WO2012002665A3 - Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires - Google Patents
Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012002665A3 WO2012002665A3 PCT/KR2011/004517 KR2011004517W WO2012002665A3 WO 2012002665 A3 WO2012002665 A3 WO 2012002665A3 KR 2011004517 W KR2011004517 W KR 2011004517W WO 2012002665 A3 WO2012002665 A3 WO 2012002665A3
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- vessel
- removing impurities
- acid
- silicon
- acid leaching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
La présente invention concerne l'élimination des impuretés contenues dans du Mg-Si au moyen d'un procédé de lixiviation acide comprenant les étapes suivantes : la préparation d'un récipient choisi parmi un bécher en Pyrex, un récipient en carbone, un récipient en Al2O3, un récipient en Téflon et un récipient en MgO, présentant une résistance élevée à l'abrasion en présence d'une solution acide ; l'introduction dans le récipient préparé d'une ou de plusieurs solutions acides choisies parmi HCl, HNO3, H2SO4 et HF, qui n'attaquent pas le silicium du Mg-Si ; l'introduction du Mg-Si dans le récipient contenant les solutions acides, à un rapport pondéral entre le silicium et les solutions acides de 1:0,5 à 2 ; et la conservation du Mg-Si dans le récipient à une température prédéterminée pendant une durée prédéterminée pour retirer les impuretés ioniques du Si, les impuretés résultant de la réaction interfaciale entre les solutions acides et le Si.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0063299 | 2010-07-01 | ||
| KR20100063299A KR101180353B1 (ko) | 2010-07-01 | 2010-07-01 | 태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2012002665A2 WO2012002665A2 (fr) | 2012-01-05 |
| WO2012002665A3 true WO2012002665A3 (fr) | 2012-05-03 |
Family
ID=45402521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2011/004517 Ceased WO2012002665A2 (fr) | 2010-07-01 | 2011-06-21 | Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101180353B1 (fr) |
| WO (1) | WO2012002665A2 (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102502651A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-06-20 | 昆明理工大学 | 一种工业硅湿法除p的方法 |
| CN107572533A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-01-12 | 晶科能源有限公司 | 一种硅料边皮中杂质的去除方法 |
| CN108240933B (zh) * | 2017-12-11 | 2021-10-22 | 囯网河北省电力有限公司电力科学研究院 | 一种超纯铝显微组织形态浸蚀剂及侵蚀方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4379777A (en) * | 1980-10-15 | 1983-04-12 | Universite De Sherbrooke | Purification of metallurgical grade silicon |
| US4539194A (en) * | 1983-02-07 | 1985-09-03 | Elkem A/S | Method for production of pure silicon |
| US6090361A (en) * | 1997-03-24 | 2000-07-18 | Kawasaki Steel Corporation | Method for producing silicon for use in solar cells |
| WO2005063621A1 (fr) * | 2003-12-29 | 2005-07-14 | Elkem Asa | Charge d'alimentation en silicium pour cellules solaires |
| KR20090113091A (ko) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 주식회사 이노베이션실리콘 | 압착을 이용한 실리콘 정제 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10324514A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-12-08 | Kawasaki Steel Corp | 金属シリコンの再利用方法 |
-
2010
- 2010-07-01 KR KR20100063299A patent/KR101180353B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-21 WO PCT/KR2011/004517 patent/WO2012002665A2/fr not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4379777A (en) * | 1980-10-15 | 1983-04-12 | Universite De Sherbrooke | Purification of metallurgical grade silicon |
| US4539194A (en) * | 1983-02-07 | 1985-09-03 | Elkem A/S | Method for production of pure silicon |
| US6090361A (en) * | 1997-03-24 | 2000-07-18 | Kawasaki Steel Corporation | Method for producing silicon for use in solar cells |
| WO2005063621A1 (fr) * | 2003-12-29 | 2005-07-14 | Elkem Asa | Charge d'alimentation en silicium pour cellules solaires |
| KR20090113091A (ko) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 주식회사 이노베이션실리콘 | 압착을 이용한 실리콘 정제 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012002665A2 (fr) | 2012-01-05 |
| KR101180353B1 (ko) | 2012-09-06 |
| KR20120002677A (ko) | 2012-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2797300A1 (fr) | Bloc de silicium polycristallin a faible dopage | |
| HRP20180203T1 (hr) | Postupak dobivanja kristalnog dimetil-fumarata visoke čistoće | |
| WO2012094288A3 (fr) | E-1-chloro-3,3,3-trifluoropropène de pureté élevée et procédés pour le produire | |
| CN105271216B (zh) | 一种高纯石墨的制备方法 | |
| WO2014040989A3 (fr) | Procédé de production d'acier | |
| WO2012150837A3 (fr) | Procédé de traitement de surface pour particules de matériau actif d'anode, et particules de matériau actif d'anode ainsi formées | |
| MX2014007591A (es) | Proceso novedoso para preparar sílices. | |
| MY180099A (en) | Process for preparing precipitated silicas | |
| WO2011139760A3 (fr) | Procédés de formation de compacts polycristallins | |
| WO2012002665A3 (fr) | Procédé d'élimination des impuretés contenues dans du mg-si par lixiviation acide pour produire du silicium destiné à des piles solaires | |
| Yasuda et al. | Electrolytic reduction of a powder-molded SiO2 pellet in molten CaCl2 and acceleration of reduction by Si addition to the pellet | |
| WO2014056608A3 (fr) | Procédé de récupération hydrométallurgique de lithium à partir de la fraction de cellules galvaniques usagées contenant du lithium, du fer et du phosphate | |
| MY170698A (en) | Polycrystalline silicon rod and method for producing polysilicon | |
| WO2008120994A8 (fr) | Procédé et réacteur de fabrication de silicium haute pureté | |
| CN109292768A (zh) | 一种高纯石墨粉及其提纯工艺 | |
| CN101695697A (zh) | 一种冶金级硅料清洁方法 | |
| CN103773968B (zh) | 采用三相联合实现铝熔体除气除渣的方法及系统 | |
| RU2015151403A (ru) | Способ получения оксида бериллия и металлического бериллия | |
| ZA201206428B (en) | Electrochemical process having improved afficiency and related electrochemical reactor such as a high temperature electrolyzer (hte) | |
| TW200700316A (en) | Process for the production of si by reduction of sicl4 with liquid zn | |
| WO2008133205A1 (fr) | Matériau de silicium cristallin et procédé de fabrication de silicium monocristallin fz à partir de celui-ci | |
| JP2013199402A (ja) | シリコンの製造方法 | |
| CN105274562A (zh) | 一种铝硅合金的电解分离铝、硅的方法 | |
| WO2014102000A9 (fr) | Pâte électro-conductrice comprenant un système de réaction inorganique à température de transition vitreuse élevée utilisée dans la préparation d'électrodes dans des cellules photovoltaïques mwt | |
| Yu et al. | Kinetics of iron removal from metallurgical grade silicon with pressure leaching |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11801072 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11801072 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |