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JP2005353739A - 基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄装置

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JP2005353739A
JP2005353739A JP2004171184A JP2004171184A JP2005353739A JP 2005353739 A JP2005353739 A JP 2005353739A JP 2004171184 A JP2004171184 A JP 2004171184A JP 2004171184 A JP2004171184 A JP 2004171184A JP 2005353739 A JP2005353739 A JP 2005353739A
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JP2004171184A
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Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

【課題】 液体と気体とを混合して生成した液滴を基板に供給して洗浄処理を施す基板洗浄装置において、基板表面を均一に短時間で洗浄する。
【解決手段】 二流体ノズル3は、ノズル本体31内に薬液と窒素ガスとを混合させて薬液の液滴を生成する液滴生成部34を複数個有しており、これら液滴生成部が第1方向R1に列状に配置されることで、帯状の液滴群(帯状液滴群)が生成される。また、ノズル先端部には帯状液滴群を両側から挟み込むように遮断部35が形成されており、複数の液滴生成部34の各々から第1方向R1と異なる方向に向けて飛散する液滴は、遮断部35によって遮断される。このため、帯状液滴群は液滴生成部34の配列方向と略直交する方向R2(第2方向)における幅が規制されて基板Wに供給される。
【選択図】 図2

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミックなどの各種基板(以下、単に「基板」という)の洗浄装置に関するものである。
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板表面を清浄な状態に保つ必要があり、必要に応じて基板の洗浄処理が行われる。
上述のような基板の洗浄を行う基板洗浄装置としては、基板表面に付着している汚染物を強力に除去する二流体ノズルを用いた液滴噴射の基板洗浄装置が提案されている(特許文献1参照)。この特許文献1に記載の発明では、ノズル内にエッチング液を放射することにより導入して、ミスト発生部(混合部)においてガスと混合させることでエッチング液をミスト状としている。そして、ミスト状のエッチング液(エッチング液の液滴)をノズル先端より放射させることにより、微細パターンのエッチングを実現するとともに微小な異物(フォトレジストの破片等)の除去を容易にしている。また、必要に応じてノズルの先端を狭く変形させたり、若しくはへん平口(ライン状の吐出口)とすることでエッチング液を帯状に吐出させることを可能としている。このように、エッチング液を帯状に吐出させることで洗浄等の処理を短時間で行うことが期待できる。
特開平4−132246号公報(4頁、図4)
しかしながら、エッチング液を帯状に吐出させることで装置のスループットの向上が期待されるものの、エッチング液とガスとを1つの混合部で混合させてミスト状のエッチング液(エッチング液の液滴)を生成しているので、以下の問題が生じていた。すなわち、生成したエッチング液の液滴をノズル先端のライン状の吐出口より吐出させる場合には、エッチング液の液滴の吐出勢いがライン状の吐出口の中央部と端部とでは異なり、パーティクル等の汚染物をノズルのライン方向にわたって均一に除去することができなかった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、液体と気体とを混合して生成した液滴を基板に供給して洗浄処理を施す基板洗浄装置において、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる基板洗浄装置を提供することを目的とする。
この発明にかかる基板洗浄装置は、液体と気体とを混合させて生成した液体の液滴を基板の表面に供給することで、基板に対して洗浄処理を施す基板洗浄装置であって、上記目的を達成するため、液体と気体とを混合させて液滴を生成する液滴生成部を複数個有し、該複数の液滴生成部を第1方向に列状に配置させることで帯状の液滴群を生成するとともに、該帯状液滴群を基板に供給する二流体ノズルと、複数の液滴生成部に液体を供給する液体供給手段と、複数の液滴生成部に気体を供給する気体供給手段とを備えている。
このように構成された発明では、複数の液滴生成部が列状に配置されているので、各液滴生成部で生成された液滴が帯状に連なって帯状液滴群を構成して基板に供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で基板を洗浄することが可能である。その結果、装置のスループットを向上させることができる。しかも、二流体ノズルは複数の液滴生成部を有しているので各液滴生成部でそれぞれに液滴を生成して吐出させることが可能である。このため、複数の液滴生成部を列状に配置することで、液滴生成部の配列方向(第1方向)における液滴の吐出勢いを均一化することができる。具体的には、単一の液滴生成部から第1方向に広げてライン状に液滴を吐出させる場合には、ライン状吐出口の端部と中央部とでは、液滴生成部からライン状吐出口の端部までの距離が液滴生成部からライン状吐出口の中央部までの距離に比べて必然的に大きくなり、第1方向における液滴の吐出勢いが不均一となってしまう。これに対し、本発明によれば、複数の液滴生成部を列状に配置することで各液滴生成部で生成される液滴を繋ぎ合わせて第1方向に所定の幅を有する帯状液滴群を生成しているので、液滴生成部から液滴が吐出されるまでの距離をライン方向(第1方向)の端部と中央部とで均一化することができる。これにより、第1方向における液滴の吐出勢いを均一化することができ、帯状液滴群は第1方向において均一に基板に供給される。その結果、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる。
ここで、基板と二流体ノズルとを第1方向と異なる第2方向に相対移動させる相対移動手段をさらに備え、二流体ノズルは第2方向における帯状液滴群の幅を規制する規制手段をさらに有するようにすると、基板は液滴生成部の配列方向(第1方向)とは異なる方向(第2方向)に相対移動されるとともに、第2方向における幅が規制された状態で帯状液滴群が基板に供給されて基板が洗浄される。このため、基板の相対移動方向(第2方向)、すなわち基板の洗浄方向における帯状液滴群の基板への放射範囲を限定することができるとともに、該放射範囲で帯状液滴群を安定して基板に供給することができる。その結果、帯状液滴群の基板に対する放射範囲が不必要に広がることによるゴミやスラリー等のパーティクルの基板への再付着を抑制しながら、基板表面を確実に洗浄することができる。
具体的には、基板に供給された液滴は基板表面から跳ね返り、パーティクルをトラップしている液滴が基板外に排出されずに、その一部がミストとなって浮遊する。そして、このミストが基板の相対移動方向(第2方向)の下流側(洗浄後の基板)に再付着する場合があるが、規制手段が帯状液滴群の基板への放射範囲を第2方向において規制することにより、基板表面上を広範囲に液滴が飛散するのを低減することができる。さらに、規制手段が帯状液滴群の幅を第2方向において規制することで帯状液滴群は第2方向に収束させられる。このため、液滴を安定して基板に供給することができる。その結果、基板Wの洗浄に必要な洗浄幅(第1方向における帯状液滴群の幅)を確保しつつ、基板表面を均一かつ確実に洗浄することができる。ここで規制手段としては、例えば、複数の液滴生成部の各々から第1方向と異なる方向に飛散する液滴を第2方向において遮断して第2方向における帯状液滴群の幅を規制するものであればよい。
また、二流体ノズルに取り付けられるとともに、基板に対向させながら基板から離間配置された雰囲気遮断手段を設けてもよい。このような構成を採用することで、二流体ノズルによる基板の均一な洗浄を可能としながらも、基板と周囲雰囲気とを遮断することができるため、基板に対する周囲雰囲気の影響を防止することができる。このため、基板への新たな汚染をさらに効果的に防止することができる。また、この構成によれば、洗浄処理のみならず、その後のリンス処理、乾燥処理における基板の周囲雰囲気の管理が容易となる。
また、基板を回転させる回転手段を設けて、第1方向における前記帯状液滴群の幅を少なくとも基板の回転中心から基板の端縁までの距離よりも大きくなるようにすると、基板を回転させることで効率良く基板表面全体を洗浄することが可能である。しかも、基板の径方向全体にわたって帯状液滴群を供給する必要がないので、二流体ノズルをコンパクトに構成することができる。例えば、基板が円盤状である場合には、第1方向における帯状液滴群の幅は少なくとも基板の半径以上であればよい。さらに、二流体ノズルを基板表面上で揺動等させる必要がなく固定させて洗浄することができるため、装置の駆動機構、制御機構を簡素化することができる。
また、二流体ノズルを各液滴生成部ごとに液滴の生成条件が変更可能に構成するようにしてもよい。この場合、洗浄時の条件に応じて各液滴生成部における液体または気体の流量や流速を適宜、制御することで所望の液滴径、液滴の噴出速度を得ることができ、効率的に洗浄を行うことができる。例えば、基板を回転させて洗浄を行う場合には、パーティクルの除去率は周速が早い基板の外周部ほど小さくなるため、除去率を基板中心部と同程度にするには洗浄時間を長くする必要がある。この場合、基板の外周部に対応する液滴生成部における生成条件を変更して洗浄力を上げることで、基板の径方向の除去率の均一化を図ることができる。その結果、洗浄時間を長くすることなく、効率的に洗浄を行うことができる。
ここで、帯状液滴群を生成する態様としては、ノズル本体の内部に複数の液滴生成部を配置して、ノズル本体の先端部に設けられた開口に向けて各液滴生成部において生成された液滴を導くことで帯状液滴群を生成してもよいし、複数の液滴生成部の各々がノズル本体の内部に液体吐出手段と、該液体吐出手段に近接する気体吐出手段とを有するように構成して、液体吐出手段からノズル本体の先端部に設けられた開口に向けて吐出される液体と、気体吐出手段から吐出される気体とを混合させて液滴を生成することで帯状液滴群を生成してもよい。また、いずれの態様においても規制手段を複数の液滴生成部と開口との間に配置することで、生成された帯状液滴群は開口から吐出されるまでの間に第2方向における帯状液滴群の幅を規制して基板に供給することができる。
この発明によれば、複数の液適生成部を列状に配置することで帯状の液滴群(帯状液滴群)が生成されて基板に供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で基板を洗浄することができる。しかも、複数の液滴生成部がそれぞれに液滴を生成するとともに、第1方向に列状に配置されることで、液滴は液滴生成部の配列方向(第1方向)において均一に基板に供給される。その結果、基板表面を均一に短時間で洗浄することができる。
また、基板と二流体ノズルとを第1方向と異なる第2方向に相対移動させながら第2方向において帯状液滴群の幅を規制しているので、帯状液滴群の基板への第2方向における放射範囲を限定することができる。このため、帯状液滴群の基板への放射範囲が第2方向において不必要に広がることによるパーティクルの基板への再付着を抑制することができる。さらに、帯状液滴群の幅を第2方向に規制することで帯状液滴群を第2方向に収束させているので、液滴を安定して基板に供給することができる。その結果、第1方向において必要な洗浄幅を確保しつつ、基板表面を均一かつ確実に洗浄することができる。
<第1実施形態>
図1は本発明にかかる基板洗浄装置の第1実施形態を示す概略図である。この基板洗浄装置1は、半導体ウエハなどの基板Wの表面を洗浄するためのものであり、基板Wをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック10と、本発明の「液体」に相当する薬液(例えば、フッ酸、硫酸、塩酸、燐酸、酢酸、アンモニアまたはこれらの過酸化水素水溶液など)と、本発明の「気体」に相当する窒素ガスとを混合させて薬液の液滴を生成し、該液滴をスピンチャック10に保持された基板Wに向けて供給する二流体ノズル3と、スピンチャック10を取り囲むように配置されたスプラッシュガード(図示せず)とを備えている。また、使用される液体は薬液に限らず、純水もしくは超純水などであってもよい。また、使用される気体についても窒素ガスに限らず、圧縮空気などであってもよい。
スピンチャック10は、鉛直方向に沿って配置された回転軸11と、その回転軸11の上端に取り付けられた円板状のスピンベース12とを備えている。また、このスピンベース12の上面端縁部には、スピンベース12の周方向に適当な間隔をあけて、複数本(例えば、6本)のチャックピン13が立設されている。そして、これらのチャックピン13が基板Wの下面端縁部を支持しつつ、基板Wの端面(周面)に当接することで、基板Wをスピンベース12から上方に離間させた状態で保持可能となっている。なお、この実施形態では、チャックピン13によって基板Wを機械的に保持しているが、基板Wの保持方式はこれに限定されるものではなく、例えば基板Wを吸着保持するようにしてもよい。
また、スピンチャック10の回転軸11は回転駆動機構14のモータ(図示省略)と連結されており、装置全体を制御するコントローラ20によるモータ駆動に応じて回転駆動機構14が作動するのに伴って回転する。これによって、スピンベース12の上方でチャックピン13により保持されている基板Wはスピンベース12とともに回転軸心Pa回りに回転する。このように、この実施形態では、回転駆動機構14が本発明の「回転手段」に相当している。
こうして回転駆動される基板Wの表面に対して薬液の液滴を帯状に供給すべく、二流体ノズル3がスピンベース12の上方位置に配置されている。より具体的には、二流体ノズル3は、その長尺方向(本発明の「第1方向」に相当)を基板Wの径方向と略平行にして離間して配置されるとともに、二流体ノズル3から基板Wに向けて供給される薬液が基板Wの法線方向(図1の上下方向)とほぼ平行となる配置姿勢で、1本のアーム21の先端側に固着されている。一方、アーム21の基端部には、ノズル移動機構23が連結されている。そして、コントローラ20からの制御指令に応じてノズル移動機構23が作動することでアーム21を揺動駆動させることが可能である。これにより、二流体ノズル3は、基板Wに対向して基板Wの洗浄を実行する対向位置(図1に示す状態)と、対向位置から側方に退避した退避位置との間を移動することができる。
二流体ノズル3は図1に示すように薬液配管24を介して薬液供給源と接続されており、薬液供給源から薬液の供給を受けている。この薬液配管24には、開度調整が可能なバルブ24Vが介装されており、コントローラ20からの指令に応じて、二流体ノズル3に供給される薬液の流路の開閉、および薬液の流量・流速の調節を行うことができるようになっている。また、薬液配管24において、バルブ24Vより下流側(バルブ24Vと二流体ノズル3との間)には、流量計24Fが介装されており、この流量計24Fにより二流体ノズル3に導入される薬液の流量を測定可能となっている。
また、二流体ノズル3は、窒素ガス配管25を介して窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスの供給を受けている。この窒素ガス配管25には開度調整が可能なバルブ25Vが介装されており、コントローラ20からの指令に応じて、二流体ノズル3に供給される窒素ガスの流路の開閉、および窒素ガスの流量・流速の調節を行うことができるようになっている。なお、窒素ガス配管25において、バルブ25Vより下流側(バルブ25Vと二流体ノズル3との間)には、圧力計25Pおよび流量計25Fが介装されており、二流体ノズル3に導入される窒素ガスの圧力および流量、流速を測定できるようになっている。
このように、コントローラ20がバルブ24V、25Vを制御することで二流体ノズル3に供給される薬液および窒素ガスの流量・流速を調整可能となっている。そして、二流体ノズル3は流量調整された薬液および窒素ガスの供給を受けて薬液の液滴を生成し、該液滴を基板Wに向けて供給可能となっている。このように、この実施形態では、薬液配管24が本発明の「液体供給手段」に、窒素ガス配管25が本発明の「気体供給手段」に相当している。
図2は図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルの構成を示す断面斜視図である。この二流体ノズル3は、その先端部に開口311を有するノズル本体31を備え、そのノズル本体31の内部で薬液と窒素ガスとを混合させて薬液の液滴を生成するとともに開口311から基板Wに向けて吐出する二流体ノズルである。ノズル本体31は、その内部に該ノズル本体31の長尺方向R1(第1方向)に沿って、薬液を供給する薬液供給配管32と、窒素ガスを供給するガス供給配管33とを備えている。この薬液供給配管32とガス供給配管33はそれぞれ、薬液配管24および窒素ガス配管25と接続され、薬液供給源および窒素ガス供給源から薬液、窒素ガスの供給を受けている。
ガス供給配管33の側壁には、その長手方向にガス供給配管33から窒素ガスを分配する複数のガス分岐配管33aが列状に設けられている。各ガス分岐配管33aはノズル先端部に向けて伸びており、後述する液滴生成部34と連結されている。一方、薬液供給配管32の側壁には、その長手方向に各ガス分岐配管33aに対応して、薬液供給配管32から薬液を分配する複数の薬液分岐配管32aが列状に設けられ、その端部がそれぞれに複数のガス分岐配管33aの中に入り込んで該配管33aと同軸の方向に伸びている。すなわち、薬液分岐配管32aとガス分岐配管33aとは、中心軸Qを共有する同軸状に配置されている。
薬液分岐配管32aとガス分岐配管33aとは、薬液分岐配管32aの外側を、ガス分岐配管33aが取り囲む構造、つまりガス分岐配管33aの中に薬液分岐配管32aが挿入されている二重管構造となっており、ノズル本体31は、該二重管構造を列状に複数個配置した構成を備えている。したがって、各薬液分岐配管32aは、配管24、32を介して薬液供給源から薬液の供給を受けることで薬液を吐出する一方で、各ガス分岐配管33aは、配管25、33を介して窒素ガス供給源から窒素ガスの供給を受けることで窒素ガスを吐出する。そして、ガス分岐配管33a内の薬液分岐配管32aの端部より下流側では薬液と窒素ガスとが混合されて薬液の液滴が生成される。このように、ガス分岐配管33a内の薬液分岐配管32aの端部より下流側は各々、薬液の液滴を生成する液滴生成部34となっており、これら複数の液滴生成部34が一列に配置されることで帯状に液滴が連なった液滴群(帯状液滴群)を生成可能となっている。ここで、液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)における帯状液滴群の幅L(図1)は少なくとも基板Wの半径よりも大きくなるように、帯状液滴群が複数の液滴生成部34により生成される。
また、各液滴生成部34の他端はそれぞれ、液滴吐出口36を介してノズル先端部に設けられた遮断部35に接続されている。遮断部35は、液滴生成部34の配列方向R1に沿って該帯状液滴群を両側から挟み込むようにノズル先端部に長尺な板体により形成されている。また、遮断部35の垂直に延設された他端、すなわちノズル先端に設けられた開口311は基板Wに向けてスリット状に開口している。このため、複数の液滴生成部34の各々から液滴生成部34の配列方向R1と異なる方向に向けて飛散する液滴は、遮断部35によって遮断される。その結果、液滴生成部34の配列方向と略直交する方向R2(本発明の「第2方向」に相当)において帯状液滴群の幅が規制される。なお、軸方向Qにおける遮断部35の長さ、つまり液滴吐出口36から開口311までの距離は、第2方向における帯状液滴群の幅を確実に規制するために十分な長さがとられている。また、遮断部35は第1方向(長尺方向R1)に連設されており、これによって第1方向の液滴群がより均一化される。このように、この実施形態では、遮断部35が本発明の「規制手段」に相当している。
図3は、図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルを側方から見た図である。図2、図3を参照して、二流体ノズル3では、薬液供給配管32から薬液分岐配管32aに薬液が供給され、ガス供給配管33からガス分岐配管33aに加圧された窒素ガスが供給されると、各液滴生成部34で薬液と窒素ガスが混合されて薬液の液滴が生成される。そして、各液滴生成部34で生成された液滴が液滴吐出口36より吐出されることで帯状液滴群が生成される。生成された帯状液滴群は、ノズル先端部に設けられた遮断部35において、複数の液滴生成部34の各々から液滴生成部34の配列方向R1(図3では紙面に垂直な方向)と異なる方向に飛散する液滴が遮断されることで、液滴生成部34の配列方向R1と略直交する方向R2において帯状液滴群の幅が規制されて基板Wの表面に供給される。
ここで、二流体ノズル3の長尺方向R1を基板Wの径方向と略一致させた状態で、基板Wを回転させているので、基板Wは二流体ノズル3の長尺方向R1に対して略直交する方向に相対移動される。つまり、基板Wの回転移動方向、すなわち基板Wの洗浄方向と、帯状液滴群の幅の規制方向R2とは等しくなっている。したがって、帯状液滴群は基板Wの洗浄方向における洗浄幅D(図3)が限定されて基板Wに供給されることとなる。したがって、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が基板Wの洗浄方向において不必要に広がることなく、基板Wの表面上を広範囲に液滴が飛散することが防止される。
図1を参照してさらに説明を続ける。この装置において、基板Wの表面を洗浄するときは、回転駆動機構14によりスピンチャック10に保持された基板Wを回転させ、二流体ノズル3から基板Wの上面に向かって薬液の帯状液滴群を噴射させる。すなわち、二流体ノズル3に高圧の窒素ガスを導入することにより、基板Wの表面に大きな運動エネルギーを持つ薬液の液滴を帯状に衝突させることができる。このとき、液滴の運動エネルギーにより、基板Wの表面に付着したパーティクルが物理的に除去される。そして、除去されたパーティクルは基板Wの回転に伴う遠心力によって、基板Wの中心から端部に向かう基板W上の液滴の流れに乗って基板Wの外に排出される。加えて、除去されたパーティクルは基板Wの相対的移動方向の上流側に主に輸送されるから(基板Wの下流側のパーティクルも基板Wの回転によって基板Wの上流側に移動する)、たとえ基板Wの上流側でパーティクルが再付着しても進行してくる液滴で再度除去され、上記の液滴の流れに乗って同様に基板Wの外に排出される。
以上のように、この実施形態では、複数の液滴生成部34を列状に配置させているので、各液滴生成部34で生成された液滴が帯状に連なって帯状液滴群を構成して基板Wに供給される。このため、洗浄範囲が広く、短時間で洗浄することが可能である。より具体的には、二流体ノズル3の長尺方向、すなわち液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)を基板Wの径方向と略一致させつつ、液滴生成部34の配列方向R1における帯状液滴群の幅Lを基板Wの少なくとも半径以上にしているので、基板Wを一回転させることにより基板Wの表面全体を洗浄することができる。その結果、二流体ノズル3をコンパクトに構成することができるとともに、装置のスループットを向上させることができる。しかも、帯状液滴群は複数の液滴生成部34から生成されているので、液滴生成部34の配列方向R1における基板Wへの液滴の供給を均一にすることができる。より具体的には、複数の液滴生成部34を列状に配置することで各液滴生成部34で生成された液滴を繋ぎ合わせて第1方向に所定の幅Lを有する帯状液滴群を生成しているので、液滴生成部34の配列方向R1(第1方向)における液滴の吐出勢いを均一化することができる。このため、単一の液滴生成部から第1方向に広げて帯状に(ライン状に)液滴を吐出させる場合のように、ライン方向における液滴の吐出勢いが不均一となることがない。例えば、ライン方向の中央部で吐出勢いが増大し、端部で減少することによって基板への液滴の供給が不均一となることがない。さらに、二流体ノズル3を基板Wの表面上で揺動等させて基板Wの全面をスキャンさせる必要がなく、二流体ノズル3を固定させて洗浄を行うことができるため、二流体ノズル3の駆動機構、制御機構を簡素化することができる。
また、この実施形態では、基板Wの洗浄方向における洗浄幅Dを規制しているので、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が基板Wの洗浄方向に不必要に広がることによるパーティクルの基板Wへの再付着を抑制することができる。すなわち、すでに「課題を解決するための手段」の項で説明したように、基板Wに供給された液滴は基板Wの表面から跳ね返り、パーティクルをトラップしている液滴がミストとなって浮遊する。そして、このミストは基板Wの回転に伴う遠心力から生じた気流によって基板Wの表面上を広範囲に飛散して、基板Wの洗浄方向の下流側(洗浄後の基板W)に再付着する。つまり、基板W上では、液滴が供給されている箇所においてパーティクルが除去される傍らで、基板Wの洗浄方向の下流側でパーティクルの再付着が発生していた。その結果、基板Wにパーティクルが残留することとなる。
これに対し、この実施形態では、帯状液滴群の基板Wへの放射範囲を基板Wの洗浄方向において規制しているので、基板Wの洗浄方向における洗浄幅Dが不必要に広がることなく限定される。このため、基板Wの表面上を広範囲に液滴が飛散するのを低減することができる。さらに、帯状液滴群の幅を基板Wの洗浄方向に規制することで帯状液滴群は該方向に収束させられる。このため、基板Wの径方向において洗浄に必要な洗浄幅Lを確保しつつ、帯状液滴群を安定して基板Wに供給することができる。その結果、パーティクルの基板Wへの再付着を防止しつつ、基板Wの表面の均一かつ確実な洗浄を達成することができる。加えて、除去されたパーティクルは基板Wの相対的移動方向の上流側に主に輸送され、進行してくる帯状液滴群によりライン状に排出されるため、さらに基板Wの下流側でのパーティクルの再付着を防止することができ、確実な洗浄を達成することができる。
<第2実施形態>
図4は、本発明にかかる基板洗浄装置の第2実施形態の構成を示す図である。同図(a)は側面図であり、同図(b)は部分平面図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、スピンチャック10に保持された基板Wの上方に円盤状の雰囲気遮断板4を追加的に設けている点である。この雰囲気遮断板4は基板Wの径よりも若干大きく、二流体ノズル3の側方に一体的に取り付けられている。具体的には、雰囲気遮断板4には、中心部から端部にかけて径方向に二流体ノズル3が取り付けられるように、しかも雰囲気遮断板4の厚み方向に二流体ノズル3が貫通できるように二流体ノズル3の形状に合わせて溝41が形成されている。このため、溝41に二流体ノズル3を配設することによって、雰囲気遮断板4の下面から基板Wの表面に向けて帯状液滴群が吐出可能となっている。このように、この実施形態では、雰囲気遮断板4が本発明の「雰囲気遮断手段」に相当している。
第1実施形態と同様にして帯状液滴群を基板Wに供給すると、基板Wの回転に伴う遠心力によって、基板Wの中心から端部に向かう基板W上の液滴の流れに乗ってパーティクルが基板Wの外に排出される。そして、基板Wから排出される薬液は基板Wの周囲に基板Wを取り囲むように配設されたスプラッシュガード15によって受け止められて排液槽(図示省略)に流し込まれる。ここで、基板Wの回転に伴う気流によりスプラッシュガード15に衝突して跳ね返った液滴が基板W上に到達し、再付着することがあるが、雰囲気遮断板4により該液滴の基板Wへの再付着が防止される。
以上のように、この実施形態では、雰囲気遮断板4を設けることで、基板Wの洗浄時およびその後のリンス処理、乾燥処理における基板Wの周囲雰囲気の管理が可能になるほか、基板Wへのパーティクルの再付着を確実に防止することができる。特に、本発明に用いられる二流体ノズル3は基板W上を揺動させて基板Wの表面全体をスキャンする必要がないため、雰囲気遮断板4との物理的な干渉がなく、雰囲気遮断板4との共存が可能となっている。すなわち、本発明にかかる二流体ノズル3は基板Wを回転させることで基板Wの表面全体を洗浄することが可能であるため、雰囲気遮断板4との併用により基板Wの周囲雰囲気の厳密な管理を可能とし、パーティクルの再付着等の新たな汚染を確実に防止することができる。
さらに、基板Wへのパーティクルの再付着を確実に防止するため、雰囲気遮断板4と基板Wとの間に形成される空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給するようにしてもよい。これにより、雰囲気遮断板4と基板Wとの間に形成される空間が負圧になることによる液滴の侵入が効果的に防止される。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、複数の液滴生成部34の各々において生成された液滴をノズル開口に向けて導くことで帯状液滴群を生成しているが、例えば、図5に示すように、ノズル開口に向けて吐出される薬液に窒素ガスを衝突させることで混合させて液滴を生成することで帯状液滴群を生成するようにしてもよい。
図5は、本発明にかかる基板洗浄装置の他の二流体ノズルの構成を示す図である。この二流体ノズル5は、先の実施形態で採用された二流体ノズル3の代わりに使用されたものである。この実施形態では、二流体ノズル5は、その先端部に設けられた開口511に向けて吐出される薬液に窒素ガスを衝突させて薬液の液滴を生成可能となっている。二流体ノズル5は、ノズル本体51内にその長尺方向R1(第1方向)に沿って、薬液を供給する薬液供給配管52と、窒素ガスを供給するガス供給配管53とを備えている。薬液供給配管52には、その長手方向に複数の薬液分岐配管52aが列状に設けられるとともに、各薬液分岐配管52aはその先端に薬液吐出口521を有する薬液吐出ノズル522を構成している。このため、薬液が薬液供給配管52から各薬液分岐配管52aに供給されると、薬液が各薬液吐出口521から基板Wに向けて吐出される。
また、ガス供給配管53には、その長手方向に各薬液分岐配管52aに対応して複数のガス分岐配管53aが列状に設けられるとともに、各ガス分岐配管53aはガス吐出ノズル532に連通されている。ガス吐出ノズル532は、薬液吐出ノズル522を囲んだリング状のガス通路を規定する。各ガス吐出ノズル532の先端部は先細にテーパ状とされており、このノズル開口は基板Wの表面に対向している。このため、窒素ガスがガス供給配管53から各ガス分岐配管53aに供給されると、窒素ガスが各ガス吐出ノズル532のガス吐出口531から基板Wに向けて吐出される。なお、その窒素ガスの吐出軌跡は、対応する薬液吐出口521からの薬液の吐出軌跡に交わっている。すなわち、各薬液吐出ノズル522から吐出される液体(薬液)流は、薬液吐出ノズル522に対応して該薬液吐出ノズル522を囲むように設けられたガス吐出ノズル532から吐出される気体(窒素ガス)流と、衝突部位Gにおいて衝突する。各ガス吐出口531からの気体流は混合領域内の対応する衝突部位Gに収束するように吐出される。この混合領域は、ノズル本体51の先端部の内部空間である。このため、各薬液吐出口521からの薬液の吐出方向の直近において薬液はそれに衝突する各ガス吐出口531からの窒素ガスによって速やかに液滴化される。このように、各薬液吐出ノズル522と各ガス吐出ノズル532の吐出方向の下流側にある混合領域が液滴を生成する液滴生成部54となっており、薬液吐出ノズル522ならびに該ノズル522に対応してガス吐出ノズル532が列状に配置されることで、複数の液滴生成部54が一列に形成されている。このため、各薬液吐出ノズル522および各ガス吐出ノズル532から薬液、窒素ガスが吐出されることで、帯状液滴群を生成可能となっている。このように、この実施形態では、薬液吐出ノズル522が本発明の「液体吐出手段」に、ガス吐出ノズル532が本発明の「気体吐出手段」に相当している。
また、ノズル先端部には、液滴生成部54の配列方向R1に沿って該帯状液滴群を両側から挟み込むように本発明の「規制手段」に相当する遮断部55が設けられている。また、遮断部55の垂直に延設された他端、すなわちノズル先端に設けられた開口511は基板Wに向けてスリット状に開口している。このため、複数の液滴生成部54の各々から液滴生成部54の配列方向R1と異なる方向に向けて飛散する液滴は、遮断部55によって遮断される。このため、液滴生成部34の配列方向D1と略直交する方向R2(第2方向)において帯状液滴群の幅が規制され、均一化される。なお、この実施形態においても、方向R1ならび方向R2に直交する方向、すなわち薬液吐出ノズル522の軸方向における遮断部55の長さは、第2方向における帯状液滴群の幅を確実に規制するために十分な長さがとられて、しかも列方向に連設されている。したがって、このような構成の二流体ノズルを採用しても、先の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
また、上記実施形態では、規制手段として遮断部35、55をそれぞれ、ノズル本体31、51の一構成要素としてノズル先端部に設けているが、これに限定されない。例えば、遮断部35、55をノズル本体31、51と別個に構成して追加的にノズル先端部に取り付けるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、基板Wを回転させることで基板Wと二流体ノズル3、(5)とを液滴生成部34、54の配列方向R1(第1方向)と異なる第2方向に相対移動させているが、これに限定されない。例えば、図6に示すように、基板Wと二流体ノズル3、(5)とを所定の一方向に相対移動させて基板Wを洗浄するようにしてもよい。図6では、二流体ノズル3、(5)を固定させて、二流体ノズル3、(5)の長尺方向、すなわち液滴生成部34、54の配列方向R1と略直交する方向R2に基板Wを移動させている。このため、二流体ノズル3、(5)から吐出される帯状液滴群の幅は第2方向において規制されて基板Wに供給される。したがって、基板Wの移動方向、すなわち基板Wの洗浄方向における帯状液滴群の基板Wへの放射範囲が不必要に広がることがなく、液滴が広範囲に飛散することによるパーティクルの基板Wへの再付着を防止することができる。
また、上記実施形態では、液滴生成部34、54の配列方向R1(第1方向)と略直交する方向R2に基板Wと二流体ノズル3、5とを相対移動させているが、これに限定されず、相対移動方向(第2方向)は第1方向と異なる方向であればよい。
また、上記実施形態では、複数の液滴生成部34、54は一列にノズル本体31、51に配置されているが、これに限定されず、複数の液滴生成部34、54は液滴が帯状に連なって基板Wに供給可能に配置されていればよい。
また、上記実施形態では、基板Wの上面に二流体ノズル3,5を配置して基板Wの上面に向けて帯状液滴群を供給して基板Wの洗浄を実行しているが、これに限定されない。例えば、基板Wの下面に対向して二流体ノズル3,5を配置して基板Wの下面に向けて帯状液滴群を供給することで基板Wの下面を洗浄するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、各液滴生成部34、54は、薬液供給配管32、52ならびにガス供給配管33、53からそれぞれ、薬液ならびに窒素ガスの供給を受けて同一の生成条件で液滴を生成しているが、これに限らない。例えば、各液滴生成部34、54ごとに薬液の流量ならびに窒素ガスの流量・流速を、またはそれらの一部を調節可能に構成するようにしてもよい。これにより、所望の液滴径、液滴の噴出速度を得ることができ、洗浄の態様に応じて最適な洗浄効果を得られる。例えば、基板Wを回転させて洗浄を行う場合には、パーティクルの除去率は周速が早い基板Wの外周部ほど小さくなるため、除去率を基板Wの中心部と同程度にするには洗浄時間を長くする必要がある。この場合、基板Wの外周部に対応する液滴生成部34、54における液滴の生成条件を変更して洗浄力を上げることで、基板Wの径方向における除去率の均一化を図ることができる。
また、上記実施形態では、例えば、図3に示すように二流体ノズル3は、基板Wに向けて供給される薬液(帯状液滴群)が基板Wの法線方向とほぼ平行となる配置姿勢で固着されているが、図7に示すように基板Wの相対的移動方向の上流側に傾けるように配置してもよい。
また、図6に示す実施形態において、基板Wを固定させて二流体ノズル3を方向R2に移動させる場合には、二流体ノズル3を移動方向の下流側に、換言すれば基板Wの未処理領域である上流側に傾けるように配置させてもよい。すなわち、薬液(帯状液滴群)が基板Wの法線方向に対して基板Wの上流側に吐出されることにより、除去されたパーティクルは基板Wの上流側に主に輸送されるから、さらに基板Wの下流側へのパーティクルの再付着を低減することができるとともに、基板Wの上流側に存在するパーティクルも進行してくる液滴で再度除去される。
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマ・ディスプレイ・パネル)用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などを含む基板全般の表面を洗浄する装置に適用することができる。
本発明にかかる基板洗浄装置の第1実施形態を示す概略図である。 図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルの構成を示す断面斜視図である。 図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルを側方から見た図である。 本発明にかかる基板洗浄装置の第2実施形態の構成を示す図である。 本発明にかかる基板洗浄装置の他の二流体ノズルの構成を示す図である。 本発明にかかる基板洗浄装置の他の実施形態を示す図である。 図1の基板洗浄装置で用いられる二流体ノズルの変形例を示す図である。
符号の説明
3、5…二流体ノズル
4…雰囲気遮断板(雰囲気遮断手段)
14…回転駆動機構(回転手段、相対移動手段)
24…薬液配管(液体供給手段)
25…窒素ガス配管(気体供給手段)
34、54…液滴生成部
35、55…遮断部(規制手段)
522…薬液吐出ノズル(薬液吐出手段)
532…ガス吐出ノズル(気体吐出手段)
Pa…回転軸心(回転中心)
R1…第1方向
R2…第2方向
W…基板

Claims (9)

  1. 液体と気体とを混合させて生成した前記液体の液滴を基板の表面に供給することで、前記基板に対して洗浄処理を施す基板洗浄装置において、
    液体と気体とを混合させて前記液滴を生成する液滴生成部を複数個有し、該複数の液滴生成部を第1方向に列状に配置させることで帯状の前記液滴群を生成するとともに、該帯状液滴群を前記基板に供給する二流体ノズルと、
    前記複数の液滴生成部に前記液体を供給する液体供給手段と、
    前記複数の液滴生成部に前記気体を供給する気体供給手段と
    を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 前記基板と前記二流体ノズルとを前記第1方向と異なる第2方向に相対移動させる相対移動手段をさらに備えるとともに、
    前記二流体ノズルは前記第2方向における前記帯状液滴群の幅を規制する規制手段をさらに有する請求項1記載の基板洗浄装置。
  3. 前記規制手段は、前記複数の液滴生成部の各々から前記第1方向と異なる方向に飛散する液滴を前記第2方向において遮断して前記第2方向における前記帯状液滴群の幅を規制する請求項2記載の基板洗浄装置。
  4. 前記二流体ノズルに取り付けられるとともに、前記基板に対向させながら前記基板から離間配置された雰囲気遮断手段をさらに備える請求項1ないし3のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  5. 前記相対移動手段は、前記基板を回転させる回転手段を備え、
    前記第1方向における前記帯状液滴群の幅は少なくとも前記基板の回転中心から前記基板の端縁までの距離よりも大きい請求項2ないし4のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  6. 前記二流体ノズルは、各液滴生成部ごとに前記液滴の生成条件が変更可能に構成される請求項1ないし5のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  7. 前記二流体ノズルは、その先端部に開口を有するノズル本体を備え、
    前記複数の液滴生成部の各々は前記ノズル本体の内部に配置され、前記開口に向けて各液滴生成部において生成された液滴を導くことで前記帯状液滴群を生成する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  8. 前記二流体ノズルは、その先端部に開口を有するノズル本体を備え、
    前記複数の液滴生成部の各々は前記ノズル本体の内部に液体を吐出する液体吐出手段と、前記液体吐出手段に近接して気体を吐出する気体吐出手段とを有し、前記液体吐出手段から前記開口に向けて吐出される前記液体と、前記気体吐出手段より吐出される前記気体とを混合させて液滴を生成することで前記帯状液滴群を生成する請求項1ないし6のいずれかに記載の基板洗浄装置。
  9. 前記規制手段は、前記複数の液滴生成部と前記開口との間に配置されて、生成された前記帯状液滴群が前記開口から吐出されるまでの間に前記第2方向における該帯状液滴群の幅を規制して前記基板に供給する請求項7または8記載の基板洗浄装置。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100968584B1 (ko) * 2008-04-14 2010-07-08 포항공과대학교 산학협력단 액적 토출 장치
KR20120075350A (ko) 2010-12-28 2012-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR20120075361A (ko) 2010-12-28 2012-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2012156268A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012156267A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012156266A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012164896A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Tokyo Electron Ltd 流体供給部材、液処理装置、および液処理方法
JP2013102185A (ja) * 2006-07-07 2013-05-23 Tel Fsi Inc 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置
JP2013207077A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR101329319B1 (ko) 2010-08-13 2013-11-14 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR20140086840A (ko) * 2012-12-28 2014-07-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
JP2014130883A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US8899248B2 (en) 2005-04-01 2014-12-02 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
US9039840B2 (en) 2008-05-09 2015-05-26 Tel Fsi, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation
KR101728214B1 (ko) * 2015-01-29 2017-05-02 이충중 바 형태의 이중관 구조의 이류체 청소 노즐 및 이를 이용한 scr 촉매 세정 방법
JP2018501665A (ja) * 2015-07-13 2018-01-18 ゼウス カンパニー リミテッド 基板液処理装置及び方法
JP2023087757A (ja) * 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8899248B2 (en) 2005-04-01 2014-12-02 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US8978675B2 (en) 2006-07-07 2015-03-17 Tel Fsi, Inc. Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles
JP2013102185A (ja) * 2006-07-07 2013-05-23 Tel Fsi Inc 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置
US9666456B2 (en) 2006-07-07 2017-05-30 Tel Fsi, Inc. Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles
KR100968584B1 (ko) * 2008-04-14 2010-07-08 포항공과대학교 산학협력단 액적 토출 장치
US9039840B2 (en) 2008-05-09 2015-05-26 Tel Fsi, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation
KR101329319B1 (ko) 2010-08-13 2013-11-14 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
US9048269B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Tokyo Electron Limited Substrate liquid treatment apparatus with lift pin plate
KR20120075350A (ko) 2010-12-28 2012-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR20120075361A (ko) 2010-12-28 2012-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2012156267A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
US9396975B2 (en) 2011-01-25 2016-07-19 Tokyo Electron Limited Liquid treatment apparatus and method
KR101524903B1 (ko) * 2011-01-25 2015-06-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2012156266A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
KR101521322B1 (ko) * 2011-01-25 2015-05-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2012156268A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012164896A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Tokyo Electron Ltd 流体供給部材、液処理装置、および液処理方法
JP2013207077A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2014130883A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2014130884A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 基板洗浄装置
KR20140086840A (ko) * 2012-12-28 2014-07-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
KR102103356B1 (ko) 2012-12-28 2020-04-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
US10737301B2 (en) 2012-12-28 2020-08-11 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
KR101728214B1 (ko) * 2015-01-29 2017-05-02 이충중 바 형태의 이중관 구조의 이류체 청소 노즐 및 이를 이용한 scr 촉매 세정 방법
JP2018501665A (ja) * 2015-07-13 2018-01-18 ゼウス カンパニー リミテッド 基板液処理装置及び方法
JP2023087757A (ja) * 2021-12-14 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 ノズル、基板処理装置および基板処理方法

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