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WO2017006810A1 - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents

蒸着装置および蒸着方法 Download PDF

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WO2017006810A1
WO2017006810A1 PCT/JP2016/069153 JP2016069153W WO2017006810A1 WO 2017006810 A1 WO2017006810 A1 WO 2017006810A1 JP 2016069153 W JP2016069153 W JP 2016069153W WO 2017006810 A1 WO2017006810 A1 WO 2017006810A1
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WO
WIPO (PCT)
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vapor deposition
gas
mask
opening
limiting plate
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2016/069153
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
勇毅 小林
伸一 川戸
学 二星
井上 智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to CN201680035857.4A priority Critical patent/CN107735508A/zh
Priority to US15/575,430 priority patent/US20180175296A1/en
Priority to JP2017527405A priority patent/JPWO2017006810A1/ja
Publication of WO2017006810A1 publication Critical patent/WO2017006810A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method for forming a vapor deposition film having a predetermined pattern in the film formation region of a film formation substrate having a plurality of film formation regions.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an EL display device including an EL element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of an organic material or an inorganic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage, and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • an EL display device has a configuration in which a thin film EL element electrically connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate provided with a TFT (thin film transistor). is doing.
  • EL elements of red (R), green (G), and blue (B) are arranged on a substrate as sub-pixels, and these are formed using TFTs.
  • Image display is performed by selectively causing the EL element to emit light with a desired luminance.
  • a vacuum deposition method is used to form the pattern of the light emitting layer.
  • vapor deposition particles are vapor-deposited on a deposition target substrate through a vapor deposition mask in which openings having a predetermined pattern are formed. At this time, vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is referred to as “separate vapor deposition”).
  • a method is generally used in which evaporation is performed by bringing a deposition mask having the same size as the deposition substrate into close contact with the deposition substrate.
  • the deposition mask also becomes larger.
  • the scan vapor deposition method using a vapor deposition mask smaller than the film formation substrate is more effective than the method in which the vapor deposition mask is closely adhered to the film formation substrate as described above.
  • a plurality of vapor deposition source openings (eject ports) for ejecting vapor deposition particles are provided in the vapor deposition source at a constant pitch in a direction perpendicular to the scanning direction. Vapor deposition is performed on the entire surface of the film formation substrate while scanning with a distance therebetween.
  • Patent Document 1 on one side of a vapor deposition source, by providing a barrier wall assembly provided with a plurality of barrier walls as restriction plates that divide a space between the vapor deposition source and the vapor deposition mask into a plurality of vapor deposition spaces, The barrier area limits the deposition range. Thereby, high-definition pattern vapor deposition can be performed without the vapor deposition pattern spreading.
  • the deposition region corresponding to a certain deposition source opening on the deposition surface of the deposition substrate is provided. It is necessary to prevent the vapor deposition particles from coming from the vapor deposition source opening (adjacent nozzle) for injecting the vapor deposition particles to the film formation region (adjacent film formation region) adjacent to the film formation region.
  • 15A and 15B show the deposition density when a plurality of limiting plates 621 are provided between the deposition source 601 and the deposition mask 611 along the direction perpendicular to the scanning direction in plan view. It is a figure which shows typically the difference in the vapor deposition flow by a difference.
  • FIG. 15A shows a case where the deposition density is relatively low (at a low rate), and FIG. 15B shows a case where the deposition density is relatively high (at a high rate).
  • the Y axis indicates a horizontal axis along the scanning direction of the film formation substrate 200
  • the X axis is perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200.
  • the Z axis is the normal direction of the film formation surface 201 (film formation surface) of the film formation substrate 200
  • the vapor deposition axis perpendicular to the film formation surface 201 is the Z axis.
  • vertical to the X-axis and the Y-axis which is an extending direction is shown.
  • the vapor deposition particles 301 ejected from the respective vapor deposition source openings 602 (injection ports, nozzles) of the vapor deposition source 601 are restricted between the restricting plates 621.
  • the openings 622 block (capture) vapor deposition components having poor directivity, and are limited to distribution having high directivity.
  • a vapor deposition film 300 having a predetermined pattern is formed in a region associated with each vapor deposition source opening 602.
  • the vapor deposition particles 601 from the adjacent vapor deposition source opening 602 fly and mix into the normal pattern vapor deposition film 300 (normal pattern film), or normal An abnormal pattern of vapor deposition film 302 (abnormal pattern film) may be formed between the various patterns of vapor deposition film 300.
  • the vapor deposition particles 301 in the vapor deposition source 601 increase at a high rate, the vapor deposition source 601 is provided with only the vapor deposition source opening 602 for film formation. For this reason, the vapor deposition density locally increases at the vapor deposition source opening 602, and the pressure increases. As a result, in the vapor deposition source opening 602 having a small opening area, the vapor deposition particles 301 having a small mean free path are easily scattered, and the vapor deposition source opening 602 is apparent as shown by a two-dot chain line in FIG. Expands above (pseudo).
  • the vapor deposition particles 301 that have come from a place where the vapor deposition source opening 602 is pseudo-expanded pass through the limiting plate opening 622 and pass through the mask opening 612 corresponding to the adjacent nozzle, so that the vapor deposition particle adjacent to the normal pattern film.
  • the vapor deposition particles 301 from the source opening 602 are mixed, or the vapor deposition film 302 having an abnormal pattern is formed. These phenomena cause abnormal light emission such as mixed color light emission, and there is a concern that display quality is greatly impaired.
  • Patent Documents 2 and 3 a gas introduction part is provided around the vapor deposition source or in the vapor deposition source itself to form a gas flow (gas flow) from the circumference of the vapor deposition source toward the deposition target substrate. It is disclosed that vapor deposition particles injected from a vapor deposition source are guided to a deposition target substrate by this gas flow.
  • Patent Documents 2 and 3 provide a gas flow path around the vapor deposition source or in the center of the vapor deposition source, and do not provide a plurality of film formation regions on one film formation substrate. It does not prevent the deposition of an abnormally deposited film (that is, abnormal deposition) on the deposition region.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of performing vapor deposition at a high rate and preventing the occurrence of abnormal film formation. There is.
  • a vapor deposition apparatus in the first direction within the film formation region of a film formation substrate having a plurality of film formation regions in the first direction.
  • a vapor deposition apparatus for depositing a plurality of vapor deposition films of a predetermined pattern, wherein a vapor deposition source having a plurality of vapor deposition source openings for injecting vapor deposition particles and the vapor deposition particles respectively facing the plurality of film formation regions.
  • An evaporation mask provided with a mask opening region having a plurality of mask openings arranged in the first direction according to the pattern of the film, and disposed between the evaporation source and the evaporation mask, and in the first direction
  • a plurality of first restricting plates that are spaced apart from each other, and the vapor deposition particles are allowed to pass between the first restricting plates adjacent to each other so as to correspond to the film formation regions, respectively.
  • a first limiting plate unit provided with a limiting plate opening; And a gas supply mechanism for forming a gas barrier between the non-opening region and the first limiting plate between the mask opening region adjacent in the deposition mask.
  • a vapor deposition method is provided in the first direction within the film formation region of the film formation substrate having a plurality of film formation regions in the first direction.
  • a plurality of first elements disposed in the first direction so as to be spaced apart from each other in a vapor deposition mask provided with a mask opening region having a plurality of mask openings arranged in the first direction according to the pattern of the film.
  • a first restriction plate having a first restriction plate opening that allows the vapor deposition particles to pass between the first restriction plates adjacent to each other and corresponding to the film formation region. Place the plate unit and adjoin the vapor deposition mask Forming a wall of gas between the non-opening region and the first limiting plate between disk opening areas forming the deposited film by injecting the vapor deposition particles from the evaporation source.
  • a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of performing vapor deposition at a high rate and preventing the occurrence of abnormal film formation.
  • (A) is a perspective view which shows the basic composition of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 3 of this invention
  • (b) is a top view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition apparatus shown to (a).
  • (A) is a perspective view which shows the basic composition of the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 4 of this invention
  • (b) is a top view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition apparatus shown to (a).
  • (A) and (b) are differences in vapor deposition flow due to differences in vapor deposition density when a plurality of limiting plates are provided between the vapor deposition source and the vapor deposition mask in a plan view along a direction perpendicular to the scanning direction.
  • FIG. 1 A and (b) are differences in vapor deposition flow due to differences in vapor deposition density when a plurality of limiting plates are provided between the vapor deposition source and the vapor deposition mask in a plan view along a direction perpendicular to the scanning direction.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic configuration of a vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a schematic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the present embodiment are useful for vapor deposition of an EL layer such as a light emitting layer constituting an EL element, particularly in an EL display apparatus such as an organic EL display apparatus.
  • the present embodiment is applied to the manufacture of an organic EL display device for RGB full-color display in which organic EL elements of, for example, red (R), green (G), and blue (B) are arranged on a substrate as sub-pixels.
  • organic EL elements of, for example, red (R), green (G), and blue (B) are arranged on a substrate as sub-pixels.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • the case where the light emitting layer of an organic EL element is formed into a film by the RGB coating system by applying the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the embodiment will be described as an example.
  • the vapor deposition film 300 formed by the vapor deposition device 100 according to the present embodiment is a light emitting layer of each color of R, G, and B in an organic EL display device will be described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the present embodiment are based on vapor phase growth technology including manufacturing of an organic EL display device and an inorganic EL display device. It can be applied to the entire manufacturing of the used device.
  • the vapor deposition film 300 constituting the light emitting layer of each color of R, G, and B is sequentially formed as a vapor deposition film 300R, a vapor deposition film 300G, and a vapor deposition film. It is described as 300B. However, when it is not necessary to particularly distinguish the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of the respective colors, the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B are collectively referred to simply as the vapor deposition film 300.
  • the horizontal axis along the scanning direction (scanning axis) of the film formation substrate 200 is defined as the Y axis
  • the horizontal axis along the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the X axis.
  • the vertical direction axis (vertical axis) that is the normal direction of the film formation surface 201 of the film formation substrate 200 and is perpendicular to the X axis and the Y axis will be described as the Z axis.
  • the X-axis direction is the row direction (first direction)
  • the Y-axis direction is the column direction (second direction).
  • a vapor deposition apparatus 100 includes a vapor deposition mask 10, a limiting plate unit 20 (first limiting plate unit), a vapor deposition source 30, and a gas supply mechanism 50. .
  • the gas supply mechanism 50 includes a gas ejection part 40 (gas ejection unit) having a gas ejection port 41 (gas opening) for ejecting gas, a gas supply pipe 51, and a gas supply source 52.
  • the limiting plate unit 20 and the gas ejection unit 40 are integrated as a limiting plate and gas supply unit, and the gas ejection unit 40 is provided in the limiting plate unit 20.
  • the gas ejection part 40 includes a gas ejection port 41, a gas diffusion chamber 42, and a gas introduction port 43.
  • a gas supply pipe 51 is connected to the limiting plate unit 20.
  • the gas supply pipe 51 is connected to a gas supply source 52 that supplies gas.
  • the configuration of each part of the gas supply mechanism 50 will be described in detail later.
  • the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30 are opposed to each other in this order from the film formation substrate 200 side, for example, at a predetermined distance along the Z-axis direction.
  • the positional relationship between the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30 is fixed.
  • the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30 may be fixed to each other by, for example, rigid members, have independent configurations, and operate as a single unit. It doesn't matter.
  • the vapor deposition apparatus 100 is a vapor deposition apparatus that performs vapor deposition by a scan vapor deposition method.
  • the vapor deposition apparatus 100 at least one of the deposition target substrate 200 and the deposition unit 1 is relatively moved (scanned) in the scanning direction in a state where a certain gap is provided between the deposition mask 10 and the deposition target substrate 200. ) As a result, the vapor deposition film 300 is finally formed in the entire film formation region 202 of the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition mask 10 the limiting plate unit 20, the vapor deposition source 30, and the gas supply source 52 connected to the limiting plate unit 20 via the gas supply pipe 51 are the same holder 60 (holding).
  • the present embodiment is not limited to this, and the gas supply source 52 may be provided outside the holder 60.
  • the gas supply source 52 may be fixed outside the holder 60 in the film forming chamber 101 by using a flexible gas supply pipe as the gas supply pipe 51. You may arrange in.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes, for example, a film formation chamber 101, a substrate holder 102, a substrate moving device 103, a vapor deposition unit 1, a vapor deposition unit moving device 104, and an unillustrated deposition plate , A shutter, a control device, and the like.
  • the vapor deposition unit 1 includes a vapor deposition mask 10, a limiting plate unit 20, a vapor deposition source 30, a gas supply pipe 51, a gas supply source 52, and a holder 60.
  • Deposition chamber 101 In the film forming chamber 101, in order to keep the inside of the film forming chamber 101 in a vacuum state during vapor deposition, the inside of the film forming chamber 101 is evacuated through an exhaust port (not shown) provided in the film forming chamber 101 (not shown). A vacuum pump is provided. The vacuum pump is provided outside the film formation chamber 101. A control device for controlling the operation of the vapor deposition apparatus 100 is also provided outside the film formation chamber 101. Note that the substrate holder 102, the substrate moving device 103, the vapor deposition unit 1, the vapor deposition unit moving device 104, and a deposition plate and a shutter (not shown) are provided in the film forming chamber 101.
  • the substrate holder 102 is a substrate holding member that holds the deposition target substrate 200.
  • the deposition target substrate 200 is held by the substrate holder 102 so that the deposition target surface 201 is disposed opposite to the vapor deposition mask 10 with a certain distance.
  • an electrostatic chuck is preferably used for the substrate holder 102. Since the deposition target substrate 200 is fixed to the substrate holder 102 by a technique such as electrostatic chucking, the deposition target substrate 200 is held on the substrate holder 102 without being bent by its own weight.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes, for example, at least one of a substrate moving device 103 and a vapor deposition unit moving device 104. Accordingly, in this embodiment, the deposition target substrate 200 and the vapor deposition unit 1 are relatively moved by at least one of the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 so that the Y-axis direction is the scanning direction. Scan vapor deposition.
  • the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 are not particularly limited, and various known moving devices such as a roller moving device and a hydraulic moving device can be used.
  • At least one of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition unit 1 may be provided so as to be relatively movable. Accordingly, only one of the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 may be provided, and one of the film formation substrate 200 and the vapor deposition unit 1 is fixed to the inner wall of the film formation chamber 101. It doesn't matter.
  • the deposition surface 201 of the deposition substrate 200 is provided with a plurality of partitioned deposition regions 202 as vapor deposition film patterning regions.
  • the deposition target substrate 200 is a mother substrate.
  • a plurality of organic EL display devices 400 are formed on a mother substrate, and then divided into individual organic EL display devices 400.
  • Each film formation region 202 is formed in a stripe shape from one end of the film formation substrate 200 to the other end.
  • a non-film formation region 204 is provided around each film formation region 202 so as to surround each film formation region 202.
  • each film formation region 202 a plurality of pixel regions in which a plurality of pixels 401 are arranged in each organic EL display device 400 are formed. Accordingly, the pixel region in each organic EL display device 400 is formed in a two-dimensional shape (matrix shape) on the deposition target substrate 200.
  • Each pixel 401 in each pixel region includes a sub-pixel 402 of each color of R, G, and B. Therefore, a plurality of sub-pixels 402 of each color made up of organic EL elements of each color of R, G, and B are provided in each film-forming region 202, and an organic EL as a vapor deposition film 300 is provided in each sub-pixel 402.
  • a fine vapor deposition film pattern composed of vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of R, G, and B colors used as the light emitting layer of the element is formed.
  • each film formation region 202 includes one of a pair of electrodes sandwiching the light emitting layer in the driving circuit of the organic EL display device 400 and the organic EL element. Pre-formed.
  • film formation pattern areas 203R, 203G, and 203B for forming the patterns of the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B of the respective colors corresponding to the respective subpixels are formed. Is provided.
  • a red vapor deposition film 300R is formed in the film formation pattern region 203R
  • a green vapor deposition film 300G is formed in the film formation pattern region 203G
  • a blue vapor deposition film is formed in the film formation pattern region 203B.
  • a film 300B is formed.
  • these film formation pattern regions 203R, 203G, and 203B are collectively referred to simply as film formation pattern regions 203.
  • the vapor deposition mask 10 is a plate-like object whose main surface is a parallel to the XY plane.
  • the vapor deposition mask 10 is a vapor deposition mask that is smaller in size in the Y-axis direction than the deposition target substrate 200 in plan view.
  • the plan view indicates “when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 10 (that is, a direction parallel to the Z axis)”.
  • the vapor deposition mask 10 may be used as it is, or may be fixed to a mask frame (not shown) in a tensioned state in order to suppress its own weight deflection.
  • the mask frame is formed in a rectangular shape whose outer shape is the same as or slightly larger than that of the vapor deposition mask 10 in plan view.
  • the main surface of the vapor deposition mask 10 includes a group of mask openings 12 (first mask openings) corresponding to a part of each pattern of the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B.
  • a plurality of mask opening regions 11 are provided.
  • the vapor deposition mask 10 has a plurality of mask opening regions 11 that face the film formation region 202 of the film formation substrate 200 when facing the film formation substrate 200. It has. Inside the mask opening region 11, a plurality of openings (through holes) functioning as passage parts for allowing the vapor deposition particles 301 (vapor deposition material) to pass therethrough are provided as the mask openings 12.
  • a region other than the mask opening 12 in the vapor deposition mask 10 is a non-opening portion 13 (non-opening region), and functions as a blocking portion that blocks the flow of the vapor deposition particles 301 during vapor deposition.
  • Each mask opening 12 has vapor deposition particles in an area other than the target film formation pattern area 203 (that is, the film formation pattern area 203 of the color to be formed by the vapor deposition mask 10 to be used) on the film formation substrate 200.
  • the target film formation pattern area 203 that is, the film formation pattern area 203 of the color to be formed by the vapor deposition mask 10 to be used
  • it is provided corresponding to a part of each pattern of the vapor deposition film 300 formed by the vapor deposition mask 10 to be used.
  • the vapor deposition material is the material of the light emitting layer in the organic EL display device as described above, the light emitting layer is vapor-deposited in the organic EL vapor deposition process for each color of the light emitting layer.
  • the vapor deposition mask 10 for forming a red light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300R which is a red light emitting layer.
  • the vapor deposition mask 10 for forming a green light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300G which is a green light emitting layer.
  • a vapor deposition mask 10 for forming a blue light emitting layer is used for forming the vapor deposition film 300B which is a blue light emitting layer.
  • the present embodiment is not limited to this, and by using the same vapor deposition mask 10 and shifting the position of the mask opening 12, the light emitting layers of the respective colors (that is, the respective patterns of the vapor deposition films 300R, 300G, and 300B). Needless to say, the film may be formed.
  • the vapor deposition mask 10 in which the mask opening 12 is provided only at the position corresponding to the green light emitting layer is used, and the mask opening 12 is moved from the position facing the film formation pattern region 203G to the film formation pattern region 203R. If the deposition mask 10 or the deposition target substrate 200 is shifted so as to shift to the opposite position and deposition is performed, the deposition film 302R can be patterned in the deposition pattern region 203R. Similarly, when the deposition mask 10 or the deposition target substrate 200 is shifted so that the mask opening 12 faces the deposition pattern region 203B, deposition is performed using the deposition mask 10. A vapor deposition film 302B can be formed into a pattern in the region 203B.
  • the number of mask openings 12, the number of film formation pattern regions 203, the number of pixels 401, and the like are reduced, and the mask openings 12 are formed as deposited films. They are shown without being distinguished by 300R, 300G, and 300B.
  • each mask opening area 11 is provided with a plurality of long and narrow slit-shaped mask openings 12 extending in the column direction.
  • the mask opening 12 may have a slot shape, for example, and the shape and number of the mask opening 12 and the mask opening region 11 in plan view are not particularly limited.
  • the material of the vapor deposition mask 10 is not particularly limited.
  • the material of the vapor deposition mask 10 may be a metal such as invar (iron-nickel alloy), a resin, a ceramic, or a combination thereof.
  • the vapor deposition source 30 is, for example, a container that stores a vapor deposition material therein.
  • the vapor deposition source 30 may be a container that directly stores the vapor deposition material inside the container, may have a load-lock type pipe, and may be formed so that the vapor deposition material is supplied from the outside.
  • the vapor deposition source 30 is formed in a rectangular shape, for example, as shown in FIG.
  • a plurality of vapor deposition source openings 31 are provided on the upper surface of the vapor deposition source 30 (that is, the surface facing the limiting plate / gas supply unit) as an ejection port for ejecting the vapor deposition particles 301.
  • These vapor deposition source openings 31 are arranged at a constant pitch in the X-axis direction.
  • the vapor deposition source 30 generates gaseous vapor deposition particles 301 by heating the vapor deposition material and evaporating (when the vapor deposition material is a liquid material) or sublimating (when the vapor deposition material is a solid material).
  • the vapor deposition source 30 injects the vapor deposition material made in this way as vapor deposition particles 301 from the vapor deposition source opening 31 toward the limiting plate unit 20.
  • the limiting plate unit 20 is disposed between the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30 so as to be separated from the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30.
  • the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30 are all at least in the Y-axis direction from the deposition target substrate 200 in plan view. It is formed to reduce the size.
  • the limiting plate unit 20 is the same as or larger than the vapor deposition mask 10 in plan view.
  • the restriction plate unit 20 is provided with a restriction plate opening 21 (first restriction plate opening) through which the vapor deposition particles 301 are allowed to pass, and a gas outlet 41 from which the gas supplied from the gas supply source 52 is ejected. .
  • the vapor deposition particles 301 ejected from the vapor deposition source opening 31 expand substantially isotropically.
  • the restricting plate opening 21 has a role of controlling the flow of the vapor deposition particles 301 (vapor deposition flow) that expands isotropically to enhance directivity.
  • the gas ejection port 41 is formed by forming a gas wall 501 (gas wall) by a gas flow (gas flow) between the limiting plate unit 20 and the vapor deposition mask 10, thereby simulating the vapor deposition source opening 31. It has the role of blocking unnecessary vapor deposition flows generated by wide spreading.
  • the gas wall 501 (gas flow) is a mask opening region 11 (adjacent mask) adjacent to the mask opening region 11 that is incident on the vapor deposition particle 301 that has passed through the limiting plate opening 21 and that is associated with the limiting plate opening 21. It functions as a blocking wall that blocks (blocks) the flow of the vapor deposition particles 301 toward the opening region) by molecular collision. Thereby, the vapor deposition particles 301 that have passed through each restriction plate opening 21 are directed by the gas wall 501 in a direction toward the mask opening region 11 that faces each restriction plate opening 21.
  • the gas wall 501 functions as a barrier that prevents the vapor deposition particles 301 that have passed through each restriction plate opening 21 from reaching the adjacent mask opening region beyond the gas wall 501, and It functions as a guide that regulates the flow of the vapor deposition particles 301 that pass therethrough and guides it to the mask opening region 11 associated with each restriction plate opening 21.
  • the limiting plate unit 20 is, for example, a hollow block-shaped unit, and a plurality of limiting plates along the X-axis direction are formed on a rectangular hollow plate-shaped member having the XY plane as a main surface and the X-axis direction as a long axis.
  • the opening 21 and the gas jet nozzle 41 have the structure each provided with the fixed pitch.
  • the adjacent limiting plate openings 21 are separated by a limiting plate 22 (first limiting plate, limiting unit, gas ejection unit) that limits the movement of the vapor deposition particles 301.
  • the limiting plates 22 are arranged at a constant pitch so as to be separated from each other and parallel to each other in the X-axis direction in plan view.
  • the limiting plate opening 21 is a through-hole provided between the limiting plates 22 adjacent in the X-axis direction, and is formed through the limiting plate unit 20 in the Z-axis direction.
  • the opening shape of the limiting plate opening 21 is a substantially rectangular shape whose major axis direction is parallel to the Y axis.
  • the gas outlet 41 is provided on the surface of each restriction plate 22 facing the vapor deposition mask 10.
  • the limiting plate opening 21 and the film formation region 202 have a one-to-one relationship. Therefore, the limiting plate opening 21 and the mask opening region 11 have a one-to-one relationship.
  • the pitch of the restriction plate openings 21 is formed larger than the pitch of the mask openings 12, and a plurality of mask openings 12 are arranged between the restriction plates 22 adjacent in the X-axis direction in plan view.
  • each deposition source opening 31 is located at the center position in the X-axis direction of each restriction plate opening 21 (that is, the center position in the X-axis direction between adjacent restriction plates 22 sandwiching each deposition source opening 31 in the X-axis direction). As shown, each of the restricting plate openings 21 is arranged correspondingly.
  • a line deposition source in which the deposition source openings 31 are arranged in a one-dimensional shape (that is, in a line shape) in the X-axis direction is used as the deposition source 30.
  • the vapor deposition source opening 31 is arranged at the center of each limiting plate opening 21 (the center in both the X-axis and Y-axis directions) in a plan view so as to have a one-to-one relationship with each limiting plate opening 21. Has been.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition source openings 31 may be arranged in a two-dimensional shape (tile shape) in the X-axis direction and the Y-axis direction. Even when the vapor deposition source openings 31 are two-dimensionally arranged, each vapor deposition source opening 31 is desirably arranged so as to be located at the center position of each limiting plate opening 21 in the X-axis direction.
  • limiting board 22 is good by planar view. Providing the gas ejection port 41 at the end of the restriction plate 22 increases the probability that the gas ejected from the gas ejection port 41 flows (invades) into the mask opening region 11, thereby reducing the light emission efficiency and the lifetime, etc. There is a concern of affecting the device characteristics.
  • the size of the gas outlet 41 is not particularly limited, but the opening length of the gas outlet 41 in the direction parallel to the scanning direction (hereinafter referred to as “scanning direction opening length”) is the scanning of the limiting plate opening 21. It is preferable that it is equal to or longer than the direction opening length.
  • scanning direction opening length of the gas outlet 41 is shorter than the scanning direction opening length of the limiting plate opening 21, there is a portion where the gas wall 501 is not provided adjacent to the limiting plate opening 21, It is impossible to block the vapor deposition particles 301 toward the adjacent mask region.
  • the opening length (hereinafter referred to as “opening width”) in the direction perpendicular to the scanning direction at the gas jet port 41 is preferably about several mm.
  • the opening width of the gas outlet 41 is large, the gas flowing into the mask opening region 11 increases, which may affect the element characteristics.
  • the opening width of the gas outlet 41 is too short, the gas density increases in the vicinity of the gas outlet 41 and the gas itself may expand greatly.
  • the restriction plate unit 20 is provided with at least one gas introduction port 43 for introducing gas into the restriction plate unit 20.
  • the limiting plate unit 20 is hollow and includes the gas diffusion chamber 42 connected to the gas inlet 43 inside.
  • the gas diffusion chamber 42 is a connecting portion that connects the gas introduction port 43 and the gas ejection port 41, and diffuses the gas introduced from the gas introduction port 43 and supplies it to each gas ejection port 41 (ventilation). Function as a road).
  • a gas supply pipe 51 is connected to the gas inlet 43. As shown in FIG. 1, the gas introduced from the gas inlet 43 into the gas diffusion chamber 42 passes through the gas outlet 41 and passes through each restricting plate 22 to each mask opening region 11 in the X-axis direction in the deposition mask 10. It is ejected to the non-opening 13 sandwiched between them.
  • the gas supply pipe 51 is connected to a gas supply source 52 that supplies gas.
  • the gas supply pipe 51 is a connecting pipe that connects the gas supply source 52 and the restriction plate unit 20, and functions as a gas supply path for supplying gas from the gas supply source 52 to the restriction plate unit 20.
  • the gas used in the present embodiment is not limited as long as it is ejected as a gas from the gas ejection port 41 and does not react with the vapor deposition particles 301, and an inert gas is preferably used.
  • an inert gas is preferably used.
  • N 2 (nitrogen) gas, Ar (argon) gas, He (helium) gas, and the like are preferable because they are inexpensive and easily available.
  • the gas flow rate is not particularly limited, and the number of vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation also varies depending on the vapor deposition rate, and may be appropriately adjusted according to the vapor deposition rate.
  • the gas supply pipe 51 is provided with an opening / closing valve (not shown), and the gas supply from the gas supply source 52 to the gas inlet 43 is controlled by a control unit (not shown).
  • the opening / closing valve is not particularly limited, but for example, an electromagnetic valve is used.
  • the open / close valve is opened and closed by operating the valve body using the magnetic force of an electromagnet (solenoid) based on a control signal from a control unit (not shown).
  • the gas supply source 52 may be a gas cylinder that contains a gas such as an inert gas, or may be a gas generator that generates gas.
  • the holder 60 includes a shelf 61 and the like, and is a holding member that holds each component in the vapor deposition unit 1 such as the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30.
  • the configuration thereof is possible. Is not particularly limited.
  • FIG. 3 shows an example in which the vapor deposition particles 301 are vapor-deposited (up-deposition) on the deposition target substrate 200 from the bottom to the top as shown in FIG. For this reason, FIG. 3 shows an example in which the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 20, and the vapor deposition source 30 are arranged in order from the deposition target substrate 200 side arranged above the holder 60.
  • the vapor deposition source 30, the limiting plate unit 20, the vapor deposition mask 10, and the film formation substrate 200 from above are arranged in this order.
  • the arrangement of the vapor deposition source 30, the limiting plate unit 20, the vapor deposition mask 10, and the deposition target substrate 200 is appropriately changed according to the emission direction of the vapor deposition particles 301.
  • the holder 60 may include, for example, a tension mechanism (not shown) that applies tension to the vapor deposition mask 10, and may further include a deposition plate (shielding plate), a shutter, and the like (not shown).
  • the gas supply source 52 connected to the restriction plate unit 20 is mounted on the holder 60, the gas supply source 52 is used to prevent the vapor deposition particles flying from the vapor deposition source opening 31 from adhering to the gas supply source 52.
  • the deposition preventing plate 62 may also serve as a shelf.
  • the scanning vapor deposition is performed by relatively moving the vapor deposition unit 1 and the deposition target substrate 200.
  • the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 in the vapor deposition unit 1 are disposed to face each other with a certain distance therebetween.
  • relative alignment between the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 200, that is, alignment adjustment, and vapor deposition is performed using alignment markers (not shown) provided on the vapor deposition mask 10 and the film formation substrate 200, respectively.
  • Adjustment (gap control) of the gap between the mask 10 and the deposition target substrate 200 is performed.
  • At least one of the vapor deposition unit 1 and the deposition target substrate 200 is viewed in a scanning direction (that is, in a plan view). Relative movement is performed along the Y-axis direction perpendicular to the arrangement direction of the limiting plate 22 and the limiting plate opening 21.
  • a gas wall 501 is formed by the gas.
  • vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source opening 31 are passed through the limiting plate opening 21 and the mask opening 12 in each mask opening region 11 partitioned by the gas wall 501. 200.
  • the vapor deposition flow is controlled by the restriction plate opening 21 formed between the restriction plates 22, and only a trace amount of unnecessary components is blocked by the gas wall 501.
  • the limiting plate unit 20 divides the space between the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition source 30 into a plurality of vapor deposition spaces composed of the limiting plate openings 21 by the respective limiting plates 22, thereby vapor deposition emitted from the vapor deposition source 30.
  • the passing angle of the particle 301 is limited.
  • the vapor deposition particles 301 emitted from the vapor deposition source 30 pass through the restriction plate opening 21, pass through the mask opening 12 formed in the vapor deposition mask 10, and are vapor deposited on the deposition target substrate 200.
  • the restriction plate unit 20 restricts the movement of the vapor deposition particles 301 in the arrangement direction of the restriction plate 22 (that is, the X-axis direction and the oblique direction) by the restriction plate 22.
  • the limiting plate unit 20 selectively obstructs the passage of the limiting plate opening 21 according to the incident angle of the vapor deposition particles 301 incident on the limiting plate opening 21.
  • the gas ejection unit 40 ejects (releases) vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation caused by pseudo expansion of the vapor deposition source opening 31 at a high rate from the surface of the restriction plate 22 facing the vapor deposition mask 10. Occurrence of abnormal film formation is prevented by blocking with the gas wall 501 formed by the generated gas.
  • each limiting plate opening is formed. It is possible to prevent the vapor deposition particles 301 that have passed through 21 from reaching the adjacent mask opening region beyond the gas wall 501.
  • the gas wall 501 is also formed in the outer portion of the mask opening region 11 at both ends in the X-axis direction in the vapor deposition mask 10, so that the X axis Also for the mask opening regions 11 at both ends in the direction, the vapor deposition particles 301 that have passed through the limiting plate opening 21 associated with the mask opening region 11 can be guided to the mask opening region 11 without waste. For this reason, the utilization efficiency of vapor deposition material can be improved.
  • the gas introduced into the restriction plate unit 20 from the gas inlet 43 is the non-opening portion 13 that sandwiches the mask opening regions 11 in the X-axis direction in the vapor deposition mask 10, that is, the non-opening in the vapor deposition mask 10.
  • the non-opening portions 13a provided between the mask opening regions 11 and the outer portions of the mask opening regions 11 at both ends in the X-axis direction (that is, the X axis of the limiting plate unit 20 in the vapor deposition mask 10) It is desirable that the gas is ejected to a portion facing the gas ejection port 41 located on the X-axis direction end side with respect to the restricting plate openings 21 at both ends in the direction.
  • the vapor deposition flow is controlled by the restriction plate openings 21 formed between the restriction plates 22 and only a trace amount of unnecessary components is blocked by the gas wall 501, so the pressure in the vicinity of the vapor deposition source opening 31 is increased. There is nothing.
  • the amount of gas may be small, and the degree of vacuum will not be significantly reduced.
  • the vapor deposition flow that forms the vapor deposition film 300 that is originally vapor deposited (that is, the vapor deposition flow other than the unnecessary vapor deposition flow generated by the pseudo expansion of the vapor deposition source opening 31) is restricted after passing through the restriction plate opening 21. Since it reaches the vapor deposition mask 10 in the direction controlled by the plate opening 21, it does not go to the gas wall 501.
  • a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method capable of vapor deposition at a high rate and capable of preventing the occurrence of abnormal film formation even when vapor deposition is performed at a high rate. can do.
  • a vapor deposition flow having a high density of vapor deposition particles 301 that forms a vapor deposition film 300 that is originally vapor deposited is formed between each restriction plate opening 21 and each mask opening region 11.
  • the gas density is smaller than the density of the vapor deposition flow that forms the vapor deposition film 300 originally deposited.
  • the gas jet nozzle 41 is smaller than the vapor deposition source opening 31, and there is little gas amount.
  • the vapor deposition mask 10 is formed to be shorter in the Y-axis direction than the film formation substrate 200 by performing scan vapor deposition, and the film formation substrate 200 and the vapor deposition unit 1 At least one is moved relative to the other in the Y-axis direction.
  • the gas blown to the non-opening 13 sandwiching the mask opening regions 11 in the X-axis direction spreads in the Y-axis direction and escapes upward from the end of the deposition mask 10 in the Y-axis direction.
  • the amount of gas mixed into the mask opening region 11 can be reduced as much as possible. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress deterioration of element characteristics.
  • the vapor deposition apparatus 100 and the vapor deposition method according to the present embodiment block unnecessary components by the gas wall 501, the gas flow rate may be adjusted for each vapor deposition rate, and the versatility is high.
  • the limiting plate unit 20 is a hollow block-shaped unit, and a portion other than the limiting plate opening 21 in the hollow plate-shaped member constituting the limiting plate unit 20 (that is, a non-opening portion)
  • the case has been described by taking as an example the case of the holding body portion 24 that connects and holds the restriction plate 22 and has a configuration in which the plurality of restriction plates 22 and the holding body portion 24 are integrally formed.
  • the limiting plate unit 20 is not limited to this, and a limiting plate 22 arranged via the limiting plate opening 21 has a frame shape that connects and holds these limiting plates 22. You may have the structure fixed to the holding body part 24 by screwing or welding.
  • each restricting plate 22 and each restricting plate 22 and the holding body portion 24 may be integrally formed as shown in FIG. 2 or may be formed separately.
  • the method of holding each limiting plate 22 is not limited to the above method. Therefore, the shape of the limiting plate unit 20 is not particularly limited.
  • the limiting plate unit 20 can be compactly formed, and the alignment of the limiting plates 22 and the limiting plate unit 20 Replacement work is facilitated. For this reason, it is preferable that the limiting plate unit 20 is formed in a block shape.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to this modification.
  • the nozzle length of the gas ejection port 41 is preferably as long as it does not penetrate the limiting plate unit 20.
  • the gas diffusion chamber 42 is provided in the restriction plate 22 as an example, but the gas diffusion chamber 42 may be provided only in the holding body portion 24.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes, for example, the gas diffusion chamber 42 connected to the gas inlet 43 in the holder 24 and the gas outlet having a longer length in the Z-axis direction than in FIG. 41 may be provided.
  • a branch pipe is provided as a vent pipe (vent path) in the holder 24 instead of the gas diffusion chamber 42, and the gas inlet 43 and the gas jet outlet 41 are connected by the branch pipe. It may be connected.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes a plurality of gas introduction ports 43 corresponding to each restriction plate 22 in the restriction plate unit 20, and the gas supply pipe 51 is a branch pipe.
  • a configuration may be adopted in which gas is supplied to each restriction plate 22 through the gas introduction port 43.
  • the vapor deposition film 300 is a light emitting layer of each color of R, G, and B in the organic EL display device has been described as an example.
  • the organic EL element is interposed between a pair of electrodes.
  • an organic layer other than the light emitting layer may be included.
  • the vapor deposition apparatus 100 may be used to form an organic layer other than the light emitting layer as the vapor deposition film 300.
  • a light emitting layer may be formed as the deposited film 300 in each film formation region 202 of the film formation substrate 200 on which an organic layer other than the light emitting layer is formed.
  • the vapor deposition mask 10 is a vapor deposition mask having a size at least in the Y-axis direction smaller than that of the film formation substrate 200 in plan view, and the vapor deposition unit 1 and the film formation substrate 200 are relatively moved.
  • the case where the scan deposition is performed is described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and a vapor deposition mask having the same size as the deposition target substrate 200 is used as the deposition mask 10, and the deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 are in contact with each other. You may vapor-deposit in a state.
  • openings are formed in the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 as gas escape paths as shown in the embodiments described later. It is preferable that
  • the gas blown to the deposition mask 10 spreads in the Y-axis direction and flows. For this reason, when the scanning direction opening length of the gas jet nozzle 41 is longer than the scanning direction opening length of the limiting plate opening 21, the gas is blown in the same range as the range in which the gas is blown to the vapor deposition mask 10. If possible, the gas outlet 41 may be formed intermittently. In other words, if the gas can be blown on the surface of the vapor deposition mask 10 facing the limiting plate unit 20 so that the gas wall 501 is formed without interruption along the non-opening portion 13a in the Y-axis direction, The opening length in the scanning direction is not particularly limited.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • a plurality of gas walls 501 are formed between the limiting plates 22 and the non-opening portions 13 a between the mask opening regions 11 in the vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition apparatus 100 is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment.
  • two gas walls 501 are formed between each restriction plate 22 and each non-opening 13a.
  • the mask opening areas 11 from the limiting plate openings 21 facing the mask opening areas 11 on both sides of the mask opening areas 11. It is necessary to block the vapor deposition particles 301 heading toward each.
  • the probability of blocking such vapor deposition particles 301 is increased by providing a plurality of gas ejection ports 41 in the X-axis direction with respect to each non-opening portion 13a.
  • a plurality of (two in the example shown in FIG. 2) gas outlets 41 are formed in the X-axis direction on one limiting plate 22.
  • two gas outlets 41 are provided in the X-axis direction with respect to all the restriction plates 22, but as described above, the mask opening regions 11 at both ends in the X-axis direction of the vapor deposition mask 10 are It is only necessary to block only the vapor deposition particles 301 from the limiting plate opening 21 facing the mask opening area 11 adjacent to one side of the mask opening area 11 toward the mask opening area 11.
  • the gas outlet 41 is formed so that only one gas wall 501 is formed in the X-axis direction. It may be provided. Therefore, only one gas outlet 41 may be provided in the X axis direction outside the limit plate openings 21 at both ends in the X axis direction of the limit plate unit 20.
  • the gas outlet 41 is formed at the central portion (near the center) of the restriction plate 22. Is preferred. However, when the gas outlets 41 are close to each other, gas spread occurs in the vicinity of the gas outlets 41. Therefore, it is preferable that the gas outlets 41 are preferably spaced apart from each other by several mm. .
  • FIG. 6A is a perspective view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment
  • FIG. 6B is a schematic view of the main part of the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. It is a top view which shows a structure. 6B shows a state in which the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 in the vapor deposition apparatus 100 are viewed from above the limiting plate unit 20.
  • FIG. 6A is a perspective view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment
  • FIG. 6B is a schematic view of the main part of the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. It is a top view which shows a structure. 6B shows a state in which the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 in the vapor deposition apparatus 100 are viewed from above the limiting plate unit 20.
  • each gas outlet 41 (that is, the opening length in the X-axis direction orthogonal to the scanning direction at the gas outlet 41) is always constant in the Y-axis direction. Illustrated. However, the opening width of each gas outlet 41 may differ depending on the position in the Y-axis direction.
  • the density of the vapor deposition particles 301 that pass through the restriction plate opening 21 is highest in the central portion in the Y-axis direction of the restriction plate opening 21, which is directly above the restriction plate opening 21 in plan view. For this reason, the number of vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation due to the pseudo expansion of the vapor deposition source opening 31 is the largest in the Y-axis direction central portion of the restriction plate opening 21 in plan view.
  • each gas outlet 41 when the opening width of each gas outlet 41 is constant regardless of the position in the Y-axis direction, the gas gas flow rate is constant in the Y-axis direction, and the number of vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation is relatively large. At the end portion in the Y-axis direction that is extremely small, the gas flow rate increases unnecessarily.
  • the X-axis in a plan view at the gas outlet 41 provided in each restriction plate 22 is used.
  • the opening width of the portion adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the direction is defined as the opening width of the end portion in the Y-axis direction at these gas ejection ports 41 (in other words, not adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction in plan view). It is preferable to make it wider than the opening width of the portion.
  • the opening width of the gas outlet 41 is set so that the portion closer to the vapor deposition source opening 31 is wider in the Y-axis direction and becomes smaller as the distance from the vapor deposition source opening 31 increases.
  • each gas outlet 41 is provided with an opening width (in other words, each gas in the restriction plate 22 adjacent to the central portion in the Y-axis direction of the restriction plate opening 21, which is directly above the vapor deposition source opening 31.
  • the opening width of the portion adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction in the plan view is set to be the widest, and as it goes toward the Y-axis direction end (that is, the vapor deposition source opening 31 in the plan view).
  • the taper was tapered as the distance from the head increased.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment, for example.
  • the gas outlet 41 may be oval or rhombus.
  • the gas ejection port 41 By making the gas ejection port 41 have the shape described above, it is possible to efficiently block the vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation without consuming unnecessary gas. For this reason, the gas flow rate can be optimized by the position in the Y-axis direction.
  • each restriction plate 22 the case where one gas jet 41 is provided in each restriction plate 22 is illustrated as an example, but the gas jet is provided for one restriction plate 22. It goes without saying that a plurality of 41 may be provided.
  • Embodiment 4 The present embodiment will be described mainly with reference to FIGS. 7A and 7B. In the present embodiment, differences from the first to third embodiments will be described. Components having the same functions as those used in the first to third embodiments are given the same numbers, and Description is omitted. In the following, differences from the vapor deposition apparatus 100 shown in Embodiment 3 will be described as an example, but it is needless to say that modifications similar to those in Embodiments 1 and 2 are possible.
  • FIG. 7A is a perspective view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment
  • FIG. 7B is an outline of a main part of the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. It is a top view which shows a structure. 7B shows a state in which the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 in the vapor deposition apparatus 100 are viewed from above the limiting plate unit 20.
  • FIG. 7A is a perspective view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment
  • FIG. 7B is an outline of a main part of the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. It is a top view which shows a structure. 7B shows a state in which the limiting plate unit 20 and the vapor deposition source 30 in the vapor deposition apparatus 100 are viewed from above the limiting plate unit 20.
  • FIG. 7A is a perspective view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment
  • FIG. 7B is an outline
  • the gas jets 41 provided in the respective restriction plates 22 are blocked.
  • the opening width of the portion adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction (that is, the opening length in the X-axis direction orthogonal to the scanning direction at the gas outlet 41) is set at the gas outlet 41.
  • the opening width at the end in the Y-axis direction (in other words, the opening width of the portion not adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the X-axis direction in plan view) is preferably larger.
  • the gas ejection ports 41 on the respective restricting plates 22 are different from the gas ejection ports 41b and 41c in the scanning direction opening length (that is, the opening length in the Y-axis direction at the gas ejection port 41).
  • a plurality of gas ejection ports 41a to 41c including the gas ejection port 41a are provided.
  • a gas whose opening length in the scanning direction is shorter than that of the gas outlet 41a so as to sandwich the gas outlet 41a having the longest opening length in the scanning direction.
  • the jet nozzles 41b and 41c are arranged.
  • at least three gas ejection ports 41 are provided between the adjacent limitation plate openings 21, and are relatively close to the limitation plate opening 21 in a plan view.
  • the scanning direction opening length of the gas ejection port 41 (for example, the gas ejection ports 41b and 41c adjacent to the restriction plate opening 21 in plan view) is longer than the scanning direction opening length of the other gas ejection ports 41 (for example, the gas ejection port 41).
  • Each gas outlet 41 was formed to be shorter.
  • the arrangement density of the gas outlets 41 is relatively high in a region relatively close to the vapor deposition source opening 31 in a plan view, and the gas injection is relatively in a region far from the vapor deposition source opening 31.
  • the arrangement density of the outlets 41 is relatively low.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the third embodiment.
  • each of the restriction plates 22 in a plan view is provided.
  • gas outlets 41a to 41c are provided as the gas outlet 41.
  • the gas outlet 41 a is provided as a gas outlet 41 at a portion adjacent to the Y-axis direction end of the limiting plate opening 21.
  • the total opening width of the gas outlets 41 provided in each restricting plate 22 is increased by the opening width of the gas outlets 41b and 41c.
  • the total opening width of the gas outlet 41 in the portion adjacent to the central portion in the Y-axis direction of the restriction plate opening 21 in the vapor deposition apparatus 100 in the vapor deposition apparatus 100 is defined as the restriction plate opening 21. It was made wider than the total opening width of the gas outlet 41 at the portion adjacent to the Y-axis direction end. More specifically, in the present embodiment, the total opening width of the gas outlet 41 in the portion adjacent to the central portion in the Y-axis direction of the limiting plate opening 21 in each limiting plate 22 (that is, provided in each limiting plate 22).
  • the total opening width of the gas outlets 41a to 41c) is the total opening width of the gas outlets 41 provided at the ends in the Y-axis direction of the restricting plates 22 (that is, the restricting plate openings in the restricting plates 22). 21 is wider than the opening width of the gas outlet 41a, which is the gas outlet 41 provided in a portion adjacent to the end in the Y-axis direction.
  • the gas flow rate can be optimized by the position in the Y-axis direction, as in the third embodiment.
  • the scanning direction opening length is longer than that of the gas ejection port 41a so as to sandwich the gas ejection port 41a having the longest scanning direction opening length.
  • the gas outlets 41b and 41c having a short length are arranged.
  • the arrangement of the gas ejection ports 41 is such that the total opening width of the gas ejection ports 41 in the portion adjacent to the central portion in the Y-axis direction of the restriction plate opening 21 in the restriction plate 22 (that is, the portion immediately above the vapor deposition source opening 31).
  • positions so that it may become wider than the total opening width of the gas jet nozzle 41 of the Y-axis direction edge part in the restriction
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes a restriction plate unit 70 (the first restriction plate unit 70) for the gas outlet 41 between the restriction plate unit 20 (first restriction plate unit) and the vapor deposition mask 10. Except for the point that 2 restriction plate units) are provided, for example, the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment is the same.
  • the limiting plate unit 70 includes a plurality of limiting plates 72 (second limiting plate, limiting portion) that are opposed to the limiting plate 22 and are spaced apart from each other in plan view.
  • a plurality of restriction plates 72 are provided in the X-axis direction for each gas ejection port 41 so as to sandwich the gas ejection port 41 in plan view.
  • the limiting plates 72 are provided on the limiting plate 22 (first limiting plate) along the limiting plate 22 as a set of two in the X-axis direction for each limiting plate 22. Yes.
  • the limiting plates 72 are each extended in parallel to the Y-axis in plan view, and each set of limiting plates 72 (that is, a pair of limiting plates 72 and 72) provided as one set. These are arranged in parallel with each other in the X-axis direction at the same pitch.
  • restriction plate opening 71 for vapor deposition flow that allows the vapor deposition particles 301 that have passed through the restriction plate openings 21 between the adjacent restriction plates 22 to pass. Is formed.
  • a restriction plate opening for gas (gas wall 501) that allows the gas ejected from the gas ejection port 41 to pass between the pair of restriction plates 72 provided on the same restriction plate 22 in plan view. 73 is formed.
  • limiting plate openings 71 and limiting plate openings 73 are provided alternately.
  • the restriction plate openings 71 and 73 are through-holes that penetrate the restriction plate unit 70 in the Z-axis direction.
  • the limiting plate opening 71 and the limiting plate opening 21 have a one-to-one relationship. Therefore, the limiting plate opening 71, the mask opening region 11, and the vapor deposition source opening 31 have a one-to-one relationship. Further, the restricting plate opening 73 and the gas outlet 41 have a one-to-one relationship.
  • the directivity can be increased by increasing the depth (nozzle length) of the gas ejection port 41, but there is a limit to increasing the directivity only by the depth of the gas ejection port 41. There is. Therefore, by providing the restriction plate unit 70 having the restriction plate opening 73 for controlling the gas flow on the upper side of the gas ejection port 41, the gas flow can be prevented from flowing into the mask opening region 11.
  • the restriction plate opening 73 has a role of controlling the flow of gas (gas flow) ejected from the gas ejection port 41 and enhancing the directivity. Further, the restriction plate opening 71 has a role of controlling the flow of the vapor deposition particles 301 (deposition flow) that has passed through the restriction plate opening 21 and further improving directivity.
  • the relative position of the restricting plate 72 with respect to the gas outlet 41, the opening sizes of the restricting plate openings 71 and 73 (opening length and opening width in the scanning direction), and the like are the width of the restricting plate 72, the height of the restricting plate 72, It can be optimized by the distance between the film formation substrate 200 and the vapor deposition source 30 and the design values of the mask opening region 11 and the like.
  • the length in the scanning direction of the limiting plate 72 in plan view is equal to or longer than the opening length of the gas ejection port 41 in the scanning direction (that is, equal to or longer than the gas wall 501 in the Y-axis direction). There is a need to. If the length in the scanning direction of the limiting plate 72 in plan view is shorter than the opening length in the scanning direction of the gas ejection port 41, there is a concern that the gas flow at the end in the scanning direction cannot be controlled.
  • the outer shape of the limiting plate unit 70 is formed in the same size (for example, the same size) as the limiting plate unit 20 in a plan view, but is limited to this. It is not a thing.
  • the restriction plate 72 is normally deposited.
  • the limiting plate 72 is arranged so that the position of the end of the limiting plate 72 in the direction orthogonal to the scanning direction in plan view does not exceed the position of the end of the limiting plate 22 in the direction orthogonal to the scanning direction. It is desirable that
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 corresponds to (opposites) the non-opening portion 13 that sandwiches the mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10, and restricts the gas diffusion, thereby limiting the gas mask.
  • the vapor deposition apparatus 100 is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment except that a limiting plate 82 (shielding plate, third limiting plate) that prevents inflow (intrusion) into the opening region 11 is provided.
  • the gas ejected from the gas ejection port 41 has a small flow rate, there is a concern that the gas is ejected with a slight spread at the gas ejection port 41 and flows into the deposition region 202 from the mask opening region 11. is there.
  • the gas flow rate is small, and a vapor deposition flow with a high density of vapor deposition particles 301 is formed between the respective restricting plate openings 21 and the respective mask opening regions 11 to form the vapor deposition film 300 that is originally vapor deposited.
  • the gas blown to the vapor deposition mask 10 does not easily spread to the mask opening region 11 side, for example, depending on the gas flow rate, the gas contacts the surface of the vapor deposition mask 10 (that is, collides), so that the mask opening region 11 There are concerns that spread to the side.
  • a limiting plate 82 for restricting gas diffusion (movement) is provided so as to sandwich the mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10. Thereby, it is possible to prevent the gas flow from entering the film formation region 202 from the mask opening region 11.
  • the limiting plate 82 may be provided directly on the vapor deposition mask 10 or may be provided separately from the vapor deposition mask 10. For example, by processing the vapor deposition mask 10, the limiting plate 82 may be provided on the surface of the vapor deposition mask 10 opposite to the deposition target substrate 200 (that is, the surface facing the limiting plate unit 20). . Further, the limiting frame unit may be formed by processing a mask frame for fixing the end of the vapor deposition mask 10 by welding the vapor deposition mask 10 or the like. That is, by providing the limiting plate 82 on the mask frame, the mask frame itself may be a limiting plate unit. Alternatively, an additional limiting plate unit may be provided on the mask frame.
  • the limiting plate 82 is directly provided on the vapor deposition mask 10, the self-weight deflection of the vapor deposition mask 10 is promoted. For this reason, depending on the size of the vapor deposition mask 10, normal vapor deposition may not be performed.
  • the limiting plate unit is provided separately from the mask frame, the number of parts increases, so that the manufacturing efficiency and alignment efficiency of the vapor deposition apparatus 100 decrease. For this reason, it is preferable to process the mask frame to form a limiting plate unit.
  • FIG. 9 illustrates a limit plate unit 80 (third limit plate unit, which limits the movement of gas and vapor deposition particles 301 between the vapor deposition mask 10 and the limit plate unit 20 adjacent to the vapor deposition mask 10.
  • a case where a shielding unit is provided is shown as an example.
  • the limiting plate unit 80 restricts gas diffusion (movement, movement range) and prevents gas inflow (invasion) into the mask opening region 11, while the movement (movement range) of the vapor deposition particles 301 is originally incident. By limiting within the mask opening region 11, the inflow (intrusion) of the vapor deposition particles 301 into the mask opening region 11 (adjacent mask region) adjacent to the mask opening region 11 is prevented.
  • the thickness of the limiting plate unit 80 that is, the thickness of the limiting plate 82 is not limited, but it is not necessary to make a mask frame by setting it to the same thickness as the mask frame.
  • the limiting plate 82 is also used as the mask frame by providing the limiting plate 82 in the mask frame will be described as an example. However, as described above, the present embodiment is limited to this. Not.
  • Each restriction plate 82 is provided, for example, as a set of two in the X-axis direction so as to sandwich the gas wall 501 therebetween. That is, a plurality of each limiting plate 82 is provided in the X-axis direction with respect to one non-opening 13 so as to sandwich the gas wall 501 in plan view.
  • each set of limit plates 82 (that is, a pair of limit plates 82 and 82) provided in pairs in the X-axis direction in plan view has the mask opening region 11 in the plan view. A plurality of them are arranged in parallel with each other in the X-axis direction at the same pitch so as to sandwich them.
  • the length in the scanning direction of the limiting plate 82 in plan view is equal to or longer than the opening length of the gas ejection port 41 in the scanning direction (that is, equal to or longer than the gas wall 501 in the Y-axis direction). There is a need to. If the length in the scanning direction of the limiting plate 82 in plan view is shorter than the opening length in the scanning direction of the gas outlet 41, there is a concern that the gas flow at the end in the scanning direction cannot be controlled.
  • the gas flow blown into the gap 83 (the gas restriction plate opening) between the adjacent restriction plates 82 forming a pair is opened to the mask by the pair of restriction plates 82 sandwiching the gas flow. Inflow to region 11 is blocked.
  • the vapor deposition flow that has flowed into the openings 81 (restriction plate openings for vapor deposition flow) between adjacent pairs of restriction plates 82 is originally incident on the mask opening region 11 by the restriction plate 82 that sandwiches the gas wall 501 and the mask opening region 11. Inflow to the adjacent mask region is blocked.
  • the gas flow in the X-axis direction is restricted by the inner wall between the pair of restriction plates 82, and the flow of the vapor deposition particles 301 is restricted by the outer wall of the pair of restriction plates 82.
  • the vapor deposition particles 301 pass through the restriction plate opening 21 to improve directivity, and the vapor deposition particles 301 incident on the opening 81 in the restriction plate unit 80 are not scattered, and each mask in the mask opening region 11 is scattered. The light enters the opening 12.
  • two limiting plates in the X-axis direction are set as a pair so as to sandwich the gas wall 501 so as to face the non-opening portion 13 sandwiching each mask opening region 11 therebetween in the X-axis direction.
  • the inflow of gas to the mask opening region 11 adjacent to one side of the gas wall 501 may be blocked.
  • only one limiting plate 82 may be formed facing the non-opening 13 with respect to the non-opening 13 outside the mask opening region 11 at both ends in the X-axis direction of the vapor deposition mask 10. Absent.
  • Embodiment 7 This embodiment will be mainly described with reference to FIG. In this embodiment, differences from Embodiments 1 to 6 will be described. Components having the same functions as those used in Embodiments 1 to 6 are denoted by the same reference numerals. Description is omitted. In the following description, the difference from the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. 1 in the first embodiment will be described as an example. However, modifications similar to the modification of the first embodiment and the second to sixth embodiments are possible. Needless to say.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 has a gas mask opening 14 (see FIG. 10) that allows the gas ejected from the gas ejection port 41 to pass through the deposition mask 10.
  • the film formation substrate 200 provided with 205 film formation substrate opening
  • the gas flow rate is small, and a vapor deposition flow with a high density of vapor deposition particles 301 is formed between each restriction plate opening 21 and each mask opening region 11 to form a vapor deposition film 300 that is originally vapor deposited. Therefore, the gas sprayed onto the vapor deposition mask 10 is difficult to spread to the mask opening region 11 side. However, for example, depending on the gas flow rate, the gas blown onto the vapor deposition mask 10 may come into contact with the surface of the vapor deposition mask 10 (that is, collide), so that the gas may spread to the mask opening region 11 side.
  • the gas that allows the gas to pass through the non-opening portion 13 sandwiching the mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10 as a passage of the gas in order to reduce the amount of gas mixed into the mask opening region 11 as much as possible, the gas that allows the gas to pass through the non-opening portion 13 sandwiching the mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10 as a passage of the gas.
  • a gas through-hole 205 through which the gas passes is provided in a non-film formation region 204 that sandwiches the film formation region 202 in the film formation substrate 200.
  • the gas sprayed from the gas outlet 41 to the surface of the vapor deposition mask 10 escapes to the opposite side of the deposition target surface 201 of the deposition target substrate 200 through the mask opening 14 and the through hole 205. That is, in the present embodiment, the gas wall 501 is formed so as to penetrate the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200. For this reason, it can prevent more reliably that the gas which collided with the surface of the vapor deposition mask 10 spreads to the mask opening area
  • the gas wall 501 can be formed so as to penetrate the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 as described above. For this reason, the vapor deposition particles 301 that have passed through the mask opening 12 enter the film formation region 202 (adjacent film formation region) adjacent to the film formation region 202 that originally enters the gas wall 501, It can prevent more reliably.
  • the gas flow rate can be increased compared to the case where the mask opening 14 and the through-hole 205 are not formed. For this reason, it is possible to form a more excellent gas wall 501 due to the block property of the vapor deposition particles 301 that causes abnormal film formation.
  • the scanning direction opening length and opening width of the mask opening 14 and the through-hole 205 are respectively the length in the Y-axis direction and the X-axis direction of the gas wall 501 formed between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20. It is desirable that the width is the same. For this reason, the scanning direction opening length and opening width of the mask opening 14 and the through-hole 205 are, for example, the same as the gas outlet 41 in a plan view, or a size in consideration of gas expansion in the size of the gas outlet 41. In addition, it is preferable that the gas injection port 41 has, for example, a similar shape.
  • the mask opening 14 is provided in the area
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • Embodiments 1 to 7 have been described by taking as an example the case where the restriction plate unit 20 is provided with the gas ejection portion 40. However, the gas wall 501 passes through the restricting plate opening 21 and prevents the vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation from entering the adjacent mask opening region. It may be formed between.
  • the gas ejection part 40 may be provided separately from the limiting plate unit 20 between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20.
  • the vapor deposition apparatus 100 provides a restriction plate unit 20 between the vapor deposition mask 10 and the restriction plate unit 20 as a restriction plate and gas supply unit, instead of providing the gas ejection part 40 in the restriction plate unit 20. Adjacently, a limiting plate unit 90 (second limiting plate unit, gas ejection unit) having a gas ejection portion 40 is provided. Except for the above configuration, the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the first embodiment, for example.
  • the restriction plate unit 90 is, for example, a hollow block-like unit, and has a configuration in which a plurality of restriction plate openings 91 and gas ejection ports 41 are provided at a constant pitch along the X-axis direction.
  • the limiting plate unit 90 includes a plurality of limiting plates 92 (second limiting plate, gas ejection portion) that are opposed to the limiting plate 22 and are spaced apart from each other in plan view.
  • At least one restriction plate 92 is provided for one restriction plate 22.
  • FIG. 11 shows an example in which one limiting plate 92 is provided at the center of the limiting plate 22 in the X-axis direction.
  • a plurality of gas ejection ports 41 may be provided for one restriction plate 22, and the gas ejection ports in the X-axis direction with respect to one restriction plate 22.
  • Limiting plates 92 may be provided in the X-axis direction by the number 41.
  • a gas outlet 41 is provided on the surface of each restriction plate 92 facing the vapor deposition mask 10.
  • restriction plate unit 90 is provided with at least one gas introduction port 43 connected to the gas supply source 52 via the gas supply pipe 51.
  • the limiting plate unit 90 has, for example, a hollow shape, and includes a gas diffusion chamber 42 connected to the gas introduction port 43 therein.
  • the vapor deposition apparatus 100 has a configuration in which the limiting plate unit 20 and the gas supply mechanism 50 are provided independently of each other.
  • the restriction plate opening 91 is a through-hole that penetrates the restriction plate unit 90 in the Z-axis direction.
  • the limiting plate opening 91 and the limiting plate opening 21 have a one-to-one relationship. Therefore, the limiting plate opening 91, the mask opening region 11, and the vapor deposition source opening 31 have a one-to-one relationship.
  • the restricting plate opening 91 has a role of controlling the flow (deposition flow) of the vapor deposition particles 301 that have passed through the restricting plate opening 21 and further improving directivity.
  • the gas outlet 41 in the limiting plate unit 90 is the same as the gas outlet 41 in the limiting plate unit 20 and can be designed in the same manner as the gas outlet 41 in the limiting plate unit 20.
  • the opening length of the gas outlet 41 in the scanning direction is equal to or longer than the opening length of the limiting plate opening 21 in the scanning direction.
  • the scanning direction opening length of the gas outlet 41 is shorter than the scanning direction opening length of the limiting plate opening 21, there is a portion where the gas wall 501 is not provided adjacent to the limiting plate opening 21, It is impossible to block the vapor deposition particles 301 toward the adjacent mask region.
  • the length of the restriction plate 92 in the scanning direction in plan view needs to be equal to or longer than the length of the restriction plate opening 21 in the scanning direction.
  • the outer shape of the limiting plate unit 90 is formed in the same size (for example, the same size) as the limiting plate unit 20 in a plan view, but is limited to this. It is not a thing.
  • the restriction plate 92 is normally deposited.
  • the limiting plate 92 is arranged so that the position of the end portion of the limiting plate 92 in the direction orthogonal to the scanning direction in plan view does not exceed the position of the end portion of the limiting plate 92 in the direction orthogonal to the scanning direction. It is desirable that
  • the vapor deposition flow is controlled by the limiting plate opening 21 formed between the limiting plates 22 and only a trace amount of unnecessary components is blocked by the gas wall 501, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained. Can do.
  • the limiting plate unit 20 shielding unit is provided separately from the limiting plate unit 20, the number of parts increases, and the manufacturing efficiency and alignment efficiency of the vapor deposition apparatus 100 decrease.
  • the gas supply mechanism 50 is formed independently from the restriction plate unit 20, it is only necessary to add the gas supply mechanism 50 to the vapor deposition apparatus 100 provided with the restriction plate unit 20, Capital investment can be reduced.
  • FIGS. 12A and 12B The present embodiment will be described mainly based on FIGS. 12A and 12B.
  • differences from the first to eighth embodiments will be described. Components having the same functions as those used in the first to eighth embodiments are denoted by the same reference numerals. Description is omitted.
  • the difference from the vapor deposition apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described as an example in the first embodiment.
  • modifications of the first embodiment and modifications similar to the second to sixth and eighth embodiments are possible. It goes without saying that.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, and FIG. 12B is provided with the exhaust mechanism 110 shown in FIG. 1 is a bottom view showing a schematic configuration of a vapor deposition mask 10.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, and FIG. 12B is provided with the exhaust mechanism 110 shown in FIG. 1 is a bottom view showing a schematic configuration of a vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition apparatus 100 is, for example, the vapor deposition apparatus according to the first embodiment except that the vapor deposition mask 10 is provided with an exhaust mechanism 110. The same as 100.
  • the exhaust mechanism 110 includes a gas suction unit 15 provided in the vapor deposition mask 10, an exhaust device 112, and an exhaust pipe 111 that connects the gas suction unit 15 and the exhaust device 112.
  • the gas suction unit 15 includes an intake port 16, an exhaust path 17, and an exhaust port 18.
  • the intake port 16 is a gas suction port (opening portion) that is provided on the surface of the vapor deposition mask 10 facing the gas ejection port 41 and sucks the gas blown to the vapor deposition mask 10.
  • the intake port 16 is provided in the non-opening portion 13 that faces the gas ejection port 41 and sandwiches the mask opening region 11 in the vapor deposition mask 10. That is, the vapor deposition mask 10 according to the present embodiment is provided with the intake port 16 for sucking the gas forming the gas wall 501 in the region where the gas wall 501 is formed in the vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition mask 10 is provided with an exhaust port 18 connected to the exhaust pipe 111.
  • the intake port 16 and the exhaust port 18 are connected by an exhaust passage 17 provided inside the vapor deposition mask 10 as shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 10 may have a hollow structure in which a space portion serving as an exhaust passage 17 is provided inside a portion other than the mask opening 12 which is a through-hole, for example, a portion other than the mask opening region 11, You may have the structure by which the exhaust pipe (ventilation pipe) was embed
  • the exhaust pipe 111 is connected to the exhaust device 112, and the gas sucked from the intake port 16 passes through the exhaust path 17 and is sucked from the exhaust port 18 through the exhaust tube 111 to the exhaust device 112, thereby exhausting. Is done.
  • the exhaust device 112 is disposed outside the film forming chamber 101.
  • an intake device such as a vacuum pump is used.
  • the exhaust device 112 may be provided separately from a vacuum pump that keeps the inside of the film forming chamber 101 in a vacuum state during vapor deposition, and the vacuum pump may also serve as the exhaust device 112. That is, for example, the exhaust pipe 111 may be connected by a branch pipe to a vacuum pump that keeps the inside of the film forming chamber 101 in a vacuum state.
  • the gas blown onto the vapor deposition mask 10 may come into contact with the surface of the vapor deposition mask 10 (that is, collide), so that the gas may spread to the mask opening region 11 side. There is.
  • the gas blown to the vapor deposition mask 10 is sucked into the air inlet 16 formed in the vapor deposition mask 10 by the exhaust device 112 connected to the vapor deposition mask 10, and is directed to the mask opening region 11 side. There is no spread. For this reason, according to this embodiment, the landing disorder of the vapor deposition particles 301 due to an unnecessary gas flow can be prevented.
  • the opening length in the Y-axis direction is shorter than the mask opening 12 as the air inlet 16 in the non-opening portion 13 sandwiching the mask opening region 11.
  • the case where a plurality of circular air inlets 16 are provided is shown as an example.
  • the intake port 16 is formed in the formation region of the gas wall 501 in the vapor deposition mask 10 so that the size of the formation region of one intake port 16 or a plurality of intake port 16 groups is equal to or larger than the gas wall 501. If it is formed, the shape, size, and number are not particularly limited.
  • Embodiment 10 This embodiment will be mainly described with reference to FIG. In the present embodiment, differences from the first to ninth embodiments will be described. Components having the same functions as those used in the first to ninth embodiments are denoted by the same reference numerals. Description is omitted. In the following, differences from the vapor deposition apparatus 100 shown in Embodiment 8 will be described as an example, but it is needless to say that modifications similar to those in Embodiments 1 to 6 are possible.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the gas ejection portion 40 may be provided separately from the limiting plate unit 20 between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20.
  • the vapor deposition apparatus 100 replaces the limiting plate unit 90 with a limiting plate unit 120 (having a gas ejection portion 40 adjacent to the vapor deposition mask 10 between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20 ( A third limiting plate unit, a gas ejection unit). Except for the above configuration, the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the eighth embodiment, for example.
  • the limiting plate unit 120 is, for example, a hollow block-shaped unit, and has a configuration in which a plurality of limiting plate openings 121 and gas outlets 41 are provided at a constant pitch along the X-axis direction.
  • Adjacent restriction plate openings 121 are separated by a restriction plate 122 (second restriction plate, gas ejection portion) that restricts the movement of the vapor deposition particles 301.
  • the restriction plate 122 restricts the movement (moving range) of the vapor deposition particles 301 to the mask opening region 11 where the vapor deposition particles 301 are originally incident, thereby vapor deposition on the mask opening region 11 (adjacent mask region) adjacent to the mask opening region 11. Inflow (intrusion) of particles 301 is prevented.
  • the limiting plates 122 are arranged at a constant pitch so as to face the limiting plate 22, separated from each other in a plan view, and parallel to each other in the X-axis direction.
  • the limiting plate opening 121 is a through-hole provided between the limiting plates 122 adjacent in the X-axis direction.
  • the gas outlet 41 is provided on the surface of each restriction plate 122 facing the restriction plate 22.
  • restriction plate unit 120 is provided with at least one gas introduction port 43 connected to the gas supply source 52 through the gas supply pipe 51.
  • the limiting plate unit 120 has, for example, a hollow shape and includes a gas diffusion chamber 42 connected to the gas introduction port 43 therein.
  • the limiting plate unit 20 and the gas supply mechanism 50 have a configuration provided independently of each other.
  • the gas outlet 41 in the limiting plate unit 120 is the same as the gas outlet 41 in the limiting plate unit 20 and can be designed in the same manner as the gas outlet 41 in the limiting plate unit 20.
  • the opening length of the gas outlet 41 in the scanning direction is equal to or longer than the opening length of the limiting plate opening 21 in the scanning direction.
  • the scanning direction opening length of the gas outlet 41 is shorter than the scanning direction opening length of the limiting plate opening 21, there is a portion where the gas wall 501 is not provided adjacent to the limiting plate opening 21, It is impossible to block the vapor deposition particles 301 toward the adjacent mask region.
  • the length of the limiting plate 122 in the scanning direction in plan view needs to be equal to or longer than the length of the limiting plate opening 21 in the scanning direction.
  • the restriction plate unit 120 may be the restriction plate unit 120 by providing the gas ejection part 40 in the mask frame. Alternatively, an additional limiting plate unit 120 may be provided on the mask frame.
  • the limiting plate unit 120 is provided separately from the mask frame, the number of parts increases, and the manufacturing efficiency and the alignment efficiency of the vapor deposition apparatus 100 decrease. For this reason, it is preferable to process the mask frame to form the limiting plate unit 120.
  • the thickness of the limiting plate unit 120 that is, the thickness of the limiting plate 122 is not limited, but it is not necessary to make a mask frame by setting the same thickness as the mask frame.
  • the limiting plate 122 is also used as the mask frame by providing the limiting plate 122 in the mask frame will be described as an example. However, as described above, the present embodiment is limited to this. Not.
  • the limiting plate unit 120 is opposed to the non-opening portion 13 that sandwiches the mask opening regions 11 therebetween in the X-axis direction in a plan view, and the limiting plate 122 (third limiting plate 122) is disposed so as to sandwich the mask opening regions 11. Plate, gas ejection part) are provided apart from each other.
  • At least one limiting plate 122 is provided for each non-opening 13 sandwiching the mask opening region 11. That is, at least one limiting plate 122 is provided between adjacent mask opening regions 11.
  • FIG. 11 shows an example in which one limiting plate 122 that also serves as a gas ejection portion is provided in the central portion in the X-axis direction between adjacent mask opening regions 11.
  • a plurality of gas ejection ports 41 may be provided between adjacent mask opening regions 11.
  • a plurality of gas outlets 41 may be provided on the restriction plate 122, and the adjacent mask opening areas 11 may be provided in the X-axis direction.
  • Limiting plates 122 may be provided in the X-axis direction by the number of gas ejection ports 41.
  • the gas ejection port 41 may be provided in the restriction plate unit 120 such that the two gas ejection ports 41 face one restriction plate 22.
  • Embodiment 1 the same effect as that of Embodiment 1 can be obtained by forming the gas wall 501 between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20.
  • the gas wall 501 is formed between the restriction plate unit 20 and the vapor deposition mask 10 by ejecting gas from the gas outlet 41 toward the vapor deposition mask 10 side from the restriction plate unit 20 side.
  • the gas wall 501 is formed between the limiting plate unit 20 and the vapor deposition mask 10 by ejecting gas from the gas outlet 41 toward the limiting plate unit 20 from the vapor deposition mask 10 side.
  • the vapor deposition particles 301 ejected from the vapor deposition source opening 31 spread substantially isotropically, and the vapor deposition flow diffuses from the limiting plate unit 20 side toward the vapor deposition mask 10 side.
  • the gas ejection port 41 When gas is ejected from the gas ejection port 41 toward the deposition mask 10 side from the limiting plate unit 20 side as in the first to ninth embodiments, the gas ejection port 41 is smaller than the deposition source opening 31 and the gas flow rate is small. Therefore, the gas flow also diffuses from the restricting plate unit 20 side toward the vapor deposition mask 10 side, although it is very slight compared with the vapor deposition flow. For this reason, the gas density on the vapor deposition mask 10 side is lower than that on the limiting plate unit 20 side, and the gas flow may spread on the vapor deposition mask 10 side, which may cause gas to enter the mask opening region 11. Further, there is a concern that the gas colliding with the surface of the vapor deposition mask 10 spreads to the mask opening region 11 side and flows into the mask opening region 11 by blowing the gas onto the vapor deposition mask 10.
  • the gas is ejected from the restricting plate unit 120 toward the restricting plate 22 of the restricting plate unit 20, the gas ejected from the gas outlet 41 directly flows into the mask opening region 11 with a high gas density. There is nothing.
  • gas that has collided with the surface of the limiting plate 22 flows along the surface of the limiting plate 22 because the gas is blown from the limiting plate unit 120 to the limiting plate 22. Does not interfere. For this reason, the gas does not affect the device characteristics.
  • the limiting plate unit 120 having the gas ejection part 40 is provided between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20 has been described as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the vapor deposition mask 10 is made hollow as shown in the ninth embodiment, or the vapor deposition mask is embedded by embedding a vent pipe serving as a vent passage inside. 10 may be configured to include the gas supply mechanism 50 instead of the exhaust mechanism 110. That is, the gas ejection part 40 may be provided in the vapor deposition mask 10 itself.
  • the limiting plate unit 120 is not necessary, and the mask frame does not have to be the limiting plate unit 120.
  • the gas outlet 41 is directly provided in the non-opening 13 in the vapor deposition mask 10.
  • the exhaust mechanism 110 becomes the gas supply mechanism 50, and the gas suction unit 15 becomes the gas
  • the air outlet 16 becomes the gas outlet 41
  • the exhaust path 17 becomes the gas diffusion chamber 42
  • the exhaust outlet 18 becomes the gas inlet 43
  • the exhaust pipe 111 becomes the gas supply pipe 51.
  • the vapor deposition apparatus 100 has a configuration in which the vapor deposition mask 10 having the gas supply mechanism 50 having the above-described configuration is provided instead of the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 120 illustrated in FIG. 13. May be.
  • the vapor deposition apparatus 100 is configured such that a plurality of gas walls 501 are formed in the X-axis direction with respect to one limiting plate 22 (in other words, between the adjacent limiting plate openings 21 in a plan view, that is, In a plan view, the gas ejection ports 41 are formed for the respective non-opening portions 13 sandwiching the mask opening region 11 so that a plurality of gas walls 501 are formed in the X-axis direction between the adjacent mask opening regions 11.
  • a plurality may be provided in the X-axis direction.
  • the gas outlet 41 has, for example, the shape shown in any one of FIGS. 2 and 6 (a) and (b) and FIGS. 7 (a) and (b). It may have a shape combining them.
  • a limiting plate unit 70 is provided as a fourth limiting plate unit between the limiting plate unit 120 and the limiting plate unit 20, and the gas outlet is provided.
  • the gas flow may be controlled by providing the limiting plate 72 so as to sandwich 41.
  • the limiting plate unit 70 is desirably provided adjacent to the limiting plate unit 120.
  • a limiting plate unit 70 is used as a third limiting plate unit between the vapor deposition mask 10 and the limiting plate unit 20 instead of the limiting plate unit 120.
  • the gas flow may be controlled by providing the limiting plate 72 so as to sandwich the gas ejection port 41.
  • the limiting plate unit 70 is provided adjacent to the vapor deposition mask 10 and also serves as a mask frame.
  • a limiting plate 82 may be provided integrally with the limiting plate unit 120 or the vapor deposition mask 10 so that the gas wall 501 is sandwiched between the limiting plate unit 120 and the vapor deposition mask 10 in plan view. Further, a limiting plate unit 80 having a limiting plate 82 may be provided as a fourth limiting plate unit adjacent to the limiting plate unit 120. Alternatively, a limiting plate unit 80 having a limiting plate 82 may be provided as a third limiting plate unit adjacent to the vapor deposition mask 10. When the limiting plate unit 80 is provided adjacent to the vapor deposition mask 10, the limiting plate unit 80 preferably serves also as a mask frame.
  • the limiting plate 82 when the limiting plate 82 is provided on the limiting plate unit 120 or the vapor deposition mask 10, or when the limiting plate unit 80 having the limiting plate 82 is provided adjacent to the limiting plate unit 120 or the vapor deposition mask 10, the limiting plate 82. Can block the flow of gas into the mask opening region 11 and can control the flow of gas (gas flow) ejected from the gas ejection port 41 in the same manner as the limiting plate 72 to enhance directivity.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing the basic configuration of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment is the same as the vapor deposition apparatus 100 according to the tenth embodiment except that the exhaust mechanism 110 is provided in the restriction plate unit 20.
  • gas is ejected from the gas ejection port 41 from the vapor deposition mask 10 side toward the limiting plate unit 20 side.
  • the exhaust mechanism 110 is provided in the limiting plate unit 20.
  • the exhaust mechanism 110 according to the present embodiment is the same as the exhaust mechanism 110 according to the eighth embodiment except that the exhaust mechanism 110 is provided in the restriction plate unit 20.
  • the exhaust mechanism 110 includes a gas suction unit 15 provided in the restriction plate unit 20, an exhaust device 112, and an exhaust pipe 111 that connects the gas suction unit 15 and the exhaust device 112.
  • the gas suction unit 15 includes an intake port 16, an exhaust path (not shown), and an exhaust port 18.
  • the intake port 16 is provided in the formation area of the gas wall 501 on the surface of the restriction plate 22 facing the gas ejection port 41. As a result, the intake port 16 sucks the gas that forms the gas wall 501 blown to the restriction plate 22.
  • the restriction plate unit 20 is provided with an exhaust port 18 connected to the exhaust pipe 111, and the intake port 16 and the exhaust port 18 are connected by an exhaust path (not shown) provided inside the restriction plate unit 20. ing.
  • the limiting plate unit 20 has a hollow structure in which a space portion serving as an exhaust passage is provided inside a portion other than the limiting plate opening 21 that is a through-hole. And may have a structure in which an exhaust pipe is embedded as an exhaust path.
  • the gas blown to the restriction plate 22 is sucked into the intake port 16 formed in the restriction plate 22 and exhausted by the exhaust device 112 connected to the restriction plate unit 20. For this reason, the gas does not hinder the flow of the vapor deposition particles 301. For this reason, the gas does not affect the device characteristics.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes the deposition region 202 of the deposition substrate 200 having a plurality of deposition regions 202 in a first direction (X-axis direction, direction orthogonal to the scanning direction). Further, a vapor deposition apparatus for forming a plurality of vapor deposition films 300 of a predetermined pattern arranged in the first direction, the vapor deposition source 30 having a plurality of vapor deposition source openings 31 for injecting vapor deposition particles 301, and the plurality of objects to be coated.
  • a deposition mask 10 provided with a mask opening region 11 having a plurality of mask openings 12 arranged in the first direction according to the pattern of the deposition film 300 respectively facing the deposition region 202, and the deposition source 30 and a plurality of first limiting plates (restricting plates 22) arranged between the vapor deposition mask 10 and spaced apart from each other in the first direction, and between the adjacent first limiting plates
  • the deposition region 20 Corresponding to the first restriction plate unit (restriction plate unit 20) provided with the first restriction plate opening (restriction plate opening 21) for allowing the vapor deposition particles 301 to pass therethrough, the vapor deposition mask 10 and the first.
  • a gas supply mechanism 50 that forms a gas wall 501 in a portion between the first restriction plate unit and the gas wall 501 in the first direction in a plan view. It is formed in the non-opening area (non-opening part 13 and non-opening part 13a) between the adjacent first opening of the limiting plate and between the adjacent mask opening areas 11 of the vapor deposition mask 10.
  • the flow (vapor deposition flow) of the vapor deposition particles 301 is controlled by the restriction plate opening 21 formed between the restriction plates 22. Then, unnecessary vapor deposition particles 301 that are included in the vapor deposition flow that has passed through the restriction plate opening 21 and that cause abnormal film formation caused by pseudo expansion of the vapor deposition source opening 31 at a high rate are removed from the gas wall 501. Block with. Therefore, according to said structure, the said unnecessary component can be blocked efficiently.
  • the gas flow rate may be adjusted for each vapor deposition rate. For this reason, compared with the case where an unnecessary component is blocked only with the restriction
  • Patent Documents 2 and 3 when the gas is released from the vicinity of the vapor deposition source opening as in Patent Documents 2 and 3, there is a risk that a large amount of gas flows into (intrudes into) the film formation region as compared with the above embodiment. For this reason, when the method described in Patent Documents 2 and 3 is applied to a case where a plurality of film formation regions are provided on one film formation substrate as described above, an unnecessary component is blocked only with gas. There is a concern that the device such as an organic EL device provided on the film formation substrate 200 may be greatly affected.
  • the gas forming the gas wall 501 has a great influence on characteristics such as element characteristics in the deposition target substrate 200. There is no effect.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the second aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the first aspect, wherein the gas that forms the gas wall 501 is jetted toward the non-opening region in the vapor deposition mask 10 on each of the first limiting plates.
  • the jet nozzle 41 may be provided, respectively.
  • the gas wall is formed between the non-opening region and the first restricting plate by ejecting gas from the gas jetting port 41 toward the non-opening region of the vapor deposition mask 10. 501 can be formed easily.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to Aspect 3 of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to Aspect 2, wherein the vapor deposition apparatus 100 faces each of the first restriction plates in a plan view between the first restriction plate unit and the vapor deposition mask 10. And a second restriction plate unit (restriction plate unit 70) having a plurality of second restriction plates (restriction plates 72) provided apart from each other, and the second restriction plate has the gas in a plan view.
  • a plurality of the first restriction plates may be provided in the first direction so as to sandwich the jet nozzle 41.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the fourth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the first aspect, wherein the gas supply mechanism 50 includes a gas ejection unit (restriction plate unit) having a plurality of gas ejection ports 41 through which the gas forming the gas wall 501 is ejected. 90 or a limiting plate unit 120), and the gas ejection unit may be provided between the vapor deposition mask 10 and the first limiting plate unit.
  • the gas supply mechanism 50 includes a gas ejection unit (restriction plate unit) having a plurality of gas ejection ports 41 through which the gas forming the gas wall 501 is ejected. 90 or a limiting plate unit 120), and the gas ejection unit may be provided between the vapor deposition mask 10 and the first limiting plate unit.
  • the said gas supply mechanism 50 can be formed independently from a 1st restriction board unit. Therefore, according to said structure, it is only necessary to add the gas supply mechanism 50 to the vapor deposition apparatus 100 provided with the 1st restriction board unit, and can reduce capital investment.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the fifth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the fourth aspect, wherein the gas ejection unit is adjacent to the first limiting plate unit between the first limiting plate unit and the vapor deposition mask 10. And a second restriction plate unit (restriction plate) having a plurality of second restriction plates (restriction plates 92) facing each of the first restriction plates and spaced apart from each other in plan view.
  • Each of the second restricting plates is provided with the gas ejection port 41, and the gas ejection port 41 allows the gas forming the gas wall 501 to pass through the gas in the vapor deposition mask 10. You may eject toward a non-opening area
  • the gas wall is formed between the non-opening region and the first restricting plate by ejecting gas from the gas jetting port 41 toward the non-opening region of the vapor deposition mask 10. 501 can be formed easily.
  • a vapor deposition apparatus 100 according to Aspect 6 of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to any one of Aspects 2 to 5, which is provided adjacent to the vapor deposition mask 10 between the first limiting plate unit and the vapor deposition mask 10.
  • a third limiting plate unit having a plurality of third limiting plates (restricting plates 82) facing the non-opening regions between the mask opening regions 11 of the vapor deposition mask 10 and spaced apart from each other.
  • a restriction plate unit 80) may be provided, and a plurality of the third restriction plates may be provided in the first direction with respect to one non-opening region so as to sandwich the gas wall 501 in plan view.
  • the third limiting plate unit by providing the third limiting plate unit, it is possible to reliably prevent the gas forming the gas wall 501 from entering the film formation region 202.
  • the vapor deposition apparatus 100 further includes the exhaust device 112 in any one of the first to sixth aspects, and is connected to the vapor deposition mask 10 to the exhaust device 112 to form the gas wall 501. There may be provided an intake port 16 for sucking gas to be discharged.
  • the gas blown to the vapor deposition mask 10 is sucked into the intake port 16 formed in the vapor deposition mask 10 by the exhaust device 112 connected to the vapor deposition mask 10, and is directed to the mask opening region 11 side. There is no spread. For this reason, the landing disorder of the vapor deposition particles 301 due to an unnecessary gas flow can be prevented.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the eighth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to any one of the first to sixth aspects, wherein the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200 are provided with an opening through which a gas forming the gas wall 501 passes ( A mask opening 14 and a through-hole 205) are provided, and the gas wall 501 may be formed through the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200.
  • the gas blown from the gas outlet 41 to the surface of the vapor deposition mask 10 passes through the openings provided in the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200, respectively.
  • the film formation substrate 200 comes out to the side opposite to the film formation surface 201.
  • it can prevent more reliably that the gas which collided with the surface of the said vapor deposition mask 10 spreads to the said mask opening area
  • the gas wall 501 can be formed so as to penetrate the vapor deposition mask 10 and the deposition target substrate 200. Therefore, the vapor deposition particles 301 that have passed through the mask opening 12 enter the film formation region 202 (adjacent film formation region) adjacent to the film formation region 202 that originally enters the gas wall 501. Can be more reliably prevented.
  • the gas flow rate can be increased as compared with the case where the opening is not formed in the deposition mask 10 and the deposition target substrate 200. For this reason, according to said structure, the gas wall 501 more excellent by the block property of the vapor deposition particle 301 which causes abnormal film-forming can be formed.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the ninth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the fourth aspect, wherein the gas ejection unit is provided adjacent to the vapor deposition mask 10 between the first limiting plate unit and the vapor deposition mask 10.
  • a third limiting plate unit having a plurality of third limiting plates (restricting plates 122) facing the non-opening region of the vapor deposition mask 10 and spaced apart from each other. Unit 120), each of the third restriction plates is provided with the gas outlet 41, and the gas outlet 41 allows the gas forming the gas wall 501 to flow through the first restriction plate ( It may be ejected toward the limiting plate 22).
  • the gas wall is formed between the non-opening region and the first restricting plate by ejecting gas from the gas jetting port 41 toward the non-opening region of the vapor deposition mask 10. 501 can be formed easily.
  • the gas ejected from the third restricting plate unit toward the first restricting plate since the gas is ejected from the third restricting plate unit toward the first restricting plate, the gas ejected from the gas ejecting port 41 directly enters the mask opening region 11 with a high gas density. There is no inflow.
  • the gas which collided with the surface of the said 1st restriction board by the gas being sprayed on the said 1st restriction board from the said 3rd restriction board unit is said 1st restriction board. Since it flows along the surface of the plate, the flow of the vapor deposition particles 301 is not hindered. For this reason, the gas does not affect the device characteristics.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the tenth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the sixth or ninth aspect, wherein the third limiting plate unit (the limiting plate unit 80 or the limiting plate unit 120) is a mask for fixing an end portion of the vapor deposition mask 10. It may also serve as a frame.
  • the third limiting plate unit (the limiting plate unit 80 or the limiting plate unit 120) is a mask for fixing an end portion of the vapor deposition mask 10. It may also serve as a frame.
  • the number of parts can be reduced, and the manufacturing efficiency and alignment efficiency of the vapor deposition apparatus 100 can be improved.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the eleventh aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to the first aspect, wherein the gas that forms the gas wall 501 in the non-opening region between the mask opening regions 11 in the vapor deposition mask 10 is the first limiting plate. There may be provided a gas outlet 41 for jetting toward the front.
  • the gas wall is formed between the non-opening region and the first restricting plate by ejecting gas from the gas jetting port 41 toward the non-opening region of the vapor deposition mask 10. 501 can be formed easily.
  • the gas which collided with the surface of the said 1st restriction board by the gas being sprayed on the said 1st restriction board from the said 3rd restriction board unit is said 1st restriction board. Since it flows along the surface of the plate, the flow of the vapor deposition particles 301 is not hindered. For this reason, the gas does not affect the device characteristics.
  • the vapor deposition apparatus 100 further includes the exhaust device 112 in the above-described aspect 9 or 11, and is connected to the exhaust device 112 to the first restriction plate to form the gas wall 501.
  • An intake port 16 for sucking gas may be provided.
  • the gas blown to the first restriction plate is sucked into the intake port 16 formed in the first restriction plate by the exhaust device 112 connected to the restriction plate unit 20. Exhausted. For this reason, the gas does not hinder the flow of the vapor deposition particles 301. For this reason, the gas does not affect the device characteristics.
  • a plurality of the gas walls 501 are formed in the first direction with respect to the first limiting plate.
  • the gas outlet 41 may be provided.
  • the probability of blocking unnecessary vapor deposition particles 301 that cause abnormal film formation can be increased.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the fourteenth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to any one of the second to sixth and ninth to thirteenth aspects, wherein the gas ejection port 41 has the first direction along the first restriction plate opening in a plan view. And the opening width in the first direction of the portion adjacent to the vapor deposition source opening 31 in the first direction is the largest in plan view. You may have the shape which tapers as it goes to the edge part of the said 2nd direction widely.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the fifteenth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to any one of the second to sixth and ninth to fourteenth aspects, wherein the gas ejection port 41 is disposed in a region relatively close to the vapor deposition source opening 31 in plan view. In the region where the density is relatively high and relatively far from the vapor deposition source opening 31, the arrangement density of the gas outlets 41 is relatively low, and in the region relatively close to the vapor deposition source opening 31, the relative In particular, the total opening width of the gas ejection port 41 in the first direction may be wider than a region far from the vapor deposition source opening 31.
  • the vapor deposition apparatus 100 according to the sixteenth aspect of the present invention is the vapor deposition apparatus 100 according to any one of the second to sixth and ninth to fifteenth aspects, wherein the gas outlet 41 is located between the adjacent restricting plate openings 21 in a plan view.
  • the gas outlet 41 is located between the adjacent restricting plate openings 21 in a plan view.
  • gas outlets 41 for example, gas outlets 41a to 41c
  • the gas outlet 41 adjacent to the restriction plate opening 21 in plan view is the same as that at the other gas outlet 41 (for example, the gas outlet 41a). It may be shorter than in the direction of the opening length (scanning direction aperture length).
  • the deposition region 202 of the deposition substrate 200 having a plurality of deposition regions 202 in the first direction is provided.
  • the vapor deposition mask 10 provided with the mask opening region 11 having a plurality of mask openings 12 arranged in the first direction according to the pattern of the vapor deposition film 300 respectively facing the film region 202.
  • first limiting plates that are spaced apart from each other in the first direction, and each of the first limiting plates adjacent to each other corresponds to the film formation region 202.
  • the vapor deposition particles 301 are A first restriction plate unit (restriction plate unit 20) provided with a first restriction plate opening (restriction plate opening 21) to be passed is disposed, and the vapor deposition mask 10 and the first restriction are formed by a gas supply mechanism 50. Between the first restriction plate openings adjacent to the first restriction plate unit in the first direction in a plan view and between the plate unit and the vapor deposition mask 10.
  • the vapor deposition film 300 is formed by injecting the vapor deposition particles 301 from the vapor deposition source 30 while forming a gas wall in a non-open region (non-opening portion 13, non-opening portion 13 a) between adjacent mask opening regions 11. Film.
  • the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of the present invention can be suitably used for the production of various devices using vapor deposition, including the production of EL display devices such as organic EL display devices and inorganic EL display devices.

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Abstract

蒸着装置(100)は、蒸着源(30)と、蒸着マスク(10)と、蒸着源と蒸着マスクとの間に配置された制限板ユニット(20)と、蒸着マスクと制限板ユニットとの間の部分で、かつ、平面視で、制限板ユニットの隣り合う制限板開口(21)間であって蒸着マスクの隣り合うマスク開口領域(11)間の非開口部(13)にガス壁(501)を形成するガス供給機構(50)と、を備えている。

Description

蒸着装置および蒸着方法
 本発明は、複数の被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置および蒸着方法に関する。
 近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
 そのような状況下、有機材料または無機材料の電界発光(Electro luminescence;以下、「EL」と記す)を利用したEL素子を備えたEL表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
 EL表示装置は、例えば、アクティブマトリクス方式の場合、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられたガラス基板等からなる基板上に、TFTに電気的に接続された薄膜状のEL素子が設けられた構成を有している。
 フルカラーのEL表示装置では、一般的に、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色のEL素子が、サブ画素として基板上に配列形成されており、TFTを用いて、これらEL素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行う。
 したがって、このようなEL表示装置を製造するためには、少なくとも、各色に発光する発光材料からなる発光層を、EL素子毎に所定パターンで形成する必要がある。
 発光層のパターン形成には、例えば真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成された蒸着マスクを介して被成膜基板に蒸着粒子を蒸着させる。このとき、蒸着は、発光層の色毎に行われる(これを「塗り分け蒸着」という)。
 真空蒸着法では、被成膜基板に、該被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを密着させて蒸着を行う方法が一般的に用いられている。しかしながら、この場合、被成膜基板の大型化に伴い、蒸着マスクも大型化する。
 蒸着マスクが大型化すると、蒸着マスクの自重撓みや伸びにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ易くなる。そのため、大型の被成膜基板では、高精度なパターニングを行うことは難しい。また、被成膜基板が大型化すると、蒸着マスクやフレーム等の取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置そのものや、それに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。
 このため、量産プロセスでは、上述したように蒸着マスクを被成膜基板に全面密着させる方法よりも、被成膜基板よりも小さな蒸着マスクを使用するスキャン蒸着法が有効である。スキャン蒸着法を用いることで、上述した、大型の蒸着マスクを用いる場合に特有の上記問題点を解決することができる。
 しかしながら、スキャン蒸着法では、蒸着源に、蒸着粒子を射出させる複数の蒸着源開口(射出口)が、走査方向に垂直な方向に一定ピッチで設けられており、被成膜基板と蒸着マスクとを離間させて走査しながら被成膜基板全面に蒸着が行われる。
 このため、高精細なパターン蒸着を行うためには、蒸着粒子の流れ(蒸着流)を制御することが重要であり、このための提案もなされている。
 例えば、特許文献1では、蒸着源の一側に、蒸着源と蒸着マスクとの間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁を制限板として備えた遮断壁アセンブリを設けることで、遮断壁によって蒸着範囲を制限している。これにより、蒸着パターンが広がることなく、高精細なパターン蒸着を行うことができる。
日本国公開特許公報「特開2010-270396号公報(2010年12月2日公開)」 日本国公開特許公報「特開2005-226154号公報(2005年8月25日公開)」 日本国公開特許公報「特開2005-203248号公報(2005年7月28日公開)」
 しかしながら、蒸着密度が高くなると(つまり、高レート時には)、制限板を用いただけでは高精細なパターン蒸着を行うことは困難である。
 特に、例えば量産化等のために一つの被成膜基板に複数の被成膜領域を設けた場合、被成膜基板の被成膜面における、ある蒸着源開口に対応する被成膜領域に、該被成膜領域に隣接する被成膜領域(隣接被成膜領域)に蒸着粒子を射出させる蒸着源開口(隣接ノズル)からの蒸着粒子が飛来しないようにする必要がある。
 高レート時に特許文献1のように制限板を用いただけでは、隣接ノズルからの蒸着粒子の飛来を防ぐことができない。以下に、図15の(a)・(b)を参照して具体的に説明する。
 図15の(a)・(b)は、蒸着源601と蒸着マスク611との間に、平面視で、走査方向に垂直な方向に沿って制限板621を複数設けた場合における、蒸着密度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図である。
 なお、図15の(a)は、蒸着密度が相対的に低い場合(低レート時)を示し、図15の(b)は、蒸着密度が相対的に高い場合(高レート時)を示す。
 また、図15の(a)・(b)中、Y軸は、被成膜基板200の走査方向に沿った水平方向軸を示し、X軸は、被成膜基板200の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸を示し、Z軸は、被成膜基板200の被成膜面201(被成膜面)の法線方向であり、該被成膜面201に直交する蒸着軸線が延びる方向である、X軸およびY軸に垂直な垂直方向軸(上下方向軸)を示す。
 図15の(a)に示すように、低レート時であれば、蒸着源601の各蒸着源開口602(射出口、ノズル)から射出された蒸着粒子301は、各制限板621間の制限板開口622によって指向性の悪い蒸着成分が遮られ(捕捉され)、指向性の高い分布に制限される。この結果、各蒸着源開口602に対応付けられた領域に、所定パターンの蒸着膜300が成膜される。
 しかしながら、図15の(b)に示すように、高レート時には、隣接する蒸着源開口602からの蒸着粒子601が飛来して正常なパターンの蒸着膜300(正常パターン膜)に混入したり、正常なパターンの蒸着膜300間に、異常なパターンの蒸着膜302(異常パターン膜)が成膜されたりする。
 これは、以下の理由による。高レートでは蒸着源601内の蒸着粒子301が増大するが、蒸着源601には、成膜用の蒸着源開口602しか開口部は設けられていない。このため、蒸着源開口602で局所的に蒸着密度が高くなり、圧力増大が生じる。その結果、開口面積の小さい蒸着源開口602において、平均自由工程の小さくなった蒸着粒子301が散乱し易くなり、図15の(b)に二点鎖線で示すように、蒸着源開口602が見かけ上(擬似的に)拡がる。この蒸着源開口602が擬似的に拡がった箇所から飛来した蒸着粒子301が、制限板開口622を通過し、隣接ノズルに対応したマスク開口612を通過することで、正常パターン膜に、隣接する蒸着源開口602からの蒸着粒子301が混入したり、異常なパターンの蒸着膜302が成膜されたりする。これらの現象は、混色発光等の異常発光を引き起こし、表示品位を大きく損なう懸念がある。
 なお、特許文献2、3には、蒸着源の周囲もしくは蒸着源そのものにガスの導入部を設け、蒸着源の周囲から被成膜基板の方向に向かうガスの流れ(ガス流)を形成し、このガス流によって蒸着源から射出された蒸着粒子を被成膜基板に導くことが開示されている。
 しかしながら、特許文献2、3は、蒸着源の周囲もしくは蒸着源の中心部にガスの流路を設けるものであり、一つの被成膜基板に複数の被成膜領域を設けるものではなく、隣接被成膜領域への異常なパターンの蒸着膜の成膜(すなわち、異常成膜)を防止するものではない。
 上述したように、異常成膜は、蒸着源開口における圧力増大による蒸着源開口602の擬似的な拡がりに起因して生じる。しかしながら、特許文献2、3では、高レートの場合、蒸着密度が高い蒸着源開口近傍から蒸着流をガイド・バリアするため、多量のガスを放出する必要がある。このため、蒸着源開口近傍は、より一層圧力が高くなる。したがって、特許文献2、3に記載の技術では、上記異常成膜を防止することはできない。
 しかも、特許文献2、3に記載の技術では、高レートの場合、蒸着源開口近傍の圧力がより一層が高くなることで、高レートでは蒸着できない可能性がある。
 本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、高レートでの蒸着が可能であり、かつ、異常成膜の発生を防止することができる蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、第1方向に複数の被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、上記複数の被成膜領域にそれぞれ対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口を有するマスク開口領域が設けられた蒸着マスクと、上記蒸着源と上記蒸着マスクとの間に配置され、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板を有し、互いに隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子を通過させる第1の制限板開口が設けられた第1の制限板ユニットと、上記蒸着マスクにおける隣り合うマスク開口領域間の非開口領域と上記第1の制限板との間にガス壁を形成するガス供給機構と、を備える。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着方法は、第1方向に複数の被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着方法であって、蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、上記複数の被成膜領域にそれぞれ対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口を有するマスク開口領域が設けられた蒸着マスクとの間に、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板を有し、互いに隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子を通過させる第1の制限板開口が設けられた第1の制限板ユニットを配置し、上記蒸着マスクにおける隣り合うマスク開口領域間の非開口領域と上記第1の制限板との間にガスの壁を形成して上記蒸着源から上記蒸着粒子を射出することにより上記蒸着膜を成膜する。
 本発明の一態様によれば、高レートでの蒸着が可能であり、かつ、異常成膜の発生を防止することができる蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の基本構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態1にかかる蒸着装置の概略構成の一例を示す断面図である。 本発明の実施形態1の変形例にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態2にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 (a)は、本発明の実施形態3にかかる蒸着装置の基本構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)に示す蒸着装置の要部の概略構成を示す平面図である。 (a)は、本発明の実施形態4にかかる蒸着装置の基本構成を示す斜視図であり、(b)は、(a)に示す蒸着装置の要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の実施形態5にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態6にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態7にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態8にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 (a)は、本発明の実施形態9にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図であり、(b)は、(a)に示す、排気機構が設けられた蒸着マスクの概略構成を示す底面図である。 本発明の実施形態10にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 本発明の実施形態11にかかる蒸着装置の基本構成を示す断面図である。 (a)・(b)は、蒸着源と蒸着マスクとの間に、平面視で、走査方向に垂直な方向に沿って制限板を複数設けた場合における、蒸着密度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図である。
 以下、本発明の実施形態の一例について、詳細に説明する。
 〔実施形態1〕
 図1は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。また、図2は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す斜視図である。図3は、本実施形態にかかる蒸着装置100の概略構成の一例を示す断面図である。
 本実施形態にかかる蒸着装置100および蒸着方法は、特に有機EL表示装置等のEL表示装置における、EL素子を構成する発光層等のEL層の蒸着に有用である。
 以下では、一例として、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の各色の有機EL素子がサブ画素として基板上に配列されたRGBフルカラー表示の有機EL表示装置の製造に本実施形態にかかる蒸着装置100および蒸着方法を適用し、RGB塗り分け方式にて有機EL素子の発光層を成膜する場合を例に挙げて説明する。
 すなわち、以下では、本実施形態にかかる蒸着装置100によって成膜される蒸着膜300が、有機EL表示装置における、R、G、Bの各色の発光層である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、本実施形態にかかる蒸着装置100および蒸着方法は、有機EL表示装置および無機EL表示装置の製造をはじめとする、気相成長技術を用いたデバイスの製造全般に適用可能である。
 なお、本実施形態では、図1に示すように、有機EL表示装置における、R、G、Bの各色の発光層を構成する蒸着膜300を、順に、蒸着膜300R、蒸着膜300G、蒸着膜300Bとして記載する。しかしながら、これら各色の蒸着膜300R・300G・300Bを特に区別する必要がない場合、これら蒸着膜300R・300G・300Bを総称して単に蒸着膜300と記す。 
 また、以下では、被成膜基板200の走査方向(走査軸)に沿った水平方向軸をY軸とし、被成膜基板200の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をX軸とし、被成膜基板200の被成膜面201の法線方向であり、X軸およびY軸に垂直な垂直方向軸(上下方向軸)をZ軸として説明する。また、X軸方向を行方向(第1方向)、Y軸方向を列方向(第2方向)とする。また、説明の便宜上、特に言及しない限り、図1中、Z軸の上向きの矢印の側を上(側)として説明する。
 <蒸着装置100の概略構成>
 (蒸着装置100の基本構成)
 まず、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成について説明する。
 図1~図3に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、蒸着マスク10、制限板ユニット20(第1の制限板ユニット)、蒸着源30、およびガス供給機構50を備えている。
 ガス供給機構50は、ガスを噴出するガス噴出口41(ガス用開口)を有するガス噴出部40(ガス噴出ユニット)と、ガス供給管51と、ガス供給源52と、を備えている。
 本実施形態にかかる蒸着装置100では、制限板ユニット20とガス噴出部40とが、制限板兼ガス供給ユニットとして一体化されており、制限板ユニット20にガス噴出部40が設けられている。ガス噴出部40は、ガス噴出口41、ガス拡散室42、およびガス導入口43を備えている。
 このため、制限板ユニット20にはガス供給管51が接続されている。ガス供給管51は、ガスを供給するガス供給源52に接続されている。なお、これらガス供給機構50の各部の構成については後で詳述する。
 蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30は、Z軸方向に沿って、被成膜基板200側からこの順に、例えば一定距離離間して対向配置されている。蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30は、その位置関係が固定されている。
 これら蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30は、例えば、剛直な部材でお互いに固定されていてもよく、独立した構成を有し、制御動作が一つのユニットとして動作するものであっても構わない。
 蒸着装置100は、スキャン蒸着法により蒸着を行う蒸着装置である。蒸着装置100では、蒸着マスク10と被成膜基板200との間に一定の空隙を設けた状態で、被成膜基板200および蒸着ユニット1の少なくとも一方を、走査方向に沿って相対移動(走査)させる。これにより、最終的に、被成膜基板200における全被成膜領域202に蒸着膜300が成膜される。
 (蒸着装置100の全体構成)
 次に、本実施形態にかかる蒸着装置100の全体構成の一例について、図3を参照して以下に説明する。
 なお、以下では、一例として、蒸着マスク10、制限板ユニット20、蒸着源30、および、ガス供給管51を介して制限板ユニット20に接続されたガス供給源52が、同一のホルダ60(保持部材)によって保持されることで、蒸着ユニット1としてユニット化されている場合を例に挙げて説明する。
 但し、本実施形態はこれに限定されるものではなく、ガス供給源52は、ホルダ60の外部に設けられていても構わない。ガス供給源52は、ガス供給管51として柔軟性を有するガス供給管を使用する等することにより、成膜チャンバ101内で、ホルダ60の外部に固定されていてもよく、成膜チャンバ101外に配置されていても構わない。
 本実施形態にかかる蒸着装置100は、図3に示すように、例えば、成膜チャンバ101、基板ホルダ102、基板移動装置103、蒸着ユニット1、蒸着ユニット移動装置104、および、図示しない防着板、シャッタ、制御装置等を備えている。
 また、蒸着ユニット1は、蒸着マスク10、制限板ユニット20、蒸着源30、ガス供給管51、ガス供給源52、およびホルダ60を備えている。
 (成膜チャンバ101)
 成膜チャンバ101には、蒸着時に該成膜チャンバ101内を真空状態に保つために、該成膜チャンバ101に設けられた図示しない排気口を介して成膜チャンバ101内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。真空ポンプは、成膜チャンバ101の外部に設けられている。また、蒸着装置100の動作を制御する制御装置も成膜チャンバ101の外部に設けられている。なお、基板ホルダ102、基板移動装置103、蒸着ユニット1、蒸着ユニット移動装置104、および、図示しない防着板やシャッタは、成膜チャンバ101内に設けられている。
 (基板ホルダ102)
 基板ホルダ102は、被成膜基板200を保持する基板保持部材である。被成膜基板200は、その被成膜面201が蒸着マスク10に一定距離離間して対向配置するように基板ホルダ102によって保持されている。
 基板ホルダ102には、例えば静電チャック等が使用されることが好ましい。被成膜基板200が基板ホルダ102に静電チャック等の手法で固定されていることで、被成膜基板200は、自重による撓みがない状態で基板ホルダ102に保持される。
 (基板移動装置103および蒸着ユニット移動装置104)
 本実施形態にかかる蒸着装置100は、例えば、基板移動装置103および蒸着ユニット移動装置104のうち少なくとも一方を備えている。これにより、本実施形態では、基板移動装置103および蒸着ユニット移動装置104の少なくとも一方により、被成膜基板200と、蒸着ユニット1とを、Y軸方向が走査方向となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。
 基板移動装置103および蒸着ユニット移動装置104としては、特に限定されるものではなく、例えばローラ式の移動装置や油圧式の移動装置等、公知の各種移動装置を使用することができる。
 但し、被成膜基板200および蒸着ユニット1は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。したがって、基板移動装置103および蒸着ユニット移動装置104は、何れか一方のみが設けられていてもよく、被成膜基板200および蒸着ユニット1の一方は、成膜チャンバ101の内壁に固定されていても構わない。
 (被成膜基板200)
 蒸着マスク10について説明する前に、本実施形態で用いられる被成膜基板200について説明する。
 図1および図2に示すように、被成膜基板200の被成膜面201には、蒸着膜パターニング領域として、区画された複数の被成膜領域202が設けられている。
 被成膜基板200はマザー基板である。量産プロセスでは、有機EL表示装置400をマザー基板上に複数形成した後、個々の有機EL表示装置400に分断する。
 各被成膜領域202は、被成膜基板200の一端から他端にかけて、ストライプ状に形成されている。各被成膜領域202の周囲には、各被成膜領域202を囲むように非成膜領域204が設けられている。
 各被成膜領域202には、各有機EL表示装置400における、複数の画素401が配列された画素領域が、複数形成される。これにより、被成膜基板200には、各有機EL表示装置400における画素領域が、2次元状(マトリクス状)に形成される。
 各画素領域における各画素401は、R、G、Bの各色のサブ画素402を備えている。このため、各被成膜領域202内には、R、G、Bの各色の有機EL素子からなる各色のサブ画素402が複数設けられ、各サブ画素402には、蒸着膜300として、有機EL素子の発光層として用いられる、R、G、Bの各色の蒸着膜300R・300G・300Bからなる微細な蒸着膜パターンが形成される。
 図示はしていないが、本実施形態では、各被成膜領域202には、有機EL表示装置400の駆動回路と、有機EL素子における、発光層を挟む一対の電極のうち一方の電極が、あらかじめ形成されている。
 各被成膜領域202内には、図1に示すように、各サブ画素に対応して、上記各色の蒸着膜300R・300G・300Bのパターンを形成する被成膜パターン領域203R・203G・203Bが設けられている。
 被成膜パターン領域203Rには、赤色の蒸着膜300Rが成膜され、被成膜パターン領域203Gには、緑色の蒸着膜300Gが成膜され、被成膜パターン領域203Bには、青色の蒸着膜300Bが成膜される。なお、以下、これら被成膜パターン領域203R・203G・203Bを特に区別する必要がない場合、これら被成膜パターン領域203R・203G・203Bを総称して単に被成膜パターン領域203と記す。
 (蒸着マスク10)
 図2に示すように、蒸着マスク10は、その主面であるマスク面がXY平面と平行な板状物である。スキャン蒸着を行う場合、蒸着マスク10には、平面視で、被成膜基板200よりも少なくともY軸方向のサイズが小さな蒸着マスクが使用される。なお、平面視とは、「蒸着マスク10の主面に垂直な方向(つまり、Z軸に平行な方向)から見たとき」を示す。
 蒸着マスク10は、そのまま使用してもよく、自重撓みを抑制するために、張力をかけた状態で図示しないマスクフレームに固定されていてもよい。マスクフレームは、平面視で、その外形が、蒸着マスク10と同じか、もしくは一回り大きな矩形状に形成される。
 蒸着マスク10の主面には、図1および図2に示すように、蒸着膜300R・300G・300Bの各パターンの一部に対応したマスク開口12(第1のマスク開口)群で構成されるマスク開口領域11が、複数設けられている。
 すなわち、図1および図2に示すように、蒸着マスク10は、被成膜基板200に対向させたときに該被成膜基板200の被成膜領域202に対向する、複数のマスク開口領域11を備えている。マスク開口領域11の内部には、マスク開口12として、蒸着時に蒸着粒子301(蒸着材料)を通過させるための通過部として機能する複数の開口部(貫通口)が設けられている。なお、蒸着マスク10におけるマスク開口12以外の領域は、非開口部13(非開口領域)であり、蒸着時に蒸着粒子301の流れを遮断する遮断部として機能する。
 各マスク開口12は、被成膜基板200における、目的とする被成膜パターン領域203(つまり、使用する蒸着マスク10による成膜対象の色の被成膜パターン領域203)以外の領域に蒸着粒子301が付着しないように、使用する蒸着マスク10によって成膜される蒸着膜300の各パターンの一部に対応して設けられている。
 蒸着材料が上述したように有機EL表示装置における発光層の材料である場合、有機EL蒸着プロセスにおける発光層の蒸着は、発光層の色毎に行われる。
 赤色の発光層である蒸着膜300Rの成膜には、赤色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。また、緑色の発光層である蒸着膜300Gの成膜には、緑色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。同様に、青色の発光層である蒸着膜300Bの成膜には、青色の発光層成膜用の蒸着マスク10が使用される。
 但し、本実施形態は、これに限定されるものではなく、同じ蒸着マスク10を用いて、マスク開口12の位置をずらすことで、各色の発光層(すなわち蒸着膜300R・300G・300Bの各パターン)を成膜してもよいことは言うまでもない。
 例えば、緑色の発光層に対応する箇所にだけマスク開口12が設けられた蒸着マスク10を使用し、上記マスク開口12が、被成膜パターン領域203Gに対向する位置から被成膜パターン領域203Rに対向する位置までシフトするように蒸着マスク10または被成膜基板200をシフトさせて蒸着を行えば、被成膜パターン領域203Rに、蒸着膜302Rをパターン成膜することができる。同様に、上記マスク開口12が、被成膜パターン領域203Bに対向するように蒸着マスク10または被成膜基板200をシフトさせて蒸着を行えば、上記蒸着マスク10を用いて、被成膜パターン領域203Bに、蒸着膜302Bをパターン成膜することができる。
 各マスク開口12を通過した蒸着粒子301のみが被成膜基板200に到達し、被成膜基板200に、各マスク開口12に応じたパターンの蒸着膜300が形成される。
 なお、図1~図3では、図示の便宜上、マスク開口12の数や被成膜パターン領域203の数、画素401の数等を削減して示すとともに、マスク開口12を、成膜する蒸着膜300R・300G・300Bによって区別せずに図示している。
 図2に示す例では、各マスク開口領域11には、列方向に伸びる細長いスリット形状のマスク開口12が行方向に複数並んで設けられている。しかしながら、マスク開口12は例えばスロット状であってもよく、マスク開口12およびマスク開口領域11の平面視における形状および数は、特に限定されない。
 また、蒸着マスク10の材質も特に限定されない。蒸着マスク10の材質は、インバー(鉄-ニッケル合金)等の金属であってもよく、樹脂、あるいはセラミックであってもよく、それらの組み合わせでも構わない。
 (蒸着源30)
 蒸着源30は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源30は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
 蒸着源30は、図2に示すように、例えば矩形状に形成されている。蒸着源30の上面(すなわち、制限板兼ガス供給ユニットとの対向面)には、蒸着粒子301を射出させる射出口として、複数の蒸着源開口31(貫通口、ノズル)を有している。これら蒸着源開口31は、X軸方向に一定ピッチで配されている。
 蒸着源30は、蒸着材料を加熱して蒸発(蒸着材料が液体材料である場合)または昇華(蒸着材料が固体材料である場合)させることで気体状の蒸着粒子301を発生させる。蒸着源30は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子301として、蒸着源開口31から制限板ユニット20に向かって射出する。
 (制限板ユニット20)
 制限板ユニット20は、蒸着マスク10と蒸着源30との間に、蒸着マスク10および蒸着源30とは離間して配置されている。
 本実施形態では、上述したようにスキャン蒸着を行うことから、蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30は、何れも、平面視で、被成膜基板200よりも少なくともY軸方向のサイズが小さくなるように形成されている。
 制限板ユニット20は、平面視で、蒸着マスク10と同じか、もしくはそれ以上の大きさを有している。
 制限板ユニット20には、蒸着粒子301を通過させる制限板開口21(第1の制限板開口)と、ガス供給源52から供給されたガスを噴出するガス噴出口41と、が設けられている。
 蒸着源開口31から射出された蒸着粒子301は、略等方的に拡がる。制限板開口21は、この等方的に拡がる蒸着粒子301の流れ(蒸着流)を制御し、指向性を高める役割を有している。
 また、ガス噴出口41は、制限板ユニット20と蒸着マスク10との間に、ガスの流れ(ガス流)によるガス壁501(ガスの壁)を形成することで、蒸着源開口31の擬似的な拡がりによって生成される不要な蒸着流をブロックする役割を有している。
 ガス壁501(ガス流)は、制限板開口21を通過した蒸着粒子301のうち、該制限板開口21に対応付けられた、本来入射するマスク開口領域11に隣り合うマスク開口領域11(隣接マスク開口領域)に向かう蒸着粒子301の流れを、分子衝突によって阻止(遮断)する遮断壁として機能する。これにより、各制限板開口21を通過した蒸着粒子301は、ガス壁501によって、各制限板開口21に対向するマスク開口領域11に向かう方向に方向付けられる。
 したがって、ガス壁501は、各制限板開口21を通過した蒸着粒子301が、該ガス壁501を越えて隣接マスク開口領域に到達することを阻止する障壁として機能するとともに、各制限板開口21を通過した蒸着粒子301の流れを規制し、各制限板開口21に対応付けられたマスク開口領域11に導くガイドとして機能する。
 制限板ユニット20は、例えば中空のブロック状のユニットであり、XY平面を主面としX軸方向を長軸とする矩形状の中空の板状部材に、X軸方向に沿って複数の制限板開口21およびガス噴出口41が、それぞれ一定ピッチで設けられた構成を有している。
 隣り合う制限板開口21は、蒸着粒子301の移動を制限する制限板22(第1の制限板、制限部、ガス噴出部)で隔てられている。制限板22は、平面視で、互いに離間し、かつ、X軸方向に互いに平行に、一定ピッチで配列されている。
 制限板開口21は、X軸方向に隣り合う制限板22間に設けられた貫通口であり、制限板ユニット20をZ軸方向に貫通して形成されている。制限板開口21の開口形状は、その長軸方向がY軸と平行な略長方形状である。
 ガス噴出口41は、各制限板22における蒸着マスク10との対向面に設けられている。
 制限板開口21と被成膜領域202とは、一対一の関係を有している。したがって、制限板開口21とマスク開口領域11とは、一対一の関係を有している。
 制限板開口21のピッチは、マスク開口12のピッチよりも大きく形成されており、平面視で、X軸方向に隣り合う制限板22間には、複数のマスク開口12が配されている。
 また、制限板開口21と蒸着源開口31とは、X軸方向に、同一のピッチで形成されている。このため、制限板開口21と蒸着源開口31とは、X軸方向において、一対一の関係を有している。各蒸着源開口31は、各制限板開口21のX軸方向の中央位置(つまり、各蒸着源開口31をX軸方向に挟む、隣り合う制限板22間のX軸方向の中央位置)に位置するように、各制限板開口21に対応して配置されている。
 なお、本実施形態では、図2に示すように、蒸着源30に、蒸着源開口31がX軸方向に一次元状(すなわち、ライン状)に配列されているライン蒸着源を使用している。このため、蒸着源開口31は、各制限板開口21と一対一の関係を有するように、例えば、平面視で、各制限板開口21の中央(X軸およびY軸の両方向の中央)に配置されている。
 但し、本実施形態はこれに限定されるものではなく、蒸着源開口31は、X軸方向およびY軸方向に二次元状(タイル状)に配列されていても構わない。蒸着源開口31が二次元状に配置されている場合でも、各蒸着源開口31は、各制限板開口21のX軸方向の中央位置に位置するように配置されることが望ましい。
 各制限板22におけるガス噴出口41の位置に制約はないが、好適には、平面視で、制限板22の中央が良い。ガス噴出口41を制限板22の端に設けると、ガス噴出口41から噴出されたガスがマスク開口領域11に流入(侵入)する確率が高くなり、発光効率や寿命の低下等、有機EL素子の素子特性に影響する懸念がある。
 また、ガス噴出口41の大きさも特に限定されないが、ガス噴出口41における、走査方向に平行な方向の開口長さ(以下、「走査方向開口長」と記す)は、制限板開口21の走査方向開口長と同一もしくはそれよりも長いことが好ましい。ガス噴出口41の走査方向開口長が、制限板開口21の走査方向開口長よりも短いと、制限板開口21に隣接してガス壁501が設けられていない箇所が存在し、該箇所における、隣接マスク領域に向かう蒸着粒子301をブロックすることができない。
 一方、ガス噴出口41における、走査方向と直交する方向の開口長さ(以下、「開口幅」と記す)は、数mm程度であることが好ましい。ガス噴出口41の開口幅が太い場合、マスク開口領域11に流入するガスが多くなり、素子特性に影響する懸念がある。一方、ガス噴出口41の開口幅が短すぎる場合、ガス噴出口41近傍でガス密度が高まり、ガス自体が大きく拡がる可能性がある。
 制限板ユニット20には、該制限板ユニット20内にガスを導入するガス導入口43が少なくとも一つ設けられている。
 上述したように、本実施形態にかかる制限板ユニット20は中空であり、内部に、ガス導入口43に連結されたガス拡散室42を備えている。ガス拡散室42は、ガス導入口43とガス噴出口41とを連結する連結部であり、ガス導入口43から導入されたガスを拡散して各ガス噴出口41に供給するガス供給路(通気路)として機能する。
 ガス導入口43にはガス供給管51が接続されている。ガス導入口43からガス拡散室42に導入されたガスは、図1に示すように、ガス噴出口41を通じて、各制限板22から、蒸着マスク10における、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13に噴出される。
 (ガス供給管51およびガス供給源52)
 ガス供給管51は、ガスを供給するガス供給源52に接続されている。ガス供給管51は、ガス供給源52と制限板ユニット20とを連結する連結管であり、ガス供給源52から制限板ユニット20にガスを供給するガス供給路として機能する。
 本実施形態で用いられるガスは、ガス噴出口41から気体として噴出され、かつ、蒸着粒子301と反応しないものであればよく、好適には不活性ガスが用いられる。そのなかでも、N(窒素)ガス、Ar(アルゴン)ガス、He(ヘリウム)ガス等が、安価で入手が容易であることから好ましい。
 ガスの流量は、特に限定されず、蒸着レートによって、異常成膜の原因となる蒸着粒子301の数も変動するので、蒸着レートに応じて適宜調整すればよい。
 ガス供給管51には、図示しない開閉バルブが設けられており、図示しない制御部の制御により、ガス供給源52からガス導入口43へのガスの供給が制御される。
 開閉バルブとしては、特に限定されるものではないが、例えば電磁バルブが使用される。この場合、開閉バルブは、図示しない制御部からの制御信号に基づいて、電磁石(ソレノイド)の磁力を用いて弁体を動作させることによって開閉される。
 ガス供給源52は、不活性ガス等のガスを収容するガスボンベであってもよく、ガスを発生させるガス発生装置であってもよい。
 (ホルダ60)
 ホルダ60は、棚61等を備え、蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30等の、蒸着ユニット1における各構成要素を保持する保持部材である。
 ホルダ60は、蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30の相対的な位置が固定されるように蒸着マスク10、制限板ユニット20、および蒸着源30を保持することができれば、その構成は特に限定されない。
 図3は、図1に示すように蒸着粒子301を下方から上方に向かって被成膜基板200に蒸着(アップデポジション)させる場合を例に挙げて示している。このため、図3では、ホルダ60の上方に配置された被成膜基板200側から順に、蒸着マスク10、制限板ユニット20、蒸着源30が配置された例を示している。
 しかしながら、例えば、蒸着粒子301を上方から下方に向かって被成膜基板200に蒸着(ダウンデポジション)させる場合、上方から、蒸着源30、制限板ユニット20、蒸着マスク10、被成膜基板200が、この順に配置される。
 蒸着源30、制限板ユニット20、蒸着マスク10、被成膜基板200の配置は、蒸着粒子301の射出方向に応じて適宜変更される。
 また、ホルダ60は、例えば、蒸着マスク10にテンションをかける図示しないテンション機構を備えていてもよく、図示しない防着板(遮蔽板)やシャッタ等をさらに備えていてもよい。
 特に、ホルダ60に、制限板ユニット20に接続されたガス供給源52を搭載する場合、ガス供給源52に蒸着源開口31から飛来する蒸着粒子が付着することを防止するため、ガス供給源52は、防着板62で覆われていることが好ましい。なお、防着板62は、棚を兼ねていてもよい。
 <蒸着方法>
 本実施形態では、上述したように、蒸着ユニット1と被成膜基板200とを相対移動させてスキャン蒸着を行う。
 このため、まず、蒸着ユニット1における蒸着マスク10と被成膜基板200とを一定距離離間して対向配置させる。このとき、蒸着マスク10および被成膜基板200にそれぞれ設けられた図示しないアライメントマーカを用いて、蒸着マスク10と被成膜基板200との相対的な位置合わせ、つまり、アライメント調整、および、蒸着マスク10と被成膜基板200との間の隙間の調整(ギャップコントロール)が行われる。
 その後、蒸着源開口31から蒸着粒子301を射出するとともにガス噴出口41からガスを噴出させながら、上記蒸着ユニット1および被成膜基板200のうち少なくとも一方を、平面視で、走査方向(つまり、制限板22および制限板開口21の配設方向に垂直なY軸方向)に沿って相対移動させる。
 ガス噴出口41からガスを噴出させることで、制限板ユニット20における各制限板22と、蒸着マスク10における、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13との間には、上記ガスによるガス壁501が形成される。
 本実施形態では、蒸着源開口31から射出された蒸着粒子301を、制限板開口21、および、ガス壁501によって仕切られた各マスク開口領域11におけるマスク開口12を介して、上記被成膜基板200に被着させる。
 <効果>
 本実施形態では、制限板22間に形成される制限板開口21で蒸着流の制御を行い、微量の不要成分だけを、ガス壁501でブロックする。
 制限板ユニット20は、各制限板22によって、蒸着マスク10と蒸着源30との間の空間を、制限板開口21からなる複数の蒸着空間に区画することで、蒸着源30から射出された蒸着粒子301の通過角度を制限する。
 蒸着密度が高くなると、蒸着流の拡がりが大きくなるので、蒸着流の拡がりを抑制するためには、蒸着流の拡がりを立体的に絞る必要がある。
 蒸着源30から射出された蒸着粒子301は、制限板開口21を通った後、蒸着マスク10に形成されたマスク開口12を通過して、被成膜基板200に蒸着される。
 制限板ユニット20は、制限板22によって、該制限板22の配設方向(つまり、X軸方向および斜め方向)への蒸着粒子301の移動を制限する。制限板ユニット20は、制限板開口21に入射した蒸着粒子301の入射角度に応じて、該制限板開口21の通過を選択的に阻害する。
 ガス噴出部40は、高レート時の蒸着源開口31の擬似的な拡がりによって発生する異常成膜の原因となる蒸着粒子301を、制限板22における蒸着マスク10との対向面から噴出(放出)されるガスによって形成されるガス壁501でブロックすることで、異常成膜の発生を防止する。
 なお、ガス壁501は、制限板22と、蒸着マスク10における非開口部13のうち各マスク開口領域11間に設けられた非開口部13aとの間に形成されていれば、各制限板開口21を通過した蒸着粒子301が、該ガス壁501を越えて隣接マスク開口領域に到達することを阻止することができる。
 しかしながら、各マスク開口領域11間に設けられた非開口部13aに加え、蒸着マスク10における、X軸方向両端のマスク開口領域11における外側の部分にもガス壁501を形成することで、X軸方向両端のマスク開口領域11に対しても、該マスク開口領域11に対応付けられた制限板開口21を通過した蒸着粒子301を、該マスク開口領域11に無駄なく導くことができる。このため、蒸着材料の利用効率を向上させることができる。
 このため、ガス導入口43から制限板ユニット20に導入されたガスは、蒸着マスク10における、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13、つまり、蒸着マスク10における非開口部13のうち、各マスク開口領域11間に設けられた非開口部13a、および、X軸方向両端のマスク開口領域11における外側の部分(すなわち、蒸着マスク10における、制限板ユニット20のX軸方向両端の制限板開口21よりもX軸方向端部側にそれぞれ位置するガス噴出口41に対向する部分)に噴出されることが望ましい。
 以上のように、本実施形態によれば、高レート時の蒸着源開口31の擬似的拡がりによる異常成膜を防止することができる。また、本実施形態では、制限板22間に形成される制限板開口21で蒸着流の制御を行い、微量の不要成分だけをガス壁501でブロックするため、蒸着源開口31近傍の圧力を高めることがない。
 また、本実施形態では、微量の不要成分だけをガス壁501でブロックすればよいのでガス量は少なくてよく、真空度の著しい低下もない。
 なお、本来蒸着される蒸着膜300を形成する蒸着流(すなわち、蒸着源開口31の擬似的な拡がりによって生成される不要な蒸着流以外の蒸着流)は、制限板開口21を通過後、制限板開口21で制御された方向のまま蒸着マスク10に到達するため、ガス壁501に向かうことはない。
 このため、本実施形態によれば、高レートでの蒸着が可能であり、かつ、高レートで蒸着を行った場合でも、異常成膜の発生を防止することができる蒸着装置および蒸着方法を提供することができる。
 また、各制限板開口21と各マスク開口領域11との間には、本来蒸着される蒸着膜300を形成する、蒸着粒子301の密度が高い蒸着流が形成されている。本来蒸着される蒸着膜300を形成する蒸着流の密度に対して、ガス密度は小さい。また、本実施形態では、微量の不要成分だけをガス壁501でブロックすればよいので、ガス噴出口41は蒸着源開口31よりも小さく、ガス量が少ない。しかも、本実施形態では、スキャン蒸着を行うことで、蒸着マスク10は、被成膜基板200よりもY軸方向の長さが短く形成されているとともに、被成膜基板200および蒸着ユニット1の少なくとも一方が、他方に対してY軸方向に相対移動される。
 このため、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13に吹き付けられたガスは、Y軸方向に拡がり、Y軸方向の蒸着マスク10の端部から上方に抜ける。このため、本実施形態によれば、マスク開口領域11に混入するガスの量を極力低減することができる。したがって、本実施形態によれば、素子特性の低下を抑制することができる。
 また、制限板22のみで不要成分をブロックした場合、同じ制限板ユニット20であらゆる蒸着レートに対して対応することは困難であり、蒸着レートに対応した制限板ユニット20を用いる必要がある。しかしながら、本実施形態にかかる蒸着装置100および蒸着方法は、ガス壁501により不要成分をブロックするので、蒸着レートごとにガスの流量を調整すればよく、汎用性が高い。
 <変形例>
 (制限板ユニット20の形状)
 本実施形態では、制限板ユニット20が、中空のブロック状のユニットであり、該制限板ユニット20を構成する中空の板状部材における制限板開口21以外の部分(つまり、非開口部)が、制限板22を連結して保持する保持体部24であり、複数の制限板22と保持体部24とが一体的に形成された構成を有している場合を例に挙げて説明した。
 しかしながら、本実施形態にかかる制限板ユニット20は、これに限定されるものではなく、制限板開口21を介して配列された制限板22が、これら制限板22を連結して保持する枠状の保持体部24に、ネジ留めあるいは溶接等により固定された構成を有していてもよい。
 すなわち、各制限板22、並びに、各制限板22と保持体部24とは、それぞれ、図2に示すように一体的に形成されていてもよく、別体として形成されていてもよい。各制限板22の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、各制限板22を保持する方法は、上記の方法に限定されない。したがって、制限板ユニット20の形状は、特に限定されるものではない。
 しかしながら、制限板ユニット20を、図2に示すようにブロック状に形成することで、制限板ユニット20を、コンパクトに形成することができるとともに、各制限板22の位置合わせや制限板ユニット20の交換作業が容易となる。このため、制限板ユニット20は、ブロック状に形成されていることが好ましい。
 (ガス噴出口41の形状)
 図4は、本変形例にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 ガス噴出口41の深さ(ノズル長さ)に制約はない。しかしながら、ガス噴出口41のノズル長さは、長ければ長いほど、ガスの指向性が高まり、余分なガスの拡がりを抑えることができる。但し、ガス噴出口41は、制限板ユニット20を貫通してはならない。したがって、ガス噴出口41のノズル長さは、図4に示すように、制限板ユニット20を貫通しない範囲内で、長いほど好ましい。
 このため、図1では、制限板22にガス拡散室42が設けられている場合を例に挙げて図示したが、ガス拡散室42は、保持体部24にのみ設けられていても構わない。
 つまり、蒸着装置100は、例えば、保持体部24に、ガス導入口43に連結されたガス拡散室42を備え、制限板22に、図1よりもZ軸方向の長さが長いガス噴出口41が設けられた構成を有していても構わない。
 もしくは、蒸着装置100は、保持体部24に、ガス拡散室42に代えて、通気管(通気路)として分岐管が設けられ、該分岐管によって、ガス導入口43とガス噴出口41とが連結されていても構わない。
 あるいは、蒸着装置100は、制限板ユニット20に、各制限板22に対応して複数のガス導入口43が設けられており、ガス供給管51が分岐管であり、ガス供給管51から、各ガス導入口43を通じて各制限板22にガスが供給される構成であっても構わない。
 (蒸着膜300)
 また、本実施形態では、蒸着膜300が、有機EL表示装置における、R、G、Bの各色の発光層である場合を例に挙げて説明したが、有機EL素子は、一対の電極間に、発光層以外の有機層を含んでいてもよい。
 したがって、本実施形態では、上記一対の電極のうち一方の電極を形成後、上記蒸着装置100を用いて、蒸着膜300として、発光層以外の有機層を形成してもよく、上記一方の電極および上記発光層以外の有機層が形成された被成膜基板200の各被成膜領域202に、蒸着膜300として発光層を形成してもよい。
 (蒸着方法)
 また、本実施形態では、蒸着マスク10に、平面視で、被成膜基板200よりも少なくともY軸方向のサイズが小さな蒸着マスクを使用し、蒸着ユニット1と被成膜基板200とを相対移動させてスキャン蒸着を行う場合を例に挙げて説明した。
 しかしながら、本実施形態はこれに限定されるものではなく、蒸着マスク10に、被成膜基板200と同じ大きさを有する蒸着マスクを使用し、蒸着マスク10と被成膜基板200とが接触した状態で蒸着を行っても構わない。
 なお、この場合、マスク開口領域11に混入するガスの量を極力低減するため、後述する実施形態に示すように、蒸着マスク10および被成膜基板200に、ガスの抜け道としてそれぞれ開口部が形成されていることが好ましい。
 (ガス噴出口41の走査方向開口長)
 また、本実施形態では、ガス噴出口41の走査方向開口長が制限板開口21の走査方向開口長以上の長さを有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。
 前述したように、蒸着マスク10に吹き付けられたガスは、Y軸方向に拡がって流れる。このため、ガス噴出口41の走査方向開口長が、制限板開口21の走査方向開口長以上の長さを有している場合に蒸着マスク10にガスが吹き付けられる範囲と同じ範囲にガスを吹き付けることができれば、ガス噴出口41は断続的に形成されていても構わない。言い換えれば、蒸着マスク10における制限板ユニット20との対向面に、Y軸方向における非開口部13aに沿って途切れなくガス壁501が形成されるようにガスを吹き付けることができれば、ガス噴出口41の走査方向開口長は、特に限定されない。
 〔実施形態2〕
 本実施形態について主に図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1との相違点について説明するものとし、実施形態1で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
 図5は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 本実施形態にかかる蒸着装置100は、各制限板22と、蒸着マスク10における各マスク開口領域11間の非開口部13aとの間に、ガス壁501が複数(つまり、少なくとも2つ)形成されていることを除けば、実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。なお、図5では、各制限板22と各非開口部13aとの間にガス壁501を2つずつ形成している。
 すなわち、蒸着マスク10の両端のマスク開口領域11については、それぞれ、X軸方向に、該マスク開口領域11に隣り合うマスク開口領域11は一つずつしか存在しない。このため、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11については、該マスク開口領域11の片側に隣り合うマスク開口領域11に対向する制限板開口21から該マスク開口領域11に向かう蒸着粒子301のみをブロックすればよい。
 しかしながら、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11以外のマスク開口12に対しては、該マスク開口領域11の両側のマスク開口領域11に対向する制限板開口21から該マスク開口領域11に向かう蒸着粒子301をそれぞれブロックする必要がある。
 このため、ガス噴出口41を、各非開口部13aに対し、X軸方向に複数設けることで、そのような蒸着粒子301をブロックする確率が高くなる。
 そこで、本実施形態では、一つの制限板22に付きX軸方向に複数(図2に示す例では2つ)のガス噴出口41を形成している。
 なお、図5では、全制限板22に対しガス噴出口41をX軸方向に2つずつ設けているが、上述したように、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11については、該マスク開口領域11の片側に隣り合うマスク開口領域11に対向する制限板開口21から該マスク開口領域11に向かう蒸着粒子301のみをブロックすればよい。
 このため、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11の外側の非開口部13に対しては、X軸方向に、ガス壁501が一つだけ形成されるようにガス噴出口41が設けられていてもよい。したがって、制限板ユニット20のX軸方向両端の制限板開口21の外側には、X軸方向に、ガス噴出口41が一つだけ設けられていても構わない。
 このように、一つの制限板22に付きX軸方向にガス噴出口41を複数設ける場合であっても、ガス噴出口41は、制限板22の中央部分(中央付近)に形成されていることが好ましい。但し、各ガス噴出口41が近接すると、各ガス噴出口41近傍でガスの拡がりが発生するため、各ガス噴出口41は、好適には、互いに数mm離間して設けられていることが好ましい。
 〔実施形態3〕
 本実施形態について主に図6に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1、2との相違点について説明するものとし、実施形態1、2で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図6の(a)は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す斜視図であり、図6の(b)は、図6の(a)に示す蒸着装置100の要部の概略構成を示す平面図である。なお、図6の(b)は、蒸着装置100における制限板ユニット20および蒸着源30を、制限板ユニット20の上方から見た状態を示している。
 図2では、各ガス噴出口41の開口幅(すなわち、ガス噴出口41における、走査方向と直交するX軸方向の開口長さ)が、Y軸方向において常に一定である場合を例に挙げて図示した。しかしながら、各ガス噴出口41の開口幅は、Y軸方向の位置によって異なっていてもよい。
 制限板開口21を通過する蒸着粒子301の密度は、平面視で制限板開口21の直上にあたる、制限板開口21のY軸方向中央部分が最も高い。このため、蒸着源開口31の擬似的な拡がりに起因する、異常成膜の原因となる蒸着粒子301の数も、平面視で制限板開口21のY軸方向中央部分が最も多い。
 このため、各ガス噴出口41の開口幅がY軸方向の位置に拘らず一定である場合、Y軸方向でガスガス流量が一定であり、異常成膜の原因となる蒸着粒子301の数が相対的に少ないY軸方向端部では、ガス流量が無駄に多くなる。
 したがって、無駄なガスの消費を無くし、異常成膜の原因となる蒸着粒子301を、効率良くブロックするためには、各制限板22に設けられたガス噴出口41における、平面視で、X軸方向において蒸着源開口31に隣り合う部分の開口幅を、これらガス噴出口41における、Y軸方向端部の開口幅(言い換えれば、平面視で、X軸方向において蒸着源開口31に隣り合わない部分の開口幅)よりも広くすることが好ましい。
 このためには、例えば、ガス噴出口41の開口幅は、Y軸方向において、蒸着源開口31に近い部分ほど広く、蒸着源開口31から遠ざかるにしたがって小さくなるように設定されていることが望ましい。
 そこで、本実施形態では、各ガス噴出口41を、制限板22における、蒸着源開口31の直上にあたる、制限板開口21のY軸方向中央部分に隣り合う部分の開口幅(言い換えれば、各ガス噴出口41における、平面視で、X軸方向において蒸着源開口31に隣り合う部分の開口幅)を最も広く設定し、Y軸方向端部に向かうにしたがって(つまり、平面視で蒸着源開口31から遠ざかるにしたがって)先細りする形状とした。なお、上記構成を除けば、本実施形態にかかる蒸着装置100は、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 ガス噴出口41は、上述した形状を有していれば、楕円形状であってもよく、菱形形状であってもよい。
 ガス噴出口41を上述した形状とすることで、無駄なガスの消費が無く、異常成膜の原因となる蒸着粒子301を、効率良くブロックすることができる。このため、ガス流量を、Y軸方向の位置によって最適化することができる。
 なお、図6の(a)・(b)では、各制限板22にガス噴出口41を一つずつ設けた場合を例に挙げて図示したが、一つの制限板22に対し、ガス噴出口41が複数設けられていてもよいことは、言うまでもない。
 〔実施形態4〕
 本実施形態について主に図7の(a)・(b)に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~3との相違点について説明するものとし、実施形態1~3で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態3に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1、2と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図7の(a)は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す斜視図であり、図7の(b)は、図7の(a)に示す蒸着装置100の要部の概略構成を示す平面図である。なお、図7の(b)は、蒸着装置100における制限板ユニット20および蒸着源30を、制限板ユニット20の上方から見た状態を示している。
 実施形態3で説明したように、無駄なガスの消費を無くし、異常成膜の原因となる蒸着粒子301を、効率良くブロックするためには、各制限板22に設けられたガス噴出口41における、平面視で、X軸方向において蒸着源開口31に隣り合う部分の開口幅(すなわち、ガス噴出口41における、走査方向と直交するX軸方向の開口長さ)を、これらガス噴出口41における、Y軸方向端部の開口幅(言い換えれば、平面視で、X軸方向において蒸着源開口31に隣り合わない部分の開口幅)よりも広くすることが好ましい。
 そこで、本実施形態では、実施形態3のようにガス噴出口41の開口幅がY軸方向の位置によって異なるようにガス噴出口41を形成する代わりに、図7の(a)・(b)に示すように、各制限板22に、ガス噴出口41として、走査方向開口長(すなわち、ガス噴出口41におけるY軸方向の開口長さ)の長さがガス噴出口41b・41cとは異なるガス噴出口41aを含む、複数のガス噴出口41a~41cを設けた。
 なお、図7の(a)・(b)では、走査方向開口長の長さが最も長いガス噴出口41aを挟むように、該ガス噴出口41aよりも走査方向開口長の長さが短いガス噴出口41b・41cを配置した。このように、本実施形態では、隣り合う制限板開口21間に、少なくとも3つのガス噴出口41(例えばガス噴出口41a~41c)を設けるとともに、平面視で制限板開口21に相対的に近いガス噴出口41(例えば平面視で制限板開口21に隣り合うガス噴出口41b・41c)の走査方向開口長が、他のガス噴出口41(例えばガス噴出口41)の走査方向開口長よりも短くなるように各ガス噴出口41を形成した。
 このため、本実施形態では、平面視で、相対的に蒸着源開口31に近い領域ではガス噴出口41の配設密度が相対的に高く、相対的に蒸着源開口31から遠い領域ではガス噴出口41の配設密度が相対的に低くなっている。上記構成を除けば、本実施形態にかかる蒸着装置100は、実施形態3にかかる蒸着装置100と同じである。
 本実施形態では、このように、一つの制限板22に、ガス噴出口41として、走査方向開口長が異なる複数のガス噴出口41a~41cを設けることで、平面視で、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向中央部分に隣り合う部分(すなわち、平面視でX軸方向において蒸着源開口31に隣り合う部分)には、ガス噴出口41として、ガス噴出口41a~41cが設けられている一方、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向端部に隣り合う部分には、ガス噴出口41として、ガス噴出口41aのみが設けられている構成とした。
 このため、本実施形態では、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向中央部分に隣り合う部分では、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向端部に隣り合う部分よりも、ガス噴出口41b・41cの開口幅の分だけ、各制限板22に設けられたガス噴出口41の総開口幅が広くなっている。
 このように、本実施形態では、平面視で、上記蒸着装置100における、制限板開口21のY軸方向中央部分に隣り合う部分のガス噴出口41の総開口幅を、上記制限板開口21のY軸方向端部に隣り合う部分のガス噴出口41の総開口幅よりも広くした。より具体的には、本実施形態では、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向中央部分に隣り合う部分のガス噴出口41の総開口幅(すなわち、各制限板22に設けられたガス噴出口41a~41cの各開口幅の合計)を、各制限板22におけるY軸方向端部に設けられたガス噴出口41の総開口幅(すなわち、各制限板22における、制限板開口21のY軸方向端部に隣り合う部分に設けられたガス噴出口41である、ガス噴出口41aの開口幅)よりも広くした。
 したがって、本実施形態でも、実施形態3同様、ガス流量を、Y軸方向の位置によって最適化することができる。
 なお、図7の(a)・(b)では、上述したように、走査方向開口長の長さが最も長いガス噴出口41aを挟むように、該ガス噴出口41aよりも走査方向開口長の長さが短いガス噴出口41b・41cを配置した。しかしながら、各ガス噴出口41の配置は、制限板22における、制限板開口21のY軸方向中央部分(つまり、蒸着源開口31の直上部分)に隣り合う部分のガス噴出口41の総開口幅が、制限板22におけるY軸方向端部のガス噴出口41の総開口幅よりも広くなるように配置されていれば、上記配置に限定されない。
 〔実施形態5〕
 本実施形態について主に図8に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~4との相違点について説明するものとし、実施形態1~4で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2~4と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図8は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 図8に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、制限板ユニット20(第1の制限板ユニット)と蒸着マスク10との間に、ガス噴出口41用の制限板ユニット70(第2の制限板ユニット)が設けられている点を除けば、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 制限板ユニット70は、平面視で、制限板22に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の制限板72(第2の制限板、制限部)を備えている。
 制限板72は、平面視で、ガス噴出口41を挟むように、一つのガス噴出口41につきX軸方向に複数設けられている。
 図8に示す例では、制限板72は、制限板22(第1の制限板)上に、制限板22に沿って、一つの制限板22につきX軸方向に2個1組で設けられている。
 このため、制限板72は、平面視で、それぞれY軸に平行に延設されており、2個1組で設けられた各組の制限板72(つまり、対の制限板72・72)が、それぞれ同一ピッチでX軸方向に互いに平行に複数配列されている。
 これにより、X軸方向に隣り合う各組の制限板72間には、それぞれ、隣り合う制限板22間の制限板開口21を通過した蒸着粒子301を通過させる、蒸着流用の制限板開口71が形成されている。
 また、平面視で同一の制限板22上に設けられた、対をなす制限板72間には、ガス噴出口41から噴出されたガスを通過させる、ガス(ガス壁501)用の制限板開口73が形成されている。
 このため、制限板ユニット70には、2種類の、開口幅が異なる制限板開口71と制限板開口73とが、交互に設けられている。制限板開口71・73は、それぞれ、制限板ユニット70をZ軸方向に貫通する貫通口である。
 制限板開口71と制限板開口21とは、一対一の関係を有している。したがって、制限板開口71とマスク開口領域11および蒸着源開口31とは、それぞれ一対一の関係を有している。また、制限板開口73とガス噴出口41とは、一対一の関係を有している。
 ガス噴出口41から噴出されるガスは、流量が少ないものの、ガス噴出口41で多少の拡がりを持って放出されてマスク開口領域11から被成膜領域202に流入する懸念がある。実施形態1で説明したようにガス噴出口41の深さ(ノズル長さ)を深くすることで指向性を高めることはできるが、ガス噴出口41の深さだけで指向性を高めるには限界がある。そこで、ガス噴出口41の上側に、ガス流を制御する制限板開口73を有する上記制限板ユニット70を設けることで、ガス流がマスク開口領域11に流入しないようにすることができる。
 すなわち、制限板開口73は、ガス噴出口41から噴出されたガスの流れ(ガス流)を制御し、指向性を高める役割を有している。また、制限板開口71は、制限板開口21を通過した蒸着粒子301の流れ(蒸着流)を制御し、さらに指向性を高める役割を有している。
 なお、ガス噴出口41に対する制限板72の相対位置や、制限板開口71・73の開口サイズ(走査方向開口長および開口幅)等は、制限板72の幅や、制限板72の高さや、被成膜基板200と蒸着源30との間の距離や、マスク開口領域11等の設計値によって最適化できる。
 なお、平面視での制限板72の走査方向の長さは、ガス噴出口41の走査方向開口長と同一以上の長さ(つまり、Y軸方向におけるガス壁501と同一以上の長さ)にする必要がある。平面視での制限板72の走査方向の長さがガス噴出口41の走査方向開口長よりも短いと、走査方向端部のガス流を制御できない懸念がある。
 このため、本実施形態では、制限板ユニット70の外形は、例えば、平面視で、制限板ユニット20と同程度の大きさ(例えば同じ大きさ)に形成されているが、これに限定されるものではない。
 また、平面視での制限板72における走査方向と直交する方向の端部の位置が、制限板22における走査方向と直交する方向の端部の位置を超えると、制限板72が、正常な蒸着膜300を成膜する本来の蒸着流に干渉し、正常な蒸着ができなくなるおそれがある。このため、制限板72は、平面視での制限板72における走査方向と直交する方向の端部の位置が、制限板22における走査方向と直交する方向の端部の位置を超えないように配置されることが望ましい。
 本実施形態によれば、上述したように制限板ユニット70を設けることで、ガス流が被成膜領域202に流入することをより確実に防止することができる。
 〔実施形態6〕
 本実施形態について主に図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~5との相違点について説明するものとし、実施形態1~5で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2~5と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図9は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 図9に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、蒸着マスク10におけるマスク開口領域11を挟む非開口部13に対応(対向)して、ガスの拡散を制限することでガスのマスク開口領域11への流入(侵入)を防止する制限板82(遮蔽板、第3の制限板)が設けられている点を除けば、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 前述したように、ガス噴出口41から噴出されるガスは、流量が少ないものの、ガス噴出口41で多少の拡がりを持って放出されてマスク開口領域11から被成膜領域202に流入する懸念がある。
 また、ガス流量は少なく、各制限板開口21と各マスク開口領域11との間には、本来蒸着される蒸着膜300を形成する、蒸着粒子301の密度が高い蒸着流が形成されているため、蒸着マスク10に吹き付けられたガスは、マスク開口領域11側には拡がり難いものの、例えばガス流量等によっては、蒸着マスク10の表面に接触する(つまり、衝突する)ことで、マスク開口領域11側にも拡がる懸念がある。
 蒸着マスク10に入射する蒸着流とガス流との干渉が生じるのはマスク開口領域11の端部である。
 そこで、本実施形態では、蒸着マスク10におけるマスク開口領域11を挟むように、ガスの拡散(移動)を制限する制限板82を設置する。これにより、ガス流がマスク開口領域11から被成膜領域202に侵入することを防止することができる。
 なお、制限板82は、蒸着マスク10に直接設けられていてもよく、蒸着マスク10とは別に設けられていてもよい。例えば、蒸着マスク10を加工することにより、蒸着マスク10における、被成膜基板200とは反対側の面(すなわち、制限板ユニット20との対向面)に制限板82が設けられていてもよい。また、蒸着マスク10を溶接する等して蒸着マスク10の端部を固定するマスクフレームを加工して、制限板ユニットとしてもよい。すなわち、マスクフレームに制限板82を設けることで、マスクフレームそのものを制限板ユニットとしてもよい。あるいは、マスクフレームに、追加で制限板ユニットを設けてもよい。
 但し、蒸着マスク10に制限板82を直接設けると、蒸着マスク10の自重撓みを助長する。このため、蒸着マスク10の大きさによっては正常な蒸着が行えない場合がある。また、マスクフレームとは別に制限板ユニットを設けると、部品点数が多くなるため、蒸着装置100の製造効率およびアライメント効率が低下する。このため、好適には、マスクフレームを加工して制限板ユニットとした方がよい。
 なお、図9は、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、蒸着マスク10に隣接して、ガスおよび蒸着粒子301の移動をそれぞれ制限する制限板ユニット80(第3の制限板ユニット、遮蔽ユニット)が設けられた場合を例に挙げて示している。
 制限板ユニット80は、ガスの拡散(移動、移動範囲)を制限し、マスク開口領域11へのガスの流入(侵入)を防止する一方、蒸着粒子301の移動(移動範囲)を、本来入射するマスク開口領域11内に制限することで、該マスク開口領域11に隣接するマスク開口領域11(隣接マスク領域)への蒸着粒子301の流入(侵入)を防止する。
 制限板ユニット80の厚み、すなわち、制限板82の厚みに制限はないが、マスクフレームと同一の厚さとすることでマスクフレーム作製の手間がかからない。
 本実施形態では、マスクフレームに制限板82を設けることで、制限板ユニット80がマスクフレームを兼ねている場合を例に挙げて説明するが、上述したように、本実施形態は、これに限定されない。
 各制限板82は、ガス壁501を挟むように、X軸方向に、例えば2個1組で設けられている。つまり、上記各制限板82は、平面視でガス壁501を挟むように、一つの非開口部13対し、X軸方向にそれぞれ複数設けられている。これにより、制限板ユニット80には、平面視で、X軸方向に2個1組で設けられた各組の制限板82(つまり、対の制限板82・82)が、マスク開口領域11を挟むように、それぞれ同一ピッチでX軸方向に互いに平行に複数配列されている。
 なお、平面視での制限板82の走査方向の長さは、ガス噴出口41の走査方向開口長と同一以上の長さ(つまり、Y軸方向におけるガス壁501と同一以上の長さ)にする必要がある。平面視での制限板82の走査方向の長さがガス噴出口41の走査方向開口長よりも短いと、走査方向端部のガス流を制御できない懸念がある。
 本実施形態によれば、対をなす、隣り合う制限板82間の隙間83(ガス用の制限板開口)に吹き付けられたガス流は、該ガス流を挟む対の制限板82によって、マスク開口領域11への流入がブロックされる。一方、隣り合う組の制限板82間の開口81(蒸着流用の制限板開口)に流入した蒸着流は、ガス壁501およびマスク開口領域11を挟む制限板82によって、本来入射するマスク開口領域11に導かれるとともに、隣接マスク領域への流入がブロックされる。
 つまり、対をなす制限板82間の内壁でX軸方向へのガスの流れが規制され、対をなす制限板82の外壁で蒸着粒子301の流れが規制される。なお、蒸着粒子301は、制限板開口21を通過することで、指向性が向上し、制限板ユニット80における開口81に入射した蒸着粒子301は、散乱することなく、マスク開口領域11における各マスク開口12内に入射する。
 本実施形態によれば、上記制限板ユニット80を設けることで、ガス流が被成膜領域202に侵入することを確実に防ぐことができる。
 また、図9に示すように各マスク開口領域11間の非開口部13aに制限板82を互いに離間させて複数並べて設けることで、マスク開口領域11に向うガス流を効率的にブロックすることができるとともに、各制限板82の大きさを小さくすることができるため、制限板ユニット80全体の重量を軽量化できるといった利点もある。
 なお、図9に示す例では、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13に対向して、ガス壁501を挟むように、X軸方向に2個1組で制限板82を設けた場合を例に挙げて示しているが、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11については、該マスク開口領域11の外側にガス壁501を形成することは必須ではなく、また、ガス壁501を設けたとしても、該ガス壁501の片側に隣り合うマスク開口領域11へのガスの流入をブロックすればよい。
 このため、蒸着マスク10のX軸方向両端のマスク開口領域11の外側の非開口部13に対しては、該非開口部13に対向して、制限板82が一つだけ形成されていても構わない。
 〔実施形態7〕
 本実施形態について主に図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~6との相違点について説明するものとし、実施形態1~6で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2~6と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図10は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 図10に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、蒸着マスク10に、ガス噴出口41に対向して、ガス噴出口41から噴出されたガスを通過させるガス用のマスク開口14(第2のマスク開口、貫通口)が設けられているとともに、被成膜基板200として、被成膜領域202を挟む非成膜領域204に、ガス噴出口41およびマスク開口14に対向する貫通口205(被成膜基板開口)が設けられた被成膜基板200を使用する点を除けば、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 前述したように、ガス流量は少なく、各制限板開口21と各マスク開口領域11との間には、本来蒸着される蒸着膜300を形成する、蒸着粒子301の密度が高い蒸着流が形成されているため、蒸着マスク10に吹き付けられたガスは、マスク開口領域11側には拡がり難い。しかしながら、例えばガス流量等によっては、蒸着マスク10に吹き付けられたガスが蒸着マスク10の表面に接触する(つまり、衝突する)ことで、マスク開口領域11側にも拡がる懸念がある。
 そこで、本実施形態では、マスク開口領域11に混入するガスの量を極力低減するため、蒸着マスク10におけるマスク開口領域11を挟む非開口部13に、上記ガスの抜け道として上記ガスを通過させるガス用のマスク開口14を設けるとともに、被成膜基板200における被成膜領域202を挟む非成膜領域204に、上記ガスの抜け道として上記ガスを通過させるガス用の貫通口205を設けた。
 これにより、ガス噴出口41から蒸着マスク10の表面に吹き付けられたガスは、マスク開口14および貫通口205を介して被成膜基板200における被成膜面201とは反対側に抜ける。すなわち、本実施形態において、ガス壁501は、蒸着マスク10および被成膜基板200を貫通して形成される。このため、蒸着マスク10の表面に衝突したガスがマスク開口領域11側にも拡がってマスク開口領域11に流入することをより確実に防止することができる。
 また、本実施形態によれば、マスク開口14および貫通口205を形成することで、上述したように、蒸着マスク10および被成膜基板200を貫くようにガス壁501を形成することができる。このため、マスク開口12を通過した蒸着粒子301が、ガス壁501を越えて、本来入射する被成膜領域202に隣接する被成膜領域202(隣接被成膜領域)に入射することを、より確実に防止することができる。
 しかも、上記したようにマスク開口14および貫通口205を形成することで、マスク開口14および貫通口205を形成しない場合と比較して、ガス流量を多くすることができる。このため、異常成膜の原因となる蒸着粒子301のブロック性により一層優れたガス壁501を形成することができる。
 なお、マスク開口14および貫通口205の走査方向開口長および開口幅は、それぞれ、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に形成されるガス壁501のY軸方向の長さおよびX軸方向の幅と同じであることが望ましい。このため、マスク開口14および貫通口205の走査方向開口長および開口幅は、例えば、平面視で、ガス噴出口41と同じ、もしくは、ガス噴出口41の大きさにガスの拡がりを考慮した大きさに形成されることが好ましく、また、ガス噴出口41に対し、例えば相似形状を有していることが好ましい。
 なお、実施形態6にかかる蒸着装置100にマスク開口14を設ける場合、マスク開口14は、蒸着マスク10における、隣り合う制限板82間の隙間83に対応する領域に設けられる。
 〔実施形態8〕
 本実施形態について主に図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~7との相違点について説明するものとし、実施形態1~7で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2~7と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図11は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 実施形態1~7では、制限板ユニット20にガス噴出部40が設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、ガス壁501は、制限板開口21を通過した、異常成膜の原因となる蒸着粒子301の隣接マスク開口領域への入射を防止することができるように蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に形成されればよい。
 したがって、ガス噴出部40は、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、制限板ユニット20とは別に設けられていてもよい。
 本実施形態にかかる蒸着装置100は、制限板ユニット20にガス噴出部40を設ける代わりに、制限板兼ガス供給ユニットとして、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、制限板ユニット20に隣接して、ガス噴出部40を有する制限板ユニット90(第2の制限板ユニット、ガス噴出ユニット)を備えている。なお、上記構成を除けば、本実施形態にかかる蒸着装置100は、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 制限板ユニット90は、例えば中空のブロック状のユニットであり、X軸方向に沿って複数の制限板開口91およびガス噴出口41が、それぞれ一定ピッチで設けられた構成を有している。
 制限板ユニット90は、平面視で、制限板22に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の制限板92(第2の制限板、ガス噴出部)を備えている。
 制限板92は、一つの制限板22に対し、少なくとも一つ設けられている。なお、図11では、X軸方向における制限板22の中央部に制限板92が一つ設けられている場合を例に挙げて示している。一つの制限板22に対し、ガス噴出口41を複数設ける場合、制限板92に複数のガス噴出口41が設けられていてもよく、一つの制限板22に対し、X軸方向におけるガス噴出口41の数だけ、X軸方向に制限板92が設けられていてもよい。
 各制限板92における蒸着マスク10との対向面には、それぞれガス噴出口41が設けられている。
 また、制限板ユニット90には、ガス供給管51を介してガス供給源52に接続されたガス導入口43が少なくとも一つ設けられている。また、制限板ユニット90は例えば中空形状を有し、内部に、ガス導入口43に連結されたガス拡散室42を備えている。
 このため、本実施形態にかかる蒸着装置100は、制限板ユニット20とガス供給機構50とが、互いに独立して設けられた構成を有している。
 制限板開口91は、制限板ユニット90をZ軸方向に貫通する貫通口である。制限板開口91と制限板開口21とは、一対一の関係を有している。したがって、制限板開口91とマスク開口領域11および蒸着源開口31とは、それぞれ一対一の関係を有している。
 制限板開口91は、制限板開口21を通過した蒸着粒子301の流れ(蒸着流)を制御し、さらに指向性を高める役割を有している。
 制限板ユニット90におけるガス噴出口41は、制限板ユニット20におけるガス噴出口41と同様であり、制限板ユニット20におけるガス噴出口41と同様に設計することができる。
 前述したように、ガス噴出口41の走査方向開口長は、制限板開口21の走査方向開口長と同一もしくはそれよりも長いことが好ましい。ガス噴出口41の走査方向開口長が、制限板開口21の走査方向開口長よりも短いと、制限板開口21に隣接してガス壁501が設けられていない箇所が存在し、該箇所における、隣接マスク領域に向かう蒸着粒子301をブロックすることができない。
 したがって、平面視での制限板92の走査方向の長さは、制限板開口21の走査方向開口長と同一以上の長さにする必要がある。
 このため、本実施形態では、制限板ユニット90の外形は、例えば、平面視で、制限板ユニット20と同程度の大きさ(例えば同じ大きさ)に形成されているが、これに限定されるものではない。
 また、平面視での制限板92における走査方向と直交する方向の端部の位置が、制限板22における走査方向と直交する方向の端部の位置を超えると、制限板92が、正常な蒸着膜300を成膜する本来の蒸着流に干渉し、正常な蒸着ができなくなるおそれがある。このため、制限板92は、平面視での制限板92における走査方向と直交する方向の端部の位置が、制限板92における走査方向と直交する方向の端部の位置を超えないように配置されることが望ましい。
 本実施形態でも、制限板22間に形成される制限板開口21で蒸着流の制御を行い、微量の不要成分だけを、ガス壁501でブロックするので、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
 制限板ユニット20とは別に制限板ユニット20遮蔽ユニットを設けると、部品点数が多くなるため、蒸着装置100の製造効率およびアライメント効率が低下する。
 しかしながら、本実施形態では、ガス供給機構50が、制限板ユニット20から独立して形成されているので、制限板ユニット20が設けられた蒸着装置100にガス供給機構50を追加するだけでよく、設備投資を削減することができる。
 〔実施形態9〕
 本実施形態について主に図12の(a)・(b)に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~8との相違点について説明するものとし、実施形態1~8で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態1において図1に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1の変形例および実施形態2~6、8と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図12の(a)は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図であり、図12の(b)は、図12の(a)に示す、排気機構110が設けられた蒸着マスク10の概略構成を示す底面図である。
 図12の(a)・(b)に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、蒸着マスク10に排気機構110が設けられていることを除けば、例えば実施形態1にかかる蒸着装置100と同じである。
 排気機構110は、蒸着マスク10に設けられたガス吸引部15と、排気装置112と、ガス吸引部15と排気装置112とを連結する排気管111と、を備えている。
 また、ガス吸引部15は、吸気口16と、排気路17と、排気口18と、を備えている。
 吸気口16は、蒸着マスク10における、ガス噴出口41との対向面側に設けられ、蒸着マスク10に吹き付けられたガスを吸引するガス吸引口(開口部)である。吸気口16は、ガス噴出口41に対向する、蒸着マスク10におけるマスク開口領域11を挟む非開口部13に設けられている。つまり、本実施形態にかかる蒸着マスク10には、該蒸着マスク10における、ガス壁501が形成される領域に、該ガス壁501を形成するガスを吸引する吸気口16が設けられている。
 また、本実施形態にかかる蒸着マスク10には、排気管111に接続された排気口18が設けられている。吸気口16と排気口18とは、図12の(b)に示すように、蒸着マスク10の内部に設けられた排気路17によって連結されている。
 蒸着マスク10は、貫通口であるマスク開口12以外の部分、例えばマスク開口領域11以外の部分に、内部に排気路17となる空間部が設けられた、中空構造を有していてもよく、内部に排気路17(通気路)として排気管(通気管)が埋設された構造を有していてもよい。
 排気管111は、排気装置112に接続されており、吸気口16から吸引されたガスは、排気路17を通り、排気口18から排気管111を介して排気装置112に吸引されることで排気される。
 排気装置112は、成膜チャンバ101の外部に配置されている。排気装置112としては、例えば真空ポンプ等の吸気装置が用いられる。なお、上記排気装置112は、蒸着時に該成膜チャンバ101内を真空状態に保つ真空ポンプとは別に設けられていてもよく、上記真空ポンプが排気装置112を兼ねていてもよい。すなわち、例えば、排気管111は、分岐管により、成膜チャンバ101内を真空状態に保つ真空ポンプに連結されていてもよい。
 実施形態7で説明したように、ガス流量等によっては、蒸着マスク10に吹き付けられたガスが蒸着マスク10の表面に接触する(つまり、衝突する)ことで、マスク開口領域11側にも拡がる懸念がある。しかしながら、本実施形態では、蒸着マスク10に接続された排気装置112によって、蒸着マスク10に吹き付けられたガスが、該蒸着マスク10に形成された吸気口16に吸引され、マスク開口領域11側に拡がることがない。このため、本実施形態によれば、不要なガスの流れによる蒸着粒子301の着弾乱れを防ぐことができる。
 なお、本実施形態では、図12の(b)に示すように、マスク開口領域11を挟む非開口部13に、吸気口16としてマスク開口12よりもY軸方向の開口長が短い、平面視で円形の吸気口16が複数設けられている場合を例に挙げて図示した。
 しかしながら、吸気口16は、蒸着マスク10におけるガス壁501の形成領域に、1つの吸気口16もしくは複数の吸気口16群の形成領域の大きさが、ガス壁501と同一以上の大きさとなるように形成されていれば、その形状、大きさ、数は、特に限定されるものではない。
 〔実施形態10〕
 本実施形態について主に図13に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~9との相違点について説明するものとし、実施形態1~9で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態8に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、実施形態1~6と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図13は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 前述したように、ガス噴出部40は、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、制限板ユニット20とは別に設けられていてもよい。
 本実施形態にかかる蒸着装置100は、制限板ユニット90に代えて、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、蒸着マスク10に隣接して、ガス噴出部40を有する制限板ユニット120(第3の制限板ユニット、ガス噴出ユニット)を備えている。なお、上記構成を除けば、本実施形態にかかる蒸着装置100は、例えば実施形態8にかかる蒸着装置100と同じである。
 制限板ユニット120は、例えば中空のブロック状のユニットであり、X軸方向に沿って複数の制限板開口121およびガス噴出口41が、それぞれ一定ピッチで設けられた構成を有している。
 隣り合う制限板開口121は、蒸着粒子301の移動を制限する制限板122(第2の制限板、ガス噴出部)で隔てられている。
 制限板122は、蒸着粒子301の移動(移動範囲)を、本来入射するマスク開口領域11内に制限することで、該マスク開口領域11に隣接するマスク開口領域11(隣接マスク領域)への蒸着粒子301の流入(侵入)を防止する。
 制限板122は、制限板22に対向するように、平面視で、互いに離間し、かつ、X軸方向に互いに平行に、一定ピッチで配列されている。
 制限板開口121は、X軸方向に隣り合う制限板122間に設けられた貫通口である。
 ガス噴出口41は、各制限板122における、制限板22との対向面に設けられている。
 また、制限板ユニット120には、ガス供給管51を介してガス供給源52に接続されたガス導入口43が少なくとも一つ設けられている。また、制限板ユニット120は例えば中空形状を有し、内部に、ガス導入口43に連結されたガス拡散室42を備えている。
 このため、本実施形態にかかる蒸着装置100でも、制限板ユニット20とガス供給機構50とは、互いに独立して設けられた構成を有している。
 なお、制限板ユニット120におけるガス噴出口41は、制限板ユニット20におけるガス噴出口41と同様であり、制限板ユニット20におけるガス噴出口41と同様に設計することができる。
 前述したように、ガス噴出口41の走査方向開口長は、制限板開口21の走査方向開口長と同一もしくはそれよりも長いことが好ましい。ガス噴出口41の走査方向開口長が、制限板開口21の走査方向開口長よりも短いと、制限板開口21に隣接してガス壁501が設けられていない箇所が存在し、該箇所における、隣接マスク領域に向かう蒸着粒子301をブロックすることができない。
 したがって、平面視での制限板122の走査方向の長さは、制限板開口21の走査方向開口長と同一以上の長さにする必要がある。
 制限板ユニット120は、マスクフレームにガス噴出部40を設けることで、マスクフレームそのものを制限板ユニット120としてもよい。あるいは、マスクフレームに、追加で制限板ユニット120を設けてもよい。
 マスクフレームとは別に制限板ユニット120を設けると、部品点数が多くなるため、蒸着装置100の製造効率およびアライメント効率が低下する。このため、好適には、マスクフレームを加工して制限板ユニット120とした方がよい。
 制限板ユニット120の厚み、すなわち、制限板122の厚みに制限はないが、マスクフレームと同一の厚さとすることでマスクフレーム作製の手間がかからない。
 本実施形態では、マスクフレームに制限板122を設けることで、制限板ユニット120がマスクフレームを兼ねている場合を例に挙げて説明するが、上述したように、本実施形態は、これに限定されない。
 制限板ユニット120は、平面視で、X軸方向において各マスク開口領域11を間に挟む非開口部13に対向して、マスク開口領域11を挟むように、それぞれ制限板122(第3の制限板、ガス噴出部)が互いに離間して設けられた構成を有している。
 制限板122は、マスク開口領域11を挟むそれぞれの非開口部13に対し、少なくとも一つ設けられている。つまり、制限板122は、隣り合うマスク開口領域11間に、少なくとも一つ設けられている。
 なお、図11では、隣り合うマスク開口領域11間におけるX軸方向の中央部に、ガス噴出部を兼ねる制限板122がそれぞれ一つずつ設けられている場合を例に挙げて示している。
 しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、隣り合うマスク開口領域11間に、ガス噴出口41が複数設けられていても構わない。なお、隣り合うマスク開口領域11間にガス噴出口41を複数設ける場合、制限板122に複数のガス噴出口41が設けられていてもよく、隣り合うマスク開口領域11間に、X軸方向におけるガス噴出口41の数だけ、X軸方向に制限板122が設けられていてもよい。例えば、一つの制限板22に2つのガス噴出口41が対向するように制限板ユニット120にガス噴出口41が設けられていても構わない。
 以上のように、本実施形態でも、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間にガス壁501を形成することで、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
 しかも、実施形態1~9では、制限板ユニット20と蒸着マスク10との間に、制限板ユニット20側から蒸着マスク10側に向かってガス噴出口41からガスを噴出することによりガス壁501を形成していた。これに対し、本実施形態では、制限板ユニット20と蒸着マスク10との間に、蒸着マスク10側から制限板ユニット20側に向かってガス噴出口41からガスを噴出することによりガス壁501を形成する。
 蒸着源開口31から射出された蒸着粒子301は、略等方的に拡がることで、蒸着流は、制限板ユニット20側から蒸着マスク10側に向かって拡散する。
 実施形態1~9のように制限板ユニット20側から蒸着マスク10側に向かってガス噴出口41からガスを噴出した場合、ガス噴出口41が蒸着源開口31よりも小さく、ガス流量が少ないことから、蒸着流と比較すれば非常に僅かではあるものの、ガス流も制限板ユニット20側から蒸着マスク10側に向かって拡散する。このため、制限板ユニット20側よりも蒸着マスク10側の方がガス密度が低くなるとともに、ガス流が蒸着マスク10側で拡がることで、マスク開口領域11にガスが侵入する懸念がある。また、ガスが蒸着マスク10に吹き付けられることで、蒸着マスク10の表面に衝突したガスがマスク開口領域11側にも拡がってマスク開口領域11に流入する懸念もある。
 しかしながら、蒸着マスク10側から制限板ユニット20側に向かってガス噴出口41からガスを噴出した場合、ガス流は、蒸着マスク10側から制限板ユニット20側に向かって拡散するため、ガス流の拡散方向と蒸着流の拡散方向とは、拡散方向が逆になる。このため、ガスの制御が容易になるとともに、蒸着マスク10側でガス密度が高いガス壁501が形成されるため、隣り合うマスク開口領域11間において、隣接するマスク開口領域11に向かう蒸着粒子301のブロック力が向上する。
 また、ガスは、制限板ユニット120から制限板ユニット20の制限板22に向かって噴出されるため、ガス噴出口41から噴出されたガスが、ガス密度が高いまま直接マスク開口領域11に流入することはない。
 さらに、本実施形態では制限板ユニット120からガスが制限板22に吹き付けられることで、制限板22の表面に衝突したガスは、制限板22の表面に沿って流れるため、蒸着粒子301の流れを阻害しない。このため、上記ガスが素子特性に影響を及ぼすことはない。
 <変形例>
 なお、本実施形態では、蒸着マスク10と制限板ユニット20との間に、ガス噴出部40を有する制限板ユニット120が設けられている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、実施形態9に示すように蒸着マスク10を中空とするか、あるいは、内部に通気路となる通気管を埋設することにより、蒸着マスク10が、排気機構110に代えてガス供給機構50を備えている構成としてもよい。すなわち、蒸着マスク10自体にガス噴出部40が設けられていてもよい。この場合、制限板ユニット120は不要であり、マスクフレームが制限板ユニット120である必要はない。ガス噴出口41は、蒸着マスク10における非開口部13に直接設けられる。
 この場合、図12に示す、排気機構110が設けられた蒸着マスク10において、排気装置112の代わりにガス供給源52を用いれば、排気機構110がガス供給機構50となり、ガス吸引部15がガス噴出部40となり、吸気口16がガス噴出口41となり、排気路17がガス拡散室42となり、排気口18がガス導入口43となり、排気管111がガス供給管51となる。
 したがって、上記蒸着装置100は、図13に示す蒸着マスク10および制限板ユニット120の代わりに、上述した構成を有する、ガス供給機構50が設けられた蒸着マスク10が設けられた構成を有していてもよい。
 また、本実施形態では、上述したように、実施形態1~6と同様の変形が可能である。例えば、本実施形態にかかる蒸着装置100は、1つの制限板22に対しX軸方向にガス壁501が複数形成されるように(言い換えれば、平面視で、隣り合う制限板開口21間、つまり、平面視で、隣り合うマスク開口領域11間に、X軸方向にガス壁501が複数形成されるように)、マスク開口領域11を挟むそれぞれの非開口部13に対し、ガス噴出口41がX軸方向に複数設けられていてもよい。
 また、本実施形態でも、ガス噴出口41は、例えば、図2、図6の(a)・(b)、図7の(a)・(b)の何れかに示す形状を有していてもよく、それらを組み合わせた形状を有していてもよい。
 また、上記制限板ユニット120にガス噴出口41を設ける場合、上記制限板ユニット120と上記制限板ユニット20との間に、第4の制限板ユニットとして制限板ユニット70が設けられ、ガス噴出口41を挟むように制限板72を設けることで、ガス流が制御されていてもよい。この場合、制限板ユニット70は、上記制限板ユニット120に隣接して設けられていることが望ましい。
 一方、上記蒸着マスク10にガス噴出口41を設ける場合、上記蒸着マスク10と上記制限板ユニット20との間に、上記制限板ユニット120に代えて、第3の制限板ユニットとして制限板ユニット70が設けられ、ガス噴出口41を挟むように制限板72を設けることで、ガス流が制御されていてもよい。この場合、制限板ユニット70は、蒸着マスク10に隣接して設けられていることが望ましく、マスクフレームを兼ねることが望ましい。
 また、制限板ユニット120あるいは蒸着マスク10に、平面視でガス壁501を挟むように、これら制限板ユニット120あるいは蒸着マスク10と一体的に制限板82が設けられていてもよい。また、上記制限板ユニット120に隣接して、第4の制限板ユニットとして、制限板82を有する制限板ユニット80が設けられていてもよい。あるいは上記蒸着マスク10に隣接して、第3の制限板ユニットとして、制限板82を有する制限板ユニット80が設けられていてもよい。上記蒸着マスク10に隣接して上記制限板ユニット80を設ける場合、上記制限板ユニット80は、マスクフレームを兼ねることが望ましい。
 このように制限板ユニット120あるいは蒸着マスク10に制限板82を設けるか、あるいは、制限板ユニット120あるいは蒸着マスク10に隣接して、制限板82を有する制限板ユニット80を設ける場合、制限板82は、ガスのマスク開口領域11への流入をブロックするとともに、制限板72同様、ガス噴出口41から噴出されたガスの流れ(ガス流)を制御し、指向性を高めることができる。
 〔実施形態11〕
 本実施形態について主に図14に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態1~10との相違点について説明するものとし、実施形態1~10で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。なお、以下では、実施形態10において図13に示す蒸着装置100との相異点を例に挙げて説明するが、本実施形態でも、実施形態1~6、および、実施形態10の変形例と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
 図14は、本実施形態にかかる蒸着装置100の基本構成を示す断面図である。
 図14に示すように、本実施形態にかかる蒸着装置100は、制限板ユニット20に排気機構110が設けられていることを除けば、実施形態10にかかる蒸着装置100と同じである。
 本実施形態では、実施形態10同様、蒸着マスク10側から制限板ユニット20側に向かって、ガス噴出口41からガスを噴出する。このため、本実施形態では、実施形態9のように蒸着マスク10に排気機構110を設ける代わりに、制限板ユニット20に排気機構110を設けている。
 本実施形態にかかる排気機構110は、該排気機構110が制限板ユニット20に設けられていることを除けば、実施形態8にかかる排気機構110と同じである。
 すなわち、排気機構110は、制限板ユニット20に設けられたガス吸引部15と、排気装置112と、ガス吸引部15と排気装置112とを連結する排気管111と、を備えている。また、ガス吸引部15は、吸気口16と、図示しない排気路と、排気口18と、を備えている。
 吸気口16は、制限板22における、ガス噴出口41との対向面のガス壁501の形成領域に設けられている。これにより、吸気口16は、制限板22に吹き付けられた、ガス壁501を形成するガスを吸引する。
 制限板ユニット20には、排気管111に接続された排気口18が設けられており、吸気口16と排気口18とは、制限板ユニット20の内部に設けられた図示しない排気路によって連結されている。
 なお、実施形態9における蒸着マスク10同様、本実施形態にかかる制限板ユニット20は、貫通口である制限板開口21以外の部分に、内部に排気路となる空間部が設けられた、中空構造を有していてもよく、内部に排気路として排気管が埋設された構造を有していてもよい。
 本実施形態では、制限板ユニット20に接続された排気装置112によって、制限板22に吹き付けられたガスが、該制限板22に形成された吸気口16に吸引され、排気される。このため、上記ガスは、蒸着粒子301の流れを阻害しない。このため、上記ガスが素子特性に影響を及ぼすことはない。
 〔まとめ〕
 本発明の態様1にかかる蒸着装置100は、第1方向(X軸方向、走査方向に直交する方向)に複数の被成膜領域202を有する被成膜基板200の上記被成膜領域202内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜300を成膜する蒸着装置であって、蒸着粒子301を射出する複数の蒸着源開口31を有する蒸着源30と、上記複数の被成膜領域202にそれぞれ対向して、上記蒸着膜300のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口12を有するマスク開口領域11が設けられた蒸着マスク10と、上記蒸着源30と上記蒸着マスク10との間に配置され、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板(制限板22)を有し、隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域202にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子301を通過させる第1の制限板開口(制限板開口21)が設けられた第1の制限板ユニット(制限板ユニット20)と、上記蒸着マスク10と上記第1の制限板ユニットとの間の部分にガス壁501を形成するガス供給機構50と、を備え、上記ガス壁501は、平面視で、上記第1方向における、上記第1の制限板ユニットの隣り合う上記第1の制限板開口間であって、上記蒸着マスク10の隣り合うマスク開口領域11間の非開口領域(非開口部13、非開口部13a)に形成される。
 上記の構成によれば、上記制限板22間に形成される制限板開口21で、上記蒸着粒子301の流れ(蒸着流)を制御する。そして、上記制限板開口21を通過した蒸着流に含まれる、高レート時の蒸着源開口31の擬似的な拡がりによって発生する異常成膜の原因となる不要な蒸着粒子301を、上記ガス壁501でブロックする。したがって、上記の構成によれば、上記不要成分を効率良くブロックすることができる。
 また、上記の構成によれば、上記制限板開口21を通過した蒸着流に含まれる微量の不要成分だけをガス壁501でブロックすればよいので、ガス量は少なくてよく、また、蒸着源開口31と制限板開口21との間にガス壁501を形成する必要はない。このため、蒸着源開口近傍から多量のガスを放出する場合のように蒸着源開口31近傍の圧力を高めることはなく、真空度の著しい低下もない。
 このため、上記の構成によれば、高レートでの蒸着が可能であり、高レートで蒸着を行った場合でも異常成膜の発生を防止することができる蒸着装置を提供することができる。
 また、上記蒸着装置は、上記ガス壁501により不要成分をブロックするので、蒸着レートごとにガスの流量を調整すればよい。このため、例えば制限板22のみで不要成分をブロックする場合と比較して、汎用性が高い。
 また、特許文献2、3のように蒸着源開口近傍からガスを放出した場合、上記態様と比較して多量のガスが被成膜領域に流入(侵入)するおそれがある。このため、特許文献2、3に記載の方法を、上述したように一つの被成膜基板に複数の被成膜領域を設ける場合に適用することにより、ガスのみで不要成分をブロックした場合、上記被成膜基板200に設けられる有機EL素子等の素子に大きな影響を及ぼすことが懸念される。
 しかしながら、上記構成によれば、多量のガスがマスク開口領域11に流入することもないので、上記ガス壁501を形成するガスが、上記被成膜基板200における素子特性等の特性に大きな影響を及ぼすこともない。
 したがって、上記の構成によれば、上記被成膜基板200の特性に大きな影響を及ぼすことなく、異常成膜の発生を防止することができる。
 本発明の態様2にかかる蒸着装置100は、上記態様1において、上記各第1の制限板に、上記ガス壁501を形成するガスを上記蒸着マスク10における上記非開口領域に向かって噴出するガス噴出口41がそれぞれ設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、上記非開口領域と上記第1の制限板との間に上記ガス壁501を容易に形成することができる。
 本発明の態様3にかかる蒸着装置100は、上記態様2において、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスク10との間に、平面視で、上記各第1の制限板に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第2の制限板(制限板72)を有する第2の制限板ユニット(制限板ユニット70)を備え、上記第2の制限板は、平面視で上記ガス噴出口41を挟むように、上記第1の制限板一つに対し、上記第1方向に複数設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、上記したように第2の制限板ユニットを設けることで、上記ガス壁501を形成するガスが被成膜領域202に流入することをより確実に防止することができる。
 本発明の態様4にかかる蒸着装置100は、上記態様1において、上記ガス供給機構50は、上記ガス壁501を形成するガスを噴出する複数のガス噴出口41を有するガス噴出ユニット(制限板ユニット90または制限板ユニット120)を備え、上記蒸着マスク10と上記第1の制限板ユニットとの間に、上記ガス噴出ユニットが設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、上記ガス噴出ユニットが、第1の制限板ユニットとは別に設けられているので、上記ガス供給機構50を、第1の制限板ユニットから独立して形成することができる。したがって、上記の構成によれば、第1の制限板ユニットが設けられた蒸着装置100にガス供給機構50を追加するだけでよく、設備投資を削減することができる。
 本発明の態様5にかかる蒸着装置100は、上記態様4において、上記ガス噴出ユニットは、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスク10との間に、上記第1の制限板ユニットに隣接して設けられ、平面視で、上記各第1の制限板に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第2の制限板(制限板92)を有する第2の制限板ユニット(制限板ユニット90)であり、上記各第2の制限板に、上記ガス噴出口41がそれぞれ設けられており、上記ガス噴出口41は、上記ガス壁501を形成するガスを上記蒸着マスク10における上記非開口領域に向かって噴出してもよい。
 上記の構成によれば、上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、上記非開口領域と上記第1の制限板との間に上記ガス壁501を容易に形成することができる。
 本発明の態様6にかかる蒸着装置100は、上記態様2~5の何れかにおいて、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスク10との間に、上記蒸着マスク10に隣接して設けられ、上記蒸着マスク10における上記マスク開口領域11間の上記非開口領域に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第3の制限板(制限板82)を有する第3の制限板ユニット(制限板ユニット80)を備え、上記第3の制限板は、平面視で上記ガス壁501を挟むように、上記非開口領域一つに対し、上記第1方向に複数設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、上記第3の制限板ユニットを設けることで、上記ガス壁501を形成するガスが上記被成膜領域202に侵入することを確実に防ぐことができる。
 本発明の態様7にかかる蒸着装置100は、上記態様1~6の何れかにおいて、排気装置112をさらに備えるとともに、上記蒸着マスク10に、上記排気装置112に接続され、上記ガス壁501を形成するガスを吸引する吸気口16が設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、蒸着マスク10に接続された排気装置112によって、蒸着マスク10に吹き付けられたガスが、該蒸着マスク10に形成された吸気口16に吸引され、マスク開口領域11側に拡がることがない。このため、不要なガスの流れによる蒸着粒子301の着弾乱れを防ぐことができる。
 本発明の態様8にかかる蒸着装置100は、上記態様1~6の何れかにおいて、上記蒸着マスク10および上記被成膜基板200には、上記ガス壁501を形成するガスを通過させる開口部(マスク開口14、貫通口205)がそれぞれ設けられており、上記ガス壁501は、上記蒸着マスク10および上記被成膜基板200を貫通して形成されてもよい。
 上記の構成によれば、ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の表面に吹き付けられたガスは、上記蒸着マスク10および上記被成膜基板200にそれぞれ設けられた上記開口部を介して、上記被成膜基板200における被成膜面201とは反対側に抜ける。このため、上記の構成によれば、上記蒸着マスク10の表面に衝突したガスが上記マスク開口領域11側にも拡がって上記マスク開口領域11に流入することをより確実に防止することができる。
 また、上記の構成によれば、上記蒸着マスク10および上記被成膜基板200を貫くようにガス壁501を形成することができる。このため、上記マスク開口12を通過した蒸着粒子301が、上記ガス壁501を越えて、本来入射する被成膜領域202に隣接する被成膜領域202(隣接被成膜領域)に入射することを、より確実に防止することができる。
 しかも、上記の構成によれば、上記蒸着マスク10および上記被成膜基板200に上記開口部を形成しない場合と比較して、ガス流量を多くすることができる。このため、上記の構成によれば、異常成膜の原因となる蒸着粒子301のブロック性により一層優れたガス壁501を形成することができる。
 本発明の態様9にかかる蒸着装置100は、上記態様4において、上記ガス噴出ユニットは、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスク10との間に、上記蒸着マスク10に隣接して設けられ、平面視で、上記蒸着マスク10における上記非開口領域に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第3の制限板(制限板122)を有する第3の制限板ユニット(制限板ユニット120)であり、上記各第3の制限板に、上記ガス噴出口41がそれぞれ設けられており、上記ガス噴出口41は、上記ガス壁501を形成するガスを上記第1の制限板(制限板22)に向かって噴出してもよい。
 上記の構成によれば、上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、上記非開口領域と上記第1の制限板との間に上記ガス壁501を容易に形成することができる。
 また、上記したように上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、ガス流の拡散方向と蒸着流の拡散方向とは、拡散方向が逆になる。このため、上記の構成によれば、ガスの制御が容易になるとともに、蒸着マスク10側でガス密度が高いガス壁が形成されるため、隣り合うマスク開口領域11間において、隣接するマスク開口領域11に向かう蒸着粒子301のブロック力が向上する。
 また、ガスは、上記第3の制限板ユニットから上記第1の制限板に向かって噴出されるため、上記ガス噴出口41から噴出されたガスが、ガス密度が高いまま直接マスク開口領域11に流入することはない。
 さらに、上記の構成によれば、上記第3の制限板ユニットから上記第1の制限板にガスが吹き付けられることで、上記第1の制限板の表面に衝突したガスは、上記第1の制限板の表面に沿って流れるため、上記蒸着粒子301の流れを阻害しない。このため、上記ガスが素子特性に影響を及ぼすことはない。
 本発明の態様10にかかる蒸着装置100は、上記態様6または9において、上記第3の制限板ユニット(制限板ユニット80または制限板ユニット120)は、上記蒸着マスク10の端部を固定するマスクフレームを兼ねていてもよい。
 上記の構成によれば、部品点数を削減することができ、上記蒸着装置100の製造効率およびアライメント効率を向上させることができる。
 本発明の態様11にかかる蒸着装置100は、上記態様1において、上記蒸着マスク10における上記マスク開口領域11間の上記非開口領域に、上記ガス壁501を形成するガスを上記第1の制限板に向かって噴出するガス噴出口41が設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、上記非開口領域と上記第1の制限板との間に上記ガス壁501を容易に形成することができる。
 また、上記したように上記ガス噴出口41から上記蒸着マスク10の上記非開口領域に向かってガスを噴出することで、ガス流の拡散方向と蒸着流の拡散方向とは、拡散方向が逆になる。このため、上記の構成によれば、ガスの制御が容易になるとともに、蒸着マスク10側でガス密度が高いガス壁が形成されるため、隣り合うマスク開口領域11間において、隣接するマスク開口領域11に向かう蒸着粒子301のブロック力が向上する。
 さらに、上記の構成によれば、上記第3の制限板ユニットから上記第1の制限板にガスが吹き付けられることで、上記第1の制限板の表面に衝突したガスは、上記第1の制限板の表面に沿って流れるため、上記蒸着粒子301の流れを阻害しない。このため、上記ガスが素子特性に影響を及ぼすことはない。
 本発明の態様12にかかる蒸着装置100は、上記態様9または11において、排気装置112をさらに備えるとともに、上記第1の制限板に、上記排気装置112に接続され、上記ガス壁501を形成するガスを吸引する吸気口16が設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、制限板ユニット20に接続された排気装置112によって、上記第1の制限板に吹き付けられたガスが、該上記第1の制限板に形成された吸気口16に吸引され、排気される。このため、上記ガスは、蒸着粒子301の流れを阻害しない。このため、上記ガスが素子特性に影響を及ぼすことがない。
 本発明の態様13にかかる蒸着装置100は、上記態様2~6、9~12の何れかにおいて、上記第1の制限板一つに対し上記ガス壁501が上記第1方向に複数形成されるように上記ガス噴出口41が設けられていてもよい。
 上記の構成によれば、異常成膜の原因となる、不要な蒸着粒子301をブロックする確率を高くすることができる。
 本発明の態様14にかかる蒸着装置100は、上記態様2~6、9~13の何れかにおいて、上記ガス噴出口41は、平面視で上記第1の制限板開口に沿って上記第1方向に直交する第2方向(Y軸方向、走査方向)に延設されているとともに、平面視で、上記第1方向において上記蒸着源開口31に隣り合う部分の上記第1方向の開口幅が最も広く、上記第2方向の端部に向かうにしたがって先細りする形状を有していてもよい。
 上記の構成によれば、無駄なガスの消費を無くし、異常成膜の原因となる、不要な蒸着粒子301を、効率良くブロックすることができる。
 本発明の態様15にかかる蒸着装置100は、上記態様2~6、9~14の何れかにおいて、平面視で、相対的に上記蒸着源開口31に近い領域では上記ガス噴出口41の配設密度が相対的に高く、相対的に上記蒸着源開口31から遠い領域では上記ガス噴出口41の配設密度が相対的に低く、上記相対的に上記蒸着源開口31に近い領域では、上記相対的に上記蒸着源開口31から遠い領域よりも、上記第1方向における上記ガス噴出口41の総開口幅が広くてもよい。
 上記の構成によれば、無駄なガスの消費を無くし、異常成膜の原因となる、不要な蒸着粒子301を、効率良くブロックすることができる。
 本発明の態様16にかかる蒸着装置100は、上記態様2~6、9~15の何れかにおいて、上記ガス噴出口41は、平面視で、隣り合う上記制限板開口21間に、上記第1方向に少なくとも3つのガス噴出口41(例えばガス噴出口41a~41c)が位置するように設けられており(言い換えれば、上記ガス噴出口41は、平面視で、隣り合う上記マスク開口領域11間に、上記第1方向に少なくとも3つのガス噴出口41(例えばガス噴出口41a~41c)が位置するように設けられており)、平面視で上記制限板開口21に隣り合うガス噴出口41(例えばガス噴出口41b・41c)における上記第1方向に直交する第2方向の開口長さ(走査方向開口長)が、他のガス噴出口41(例えばガス噴出口41a)における上記第2方向の開口長さ(走査方向開口長)よりも短くてもよい。
 上記の構成によれば、無駄なガスの消費を無くし、異常成膜の原因となる、不要な蒸着粒子301を、効率良くブロックすることができる。
 本発明の態様17にかかる蒸着方法は、第1方向(X軸方向、走査方向に直交する方向)に複数の被成膜領域202を有する被成膜基板200の上記被成膜領域202内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜300を成膜する蒸着方法であって、蒸着粒子301を射出する複数の蒸着源開口31を有する蒸着源30と、上記複数の被成膜領域202にそれぞれ対向して、上記蒸着膜300のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口12を有するマスク開口領域11が設けられた蒸着マスク10との間に、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板(制限板22)を有し、互いに隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域202にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子301を通過させる第1の制限板開口(制限板開口21)が設けられた第1の制限板ユニット(制限板ユニット20)を配置し、ガス供給機構50により、上記蒸着マスク10と上記第1の制限板ユニットとの間の部分であって、かつ、平面視で、上記第1方向における、上記第1の制限板ユニットの隣り合う上記第1の制限板開口間であって、上記蒸着マスク10の隣り合うマスク開口領域11間の非開口領域(非開口部13、非開口部13a)にガス壁を形成しながら、上記蒸着源30から上記蒸着粒子301を射出することにより上記蒸着膜300を成膜する。
 上記の方法によれば、上記態様1と同様の効果を得ることができる。
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
 本発明の蒸着装置および蒸着方法は、有機EL表示装置または無機EL表示装置等のEL表示装置の製造をはじめとする、蒸着を利用した各種デバイスの製造等に好適に利用することができる。
  1  蒸着ユニット
 10  蒸着マスク
 11  マスク開口領域
 12  マスク開口(蒸着流用のマスク開口)
 13  非開口部(非開口領域)
 13a 非開口部(非開口領域)
 14  マスク開口(ガス用のマスク開口、開口部)
 15  ガス吸引部
 16  吸気口
 17  排気路
 18  排気口
 20  制限板ユニット(第1の制限板ユニット)
 21  制限板開口(第1の制限板開口)
 22  制限板(第1の制限板)
 24  保持体部
 30  蒸着源
 31  蒸着源開口
 40  ガス噴出部
 41、41a、41b、41c  ガス噴出口
 42  ガス拡散室
 43  ガス導入口
 50  ガス供給機構
 51  ガス供給管
 52  ガス供給源
 60  ホルダ
 62  防着板
 70  制限板ユニット(第2の制限板ユニット)
 71  制限板開口(蒸着流用の制限板開口)
 72  制限板(第2の制限板)
 73  制限板開口(ガス用の制限板開口)
 80  制限板ユニット(第3の制限板ユニット)
 81  開口(蒸着流用の制限板開口)
 82  制限板(第3の制限板)
 83  隙間(ガス用の制限板開口)
 90  制限板ユニット(第2の制限板ユニット、ガス噴出ユニット)
 91  制限板開口(蒸着流用の制限板開口)
 92  制限板(第2の制限板)
100  蒸着装置
101  成膜チャンバ
102  基板ホルダ
103  基板移動装置
104  蒸着ユニット移動装置
110  排気機構
111  排気管
112  排気装置
120  制限板ユニット(第3の制限板ユニット、ガス噴出ユニット)
121  制限板開口(蒸着流用の制限板開口)
122  制限板(第3の制限板)
200  被成膜基板
201  被成膜面
202  被成膜領域
203、203R、203G、203B  被成膜パターン領域
204  非成膜領域
205  貫通口(開口部)
300、300R、300G、300B  蒸着膜
301  蒸着粒子
302  蒸着膜
400  有機EL表示装置
401  画素
402  サブ画素
501  ガス壁
601  蒸着源
601  蒸着粒子
602  蒸着源開口
611  蒸着マスク
612  マスク開口
621  制限板
622  制限板開口

Claims (16)

  1.  第1方向に複数の被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
     蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、
     上記複数の被成膜領域にそれぞれ対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口を有するマスク開口領域が設けられた蒸着マスクと、
     上記蒸着源と上記蒸着マスクとの間に配置され、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板を有し、隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子を通過させる第1の制限板開口が設けられた第1の制限板ユニットと、
     上記蒸着マスクと上記第1の制限板ユニットとの間の部分にガス壁を形成するガス供給機構と、を備え、
     上記ガス壁は、平面視で、上記第1方向における、上記第1の制限板ユニットの隣り合う上記第1の制限板開口間であって、上記蒸着マスクの隣り合うマスク開口領域間の非開口領域に形成されることを特徴とする蒸着装置。
  2.  上記各第1の制限板に、上記ガス壁を形成するガスを上記蒸着マスクにおける上記非開口領域に向かって噴出するガス噴出口がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  3.  上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスクとの間に、平面視で、上記各第1の制限板に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第2の制限板を有する第2の制限板ユニットを備え、
     上記第2の制限板は、平面視で上記ガス噴出口を挟むように、上記第1の制限板一つに対し、上記第1方向に複数設けられていることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。
  4.  上記ガス供給機構は、上記ガス壁を形成するガスを噴出する複数のガス噴出口を有するガス噴出ユニットを備え、
     上記蒸着マスクと上記第1の制限板ユニットとの間に、上記ガス噴出ユニットが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  5.  上記ガス噴出ユニットは、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスクとの間に、上記第1の制限板ユニットに隣接して設けられ、平面視で、上記各第1の制限板に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第2の制限板を有する第2の制限板ユニットであり、
     上記各第2の制限板に、上記ガス噴出口がそれぞれ設けられており、
     上記ガス噴出口は、上記ガス壁を形成するガスを上記蒸着マスクにおける上記非開口領域に向かって噴出することを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
  6.  上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスクとの間に、上記蒸着マスクに隣接して設けられ、上記蒸着マスクにおける上記マスク開口領域間の上記非開口領域に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第3の制限板を有する第3の制限板ユニットを備え、
     上記第3の制限板は、平面視で上記ガス壁を挟むように、上記非開口領域一つに対し、上記第1方向に複数設けられていることを特徴とする請求項2~5の何れか1項に記載の蒸着装置。
  7.  排気装置をさらに備えるとともに、
     上記蒸着マスクに、上記排気装置に接続され、上記ガス壁を形成するガスを吸引する吸気口が設けられていることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の蒸着装置。
  8.  上記蒸着マスクおよび上記被成膜基板には、上記ガス壁を形成するガスを通過させる開口部がそれぞれ設けられており、上記ガス壁は、上記蒸着マスクおよび上記被成膜基板を貫通して形成されることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の蒸着装置。
  9.  上記ガス噴出ユニットは、上記第1の制限板ユニットと上記蒸着マスクとの間に、上記蒸着マスクに隣接して設けられ、平面視で、上記蒸着マスクにおける上記非開口領域に対向し、かつ、互いに離間して設けられた複数の第3の制限板を有する第3の制限板ユニットであり、
     上記各第3の制限板に、上記ガス噴出口がそれぞれ設けられており、
     上記ガス噴出口は、上記ガス壁を形成するガスを上記第1の制限板に向かって噴出することを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
  10.  上記第3の制限板ユニットは、上記蒸着マスクの端部を固定するマスクフレームを兼ねていることを特徴とする請求項6または9に記載の蒸着装置。
  11.  上記蒸着マスクにおける上記マスク開口領域間の上記非開口領域に、上記ガス壁を形成するガスを上記第1の制限板に向かって噴出するガス噴出口が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  12.  排気装置をさらに備えるとともに、
     上記第1の制限板に、上記排気装置に接続され、上記ガス壁を形成するガスを吸引する吸気口が設けられていることを特徴とする請求項9または11に記載の蒸着装置。
  13.  上記第1の制限板一つに対し上記ガス壁が上記第1方向に複数形成されるように上記ガス噴出口が設けられていることを特徴とする請求項2~6、9~12の何れか1項に記載の蒸着装置。
  14.  上記ガス噴出口は、平面視で上記制限板開口に沿って上記第1方向に直交する第2方向に延設されているとともに、平面視で、上記第1方向において上記蒸着源開口に隣り合う部分の上記第1方向の開口幅が最も広く、上記第2方向の端部に向かうにしたがって先細りする形状を有していることを特徴とする請求項2~6、9~13の何れか1項に記載の蒸着装置。
  15.  平面視で、相対的に上記蒸着源開口に近い領域では上記ガス噴出口の配設密度が相対的に高く、相対的に上記蒸着源開口から遠い領域では上記ガス噴出口の配設密度が相対的に低く、
     上記相対的に上記蒸着源開口に近い領域では、上記相対的に上記蒸着源開口から遠い領域よりも、上記第1方向における上記ガス噴出口の総開口幅が広いことを特徴とする請求項2~6、9~14の何れか1項に記載の蒸着装置。
  16.  第1方向に複数の被成膜領域を有する被成膜基板の上記被成膜領域内に、上記第1方向に複数配列された所定パターンの蒸着膜を成膜する蒸着方法であって、
     蒸着粒子を射出する複数の蒸着源開口を有する蒸着源と、上記複数の被成膜領域にそれぞれ対向して、上記蒸着膜のパターンに応じて上記第1方向に配列された複数のマスク開口を有するマスク開口領域が設けられた蒸着マスクとの間に、上記第1方向に互いに離間して配置された複数の第1の制限板を有し、互いに隣り合う上記第1の制限板間に、上記被成膜領域にそれぞれ対応して、上記蒸着粒子を通過させる第1の制限板開口が設けられた第1の制限板ユニットを配置し、
     ガス供給機構により、上記蒸着マスクと上記第1の制限板ユニットとの間の部分であって、かつ、平面視で、上記第1方向における、上記第1の制限板ユニットの隣り合う上記第1の制限板開口間であって、上記蒸着マスクの隣り合うマスク開口領域間の非開口領域にガス壁を形成しながら、上記蒸着源から上記蒸着粒子を射出することにより上記蒸着膜を成膜することを特徴とする蒸着方法。
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