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WO2014087938A1 - Ｌｅｄモジュール - Google Patents

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WO2014087938A1
WO2014087938A1 PCT/JP2013/082231 JP2013082231W WO2014087938A1 WO 2014087938 A1 WO2014087938 A1 WO 2014087938A1 JP 2013082231 W JP2013082231 W JP 2013082231W WO 2014087938 A1 WO2014087938 A1 WO 2014087938A1
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led device
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die
light
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PCT/JP2013/082231
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English (en)
French (fr)
Inventor
正人 外川
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Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Holdings Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
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Publication date
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Priority to US14/649,103 priority patent/US9810381B2/en
Priority to CN201380063086.6A priority patent/CN104823290B/zh
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    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Definitions

  • the present invention relates to an LED module in which an LED device covered with an LED die and packaged is placed on a module substrate.
  • the LED die which is a bare chip, has also increased in size and has become available on the order of 1 mm ⁇ (0.5-1) mm. Since this size is almost the same as that of other chip components such as resistors, it has been desired that an LED device in which an LED die is packaged with a resin or the like has a planar size comparable to that of the LED die.
  • This package is sometimes referred to as a chip size package (hereinafter referred to as “CSP”) because it directly reflects the size of the LED die.
  • the CSP may have a small mounting area and a small number of package members.
  • the CSP has a feature that the degree of freedom in designing an illumination device or the like is increased because the number mounted on the mother board can be easily changed according to the required luminance.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a CSP-based light emitting device 100 (LED device) shown as a first conventional example.
  • the light emitting device 100 described in FIG. 14 is an ultimate CSP, and is an LED device in which the chip size of the LED die matches the outer shape of the package, as shown in FIG. .
  • the phosphor layer 130c and the lens 132 are laminated on the upper surface of the laminated body 112c (semiconductor layer).
  • the laminated body 112c semiconductor layer
  • the stacked body 112c includes a p-type cladding layer 112b, a light emitting layer 112e, and an n-type cladding layer 112a, and is covered with an insulating layer 120c having a part of the lower surface opened.
  • Solder balls 136a and 136b are attached to the lower portions of the copper pillars 126a and 126b, and a reinforcing resin 128 is filled between the copper pillars 126a and 126b.
  • the planar size of the light emitting device 100 shown in FIG. 14 matches the planar size of the stacked body 112c.
  • the light emitting device 100 is obtained by dividing a wafer in which the light emitting devices 100 are arranged and connected, and is sometimes referred to as a WLP (wafer level package) because it is the smallest in the product group divided by the CSP. . Since the light emitting device 100 removes the transparent insulating substrate (see paragraph 0026 and FIG. 2 of Patent Document 1) originally on the stacked body 112c, light is emitted only upward (arrow F) from the light emitting layer 112e. . Therefore, the phosphor layer 130 c is provided only on the LED device 6.
  • the manufacturing apparatus since a laser is used to remove the transparent insulating substrate, the manufacturing apparatus becomes large and the manufacturing process becomes long. Moreover, since the LED device 100 forms the phosphor layer 130c at the wafer level, it cannot cope with variations in the light emission characteristics of individual LED dies on the wafer. As a result, in the LED device 100, it may be difficult to manage the emission color.
  • the inventor of the present application leaves a transparent insulating substrate as an LED device that is small but easy to make and easy to control the emission color, and the side surface of the transparent insulating substrate is white reflecting member along with the side surface of the semiconductor layer formed on the lower surface thereof.
  • An LED device for flip chip mounting in which the upper surface of the transparent insulating substrate and the white reflective member was covered with a phosphor sheet was prototyped (see Patent Document 2).
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of an LED device 200 shown as a second conventional example.
  • the LED device 200 is the LED device disclosed in Patent Document 2.
  • the LED device 200 includes an LED die 216b having a sapphire substrate 214b (transparent insulating substrate) and a semiconductor layer 215b formed on the lower surface thereof, and includes a white reflecting member 217b on a side surface of the LED die 216b.
  • a phosphor sheet 211b that converts the wavelength of emitted light is provided on the upper surface of the reflecting member 217b.
  • the protruding electrodes 218b and 219b connected to the semiconductor layer 215b of the LED die 216b are an anode and a cathode, respectively, and are external connection electrodes for connecting to a mother board or a module board.
  • the mother board is a board on which the LED device 200 is mounted together with other electronic components such as resistors and capacitors.
  • the module substrate is a substrate that is included in an LED module that is handled as a component that emits light and on which a large number of LED devices are mounted.
  • the LED device 200 can change the phosphor sheet 211b in accordance with the light emission characteristics of the individual LED die 216b, the emission color can be easily managed, and the thickness of the white reflective member 217b can be secured to ensure characteristics such as light shielding and reflection. Since a thickness of 100 ⁇ m or less is sufficient, the size can be reduced. In addition, it is easy to manufacture because a collective method can be applied in which individual LED devices 200 can be obtained by processing with a large number of LED dies 216b arrayed, and finally being separated into individual pieces. Furthermore, since the LED device 200 is small in size, it has a feature that enables a narrow pitch arrangement and high-density mounting on the module substrate when configuring the LED module.
  • the emission color (chromaticity coordinates) of the LED modules deviates from the emission color of the LED device 200 alone. Oops. It has been found that this is because a part of light emitted from one LED device 200 enters another adjacent LED device 200 and excites the phosphor of the other LED device 200.
  • the structure of the LED module is complicated, or light emission loss due to light shielding occurs. Therefore, it is not preferable.
  • An object of the present invention is to provide an LED module which does not cause a shift in emission color and has little emission loss even when small LED devices are placed close to each other.
  • the LED module includes a module substrate, a first LED device having a side surface constituted by a light-transmitting surface, and a second LED device having a side surface constituted by a light-shielding surface, and the light-transmitting surface and the second LED of the first LED device.
  • the first LED device is placed adjacent to the second LED device on the module substrate so as to face the light shielding surface of the device.
  • the LED module it is preferable that only two opposing side surfaces of the four side surfaces of the second LED device are light shielding surfaces.
  • the first LED device and the second LED device are preferably arranged in a line.
  • all four side surfaces of the second LED device are light shielding surfaces.
  • a plurality of first LED devices and a plurality of second LED devices are arranged in a staggered manner.
  • the light-shielding surface of the second LED is preferably made of a white reflective member.
  • the first LED device includes a first LED die having a first electrode disposed on the module substrate side, and the first LED die is formed by laminating a first semiconductor layer and a first transparent insulating substrate on the first electrode, In the first LED device, the upper surface and the side surface of the first LED die are coated with a fluorescent resin,
  • the second LED device includes a second LED die having a second electrode disposed on the module substrate side, wherein the second LED die has a second semiconductor layer and a second transparent insulating substrate stacked on the second electrode, It is preferable that the upper surface of the second LED die is coated with a fluorescent resin and the side surface is coated with a white reflecting member.
  • the first electrode of the first LED device and the second electrode of the second LED device are preferably external connection electrodes for connection with electrodes on the module substrate.
  • the bottom surface of the first LED die included in the first LED device is preferably covered with a fluorescent resin except for the external connection electrodes.
  • the bottom surface of the second LED die included in the second LED device is preferably covered with a white reflecting member except for the external connection electrodes.
  • the first LED die included in the first LED device or the second LED die included in the second LED device is preferably flip-chip mounted on the submount substrate or the lead.
  • the side surface of the submount substrate or the lead is preferably covered with a fluorescent resin.
  • the fluorescent resin on the top surface of the first LED die included in the first LED device or the second LED die included in the second LED device is preferably a phosphor sheet.
  • the emission color of the first LED device and the emission color of the second LED device are preferably different.
  • the LED module includes a module substrate and a plurality of LED devices mounted on the module substrate.
  • the plurality of LED devices include a first LED device and a second LED device, and the first LED device is a second LED device.
  • the side surface of the first LED device is a light transmitting surface
  • the side surface of the second LED device is a light shielding surface.
  • the first LED device and the second LED device included in the LED module have a built-in LED die. Assuming that the module substrate is on the lower side of the first LED device and the second LED device, in the first LED device, the side surface and the upper surface of the LED die are covered with a translucent member made of a fluorescent resin. The side is a translucent surface. In contrast, in the second LED device, the upper surface of the LED die is coated with a fluorescent resin, while the side surfaces of the LED die and the fluorescent resin are coated with a light-shielding member such as a white reflecting member. As a result, the side surface of the second LED device is It is a light shielding surface. And in the LED module of this invention, it arrange
  • the first LED device When the LED devices are turned on in such a state, the first LED device not only emits light upward but also emits light laterally. Most of the light emitted to the side reaches the light shielding surface made up of the module substrate, the white reflecting member of the adjacent second LED device, etc., where a part is absorbed and the rest is reflected. The light reflected by the module substrate surface and the light shielding surface is directed upward while repeating reflection, and contributes to the improvement of the light emission efficiency of the LED module.
  • the second LED device does not emit light to the first LED device side because the side surface on the first LED device side has a light shielding surface made of a white reflecting member or the like.
  • the light emitted from the adjacent second LED device or the first LED device is not incident on the first LED device or the second LED device, so that the phosphor in the fluorescent resin is excited by the light incident from the outside and the emission color varies.
  • the emission color shift based on this mechanism does not occur.
  • the LED device in the LED module includes a first LED device whose side surface is a transmissive surface made of a fluorescent resin and a second LED device whose side surface is a light-shielding surface made of a white reflecting member or the like, and the second LED device next to the first LED device.
  • a first LED device whose side surface is a transmissive surface made of a fluorescent resin
  • a second LED device whose side surface is a light-shielding surface made of a white reflecting member or the like
  • the second LED device next to the first LED device are arranged on the module substrate so as to exist.
  • FIGS. 4A to 4C are external views of the LED device 10 included in the LED module 50.
  • FIG. It is AA 'sectional drawing of Fig.1 (a).
  • FIGS. 3A to 3C are external views of the LED device 20 included in the LED module 50.
  • FIG. It is BB 'sectional drawing of Fig.3 (a).
  • 2 is a plan view of an LED module 50.
  • FIG. It is CC 'sectional drawing of FIG. (A)-(c) is an external view of the LED device 30 contained in the other LED module 90.
  • FIG. It is DD 'sectional drawing of Fig.7 (a). It is a top view of the LED module 90.
  • FIG. It is sectional drawing of the LED device 30a and LED device 30b which are further contained in another LED module.
  • LED device 40a and LED device 40b contained in still another LED module. It is sectional drawing of LED device 50a and LED device 50b contained in still another LED module. It is sectional drawing of LED device 60a and LED device 60b contained in still another LED module. It is sectional drawing of the LED apparatus 100 in a 1st prior art example. It is sectional drawing of the LED apparatus 200 in a 2nd prior art example.
  • FIG. 1 shows the appearance of an LED device 10 (first LED device) included in an LED module 50 (see FIGS. 5 and 6), FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b) is a front view, and FIG. c) is a bottom view.
  • FIG. 1A when the LED device 10 is viewed from above, a frame made of a rectangular fluorescent resin 12 and a phosphor sheet 11 inside the frame are observed.
  • the phosphor sheet 11 is one form of the fluorescent resin, but is distinguished from the fluorescent resin 12 by the difference in the attachment position to the LED die 16 (see FIG. 2), the attachment method, and the manufacturing method (the same applies hereinafter).
  • FIG. 1B when the LED device 10 is viewed from the front, the fluorescent resin 12 and the two electrodes 15 below the fluorescent resin 12 are observed.
  • FIG. 1C when the LED device 10 is viewed from below, a frame made of a rectangular fluorescent resin 12 and a semiconductor layer 14 inside the frame are observed, and two electrodes are provided inside the semiconductor layer 14. 15 is observed.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • the upper portion of the LED die 16 is covered with the phosphor sheet 11, and the side portions of the LED die 16 and the phosphor sheet 11 are covered with the fluorescent resin 12.
  • the LED die 16 includes a sapphire substrate 13 (transparent insulating substrate), a semiconductor layer 14, and two electrodes 15, and the semiconductor layer 14 and the sapphire substrate 13 are stacked on the electrode 15.
  • An adhesive 17 exists between the sapphire substrate 13 and the phosphor sheet 11.
  • the phosphor sheet 11 and the phosphor resin 12 change the wavelength of the blue light emitted from the LED die 16 to whiten.
  • the fluorescent resin 12 forms a light transmitting surface as a side surface of the LED device 10.
  • the phosphor sheet 11 is obtained by kneading phosphor fine particles in a phenyl silicone resin and processing it into a sheet shape, and has a thickness of about 100 to 300 ⁇ m. In order to reduce the loss due to concentration quenching, the phosphor sheet 11 is set to be thicker.
  • the fluorescent resin 12 is obtained by kneading phosphor fine particles in a silicone resin and thermosetting, and has a width of approximately 100 ⁇ m.
  • the adhesive 17 is a thermosetting silicone adhesive and has a thickness of approximately 100 ⁇ m or less.
  • the plane size of the LED device 10 is 1.0 mm ⁇ 0.5 mm, and the surface mounter ( It becomes a size that can be easily handled by surface mounters.
  • the sapphire substrate 13 included in the LED die 16 has a thickness of about 80 to 120 ⁇ m.
  • the semiconductor layer 14 formed on the lower surface of the sapphire substrate 13 has a thickness of about 10 ⁇ m, includes a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and a boundary surface thereof serves as a light emitting layer.
  • An interlayer insulating film and a protective film exist below the semiconductor layer 14, and an electrode 15 is formed on the protective film.
  • the two electrodes 15 are an anode and a cathode, and are connected to the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer via wiring on the interlayer insulating film, respectively.
  • the electrode 15 is an external connection electrode for connecting to a mother board or module board 51 (see FIGS. 5 and 6) on which other electronic components such as resistors and capacitors are mounted, and has a gold layer on the surface for soldering. ing.
  • the thickness of the electrode 15 is set between several 100 nm and several tens
  • FIG. 3 shows the appearance of the LED device 20 (second LED device) included in the LED module 50 (see FIGS. 5 and 6).
  • FIG. 3 (a) is a plan view
  • FIG. 3 (b) is a front view
  • FIG. c) is a bottom view.
  • FIG. 3A when the LED device 20 is viewed from above, a frame made of a rectangular white reflecting member 23 and a phosphor sheet 21 inside the frame are observed.
  • FIG. 3B when the LED device 20 is viewed from the front, the white reflecting member 23 and the two electrodes 15 thereunder are observed.
  • FIG. 3C When the LED device 20 is viewed from below as shown in FIG. 3C, a frame made of a rectangular white reflecting member 23 and the semiconductor layer 14 inside the frame are observed. Electrode 15 is observed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
  • the upper portion of the LED die 16 is covered with the phosphor sheet 21, and the side portions of the LED die 16 and the phosphor sheet 21 are covered with the white reflecting member 23.
  • the LED die 16 is the same as the LED die 16 included in the LED device 10 shown in FIGS. 1 and 2, and an adhesive 27 exists between the sapphire substrate 13 and the phosphor sheet 21.
  • the phosphor sheet 21 converts the wavelength of blue light emitted from the LED die 16 to white.
  • the white reflecting member 23 forms a light shielding surface as a side surface of the LED device 20.
  • the phosphor sheet 21 and the adhesive material 27 are the same as the phosphor sheet 11 and the adhesive material 17 of the LED device 10 shown in FIGS.
  • the white reflecting member 23 is obtained by kneading reflective fine particles such as titanium oxide and alumina in a silicone resin and thermosetting the width, and has a width of approximately 100 ⁇ m. In the LED device 20, since the frame made of the white reflecting member 23 is provided around the LED die 16, the planar size and height are equal to those of the LED device 10.
  • FIG. 5 is a plan view of the LED module 50.
  • a plurality of LED devices 10 and 20 are mounted on the module substrate 51.
  • the LED device 10 and the LED device 20 are alternately arranged on the module substrate 51.
  • the LED devices 10 are not adjacent to each other on the module substrate 51, and similarly, the LED devices 20 are not adjacent to each other on the module substrate 51.
  • the LED device 20 exists next to the LED device 10.
  • Each of the LED device 10 and the LED device 20 has a so-called zigzag arrangement, and has a checkered pattern as a whole. Note that other electronic components such as resistors and capacitors may be mounted on the module substrate 51.
  • FIG. 6 is a CC ′ cross-sectional view of FIG.
  • the LED devices 10 and 20 placed on the LED module 50 emit light rays 61 and 62 upward.
  • the side surface of the LED device 10 is covered with the translucent fluorescent resin 12 (see FIGS. 1 and 2), the light beams 63 and 64 are emitted sideways.
  • the light beam 63 is reflected by the light shielding surface composed of the white reflecting member 23 (see FIGS. 3 and 4) formed on the side portion of the adjacent LED device 20 and travels upward.
  • the light beam 64 is reflected by the light shielding surface composed of the white reflecting member 23 of the adjacent LED device 20, temporarily goes downward, is reflected by the surface of the module substrate 51, and then goes upward.
  • the LED device 10 When the LED devices 10 and 20 are turned on as described above, the LED device 10 emits light to the side as well as upward, whereas the LED device 20 emits light only upward. Since the LED device 10 and the LED device 20 are alternately arranged, most of the light directed from the LED device 10 to the side is reflected by the surface of the module substrate 51 or the white reflecting member 23 of the adjacent LED device 20. , A part goes directly upwards, and the rest go upwards repeatedly with further reflections.
  • the LED device 20 or the LED device 20 does not receive the light emitted from the adjacent LED device 20 or the LED device 10, it is based on a mechanism in which the phosphor in the fluorescent resin is excited by the light incident from the outside and the emission color varies. Luminous color shift (shift, fluctuation) does not occur. Since the LED device 10 does not have a light shielding member or a reflection member at the side portion and the side surface is a light-transmitting surface, the light emission efficiency is good, and the LED module 50 including the LED device 10 becomes bright. The side surface of the LED device 20 is reflective while being a light shielding surface, and part of the side light emission of the LED device 10 is efficiently reflected, which contributes to improving the brightness of the LED module 50.
  • the LED device 10 (first LED device) and the LED device 20 (second LED device) are arranged in the vertical or horizontal direction of FIG. 5 in the LED device 10, the LED device 20, the LED device 10, and the LED device. 20, are arranged to repeat.
  • the LED device 20 may be present next to the LED device 10 as described above. Therefore, for example, on the module substrate 51, the LED device 10, LED device 20, LED device 20, LED device 10, LED device 20, LED device 20, LED device 10 and so on are repeated in the vertical or horizontal direction in FIG. An array may be adopted.
  • the phosphor sheets 11 and 21 a sheet having characteristics corresponding to fluctuations in the light emission characteristics (such as peak wavelength) of the LED die 16 can be selected. Since the phosphor sheets 11 and 21 are inexpensive and easy to store and adjust the wavelength conversion characteristics, the phosphor sheets 11 and 21 having a plurality of characteristics are prepared in advance, and according to the light emission characteristics of the LED die 16. A phosphor sheet having an appropriate wavelength conversion characteristic may be selected. As a result, the management of the emission color of the LED module 50 is facilitated.
  • the phosphor sheets 11 and 21 are made of the same material, but the phosphors contained in the phosphor sheet 11 and the phosphor sheet 21 are different, and the emission colors of the LED device 10 and the LED device 20 are changed. It may be different.
  • the emission color of the LED device 10 can be adjusted to a daylight color with a high color temperature
  • the emission color of the LED device 20 can be adjusted to a warm color with a low color temperature.
  • the LED module 50 may further include an operation mode in which the LED device 10 and the LED device 20 are turned on simultaneously and an operation mode in which only the LED device 20 is turned on. In this way, when the LED device 10 and the LED device 20 are turned on at the same time, the illumination area is wide and active and bright illumination is obtained. When only the LED device 20 is lit, illumination with a warm impression is obtained in the narrow illumination area. It is done.
  • the white reflecting member 23 directly covers the side surface of the LED die 16. Therefore, the light beam emitted from the side surface of the LED die 16 is reflected by the white reflecting member 23 and returns into the LED die 16. Since a loss due to reabsorption of the semiconductor layer 14 occurs in addition to a loss due to reflection, the light emission efficiency of the LED device 20 may decrease. As a countermeasure, it is preferable to provide a translucent layer between the side surface of the LED die 16 and the white reflecting member 23, and it is further preferable to provide a slope on the inner surface of the white reflecting member 23.
  • the side surface is a light shielding surface.
  • the light-shielding surface for preventing color misregistration due to light entering from the outside is not limited to one made of a white reflecting member.
  • the light shielding surface may be black resin or metal.
  • a white reflective member is employed for the light shielding surface, it is possible to improve the light emission efficiency and reduce the size more efficiently than when a black resin or metal is employed for the light shielding surface.
  • FIG. 7 is an external view of an LED device 30 included in another LED module 90 (see FIG. 9).
  • FIG. 7 (a) is a plan view
  • FIG. 7 (b) is a front view
  • FIG. 7 (c) is a bottom view.
  • the LED devices 10 and 20 are arranged in a plane (see FIG. 5).
  • the LED module 90 is a linear module in which the LED devices 10 and 30 are linearly arranged (see FIG. 9).
  • the LED module 90 includes the LED device 10 (first LED device, see FIGS. 1 and 2) and the LED device 30 (second LED device, see FIGS. 3 and 4). Since the LED device 10 is the same as the LED device 10 included in the LED module 50, description thereof is omitted.
  • FIG. 7A when the LED device 30 is viewed from above, a rectangular phosphor sheet 31 and a phosphor resin 32 sandwiching the phosphor sheet 31 from above and below are observed, and the phosphor sheet 31 and the phosphor resin 32 are further observed. A white reflecting member 33 sandwiched from the left and right is observed.
  • the LED device 30 is viewed from the front as shown in FIG. 7B, the fluorescent resin 32 and the white reflecting member 33 sandwiching the fluorescent resin 32 from the left and right are observed, and the two electrodes 15 are observed below the fluorescent resin 32. Is done.
  • FIG. 7C When the LED device 30 is viewed from below as shown in FIG. 7C, the semiconductor layer 14, the two electrodes 15 inside thereof, the fluorescent resin 32 sandwiching the semiconductor layer 14 from above and below, the semiconductor layer 14 and the fluorescent light.
  • a white reflecting member 33 sandwiching the resin 32 from the left and right is observed.
  • FIG. 8 is a DD ′ cross-sectional view of FIG.
  • the upper portion of the LED die 16 is covered with the phosphor sheet 31, and the side portions of the LED die 16 and the phosphor sheet 31 are covered with the white reflecting member 33.
  • the sapphire substrate 13 of the LED die 16 and the phosphor sheet 31 are bonded by an adhesive 37.
  • the LED die 16, the phosphor sheet 31 and the adhesive 37 included in the LED device 30 are the LED die 16, phosphor sheets 11 and 21 and the adhesives 17 and 27 of the LED devices 10 and 20 shown in FIGS. 2 and 4. Is the same.
  • the fluorescent resin 32 and the white reflecting member 33 are made of the same material as the fluorescent resin 12 and the white reflecting member 23 shown in FIGS. Similar to the LED device 20 (see FIGS. 3 and 4), the LED device 30 also has a light shielding surface made of a white reflective resin 33 on its side surface. In the LED device 30, only two opposing side surfaces are light shielding surfaces.
  • FIG. 9 is a plan view of the LED module 90.
  • a plurality of LED devices 10 and 30 are mounted on the module substrate 95.
  • the LED device 10 and the LED device 30 are alternately arranged in a line on the module substrate 95.
  • the LED devices 10 are not adjacent to each other on the module substrate 95, and similarly, the LED devices 30 are not adjacent to each other on the module substrate 95.
  • 9 is the same as the cross-sectional view shown in FIG. 6 (only the number is changed from 20 to 30).
  • the light distribution in the longitudinal direction in FIG. 9 is the same as that shown in FIG. 9, the LED 30 emits light as well as the LED device 10. Since the light in the short direction of FIG. 9 has nothing to block except the module substrate 95, the light distribution in the short direction of the LED module 90 becomes wide.
  • the LED device 20 shown in FIGS. 3 and 4 can be used instead of the LED device 30. In this case, the LED device 20 is easier to manufacture because the structure is simpler than that of the LED device 30, but the emitted light beam is less than that of the LED device 30. Therefore, the linear LED module using the LED device 20 is darker than the LED module 90.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of an LED device 30a (first LED device) and an LED device 30b (second LED device) included in another LED module 91. Since the LED module 91 is equivalent to the LED module 50 when seen in a plan view, the illustration is omitted.
  • the LED devices 10, 20, 30 used in the LED modules 50, 90 were provided with phosphor sheets 11, 21, 31 on the upper surface of the LED die 16.
  • the member that covers the upper surface of the LED die 16 is not limited to the phosphor sheet, and any member that can convert the wavelength may be used. Therefore, the LED device 30a used in the LED module 91 is configured so that the upper surface and the side surface of the LED die 16 are covered with the fluorescent resin 31a. Further, the LED device 30b used in the LED module 91 is configured such that the upper surface of the LED die 16 is covered with the fluorescent resin 31b and the side surfaces of the LED die 16 and the fluorescent resin 31b are covered with the white reflecting member 33b.
  • the side surface made of the fluorescent resin 31a is a light transmitting surface
  • the side surface made of the white reflecting member 33b is a light shielding surface. Since the LED device 30a simultaneously forms the upper and side fluorescent resins 31a, the manufacturing process can be shortened.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of an LED device 40a (first LED device) and an LED device 40b (second LED device) included in another LED module 92. Since the LED module 92 is equivalent to the LED module 50 when seen in a plan view, the illustration is omitted.
  • the LED devices 10, 20, and 30 used in the LED modules 50 and 90 were exposed from the bottom surface of the LED die 16. However, it is not always necessary to expose the bottom surface of the LED die 16. Therefore, in the LED device 40a and the second LED device 40b used in the LED module 92, the bottom surfaces are covered with the fluorescent resin 41 and the white reflecting member 43, respectively. That is, the difference between the LED devices 40a and 40b and the LED devices 10 and 20 (see FIGS. 2 and 4) is that the LED die 16 included in the LED device 40a and the bottom surface of the LED die 16 included in the LED device 40b are connected to the electrode 15. Except for this, it is covered with the fluorescent resin 41 and the white reflecting member 43, respectively.
  • the bottom surface of the LED die 16 When the bottom surface of the LED die 16 is covered with the fluorescent resin 41 or the white reflecting member 43 except for the electrode 15, the bottom surface of the semiconductor layer 14 of the LED die 16 can be protected from contamination.
  • the light emission efficiency can be improved by changing the wavelength of light leaking from the bottom surface of the LED die 16 to the module substrate side.
  • unnecessary light leakage can be removed by shielding light.
  • the side surface made of the fluorescent resin 41 is a light transmitting surface
  • the side surface made of the white reflecting member 43 is a light shielding surface.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of an LED device 50a (first LED device) and an LED device 50b (second LED device) included in another LED module 93. Since the LED module 93 is equivalent to the LED module 50 when seen in a plan view, the illustration is omitted.
  • the external connection for connecting the electrodes 15 formed on the bottom surface of the LED die 16 to the module substrates 51, 91 (see FIGS. 6, 9). It was an electrode. However, the electrode formed on the bottom surface of the LED die 16 is not necessarily used as the external connection electrode. Therefore, the submount substrate 52 is used in the LED device 50 a and the LED device 50 b used in the LED module 93. That is, the difference between the LED devices 50a and 50b and the LED devices 10 and 20 (see FIGS. 2 and 4) is that the LED devices 50a and 50b are flip-chip mounted on the submount substrate 52 as shown in FIG. It is.
  • the submount substrate 52 includes an electrode 54 for internal connection on the upper surface and an electrode 55 for external connection on the lower surface, and the electrode 54 and the electrode 55 are connected by a through hole (not shown).
  • the base material of the submount substrate 52 is selected from resin, metal whose surface is insulated so as not to cause a short circuit between wiring elements such as electrodes 54 and 55 and through holes, ceramics, etc. in consideration of heat conduction and the like. It is.
  • the fluorescent resin 51 a and the white reflecting member 53 are also embedded in the bottom surface side of the LED die 16.
  • the side surface made of the fluorescent resin 51a is a light-transmitting surface
  • the side surface made of the white reflecting member 53 is a light shielding surface.
  • the LED devices 50a and 50b protect the LED die 16 from external contamination in the same manner as the LED devices 40a and 40b shown in FIG. 11, although the plane size is almost equal to the plane size of the LED die 16.
  • the light leaking from the lower surface of the LED die 16 is wavelength-converted or blocked.
  • the LED devices 50a and 50b can relieve stress that tends to enter the LED die 16 from the outside.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of an LED device 60a (first LED device) and an LED device 60b (second LED device) included in another LED module 94. Since the LED module 94 is equivalent to the LED module 50 when seen in a plan view, the illustration is omitted.
  • the LED die 16 is flip-chip mounted on the submount substrate 52, but the LED die 16 may be mounted on a lead. Therefore, in the LED device 60 a and the LED device 60 b used for the LED module 94, the LED die 16 is mounted on the lead 65. That is, the difference between the LED devices 60a, 60b and the LED devices 50a, 50b (see FIG. 12) is that the LED die 16 is flip-chip mounted on the leads 65 in the LED devices 60a, 60b as shown in FIG. is there.
  • the lead 65 is a metal obtained by plating the surface of Cu with tin or the like, and the upper surface serves as an internal connection electrode and the lower surface serves as an external connection electrode.
  • the bottom surface side of the LED die 16 and the side surface of the lead 65 are covered with the fluorescent resin 61a and the white reflecting member 63a.
  • the side surface made of the fluorescent resin 61a is a light transmitting surface
  • the side surface made of the white reflecting member 63a is a light shielding surface.
  • the LED devices 60a and 60b protect the LED die 16 against external contamination as well as the LED devices 40a and 40b shown in FIG. 11, and wavelength-convert or block light leaking from the lower surface of the LED die 16.
  • the LED devices 60a and 60b can relieve stress that tends to enter the LED die 16 from the outside.
  • the LED devices 50a and 50b and the LED devices 60a and 60b shown in FIGS. 12 and 13 were flip-chip mounted on the submount substrate 52 and the leads 65.
  • the LED die may be die-bonded to a submant substrate or lead, and the electrode of the LED die and the electrode or lead of the submount substrate may be connected by a wire. . Since flip-chip mounting does not require a wire, it is advantageous for downsizing and does not require a production facility for wire bonding.
  • the first LED device (LED device 10) and the second LED device (LED devices 20 and 30) are prepared as two types of LED devices, and are mounted so as to be adjacent to the module substrates 51 and 91, respectively. (See FIGS. 5 and 9).
  • the LED device 20 ′ (with the two orthogonal side surfaces (23a and 23b) as a light shielding surface and the other two orthogonal side surfaces (23c and 23d) as a translucent surface. Prepare (not shown).
  • a plurality of LED devices 20 ′ may be arranged vertically and horizontally on the module substrate so that the respective light shielding surfaces and light transmitting surfaces face each other.
  • the LED module configured as described above only needs to prepare one type of LED device, but the LED device 20 ′ has a light-shielding surface and a light-transmitting surface on the side surface, which shortens the manufacturing process.
  • an LED device 30 ′ is prepared in which only one side surface (33 a) of the LED device 30 shown in FIG. 7A is a light shielding surface and the other one side surface (33 b) is a light transmitting surface. If only a plurality of LED devices 30 ′ are arranged in the horizontal direction, a linear module without a chromaticity shift can be configured with only the LED devices 30 ′.

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Abstract

　ＣＳＰ化したＬＥＤ装置を近接して配列させても、単体のＬＥＤ装置の発光色で発光し且つ明るいＬＥＤモジュールを提供する。ＬＥＤモジュールは、モジュール基板と、透光面で構成される側面を有する第１ＬＥＤ装置と、遮光面で構成される側面を有する第２ＬＥＤ装置を有し、第１ＬＥＤ装置の透光面と第２ＬＥＤ装置の遮光面とが対向するように、モジュール基板上において第１ＬＥＤ装置が第２ＬＥＤ装置に隣接して載置されていることを特徴とする。

Description

ＬＥＤモジュール
　本発明は、ＬＥＤダイを被覆してパッケージ化したＬＥＤ装置をモジュール基板上に載置したＬＥＤモジュールに関する。
　高輝度化にともないベアチップであるＬＥＤダイも大型化し、１ｍｍ×（０．５～１）ｍｍ程度のものが入手できるようになってきた。この大きさは抵抗等の他のチップ部品と同程度になるため、ＬＥＤダイを樹脂等でパッケージ化したＬＥＤ装置はＬＥＤダイと同程度の平面サイズを有することが望まれるようになった。このパッケージはＬＥＤダイのサイズを直接的に反映するためチップサイズパッケージ（以下「ＣＳＰ」と呼ぶ）と呼ばれることがある。ＣＳＰは実装面積が小さくて済むことやパッケージ用部材が少なくて良い。また、ＣＳＰでは、必要な輝度に応じてマザー基板に搭載する個数を簡単に変えられることから照明装置等の設計の自由度が増すという特徴がある。
　図１４は、第１の従来例として示すＣＳＰ化した発光装置１００（ＬＥＤ装置）の断面図である。
　図１４に記載の発光装置１００は、ＣＳＰの究極的なものであり、ＬＥＤダイのチップサイズがパッケージの外形と一致したＬＥＤ装置であり、特許文献１の図６に示されているものである。図１４において、積層体１１２ｃ（半導体層）の上面には蛍光体層１３０ｃとレンズ１３２が積層している。積層体１１２ｃの下部には電解メッキ時の共通電極がエッチングされずに残ったシード金属１２２ａ、１２２ｂ、銅配線層１２４ａ、１２４ｂ、電解メッキで形成した柱状の銅ピラー１２６ａ、１２６ｂがある。
　積層体１１２ｃは、ｐ型クラッド層１１２ｂ、発光層１１２ｅ、ｎ型クラッド層１１２ａを備え、下面の一部が開口した絶縁層１２０ｃで覆われている。銅ピラー１２６ａ、１２６ｂの下部には半田ボール１３６ａ、１３６ｂが付着しており、その銅ピラー１２６ａ、１２６ｂの間に補強樹脂１２８が充填されている。
　図１４に示した発光装置１００の平面サイズは積層体１１２ｃの平面サイズと一致する。発光装置１００は、発光装置１００が配列して連結したウェハーを個片化して得られ、ＣＳＰで区分される製品群のなかで最も小型化しているためＷＬＰ（ウェハーレベルパッケージ）と呼ばれることもある。発光装置１００は、積層体１１２ｃ上にもともとあった透明絶縁基板（特許文献１の段落００２６、図２参照。）を除去しているため発光層１１２ｅから光が上方（矢印Ｆ）にのみ出射する。このためＬＥＤ装置６の上部にのみ蛍光体層１３０ｃを設けている。
　図１４に示したＬＥＤ装置１００では、透明絶縁基板を除去するのにレーザーが用いられるため、製造装置が大掛かりになったり製造工程が長くなったりする。また、ＬＥＤ装置１００は、ウェハーレベルで蛍光体層１３０ｃを形成しているため、ウェハー上の個別のＬＥＤダイが有する発光特性のばらつきに対応することができない。この結果、ＬＥＤ装置１００では、発光色の管理が難しくなる場合がある。
　そこで本願の発明者は、小型でありながら作り易く発光色の管理が容易なＬＥＤ装置として、透明絶縁基板を残し、その下面に形成された半導体層の側面とともに透明絶縁基板の側面を白色反射部材で被覆し、透明絶縁基板及び白色反射部材の上面を蛍光体シートで被覆したフリップチップ実装用のＬＥＤ装置を試作した（特許文献２参照）。
　図１５は、第２の従来例として示すＬＥＤ装置２００の断面図である。また、ＬＥＤ装置２００は、特許文献２に示されたＬＥＤ装置である。
　ＬＥＤ装置２００は、サファイヤ基板２１４ｂ（透明絶縁基板）とその下面に形成された半導体層２１５ｂとを有するＬＥＤダイ２１６ｂを含み、ＬＥＤダイ２１６ｂの側面に白色反射部材２１７ｂを備え、ＬＥＤダイ２１６ｂ及び白色反射部材２１７ｂの上面に出射光を波長変換する蛍光体シート２１１ｂを備えている。蛍光体シート２１１ｂとサファイヤ基板２１４ｂの間には接着層２１３ｂがあり、蛍光体シート２１１ｂとサファイヤ基板２１４ｂとを接着している。ＬＥＤダイ２１６ｂの半導体層２１５ｂと接続する突起電極２１８ｂ、２１９ｂは、それぞれアノードとカソードであり、マザー基板やモジュール基板と接続するための外部接続電極となっている。なお、マザー基板とは抵抗やコンデンサなど他の電子部品とともにＬＥＤ装置２００を実装する基板である。モジュール基板とは、発光する部品としてとり扱われるＬＥＤモジュールに含まれ、多数のＬＥＤ装置を搭載した基板である。
　ＬＥＤ装置２００は、個別のＬＥＤダイ２１６ｂの発光特性に応じて蛍光体シート２１１ｂを変更できるため発光色の管理が容易であり、遮光や反射などの特性を確保するのに白色反射部材２１７ｂの厚さが１００μｍ以下でも充分であるため小型にできる。また、多数のＬＥＤダイ２１６ｂを配列した状態で加工を行い、最後に個片化することで個別のＬＥＤ装置２００が得られる集合工法が適用できるため製造し易い。さらに、ＬＥＤ装置２００は小型であるため、ＬＥＤモジュールを構成するのにあたり、モジュール基板上の狭ピッチ配列及び高密度実装を可能にするという特徴がある。
特開２０１０－１４１１７６号公報 特開２０１２－２２７４７０号公報
　しかしながら前述のようにＬＥＤ装置２００同士をモジュール基板上に近接させた状態で載置しＬＥＤモジュールを構成したところ、ＬＥＤモジュールの発光色（色度座標）がＬＥＤ装置２００単体の発光色からずれてしまった。この原因は、一のＬＥＤ装置２００から発した光の一部分が、隣接する他のＬＥＤ装置２００に入り込み、当該他のＬＥＤ装置２００の蛍光体を励起したためである、ということが判明した。この対策として各ＬＥＤ装置２００から横方向に光が伝播しないように、モジュール基板上に遮光壁を設けることも考えられるが、ＬＥＤモジュールの構造が複雑化したり、遮光による発光損失が発生したりするので好ましくない。
　本発明は、小型のＬＥＤ装置同士を近接した状態で載置しても、発光色のシフトが起こらず発光損失の少ないＬＥＤモジュールを提供することを目的とする。
　ＬＥＤモジュールは、モジュール基板と、透光面で構成される側面を有する第１ＬＥＤ装置と、遮光面で構成される側面を有する第２ＬＥＤ装置とを有し、第１ＬＥＤ装置の透光面と第２ＬＥＤ装置の遮光面とが対向するように、モジュール基板上において第１ＬＥＤ装置が第２ＬＥＤ装置に隣接して載置されていることを特徴とする。
　ＬＥＤモジュールでは、第２ＬＥＤ装置が有する４側面の内、対向する２側面だけが遮光面であることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置及び第２ＬＥＤ装置が一列に配列されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第２ＬＥＤ装置が有する４側面が全て遮光面であることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、複数の第１ＬＥＤ装置及び複数の第２ＬＥＤ装置が千鳥配列されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第２ＬＥＤの遮光面は、白色反射部材で構成されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置はモジュール基板側に配置された第１電極を有する第１ＬＥＤダイを含み、第１ＬＥＤダイは第１電極上に第１半導体層と第１透明絶縁基板とが積層され、第１ＬＥＤ装置は第１ＬＥＤダイの上面及び側面が蛍光樹脂で被覆され、
　第２ＬＥＤ装置はモジュール基板側に配置された第２電極を有する第２ＬＥＤダイを含み、第２ＬＥＤダイは第２電極上に第２半導体層と第２透明絶縁基板とが積層され、第２ＬＥＤ装置は第２ＬＥＤダイの上面が蛍光樹脂で被覆され且つ側面が白色反射部材で被覆されている、ことが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置の第１電極及び第２ＬＥＤ装置の第２電極は、モジュール基板上の電極と接続するための外部接続電極であることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置に含まれる第１ＬＥＤダイの底面が外部接続電極を除き蛍光樹脂で被覆されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第２ＬＥＤ装置に含まれる第２ＬＥＤダイの底面が外部接続電極を除き白色反射部材で被覆されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置に含まれる第１ＬＥＤダイ又は第２ＬＥＤ装置に含まれる第２ＬＥＤダイは、サブマウント基板又はリードにフリップチップ実装されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、サブマウント基板又はリードの側面が、蛍光樹脂で被覆されていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置に含まれる第１ＬＥＤダイ又は第２ＬＥＤ装置に含まれる第２ＬＥＤダイの上面の蛍光樹脂が蛍光体シートであることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置の発光色と第２ＬＥＤ装置の発光色が異なっていることが好ましい。
　ＬＥＤモジュールは、モジュール基板と、モジュール基板に載置された複数のＬＥＤ装置を備えるＬＥＤモジュールにおいて、複数のＬＥＤ装置には第１ＬＥＤ装置と第２ＬＥＤ装置が含まれ、第１ＬＥＤ装置は第２ＬＥＤ装置に隣接し、第１ＬＥＤ装置と第２ＬＥＤ装置の対向する側面のうち第１ＬＥＤ装置の側面は透光面であり、第２ＬＥＤ装置の側面は遮光面であることを特徴とする。
　ＬＥＤモジュールに含まれる第１ＬＥＤ装置及び第２ＬＥＤ装置は、ＬＥＤダイを内蔵している。モジュール基板が第１ＬＥＤ装置及び第２ＬＥＤ装置の下側にあるものとしたとき、第１ＬＥＤ装置ではＬＥＤダイの側面及び上面が蛍光樹脂からなる透光性部材で被覆され、この結果、第１ＬＥＤ装置の側面が透光面となっている。これに対し第２ＬＥＤ装置ではＬＥＤダイの上面が蛍光樹脂で被覆されている一方、ＬＥＤダイ及び蛍光樹脂の側面が白色反射部材等の遮光性部材で被覆され、この結果、第２ＬＥＤ装置の側面が遮光面となっている。そして本発明のＬＥＤモジュールでは、第１ＬＥＤ装置の隣に第２ＬＥＤ装置が存在するようにモジュール基板上で配列している。
　このように配列した状態で各ＬＥＤ装置を点灯させると、第１ＬＥＤ装置は上方に光を出射するばかりでなく、側方にも光を出射する。側方に出射した光の大部分は、モジュール基板や隣接する第２ＬＥＤ装置の白色反射部材等からなる遮光面に達し、そこで一部が吸収され、残りが反射する。モジュール基板表面や遮光面で反射した光は、反射を繰り返しながら上方へ向い、ＬＥＤモジュールの発光効率改善に寄与する。
　これに対し第２ＬＥＤ装置は、第１ＬＥＤ装置側の側面に白色反射部材等からなる遮光面を備えているため第１ＬＥＤ装置側には光を出射しない。この結果、第１ＬＥＤ装置又は第２ＬＥＤ装置は、隣接する第２ＬＥＤ装置又は第１ＬＥＤ装置の出射光が入射しないので、外部から入射した光で蛍光樹脂中の蛍光体が励起されて発光色が変動するというメカニズムに基づく発光色のシフト（ずれ）が起こらない。
　ＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤ装置は、側面を蛍光樹脂からなる透過面とした第１ＬＥＤ装置と、側面を白色反射部材等からなる遮光面とした第２ＬＥＤ装置とを含み、第１ＬＥＤ装置の隣に第２ＬＥＤ装置が存在するようにモジュール基板上で配列している。このような構成によって、第１ＬＥＤ装置の側方から出射した光が第２ＬＥＤ装置に入り込まないため色度シフトが起こらず、第２ＬＥＤ装置の発光も第１ＬＥＤ装置に侵入せず、第１ＬＥＤ装置は光の出射効率が良いためＬＥＤモジュールを明るくできる。したがって、ＬＥＤモジュールでは、小型のＬＥＤ装置を近接配列させているにも関わらず、色度シフトを起こすことなく明るくできる。
（ａ）～（ｃ）は、ＬＥＤモジュール５０に含まれるＬＥＤ装置１０の外観図である。 図１（ａ）のＡＡ´断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、ＬＥＤモジュール５０に含まれるＬＥＤ装置２０の外観図である。 図３（ａ）のＢＢ´断面図である。 ＬＥＤモジュール５０の平面図である。 図５のＣＣ´断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、他のＬＥＤモジュール９０に含まれるＬＥＤ装置３０の外観図である。 図７（ａ）のＤＤ´断面図である。 ＬＥＤモジュール９０の平面図である。 更に他のＬＥＤモジュールに含まれるＬＥＤ装置３０ａ及びＬＥＤ装置３０ｂの断面図である。 更に他のＬＥＤモジュールに含まれるＬＥＤ装置４０ａ及びＬＥＤ装置４０ｂの断面図である。 更に他のＬＥＤモジュールに含まれるＬＥＤ装置５０ａ及びＬＥＤ装置５０ｂの断面図である。 更に他のＬＥＤモジュールに含まれるＬＥＤ装置６０ａ及びＬＥＤ装置６０ｂの断面図である。 第１の従来例におけるＬＥＤ装置１００の断面図である。 第２の従来例におけるＬＥＤ装置２００の断面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。
　図１はＬＥＤモジュール５０（図５、６参照）に含まれるＬＥＤ装置１０（第１ＬＥＤ装置）の外観を示し、図１（ａ）が平面図、図１（ｂ）が正面図、図１（ｃ）が底面図である。
　図１（ａ）に示すようにＬＥＤ装置１０を上部から眺めると長方形の蛍光樹脂１２からなる枠と、その内側にある蛍光体シート１１が観察される。蛍光体シート１１は、蛍光樹脂の一形態であるが、ＬＥＤダイ１６（図２参照）への取り付け位置、取り付け方法や製造方法の違いにより蛍光樹脂１２と区別している（以下同様）。図１（ｂ）に示すようにＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、蛍光樹脂１２と、その下にある２個の電極１５が観察される。図１（ｃ）に示すようにＬＥＤ装置１０を下から眺めると、長方形の蛍光樹脂１２からなる枠と、その内側にある半導体層１４が観察され、さらに半導体層１４の内側に２個の電極１５が観察される。
　図２は、図１（ａ）のＡＡ´断面図である。
　図２に示すようにＬＥＤ装置１０では、ＬＥＤダイ１６の上部が蛍光体シート１１で覆われ、ＬＥＤダイ１６及び蛍光体シート１１の側部が蛍光樹脂１２で覆われている。ＬＥＤダイ１６は、サファイヤ基板１３（透明絶縁基板）、半導体層１４及び二つの電極１５からなり、電極１５上に半導体層１４及びサファイヤ基板１３が積層している。サファイヤ基板１３と蛍光体シート１１の間には接着材１７が存在する。蛍光体シート１１及び蛍光樹脂１２はＬＥＤダイ１６の青色発光を波長変換し白色化する。蛍光樹脂１２はＬＥＤ装置１０の側面として透光面を構成している。
　蛍光体シート１１はフェニル系シリコーン樹脂に蛍光体微粒子を混練し、シート状に加工したもので厚さが１００～３００μｍ程度である。濃度消光による損失を軽減したい場合は、蛍光体シート１１を厚めに設定する。蛍光樹脂１２はシリコーン樹脂に蛍光体微粒子を混練し熱硬化させたものであり、幅は概ね１００μｍである。接着材１７は熱硬化型のシリコーン接着材であり、厚さも概ね１００μｍ以下である。例えば、平面サイズが０．８ｍｍ×０．３ｍｍのＬＥＤダイ１６の場合、蛍光樹脂１２からなる枠を設けた結果、ＬＥＤ装置１０の平面サイズは１．０ｍｍ×０．５ｍｍとなり、サーフェースマウンタ（表面実装機）で扱いやすい大きさになる。
　ＬＥＤダイ１６に含まれるサファイヤ基板１３は厚さが８０～１２０μｍ程度である。サファイヤ基板１３の下面に形成された半導体層１４は、厚みが１０μｍ程度で、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を含み、その境界面が発光層となる。半導体層１４の下部には層間絶縁膜や保護膜が存在し、保護膜上に電極１５が形成される。二つの電極１５はアノード及びカソードであり、それぞれ層間絶縁膜上の配線を介してｐ型半導体層及びｎ型半導体層と接続している。電極１５は、抵抗やコンデンサなど他の電子部品が実装されたマザー基板又はモジュール基板５１（図５、６参照）と接続するための外部接続電極であり、半田付けのため表面に金層を備えている。電極１５の厚さは数１００ｎｍから数十μｍの間で設定される。
　図３はＬＥＤモジュール５０（図５、６参照）に含まれるＬＥＤ装置２０（第２ＬＥＤ装置）の外観を示し、図３（ａ）が平面図、図３（ｂ）が正面図、図３（ｃ）が底面図である。
　図３（ａ）に示すようにＬＥＤ装置２０を上部から眺めると長方形の白色反射部材２３からなる枠と、その内側にある蛍光体シート２１が観察される。図３（ｂ）に示すようにＬＥＤ装置２０を正面から眺めると、白色反射部材２３と、その下にある２個の電極１５が観察される。図３（ｃ）に示すようにＬＥＤ装置２０を下から眺めると、長方形の白色反射部材２３からなる枠と、その内側にある半導体層１４が観察され、さらに半導体層１４の内側に２個の電極１５が観察される。
　図４は、図３（ａ）のＢＢ´断面図である。
　図４に示されるようにＬＥＤ装置２０では、ＬＥＤダイ１６の上部が蛍光体シート２１で覆われ、ＬＥＤダイ１６及び蛍光体シート２１の側部が白色反射部材２３で覆われている。ＬＥＤダイ１６は、図１、２で示したＬＥＤ装置１０に含まれるＬＥＤダイ１６と同じものであり、サファイヤ基板１３と蛍光体シート２１の間には接着材２７が存在する。蛍光体シート２１は、ＬＥＤダイ１６の青色発光を波長変換し白色化する。白色反射部材２３は、ＬＥＤ装置２０の側面として遮光面を構成している。
　蛍光体シート２１及び接着材２７は、図１、２で示したＬＥＤ装置１０の蛍光体シート１１及び接着材１７と同じものである。白色反射部材２３はシリコーン樹脂に酸化チタンやアルミナ等の反射性微粒子を混練し熱硬化させたものであり、幅は概ね１００μｍである。ＬＥＤ装置２０では、ＬＥＤダイ１６の周りに白色反射部材２３からなる枠を設けたので、ＬＥＤ装置１０と平面サイズ及び高さが等しくなっている。
　図５は、ＬＥＤモジュール５０の平面図である。
　図５に示されるようにＬＥＤモジュール５０では、モジュール基板５１上に複数のＬＥＤ装置１０、２０が載置されている。ＬＥＤ装置１０とＬＥＤ装置２０はモジュール基板５１上で交互に配列している。ＬＥＤ装置１０同士はモジュール基板５１上で隣接しておらず、同様にＬＥＤ装置２０同士もモジュール基板５１上で隣接していない。言い換えるとＬＥＤ装置１０の隣にＬＥＤ装置２０が存在している。ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ装置２０はそれぞれいわゆる千鳥配列をなしており、全体として市松模様状になっている。なおモジュール基板５１には抵抗やコンデンサなど他の電子部品を実装しても良い。
　図６は、図５のＣＣ´断面図である。
　図６に示されるようにＬＥＤモジュール５０に載置されたＬＥＤ装置１０、２０は光線６１、６２を上方に出射する。またＬＥＤ装置１０は、側面が透光性の蛍光樹脂１２（図１、２参照）で被覆されているので、光線６３、６４を側方にも出射する。光線６３は、隣接するＬＥＤ装置２０の側部に形成された白色反射部材２３（図３、４参照）からなる遮光面で反射し上方に向かう。光線６４は、隣接するＬＥＤ装置２０の白色反射部材２３からなる遮光面で反射し、一旦下方に向かい、モジュール基板５１の表面で反射し、その後上方に向かう。この他にもＬＥＤ装置１０の側面から出射し、モジュール基板５１の表面で反射し上方へ向かう光線もあるが、これらは図示していない。
　以上のようにＬＥＤ装置１０、２０を点灯させると、ＬＥＤ装置１０は上方とともに側方にも光を出射するのに対し、ＬＥＤ装置２０は上方にのみ光を出射する。ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ装置２０は、交互に配列されているので、ＬＥＤ装置１０から側方に向かう光の大部分は、モジュール基板５１の表面又は隣接するＬＥＤ装置２０の白色反射部材２３で反射し、一部は直接上方へ向かい、残りはさらに反射を繰り返し上方へ向かう。
　ＬＥＤ装置１０又はＬＥＤ装置２０には、隣接するＬＥＤ装置２０又はＬＥＤ装置１０の発光が入射しないので、外部から入射した光で蛍光樹脂中の蛍光体が励起され発光色が変動するというメカニズムに基づく発光色のシフト（ずれ、変動）が起こらない。ＬＥＤ装置１０は、側部に遮光部材又は反射部材がなく側面が透光面となっているので、光の出射効率が良好であり、ＬＥＤ装置１０を含むＬＥＤモジュール５０は明るくなる。ＬＥＤ装置２０の側面は、遮光面でありながら反射性を有し、ＬＥＤ装置１０の側面発光の一部を効率よく反射するので、ＬＥＤモジュール５０の輝度向上に寄与している。
　ＬＥＤモジュール５０においてＬＥＤ装置１０（第１のＬＥＤ装置）及びＬＥＤ装置２０（第２のＬＥＤ装置）は、図５の縦又は横方向に、ＬＥＤ装置１０、ＬＥＤ装置２０、ＬＥＤ装置１０、ＬＥＤ装置２０、‥‥と繰り返すように配列されている。しかしながら、発光色のシフト（ずれ）を防止するためには前述のように、ＬＥＤ装置１０の隣にＬＥＤ装置２０が存在すれば良い。そこで、例えばモジュール基板５１上において、図５の縦又は横方向にＬＥＤ装置１０、ＬＥＤ装置２０、ＬＥＤ装置２０、ＬＥＤ装置１０、ＬＥＤ装置２０、ＬＥＤ装置２０、ＬＥＤ装置１０‥‥というように繰り返す配列を採用しても良い。
　蛍光体シート１１、２１は、ＬＥＤダイ１６の発光特性（ピーク波長等）の変動に応じた特性を有するシートを選択できる。蛍光体シート１１、２１は安価であり、保管や波長変換特性の調整が容易であるため、予め複数通りの特性を有する蛍光体シート１１、２１を準備し、ＬＥＤダイ１６の発光特性に応じて適切な波長変換特性を持った蛍光体シートを選択すると良い。この結果、ＬＥＤモジュール５０の発光色の管理が容易になる。
　ＬＥＤモジュール５０では、蛍光体シート１１及び２１を同じ材質であるものとしていたが、蛍光体シート１１と蛍光体シート２１に含有させる蛍光体を異ならせ、ＬＥＤ装置１０とＬＥＤ装置２０の発光色を異ならせても良い。例えば、ＬＥＤ装置１０の発光色を色温度の高い昼光色に調整し、ＬＥＤ装置２０の発光色を色温度の低い暖色に調整することができる。このときＬＥＤモジュール５０は、ＬＥＤ装置１０とＬＥＤ装置２０を同時に点灯する動作モードと、ＬＥＤ装置２０のみ点灯する動作モードとを備えているとさらに良い。このようにするとＬＥＤ装置１０とＬＥＤ装置２０を同時に点灯させたときは照射領域が広く活動的で明るい照明が得られ、ＬＥＤ装置２０のみ点灯させたときは狭い照射領域で暖かい印象の照明が得られる。
　ＬＥＤ装置２０では白色反射部材２３がＬＥＤダイ１６の側面を直接的に被覆している。このためＬＥＤダイ１６の側面から出射した光線は白色反射部材２３で反射しＬＥＤダイ１６内に戻ってくる。反射による損失に加え半導体層１４の再吸収による損失が発生するため、ＬＥＤ装置２０の発光効率が低下する場合がある。この対策として、ＬＥＤダイ１６の側面と白色反射部材２３の間に透光層を設けると良く、白色反射部材２３の内面に斜面を設けるとさらに良い。このような対策を施すと、ＬＥＤダイ１６の側面から出射した光線の一部分がたとえＬＥＤダイ１６内に戻るとしても、戻って来た光線の大部分が透光層を伝搬して上方に向かうため、ＬＥＤ装置２０の発光効率低下が抑制される。
　ＬＥＤ装置２０では、周囲に白色反射部材２３からなる枠を設け、側面を遮光面にしていた。しかしながら、外部から侵入する光による色ずれを防ぐための遮光面は、白色反射部材からなるものに限られない。例えば、遮光面は黒色樹脂や金属であっても良い。なお、遮光面に白色反射部材を採用すると、遮光面に黒色樹脂や金属を採用した場合と比較して、発光効率の改善や小型化を効率よく図ることができる。
　図７は他のＬＥＤモジュール９０（図９参照）に含まれるＬＥＤ装置３０の外観図であり、図７（ａ）が平面図、図７（ｂ）が正面図、図７（ｃ）が底面図である。
　図１～６で示したＬＥＤモジュール５０はＬＥＤ装置１０、２０が平面的に配列されていた（図５参照）。これに対しＬＥＤモジュール９０は、ＬＥＤ装置１０、３０を直線的に配列させたリニアモジュールである（図９参照）。ＬＥＤモジュール９０も、ＬＥＤモジュール５０と同様に、ＬＥＤ装置１０（第１ＬＥＤ装置、図１、２参照）とＬＥＤ装置３０（第２ＬＥＤ装置、図３、４参照）を含んでいる。ＬＥＤ装置１０は、ＬＥＤモジュール５０に含まれるＬＥＤ装置１０と同じものなので説明を省略する。
　図７（ａ）に示すようにＬＥＤ装置３０を上面から眺めると、長方形の蛍光体シート３１と、上下から蛍光体シート３１を挟む蛍光樹脂３２が観察され、さらに蛍光体シート３１及び蛍光樹脂３２の左右から挟む白色反射部材３３が観察される。図７（ｂ）に示すようにＬＥＤ装置３０を正面から眺めると、蛍光樹脂３２と、左右から蛍光樹脂３２を挟む白色反射部材３３が観察されるとともに、その下に２個の電極１５が観察される。図７（ｃ）に示すようにＬＥＤ装置３０を下から眺めると、半導体層１４と、その内側の２個の電極１５と、半導体層１４を上下から挟む蛍光樹脂３２と、半導体層１４及び蛍光樹脂３２を左右から挟む白色反射部材３３が観察される。
　図８は、図７（ａ）のＤＤ´断面図である。
　図８に示すようにＬＥＤ装置３０では、ＬＥＤダイ１６の上部が蛍光体シート３１で覆われ、ＬＥＤダイ１６及び蛍光体シート３１の側部が白色反射部材３３で覆われている。ＬＥＤダイ１６のサファイヤ基板１３と蛍光体シート３１は接着材３７により接着している。
　ＬＥＤ装置３０に含まれるＬＥＤダイ１６、蛍光体シート３１及び接着材３７は、図２、図４で示したＬＥＤ装置１０、２０のＬＥＤダイ１６、蛍光体シート１１、２１及び接着材１７、２７と同じものである。蛍光樹脂３２及び白色反射部材３３は、図２、図４で示した蛍光樹脂１２及び白色反射部材２３と同じ材料からなる。ＬＥＤ装置２０（図３，４参照）と同様にＬＥＤ装置３０も、その側面に白色反射樹脂３３からなる遮光面をそなえている。ＬＥＤ装置３０では、対向する２つの側面だけが遮光面となっている。
　図９はＬＥＤモジュール９０の平面図である。
　ＬＥＤモジュール９０では、モジュール基板９５上に複数のＬＥＤ装置１０、３０が載置されている。ＬＥＤ装置１０とＬＥＤ装置３０は、モジュール基板９５上で交互に一列で配列している。この結果、ＬＥＤ装置１０同士はモジュール基板９５上で隣接しておらず、同様にＬＥＤ装置３０同士もモジュール基板９５上で隣接していない。なお、図９のＥＥ´断面図は、図６に示す断面図と同じものになる（番号のみ、２０から３０へ変更される）。
　図９における長手方向の配光は、図６で示した状態と同じものになる。図９の短手方向については、ＬＥＤ装置１０とともにＬＥＤ３０も光を出射する。図９の短手方向の光は、モジュール基板９５以外に遮るものがないため、ＬＥＤモジュール９０の短手方向の配光分布は広くなる。なお、ＬＥＤモジュール９０において、ＬＥＤ装置３０の代わりに図３、４で示したＬＥＤ装置２０を使うこともできる。この場合、ＬＥＤ装置２０は、ＬＥＤ装置３０よりも構造が簡単なため製造しやすいが、ＬＥＤ装置３０よりも出射する光束が減る。したがって、ＬＥＤ装置２０を使ったリニア型のＬＥＤモジュールは、ＬＥＤモジュール９０より暗くなる。
　図１０は、更に他のＬＥＤモジュール９１に含まれるＬＥＤ装置３０ａ（第１ＬＥＤ装置）及びＬＥＤ装置３０ｂ（第２ＬＥＤ装置）の断面図である。ＬＥＤモジュール９１は、平面視したとき、ＬＥＤモジュール５０と同等になるので、図示を省略している。
　ＬＥＤモジュール５０、９０に使われていたＬＥＤ装置１０、２０、３０は、ＬＥＤダイ１６の上面に蛍光体シート１１、２１、３１を備えていた。しかしながら、必ずしもＬＥＤダイ１６の上面を被覆する部材は、蛍光体シートに限られず、波長変換できる部材であれば良い。そこで、ＬＥＤモジュール９１で使用されるＬＥＤ装置３０ａでは、ＬＥＤダイ１６の上面及び側面を蛍光樹脂３１ａで被覆するように構成した。また、ＬＥＤモジュール９１で使用されるＬＥＤ装置３０ｂでは、ＬＥＤダイ１６の上面が蛍光樹脂３１ｂで被覆され、ＬＥＤダイ１６及び蛍光樹脂３１ｂの側面が白色反射部材３３ｂで被覆されるように構成した。ＬＥＤ装置３０ａでは蛍光樹脂３１ａからなる側面が透光面となり、ＬＥＤ装置３０ｂでは白色反射部材３３ｂからなる側面が遮光面となる。ＬＥＤ装置３０ａは、上部と側部の蛍光樹脂３１ａを同時形成しているので製造工程を短くできる。
　図１１は、更に他のＬＥＤモジュール９２に含まれるＬＥＤ装置４０ａ（第１ＬＥＤ装置）及びＬＥＤ装置４０ｂ（第２ＬＥＤ装置）の断面図である。ＬＥＤモジュール９２は、平面視したとき、ＬＥＤモジュール５０と同等になるので、図示を省略している。
　ＬＥＤモジュール５０、９０に使われていたＬＥＤ装置１０、２０、３０は、ＬＥＤダイ１６の底面か露出していた。しかしながら、必ずしもＬＥＤダイ１６の底面を露出させなくても良い。そこで、ＬＥＤモジュール９２で使用されるＬＥＤ装置４０ａ及び第２ＬＥＤ装置４０ｂでは、それぞれ底面を蛍光樹脂４１及び白色反射部材４３で被覆した。すなわちＬＥＤ装置４０ａ，４０ｂとＬＥＤ装置１０、２０（図２、４参照）との違いは、ＬＥＤ装置４０ａに含まれるＬＥＤダイ１６及びＬＥＤ装置４０ｂに含まれるＬＥＤダイ１６の底面が、電極１５を除き、それぞれ蛍光樹脂４１及び白色反射部材４３により被覆されていることである。ＬＥＤダイ１６の底面を、電極１５を除き、蛍光樹脂４１又は白色反射部材４３により被覆すると、ＬＥＤダイ１６の半導体層１４の底面を汚染から守ることが可能となる。また、ＬＥＤ装置４０ａでは、ＬＥＤダイ１６の底面からモジュール基板側に漏れ出す光を波長変化することにより発光効率を改善できる。さらに、ＬＥＤ装置４０ｂでは、遮光することにより無用な光漏れを除去できる。ＬＥＤ装置４０ａでは蛍光樹脂４１からなる側面が透光面となり、ＬＥＤ装置４０ｂでは白色反射部材４３からなる側面が遮光面となる。
　図１２は、更に他のＬＥＤモジュール９３に含まれるＬＥＤ装置５０ａ（第１ＬＥＤ装置）及びＬＥＤ装置５０ｂ（第２ＬＥＤ装置）の断面図である。ＬＥＤモジュール９３は、平面視したとき、ＬＥＤモジュール５０と同等になるので、図示を省略している。
　ＬＥＤモジュール５０、９０に使われていたＬＥＤ装置１０、２０、３０では、ＬＥＤダイ１６の底面に形成された電極１５がモジュール基板５１、９１（図６、９参照）と接続するための外部接続電極であった。しかしながら、必ずしもＬＥＤダイ１６の底面に形成された電極を外部接続電極としなくても良い。そこで、ＬＥＤモジュール９３で使用されるＬＥＤ装置５０ａ及びＬＥＤ装置５０ｂでは、サブマウント基板５２を使用した。すなわち、ＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂとＬＥＤ装置１０、２０（図２、４参照）との違いは、図１２に示すようにＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂがサブマウント基板５２上でフリップチップ実装されていることである。サブマウント基板５２は、上面に内部接続用の電極５４、下面に外部接続用の電極５５を備えており、電極５４と電極５５が図示していないスルーホールで接続されている。サブマウント基板５２の基材は、熱伝導等を考慮して、樹脂、電極５４、５５やスルーホールなどの配線要素の間でショートが起きないように表面を絶縁処理した金属、セラミクスなどから選ばれる。ＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂにおいて、蛍光樹脂５１ａ及び白色反射部材５３は、ＬＥＤダイ１６の底面側にも潜り込んでいる。ＬＥＤ装置５０ａでは蛍光樹脂５１ａからなる側面が透光面となり、ＬＥＤ装置５０ｂでは白色反射部材５３からなる側面が遮光面となる。
　ＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂは、平面サイズがＬＥＤダイ１６の平面サイズとほぼ等しいにも係らず、図１１で示したＬＥＤ装置４０ａ、４０ｂと同様に外部からの汚染に対しＬＥＤダイ１６を保護するとともに、ＬＥＤダイ１６の下面から漏れ出す光を波長変換又は遮光する。ＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂは、外部からＬＥＤダイ１６に向かって侵入しようとする応力を緩和することができる。
　図１３は更に他のＬＥＤモジュール９４に含まれるＬＥＤ装置６０ａ（第１ＬＥＤ装置）及びＬＥＤ装置６０ｂ（第２ＬＥＤ装置）の断面図である。ＬＥＤモジュール９４は、平面視したとき、ＬＥＤモジュール５０と同等になるので、図示を省略している。
　図１２に示したＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂではＬＥＤダイ１６がサブマウント基板５２上にフリップチップ実装されていたが、ＬＥＤダイ１６をリード上に実装しても良い。そこで、ＬＥＤモジュール９４に使用されるＬＥＤ装置６０ａ及びＬＥＤ装置６０ｂでは、ＬＥＤダイ１６をリード６５上に実装した。すなわちＬＥＤ装置６０ａ、６０ｂとＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂ（図１２参照）との違いは、図１３に示すようにＬＥＤ装置６０ａ、６０ｂにおいてＬＥＤダイ１６がリード６５上でフリップチップ実装されていることである。リード６５は、Ｃｕの表面を錫などでメッキ処置した金属であり、上面が内部接続電極、下面が外部接続電極となる。ＬＥＤモジュール９４に使用されるＬＥＤ装置６０ａ及びＬＥＤ装置６０ｂでは、蛍光樹脂６１ａ及び白色反射部材６３ａにより、ＬＥＤダイ１６の底面側及びリード６５の側面が被覆されている。ＬＥＤ装置６０ａでは蛍光樹脂６１ａからなる側面が透光面となり、ＬＥＤ装置６０ｂでは白色反射部材６３ａからなる側面が遮光面となる。
　ＬＥＤ装置６０ａ、６０ｂは、図１１で示したＬＥＤ装置４０ａ、４０ｂと同様に外部からの汚染に対しＬＥＤダイ１６を保護するとともに、ＬＥＤダイ１６の下面から漏れ出す光を波長変換又は遮光する。ＬＥＤ装置６０ａ、６０ｂは、外部からＬＥＤダイ１６に向かって侵入しようとする応力を緩和することができる。
　図１２及び図１３で示したＬＥＤ装置５０ａ、５０ｂ及びＬＥＤ装置６０ａ、６０ｂは、サブマウント基板５２及びリード６５上にフリップチップ実装されていた。しかしながら、ＬＥＤ装置を構成するのにあたり、よく知られているようにＬＥＤダイをサブマント基板又はリードにダイボンディングし、ＬＥＤダイの電極とサブマウント基板の電極又はリードとをワイヤで接続しても良い。なお、フリップチップ実装はワイヤが不要であるため、小型化に有利であり、ワイヤボンディング用の生産設備が不要になる。
　ＬＥＤモジュール５０、９０では、２種類のＬＥＤ装置として第１ＬＥＤ装置（ＬＥＤ装置１０）と第２ＬＥＤ装置（ＬＥＤ装置２０、３０）を準備し、モジュール基板５１、９１にそれぞれが隣接するように実装していた（図５、図９参照）。これに対しモジュール基板上に１種類のＬＥＤ装置を近接配置しても、一のＬＥＤ装置から他のＬＥＤ装置に光が侵入しないようにできる。例えば、図３（ａ）に示すＬＥＤ装置２０において、直交する２側面（２３ａ及び２３ｂ）を遮光面とし、残りの直交する２側面（２３ｃ及び２３ｄ）を透光面としたＬＥＤ装置２０´（図示せず）を準備する。複数のＬＥＤ装置２０´を、モジュール基板上に、それぞれの遮光面と透光面が対向するように縦横に配列すれば良い。このようにして構成したＬＥＤモジュールは、１種類のＬＥＤ装置を準備すれば済むが、ＬＥＤ装置２０´は側面に遮光面と透光面を有しているため製造工程がながくなる。
　同様に、図７（ａ）に示すＬＥＤ装置３０の１側面（３３ａ）のみを遮光面とし、他の１側面（３３ｂ）を透光面としたＬＥＤ装置３０´を準備する。複数のＬＥＤ装置３０´のみを、横方向に配列すれば、ＬＥＤ装置３０´だけで色度シフトのないリニアモジュールを構成できる。
　１０、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ　　第１ＬＥＤ装置
　１１、２１、３１　　蛍光体シート
　１２、３２、３１ａ、３１ｂ、４１、５１ａ、６１ａ　　蛍光樹脂
　１３　　サファイヤ基板（透明絶縁基板）
　１４　　半導体層
　１５、５４、５５　　電極
　１６　　ＬＥＤダイ
　１７、２７、３７　　接着材
　２０、３０、３０ｂ、４０ｂ、５０ｂ、６０ｂ　　第２ＬＥＤ装置
　２３、３３、３３ｂ、４３、５３、６３ａ　　白色反射部材
　５０、９０、９１、９２、９３、９４　　ＬＥＤモジュール
　５１、９５　　モジュール基板
　５２　　サブマウント基板
　６１～６４　　光線
　６５　　リード

Claims (14)

  1. 　モジュール基板と、
    　透光面で構成される側面を有する第１ＬＥＤ装置と、
    　遮光面で構成される側面を有する第２ＬＥＤ装置と、を有し、
    　前記第１ＬＥＤ装置の透光面と前記第２ＬＥＤ装置の遮光面とが対向するように、前記モジュール基板上において前記第１ＬＥＤ装置が前記第２ＬＥＤ装置に隣接して載置されている、
    　ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
  2. 　前記第２ＬＥＤ装置が有する４側面の内、対向する２側面だけが遮光面である、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  3. 　前記第１ＬＥＤ装置及び第２ＬＥＤ装置が一列に配列されている、請求項２に記載のＬＥＤモジュール。
  4. 　前記第２ＬＥＤ装置が有する４側面が全て遮光面である、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  5. 　複数の前記第１ＬＥＤ装置及び複数の２ＬＥＤ装置が千鳥配列されている、請求項４に記載のＬＥＤモジュール。
  6. 　前記第２ＬＥＤの遮光面は、白色反射部材で構成されている、請求項１～５の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  7. 　前記第１ＬＥＤ装置は前記モジュール基板側に配置された第１電極を有する第１ＬＥＤダイを含み、前記第１ＬＥＤダイは前記第１電極上に第１半導体層と第１透明絶縁基板とが積層され、前記第１ＬＥＤ装置は前記第１ＬＥＤダイの上面及び側面が蛍光樹脂で被覆され、
    　前記第２ＬＥＤ装置は前記モジュール基板側に配置された第２電極を有する第２ＬＥＤダイを含み、前記第２ＬＥＤダイは前記第２電極上に第２半導体層と第２透明絶縁基板とが積層され、前記第２ＬＥＤ装置は前記第２ＬＥＤダイの上面が蛍光樹脂で被覆され且つ側面が前記白色反射部材で被覆されている、
    　請求項６に記載のＬＥＤモジュール。
  8. 　前記第１ＬＥＤ装置の前記第１電極及び第２ＬＥＤ装置の前記第２電極は、前記モジュール基板上の電極と接続するための外部接続電極である、請求項７に記載のＬＥＤモジュール。
  9. 　前記第１ＬＥＤ装置に含まれる第１ＬＥＤダイの底面が前記外部接続電極を除き前記蛍光樹脂で被覆されている、請求項８に記載のＬＥＤモジュール。
  10. 　前記第２ＬＥＤ装置に含まれる前記第２ＬＥＤダイの底面が前記外部接続電極を除き前記白色反射部材で被覆されている、請求項８に記載のＬＥＤモジュール。
  11. 　前記第１ＬＥＤ装置に含まれる前記第１ＬＥＤダイ又は第２ＬＥＤ装置に含まれる前記第２ＬＥＤダイは、サブマウント基板又はリードにフリップチップ実装されている、請求項７～１０の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  12. 　前記サブマウント基板又はリードの側面が、前記蛍光樹脂で被覆されている、請求項１１に記載のＬＥＤモジュール。
  13. 　前記第１ＬＥＤ装置に含まれる前記第１ＬＥＤ又は前記第２ＬＥＤ装置に含まれる前記第２ＬＥＤダイの上面の前記蛍光樹脂が蛍光体シートである、請求項７～１２の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
  14. 　前記第１ＬＥＤ装置の発光色と前記第２ＬＥＤ装置の発光色が異なっている、請求項１～１３の何れか一項に記載のＬＥＤモジュール。
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