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WO2015186704A1 - 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 - Google Patents

導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 Download PDF

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WO2015186704A1
WO2015186704A1 PCT/JP2015/065905 JP2015065905W WO2015186704A1 WO 2015186704 A1 WO2015186704 A1 WO 2015186704A1 JP 2015065905 W JP2015065905 W JP 2015065905W WO 2015186704 A1 WO2015186704 A1 WO 2015186704A1
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WO
WIPO (PCT)
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electrode
conductive paste
solder
connection
target member
Prior art date
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Ceased
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PCT/JP2015/065905
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English (en)
French (fr)
Inventor
敬士 久保田
石澤　英亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
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Priority to KR1020167015288A priority patent/KR102392995B1/ko
Priority to JP2015528740A priority patent/JP5860191B1/ja
Publication of WO2015186704A1 publication Critical patent/WO2015186704A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/1152—Self-assembly, e.g. self-agglomeration of the bump material in a fluid
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

Definitions

  • the present invention relates to a conductive paste containing solder particles.
  • the present invention also relates to a connection structure using the conductive paste and a method for manufacturing the connection structure.
  • Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known.
  • anisotropic conductive material conductive particles are dispersed in a binder resin.
  • the anisotropic conductive material may be connected between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), or connected between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF ( (Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
  • FOG Glass
  • COF Chip on Film
  • an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do.
  • a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.
  • Patent Document 1 includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent include the resin layer.
  • An adhesive tape present therein is disclosed. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.
  • Patent Document 1 discloses a bonding method using the above-mentioned adhesive tape. Specifically, a first substrate, an adhesive tape, a second substrate, an adhesive tape, and a third substrate are laminated in this order from the bottom to obtain a laminate. At this time, the first electrode provided on the surface of the first substrate is opposed to the second electrode provided on the surface of the second substrate. Moreover, the 2nd electrode provided in the surface of the 2nd board
  • the adhesive tape described in Patent Document 1 is a film, not a paste. For this reason, it is difficult to efficiently arrange the solder powder on the electrodes (lines). For example, in the adhesive tape described in Patent Document 1, a part of the solder powder is easily placed in a region (space) where no electrode is formed. Solder powder disposed in a region where no electrode is formed does not contribute to conduction between the electrodes.
  • the solder powder may not be efficiently disposed on the electrodes (lines).
  • An object of the present invention is to provide a conductive paste that can efficiently arrange solder particles on electrodes and can improve conduction reliability between the electrodes. Moreover, this invention is providing the manufacturing method of the connection structure and connection structure using the said electrically conductive paste.
  • the solder includes a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles, and the viscosity at the melting point of the flux is 0.1 Pa ⁇ s or more and 3 Pa ⁇ s or less.
  • a conductive paste is provided in which the viscosity at the melting point of the particles is 0.1 Pa ⁇ s or more and 5 Pa ⁇ s or less.
  • the melting point of the flux is 80 ° C. or more and 190 ° C. or less, and in another specific aspect, the melting point of the flux is 100 ° C. or more and 190 ° C. or less.
  • the content of the flux is 0.1 wt% or more and 5 wt% or less in 100 wt% of the conductive paste.
  • the conductive paste does not contain a filler or contains a filler in less than 0.25% by weight in 100% by weight of the conductive paste.
  • the solder particles are surface-treated so that carboxyl groups exist on the outer surface.
  • the melting point of the flux is higher than the melting point of the solder particles.
  • a first connection target member having at least one first electrode on the surface
  • a second connection target member having at least one second electrode on the surface
  • the connection part is formed of the above-described conductive paste
  • the first electrode and the second electrode A connection structure is provided in which an electrode is electrically connected by a solder portion in the connection portion.
  • the first connection target member and the second connection target member are disposed so as to face each other, and by heating the conductive paste to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles and equal to or higher than the curing temperature of the thermosetting component.
  • a step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion How to manufacture connection structures There is provided.
  • connection portion in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the conductive paste includes The weight of the second connection target member is added.
  • the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a rigid flexible board, or a flexible flat cable.
  • the conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles, and the viscosity at the melting point of the flux is 0.1 Pa ⁇ s or more and 3 Pa ⁇ s or less. Since the viscosity at the melting point is 0.1 Pa ⁇ s or more and 5 Pa ⁇ s or less, when the electrodes are electrically connected, the solder particles can be efficiently disposed on the electrodes. The conduction reliability can be increased.
  • FIG. 1 is a partially cutaway front sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive paste according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A to 2C are diagrams for explaining each step of an example of a method of manufacturing a connection structure using the conductive paste according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a partially cutaway front sectional view showing a modified example of the connection structure.
  • FIGS. 4A, 4B, and 4C are images showing an example of a connection structure using a conductive paste that is not included in the embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4A and 4B are images.
  • FIG. 4C is a cross-sectional image
  • FIG. 4C is a planar image.
  • the conductive paste according to the present invention includes a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles.
  • the viscosity at the melting point of the flux is 0.1 Pa ⁇ s or more and 3 Pa ⁇ s or less.
  • the solder particles have a viscosity at the melting point of 0.1 Pa ⁇ s to 5 Pa ⁇ s.
  • the conductive paste according to the present invention since the above-described configuration is adopted, when the electrodes are electrically connected, a plurality of solder particles are easily collected between the electrodes, and the plurality of solder particles are placed on the electrodes (lines). Can be arranged efficiently. Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.
  • the conductive paste according to the present invention can be suitably used for the following manufacturing method of the connection structure according to the present invention.
  • a conductive paste, a first connection target member, and a second connection target member are used.
  • the conductive material used in the method for manufacturing a connection structure according to the present invention is not a conductive film but a conductive paste.
  • the conductive paste includes a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles.
  • the first connection target member has at least one first electrode on the surface.
  • the second connection target member has at least one second electrode on the surface.
  • the step of disposing the conductive paste according to the present invention on the surface of the first connection target member, and the first connection target member side of the conductive paste include: On the opposite surface, the step of disposing the second connection object member so that the first electrode and the second electrode face each other, the melting point of the solder particles or higher, and the thermosetting component By heating the conductive paste above the curing temperature, a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by the conductive paste, and the first And electrically connecting the second electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion.
  • connection structure in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive paste.
  • the weight of the target member is preferably added.
  • the conductive paste in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, has a weight force of the second connection target member. It is preferable not to apply a pressure higher than.
  • the plurality of solder particles are easily collected between the first electrode and the second electrode, and the plurality of solder particles are collected on the electrode ( Line). Moreover, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder particles disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.
  • a conductive paste is used instead of a conductive film. The inventors have found that they need to be used.
  • conductive particles having base material particles and a solder layer disposed on the surface of the base material particles are known as particles different from the solder particles. Compared to the case where such conductive particles are used, when solder particles are used, the melting point of the flux and the melting point of the solder particles are in a specific range, so that the solder particles are arranged on the electrodes. The effect of improving accuracy is increased.
  • the connection portion is Solder particles arranged in a region (space) where no electrode is formed before being formed are more easily collected between the first electrode and the second electrode, and a plurality of solder particles are separated into electrodes (lines).
  • the inventors have also found that they can be arranged efficiently above.
  • a configuration in which a conductive paste is used instead of a conductive film and a configuration in which the weight of the second connection target member is added to the conductive paste without applying pressure are used in combination. This has a great meaning in order to obtain the effects of the present invention at a higher level.
  • WO2008 / 023452A1 describes that it is preferable to pressurize with a predetermined pressure at the time of bonding from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the electrode surface, and the pressurizing pressure further ensures the solder area.
  • the pressure is set to 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more.
  • a predetermined pressure may be applied to the adhesive tape by its own weight.
  • the pressure applied intentionally to the adhesive tape may be 0 MPa, but there is no difference between the effect when the pressure exceeding 0 MPa is applied and when the pressure is set to 0 MPa. Not listed.
  • the thickness of the connecting portion can be adjusted as appropriate depending on the amount of the conductive paste applied.
  • the conductive film in order to change or adjust the thickness of the connection portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is.
  • FIG. 1 schematically shows a connection structure obtained by using a conductive paste according to an embodiment of the present invention in a partially cutaway front sectional view.
  • connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first connection target member 2, a second connection target member 3, and the first connection target member 2 and the second connection target member 3.
  • Part 4 The connection portion 4 is formed of a conductive paste containing a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles. In this conductive paste, the viscosity at the melting point of the flux and the viscosity at the melting point of the solder particles are within a specific range.
  • the connecting portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.
  • the first connection object member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface).
  • the second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on the surface (lower surface).
  • the first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A.
  • no solder exists in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.
  • connection structure 1 As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, after a plurality of solder particles are melted, the molten solder particles are wetted and spread on the surface of the electrode to solidify to form a solder portion 4 ⁇ / b> A. For this reason, the connection area of 4 A of solder parts and the 1st electrode 2a, and 4 A of solder parts, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion are compared with the case where the conductive outer surface is made of a metal such as nickel, gold or copper. The contact area between 4A and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction
  • connection structure 1 shown in FIG. 1 all of the solder portions 4A are located in the facing region between the first and second electrodes 2a and 3a.
  • the connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 is different from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X.
  • the connection part 4X has the solder part 4XA and the hardened
  • most of the solder portions 4XA are located in regions where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other, and a part of the solder portion 4XA is first and second. You may protrude to the side from the area
  • the solder part 4XA protruding laterally from the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed is a part of the solder part 4XA and is not a solder separated from the solder part 4XA.
  • the amount of solder away from the solder portion can be reduced, but the solder away from the solder portion may exist in the cured product portion.
  • connection structure 1 If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the connection structure 1X.
  • connection structure 1 using the conductive paste according to the embodiment of the present invention will be described.
  • the first connection target member 2 having the first electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared.
  • a conductive paste 11 including a thermosetting component 11B, a plurality of solder particles 11A, and a flux is disposed on the surface of the first connection target member 2 ( First step).
  • the conductive paste 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided.
  • the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on a region (space) where the first electrode 2a is not formed.
  • the arrangement method of the conductive paste 11 is not particularly limited, and examples thereof include application with a dispenser, screen printing, and ejection with an inkjet device.
  • the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared.
  • the 2nd connection object member 3 is arrange
  • the second connection target member 3 is disposed from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.
  • the conductive paste 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A and above the curing temperature of the thermosetting component 11B (third step). That is, the conductive paste 11 is heated to a temperature lower than the melting point of the solder particles 11A and the curing temperature of the thermosetting component 11B. At the time of this heating, the solder particles 11A that existed in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). In this embodiment, since the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Further, the thermosetting component 11B is thermoset.
  • connection portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed with the conductive paste 11.
  • the connection part 4 is formed by the conductive paste 11
  • the solder part 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A
  • the cured part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. Since the solder particles 11A move quickly, the first electrode 2a and the second electrode are moved after the movement of the solder particles 11A not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed.
  • connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the second step and the third step may be performed continuously.
  • the laminated body of the obtained 1st connection object member 2, the electrically conductive paste 11, and the 2nd connection object member 3 is moved to a heating part, and said 3rd said You may perform a process.
  • the laminate In order to perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.
  • the heating temperature in the third step is not particularly limited as long as it is higher than the melting point of the solder particles and higher than the curing temperature of the thermosetting component.
  • the heating temperature is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and still more preferably 200 ° C. or lower.
  • the said 1st connection object member should just have at least 1 1st electrode.
  • the first connection target member preferably has a plurality of first electrodes.
  • the said 2nd connection object member should just have at least 1 2nd electrode.
  • the second connection target member preferably has a plurality of second electrodes.
  • the first and second connection target members are not particularly limited. Specific examples of the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, capacitors, and diodes, and resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible flat cables, rigid flexible boards, glass epoxies. Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as substrates and glass substrates.
  • the first and second connection target members are preferably electronic components.
  • At least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board.
  • the second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder particle not to gather on an electrode.
  • the conductive paste according to the present invention is used, even if a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board is used, the solder particles can be efficiently collected on the electrode. And the reliability of conduction between the electrodes can be sufficiently enhanced.
  • the reliability of conduction between electrodes by not applying pressure compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip. The improvement effect can be obtained more effectively.
  • the electrode provided on the connection target member examples include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a silver electrode, a molybdenum electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode.
  • the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode.
  • the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode.
  • the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated
  • the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element.
  • the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.
  • the distance D1 of the connecting portion at the position where the first electrode and the second electrode face each other is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more, preferably 50 ⁇ m or less, more preferably 75 ⁇ m or less.
  • the distance D1 is equal to or greater than the lower limit, the connection reliability between the connection portion and the connection target member is further increased.
  • the distance D1 is less than or equal to the above upper limit, solder particles are more likely to gather on the electrodes when the connection portion is formed, and the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
  • the viscosity ⁇ 1 at 25 ° C. of the conductive paste is preferably 10 Pa ⁇ s or more, more preferably 50 Pa ⁇ s or more, and further preferably 100 Pa ⁇ s or more, preferably Is 800 Pa ⁇ s or less, more preferably 600 Pa ⁇ s or less, and still more preferably 500 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity can be appropriately adjusted depending on the type and amount of the compounding component. Further, the use of a filler can make the viscosity relatively high. However, since the filler may inhibit the movement of the solder particles, the filler content is preferably small.
  • the viscosity ⁇ 2 at the melting point of the flux of the conductive paste is 0.1 Pa ⁇ s or more and 3 Pa ⁇ s or less. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode, the viscosity ⁇ 2 is preferably 0.15 Pa ⁇ s or more, more preferably 0.2 Pa ⁇ s or more, preferably 2 Pa ⁇ s or less, more preferably 1 Pa ⁇ s or less.
  • the viscosity ⁇ 3 at the melting point of the solder particles of the conductive paste is 0.1 Pa ⁇ s or more and 5 Pa ⁇ s or less. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder particles on the electrode, the viscosity ⁇ 3 is preferably 0.15 Pa ⁇ s or more, more preferably 0.2 Pa ⁇ s or more, preferably 3 Pa ⁇ s or less, more preferably 1 Pa ⁇ s or less.
  • the ratio of the viscosity ⁇ 1 to the viscosity ⁇ 2 is preferably 15 or more, more preferably 50 or more, preferably 3000 or less, more preferably Is 2500 or less.
  • the ratio of the viscosity ⁇ 1 to the viscosity ⁇ 3 is preferably 10 or more, more preferably 40 or more, preferably 2500 or less, more preferably Is 2000 or less.
  • the ratio of the viscosity ⁇ 2 to the viscosity ⁇ 3 is preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more, preferably 10 Below, more preferably 1 or less.
  • the viscosity can be measured under conditions of 25 ° C. and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).
  • the conductive paste includes a thermosetting component, a flux, and a plurality of solder particles.
  • the thermosetting component preferably includes a curable compound (thermosetting compound) that can be cured by heating, and a thermosetting agent.
  • solder particles have solder on a conductive outer surface.
  • both a center part and an electroconductive outer surface are formed with the solder.
  • the solder particles are preferably surface-treated so that carboxyl groups exist on the outer surface.
  • the solder particles are preferably blended into the conductive paste after being surface-treated so that carboxyl groups exist on the outer surface.
  • the solder is preferably a metal (low melting point metal) having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the solder particles are preferably metal particles (low melting point metal particles) having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal.
  • the low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower.
  • the melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower.
  • the solder particles include tin.
  • the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more.
  • the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.
  • the tin content is determined using a high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.
  • ICP-AES high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer
  • EDX-800HS fluorescent X-ray analyzer
  • solder particles By using the above solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder portion conducts between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode. As a result, peeling between the solder portion and the electrode is further less likely to occur, and the conduction reliability and the connection reliability are effectively increased.
  • the low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited.
  • the low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin.
  • the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy.
  • the low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with respect to the electrode. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.
  • the solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: Welding terms.
  • the composition of the solder particles include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. Of these, a tin-indium system (117 ° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C. eutectic) which is low-melting and lead-free is preferable. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or contain tin and bismuth.
  • the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium. Further, it may contain a metal such as molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight in 100% by weight of the solder particles. % Or less.
  • the average particle diameter of the solder particles is preferably 0.5 ⁇ m or more, more preferably 1 ⁇ m or more, still more preferably 3 ⁇ m or more, particularly preferably 5 ⁇ m or more, preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 40 ⁇ m or less, and even more preferably 30 ⁇ m.
  • it is more preferably 20 ⁇ m or less, particularly preferably 15 ⁇ m or less, and most preferably 10 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the solder particles is particularly preferably 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter” of the solder particles indicates the number average particle diameter.
  • the average particle diameter of the solder particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.
  • the content of the solder particles in 100% by weight of the conductive paste is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, and most preferably 30%. % By weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less.
  • the content of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to more efficiently arrange the solder particles on the electrodes, and it is easy to arrange many solder particles between the electrodes, The conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, it is preferable that the content of the solder particles is large.
  • thermosetting component examples include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds.
  • an epoxy compound is preferable from the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive paste and further improving the connection reliability.
  • thermosetting compound is preferably dispersed in the form of particles.
  • the content of the thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. Is 98% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting component is large.
  • thermosetting agent thermosetting component
  • the thermosetting agent thermosets the thermosetting compound.
  • examples of the thermosetting agent include an imidazole curing agent, an amine curing agent, a phenol curing agent, a polythiol curing agent, an acid anhydride, a thermal cation initiator, and a thermal radical generator.
  • the said thermosetting agent only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • an imidazole curing agent, a polythiol curing agent, or an amine curing agent is preferable because the conductive paste can be cured more rapidly at a low temperature.
  • a latent curing agent is preferable.
  • the latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent polythiol curing agent or a latent amine curing agent.
  • the said thermosetting agent may be coat
  • the imidazole curing agent is not particularly limited, and 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4-Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s- Examples include triazine isocyanuric acid adducts.
  • the polythiol curing agent is not particularly limited, but is trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate and dipentaerythritol hexa. -3-Mercaptopropionate and the like.
  • the solubility parameter of the polythiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less.
  • the solubility parameter is calculated by the Fedors method.
  • the solubility parameter of trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate is 9.6, and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.
  • the amine curing agent is not particularly limited, and hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5].
  • examples include undecane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
  • thermal cation curing agent examples include iodonium cation curing agents, oxonium cation curing agents, and sulfonium cation curing agents.
  • examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate.
  • examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate.
  • the sulfonium-based cationic curing agent examples include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.
  • the thermal radical generator is not particularly limited, and examples thereof include azo compounds and organic peroxides.
  • examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN).
  • examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.
  • the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, still more preferably 80 ° C or higher, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, still more preferably 150 ° C or lower, Especially preferably, it is 140 degrees C or less.
  • the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder particles are more efficiently arranged on the electrode.
  • the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.
  • the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably lower than the melting point of the solder in the solder particles, more preferably 5 ° C. or more, and more preferably 10 It is more preferable that the temperature is lower by at least ° C.
  • the reaction start temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.
  • the content of the thermosetting agent is not particularly limited.
  • the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. Part or less, more preferably 75 parts by weight or less.
  • the content of the thermosetting agent is at least the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive paste.
  • the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.
  • the conductive paste contains a flux.
  • the flux is not particularly limited.
  • a flux generally used for soldering or the like can be used.
  • the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin.
  • Etc As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • Examples of the molten salt include ammonium chloride.
  • Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid.
  • Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin.
  • the flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin.
  • the flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin.
  • the above rosins are rosins whose main component is abietic acid.
  • the flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.
  • the active temperature (melting point) of the flux is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, still more preferably 80 ° C. or higher, particularly preferably 100 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or lower, more preferably 190 ° C. or lower. More preferably, it is 160 ° C. or less, more preferably 150 ° C. or less, and still more preferably 140 ° C. or less.
  • the activation temperature of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder particles are more efficiently arranged on the electrode. As a result, the connection resistance between the electrodes is reduced, and the connection reliability is also increased.
  • the active temperature (melting point) of the flux is preferably 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower, and more preferably 100 ° C. or higher and 190 ° C. or lower.
  • the activation temperature of the flux is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower, and more preferably 100 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.
  • Examples of the flux having a melting point of 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower include succinic acid (melting point 186 ° C.), glutaric acid (melting point 96 ° C.), adipic acid (melting point 152 ° C.), pimelic acid (melting point 104 ° C.), suberic acid
  • Examples thereof include dicarboxylic acids such as (melting point 142 ° C.), benzoic acid (melting point 122 ° C.), and malic acid (melting point 130 ° C.).
  • the boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.
  • the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the solder particles, preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher. Is more preferable.
  • the melting point of the flux is preferably higher than the reaction start temperature of the thermosetting agent, more preferably 5 ° C or higher, more preferably 10 ° C or higher. More preferably.
  • the flux may be dispersed in the conductive paste or may be adhered on the surface of the solder particles.
  • the solder particles can be efficiently aggregated on the electrode portion. This is because, when heat is applied at the time of joining, when the electrode formed on the connection target member is compared with the portion of the connection target member around the electrode, the thermal conductivity of the electrode portion is that of the connection target member portion around the electrode. Due to the fact that it is higher than the heat traditional rate, it is caused by the rapid temperature rise of the electrode part. At the stage where the melting point of the solder particles is exceeded, the inside of the solder particles dissolves, but the oxide film formed on the surface does not reach the melting point (activation temperature) of the flux and is not removed.
  • the flux is preferably a flux that releases cations by heating.
  • a flux that releases cations upon heating the solder particles can be arranged more efficiently on the electrode.
  • thermal cation curing agent can be used as the flux that releases cations by heating.
  • the content of the flux is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less.
  • the conductive paste may not contain a flux.
  • the flux content is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.
  • a filler may be added to the conductive paste.
  • the filler may be an organic filler or an inorganic filler. However, since the filler may inhibit the movement of the solder particles, the filler content is preferably small.
  • the conductive paste does not contain a filler or contains a filler in less than 5% by weight in 100% by weight of the conductive paste.
  • the content of the filler is preferably 0% by weight (not contained) or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, still more preferably 1% by weight or less, even more.
  • it is less than 0.25 wt%, particularly preferably 0.1 wt% or less.
  • the conductive paste does not contain a filler or contains less than 0.25% by weight of filler in 100% by weight of the conductive paste, and most preferably the conductive paste does not contain a filler. If the filler content is less than 0.25% by weight, the solder particle migration inhibition by the filler is sufficiently small, and if the filler content is 0.1% by weight or less, the solder particle migration inhibition by the filler is inhibited. Pretty small.
  • the conductive paste is, for example, a filler, an extender, a softener, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, and a lubricant.
  • various additives such as an antistatic agent and a flame retardant may be included.
  • Polymer A Synthesis of reaction product (polymer A) of bisphenol F with 1,6-hexanediol diglycidyl ether and bisphenol F type epoxy resin: 72 parts by weight of bisphenol F (containing 4,4′-methylene bisphenol, 2,4′-methylene bisphenol and 2,2′-methylene bisphenol in a weight ratio of 2: 3: 1), 1,6-hexanediol 70 parts by weight of glycidyl ether and 30 parts by weight of bisphenol F type epoxy resin (“EPICLON EXA-830CRP” manufactured by DIC) were placed in a three-necked flask and dissolved at 150 ° C. under a nitrogen flow.
  • bisphenol F type epoxy resin (“EPICLON EXA-830CRP” manufactured by DIC)
  • the reaction product (Polymer A) contains a hydroxyl group derived from bisphenol F, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and an epoxy group of bisphenol F type epoxy resin. It was confirmed that it has a structural unit bonded to the main chain and has an epoxy group at both ends.
  • the weight average molecular weight of the reaction product (polymer A) obtained by GPC was 10,000, and the number average molecular weight was 3,500.
  • Polymer B both ends epoxy group rigid skeleton phenoxy resin, “YX6900BH45” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, weight average molecular weight 16000
  • Thermosetting compound 1 Resorcinol type epoxy compound, “EX-201” manufactured by Nagase ChemteX Corporation, washed after crystallization at low temperature
  • Thermosetting compound 2 Bisphenol F type epoxy resin, “EPICLON EXA-830CRP” manufactured by DIC, used after being crystallized at low temperature
  • Thermosetting agent 1 Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), “Karenz MT PE1” manufactured by Showa Denko KK
  • Latent epoxy thermosetting agent 1 T & K TOKA's “Fujicure 7000”
  • Flux 1 Adipic acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point (activation temperature) 152 ° C.
  • Flux 2 Succinic acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point (active temperature) 186 ° C.
  • Flux 3 Abietic acid, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., melting point (activation temperature) 174 ° C.
  • Solder particles 1 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., “DS10” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) are subjected to the following surface treatment, average particle diameter 13 ⁇ m)
  • solder particles 200 g of solder particles, 40 g of adipic acid, and 70 g of acetone are weighed in a three-necked flask, and 0.3 g of dibutyltin oxide, which is a dehydration condensation catalyst between the hydroxyl groups of the solder particles and the carboxyl groups of adipic acid, is added. The reaction was carried out at 4 ° C for 4 hours. Thereafter, the solder particles were collected by filtration.
  • dibutyltin oxide which is a dehydration condensation catalyst between the hydroxyl groups of the solder particles and the carboxyl groups of adipic acid
  • the collected solder particles, 50 g of adipic acid, 200 g of toluene, and 0.3 g of para-toluenesulfonic acid are weighed in a three-necked flask and allowed to react at 120 ° C. for 3 hours while evacuating and refluxing. It was. At this time, the reaction was carried out while removing water produced by dehydration condensation using a Dean-Stark extraction device.
  • solder particles were collected by filtration, washed with hexane, and dried. Thereafter, the obtained solder particles were crushed with a ball mill, and then a sieve was selected so as to obtain a predetermined CV value. The obtained solder particles were surface-treated so that carboxyl groups were present on the outer surface.
  • Solder particles 2 (SnBi solder particles, melting point 139 ° C., “DS30” manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) surface-treated in the same manner as the solder particles 1, average particle diameter 32 ⁇ m
  • Phenoxy resin (“YP-50S” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.)
  • Examples 1 to 4, 6 to 9 (1) Preparation of anisotropic conductive paste The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 to obtain anisotropic conductive paste. In the anisotropic conductive paste obtained, the thermosetting compound was dispersed in the form of particles.
  • FR-4 substrate having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 ⁇ m) having an L / S of 50 ⁇ m / 50 ⁇ m on the upper surface
  • Second connection object member the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) whose L / S is 50 micrometers / 50 micrometers on the lower surface was prepared.
  • the overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible substrate was 1.5 cm ⁇ 4 mm, and the number of connected electrodes was 75 pairs.
  • the anisotropic conductive paste immediately after fabrication was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate so as to have a thickness of 50 ⁇ m to form an anisotropic conductive paste layer.
  • the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed board is added to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, while heating the anisotropic conductive paste layer to 190 ° C., the solder was melted and the anisotropic conductive paste layer was cured at 190 ° C. to obtain a first connection structure.
  • Glass epoxy substrate (FR-4 substrate) having a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 ⁇ m) having L / S of 75 ⁇ m / 75 ⁇ m on the upper surface (First connection object member) was prepared.
  • the flexible printed circuit board (2nd connection object member) which has a copper electrode pattern (copper electrode thickness 10 micrometers) whose L / S is 75 micrometers / 75 micrometers on the lower surface was prepared.
  • 2nd connection structure was obtained like manufacture of the 1st connection structure except having used the above-mentioned glass epoxy board and flexible printed circuit board from which L / S differs.
  • 3rd connection structure was obtained like manufacture of the 1st connection structure except having used the above-mentioned glass epoxy board and flexible printed circuit board from which L / S differs.
  • Electrode size (L) / inter-electrode space (S) is 100 ⁇ m / 100 ⁇ m (for the third connection structure), 75 ⁇ m / 75 ⁇ m (for the second connection structure), 50 ⁇ m / 50 ⁇ m (first connection structure) 5 mm square semiconductor chip (thickness 400 ⁇ m) and a glass epoxy substrate (size 30 ⁇ 30 mm, thickness 0.4 mm) having electrodes facing it.
  • First, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Example 1 except that a semiconductor chip and a glass epoxy substrate were used.
  • the 1st, 2nd, 3rd connection structure was obtained like Example 1 except having used an anisotropic conductive film.
  • Electrode size (L) / inter-electrode space (S) is 100 ⁇ m / 100 ⁇ m (for the third connection structure), 75 ⁇ m / 75 ⁇ m (for the second connection structure), 50 ⁇ m / 50 ⁇ m (first connection structure) 5 mm square semiconductor chip (thickness 400 ⁇ m) and a glass epoxy substrate (size 30 ⁇ 30 mm thickness 0.4 mm) having electrodes facing it.
  • the first, second, and third connection structures were obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that this semiconductor chip and glass epoxy substrate were used.
  • Viscosity The viscosity ⁇ 1 at 25 ° C. of the anisotropic conductive paste was measured under the conditions of 25 ° C. and 5 rpm using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.). Further, the viscosity ⁇ 2 at the melting point of the flux of the anisotropic conductive paste was measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) under the condition of the melting point of the flux and 5 rpm.
  • the viscosity ⁇ 3 at the melting point of the solder particles of the anisotropic conductive paste was measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) under the condition of the melting point of the solder particles and 5 rpm.
  • the ratio ( ⁇ 1 / ⁇ 2), the ratio ( ⁇ 1 / ⁇ 3), and the ratio ( ⁇ 2 / ⁇ 3) were determined from the obtained measured values.
  • connection distance (inter-electrode spacing)
  • solder placement accuracy on electrodes In the cross section (cross section in the direction shown in FIG. 1) of the obtained first connection structure, it is separated from the solder portion disposed between the electrodes in 100% of the total area of the solder. Thus, the area (%) of the solder remaining in the cured product was evaluated. In addition, the average of the area in five cross sections was computed. The placement accuracy of the solder on the electrode was determined according to the following criteria.
  • ⁇ Average value of connection resistance is 10 7 ⁇ or more ⁇ : Average value of connection resistance is 10 6 ⁇ or more, less than 10 7 ⁇ ⁇ : Average value of connection resistance is 10 5 ⁇ or more, less than 10 6 ⁇ ⁇ : Connection The average resistance is less than 10 5 ⁇
  • the second connection target member is a flexible printed circuit board
  • the second connection target member is It can be seen that the effect of improving the conduction reliability by using the conductive paste of the present invention can be obtained more effectively than in the case of a semiconductor chip.
  • FIGS. 4A, 4B and 4C show an example of a connection structure using a conductive paste not included in the embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B are cross-sectional images
  • FIG. 4C is a planar image.
  • 4A, 4B, and 4C a plurality of solders (solder particles) remaining in the cured product away from the solder portions disposed between the electrodes exist on the side of the solder portions.
  • grains which remain

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Abstract

　はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる導電ペーストを提供する。　本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含み、前記フラックスの融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下であり、前記はんだ粒子の融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下である。

Description

導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法
　本発明は、はんだ粒子を含む導電ペーストに関する。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。
　異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
　上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ　ｏｎ　Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
　上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。
　上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。
　また、特許文献１では、上記接着テープを用いた接着方法が開示されている。具体的には、第一基板、接着テープ、第二基板、接着テープ、及び第三基板を下からこの順に積層して、積層体を得る。このとき、第一基板の表面に設けられた第一電極と、第二基板の表面に設けられた第二電極とを対向させる。また、第二基板の表面に設けられた第二電極と第三基板の表面に設けられた第三電極とを対向させる。そして、積層体を所定の温度で加熱して接着する。これにより、接続構造体を得る。
ＷＯ２００８／０２３４５２Ａ１
　特許文献１に記載の接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。このため、はんだ粉を電極（ライン）上に効率的に配置することは困難である。例えば、特許文献１に記載の接着テープでは、はんだ粉の一部が、電極が形成されていない領域（スペース）にも配置されやすい。電極が形成されていない領域に配置されたはんだ粉は、電極間の導通に寄与しない。
　また、はんだ粉を含む異方性導電ペーストであっても、はんだ粉が電極（ライン）上に効率的に配置されないことがある。
　本発明の目的は、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる導電ペーストを提供することである。また、本発明は、上記導電ペーストを用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。
　本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含み、前記フラックスの融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下であり、前記はんだ粒子の融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下である、導電ペーストが提供される。
　本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記フラックスの融点が８０℃以上、１９０℃以下であり、他の特定の局面では、前記フラックスの融点が１００℃以上、１９０℃以下である。
　本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペースト１００重量％中、前記フラックスの含有量が０．１重量％以上、５重量％以下である。
　本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記導電ペーストは、フィラーを含まないか、又は、フィラーを導電ペースト１００重量％中に０．２５重量％未満で含む。
　本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記はんだ粒子は、外表面にカルボキシル基が存在するように表面処理されている。
　本発明に係る導電ペーストのある特定の局面では、前記フラックスの融点が、前記はんだ粒子の融点よりも高い。
　本発明の広い局面によれば、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電ペーストにより形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
　本発明の広い局面によれば、上述した導電ペーストを用いて、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、前記導電ペーストの前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。
　本発明に係る接続構造体の製造方法のある特定の局面では、前記第２の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第２の接続対象部材の重量が加わる。
　前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブル基板又はフレキシブルフラットケーブルであることが好ましい。
　本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含み、上記フラックスの融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下であり、上記はんだ粒子の融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下であるので、電極間を電気的に接続した場合に、はんだ粒子を電極上に効率的に配置することができ、電極間の導通信頼性を高めることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に示す部分切欠正面断面図である。 図２（ａ）～（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための図である。 図３は、接続構造体の変形例を示す部分切欠正面断面図である。 図４（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は、本発明の実施形態に含まれない導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示す画像であり、図４（ａ）及び（ｂ）は断面画像であり、図４（ｃ）は平面画像である。
　以下、本発明の詳細を説明する。
　本発明に係る導電ペーストは、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電ペーストでは、上記フラックスの融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下である。本発明に係る導電ペーストでは、上記はんだ粒子の融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下である。
　本発明に係る導電ペーストでは、上記の構成が採用されているので、電極間を電気的に接続した場合に、複数のはんだ粒子が電極間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極（ライン）上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。このような効果が得られるのは、フラックスの融点にて、はんだ粒子の表面の酸化被膜を除去する際に、導電ペーストの粘度が適度であり、かつ、はんだ粒子が溶融する際に、導電ペーストの粘度が適度であるためであると考えられる。
　本発明に係る導電ペーストは、以下の本発明に係る接続構造体の製造方法に好適に用いることができる。
　本発明に係る接続構造体の製造方法では、導電ペーストと、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材とを用いる。本発明に係る接続構造体の製造方法で用いられる導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストである。上記導電ペーストは、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含む。上記第１の接続対象部材は、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する。上記第２の接続対象部材は、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する。
　本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記第１の接続対象部材の表面上に、本発明に係る導電ペーストを配置する工程と、上記導電ペーストの上記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、上記第２の接続対象部材を、上記第１の電極と上記第２の電極とが対向するように配置する工程と、上記はんだ粒子の融点以上及び上記熱硬化性成分の硬化温度以上に上記導電ペーストを加熱することで、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電ペーストにより形成し、かつ、上記第１の電極と上記第２の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第２の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電ペーストには、上記第２の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。
　本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記の構成が採用されているので、複数のはんだ粒子が第１の電極と第２の電極との間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極（ライン）上に効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域（スペース）に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第１の電極と第２の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。
　このように、複数のはんだ粒子を電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくするためには、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いる必要があることを、本発明者らは見出した。
　また、はんだ粒子とは別の粒子として、基材粒子と該基材粒子の表面上に配置されたはんだ層とを有する導電性粒子が知られている。このような導電性粒子を用いた場合と比べて、はんだ粒子を用いた場合には、上記フラックスの融点及び上記はんだ粒子の融点が特定の範囲にあることによって、はんだ粒子の電極上への配置精度の向上効果が大きくなる。
　さらに、上記第２の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電ペーストに、上記第２の接続対象部材の重量が加われば、接続部が形成される前に電極が形成されていない領域（スペース）に配置されていたはんだ粒子が第１の電極と第２の電極との間により一層集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極（ライン）上に効率的に配置することができることも、本発明者らは見出した。本発明では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いるという構成と、加圧を行わず、上記導電ペーストには、上記第２の接続対象部材の重量が加わるようにするという構成とを組み合わせて採用することには、本発明の効果をより一層高いレベルで得るために大きな意味がある。
　なお、ＷＯ２００８／０２３４５２Ａ１では、はんだ粉を電極表面に押し流して効率よく移動させる観点からは、接着時に所定の圧力で加圧するとよいことが記載されており、加圧圧力は、はんだ領域をさらに確実に形成する観点では、例えば、０ＭＰａ以上、好ましくは１ＭＰａ以上とすることが記載されており、更に、接着テープに意図的に加える圧力が０ＭＰａであっても、接着テープ上に配置された部材の自重により、接着テープに所定の圧力が加わってもよいことが記載されている。ＷＯ２００８／０２３４５２Ａ１では、接着テープに意図的に加える圧力が０ＭＰａであってもよいことは記載されているが、０ＭＰａを超える圧力を付与した場合と０ＭＰａとした場合との効果の差異については、何ら記載されていない。
　また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部の厚みを適宜調整することも可能である。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
　先ず、図１に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて得られる接続構造体を模式的に部分切欠正面断面図で示す。
　図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材３と、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４とを備える。接続部４は、熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含む導電ペーストにより形成されている。この導電ペーストでは、上記フラックスの融点での粘度及び上記はんだ粒子の融点での粘度が特定の範囲内にある。
　接続部４は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部４Ａと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部４Ｂとを有する。
　第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材３は表面（下面）に、複数の第２の電極３ａを有する。第１の電極２ａと第２の電極３ａとが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とが、はんだ部４Ａにより電気的に接続されている。なお、接続部４において、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだは存在しない。はんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）では、はんだ部４Ａと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まったはんだ部４Ａとは異なる領域（硬化物部４Ｂ部分）に、はんだが存在していてもよい。
　図１に示すように、接続構造体１では、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部４Ａが形成されている。このため、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電性の外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部４Ａと第１の電極２ａ、並びにはんだ部４Ａと第２の電極３ａとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体１における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電ペーストに含まれるフラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。
　なお、図１に示す接続構造体１では、はんだ部４Ａの全てが、第１，第２の電極２ａ，３ａ間の対向している領域に位置している。図３に示す変形例の接続構造体１Ｘは、接続部４Ｘのみが、図１に示す接続構造体１と異なる。接続部４Ｘは、はんだ部４ＸＡと硬化物部４ＸＢとを有する。接続構造体１Ｘのように、はんだ部４ＸＡの多くが、第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域に位置しており、はんだ部４ＸＡの一部が第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第１，第２の電極２ａ，３ａの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部４ＸＡは、はんだ部４ＸＡの一部であり、はんだ部４ＸＡから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
　はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体１を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体１Ｘを得ることが容易になる。
　次に、本発明の一実施形態に係る導電ペーストを用いて、接続構造体１を製造する方法の一例を説明する。
　先ず、第１の電極２ａを表面（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、図２（ａ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上に、熱硬化性成分１１Ｂと、複数のはんだ粒子１１Ａと、フラックスとを含む導電ペースト１１を配置する（第１の工程）。第１の接続対象部材２の第１の電極２ａが設けられた表面上に、導電ペースト１１を配置する。導電ペースト１１の配置の後に、はんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａ（ライン）上と、第１の電極２ａが形成されていない領域（スペース）上との双方に配置されている。
　導電ペースト１１の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。
　また、第２の電極３ａを表面（下面）に有する第２の接続対象部材３を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面上の導電ペースト１１において、導電ペースト１１の第１の接続対象部材２側とは反対側の表面上に、第２の接続対象部材３を配置する（第２の工程）。導電ペースト１１の表面上に、第２の電極３ａ側から、第２の接続対象部材３を配置する。このとき、第１の電極２ａと第２の電極３ａとを対向させる。
　次に、はんだ粒子１１Ａの融点以上及び熱硬化性成分１１Ｂの硬化温度以上に導電ペースト１１を加熱する（第３の工程）。すなわち、はんだ粒子１１Ａの融点及び熱硬化性成分１１Ｂの硬化温度の内のより低い温度以上に、導電ペースト１１を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子１１Ａは、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に集まる（自己凝集効果）。本実施形態では、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いているために、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子１１Ａは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分１１Ｂは熱硬化する。この結果、図２（ｃ）に示すように、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材３とを接続している接続部４を、導電ペースト１１により形成する。導電ペースト１１により接続部４が形成され、複数のはんだ粒子１１Ａが接合することによってはんだ部４Ａが形成され、熱硬化性成分１１Ｂが熱硬化することによって硬化物部４Ｂが形成される。はんだ粒子１１Ａは速やかに移動するので、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に位置していないはんだ粒子１１Ａの移動が開始してから、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間にはんだ粒子１１Ａの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
　本実施形態では、上記第２の工程及び上記第３の工程において、加圧を行っていない。本実施形態では、導電ペースト１１には、第２の接続対象部材３の重量が加わる。このため、接続部４の形成時に、はんだ粒子１１Ａが、第１の電極２ａと第２の電極３ａとの間に効果的に集まる。なお、上記第２の工程及び上記第３の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子が第１の電極と第２の電極との間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。このことは、本発明者らによって見出された。
　このようにして、図１に示す接続構造体１が得られる。なお、上記第２の工程と上記第３の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第２の工程を行った後に、得られる第１の接続対象部材２と導電ペースト１１と第２の接続対象部材３との積層体を、加熱部に移動させて、上記第３の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。
　上記第３の工程における加熱温度は、はんだ粒子の融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上であれば特に限定されない。上記加熱温度は、好ましくは１３０℃以上、より好ましくは１６０℃以上、好ましくは４５０℃以下、より好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。
　なお、上記第１の接続対象部材は、少なくとも１つの第１の電極を有していればよい。上記第１の接続対象部材は複数の第１の電極を有することが好ましい。上記第２の接続対象部材は、少なくとも１つの第２の電極を有していればよい。上記第２の接続対象部材は複数の第２の電極を有することが好ましい。
　上記第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記第１，第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。
　上記第１の接続対象部材及び上記第２の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、本発明に係る導電ペーストを用いているために、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることができ、電極間の導通信頼性を充分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップなどの他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。
　上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極、ＳＵＳ電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板又はフレキシブルフラットケーブルである場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
　上記第１の電極と上記第２の電極とが対向している位置における上記接続部の距離Ｄ１は好ましくは５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下である。上記距離Ｄ１が上記下限以上であると、接続部と接続対象部材との接続信頼性がより一層高くなる。上記距離Ｄ１が上記上限以下であると、接続部の形成時にはんだ粒子が電極上により一層集まりやすくなり、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストの２５℃での粘度η１は好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上、更に好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは８００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは５００Ｐａ・ｓ以下である。
　上記粘度は、配合成分の種類及び配合量に適宜調整可能である。また、フィラーの使用により、粘度を比較的高くすることができる。但し、フィラーは、はんだ粒子の移動を阻害することがあるので、フィラーの含有量は少ないことが好ましい。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストのフラックスの融点での粘度η２は０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下である。はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記粘度η２は、好ましくは０．１５Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上、好ましくは２Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１Ｐａ・ｓ以下である。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置するために、上記導電ペーストのはんだ粒子の融点での粘度η３は０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下である。はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記粘度η３は、好ましくは０．１５Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは０．２Ｐａ・ｓ以上、好ましくは３Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１Ｐａ・ｓ以下である。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記粘度η１の上記粘度η２に対する比（η１／η２）は、好ましくは１５以上、より好ましくは５０以上、好ましくは３０００以下、より好ましくは２５００以下である。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記粘度η１の上記粘度η３に対する比（η１／η３）は、好ましくは１０以上、より好ましくは４０以上、好ましくは２５００以下、より好ましくは２０００以下である。
　はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記粘度η２の上記粘度η３に対する比（η２／η３）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．３以上、好ましくは１０以下、より好ましくは１以下である。
　上記粘度は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定可能である。
　上記導電ペーストは、熱硬化性成分とフラックスと複数のはんだ粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物）と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。
　以下、本発明の他の詳細を説明する。
　（はんだ粒子）
　上記はんだ粒子は、はんだを導電性の外表面に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電性の外表面とのいずれもがはんだにより形成されている。はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記はんだ粒子は、外表面にカルボキシル基が存在するように表面処理されていることが好ましい。上記はんだ粒子は、外表面にカルボキシル基が存在するように表面処理された後に、導電ペーストに配合されることが好ましい。
　上記はんだは、融点が４５０℃以下である金属（低融点金属）であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が４５０℃以下である金属粒子（低融点金属粒子）であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記はんだ粒子は錫を含む。上記はんだ粒子に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。
　なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ－ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ－８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
　上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性が効果的に高くなる。
　上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫－銀合金、錫－銅合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、錫－亜鉛合金、錫－インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫－銀合金、錫－銀－銅合金、錫－ビスマス合金、錫－インジウム合金であることが好ましい。錫－ビスマス合金、錫－インジウム合金であることがより好ましい。
　上記はんだ粒子は、ＪＩＳ　Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫－インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫－ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。
　上記はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
　上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下、より一層好ましくは３０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、３μｍ以上、３０μｍ以下であることが特に好ましい。
　上記はんだ粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
　上記導電ペースト１００重量％中、上記はんだ粒子の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、更に好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは２０重量％以上、最も好ましくは３０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだ粒子をより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだ粒子を多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。
　（加熱により硬化可能な化合物：熱硬化性成分）
　上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。なかでも、導電ペーストの硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物が好ましい。
　導電ペーストにおいて、上記熱硬化性化合物は、粒子状に分散していることが好ましい。
　上記導電ペースト１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性成分の含有量は多い方が好ましい。
　（熱硬化剤：熱硬化性成分）
　上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤、酸無水物、熱カチオン開始剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　なかでも、導電ペーストを低温でより一層速やかに硬化可能であるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性が高くなるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
　上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されず、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン及び２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
　上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されず、トリメチロールプロパントリス－３－メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールテトラキス－３－メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ－３－メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
　上記ポリチオール硬化剤の溶解度パラメーターは、好ましくは９．５以上、好ましくは１２以下である。上記溶解度パラメーターは、Ｆｅｄｏｒｓ法にて計算される。例えば、トリメチロールプロパントリス－３－メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは９．６、ジペンタエリスリトールヘキサ－３－メルカプトプロピオネートの溶解度パラメーターは１１．４である。
　上記アミン硬化剤としては、特に限定されず、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９－ビス（３－アミノプロピル）－２，４，８，１０－テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４－アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
　上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ－ｐ－トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
　上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイゾブチロニトリル（ＡＩＢＮ）等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。
　上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好ましい。
　はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、低いことが好ましく、５℃以上低いことがより好ましく、１０℃以上低いことが更に好ましい。
　上記熱硬化剤の反応開始温度は、ＤＳＣでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。
　上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
　（フラックス）
　上記導電ペーストは、フラックスを含む。フラックスの使用により、はんだを電極上により一層効果的に配置することができる。該フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を２個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を２個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
　上記フラックスの活性温度（融点）は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上、更に好ましくは８０℃以上、特に好ましくは１００℃以上、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、より一層好ましくは１６０℃以下、更に好ましくは１５０℃以下、更に一層好ましくは１４０℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。結果として、電極間の接続抵抗が低くなり、接続信頼性も高くなる。上記フラックスの活性温度（融点）は８０℃以上、１９０℃以下であることが好ましく、１００℃以上、１９０℃以下であることがより好ましい。上記フラックスの活性温度は８０℃以上、１４０℃以下であることが特に好まく、１００℃以上、１４０℃以下であることがより好ましい。
　融点が８０℃以上、１９０℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸（融点１８６℃）、グルタル酸（融点９６℃）、アジピン酸（融点１５２℃）、ピメリン酸（融点１０４℃）、スベリン酸（融点１４２℃）等のジカルボン酸、安息香酸（融点１２２℃）、リンゴ酸（融点１３０℃）等が挙げられる。
　また、上記フラックスの沸点は２００℃以下であることが好ましい。
　はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記はんだ粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
　はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、５℃以上高いことがより好ましく、１０℃以上高いことが更に好ましい。
　上記フラックスは、導電ペースト中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。
　フラックスの融点が、はんだの融点より高いことにより、電極部分にはんだ粒子を効率的に凝集させることができる。これは、接合時に熱を付与した場合、接続対象部材上に形成された電極と、電極周辺の接続対象部材の部分とを比較すると、電極部分の熱伝導率が電極周辺の接続対象部材部分の熱伝統率よりも高いことにより、電極部分の昇温が早いことに起因する。はんだ粒子の融点を超えた段階では、はんだ粒子の内部は溶解するが、表面に形成された酸化被膜は、フラックスの融点（活性温度）に達していないので除去されない。この状態で、電極部分の温度が先に、フラックスの融点（活性温度）に達するため、優先的に電極上に来たはんだ粒子の表面の酸化被膜が除去され、はんだ粒子が電極の表面上に濡れ拡がることができる。これにより、電極上に効率的にはんだ粒子を凝集させることができる。
　上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、はんだ粒子を電極上により一層効率的に配置することができる。
　上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン硬化剤が挙げられる。
　上記導電ペースト１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記導電ペーストは、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。
　（フィラー）
　上記導電ペーストには、フィラーを添加してもよい。フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。但し、フィラーは、はんだ粒子の移動を阻害することがあるので、フィラーの含有量は少ないことが好ましい。
　上記導電ペーストは、フィラーを含まないか、又は、フィラーを上記導電ペースト１００重量％中に５重量％未満で含むことが好ましい。上記導電ペースト１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは０重量％（未含有）以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは２重量％以下、更に好ましくは１重量％以下、更に一層好ましくは０．２５重量％未満、特に好ましくは０．１重量％以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上、及び上記上限以下又は上記上限未満であると、はんだ粒子が電極上により一層効率的に配置される。上記導電ペーストは、フィラーを含まないか、又は、フィラーを上記導電ペースト１００重量％中に０．２５重量％未満で含むことが特に好ましく、上記導電ペーストはフィラーを含まないことが最も好ましい。フィラーの含有量が０．２５重量％未満であれば、フィラーによるはんだ粒子の移動阻害が充分に小さく、フィラーの含有量が０．１重量％以下であれば、フィラーによるはんだ粒子の移動阻害がかなり小さい。
　（他の成分）
　上記導電ペーストは、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
　以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
　ポリマーＡ：
　ビスフェノールＦと１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との反応物（ポリマーＡ）の合成：
　ビスフェノールＦ（４，４’－メチレンビスフェノールと２，４’－メチレンビスフェノールと２，２’－メチレンビスフェノールとを重量比で２：３：１で含む）７２重量部、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル７０重量部、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ　ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ」）３０重量部を、３つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、１５０℃で溶解させた。その後、水酸基とエポキシ基の付加反応触媒であるテトラーｎ－ブチルスルホニウムブロミド０．１重量部を添加し、窒素フロー下にて、１５０℃で６時間、付加重合反応させることにより、反応物（ポリマーＡ）を得た。
　ＮＭＲにより、付加重合反応が進行したことを確認して、反応物（ポリマーＡ）が、ビスフェノールＦに由来する水酸基と１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基とが結合した構造単位を主鎖に有し、かつエポキシ基を両末端に有することを確認した。
　ＧＰＣにより得られた反応物（ポリマーＡ）の重量平均分子量は１００００、数平均分子量は３５００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　ポリマーＢ：両末端エポキシ基剛直骨格フェノキシ樹脂、三菱化学社製「ＹＸ６９００ＢＨ４５」、重量平均分子量１６０００
　熱硬化性化合物１：レゾルシノール型エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製「ＥＸ－２０１」、低温で結晶化した後に洗浄して使用
　熱硬化性化合物２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ　ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ」、低温で結晶化した後に洗浄して使用
　熱硬化剤１：ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、昭和電工社製「カレンズＭＴ　ＰＥ１」
　潜在性エポキシ熱硬化剤１：Ｔ＆Ｋ　ＴＯＫＡ社製「フジキュア７０００」
　フラックス１：アジピン酸、和光純薬工業社製、融点（活性温度）１５２℃
　フラックス２：コハク酸、和光純薬工業社製、融点（活性温度）１８６℃
　フラックス３：アビエチン酸、和光純薬工業社製、融点（活性温度）１７４℃
　はんだ粒子１（ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３９℃、三井金属社製「ＤＳ１０」）を以下の表面処理した粒子、平均粒子径１３μｍ）
　はんだ粒子の表面処理：
　はんだ粒子２００ｇ、アジピン酸４０ｇ、及びアセトン７０ｇを３つ口フラスコに秤量し、はんだ粒子の表面の水酸基とアジピン酸のカルボキシル基との脱水縮合触媒であるジブチル錫オキサイド０．３ｇを添加し、６０℃で４時間反応させた。その後、はんだ粒子をろ過することで回収した。
　回収したはんだ粒子と、アジピン酸５０ｇと、トルエン２００ｇと、パラトルエンスルホン酸０．３ｇとを、３つ口フラスコに秤量し、真空引き、及び還流を行いながら、１２０℃で、３時間反応させた。この際、ディーンスターク抽出装置を用いて、脱水縮合により生成した水を除去しながら反応させた。
　その後、ろ過によりはんだ粒子を回収し、ヘキサンにて洗浄し、乾燥した。その後、得られたはんだ粒子をボールミルで解砕後、所定のＣＶ値となるように篩を選択した。得られたはんだ粒子は、外表面にカルボキシル基が存在するように表面処理されていた。
　はんだ粒子２（ＳｎＢｉはんだ粒子、融点１３９℃、三井金属社製「ＤＳ３０」）をはんだ粒子１と同様に表面処理した粒子、平均粒子径３２μｍ
　導電性粒子１：樹脂粒子の表面上に厚み１μｍの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み３μｍのはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％）が形成されている導電性粒子
　フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＹＰ－５０Ｓ」）
　（実施例１～４，６～９）
　（１）異方性導電ペーストの作製
　下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。なお、得られた異方性導電ペーストにおいて、熱硬化性化合物は粒子状に分散していた。
　（２）第１の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ）の作製
　Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ－４基板）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
　ガラスエポキシ基板とフレキシブル基板との重ね合わせ面積は、１．５ｃｍ×４ｍｍとし、接続した電極数は７５対とした。
　上記ガラスエポキシ基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ５０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が１９０℃となるように加熱しながら、はんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を１９０℃で硬化させ、第１の接続構造体を得た。
　（３）第２の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝７５μｍ／７５μｍ）の作製
　Ｌ／Ｓが７５μｍ／７５μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ－４基板）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが７５μｍ／７５μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
　Ｌ／Ｓが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第１の接続構造体の作製と同様にして、第２の接続構造体を得た。
　（４）第３の接続構造体（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍ）の作製
　Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を上面に有するガラスエポキシ基板（ＦＲ－４基板）（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの銅電極パターン（銅電極厚み１０μｍ）を下面に有するフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
　Ｌ／Ｓが異なる上記ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板を用いたこと以外は第１の接続構造体の作製と同様にして、第３の接続構造体を得た。
　（実施例５）
　電極サイズ（Ｌ）／電極間スペース（Ｓ）が、１００μｍ／１００μｍ（第３の接続構造体用）、７５μｍ／７５μｍ（第２の接続構造体用）、５０μｍ／５０μｍ（第１の接続構造体用）である、５ｍｍ角の半導体チップ（厚み４００μｍ）と、それに対向する電極を有するガラスエポキシ基板（サイズ３０×３０ｍｍ、厚み０．４ｍｍ）とを用意した。半導体チップ及びガラスエポキシ基板を用いたいこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２，第３の接続構造体を得た。
　（比較例１，２，５）
　（１）異方性導電ペーストの作製
　下記の表２に示す成分を下記の表２に示す配合量で配合して、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いたこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２，第３の接続構造体を得た。
　（比較例３）
　フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＹＰ－５０Ｓ」）１０重量部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分が５０重量％となるように溶解させて、溶解液を得た。下記の表２に示すフェノキシ樹脂を除く成分を下記の表２に示す配合量と、上記溶解液の全量とを配合して、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが３０μｍになるよう離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、ＭＥＫを除去することにより、異方性導電フィルムを得た。
　異方性導電フィルムを用いたこと以外は実施例１と同様にして、第１，第２，第３の接続構造体を得た。
　（比較例４）
　電極サイズ（Ｌ）／電極間スペース（Ｓ）が、１００μｍ／１００μｍ（第３の接続構造体用）、７５μｍ／７５μｍ（第２の接続構造体用）、５０μｍ／５０μｍ（第１の接続構造体用）である、５ｍｍ角の半導体チップ（厚み４００μｍ）と、それに対向する電極を有するガラスエポキシ基板（サイズ３０×３０ｍｍ厚み０．４ｍｍ）とを用意した。この半導体チップ及びガラスエポキシ基板を用いたいこと以外は比較例１と同様にして、第１，第２，第３の接続構造体を得た。
　（評価）
　（１）粘度
　異方性導電ペーストの２５℃での粘度η１を、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定した。また、異方性導電ペーストのフラックスの融点での粘度η２を、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、フラックスの融点及び５ｒｐｍの条件で測定した。また、異方性導電ペーストのはんだ粒子の融点での粘度η３を、Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、はんだ粒子の融点及び５ｒｐｍの条件で測定した。得られた測定値から比（η１／η２）、比（η１／η３）、及び比（η２／η３）を求めた。
　（２）接続部の距離（電極間の間隔）
　得られた第１の接続構造体を断面観察することにより、上下の電極が対向している位置における接続部の距離Ｄ１（電極間の間隔）を評価した。
　（３）電極上のはんだの配置精度
　得られた第１の接続構造体の断面（図１に示す方向の断面）において、はんだの全面積１００％中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだの面積（％）を評価した。なお、５つの断面における面積の平均を算出した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
　［電極上の導電性粒子の配置精度の判定基準］
　○○：断面に現われているはんだの全面積１００％中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）の面積が０％以上、１％以下
　○：断面に現われているはんだの全面積１００％中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）の面積が１％を超え、１０％以下
　△：断面に現われているはんだの全面積１００％中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）の面積が１０％を超え、３０％以下
　×：断面に現われているはんだの全面積１００％中、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）の面積が３０％を超える
　（４）上下の電極間の導通信頼性
　得られた第１，第２，第３の接続構造体（ｎ＝１５個）において、上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
　［導通信頼性の判定基準］
　○○：接続抵抗の平均値が８．０Ω以下
　○：接続抵抗の平均値が８．０Ωを超え、１０．０Ω以下
　△：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超え、１５．０Ω以下
　×：接続抵抗の平均値が１５．０Ωを超える
　（５）隣接する電極間の絶縁信頼性
　得られた第１，第２，第３の接続構造体（ｎ＝１５個）において、温度８５℃、及び湿度８５％の雰囲気中に１００時間放置後、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
　［絶縁信頼性の判定基準］
　○○：接続抵抗の平均値が１０７Ω以上
　○：接続抵抗の平均値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
　△：接続抵抗の平均値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
　×：接続抵抗の平均値が１０５Ω未満
　結果を下記の表１，２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例１と比較例１との結果の差異と、実施例５と比較例４の結果との差異から、第２の接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合に、第２の接続対象部材が半導体チップである場合と比べて、本発明の導電ペーストの使用による導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られることがわかる。
　フレキシブルプリント基板にかえて、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の結果が得られることを確認した。
　さらに、図４（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に、本発明の実施形態に含まれない導電ペーストを用いた接続構造体の一例を示した。図４（ａ）及び（ｂ）は断面画像であり、図４（ｃ）は平面画像である。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）が、はんだ部の側方に複数存在していることがわかる。これに対して、本発明では、電極間に配置されたはんだ部から離れて硬化物中に残存しているはんだ（はんだ粒子）が存在しないようにすることができる。
　１，１Ｘ…接続構造体
　２…第１の接続対象部材
　２ａ…第１の電極
　３…第２の接続対象部材
　３ａ…第２の電極
　４，４Ｘ…接続部
　４Ａ，４ＸＡ…はんだ部
　４Ｂ，４ＸＢ…硬化物部
　１１…導電ペースト
　１１Ａ…はんだ粒子
　１１Ｂ…熱硬化性成分

Claims (12)

  1. 　熱硬化性成分と、フラックスと、複数のはんだ粒子とを含み、
    　前記フラックスの融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、３Ｐａ・ｓ以下であり、
    　前記はんだ粒子の融点での粘度が０．１Ｐａ・ｓ以上、５Ｐａ・ｓ以下である、導電ペースト。
  2. 　前記フラックスの融点が８０℃以上、１９０℃以下である、請求項１に記載の導電ペースト。
  3. 　前記フラックスの融点が１００℃以上、１９０℃以下である、請求項２に記載の導電ペースト。
  4. 　導電ペースト１００重量％中、前記フラックスの含有量が０．１重量％以上、５重量％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の導電ペースト。
  5. 　フィラーを含まないか、又は、フィラーを導電ペースト１００重量％中に０．２５重量％未満で含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の導電ペースト。
  6. 　前記はんだ粒子は、外表面にカルボキシル基が存在するように表面処理されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の導電ペースト。
  7. 　前記フラックスの融点が、前記はんだ粒子の融点よりも高い、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電ペースト。
  8. 　少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
    　少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
    　前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
    　前記接続部が、請求項１～７のいずれか１項に記載の導電ペーストにより形成されており、
    　前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
  9. 　前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブル基板又はフレキシブルフラットケーブルである、請求項８に記載の接続構造体。
  10. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の導電ペーストを用いて、少なくとも１つの第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材の表面上に、前記導電ペーストを配置する工程と、
    　前記導電ペーストの前記第１の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも１つの第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材を、前記第１の電極と前記第２の電極とが対向するように配置する工程と、
    　前記はんだ粒子の融点以上かつ前記熱硬化性成分の硬化温度以上に前記導電ペーストを加熱することで、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電ペーストにより形成し、かつ、前記第１の電極と前記第２の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
  11. 　前記第２の接続対象部材を配置する工程及び前記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、前記導電ペーストには、前記第２の接続対象部材の重量が加わる、請求項１０に記載の接続構造体の製造方法。
  12. 　前記第２の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブル基板又はフレキシブルフラットケーブルである、請求項１０又は１１に記載の接続構造体の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017033930A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
JP2017112312A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日立化成株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP2019050347A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社タムラ製作所 電子基板の製造方法および異方性導電ペースト
JP2020188268A (ja) * 2015-12-18 2020-11-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP2021114449A (ja) * 2020-01-21 2021-08-05 積水化学工業株式会社 導電ペースト及び接続構造体
JP2022160604A (ja) * 2020-07-14 2022-10-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101820468B1 (ko) * 2016-11-21 2018-01-19 ㈜ 엘프스 자가 융착형 도전접속 페이스트
CN111417488A (zh) * 2017-12-22 2020-07-14 积水化学工业株式会社 焊锡粒子、导电材料、焊锡粒子的保管方法、导电材料的保管方法、导电材料的制造方法、连接结构体及连接结构体的制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004108345A1 (ja) * 2003-06-09 2004-12-16 Senju Metal Industry Co., Ltd. ソルダペースト
JP2006035259A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Denso Corp ソルダペースト
WO2010027017A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 住友ベークライト株式会社 導電接続材料およびそれを用いた端子間の接続方法ならびに接続端子の製造方法
WO2010052871A1 (ja) * 2008-11-06 2010-05-14 住友ベークライト株式会社 電子装置の製造方法および電子装置
WO2011158666A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続構造体の製造方法
JP2012064853A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子接合用接着剤及び半導体素子の接合方法
JP5320523B1 (ja) * 2012-02-21 2013-10-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体
JP2013235974A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Sekisui Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体接合用接着剤
JP2014078480A (ja) * 2012-09-24 2014-05-01 Tamura Seisakusho Co Ltd 異方性導電性ペーストおよびそれを用いたプリント配線基板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101501154B (zh) 2006-08-25 2013-05-15 住友电木株式会社 粘合带、接合体和半导体封装件
KR101612564B1 (ko) * 2008-03-27 2016-04-14 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 중합체 입자, 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체
US8420722B2 (en) * 2008-07-10 2013-04-16 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition and methods of forming solder bump and flip chip using the same
JP5875867B2 (ja) * 2009-10-15 2016-03-02 日立化成株式会社 導電性接着剤、太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
EP2495818A1 (en) * 2009-10-28 2012-09-05 Sumitomo Bakelite Company Limited Conductive connection material and terminal-to-terminal connection method using same
CN102859797B (zh) * 2010-04-22 2015-05-20 积水化学工业株式会社 各向异性导电材料及连接结构体
EP2763515A4 (en) * 2011-09-30 2015-07-15 Murata Manufacturing Co ELECTRONIC DEVICE, JUNCTION MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
JP5613220B2 (ja) * 2011-12-20 2014-10-22 積水化学工業株式会社 電子部品接続材料及び接続構造体
JP2013251366A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Sony Corp 組立体の製造方法、組立体および電子機器
CN104380392B (zh) * 2012-07-03 2016-11-23 积水化学工业株式会社 带绝缘性粒子的导电性粒子、导电材料及连接结构体
JP6112797B2 (ja) * 2012-07-30 2017-04-12 国立大学法人大阪大学 電子部品の実装方法、回路基板の作製方法及び電子部品のはんだ接合部の形成方法、並びに、接続層付きプリント配線板及びシート状接合部材
JP2014056816A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Sekisui Chem Co Ltd 導電材料及び接続構造体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004108345A1 (ja) * 2003-06-09 2004-12-16 Senju Metal Industry Co., Ltd. ソルダペースト
JP2006035259A (ja) * 2004-07-27 2006-02-09 Denso Corp ソルダペースト
WO2010027017A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 住友ベークライト株式会社 導電接続材料およびそれを用いた端子間の接続方法ならびに接続端子の製造方法
WO2010052871A1 (ja) * 2008-11-06 2010-05-14 住友ベークライト株式会社 電子装置の製造方法および電子装置
WO2011158666A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続構造体の製造方法
JP2012064853A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子接合用接着剤及び半導体素子の接合方法
JP5320523B1 (ja) * 2012-02-21 2013-10-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体
JP2013235974A (ja) * 2012-05-09 2013-11-21 Sekisui Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体接合用接着剤
JP2014078480A (ja) * 2012-09-24 2014-05-01 Tamura Seisakusho Co Ltd 異方性導電性ペーストおよびそれを用いたプリント配線基板

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017033930A1 (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 積水化学工業株式会社 導電材料及び接続構造体
JP2017112312A (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 日立化成株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP2020188268A (ja) * 2015-12-18 2020-11-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP7321979B2 (ja) 2015-12-18 2023-08-07 株式会社レゾナック 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP2019050347A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 株式会社タムラ製作所 電子基板の製造方法および異方性導電ペースト
JP2021114449A (ja) * 2020-01-21 2021-08-05 積水化学工業株式会社 導電ペースト及び接続構造体
JP7389657B2 (ja) 2020-01-21 2023-11-30 積水化学工業株式会社 導電ペースト及び接続構造体
JP2022160604A (ja) * 2020-07-14 2022-10-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板
JP7405196B2 (ja) 2020-07-14 2023-12-26 株式会社レゾナック 導電性接着剤組成物、接続構造体及び半導体発光素子搭載フレキシブル配線基板

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