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WO2012014962A1 - ナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置 - Google Patents

ナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置 Download PDF

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Publication number
WO2012014962A1
WO2012014962A1 PCT/JP2011/067220 JP2011067220W WO2012014962A1 WO 2012014962 A1 WO2012014962 A1 WO 2012014962A1 JP 2011067220 W JP2011067220 W JP 2011067220W WO 2012014962 A1 WO2012014962 A1 WO 2012014962A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin
stamper
nanoimprint
resin stamper
nanoimprinting
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2011/067220
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
聡之 石井
雅彦 荻野
礼健 志澤
恭一 森
宮内　昭浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Publication of WO2012014962A1 publication Critical patent/WO2012014962A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
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    • G03F7/004—Photosensitive materials
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    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Definitions

  • the present invention relates to a nanoimprint resin stamper for forming a fine structure (fine pattern) on a surface thereof by being pressed against a transfer object.
  • a photolithography technique has been often used as a technique for processing a fine pattern required for a semiconductor device or the like.
  • the pattern becomes finer and the required processing dimensions become as small as the wavelength of light used for exposure, it is difficult to cope with the photolithography technique. Therefore, instead of this, an electron beam drawing apparatus, which is a kind of charged particle beam apparatus, has come to be used.
  • the pattern formation using this electron beam employs a method of directly drawing a mask pattern, unlike the batch exposure method in pattern formation using a light source such as i-line or excimer laser. Therefore, the exposure (drawing) time increases as the pattern to be drawn increases, and it takes time to complete the pattern. As the degree of integration of the semiconductor integrated circuit increases, the time required for pattern formation increases. There is a concern that the throughput will decrease.
  • a nanoimprint technique is known as a technique for performing highly accurate pattern formation at a low cost.
  • a stamper on which unevenness (surface shape) corresponding to the unevenness of a fine pattern to be formed is embossed, for example, on a transfer target obtained by forming a resin layer on a predetermined substrate.
  • the fine pattern can be transferred to the resin layer.
  • the resin layer made of a photocurable resin is embossed, and the resin layer is cured by irradiating light through the stamper. be able to.
  • Such nanoimprint technology has been studied for application to formation of a recording bit pattern on a large-capacity recording medium and formation of a pattern of a semiconductor integrated circuit.
  • a hard stamper such as quartz is known as a stamper that has been used in the conventional nanoimprint technology and has optical transparency.
  • a hard stamper such as quartz cannot follow the warp and protrusion of the substrate to be transferred during transfer, and there is a problem that a defective transfer region occurs in a wide range.
  • the stamper is required to absorb both the warp and the protrusion of the transferred substrate on which the resin layer is formed.
  • a stamper soft stamper formed of a flexible resin so as to follow both the warp and the protrusion of the transfer substrate has been proposed (for example, see Patent Document 1).
  • Such a soft stamper can prevent a transfer failure by following a warp or a protrusion of the substrate to be transferred with a flexible and thick resin.
  • the releasability with respect to the transfer target is important.
  • a hard stamper such as quartz is treated with a fluorine-based mold release agent (for example, see Patent Document 2).
  • a stamper using a fluorine-based resin or a silicone-based resin is also known (see, for example, Patent Document 3).
  • a hard stamper such as quartz treated with a fluorine-based mold release agent is liable to cause transfer failure.
  • stampers using fluororesins or silicone resins also have insufficient followability to warps and protrusions of the substrate to be transferred compared to the soft stampers described above, and transfer defects cannot be prevented sufficiently. There's a problem. Therefore, it is conceivable to perform a mold release treatment on the surface of the soft stamper.
  • the light curable resin layer is irradiated with light (for example, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) through the soft stamper.
  • light for example, ultraviolet light having a wavelength of 365 nm
  • the soft stamper with reduced light transmittance has a problem that the transfer accuracy is lowered due to thermal expansion caused by absorbed light.
  • a release agent is applied to the surface of the soft stamper, there is a problem that unevenness of the coating thickness occurs due to wettability and the like, and the transfer accuracy of the fine pattern is lowered.
  • the release layer formed on the surface of the soft stamper is likely to be deteriorated by repeated transfer, and so-called repeated transfer property is insufficient. Therefore, the light-transmitting stamper used in nanoimprint technology has sufficient light transmission to maintain good throughput, and has excellent transfer accuracy of fine patterns on the transfer target, and repeatability In addition, there is a demand for a resin stamper for nanoimprinting that is superior to the above.
  • an object of the present invention is to provide a nanoimprint resin stamper that has sufficient light transmittance so as to maintain a good throughput, is excellent in the transfer accuracy of a fine pattern on a transfer target, and is excellent in repetitive transfer properties.
  • An object of the present invention is to provide a nanoimprint apparatus using the above.
  • the present invention for solving the above-mentioned problems is a silsesquioxane derivative as a main component having a plurality of polymerizable functional groups, and a polymerizable compound having a plurality of polymerizable functional groups and different from the silsesquioxane derivative.
  • a resin stamper for nanoimprint comprising a microstructure layer made of a polymer of a resin composition containing a resin component and a photopolymerization initiator on a light-transmitting support substrate, wherein the photopolymerization initiator is , 0.3 mass% or more and 3 mass% or less with respect to the total mass of the silsesquioxane derivative and the polymerizable resin component, and the microstructure layer emits 80% of light having a wavelength of 365 nm. It is characterized by the above transmission.
  • the present invention for solving the above-described problems includes a silsesquioxane derivative as a main component having a plurality of polymerizable functional groups, a plurality of polymerizable functional groups, and different from the silsesquioxane derivative.
  • a nanoimprinting resin stamper comprising a microstructure layer composed of a polymer of a resin composition containing a polymerizable resin component and a thermal polymerization initiator on a light-transmitting support substrate, wherein the thermal polymerization starts
  • the agent is 0.5% by mass or more and less than 15% by mass with respect to the total mass of the silsesquioxane derivative and the polymerizable resin component, and the microstructure layer emits light having a wavelength of 365 nm. It is characterized by transmitting 80% or more.
  • the nanoimprint apparatus of the present invention that solves the above problems includes the nanoimprint resin stamper, a fixing block that fixes the nanoimprint resin stamper, a stage block that holds a transfer target, the nanoimprint resin stamper, and the nanoimprint resin stamper. And a drive mechanism for driving at least one of the fixed block and the stage block so as to be separated after contacting the transfer target.
  • a nanoimprint resin stamper having sufficient light transmittance so that good throughput can be maintained, excellent transfer accuracy of a fine pattern to a transfer target, and excellent repeatability and use thereof
  • the nanoimprint apparatus can be provided.
  • FIG. 1 is a configuration explanatory diagram of a nanoimprint apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. FIG. 3 is a configuration explanatory view of a resin stamper for nanoimprinting according to an embodiment of the present invention.
  • (A)-(c) is process explanatory drawing which shows typically the manufacturing method of the resin stamper for nanoimprints. It is a structure explanatory view of the resin stamper for nanoimprinting concerning other embodiments of the present invention.
  • It is a schematic diagram which shows the resin stamper for nanoimprint which concerns on other embodiment of this invention. It is a graph showing the relationship between the content of the photopolymerization initiator in the resin composition used to form the fine structure layer, the light transmittance of the fine structure layer, and the maximum dimensional change rate. The content rate [%] of the agent is shown, the right vertical axis shows the maximum dimensional change rate [%], and the left vertical axis shows the light transmittance [%] of the microstructure layer.
  • a nanoimprint apparatus Ip As shown in FIG. 1, a nanoimprint apparatus Ip according to this embodiment includes a stage block 12 that is moved up and down by a lifting mechanism 11 and a transfer target 5 is mounted in a vacuum chamber C as a casing, and a nanoimprint described later. And a fixing block 13 to which a resin stamper 3 (see FIG. 2) is attached.
  • the lifting mechanism 11 corresponds to a “drive mechanism” in the claims.
  • the elevating mechanism 11 in this embodiment is supported at the bottom of the vacuum chamber C, and the generated thrust can be adjusted by an electropneumatic regulator (not shown). And the raising / lowering mechanism 11 raises / lowers the stage block 12 by inputting the generated thrust into the stage block 12 via a drive shaft (not shown).
  • the transferred object 5 includes a transferred substrate 7 and a resin layer 6 arranged in a layer on the surface of the transferred substrate 7.
  • the transfer substrate 7 is not particularly limited as long as required strength and processing accuracy can be realized, and examples thereof include silicon wafers, various metal materials, glass, quartz, ceramics, plastics, and the like.
  • the resin layer 6 in the present embodiment is assumed to be made of a photocurable resin.
  • the transferred object 5 is held on the upper surface of the stage block 12 so that the resin layer 6 faces the nanoimprinting resin stamper 3. That is, as the stage block 12 is raised by the elevating mechanism 11, the resin layer 6 of the transfer target 5 is pressed against the nanoimprint resin stamper 3 as described later.
  • the nanoimprint resin stamper 3 is disposed above the stage block 12 and is attached to the ceiling in the vacuum chamber C through a fixed block 13 so as to be replaceable.
  • a fine pattern 3 a is formed on the surface of the nanoimprint resin stamper 3 that faces the transfer target 5.
  • a light source 14 for irradiating ultraviolet light is disposed inside the fixed block 13, and the light source 14 is configured to irradiate the transferred object 5 with ultraviolet light through the nanoimprint resin stamper 3.
  • the nanoimprinting resin stamper 3 in the present embodiment is assumed to have light transmittance, particularly ultraviolet light transmittance, as will be described later.
  • the nanoimprinting resin stamper 3 As shown in FIG. 2, the nanoimprinting resin stamper 3 according to the present embodiment has a fine structure layer 2 on a support substrate 1.
  • the fine structure refers to a structure formed with a size of nanometer to micrometer. Specifically, a dot pattern in which a plurality of minute protrusions are regularly arranged, a pattern in which minute recesses are regularly arranged, on the contrary, a lamella pattern in which a plurality of stripes are regularly arranged (line And space pattern). These fine patterns 3 a are formed on the surface of the fine structure layer 2.
  • the support substrate 1 is not particularly limited in shape, material, size, and manufacturing method as long as it has a function of holding the microstructure layer 2.
  • Examples of the shape of the support substrate 1 include a planar shape such as a circle, a square, a rectangle, and the like, and of these, a rectangle is preferable.
  • the material of the support base material 1 a material made of a light transmissive material is used. In particular, any material having strength and workability such as glass and quartz may be used.
  • the support substrate 1 is formed of such a highly transparent material, light is efficiently irradiated to the photocurable resin when the microstructure layer 2 is formed of a photocurable resin as described later. It will be.
  • a buffer layer (not shown) formed of a photocurable resin is provided between the support substrate 1 and the fine structure layer 2. In this case, light is efficiently irradiated to the photo-curable resin serving as the buffer layer.
  • the surface of the support substrate 1 can be subjected to a coupling treatment in order to reinforce the adhesive force with the fine structure layer 2 and the buffer layer (not shown).
  • the support substrate 1 can be composed of two or more layers having different elastic moduli.
  • a support base material 1 there is no restriction
  • the support substrate 1 having two or more types of layers for example, two or more types of the above materials are selected to form each layer, or a layer made of the above materials and a layer made of a resin are combined. Or a combination of layers made of resin.
  • resins described above include, for example, phenol resin (PF), urea resin (UF), melamine resin (MF), polyethylene terephthalate (PET), unsaturated polyester (UP), alkyd resin, vinyl ester resin, epoxy Resin (EP), polyimide (PI), polyurethane (PUR), polycarbonate (PC), polystyrene (PS), acrylic resin (PMMA), polyamide (PA), ABS resin, AS resin, AAS resin, polyvinyl alcohol, polyethylene ( PE), polypropylene (PP), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyarylate, cellulose acetate, polypropylene (PP), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene terephthalate (PBT), polyphenylene sulfide (P S), polyphenylene oxide, cycloolefin polymer, polylactic acid, silicone resin, diallyl phthalate resin and the like. Any of these may be used alone, or a plurality of different resins may be mixed and used
  • the light transmittance in the support base material 1 as described above for example, 90% or more of light having a wavelength of 365 nm is desirably transmitted.
  • the fine structure layer 2 is composed of a polymer of a resin composition that is photocurable or thermosetting, which will be described below, and has a fine structure of nanometer to micrometer size on its surface. ing.
  • the resin composition for forming the microstructure layer 2 includes a silsesquioxane derivative having a plurality of polymerizable functional groups as a main component, a monomer component having a plurality of polymerizable functional groups, and a photopolymerization initiator or It further comprises a thermal polymerization initiator.
  • a resin composition containing a photopolymerization initiator is photocurable
  • a resin composition containing a thermal polymerization initiator is thermosetting.
  • the monomer component corresponds to “a polymerizable resin component different from the silsesquioxane derivative” in the claims.
  • the silsesquioxane derivative is a general term for network-like polysiloxanes represented by a composition formula of RSiO 1.5 .
  • This silsesquioxane derivative is structurally positioned between inorganic silica (composition formula; SiO 2 ) and organosilicone (composition formula; R 2 SiO), and is known to have intermediate characteristics between the two. ing.
  • silsesquioxane derivatives include those represented by the following formulas (1) to (5).
  • Formula (1) shows a silsesquioxane derivative having a ladder structure
  • Formula (2) shows a silsesquioxane derivative having a random structure
  • Formula (3) shows a silsesquioxane derivative having a T8 structure
  • Formula (4) represents a silsesquioxane derivative having a T10 structure
  • Formula (5) represents a silsesquioxane derivative having a T12 structure.
  • each silsesquioxane derivative represented by the above formulas (1) to (5) may be the same or different from each other, and each R represents a hydrogen atom or an organic group, Among the plurality of R in each silsesquioxane derivative, 2 or more, preferably 3 or more are polymerizable functional groups described later.
  • the polymerizable functional group is preferably at least one selected from a vinyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a vinyl ether group, and a (meth) acryl group.
  • Such a silsesquioxane derivative is a curing mechanism of a resin layer 6 (see FIG. 1) made of a photocurable resin selected by a transfer method described later using the resin stamper 3 for nanoimprinting of the present invention (see FIG. 2). And a different curing mechanism for the silsesquioxane derivative.
  • a photocationically polymerizable silsesquioxane derivative is desirable, and conversely, the curable resin material for transfer is photocationically polymerized. If it is, the photopolymerizable silsesquioxane derivative is desirable.
  • a commercially available product can be used as the silsesquioxane derivative.
  • the silsesquioxane derivative as described above forms a main component in the resin composition, and the content thereof may be 50% by mass or more, desirably 70% or more.
  • the monomer component examples include those containing two or more polymerizable functional groups selected from a vinyl group, a (meth) acryl group, an epoxy group, an oxetanyl group, and a vinyl ether group, and the skeleton is not limited.
  • a monomer component that cures by the same mechanism as the polymerizable functional group of the silsesquioxane derivative is desirable.
  • what has a perfluoro skeleton (fluorine component) can be used as a monomer component.
  • Examples of the monomer component having an epoxy group include a bisphenol A epoxy resin monomer, a hydrogenated bisphenol A epoxy resin monomer, a bisphenol F epoxy resin monomer, a novolac type epoxy resin monomer, an aliphatic cyclic epoxy resin monomer, and an aliphatic group.
  • Examples include linear epoxy resin monomers, naphthalene type epoxy resin monomers, biphenyl type epoxy resin monomers, and bifunctional alcohol ether type epoxy resin monomers.
  • Examples of monomer components having an oxetanyl group include 3-ethyl-3- ⁇ [3-ethyloxetane-3-yl] methoxymethyl ⁇ oxetane, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis [( 3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 3-ethyl-3- (phenoxymethyl) oxetane, di [1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl ether, 3-ethyl-3- (2-ethylhexyl) And siloxymethyl) oxetane, 3-ethyl-3- ⁇ [3- (triethoxysilyl) propoxy] methyl ⁇ oxetane, oxetanylsilsesquioxane, phenol novolac oxetane and the like.
  • Examples of monomer components having a vinyl ether group include ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, butanediol divinyl ether, hexanediol divinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, and isophthalic acid.
  • Examples include di (4-vinyloxy) butyl, di (4-vinyloxy) butyl glutarate, di (4-vinyloxy) butyltrimethylolpropane trivinyl ether succinate, 2-hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, and hydroxyhexyl vinyl ether. .
  • the organic component which has any functional group of an epoxy group, an oxetanyl group, and a vinyl ether group was illustrated, this invention is not limited to this. Any molecular functional group having a polymerizable functional group such as a vinyl group, (meth) acrylic group, epoxy group, oxetanyl group or vinyl ether group can be used in the present invention.
  • the monomer component in this embodiment assumes the liquid thing at normal temperature, a solid thing can also be used.
  • the monomer component in this embodiment is used by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the content of the monomer component as described above in the resin composition can be 1% by mass or more and less than 50% by mass.
  • the photopolymerization initiator is appropriately selected according to the silsesquioxane derivative contained in the resin composition and the polymerizable functional group of the monomer component.
  • the types of photopolymerization initiators include photo radical polymerization initiators that generate radicals upon irradiation with ultraviolet light, photoanion polymerization initiators that generate anions upon irradiation with ultraviolet light, and cations that generate upon irradiation with ultraviolet light.
  • a cationic photopolymerization initiator is desirable in terms of preventing poor curing due to oxygen inhibition.
  • the cationic photopolymerization initiator is an electrophile, has a cation generation source, and is not particularly limited as long as the organic component is cured by light, and a known cationic photopolymerization initiator should be used. Can do.
  • a cationic photopolymerization initiator that initiates curing with ultraviolet light is desirable because it enables formation of a concavo-convex pattern at room temperature, and allows for more accurate replica formation from a master mold.
  • photocationic polymerization initiator examples include iron-allene complex compounds, aromatic diazonium salts, aromatic iodonium salts, aromatic sulfonium salts, pyridinium salts, aluminum complexes / silyl ethers, protonic acids, Lewis acids, and the like.
  • cationic photopolymerization initiator that initiates curing by ultraviolet light
  • examples of the cationic photopolymerization initiator that initiates curing by ultraviolet light include, for example, IRGACURE 261 (manufactured by Ciba Geigy), Adekaoptomer SP-150 (manufactured by ADEKA), Adekaoptomer SP-151 (ADEKA).
  • Adekaoptomer SP-152 (Adeka), Adekaoptomer SP-170 (Adeka), Adekaoptomer SP-171 (Adeka), Adekaoptomer SP-172 (Adeka) ), Adekaoptomer SP-300 (manufactured by ADEKA), UVE-1014 (manufactured by General Electronics), CD-1012 (manufactured by Sartomer), Sun-Aid SI-60L (manufactured by Sanshin Chemical Industry), Sun-Aid SI-80L (Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), Sun Aid SI-100L (Sanshin Chemical Industry) Sun Aid SI-110 (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), Sun Aid SI-180 (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.), CI-2064 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), CI-2639 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.
  • the content of the photopolymerization initiator in the resin composition is 0.3% by mass when the total mass in the resin composition of the silsesquioxane derivative and monomer component described above is 100%. Above (0.3 parts by mass), 3% by mass or less (3 parts by mass or less), desirably 1% by mass or more (1 part by mass or more), 3% by mass or less (3 parts by mass or less).
  • the content ratio of the photopolymerization initiator within such a range, it has sufficient light transmittance (transmittance of 80% or more for ultraviolet light with a wavelength of 365 nm), and the transfer target 5 shown in FIG. It is possible to form the fine structure layer 2 (see FIG. 2) that is excellent in the transfer accuracy of the fine pattern to the (resin layer 6) and also has excellent repeatability.
  • the thermal polymerization initiator is appropriately selected according to the silsesquioxane derivative contained in the resin composition and the polymerizable functional group of the monomer component.
  • the thermal polymerization initiator include a thermal radical polymerization initiator that generates radicals by heating, and a thermal cationic polymerization initiator that generates cations by heating.
  • the thermal cationic polymerization initiator is desirable in terms of preventing poor curing due to oxygen inhibition.
  • the thermal cationic polymerization initiator is an electrophile, has a cation generation source, and is not particularly limited as long as the organic component is cured by heat, and a known thermal cationic polymerization initiator can be used. .
  • the above thermal polymerization initiators can be used singly or in combination of two or more. Further, the photopolymerization initiator and the thermal polymerization initiator described above can be used in combination.
  • the content of the thermal polymerization initiator in the resin composition is 0.5% by mass when the total mass in the resin composition of the silsesquioxane derivative and monomer component described above is 100%, that is, when the total mass is 100. Or more (0.5 parts by mass or more), less than 15% by mass (less than 15 parts by mass), desirably 1% by mass or more (1 part by mass or more), 10% by mass or less (10 parts by mass or less), more desirably 1% by mass. % Or more (1 part by mass or more), 5% by mass or less (5 parts by mass or less).
  • the thermal polymerization initiator By setting the content rate of the thermal polymerization initiator within such a range, it has sufficient light transmittance and is excellent in the transfer accuracy of a fine pattern for the transfer target 5 (resin layer 6) shown in FIG. Moreover, it is possible to form the fine structure layer 2 (see FIG. 2) that is excellent in repetitive transferability.
  • the resin composition as described above is preferably a resin in which all of the components except the photopolymerization initiator and the thermal polymerization initiator have a polymerizable functional group.
  • the resin composition includes a surfactant for enhancing the adhesion between the supporting substrate 1 (see FIG. 2) and the fine structure layer 2 (see FIG. 2) as long as the problems of the present invention are not impaired. May be included.
  • additives such as a polymerization inhibitor, as needed.
  • the support base 1 and the fine structure layer 2 are formed so as to be light transmissive (ultraviolet light transmissive with a wavelength of 365 nm).
  • a photo-curable resin can be used for the curable resin material 6 (see FIG. 3) of the transfer target described later. That is, this nanoimprinting resin stamper 3 can be used as a replica mold for optical nanoprinting.
  • FIGS. 3A to 3C referred to here are process explanatory views schematically showing a method for manufacturing a resin stamper for nanoimprinting.
  • a master mold 4 on which a fine pattern 4a is formed is prepared.
  • the above-described resin composition 2 a for forming the fine structure layer 2 is applied on the support substrate 1.
  • the master mold 4 is pressed against the applied resin composition 2a.
  • the fine pattern 4a (refer Fig.3 (a)) of the master mold 4 is transcribe
  • the curing of the resin composition 2a may be performed by light irradiation if the resin composition 2a includes the above-described photopolymerization initiator, and may be performed by heating if the resin composition 2a includes a thermal polymerization initiator. It's fine.
  • the fine structure layer 2 is formed on the support base material 1.
  • the resin stamper 3 for nanoimprinting according to the present embodiment is obtained.
  • the fine pattern 3a formed on the fine structure layer 2 of the nanoimprint resin stamper 3 is formed by reversing the uneven shape of the fine pattern 4a of the master mold 4.
  • the stage block 12 is raised by the lifting device 11 shown in FIG. 1, whereby the resin layer 6 of the transfer target 5 is pressed against the fine pattern 3 a of the nanoimprint resin stamper 3.
  • the shape of the fine pattern 3 a is transferred to the resin layer 6.
  • the resin layer 6 is irradiated with ultraviolet light from the light source 14 while the resin stamper 3 is pressed against the resin layer 6.
  • the resin layer 6 to which the fine pattern 3a is transferred is cured.
  • the nanoimprint resin stamper 3 is peeled from the transfer target 5 by lowering the stage block 12 with the lifting device 11.
  • FIG. 4 to be referred to is a schematic diagram showing a state when the resin stamper for nanoimprinting is pressed against the transfer target and then peeled again.
  • the nanoimprinting resin stamper 3 is peeled from the cured resin layer 6 to complete the transfer method. That is, a fine pattern 5 a is formed on the cured resin layer 6 of the transfer target 5.
  • the fine pattern 5a transferred to the transfer target 5 is formed by reversing the uneven shape of the fine pattern 3a formed on the fine structure layer 2 of the resin stamper 3 for nanoimprinting. That is, the fine pattern 5a has a shape corresponding to the uneven shape of the fine pattern 4a of the master mold 4 (see FIG. 3A).
  • the nanoimprint resin stamper 3 is a resin composition containing a silsesquioxane derivative as a main component and a monomer component, and a photopolymerization initiator is silsesquioxane. It contains 0.3 mass% or more and 3 mass% or less with respect to the total mass of a derivative and a monomer component, or a thermal polymerization initiator is with respect to the total mass of a silsesquioxane derivative and a monomer component. And 0.5 to less than 15% by mass. Therefore, according to the resin stamper 3 for nanoimprint, the microstructure layer 2 having a sufficient light transmittance that transmits light having a wavelength of 365 nm by 80% or more is provided on the support substrate 1.
  • the nanoimprint resin stamper 3 when the object to be transferred 5 (see FIG. 1) is irradiated with ultraviolet light from the light source 14 (see FIG. 1) via the nanoimprint resin stamper 3. In addition, the amount of ultraviolet light absorbed can be reduced. As a result, the resin layer 6 of the transfer target 5 is efficiently irradiated with ultraviolet light, so that the curing time of the resin layer 6 can be shortened. As a result, it is possible to maintain a good throughput when obtaining a transfer body.
  • the amount of ultraviolet light absorbed in the fine structure layer 2 can be reduced, so that the thermal expansion of the fine structure layer 2 is suppressed.
  • the resin stamper 3 for nanoimprinting is excellent in the transfer accuracy of the fine pattern 3a (see FIG. 1) with respect to the transfer target 5.
  • the microstructure layer 2 is formed of a polymer of a resin composition containing a silsesquioxane derivative as a main component, which is different from the conventional stamper.
  • the substrate 7 (see FIG. 1) has excellent followability with respect to warping and protrusions, and even with no release agent applied to the surface, the substrate 5 (see FIG. 1) has excellent releasability.
  • the resin stamper 3 for nanoimprinting is further excellent in the transfer accuracy of the fine pattern 3a (see FIG. 1).
  • the nanoimprint resin stamper 3 is excellent in so-called repetitive transferability.
  • the nanoimprint resin stamper 3 that can improve repetitive transfer properties without the need for a release agent in this way reduces the running cost when the transfer body is manufactured by the nanoimprint apparatus Ip (see FIG. 1). Can be reduced.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing a resin stamper for nanoimprinting according to another embodiment of the present invention.
  • this nanoimprinting resin stamper 10 has a light-transmitting elastic plate on the surface opposite to the flexible light-transmitting support substrate 1 provided with the microstructure layer 2. 8 and a light-transmitting hard substrate 9 are provided in this order.
  • reference numeral 10 a is a fine pattern of the fine structure layer 2.
  • the elastic plate 8 is formed of a light transmissive rubber member. Specific examples of the rubber member include synthetic rubber such as transparent silicone rubber.
  • the thickness of the elastic plate 8 is preferably in the range of 3 mm to 15 mm.
  • Examples of the light-transmitting hard substrate 9 include a transparent glass plate, quartz plate, and plastic plate.
  • Examples of the plastic plate include an acrylic resin plate and a hard vinyl chloride plate.
  • the thickness of the hard substrate 9 is preferably in the range of 10 mm to 30 mm.
  • the support substrate 1, the elastic plate 8, and the hard substrate 9 can be bonded to each other using an adhesive.
  • an adhesive a light-transmitting adhesive can be used, and examples thereof include an acrylic rubber-based optical adhesive and a UV curable polyester resin.
  • These elastic plate 8 and hard substrate 9 can be mechanically joined to each other using a separately prepared jig (ring or the like) or fastener (bolt or the like). Further, a suction hole can be formed in the hard substrate 9 and the elastic plate 8 can be sucked by a suction pump through the suction hole. In addition, this adsorption
  • the fine pattern 10a when the fine pattern 10a is transferred by pressing it against the transfer target 5 (see FIG. 1), Since the fine structure layer 2 presses the resin layer 6 (see FIG. 1) of the transfer target 5 (see FIG. 1) with an equal force, the fine pattern 10a can be accurately transferred to the resin layer 6. Further, since the fine structure layer 2 presses the resin layer 6 (see FIG. 1) with an equal force, air is more reliably prevented from being caught between the fine structure layer 2 and the resin layer 6. be able to.
  • the thickness of the elastic plate 8 by setting the thickness of the elastic plate 8 to 3 mm or more, the supporting base material 1 and the fine structure layer 2 can be sufficiently and sufficiently deformed. It is further enhanced. Further, by setting the thickness of the elastic plate 8 to 15 mm or less, it is possible to suppress the deformation of the elastic plate in the surface direction during the transfer using the nanoimprint resin stamper 10 and the support base material 1 is displaced in the lateral direction. It can prevent more reliably. This also increases the transfer accuracy of the fine pattern 10a.
  • the mechanical strength of the nanoimprint resin stamper 10 can be further improved by the rigidity exhibited by the hard substrate 9.
  • the nanoimprinting resin stamper 10 can be provided with sufficient mechanical strength.
  • substrate 9 can be favorably maintained by the thickness of the hard board
  • the fine structure layer 2 (see FIG. 2) is formed to have a size corresponding to the area of the upper surface of the support substrate 1 (see FIG. 2).
  • the fine structure layer 2 can also be formed with an area smaller than the area of the upper surface of the support substrate 1 (see FIG. 2).
  • the planar shape of the fine structure layer 2 can be formed to be different from the shape of the upper surface of the support substrate 1, and can be various shapes such as a circle, an ellipse, and a polygon. .
  • the fine structure layer 2 may be formed at the center of the upper surface of the support substrate 1 or at a position displaced from the center of the upper surface of the support substrate 1.
  • the stage block 12 is driven by the lifting device 11 so that the nanoimprint resin stamper 3 and the transfer target 5 are brought into contact with each other.
  • the present invention can also be configured so that the nanoimprint resin stamper 3 and the transfer target 5 are brought into contact with each other by driving the fixed block 13 with a predetermined drive mechanism.
  • Example 1 In this example, a resin stamper 3 for nanoimprinting was produced in the steps shown in FIGS.
  • a glass plate having a surface of 20 mm ⁇ 20 mm and a thickness of 0.7 mm prepared by silane coupling with KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Silicone) was prepared.
  • the transmittance of ultraviolet light with a wavelength of 365 nm in this glass plate treated with silane coupling was 97%.
  • the resin composition 2a which becomes the fine structure layer 2 was applied to the coupling-treated surface of the support substrate 1 (see FIG. 3 (a)).
  • a master mold 4 made of silicon (Si) whose surface was release-treated with OPTOOL DSX (manufactured by Daikin Industries) was prepared (see FIG. 3A).
  • the fine pattern 4a (see FIG. 3A) formed on the master mold 4 was a dot pattern in which cylindrical minute protrusions (180 nm in diameter and 200 nm in height) are arranged in a hexagonal manner at a pitch of 180 nm.
  • Nanoimprinting resin stamper 3 (soft stamper) was prepared.
  • This nanoimprinting resin stamper 3 has a two-layer configuration (indicated as a stamper configuration in Table 1) of a support base 1 and a fine structure layer 2.
  • the fine pattern 3a (see FIG. 2) of the fine structure layer 2 has a fine cylindrical concave shape (diameter 180 nm, depth 200 nm) in which the concave and convex portions are opposite (inverted) to the dot pattern of the master mold 4. ).
  • the nanoimprint apparatus Ip shown in FIG. 1 was attached with the produced nanoimprint resin stamper 3 and the transfer target 5 was attached.
  • the transfer target 5 a transfer substrate 7 made of a glass plate and a resin layer 6 (see FIG. 1) made of a photo-radically polymerizable resin composition mainly composed of an acrylate monomer is used. did.
  • the resin layer 6 of the transferred object 5 is pressed against the fine pattern 3a of the nanoimprint resin stamper 3, and the transferred object 5 is irradiated with ultraviolet light from the light source 14 (see FIG. 1) to cure the resin layer 6. I let you. Thereafter, the nanoimprinting resin stamper 3 was peeled off from the cured resin layer 6 to obtain the transferred object 5 on which the fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed on the surface of the cured resin layer 6.
  • This fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy, and a dot pattern in which cylindrical minute protrusions (180 nm in diameter and 200 nm in height) are arranged in a hexagonal manner with a pitch of 180 nm is formed on the resin layer. 6 was confirmed.
  • the elasticity modulus measured the thing in 30 degreeC of the fine structure layer 2 by the conventional method.
  • a cured film of the resin composition 2a used for the production of the resin stamper 3 for nanoimprinting was formed with a thickness of 30 ⁇ m, and the transmittance of ultraviolet light with a wavelength of 365 nm was measured for this cured film. did.
  • this light transmittance [%] was determined to be 80% or more as good, and “good” was written in the column of light transmittance availability in Table 1. Also, less than 80% was judged to be defective, and “defect” was written in the column of the light transmittance availability in Table 1.
  • the maximum dimensional change rate [%] is the fineness between the first transfer and the fifth transfer when the nanoimprint resin stamper 3 is used to repeatedly transfer the plurality of transfer objects 5 described above.
  • the maximum dimensional change rate [%] of the pattern 5a was obtained. Specifically, the height of the minute protrusions in the fine pattern 5a at the first transfer and the height of the minute protrusions at the fifth transfer are measured by an atomic force microscope (manufactured by Beiko), and the rate of change [%] is calculated. Calculated. The change rate [%] was obtained for five points on the transfer body 5 and the maximum value of these change rates [%] was taken as the maximum dimensional change rate [%].
  • the maximum dimensional change rate [%] was determined to be 10% or less as “good”, and “good” was written in the column of 5 times transferability in Table 1. In addition, those exceeding 10% were determined to be defective, and “Fair” was entered in the column of whether or not five times transferability was possible in Table 1.
  • Example 2 to Example 6 a resin for nanoimprinting having a microstructure layer 2 in the same manner as in Example 1 except that a resin composition containing the photopolymerization initiator shown in Table 1 at a ratio shown in Table 1 was used. A stamper 3 was produced.
  • photopolymerization initiator (SP152) is Adekaoptomer SP-152 (manufactured by ADEKA) as a photocationic polymerization initiator
  • photopolymerization initiator (SP300) is a photocationic polymerization initiator
  • Adekaoptomer SP-300 manufactured by ADEKA
  • thermal polymerization initiator (Sun Aid SI60) is Sun Aid SI60 (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) as a thermal cationic polymerization initiator.
  • the notations of these polymerization initiators are the same in Tables 2 to 4 shown below.
  • a transferred object 5 on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper 3 was used. As a result, it was confirmed that the fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced resin stamper 3 for nanoimprint, and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 are obtained.
  • the measurement was performed in the same manner as in Example 1 and, as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Table 1.
  • Example 7 the same resin composition as in Example 3 was prepared.
  • the nanoimprint resin stamper was produced by the following procedure (not shown).
  • the master mold 4 the same one as in Example 1 subjected to the mold release treatment was used except that the fine pattern 4 a was a line and space pattern (pitch 90 nm, ridge height 50 nm).
  • the resin composition was applied to the surface of the master mold 4 on which the fine pattern 4a was formed by spin coating, and then cured by irradiating with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm for 600 seconds.
  • a photocurable epoxy resin is applied to the surface of the cured resin composition layer by a spin coating method, and then a highly elastic supporting substrate having light transmittance is pressed against the epoxy resin.
  • the system resin was cured.
  • the surface which contacts the epoxy resin of the support substrate was subjected to a coupling treatment with KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Silicone).
  • a fine structure layer (not shown) in which the resin composition of Example 3 is cured, a support layer (not shown) made of a cured epoxy resin, and a high elasticity not shown.
  • a resin stamper for nanoimprinting having a three-layer configuration (indicated as a stamper configuration in Table 1) in which support substrates (20 mm ⁇ 20 mm, thickness 0.7 mm) are laminated in this order was produced. Then, a transferred object 5 (see FIG. 4) on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper was used.
  • the fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy. Further, the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced resin stamper 3 for nanoimprint, and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 are obtained.
  • the measurement was performed in the same manner as in Example 1 and, as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Table 1.
  • Example 8 In this example, the same resin composition as in Example 3 (see Table 1) was prepared.
  • the nanoimprint resin stamper was produced by the following procedure (not shown). First, the same master mold 4 as Example 7 which performed the mold release process was prepared. Next, the resin composition was applied to the surface of the master mold 4 on which the fine pattern 4a was formed by spin coating, and then cured by irradiating with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm for 600 seconds.
  • the first support layer (not shown) is cured by irradiation with ultraviolet light. Formed.
  • a highly elastic support base material (not shown) having light permeability is pressed against the first support layer.
  • the epoxy resin was cured to form a second support layer (not shown) between the first support layer and the support substrate.
  • the surface which contacts the epoxy resin of the support substrate was subjected to a coupling treatment with KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Silicone).
  • a nanoimprint resin stamper (not shown) having a four-layer structure (indicated as a stamper structure in Table 2) in which a highly elastic support base (20 mm ⁇ 20 mm, thickness 0.7 mm) is laminated in this order was manufactured.
  • the first support layer in the nanoimprint resin stamper has lower elasticity than the microstructure layer.
  • the second support layer has lower elasticity than the first support layer, and the support base formed of glass has higher elasticity than the second support layer.
  • a transferred object 5 (see FIG. 4) on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper was used. As a result, it was confirmed that the fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy.
  • the elastic modulus [GPa] of the fine structure layer, the light transmittance [%], and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 were carried out. Measurement was performed in the same manner as in Example 1, and in the same manner as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Table 2.
  • Example 9 In this example, a resin composition (see Table 1) similar to that of Example 3 was prepared, and a resin stamper 10 for nanoimprinting shown in FIG. 5 was produced using this resin composition.
  • a glass plate similar to Example 1 subjected to silane coupling treatment was prepared as the support substrate 1. The resin composition was applied to the coupling-treated surface of the support substrate 1.
  • Example 7 the same master mold 4 (see FIG. 3A) as that in Example 7 subjected to the mold release process is prepared, and a fine pattern 4a (see FIG. 3A) of the master mold 4 is formed.
  • the support substrate 1 was arranged so as to press the resin composition on the surface. Thereafter, the resin composition was cured by irradiating the resin composition with ultraviolet light having a wavelength of 365 nm for 600 seconds through the support substrate 1. Subsequently, the master mold 4 was peeled from the resin composition to form the microstructure layer 2 having the fine pattern 10a (see FIG. 5) shown in FIG. Then, as shown in FIG.
  • a light-transmitting elastic plate 8 and a light-transmitting hard substrate 9 are provided on the surface of the support base 1 opposite to the surface on which the microstructure layer 2 is formed.
  • the resin stamper 10 for nanoimprinting was manufactured by laminating via an adhesive.
  • silicone rubber manufactured by Toray Dow Corning, Sylgard (registered trademark), thickness 10 mm
  • a quartz substrate thickness 0.7 mm
  • a transferred object 5 on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper 10 (see FIG. 5) was used.
  • the fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced nanoimprinting resin stamper 10 and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 are obtained.
  • the measurement was performed in the same manner as in Example 1 and, as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Table 2.
  • Example 10 to Example 15 a resin for nanoimprinting having a microstructure layer 2 in the same manner as in Example 1 except that a resin composition containing the photopolymerization initiator shown in Table 2 at a ratio shown in Table 2 was used.
  • a stamper 3 (see FIG. 2) was produced.
  • a transferred object 5 on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper 3 was used.
  • the fine pattern 5a corresponds to the fine pattern 4a of the master mold 4 with high transfer accuracy.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced resin stamper 3 for nanoimprint, and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 are obtained.
  • the measurement was performed in the same manner as in Example 1 and, as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Table 2.
  • Comparative Examples 1, 2, 4, 6, 12 In Comparative Example 1, Comparative Example 2, Comparative Example 4, Comparative Example 6, and Comparative Example 12, resin compositions containing the photopolymerization initiators shown in Tables 3 and 4 in the proportions shown in Tables 3 and 4 were used.
  • a nanoimprint resin stamper 3 having a microstructure layer 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that it was used.
  • a transferred object 5 on which a fine pattern 5a (see FIG. 4) was formed was obtained in the same manner as in Example 1 except that this nanoimprint resin stamper 3 was used.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced resin stamper 3 for nanoimprint, and the maximum dimensional change rate [%] in the fine pattern 5a formed on the transferred body 5 are obtained.
  • the measurement was performed in the same manner as in Example 1 and, as in Example 1, whether light transmittance was possible and whether five-times transferability was possible were determined. These results are shown in Tables 3 and 4.
  • Comparative Examples 3, 5, and 7 In Comparative Example 3, Comparative Example 5 and Comparative Example 7, resin compositions containing the photopolymerization initiators shown in Table 3 and Table 4 in the proportions shown in Table 3 and Table 4 were used. Using this resin composition, an attempt was made to produce a nanoimprinting resin stamper 3 having the microstructure layer 2 in the same manner as in Example 1. However, in the ultraviolet irradiation under the same conditions as in Example 1, It became the fine structure layer 2 which the resin composition did not fully harden
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer 2 in the produced resin stamper 3 for nanoimprinting, the possibility of light transmittance, and the possibility of five-time transferability were determined. These results are shown in Tables 3 and 4. In this comparative example, the maximum dimensional change rate [%] was not measured because the resin composition became a microstructure layer 2 that was not sufficiently cured. In addition, the determination of whether or not the five-time transferability is possible was described as “bad”.
  • Comparative Example 8 In Comparative Example 8, the same resin composition as in Comparative Example 3 (see Tables 3 and 4) was prepared, and the nanoimprinting resin having the same three-layer structure as in Example 7 except that this resin composition was used. A stamper (not shown) was produced. An attempt was made to produce a resin stamper for nanoimprinting using this resin composition in the same manner as in Example 7. However, the resin composition was not sufficiently cured by ultraviolet light irradiation under the same conditions as in Example 7. It became a fine structure layer.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer in the produced nanoimprinting resin stamper, the light transmittance, and the five-time transferability were determined. These results are shown in Table 4. In this comparative example, the maximum dimensional change rate [%] was not measured because the resin composition became a microstructure layer that was not sufficiently cured. In addition, the determination of whether or not the five-time transferability is possible was described as “bad” because the transfer could not be performed.
  • Comparative Example 9 In Comparative Example 9, the same resin composition as in Comparative Example 3 (see Tables 3 and 4) was prepared, and the nanoimprinting resin having the same four-layer structure as in Example 8 except that this resin composition was used. A stamper (not shown) was produced.
  • the elastic modulus [GPa] and light transmittance [%] of the fine structure layer in the produced nanoimprinting resin stamper, the light transmittance, and the five-time transferability were determined. These results are shown in Table 4. In this comparative example, the maximum dimensional change rate [%] was not measured because the resin composition became a microstructure layer that was not sufficiently cured. In addition, the determination of whether or not the five-time transferability is possible was described as “bad” because the transfer could not be performed.
  • the nanoimprint resin stampers 3 and 10 are resin compositions containing a silsesquioxane derivative as a main component and a monomer component,
  • the photopolymerization initiator is contained in an amount of 0.3% by mass or more and 3% by mass or less based on the total mass of the silsesquioxane derivative and the monomer component, or the thermal polymerization initiator is a silsesquioxane derivative,
  • the fine structure layer 2 is formed of a polymer of a resin composition that is contained in an amount of 0.5% by mass or more and less than 15% by mass with respect to the total mass of the monomer components, the wavelength in the fine structure layer 2
  • the ultraviolet light transmittance at 365 nm is 80% or more.
  • the resin stampers 3 and 10 for nanoimprint can effectively cure the resin layer 6 (photocurable resin) in the transfer target 5 to which the fine patterns 2a and 10a are transferred. Therefore, according to the nanoimprint resin stamper, it is possible to maintain a good throughput of the transfer target 5 to which the fine patterns 2a and 10a are transferred.
  • the nanoimprinting resin stampers 3 and 10 are a resin composition containing a silsesquioxane derivative as a main component and a monomer component, and the photopolymerization initiator is a silsesquioxane.
  • the total mass of the sun derivative and the monomer component is 0.3 to 3% by mass or the thermal polymerization initiator is added to the total mass of the silsesquioxane derivative and the monomer component.
  • the fine structure layer 2 is formed of a polymer of a resin composition contained in an amount of 0.5% by mass or more and less than 15% by mass, the transfer accuracy and the repeat transferability are excellent.
  • the resin stamper for the nanoimprint of the comparative example is such that the content of the photopolymerization initiator and the content of the thermal polymerization initiator are outside the scope of the present invention.
  • the ultraviolet light transmittance at a wavelength of 365 nm in the fine structure layer becomes insufficient, or the repetitive transferability is inferior.
  • FIG. 6 referred to is a graph showing the relationship between the content of the photopolymerization initiator in the resin composition used for forming the microstructure layer, the light transmittance of the microstructure layer, and the maximum dimensional change rate.
  • the horizontal axis indicates the photopolymerization initiator content [%]
  • the right vertical axis indicates the maximum dimensional change rate [%]
  • the left vertical axis indicates the light transmittance [%] of the microstructure layer.
  • FIG. 6 shows a resin composition in which the content of the photopolymerization initiator (SP172) is changed with respect to 100 parts by mass of 90 parts by mass of the silsesquioxane derivative and 10 parts by mass of the monomer component.

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Abstract

　本発明は、複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、光重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層（２）を、光透過性の支持基材（１）上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパ（１０）であって、前記光重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下であり、前記微細構造体層（２）は、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過することを特徴とする。

Description

ナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置
　本発明は、被転写体に押し付けてその表面に微細構造体（微細パターン）を形成するためのナノインプリント用樹脂スタンパに関する。
　従来、半導体デバイス等で必要とされる微細パターンを加工する技術として、フォトリソグラフィ技術が多く用いられてきた。しかし、パターンの微細化が進み、要求される加工寸法が露光に用いられる光の波長程度まで小さくなるとフォトリソグラフィ技術での対応が困難となってきた。そのため、これに代わり、荷電粒子線装置の一種である電子線描画装置が用いられるようになった。
　この電子線を使用したパターン形成は、ｉ線、エキシマレーザ等の光源を使用したパターン形成における一括露光方法と異なり、マスクパターンを直接描画する方法をとる。よって、描画するパターンが多いほど露光（描画）時間が増加し、パターン完成までに時間がかかるという欠点があり、半導体集積回路の集積度が高まるにつれて、パターン形成に必要な時間が増大して、スループットが低下することが懸念される。
　そこで、電子線描画装置の高速化を図るために各種形状のマスクを組み合わせて、それらに一括して電子ビームを照射することで複雑な形状の電子ビームを形成する、一括図形照射法の開発が進められている。しかしながら、パターンの微細化が進む一方で、電子線描画装置の大型化や、マスク位置の高精度制御等、装置コストが高くなるという欠点があった。
　これに対し、高精度なパターン形成を低コストで行うための技術として、ナノインプリント技術が知られている。このナノインプリント技術は、形成しようとする微細パターンの凹凸に対応する凹凸（表面形状）が形成されたスタンパを、例えば所定の基板上に樹脂層を形成して得られる被転写体に型押しするものであり、微細パターンを樹脂層に転写して形成することができる。
　また、光透過性を有するスタンパを使用すると、光硬化性樹脂からなる前記樹脂層に対して、このスタンパを型押しし、このスタンパを介して光を照射することで、この樹脂層を硬化させることができる。
　このようなナノインプリント技術は、大容量記録媒体における記録ビットのパターンの形成や、半導体集積回路のパターンの形成への応用が検討されている。
　従来のナノインプリント技術に用いられてきたスタンパであって光透過性を有するものとしては、石英等のハードスタンパが知られている。
　しかしながら、石英等のハードスタンパは、転写の際、被転写基板の反りや突起に追従できず、広範囲で転写不良領域が発生する問題があった。また、転写不良領域を低減させるためには、前記樹脂層を形成する被転写基板の反りと突起との両方を吸収することがスタンパに要求される。そこで、被転写基板の反りと突起の両方に追従するように、柔軟な樹脂で肉厚に形成したスタンパ（ソフトスタンパ）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようなソフトスタンパは、柔軟で肉厚な樹脂で被転写基板の反りや突起に追従することで、転写不良を防止することができる。
　その一方で、ナノインプリント技術に用いられるスタンパにおいては、被転写体に対する離型性が重要となる。従来、石英等のハードスタンパの表面をフッ素系の離型剤により処理したものが知られている（例えば、特許文献２参照）。また、フッ素系樹脂や、シリコーン系樹脂を使用したスタンパも知られている（例えば、特許文献３参照）。このような離型性を付与したスタンパによれば、被転写体に対する離型性を向上させることによって、被転写体に対する微細パターンの転写精度を向上させることができる。
　しかしながら、フッ素系の離型剤により処理した石英等のハードスタンパは、転写不良が生じやすいことは前記したとおりである。また、フッ素系樹脂や、シリコーン系樹脂を使用したスタンパについても、被転写基板の反りや突起に対する追従性は前記したソフトスタンパに比べて不十分であり、転写不良を十分に防止することができない問題がある。
　そこで、前記したソフトスタンパの表面に離型処理を施こすことも考えられる。
特開２０１０－５９７２号公報 特開２００４－３５１６９３号公報 特開２００９－１００２号公報
　しかしながら、ソフトスタンパは、その厚さが増大することで光透過性が低下するために、このソフトスタンパを介して前記した光硬化性の樹脂層に光（例えば、波長３６５ｎｍの紫外光）を照射した際に、樹脂層の硬化時間が長くなってスループットが低下する新たな問題が生じる。また、光透過性が低下したソフトスタンパは、吸収した光に起因して熱膨張することで、転写精度が低下する問題がある。
　そして、ソフトスタンパの表面に離型剤を塗布すると、その濡れ性等によって塗布厚にむらが生じて却って微細パターンの転写精度が低下する問題がある。また、ソフトスタンパの表面に形成された離型層は、繰り返して転写を行うことで劣化しやすく、いわゆる繰返し転写性も不十分なものとなる。
　したがって、ナノインプリント技術に用いられてきた光透過性のスタンパにおいては、良好なスループットを維持できるように十分な光透過性を有すると共に、被転写体に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れるナノインプリント用樹脂スタンパが望まれている。
　そこで、本発明の課題は、良好なスループットを維持できるように十分な光透過性を有すると共に、被転写体に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れるナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置を提供することにある。
　前記課題を解決する本発明は、複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、光重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層を、光透過性の支持基材上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパであって、前記光重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下であり、前記微細構造体層は、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過することを特徴とする。
　また、前記課題を解決する本発明は、複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、熱重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層を、光透過性の支持基材上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパであって、前記熱重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、０．５質量％以上、１５質量％未満であり、前記微細構造体層は、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過することを特徴とする。
　また、前記課題を解決する本発明のナノインプリント装置は、前記ナノインプリント用樹脂スタンパと、このナノインプリント用樹脂スタンパを固定する固定ブロックと、被転写体を保持するステージブロックと、前記ナノインプリント用樹脂スタンパと前記被転写体とを接触させた後に離反させるように前記固定ブロック及び前記ステージブロックのうちの少なくとも一方を駆動する駆動機構と、を備えることを特徴とする。
　本発明によれば、良好なスループットを維持できるように十分な光透過性を有すると共に、被転写体に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れるナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを使用したナノインプリント装置を提供することができる。
本発明の実施形態に係るナノインプリント装置の構成説明図である。 本発明の実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパの構成説明図である。 （ａ）から（ｃ）は、ナノインプリント用樹脂スタンパの製造方法を模式的に示す工程説明図である。 本発明の他の実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパの構成説明図である。 本発明の他の実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパを示す模式図である。 微細構造体層の形成に使用した樹脂組成物における光重合開始剤の含有率と、微細構造体層の光透過率及び最大寸法変化率との関係を示すグラフであり、横軸が光重合開始剤の含有率［％］を示し、右縦軸が最大寸法変化率［％］を示し、左縦軸が微細構造体層の光透過率［％］を示すグラフである。
　次に、本発明の実施形態のナノインプリント用樹脂スタンパ及びこれを用いたナノインプリント装置について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。ここではナノインプリント装置の全体構成について説明した後に、ナノインプリント用樹脂スタンパについて説明する。
（ナノインプリント装置）
　図１に示すように、本実施形態に係るナノインプリント装置Ｉｐは、筐体としての真空チャンバＣ内に、昇降機構１１で昇降すると共に被転写体５が取り付けられたステージブロック１２と、後記するナノインプリント用樹脂スタンパ３（図２参照）が取り付けられた固定ブロック１３とを備えている。なお、昇降機構１１は、特許請求の範囲にいう「駆動機構」に相当する。
　本実施形態での昇降機構１１は、真空チャンバＣ内の底部に支持されており、発生する推力が電空レギュレータ（図示省略）で調整可能となっている。そして、昇降機構１１は、発生した推力を、図示しない駆動軸を介してステージブロック１２に入力することでステージブロック１２を昇降するようになっている。
　被転写体５は、被転写基板７と、この被転写基板７の表面に層状に配置された樹脂層６とを備えている。
　被転写基板７としては、要求される強度と加工精度が実現できれば特に制限はなく、例えば、シリコンウエハ、各種金属材料、ガラス、石英、セラミック、プラスチック等が挙げられる。
　本実施形態での樹脂層６は、光硬化性樹脂からなるものを想定している。
　このような被転写体５は、樹脂層６がナノインプリント用樹脂スタンパ３と向き合うように、ステージブロック１２の上面に保持されている。つまり、昇降機構１１でステージブロック１２が上昇することで、後記するように、被転写体５の樹脂層６がナノインプリント用樹脂スタンパ３に押し当てられることとなる。
　ナノインプリント用樹脂スタンパ３は、ステージブロック１２の上方に配置されて、真空チャンバＣ内の天井部に固定ブロック１３を介して交換可能に取り付けられている。このナノインプリント用樹脂スタンパ３の被転写体５に対向する面には、微細パターン３ａが形成されている。
　なお、この固定ブロック１３の内部には、紫外光を照射する光源１４が配置されており、この光源１４は、ナノインプリント用樹脂スタンパ３を介して紫外光を被転写体５に照射するように構成されている。ちなみに、本実施形態でのナノインプリント用樹脂スタンパ３は、後記するように、光透過性、特に、紫外光透過性を有するものを想定している。
（ナノインプリント用樹脂スタンパ）
　図２に示すように、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３は、支持基材１上に微細構造体層２を有している。ここで微細構造とは、ナノメートルからマイクロメートルのサイズで形成された構造のことを指す。具体的には、複数の微小突起が規則的に配置されたドットパターンや、これとは逆に微小凹部が規則的に配置されたパターン、複数の条が規則的に配置されたラメラパターン（ラインアンドスペースパターン）等が挙げられる。これらの微細パターン３ａは、微細構造体層２の表面に形成されている。
　前記支持基材１としては、微細構造体層２を保持する機能を有するものであれば、形状、材料、サイズ、作製方法は特に限定されない。
　支持基材１の形状としては、平面形状で円形、正方形、長方形等が挙げられ、中でも長方形が好ましい。
　支持基材１の材料としては、光透過性材料からなるものが使用される。特に、ガラス、石英等のように強度と加工性を有するものであればよい。このような透明性が高い材料で支持基材１を形成すると、微細構造体層２を後記するように光硬化性樹脂で構成する場合にこの光硬化性樹脂に光が効率的に照射されることとなる。また、このような透明性が高い材料で支持基材１を形成すると、支持基材１と微細構造体層２との間に光硬化性樹脂で形成される緩衝層（図示省略）を設ける場合においても、この緩衝層となる光硬化性樹脂に光が効率的に照射されることとなる。
　また、支持基材１の表面には、微細構造体層２や前記した緩衝層（図示省略）との接着力を強化するためにカップリング処理を施すことができる。
　また、支持基材１は、弾性率の異なる２種以上の層で構成することもできる。このような支持基材１においては、弾性率の高い層と低い層との積層順や、組み合わせ、層数等について特に制限はない。
　このような２種以上の層を有する支持基材１としては、例えば、前記した材料を２種以上選択して各層を形成したものや、前記した材料からなる層と樹脂からなる層とを組み合せたもの、樹脂からなる層同士を組み合せたもの等が挙げられる。
　前記した樹脂の具体例としては、例えば、フェノール樹脂（ＰＦ）、ユリア樹脂（ＵＦ）、メラミン樹脂（ＭＦ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、不飽和ポリエステル（ＵＰ）、アルキド樹脂、ビニルエステル樹脂、エポキシ樹脂（ＥＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリウレタン（ＰＵＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリアミド（ＰＡ）、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ポリビニルアルコール、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリアリレート、酢酸セルロース、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリフェニレンオキシド、シクロオレフィンポリマ、ポリ乳酸、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等が挙げられる。これらのいずれかを単独で用いても、異なる樹脂を複数混合して用いてもよい。
　以上のような支持基材１における光透過率は、例えば、波長３６５ｎｍの光を９０％以上透過することが望ましい。
　前記微細構造体層２は、次に説明する光硬化性又は熱硬化性である樹脂組成物の重合体で構成されており、その表面に、ナノメートルからマイクロメートルのサイズの微細構造を有している。
（樹脂組成物）
　微細構造体層２を形成する樹脂組成物は、複数の重合性官能基を有するシルセスキオキサン誘導体を主成分として含むと共に、複数の重合性官能基を有するモノマ成分と、光重合開始剤又は熱重合開始剤とを更に含んで構成されている。ちなみに、光重合開始剤を含む樹脂組成物は、光硬化性のものとなり、熱重合開始剤を含む樹脂組成物は、熱硬化性のものとなる。
　なお、モノマ成分は、特許請求の範囲にいう「シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分」に相当する。
＜シルセスキオキサン誘導体＞
　シルセスキオキサン誘導体は、ＲＳｉＯ１．５の組成式で示されるネットワーク状ポリシロキサンの総称である。このシルセスキオキサン誘導体は、構造的には無機シリカ（組成式；ＳｉＯ２）と有機シリコーン（組成式；Ｒ２ＳｉＯ）との中間に位置付けられ、特性も両者の中間であることが知られている。
　このようなシルセスキオキサン誘導体の具体例としては、例えば、下記式（１）から式（５）で示されるものが挙げられる。ちなみに、式（１）ははしご構造のシルセスキオキサン誘導体を示し、式（２）はランダム構造のシルセスキオキサン誘導体を示し、式（３）はＴ８構造のシルセスキオキサン誘導体を示し、式（４）はＴ１０構造のシルセスキオキサン誘導体を示し、式（５）はＴ１２構造のシルセスキオキサン誘導体を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　但し、前記式（１）から式（５）で示される各シルセスキオキサン誘導体において、Ｒは、相互に同一でも異なっていてもよく、各Ｒは水素原子又は有機基を表しているが、各シルセスキオキサン誘導体における複数のＲのうち、２以上、望ましくは３以上が後記する重合性官能基である。
　重合性官能基としては、ビニル基、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、及び（メタ）アクリル基から選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
　このようなシルセスキオキサン誘導体は、本発明のナノインプリント用樹脂スタンパ３（図２参照）を使用した後記する転写方法で選ばれる光硬化性樹脂からなる樹脂層６（図１参照）の硬化機構と、シルセスキオキサン誘導体の硬化機構とが異なるものが望ましい。具体的には、転写用の硬化性樹脂材料がラジカル重合性のものである場合には、光カチオン重合性のシルセスキオキサン誘導体が望ましく、逆に転写用の硬化性樹脂材料が光カチオン重合性であれば、光ラジカル重合性のシルセスキオキサン誘導体が望ましい。
　シルセスキオキサン誘導体は、上市品を使用することができる。
　以上のようなシルセスキオキサン誘導体は、樹脂組成物における主成分をなすものであり、その含有率は、５０質量％以上、望ましくは７０％以上であればよい。
＜モノマ成分＞
　モノマ成分としては、ビニル基、（メタ）アクリル基、エポキシ基、オキセタニル基、及びビニルエーテル基から選ばれる重合性官能基を２以上含有するものが挙げられ、骨格等に制限はないが、前記したシルセスキオキサン誘導体が有する重合性官能基と同機構で硬化するモノマ成分が望ましい。また、モノマ成分としては、パーフルオロ骨格を有するもの（フッ素成分）を使用することができる。
　エポキシ基を有するモノマ成分としては、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂モノマ、水添ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂モノマ、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂モノマ、ノボラック型エポキシ樹脂モノマ、脂肪族環式エポキシ樹脂モノマ、脂肪族直鎖エポキシ樹脂モノマ、ナフタレン型エポキシ樹脂モノマ、ビフェニル型エポキシ樹脂モノマ、２官能アルコールエーテル型エポキシ樹脂モノマ等が挙げられる。
　オキセタニル基を有するモノマ成分としては、例えば、３－エチル－３－｛［３－エチルオキセタン－３－イル］メトキシメチル｝オキセタン、３－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、３－エチル－３－（フェノキシメチル）オキセタン、ジ［１－エチル（３－オキセタニル）］メチルエーテル、３－エチル－３－（２－エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３－エチル－３－｛［３－（トリエトキシシリル）プロポキシ］メチル｝オキセタン、オキセタニルシルセスキオキサン、フェノールノボラックオキセタン等が挙げられる。
　ビニルエーテル基を有するモノマ成分としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、イソフタル酸ジ（４－ビニロキシ）ブチル、グルタル酸ジ（４－ビニロキシ）ブチル、コハク酸ジ（４－ビニロキシ）ブチルトリメチロールプロパントリビニルエーテル、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、ヒドロキシヘキシルビニルエーテル等が挙げられる。
　以上、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基のいずれかの官能基を有する有機成分を例示したが、本発明はこれに限定されない。分子鎖中にビニル基、（メタ）アクリル基、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基等の重合性官能基を有するものであれば基本的に本発明に用いることができる。また、本実施形態でのモノマ成分は、常温で液体のものを想定しているが、固体のものをも使用することもできる。
　なお、本実施形態でのモノマ成分は、１種又は２種以上の組み合わせで使用される。
　以上のようなモノマ成分の樹脂組成物における含有率は、１質量％以上、５０質量％未満とすることができる。
＜光重合開始剤＞
　光重合開始剤としては、樹脂組成物に含まれるシルセスキオキサン誘導体や、モノマ成分の重合性官能基に合わせて適宜選択される。この光重合性開始剤の種類としては、紫外光の照射によりラジカルを発生する光ラジカル重合開始剤、紫外光の照射によりアニオンを発生する光アニオン重合開始剤、及び紫外光の照射によりカチオンを発生する光カチオン重合開始剤等が挙げられる。中でも光カチオン重合開始剤は酸素阻害による硬化不良を防ぐ点において望ましい。
　光カチオン重合開始剤としては、求電子試薬であり、カチオン発生源を持っているもので、有機成分を光により硬化させるものであれば特に制限はなく、公知の光カチオン重合開始剤を用いることができる。特に、紫外光により硬化を開始させる光カチオン重合開始剤は、室温での凹凸パターン形成が可能となり、より高精度なマスタモールドからのレプリカ形成が可能となるので望ましい。
　光カチオン重合開始剤としては、例えば、鉄－アレン錯体化合物、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩、ピリジニウム塩、アルミニウム錯体／シリルエーテルや、プロトン酸、ルイス酸等が挙げられる。
　紫外光により硬化を開始する光カチオン重合開始剤の具体的な例としては、例えば、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　２６１（チバガイギー社製）、アデカオプトマーＳＰ－１５０（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－１５１（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－１５２（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－１７０（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－１７１（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－１７２（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＳＰ－３００（ＡＤＥＫＡ社製）、ＵＶＥ－１０１４（ゼネラルエレクトロニクス社製）、ＣＤ－１０１２（サートマー社製）、サンエイドＳＩ－６０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－８０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１００Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１１０（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１８０（三新化学工業社製）、ＣＩ－２０６４（日本曹達社製）、ＣＩ－２６３９（日本曹達社製）、ＣＩ－２６２４（日本曹達社製）、ＣＩ－２４８１（日本曹達社製）、Ｕｖａｃｕｒｅ　１５９０（ダイセルＵＣＢ社製）、Ｕｖａｃｕｒｅ　１５９１（ダイセルＵＣＢ）、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ　Ｐｈｏｔｏ　Ｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４　（ローヌ・プーラン社製）、ＵＶＩ－６９９０（ユニオンカーバイド社製）、ＢＢＩ－１０３（ミドリ化学社製）、ＭＰＩ-１０３（ミドリ化学社製）、ＴＰＳ－１０３（ミドリ化学社製）、ＭＤＳ－１０３（ミドリ化学社製）、ＤＴＳ－１０３（ミドリ化学社製）、ＤＴＳ－１０３（ミドリ化学社製）、ＮＡＴ－１０３（ミドリ化学社製）、ＮＤＳ－１０３（ミドリ化学社製）、ＣＹＲＡＵＲＥ　ＵＶＩ６９９０（ユニオンカーバイト日本社製）等が挙げられる。
　以上のような光重合開始剤は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　樹脂組成物における光重合開始剤の含有率は、前記したシルセスキオキサン誘導体及びモノマ成分の樹脂組成物における合計質量に対する質量％、つまりその合計質量を１００とした場合に、０．３質量％以上（０．３質量部以上）、３質量％以下（３質量部以下）、望ましくは１質量％以上（１質量部以上）、３質量％以下（３質量部以下）に設定される。
　このような範囲内に、光重合開始剤の含有率を設定することで、十分な光透過性（波長３６５ｎｍの紫外光では透過率８０％以上）を有すると共に、図１に示す被転写体５（樹脂層６）に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れる微細構造体層２（図２参照）を形成することができる。
＜熱重合開始剤＞
　熱重合開始剤としては、樹脂組成物に含まれるシルセスキオキサン誘導体や、モノマ成分の重合性官能基に合わせて適宜選択される。熱重合開始剤の種類としては、加熱によりラジカルを発生する熱ラジカル重合開始剤、加熱によりカチオンを発生する熱カチオン重合開始剤が挙げられる。中でも熱カチオン重合開始剤は酸素阻害による硬化不良を防ぐ点において望ましい。熱カチオン重合開始剤としては求電子試薬であり、カチオン発生源を持っているもので、有機成分を熱により硬化させるものであれば特に制限はなく公知の熱カチオン重合開始剤を用いることができる。
　熱により硬化を開始する熱カチオン重合開始剤の具体的な例としては、例えば、サンエイドＳＩ－６０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－８０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１００Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１１０（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ－１８０（三新化学工業社製）、アデカオプトマーＣＰ－６６（ＡＤＥＫＡ社製）、アデカオプトマーＣＰ－７７（ＡＤＥＫＡ社製）等が挙げられる。
　以上のような熱重合開始剤は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。また、前記した光重合開始剤と熱重合開始剤とは、組み合わせて使用することもできる。
　樹脂組成物における熱重合開始剤の含有率は、前記したシルセスキオキサン誘導体及びモノマ成分の樹脂組成物における合計質量に対する質量％、つまりその合計質量を１００とした場合に、０．５質量％以上（０．５質量部以上）、１５質量％未満（１５質量部未満）、望ましくは１質量％以上（１質量部以上）、１０質量％以下（１０質量部以下）、より望ましくは１質量％以上（１質量部以上）、５質量％以下（５質量部以下）に設定される。
　このような範囲内に、熱重合開始剤の含有率を設定することで、十分な光透過性を有すると共に、図１に示す被転写体５（樹脂層６）に対する微細パターンの転写精度に優れ、しかも繰り返し転写性にも優れる微細構造体層２（図２参照）を形成することができる。
　以上のような樹脂組成物は、光重合開始剤及び熱重合開始剤を除く成分の全てが重合性官能基を有する樹脂であることが望ましい。
　しかしながら、製造工程により意図せず混入する反応性官能基を有しない溶剤成分は樹脂組成物に含まれていても本発明の効果を阻害するものではない。また、樹脂組成物には、本発明の課題を阻害しない範囲で、支持基材１（図２参照）と微細構造体層２（図２参照）との密着力を強化するための界面活性剤が含まれていてもよい。また、必要に応じて重合禁止剤等の添加剤を加えてもよい。
　以上のような、ナノインプリント用樹脂スタンパ３においては、支持基材１及び微細構造体層２は、光透過性（３６５ｎｍの波長の紫外光透過性）となるように形成することが望ましい。このようなナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、後記する被転写体の硬化性樹脂材料６（図３参照）に光硬化性樹脂を使用することができる。つまり、このナノインプリント用樹脂スタンパ３は、光ナノプリント用のレプリカモールドとして使用可能となる。
＜ナノインプリント用樹脂スタンパの製造方法＞
　次に、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３（図２参照）の製造方法について説明する。ここで参照する図３（ａ）から（ｃ）は、ナノインプリント用樹脂スタンパの製造方法を模式的に示す工程説明図である。
　先ずこの製造方法では、図３（ａ）に示すように、微細パターン４ａが形成されたマスタモールド４が準備される。その一方で、支持基材１上に、微細構造体層２（図２参照）を形成するための、前記した樹脂組成物２ａが塗布される。
　次に、図３（ｂ）に示すように、塗布した樹脂組成物２ａに、マスタモールド４が押し付けられる。そして、マスタモールド４を押し付けた状態で、樹脂組成物２ａを硬化させることによってマスタモールド４の微細パターン４ａ（図３（ａ）参照）が樹脂組成物２ａに転写される。
　ちなみに、この樹脂組成物２ａの硬化は、樹脂組成物２ａが前記した光重合開始剤を含むものであれば光照射により行われればよいし、熱重合開始剤を含むものであれば加熱により行われればよい。
　そして、図３（ｃ）に示すように、硬化した樹脂組成物２ａ（図３（ｂ）参照）からマスタモールド４が剥離されることによって、支持基材１上に微細構造体層２が形成された、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３が得られる。ちなみに、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細構造体層２に形成された微細パターン３ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａの凹凸形状が反転して形成されたものである。
＜ナノインプリント装置を使用した微細パターンの転写方法＞
　次に、ナノインプリント装置Ｉｐ（図１参照）の動作を説明しつつ、このナノインプリント装置Ｉｐを使用した微細パターン３ａ（図１参照）の転写方法について説明する。
　この転写方法では、図１に示すように、前記した工程（図３（ａ）から（ｃ）参照）で製造されたナノインプリント用樹脂スタンパ３（図２参照）が、固定ブロック１３に取り付けられる。この際、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細パターン３ａは、ステージブロック１２に対向するように取り付けられる。
　また、ステージブロック１２には、ナノインプリント用樹脂スタンパ３と対向する位置に、被転写体５が取り付けられる。この際、被転写体５は、樹脂層６がナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細パターン３ａに対向するように取り付けられる。
　次に、この転写方法では、図１に示す昇降装置１１でステージブロック１２を上昇させることによって、被転写体５の樹脂層６が、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細パターン３ａに押し付けられる。その結果、図示しないが、樹脂層６には、微細パターン３ａの形状が転写される。
　その後、樹脂層６にナノインプリント用樹脂スタンパ３が押し当てられた状態で、光源１４からは紫外光が樹脂層６に照射される。そのことによって、微細パターン３ａが転写された樹脂層６は硬化する。
　そして、昇降装置１１でステージブロック１２を下降させることによって、被転写体５からナノインプリント用樹脂スタンパ３を剥離する。
　次に、参照する図４は、ナノインプリント用樹脂スタンパを被転写体に押し当てた後に再び剥離した際の様子を示す模式図である。
　図４に示すように、硬化した樹脂層６からナノインプリント用樹脂スタンパ３を剥離することで、この転写方法は終了する。つまり、被転写体５の硬化した樹脂層６には、微細パターン５ａが形成される。
　ちなみに、被転写体５に転写された微細パターン５ａは、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細構造体層２に形成された微細パターン３ａの凹凸形状が反転して形成されたものである。つまり、微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａ（図３（ａ）参照）の凹凸形状に対応する形状となっている。
　以上のような、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３は、主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、モノマ成分とを含有する樹脂組成物であって、光重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下で含有するか、又は熱重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．５質量％以上、１５質量％未満で含有する。そのため、このナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過する、十分な光透過性を有する微細構造体層２を支持基板１上に備えたものとなる。
　したがって、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、このナノインプリント用樹脂スタンパ３を介して被転写体５（図１参照）に光源１４（図１参照）からの紫外光を照射する際に、紫外光の吸収量を低減することができる。
　その結果、被転写体５の樹脂層６には、紫外光が効率よく照射されるので、樹脂層６の硬化時間を短縮することができる。その結果、転写体を得る際に良好なスループットを維持することができる。
　また、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、微細構造体層２における紫外光の吸収量を低減することができるので、微細構造体層２の熱膨張が抑制される。その結果、ナノインプリント用樹脂スタンパ３は、被転写体５に対する微細パターン３ａ（図１参照）の転写精度に優れる。
　また、本実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、シルセスキオキサン誘導体を主成分とする樹脂組成物の重合体で微細構造体層２が形成されるので、従来のスタンパと異なって、被転写基板７（図１参照）の反りや突起に対する追従性に優れ、しかも離型剤をその表面に施さなくても、被転写体５（図１参照）に対する離型性に優れる。
　その結果、従来のスタンパと異なって、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の表面に、離型剤の塗布ムラが形成されることがないことと、被転写基板７に対する良好な追従性を有することとも相俟って、ナノインプリント用樹脂スタンパ３は、更に微細パターン３ａ（図１参照）の転写精度に優れる。
　また、従来のスタンパと異なって、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の表面に、離型剤を施さなくてもよいので、繰り返し転写による離型層の劣化もない。その結果、ナノインプリント用樹脂スタンパ３によれば、いわゆる繰り返し転写性に優れる。
　また、このように離型剤を必要とせずに、繰り返し転写性を向上させることができるナノインプリント用樹脂スタンパ３は、ナノインプリント装置Ｉｐ（図１参照）による転写体の製造時において、そのランニングコストを低減することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、種々の形態で実施することができる。
　前記実施形態では、図２に示すように、支持基材１上に微細構造体層２を有するナノインプリント用樹脂スタンパ３について説明したが、支持基材１の微細構造体層２とは反対側の面に、更に他の基板を配置することができる。次に参照する図５は、本発明の他の実施形態に係るナノインプリント用樹脂スタンパを示す模式図である。
　図５に示すように、このナノインプリント用樹脂スタンパ１０は、微細構造体層２を設けた可撓性を有する光透過性の支持基材１の反対側の面に、光透過性の弾性体プレート８と、光透過性の硬質基板９とをこの順番に設けたものである。
　なお、図５中、符号１０ａは、微細構造体層２の微細パターンである。
　弾性体プレート８としては、光透過性のゴム部材で形成されている。このゴム部材の具体例としては、例えば、透明性シリコーンゴム等の合成ゴムが挙げられる。弾性体プレート８の厚さは、３ｍｍ～１５ｍｍの範囲が好ましい。
　光透過性の硬質基板９としては、例えば、透明性を有するガラス板、石英板、プラスチック板等が挙げられる。プラスチック板としては、例えば、アクリル樹脂板、硬質塩化ビニル板等が挙げられる。この硬質基板９の厚さは、１０ｍｍ～３０ｍｍの範囲が好ましい。
　支持基材１、弾性体プレート８、及び硬質基板９は、相互に接着剤を使用して接合することができる。この接着剤としては、光透過性の接着剤を使用することができ、例えば、アクリルゴム系光学接着剤、ＵＶ硬化型ポリエステル樹脂等が挙げられる。
　これらの弾性体プレート８と硬質基板９は、別途用意した治具（リング等）や締結具（ボルト等）を使用して相互に機械的に接合することができる。また、硬質基板９に吸引孔を形成すると共に、この吸引孔を介して弾性体プレート８を吸引ポンプで吸着することもできる。なお、この吸着と前記した機械的な接合とは、併用することもできる。
　以上のような図５に示すナノインプリント用樹脂スタンパ１０によれば、これを被転写体５（図１参照）に押し付けて微細パターン１０ａを転写する際に、弾性体プレート８の発揮する弾性によって、微細構造体層２が被転写体５（図１参照）の樹脂層６（図１参照）を均等な力で押圧するので、微細パターン１０ａを精度よく樹脂層６に転写することができる。また、微細構造体層２が樹脂層６（図１参照）を均等な力で押圧するので、微細構造体層２と樹脂層６との間に空気が巻き込まれるのを、より確実に防止することができる。
　ちなみに、前記したように、弾性プレート８の厚さを３ｍｍ以上とすることによって、支持基材１及び微細構造体層２を必要十分に変形させることができるので、微細パターン１０ａの転写精度は、より一層高められる。また、弾性プレート８の厚さを１５ｍｍ以下とすることによって、このナノインプリント用樹脂スタンパ１０を使用した転写時に、弾性プレートの面方向の変形を抑え、支持基材１が横方向にずれることを、より確実に防止することができる。このことによっても、微細パターン１０ａの転写精度は、より一層高められる。
　また、このナノインプリント用樹脂スタンパ１０によれば、硬質基板９の発揮する剛性によって、ナノインプリント用樹脂スタンパ１０の機械的強度を、より向上させることができる。
　ちなみに、前記したように、硬質基板９は厚さを１０ｍｍ以上とすることによって、ナノインプリント用樹脂スタンパ１０に、十分な機械的強度を付与することができる。また、硬質基板９の厚さを３０ｍｍ以下とすることによって、硬質基板９の光透過性を良好に維持することができる。
　また、前記実施形態では、微細構造体層２（図２参照）は、支持基材１（図２参照）の上面の面積に一致する大きさで形成することを想定しているが、本発明は、微細構造体層２を支持基材１（図２参照）の上面の面積よりも小さい面積で形成することもできる。また、この際、微細構造体層２の平面形状は、支持基材１の上面の形状と異なるように形成することができ、円形、楕円形、多角形等の様々な形状とすることができる。また、微細構造体層２は、支持基材１の上面の中央部に形成してもよいし、支持基材１の上面の中央部から変位した位置に形成してもよい。
　また、前記実施形態では、ナノインプリント装置Ｉｐ（図１参照）において、ステージブロック１２を昇降装置１１で駆動することによって、ナノインプリント用樹脂スタンパ３と被転写体５とを接触させるように構成しているが、本発明は固定ブロック１３を所定の駆動機構により駆動することによって、ナノインプリント用樹脂スタンパ３と被転写体５とを接触させるように構成することもできる。
　次に、実施例を示しながら本発明を更に具体的に説明する。以下の説明において使用する「部」及び「％」は特に示さない限りすべて質量基準である。
（実施例１）
　本実施例では、図３（ａ）から（ｃ）に示す工程でナノインプリント用樹脂スタンパ３を作製した。
　＜樹脂組成物の調製＞
　はじめに、下記表１に示すように、複数個のオキセタニル基を有するシルセスキオキサン誘導体ＯＸ－ＳＱＳＩ－２０（東亞合成社製）９０質量部と、光重合性モノマ（モノマ成分）としての、パーフルオロ骨格を有するジエポキシである１，４－ビス（２，３－エポキシプロピル）パーフルオロブタン（ダイキン工業社製）１０質量部と、光カチオン重合開始剤としての、アデカオプトマーＳＰ－１７２（ＡＤＥＫＡ社製）を、シルセスキオキサン誘導体及びモノマ成分との合計量１００質量部に対して０．３質量％（０．３質量部）で調合し、微細構造体層２（図３（ｃ）参照）を形成するための光硬化性の樹脂組成物２ａ（図３（ａ）参照）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
＜ナノインプリント用樹脂スタンパの作製＞
　次に、支持基材１（図３（ａ）参照）として、表面にＫＢＭ４０３（信越シリコーン社製）によりシランカップリング処理した２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板を準備した。
　ちなみに、シランカップリング処理したこのガラス板における波長３６５ｎｍの紫外光の透過率は９７％であった。
　この支持基材１のカップリング処理表面に、微細構造体層２となる樹脂組成物２ａを塗布した（図３（ａ）参照）。次に、ＯＰＴＯＯＬ　ＤＳＸ（ダイキン工業社製）によってその表面を離型処理したシリコン（Ｓｉ）製のマスタモールド４を準備した（図３（ａ）参照）。このマスタモールド４に形成された微細パターン４ａ（図３（ａ）参照）は、円柱状の微小突起（直径１８０ｎｍ、高さ２００ｎｍ）がヘキサゴナルにピッチ１８０ｎｍで並ぶドットパターンであった。
　次に、図３（ｂ）に示すように、マスタモールド４を樹脂組成物２ａに押し付けた状態で、３６５ｎｍの波長の紫外光を６００秒間照射して、樹脂組成物２ａを硬化させた。そして、硬化した樹脂組成物２ａ（図３（ｂ）参照）からマスタモールド４を剥離し、図３（ｃ）に示すように、支持基材１上に微細構造体層２を形成した本発明のナノインプリント用樹脂スタンパ３（ソフトスタンパ）を作製した。このナノインプリント用樹脂スタンパ３は、支持基材１と微細構造体層２との２層構成（表１中、スタンパ構成として記す）となっている。
　ちなみに、この微細構造体層２の微細パターン３ａ（図２参照）は、マスタモールド４のドットパターンとは凹凸が逆の（反転した）、微細な円柱状の凹部形状（直径１８０ｎｍ、深さ２００ｎｍ）が並ぶパターンであった。
　次に、図１に示すナノインプリント装置Ｉｐに、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３を取り付けると共に、被転写体５を取り付けた。
　被転写体５としては、ガラス板からなる被転写基板７上に、アクリレート系モノマを主成分とする光ラジカル重合性の樹脂組成物からなる樹脂層６（図１参照）を形成したものを使用した。
　そして、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の微細パターン３ａに、被転写体５の樹脂層６を押し付けつつ、光源１４（図１参照）から紫外光を被転写体５に照射して、樹脂層６を硬化させた。
　その後、硬化した樹脂層６からナノインプリント用樹脂スタンパ３を剥離することによって、硬化した樹脂層６の表面に微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５を得た。
　この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して、転写精度よく対応しており、円柱状の微小突起（直径１８０ｎｍ、高さ２００ｎｍ）がヘキサゴナルにピッチ１８０ｎｍで並ぶドットパターンが樹脂層６に確認された。
　次に、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び後記する被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を測定した。その結果を表１に示す。
　なお、弾性率は、微細構造体層２の３０℃におけるものを常法により測定した。
　光透過性は、ナノインプリント用樹脂スタンパ３の作製に使用した、前記樹脂組成物２ａの硬化物膜を３０μｍの膜厚で形成し、この硬化物膜について、波長３６５ｎｍの紫外光の透過率を測定した。
　なお、この光透過率［％］は、８０％以上のものを良好であると判定して、表１の光透過率の可否の欄に「良」と記した。また、８０％未満のものを不良であると判定して、表１の光透過率の可否の欄に「不良」と記した。
　最大寸法変化率［％］としては、ナノインプリント用樹脂スタンパ３を使用して前記した複数の被転写体５に対して繰り返して転写を行った際に、転写１回目と、転写５回目とにおける微細パターン５ａの最大寸法変化率［％］を求めた。具体的には、転写１回目の微細パターン５ａにおける微小突起の高さと、転写５回目の微小突起の高さとを原子間力顕微鏡（ビーコ社製）により測定すると共に、その変化率［％］を算出した。
　そして、この変化率［％］は、被転写体５における５点について求めると共に、これらの変化率［％］のうちの最大の値のものを最大寸法変化率［％］とした。
　なお、この最大寸法変化率［％］は、１０％以下のものを良好であると判定して、表１の５回転写性の可否の欄に「良」と記した。また、１０％を超えるものを不良であると判定して、表１の５回転写性の可否の欄に「不良」と記した。
（実施例２から実施例６）
　本実施例では、表１に示す光重合開始剤を、表１に示す割合で含有する樹脂組成物を使用した以外は、実施例１と同様の方法で微細構造体層２を有するナノインプリント用樹脂スタンパ３を作製した。
　なお、表１中、光重合開始剤（ＳＰ１５２）は、光カチオン重合開始剤としての、アデカオプトマーＳＰ－１５２（ＡＤＥＫＡ社製）であり、光重合開始剤（ＳＰ３００）は、光カチオン重合開始剤としての、アデカオプトマーＳＰ－３００（ＡＤＥＫＡ社製）であり、熱重合開始剤（サンエイドＳＩ６０）は、熱カチオン重合開始剤としての、サンエイドＳＩ６０（三新化学社製）である。これらの重合開始剤の表記は、以下に示す表２から表４において同じである。
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパ３を使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５を得た。
　その結果、この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して転写精度よく対応していることが確認された。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表１に示す。
（実施例７）
　本実施例では、実施例３と同様の樹脂組成物を調製した。
　ナノインプリント用樹脂スタンパの作製は、次の手順で行った（図示省略）。
　マスタモールド４としては、微細パターン４ａがラインアンドスペースパターン（ピッチ９０ｎｍ、襞高さ５０ｎｍ）である以外は、離型処理を施した実施例１と同様のものを使用した。
　次に、このマスタモールド４の微細パターン４ａが形成された面に、樹脂組成物をスピンコート法によって塗布した後、これに３６５ｎｍの波長の紫外光を６００秒間照射して硬化させた。
　次に、この硬化した樹脂組成物層の表面に光硬化性のエポキシ系樹脂をスピンコート法にて塗布した後、これに光透過性を有する高弾性の支持基材を押し付けた状態で、エポキシ系樹脂を硬化させた。なお、支持基材のエポキシ系樹脂と接する面には、ＫＢＭ４０３（信越シリコーン社製）によりカップリング処理を施した。
　そして、マスタモールド４を剥離することで、実施例３の樹脂組成物が硬化した微細構造体層（図示省略）、硬化したエポキシ系樹脂からなる支持層（図示省略）、及び高弾性の図示しない支持基材（２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）がこの順番に積層された３層構成（表１中、スタンパ構成として記す）のナノインプリント用樹脂スタンパを作製した。
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパを使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５（図４参照）を得た。
　その結果、この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して転写精度よく対応していることが確認された。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表１に示す。
（実施例８）
　本実施例では、実施例３と同様の樹脂組成物（表１参照）を調製した。
　ナノインプリント用樹脂スタンパの作製は、次の手順で行った（図示省略）。
　まず、離型処理を施した実施例７と同様のマスタモールド４を準備した。
　次に、このマスタモールド４の微細パターン４ａが形成された面に、樹脂組成物をスピンコート法によって塗布した後、これに３６５ｎｍの波長の紫外光を６００秒間照射して硬化させた。
　次に、この硬化した樹脂組成物層の表面に光硬化性の不飽和ポリエステルをスピンコート法にて塗布した後、これに紫外光を照射して硬化させることで第１支持層（図示省略）を形成した。
　次に、この第１支持層の表面に光硬化性のエポキシ系樹脂をスピンコート法にて塗布した後、これに光透過性を有する高弾性の支持基材（図示省略）を押し付けた状態で、エポキシ系樹脂を硬化させて第１支持層と支持基材との間に第２支持層（図示省略）を形成した。なお、支持基材のエポキシ系樹脂と接する面には、ＫＢＭ４０３（信越シリコーン社製）によりカップリング処理を施した。
　そして、マスタモールド４を剥離することで、実施例３の樹脂組成物が硬化した微細構造体層、硬化した不飽和ポリエステルからなる第１支持層、硬化したエポキシ系樹脂からなる第２支持層、及び高弾性の支持基材（２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）がこの順番に積層された４層構成（表２中、スタンパ構成として記す）のナノインプリント用樹脂スタンパ（図示省略）を作製した。
　なお、このナノインプリント用樹脂スタンパにおける第１支持層は、微細構造体層よりも低弾性となっている。第２支持層は、第１支持層よりも低弾性となっており、ガラスで形成された支持基材は、第２支持層よりも高弾性となっている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパを使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５（図４参照）を得た。
　その結果、この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して転写精度よく対応していることが確認された。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパにおける、微細構造体層の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表２に示す。
（実施例９）
　本実施例では、実施例３と同様の樹脂組成物（表１参照）を調製すると共に、この樹脂組成物を使用して、図５に示すナノインプリント用樹脂スタンパ１０を作製した。
　まず、支持基材１として、シランカップリング処理した実施例１と同様のガラス板を準備した。
　この支持基材１のカップリング処理表面に、樹脂組成物を塗布した。
　次に、離型処理を施した実施例７と同様のマスタモールド４（図３（ａ）参照）を準備すると共に、このマスタモールド４の微細パターン４ａ（図３（ａ）参照）が形成された面に、樹脂組成物を押し付けるように支持基材１を配置した。その後、支持基材１を介して３６５ｎｍの波長の紫外光を６００秒間、樹脂組成物に照射してこの樹脂組成物を硬化させた。次いで、樹脂組成物からマスタモールド４を剥離することで、図５に示す微細パターン１０ａ（図５参照）を有する微細構造体層２を支持基材１上に形成した。
　そして、図５に示すように、支持基材１の微細構造体層２が形成される面と反対側の面に、光透過性の弾性体プレート８と、光透過性の硬質基板９とをこの順番で接着剤を介して積層してナノインプリント用樹脂スタンパ１０を作製した。
　なお、弾性プレート８としては、シリコーンゴム（東レ・ダウコーニング社製、シルガード（登録商標）、厚さ１０ｍｍ）を使用し、硬質基板９としては、石英基板（厚さ０．７ｍｍ）を使用した。
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパ１０（図５参照）を使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５を得た。
　その結果、この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して転写精度よく対応していることが確認された。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ１０における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表２に示す。
（実施例１０から実施例１５）
　本実施例では、表２に示す光重合開始剤を、表２に示す割合で含有する樹脂組成物を使用した以外は、実施例１と同様の方法で微細構造体層２を有するナノインプリント用樹脂スタンパ３（図２参照）を作製した。
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパ３を使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５を得た。
　その結果、この微細パターン５ａは、マスタモールド４の微細パターン４ａに対して転写精度よく対応していることが確認された。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表２に示す。
（比較例１，２，４，６，１２）
　比較例１、比較例２、比較例４、比較例６、及び比較例１２では、表３及び表４に示す光重合開始剤を、表３及び表４に示す割合で含有する樹脂組成物を使用した以外は、実施例１と同様の方法で微細構造体層２を有するナノインプリント用樹脂スタンパ３を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　そして、このナノインプリント用樹脂スタンパ３を使用した以外は、実施例１と同様に、微細パターン５ａ（図４参照）が形成された被転写体５を得た。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、光透過率［％］、及び被転写体５に形成した微細パターン５ａにおける最大寸法変化率［％］を、実施例１と同様に測定すると共に、実施例１と同様に、光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表３及び表４に示す。
（比較例３，５，７）
　比較例３、比較例５、及び比較例７では、表３及び表４に示す光重合開始剤を、表３及び表４に示す割合で含有する樹脂組成物を使用した。
　この樹脂組成物を使用して、実施例１と同様の方法で微細構造体層２を有するナノインプリント用樹脂スタンパ３を作製しようと試みたが、実施例１と同じ条件での紫外光照射では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層２となった。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパ３における、微細構造体層２の弾性率［ＧＰａ］、及び光透過率［％］、並びに光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表３及び表４に示す。
　なお、本比較例では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層２となったために、最大寸法変化率［％］の測定は行わなかった。また、５回転写性の可否を判定は、「不良」と記した。
（比較例８）
　比較例８では、比較例３と同様の樹脂組成物（表３及び表４参照）を調製すると共に、この樹脂組成物を使用した以外は、実施例７と同様の３層構成のナノインプリント用樹脂スタンパ（図示省略）を作製した。
　この樹脂組成物を使用して、実施例７と同様の方法でナノインプリント用樹脂スタンパを作製しようと試みたが、実施例７と同じ条件での紫外光照射では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層となった。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパにおける、微細構造体層の弾性率［ＧＰａ］、及び光透過率［％］、並びに光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表４に示す。
　なお、本比較例では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層となったために、最大寸法変化率［％］の測定は行わなかった。また、５回転写性の可否を判定は、転写を行うことができなかったので「不良」と記した。
（比較例９）
　比較例９では、比較例３と同様の樹脂組成物（表３及び表４参照）を調製すると共に、この樹脂組成物を使用した以外は、実施例８と同様の４層構成のナノインプリント用樹脂スタンパ（図示省略）を作製した。
　この樹脂組成物を使用して、実施例８と同様の方法でナノインプリント用樹脂スタンパを作製しようと試みたが、実施例８と同じ条件での紫外光照射では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層となった。
　また、作製したナノインプリント用樹脂スタンパにおける、微細構造体層の弾性率［ＧＰａ］、及び光透過率［％］、並びに光透過率の可否、及び５回転写性の可否を判定した。これらの結果を表４に示す。
　なお、本比較例では、樹脂組成物が十分に硬化しない微細構造体層となったために、最大寸法変化率［％］の測定は行わなかった。また、５回転写性の可否を判定は、転写を行うことができなかったので「不良」と記した。
（実施例及び比較例におけるナノインプリント用樹脂スタンパの評価結果）
　表１及び表２に示すように、本発明の実施例に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３，１０は、主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、モノマ成分とを含有する樹脂組成物であって、光重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下で含有するか、又は熱重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．５質量％以上、１５質量％未満で含有する樹脂組成物の重合体で微細構造体層２が形成されるので、微細構造体層２における波長３６５ｎｍの紫外光透過率が８０％以上となる。
　そのため、ナノインプリント用樹脂スタンパ３，１０は、微細パターン２ａ，１０ａを転写した被転写体５における樹脂層６（光硬化性樹脂）を効果的に硬化することができる。したがって、このナノインプリント用樹脂スタンパによれば、微細パターン２ａ，１０ａを転写した被転写体５の良好なスループットを維持することができる。
　また、本発明の実施例に係るナノインプリント用樹脂スタンパ３，１０は、主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、モノマ成分とを含有する樹脂組成物であって、光重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下で含有するか、又は熱重合開始剤をシルセスキオキサン誘導体、及びモノマ成分の合計の質量に対して、０．５質量％以上、１５質量％未満で含有する樹脂組成物の重合体で微細構造体層２が形成されるので、転写精度及び繰り返し転写性に優れる。
　これに対して、表３及び表４に示すように、比較例のナノインプリント用樹脂スタンパは、光重合開始剤の含有率、及び熱重合開始剤の含有率が本発明の範囲を外れることで、微細構造体層における波長３６５ｎｍの紫外光透過率が不十分になるか、又は繰り返し転写性が劣る。
　次に参照する図６は、微細構造体層の形成に使用した樹脂組成物における光重合開始剤の含有率と、微細構造体層の光透過率及び最大寸法変化率との関係を示すグラフであり、横軸が光重合開始剤の含有率［％］を示し、右縦軸が最大寸法変化率［％］を示し、左縦軸が微細構造体層の光透過率［％］を示すグラフである。更に詳しくは、図６は、シルセスキオキサン誘導体９０質量部、及びモノマ成分１０質量部の合計の１００質量部に対して、光重合開始剤（ＳＰ１７２）の含有量を変えた樹脂組成物を使用した際に、得られた微細構造体層の光透過率（紫外線透過率）及び最大寸法変化率を示したグラフである。なお、図６には、対応する実施例の番号、及び比較例の番号を併記している。
　この図６からも明らかなように、光重合開始剤の含有率を０．３質量％以上、３質量％以下とすることによって、微細構造体層２の光透過率、及び最大寸法変化率（繰り返し転写率）が優れたものとなる。
　１　　支持基材
　２　　微細構造体層
　２ａ　樹脂組成物
　３，１０　　ナノインプリント用樹脂スタンパ
　４　　マスタモールド

Claims (8)

  1. 　複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、光重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層を、光透過性の支持基材上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパであって、
    　前記光重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、０．３質量％以上、３質量％以下であり、
    　前記微細構造体層は、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過することを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  2. 　請求の範囲第１項に記載のナノインプリント用樹脂スタンパにおいて、
    　前記光重合開始剤は、光カチオン重合開始剤であることを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  3. 　複数の重合性官能基を有する主成分としてのシルセスキオキサン誘導体と、複数の重合性官能基を有し、前記シルセスキオキサン誘導体とは別の重合性樹脂成分と、熱重合開始剤とを含有する樹脂組成物の重合体からなる微細構造体層を、光透過性の支持基材上に備えるナノインプリント用樹脂スタンパであって、
    　前記熱重合開始剤は、前記シルセスキオキサン誘導体、及び前記重合性樹脂成分の合計の質量に対して、０．５質量％以上、１５質量％未満であり、
    　前記微細構造体層は、波長３６５ｎｍの光を８０％以上透過することを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  4. 　請求の範囲第３項に記載のナノインプリント用樹脂スタンパにおいて、
    　前記熱重合開始剤は、熱カチオン重合開始剤であることを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  5. 　請求の範囲第１項又は第３項に記載のナノインプリント用樹脂スタンパにおいて、
    　前記重合性官能基は、ビニル基、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基、及び（メタ）アクリル基から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  6. 　請求の範囲第１項又は第３項に記載のナノインプリント用樹脂スタンパにおいて、
    　前記支持基材の前記微細構造体層が形成される面と反対側の面に、光透過性の弾性体プレートと、光透過性の硬質基板とをこの順番で更に備えると共に、
    　前記支持基材が、可撓性の硬質材料で形成されていることを特徴とするナノインプリント用樹脂スタンパ。
  7. 　請求の範囲第１項又は第３項に記載のナノインプリント用樹脂スタンパと、
    　前記ナノインプリント用樹脂スタンパを固定する固定ブロックと、
    　被転写体を保持するステージブロックと、
    　前記ナノインプリント用樹脂スタンパと前記被転写体とを接触させた後に離反させるように前記固定ブロック及び前記ステージブロックのうちの少なくとも一方を駆動する駆動機構と、
    を備えることを特徴とするナノインプリント装置。
  8. 　請求の範囲第７項に記載のナノインプリント装置において、
    　前記ナノインプリント用樹脂スタンパは、前記支持基材の前記微細構造体層が形成される面と反対側の面に、光透過性の弾性体プレートと、光透過性の硬質基板とをこの順番で更に備えると共に、
    　前記支持基材が、可撓性の硬質材料で形成されていることを特徴とするナノインプリント装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575606A (zh) * 2014-08-21 2017-04-19 日产化学工业株式会社 压印材料
JPWO2022163597A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6468478B2 (ja) * 2014-10-22 2019-02-13 大日本印刷株式会社 インプリント用モールド、インプリント方法及びワイヤーグリッド偏光子の製造方法
CN113189840A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 深圳先进技术研究院 微纳结构制作方法及微纳结构制作装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006338844A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Sony Corp 光ディスク作製用スタンパとその製造方法
JP2010036514A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Hitachi High-Technologies Corp ナノインプリント用スタンパ及び該スタンパを使用する微細構造転写装置
JP2010141064A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Hitachi High-Technologies Corp 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法
JP2010280159A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Osaka Univ ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法
JP2011170207A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Jeol Ltd 微細構造物の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8603386B2 (en) * 1995-11-15 2013-12-10 Stephen Y. Chou Compositions and processes for nanoimprinting
JP2003212965A (ja) * 2002-01-28 2003-07-30 Brother Ind Ltd 活性エネルギー線硬化型組成物
JP4154595B2 (ja) 2003-05-28 2008-09-24 ダイキン工業株式会社 インプリント加工用金型およびその製造方法
JP2009001002A (ja) 2007-05-24 2009-01-08 Univ Waseda モールド、その製造方法および転写微細パターンを有する基材の製造方法
JP2009073078A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Fujifilm Corp 光ナノインプリント用硬化性組成物およびそれを用いた液晶表示装置用部材
JP2009206197A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、硬化物およびその製造方法
US8293354B2 (en) * 2008-04-09 2012-10-23 The Regents Of The University Of Michigan UV curable silsesquioxane resins for nanoprint lithography
JP5011222B2 (ja) 2008-06-30 2012-08-29 株式会社日立製作所 インプリント用スタンパおよびインプリント方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006338844A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Sony Corp 光ディスク作製用スタンパとその製造方法
JP2010036514A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Hitachi High-Technologies Corp ナノインプリント用スタンパ及び該スタンパを使用する微細構造転写装置
JP2010141064A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Hitachi High-Technologies Corp 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法
JP2010280159A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Osaka Univ ナノインプリントリソグラフィー用の高耐久性レプリカモールドおよびその作製方法
JP2011170207A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Jeol Ltd 微細構造物の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575606A (zh) * 2014-08-21 2017-04-19 日产化学工业株式会社 压印材料
CN106575606B (zh) * 2014-08-21 2020-03-27 日产化学工业株式会社 压印材料
JPWO2022163597A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04
JP7744938B2 (ja) 2021-01-29 2025-09-26 富士フイルム株式会社 インプリントパターン形成用組成物、硬化物、インプリントパターンの製造方法、デバイス及びデバイスの製造方法

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