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WO2016171075A1 - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents

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WO2016171075A1
WO2016171075A1 PCT/JP2016/062072 JP2016062072W WO2016171075A1 WO 2016171075 A1 WO2016171075 A1 WO 2016171075A1 JP 2016062072 W JP2016062072 W JP 2016062072W WO 2016171075 A1 WO2016171075 A1 WO 2016171075A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vapor deposition
opening
limiting plate
mask
film formation
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2016/062072
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
伸一 川戸
勇毅 小林
和雄 滝沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Priority to JP2017514094A priority patent/JP6510035B2/ja
Priority to KR1020177030974A priority patent/KR20170131631A/ko
Priority to US15/567,616 priority patent/US20180119268A1/en
Publication of WO2016171075A1 publication Critical patent/WO2016171075A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/225Oblique incidence of vaporised material on substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • HELECTRICITY
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    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
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    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for forming a vapor deposition film having a predetermined pattern in the film formation region of a film formation substrate having at least one film formation region.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an EL display device including an EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material or an inorganic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage, and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • the EL display device includes a light emitting layer that emits light of a desired color corresponding to a plurality of sub-pixels constituting a pixel in order to realize full color display.
  • the light emitting layer is vapor deposited by separately depositing different vapor deposition particles on each region on the deposition substrate using a fine metal mask (FMM) provided with a highly accurate opening as a vapor deposition mask. Formed as a film.
  • FMM fine metal mask
  • a method is generally used in which vapor deposition is performed by bringing a vapor deposition mask having the same size as the film formation substrate into close contact with the film formation substrate.
  • the deposition substrate has been increased in size from the viewpoint of improving productivity.
  • Japanese Patent Publication Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-55039 (published on March 21, 2013)” Japanese Patent Publication “Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-152441 (published on June 15, 2006)”
  • the mask opening of the vapor deposition mask is generally formed by etching or laser, and therefore has a specific cross-sectional shape.
  • slits are formed in the vapor deposition mask as mask openings by etching.
  • the vapor deposition film is not correctly patterned depending on the position and shape of the vapor deposition mask opening.
  • the problem here is the presence of vapor deposition particles that are incident obliquely on the mask opening. Such vapor deposition particles cannot reach the deposition target substrate through the mask opening depending on the incident angle. This is generally called a shadow, and has a problem that the film thickness gradually decreases from the center to the end of the mask opening, blurring occurs, or part of the pixel is missing.
  • Patent Document 1 does not limit the direction of vapor deposition particles that reach the film formation substrate, and eventually there are vapor deposition particles that enter the mask opening from a shallow angle. However, this causes a shadow, and accurate patterning cannot be realized. In particular, in a mass production apparatus, it is desirable to use a line source as a vapor deposition source in order to increase throughput, but in that case, shadows are particularly noticeably generated.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method that do not cause blurring or missing pixels due to shadows.
  • a plurality of vapor deposition apparatuses are arranged in the film formation region of the film formation substrate having at least one film formation region in at least a first direction.
  • a vapor deposition mask having at least a plurality of mask apertures arranged in the first direction, each of the mask apertures having a forward tapered cross-sectional shape; and between the vapor deposition source and the vapor deposition mask
  • a restriction plate unit having a plurality of restriction plates arranged at least apart from each other in the first direction, and the restriction adjacent to each other in a cross section parallel to the first direction of the restriction plate unit
  • a limiting plate opening formed therebetween is opposed to the film forming region on a one-to-one basis, and the width of the film forming region in the first direction is Wp, and the surface of the limiting plate unit facing the vapor deposition source
  • the width in the first direction of the opening of the limiting plate on the surface on the side is Wr
  • the distance from the film forming surface of the film forming substrate to the surface facing the vapor deposition source in the limiting plate is Db
  • the vapor deposition When the inclination angle of the opening wall of the mask opening in the cross section parallel to the
  • a vapor deposition method includes the above-described deposition of a deposition substrate having at least one deposition region using the deposition apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • a plurality of vapor deposition films having a predetermined pattern arranged at least in the first direction are formed in the film formation region.
  • a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method that do not cause blurring or missing pixels due to shadows.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic configuration of a vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view which shows the basic composition of the vapor deposition apparatus 1 concerning this embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a schematic configuration of a main part of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 1 and the vapor deposition method according to the present embodiment are useful for vapor deposition of an EL layer such as a light emitting layer constituting an EL element in an EL display device such as an organic EL display device.
  • an organic EL display device for RGB full-color display in which organic EL elements of each color of red (R), green (G), and blue (B) are arranged and formed on a substrate as sub-pixels will be described.
  • the case where the light emitting layer of an organic EL element is formed into a film by RGB coating system using the vapor deposition apparatus 1 and the vapor deposition method according to the present embodiment will be described as an example.
  • the vapor deposition film 300 formed by the vapor deposition apparatus 1 is a light emitting layer of each color of R, G, and B in an organic EL display device will be described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition apparatus 1 and the vapor deposition method according to the present embodiment are based on vapor phase growth technology including manufacturing of an organic EL display device and an inorganic EL display device. It can be applied to the entire manufacturing of the used device.
  • the vapor deposition film 300 constituting the light emitting layer of each color of R, G, and B is sequentially formed as a vapor deposition film 300R, a vapor deposition film 300G, and a vapor deposition film. It is described as 300B. However, when it is not necessary to particularly distinguish the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of the respective colors, the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B are collectively referred to simply as the vapor deposition film 300.
  • the horizontal axis along the scanning direction (scanning axis) of the film formation substrate 200 is defined as the Y axis
  • the horizontal axis along the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the X axis.
  • the vertical direction axis (vertical axis) that is the normal direction of the film formation surface 201 of the film formation substrate 200 and is perpendicular to the X axis and the Y axis will be described as the Z axis.
  • the X-axis direction is the row direction (first direction)
  • the Y-axis direction is the column direction (second direction).
  • the vapor deposition apparatus 1 is an apparatus for forming a vapor deposition film 300 in a film formation region 202 (deposition film patterning region) on a film formation surface 201 of a film formation substrate 200. is there.
  • the vapor deposition apparatus 1 includes a vapor deposition mask 10, a limiting plate unit 20, and a vapor deposition source 30 as essential components.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are unitized by fixing their positional relationship.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 may be fixed to each other by, for example, rigid members, may have independent configurations, and may operate as a single unit with a control operation. Absent.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are moved as one unit along the scanning direction as shown in FIG. 2, the vapor deposition is finally performed on the entire film formation region 202 in the film formation substrate 200.
  • a film 300 is formed.
  • the restriction plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are unitized as the vapor deposition unit 40 by being held by the same holder 41 (restriction plate holding member) as shown in FIG. Will be described as an example.
  • the vapor deposition apparatus 1 includes a film forming chamber 2, a mask holder 3, a magnet plate 4, a substrate moving device 5, a vapor deposition mask 10, a vapor deposition unit 40, a vapor deposition unit moving device 6, and a protection not shown.
  • a landing plate, a shutter, a control device and the like are provided.
  • Deposition chamber 2 In the film forming chamber 2, the inside of the film forming chamber 2 is evacuated through an exhaust port (not shown) provided in the film forming chamber 2 in order to keep the inside of the film forming chamber 2 in a vacuum state during vapor deposition.
  • a vacuum pump is provided. The vacuum pump is provided outside the film forming chamber 2.
  • a control device for controlling the operation of the vapor deposition apparatus 1 is also provided outside the film formation chamber 2.
  • the mask holder 3, the magnet plate 4, the substrate moving device 5, the vapor deposition mask 10, the vapor deposition unit 40, the vapor deposition unit moving device 6, and a deposition plate and a shutter (not shown) are provided in the film forming chamber 2. .
  • the mask holder 3 is a substrate holding member / mask holding member, and also serves as a mask holding member and a substrate holding member.
  • the mask holder 3 shown in FIG. 3 includes, for example, a mask gantry 3a on which the vapor deposition mask 10 is mounted. By mounting the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 200 on the mask frame 3a, the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate are mounted. 200 are held in contact with each other.
  • the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 10 are aligned before vapor deposition, and are arranged in contact or sufficiently close to each other.
  • the vapor deposition apparatus 1 may include a substrate holder (not shown) as a substrate holding member, separately from the mask holder 3.
  • the deposition target surface 201 of the deposition target substrate 200 is disposed so as to be opposed to the deposition mask 10 with a certain distance therebetween.
  • a substrate holding member that holds the deposition target substrate 200 is used.
  • a substrate holder for example, a substrate suction device such as an electrostatic chuck is preferably used. Since the deposition target substrate 200 is attracted and held by the electrostatic chuck, the deposition target substrate 200 is fixed to the substrate holder without being bent by its own weight.
  • a deposition plate shielding plate
  • a shutter and the like (not shown) that prevent unnecessary deposition particles 310 from adhering to the deposition mask 10, the deposition target substrate 200, and the like are attached. It may be.
  • Magnetic plate 4 When the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 10 are arranged in contact with each other and a mask having a metal layer is used as the vapor deposition mask 10, the vapor deposition apparatus 1 uses magnetic adsorption as shown in FIG. A magnet plate 4 may be provided as a member.
  • the vapor deposition apparatus 1 concerning this embodiment is provided with at least one among the substrate moving apparatus 5 and the vapor deposition unit moving apparatus 6, for example. Accordingly, in this embodiment, the deposition target substrate 200 and the vapor deposition unit 40 are relatively moved by at least one of the substrate moving device 5 and the vapor deposition unit moving device 6 so that the Y-axis direction becomes the scanning direction. Scan vapor deposition.
  • FIG. 2 shows, as an example, a case where the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are moved along the scanning direction as one unit.
  • the substrate moving device 5 and the vapor deposition unit moving device 6 are not particularly limited, and various known moving devices such as a roller moving device and a hydraulic moving device can be used.
  • At least one of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition unit 40 is provided so as to be relatively movable. Accordingly, only one of the substrate moving device 5 and the vapor deposition unit moving device 6 may be provided, and one of the film formation substrate 200 and the vapor deposition unit 40 is fixed to the inner wall of the film formation chamber 2. It doesn't matter.
  • the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 is provided with a plurality of partitioned deposition regions 202 as deposition film patterning regions.
  • Each deposition region 202 is arranged in a matrix, and a non-deposition region 204 is provided so as to surround each deposition region 202.
  • a total of eight rectangular film formation regions 202 of 4 rows ⁇ 4 columns are provided on the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition mask 10 has a size that covers the entire film formation region 202 of the film formation substrate 200. For this reason, the vapor deposition mask 10 has the same size as the deposition target substrate 200 in a plan view, for example, as shown in FIG.
  • the plan view indicates “when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 10 (that is, a direction parallel to the Z axis)”.
  • the vapor deposition mask 10 may be used as it is, or may be fixed to a mask frame (not shown) in a tensioned state in order to suppress its own weight deflection.
  • the mask frame is formed in a rectangular shape whose outer shape is the same as or slightly larger than that of the vapor deposition mask 10 in plan view.
  • the vapor deposition mask 10 is a plate-like object whose main surface is parallel to the XY plane like the film formation surface 201 of the film formation substrate 200, and the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 200 are relative to each other. Position is fixed.
  • the vapor deposition mask 10 is desirably disposed in close contact with the film formation surface 201 of the film formation substrate 200, but may not be in close contact as long as it is disposed sufficiently close. .
  • the vapor deposition mask 10 is disposed so as to be opposed to the film formation surface 201 of the film formation substrate 200, and the vapor deposition mask 10 is disposed in close contact with the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • they may be partially in contact with the film formation surface 201 or may not be in contact with the film formation surface 201 as a whole.
  • each film formation region 202 in each film formation region 202, one electrode of a pair of electrodes sandwiching the light emitting layer in an organic EL display device and an organic EL display device is provided in advance. Is formed.
  • the organic EL element is described as an example in which a light emitting layer is provided as an organic EL layer between a pair of electrodes.
  • the organic EL layer is other than the light emitting layer.
  • the organic layer may be included. Therefore, after forming the one electrode, an organic layer other than the light emitting layer may be formed as the vapor deposition film 300 using the vapor deposition apparatus 1 and the vapor deposition method according to the present embodiment.
  • a light emitting layer may be formed as the deposited film 300 in each deposition region 202 of the deposition substrate 200 on which an organic layer other than the layers is formed.
  • each film formation region 202 sub-pixels of each color composed of organic EL elements of R, G, and B colors are provided, and each sub-pixel is used as a vapor deposition film 300 and a light-emitting layer of the organic EL element.
  • a fine vapor deposition film pattern composed of vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of each color of R, G, and B is formed.
  • film-forming pattern regions 203R and 203G for forming the patterns of the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of the respective colors corresponding to the respective sub-pixels.
  • -203B is provided.
  • a red vapor deposition film 300R is formed in the film formation pattern region 203R
  • a green vapor deposition film 300G is formed in the film formation pattern region 203G
  • a blue vapor deposition film is formed in the film formation pattern region 203B.
  • a film 300B is formed.
  • these film formation pattern regions 203R, 203G, and 203B are collectively referred to simply as film formation pattern regions 203.
  • the main surface of the vapor deposition mask 10 is provided with a plurality of mask opening regions 11 composed of mask opening 12 groups corresponding to the respective patterns of the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B. Is provided.
  • the vapor deposition mask 10 includes a plurality of mask opening regions 11 that face the film formation region 202 of the film formation substrate 200 when facing the film formation substrate 200. Yes. Inside the mask opening region 11, a plurality of openings (through holes) functioning as passage parts for allowing the vapor deposition particles 310 (vapor deposition material) to pass therethrough as the mask openings 12 are provided.
  • the region other than the mask opening 12 in the vapor deposition mask 10 is a non-opening portion 13 and functions as a blocking portion that blocks the flow of the vapor deposition particles 310 during vapor deposition.
  • Each mask opening 12 has vapor deposition particles in an area other than the target film formation pattern area 203 (that is, the film formation pattern area 203 of the color to be formed by the vapor deposition mask 10 to be used) on the film formation substrate 200. It is provided corresponding to the pattern of the vapor deposition film 300 formed by the vapor deposition mask 10 used so that 310 may not adhere.
  • the vapor deposition material is the material of the light emitting layer in the organic EL display device as described above, the light emitting layer is vapor-deposited in the organic EL vapor deposition process for each color of the light emitting layer.
  • the vapor deposition mask 10 for forming a red light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300R which is a red light emitting layer.
  • the vapor deposition mask 10 for forming a green light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300G which is a green light emitting layer.
  • a vapor deposition mask 10 for forming a blue light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300B which is a blue light emitting layer.
  • each mask opening area 11 is provided with a plurality of long and narrow slit-shaped mask openings 12 extending in the column direction.
  • the mask opening 12 may have a slot shape, for example, and the shape and number of the mask opening 12 and the mask opening region 11 in plan view are not limited to the example shown in FIG. The cross-sectional shape of the mask opening 12 will be described later.
  • a fine metal mask is used as the vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition mask 10 is generally formed of invar (iron-nickel alloy) or the like having a low thermal expansion coefficient, and its thickness is generally several tens to several hundreds of ⁇ mm. Invar, which is an iron-nickel alloy, can be suitably used because it is less deformed by heat.
  • the material of the vapor deposition mask 10 is not limited to a metal such as Invar, but may be formed of an organic substance (resin) such as polyimide, an oxide such as Al 2 O 3 , or a ceramic, or a combination thereof. Absent.
  • the vapor deposition unit 40 has a configuration in which the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are unitized.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are unitized by being held by the same holder 41 as shown in FIG.
  • the vapor deposition unit 40 according to the present embodiment includes a limiting plate unit 20, a vapor deposition source 30, and a holder 41.
  • the holder 41 holds the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 in a state where the positional relationship is fixed.
  • the vapor deposition unit 40 is provided directly below the vapor deposition mask 10 and separated from the vapor deposition mask 10.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 will be described in more detail.
  • the vapor deposition source 30 is, for example, a container that stores a vapor deposition material therein.
  • the vapor deposition source 30 may be a container that directly stores the vapor deposition material inside the container, may have a load-lock type pipe, and may be formed so that the vapor deposition material is supplied from the outside.
  • the vapor deposition source 30 is formed in a rectangular shape, for example, as shown in FIG.
  • On the upper surface of the vapor deposition source 30 that is, the surface facing the limiting plate unit 20), a plurality of vapor deposition source openings 31 (through ports, nozzles) are provided as ejection ports through which the vapor deposition particles 310 are ejected.
  • These vapor deposition source openings 31 are arranged in a line at a constant pitch in the X-axis direction.
  • the vapor deposition source 30 generates gaseous vapor deposition particles 310 by heating and vaporizing the vapor deposition material (when the vapor deposition material is a liquid material) or sublimating (when the vapor deposition material is a solid material).
  • the vapor deposition source 30 injects the vapor deposition material thus vaporized as vapor deposition particles 310 from the vapor deposition source opening 31 toward the limiting plate unit 20.
  • a line deposition source having a plurality of deposition source openings 31 can be used as the deposition source 30. Further, by moving the deposition source 30 in the Y-axis direction, a large area can be obtained. It is possible to perform uniform film formation on the deposition target substrate 200. For this reason, there is no reduction in throughput during mass production, and the merit is great.
  • the limiting plate unit 20 is disposed between the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30 so as to be separated from the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30.
  • the limiting plate unit 20 includes a limiting plate array 21 including a plurality of limiting plates 22 that are spaced apart from each other and arranged in parallel with each other in the X-axis direction in plan view. For this reason, between the limiting plates 22 adjacent to each other in the X-axis direction, limiting plate openings 23 are formed as openings.
  • the limiting plate unit 20 is a block-shaped unit, and the rectangular plate having the XY plane as the main surface and the X-axis direction as the major axis is combined with the X-axis.
  • a plurality of limiting plate openings 23 are provided at a constant pitch along the direction.
  • the limiting plate unit 20 shown in FIG. 2 has a configuration in which a plurality of limiting plates 22 provided between adjacent limiting plate openings 23 are arranged at a constant pitch along the X-axis direction.
  • the body part 24 is integrally formed.
  • the limiting plate unit 20 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and the limiting plate 22 arranged via the limiting plate opening 23 connects and holds these limiting plates 22. You may have the structure fixed to the holding body part by screwing or welding.
  • each restricting plate 22 and each restricting plate 22 and the holding body portion 24 may be integrally formed as shown in FIG. 2 or may be formed separately.
  • the method of holding each restriction plate 22 is not limited to the above method.
  • the shape of the limiting plate unit 20 may be any shape as long as the conditions described later are satisfied, but in particular, a block shape is desirable as shown in FIG.
  • a block shape is desirable as shown in FIG.
  • the restriction plate opening 23 and the film formation region 202 are arranged to have a one-to-one relationship.
  • the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 that are smaller in size (width) in the Y-axis direction (column direction) than the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 in a plan view
  • the deposition mask 10 and the deposition target substrate 200, the limiting plate unit 20 and the deposition source 30 are moved relatively along the Y-axis direction. Vapor deposition is performed one row at a time. Thereby, the vapor deposition film 300 is patterned in each film formation region 202 of the film formation substrate 200.
  • the limiting plate unit 20 is provided with limiting plate openings 23 corresponding to the film formation region 202 of the film formation substrate 200 for one row (in other words, one column along the X-axis direction). .
  • the pitch of the restriction plate openings 23 is formed larger than the pitch of the mask openings 12, and a plurality of mask openings 12 are arranged between the restriction plates 22 adjacent in the X-axis direction in plan view.
  • the pitch of the restriction plate openings 23 is formed larger than the pitch of the vapor deposition source openings 31, and a plurality of restriction plate openings 23 are arranged between the restriction plates 22 adjacent in the X-axis direction in plan view. ing. That is, at least two deposition source openings 31 correspond to one restriction plate opening 23 of the restriction plate unit 20. Therefore, the vapor deposition source opening 31 does not have a one-to-one relationship with the limiting plate opening 23. For this reason, according to this embodiment, compared with the case where the vapor deposition source opening 31 and the restricting plate opening 23 have a one-to-one relationship, the vapor deposition rate can be significantly improved, and mass productivity is improved. In addition to being able to improve, it is possible to enjoy apparatus merits such as ease of vapor deposition source design.
  • emitted from each vapor deposition source opening 31 is notionally shown by the arrow.
  • the length of the arrow corresponds to the number of vapor deposition particles. Therefore, the largest number of vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source opening 31 located immediately below each restricting plate opening 23, but is not limited thereto, and is emitted from the vapor deposition source opening 31 located obliquely below.
  • the deposited particles 310 also fly.
  • the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source opening 31 pass through the limiting plate opening 23, thereby limiting the incident angle ⁇ to the mask opening 12 and reaching the vapor deposition mask 10.
  • a film formation pattern including the vapor deposition film 300 is formed on the film formation substrate 200.
  • the limiting plate unit 20 divides the space between the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30 into a plurality of vapor deposition spaces composed of the limiting plate openings 23 by the respective limiting plates 22. As described above, the limiting plate unit 20 has one limiting plate opening 23 for one mask opening region 11.
  • the limiting plate unit 20 limits the incident angle ⁇ of the vapor deposition particles 310 incident on the mask opening 12 in each mask opening region 11 to an angle equal to or greater than the shadow critical angle ⁇ , which is a critical angle at which no shadow is generated.
  • the alternate long and short dash line L ⁇ b> 1 is a schematic line that indicates the shadow critical angle ⁇ with respect to each deposition region 202.
  • FIG. 4A and 4B are cross-sectional views showing the relationship between the incident angle ⁇ of the vapor deposition particles 310 to the mask opening 12 and the pattern of the vapor deposition film 300.
  • FIG. 4A shows a case where the incident angle ⁇ of the vapor deposition particles 310 to the mask opening 12 is equal to or larger than the shadow critical angle ⁇ ( ⁇ ⁇ ⁇ ), and
  • FIG. 4B shows the mask opening 12. The case where the incident angle ⁇ is included in the vapor deposition particles 310 ( ⁇ ⁇ ) smaller than the shadow critical angle ⁇ is shown.
  • the mask opening of the vapor deposition mask is generally opened by etching or laser. Also in the present embodiment, for example, etching such as wet etching, laser, or the like is used to form the mask opening 12 of the vapor deposition mask 10.
  • the mask opening 12 has a tapered cross-sectional shape as shown in FIGS.
  • the vapor deposition mask 10 is configured such that the cross-sectional shape of the mask opening 12 is a forward taper with reference to the surface 14 facing the limiting plate unit 20. Be placed.
  • the opening wall 12 a (inner wall) facing each other in the mask opening 12 is such that the opening area of the mask opening 12 becomes smaller toward the surface 15 facing the deposition target substrate 200 in the vapor deposition mask 10. It is arranged in an inclined state.
  • the vapor deposition mask 10 is arranged so that the opening wall 12a of the non-opening portion 13 in each mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10 has a reverse taper shape with the facing surface 14 facing the limiting plate unit 20 as a reference.
  • the reverse tapered shape means a state in which an inclination angle formed by the facing surface 14 and the opening wall 12a of the non-opening portion 13 in each mask opening region 11 exceeds 90 ° in the cross section of the vapor deposition mask 10.
  • the shadow depends on the opening shape of the mask opening 12. As shown in FIG. 4A, when the mask opening 12 has a forward tapered shape, the shadow critical angle ⁇ is equal to the opening wall 12a of the mask opening 12 in a cross section parallel to the X-axis direction of the vapor deposition mask 10. And the surface of the mask opening 12 on the facing surface 14 side of the vapor deposition mask 10 facing the limiting plate unit 20. That is, the inclination angle of the opening wall 12a of the mask opening 12 in the cross section becomes the shadow critical angle ⁇ as it is.
  • the incident angle ⁇ to the mask opening 12 among the vapor deposition particles 310 incident obliquely to the mask opening 12 is The vapor deposition particles 310 smaller than the shadow critical angle ⁇ cannot reach the deposition target substrate 200 through the mask opening 12. As shown in FIG. 4B, such vapor deposition particles 310 gradually decrease in thickness from the center to the end of the mask opening 12 to cause blurring or part of the pixels to be lost. Causes a shadow.
  • the incident angle ⁇ of the vapor deposition particles 310 incident on the mask opening 12 in each mask opening region 11 is limited to an angle equal to or larger than the inclination angle of the opening wall 12a in the mask opening 12. Arrange so that.
  • the width in the X-axis direction of each film formation region 202 is Wp
  • the distance from the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 to the facing surface 22a of the restriction plate 22 facing the vapor deposition source 30 is Db
  • the center axis of each restriction plate opening 23 and each deposition target is coincides with the following formula (1) Wr ⁇ 2 / tan ⁇ ⁇ Db ⁇ Wp (1)
  • the limiting plate 22 is disposed so as to satisfy the above.
  • the incident angle ⁇ of the vapor deposition particles 310 entering each film formation region 202 is the shadow critical angle ⁇ (in other words, the opening of the mask opening 12 in the cross section parallel to the X-axis direction of the vapor deposition mask 10).
  • the inclination angle of the wall 12a is the shadow critical angle ⁇ (in other words, the opening of the mask opening 12 in the cross section parallel to the X-axis direction of the vapor deposition mask 10).
  • the vapor deposition particles 310 are incident on the restriction plate opening 23 so as to graze the lower end of the restriction plate 22 in the cross section.
  • the deposition target region 202 is opposed to the deposition target region 202 (that is, the vapor deposition particle 310 reaches the deposition target region 202 through the alternate long and short dash line L1 in FIG. 1).
  • the incident angle ⁇ of the vapor deposition particle 310 (incident particle) that reaches the film formation region 202 through the alternate long and short dash line L1 needs to be ⁇ or more.
  • the opening width in the X-axis direction of the limiting plate opening 23 on the facing surface 22a facing the vapor deposition source 30 and the facing surface 22b facing the vapor deposition mask 10 may be set as appropriate so as to satisfy the above conditions, and is not particularly limited. .
  • the limiting plate unit 20 thus forms a pair with each film formation region 202 so as to face each film formation region 202, and the center axis of each film formation region 202.
  • the incident angle ⁇ to the limiting plate opening 23 is larger than the shadow critical angle ⁇ . It is possible to prevent the small vapor deposition particles 310 from entering the mask opening 12.
  • the film formation region 202 adjacent to the film formation region 202 associated with the vapor deposition source opening 31 (hereinafter referred to as the adjacent film formation region 202) is entered beyond the restriction plate opening 23 associated with the deposition source opening 31.
  • the width in the X-axis direction of the non-film formation region 204 between the adjacent film-forming regions 202 is set to S, and the limiting plates 22 ( A line L2 (a thick one-dot chain line in FIGS.
  • Reference numeral 310 denotes vapor deposition particles that reach the position closest to the adjacent film formation region 202 in the film formation substrate 200.
  • the position of the vapor deposition particle 310 reaching the deposition target substrate 200 is (Db / tan ⁇ ) from the lower end of the opening of the limiting plate 22.
  • the position approaches the adjacent film formation region 202.
  • the position of the end of the adjacent film formation region 202 is Wr / 2 + Wp / 2 + S.
  • the formation from the reference position is performed.
  • the distance to the position of the vapor deposition particle that reaches the position closest to the adjacent film formation region 202 in the film substrate 200 is the right side of the equation (2) (that is, from the reference position to the adjacent film formation region 202). The distance to the end position).
  • the above formula (2) is not an essential requirement from the viewpoint of preventing the vapor deposition particles 310 having an incident angle ⁇ smaller than the shadow critical angle ⁇ from entering the mask opening 12.
  • the path entering the adjacent film formation region 202 is a low angle and is below the shadow critical angle ⁇ .
  • vapor deposition particles 310 vapor deposition particles 311 to 314 having different incident angles ⁇ to the restricting plate opening 23, which are denoted by ⁇ 1 to ⁇ 4, are exemplified as shown in FIG. The effect of will be described.
  • the incident angle ⁇ 1 to the restriction plate opening 23 is equal to or larger than the shadow critical angle ⁇ and reaches the deposition region 202 without any problem.
  • the limit plate 22 passes near the corner on the opposite surface 22 a side to the vapor deposition source 30, but the incident angle ⁇ 2 to the limit plate opening 23 is equal to or greater than the shadow critical angle ⁇ . It reaches into the film formation region 202.
  • the incident angle ⁇ 3 to the limiting plate opening 23 is smaller than the shadow critical angle ⁇ , and passes through the limiting plate opening 23, but deviates from the film formation region 202. Therefore, the vapor deposition particles 313 do not enter the mask opening 12 and do not cause a shadow in the film formation region 202 to be considered.
  • the incident angle ⁇ 3 to the limiting plate opening 23 is smaller than the shadow critical angle ⁇ . If the incident path (incident direction) is extended as it is, the incident angle ⁇ 3 is equal to or larger than the shadow critical angle ⁇ .
  • the film-forming region 202 adjacent to the film-forming region 202 incident at an angle reaches the film-forming region 202, which causes a shadow. However, in this embodiment, as shown in FIG. 1, it is blocked by the limiting plate 22, and the vapor deposition particles 310 such as the vapor deposition particles 314 that cause shadows do not reach the deposition region 202. Absent.
  • the vapor deposition particles 310 emitted from one vapor deposition source opening 31 are a pair of film formation regions provided to be separated from each other so as to sandwich the vapor deposition source opening 31 in plan view.
  • 202 that is, the film formation region 202 excluding the film formation region 202 immediately above the vapor deposition source opening 31
  • the film formation region 202 is designed to enter the film formation region 202 immediately above the vapor deposition source opening 31.
  • the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source opening 31A for injecting the vapor deposition particles 314 are incident on the film formation region 202 immediately above and the film formation regions 202 on both sides thereof. As shown, the film formation regions 202 adjacent to the film formation regions 202 adjacent to both the adjacent film formation regions 202 are not reached so as to sandwich the film formation regions 202 adjacent to the film formation regions 202 immediately above.
  • the film formation region 202 into which the vapor deposition particles 310 emitted from one vapor deposition source opening 31 are incident is within a range satisfying the above formulas (1) and (2).
  • the shape of the limiting plate 22, the distance between the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30, etc. it can be set and changed as appropriate. . That is, the correspondence between the film formation region 202 and the limiting plate opening 23 and the vapor deposition source opening 31 can be set and changed as appropriate.
  • the restricting plate 22 prevents all of the vapor deposition particles 310 whose incident angle ⁇ to the restricting plate opening 23 is smaller than the shadow critical angle ⁇ from entering the deposition region 202. It is. Therefore, all the vapor deposition particles 310 that reach the mask opening 12 are limited to the vapor deposition particles 310 having an incident angle equal to or greater than the shadow critical angle ⁇ by the limiting plate unit 20. For this reason, accurate patterning vapor deposition without shadow becomes possible.
  • the vapor deposition source 30 and the limiting plate unit 20 have a fixed positional relationship to form a unit, and the unit is moved back and forth so that the entire vapor deposition region of the deposition target substrate 200 (that is, By forming a film in all the film formation regions 202), even in a large-area film formation substrate 200, shadows are not generated and high-precision patterning can be realized, and a relatively small evaporation source 30 and The restriction plate unit 20 also enables high-definition patterning with a large area. For this reason, mass productivity can be improved.
  • the film thickness distribution can be made uniform only by controlling the deposition rate of the deposition particles 310 emitted from the deposition source 30.
  • the vapor deposition apparatus 1 is easy to design. The vapor deposition rate of the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source 30 will be described in the second embodiment.
  • the limiting plate 22 is desirably at a temperature lower than the vapor deposition particle generation temperature at which the vapor deposition material becomes a gas, and therefore, it is more desirable to cool. Therefore, the limiting plate unit 20 may be provided with a cooling mechanism 28 for cooling the limiting plate 22, as indicated by a two-dot chain line in FIG. As a result, the vapor deposition particles 310 that collide with the limiting plate 22 can be solidified and captured, collision and scattering of the vapor deposition particles 310 can be prevented, and re-evaporation from the limiting plate 22 can be prevented. it can. For this reason, the vapor deposition flow from the vapor deposition source 30 can be restricted reliably.
  • the radiant heat emitted from the vapor deposition source 30 can be prevented by cooling the limiting plate 22, the temperature rise of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 10 can be prevented. For this reason, since thermal expansion of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 10 can be prevented, high accuracy can be maintained. In addition, due to the above effect, the distance between the vapor deposition source 30 and the deposition target substrate 200 can be made relatively close, so that the deposition rate can be improved.
  • the limiting plate 22 has a forward tapered shape (trapezoidal shape) in which the area of the facing surface 22 a of the limiting plate 22 facing the vapor deposition mask 10 is larger than the area of the facing surface 22 b facing the vapor deposition mask 10.
  • the restriction plate opening 23 has a reverse tapered cross-sectional shape.
  • the shape of the limiting plate 22 is not particularly limited as long as the above-described conditions are satisfied. Therefore, the cross-sectional shape of the limiting plate 22 and the limiting plate opening 23 may be a rectangular shape or a combination of other shapes.
  • the limiting plate 22 has a reverse taper-shaped cross-sectional shape, and thus the limiting plate opening 23 has a forward-tapered cross-sectional shape, the above-described formula (1) is not satisfied.
  • the present embodiment is not limited to this, and at least the limiting plate unit 20 of the vapor deposition source 30 and the limiting plate unit 20 faces the entire surface of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 10 in plan view. You may arrange in. Even in this case, even if the deposition target substrate 200 is a deposition target substrate having a large area, shadows are not generated, and highly accurate patterning can be realized.
  • Deposition region 202 (Deposition region 202) Further, in the present embodiment, the case where a plurality of deposition regions 202 are provided on the deposition substrate 200 has been described as an example. However, it is sufficient that at least one film formation region 202 is provided on the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition mask 10 only needs to have at least one mask opening region 11 corresponding to the film formation region 202, and the restriction plate unit 20 has at least one restriction plate opening 23. It only has to be.
  • the present technology is particularly useful for vapor deposition of an EL layer or the like of an organic EL display device, but is not limited to this, and an EL display device such as an organic EL display device or an inorganic EL display device.
  • the present invention can be applied to all film forming techniques using vapor deposition, such as production of various devices using vapor deposition.
  • ⁇ Vapor deposition apparatus 1> the deposition rate (deposition rate, deposition rate) of the deposition particles 310 emitted from the deposition source 30 will be described.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the structure of the vapor deposition apparatus 1 concerning this embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 1 concerning Embodiment 1.
  • FIG. 5 the structure of the vapor deposition apparatus 1 concerning this embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 1 concerning Embodiment 1.
  • FIG. 5 the vapor deposition apparatus 1 can make the film thickness distribution uniform only by controlling the vapor deposition rate of the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source 30, for example.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source 30 is distributed.
  • the scattering amount of the vapor deposition particles 310 emitted from the respective vapor deposition source openings 31 has a distribution. For example, as shown by the arrow in FIG. It goes down as you go outward.
  • vapor deposition particles injected from a single vapor deposition source opening have the above distribution.
  • a mass production type vapor deposition apparatus of a general organic EL display device a large number of such single vapor deposition source openings are arranged, and distributions from the multiple vapor deposition source openings are intentionally overlapped, resulting in a result.
  • the film thickness distribution on the film formation substrate is made uniform.
  • the vapor deposition particles 310 flying into one film formation region 202 are limited, and the vapor deposition source that injects the vapor deposition particles 310 flying into one film deposition region 202.
  • the opening 31 is also restricted.
  • the film thickness of the vapor deposition film 300 deposited on the portion corresponding to the central portion of the restriction plate opening 23 increases, and the film thickness distribution in each film formation region 202 is not uniform.
  • each deposition target is formed by relatively reducing the deposition rate of the deposition particles 310 emitted from the deposition source opening 31 immediately below the restriction plate opening 23.
  • the film thickness distribution in the region 202 is made uniform.
  • the deposition rate distribution is adjusted by the arrangement state and shape of the limiting plate 22 with respect to the film formation region 202 and the emission characteristics of each deposition source opening 31.
  • the method for adjusting the vapor deposition rate distribution is not particularly limited.
  • the arrangement period (nozzle density) of the vapor deposition source openings 31 is changed between the area directly below the restriction plate opening 23 and the other area.
  • Examples thereof include a method, a method of changing the shape of the vapor deposition source opening 31, and a method of providing a distribution in the temperature of the vapor deposition source 30.
  • FIG. 5 shows an example in which the vapor deposition source openings 31 are arranged uniformly. However, if the arrangement density of the vapor deposition source openings 31 in the area facing the restriction plate opening 23 in the vapor deposition source 30 is made sparser than the arrangement density of the vapor deposition source openings 31 in the other areas, it is directly below the restriction plate opening 23. The deposition rate in can be lowered relative to the deposition rate in other regions.
  • Patent Document 2 discloses that, in normal vapor deposition, the interval between the vapor deposition source openings is changed in order to make the film thickness of the vapor deposition film uniform.
  • Patent Document 2 does not use the limiting plate unit 20, nor does it allow the vapor deposition particles 310 to enter the plurality of film formation regions 202 associated with the vapor deposition source opening 31 from one vapor deposition source opening 31. Therefore, the arrangement of the holes formed in the vapor deposition source of Patent Document 2 cannot be applied to the vapor deposition apparatus 1 according to this embodiment as it is. However, in the case of the present embodiment, for example, when the vapor deposition source openings 31 are arranged at the same interval, the vapor deposition particles are formed in a portion where the vapor deposition film 300 deposited in each film formation region 202 becomes relatively thin. By disposing relatively many vapor deposition source openings 31 on which 310 is deposited, the thin film of the vapor deposition film 300 in each film formation region 202 can be made uniform.
  • the opening area of the vapor deposition source opening 31 immediately below the limiting plate opening 23 is made relatively smaller than the opening area of the vapor deposition source opening 31 in other regions (in other words, in the region other than directly below the limiting plate opening 23).
  • the vapor deposition rate immediately below the restriction plate opening 23 can be relatively lowered, as described above.
  • the deposition rate tends to increase as the temperature increases.
  • the vapor deposition temperature distribution shown by the broken line R in FIG. 5 is set by making the vapor deposition temperature of the vapor deposition source opening 31 facing the limiting plate opening 23 lower than the vapor deposition temperature of the vapor deposition source opening 31 facing the limiting plate 22. The same effect can be obtained by providing the temperature distribution in a manner to follow.
  • the film thickness distribution can be made uniform by controlling the vapor deposition rate in accordance with the vapor deposition material or the like so that a desired vapor deposition rate can be obtained.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition particles 310 emitted from one vapor deposition source opening 31 are incident on the plurality of film formation regions 202.
  • the vapor deposition apparatus 1 has each deposition area 202 and a deposition source associated with each deposition area 202 as shown by a thick broken line L3 in FIG. It differs from the vapor deposition apparatus 1 (for example, refer FIG. 1) concerning Embodiment 1, 2 by the point by which the opening formation area
  • the vapor deposition source opening formation region 32 associated with each film formation region 202 emits vapor deposition particles 310 that pass through the same mask opening region 11 and enter each film formation region 202.
  • An area where the deposition source opening 31 can be formed is shown.
  • the height of the limiting plate 22 (the length in the Z-axis direction) is larger than that in the first embodiment, and the vapor deposition particles 310 incident on one film formation region 202.
  • the vapor deposition particles 310 incident on one film formation region 202 are limited to those from a specific vapor deposition source opening forming region 32 facing each other.
  • the film thickness and film thickness distribution of the vapor deposition film 300 in each film formation region 202 can be controlled independently, and it can be expected that both controllability and mass productivity are improved.
  • the width in the X-axis direction in each vapor deposition source opening formation region 32 is set to We, the width in the X-axis direction of each film formation region 202 is set to Wp, and the surface of the limiting plate unit 20 facing the vapor deposition source 30 on the surface 22a side.
  • the width of the restriction plate opening 23 is Wr, the distance from the film formation surface 201 of the film formation substrate 200 to the surface of the vapor deposition source 30 where the vapor deposition source opening 31 is formed is Da, and the surface of the restriction plate 22 facing the vapor deposition source 30
  • We Da / Db ⁇ Wr + (Da / Db ⁇ 1) ⁇ Wp (3) Indicated by
  • the independent vapor deposition source opening formation region 32 is not formed.
  • the vapor deposition particles 310 that can enter one film formation region 202 are not limited to those from a specific vapor deposition source opening formation region 32 that faces the film formation region 202.
  • the vapor deposition source opening forming regions 32 adjacent to each other overlap each other as a vapor deposition source for injecting vapor deposition particles 310 incident on the first film deposition region with a certain film deposition region 202 as a first film deposition region.
  • the deposition source opening formation region 32 in which the opening 31 can be formed is a first deposition source opening formation region, the deposition region 202 adjacent to the first deposition region is a second deposition region, and the second If the vapor deposition source opening formation region 32 that can form the vapor deposition source opening 31 for injecting the vapor deposition particles 310 incident on the film formation region is a second vapor deposition source opening formation region, the first vapor deposition source opening formation region and the second vapor deposition source opening formation region It shows that the deposition source opening formation region overlaps.
  • the vapor deposition source opening formation region 32 forms the vapor deposition source opening 31 that injects the vapor deposition particles 310 that pass through the same mask opening region 11 and enter each film formation region 202 in the vapor deposition source 30.
  • This is a region that can be used, and does not indicate a region where the vapor deposition source opening 31 is actually formed. That is, if the vapor deposition source opening formation region 32 is within the same vapor deposition source opening formation region 32, the vapor deposition source opening formation region 32 passes through the same mask opening region 11 regardless of where the vapor deposition source opening 31 is formed. This is an area where the vapor deposition particles 310 are incident on the film formation area 202 associated with the area 32.
  • the film formation target region 202 and the vapor deposition source opening formation region 32 correspond one-to-one.
  • the deposition source opening 31 is disposed only in a region where the deposition source opening formation region 32 does not overlap with the deposition target region 202.
  • the vapor deposition source opening forming region 32 has a one-to-one correspondence.
  • the area where the vapor deposition source opening forming area 32 overlaps is smaller, because the length of the vapor deposition source 30 in the X-axis direction can be used effectively.
  • the film formation region 202 and the vapor deposition source opening formation region 32 do not correspond one-to-one.
  • region of the vapor deposition source opening 31 of the vapor deposition source 30 can be used efficiently when the area
  • the vapor deposition source opening forming regions 32 adjacent to each other do not overlap each other.
  • the vapor deposition source opening forming regions 32 adjacent to each other can be provided apart from each other. That is, as shown in FIG. 6, the distance between the vapor deposition source openings 31 adjacent to each other at the boundary between the vapor deposition source opening formation regions 32 adjacent to each other is set between the vapor deposition source openings 31 adjacent to each other in the vapor deposition source opening formation region 32.
  • the distance can be larger than the distance, and a gap can be provided between the deposition source openings 31 for injecting the vapor deposition particles 310 incident on each film formation region 202.
  • each vapor deposition source opening formation region 32 can be formed as a completely independent region.
  • one deposition region 202 is within the range of We. This is not preferable because the vapor deposition source openings 31 for injecting the vapor deposition particles 310 incident on the liquid crystal are pushed in with a small gap between the adjacent vapor deposition source openings 31. Therefore, it is desirable to determine We in a reasonable range in terms of design according to the length of the vapor deposition source 30 in the X-axis direction and the width of the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 1 according to the first embodiment except for the points described above.
  • the height of the restriction plate 22 (length in the Z-axis direction) is made larger than that in the first embodiment, and the restriction space by the restriction plate 22 is increased, so that the incident light enters one deposition region 202.
  • the deposition source opening 31 group for ejecting the deposition particles 310 to be ejected and the deposition source opening 31 group for ejecting the deposition particles 310 adjacent to the film formation region 202 do not overlap each other. I am doing so.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing another configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the film formation region 202 and the vapor deposition source opening formation region 32 can be made to correspond one-to-one by bringing the vapor deposition source 30 close to each other.
  • the height of the limiting plate 22 (the length in the Z-axis direction) is larger than that in the first embodiment, and the vapor deposition particles 310 incident on one film formation region 202.
  • the vapor deposition particles 310 incident on one film formation region 202 are limited to those from a specific vapor deposition source opening forming region 32 facing each other.
  • the above-described distance Db is reduced with respect to the above-mentioned distance Da or the above-mentioned distance Da.
  • the method of enlarging is mentioned.
  • the width Wr By reducing the width Wr, the width of the region facing the film formation region 202 via the limiting plate opening 23 in the vapor deposition mask 10 is limited (that is, reduced). Therefore, for example, by reducing the width Wr so that adjacent vapor deposition source opening formation regions 32 are separated from each other, the film formation region 202 and the vapor deposition source opening formation region 32 can be made to correspond one-to-one.
  • Da / Db is appropriately set and changed according to the type of vapor deposition material, the shape of the limiting plate 22 and the like, and is not particularly limited. However, as an example, it may be qualitatively set to Da / Db ⁇ 2.
  • the present embodiment can be variously modified in accordance with the above-described main points, and the effects according to the present embodiment can be obtained in the same manner.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 1 according to the first to third embodiments except that the cross-sectional shape of the restriction plate 22 in the restriction plate unit 20 is T-shaped.
  • the limiting plate 22 is directed to the blocking wall portion 25 made of a plate-like member having a YZ plane as a main surface and the lower end surface (that is, the bottom surface) of the blocking wall portion 25 toward the adjacent limiting plate 22. And a flange portion 26 made of a plate-like member having an XY plane as a main surface.
  • the design guidelines are the same as those in Embodiments 1 to 3, and the vapor deposition apparatus 1 is designed to satisfy the above-described formula.
  • the volume of the limiting plate 22 can be reduced. For this reason, the space volume in which the vapor deposition particle 310 scatters can be enlarged. Therefore, it is possible to suppress a rapid pressure increase between the vapor deposition source 30 and the limiting plate 22 and within the limiting plate opening 23 due to a narrow space between the vapor deposition source 30 and the vapor deposition mask 10. Further, by reducing the volume of the limiting plate 22, it is possible to reduce the weight of the limiting plate unit 20, and to reduce the load resistance of the holding member that holds the limiting plate unit 20. It may work to your advantage.
  • the limiting plate 22 since the limiting plate 22 includes the flange portion 26, the vapor deposition material peeled off from the blocking wall portion 25 can be received by the flange portion 26, so that the peeled vapor deposition material falls onto the vapor deposition source 30. There is also an advantage that can be prevented.
  • the blocking wall portion 25 is a plane substantially parallel to the Z-axis direction, but is not limited thereto, and has an arbitrary shape such as a plane inclined with respect to the Z-axis direction or a curved surface. It may be.
  • the blocking wall portion 25 is a thin plate having a substantially constant thickness, but is not limited thereto, and may have, for example, a substantially wedge-shaped cross section that becomes thinner toward the tip side.
  • the vapor deposition apparatus 1 includes at least a first direction (one side of the film formation region 202) in the film formation region 202 of the film formation substrate 200 having at least one film formation region 202.
  • a vapor deposition source 30 having a plurality of vapor deposition source openings 31 for injecting vapor deposition particles 310, the vapor deposition source 30 for depositing a plurality of vapor deposition films 300 arranged in a predetermined pattern in the direction along the X axis direction), and Opposite to the film-forming region 202, it has a mask opening region 11 composed of a plurality of mask openings 12 arranged at least in the first direction according to the pattern of the vapor deposition film 300, and the mask openings 12 are respectively in order.
  • a plurality of limiting plates 22 arranged at least apart from each other in the first direction.
  • the limiting plate opening 23 formed between the limiting plates 22 adjacent to each other in a cross section parallel to the first direction of the limiting plate unit 20 is paired with the film forming region 202.
  • the width of the film-forming region 202 in the first direction is Wp
  • the first of the limiting plate opening 23 on the surface of the limiting plate unit 20 facing the vapor deposition source 30 is Wp.
  • the width in the direction is Wr
  • the distance from the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 to the facing surface 22a of the limiting plate 22 facing the deposition source 30 is Db
  • the first direction of the deposition mask 10 is defined as Db.
  • the vapor deposition apparatus 1 has a predetermined pattern of vapor deposition arranged in the first direction at least in the film formation region 202 of the film formation substrate 200 having at least one film formation region 202.
  • a deposition mask 10 having a plurality of mask openings 12 arranged in at least the first direction, each of the mask openings 12 having a forward tapered cross-sectional shape, the deposition source 30, and the A limiting plate unit 20 having a plurality of limiting plates 22 arranged at least apart from each other in the first direction is provided between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit.
  • the restriction plate opening 23 formed between the restriction plates 22 adjacent to each other faces the film formation region 202 on a one-to-one basis.
  • the vapor deposition particles 310 that fly at an angle smaller than the inclination angle (shadow critical angle ⁇ ) of the opening wall 12a of the mask opening 12 in the cross section parallel to the first direction of the vapor deposition mask 10 enter the mask opening 12. Prevent incidence.
  • the incident angle to the limiting plate opening 23 is smaller than the inclination angle of the opening wall 12 a of the mask opening 12 in the cross section parallel to the first direction of the vapor deposition mask 10. All entering the film formation region 202 is blocked. Therefore, all of the vapor deposition particles 310 that reach the mask opening 12 by the limiting plate unit 20 have a shadow critical angle, and the opening wall 12a of the mask opening 12 in the cross section parallel to the first direction of the vapor deposition mask 10. It is limited to vapor deposition particles 310 having an incident angle equal to or greater than the tilt angle. For this reason, accurate patterning vapor deposition without shadow becomes possible.
  • the vapor deposition source opening 31 is formed such that a plurality of the vapor deposition source openings 31 are opposed to one film formation region 202. It is desirable.
  • a vapor deposition rate can be improved significantly and mass productivity is aimed at.
  • the vapor deposition source can be easily designed.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to the aspect 3 of the present invention is the vapor deposition apparatus 1 according to the aspect 1 or 2, wherein the film formation region 202 is provided in plural in at least the first direction with the non-film formation region 204 interposed therebetween.
  • vapor deposition that reaches the position closest to the adjacent film formation region 202 in the film formation substrate 200 from the reference position when the lower end of the opening of the limiting plate 22 is the reference position in plan view.
  • the distance to the particle position is shorter than the distance from the reference position to the position of the end of the adjacent film formation region 202.
  • the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source opening 31 associated with the film formation region 202 and the restriction plate opening 23 are caused to flow into the restriction plate opening associated with the vapor deposition source opening 31.
  • the film formation region 202 adjacent to the film formation region 202 associated with the vapor deposition source opening 31 from being entered.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to the fourth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 1 according to any one of the first to third aspects, wherein a plurality of the film formation regions 202 are provided in at least the first direction.
  • the width in the first direction of the deposition source opening 31 formation region (deposition source opening formation region 32) associated with each film formation region 202 is We, the following equation (4) We ⁇ 2 ⁇ (Wp + S) (4) It is desirable to satisfy
  • the vapor deposition source opening forming regions 32 adjacent to each other do not completely overlap.
  • the deposition source opening 31 is arranged only in a region where the deposition source opening formation region 32 does not overlap with the deposition target region 202.
  • the vapor deposition source opening formation region 32 can be made to correspond one-to-one. Therefore, according to the above configuration, it is possible to limit the vapor deposition particles 310 incident on one film formation region 202 to those from the vapor deposition source opening 31 in the specific vapor deposition source opening formation region 32 facing each other. Become.
  • the vapor deposition apparatus 1 concerning aspect 5 of this invention is the following formula (5) in aspect 4 above.
  • each vapor deposition source opening formation region 32 adjacent to each other do not overlap each other, and each vapor deposition source opening formation region 32 can be formed as a completely independent region.
  • the vapor deposition apparatus 1 is the vapor deposition device 1 according to any one of the first to fifth aspects, wherein the vapor deposition is emitted from the vapor deposition source opening 31 provided in a region facing the restriction plate opening 23 in the vapor deposition source 30. It is desirable that the vapor deposition rate of the particles 310 is lower than the vapor deposition rate of the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source opening 31 provided in a region other than the region facing the restriction plate opening 23.
  • the film thickness distribution of the deposited film 300 in each film formation region 202 can be made uniform.
  • the limiting plate 22 has a forward tapered cross-sectional shape.
  • the limiting plate unit 20 When the limiting plate 22 has a reverse tapered cross-sectional shape, the limiting plate unit 20 does not satisfy the above formulas (1) and (2). On the other hand, when the limiting plate 22 has a forward tapered cross-sectional shape, the limiting plate unit 20 that satisfies the above equations (1) and (2) can be formed.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to Aspect 8 of the present invention is the vapor deposition apparatus 1 according to any one of the Aspects 1 to 6, wherein the limiting plate 22 has a T-shaped cross-sectional shape and includes a blocking wall portion 25 made of a plate-like member, It is desirable to provide a flange portion 26 made of a plate-like member provided on the bottom surface of the blocking wall portion 25 so as to project in a bowl shape toward the restriction plate 22 adjacent to the restriction plate 22.
  • the volume of the limiting plate 22 can be reduced, the space volume in which the vapor deposition particles 310 are scattered can be increased. For this reason, suppression of a rapid pressure rise between the vapor deposition source 30 and the limiting plate 22 and in the limiting plate opening 23 can be achieved, and the weight of the limiting plate unit 20 can be reduced. Further, since the restriction plate 22 includes the flange portion 26, it is possible to prevent the vapor deposition material peeled off from the blocking wall portion 25 from falling on the vapor deposition source 30.
  • the vapor deposition apparatus 1 according to Aspect 9 of the present invention is the vapor deposition apparatus 1 according to any one of the Aspects 1 to 8, wherein the film formation region 202 includes the first direction (X-axis direction) and the second direction orthogonal to the first direction.
  • a plurality of deposition masks 10 are provided in each direction (Y-axis direction) with the non-deposition region 204 interposed therebetween, and the deposition mask 10 has a size that covers the plurality of deposition regions 202 in the deposition substrate 200.
  • the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 are fixed relative to each other, and the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 are fixed relative to each other.
  • the width of the limiting plate 22 in the second direction is smaller than the width of the deposition target substrate 200 and the deposition mask 10 in the second direction, and the deposition target substrate 200 and the deposition mask 10 Limit plate unit 0 and the vapor deposition source 30, and a moving device (at least one of the substrate moving device 5 and the vapor deposition unit moving device 6) that relatively moves at least one of the second direction and the scanning direction. It is desirable that the vapor deposition particles 310 emitted from the vapor deposition source 30 are vapor-deposited on the deposition target substrate 200 via the limiting plate unit 20 and the vapor deposition mask 10 while scanning along the scanning direction.
  • the vapor deposition method according to the tenth aspect of the present invention uses the vapor deposition apparatus 1 according to any one of the first to ninth aspects to form the film formation region of the film formation substrate 200 having at least one film formation region 202.
  • a plurality of vapor deposition films 300 having a predetermined pattern arranged at least in the first direction are formed in 202.
  • the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention can be suitably used for the production of various devices using vapor deposition, including the production of EL display devices such as organic EL display devices and inorganic EL display devices.

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Abstract

蒸着装置(1)は、蒸着源(30)と、複数のマスク開口(12)を有する蒸着マスク(10)と、複数の制限板(22)を有する制限板ユニット(20)とを備え、制限板ユニットは、X軸方向に平行な断面において、制限板間の制限板開口(23)が被成膜基板(200)の被成膜領域(202)に一対一で対向するとともに、入射角がシャドウ臨界角よりも小さい蒸着粒子(310)のマスク開口への入射を防止する。

Description

蒸着装置および蒸着方法
 本発明は、少なくとも1つの被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置および蒸着方法に関する。
 近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
 そのような状況下、有機材料または無機材料の電界発光(Electro luminescence;以下、「EL」と記す)を利用したEL素子を備えたEL表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
 EL表示装置は、フルカラー表示を実現するために、画素を構成する複数のサブ画素に対応して、所望の色の光を出射する発光層を備えている。
 発光層は、蒸着工程において、蒸着マスクとして高精度な開口部が設けられたファインメタルマスク(FMM)を用いて、被成膜基板上の各領域に互いに異なる蒸着粒子を蒸着し分けることによって蒸着膜として形成される。
 このとき、量産プロセスでは、被成膜基板に、該被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを密着させて蒸着を行う方法が一般的に用いられている。
 しかしながら、近年、生産性向上の観点から、被成膜基板の大型化が進んでいる。大型の被成膜基板を使用した場合、該被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを被成膜基板に均一に密着させることは困難である。
 そこで、大型の被成膜基板の蒸着領域を複数の区画に分割し、被成膜基板よりも小さな蒸着マスクを使用し、被成膜基板を移動させて蒸着を行う方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
日本国公開特許公報「特開2013-55039号公報(2013年3月21日公開)」 日本国公開特許公報「特開2006-152441号公報(2006年6月15日公開)」
 しかしながら、蒸着マスクのマスク開口は、一般的にはエッチングやレーザによって形成され、そのために、特有の断面形状を有している。なお、特許文献1もまた、蒸着マスクに、エッチングによってマスク開口としてスリットを形成している。
 このようなマスク開口に蒸着粒子を入射させ、蒸着膜パターンを形成する場合、蒸着マスクの開口位置および開口形状によっては、蒸着膜が正しくパターン形成されない。
 ここで問題となるのが、マスク開口に対して斜めから入射する蒸着粒子の存在である。このような蒸着粒子は、入射角によっては、マスク開口を通して被成膜基板に到達できない。これは、一般的にはシャドウと称され、マスク開口の中心から端にかけて徐々に膜厚が薄くなり、ボヤケを生じたり、画素の一部が欠けたりするという問題点がある。
 一般的な蒸着装置では、マスク開口に斜めから入射する蒸着粒子が存在するため、シャドウが発生してしまい、パターニング不良が発生してしまう。このため、プロセスや装置に著しい制限が課せられる。
 特許文献1は、被成膜基板に到達する蒸着粒子の方向を制限するものではなく、結局は、マスク開口に浅い角度から浸入する蒸着粒子が存在する。しかしながら、これでは、シャドウが発生してしまい、正確なパターニングが実現できない。特に、量産装置では、スループットを高めるため、蒸着源としてラインソースを用いることが望ましいが、その場合、特に顕著にシャドウが発生してしまう。
 本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、シャドウによるボヤケや画素の欠けが生じない蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、少なくとも1つの被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、少なくとも第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、上記被成膜領域に対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて少なくとも上記第1方向に配列された複数のマスク開口からなるマスク開口領域を有し、上記マスク開口がそれぞれ順テーパ状の断面形状を有する蒸着マスクと、上記蒸着源と上記蒸着マスクとの間に、少なくとも上記第1方向に互いに離間して配置された複数の制限板を有する制限板ユニットとを備え、上記制限板ユニットの上記第1方向に平行な断面において、互いに隣り合う上記制限板間に形成される制限板開口が上記被成膜領域に一対一で対向するとともに、上記被成膜領域の上記第1方向の幅をWpとし、上記制限板ユニットにおける上記蒸着源との対向面側の表面における上記制限板開口の上記第1方向の幅をWrとし、上記被成膜基板の被成膜面から上記制限板における上記蒸着源との対向面までの距離をDbとし、上記蒸着マスクの上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口の開口壁の傾斜角をαとすると、上記制限板ユニットは、上記制限板開口の中心軸と上記被成膜領域の中心軸とが一致するとともに、次式(1)
 Wr≦2/tanα×Db-Wp   ‥(1)
を満足する。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着方法は、本発明の一態様にかかる上記蒸着装置を用いて、少なくとも1つの被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、少なくとも第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する方法である。
 本発明の一態様によれば、シャドウによるボヤケや画素の欠けが生じない蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の要部の概略構成の一例を示す断面図である。 (a)・(b)は、マスク開口への蒸着粒子の入射角と蒸着膜のパターンとの関係を示す断面図である。 本発明の実施形態2にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態3にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態3にかかる蒸着装置の他の構成を示す断面図である。 本発明の実施形態4にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。
 以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
 〔実施形態1〕
 図1は、本実施形態にかかる蒸着装置1の基本構成を示す断面図である。また、図2は、本実施形態にかかる蒸着装置1の基本構成を示す斜視図である。図3は、本実施形態にかかる蒸着装置1の要部の概略構成の一例を示す断面図である。
 本実施形態にかかる蒸着装置1および蒸着方法は、特に有機EL表示装置等のEL表示装置における、EL素子を構成する発光層等のEL層の蒸着に有用である。
 以下では、一例として、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の有機EL素子が、サブ画素として基板上に配列形成されたRGBフルカラー表示の有機EL表示装置の製造に本実施形態にかかる蒸着装置1および蒸着方法を適用し、RGB塗り分け方式にて有機EL素子の発光層を成膜する場合を例に挙げて説明する。
 すなわち、以下では、上記蒸着装置1によって成膜される蒸着膜300が、有機EL表示装置における、R、G、Bの各色の発光層である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、本実施形態にかかる蒸着装置1および蒸着方法は、有機EL表示装置および無機EL表示装置の製造をはじめとする、気相成長技術を用いたデバイスの製造全般に適用可能である。
 なお、本実施形態では、図1に示すように、有機EL表示装置における、R、G、Bの各色の発光層を構成する蒸着膜300を、順に、蒸着膜300R、蒸着膜300G、蒸着膜300Bとして記載する。しかしながら、これら各色の蒸着膜300R・300G・300Bを特に区別する必要がない場合、これら蒸着膜300R・300G・300Bを総称して単に蒸着膜300と記す。 
 また、以下では、被成膜基板200の走査方向(走査軸)に沿った水平方向軸をY軸とし、被成膜基板200の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をX軸とし、被成膜基板200の被成膜面201の法線方向であり、X軸およびY軸に垂直な垂直方向軸(上下方向軸)をZ軸として説明する。また、X軸方向を行方向(第1方向)、Y軸方向を列方向(第2方向)とする。また、説明の便宜上、特に言及しない限り、図1中、Z軸の上向きの矢印の側を上(側)として説明する。
 <蒸着装置1の概略構成>
 蒸着装置1は、図1および図3に示すように、被成膜基板200の被成膜面201における被成膜領域202(蒸着膜パターニング領域)に蒸着膜300を成膜するための装置である。
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、必須構成として、蒸着マスク10、制限板ユニット20、蒸着源30を備えている。
 制限板ユニット20と蒸着源30とは、その位置関係を固定されることによりユニット化されている。なお、制限板ユニット20と蒸着源30とは、例えば、剛直な部材でお互いに固定されていてもよく、独立した構成を有し、制御動作が1つのユニットとして動作するものであっても構わない。制限板ユニット20と蒸着源30とが、1つのユニットとして、図2に示すように走査方向に沿って移動することにより、最終的に、被成膜基板200における全被成膜領域202に蒸着膜300が成膜される。
 以下では、一例として、制限板ユニット20と蒸着源30とが、図3に示すように同一のホルダ41(制限板保持部材)によって保持されることで、蒸着ユニット40としてユニット化されている場合を例に挙げて説明する。
 一例として、本実施形態にかかる蒸着装置1は、成膜チャンバ2、マスクホルダ3、マグネットプレート4、基板移動装置5、蒸着マスク10、蒸着ユニット40、蒸着ユニット移動装置6、および、図示しない防着板、シャッタ、制御装置等を備えている。
 (成膜チャンバ2)
 成膜チャンバ2には、蒸着時に該成膜チャンバ2内を真空状態に保つために、該成膜チャンバ2に設けられた図示しない排気口を介して成膜チャンバ2内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。真空ポンプは、成膜チャンバ2の外部に設けられている。また、蒸着装置1の動作を制御する制御装置も成膜チャンバ2の外部に設けられている。なお、マスクホルダ3、マグネットプレート4、基板移動装置5、蒸着マスク10、蒸着ユニット40、蒸着ユニット移動装置6、および、図示しない防着板やシャッタは、成膜チャンバ2内に設けられている。
 (マスクホルダ3)
 本実施形態にかかるマスクホルダ3は、基板保持部材兼マスク保持部材であり、マスク保持部材と基板保持部材とを兼ねている。
 図3に示すマスクホルダ3は、例えば蒸着マスク10を搭載するマスク架台3aを備え、該マスク架台3aに蒸着マスク10および被成膜基板200を搭載することで、蒸着マスク10と被成膜基板200とを互いに接触(密着)させた状態で保持する。
 本実施形態では、被成膜基板200と蒸着マスク10とは、蒸着前にアライメントされ、接触、もしくは十分に近接して配置される。
 なお、被成膜基板200と蒸着マスク10とを非接触状態で配置する場合、マスクホルダ3としては、蒸着マスク10を搭載することができればよい。この場合、蒸着装置1は、マスクホルダ3とは別に、基板保持部材として、図示しない基板ホルダを備えていてもよい。
 被成膜基板200と蒸着マスク10とを非接触状態で配置する場合、基板ホルダとしては、被成膜基板200の被成膜面201が蒸着マスク10に一定距離離間して対向配置するように被成膜基板200を保持する基板保持部材が使用される。このような基板ホルダとしては、例えば静電チャック等の基板吸着装置が好適に使用される。被成膜基板200が静電チャックにより吸着・保持されていることで、被成膜基板200は、自重による撓みがない状態で基板ホルダに固定される。
 なお、マスクホルダ3の下方には、蒸着マスク10や、被成膜基板200等に不要な蒸着粒子310が付着することを防止する、図示しない防着板(遮蔽板)やシャッタ等が取り付けられていてもよい。
 (マグネットプレート4)
 被成膜基板200と蒸着マスク10とを互いに接触させた状態で配置する場合であって蒸着マスク10に金属層を有するマスクを用いる場合、蒸着装置1は、図3に示すように、磁気吸着部材としてマグネットプレート4を備えていてもよい。
 このように被成膜基板200を挟んで蒸着マスク10に対向してマグネットプレート4を配置することによって、金属層に磁力が作用し、蒸着マスク10を吸着することによって、蒸着マスク10と被成膜基板200との密着性を向上させることができる。
 (基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6)
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、例えば、基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6のうち少なくとも一方を備えている。これにより、本実施形態では、基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6の少なくとも一方により、被成膜基板200と、蒸着ユニット40とを、Y軸方向が走査方向となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。
 前述したように、図2では、一例として、制限板ユニット20と蒸着源30とを、1つのユニットとして走査方向に沿って移動させる場合を示している。
 基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6としては、特に限定されるものではなく、例えばローラ式の移動装置や油圧式の移動装置等、公知の各種移動装置を使用することができる。
 但し、被成膜基板200および蒸着ユニット40は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。したがって、基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6は、何れか一方のみが設けられていてもよく、被成膜基板200および蒸着ユニット40の一方は、成膜チャンバ2の内壁に固定されていても構わない。
 (蒸着マスク10)
 図2に示すように、被成膜基板200の被成膜面201には、蒸着膜パターニング領域として、区画された複数の被成膜領域202が設けられている。各被成膜領域202は、マトリクス状に配置されており、各被成膜領域202を囲むように非成膜領域204が設けられている。
 図2に示す例では、被成膜基板200に、矩形状の被成膜領域202が、4行×4列の計8個設けられている。
 蒸着マスク10は、被成膜基板200の各被成膜領域202全体を覆う大きさを有している。このため、蒸着マスク10は、図2に示すように、例えば、平面視で、被成膜基板200と同じ大きさを有している。なお、平面視とは、「蒸着マスク10の主面に垂直な方向(つまり、Z軸に平行な方向)から見たとき」を示す。
 なお、蒸着マスク10は、そのまま使用してもよく、自重撓みを抑制するために、張力をかけた状態で図示しないマスクフレームに固定されていてもよい。マスクフレームは、平面視で、その外形が、蒸着マスク10と同じか、もしくは一回り大きな矩形状に形成される。
 蒸着マスク10は、その主面であるマスク面が被成膜基板200の被成膜面201同様XY平面に平行な板状物であり、蒸着マスク10と被成膜基板200とは、互いに相対的な位置が固定されている。
 なお、蒸着マスク10は、被成膜基板200の被成膜面201に密着して配置されていることが望ましいが、十分に近接して配置されていれば、密着していなくても構わない。
 すなわち、蒸着マスク10は、被成膜基板200の被成膜面201に接触して対向配置され、蒸着マスク10は、被成膜基板200の被成膜面201に密着して配置されていることが望ましいが、十分に近接して配置されていれば、被成膜面201に部分的に接触していてもよく、その全体が被成膜面201に接触していなくても構わない。
 図示はしていないが、本実施形態では、各被成膜領域202には、有機EL表示装置の駆動回路と、有機EL素子における、発光層を挟む一対の電極のうち一方の電極が、あらかじめ形成されている。
 なお、本実施形態では、説明の便宜上、有機EL素子が、一対の電極間に有機EL層として発光層が設けられている場合を例に挙げて説明するが、有機EL層は、発光層以外の有機層を含んでいてもよい。したがって、上記一方の電極を形成後、本実施形態にかかる蒸着装置1および蒸着方法を用いて、蒸着膜300として、発光層以外の有機層を形成してもよく、上記一方の電極および上記発光層以外の有機層が形成された被成膜基板200の各被成膜領域202に、蒸着膜300として発光層を形成してもよい。
 各被成膜領域202内には、R、G、Bの各色の有機EL素子からなる各色のサブ画素が設けられ、各サブ画素には、蒸着膜300として、有機EL素子の発光層として用いられる、R、G、Bの各色の蒸着膜300R・300G・300Bからなる微細な蒸着膜パターンが形成される。
 したがって、各被成膜領域202内には、図1に示すように、各サブ画素に対応して、上記各色の蒸着膜300R・300G・300Bのパターンを形成する被成膜パターン領域203R・203G・203Bが設けられている。被成膜パターン領域203Rには、赤色の蒸着膜300Rが成膜され、被成膜パターン領域203Gには、緑色の蒸着膜300Gが成膜され、被成膜パターン領域203Bには、青色の蒸着膜300Bが成膜される。なお、以下、これら被成膜パターン領域203R・203G・203Bを特に区別する必要がない場合、これら被成膜パターン領域203R・203G・203Bを総称して単に被成膜パターン領域203と記す。
 このため、蒸着マスク10の主面には、図1および図2に示すように、蒸着膜300R・300G・300Bの各パターンに対応したマスク開口12群で構成されるマスク開口領域11が、複数設けられている。
 すなわち、図2に示すように、蒸着マスク10は、被成膜基板200に対向させたときに該被成膜基板200の被成膜領域202に対向する、複数のマスク開口領域11を備えている。マスク開口領域11の内部には、マスク開口12として、蒸着時に蒸着粒子310(蒸着材料)を通過させるための通過部として機能する複数の開口部(貫通口)が設けられている。なお、蒸着マスク10におけるマスク開口12以外の領域は、非開口部13であり、蒸着時に蒸着粒子310の流れを遮断する遮断部として機能する。
 各マスク開口12は、被成膜基板200における、目的とする被成膜パターン領域203(つまり、使用する蒸着マスク10による成膜対象の色の被成膜パターン領域203)以外の領域に蒸着粒子310が付着しないように、使用する蒸着マスク10によって成膜される蒸着膜300のパターンに対応して設けられている。
 蒸着材料が上述したように有機EL表示装置における発光層の材料である場合、有機EL蒸着プロセスにおける発光層の蒸着は、発光層の色毎に行われる。
 赤色の発光層である蒸着膜300Rの成膜には、赤色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。また、緑色の発光層である蒸着膜300Gの成膜には、緑色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。同様に、青色の発光層である蒸着膜300Bの成膜には、青色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。
 各マスク開口12を通過した蒸着粒子310のみが被成膜基板200に到達し、被成膜基板200に、各マスク開口12に応じたパターンの蒸着膜300が形成される。
 図2に示す例では、各マスク開口領域11には、列方向に伸びる細長いスリット形状のマスク開口12が行方向に複数並んで設けられている。しかしながら、マスク開口12は例えばスロット状であってもよく、マスク開口12およびマスク開口領域11の平面視における形状および数は、図2に示す例に限定されない。なお、マスク開口12の断面形状については、後で説明する。
 本実施形態では、蒸着マスク10に、ファインメタルマスク(FMM)を用いた。蒸着マスク10は、一般的には熱膨張係数の低いインバー(鉄-ニッケル合金)等で形成され、その厚みは、一般的には、数十~数百μmmである。鉄-ニッケル合金であるインバーは、熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
 但し、蒸着マスク10の材質は、インバー等の金属に限らず、ポリイミド等の有機物(樹脂)や、Al等の酸化物、あるいはセラミックで形成してもよいし、それらの組み合わせでも構わない。
 (蒸着ユニット40)
 上述したように、蒸着ユニット40は、制限板ユニット20と蒸着源30とがユニット化された構成を有している。本実施形態では、制限板ユニット20と蒸着源30とは、図3に示すように同一のホルダ41で保持されることでユニット化されている。このため、本実施形態にかかる蒸着ユニット40は、制限板ユニット20と、蒸着源30と、ホルダ41と、を備えている。
 ホルダ41は、制限板ユニット20と蒸着源30とを、その位置関係を固定した状態で保持する。
 蒸着ユニット40は、蒸着マスク10の直下に、蒸着マスク10とは離間して設けられている。以下に、制限板ユニット20および蒸着源30について、より詳細に説明する。
 (蒸着源30)
 蒸着源30は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源30は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
 蒸着源30は、図2に示すように、例えば矩形状に形成されている。蒸着源30の上面(すなわち、制限板ユニット20との対向面)には、蒸着粒子310を射出させる射出口として、複数の蒸着源開口31(貫通口、ノズル)を有している。これら蒸着源開口31は、X軸方向に一定ピッチでライン状に配されている。
 蒸着源30は、蒸着材料を加熱して蒸発(蒸着材料が液体材料である場合)または昇華(蒸着材料が固体材料である場合)させることで気体状の蒸着粒子310を発生させる。蒸着源30は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子310として、蒸着源開口31から制限板ユニット20に向かって射出する。
 本実施形態では、このように、蒸着源30として、複数の蒸着源開口31を有するライン蒸着源を使用することができ、さらに、蒸着源30を、Y軸方向に移動させることによって、大面積の被成膜基板200に対し、均一な成膜を行うことが可能である。このため、量産時のスループットの低下が発生することがなく、メリットが大きい。
 (制限板ユニット20)
 制限板ユニット20は、蒸着マスク10と蒸着源30との間に、蒸着マスク10および蒸着源30とは離間して配置されている。
 制限板ユニット20は、平面視で、互いに離間し、かつ、X軸方向に互いに平行に配列された複数の制限板22からなる制限板列21を備えている。このため、X軸方向に隣り合う制限板22間には、開口部として、それぞれ、制限板開口23が形成されている。
 なお、本実施形態では、図2に示すように、制限板ユニット20がブロック状のユニットであり、XY平面を主面としX軸方向を長軸とする矩形状の一枚板に、X軸方向に沿って複数の制限板開口23(開口部)が一定ピッチで設けられた構成を有している。これにより、図2に示す制限板ユニット20は、隣り合う制限板開口23間に設けられた制限板22が、X軸方向に沿って一定ピッチで複数配列された構成を有している。
 図2では、上記制限板ユニット20を構成する一枚板における制限板開口23以外の部分(つまり、非開口部)によって、複数の制限板22と、これら制限板22を連結して保持する保持体部24とが、一体的に形成されている。
 但し、本実施形態にかかる制限板ユニット20は、図2に示す構成に限定されるものではなく、制限板開口23を介して配列された制限板22が、これら制限板22を連結して保持する保持体部に、ネジ留めあるいは溶接等により固定された構成を有していてもよい。
 すなわち、各制限板22、並びに、各制限板22と保持体部24とは、それぞれ、図2に示すように一体的に形成されていてもよく、別体として形成されていてもよい。
 各制限板22の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、各制限板22を保持する方法は、上記の方法に限定されない。
 制限板ユニット20の形状は、後述する条件を満足する限り、どのような形状でもよいが、特に、図2に示すようにブロック状であることが望ましい。制限板ユニット20をブロック状に形成することで、制限板ユニット20を、コンパクトに形成することができる。また、制限板ユニット20をブロック状に形成することで、各制限板22の位置合わせや制限板ユニット20の交換作業が容易となる等の利点がある。
 制限板開口23と被成膜領域202とは、一対一の関係を有するように配置されている。
 本実施形態では、制限板ユニット20および蒸着源30に、平面視で、蒸着マスク10および被成膜基板200よりもY軸方向(列方向)のサイズ(幅)が小さな制限板ユニット20および蒸着源30を使用し、蒸着マスク10および被成膜基板200と、制限板ユニット20および蒸着源30(具体的には、蒸着ユニット40)とを相対的に移動させながら、Y軸方向に沿って、1列ずつ蒸着を行う。これにより、被成膜基板200の各被成膜領域202に蒸着膜300が、パターン形成される。
 このため、制限板ユニット20には、被成膜基板200の被成膜領域202に応じた制限板開口23が、1行分(言い換えれば、X軸方向に沿って1列)設けられている。
 制限板開口23のピッチは、マスク開口12のピッチよりも大きく形成されており、平面視で、X軸方向に隣り合う制限板22間には、複数のマスク開口12が配されている。
 また、制限板開口23のピッチは、蒸着源開口31のピッチよりも大きく形成されており、平面視で、X軸方向に隣り合う制限板22間には、複数の制限板開口23が配されている。つまり、制限板ユニット20の一つの制限板開口23に対し、少なくとも2つの蒸着源開口31が対応している。したがって、蒸着源開口31は、制限板開口23と一対一の関係を有していない。このため、本実施形態によれば、蒸着源開口31と制限板開口23とが一対一の関係を有している場合と比較して、大幅な蒸着レートの向上が可能であり、量産性の向上を図ることができるとともに、蒸着源設計の容易さ、といった装置メリットを享受することができる。
 蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310は、図3に示すように、一旦、略等方的に拡がる。なお、図3では、各蒸着源開口31から放出される蒸着粒子310の流れを矢印で概念的に示している。矢印の長さは、蒸着粒子数に対応する。従って、各制限板開口23には、その真下に位置する蒸着源開口31から放出された蒸着粒子310が最も多く飛来するが、これに限定されず、斜め下方に位置する蒸着源開口31から放出された蒸着粒子310も飛来する。
 蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310は、制限板開口23を通過することでマスク開口12への入射角βが制限されて蒸着マスク10に到達する。マスク開口12を通過した蒸着粒子310が被成膜基板200に被着されることで、被成膜基板200上に、蒸着膜300からなる成膜パターンが形成される。
 制限板ユニット20は、各制限板22によって、蒸着マスク10と蒸着源30との間の空間を、制限板開口23からなる複数の蒸着空間に区画する。制限板ユニット20は、前述したように、1つのマスク開口領域11に対し、1つの制限板開口23を有している。
 制限板ユニット20は、各マスク開口領域11におけるマスク開口12に入射する蒸着粒子310の入射角βを、シャドウが発生しない臨界角であるシャドウ臨界角α以上の角度に制限する。なお、図1、図3、図4の(a)・(b)に示す一点鎖線L1は、各被成膜領域202に対するシャドウ臨界角αを示す模式線である。
 <シャドウ臨界角>
 ここで、シャドウ臨界角について、図1および図4の(a)・(b)を参照して説明する。
 図4の(a)・(b)は、マスク開口12への蒸着粒子310の入射角βと蒸着膜300のパターンとの関係を示す断面図である。なお、図4の(a)は、マスク開口12への蒸着粒子310の入射角βがシャドウ臨界角α以上(β≧α)である場合を示し、図4の(b)は、マスク開口12への入射角βがシャドウ臨界角αよりも小さい(β<αの)蒸着粒子310を含む場合を示す。
 蒸着マスクのマスク開口は、一般的には、エッチングやレーザによって開口される。本実施形態でも、蒸着マスク10のマスク開口12の形成には、例えば、ウェットエッチング等のエッチングやレーザ等を使用する。
 このため、蒸着マスク10は、図1および図4の(a)・(b)に示すように、マスク開口12が、テーパ状の断面形状を有することになる。
 蒸着マスク10は、図1および図4の(a)・(b)に示すように、制限板ユニット20との対向面14を基準として、マスク開口12の断面形状が順テーパ状になるように配置される。言い換えれば、蒸着マスク10は、マスク開口12における互いに対向する開口壁12a(内壁)が、蒸着マスク10における被成膜基板200との対向面15側ほどマスク開口12の開口面積が小さくなるように傾斜した状態に配置される。
 これは、蒸着マスク10が、制限板ユニット20との対向面14を基準として、蒸着マスク10における、各マスク開口領域11における非開口部13の開口壁12aが逆テーパ状になるように配置されることに等しい。なお、ここで、逆テーパ状とは、蒸着マスク10の断面において上記対向面14と、各マスク開口領域11における非開口部13の開口壁12aとがなす傾斜角が、90°を越える状態を言う。
 シャドウは、マスク開口12の開口形状に依存する。図4の(a)に示すように、マスク開口12が順テーパ形状を有している場合、シャドウ臨界角αは、蒸着マスク10のX軸方向に平行な断面においてマスク開口12の開口壁12aと、蒸着マスク10の制限板ユニット20との対向面14側のマスク開口12の表面とがなす角度となる。つまり、上記断面におけるマスク開口12の開口壁12aの傾斜角が、そのままシャドウ臨界角αとなる。
 マスク開口12が順テーパ形状を有している場合、図4の(b)に示すように、マスク開口12に対して斜めから入射する蒸着粒子310のうち、マスク開口12への入射角βがシャドウ臨界角αよりも小さい蒸着粒子310は、マスク開口12を通して被成膜基板200に到達できない。このような蒸着粒子310は、図4の(b)に示すように、マスク開口12の中心から端にかけて徐々に膜厚が薄くなり、ボヤケを生じたり、画素の一部が欠けたりする、いわゆるシャドウを引き起こす。
 <制限板ユニット20によるマスク開口12への蒸着粒子310の入射角制限>
 そこで、本実施形態では、図1および図4の(a)に示すように、制限板開口23への入射角βがシャドウ臨界角αよりも小さい蒸着粒子310のマスク開口12への入射を阻止するために、制限板開口23に入射した蒸着粒子310を、その入射角βに応じて選択的に遮る(捕捉する)。これにより、シャドウのない正確なパターニング蒸着を実現する。
 つまり、シャドウ臨界角α以上の角度でしか蒸着粒子310がマスク開口12に入射しない場合、シャドウは発生せず、上述したようなパターニング不良は発生しない。
 このため、本実施形態では、制限板22を、各マスク開口領域11におけるマスク開口12に入射する蒸着粒子310の入射角βが、マスク開口12における開口壁12aの傾斜角以上の角度に制限されるように配置する。
 このために、本実施形態では、各被成膜領域202のX軸方向の幅をWpとし、制限板ユニット20における蒸着源30との対向面22a側の表面における制限板開口23のX軸方向の幅をWrとし、被成膜基板200における被成膜面201から制限板22における蒸着源30との対向面22aまでの距離をDbとすると、各制限板開口23の中心軸と各被成膜領域202の中心軸とが一致するとともに、次式(1)
 Wr≦2/tanα×Db-Wp   ‥(1)
を満足するように制限板22を配置する。
 つまり、上述したように、各被成膜領域202に進入する蒸着粒子310の入射角βは、シャドウ臨界角α(言い換えれば、蒸着マスク10のX軸方向に平行な断面におけるマスク開口12の開口壁12aの傾斜角)以上である必要がある。
 ここで、各被成膜領域202に進入する蒸着粒子310の入射角βが最小となる場合は、上記断面において、蒸着粒子310が、制限板22の下端をかすめるように制限板開口23に入射し、対向する被成膜領域202に到達する場合(つまり、図1中、一点鎖線L1上を通って蒸着粒子310が被成膜領域202に到達する場合)である。
 したがって、図1中、一点鎖線L1上を通って被成膜領域202に到達する蒸着粒子310(入射粒子)の入射角βは、α以上である必要がある。
 したがって、図1に示すように、一点鎖線L1上を通って被成膜領域202に到達する上記経路をたどる蒸着粒子310(入射粒子)の入射角βをβ’とすると、
 Wr/2×tanβ’+Wp/2×tanβ’=Db
となり、これを解くと、
 tanβ’=2×Db/(Wr+Wp)
となる。
 上述したように、β’≧αであるので、tanβ’≧tanαである。
 したがって、2×Db/(Wr+Wp)≧tanαとなるため、これを解くと、上記式(1)が得られる。
 なお、本実施形態において、制限板22の高さ(Z軸方向の厚み、言い換えれば、制限板開口23のZ軸方向の開口長)および幅(X軸方向の厚み)、並びに、制限板ユニット20における蒸着源30との対向面22aおよび蒸着マスク10との対向面22bにおける制限板開口23のX軸方向の開口幅等は、上記条件を満足するように適宜設定すればよく、特に限定されない。
 本実施形態によれば、このように、制限板ユニット20が、各被成膜領域202にそれぞれ対向して各被成膜領域202と対をなすとともに、各被成膜領域202の中心軸と一致する中心軸を有する制限板開口23を有し、かつ、上記式(1)を満足するように設計・配置されることで、制限板開口23への入射角βがシャドウ臨界角αよりも小さい蒸着粒子310がマスク開口12に入射することを防止することができる。
 また、このとき、後述する例に示す蒸着粒子314のように、被成膜領域202および制限板開口23に対応付けられた蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310が、該蒸着源開口31に対応付けられた制限板開口23を越えて、該蒸着源開口31に対応付けられた被成膜領域202に隣り合う被成膜領域202(以下、隣接被成膜領域202と記す)に進入することを防止するためには、隣り合う被成膜領域202間の非成膜領域204のX軸方向の幅をSとし、各制限板開口23においてX軸方向に互いに対向する制限板22(開口壁12a)のうち一方の制限板22の下端(開口壁下端)と他方の制限板22の上端(開口壁上端)とを結ぶ線L2(図1、図6、図7中、太い一点鎖線で示す)の傾斜角(すなわち、上記線L2と水平面とでなす角度)をθとすると、次式(2)
 (Db/tanθ)<(Wr+Wp)/2+S   ‥(2)
を満足するように制限板22を配置すればよい。
 つまり、上記線L2で示すように、ある特定の制限板22の開口下端を通り、制限板開口23を挟んで上記制限板22に隣り合う制限板22の開口上端をかすめるように通過する蒸着粒子310が、被成膜基板200における隣接被成膜領域202に最も近い位置に到達する蒸着粒子である。
 したがって、平面視で、上記制限板22の開口下端を基準位置とすると、被成膜基板200上に到達する蒸着粒子310の位置は、上記制限板22の開口下端から(Db/tanθ)だけ、上記隣接被成膜領域202に近づいた位置となる。
 また、同様に、平面視で、上記制限板22の開口下端を基準位置とすると、隣接被成膜領域202の端部の位置は、Wr/2+Wp/2+Sとなる。
 したがって、上記式(2)を満足することで、上記式(2)の左辺(つまり、上記平面視で、上記制限板22の開口下端を基準位置としたときに、上記基準位置から、被成膜基板200における隣接被成膜領域202に最も近い位置に到達する蒸着粒子の位置までの距離)が、上記式(2)の右辺(つまり、上記基準位置から、上記隣接被成膜領域202の端部の位置までの距離)よりも短くなる。
 なお、上記式(2)は、シャドウ臨界角αよりも入射角βが小さい蒸着粒子310のマスク開口12への入射を防止する観点からは、必須要件ではない。上記隣接被成膜領域202に進入する経路は低い角度となり、シャドウ臨界角αを下回る。
 以下、図1に示すように、蒸着粒子310として、β1~β4で示す、制限板開口23への入射角βが異なる蒸着粒子311~314を例に挙げて、本実施形態にかかる蒸着装置1の効果を説明する。
 例えば、蒸着粒子311の場合、その制限板開口23への入射角β1はシャドウ臨界角α以上であり、問題なく被成膜領域202内に到達する。
 また、蒸着粒子312の場合、制限板22における蒸着源30との対向面22a側の角部直近を通過するが、その制限板開口23への入射角β2はシャドウ臨界角α以上であり、やはり被成膜領域202内に到達する。
 また、蒸着粒子313の場合、その制限板開口23への入射角β3はシャドウ臨界角αよりも小さい角度であり、制限板開口23を通過するものの、被成膜領域202からは外れてしまう。したがって、蒸着粒子313は、マスク開口12に入射せず、考慮すべき被成膜領域202内でシャドウが発生する要因にはならない。
 また、蒸着粒子314の場合、その制限板開口23への入射角β3は、シャドウ臨界角αよりも小さい角度であり、仮に入射経路(入射方向)をそのまま伸ばした場合、シャドウ臨界角α以上の角度で入射する被成膜領域202に隣り合う被成膜領域202に到達してしまい、シャドウの要因となってしまう。しかしながら、本実施形態では、図1に示すように制限板22によってそれが阻まれており、シャドウの要因となる、蒸着粒子314のような蒸着粒子310が被成膜領域202に到達することはない。
 なお、図1に示す例では、1つの蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310は、平面視で、該蒸着源開口31を挟むように互いに離間して設けられた対の被成膜領域202(すなわち、該蒸着源開口31の直上の被成膜領域202を除く被成膜領域202)のうち、該蒸着源開口31に最も近い対の被成膜領域202に入射するとともに、該蒸着源開口31の直上に被成膜領域202が位置する場合、さらに該蒸着源開口31の直上の被成膜領域202に入射するように設計されている。
 したがって、例えば、蒸着粒子314を射出する蒸着源開口31Aから射出された蒸着粒子310は、その直上の被成膜領域202と、その両隣の被成膜領域202に入射するが、蒸着粒子314で示すように、上記直上の被成膜領域202の両隣の被成膜領域202を間に挟むように上記両隣の被成膜領域202に隣り合う被成膜領域202には到達しない。
 但し、上記例示は、一例であって、1つの蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310が入射する被成膜領域202は、上記式(1)および式(2)を満足する範囲内で、上記式(1)および式(2)における各パラメータや、制限板22の形状、制限板ユニット20と蒸着源30との間の距離等を変更することで、適宜設定・変更することができる。すなわち、被成膜領域202および制限板開口23と蒸着源開口31との対応付けは、適宜設定・変更することができる。
 <効果>
 上述したように、本実施形態によれば、上記制限板22によって、制限板開口23への入射角βがシャドウ臨界角αよりも小さい蒸着粒子310の被成膜領域202への進入は全て阻まれる。したがって、上記制限板ユニット20により、マスク開口12に到達する蒸着粒子310は、全て、シャドウ臨界角α以上の入射角の蒸着粒子310に制限される。このため、シャドウのない正確なパターニング蒸着が可能となる。
 本技術は、特に、大面積で高精細なパターニングに対して有効である。したがって、本技術は、蒸着領域が複数に分割された大型の被成膜基板として、例えば、上述したように被成膜面201に被成膜領域202が複数設けられた被成膜領域202の蒸着に対し、特に有効である。
 図2に示したように、蒸着源30と制限板ユニット20とがその位置関係を固定されてユニットとなっており、該ユニットを前後に移動させて被成膜基板200の蒸着領域全体(つまり、全ての被成膜領域202)に成膜を行うことで、大面積の被成膜基板200においても、シャドウの発生がなく、精度の高いパターニングが実現できるとともに、比較的小さな蒸着源30および制限板ユニット20によっても、大面積で高精細なパターニングが可能となる。このため、量産性を向上させることができる。
 また、従来は、膜厚分布を均一化するためには、マスク開口の大きさを工夫したり、制限板を複数段設けたりせざるを得なかったのに対し、本実施形態によれば、図3に矢印で示すように、例えば蒸着源30から射出される蒸着粒子310の蒸着レートをコントロールするだけで、膜厚分布の均一化が可能である。このため、蒸着装置1は、その設計が容易である。なお、蒸着源30から射出される蒸着粒子310の蒸着レートについては、実施形態2において説明する。
 <変形例>
 (冷却機構28)
 なお、制限板22は、蒸着材料が気体になる蒸着粒子発生温度よりも低い温度であることが望ましく、このため、冷却することがより望ましい。したがって、制限板ユニット20には、図3に二点鎖線で示すように、制限板22を冷却する冷却機構28が設けられていてもよい。これにより、制限板22に衝突した蒸着粒子310を固化して捕捉することができ、蒸着粒子310同士の衝突や散乱を防止することができるとともに、制限板22からの再蒸発を防止することができる。このため、蒸着源30からの蒸着流を確実に制限することができる。
 また、制限板22を冷却することで、蒸着源30から放出される輻射熱を防止することができるため、被成膜基板200や蒸着マスク10の温度上昇を防ぐことができる。このため、被成膜基板200や蒸着マスク10の熱膨張を防止することができるので、高精度を維持できる。また、上記効果により、蒸着源30と被成膜基板200との距離を相対的に接近させることができるので、成膜レートの向上が可能となる。
 (制限板開口23の断面形状)
 なお、図1および図3では、制限板22が、該制限板22における蒸着マスク10との対向面22aの面積が蒸着マスク10との対向面22bの面積よりも大きい順テーパ状(台形状)の断面形状を有し、これにより制限板開口23が逆テーパ状の断面形状を有している場合を例に挙げて図示した。しかしながら、制限板22の形状は、前記した条件を満足していれば、特に限定されるものではない。したがって、制限板22および制限板開口23の断面形状は、矩形状であってもよいし、その他の形状の組み合わせでも構わない。なお、制限板22が逆テーパ状の断面形状を有し、これにより制限板開口23が順テーパ状の断面形状を有する場合、前述した式(1)を満足しない。
 (蒸着源30および制限板ユニット20の配置)
 また、本実施形態では、図2に示すように、例えば、蒸着ユニット40をY軸方向に沿って移動させることでスキャン蒸着を行う場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、蒸着源30および制限板ユニット20のうち少なくとも制限板ユニット20が、平面視で被成膜基板200および蒸着マスク10の全面に対向するように配置されていても構わない。この場合にも、被成膜基板200が大面積の被成膜基板であったとしても、シャドウの発生がなく、精度の高いパターニングが実現できる。
 (被成膜領域202)
 また、本実施形態では、被成膜基板200に被成膜領域202が複数設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、被成膜領域202は、被成膜基板200に少なくとも1つ設けられていればよい。
 したがって、蒸着マスク10には、被成膜領域202に対応して、マスク開口領域11が少なくとも1つ設けられていればよく、制限板ユニット20には、制限板開口23が少なくとも1つ設けられていればよい。
 (用途)
 上述したように、本技術は、特に、有機EL表示装置のEL層等の蒸着に有用であるが、これに限定されるものではなく、有機EL表示装置または無機EL表示装置等のEL表示装置の製造をはじめとする、蒸着を利用した各種デバイスの製造等、蒸着を利用した成膜技術全般に適用が可能である。
 〔実施形態2〕
 本発明の他の実施形態について、主に図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、主に、実施形態1との相違点について説明するものとし、実施形態1で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
 <蒸着装置1>
 本実施形態では、蒸着源30から射出される蒸着粒子310の蒸着レート(成膜レート、成膜速度)について説明する。
 図5は、本実施形態にかかる蒸着装置1の基本構成を示す断面図である。
 図5に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置1の構成は、実施形態1にかかる蒸着装置1と同じである。実施形態1で説明したように、上記蒸着装置1は、例えば蒸着源30から射出される蒸着粒子310の蒸着レートをコントロールするだけで、膜厚分布を均一化することが可能である。
 このため、本実施形態では、蒸着源30から射出される蒸着粒子310の蒸着レートに分布を持たせている。
 各蒸着源開口31から出射された蒸着粒子310の飛散量は、分布を持っており、例えば図3に矢印で示したように、一般的には、蒸着源開口31の直上が極大値を持ち、外側にいくにつれて低下する。
 通常の蒸着においては、単一の蒸着源開口から射出される蒸着粒子は、上記の分布を持っている。しかしながら、一般的な有機EL表示装置の量産型の蒸着装置では、そのような単一の蒸着源開口を多数配置し、多数の蒸着源開口からの分布を意図的に重畳させることにより、結果として被成膜基板上の膜厚分布を均一にするようになっている。
 しかしながら、上記蒸着装置1では、上述したように、1つの被成膜領域202に飛来する蒸着粒子310は制限されており、1つの被成膜領域202に飛来する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31も制限されている。
 このため、蒸着レートのコントロール等を行わない場合、マスク開口12の端部でのボヤケや画素の一部が欠けたりする等の問題は解消されるものの、特に、平面視で、被成膜領域202における、制限板開口23の中心部分に対応する部分に被着する蒸着膜300の膜厚が増加してしまい、各被成膜領域202内の膜厚分布が、均一とならない。
 そこで、本実施形態では、図5に破線Rで示すように、制限板開口23直下の蒸着源開口31から射出される蒸着粒子310の蒸着レートを相対的に低下させることにより、各被成膜領域202内での膜厚分布を均一化する。
 <蒸着レート分布の調整方法>
 蒸着レート分布は、被成膜領域202に対する制限板22の配置状況とその形状、各蒸着源開口31の出射特性によって調整される。
 なお、蒸着レート分布を調整する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、制限板開口23直下とそれ以外の領域とで、蒸着源開口31の配列周期(ノズルの密度)を変更する方法、蒸着源開口31の形状を変更する方法、蒸着源30の温度に分布を設ける方法等が挙げられる。
 例えば、図5では蒸着源開口31が均一に並んでいる場合を例に挙げて図示している。しかしながら、上記蒸着源30における、制限板開口23に対向する領域の蒸着源開口31の配置密度を、それ以外の領域における蒸着源開口31の配置密度よりも疎にすれば、制限板開口23直下における蒸着レートを、それ以外の領域における蒸着レートに対して相対的に低下させることができる。
 なお、例えば、特許文献2には、通常の蒸着において、蒸着膜の膜厚を均一化するために、蒸着源開口の間隔を変化させることが開示されている。
 特許文献2は、制限板ユニット20を使用するものでも、1つの蒸着源開口31から、該蒸着源開口31に対応付けられた複数の被成膜領域202に蒸着粒子310を入射させるものでもないため、特許文献2の蒸着ソースに形成された孔の配置をそのまま本実施形態にかかる蒸着装置1に適用することはできない。しかしながら、本実施形態の場合であれば、例えば蒸着源開口31が同じ間隔で配置されている場合に、各被成膜領域202において蒸着される蒸着膜300が相対的に薄くなる部分に蒸着粒子310を被着させる蒸着源開口31を相対的に多く配置することで、各被成膜領域202における蒸着膜300の薄膜を均一にすることができる。
 また、蒸着源開口31の面積を大きくすれば、蒸着レートを上昇させることができる。このため、制限板開口23直下における蒸着源開口31の開口面積を、それ以外の領域における蒸着源開口31の開口面積よりも相対的に小さくする(言い換えれば、制限板開口23直下以外の領域における蒸着源開口31の開口面積を相対的に大きくする)ことで、上記と同様に、制限板開口23直下における蒸着レートを相対的に低下させることができる。
 また、蒸着レートは、温度が高いほど上昇する傾向がある。このため、制限板開口23に対向する蒸着源開口31の蒸着温度を、制限板22に対向する蒸着源開口31の蒸着温度よりも低くすることで、図5に破線Rで示す蒸着レート分布を踏襲する形で温度分布を設けることによっても、同様の効果が得られる。
 以上のように、本実施形態によれば、所望の蒸着レートが得られるように、蒸着材料等に応じて、蒸着レートをコントロールすることで、膜厚分布を均一化することができる。
 〔実施形態3〕
 本発明の他の実施形態について、主に図6および図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、主に、実施形態1、2との相違点について説明するものとし、実施形態1、2で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
 図6は、本実施形態にかかる蒸着装置1の基本構成を示す断面図である。
 前述したように、実施形態1、2では、1つの蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310は、複数の被成膜領域202に入射する。
 これに対し、本実施形態にかかる蒸着装置1は、図6に、太破線L3で結んで示すように、各被成膜領域202と、各被成膜領域202にそれぞれ対応付けられた蒸着源開口形成領域32とが、一対一で対応する点で、実施形態1、2にかかる蒸着装置1(例えば図1参照)と異なっている。
 なお、ここで、各被成膜領域202にそれぞれ対応付けられた蒸着源開口形成領域32とは、同じマスク開口領域11を通過して各被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31の形成可能領域を示す。
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、制限板22の高さ(Z軸方向の長さ)が、実施形態1よりも大きく形成されており、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310は、対向する特定の蒸着源開口形成領域32からのものに限定される。
 このため、本実施形態では、それぞれの被成膜領域202における蒸着膜300の膜厚および膜厚分布を独立して制御可能であり、制御性と量産性とをともに向上することが期待できる。
 <蒸着源開口形成領域32>
 以下に、蒸着源開口形成領域32の設計条件について説明する。
 各蒸着源開口形成領域32におけるX軸方向の幅をWeとし、各被成膜領域202のX軸方向の幅をWpとし、制限板ユニット20における蒸着源30との対向面22a側の表面における制限板開口23の幅をWrとし、被成膜基板200における被成膜面201から蒸着源30における蒸着源開口31形成面までの距離をDaとし、制限板22における蒸着源30との対向面22aまでの距離をDbとすると、Weは、次式(3)
 We=Da/Db×Wr+(Da/Db-1)×Wp   ‥(3)
で示される。
 ここで、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32の幅Weが大きくなり、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が完全に重なり合ってしまうと、独立した蒸着源開口形成領域32が形成されず、1つの被成膜領域202に入射できる蒸着粒子310が、対向する特定の蒸着源開口形成領域32からのものに限定されない。
 ここで、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が重なり合うとは、ある被成膜領域202を第1被成膜領域とし、該第1被成膜領域に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31を形成することができる蒸着源開口形成領域32を第1蒸着源開口形成領域とし、第1被成膜領域に隣り合う被成膜領域202を第2被成膜領域とし、該第2被成膜領域に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31を形成することができる蒸着源開口形成領域32を第2蒸着源開口形成領域とすると、第1蒸着源開口形成領域と第2蒸着源開口形成領域とが重なることを示す。
 なお、前述したように、蒸着源開口形成領域32は、蒸着源30において、同じマスク開口領域11を通過して各被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31を形成することができる領域であり、実際に蒸着源開口31が形成されている領域を示すものではない。つまり、蒸着源開口形成領域32は、同じ蒸着源開口形成領域32内であれば、どこに蒸着源開口31が形成されていたとしても、同じマスク開口領域11を通過して、該蒸着源開口形成領域32に対応付けられた被成膜領域202に蒸着粒子310が入射する領域である。
 したがって、蒸着源開口形成領域32は、互いに重なっていたとしても、蒸着源開口形成領域32が重なった領域に蒸着源開口31が設けられていなければ、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とが一対一で対応することになる。言い換えれば、蒸着源開口形成領域32が重なっていない領域が一部でも存在すれば、蒸着源開口形成領域32が重ならない領域にのみ蒸着源開口31を配置することで、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とが一対一で対応することになる。
 しかしながら、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が完全に重なってしまうと、上述したように蒸着源開口形成領域32が重ならない領域が全く存在しなくなる。
 したがって、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が完全に重なり合わないためには、Weを、次式(4)
 We<2×(Wp+S)   ‥(4)
を満足するように設定すればよい。これにより、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を、対向する特定の蒸着源開口形成領域32内の蒸着源開口31からのものに限定することができる。
 また、蒸着源開口形成領域32が重なる領域は、小さい方が、蒸着源30のX軸方向の長さを有効に使えるために望ましい。
 つまり、上述したように、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が重なる領域に蒸着源開口31を配置すると、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とが一対一で対応しなくなる。このため、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が重なる領域が存在しない方が、蒸着源30の蒸着源開口31の配設領域全体の長さを効率的に使用できる。
 したがって、Weは、次式(5)
 We<Wp+S   ‥(5)
を満足するように設定されていることが望ましい。
 なお、この場合、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が重ならず、例えば、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32を、互いに離間して設けることができる。つまり、図6に示すように、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32間の境界に隣り合う蒸着源開口31間の距離を、蒸着源開口形成領域32内において互いに隣り合う蒸着源開口31間の距離よりも大きくすることができ、各被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31群間に、隙間をもたせることができる。これにより、各蒸着源開口形成領域32を、完全に独立した領域として形成することが可能となる。
 但し、蒸着源30のX軸方向の長さと蒸着源開口31のX軸方向の幅との比率にもよるが、Weがあまりにも小さいと、Weの範囲内に、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31群を、隣り合う蒸着源開口31間の隙間が小さい状態で押し込めることになるため、好ましくない。したがって、Weは、蒸着源30のX軸方向の長さおよび蒸着源開口31のX軸方向の幅に応じて、設計上、無理のない範囲で決定することが望ましい。
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、上述した点を除けば、実施形態1にかかる蒸着装置1と同じである。
 なお、図6では、実施形態1よりも制限板22の高さ(Z軸方向の長さ)を大きくして制限板22による制限空間を増加させることにより、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31群と該被成膜領域202に隣り合う蒸着粒子310を射出する蒸着源開口31群とが、例えば図1に示すように部分的に重なることがないようにしている。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。
 また、膜厚分布を均等にするため、本実施形態でも、実施形態2同様、各蒸着源開口形成領域32内でレート分布を設けることが望ましいことは、言うまでもない。
 <変形例>
 図7は、本実施形態にかかる蒸着装置1の他の構成を示す断面図である。
 なお、図7では、太破線L3と一点鎖線L1とが重なるため、図示の便宜上、一部の領域にのみ太破線L3を示している。
 本実施形態によれば、図7に示すように、蒸着源30を近接させることによっても、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とを一対一で対応させることができる。
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、制限板22の高さ(Z軸方向の長さ)が、実施形態1よりも大きく形成されており、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310は、対向する特定の蒸着源開口形成領域32からのものに限定される。
 また、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とを一対一で対応させる他の方法としては、例えば、前述した幅Wrを小さくしたり、前述した距離Daに対し、前述した距離Dbを大きくしたりする方法が挙げられる。
 幅Wrを小さくすることで、蒸着マスク10における、制限板開口23を介して被成膜領域202に対向する領域の幅が制限される(つまり、小さくなる)。したがって、例えば、隣り合う蒸着源開口形成領域32が離間するように幅Wrを小さくすることで、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とを一対一で対応させることができる。
 また、距離Daに対し距離Dbを大きくする(言い換えれば、Da/Dbを小さくする)ことは、制限板22の高さを大きくすることと同等である。
 なお、Da/Dbは、蒸着材料の種類や制限板22の形状等に応じて適宜設定・変更され、特に限定されないが、一例としては、定性的に、Da/Db<2とすればよい。
 以上のように、本実施形態は、上述した主旨に則って種々の変更が可能であり、本実施形態にかかる効果を同様に得ることができる。
 〔実施形態4〕
 本発明のさらに他の実施形態について主に図8に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、主に、実施形態1~3との相違点について説明するものとし、実施形態1~3で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
 図8は、本実施形態にかかる蒸着装置1の基本構成を示す断面図である。
 本実施形態にかかる蒸着装置1は、制限板ユニット20における制限板22の断面形状がT字状である点を除けば、実施形態1~3にかかる蒸着装置1と同じである。
 <制限板22>
 本実施形態にかかる制限板22は、YZ平面を主面とする板状部材からなる遮断壁部25と、該遮断壁部25の下側端面(すなわち底面)に、隣り合う制限板22に向かって庇状に突出して設けられた、XY平面を主面とする板状部材からなるフランジ部26とを備えている。
 なお、本実施形態でも、実施形態1~3と設計指針は変わらず、蒸着装置1が前述した式を満足するように設計される。
 本実施形態によれば、制限板22の体積を減少させることができる。このため、蒸着粒子310が飛散する空間体積を大きくすることができる。したがって、蒸着源30と蒸着マスク10との間の空間が狭くなることによる、蒸着源30と制限板22との間、並びに制限板開口23内での急激な圧力上昇を抑制することができる。また、制限板22の体積を減少させることで、制限板ユニット20の軽量化を図ることができ、制限板ユニット20を保持する保持部材の耐荷重を小さくすることができる等、装置設計上、有利に働く場合がある。
 また、上記制限板22が上記フランジ部26を備えることで、遮断壁部25から剥離した蒸着材料を上記フランジ部26で受け止めることができるので、剥離した蒸着材料が蒸着源30上に落下するのを防止できるという利点もある。
 なお、図8では、遮断壁部25は、Z軸方向と略平行な平面であるが、これに限定されず、Z軸方向に対して傾斜した平面、あるいは曲面等、任意の形状を有していてもよい。また、図8では、遮断壁部25は略一定厚さの薄板であるが、これに限定されず、例えばその先端側ほど薄くなる略くさび状断面を有していてもよい。
 〔まとめ〕
 本発明の態様1にかかる蒸着装置1は、少なくとも1つの被成膜領域202を有する被成膜基板200の上記被成膜領域202内に、少なくとも第1方向(上記被成膜領域202の一辺に沿った方向、X軸方向)に複数配列された所定パターンの蒸着膜300を成膜する蒸着装置であって、蒸着粒子310を射出する複数の蒸着源開口31を有する蒸着源30と、上記被成膜領域202に対向して、上記蒸着膜300のパターンに応じて少なくとも上記第1方向に配列された複数のマスク開口12からなるマスク開口領域11を有し、上記マスク開口12がそれぞれ順テーパ状の断面形状を有する蒸着マスク10と、上記蒸着源30と上記蒸着マスク10との間に、少なくとも上記第1方向に互いに離間して配置された複数の制限板22を有する制限板ユニット20とを備え、上記制限板ユニット20の上記第1方向に平行な断面において、互いに隣り合う上記制限板22間に形成される制限板開口23が上記被成膜領域202に一対一で対向するとともに、上記被成膜領域202の上記第1方向の幅をWpとし、上記制限板ユニット20における上記蒸着源30との対向面側の表面における上記制限板開口23の上記第1方向の幅をWrとし、上記被成膜基板200の被成膜面201から上記制限板22における上記蒸着源30との対向面22aまでの距離をDbとし、上記蒸着マスク10の上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口12の開口壁12aの傾斜角をαとすると、上記制限板ユニット20は、上記制限板開口23の中心軸と上記被成膜領域202の中心軸とが一致するとともに、次式(1)
 Wr≦2/tanα×Db-Wp   ‥(1)
を満足する。
 言い換えれば、本態様にかかる蒸着装置1は、少なくとも1つの被成膜領域202を有する被成膜基板200の上記被成膜領域202内に、少なくとも第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜300を成膜する蒸着装置であって、蒸着粒子310を射出する複数の蒸着源開口31を有する蒸着源30と、上記被成膜領域202に対向して、上記蒸着膜300のパターンに応じて少なくとも上記第1方向に配列された複数のマスク開口12からなるマスク開口領域11を有し、上記マスク開口12がそれぞれ順テーパ状の断面形状を有する蒸着マスク10と、上記蒸着源30と上記蒸着マスク10との間に、少なくとも上記第1方向に互いに離間して配置された複数の制限板22を有する制限板ユニット20とを備え、上記制限板ユニット20は、該制限板ユニット20の上記第1方向に平行な断面において、互いに隣り合う上記制限板22間に形成される制限板開口23が上記被成膜領域202に一対一で対向するとともに、上記蒸着マスク10の上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口12の開口壁12aの傾斜角(シャドウ臨界角α)よりも小さい角度で飛来する蒸着粒子310の上記マスク開口12への入射を防止する。
 上記蒸着装置1によれば、制限板開口23への入射角が、上記蒸着マスク10の上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口12の開口壁12aの傾斜角よりも小さい蒸着粒子310の被成膜領域202への進入は全て阻まれる。したがって、上記制限板ユニット20により、マスク開口12に到達する蒸着粒子310は、全て、シャドウ臨界角となる、上記蒸着マスク10の上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口12の開口壁12aの傾斜角以上の入射角を有する蒸着粒子310に制限される。このため、シャドウのない正確なパターニング蒸着が可能となる。
 本発明の態様2にかかる蒸着装置1は、上記態様1において、上記蒸着源開口31は、1つの上記被成膜領域202に対し、複数の上記蒸着源開口31が対向するように形成されていることが望ましい。
 上記の構成によれば、蒸着源開口31と制限板開口23とが一対一の関係を有している場合と比較して、大幅な蒸着レートの向上が可能であり、量産性の向上を図ることができるとともに、蒸着源設計が容易になる。
 本発明の態様3にかかる蒸着装置1は、上記態様1または2において、上記被成膜領域202は、少なくとも上記第1方向に、非成膜領域204を挟んで複数設けられており、上記非成膜領域204の上記第1方向の幅をSとし、上記制限板開口23において上記第1方向に互いに対向する一方の制限板22の下端と、他方の制限板22の上端とを結ぶ線(L2)の傾斜角をθとすると、上記制限板ユニット20は、次式(2)
 (Db/tanθ)<(Wr+Wp)/2+S   ‥(2)
を満足することが望ましい。
 上記の構成によれば、平面視で、制限板22の開口下端を基準位置としたときに、上記基準位置から、被成膜基板200における隣接被成膜領域202に最も近い位置に到達する蒸着粒子の位置までの距離が、上記基準位置から、上記隣接被成膜領域202の端部の位置までの距離よりも短くなる。
 したがって、上記の構成によれば、被成膜領域202および制限板開口23に対応付けられた蒸着源開口31から射出された蒸着粒子310が、該蒸着源開口31に対応付けられた制限板開口23を越えて、該蒸着源開口31に対応付けられた被成膜領域202に隣り合う被成膜領域202に進入することを防止することができる。
 本発明の態様4にかかる蒸着装置1は、上記態様1~3の何れかにおいて、上記被成膜領域202は、少なくとも上記第1方向に複数設けられており、上記蒸着源30における、複数の上記被成膜領域202にそれぞれ対応付けられた上記蒸着源開口31の形成領域(蒸着源開口形成領域32)の上記第1方向の幅をWeとすると、次式(4)
 We<2×(Wp+S)   ‥(4)
を満足することが望ましい。
 上記の構成によれば、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が完全に重なり合うことがない。このように蒸着源開口形成領域32が重なっていない領域が一部でも存在すれば、蒸着源開口形成領域32が重ならない領域にのみ蒸着源開口31を配置することで、被成膜領域202と蒸着源開口形成領域32とを一対一で対応させることができる。したがって、上記の構成によれば、1つの被成膜領域202に入射する蒸着粒子310を、対向する特定の蒸着源開口形成領域32内の蒸着源開口31からのものに限定することが可能となる。
 本発明の態様5にかかる蒸着装置1は、上記態様4において、次式(5)
  We<Wp+S   ‥(5)
を満足することが望ましい。
 上記の構成によれば、互いに隣り合う蒸着源開口形成領域32が重ならず、各蒸着源開口形成領域32を、完全に独立した領域として形成することが可能となる。
 本発明の態様6にかかる蒸着装置1は、上記態様1~5の何れかにおいて、上記蒸着源30における、上記制限板開口23に対向する領域に設けられた蒸着源開口31から射出される蒸着粒子310の蒸着レートが、上記制限板開口23に対向する領域以外の領域に設けられた蒸着源開口31から射出される蒸着粒子310の蒸着レートよりも低いことが望ましい。
 上記の構成によれば、各被成膜領域202内での蒸着膜300の膜厚分布を均一化することができる。
 本発明の態様7にかかる蒸着装置1は、上記態様1~6の何れかにおいて、上記制限板22が順テーパ状の断面形状を有していることが望ましい。
 上記制限板22が逆テーパ状の断面形状を有している場合、制限板ユニット20は、上記式(1)・(2)を満たさない。一方、上記制限板22が順テーパ状の断面形状を有している場合には、上記式(1)・(2)を、満足する制限板ユニット20を形成することができる。
 本発明の態様8にかかる蒸着装置1は、上記態様1~6の何れかにおいて、上記制限板22が、T字状の断面形状を有し、板状部材からなる遮断壁部25と、該遮断壁部25の底面に、該制限板22に隣り合う制限板22に向かって庇状に突出して設けられた板状部材からなるフランジ部26とを備えていることが望ましい。
 上記の構成によれば、制限板22の体積を減少させることができるので、蒸着粒子310が飛散する空間体積を大きくすることができる。このため、蒸着源30と制限板22との間並びに制限板開口23内での急激な圧力上昇の抑制や、制限板ユニット20の軽量化を図ることができる。また、上記制限板22が上記フランジ部26を備えることで、遮断壁部25から剥離した蒸着材料が蒸着源30上に落下するのを防止できる。
 本発明の態様9にかかる蒸着装置1は、上記態様1~8の何れかにおいて、上記被成膜領域202は、上記第1方向(X軸方向)および上記第1方向に直交する第2方向(Y軸方向)に、それぞれ非成膜領域204を挟んで複数設けられており、上記蒸着マスク10は、上記被成膜基板200における複数の上記被成膜領域202を覆う大きさを有し、上記蒸着マスク10と上記被成膜基板200とは、互いに相対的な位置が固定されているとともに、上記制限板ユニット20と上記蒸着源30とは、互いに相対的な位置が固定されており、上記制限板22の上記第2方向の幅は、上記被成膜基板200および上記蒸着マスク10の上記第2方向の幅よりも小さく、上記被成膜基板200および上記蒸着マスク10と、上記制限板ユニット20および上記蒸着源30と、のうち少なくとも一方を、上記第2方向が走査方向となるように相対移動させる移動装置(基板移動装置5および蒸着ユニット移動装置6の少なくとも一方)とを備え、上記走査方向に沿って走査しながら、上記蒸着源30から射出された蒸着粒子310を、上記制限板ユニット20および上記蒸着マスク10を介して上記被成膜基板200に蒸着させることが望ましい。
 上記の構成によれば、大面積の被成膜基板200においても、シャドウの発生がなく、精度の高いパターニングが実現できるとともに、比較的小さな蒸着源30および制限板ユニット20によっても、大面積で高精細なパターニングが可能となる。このため、量産性を向上させることができる。
 本発明の態様10にかかる蒸着装方法は、上記態様1~9の何れかにかかる蒸着装置1を用いて、少なくとも1つの被成膜領域202を有する被成膜基板200の上記被成膜領域202内に、少なくとも上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜300を成膜する方法である。
 上記方法によれば、上記態様1と同様の効果を得ることができる。
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
 本発明の蒸着装置および蒸着方法は、有機EL表示装置または無機EL表示装置等のEL表示装置の製造をはじめとする、蒸着を利用した各種デバイスの製造等に好適に利用することができる。
  1  蒸着装置
  2  成膜チャンバ
  3  マスクホルダ
  3a マスク架台
  4  マグネットプレート
  5  基板移動装置(移動装置)
  6  蒸着ユニット移動装置(移動装置)
 10  蒸着マスク
 11  マスク開口領域
 12  マスク開口
 12a 開口壁
 13  非開口部
 14  対向面(蒸着マスクにおける制限板ユニットとの対向面)
 15  対向面(蒸着マスクにおける被成膜基板との対向面)
 20  制限板ユニット
 21  制限板列
 22  制限板
 22a 対向面(制限板ユニットにおける蒸着源との対向面)
 22b 対向面(制限板ユニットにおける蒸着マスクとの対向面)
 23  制限板開口
 24  保持体部
 25  遮断壁部
 26  フランジ部
 28  冷却機構
 30  蒸着源
 31、31A 蒸着源開口
 32  蒸着源開口形成領域
 40  蒸着ユニット
 41  ホルダ
200  被成膜基板
201  被成膜面
202  被成膜領域
203、203R、203G、203B 被成膜パターン領域
204  非成膜領域
300、300R、300G、300B 蒸着膜
310、311、312、314 蒸着粒子
  α  シャドウ臨界角
  β、β1、β2、β3 入射角

Claims (10)

  1.  少なくとも1つの被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、少なくとも第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
     蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、
     上記被成膜領域に対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて少なくとも上記第1方向に配列された複数のマスク開口からなるマスク開口領域を有し、上記マスク開口がそれぞれ順テーパ状の断面形状を有する蒸着マスクと、
     上記蒸着源と上記蒸着マスクとの間に、少なくとも上記第1方向に互いに離間して配置された複数の制限板を有する制限板ユニットとを備え、
     上記制限板ユニットの上記第1方向に平行な断面において、互いに隣り合う上記制限板間に形成される制限板開口が上記被成膜領域に一対一で対向するとともに、上記被成膜領域の上記第1方向の幅をWpとし、上記制限板ユニットにおける上記蒸着源との対向面側の表面における上記制限板開口の上記第1方向の幅をWrとし、上記被成膜基板の被成膜面から上記制限板における上記蒸着源との対向面までの距離をDbとし、上記蒸着マスクの上記第1方向に平行な断面における上記マスク開口の開口壁の傾斜角をαとすると、上記制限板ユニットは、上記制限板開口の中心軸と上記被成膜領域の中心軸とが一致するとともに、次式(1)
     Wr≦2/tanα×Db-Wp   ‥(1)
    を満足することを特徴とする蒸着装置。
  2.  上記蒸着源開口は、1つの上記被成膜領域に対し、複数の上記蒸着源開口が対向するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  3.  上記被成膜領域は、少なくとも上記第1方向に、非成膜領域を挟んで複数設けられており、
     上記非成膜領域の上記第1方向の幅をSとし、上記制限板開口において上記第1方向に互いに対向する一方の制限板の下端と、他方の制限板の上端とを結ぶ線の傾斜角をθとすると、上記制限板ユニットは、次式(2)
     (Db/tanθ)<(Wr+Wp)/2+S   ‥(2)
    を満足することを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。
  4.  上記被成膜領域は、少なくとも上記第1方向に複数設けられており、
     上記蒸着源における、複数の上記被成膜領域にそれぞれ対応付けられた上記蒸着源開口の形成領域の上記第1方向の幅をWeとすると、次式(4)
     We<2×(Wp+S)   ‥(4)
    を満足することを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の蒸着装置。
  5.  次式(5)
      We<Wp+S   ‥(5)
    を満足することを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
  6.  上記蒸着源における、上記制限板開口に対向する領域に設けられた蒸着源開口から射出される蒸着粒子の蒸着レートが、上記制限板開口に対向する領域以外の領域に設けられた蒸着源開口から射出される蒸着粒子の蒸着レートよりも低いことを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の蒸着装置。
  7.  上記制限板が順テーパ状の断面形状を有していることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の蒸着装置。
  8.  上記制限板が、T字状の断面形状を有し、板状部材からなる遮断壁部と、該遮断壁部の底面に、該制限板に隣り合う制限板に向かって庇状に突出して設けられた板状部材からなるフランジ部とを備えていることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の蒸着装置。
  9.  上記被成膜領域は、上記第1方向および上記第1方向に直交する第2方向に、それぞれ非成膜領域を挟んで複数設けられており、
     上記蒸着マスクは、上記被成膜基板における複数の上記被成膜領域を覆う大きさを有し、
     上記蒸着マスクと上記被成膜基板とは、互いに相対的な位置が固定されているとともに、上記制限板ユニットと上記蒸着源とは、互いに相対的な位置が固定されており、
     上記制限板の上記第2方向の幅は、上記被成膜基板および上記蒸着マスクの上記第2方向の幅よりも小さく、
     上記被成膜基板および上記蒸着マスクと、上記制限板ユニットおよび上記蒸着源と、のうち少なくとも一方を、上記第2方向が走査方向となるように相対移動させる移動装置とを備え、
     上記走査方向に沿って走査しながら、上記蒸着源から射出された蒸着粒子を、上記制限板ユニットおよび上記蒸着マスクを介して上記被成膜基板に蒸着させることを特徴とする請求項1~8の何れか1項に記載の蒸着装置。
  10.  請求項1~9の何れか1項に記載の蒸着装置を用いて、少なくとも1つの被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、少なくとも上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜することを特徴とする蒸着方法。
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