WO2013019399A3 - Procédé de fabrication d'un produit monocristallin - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un produit monocristallin ayant une dimension cible. Le procédé comprend l'étape consistant à produire une première matière cristalline dans la zone chaude d'un appareil de croissance cristalline à l'aide d'un premier creuset, la première matière cristalline ayant une partie monocristalline intérieure qui est trop faible pour éliminer le produit monocristallin désiré, et par la suite produire une seconde matière cristalline dans la zone chaude du même appareil de croissance cristalline à l'aide d'un second creuset ayant des dimensions définies. La seconde matière cristalline résultante a une partie monocristalline intérieure plus grande à partir de laquelle le produit monocristallin désiré peut être retiré.
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|---|---|---|---|
| US201161515124P | 2011-08-04 | 2011-08-04 | |
| US61/515,124 | 2011-08-04 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2013019399A2 WO2013019399A2 (fr) | 2013-02-07 |
| WO2013019399A3 true WO2013019399A3 (fr) | 2013-06-06 |
Family
ID=47629840
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/US2012/047057 Ceased WO2013019399A2 (fr) | 2011-08-04 | 2012-07-17 | Procédé de fabrication d'un produit monocristallin |
Country Status (1)
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|---|---|
| WO (1) | WO2013019399A2 (fr) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6743293B2 (en) * | 2000-12-01 | 2004-06-01 | Shusaku Kabushiki Kaiksha | Cruicible and growth method for polycrystal silicon using same |
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| KR20100136253A (ko) * | 2009-06-18 | 2010-12-28 | 김영조 | 조립 도가니를 구비한 실리콘 잉곳 제조용 도가니. |
-
2012
- 2012-07-17 WO PCT/US2012/047057 patent/WO2013019399A2/fr not_active Ceased
Patent Citations (4)
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| WO2013019399A2 (fr) | 2013-02-07 |
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