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WO2017010663A1 - 기판 액처리 장치 및 방법 - Google Patents

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WO2017010663A1
WO2017010663A1 PCT/KR2016/004615 KR2016004615W WO2017010663A1 WO 2017010663 A1 WO2017010663 A1 WO 2017010663A1 KR 2016004615 W KR2016004615 W KR 2016004615W WO 2017010663 A1 WO2017010663 A1 WO 2017010663A1
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WO
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liquid
substrate
processing
processing apparatus
supplying
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PCT/KR2016/004615
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English (en)
French (fr)
Inventor
조윤선
김한옥
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Zeus Co Ltd
Original Assignee
Zeus Co Ltd
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Publication date
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Priority to CN201680003315.9A priority patent/CN107078083B/zh
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    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus for etching and cleaning a semiconductor substrate, and more particularly, to a substrate liquid processing apparatus and method for uniform liquid treatment while minimizing the amount of the processing liquid supplied to the processing surface of the substrate.
  • etching and cleaning processes are essential in forming a multilayer thin film on a substrate.
  • the wet etching and cleaning apparatus rotates a table on which a chuck supporting a substrate is installed, supplies a processing liquid or a cleaning liquid to the substrate to perform an etching process and a cleaning process, and uses a processing liquid recovery unit having a cup structure around the table. To recover the treatment liquid and washing liquid.
  • the conventional substrate liquid processing apparatus uniformly supplied the processing liquid to the processing surface by swinging a nozzle along the center of the substrate from the upper side of the substrate supported so that the processing surface is directed upward for uniform spraying of the processing liquid.
  • the treatment liquid is supplied from the upper portion of the substrate, when the high temperature liquid treatment or the highly volatile chemical liquid is used, the consumption of the chemical liquid increases by evaporation or volatilization of the chemical liquid, and there is a problem in that a lot of fume is generated inside the processing chamber.
  • Another conventional substrate liquid processing apparatus injects the processing liquid from a table top to a position of one or more points on the processing surface while supporting the substrate so that the processing surface faces downward.
  • the substrate and the processing liquid are heated to a high temperature of 200 °C ⁇ 240 °C Liquid treatment in the state.
  • the present invention provides a substrate liquid processing apparatus that can improve the liquid treatment efficiency of the substrate by uniformizing the atmosphere of the processing space between the substrate and the table while minimizing the amount of processing liquid used. Its purpose is.
  • an object of the present invention is to provide a substrate liquid processing method capable of preventing a defect from occurring in the shape of a substrate pattern in heating a liquid by heating a heater in a state in which a processing liquid is supplied to a processing surface.
  • the present invention is a substrate liquid treatment that can prevent particle problems or breakage of the substrate by lowering the temperature of the substrate before supplying the processing liquid to the substrate to the liquid treatment at a high temperature and before supplying the rinse liquid having a relatively low temperature
  • the purpose is to provide a method.
  • the substrate liquid processing apparatus for supplying the processing liquid to the processing surface of the substrate to perform the liquid processing, the substrate liquid processing apparatus so that the processing surface facing the lower portion on the table top A substrate support part spaced apart from each other; A rotation drive unit which drives a rotation shaft to rotate the table; And a processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid in a mist state or a processing liquid in a vapor state in which a gas is mixed into the processing space between the table and the substrate. It includes.
  • the processing liquid supply unit sprays the processing liquid from the table top toward the processing surface.
  • the treatment liquid supply unit is sprayed by mixing the liquid treatment liquid and inert gas.
  • the treatment liquid is composed of two or more kinds of chemical liquids, and the treatment liquid supplying part is mixed with the inert gas and sprayed before mixing the chemical liquids.
  • a heating unit for heating at least one of the substrate or the processing liquid It further includes.
  • the heating unit is composed of a heater provided on the upper portion of the substrate.
  • the processing liquid supply unit includes a processing liquid supply pipe receiving the processing liquid from the processing liquid storage unit and one or more nozzle units for injecting the processing liquid supplied from the processing liquid supply pipe.
  • the treatment liquid supply pipe is provided in a hollow inside the rotating shaft.
  • the nozzle unit is configured to increase the injection amount of the processing liquid toward the radial direction of the substrate.
  • the nozzle unit includes a body unit connected to the upper end of the processing liquid supply pipe and an injection unit having one or more injection holes for injecting the processing liquid toward the processing surface in the body portion.
  • At least one of the nozzle portions is disposed so that the central axis of the body portion is away from the axis of rotation of the table.
  • any one of the injection holes is arranged to inject the treatment liquid at an angle toward the rotation center of the treatment surface.
  • At least two of the injection holes are arranged to spray the treatment liquid in different radial directions with respect to the central axis of the body portion.
  • two or more remaining injection holes except the injection hole for injecting the processing liquid into the rotation center are arranged to inject the processing liquid at an angle to the same semicircle of the processing surface.
  • At least two of the injection holes are formed to have different diameter sizes.
  • At least two of the injection holes are formed with different inclination angles between the respective central axes and the central axis of the body portion.
  • the diameter of the injection hole having a large inclination angle is larger than the diameter of another injection hole having a small inclination angle.
  • the nozzle part is provided with a plurality, and the plurality of nozzle parts are different from the hitting surface on which the processing liquid is injected onto the processing surface.
  • one of the plurality of nozzles injects the processing liquid to the outer portion of the processing surface, and the other sprays the processing liquid to the inner portion.
  • the apparatus may further include a nozzle controller configured to control at least one of a flow rate and a pressure of each of the plurality of nozzle units.
  • the nozzle unit includes a body part connected to the upper end of the processing liquid supply pipe and an injection part in which a slit is formed in the radial direction of the substrate in the body part.
  • the body portion is formed extending in the radial direction of the substrate on the table top.
  • the body portion is made of a cantilever shape bent at the center portion of the table top.
  • the body portion has a fan shape centering on the central portion of the table top.
  • the slits are formed to be wider in the radial direction of the substrate.
  • the body portion is composed of two or more branch pipes branched in the radial direction of the substrate in the central portion of the table top.
  • the body portion is composed of first and second branch pipes branched in the radial direction.
  • the lengths of the first and second branch pipes are the same.
  • the lengths of the first and second branch tubes are different from each other.
  • the substrate liquid processing method of the present invention for solving the above-mentioned other problems, the substrate liquid processing method of supplying the processing liquid while rotating the substrate to liquid-process the processing surface, so that the processing surface on the table top facing downward A substrate supporting step of supporting the substrate spaced apart; A heating step of heating at least one of the substrate or the processing liquid provided on the substrate; And a liquid treatment step of liquid-processing the treatment surface by supplying a treatment liquid in a mist state or a treatment liquid in a vapor state in which a gas is mixed into the treatment space between the table and the substrate. It includes.
  • the processing liquid pre-supply step of supplying the processing liquid in the mist state or the processing liquid in the vapor state of the gas mixed in the processing space between the table and the substrate It further includes.
  • the treatment liquid pre-supply step the treatment liquid is supplied for 1 to 15 seconds.
  • the treatment liquid pre-supply step the treatment liquid is supplied to 30 °C ⁇ 200 °C.
  • the treatment solution is a SPM (Surfuric acid peroxide mixture; a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide water), and in the preliminary supply of the treatment liquid, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is reacted to supply a high temperature treatment solution by the reaction heat.
  • SPM sulfuric acid peroxide mixture
  • sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is reacted to supply a high temperature treatment solution by the reaction heat.
  • the liquid treatment step begins at the same time as the rotation of the substrate or after the substrate is rotated.
  • the first cleaning step of supplying the rinse liquid of the first temperature to clean the treated surface A second cleaning step of supplying a rinse liquid of a second temperature lower than the first temperature to clean the treated surface; It further includes.
  • the liquid treatment step after supplying the rinse liquid to the processing surface while operating the heater installed on the upper portion of the substrate, and supplying the rinse liquid to the processing surface in the state in which the operation of the heater is finished Washing step; It further includes.
  • the treatment liquid is a chemical liquid used in an etching process or a PR strip process of the substrate treatment surface
  • the rinse liquid is deionized water
  • the atmosphere of the processing space can be made uniform by supplying the processing liquid in the mist state or the processing liquid in the vapor state in which gas is mixed into the processing space between the table and the substrate.
  • the present invention can provide a uniform treatment liquid to the treatment surface by having a spray hole having a variety of inclination angle, radial direction, diameter.
  • this invention can control the flow volume or pressure of each nozzle part by providing a some nozzle part.
  • the present invention can be uniformly sprayed on the processing space between the substrate and the table by providing a slit-shaped injection port.
  • the present invention can prevent the occurrence of a defect in the shape of the substrate pattern during the liquid treatment of the substrate by heating the heater in a state where a high temperature treatment liquid is supplied to the treatment surface.
  • the present invention can suppress the generation of particles due to a sudden temperature difference by supplying the rinse liquid of the first temperature, and then supplying the rinse liquid of the second temperature lower than the first temperature to clean the treated surface.
  • the present invention by reducing the temperature of the supplied rinse liquid by terminating the operation of the heater in the process of supplying the rinse liquid can suppress the generation of particles due to a sudden temperature difference.
  • FIG. 1 is a configuration diagram according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan sectional view showing a nozzle unit according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a plan view showing a nozzle unit according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG.
  • FIG. 7 is a plan view showing the striking surface of the injection hole according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a configuration diagram according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing the striking surface of the jet hole according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a configuration diagram according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan sectional view showing a nozzle unit according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan sectional view showing a nozzle unit according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a configuration diagram according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan sectional view showing a nozzle unit according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a configuration diagram according to a sixth embodiment of the present invention.
  • 16 is a plan sectional view showing a nozzle unit according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a flowchart of a substrate liquid processing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a flowchart of a substrate liquid processing method according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a flowchart of a substrate liquid processing method according to another embodiment of the present invention.
  • Substrate liquid processing apparatus of the present invention can be divided into the first to sixth embodiment, the components of each embodiment are basically the same, but there is a difference in some configurations.
  • the components having the same function and function among the various embodiments of the present invention will be used the same reference numerals in the drawings.
  • the present invention is a substrate liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to the processing surface of the substrate to process the liquid, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate supporting part 10 and the rotation driving part ( 20), the processing liquid supply part 30, the rinse liquid supply part 40, the processing liquid recovery part 50 and the heating part 60.
  • the substrate support part 10 supports the substrate W spaced apart from the table 11.
  • a plurality of chuck pins 12 are installed outside the upper portion of the table 11 to support the substrate W inward, and the processing surface of the substrate W is supported downward.
  • the rotation driver 20 drives the rotary shaft 21 below the table 11 to rotate the table 11. Therefore, the substrate W supported by the chuck pin 12 is also rotated.
  • the hollow part 22 is formed in the inside of the rotating shaft 21.
  • the hollow portion 22 serves as a passage for supplying a processing liquid, a rinse liquid, an inert gas, or the like for liquid processing the substrate W. As shown in FIG.
  • the processing liquid supply unit 30 sprays the processing liquid from the upper portion of the table 11 toward the processing surface.
  • a mist treatment solution or a vapor treatment solution in which gas is mixed is supplied to the processing space between the table 11 and the substrate W, and a two-fluid nozzle may be used to mix and spray the treatment solution and the gas. have.
  • the high temperature liquid treatment or the high volatility treatment liquid is used by supplying the treatment liquid to the limited treatment space, the evaporation and volatilization of the treatment liquid can be minimized, and the generation of the fume can be suppressed.
  • the 'mist state' refers to a state in which the treatment liquid is mixed with gas and injected into the treatment space in a droplet state
  • the 'vapor state' refers to a state in which the treatment liquid is vaporized at a temperature lower than the critical temperature
  • the rinse liquid supply unit 40 sprays the rinse liquid into the processing space between the substrate W and the table 11 to face the processing surface to clean the processing surface.
  • the processing liquid supplied to the processing space between the table 11 and the substrate W is uniformly applied to the entire processing space due to the centrifugal force caused by the rotation of the table 11 and the substrate W and the exhaust pressure operating from the lower part of the chamber. Can be supplied.
  • the processing space in which the processing liquid is injected and stays is narrow, so that the supply amount of the processing liquid can be minimized.
  • the processing liquid is discharged to the side through the processing space, so that the amount of the processing liquid is increased in contact with the processing surface, thereby reducing the amount of processing liquid used.
  • the treatment liquid recovery part 50 includes one or more cups 51 and 52 which are provided around the table 11 and whose upper portions protrude inward to recover the treatment liquid or the rinse liquid discharged from the substrate W. .
  • the heating unit 60 is installed above the substrate W to heat the substrate W in order to improve the liquid treatment efficiency of the substrate W.
  • the heating unit 60 may be installed below the substrate W in addition to the upper portion of the substrate W, or may be configured as a heater that directly heats the processing liquid.
  • the substrate liquid processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is constructed as shown in Figs.
  • the processing liquid supply unit 30 includes a processing liquid storage unit 33, a processing liquid supply pipe 32, a nozzle unit 31, and a gas storage unit 34.
  • the processing liquid storage unit 33 stores the processing liquid for processing the substrate.
  • the treatment liquid may be a chemical liquid used in an etching process or a PR strip process of the substrate W treatment surface.
  • the processing liquid supply pipe 32 is provided in the hollow portion 22 inside the rotating shaft 21 to receive the processing liquid from the processing liquid storage unit 33.
  • the nozzle part 31 sprays the process liquid supplied from the process liquid supply pipe 32 to the process space between the board
  • the nozzle part 31 includes a body part 35 and an injection part 36 and is provided with one or more.
  • Body portion 35 is connected to the upper end of the processing liquid supply pipe 32, as shown in Figure 2, is disposed above the table 11, the central axis (A1) of the body portion from the axis of rotation of the table 11 Placed out of the way.
  • the incident angle of the processing liquid injected to the center of the processing surface is increased so that the processing liquid can be uniformly supplied along the processing surface by the centrifugal force of the substrate W without being dropped onto the table after being sprayed on the processing surface.
  • the central axis A1 of the body portion refers to the vertical axis in the vertical direction of the body portion 35 illustrated in FIGS. 4 to 6.
  • the treatment liquid in the body 35 is mixed with the inert gas to form a mist state or a vapor state. Since the two-fluid nozzle structure that mixes and injects liquid and gas corresponds to a known technique, a detailed description thereof will be omitted.
  • the injection part 36 is formed in the body part 35 and consists of one or more injection holes which inject a process liquid toward a process surface.
  • At least one of the injection ports is arranged to inject the treatment liquid at an angle toward the rotation center of the treatment surface. Thereby, the processing liquid injected at the center of the processing surface is uniformly supplied along the processing surface by the rotation of the substrate W. As shown in FIG.
  • At least two of the injection holes are arranged to spray the treatment liquid in different radial directions with respect to the central axis A1 of the body portion.
  • the size of the nozzle body portion 35 can be made small compared with disposing the injection ports in the same direction, and a constant amount of the processing liquid can be supplied over the entire processing surface of the substrate W. As shown in FIG.
  • At least two of the jets form different diameter sizes for each. Thereby, the injection amount of the process liquid with respect to each injection hole can be adjusted.
  • At least two of the injection holes form different inclination angles ⁇ 1, ⁇ 2, ⁇ 3, and ⁇ 4 between the respective central axes C1, C2, C3, C4 and the central axis A1 of the body portion.
  • the processing liquid can be evenly supplied to the central portion and the outer portion of the processing surface.
  • the central axes C1, C2, C3, and C4 mean lines extending the center of each injection hole.
  • the diameter of the injection hole having a large inclination angle may be larger than the diameter of another injection hole having a small inclination angle.
  • the injection amount of a process liquid can increase as it goes to the radial direction of a process surface.
  • the nozzle unit 31 of the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6, and the body part 35 is formed of a nozzle having a cap shape, and the injection part 36 includes the first to fourth injection holes ( 36a, 36b, 36c, 36d).
  • the first injection hole 36a has a central axis C1 having a central axis A1 of the body portion and a first inclination angle ⁇ 1 so as to inject the processing liquid obliquely toward the rotation center of the processing surface, To face.
  • the fourth injection hole 36d has a central axis C4 having a central axis A1 and a fourth inclination angle ⁇ 4 of the body portion, and is disposed so as to spray the processing liquid toward the opposite direction of the first injection hole 36a.
  • Each of the second and third injection holes 36b and 36c has the central axes C2 and C3 having the central axis A1 and the second and third inclination angles ⁇ 2 and ⁇ 3 of the body portion, respectively, and the fourth injection holes 36d. Proximally to the sides, ie on the figures of FIGS. 5 and 6, respectively, are arranged in the first and second quadrants. Except for the first injection hole for injecting the treatment liquid into the rotation center of the treatment surface, the remaining injection holes inject the treatment liquid into the same semicircle of the treatment surface. Thereby, the process liquid sprayed on a process surface can be biased, and the particle generate
  • Each jet is jetted in different radial directions, at different angles of inclination and jetted at an angle. Therefore, the processing liquid is evenly supplied to the processing surface by the centrifugal force of the rotating substrate W, so that the liquid processing process can be performed uniformly.
  • the first injection hole 36a is arranged to inject the processing liquid to the rotational center of the treatment surface, and when comparing the remaining injection holes, the inclination angles of the injection holes are fourth, third and second inclination angles ⁇ 4, ⁇ 3, ⁇ 2.
  • the 4th injection port (36d) injects a process liquid close to the edge of a process surface.
  • the diameter of the injection hole is formed in the order of the fourth, third, second injection holes (36d, 36c, 36b) in order to increase the diameter as the inclination angle is larger. That is, since the treatment area becomes wider in the radial direction of the treatment surface, it is preferable to form a larger diameter as the inclination angle is larger. However, depending on the situation, even if they have different inclination angles, they may have the same diameter.
  • the impact surface 37 of the injection hole has a larger incidence angle injected into the processing surface toward the radial direction of the processing surface and has a larger diameter, so that the fourth, third, and second injection holes 36d and 36c have a larger diameter. , 36b) in order.
  • the first embodiment described above is merely an example, and if the treatment liquid is evenly supplied to the treatment surface, the number, direction, inclination angle and diameter of the injection port can be adjusted.
  • the gas storage unit 34 stores a gas mixed with the processing liquid so that the processing liquid may be injected into the mist state.
  • the gas may be an inert gas such as nitrogen.
  • the processing liquid supply unit 30 mixes the processing liquid and the inert gas in a liquid state and sprays the same through the first to fourth injection holes 36a, 36b, 36c, and 36d to the processing space between the substrate W and the table 11. It can spray uniformly, and can be supplied evenly to a rotating process surface.
  • the treatment liquid is two or more kinds of chemical liquids
  • the mixtures are sprayed by mixing with an inert gas immediately before the injection in the state of mixing them in a separate mixing device.
  • the liquid treatment device is a SPM (Surfuric acid peroxide mixture) treatment device
  • sulfuric acid and hydrogen peroxide may be mixed in a separate mixing device and then mixed with nitrogen immediately before the injection to be sprayed in a mist state.
  • sulfuric acid and hydrogen peroxide may be mixed just before the injection, and may be injected in a high temperature mist state by an exothermic reaction.
  • the rinse liquid supply unit 40 includes a rinse liquid storage unit 43, a rinse liquid supply pipe 42, and a rinse liquid nozzle 41.
  • the rinse liquid storage unit 43 stores the rinse liquid for cleaning the substrate after the liquid treatment of the substrate.
  • the rinse liquid may be deionized water.
  • the rinse liquid supply pipe 42 is provided in the hollow portion 22 inside the rotating shaft 21 to receive the rinse liquid from the rinse liquid storage unit 43.
  • the rinse liquid nozzle 41 sprays the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply pipe 42 into the processing space between the substrate W and the table 11.
  • the rinse liquid supply unit 40 is provided so as not to obstruct the path of the treatment liquid supply unit 30.
  • the second embodiment of the present invention is different from the first embodiment in that it has a plurality of nozzle parts.
  • a description will be given with reference to FIGS. 8 and 9 with reference to components having a difference from the first embodiment.
  • the nozzle parts 31a and 31b may be provided in plural numbers, and in the second embodiment, two nozzle parts 31a and 31b are provided.
  • Each nozzle part 31a, 31b injects a process liquid so that the striking surface which injects a process liquid to a process surface may differ.
  • one nozzle portion 31a may be provided to spray the processing liquid to the outer portion of the processing surface
  • another nozzle portion 31b may be provided to spray the processing liquid to the inner portion of the processing surface.
  • one nozzle portion 31a is provided with an injection hole for injecting the processing liquid toward the striking surfaces 37c and 37d located at the outer side of the processing surface, and the other nozzle portion.
  • 31b is provided with the injection port which injects a process liquid toward the hitting surface 37a, 37b located in the inner part of a process surface.
  • the nozzle control unit controls at least one of the flow rate and the pressure of each of the nozzle units 31a and 31b described above.
  • the flow rate and pressure of each of the plurality of nozzle portions 31a and 31b can be adjusted individually, so that the processing is performed for each position of the striking surfaces 37a, 37b, 37c and 37d so as to supply a uniform processing liquid to the entire processing surface.
  • the supply flow rate or pressure of the liquid can be adjusted. If one nozzle unit is provided, if the size of the corresponding injection hole is changed to change the flow rate or pressure of the processing liquid supplied to the position of the specific hitting surface, the flow rate and pressure of the processing liquid injected from the other injection port are changed to the injection hole. It is difficult to adjust the injection amount of
  • the plurality of nozzle portions 31a and 31b are connected to the respective processing liquid supply pipes 32a and 32b, and the processing liquid supply pipes 32a and 32b are respectively the processing liquid storage parts 33a and 33b and the gas storage part 34a. , 34b).
  • the plurality of nozzle units may receive the processing liquid and the gas from one processing liquid storage unit and the gas storage unit.
  • the nozzle unit may be provided with a plurality of two or more.
  • the position of the nozzle portion may be any position of the table top, but the at least one nozzle portion is preferably disposed away from the axis of rotation of the treatment surface to inject the treatment liquid at an angle to the rotational center of the treatment surface.
  • positioning can be changed suitably.
  • the third embodiment of the present invention differs in the structure of the nozzle unit and the rinse liquid nozzle from the first embodiment.
  • a description will be given with reference to FIGS. 10 and 11 with reference to components having a difference from the first embodiment.
  • the body portion 135 of the nozzle portion 131 is connected to the upper end of the processing liquid supply pipe 132, extends in the radial direction of the substrate W from the top of the table 11, and is bent at the center of the top of the table 11. Cantilever form.
  • the injection part 136 is formed in the body part 135 in a slit shape along the radial direction of the substrate W to uniformly treat the treatment liquid in the mist state or the treatment liquid in the vapor state mixed with the gas in the body 135. Spray. At this time, it is possible to use a two-fluid nozzle to mix the treatment liquid and gas.
  • the interval between the slits may be configured to be constant, or the injection portion 136 may be configured such that the injection amount of the processing liquid increases as the radial direction of the substrate W increases.
  • the spacing of the slits becomes wider in the radial direction, so that the processing liquid is relatively supplied to the outer region occupying a large volume in the processing space, thereby uniformly supplying the processing liquid to the processing surface of the substrate W.
  • the processing liquid supply unit 130 mixes the processing liquid and the inert gas in a liquid state and sprays the processing liquid in a mist state or a vapor state through the slit-type spraying unit 136 to process the substrate W and the table 11. It can spray in space uniformly.
  • the fourth embodiment of the present invention differs in the structure of the nozzle unit and the rinse liquid nozzle from the third embodiment.
  • a description will be given with reference to FIG. 12 based on components having a difference from the third embodiment.
  • the body portion 235 of the nozzle portion 231 has a fan shape centering on the center portion of the upper portion of the table 11. Since the width of the body portion 235 located at the outer portion of the table 11 is wider than that of the central portion of the table 11, a larger amount of treatment liquid may be supplied than the central portion of the table 11. Thereby, the process liquid of a mist state or a vapor state can be supplied uniformly to a board
  • the fifth embodiment of the present invention differs in the structure of the nozzle unit and the rinse liquid nozzle from the third embodiment.
  • a description will be given with reference to FIGS. 13 and 14 with reference to components having a difference from the third embodiment.
  • the body part 335 of the nozzle part 331 consists of the 1st, 2nd branch pipes 335a and 335b branched from the center part of the table 11 upper part.
  • the first and second branch pipes 335a and 335b are branched to have the same length in the radial direction of the table 11, respectively. Therefore, the body portion 335 is formed in a straight line form from one outer portion to the other outer portion of the table 11 to uniformly supply the processing liquid to the processing space between the substrate W and the table 11.
  • the interval between the slits formed in the first and second branch pipes 335a and 335b may be the same, or the interval between the slits may be configured to be larger in the radial direction as in the above-described embodiment.
  • each branch can be arranged at a constant angle.
  • the rinse liquid nozzle 341 does not interfere with the path of the processing liquid supply unit, and is provided on the central side of the nozzle unit 331 so that the rinse liquid may be injected at the center of the substrate processing surface. Even if the rinse liquid is injected into the center portion of the processing surface, the rinse liquid is supplied to the outer portion of the processing surface by the centrifugal force of the substrate W. Therefore, the position of the rinse liquid nozzle 341 may be anywhere as long as it can provide the rinse liquid uniformly to the substrate processing surface.
  • the sixth embodiment of the present invention differs in the structure of the nozzle unit and the rinse liquid nozzle from the fifth embodiment.
  • a description will be given with reference to FIGS. 15 and 16 with reference to components having a difference from the fifth embodiment.
  • the body portion 435 of the nozzle portion 431 is composed of first and second branch pipes 435a and 435b branched from the center portion of the upper portion of the table 11.
  • the first and second branch pipes 435a and 435b are branched to have different lengths in the radial direction of the substrate W, respectively. Specifically, one end of the body portion 435 starts at the outer portion of the table 11, the other end may be formed in a straight line form located between the outer portion past the central portion of the table (11). Thereby, a process liquid can be uniformly supplied to the whole process surface by replenishing a process liquid in the center part of the process surface of the board
  • the above-described substrate liquid processing apparatus can be used as a method of supplying a processing liquid while rotating the substrate to liquid-process the processing surface.
  • Substrate liquid processing method as shown in Figure 17, the substrate support step (S10), processing liquid pre-supply step (S20), heating step (S30), liquid processing step (S40) and It includes a cleaning step (S50).
  • the substrate is spaced apart from each other by a chuck pin so that the processing surface faces downward on the table.
  • the supply amount of the treatment liquid can be minimized.
  • the processing liquid pre-supply step (S20) supplies the processing liquid in the mist state or the processing liquid in the vapor state mixed with gas to the processing space between the table and the substrate. At this time, the treatment liquid is uniformly supplied to the treatment surface.
  • the heating step S30 heats at least one of the substrate or the processing liquid provided on the substrate.
  • a treatment liquid in a mist state or a vapor state is supplied to the treatment space to liquefy the treatment surface.
  • a rinse liquid is supplied to the treated surface to clean the treated surface.
  • Such a substrate liquid treatment method may supply a high temperature treatment liquid of 30 ° C. to 200 ° C. in a processing liquid pre-supply step S20, and suitably supply a treatment liquid of 60 ° C. to 150 ° C.
  • SPM Sudfuric acid peroxide mixture
  • the boiling point of pure sulfuric acid is 337 °C
  • the boiling point of hydrogen peroxide is 150.2 °C, which is based on the current boiling point of hydrogen peroxide. Determine the temperature.
  • Supplying a high temperature treatment liquid prevents a defect from occurring in the substrate pattern shape in the heating step S30 and the liquid treatment step S40, thereby minimizing the occurrence of the defect in the liquid treatment step S40 of the substrate.
  • the substrate liquid treatment method according to another embodiment of the present invention, as shown in Figure 18, the substrate support step (S11), heating step (S21), liquid processing step (S31), the first cleaning step (S41) and A second cleaning step (S51) is included.
  • the substrate is spaced apart from each other by a chuck pin so that the processing surface faces downward on the table.
  • the heating step S20 heats at least one of the substrate or the processing liquid provided on the substrate.
  • the treatment surface of the mist is treated or the treatment liquid in a vapor state in which gas is mixed into the treatment space between the table and the substrate.
  • the liquid treatment step S30 is started simultaneously with the rotation of the substrate or after the substrate is rotated so that the treatment liquid can be uniformly supplied to the treatment surface.
  • the rinse liquid at the first temperature is supplied to clean the treated surface.
  • a rinse liquid having a second temperature lower than the first temperature is supplied to clean the treated surface.
  • the thermal shock due to the sudden temperature difference in the cleaning process of the substrate can be reduced, and in addition, the generation of particles can be suppressed.
  • Substrate liquid processing method includes a substrate supporting step (S12), heating step (S22), liquid processing step (S32) and cleaning step (S42) do.
  • the substrate supporting step S12, the heating step S22 and the liquid processing step S32 are the same as the substrate supporting step S11, the heating step S21 and the liquid processing step S31 of the above-described embodiment, There is a difference.
  • the rinse liquid is supplied to the processing surface while operating the heater installed on the upper portion of the substrate, and then the rinse liquid is supplied to the processing surface in a state where the operation of the heater is finished.
  • the temperature of the supplied rinse liquid is gradually lowered, thereby suppressing particle generation due to a sudden temperature difference.
  • the present invention provides a substrate liquid processing apparatus and method for uniform liquid processing while minimizing the amount of the processing liquid supplied to the processing surface of the substrate.

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Abstract

본 발명은 반도체용 기판을 식각 및 세정하는 기판 액처리 장치에 관한 것이다. 기판 액처리 장치는, 테이블 상부에 처리면이 하부를 향하도록 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 및 테이블과 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 를 포함한다. 이에 의해, 기판과 테이블 사이 처리 공간의 분위기를 균일하게 하고, 처리면에 처리액을 균일하게 분사할 수 있다.

Description

기판 액처리 장치 및 방법
본 발명은 반도체용 기판을 식각 및 세정하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 처리면에 공급되는 처리액의 사용량을 최소화하면서 균일한 액처리를 위한 기판 액처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
일반적으로 습식 식각 및 세정 장치는 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 기판에 처리액이나 세정액을 공급하여 식각 공정과 세정 공정을수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액과 세정액을 회수한다.
한편, 종래의 기판 액처리 장치는 처리액의 균일한 분사를 위하여 처리면이 상부를 향하도록 지지한 기판 상부에서 기판 중심을 따라 노즐을 스윙시켜 처리면에 처리액을 균일하게 공급하였다. 그러나 기판의 상부에서 처리액을 공급하게 되면 고온 액처리시나 휘발성이 강한 약액을 사용하는 경우 약액의 증발이나 휘발에 의해 약액의 소모량이 증가하고, 처리 챔버 내부에 흄이 많이 발생된다는 문제점이 있었다.
종래의 다른 기판 액처리 장치는 처리면이 하부를 향하도록 기판을 지지한 상태에서 테이블 상부로부터 처리면의 1점 이상의 위치에 처리액을 분사하였다.
그러나 이러한 1점 이상의 위치에 분사하는 것만으로는 기판과 테이블 사이의 분위기를 균일하게 제어하기 힘들고 이에 따라 처리면의 균일한 액처리가 힘들다는 문제가 있었다.
한편, 기판에 증착된 박막이나 포토레지스트 등의 제거 효율을 향상시키기 위해서는, 상온에 가까운 처리액을 처리면에 공급한 뒤 기판을 가열시켜 기판과 처리액이 200℃ ~ 240℃의 고온으로 가열된 상태에서 액처리 하였다.
그러나 상온의 처리액을 처리면에 공급한 상태에서 히터를 가열시켜 액처리하는 경우에 기판 패턴 형상에 불량이 발생하여 기판의 액처리 과정에서 불량이 많이 발생하였다.
또한, 고온에서 기판의 액처리를 완료한 후 상대적으로 낮은 온도의 탈이온수를 공급하면, 가열된 처리액과 탈이온수의 급격한 온도 차이로 인한 형상 변형으로 척으로부터 기판이 이탈하거나, 처리액의 온도가 급속히 낮아짐에 따라 처리액의 점도가 높아져 파티클이 발생한다는 문제점이 있었다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 처리액의 사용량을 최소화하면서도 기판과 테이블 사이 처리 공간의 분위기를 균일하게 하여 기판의 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 액처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 처리면에 처리액을 공급한 상태에서 히터를 가열시켜 액처리함에 있어, 기판 패턴 형상에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 액처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 고온으로 액처리한 후 상대적으로 온도가 많이 낮은 린스액을 공급하기 전 기판의 온도를 낮춤으로써 파티클 문제나 기판의 파손을 방지할 수 있는 기판 액처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 장치는, 기판의 처리면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서, 테이블 상부에 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부; 상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 및 상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 처리액 공급부는, 상기 테이블 상부에서 상기 처리면을 향하여 처리액을 분사한다.
바람직하게, 상기 처리액 공급부는, 액체 상태의 처리액과 비활성 기체를 혼합하여 분사한다.
바람직하게, 상기 처리액은 2종 이상의 약액으로 이루어지고, 상기 처리액 공급부는, 상기 약액들을 혼합한 후 분사하기 전 상기 비활성 기체와 혼합하여 분사한다.
바람직하게, 상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부; 를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 가열부는, 상기 기판의 상부에 구비되는 히터로 구성된다.
바람직하게, 상기 처리액 공급부는, 처리액 저장부로부터 처리액을 공급받는 처리액 공급관 및 상기 처리액 공급관으로부터 공급받은 처리액을 분사하는 1 이상의 노즐부를 포함한다.
바람직하게, 상기 처리액 공급관은, 상기 회전축 내부의 중공부 내에 구비된다.
바람직하게, 상기 노즐부는, 상기 기판의 반경 방향으로 갈수록 처리액의 분사량이 증가하도록 구성된다.
바람직하게, 상기 노즐부는, 상기 처리액 공급관 상단에 연결된 몸체부 및 상기 몸체부에 처리면을 향해 처리액을 분사하는 1 이상의 분사구를 구비하는 분사부를 포함한다.
바람직하게, 상기 노즐부 중 적어도 어느 하나는, 상기 몸체부의 중심축이 상기 테이블의 회전축선으로부터 벗어나게 배치된다.
바람직하게, 상기 분사구 중 어느 하나는, 상기 처리면의 회전 중심을 향해 처리액을 비스듬하게 분사하도록 배치된다.
바람직하게, 상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 상기 몸체부의 중심축을 기준으로 서로 다른 반경 방향으로 처리액을 분사하도록 배치된다.
바람직하게, 상기 회전 중심에 처리액을 분사하는 분사구를 제외한 2 이상의 나머지 분사구는, 상기 처리면의 동일 반원에 처리액을 비스듬하게 분사하도록 배치된다.
바람직하게, 상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 각각의 직경 크기가 상이하게 형성된다.
바람직하게, 상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 각각의 중심축과 상기 몸체부의 중심축 사이의 경사각이 상이하게 형성된다.
바람직하게, 상기 경사각이 큰 분사구의 직경은, 경사각이 작은 다른 분사구의 직경보다 크게 형성된다.
바람직하게, 상기 노즐부는, 복수개가 구비되고, 상기 복수의 노즐부는, 상기 처리면에 처리액이 분사되는 타격면이 상이하다.
바람직하게, 상기 복수의 노즐부 중 하나는, 상기 처리면의 외곽부에 처리액을 분사하고, 다른 하나는, 내곽부에 처리액을 분사한다.
바람직하게, 상기 복수의 노즐부 각각의 유량과 압력 중 적어도 어느 하나를 제어하는 노즐 제어부;를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 노즐부는, 상기 처리액 공급관 상단에 연결된 몸체부 및 상기 몸체부에 기판의 반경 방향으로 슬릿이 형성된 분사부를 포함한다.
바람직하게, 상기 몸체부는, 상기 테이블 상부에서 기판의 반경 방향으로 연장 형성된다.
바람직하게, 상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부에서 절곡된 외팔보 형태로 이루어진다.
바람직하게, 상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부를 중심으로 하는 부채꼴 형태를 갖는다.
바람직하게, 상기 슬릿은 상기 기판의 반경 방향으로 갈수록 간격이 넓어지게 형성된다.
바람직하게, 상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부에서 기판의 반경 방향으로 분기된 2 이상의 분기관으로 이루어진다.
바람직하게, 상기 몸체부는, 직경 방향으로 분기된 제1, 제2 분기관으로 이루어진다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 분기관의 길이는 동일하다.
바람직하게, 상기 제1, 제2 분기관의 길이는 서로 다르게 형성된다.
상술한 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 액처리 방법은, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서, 테이블 상부에 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지 단계; 상기 기판 또는 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열 단계; 및 상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하여 상기 처리면을 액처리하는 액처리 단계; 를 포함한다.
바람직하게, 상기 기판 지지 단계 이후에, 상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하는 처리액 예비공급 단계; 를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 처리액 예비공급 단계는, 처리액을 1초 ~ 15초동안 공급한다.
바람직하게, 상기 처리액 예비공급 단계는, 처리액을 30℃ ~ 200℃로 공급한다.
바람직하게, 상기 처리액은 SPM(Surfuric acid peroxide mixture; 황산과 과산화수소수의 혼합물)이고, 상기 처리액 예비공급 단계에서, 황산과 과산화수소수를 반응시켜 반응열에 의한 고온의 처리액을 공급한다.
바람직하게, 상기 액처리 단계는, 상기 기판의 회전과 동시에 또는 상기 기판이 회전한 이후에 시작된다.
바람직하게, 상기 액처리 단계 이후에, 제1 온도의 린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 제1 세정 단계; 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 제2 세정 단계; 를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 액처리 단계 이후에, 상기 기판의 상부에 설치된 히터를 동작시키면서 상기 처리면에 린스액을 공급한 후, 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리면에 상기 린스액을 공급하는 세정 단계; 를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 처리액은 기판 처리면의 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 약액이고, 상기 린스액은 탈이온수이다.
본 발명의 기판 액처리 장치에 의하면, 테이블과 기판 사이 처리 공간에 기체를 혼합한 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급함으로써 처리 공간의 분위기를 균일하게 할 수 있다.
또한, 본 발명은 다양한 경사각, 반경 방향, 직경을 갖는 분사구를 구비함으로써 처리면에 균일한 처리액을 공급할 수 있다.
또한, 본 발명은 복수의 노즐부를 구비함으로써 각 노즐부의 유량 또는 압력을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 슬릿 형태의 분사구를 구비함으로써 기판과 테이블 사이 처리 공간에 처리액을 균일하게 분사할 수 있다.
또한, 본 발명은 고온의 처리액을 처리면에 공급한 상태에서 히터를 가열시킴으로써 기판을 액처리하는 과정에서 기판 패턴 형상에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 제1 온도의 린스액을 공급한 뒤, 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 린스액을 공급하여 처리면을 세정함으로써 급격한 온도 차이로 인한 파티클 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은 린스액을 공급하는 과정에서 히터의 동작을 종료함으로써 공급되는 린스액의 온도가 점차적으로 낮아져 급격한 온도 차이로 인한 파티클 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 구성도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 A-A 단면도.
도 5는 도 3의 B-B 단면도.
도 6은 도 3의 C-C 단면도.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 의한 분사구의 타격면을 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 의한 구성도.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 의한 분사구의 타격면을 나타내는 평면도.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 의한 구성도.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평단면도.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평단면도.
도 13은 본 발명의 제5 실시예에 의한 구성도.
도 14는 본 발명의 제5 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평단면도.
도 15는 본 발명의 제6 실시예에 의한 구성도.
도 16은 본 발명의 제6 실시예에 의한 노즐부를 나타내는 평단면도.
도 17은 본 발명의 실시예에 의한 기판 액처리 방법의 흐름도.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판 액처리 방법의 흐름도.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 기판 액처리 방법의 흐름도.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
10 : 기판 지지부
11 : 테이블
12 : 척핀
20 : 회전 구동부
21 : 회전축
22 : 중공부
30 : 처리액 공급부
31 : 노즐부
32 : 처리액 공급관
33 : 처리액 저장부
34 : 가스 저장부
35 : 몸체부
36 : 분사부
37 : 타격면
40 : 린스액 공급부
41 : 린스액 노즐
42 : 린스액 공급관
43 : 린스액 저장부
50 : 처리액 회수부
51, 52 : 컵
60 : 가열부
이하에서는 본 발명의 실시예를 도면을 참고하여 구체적으로 설명한다. 본 발명의 기판 액처리 장치는 제1 내지 제6 실시예로 구분할 수 있으며, 각 실시예의 구성요소는 기본적으로 동일하나, 일부 구성에 있어서 차이가 있다. 또한 본 발명의 여러 실시예 중 동일한 기능과 작용을 하는 구성요소에 대해서는 도면상의 도면부호를 동일하게 사용하기로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 본 발명은 기판의 처리면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로 도 1, 도 2에 도시한 바와 같이 크게 기판지지부(10), 회전 구동부(20), 처리액 공급부(30), 린스액 공급부(40), 처리액 회수부(50) 및 가열부(60)로 이루어진다.
기판 지지부(10)는 테이블(11) 상부에 기판(W)을 이격하여 지지한다. 테이블(11) 상부의 외곽에는 복수개의 척핀(12)이 설치되어 기판(W)을 내측으로 지지하며, 기판(W)의 처리면은 하부를 향하여 지지된다.
회전 구동부(20)는 테이블(11) 하부의 회전축(21)을 구동시켜 테이블(11)을 회전시킨다. 따라서 척핀(12)에 의해 지지된 기판(W)도 회전시킨다. 회전축(21)의 내부에는 중공부(22)가 형성되어 있다. 이 중공부(22)는 기판(W)을 액처리하기 위한 처리액이나 린스액, 불활성 기체 등을 공급하는 통로 역할을 한다.
처리액 공급부(30)는 테이블(11) 상부에서 처리면을 향하여 처리액을 분사한다. 구체적으로 테이블(11)과 기판(W) 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하며, 처리액과 기체를 혼합하여 분사하기 위해 이류체 노즐을 사용할 수 있다. 이와 같이, 한정된 처리 공간에 처리액을 공급함으로써 고온 액처리하는 경우나 휘발성이 강한 처리액을 사용하는 경우, 처리액의 증발이나 휘발을 최소화할 수 있고, 흄의 발생을 억제할 수 있다.
여기서 '미스트 상태'는 처리액이 기체와 혼합되어 액적 상태로 처리 공간에 분사된 상태를 의미하고, '증기 상태'는 처리액이 임계온도보다 낮은 온도에서 기화된 상태를 의미한다.
린스액 공급부(40)는 처리면을 향하도록 기판(W)과 테이블(11) 사이 처리 공간에 린스액을 분사하여 처리면을 세정한다.
테이블(11)과 기판(W) 사이 처리 공간에 공급된 처리액은 테이블(11)과 기판(W)의 회전에 의한 원심력과, 챔버 하부로부터 작동하는 배기 압력으로 인해 처리 공간 전체 영역에 균일하게 공급될 수 있다.
이때, 테이블(11)과 기판(W) 사이의 간격을 좁게 설정하면, 처리액이 분사되어 체류하는 처리 공간이 좁기 때문에 처리액의 공급량을 최소화 할 수 있다. 특히 처리액이 고온으로 공급되거나, 처리액의 휘발성이 크더라도 처리 공간을 통과하여 측방으로 배출되므로, 처리액이 처리면과의 접촉량이 커져 그만큼 처리액 사용량이 감소된다.
처리액 회수부(50)는 테이블(11) 둘레에 설치되어 기판(W)으로부터 배출되는 처리액이나 린스액을 회수할 수 있도록 상부가 내측으로 돌출된 1 이상의 컵(51, 52)을 구비한다.
가열부(60)는 기판(W)의 액처리 효율을 향상시키기 위하여 기판(W)의 상부에 설치되어 기판(W)을 가열한다. 가열부(60)는 기판(W)의 상부에 설치되는 이외에 기판(W) 하부에 설치되거나, 처리액을 직접 가열하는 히터로 구성될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 기판 액처리 장치를 구성하는 처리액 공급부와 린스액 공급부의 구조와 특징에 따라 제1 내지 제5 실시예로 구분하여 자세하게 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 기판 액처리 장치는 도 1 내지 도 6에 도시한 바와 같이 구성된다.
처리액 공급부(30)는 처리액 저장부(33), 처리액 공급관(32), 노즐부(31) 및 가스 저장부(34)로 이루어진다.
처리액 저장부(33)는 기판을 액처리 하기 위한 처리액을 저장한다. 이때 처리액은 기판(W) 처리면의 식각 공정 또는 PR스트립 공정에 사용되는 약액일 수 있다.
처리액 공급관(32)은 회전축(21) 내부의 중공부(22) 내에 구비되어 처리액 저장부(33)로부터 처리액을 공급받는다.
노즐부(31)는 처리액 공급관(32)으로부터 공급받은 처리액을 처리면에 고르게 공급하도록 기판(W)과 테이블(11) 사이의 처리 공간에 분사한다. 이때, 기판(W)의 반경 방향으로 갈수록 기판(W)의 면적이 넓어지므로 처리액의 분사량이 증가하는 것이 바람직하다. 노즐부(31)는 몸체부(35) 및 분사부(36)를 포함하여 구성되며, 1 이상이 구비된다.
몸체부(35)는 처리액 공급관(32) 상단에 연결되고, 도 2에 도시한 바와 같이, 테이블(11) 상부에 배치되며, 몸체부의 중심축(A1)이 테이블(11)의 회전축선으로부터 벗어나게 배치된다. 이로써, 처리면 중심에 분사되는 처리액의 입사각을 증가시켜 처리액이 처리면에 분사된 뒤 테이블로 낙하하지 않고, 기판(W)의 원심력에 의해 처리면을 따라 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 여기서 몸체부의 중심축(A1)은 도 4 내지 도 6에 도시한 몸체부(35)의 수직 방향 중심축선을 의미한다.
이 몸체부(35) 내부에서 처리액은 비활성 기체와 혼합되어 미스트 상태 또는 증기 상태를 이루게 된다. 액체와 기체를 혼합시켜 분사하는 이류체 노즐 구조는 공지의 기술에 해당하므로 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
분사부(36)는 몸체부(35)에 형성되어 처리면을 향해 처리액을 분사하는 1 이상의 분사구로 이루어진다.
분사구 중 적어도 어느 하나는 처리면의 회전 중심을 향해 처리액을 비스듬하게 분사하도록 배치한다. 이로써, 처리면의 중심에 분사된 처리액이 기판(W)의 회전에 의해 처리면을 따라 균일하게 공급된다.
분사구 중 적어도 2개의 분사구는 몸체부의 중심축(A1)을 기준으로 서로 다른 반경 방향으로 처리액을 분사하도록 배치된다. 이로써, 분사구를 동일한 방향으로 배치하는 것에 비하여 노즐 몸체부(35)의 크기를 작게 형성할 수 있고, 기판(W)의 처리면 전체에 걸쳐 일정한 양의 처리액을 공급할 수 있다.
분사구 중 적어도 2개의 분사구는 각각의 직경 크기를 상이하게 형성한다. 이로써, 각 분사구에 대한 처리액의 분사량을 조절할 수 있다.
분사구 중 적어도 2개의 분사구는 각각의 중심축(C1, C2, C3, C4)과 몸체부의 중심축(A1) 사이의 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)을 상이하게 형성한다. 이로써, 처리면의 중앙부와 외곽부에 처리액을 고르게 공급할 수 있다. 여기서 중심축(C1, C2, C3, C4)은 각 분사구의 중심을 연장한 선을 의미한다.
이때, 경사각이 큰 분사구의 직경은 경사각이 작은 다른 분사구의 직경보다 크게 형성할 수 있다. 이로써, 처리면의 반경 방향으로 갈수록 처리액의 분사량이 많아지게 할 수 있다.
제1 실시예의 노즐부(31)를 도 3 내지 도 6을 참고하여 구체적으로 설명하면, 몸체부(35)는 캡 형태의 노즐로 형성되고, 분사부(36)는 제1 내지 제4 분사구(36a, 36b, 36c, 36d)로 이루어진다.
제1 분사구(36a)는 처리면의 회전 중심을 향해 처리액을 비스듬하게 분사하도록 중심축(C1)이 몸체부의 중심축(A1)과 제1 경사각(θ1)을 가지며, 처리면의 회전 중심을 향하도록 배치된다.
제4 분사구(36d)는 중심축(C4)이 몸체부의 중심축(A1)과 제4 경사각(θ4)을 가지며, 제1 분사구(36a)의 반대 방향을 향해 처리액을 분사도록 배치된다.
제2, 제3 분사구(36b, 36c)는 각각의 중심축(C2, C3)이 몸체부의 중심축(A1)과 제2, 제3 경사각(θ2, θ3)을 가지며, 제4 분사구(36d)측에 근접하게, 즉 도 5, 도 6의 도면상으로 각각 제1, 제2 사분면에 배치된다. 처리면의 회전 중심에 처리액을 분사하는 제1 분사구를 제외한 나머지 분사구는 처리면의 동일 반원에 처리액을 분사한다. 이로써, 처리면에 분사되는 처리액을 편중시켜 처리면에 발생된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
각각의 분사구는 서로 다른 반경 방향으로 분사되고, 서로 다른 경사각을 가지며 비스듬하게 분사된다. 따라서, 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 처리액이 처리면에 고르게 공급되어 액처리 공정을 균일하게 수행할 수 있다.
4개의 분사구 중 제1 분사구(36a)는 처리면의 회전 중심에 처리액을 분사하도록 배치되고, 나머지 분사구들을 비교해보면, 분사구의 경사각은 제4, 제3, 제2 경사각(θ4, θ3, θ2) 순으로 크게 배치되어 제4 분사구(36d)가 처리면의 가장 가장자리에 가깝게 처리액을 분사한다.
분사구의 직경은 제4, 제3, 제2 분사구(36d, 36c, 36b) 순으로 크게 형성되어 경사각이 클수록 직경을 크게 형성한다. 즉, 처리면의 반경 방향으로 갈수록 처리 면적이 넓어지므로 경사각이 클수록 직경을 크게 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 상황에 따라서는 다른 경사각을 가지더라도 같은 직경을 가질 수도 있다.
분사구의 타격면(37)은 도 7에 도시한 바와 같이, 처리면의 반경 방향으로 갈수록 처리면에 분사되는 입사각이 크고, 큰 직경을 가지므로 제4, 제3, 제2 분사구(36d, 36c, 36b) 순으로 넓다.
한편, 상술한 제1 실시예는 예시에 불과하며, 처리면에 처리액이 고르게 공급되는 것이라면 분사구의 갯수, 방향, 경사각 및 직경을 조절할 수 있음은 물론이다.
가스 저장부(34)는 처리액이 미스트 상태로 분사될 수 있도록 처리액과 혼합되는 가스를 저장한다. 이때 가스는 질소와 같은 비활성 기체일 수 있다.
처리액 공급부(30)는 액체 상태의 처리액과 비활성 기체를 혼합하여 제1 내지 제4 분사구(36a, 36b, 36c, 36d)를 통해 분사함으로써 기판(W)과 테이블(11) 사이 처리 공간에 균일하게 분사할 수 있고, 이로써 회전하는 처리면에 고르게 공급될 수 있다. 이때 처리액이 2종 이상의 약액인 경우 이들을 별도의 혼합장치에서 혼합한 상태에서 분사 직전 비활성 기체와 혼합하여 분사한다. 예컨대, 액처리 장치가 SPM(Surfuric acid peroxide mixture; 황산과 과산화수소수의 혼합물) 처리 장치인 경우 황산과 과산화수소를 별도의 혼합장치에서 혼합한 후 분사 직전 질소와 혼합하여 미스트 상태로 분사할 수 있다. 이때, 황산과 과산화수소를 분사 직전 혼합하여 발열 반응에 의한 고온의 미스트 상태로 분사할 수도 있다.
린스액 공급부(40)는 린스액 저장부(43), 린스액 공급관(42) 및 린스액 노즐(41)로 이루어진다.
린스액 저장부(43)는 기판을 액처리 한 뒤에 기판을 세정하기 위한 린스액을 저장한다. 이때 린스액은 탈이온수일 수 있다. 린스액 공급관(42)은 회전축(21) 내부의 중공부(22) 내에 구비되어 린스액 저장부(43)로부터 린스액을 공급받는다. 린스액 노즐(41)은 린스액 공급관(42)으로부터 공급받은 린스액을 기판(W)과 테이블(11) 사이 처리 공간에 분사한다.
이러한 린스액 공급부(40)는 처리액 공급부(30)의 경로를 방해하지 않도록 구비된다.
본 발명의 제2 실시예는 제1 실시예와 대비하여 복수의 노즐부를 구비한다는 차이가 있다. 이하에서는 제1 실시예와 차이를 가지는 구성요소를 중심으로 도 8, 도 9을 참고하여 설명한다.
노즐부(31a, 31b)는 복수개로 구비될 수 있으며, 제2 실시예에서는 두개의 노즐부(31a, 31b)를 구비하였다.
각각의 노즐부(31a, 31b)는 처리면에 처리액이 분사되는 타격면이 상이하도록 처리액을 분사한다. 이때, 하나의 노즐부(31a)는 처리면의 외곽부에 처리액을 분사하고, 다른 하나의 노즐부(31b)는 처리면의 내곽부에 처리액을 분사하도록 구비할 수 있다.
구체적으로, 도 9에 도시한 바와 같이, 하나의 노즐부(31a)는 처리면의 외곽부에 위치한 타격면(37c, 37d)를 향해 처리액을 분사하는 분사구를 구비하고, 다른 하나의 노즐부(31b)는 처리면의 내곽부에 위치한 타격면 (37a, 37b)을 향해 처리액을 분사하는 분사구를 구비한다.
이로써 처리면의 외곽부에 내곽부보다 더 많은 양의 처리액을 공급할 수 있다.
노즐 제어부는 상술한 노즐부(31a, 31b) 각각의 유량과 압력 중 적어도 어느 하나를 제어한다.
이에 의하면, 복수의 노즐부(31a, 31b) 각각의 유량과 압력을 개별적으로 조절할 수 있어 처리면 전체에 균일한 처리액을 공급할 수 있도록 타격면(37a, 37b, 37c, 37d)의 위치 별로 처리액의 공급 유량이나 압력을 조절할 수 있다. 만약, 하나의 노즐부를 구비하였을 경우, 특정 타격면의 위치에 공급되는 처리액의 유량이나 압력을 변경하기 위하여 해당 분사구의 크기를 변경하면, 다른 분사구에서 분사되는 처리액의 유량과 압력이 변하여 분사구의 분사량을 개별적으로 조절하기 어렵다.
복수의 노즐부(31a, 31b)는 각각의 처리액 공급관(32a, 32b)에 연결되고, 처리액 공급관(32a, 32b)은 각각의 처리액 저장부(33a, 33b) 및 가스 저장부(34a, 34b)에 연결된다.
도면에 도시하지는 않았지만, 복수의 노즐부는 하나의 처리액 저장부와 가스 저장부로부터 처리액과 가스를 공급받을 수도 있다.
한편, 노즐부는 2개 이상의 복수개를 구비할 수 있다. 이러한 노즐부의 위치는 테이블 상부의 어느 위치라도 무관하나, 적어도 하나의 노즐부는 처리면의 회전 중심에 처리액을 비스듬하게 분사하도록 처리면의 회전축선으로부터 벗어나게 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 각 노즐부에 형성되는 분사구는 처리면에 처리액을 균일하게 공급하는 것이라면 그 개수와 배치를 적절하게 변경할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예는 제1 실시예와 대비하여 노즐부 및 린스액 노즐의 구조에 있어 차이가 있다. 이하에서는 제1 실시예와 차이를 가지는 구성요소를 중심으로 도 10, 도 11을 참고하여 설명한다.
노즐부(131)의 몸체부(135)는 처리액 공급관(132) 상단에 연결되고, 테이블(11) 상부에서 기판(W)의 반경 방향으로 연장 형성되며, 테이블(11) 상부의 중앙부에서 절곡된 외팔보 형태로 이루어진다.
분사부(136)는 몸체부(135)에 기판(W)의 반경 방향을 따라 슬릿 형태로 형성되어 몸체부(135)에서 기체와 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 균일하게 분사시킨다. 이때 처리액과 기체를 혼합하기 위하여 이류체 노즐을 사용할 수 있다. 또한, 슬릿의 간격을 일정하게 구성하거나, 분사부(136)를 기판(W)의 반경 방향으로 갈수록 처리액의 분사량이 증가되게 구성할 수 있다. 예컨대, 슬릿의 간격을 반경 방향으로 갈수록 넓게 구성함으로써 처리 공간 중 체적을 많이 차지하는 외곽 영역에 처리액을 상대적으로 많이 공급하여 기판(W)의 처리면에 처리액을 균일하게 공급할 수 있다.
처리액 공급부(130)는 액체 상태의 처리액과 비활성 기체를 혼합하여 슬릿 형태의 분사부(136)를 통해 미스트 상태 또는 증기 상태의 처리액을 분사함으로써 기판(W)과 테이블(11) 사이 처리 공간에 균일하게 분사할 수 있다.
본 발명의 제4 실시예는 제3 실시예와 대비하여 노즐부 및 린스액 노즐의 구조에 있어 차이가 있다. 이하에서는 제3 실시예와 차이를 가지는 구성요소를 중심으로 도 12를 참고하여 설명한다.
노즐부(231)의 몸체부(235)는 테이블(11) 상부의 중앙부를 중심으로 하는 부채꼴 형태를 갖는다. 테이블(11) 중앙부에 비하여 테이블(11) 외곽부에 위치한 몸체부(235)의 넓이가 더 넓으므로 중앙부보다 많은 양의 처리액을 공급할 수 있다. 이에 의해 기판 처리면에 미스트 상태 또는 증기 상태의 처리액을 균일하게 공급할 수 있다.
본 발명의 제5 실시예는 제3 실시예와 대비하여 노즐부 및 린스액 노즐의 구조에 있어 차이가 있다. 이하에서는 제3 실시예와 차이를 가지는 구성요소를 중심으로 도 13, 도 14를 참고하여 설명한다.
노즐부(331)의 몸체부(335)는 테이블(11) 상부의 중앙부에서 분기된 제1, 제2 분기관(335a, 335b)으로 이루어진다.
제1, 제2 분기관(335a, 335b)은 각각 테이블(11)의 반경 방향으로 동일한 길이를 가지도록 분기된다. 따라서 몸체부(335)는 테이블(11)의 일측 외곽부부터 타측 외곽부까지 직선 형태로 형성되어 기판(W)과 테이블(11) 사이 처리 공간에 처리액을 균일하게 공급할 수 있다.
이때, 제1, 제2 분기관(335a, 335b)에 형성된 슬릿의 간격은 동일하게 구성하거나, 상술한 실시예와 같이 반경 방향으로 갈수록 슬릿의 간격을 크게 구성할 수도 있다.
몸체부는 테이블 상부의 중앙부에서 반경 방향으로 분기된 2 이상의 분기관으로 이루어진 것이라면 상술한 실시예와 같이 직선 형태가 아니더라도 무방하다. 예컨대, 각 분기관은 일정한 각도로 배치될 수 있다.
린스액 노즐(341)은 처리액 공급부의 경로를 간섭하지 않으며, 린스액이 기판 처리면의 중앙부에 분사될 수 있도록 노즐부(331)의 중앙부 측면에 구비된다. 린스액이 처리면의 중앙부에 분사되더라도 기판(W)의 원심력에 의해 처리면의 외곽부에도 린스액이 공급된다. 그러므로 린스액 노즐(341)의 위치는 기판 처리면에 린스액을 균일하게 제공할 수 있는 위치이면 어디든 무방하다.
본 발명의 제6 실시예는 제5 실시예와 대비하여 노즐부 및 린스액 노즐의 구조에 있어 차이가 있다. 이하에서는 제5 실시예와 차이를 가지는 구성요소를 중심으로 도 15, 도 16을 참고하여 설명한다.
노즐부(431)의 몸체부(435)는 테이블(11) 상부의 중앙부에서 분기된 제1, 제2 분기관(435a, 435b)으로 이루어진다.
제1, 제2 분기관(435a, 435b)은 각각 기판(W)의 직경 방향으로 서로 다른 길이를 가지도록 분기된다. 구체적으로, 몸체부(435)의 일단이 테이블(11)의 외곽부에서 시작하고, 그 타단은 테이블(11)의 중앙부를 지나 외곽부 사이에 위치하는 직선 형태로 형성할 수 있다. 이에 의해 기판(W) 처리면의 중앙부에 처리액을 보충함으로써 처리면 전체에 처리액을 균일하게 공급할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 해당하는 기판 액처리 방법은, 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 방법으로 상술한 기판 액처리 장치를 이용할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 기판 액처리 방법은, 도 17에 도시한 바와 같이, 기판 지지 단계(S10), 처리액 예비공급 단계(S20), 가열 단계(S30), 액처리 단계(S40) 및 세정 단계(S50)를 포함한다.
기판 지지 단계(S10)는 테이블 상부에 처리면이 하부를 향하도록 기판을 척핀에 의하여 이격하여 지지한다. 처리면이 하부를 향하게 함으로써 처리액의 공급량을 최소화 할 수 있다.
처리액 예비공급 단계(S20)는 테이블과 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급한다. 이때 처리액은 처리면에 균일하게 공급되도록 한다.
가열 단계(S30)는 기판 또는 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열한다.
액처리 단계(S40)는 처리 공간에 미스트 상태 또는 증기 상태의 처리액을 공급하여 처리면을 액처리한다.
세정 단계(S50)는 처리면에 린스액을 공급하여 처리면을 세정한다.
이와 같은 기판 액처리 방법는 처리액 예비공급 단계(S20)에서 30℃ ~ 200℃의 고온의 처리액을 공급할 수 있으며, 적절하게는 60℃ ~ 150℃의 처리액을 공급한다. 처리액으로 SPM(Surfuric acid peroxide mixture; 황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용하는 경우, 순수한 황산의 끓는 점은 337℃, 과산화수소의 끓는점은 150.2℃으로, 현재 과산화수소의 끓는점을 기준으로 처리액의 공급 온도를 결정한다. 그러나 처리액에 포함되는 산의 종류에 따라 더 높은 온도에서도 액처리가 가능하도록 30℃ ~ 200℃의 처리액을 공급하는 것이 바람직하다.
고온의 처리액을 공급하면 가열 단계(S30) 및 액처리 단계(S40)에서 기판 패턴 형상에 불량이 발생하는 것을 방지하므로 기판의 액처리 단계(S40)에서 불량 발생을 최소화 할 수 있다.
또한, 처리액으로 SPM(Surfuric acid peroxide mixture; 황산과 과산화수소수의 혼합물)을 사용하는 경우, 고온의 처리액을 공급하기 위한 방법으로 처리액을 공급하기 직전 황산과 과산화수소수를 반응시켜 반응열에 의한 고온의 처리액을 공급할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 기판 액처리 방법은, 도 18에 도시한 바와 같이, 기판 지지 단계(S11), 가열 단계(S21), 액처리 단계(S31), 제1 세정 단계(S41) 및 제2 세정 단계(S51)를 포함한다.
기판 지지 단계(S10)는 테이블 상부에 처리면이 하부를 향하도록 기판을 척핀에 의하여 이격하여 지지한다.
가열 단계(S20)는 기판 또는 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열한다.
액처리 단계(S30)는 테이블과 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하여 처리면을 액처리한다. 액처리 단계(S30)는 기판의 회전과 동시에 또는 기판이 회전한 이후에 시작되어 처리액이 처리면에 균일하게 공급될 수 있도록 한다.
제1 세정 단계(S40)는 제1 온도의 린스액을 공급하여 처리면을 세정한다.
제2 세정 단계(S50)는 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 린스액을 공급하여 처리면을 세정한다.
위와 같이 제1, 제2 온도의 린스액을 차례로 공급하여 세정함으로써 기판의 세정과정에서 급격한 온도 차이로 인한 열충격을 감소시키고, 이외에 파티클 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 기판 액처리 방법은, 도 19에 도시한 바와 같이, 기판 지지 단계(S12), 가열 단계(S22), 액처리 단계(S32) 및 세정 단계(S42)를 포함한다.
기판 지지 단계(S12), 가열 단계(S22) 및 액처리 단계(S32)은 상술한 실시예의 기판 지지 단계(S11), 가열 단계(S21) 및 액처리 단계(S31)와 동일하고, 세정 단계에 있어 차이가 있다.
세정 단계(S41)는 기판의 상부에 설치된 히터를 동작시키면서 처리면에 린스액을 공급한 후, 히터의 동작을 종료한 상태에서 처리면에 린스액을 공급한다. 이로써, 공급되는 린스액의 온도가 점차적으로 낮아져 급격한 온도 차이로 인한 파티클 발생을 억제할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상을 중심으로 그 변형물 또는 균등물에까지 미침은 자명하다 할 것이다.
본 발명은 기판의 처리면에 공급되는 처리액의 사용량을 최소화하면서 균일한 액처리를 위한 기판 액처리 장치 및 방법을 제공한다.

Claims (38)

  1. 기판의 처리면에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치에 있어서,
    테이블 상부에 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지부;
    상기 테이블을 회전시키는 회전축을 구동하는 회전 구동부; 및
    상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 상기 테이블 상부에서 상기 처리면을 향하여 처리액을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 액체 상태의 처리액과 비활성 기체를 혼합하여 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 처리액은 2종 이상의 약액으로 이루어지고,
    상기 처리액 공급부는, 상기 약액들을 혼합한 후 분사하기 전 상기 비활성 기체와 혼합하여 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 또는 상기 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 가열부는, 상기 기판의 상부에 구비되는 히터로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 처리액 저장부로부터 처리액을 공급받는 처리액 공급관 및 상기 처리액 공급관으로부터 공급받은 처리액을 분사하는 1 이상의 노즐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리액 공급관은, 상기 회전축 내부의 중공부 내에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 노즐부는, 상기 기판의 반경 방향으로 갈수록 처리액의 분사량이 증가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 노즐부는, 상기 처리액 공급관 상단에 연결된 몸체부 및 상기 몸체부에 처리면을 향해 처리액을 분사하는 1 이상의 분사구를 구비하는 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 노즐부 중 적어도 어느 하나는, 상기 몸체부의 중심축이 상기 테이블의 회전축선으로부터 벗어나게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 분사구 중 어느 하나는, 상기 처리면의 회전 중심을 향해 처리액을 비스듬하게 분사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 상기 몸체부의 중심축을 기준으로 서로 다른 반경 방향으로 처리액을 분사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 회전 중심에 처리액을 분사하는 분사구를 제외한 2 이상의 나머지 분사구는, 상기 처리면의 동일 반원에 처리액을 비스듬하게 분사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 각각의 직경 크기가 상이하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  16. 청구항 12에 있어서,
    상기 분사구 중 적어도 2개의 분사구는, 각각의 중심축과 상기 몸체부의 중심축 사이의 경사각이 상이하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 경사각이 큰 분사구의 직경은, 경사각이 작은 다른 분사구의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  18. 청구항 7에 있어서,
    상기 노즐부는, 복수개가 구비되고,
    상기 복수의 노즐부는, 상기 처리면에 처리액이 분사되는 타격면이 상이한 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 복수의 노즐부 중 하나는, 상기 처리면의 외곽부에 처리액을 분사하고, 다른 하나는, 내곽부에 처리액을 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 복수의 노즐부 각각의 유량과 압력 중 적어도 어느 하나를 제어하는 노즐 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  21. 청구항 7에 있어서,
    상기 노즐부는, 상기 처리액 공급관 상단에 연결된 몸체부 및 상기 몸체부에 기판의 반경 방향으로 슬릿이 형성된 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 몸체부는, 상기 테이블 상부에서 기판의 반경 방향으로 연장 형성된 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부에서 절곡된 외팔보 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  24. 청구항 21에 있어서,
    상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부를 중심으로 하는 부채꼴 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  25. 청구항 21에 있어서,
    상기 슬릿은 상기 기판의 반경 방향으로 갈수록 간격이 넓어지는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  26. 청구항 21에 있어서,
    상기 몸체부는, 상기 테이블 상부의 중앙부에서 기판의 반경 방향으로 분기된 2 이상의 분기관으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 몸체부는, 직경 방향으로 분기된 제1, 제2 분기관으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 제1, 제2 분기관의 길이는 동일한 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  29. 청구항 27에 있어서,
    상기 제1, 제2 분기관의 길이는 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  30. 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하여 처리면을 액처리하는 기판 액처리 방법에 있어서,
    테이블 상부에 상기 처리면이 하부를 향하도록 상기 기판을 이격하여 지지하는 기판 지지 단계;
    상기 기판 또는 기판에 제공되는 처리액 중 적어도 어느 하나를 가열하는 가열 단계; 및
    상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하여 상기 처리면을 액처리하는 액처리 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  31. 청구항 30에 있어서,
    상기 기판 지지 단계 이후에,
    상기 테이블과 상기 기판 사이 처리 공간에 기체가 혼합된 미스트 상태의 처리액 또는 증기 상태의 처리액을 공급하는 처리액 예비공급 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  32. 청구항 31에 있어서,
    상기 처리액 예비공급 단계는, 처리액을 1초 ~ 15초동안 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  33. 청구항 31에 있어서,
    상기 처리액 예비공급 단계는, 처리액을 30℃ ~ 200℃로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  34. 청구항 31에 있어서,
    상기 처리액은 SPM(Surfuric acid peroxide mixture; 황산과 과산화수소수의 혼합물)이고,
    상기 처리액 예비공급 단계에서, 황산과 과산화수소수를 반응시켜 반응열에 의한 고온의 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  35. 청구항 30에 있어서,
    상기 액처리 단계는, 상기 기판의 회전과 동시에 또는 상기 기판이 회전한 이후에 시작되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  36. 청구항 30에 있어서,
    상기 액처리 단계 이후에,
    제1 온도의 린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 제1 세정 단계;
    상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도의 린스액을 공급하여 상기 처리면을 세정하는 제2 세정 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  37. 청구항 30에 있어서,
    상기 액처리 단계 이후에,
    상기 기판의 상부에 설치된 히터를 동작시키면서 상기 처리면에 린스액을 공급한 후, 상기 히터의 동작을 종료한 상태에서 상기 처리면에 상기 린스액을 공급하는 세정 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
  38. 청구항 36 또는 청구항 37에 있어서,
    상기 처리액은 기판 처리면의 식각 공정 또는 PR 스트립 공정에 사용되는 약액이고, 상기 린스액은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108630569A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 株式会社斯库林集团 基板处理装置
KR20190066553A (ko) * 2017-12-05 2019-06-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 흄 판정 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106975636A (zh) * 2017-05-02 2017-07-25 惠科股份有限公司 基板蚀刻清洗机、基板清洗系统及基板清洗方法
KR102772734B1 (ko) * 2019-05-20 2025-02-28 삼성전자주식회사 포토 레지스트 제거 장치 및 반도체 소자 제조 장치
KR102622445B1 (ko) * 2020-04-24 2024-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 액 공급 방법
KR102682854B1 (ko) * 2020-06-02 2024-07-10 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102777613B1 (ko) * 2020-06-22 2025-03-12 주식회사 제우스 기판처리장치
JP2024064787A (ja) * 2022-10-28 2024-05-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
TWI861585B (zh) * 2022-10-31 2024-11-11 弘塑科技股份有限公司 具備浸泡與清洗蝕刻功能的單晶圓旋轉清洗設備
CN115780419B (zh) * 2022-11-03 2025-08-15 上海睿度光电科技有限公司 针头用清洗模块及移液点样工作站

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100319615A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-23 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
KR20110126558A (ko) * 2010-05-17 2011-11-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 그리고 기판 액처리 프로그램을 기록한 기록 매체
KR20110138148A (ko) * 2010-06-18 2011-12-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR101521322B1 (ko) * 2011-01-25 2015-05-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19859466C2 (de) * 1998-12-22 2002-04-25 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten
TW399743U (en) * 1999-09-15 2000-07-21 Ind Tech Res Inst Wafer back protection device
JP4312997B2 (ja) * 2002-06-04 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びノズル
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
WO2005080007A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-01 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and method
JP2005353739A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP5154007B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100706666B1 (ko) * 2006-05-25 2007-04-13 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드
JP5106800B2 (ja) * 2006-06-26 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100809590B1 (ko) * 2006-08-24 2008-03-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP4762835B2 (ja) * 2006-09-07 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体
KR20080062014A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 세정 장비 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
KR20080114180A (ko) * 2007-06-27 2008-12-31 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치 및 이를이용한 웨이퍼 세정 방법
KR100923268B1 (ko) * 2007-08-29 2009-10-23 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
JP5743853B2 (ja) * 2010-12-28 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9640383B2 (en) * 2011-08-26 2017-05-02 Tokyo Electron Limited Liquid treatment apparatus and liquid treatment method
JP5837787B2 (ja) * 2011-09-28 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5588418B2 (ja) * 2011-10-24 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5819762B2 (ja) * 2012-03-29 2015-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP5836906B2 (ja) * 2012-04-26 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2014130883A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100319615A1 (en) * 2009-06-23 2010-12-23 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
KR20110126558A (ko) * 2010-05-17 2011-11-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 그리고 기판 액처리 프로그램을 기록한 기록 매체
KR20110138148A (ko) * 2010-06-18 2011-12-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR101521322B1 (ko) * 2011-01-25 2015-05-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108630569A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN108630569B (zh) * 2017-03-24 2022-05-06 株式会社斯库林集团 基板处理装置
US11465167B2 (en) 2017-03-24 2022-10-11 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
KR20190066553A (ko) * 2017-12-05 2019-06-13 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 흄 판정 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
KR102241007B1 (ko) 2017-12-05 2021-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 흄 판정 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치

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Publication number Publication date
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