WO2015146433A1 - 電流検出装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a current detection technique.
- the chip resistor includes, for example, a resistor made of a noble metal alloy or a metal alloy, a highly conductive electrode, and a molten solder material.
- Patent Document 1 discloses a mounting structure of a current detection resistor.
- FIG. 9 is a side view showing an example of a mounting structure of a shunt resistor, which is an example of the current detection device (current detection resistor) described in Patent Document 1.
- a metal substrate 102 such as aluminum for mounting the shunt resistor 100 is provided between the wiring patterns 103a and 103b and the wiring patterns 103a and 103b that are formed on the metal substrate 102 and allow current to flow through the resistor 100.
- the resistor 101 includes solder layers 105a and 105b that connect the resistor 101 and the wiring patterns 103a and 103b.
- a pair of voltage detection wirings 107 a and 107 b that detect voltages generated at both ends of the shunt resistor 100 formed on the substrate 102 are provided.
- An example of the shunt resistor 100 is a resistor made of a metal material such as Cu—Mn or Ni—Cr.
- the tip ends of the voltage detection wirings 107a and 107b and the voltage detection positions at both ends of the shunt resistor 100 are connected by bonding wires 109a and 109b.
- the detection current I flows through the shunt resistor 100, and a voltage V obtained by multiplying the detection current I by the resistance value R of the shunt resistor 100 is taken out from the voltage detection wirings 107a and 107b to a voltage detection circuit (not shown).
- the current concentrates particularly on the circled portion 111. If the use is continued for a long time in this state, the solder layers 105a and 105b of the circled portion 111 may be lost by electromigration. As a result, since the L dimension of the resistor is increased, the potential difference between the bonding wires 109a and 109b which are voltage detection terminals is increased. That is, the resistance value drifts to the higher one.
- An object of the present invention is to maintain good current detection accuracy in a current detection device over a long period of time.
- a current detection resistor a pair of lands for mounting a current detection resistor, a current flowing through the current detection resistor, and the current detection resistor, A pair of connecting members for connecting the pair of lands, respectively, and a pair of bonding wires connected to the current detection resistor for detecting voltage, the bonding wire and the current detection resistor
- a current detection device is provided in which the connection position is set to a region further inside than the inner ends of the pair of connection members.
- the connecting material was scraped in a direction in which the distance between the opposite inner end portions of the connecting material adhesion region becomes longer due to electromigration at the junction between the resistor and the wiring pattern.
- the detection accuracy can be maintained.
- the detection accuracy can be maintained even if there is a crack in the joint between the resistor and the wiring pattern for some reason.
- the connecting material may be interposed between the end of the resistor of the current detection resistor and the land.
- the connecting material directly connects the end of the resistor and the land.
- the current detection resistor comprises a resistance portion and a terminal portion using a single resistance material.
- a recess is formed in a region excluding the end, and this recess is used as a main body.
- the connecting material such as a solder material
- the current detection resistor has a structure that regulates a connection position with the bonding wire.
- the current detection accuracy in the current detection device can be kept good for a long period of time.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for performing four-terminal measurement with the structure shown in FIG.
- FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a current detection device according to a first embodiment of the present invention, an upper diagram is a perspective view of the current detection device, and a lower diagram is a current detection device corresponding to the upper diagram.
- FIG. The basic structure, material, and the like may be the same as the structure described in FIG.
- the current detection device 1 includes, for example, wiring patterns 5a and 5b for flowing a current between both ends of a current detection resistor 3 formed on a metal substrate (not shown) and having a low-resistance resistor, and a wiring pattern 5a. 5b, connecting layers for connecting the terminal portions 3b and 3c at both ends of the resistor 3 and the wiring patterns 5a and 5b, for example, solder layers 7a and 7b formed of Sn—Ag—Cu solder or the like.
- solder layers 7a and 7b formed of Sn—Ag—Cu solder or the like.
- the connection material in addition to solder, a conductive adhesive, a brazing material, or the like may be used.
- the present invention is particularly effective for Sn-based connecting materials, for example.
- the main body 3a of the resistor 3 is connected by bonding wires 11a and 11b.
- the bonding wires 11a and 11b function as voltage detection terminals.
- the resistor and the resistor are illustrated as a simple structure. Electrodes may be formed on both ends of the resistor of the resistor 3.
- the detection current I flows between the terminal portions 3b and 3c of the resistor 3, and the voltage V multiplied by the resistance value R of the resistor 3 is taken out from the voltage detection wirings 8a and 8b to a voltage detection circuit (not shown).
- one end of the voltage detection terminals (bonding wires 11a and 11b) on the side of the resistor 3 has voltage detection positions P1 and P2 that do not reach the solder adhesion regions (mounting regions, lands, hereinafter the same) AR1 and AR2 in plan view.
- the solder layers 7a and 7b are interposed in the solder adhesion regions (AR1 and AR2) so as to be directly connected to, for example, resistors at both ends of the wiring patterns 5a and 5b and the resistor 3, respectively.
- FIG. 2 (a) and 2 (b) show a resistor 3 made of a solder layer in the current detection device 1 having a connection structure with bonding wires 11a and 11b shown in the lower part of FIG. 1 (corresponding to FIG. 2 (a)). It is a figure which shows the example of a time-dependent change of the junction area
- the solder adhesion areas AR1 and AR2 which are the joining areas, are scraped off from the opposite inner end side due to the influence of electromigration as described in FIG.
- the positions of the inner end portions of the solder layers 7a and 7b change in the direction in which the distance between the opposite inner end portions of the solder attachment regions AR1 and AR2 increases, that is, in the direction indicated by the arrows 14a and 14b, and the solder attachment regions AR1a and AR1a, It changes as shown in AR2a.
- the voltage detection terminals (bonding wires 11a and 11b) are in positions that do not cover the initial solder adhesion areas AR1 and AR2 in plan view and are opposed to the solder adhesion areas AR1 and AR2 on the upper surface of the resistor 3.
- the resistor 3 is connected at the voltage detection positions P1 and P2 between the inner end portions.
- soldering is performed in a direction in which the distance between the opposite inner ends of the solder adhesion regions AR ⁇ b> 1 and AR ⁇ b> 2 becomes longer due to electromigration at the joint portion between the resistor 3 and the wiring patterns 5 a and 5 b. Even if the power is removed, the resistance between the voltage detection positions P1 and P2, which are voltage detection terminals, does not change, so that the voltage detection accuracy can be maintained over a long period of time.
- the distance between the voltage detection positions P1 and P2 is an inner area avoiding the solder adhesion areas AR1 and AR2, and the distance between the voltage detection positions P1 and P2 only needs to be some distance away. In this case, the detection sensitivity can be improved by amplifying the detected voltage.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for performing four-terminal measurement with the structure shown in FIG.
- the resistor 3 of the current detection device 1 even if the solder layers 7a and 7b are shaved, as shown in FIG. 3, a bonding wire that functions as a voltage detection terminal further inside than the inner end of the solder adhesion region is provided.
- the resistor 3 is connected directly or indirectly at the voltage detection positions P1, P2, and the distance between the voltage detection positions P1, P2 does not change.
- arrows 14a and 14b in FIG.
- the solder tends to be scraped while the inner ends are kept in parallel. There is almost no impact.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the current detection device according to the second embodiment of the present invention.
- a current detection device 31 shown in FIG. 4 is a resistor having a low-resistance resistor, for example, formed between a wiring pattern 35a and 35b and a wiring pattern 35a and 35b.
- the resistor 33 is composed of resistor end portions 33 b and 33 c connected to the wiring patterns 35 a and 35 b by the solder layers 37 a and 37 b, and a main body portion 33 a having a step difference.
- the resistor body 33a of the resistor 33 is lifted in the height direction with respect to the end portions 33b and 33c (away from the wiring patterns 35a and 35b).
- Direction structure. This step is denoted by ⁇ h1.
- a pair of voltage detection wirings 39 a and 39 b that are formed on the substrate and detect voltages generated at both ends of the resistor 33 and voltage detection positions P 3 and P 4 at both ends of the resistor 33 are bonded to each other. They are connected by wires 41a and 41b.
- the voltage detection positions P3 and P4 are located in the main body portion 33a of the resistor 33 lifted in the height direction with respect to the end portions 33b and 33c.
- the detection current I flows through the resistor 33, and the voltage V multiplied by the resistance value R of the resistor 33 is taken out from the voltage detection wirings 39a and 39b to a voltage detection circuit (not shown). With this structure in the current detection device 31, four-terminal measurement is possible.
- the solder detection layers 37a and 37b are voltage detection terminals. It is also possible to suppress climbing up to P3 and P4.
- FIG. 5 is a perspective view showing a configuration example of the current detection device according to the third embodiment of the present invention.
- a current detection device 51 shown in FIG. 5 is formed between, for example, wiring patterns 55a and 55b that are formed on a metal substrate (not shown) and allows current to flow through the resistor 53, and the wiring patterns 55a and 55b. It has the solder layer 57a, 57b which connects the resistor 53 which has a resistor, and wiring pattern 55a, 55b.
- FIG. 5 is a perspective view showing a configuration example of the current detection device according to the third embodiment of the present invention.
- a current detection device 51 shown in FIG. 5 is formed between, for example, wiring patterns 55a and 55b that are formed on a metal substrate (not shown) and allows current to flow through the resistor 53, and the wiring patterns 55a and 55b. It has the solder layer 57a, 57b which connects the resistor 53 which has a resistor, and wiring pattern 55a, 55b.
- a main body portion 53a formed by forming a concave portion 53d on one surface of the resistor 53 and end portions 53b and 53c located at both ends of the main body portion 53a are defined.
- a step h2 is formed by forming a thin portion whose thickness is reduced by the recess 53d with respect to the end portions 53b and 53c.
- the wiring patterns 55a and 55b and the end portions 53b and 53c are connected by providing solder layers 57a and 57b between the end portions 53b and 53c and the wiring patterns 55a and 55b, respectively.
- the surface of the main body 53a on the concave 53d side is covered with a protective film 58.
- the resistor 53 may include the resistor portion (main body portion 53a) and the terminal portions 53b and 53c using a single resistor material.
- a pair of voltage detection wirings 59a and 59b formed on the substrate for detecting a voltage generated at both ends of the resistor 53, and voltage detection positions P5 and P6 at both ends of the resistor 53 are bonded. They are connected by wires 61a and 61b.
- the voltage detection positions P5 and P6 are located in the region of the main body 53a where the resistor 53 is thin relative to the ends 53b and 53c.
- the detection current I flows through the resistor 53, and the voltage V multiplied by the resistance value R of the resistor 53 is taken out from the voltage detection wirings 59a and 59b to a voltage detection circuit (not shown).
- This structure enables four-terminal measurement.
- the solder layers 57a and 57b are prevented from rising up to the voltage detection positions P5 and P6 which are voltage detection terminals. You can also.
- FIG. 6 to 8 are perspective views showing one configuration example of the current detection device according to the fourth embodiment of the present invention.
- 6 to 8 are diagrams showing examples of techniques for preventing wire bonding in the solder adhesion region.
- a description will be given by taking as an example a structure that is thinned by providing a concave portion in the main body according to the third embodiment of FIG. 5, but the present invention is applicable to other structures including the first or second embodiment. It is possible.
- the current detection device is characterized in that it has a structure that regulates a connection position portion with a bonding wire.
- the current detection device 71 shown in FIG. 6 has a thin main body 73a formed by providing a recess 73d on one surface of a resistor 73, and end portions 73b and 73c at both ends thereof as shown in FIG. A simple resistor is formed.
- the configuration of electrodes, solder layers, and the like is omitted, but is basically the same as FIG.
- the regions of the end portions 73b and 73c that are connected to the wiring pattern by the solder layer are shown as regions outside the reference numerals L5 and L6.
- marks P7 and P8 indicating a guideline of the position for wire bonding are attached in the inner region. This mark can be provided, for example, based on the position when the recess is formed. The mark can be formed by scraping the surface of the resistor, applying ink, or the like. In this embodiment, it is possible to visually identify the position of the connection position with the bonding wire.
- the current detection device 81 shown in FIG. 7 includes a thin main body 83a formed by providing a recess 83d on one surface of the resistor 83, and end portions 83b and 83c at both ends thereof.
- a resistor as shown in FIG. the configuration of electrodes, solder layers, and the like is omitted, but is basically the same as FIG.
- a protective film 85 such as an epoxy resin is formed on one end of the resistor 83 of the resistor 83 on the end 83b, 83c so as to prevent bonding.
- the position where the bonding wire is connected is restricted by the protective film so as to avoid the solder adhesion area (land).
- the current detection device 91 shown in FIG. 8 includes a thin main body portion 93a formed by providing a concave portion 93d on one surface of the resistor 93, and end portions 93b and 93c at both ends thereof.
- a resistor as shown in FIG. Here, the configuration of electrodes and solder layers is omitted, but the configuration is basically the same as that shown in FIGS.
- a protective film 95 such as an epoxy resin is formed on one surface of the resistor 93 where wire bonding is performed, and the protective film 95 is opened in a region avoiding the end portions 93b and 93c.
- a bonding area 95a allowed to be bonded is formed.
- the position where the bonding wire is connected is restricted to a specific position in the main body by the protective film and the opening.
- the structure for preventing bonding to other solder adhesion areas is also included in this embodiment.
- the resistor having the terminal portions connected to the both ends of the main body portion by wiring and solder, further inside than the inner end portion of the solder adhesion region.
- a bonding wire functioning as a voltage detection terminal is connected to the resistor directly or indirectly at the voltage detection position.
- Each component of the present invention can be arbitrarily selected, and an invention having a selected configuration is also included in the present invention.
- the present invention can be used for a current detection device.
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Abstract
電流検出用抵抗器と、前記電流検出用抵抗器が実装され、前記電流検出用抵抗器に電流を流すための一対のランドと、前記電流検出用抵抗器と前記一対のランドとをそれぞれ接続する一対の接続材と、前記電流検出用抵抗器に接続され、電圧を検出するための一対のボンディングワイヤーと、を有し、前記ボンディングワイヤーと電流検出用抵抗器との接続位置を、前記一対の接続材の内側端部よりもさらに内側の領域とした電流検出装置。
Description
本発明は、電流検出技術に関する。
電流の検出用にミリオーム程度の極めて抵抗値が小さいチップ抵抗器を用いることは良く知られている。チップ抵抗器は、例えば、貴金属合金あるいは金属合金から作製される抵抗体および高伝導性の電極および溶融はんだ材から構成されている。
例えば、下記特許文献1には、電流検出用抵抗器の実装構造が開示されている。
図9は、特許文献1に記載の電流検出装置(電流検出用抵抗器)の一例であるシャント抵抗器の実装構造の一例を示す側面図である。
シャント抵抗器100を搭載するためのアルミ等の金属基板102には、金属基板102に形成され抵抗器100に電流を流すための配線パターン103a、103bと、配線パターン103a、103b間に設けられた抵抗体101と、抵抗体101と配線パターン103a、103bとを接続するはんだ層105a、105bとを有している。また、基板102に形成されシャント抵抗器100の両端に生じる電圧を検出する一対の電圧検出配線107a、107bを備える。シャント抵抗器100は、Cu-Mn系、Ni-Cr系などの金属材料を抵抗体とするものが一例としてあげられる。
電圧検出配線107a、107bの先端と、シャント抵抗器100の両端の電圧検出位置とが、ボンディングワイヤー109a、109bにより接続される。
シャント抵抗器100には検出電流Iが流れ、検出電流Iにシャント抵抗器100の抵抗値Rを乗じた電圧Vが電圧検出配線107a、107bから図示しない電圧検出回路に取り出される。
ところで、近年、部品の小型化の進展と、大電流化により、製品部における電流密度が増加している。電流密度の増加により、はんだによる接合部分にエレクトロマイグレーションが発生するという問題が注目されている。特に高温であり電流密度の高い個所ではエレクトロマイグレーションの発生の可能性が高い。
図9の構造では、特に、○印部分111に電流が集中することになる。この状態で長期間使用を継続すると、○印部分111のはんだ層105a、105bがエレクトロマイグレーションにより消失する可能性がある。その結果として、抵抗体のL寸法が長くなるため、電圧検出端子であるボンディングワイヤー109a、109b間の電位差が大きくなる。つまり、抵抗値が高いほうへドリフトすることになる。
このため、例えば10年などの長期間の使用においては、電流検出装置(電流検出用抵抗器)の電流検出精度を良好に保つことが難しくなるという問題があった。
本発明は、電流検出装置における電流検出精度を長期間にわたって良好に保つことを目的とする。
本発明の一観点によれば、電流検出用抵抗器と、前記電流検出用抵抗器が実装され、前記電流検出用抵抗器に電流を流すための一対のランドと、前記電流検出用抵抗器と前記一対のランドとをそれぞれ接続する一対の接続材と、前記電流検出用抵抗器に接続され、電圧を検出するための一対のボンディングワイヤーと、を有し、前記ボンディングワイヤーと電流検出用抵抗器との接続位置を、前記一対の接続材の内側端部よりもさらに内側の領域とした電流検出装置が提供される。
この電流検出装置の構造によれば、抵抗器と配線パターンとの接合部分において、エレクトロマイグレーションにより接続材の付着領域の対向する内側端部間の距離が長くなる方向に接続材が削れていったとしても、電圧検出端子である電圧検出位置間の抵抗は変わらないため、検出精度を保つことができる。また、エレクトロマイグレーション以外に、何らかの原因で抵抗器と配線パターンとの接合部分にクラックが入ること等があっても、検出精度を保つことができる。
前記接続材は、前記電流検出用抵抗器の抵抗体の端部と前記ランドとの間に介在するようにすると良い。接続材は、抵抗体の端部と前記ランドとを直接接続している。
前記電流検出用抵抗器は、単一の抵抗材を用いて、抵抗部と端子部とを構成したことを特徴とする。
例えば、端部を除いた領域に凹部を形成し、この凹部を本体部とする。凹部等により段差を形成することで、はんだ材等の接続材がボンディングワイヤーの接続個所に対応する部分まではい上がることを防止することも可能である。
前記電流検出用抵抗器は、前記ボンディングワイヤーとの接続位置を規制する構造を備えることが好ましい。
本明細書は本願の優先権の基礎である日本国特許出願2014-062485号の明細書および/または図面に記載される内容を包含する。
本発明によれば、電流検出装置における電流検出精度を長期間にわたって良好に保つことができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す図であり、上図は電流検出装置の斜視図であり、下図は、上図に対応する電流検出装置の平面図である。基本的な構造及び材料等は、図9において説明した構造と同様でも良い。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す図であり、上図は電流検出装置の斜視図であり、下図は、上図に対応する電流検出装置の平面図である。基本的な構造及び材料等は、図9において説明した構造と同様でも良い。
電流検出装置1は、例えば金属基板(図示せず)に形成され低抵抗な抵抗体を有する電流検出用の抵抗器3の両端間に電流を流すための配線パターン5a、5bと、配線パターン5a、5b間に設けられ、抵抗器3の両端の端子部3b、3cと配線パターン5a、5bとを接続する接続材、例えばSn-Ag-Cuはんだなどにより形成されるはんだ層7a、7bとを有している。接続材としては、はんだ以外に、導電性接着剤、ろう材、等を用いてもよい。エレクトロマイグレーションによる影響に関しては、例えばSn系の接続材に対して本発明は特に有効である。また、電流検出装置1においては、基板に形成され抵抗器3の両端に生じる電圧を検出する一対の電圧検出配線8a、8bと、抵抗器3においてある距離だけ離れた電圧検出位置P1、P2とが、抵抗器3の本体部3aにおいて、ボンディングワイヤー11a、11bにより接続されている。ボンディングワイヤー11a、11bは電圧検出端子として機能する。尚、図1等では、抵抗器と抵抗体とを同じとした簡単な構造により例示している。抵抗器3の抵抗体の両端には、電極が形成されていても良い。
抵抗器3の端子部3b、3c間には検出電流Iが流れ、抵抗器3の抵抗値Rを乗じた電圧Vが電圧検出配線8a、8bから図示しない電圧検出回路に取り出される。
この構造により、抵抗器3における4端子測定が可能となる。
ここで、電圧検出端子(ボンディングワイヤ11a、11b)の抵抗器3側の一端は、平面視において、はんだ付着領域(実装領域、ランド、以下、同様)AR1、AR2にかからない電圧検出位置P1、P2において抵抗器3と接合されている。はんだ層7a、7bは、はんだ付着領域(AR1、AR2)において、配線パターン5a、5bと抵抗器3の両端部において、例えば抵抗体とそれぞれ直接接続するように介在している。
図2(a)、(b)は、図1の下図(図2(a)に対応する。)に示すボンディングワイヤー11a、11bによる接続構造を有する電流検出装置1における、はんだ層による抵抗器3と配線パターン5a、5bとの接合領域の経時変化の例を示す図である。接合領域であるはんだ付着領域AR1、AR2は、図9でも説明したように、エレクトロマイグレーションの影響により対向する内側端部側からはんだが削れていくことで、図2(b)に示すように、はんだ付着領域AR1、AR2の対向する内側端部間の距離が長くなる方向、すなわち、矢印14a、14bに示す方向にはんだ層7a、7bの内側端部の位置が変化し、はんだ付着領域AR1a、AR2aに示すように変化する。
そこで、電圧検出端子(ボンディングワイヤ11a、11b)を、平面視において、初期のはんだ付着領域AR1、AR2にかからない位置であって、かつ、抵抗体3の上面の、はんだ付着領域AR1、AR2の対向する内側端部間にある電圧検出位置P1、P2において、抵抗体3と接続する。このような構造により、長期使用による経時変化があっても、電圧検出位置P1、P2は、経時変化後のはんだ付着領域AR1a、AR2aの対向する内側端部間に入っている状態が保たれる。
この電流検出装置1の構造によれば、抵抗器3と配線パターン5a、5bとの接合部分において、エレクトロマイグレーションによりはんだ付着領域AR1、AR2の対向する内側端部間の距離が長くなる方向にはんだが削れていったとしても、電圧検出端子である電圧検出位置P1、P2間の抵抗は変わらないため、電圧検出精度を長期間にわたって保つことができる。
尚、電圧検出位置P1、P2間の距離は、はんだ付着領域AR1、AR2を避けた内側の領域であって、ある程度距離が離れていれば良い、電圧検出位置P1、P2間の距離が近くなる場合には、検出した電圧を増幅する等により検出感度を良くすることができる。
図3は、図2に示す構造により4端子測定を行う等価回路図である。電流検出装置1の抵抗器3においては、はんだ層7a、7bが削れたとしても、図3に示すように、はんだ付着領域の内側端部よりもさらに内側において電圧検出端子として機能するボンディングワイヤーが抵抗体3に直接又は間接に電圧検出位置P1、P2で接続されており、電圧検出位置P1、P2間の距離は変わらない。また、電圧検出位置P1、P2間において電流をまっすぐに流した場合には、図2(b)の矢印14a、14bに示すように、電圧検出位置P1、P2に変化がなく、また、はんだ付着領域AR1、AR2の対向する内側端部間の距離が長くなるが内側端部が平行に保たれた状態ではんだが削れていく傾向にあるため、抵抗体3内の電位分布にも経時変化の影響は殆どない。
従って、本実施の形態による電流検出装置によれば、エレクトロマイグレーションの影響によりはんだが削れていって抵抗器の実装状態における抵抗値は変化しても、4端子測定における電流検出においてはその影響を受けにくいため、長期間に亘って電流検出精度を良好に保つことができるという利点がある。
(第2の実施の形態)
図4は、本発明の第2の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す断面図である。図4に示す電流検出装置31は、例えば金属基板に形成され抵抗器33に電流を流すための配線パターン35a、35bと、配線パターン35a、35b間に設けられ、低抵抗な抵抗体を有する抵抗器33と、抵抗器33と配線パターン35a、35bとを接続するはんだ層37a、37bとを有している。ここで、図4においては、抵抗器33は、はんだ層37a、37bにより配線パターン35a、35bと接続される抵抗体の端部33b、33cと、それとは段差がある本体部33aと、により構成されており、図4に示す実装構造において、抵抗器33の抵抗体の本体部33aは、端部33b、33cに対して、高さ方向に持ち上げられた(配線パターン35a、35bとより離れた方向)構造となっている。この段差を、Δh1とする。
(第2の実施の形態)
図4は、本発明の第2の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す断面図である。図4に示す電流検出装置31は、例えば金属基板に形成され抵抗器33に電流を流すための配線パターン35a、35bと、配線パターン35a、35b間に設けられ、低抵抗な抵抗体を有する抵抗器33と、抵抗器33と配線パターン35a、35bとを接続するはんだ層37a、37bとを有している。ここで、図4においては、抵抗器33は、はんだ層37a、37bにより配線パターン35a、35bと接続される抵抗体の端部33b、33cと、それとは段差がある本体部33aと、により構成されており、図4に示す実装構造において、抵抗器33の抵抗体の本体部33aは、端部33b、33cに対して、高さ方向に持ち上げられた(配線パターン35a、35bとより離れた方向)構造となっている。この段差を、Δh1とする。
また、電流検出装置31においては、基板に形成され抵抗器33の両端に生じる電圧を検出する一対の電圧検出配線39a、39bと、抵抗器33の両端の電圧検出位置P3、P4とが、ボンディングワイヤー41a、41bにより接続されている。電圧検出位置P3、P4は、端部33b、33cに対して、高さ方向に持ち上げられた抵抗器33の本体部33aに位置する。
抵抗器33には検出電流Iが流れ、抵抗器33の抵抗値Rを乗じた電圧Vが電圧検出配線39a、39bから図示しない電圧検出回路に取り出される。電流検出装置31におけるこの構造により、4端子測定が可能となる。
この構造によれば、抵抗器33と配線パターン35a、35bとの接合部分において、エレクトロマイグレーションによりはんだ付着領域の対向する内側端部間の距離が長くなる方向にはんだが削れていったとしても、電圧検出端子である電圧検出位置P3、P4間の抵抗は変わらないため、電流検出装置31の電流検出精度を保つことができる。
加えて、抵抗器33の本体部33aは、端部33b、33cに対して、高さ方向に持ち上げられた構造となっているため、はんだ層37a、37bが、電圧検出端子である電圧検出位置P3、P4まではい上がることを抑制することもできる。
従って、エレクトロマイグレーションの影響によりはんだが削れていっても長期間に亘って電流検出精度を良好に保つことができるという利点がある。
(第3の実施の形態)
図5は、本発明の第3の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。図5に示す電流検出装置51は、例えば金属基板(図示せず)に形成され抵抗器53に電流を流すための配線パターン55a、55bと、配線パターン55a、55b間に設けられ、低抵抗な抵抗体を有する抵抗器53と配線パターン55a、55bとを接続するはんだ層57a、57bとを有している。ここで、図5においては、抵抗器53の抵抗体の一面に凹部53dを形成することにより形成される本体部53aと、本体部53aの両端に位置する端部53b、53cとが画定される。抵抗器53の本体部53aには、端部53b、53cに対して、凹部53dにより厚さが薄くなる肉薄部が形成されることで段差h2が形成されている。そして、端部53b、53cと配線パターン55a、55bとの間には、それぞれ、はんだ層57a、57bが設けられることにより配線パターン55a、55bと端部53b、53cとが接続されている。そして、本体部53aの凹部53d側の表面は、保護膜58により覆われている。このように、抵抗器53は、単一の抵抗材を用いて、抵抗部(本体部53a)と端子部53b、53cとが構成されていてもよい。
(第3の実施の形態)
図5は、本発明の第3の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。図5に示す電流検出装置51は、例えば金属基板(図示せず)に形成され抵抗器53に電流を流すための配線パターン55a、55bと、配線パターン55a、55b間に設けられ、低抵抗な抵抗体を有する抵抗器53と配線パターン55a、55bとを接続するはんだ層57a、57bとを有している。ここで、図5においては、抵抗器53の抵抗体の一面に凹部53dを形成することにより形成される本体部53aと、本体部53aの両端に位置する端部53b、53cとが画定される。抵抗器53の本体部53aには、端部53b、53cに対して、凹部53dにより厚さが薄くなる肉薄部が形成されることで段差h2が形成されている。そして、端部53b、53cと配線パターン55a、55bとの間には、それぞれ、はんだ層57a、57bが設けられることにより配線パターン55a、55bと端部53b、53cとが接続されている。そして、本体部53aの凹部53d側の表面は、保護膜58により覆われている。このように、抵抗器53は、単一の抵抗材を用いて、抵抗部(本体部53a)と端子部53b、53cとが構成されていてもよい。
また、電流検出装置51においては、基板に形成され抵抗器53の両端に生じる電圧を検出する一対の電圧検出配線59a、59bと、抵抗器53の両端の電圧検出位置P5、P6とが、ボンディングワイヤー61a、61bにより接続されている。電圧検出位置P5、P6は、端部53b、53cに対して、抵抗器53の抵抗体が肉薄である本体部53aの領域に位置する。
抵抗器53には検出電流Iが流れ、抵抗器53の抵抗値Rを乗じた電圧Vが電圧検出配線59a、59bから図示しない電圧検出回路に取り出される。この構造により、4端子測定が可能となる。
この構造によれば、抵抗器53と配線パターン55a、55bとの接合部分において、エレクトロマイグレーションによりはんだ付着領域の対向する内側端部間の距離が長くなる方向にはんだが削れていったとしても、電圧検出端子である電圧検出位置P5、P6間の抵抗は変わらないため、電流検出装置51の検出精度を保つことができる。
加えて、端部53b、53c間の本体部53aは、保護層58によって覆われているため、はんだ層57a、57bが、電圧検出端子である電圧検出位置P5、P6まではい上がることを抑制することもできる。
従って、エレクトロマイグレーションの影響によりはんだが削れていっても長期間に亘って電流検出精度を良好に保つことができるという利点がある。
(第4の実施の形態)
図6から図8までは、本発明の第4の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。図6から図8までは、はんだ付着領域に、ワイヤーボンディングしないための技術の例を示す図である。ここでは、図5の第3の実施の形態による本体部に凹部を設けることで肉薄とした構造を例にして説明するが、第1又は第2の実施の形態を含むその他の構造に適用することが可能である。
(第4の実施の形態)
図6から図8までは、本発明の第4の実施の形態による電流検出装置の一構成例を示す斜視図である。図6から図8までは、はんだ付着領域に、ワイヤーボンディングしないための技術の例を示す図である。ここでは、図5の第3の実施の形態による本体部に凹部を設けることで肉薄とした構造を例にして説明するが、第1又は第2の実施の形態を含むその他の構造に適用することが可能である。
本実施の形態による電流検出装置は、ボンディングワイヤーとの接続位置部位を規制する構造を備えるとすることを特徴とする。
図6に示す電流検出装置71は、抵抗器73の抵抗体の一面に凹部73dを設けることで形成された肉薄の本体部73aと、その両端の端部73b、73cとにより図5に示すような抵抗器が形成されている。ここでは、電極やはんだ層などの構成を省略しているが、基本的には図5と同様である。
図6において、はんだ層により配線パターンと接続する端部73b、73cの領域が、符号L5、L6の外側の領域として示されており、ワイヤーボンディングする方の一面にであって、符号L5、L6の内側の領域内に、例えば、ワイヤーボンディングをする位置の目安を示す目印P7、P8が付されている。この目印は、例えば、凹部を形成する際の位置を基準として設けることができる。目印の形成方法は、抵抗体の表面を削る、インクを塗布する、等により形成できる。本実施の形態では、ボンディングワイヤーとの接続位置部位を目視により識別可能とする。
図6に示す構造では、目印P7、P8を目安にしてワイヤーボンディング作業をすることにより、はんだ付着領域を避けた領域にワイヤーボンディングを行うことが確実になるため、電流検出装置の製造工程において、長期間に亘って電流検出精度を良好に保つ構造を歩留まり良く製造することができる。
図7に示す電流検出装置81は、抵抗器83の抵抗体の一面に凹部83dを設けることで形成された肉薄の本体部83aと、その両端の端部83b、83cとにより図5、図6に示すような抵抗器が形成されている。ここでは、電極やはんだ層などの構成を省略しているが、基本的には図5と同様である。
図7に示す構造では、端部83b、83c上の、抵抗器83の抵抗体の本体部83aのワイヤーボンディングする方の一面にボンディングをできないようにするためのエポキシ樹脂などの保護膜85が形成されている。本実施の形態では、ボンディングワイヤーとの接続位置部位を保護膜により、はんだ付着領域(ランド)を避けた領域にするように規制する。
図7に示す構造では、保護膜85により保護されたはんだ付着領域を避けた領域にワイヤーボンディングを行うことが確実になるため、電流検出装置81の製造工程において、長期間に亘って電流検出精度を良好に保つ構造を歩留まり良く製造することができる。
図8に示す電流検出装置91は、抵抗器93の抵抗体の一面に凹部93dを設けることで形成された肉薄の本体部93aと、その両端の端部93b、93cとにより図5、図6に示すような抵抗器が形成されている。ここでは、電極やはんだ層などの構成を省略しているが、基本的には図5-図7と同様である。
図8に示す構造では、抵抗器93のワイヤーボンディングする方の一面にエポキシ樹脂などの保護膜95が形成されており、端部93b、93cを避けた領域の保護膜95を開口して抵抗器93の抵抗体の表面を露出することでボンディングすることが許容されるボンディングエリア95aを形成している。本実施の形態では、ボンディングワイヤーとの接続位置部位を保護膜と開口とにより本体部内の特定の位置に規制する。
図8に示す構造では、保護膜95により保護されたはんだ付着領域を避けた領域にワイヤーボンディングを行うことが許容されるボンディングエリア95aが形成されているため、ワイヤーボンディングされる位置P11,P12が、ボンディングエリア95a内に限定されるため、電流検出装置の製造工程において、長期間に亘って電流検出精度を良好に保つ構造を歩留まり良く製造することができる。
これ以外のはんだ付着領域にボンディングしないための構造も本実施の形態に含まれる。
以上に説明したように、本発明の各実施の形態によれば、本体部の両端に配線とはんだにより接続される端子部を有する抵抗器において、はんだ付着領域の内側端部よりもさらに内側において電圧検出端子として機能するボンディングワイヤーが抵抗体に直接又は間接に電圧検出位置で接続される。
このように、はんだ付着領域を避けた内側の領域にワイヤーボンディングを行うため、抵抗体と配線パターンとの接合部分において、エレクトロマイグレーションによりはんだが削れたり、また、熱収縮や衝撃等のなんらかの原因でクラックが入る等、はんだ付着領域である接合領域の対向する内側端部間の距離が長くなる方向に接合状態が変化したとしても、電圧検出端子である電圧検出位置間の抵抗は変わらないため、電流検出精度を長期間にわたって保つことができる。
上記の実施の形態において、添付図面に図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。
本発明は、電流検出装置に利用可能である。
AR1、AR2…はんだ付着領域(ランド)
P1、P2…電圧検出位置
1…電流検出装置
3…抵抗器(抵抗体を含む)
3a…本体部
3b、3c…端部
5a、5b…配線パターン(ランド)
7a、7b…はんだ(接続材)層
8a、8b…電圧検出配線
11a、11b…ボンディングワイヤー
本明細書で引用した全ての刊行物、特許および特許出願をそのまま参考として本明細書にとり入れるものとする。
P1、P2…電圧検出位置
1…電流検出装置
3…抵抗器(抵抗体を含む)
3a…本体部
3b、3c…端部
5a、5b…配線パターン(ランド)
7a、7b…はんだ(接続材)層
8a、8b…電圧検出配線
11a、11b…ボンディングワイヤー
本明細書で引用した全ての刊行物、特許および特許出願をそのまま参考として本明細書にとり入れるものとする。
Claims (4)
- 電流検出用抵抗器と、
前記電流検出用抵抗器が実装され、前記電流検出用抵抗器に電流を流すための一対のランドと、
前記電流検出用抵抗器と前記一対のランドとをそれぞれ接続する一対の接続材と、
前記電流検出用抵抗器に接続され、電圧を検出するための一対のボンディングワイヤーと、を有し、
前記ボンディングワイヤーと電流検出用抵抗器との接続位置を、前記一対の接続材の内側端部よりもさらに内側の領域とした
電流検出装置。 - 前記接続材は、
前記電流検出用抵抗器の抵抗体の端部と前記ランドとの間に介在することを特徴とする請求項1に記載の電流検出装置。 - 前記電流検出用抵抗器は、単一の抵抗材を用いて、抵抗部と端子部とを構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の電流検出装置。
- 前記電流検出用抵抗器は、前記ボンディングワイヤーとの接続位置を規制する構造を備えることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の電流検出装置。
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