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WO2012002665A3 - Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires - Google Patents

Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires Download PDF

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WO2012002665A3
WO2012002665A3 PCT/KR2011/004517 KR2011004517W WO2012002665A3 WO 2012002665 A3 WO2012002665 A3 WO 2012002665A3 KR 2011004517 W KR2011004517 W KR 2011004517W WO 2012002665 A3 WO2012002665 A3 WO 2012002665A3
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WO
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vessel
removing impurities
acid
silicon
acid leaching
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PCT/KR2011/004517
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WO2012002665A2 (fr
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민동준
정은진
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RENEW ENERGY CO Ltd
Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University
Original Assignee
RENEW ENERGY CO Ltd
Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University
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    • C01INORGANIC CHEMISTRY
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    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

La présente invention concerne l'élimination des impuretés contenues dans du Mg-Si au moyen d'un procédé de lixiviation acide comprenant les étapes suivantes : la préparation d'un récipient choisi parmi un bécher en Pyrex, un récipient en carbone, un récipient en Al2O3, un récipient en Téflon et un récipient en MgO, présentant une résistance élevée à l'abrasion en présence d'une solution acide ; l'introduction dans le récipient préparé d'une ou de plusieurs solutions acides choisies parmi HCl, HNO3, H2SO4 et HF, qui n'attaquent pas le silicium du Mg-Si ; l'introduction du Mg-Si dans le récipient contenant les solutions acides, à un rapport pondéral entre le silicium et les solutions acides de 1:0,5 à 2 ; et la conservation du Mg-Si dans le récipient à une température prédéterminée pendant une durée prédéterminée pour retirer les impuretés ioniques du Si, les impuretés résultant de la réaction interfaciale entre les solutions acides et le Si.
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