전원에 의해 발광할 수 있다. 본 실시예에서 발광 다이오드 칩(120)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩(120)일 수 있고, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함할 수 있다.
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 각각 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있다.
n형 반도체층은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 그리고 활성층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 개재될 수 있으며, 다중 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다. 그리고 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.
본 실시예에서 발광 다이오드 칩(120)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 이용될 수 있다. 예컨대, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는 적색광을 외부로 방출시키기 위한 것이므로, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 청색광 또는 자외선을 파장 변환할 필요가 있다. 그에 따라 도 4에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 형광체층(130)이 배치된다.
형광체층(130)은 내부에 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 외부로 방출시킬 수 있는 한 종류 이상의 형광체가 포함될 수 있다. 즉, 형광체층(130)은 한 종류 이상의 형광체와 한 종류 이상의 형광체를 담지하는 실리콘과 같은 담지체를 포함할 수 있다. 또한, 필요에 따라 형광체층(130)은 한 종류 이상의 형광체와 유리 알갱이 등이 압축 혼합되어 배치될 수 있다. 이때, 형광체층(130)에 포함되는 형광체는 질화물 또는 불화물 계열의 적색 형광체가 포함될 수 있다.
그리고 형광체층(130)을 덮도록 컬러필터층(140)이 배치될 수 있다. 컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당되는 광을 차단하기 위해 배치된다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)은 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 파장의 광을 차단할 수 있다. 즉, 예컨대, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출되는 광의 피크 파장이 445nm 내지 455nm이면, 컬러필터는 455nm 이하의 광을 차단하고, 455nm 초과의 광을 투과할 수 있다.
컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 덮도록 배치되며, 스핀코팅에 의해 코팅될 수 있다. 그에 따라 스핀 속도(spin speed[rpm]) 및 코팅 시간(coating time)에 따라 원하는 두께로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 컬러필터층(140)의 스핀 속도는 3000 내지 6000rpm의 속도로 약 5 내지 90초 동안 코팅할 수 있다. 그에 따라 컬러필터층(140)의 두께는 0.5 내지 3um일 수 있다.
상기와 같은 컬러필터층(140)의 두께는 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 적색광의 피크 파장, 색좌표 및 광 손실 등을 고려하여 결정될 수 있다.
본 실시예에서, 발광 다이오드 패키지(100)의 제조 방법에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다.
기판(110) 상에 복수의 발광 다이오드 칩(120)을 서로 이격된 상태로 배치하고, 복수의 발광 다이오드 칩(120) 전체를 덮도록 형광체층(130)을 배치한다. 이때, 형광체층(130)은 점성을 갖는 액상의 상태일 수 있으며, 각 발광 다이오드 칩(120)을 덮고, 복수의 발광 다이오드 칩(120)들 사이를 채우도록 배치될 수 있다. 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 배치된 형광체층(130)이 경화되면, 각 발광 다이오드 칩(120)을 구분할 수 있게 다이싱(dicing) 공정을 거친다. 이때, 형광체층(130)의 두께를 고려하여, 형광체층(130) 상부에 그라인딩(grinding) 공정이 추가될 수 있다.
이렇게 형광체층(130)이 배치된 발광 다이오드 칩(120)을 덮도록 컬러필터층(140)이 스핀 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 컬러필터층(140)의 코팅은 상기에서 설명한 바와 같이, 스핀 속도가 3000 내지 6000rpm의 속도로 약 5 내지 90초 동안 코팅되어, 약 0.5 내지 3um의 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 스핀 코팅을 통해 컬러필터층(140)이 형성된 이후, 추가로 다이싱 공정이 이루어져 컬러필터층(140)의 불필요한 부분을 제거할 수 있다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)을 스핀 코팅 공정을 통해 형성한 것에 대해 설명하였지만, 컬러필터층(140)은 다른 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 종래의 발광 다이오드 패키지의 파장에 따른 광의 세기를 비교한 그래프이다.
도 5a는 도 4에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)와 도 1에 도시된 종래의 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 도시한 그래프이다. 좀 더 자세히 설명하면, 도시된 그래프 중 #1 내지 #4는 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130) 및 컬러필터층(140)이 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광에 대한 그래프이고, #8은 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130)만 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광에 대한 그래프이다.
도시된 그래프 중 #1은 컬러필터층(140)이 스핀 속도 4500rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타내며, 도시된 그래프 중 #2는 컬러필터층(140)이 스핀 속도 6000rpm으로 90초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다. 그리고 도시된 그래프 중 #3은 컬러필터층(140)이 스핀 속도 6000rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타내고, 도시된 그래프 중 #4는 컬러필터층(140)이 스핀 속도 3000rpm으로 30초 동안 코팅된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다.
또한, 도시된 그래프 중 #8은 컬러필터층(140)이 배치되지 않고, 발광 다이오드 칩(120) 상부에 형광체층(130)만 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 광의 세기를 나타낸다.
이를 통해 컬러필터층(140)이 배치된 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출된 적색광의 세기가 종래에 비해 다소 감소하는 것을 확인할 수 있지만, 청색광 대역의 파장에서 피크가 거의 나타나지 않는 것을 확인할 수 있다. 그에 따라 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 광에서 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광이 종래에 비해 현저하게 줄어든 것을 확인할 수 있다.
도 5b는 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광의 부분을 확대하여 도시한 그래프이다. 이를 통해 #8에 해당하는 종래의 발광 다이오드 패키지(100)에서 방출되는 광에 비해, #1 내지 #4에 해당하는 컬러필터층(140)을 포함하는 발광 다이오드 패키지(100)에서 445nm 내지 455nm 파장 대역의 청색광이 줄어든 것을 보다 확실히 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 백색광의 색좌표를 도시한 그래프이다.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 이용하여 적색광을 구현하고, 이와 함께 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드 칩 및 녹색광을 방출하는 녹색 발광 다이오드 칩을 이용하여 백색광을 구현한 색좌표를 표준 색좌표 값들과 비교한 것을 도 6에 도시하였다. 도 6을 참조하면, 상기와 같이, 구성한 발광 다이오드 시스템은 청색 발광 다이오드 칩, 녹색 발광 다이오드 칩 및 적색 발광 다이오드 패키지(100)를 포함한다.
이러한 발광 다이오드 시스템의 CIE 색좌표는 BT2020 기준 대비 75%이고, NTSC 대비 101%이며, sRGB 대비 142%를 갖는 것을 확인할 수 있다. 그에 따라 각 표준 대비 색좌표 면적율을 높일 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130), 컬러필터층(140) 및 벽부(150)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 발광 다이오드 칩(120)의 측면을 감싸도록 벽부(150)가 배치된다. 이때, 벽부(150)는 발광 다이오드 칩(120)에 접촉된 상태로 배치될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(120)과 같은 높이로 배치될 수 있다. 벽부(150)는 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 투과되지 않고, 반사할 수 있게 백색으로 형성될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(120)은 발광 다이오드 칩(120)의 상부로 광이 방출될 수 있다.
형광체층(130)은 발광 다이오드 칩(120)의 상부 및 벽부(150)의 상부를 덮도록 배치될 수 있다. 그에 따라 발광 다이오드 칩(120)의 상부 방향으로 방출된 광은 형광체층(130)을 통해 파장 변환되어 외부로 방출될 수 있다.
그리고 컬러필터층(140)은 형광체층(130)의 상부에 배치될 수 있다. 본 실시예에서 컬러필터층(140)은 형광체층(130)의 측면에는 배치되지 않고, 상부만 덮도록 배치되며, 형광체층(130)의 상부를 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당되는 광을 차단할 수 있다. 컬러필터층(140)은 일 실시예에서와 같이, 스핀 코팅을 통해 형성될 수 있으며, 방출되는 광의 피크 파장, 색좌표 및 광 손실 등을 고려하여 두께가 결정될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 발광 다이오드 칩(120), 형광체층(130), 컬러필터층(140) 및 벽부(150)를 포함한다. 본 실시예에 대해 설명하면서, 일 실시예에서와 동일한 설명은 생략한다.
발광 다이오드 칩(120)은 기판(110) 상에 배치된다. 그리고 형광체층(130)은 발광 다이오드 칩(120)의 측면과 상면을 덮도록 배치되며, 내부에 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
형광체층(130)을 덮도록 컬러필터층(140)이 배치될 수 있다. 컬러필터층(140)은 형광체층(130)을 통해 방출되는 광에서 일정 이하의 파장에 해당하는 광을 차단한다. 그리고 컬러필터층(140)의 측면을 감싸도록 벽부(150)가 배치된다. 이때, 벽부(150)는 컬러필터층(140)의 측면에 접촉되도록 배치되며, 발광 다이오드 칩(120)에서 방출된 광이 벽부(150)에서 반사되어 상부 측으로 방출될 수 있다.
여기서, 발광 다이오드 패키지(100)의 전체 크기를 고려하여, 발광 다이오드 칩(120)의 크기가 일 실시예에서보다 작은 크기를 가질 수 있다. 그에 따라 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)와 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)의 크기는 거의 유사할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.
* 부호의 설명
100: 발광 다이오드 패키지 110: 기판
120: 발광 다이오드 칩 130: 형광체층
140: 컬러필터층 150: 벽부

Claims (15)

  1. 발광 다이오드 칩;
    상기 발광 다이오드 칩의 상부를 덮도록 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장 변환하는 형광체층; 및
    상기 형광체층의 상부를 덮도록 배치되고, 상기 형광체층을 통해 방출되는 광에서 일부 파장의 광을 차단하는 컬러필터층을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되며,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치된 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩인 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광 또는 자외선을 파장 변환하여 적색광을 방출시키는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층을 통해 방출되는 광 중 청색광 또는 자외선을 차단하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬러필터층의 두께는 0.5um 내지 3um인 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체층은 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩의 측면에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 반사하는 벽부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩 및 벽부의 상부에 배치된 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 접촉되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 벽부는 상기 발광 다이오드 칩과 이격되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 형광체층은 상기 발광 다이오드 칩의 측면과 상부를 덮도록 배치되고,
    상기 컬러필터층은 상기 형광체층의 측면과 상부를 덮도록 배치되며,
    상기 벽부는 상기 컬러필터층의 측면에 접촉되게 배치된 발광 다이오드 패키지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 벽부의 상면과 컬러필터층의 상면과 동일한 평면인 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 피크 파장은 445nm 내지 455nm인 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 컬러필터층은 스핀 코팅 방식으로 형성된 발광 다이오드 패키지.
PCT/KR2018/001366 2017-02-02 2018-02-01 발광 다이오드 패키지 Ceased WO2018143681A1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/482,854 US11456401B2 (en) 2017-02-02 2018-02-01 Light emitting diode package
CN201880005226.7A CN110114892A (zh) 2017-02-02 2018-02-01 发光二极管封装件
US17/875,358 US20220367761A1 (en) 2017-02-02 2022-07-27 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170014861A KR102831200B1 (ko) 2017-02-02 2017-02-02 발광 다이오드 패키지
KR10-2017-0014861 2017-02-02

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/482,854 A-371-Of-International US11456401B2 (en) 2017-02-02 2018-02-01 Light emitting diode package
US17/875,358 Continuation US20220367761A1 (en) 2017-02-02 2022-07-27 Light emitting diode package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018143681A1 true WO2018143681A1 (ko) 2018-08-09

Family

ID=63040911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/001366 Ceased WO2018143681A1 (ko) 2017-02-02 2018-02-01 발광 다이오드 패키지

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11456401B2 (ko)
KR (1) KR102831200B1 (ko)
CN (1) CN110114892A (ko)
WO (1) WO2018143681A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115799434A (zh) * 2023-01-31 2023-03-14 天津德高化成新材料股份有限公司 一种健康照明背光源及其制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI814842B (zh) * 2019-06-17 2023-09-11 大陸商蘇州鐸力斯科技有限公司 白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置
KR102314610B1 (ko) * 2019-12-26 2021-10-20 경희대학교 산학협력단 백색광 구현 발광 패키지 및 이의 제조방법
CN114122219B (zh) * 2020-08-28 2025-04-08 群创光电股份有限公司 发光单元
TW202210605A (zh) * 2020-09-14 2022-03-16 李崇華 白光發光二極體及包含其之背光模組與顯示裝置
US12310222B2 (en) * 2021-02-17 2025-05-20 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method of printing multi-nanoparticles with uniform surface using evaporation dynamics and surface energy control
CN113659058B (zh) * 2021-08-20 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
US20240266482A1 (en) * 2023-02-02 2024-08-08 Creeled, Inc. Material arrangements in cover structures for light-emitting diodes
CN116825929A (zh) * 2023-06-30 2023-09-29 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种具有大出光角度的芯片级发光二极管封装件
USD1099386S1 (en) 2025-01-21 2025-10-21 Davinci Ii Csj, Llc Spotlight

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070114559A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
KR20110115506A (ko) * 2010-04-15 2011-10-21 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함한 조명 장치 및 발광다이오드 패키지 제조방법
KR20130017067A (ko) * 2011-11-04 2013-02-19 루미리치 주식회사 발광다이오드 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 램프
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
KR20170000512A (ko) * 2015-06-24 2017-01-03 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251059A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
US6744077B2 (en) 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
DE10361661A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP2006032010A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4667803B2 (ja) * 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP1875455B1 (en) * 2005-04-15 2010-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color display device and method of operating the same
JP2007049114A (ja) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
JP2007088348A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Sharp Corp 照明装置及びバックライト装置、液晶表示装置
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
RU2407110C2 (ru) * 2006-01-24 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Светоизлучающее устройство
KR100900620B1 (ko) * 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
KR100984126B1 (ko) * 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
TWI553844B (zh) * 2009-07-02 2016-10-11 邰祐南 影像感測器及形成影像感測器的方法
WO2011004795A1 (ja) * 2009-07-07 2011-01-13 シーシーエス株式会社 発光装置
US9293667B2 (en) * 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
KR101028313B1 (ko) * 2009-12-03 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
JP5775002B2 (ja) * 2010-01-29 2015-09-09 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
EP2555260A1 (en) * 2010-03-30 2013-02-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device
EP2378576A2 (en) 2010-04-15 2011-10-19 Samsung LED Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
KR20120063815A (ko) 2010-12-08 2012-06-18 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2014224836A (ja) * 2011-09-16 2014-12-04 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
KR101268497B1 (ko) * 2011-10-17 2013-06-04 현병문 발광 다이오드 색변환 필터 및 이를 포함하는 발광 다이오드 모듈
TW201321846A (zh) * 2011-11-17 2013-06-01 Au Optronics Corp 具有彩色濾光陣列之畫素陣列基板及顯示面板
JP2013135082A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JPWO2013111542A1 (ja) * 2012-01-23 2015-05-11 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光装置
JP2013229593A (ja) * 2012-03-30 2013-11-07 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、及び照明装置
KR102072769B1 (ko) * 2012-05-14 2020-02-03 루미리즈 홀딩 비.브이. 원격 나노구조 형광체를 갖는 발광 장치
US20150323711A1 (en) * 2012-11-30 2015-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Scatterer substrate
WO2014087938A1 (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
KR20150007885A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 구비한 발광 소자
KR102135352B1 (ko) * 2013-08-20 2020-07-17 엘지전자 주식회사 표시장치
EP2854186A1 (en) * 2013-09-26 2015-04-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module, fabrication method therefor, and backlight unit including the same
CN103779375A (zh) * 2014-02-19 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 全彩led显示面板及其制造方法、显示器
KR102191211B1 (ko) * 2014-02-28 2020-12-15 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US9423832B2 (en) * 2014-03-05 2016-08-23 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
US9219240B1 (en) * 2014-06-27 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Protective layer(s) in organic image sensors
EP2988340B1 (en) * 2014-08-18 2017-10-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US10845008B2 (en) * 2014-09-28 2020-11-24 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
JP6459354B2 (ja) * 2014-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 透光部材及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
CN110003891B (zh) * 2014-10-08 2023-05-23 首尔半导体株式会社 发光装置
KR102235612B1 (ko) * 2015-01-29 2021-04-02 삼성전자주식회사 일-함수 금속을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
CN107534076B (zh) * 2015-04-27 2019-07-05 西铁城电子株式会社 Led封装体、发光装置以及led封装体的制造方法
WO2016194405A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 シチズン電子株式会社 発光装置およびその製造方法
KR20170003182A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
US20170025589A1 (en) * 2015-07-22 2017-01-26 Epistar Corporation Light emitting structure and method for manufacturing the same
EP3790361B1 (en) * 2015-07-23 2022-10-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
JP6660687B2 (ja) * 2015-07-30 2020-03-11 シチズン電子株式会社 半導体素子および発光装置
US9926488B2 (en) * 2015-08-14 2018-03-27 Epistar Corporation Phosphor
CN105047681B (zh) * 2015-08-24 2019-04-23 深圳市万中和科技有限公司 一种微型显示芯片的彩色像素结构
KR102481524B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
JP6780421B2 (ja) * 2016-03-01 2020-11-04 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法
WO2017160119A1 (ko) * 2016-03-18 2017-09-21 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 표시장치
EP3439042B1 (en) * 2016-04-01 2021-07-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display device and manufacturing method therefor
US10332949B2 (en) * 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
JP6740762B2 (ja) * 2016-07-13 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10606121B2 (en) * 2016-09-12 2020-03-31 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
CN109792817B (zh) * 2016-09-22 2021-08-06 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
US10199552B2 (en) * 2016-09-29 2019-02-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and electronic component
WO2018070666A1 (ko) * 2016-10-11 2018-04-19 주식회사 루멘스 Led 디스플레이 모듈 및 그 제조방법
KR102806285B1 (ko) * 2017-02-02 2025-05-14 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 유닛
US11756937B2 (en) * 2017-02-13 2023-09-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
TW201910885A (zh) * 2017-07-27 2019-03-16 榮創能源科技股份有限公司 液晶顯示裝置
CN111165074B (zh) * 2017-09-29 2023-01-03 夏普株式会社 发光装置和显示装置
KR102650950B1 (ko) * 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
US10797027B2 (en) * 2017-12-05 2020-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device
KR102403723B1 (ko) * 2017-12-15 2022-05-31 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그의 제조 방법
DE112019007978B4 (de) * 2018-07-12 2023-08-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd Leuchtdioden-anordnung und rückbeleuchtungseinheit
TWI827639B (zh) * 2018-08-09 2024-01-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法
EP3851905A4 (en) * 2018-09-14 2022-06-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY DEVICE THEREOF
US11637258B2 (en) * 2019-07-26 2023-04-25 Nanosys, Inc. Display devices with different light sources
KR102801220B1 (ko) * 2020-03-17 2025-04-30 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
EP4410911A1 (en) * 2020-04-14 2024-08-07 General Electric Company Ink compositions and films with narrow band emission phosphor materials
KR102762978B1 (ko) * 2020-04-16 2025-02-11 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20210155576A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102883717B1 (ko) * 2021-08-03 2025-11-11 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US12018194B2 (en) * 2021-08-20 2024-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Color stable Mn-activated oxidofluorides as conversion luminescent materials for LED-based solid state light sources
KR20230067788A (ko) * 2021-11-09 2023-05-17 삼성전자주식회사 3차원 반도체 소자
US20230163213A1 (en) * 2021-11-19 2023-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
US12317572B2 (en) * 2021-12-31 2025-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
KR20230107959A (ko) * 2022-01-10 2023-07-18 삼성전자주식회사 반도체 장치
TW202334856A (zh) * 2022-02-23 2023-09-01 南韓商三星電子股份有限公司 半導體裝置
KR20230127800A (ko) * 2022-02-25 2023-09-01 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR20230139702A (ko) * 2022-03-28 2023-10-05 삼성전자주식회사 3차원 반도체 소자 및 그의 제조 방법
KR20240000949A (ko) * 2022-06-24 2024-01-03 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070114559A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
KR20110115506A (ko) * 2010-04-15 2011-10-21 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 포함한 조명 장치 및 발광다이오드 패키지 제조방법
KR20130022595A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 서울옵토디바이스주식회사 고전류 구동용 발광 소자
KR20130017067A (ko) * 2011-11-04 2013-02-19 루미리치 주식회사 발광다이오드 소자 및 이를 포함하는 발광다이오드 소자 램프
KR20170000512A (ko) * 2015-06-24 2017-01-03 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115799434A (zh) * 2023-01-31 2023-03-14 天津德高化成新材料股份有限公司 一种健康照明背光源及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220367761A1 (en) 2022-11-17
US20200013931A1 (en) 2020-01-09
KR102831200B1 (ko) 2025-07-10
CN110114892A (zh) 2019-08-09
US11456401B2 (en) 2022-09-27
KR20180090002A (ko) 2018-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018143681A1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR102806285B1 (ko) 발광 다이오드 유닛
US20230231085A1 (en) Wide color gamut light-emitting element
WO2019004622A1 (ko) 칩 적층 구조를 갖는 led 픽셀 소자
WO2016190644A1 (ko) 발광 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
WO2019059561A1 (ko) 다중 터널 정션 구조를 가지는 발광 다이오드
WO2019221431A1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2013024913A1 (ko) 발광장치
WO2010150994A2 (ko) 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법
WO2020036344A1 (ko) 조명 장치
WO2020153781A1 (ko) 조명 장치 및 이를 포함하는 차량용 램프
WO2021158016A1 (ko) 단일칩 복수 대역 발광 다이오드
WO2019078430A1 (en) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US7965028B2 (en) White light emitting device and producing method thereof
WO2018182146A1 (ko) Led 디스플레이 장치
WO2011149163A1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2013051771A1 (ko) 파장 변환층을 포함하는 디스플레이 장치
WO2016171333A1 (ko) 표시 장치
WO2022240265A1 (ko) 발광 모듈 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
WO2017003233A1 (ko) 발광 다이오드
WO2013058548A1 (en) Lighting device
WO2023211252A1 (ko) 발광모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2015130055A2 (ko) 발광 다이오드 패키지
WO2019164160A1 (ko) 개선된 연색성을 갖는 led 조명 장치 및 led 필라멘트
WO2016032178A1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18747449

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18747449

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1