WO2014065099A1 - 撮像装置、内視鏡、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

撮像装置１は、撮像部１１と接続された接合端子１２を裏面１０ＳＢに有する撮像素子チップ１０と、撮像部１１と接続された導線４１を有するケーブル４０と、中央部３０Ｍに形成された、接合端子１２と接合された接合電極３１と、延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２に形成された、導線４１と接合された端子電極３２と、接合電極３１と端子電極３２とを接続する配線３３と、接合電極３１、端子電極３２及び配線３３が形成されていない領域に形成されている伝熱パターン３５と、を有し、延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２が折り曲げられていることにより撮像素子チップ１０の投影面内に配置されている配線板３０と、を具備する。

Description

撮像装置、内視鏡、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

　本発明は、撮像素子チップを有する撮像装置、前記撮像装置を具備する内視鏡、半導体チップを有する半導体装置、及び前記半導体装置の製造方法に関し、特に撮像素子チップと信号ケーブルとを接続する配線板を有する撮像装置、前記撮像装置を具備する内視鏡、半導体素子チップと接続された配線板を有する半導体装置、及び前記半導体装置の製造方法に関する。

　撮像素子チップを有する撮像装置は、例えば内視鏡の先端部に配設されて使用される。内視鏡の先端部は、被検者の苦痛を和らげるために、細径化が重要な課題となっている。

　図１に示すように、特開２０１１－２１７８８７号公報には、撮像素子チップ１１０と、放熱部材であるブロック１２０と、電子部品１３９が実装された配線板１３０と、信号ケーブル１４０と、を有する撮像装置１０１が記載されている。撮像素子チップ１１０は、おもて面１１０ＳＡに撮像部１１１を有し、裏面１１０ＳＢには複数の接合端子（不図示）を有する。接合端子は、配線板１３０の接合電極（不図示）と接合されている。接合電極は配線（不図示）を介して、信号ケーブル１４０の導線１４１と接合された端子電極１３２と接続されている。

　配線板１３０は、撮像素子チップ１１０と接合された中央部１３０Ｍと、中央部１３０Ｍから両側に延設された延設部１３０Ｓ１、１３０Ｓ２とからなる。延設部１３０Ｓ１、１３０Ｓ２は内側に折り曲げられている。このため、配線板１３０は撮像素子チップ１１０の投影面の延長空間の内部（投影面内）１１０Ｓに納まっている。撮像装置１０１では、撮像素子チップ１１０が発生した熱は配線板１３０を介してブロック１２０に伝熱される。

　しかし、撮像装置１０１は、撮像素子チップ１１０とブロック１２０との間にある配線板１３０の伝熱機能が十分でないと、撮像素子チップ１１０の温度が上昇し画像が劣化するおそれがあった。

　なお、特開２０１０－１９９３５２号公報には、信号パターンと電源パターンと放熱パターンと、を備えた回路基板が記載されている。放熱パターンは、信号パターン及び電源パターンを除く領域にあり、電源パターンと導通している。

　しかし、上記回路基板は、発熱量が大きい撮像装置に用いた場合には、放熱パターンから放熱できる熱量が十分ではないおそれ等があり、特に細径化が重要な内視鏡の先端部に配設する超小型の撮像装置に、そのまま適用することは容易ではなかった。

　また、特開２０１２－３８９２０号公報には、半導体基板にフレキシブル基板（可撓性配線板）を接続した後に接続部に樹脂を充填し硬化した後、フレキシブル基板を屈曲することで、応力による故障を防止する半導体装置が開示されている。

　しかし、この半導体装置は、基板を屈曲するときに、接続部及び樹脂にかかる負荷が過大になると、接続部が外れやすくなってしまい、接続信頼性が低下するおそれがあった。

　本発明は、狭い空間内に配設できる放熱特性に優れた撮像装置、前記撮像装置を具備する内視鏡、狭い空間内に配設できる信頼性の高い半導体装置、及び前記半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の一態様の撮像装置は、撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する撮像素子チップと、前記撮像部と接続された導線を有する信号ケーブルと、中央部と前記中央部から延設された複数の延設部とからなり、前記中央部に形成された、前記接合端子と接合された接合電極と、前記延設部に形成された、前記導線と接合された端子電極と、前記接合電極と前記端子電極とを接続する配線と、前記接合電極、前記端子電極及び前記配線が形成されていない領域に形成されている伝熱パターンと、を有し、前記延設部が折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置されている配線板と、を具備する。

　本発明の別の一態様の内視鏡は、撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する撮像素子チップと、前記撮像部と接続された導線を有する信号ケーブルと、中央部と前記中央部から延設された複数の延設部とからなり、前記中央部に形成された、前記接合端子と接合された接合電極と、前記延設部に形成された、前記導線と接合された端子電極と、前記接合電極と前記端子電極とを接続する配線と、前記接合電極、前記端子電極及び前記配線が形成されていない領域に形成されている伝熱パターンと、を有し、前記延設部が折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置されている配線板と、を含む撮像装置が先端部に配設された挿入部と、前記挿入部の基端側に配設された操作部と、前記操作部から延出するユニバーサルコードと、を具備する。

　本発明の別の一態様の半導体装置は、第１の主面および第２の主面を有する半導体素子チップと、前記半導体素子チップの前記第２の主面に実装された、前記半導体素子チップの厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるように屈曲している配線板と、前記半導体素子チップの前記第２の主面と、前記配線板の前記第２の主面への実装面との、間の空間に充填されるとともに、前記半導体素子チップを前記厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるよう位置する樹脂と、を具備し、前記樹脂は、前記実装面よりも前記厚み方向において前記第２の主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って前記空間から、はみ出している。

　本発明の別の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体素子チップの第１の主面とは反対側の第２の主面を、配線板に、実装する配線板実装工程と、前記配線板の前記第２の主面への実装面とは反対側の面に固定治具を取り付ける治具取り付け工程と、前記配線板を屈曲させることにより、前記半導体素子チップを前記第１の主面と前記第２の主面とを結ぶ前記半導体素子チップの厚み方向から平面視した際、前記配線板を前記半導体素子チップに全体が重なるよう位置させるとともに、前記固定治具により前記配線板の屈曲形状を保持する配線板屈曲工程と、前記半導体素子チップの前記第２の主面と前記配線板の前記実装面との間の空間に樹脂を充填することにより、前記空間において、前記半導体素子チップを前記厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるよう前記樹脂を位置させるとともに前記樹脂を硬化させる樹脂充填工程と、を具備し、前記樹脂充填工程において、前記空間に対して前記樹脂が１００％充填される第１の量以上かつ、前記実装面を前記半導体素子チップの外形まで広げた際の前記実装面と前記第２の主面との間の設定空間に対して前記樹脂が１００％充填される第２の量以下の充填量によって前記樹脂を充填することにより、前記樹脂は、前記空間から前記実装面よりも前記厚み方向において前記第２の主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って、はみ出す。

　本発明の実施形態によれば、狭い空間内に配設できる放熱特性に優れた撮像装置、前記撮像装置を具備する内視鏡、狭い空間内に配設できる信頼性の高い半導体装置、及び前記半導体装置の製造方法を提供できる。

従来の撮像装置の斜視図である。 第１実施形態の撮像装置の斜視図である。 第１実施形態の撮像装置の断面図である。 第１実施形態の撮像装置の撮像素子チップの裏面の平面図である。 第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための分解断面図である。 第１実施形態の撮像装置の配線板の第１の主面の平面図である。 第１実施形態の撮像装置の配線板の第２の主面の平面図である。 第２実施形態の撮像装置の配線板の第１の主面の平面図である。 第２実施形態の撮像装置の配線板の第２の主面の平面図である。 第３実施形態の撮像装置の配線板の第１の主面の平面図である。 第３実施形態の撮像装置の配線板の第２の主面の平面図である。 第４実施形態の撮像装置の配線板の第１の主面の平面図である。 第４実施形態の撮像装置の配線板の第２の主面の平面図である。 第４実施形態の撮像装置の断面図である。 第５実施形態の撮像装置の断面図である。 第６実施形態の撮像装置の断面図である。 第７実施形態の内視鏡の外観図である。 第８実施形態の半導体装置の構成図である。 第８実施形態の半導体装置の図１８のＸＩＸで囲った部位の拡大図である。 第８実施形態の半導体装置の配線板を、半導体素子チップとともに、図１８のＸＸ方向からみるとともに展開して示す図である。 第８実施形態の半導体装置の接合部の空間を模式的に示す図である。 第８実施形態の半導体装置の製造方法の配線板実装工程を示す図である。 第８実施形態の半導体装置の製造方法の取り付ける治具取り付け工程を示す図である。 第８実施形態の半導体装置の製造方法の配線板屈曲工程を示す図である。 第８実施形態の半導体装置の製造方法の樹脂充填工程を示す図である。 第８実施形態の変形例１の半導体装置の製造方法の治具取り付け工程を示す図である。 第８実施形態の変形例１の半導体装置の製造方法の配線板屈曲工程を示す図である。 第８実施形態の変形例１の半導体装置の製造方法の樹脂塗布工程を示す図である。 第８実施形態の変形例１の半導体装置の製造方法の半導体素子チップ実装工程を示す図である。 第８実施形態の変形例２の半導体装置の構成図である。 第８実施形態の変形例３の半導体装置の配線板と半導体素子チップの分解斜視図である。 第８実施形態の変形例３の半導体装置の配線板の中心に半導体素子チップを実装した状態を示す斜視図である。 第８実施形態の変形例３の半導体装置の配線板の４つの部位を屈曲させた状態を示す斜視図である。 第９実施形態の半導体装置の構成図である。 第９実施形態の半導体装置の製造方法の補強樹脂充填工程を示す図である。 第１０実施形態の半導体装置の構成図である。 第８実施形態の半導体装置を撮像装置として用いた例を示す図である。 第１１実施形態の撮像装置の断面図である。

＜第１実施形態＞
　第１実施形態の撮像装置１は、図２及び図３に示すように、既に説明した従来の撮像装置１０１と類似している。すなわち、撮像装置１は、撮像素子チップ１０と、配線板３０と、信号ケーブル（以下、単に「ケーブル」ともいう）４０と、を具備する。

　配線板３０は、撮像素子チップ１０と第１の主面３０ＳＡ側が接合された中央部３０Ｍと、中央部３０Ｍから両側に延設された延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２とからなる。延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２は第２の主面３０ＳＢ側に折り曲げられている。このため、配線板３０は撮像素子チップ１０の投影面の延長空間の内部（投影面内）１０Ｓに納まっている。

　半導体からなる撮像素子チップ１０は、固体撮像素子である例えばＣＭＯＳ素子の撮像部１１が、おもて面１０ＳＡに形成されている。撮像素子チップ１０は、それぞれの貫通配線１３を介して、おもて面１０ＳＡの撮像部１１と接続された複数の接合端子１２を裏面１０ＳＢに有する。なお、おもて面１０ＳＡには撮像部１１と貫通配線１３とを接続する配線が形成されているが図示しない。

　撮像素子チップ１０は、例えばシリコン基板に公知の半導体プロセスを用いて多数の撮像部１１及び貫通配線１３等を形成後に、切断することにより作製される。このため、撮像素子チップ１０の平面視形状は略矩形である。撮像素子チップ１０の平面視寸法、言い換えれば、主面の面積は、撮像装置１の細径化のため、小さいことが好ましい。

　ここで、図３及び図４に示すように、撮像装置１の撮像素子チップ１０は、見かけ上、同じ形状の１６個の接合端子１２を有する。しかし、そのうち８個は、撮像部１１とは接続されていないダミー接合端子１２Ｄである。図４では、ダミー接合端子１２Ｄを白丸で表示している。すなわち、撮像部１１に電力を供給する接合端子１２Ｖ、撮像部１１にパルス信号を供給する２個の接合端子１２Ｐ、撮像部１１と信号を送受信する４個の接合端子１２Ｓ、及び撮像部１１を接地電位とする接合端子１２Ｇの８個を除く８個はダミー接合端子１２Ｄである。

　接合端子１２Ｖはケーブル４０の電力を供給する導線４１Ｖと接続されており、接合端子１２Ｐはパルス信号を供給する導線４１Ｐと接続されており、接合端子１２Ｓは信号を送受信する導線４１Ｓと接続されており、接合端子１２Ｇは接地電位の導線４１Ｇと接続されている。（以下、導線４１Ｖ、４１Ｐ、４１Ｓ及び４１Ｇを、それぞれ単に「導線４１」ともいう。）
　接合端子１２及びダミー接合端子１２Ｄの数及び配置は、撮像装置の仕様に応じて選択される。また、接合端子１２の機能等も、上記の構成に限られるものではない。例えば、接合端子１２Ｐは１個でもよいし、接合端子１２Ｇは複数個でもよい。（以下、ダミー接合端子１２Ｄと、接合端子１２Ｖ、１２Ｐ、１２Ｓ及び１２Ｇとを、それぞれ単に「接合端子１２」ともいう。）
　配線板３０の端子電極３２とケーブル４０の導線４１とは、例えば半田４９により接合されている。なお、接地電位の導線４１Ｇは、他の導線の周囲を被覆しているシールド線であってもよい。また、それぞれの導線がシールド線を有していてもよい。特に、ノイズの原因となったり、ノイズの影響を受けたりしやすい導線４１Ｐ及び導線４１Ｓはシールド線であることが好ましい。ケーブル４０は全長にわたって投影面の延長空間内（以下、単に「投影面内」という）１０Ｓに配置されている必要はなく、少なくとも、配線板３０との接合部が投影面内１０Ｓに配置されていればよい。

　図５及び図６に示すように、配線板３０は、第１の主面３０ＳＡを外側に（第２の主面３０ＳＢを内側に）して、延設部３０Ｓ１及び３０Ｓ２を折り曲げることにより、撮像素子チップ１０の投影面内１０Ｓに配置されている。折り曲げ角度θｖは、９０～５０度が好ましく、７５～５５度が特に好ましく、例えば、６５度である。折り曲げ角度θｖが、前記範囲内であれば、配線板３０及びケーブル４０の接合部を撮像素子チップ１０の投影面内１０Ｓに配置できる。なお、後述するように、折り曲げ角度θｖは９０度が最も好ましい場合もある。

　配線板３０は１枚のフレキシブル配線板であるため、中央部３０Ｍ、及び延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２の境界は明確に定義されるものではない。なお、配線板は少なくとも屈曲部が可撓性であればよく、中央部３０Ｍ及び延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２の一部又は全部が硬質基板で構成されたリジッドフレキシブル配線板でもよい。

　配線板３０は、第１の主面３０ＳＡの中央部３０Ｍに撮像素子チップ１０の接合端子１２と接合された接合電極３１を有する。配線板３０は、見かけ上、１６個の接合電極３１を有するが、そのうち８個は、撮像部１１とは接続されていないダミー接合電極３１Ｄである。

　８個のダミー接合電極３１Ｄも、それぞれが、撮像素子チップ１０のダミー接合端子１２Ｄと接合されている。このため、撮像装置１は撮像素子チップ１０と配線板３０とを平行に接合することが容易であり、かつ、接合強度が強い。更に撮像素子チップ１０が発生する熱を、より効率的に配線板３０に伝熱できる。

　なお、図３に示すように、撮像素子チップ１０と配線板３０との間は、封止樹脂１９により封止されていることが好ましい。接合端子１２と接合電極３１との接合には、金バンプ、はんだボール、ＡＣＰ（異方性導電樹脂）又はＡＣＦ（異方性導電フィルム）等を用いる。

　第１の主面３０ＳＡの接合電極３１は、貫通配線３４Ａを介して第２の主面３０ＳＢの配線３３と接続されており、配線３３は貫通配線３４Ｂを介して延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２の第１の主面３０ＳＡの端子電極３２と接続されている。以下、貫通配線３４Ａ、３４Ｂを貫通配線３４という。なお、ダミー接合電極３１Ｄも貫通配線により第２の主面３０ＳＢに接続部を有していてもよい。しかし、ダミー接合電極３１Ｄは、接地電位線（導線４１Ｇ）以外とは接続されない。

　配線板３０は両面配線板であるため、接合電極３１と端子電極３２とは、配線３３及び貫通配線３４Ａ、３４Ｂを介して接続されているが、片面基板の場合には接合電極３１と端子電極３２との接続に貫通配線は不要である。逆に３層以上の配線層を有する多層配線板を用いてもよい。また、配線３３の途中に電子部品を実装してもよい。電子部品にはチップコンデンサ、チップ抵抗、信号処理ＩＣ、ドライバＩＣ、電源ＩＣ、ダイオード、コイル、又はリードスイッチ等から必要な部品が選定される。

　そして、図６及び図７に示すように、配線板３０は、接合電極３１及び端子電極３２が形成されていない領域に形成されている伝熱パターン３５を第１の主面３０ＳＡに有する。図６に例示した配線板３０では、伝熱パターン３５は、接合電極３１を囲むように、第１の主面３０ＳＡの中央部３０Ｍから延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２にわたって形成されている。伝熱パターン３５は撮像部１１の発生した熱を基端部側に伝熱する。

　図７に示すように、第２の主面３０ＳＢには伝熱パターンが形成されていないが、配線３３が形成されていない領域に第２の伝熱パターンが形成されていてもよい。

　接合電極３１、端子電極３２及び伝熱パターン３５は、例えば、第１の主面３０ＳＡの全面に形成された導体膜をパターンエッチングすることにより形成される。すなわち、接合電極３１と伝熱パターン３５とが導通しないように、導体膜が、額縁状にエッチング除去される。もちろん、めっき法により伝熱パターン３５等を形成してもよい。また、伝熱パターン３５を接合電極３１及び端子電極３２等よりも、厚く成膜してもよい。

　伝熱パターン３５の面積は広いことが好ましく、第１の主面３０ＳＡの面積の５０％以上９０％以下であることが特に好ましい。前記範囲の下限以上であれば放熱特性改善効果が顕著で、前記範囲の上限以下であれば、接合電極３１及び端子電極３２の必要面積が確保できる。

　なお、延設部３０Ｓ１又は延設部３０Ｓ２の少なくともいずれかに、端子電極３２及び配線３３が形成されており、延設部３０Ｓ１又は延設部３０Ｓ２の少なくともいずれかに、伝熱パターン３５が形成されていればよい。

　撮像装置１は、所定の狭い空間内に配線板３０等を配置できるために、外寸を小さくすることが容易である。このため撮像装置１は狭い空間内に安定して配設可能である。そして、撮像素子チップ１０が発生した熱は、伝熱パターン３５を介して、基端側へ伝熱される。このため、撮像装置１は、放熱特性に優れている。

　また、撮像素子チップ１０のダミー接合端子１２Ｄと配線板３０のダミー接合電極３１Ｄとが接合されているため、撮像装置１は更に放熱特性に優れている。

＜第２実施形態＞
　次に第２実施形態の撮像装置１Ａについて説明する。撮像装置１Ａは撮像装置１と類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

　図８に示すように、撮像装置１Ａの配線板３０Ａでは、ケーブル４０の接地電位の導線４１Ｇと接合される端子電極３２Ｇが、伝熱パターン３５Ａと一体化している。またダミー接合電極３１Ｄも、伝熱パターン３５Ａと一体化している。すなわち、ダミー接合電極３１Ｄと伝熱パターン３５Ａとは接続されている。なお、配線板３０Ａの第１の主面３０ＳＡは、撮像素子チップ１０の接合端子１２との接合領域を除いて樹脂層（不図示）で覆われている。

　撮像装置１Ａは、撮像装置１の効果を有し、更に、広い面積の伝熱パターン３５Ａが接地電位であるため、信号の送受信等に起因するノイズ放射を防止するとともに、外部からのノイズの影響を受けにくい。さらに、撮像装置１Ａは、ダミー接合電極３１Ｄと伝熱パターン３５Ａとが接続されているため、撮像装置１よりも放熱効果が高い。

＜第３実施形態＞
　次に第３実施形態の撮像装置１Ｂについて説明する。撮像装置１Ｂは、撮像装置１、１Ａと類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

　図１０及び図１１に示すように、撮像装置１Ｂの配線板３０Ｂは、第１の主面３０ＳＡに撮像部１１に電力を供給する電源配線３３Ｖと、パルス信号であるクロック信号を供給する導線４１Ｐと接合される端子電極３２Ｐ及びパルス配線３３Ｐと、伝熱パターン３５Ｂと、を有し、第２の主面３０ＳＢに撮像部１１と信号を送受信する導線４１Ｓと接合される端子電極３２Ｓ及び信号配線３３Ｓを有する。

　撮像装置１Ｂは、撮像装置１、１Ａの効果を有し、更にパルス配線３３Ｐと信号配線３３Ｓが配線板３０Ｂの異なる主面に形成されているため、信号の干渉による受信画像の劣化を防止できる。

　なお、パルス配線３３Ｐと信号配線３３Ｓとが配線板の異なる主面に形成されていれば、本数及び配置等は上記構成に限られるものではなく、撮像装置の仕様に応じて選択される。

　更に、配線板３０Ｂは、第２の主面３０ＳＢにも、接地電位の第２の伝熱パターン３５ＢＢを有するため、撮像装置１Ｂは、撮像装置１、１Ａよりも放熱効果及びシールド効果が高い。

＜第４実施形態＞
　次に第４実施形態の撮像装置１Ｃについて説明する。撮像装置１Ｃは、撮像装置１～１Ｂと類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

　図１２及び図１３に示すように、撮像装置１Ｃの配線板３０Ｃは、略正方形の中央部３０Ｍと、中央部３０Ｍから互いに直交する方向に延設された４つの略矩形の延設部３０Ｓ１～３０Ｓ４と、を有する。

　図１４に示すように、４つの延設部３０Ｓ１～３０Ｓ４は、いずれも内側に折り曲げられているため、配線板３０Ｃは撮像素子チップ１０の投影面内１０Ｓに配置されている。

　なお、端子電極３２と導線４１との接合部を、投影面内１０Ｓに配置するために、延設部３０Ｓ１、３０Ｓ２の折り曲げ角度θｖは、７５～５５度であるが、延設部３０Ｓ３、３０Ｓ４の折り曲げ角度θｖは略９０度である。

　撮像装置１Ｃは、撮像装置１～１Ｂの効果を有し、更に延設部３０Ｓ３、３０Ｓ４にも伝熱パターン３５Ｃ、３５ＣＢが形成されているため、より放熱特性がよい。特に、延設部３０Ｓ３、３０Ｓ４には、配線３３等が形成されていないため、より大面積の伝熱パターンが形成できる。

　なお、互いに直交する方向に延設された３つの延設部を有する配線板を具備する撮像装置であっても、撮像装置１Ｃと同様の効果が得られることは言うまでも無い。

＜第５実施形態＞
　次に第５実施形態の撮像装置１Ｄについて説明する。撮像装置１Ｄは、撮像装置１～１Ｃと類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

　図１５に示すように、撮像装置１Ｄでは、撮像素子チップ１０のおもて面１０ＳＡに接合されたカバーガラス５１と、レンズ及びその支持体からなる光学ユニット５２と、金属からなる外筒部５０と、更に有する。なお、図１６は説明を容易にするため、異なる面に沿った断面図を組み合わせた模式図であり、配線３３等は図示していない。また、光学ユニット５２は複数のレンズ等の光学部材とその固定部材や支持体から構成されるのが通例であるが、模式的に示している。

　ケーブル４０の先端部と撮像素子チップ１０とカバーガラス５１と配線板３０とは、外筒部５０に収納されている。すなわち、外筒部５０の内寸は、撮像素子チップ１０の投影面に略等しい。外筒部５０の内部にはシリコン樹脂等の高熱伝導率の非導電性樹脂５３が充填されている。

　更に撮像装置１Ｄは、延設部が当接している放熱部材であるブロック２０を具備する。ブロック２０は、配線板３０の第２の主面３０ＳＢと当接しているとともに、配線板３０を、所定の空間内、すなわち撮像素子チップ１０の投影面内１０Ｓに配置する固定部材としての機能を有する。また、ブロック２０は配線板３０を安定に保持するため、ケーブル４０の配線板３０への接合作業を容易にする。

　ブロック２０は、撮像素子チップ１０及び配線板３０を一体に保持し機械的強度をあげる補強部材としての機能も有している。すなわち、撮像素子チップ１０は、例えばシリコン基板からなるために、外力により変形したり、破損したりするおそれがある。しかし、撮像素子チップ１０は、ブロック２０が配線板３０を介して接合されることにより機械的強度が増加する。同様に配線板３０も、ブロック２０と接合されることにより、可撓性は実質的に失われるが、強度が増加する。

　また、撮像装置１Ｄは、配線板３０はブロック２０に当接した状態で固定されるため、折り曲げ時に特別な治具等を用いなくとも、常に所定角度で屈曲した状態となる。すなわち、撮像装置１は、所定の狭い空間内に配線板３０等を容易に配設可能である。

　なお、本明細書において、「当接」とは他部材を介さず直接接触している場合だけでなく、薄い接合層を介して接合されている場合も含む。例えば、熱伝導性の高いシリコン樹脂を接合層として好ましく用いることができる。

　また撮像装置１Ｄのケーブル４０は複数の導線４１を覆う、メッシュ状の金属からなるシールド線４２を有する。そして、シールド線４２が、ブロック２０及び外筒部５０と接合されている。このため、ブロック２０及び外筒部５０の熱が、熱伝導性の高いシールド線４２を介して効率的に基端部側に伝熱される。

　撮像装置１Ｄは、撮像装置１～１Ｃの効果を有し、更に製造が容易で、かつ、放熱特性が優れている。

＜第６実施形態＞
　次に第６実施形態の撮像装置１Ｅについて説明する。撮像装置１Ｅは、撮像装置１～１Ｄと類似しているので同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

　図１６に示すように、撮像装置１Ｅは、撮像装置１Ｃと同じように、４方向に延設部のある配線板３０Ｃを有する。更に、伝熱パターン３５Ｃの一部が外筒部５０の内面と当接している。なお、図１６は図１５と同様の模式図であり、配線３３等は図示していない。

　撮像装置１Ｅでは、撮像部１１が発生した熱が、伝熱パターン３５Ｃを介して外筒部５０に効率的に伝熱される。このため、撮像装置１Ｅは、撮像装置１～１Ｄの効果を有し、更に放熱特性が優れている。

＜第７実施形態＞
　次に第７実施形態の内視鏡９について説明する。図１７に示すように、内視鏡９は、撮像装置１～１Ｅを挿入部３の先端部２に有している。更に内視鏡９は、挿入部３の基端側に配設された操作部４と、操作部４から延出するユニバーサルコード５と、を具備する。

　操作部４は術者が把持しながら操作する各種のスイッチ等が配設されている。撮像装置１のケーブル４０は、挿入部及びユニバーサルコード５を挿通し、ユニバーサルコードの基端部に配設されたコネクタを介して、画像処理等を行う本体部（不図示）と接続される。

　内視鏡９は、狭い空間内に配設できる放熱特性に優れた撮像装置１～１Ｅを先端部に具備するため、先端部が細径であり、熱安定性に優れている。

＜第８実施形態＞
＜半導体装置の構成＞
　図１８及び図１９に示すように、第８実施形態の半導体装置２１０は、半導体装置（以下「半導体チップ」という）２０１とフレキシブル基板（以下「配線板」という）２０５を具備している。

　半導体チップ２０１の第１の主面（先端面２０１ｉ）とは反対の第２の主面（後端面２０１ｔ）には接続端子２０２が設けられている。接続端子２０２には、配線板２０５の後述する実装面２０５ｊに設けられた基板電極２０３が電気的に接続されている。そして配線板２０５は屈曲されているため、半導体チップ２０１を先端面２０１ｉと後端面２０１ｔとを結ぶ厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なっている。

　ポリイミド等の可撓性樹脂を基体とする配線板２０５は、図２０に示すように、半導体チップ２０１の外形と基板電極２０３との間の位置において、例えば１点鎖線Ｃに沿って２箇所が、屈曲角度が９０度以下となるよう部分円弧状に屈曲されている。このため配線板２０５は、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なるよう、半導体チップ２０１の厚み方向Ａにおいて後端面２０１ｔから離間する方向（以下、後方という）に配設されている。

　すなわち、配線板２０５には、屈曲部２０５ｃが２箇所形成されている。配線板２０５の外周面２０５ｇのうち、２箇所の屈曲部２０５ｃ間の半導体チップ２０１の後端面（第２の主面）２０１ｔと平行な領域を「実装面２０５ｊ」という。

　なお、図２０に示すように、配線板２０５の外周面２０５ｇには、基板電極２０３、信号ケーブル（不図示）が電気的に接続される接続電極２０５ｒ、接続電極２０５ｒと基板電極２０３とを電気的に接続する配線パターン２０５ｈが形成されている。

　ここで、屈曲部２０５ｃが９０度よりも大きな角度で屈曲されていると、配線板２０５の外周面２０５ｇに電子部品を実装したり、接続電極２０５ｒに信号ケーブルを電気的に接続したりすると、電子部品や信号ケーブルが半導体チップ２０１の外形よりも外側に、はみ出てしまい、半導体装置２１０が大型化する。なお、屈曲部２０５ｃの屈曲角度は、９０度未満の鋭角に設定されていることが好ましい。

　樹脂２０８は、例えばアンダーフィル用の封止樹脂である。樹脂２０８は、半導体チップ２０１の後端面２０１ｔよりも後方において、少なくとも後端面２０１ｔと配線板２０５の実装面２０５ｊとの間の空間Ｋに充填されおり、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なる。

　そして、図１８、図１９に示すように、樹脂２０８は、厚み方向Ａに直交する水平方向Ｂにおいて、半導体チップ２０１の外形よりも外側に、はみ出すことがない程度に、空間Ｋから実装面２０５ｊよりも長さＰ１だけ外側に、はみ出している。なお、「はみ出す」とは。所定の範囲から外に出ている状態である。

　さらに、樹脂２０８は、空間Ｋから実装面２０５ｊよりも厚み方向Ａにおいて後方に配線板２０５の外周面２０５ｇにおける屈曲部２０５ｃに沿って長さＰ２だけ、はみ出している。すなわち樹脂２０８は、屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで空間Ｋから、はみ出している。なお、屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで、はみ出した樹脂２０８も、半導体チップ２０１の外形よりも水平方向Ｂにおいて外側には、はみ出すことなく位置している。

　なお、屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇに対する、はみ出した樹脂２０８の付着性が向上するように、屈曲部２０５ｃの樹脂２０８が付着する外周面２０５ｃｇには、プラズマクリーニング等によって親水性処理を施されていたり、表面粗さが粗く形成されていたりすることが好ましい。

　なお、樹脂２０８には、カーボン粒子や顔料等を含有させても良く、また、フィラー等を含有させても良い。カーボン粒子や顔料を含有していると、遮光性を向上させることができ、熱伝導率の高いフィラーを含有していると、放熱性を向上できる。

＜半導体装置の製造方法＞
　次に、図２１～図２５を用いて半導体装置２１０の製造方法について説明する。

＜実装工程＞
　図２２に示すように、半導体チップ２０１の後端面２０１ｔに設けられた接続端子２０２に、非屈曲状態（平板状態）の配線板２０５の基板電極２０３を電気的に接続する配線板実装工程を行う。接続端子２０２への基板電極２０３の電気的接続には、配線板２０５側から熱Ｎを加えて行う。

　配線板２０５側から熱Ｎを加えるのは、半導体チップ２０１の先端面２０１ｉに、後述するカバーガラス２６０（図３７参照）が貼着されている場合、半導体チップ２０１側から接続部へ熱Ｎを加え難くなるためである。

＜治具取り付け工程＞
　図２３に示すように、配線板２０５の実装面２０５ｊとは反対側の内周面２０５ｎに対して、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に重なる位置に、固定治具２２０を取り付ける治具取り付け工程を行う。

＜屈曲工程＞
　図２４に示すように、配線板２０５を２箇所、具体的には、図２０に示すように線Ｃに沿って９０度以下の角度に屈曲させることにより、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、配線板２０５が半導体チップ２０１に全体が重なるよう配線板２０５を位置させるとともに、固定治具２２０により配線板２０５の屈曲形状を機械的に保持する配線板屈曲工程を行う。なお、屈曲後、配線板２０５の内周面２０５ｎは、固定治具２２０の外周面に接触する。

＜樹脂充填工程＞
　図２５に示すように、少なくとも半導体チップ２０１の後端面２０１ｔと配線板２０５の実装面２０５ｊとの間の空間Ｋに樹脂２０８を充填する樹脂充填工程を行う。樹脂充填工程では、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、後端面２０１ｔよりも後方において樹脂２０８が半導体チップ２０１と全体が重なるよう樹脂２０８を充填するとともに、オーブン等によって樹脂２０８を硬化する。

　図２１に示すように、空間Ｋに対して樹脂２０８が１００％充填される第１の量α以上かつ、実装面２０５ｊを図２１の２点鎖線に示すように半導体チップ２０１の外形まで広げた際の実装面２０５ｊと後端面２０１ｔとの間の設定空間Ｋ´に対して樹脂２０８が１００％充填される第２の量α´以下の充填量となる樹脂２０８を、図２５に示すように、実装面２０５ｊよりも下方から、具体的には、屈曲部２０５ｃ近傍から少なくとも空間Ｋに、例えばディスペンサ２２５を用いて充填する。

　なお、空間Ｍに第１の量αを充填した後、各屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇに対して樹脂２０８を別途塗布することにより、樹脂２０８の各屈曲部２０５ｃに沿った長さＰ２の、はみ出し部を形成しても構わない。

　その結果、樹脂２０８は、空間Ｋから実装面２０５ｊよりも厚み方向Ａにおいて後方に、配線板２０５の各屈曲部２０５ｃに沿って長さＰ２だけ、はみ出す。

＜治具取り外し工程＞
　樹脂充填工程後、固定治具２２０を配線板２０５から取り外す治具取り外し工程を行うことにより、半導体装置２１０が製造される。

　本実施形態においては、配線板２０５は、半導体チップ２０１の後端面２０１ｔの接続端子２０２に対して、基板電極２０３が電気的に接続されることにより半導体チップ２０１の後方に位置しており、また、２箇所が屈曲されることにより、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なるよう位置している。

　また、少なくとも配線板２０５の実装面２０５ｊと半導体チップ２０１の後端面２０１ｔとの間の空間Ｋに充填される樹脂２０８は、各屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで空間Ｋから、はみ出して位置しているともに、樹脂２０８も半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なるよう充填されている。

　このため、配線板２０５及び樹脂２０８が半導体チップ２０１の外形から水平方向Ｂにおいて外側に、はみ出すことがないことから半導体装置２１０を小型化できる。

　また、空間Ｋから各屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで、はみ出した樹脂２０８が、配線板２０５を強固に固定するとともに、配線板２０５が非屈曲状態に戻ろうとする動作（スプリングバックと呼ばれることもある）を防止できることにより、配線板２０５の曲げ形状を維持できることから、接続端子２０２に対する基板電極２０３の接続信頼性が向上する。

　さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、配線板２０５を屈曲させてから、空間Ｋに樹脂２０８を充填する。このため、従来のように、樹脂硬化後の配線板２０５の屈曲に伴い、樹脂２０８に負荷がかかってしまうことがない他、容易に、配線板２０５を、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なるよう位置させることができる。

　また、配線板２０５の基板電極２０３に対する半導体チップ２０１の接続端子２０２の接続は、既知のＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｍｏｕｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）等の一般的な実装方法により容易に行うことができる。

　以上の説明のように、本実施形態によれば、半導体チップ２０１に配線板２０５を強固に固定できるとともに、屈曲させた配線板２０５を半導体チップ２０１の外形内に位置させることにより小型の半導体装置２１０、半導体装置２１０の製造方法を提供できる。

＜変形例１＞
　図２６～図２９を用いて変形例１の製造方法を説明する。

＜治具取り付け工程＞
　図２６に示すように、変形例１では、配線板２０５の実装面２０５ｊとは反対側の内周面２０５ｎに、固定治具２２０を取り付ける治具取り付け工程を行う。

＜屈曲工程＞
　次いで、図２７に示すように、配線板２０５を２箇所、具体的には、図２０に示すように線Ｃに沿って９０度以下に屈曲させることにより、固定治具２２０により配線板２０５の屈曲形状を機械的に保持する配線板屈曲工程を行う。なお、屈曲後、配線板２０５の内周面２０５ｎは、固定治具２２０の外周面に接触する。

＜樹脂塗布工程＞
　次いで、図２８に示すように、配線板２０５の実装面２０５ｊに樹脂２０８を塗布する樹脂塗布工程を行う。

＜実装工程＞
　その後、図２９に示すように、半導体チップ２０１の接続端子２０２を、配線板２０５の実装面２０５ｊに設けられた基板電極２０３に、樹脂２０８を半導体チップ２０１にて荷重を加えて押し潰しながら電気的に接続することにより、少なくとも空間Ｋにおいて、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、後端面２０１ｔよりも後方において樹脂２０８及び配線板２０５が半導体チップ２０１と全体が重なるよう位置させるとともに、配線板２０５への実装を終えるまでに、または実装した後で、加熱手段によって樹脂２０８を硬化させる半導体素子チップ実装工程を行う。

　図２１に示したように、空間Ｋに対して樹脂２０８が１００％充填される第１の量α以上かつ、実装面２０５ｊを図２１の２点鎖線に示すように半導体チップ２０１の外形まで広げた際の実装面２０５ｊと後端面２０１ｔとの間の設定空間Ｋ´に対して樹脂２０８が１００％充填される第２の量α´’以下の充填量となる樹脂２０８を、図２８に示すように、実装面２０５ｊに塗布している。

　その結果、半導体素子チップ実装工程後、樹脂２０８は、空間Ｋから実装面２０５ｊよりも厚み方向Ａにおいて後方に、配線板２０５の各屈曲部２０５ｃに沿って長さＰ２だけ、はみ出す。

　なお、実装面２０５ｊに第１の量αを塗布した後、上述したように、接続端子２０２に基板電極２０３を接続し、その後、各屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇに対して樹脂２０８を更に塗布することにより、樹脂２０８の各屈曲部２０５ｃに沿った長さＰ２の、はみ出し部を形成しても構わない。

＜治具取り外し工程＞
　半導体素子チップ実装工程後、固定治具２２０を配線板２０５から取り外す治具取り外し工程を行うことにより、変形例１の半導体装置２１０が製造される。

　変形例１では、配線板２０５を屈曲させた後に、配線板の基板電極２０３を、半導体チップ２０１の接続端子２０２に電気的に接続しているため、配線板に加わる曲げ応力を軽減できる他、配線板２０５の屈曲に伴って樹脂２０８に負荷がかかってしまうことがない等、実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜変形例２＞
　図３０を用いて変形例２を説明する。

　第８実施形態では、配線板２０５は、２箇所が屈曲されていた、すなわち、屈曲部２０５ｃが２箇所形成されていた。

　これに対して、図３０に示すように、変形例２では、屈曲部２０５ｃが１箇所のみに形成されるが、第８実施形態と同じように、半導体チップ２０１の後方において、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、配線板２０５が半導体チップ２０１に全体が重なるよう位置している。

　なお、変形例２においても、樹脂２０８は半導体チップ２０１の外形から水平方向Ｂにおいて外側に、はみ出すことがなく、また、１箇所の屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで空間Ｋから長さＰ２だけ、はみ出している。

＜変形例３＞
　図３１～図３３を用いて変形例３を説明する。

　図３３に示すように、変形例３の配線板２０５は、４箇所に屈曲部２０５ｃが形成されている。

　図３１に示すように、４つの部位２０５ｖ、２０５ｗ、２０５ｘ、２０５ｙを有する十字状の配線板２０５の外周面２０５ｇに露出する基板電極２０３に対し、図３２に示すように半導体チップ２０１の接続端子２０２を、十字状の配線板２０５の４つの部位２０５ｖ、２０５ｗ、２０５ｘ、２０５ｙが交差する中央部にて電気的に接続した後、図３３に示すように各部位２０５ｖ、２０５ｗ、２０５ｘ、２０５ｙをそれぞれ９０度以下に屈曲させることにより、４箇所に屈曲部２０５ｃが形成されている。

　変形例３においても、配線板２０５は、半導体チップ２０１の後方において、半導体チップ２０１を厚み方向Ａから平面視した際、半導体チップ２０１に全体が重なるよう位置しているとともに、樹脂２０８は半導体チップ２０１の外形から水平方向Ｂにおいて外側に、はみ出すことがない他、４箇所の屈曲部２０５ｃの外周面２０５ｃｇまで空間Ｋから長さＰ２だけ、はみ出している。

＜第９実施形態＞
　本実施形態は、第８実施形態と比して、配線板の内周面に補強樹脂が固定されている点、及び配線板の内周面に補強樹脂を充填する工程を有している点が異なる。このため、相違点のみを説明し、第８実施形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。

　図３４に示すように、本実施形態の半導体装置２１０においては、配線板２０５の内周面２０５ｎに、配線板２０５の屈曲形状を固定する補強樹脂２３０が固定されている。すなわち、配線板２０５の内部の空間Ｍに補強樹脂２３０が設けられている。なお、補強樹脂２３０は、樹脂２０８と同じ材質であっても良く、異なる材質を用いても良い。

　本実施形態の半導体装置の製造方法を、図３５を用いて示す。図３５は、図３４の配線板の内部の空間に、補強樹脂を充填する補強樹脂充填工程を示す図である。

　本実施形態においては、上述した治具取り外し工程後に形成された半導体装置２１０を（厚み方向Ａにおいて逆向きに）倒置した後、図３５に示すように、配線板２０５の開口から、内部の空間Ｍに、配線板２０５の屈曲形状を固定する補強樹脂２３０を、ディスペンサ２３５等によって充填する補強樹脂充填工程を行う。

　その結果、配線板２０５の内周面２０５ｎには、補強樹脂２３０が固定される。

　本実施形態によれば、第８実施形態の効果に加え、配線板２０５の屈曲形状が補強樹脂２３０によってさらに補強されることから、半導体装置２１０の強度をより向上させることができる。

＜第１０実施形態＞
　本実施形態の半導体装置の構成は、第８実施形態と比して、配線板の内周面に放熱部材が固定されている点、及び配線板の内周面に放熱部材を固定する工程を有している点が異なる。このため、相違点のみを説明し、第８実施形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。

　図３６に示すように、本実施形態の半導体装置２１０においては、配線板２０５の内周面２０５ｎに、配線板２０５の屈曲形状を固定するとともに、半導体チップ２０１から配線板２０５を介して伝熱された熱を放熱する放熱部材２４０が固定されている。すなわち、配線板２０５の内部の空間Ｍに放熱部材２４０が設けられている。なお、放熱部材２４０としては、ＳＵＳ、アルミニウム、セラミックス等の無機材料や、樹脂材料等が挙げられる。

　なお、本実施形態の製造方法としては、第８実施形態の治具取り付け工程における固定治具２２０の代わりに、固定治具２２０と同形状を有する放熱部材２４０を用いる。

　なお、本実施形態においては、空間Ｍに放熱部材２４０を残すことから、第８実施形態に示した治具取り外し工程は不要となる。

　本実施形態によれば、治具取り外し工程が不要となるため、製造工程数を削減できる他、配線板２０５の屈曲形状がさらに補強され、さらに、放熱部材２４０により、半導体装置２１０の放熱性を向上させることができる。

＜撮像装置＞
　ここで、第８～第１０実施形態の半導体装置は、例えば撮像装置として用いられる。例えば、図３７は、第８実施形態の半導体装置２１０を撮像装置２１０Ａとして用いた例を示す図である。半導体チップは、受光部２０１ｅが形成された撮像素子チップ２０１Ａである。撮像素子チップ２０１Ａの先端面２０１ｉには、受光部２０１ｅを覆うカバーガラス２６０が貼着されている。

　第８～第１０実施形態の半導体装置を撮像装置に適用すれば、配線板２０５及び樹脂２０８が半導体装置２１０の外形内に位置していることから小型化であるため、小型化、小径化が要求される内視鏡の挿入部の先端に好適に搭載される。

　なお、撮像装置は、医療用または工業用の内視鏡に設けられる他、医療用のカプセル内視鏡に設けられていても構わないし、内視鏡に限らず、カメラ付き携帯電話や、デジタルカメラに適用しても良いことは言うまでもない。さらに、半導体装置２１０は、撮像装置とは異なる他の装置にも適用可能である。

＜第１１実施形態＞
　第１～第７実施形態の撮像装置１～１Ｅ等が、第８～第１０実施形態の半導体装置の構成を具備していてもよい。

　例えば、図３８に示す第１１実施形態の撮像装置１Ｆは、撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する撮像素子チップと、前記撮像部と接続された導線を有する信号ケーブルと、中央部と前記中央部から延設された複数の延設部とからなり、前記中央部に形成された、前記接合端子と接合された接合電極と、前記延設部に形成された、前記導線と接合された端子電極と、前記接合電極と前記端子電極とを接続する配線と、前記接合電極、前記端子電極及び前記配線が形成されていない領域に形成されている伝熱パターンと、を有し、前記延設部が折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置されている配線板と、前記撮像素子チップと前記配線板との間の空間に充填されているとともに、前記配線板の実装面よりも厚み方向において主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って前記空間から、はみ出している封止樹脂と、を具備する。

　撮像装置１Ｆは、第１～第７実施形態の撮像装置１～１Ｅの効果と、第８～第１０実施形態の半導体装置と、を有する。

　本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変、組み合わせ等ができる。

　本出願は、２０１２年１０月２３日に日本国に出願された特願２０１２－２３３９８４号及び２０１２年１１月１２日に日本国に出願された特願２０１２－２４８６７６号を優先権主張の基礎として出願するものであり、上記の開示内容は、本願明細書、請求の範囲、図面に引用されたものとする。

Claims (21)

1. 　撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する撮像素子チップと、
   　前記撮像部と接続された導線を有する信号ケーブルと、
   　中央部と前記中央部から延設された複数の延設部とからなり、前記中央部に形成された、前記接合端子と接合された接合電極と、前記延設部に形成された、前記導線と接合された端子電極と、前記接合電極と前記端子電極とを接続する配線と、前記接合電極、前記端子電極及び前記配線が形成されていない領域に形成されている伝熱パターンと、を有し、前記延設部が折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置されている配線板と、を具備することを特徴とする撮像装置。
2. 　前記撮像素子チップが、前記接合端子と同じ形状で、前記撮像部と接続されていないダミー接合端子を裏面に有し、
   　前記配線板が、前記接合電極と同じ形状で、前記ダミー接合端子と接合されたダミー接合電極を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 　前記配線板の前記伝熱パターンが、前記信号ケーブルの接地電位の導線と接続されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
4. 　前記配線板が、第１の主面及び第２の主面に配線層を有する両面配線板であり、前記撮像部に電力を供給する配線である電源配線と、前記撮像部にパルス信号を供給する配線であるパルス配線と、前記伝熱パターンと、を前記第１の主面に有し、前記撮像部と信号を送受信する配線である信号配線を前記第２の主面に有することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
5. 　前記配線板が、前記第２の主面に第２の伝熱パターンを有することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
6. 　前記配線板が、前記中央部から互いに直交する方向に延設された３つ又は４つの前記延設部と、を有し、少なくとも一の前記延設部に前記複数の端子電極及び前記複数の配線が形成されており、少なくとも一の前記延設部に前記伝熱パターンが形成されていることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
7. 　前記撮像素子チップと前記配線板と前記信号ケーブルの一部とが収納された、金属からなる外筒部を具備し、
   　前記伝熱パターンの一部が前記外筒部の内面と当接していることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
8. 　前記延設部の主面が当接している伝熱部材を具備することを特徴とする請求項７に記載の撮像装置
9. 　前記信号ケーブルがシールド線を有し、
   　前記シールド線が前記伝熱部材及び前記外筒部と接合されていることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置
10. 　請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の撮像装置が先端部に配設された挿入部と、
    　前記挿入部の基端側に配設された操作部と、
    　前記操作部から延出するユニバーサルコードと、を具備することを特徴とする内視鏡。
11. 　第１の主面および第２の主面を有する半導体素子チップと、
    　前記半導体素子チップの前記第２の主面に実装された、前記半導体素子チップの厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるように屈曲している配線板と、
    　前記半導体素子チップの前記第２の主面と、前記配線板の前記第２の主面への実装面との、間の空間に充填されるとともに、前記半導体素子チップを前記厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるよう位置する樹脂と、を具備し、
    　前記樹脂は、前記実装面よりも前記厚み方向において前記第２の主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って前記空間から、はみ出していることを特徴とする半導体装置。
12. 　前記屈曲部の前記樹脂が付着する面に、親水性処理が施されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 　前記配線板の内周面に、前記配線板の屈曲形状を固定する補強樹脂が配設されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置。
14. 　前記配線板の内周面に、前記配線板の屈曲形状を固定するとともに前記半導体素子チップから前記配線板を介して伝熱された熱を放熱する放熱部材が配設されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置。
15. 　半導体素子チップの第１の主面とは反対側の第２の主面を、配線板に、実装する配線板実装工程と、
    　前記配線板の前記第２の主面への実装面とは反対側の面に固定治具を取り付ける治具取り付け工程と、
    　前記配線板を屈曲させることにより、前記半導体素子チップを前記第１の主面と前記第２の主面とを結ぶ前記半導体素子チップの厚み方向から平面視した際、前記配線板を前記半導体素子チップに全体が重なるよう位置させるとともに、前記固定治具により前記配線板の屈曲形状を保持する配線板屈曲工程と、
    　前記半導体素子チップの前記第２の主面と前記配線板の前記実装面との間の空間に樹脂を充填することにより、前記空間において、前記半導体素子チップを前記厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるよう前記樹脂を位置させるとともに前記樹脂を硬化させる樹脂充填工程と、を具備し、
    　前記樹脂充填工程において、前記空間に対して前記樹脂が１００％充填される第１の量以上かつ、前記実装面を前記半導体素子チップの外形まで広げた際の前記実装面と前記第２の主面との間の設定空間に対して前記樹脂が１００％充填される第２の量以下の充填量によって前記樹脂を充填することにより、前記樹脂は、前記空間から前記実装面よりも前記厚み方向において前記第２の主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って、はみ出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 　配線板の半導体素子チップへの実装面とは反対側の面に固定治具を取り付ける治具取り付け工程と、
    　前記配線板を屈曲させるとともに前記固定治具により前記配線板の屈曲形状を保持する配線板屈曲工程と、
    　前記配線板の前記実装面に樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、
    　前記配線板の前記実装面に、前記半導体素子チップの第１の主面とは反対側の第２の主面を、前記樹脂を押し潰しながら実装することにより、少なくとも前記半導体素子チップの前記第２の主面と前記配線板の前記実装面との間の空間において、前記半導体素子チップを前記第１の主面と前記第２の主面とを結ぶ前記半導体素子チップの厚み方向から平面視した際、前記半導体素子チップに全体が重なるよう屈曲された前記配線板及び前記樹脂を位置させるとともに、前記樹脂を硬化させる半導体素子チップ実装工程と、を具備し、
    　前記樹脂塗布工程において、前記空間に対して前記樹脂が１００％充填される第１の量以上かつ、前記実装面を前記半導体素子チップの外形まで広げた際の前記実装面と前記第２の主面との間の設定空間に対して前記樹脂が１００％充填される第２の量以下の充填量となるよう前記樹脂を塗布することにより、前記樹脂は、前記空間から前記実装面よりも前記厚み方向において前記第２の主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って、はみ出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 　前記樹脂充填工程後、前記固定治具を前記配線板から取り外す治具取り外し工程をさらに具備することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
18. 　前記半導体素子チップ実装工程後、前記固定治具を前記配線板から取り外す治具取り外し工程をさらに具備することを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
19. 　前記治具取り外し工程後、前記配線板における前記外周面とは反対の内周面に、前記配線板の屈曲形状を固定する補強樹脂を充填する補強樹脂充填工程をさらに具備することを特徴とする請求項１７または１８に記載の半導体装置の製造方法。
20. 　前記固定治具は、前記配線板の屈曲形状を固定するとともに前記半導体素子チップから前記配線板を介して伝熱された熱を放熱する放熱部材であることを特徴とする請求項１５または１６に記載の半導体装置の製造方法。
21. 　撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する撮像素子チップと、
    　前記撮像部と接続された導線を有する信号ケーブルと、
    　中央部と前記中央部から延設された複数の延設部とからなり、前記中央部に形成された、前記接合端子と接合された接合電極と、前記延設部に形成された、前記導線と接合された端子電極と、前記接合電極と前記端子電極とを接続する配線と、前記接合電極、前記端子電極及び前記配線が形成されていない領域に形成されている伝熱パターンと、を有し、前記延設部が折り曲げられていることにより前記撮像素子チップの投影面内に配置されている配線板と、
    　前記撮像素子チップと前記配線板との間の空間に充填されているとともに、前記配線板の実装面よりも厚み方向において主面から離間する方向に、前記配線板の前記実装面が形成された外周面における屈曲部に沿って前記空間から、はみ出している封止樹脂と、を具備することを特徴とする撮像装置。

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