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WO2011125463A1 - 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 Download PDF

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WO2011125463A1
WO2011125463A1 PCT/JP2011/056595 JP2011056595W WO2011125463A1 WO 2011125463 A1 WO2011125463 A1 WO 2011125463A1 JP 2011056595 W JP2011056595 W JP 2011056595W WO 2011125463 A1 WO2011125463 A1 WO 2011125463A1
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silicone resin
group
optical semiconductor
formula
mol
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PCT/JP2011/056595
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満 谷川
貴志 渡邉
慎太郎 森口
靖 乾
良隆 国広
亮介 山▲崎▼
阿由子 沖
泰享 家田
千鶴 金
小林　祐輔
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Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Definitions

  • the present invention relates to an optical semiconductor device sealing agent used for sealing an optical semiconductor element in an optical semiconductor device, and an optical semiconductor device using the optical semiconductor device sealing agent.
  • An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.
  • LED light emitting diode
  • optical semiconductor element for example, LED
  • LED which is a light emitting element used in an optical semiconductor device
  • Patent Document 1 discloses an epoxy resin material containing hydrogenated bisphenol A glycidyl ether, an alicyclic epoxy monomer, and a latent catalyst as a sealant for an optical semiconductor device. This epoxy resin material is cured by thermal cationic polymerization.
  • Patent Document 2 includes an epoxy resin, a specific epoxy-modified organopolysiloxane, a curing agent, and inorganic oxide particles having a volume average particle size of 1 to 100 nm as an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • An epoxy resin composition is disclosed.
  • silicon dioxide particles are mentioned as the inorganic oxide particles.
  • an optical semiconductor device sealant containing an epoxy resin but also an optical semiconductor device sealant containing a silicone resin is widely used.
  • the silicone resin has high transparency to light having a short wavelength in the blue to ultraviolet region, and is excellent in heat resistance and light resistance.
  • the surface of the cured product of the sealant is sticky, and there is a problem that foreign matters such as dust are likely to adhere to the surface. Further, if the surface of the cured product becomes sticky, there is a problem that the packages adhere to each other and adhere to the pickup nozzle during mounting, and the productivity of the optical semiconductor device is greatly reduced.
  • the sealant may crack or the sealant may be a housing material. It may peel off from etc.
  • a silver plated electrode may be formed on the back side of the light emitting element.
  • the silver-plated electrode is exposed to the atmosphere.
  • the silver plating may be discolored by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas or sulfurous acid gas present in the atmosphere.
  • the reflectance decreases, which causes a problem that the brightness of the light emitted from the light emitting element decreases.
  • the dispersibility of inorganic oxide particles such as silicon dioxide particles may be low. For this reason, when the phosphor is added to the sealant or when the sealant contains the phosphor, the phosphor may settle due to the large specific gravity of the phosphor. For this reason, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device may be low.
  • the color of light emitted from the obtained plurality of optical semiconductor devices may be different.
  • the conventional sealing compound for optical semiconductor devices in which the viscosity of the sealing agent is increased in order to prevent the settling of the phosphor has a problem that the viscosity is too high and the dispensing property is low.
  • the sealant described in Patent Document 3 since the silicone resin contained in the sealant has a high crosslink density, the surface of the cured product is relatively less sticky. However, there is a strong demand for a sealant that can further suppress the stickiness of the surface of the cured product. In addition, the sealant described in Patent Document 3 may have considerably low mechanical strength and adhesiveness. For this reason, when a thermal cycle is repeatedly received, a crack may arise in a sealing agent, or a sealing agent may peel from a housing material etc.
  • moisture resistance may be low. That is, when an optical semiconductor device using a conventional encapsulant for optical semiconductor devices is used in a severe environment of high temperature and humidity, there is a problem that the brightness at the time of light emission gradually decreases.
  • the present invention relates to an encapsulant for optical semiconductor devices, which has a high gas barrier property against corrosive gas, and hardly cracks or peels off even when used in harsh environments, and an encapsulant for optical semiconductor devices
  • An object is to provide an optical semiconductor device used.
  • a limited object of the present invention is that when a phosphor is added or when a phosphor is contained, the sedimentation of the phosphor can be suppressed, the dispensing property is good, and a plurality of optical semiconductor devices
  • a further limited object of the present invention is to provide an optical semiconductor device sealing agent capable of suppressing surface stickiness, and an optical semiconductor device using the optical semiconductor device sealing agent.
  • Another limited object of the present invention is to provide a sealant for optical semiconductor devices having high moisture resistance reliability and an optical semiconductor device using the sealant for optical semiconductor devices.
  • the first silicone resin A represented by the following formula (1A), having no hydrogen atom bonded to a silicon atom, and having an aryl group and an alkenyl group, and the following formula: At least one first silicone resin component of the first silicone resin B represented by (1B) and having no hydrogen atom bonded to a silicon atom and having an aryl group and an alkenyl group; A second silicone resin A represented by the formula (51A) and having an aryl group and a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom; and a second silicone resin A represented by the following formula (51B);
  • the first silicone resin A contains at least one second silicone resin component of the second silicone resin B having a hydrogen atom directly bonded thereto, and a hydrosilylation catalyst.
  • R51 to R56 each represents a phenyl group corresponding to an aryl group, and at least one represents a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom.
  • R51 to R56 other than the directly bonded hydrogen atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • R51 to R56 each represents a phenyl group corresponding to an aryl group, and at least one is a silicon atom R51 to R56 other than a hydrogen atom directly bonded to a phenyl group and a silicon atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R57 to 60 each represents 1 carbon atom.
  • Total content ratio of aryl group and phenylene group ⁇ (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin B ⁇ molecular weight of aryl group + first silicone resin B Average number of phenylene groups contained in one molecule ⁇ molecular weight of phenylene groups) / number average molecular weight of first silicone resin B ⁇ ⁇ 100 Formula (b1)
  • At least one of the first silicone resin B and the second silicone resin B is included.
  • the first silicone resin component is the first silicone resin A
  • the first silicone resin A is represented by the following formula ( 1A-1)
  • a first silicone resin A-1 having no hydrogen atom bonded to a silicon atom and having an aryl group and an alkenyl group
  • the content ratio of the aryl group obtained from the following formula (a1-1) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • R1 represents an alkenyl group
  • R2 and R3 represent an alkenyl group, an aryl group, or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • Aryl group content ratio (mol%) (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin A-1 ⁇ molecular weight of aryl group / number average of the first silicone resin A-1) Molecular weight) x 100 Formula (a1-1)
  • the first silicone resin A includes the first silicone resin A-1, and the following formula (1A-2) And does not correspond to the first silicone resin A-1, does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and does not include a first silicone resin A-2 having an aryl group and an alkenyl group. Or when the first silicone resin A-2 is contained, the content ratio of the aryl group determined by the following formula (a1-2) in the first silicone resin A-2 is 30 mol% or more, The content of the first silicone resin A-1 is 50% by weight in a total of 100% by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2. Over 100% by weight A.
  • the first silicone resin A includes the first silicone resin A-1, and the above formula (1A-2)
  • the first silicone resin A-2 does not correspond to the first silicone resin A-1, does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and has an aryl group and an alkenyl group
  • the content ratio of the aryl group obtained from the above formula (a1-2) in the first silicone resin A-2 is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the first silicone resin A is composed of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2. Including both, the content of the first silicone resin A-1 is 5 parts by weight or more and 100 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin A-2.
  • the second silicone resin component is the second silicone resin A.
  • the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the above formula (51A) is a hydrogen atom in which R51 is bonded to a silicon atom.
  • R52 and R53 include a structural unit representing a hydrogen atom, a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the first silicone resin A and the second silicone resin B are each diphenyl in which two phenyl groups are bonded to one silicon atom.
  • the proportion of diphenylsiloxane structural units containing siloxane structural units and having two phenyl groups bonded to one silicon atom in 100 mol% of all siloxane structural units of the first silicone resin A and the second silicone resin B is It is 30 mol% or more.
  • each of the second silicone resin A and the second silicone resin B is a structure represented by the following formula (51-a):
  • the proportion of the structural unit represented by the following formula (51-a) is 5 mol% or more in 100 mol% of all siloxane structural units of the second silicone resin A and the second silicone resin B. is there.
  • R52 and R53 each represent a hydrogen atom, a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • silicon oxide particles are further included.
  • the silicon oxide particles are surface-treated with an organosilicon compound.
  • the organosilicon compound includes an organosilicon compound having a dimethylsilyl group, an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, and an organosilicon having a polydimethylsiloxane group. It is at least one selected from the group consisting of compounds.
  • the viscosity at 5 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer is preferably 1000 mPa ⁇ s or more and 10,000 mPa ⁇ s or less.
  • the sealant for optical semiconductor devices according to the present invention has a shear rate of 1 s in the temperature region from 25 ° C. to the curing temperature when heated at a temperature increase rate of 20 ° C./min from 25 ° C. using a parallel plate rheometer.
  • the minimum viscosity at -1 is preferably 200 mPa ⁇ s or more
  • the ratio of the viscosity at 1 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer to the viscosity at 10 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer. Is preferably 1.2 or more and 2.5 or less.
  • a phosphor is further included.
  • An optical semiconductor device includes an optical semiconductor element and an encapsulant for an optical semiconductor device that is provided to seal the optical semiconductor element and is configured according to the present invention.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is represented by the formula (1A) or the formula (1B), and includes the first silicone resin A or the first silicone resin B having an aryl group and an alkenyl group.
  • the optical semiconductor device such as a light emitting diode
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention cracks are hardly generated in the cured encapsulant, and the cured encapsulant is a housing material or the like. Difficult to peel from.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention has the following configuration X.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes a first silicone resin component, a second silicone resin component, and a hydrosilylation reaction catalyst.
  • the first silicone resin component is represented by the formula (1A), does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and has an aryl group and an alkenyl group, and the formula (1B) And at least one of the first silicone resins B that do not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom and have an aryl group and an alkenyl group.
  • the first silicone resin component may be only the first silicone resin A or only the first silicone resin B, and the first silicone resin A and the first silicone resin may be used. Both of the resin B and the resin B may be used.
  • the second silicone resin component is represented by the formula (51A), the second silicone resin A having an aryl group and a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom, and the formula (51B). And at least one of the second silicone resins B having an aryl group and a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom.
  • the second silicone resin component may be only the second silicone resin A or only the second silicone resin B, and the second silicone resin A and the second silicone may be used. Both of the resin B and the resin B may be used.
  • the content ratio of the aryl group obtained from the formula (a1) in the first silicone resin A is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group obtained from the formula (b1) in the first silicone resin B is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • required from the formula (a51) in the said 2nd silicone resin A is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group obtained from the formula (b1) in the second silicone resin B is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention further includes the following configuration Y in addition to the configuration X described above.
  • the sealant for optical semiconductor devices according to the present invention is surface-treated with an organosilicon compound in addition to the first silicone resin component, the second silicone resin component, and the hydrosilylation reaction catalyst. It is preferable to further contain silicon oxide particles.
  • the first silicone resin A (which may include first silicone resins A-1 and A-2 described later) and the first silicone resin B are each diphenyl having two phenyl groups bonded to one silicon atom.
  • the proportion of diphenylsiloxane structural units containing siloxane structural units and having two phenyl groups bonded to one silicon atom in 100 mol% of all siloxane structural units of the first silicone resin A and the first silicone resin B is 30 mol% or more, and the viscosity at 5 rpm at 25 ° C. measured using the E-type viscometer of the first silicone resin A and the first silicone resin B is 500 mPa ⁇ s or more and 20000 mPa ⁇ s. s or less, 25 measured using an E-type viscometer of the second silicone resin A and the second silicone resin B
  • the ratio ( ⁇ 2 / ⁇ 3) to the viscosity ⁇ 3 at 10 rpm at ° C is preferably 1.2 or more and 2.5 or less.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes the following configuration Z in addition to the configuration X described above.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is represented by the formula (1A-1), does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and has a first silicone resin A having an aryl group and an alkenyl group. -1, the second silicone resin component, and the hydrosilylation reaction catalyst are preferably included. That is, the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention preferably contains the first silicone resin A-1 as an essential component. In this case, the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is represented by the formula (1A-2), does not correspond to the first silicone resin A-1, and has a hydrogen atom bonded to a silicon atom.
  • first silicone resin A-2 having an aryl group and an alkenyl group is not included or included, and the first silicone resin A-2 may or may not be included.
  • the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2 are resins contained in the first silicone resin A.
  • the surface of the sealant can be made sticky. It can be sufficiently suppressed. This has been found by the present inventors.
  • the moisture resistance reliability of the encapsulant for semiconductor devices can be improved. For this reason, when the optical semiconductor device using the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is used in a severe environment of high temperature and high humidity, the brightness at the time of light emission is hardly lowered. In a total of 100% by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2, the content of the first silicone resin A-1 exceeds 50% by weight and is 100% by weight or less. In this case, the moisture resistance reliability of the encapsulant for optical semiconductor devices can be effectively enhanced.
  • the optical semiconductor device using the sealant is heated. Even if it is used in a harsh environment that is repeatedly subjected to cooling, cracking and peeling are less likely to occur in the sealant.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention preferably has the following other configurations.
  • the sealant for optical semiconductor devices according to the present invention includes the first silicone resin B and the second sealant. It is preferable that at least one of the silicone resins B is included.
  • the sealing agent for optical semiconductor devices according to the present invention includes the first silicone resin A-1, the first silicone resin A-2, the second silicone resin component, and the hydrosilylation reaction. And a catalyst for use. In this case, even if the optical semiconductor device using the encapsulant is used in a harsh environment that is repeatedly subjected to heating and cooling, cracks and peeling are less likely to occur in the encapsulant.
  • the first silicone resin component contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is represented by the following formula (1A), does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and has an aryl group and an alkenyl group.
  • the first silicone resin A having a group and the first silicone resin B represented by the following formula (1B) having no hydrogen atom bonded to a silicon atom, and having an aryl group and an alkenyl group At least one of them.
  • the first silicone resins A and B are different from the second silicone resin component because they do not have hydrogen atoms bonded to silicon atoms.
  • the alkenyl group is preferably directly bonded to the silicon atom
  • the aryl group is preferably directly bonded to the silicon atom.
  • an unsubstituted phenyl group and a substituted phenyl group are mentioned.
  • the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group may be bonded to the silicon atom, and the carbon atom different from the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group is bonded to the silicon atom. It may be bonded.
  • the first silicone resin B represented by the following formula (1B) may have a phenylene group or may not have a phenylene group. Each of the first silicone resins A and B may be used alone or in combination of two or more.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, and have a hydroxy group. You may have.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ), the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ), and the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) are Each may have an alkoxy group and may have a hydroxy group.
  • the first silicone resin A is a first silicone resin A-1 represented by the following formula (1A-1), having no hydrogen atom bonded to a silicon atom, and having an aryl group and an alkenyl group. It is preferable to include. In this case, it is preferable that the first silicone resin component contains the first silicone resin A and is the first silicone resin A.
  • R1 represents an alkenyl group
  • R2 and R3 represent an alkenyl group, an aryl group, or a hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms.
  • R1 represents an alkenyl group
  • R2 and R3 represent an alkenyl group, a phenyl group, or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. It is preferable to include the structural unit to represent.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) may have an alkoxy group or a hydroxy group.
  • the first silicone resin A includes the first silicone resin A-1 and is represented by the following formula (1A-2), does not correspond to the first silicone resin A-1, It is preferable that the first silicone resin A-2 having no hydrogen atom bonded to the atom and having an aryl group and an alkenyl group is not included or included.
  • the first silicone resin A preferably contains the first silicone resin A-2.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) each may have an alkoxy group, It may have a group.
  • the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2), and the above formula (1B) are average composition formulas.
  • the hydrocarbon group in the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and the above formula (1B) may be linear or branched.
  • R1 to R6 in the above formula (1A), the above formula (1A-2) and the above formula (1B) may be the same or different.
  • R1 to R5 in the above formula (1A-1) may be the same or different.
  • R7 to R10 in the above formula (1B) may be the same or different.
  • the content of alkoxy groups is small, and the content of hydroxy groups The amount is also small.
  • an organosilicon compound such as an alkoxysilane compound is hydrolyzed and polycondensed in order to obtain the first silicone resins A and B
  • most of the alkoxy groups and hydroxy groups have a partial skeleton of a siloxane bond. It is because it is converted into. That is, most of oxygen atoms of the alkoxy group and oxygen atoms of the hydroxy group are converted into oxygen atoms forming a siloxane bond.
  • each structural unit of the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and the above formula (1B) has an alkoxy group or a hydroxy group, it is converted to a partial skeleton of a siloxane bond. It shows that a few unreacted alkoxy groups or hydroxy groups remained. The same applies to the case where each structural unit of formulas (51A) and (51B) described later has an alkoxy group or a hydroxy group.
  • examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and a hexenyl group. Can be mentioned. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the alkenyl group in the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and the above formula (1B) is a vinyl group or an allyl group. The vinyl group is more preferable.
  • the hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and the above formula (1B) is not particularly limited.
  • the divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the above formula (1B) is not particularly limited, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a cyclohexylene group, and phenylene. Groups and the like.
  • required from the following formula (a1) in the 1st silicone resin A represented by the said Formula (1A) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the content ratio of the aryl group obtained from the following formula (a1-1) in the first silicone resin A-1 represented by the above formula (1A-1) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • Aryl group content ratio (mol%) (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin A-1 ⁇ molecular weight of aryl group / number average of the first silicone resin A-1) Molecular weight) x 100 Formula (a1-1)
  • the content ratio of the aryl group obtained from the following formula (a1-2) in the first silicone resin A-2 represented by the above formula (1A-2) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the content ratio of aryl groups in the first silicone resins A, A-1 and A-2 determined by the above formula (a1), the above formula (a1-1) and the above formula (a1-2) is less than 30 mol%. When it is, gas-barrier property will become inadequate. When the content ratio of the aryl group exceeds 70 mol%, the sealing agent is easily peeled off. From the viewpoint of further enhancing the gas barrier properties, the aryl group content is preferably 35 mol% or more. From the viewpoint of making the peeling of the sealant more difficult to occur, the aryl group content is preferably 65 mol% or less.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group obtained from the following formula (b1) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • Total content ratio of aryl group and phenylene group ⁇ (average number of aryl groups contained in one molecule of the first silicone resin B ⁇ molecular weight of aryl group + first silicone resin B Average number of phenylene groups contained in one molecule ⁇ molecular weight of phenylene groups) / number average molecular weight of first silicone resin B ⁇ ⁇ 100 Formula (b1)
  • the gas barrier property becomes insufficient.
  • the sealing agent is easily peeled off.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group is preferably 35 mol% or more.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group is preferably 65 mol% or less.
  • the silicone resin represented by the formula (1B) does not have a phenylene group
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group indicates the content ratio of the aryl group.
  • the first silicone resins A, A-1, A-2, and B are each preferably an organopolysiloxane.
  • the first silicone resins A, A-1, A-2, and B preferably include a diphenylsiloxane structural unit in which two phenyl groups are bonded to one silicon atom.
  • the proportion of diphenylsiloxane structural units in which two phenyl groups are bonded to one silicon atom is 30 mol% or more in 100 mol% of all siloxane structural units of the first silicone resins A, A-1, A-2, and B. Preferably there is.
  • the proportion of the diphenylsiloxane structural unit is 30 mol% or more, the dispensing property of the sealant is improved, and the brightness of light extracted from a plurality of optical semiconductor devices is increased.
  • the proportion of the diphenylsiloxane structural unit is preferably 40 mol% or more, and preferably 60 mol% or less.
  • the proportion of the diphenylsiloxane structural unit is not more than the above upper limit, the dispensability of the sealant is improved, and the brightness of light extracted from the semiconductor device is further increased. This effect is similarly exhibited when the first silicone resins A, A-1, and A-2 are used and when the first silicone resin B is used.
  • the first silicone resin component is the first silicone resin A
  • the first silicone resin A includes a diphenylsiloxane structural unit in which two phenyl groups are bonded to one silicon atom
  • the proportion of diphenylsiloxane structural units in which two phenyl groups are bonded to one silicon atom is preferably 30 mol% or more in 100 mol% of all siloxane structural units of one silicone resin A.
  • the diphenylsiloxane structural unit is preferably a structural unit represented by the following formula (1-b1).
  • the terminal oxygen atom generally forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) is represented by the above formula (1-b1). It is preferable that the structural unit represented is included.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) may include only the structural unit represented by the above formula (1-b1), and the structural unit represented by the above formula (1-b1) And a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1-b1).
  • the viscosity of the first silicone resins A, A-1, A-2, and B at 5 rpm measured at 25 ° C. using an E-type viscometer is preferably 500 mPa ⁇ s or more and 20000 mPa ⁇ s or less. .
  • the viscosity of the first silicone resin A is within this range, the settling of the phosphor is further suppressed, the dispensing property of the sealant is further enhanced, and the light extracted from the optical semiconductor device is further increased. Can be brightened.
  • R1 represents an alkenyl group
  • R2 and R3 represent an alkenyl group, an aryl group, or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. It is preferable to include the structural unit to represent. That is, in the above formula (1A-1), the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) preferably includes a structural unit represented by the following formula (1-a).
  • the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) may contain only the structural unit represented by the following formula (1-a), and the structural unit represented by the following formula (1-a) and And a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1-a). Note that in the structural unit represented by the following formula (1-a), the terminal oxygen atom forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.
  • R1 represents an alkenyl group
  • R2 and R3 each represents an alkenyl group, a phenyl group, or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • R2 and R3 each preferably represent a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • a structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) in 100 mol% of all structural units in the above formula (1A-1) a structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) in 100 mol% of all structural units in the above formula (1A-1),
  • the ratio of structural units (structural units represented by the above formula (1-a)) in which R 2 represents an alkenyl group and R 2 and R 3 represent an alkenyl group, a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is preferably It is 5 mol% or more, preferably 50 mol% or less, more preferably 45 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less.
  • the structural unit of (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (1b-1).
  • the structural unit represented by the following formula (1b-1) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • the term “phenylene group” includes a substituted phenylene group in which a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is substituted on a benzene ring.
  • the terminal oxygen atom generally forms a siloxane bond with an adjacent silicon atom, and shares an oxygen atom with the adjacent structural unit. Therefore, one oxygen atom at the terminal is defined as “O 1/2 ”.
  • Ra represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group may be linear or branched. Note that the bonding sites of the three groups bonded to the benzene ring in the above formula (1b-1) are not particularly limited.
  • the structural unit of (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (1b-2).
  • the structural unit represented by the following formula (1b-2) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • the bonding site of Ra bonded to the benzene ring in the following formula (1b-2) is not particularly limited.
  • Ra represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) is more preferably a structural unit represented by the following formula (1b-3).
  • the structural unit represented by the following formula (1b-3) has a phenylene group, and the phenylene group is an unsubstituted phenylene group.
  • R7 to R10 each represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • (R4R5SiO 2/2 ) is a structural unit represented by the following formula (1-2), that is, an oxygen atom bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit.
  • One of these may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b), and is further represented by the following formula (1-2-b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R4 and R5 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ).
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) is a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-b) The part enclosed by is shown.
  • the structural unit represented by (R4R5SiO 2/2 ) having the remaining alkoxy group or hydroxy group has the following formula: A portion surrounded by a broken line in the structural unit represented by (1-2-b) is shown.
  • R4 and R5 in the above formulas (1-b), (1-2) and (1-2-b) are the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and It is the same group as R4 and R5 in formula (1B).
  • a structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) (hereinafter referred to as “R6SiO 3/2” ) , Also referred to as trifunctional structural unit) is a structure represented by the following formula (1-3) or (1-4), that is, two oxygen atoms bonded to silicon atoms in the trifunctional structural unit are each a hydroxy group. Or the structure which comprises an alkoxy group, or the structure in which one of the oxygen atoms couple
  • the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-c), and further includes the following formula (1-3-c) or (1 A portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R6 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R6SiO 3/2 ).
  • R6 in the above formulas (1-c), (1-3), (1-3-c), (1-4) and (1-4-c) represents the above formula (1A), the above formula (1A) -2) and the same group as R6 in formula (1B).
  • the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) has a structure represented by the following formula (1-5), that is, (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) may contain a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group.
  • the structural unit represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (1-d), and further represented by the following formula (1-5-d)
  • the part enclosed by the broken line of the structural unit represented may be included. That is, a structural unit having a group represented by R7, R8, R9, R10 and R11 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also a structure represented by (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ). Included in the unit.
  • R7 to R11 in the above formulas (1-d), (1-5) and (1-5-d) are the same groups as R7 to R11 in the above formula (1B).
  • the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n- Examples include butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group.
  • the lower limit of a / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.50.
  • a / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed.
  • a preferable upper limit of a / (a + b + c) is 0.45, and a more preferable upper limit is 0.40.
  • the lower limit of b / (a + b + c) is 0.40, and the upper limit is 1.0.
  • the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant.
  • b (a + b + c) satisfies the above upper limit and the structural unit of (R4R5SiO 2/2 ) is present, the gas barrier property of the sealant is further enhanced.
  • a preferred lower limit of b / (a + b + c) is 0.50.
  • the lower limit of c / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.50.
  • the preferable upper limit of c / (a + b + c) is 0.45, the more preferable upper limit is 0.40, and the still more preferable upper limit is 0.35. Note that when c is 0 and c / (a + b + c) is 0, the structural unit of (R6SiO 3/2 ) does not exist in the above formula (1A) and the above formula (1A-2).
  • the first silicone resin A represented by the above formula (1A) is preferably the first silicone resin represented by the following formula (1Aa).
  • the preferable upper limit of a / (a + b) in the above formula (1Aa) is 0.45, and the more preferable upper limit is 0.40.
  • the preferable lower limit of b / (a + b) is 0.55, and the more preferable lower limit is 0.60.
  • the first silicone resin A-2 represented by the above formula (1A-2) is preferably the first silicone resin represented by the following formula (1A-2a).
  • R1 to R5 are at least one Represents a phenyl group corresponding to an aryl group
  • at least one of R4 to R5 represents an alkenyl group
  • R1 to R5 other than the phenyl group and the alkenyl group represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the silicone resin corresponding to the first silicone resin A-1 is excluded as the first silicone resin.
  • R1, R2 and R3 are preferably not an alkenyl group, but at least one of R4 and R5 is preferably an alkenyl group.
  • the preferable upper limit of a / (a + b) is 0.45, and the more preferable upper limit is 0.40.
  • the preferable lower limit of b / (a + b) is 0.55, and the more preferable lower limit is 0.60.
  • the lower limit of a / (a + b) is 0.05, and the upper limit is 0.50.
  • the upper limit of a / (a + b) is 0.50.
  • stickiness of the surface of the cured product of the sealant can be suppressed.
  • a / (a + b) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed.
  • the preferable upper limit of a / (a + b) is 0.45, and the more preferable upper limit is 0.40.
  • the more preferable upper limit of a / (a + b) is 0.30.
  • the lower limit of b / (a + b) is 0.50, and the upper limit is 0.95.
  • b / (a + b) satisfies the above lower limit, the cured product of the sealant does not become too hard and cracks are hardly generated in the sealant.
  • a more preferable lower limit of b / (a + b) is 0.70 in the above formula (1A-1).
  • the lower limit of a / (a + b + c + d) is 0, and the upper limit is 0.40.
  • a / (a + b + c + d) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed.
  • a is 0 and a / (a + b + c + d) is 0, there is no structural unit (R1R2R3SiO 1/2 ) in the above formula (1B).
  • the lower limit of b / (a + b + c + d) is 0.40, and the upper limit is 0.99.
  • the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant.
  • b / (a + b + c + d) satisfies the above upper limit, the gas barrier property of the sealant is further enhanced.
  • the lower limit of c / (a + b + c + d) is 0, and the upper limit is 0.50.
  • c / (a + b + c + d) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced.
  • the structural unit of (R6SiO 3/2 ) does not exist in the above formula (1B).
  • the lower limit of d / (a + b + c + d) is 0.01, and the upper limit is 0.40.
  • d / (a + b + c + d) satisfies the above lower limit and upper limit, an encapsulant for optical semiconductor devices that has a high gas barrier property against corrosive gas and does not easily crack or peel off even when used in harsh environments. Obtainable.
  • the above formula (1B) is 0.03, the more preferable lower limit is 0.05, the preferable upper limit is 0.35, and the more preferable upper limit is 0.30.
  • the second silicone resin B represented by the above formula (1B) is preferably a second silicone resin represented by the following formula (1Bb).
  • R1 to R5 each represents a phenyl group corresponding to an aryl group, at least one represents an alkenyl group, and R1 to R5 other than the phenyl group and the alkenyl group have 1 carbon number
  • R7 to R10 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • R11 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R1R2R3SiO 1/2 ) a in the formula (1A), the formula (1A-1), the formula (1A-2) and the formula (1B) The peak corresponding to +10 to ⁇ 5 ppm appears in the vicinity of (R4R5SiO 2/2 ) b in the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) and the formula (1B) and ( Each peak corresponding to the bifunctional structural unit of 1-2) appears in the vicinity of ⁇ 10 to ⁇ 50 ppm, and (R6SiO 3/2 ) in the above formula (1A), the above formula (1A-2) and the above formula (1B).
  • each of the formula (1A), the formula (1A-1), the formula (1A-2) and the formula (1B) can be measured.
  • the structural unit in the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2), and the formula (1B) cannot be distinguished by the measurement of 29 Si-NMR based on the above TMS.
  • the measurement result of 29 Si-NMR not only the measurement result of 29 Si-NMR but also the measurement result of 1 H-NMR is used as necessary, so that the above formula (1A), the above formula (1A-1), the above formula (1A-2) ) And the ratio of each structural unit in formula (1B).
  • the content of the first silicone resin A-1 in the total of 100% by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2 is 5% by weight or more and 100% by weight or less. It is preferable that In a total of 100% by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2, the content of the first silicone resin A-1 exceeds 50% by weight and is 100% by weight. It is particularly preferred that When the content of the first silicone resin A-1 exceeds 50% by weight, the moisture resistance reliability of the sealant is considerably increased. Of the total of 100% by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2, the content of the first silicone resin A-1 is 99.9% by weight or less. Also good.
  • the content of the first silicone resin A-1 is preferably 5 parts by weight or more and 100000 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin A-2.
  • the content of the first silicone resin A-1 is particularly preferably 5 parts by weight or more and 100 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin A-2.
  • the gas barrier property of the sealant can be further enhanced.
  • the more preferable lower limit of the content of the first silicone resin A-1 is 10 parts by weight and the more preferable upper limit is 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin A-2.
  • the second silicone resin component contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is represented by the following formula (51A) and has an aryl group and a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom.
  • This is at least one of the second silicone resin A and the second silicone resin B represented by the following formula (51B) and having an aryl group and a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom.
  • the aryl group is preferably directly bonded to the silicon atom.
  • an unsubstituted phenyl group and a substituted phenyl group are mentioned.
  • the silicone resin represented by the following formula (51B) may have a phenylene group or may not have a phenylene group.
  • As for said 2nd silicone resin A and B only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • R51 to R56 each represents a phenyl group corresponding to an aryl group, and at least one represents a hydrogen atom directly bonded to a silicon atom.
  • R51 to R56 other than the directly bonded hydrogen atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) and the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) may each have an alkoxy group, You may have.
  • R51 to R56 each represents a phenyl group corresponding to an aryl group, and at least one is a silicon atom R51 to R56 other than a hydrogen atom directly bonded to a phenyl group and a silicon atom represent a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and R57 to 60 each represents 1 carbon atom.
  • R61 represents a divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ), the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ), and the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) are Each may have an alkoxy group and may have a hydroxy group.
  • the above formula (51A) and formula (51B) show the average composition formula.
  • the hydrocarbon group in the above formula (51A) and formula (51B) may be linear or branched.
  • R51 to R56 in the above formula (51A) and formula (51B) may be the same or different.
  • R57 to R60 in the above formula (51B) may be the same or different.
  • the oxygen atom part in the structural unit represented by / 2 ) represents an oxygen atom part forming a siloxane bond, an oxygen atom part of an alkoxy group, or an oxygen atom part of a hydroxy group.
  • the hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the formula (51A) and the formula (51B) is not particularly limited, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, cyclohexyl group, A vinyl group and an allyl group are mentioned.
  • the divalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms in the above formula (51B) is not particularly limited, and examples thereof include methylene group, ethylene group, propylene group, butylene group, pentylene group, hexylene group, cyclohexylene group and phenylene. Groups and the like.
  • required from the following formula (a51) in the 2nd silicone resin A represented by the said Formula (51A) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the aryl group content is preferably 35 mol% or more. From the viewpoint of making the peeling of the sealant more difficult to occur, the aryl group content is preferably 65 mol% or less.
  • the total content ratio of aryl groups and phenylene groups obtained from the following formula (b51) is 30 mol% or more and 70 mol% or less.
  • the gas barrier property becomes insufficient.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group exceeds 70 mol%, peeling tends to occur.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group is preferably 35 mol% or more.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group is preferably 65 mol% or less.
  • the total content ratio of the aryl group and the phenylene group indicates the content ratio of the aryl group.
  • the second silicone resins A and B are structural units represented by the following formula (51-a). It is preferable to include.
  • R52 and R53 each represent a hydrogen atom, a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • R52 and R53 each preferably represent a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) in the above formula (51A) and formula (51B) is It is preferable that R51 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom, and R52 and R53 each include a structural unit representing a phenyl group or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. That is, in the above formulas (51A) and (51B), the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) preferably includes the structural unit represented by the above formula (51-a).
  • the structural unit represented by (R51R52R53SiO 1/2 ) may contain only the structural unit represented by the above formula (51-a), and the structural unit represented by the above formula (51-a) and the above And a structural unit other than the structural unit represented by the formula (51-a).
  • the second silicone resins A and B are preferably organosiloxanes. From the viewpoint of enhancing the curability of the sealant and further suppressing cracking and peeling during thermal cycling, the above formula (51-a) is contained in 100 mol% of all siloxane structural units of the second silicone resins A and B.
  • the proportion of the structural unit represented by) is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, preferably 50 mol% or less, more preferably 45 mol% or less.
  • R51 represents a hydrogen atom bonded to a silicon atom
  • R52 and R53 represent a hydrogen atom, a phenyl group, or a hydrocarbon having 1 to 8 carbon atoms.
  • the proportion of the structural unit representing the group is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, preferably 50 mol% or less, more preferably 45 mol%. It is less than mol%.
  • the viscosity at 5 rpm at 25 ° C. measured using the E-type viscometer of the second silicone resins A and B is preferably 500 mPa ⁇ s or more and 5000 mPa ⁇ s or less.
  • the viscosity of the second silicone resins A and B is within this range, the settling of the phosphor is further suppressed, the dispensability of the sealant is further increased, and the light extracted from the optical semiconductor device Can be made even brighter.
  • the structural unit of (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (51b-1).
  • the structural unit represented by the following formula (51b-1) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • Rb represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • R57 to R60 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group may be linear or branched. Note that the bonding sites of the three groups bonded to the benzene ring in the formula (51b-1) are not particularly limited.
  • the structural unit of (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is preferably a structural unit represented by the following formula (51b-2).
  • the structural unit represented by the following formula (51b-2) has a phenylene group, and the phenylene group is a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • the bonding site of Rb bonded to the benzene ring in the following formula (51b-2) is not particularly limited.
  • Rb represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms
  • R57 to R60 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is more preferably a structural unit represented by the following formula (51b-3).
  • the structural unit represented by the following formula (51b-3) has a phenylene group, and the phenylene group is an unsubstituted phenylene group.
  • R57 to R60 each represents a hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) has the following formula (51- The structure represented by 2), that is, a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group may be included.
  • the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-b), and is further represented by the following formula (51-2-b). A portion surrounded by a broken line of the structural unit may be included. That is, a structural unit having a group represented by R54 and R55 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R54R55SiO 2/2 ).
  • X represents OH or OR
  • OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R54 and R55 in the above formulas (51-b), (51-2) and (51-2-b) are the same groups as R54 and R55 in the above formula (51A) or formula (51B).
  • the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) has the following formula (51- 3) or the structure represented by (51-4), that is, a structure in which two oxygen atoms bonded to a silicon atom in the trifunctional structural unit each constitute a hydroxy group or an alkoxy group, or in the trifunctional structural unit
  • One of the oxygen atoms bonded to the silicon atom may include a structure constituting a hydroxy group or an alkoxy group.
  • the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-c), and further includes the following formula (51-3-c) or (51 A portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by -4-c) may be included. That is, a structural unit having a group represented by R56 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also included in the structural unit represented by (R56SiO 3/2 ).
  • R56 in the above formulas (51-c), (51-3), (51-3-c), (51-4) and (51-4-c) is the same as in the above formulas (51A) and (51B).
  • R56 is the same group as R56.
  • the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) is a structure represented by the following formula (51-5), that is, (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) may contain a structure in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the structural unit constitutes a hydroxy group or an alkoxy group.
  • the structural unit represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) includes a portion surrounded by a broken line of the structural unit represented by the following formula (51-d), and further represented by the following formula (51-5-d)
  • the part enclosed by the broken line of the structural unit represented may be included. That is, the structural unit having a group represented by R57, R58, R59, R60 and R61 and having an alkoxy group or a hydroxy group remaining at the terminal is also a structure represented by (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ). Included in the unit.
  • R57 to R61 in the above formulas (51-d), (51-5) and (51-5-d) are the same groups as R57 to R61 in the above formula (51B).
  • the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited.
  • methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, n- Examples include butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group.
  • the lower limit of p / (p + q + r) is 0.05, and the upper limit is 0.50.
  • the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed.
  • the preferable lower limit of p / (p + q + r) is 0.10, and the more preferable upper limit is 0.45.
  • the lower limit of q / (p + q + r) is 0.05, and the upper limit is 0.50.
  • the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant.
  • q / (p + q + r) satisfies the above upper limit, the gas barrier property of the sealant is further enhanced.
  • the preferable minimum of q / (p + q + r) is 0.10, and a more preferable upper limit is 0.45.
  • the lower limit of r / (p + q + r) is 0.20, and the upper limit is 0.80.
  • r / (p + q + r) satisfies the above lower limit, the hardness of the encapsulant is increased, the adhesion of scratches and dust can be prevented, the heat resistance of the encapsulant is increased, and the cured product of the encapsulant in a high temperature environment It becomes difficult to reduce the thickness.
  • r / (p + q + r) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced.
  • the lower limit of p / (p + q + r + s) is 0.05, and the upper limit is 0.50.
  • the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed.
  • the lower limit of q / (p + q + r + s) is 0.05, and the upper limit is 0.50.
  • the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant.
  • q / (p + q + r + s) satisfies the above upper limit, the gas barrier property of the sealant is further enhanced.
  • the lower limit of r / (p + q + r + s) is 0.20, and the upper limit is 0.80.
  • r / (p + q + r + s) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced.
  • the lower limit of s / (p + q + r + s) is 0.01 and the upper limit is 0.40.
  • s / (p + q + r + s) satisfies the above lower limit and upper limit, an encapsulant for optical semiconductor devices that has a high gas barrier property against corrosive gas and hardly cracks or peels even when used in a harsh environment. Obtainable.
  • the above formula (51B) is 0.03, the more preferable lower limit is 0.05, the preferable upper limit is 0.35, and the more preferable upper limit is 0.30.
  • the ratio of each structural unit in the above formula (51A) and formula (51B) can be measured by measuring 29 Si-NMR and comparing the peak areas of the respective signals.
  • the content of the second silicone resin component is preferably 10 parts by weight or more and 400 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin component.
  • the more preferable lower limit of the content of the second silicone resin component is 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the first silicone resin component.
  • a preferred lower limit is 50 parts by weight, a more preferred upper limit is 300 parts by weight, and a still more preferred upper limit is 200 parts by weight.
  • the “100 parts by weight of the first silicone resin component” refers to “first silicone resin A100” when the sealant contains the first silicone resin A and does not contain the first silicone resin B.
  • “100 parts by weight of the first silicone resin B” indicates the sealant.
  • it indicates “a total of 100 parts by weight of the first silicone resin A and the first silicone resin B”.
  • the “second silicone resin component 100 parts by weight” means “second silicone resin A100” when the sealant contains the second silicone resin A and does not contain the second silicone resin B.
  • “100 parts by weight of the second silicone resin B” is indicated. Indicates that “the total of 100 parts by weight of the second silicone resin A and the second silicone resin B” is included when both the second silicone resin A and the second silicone resin B are included.
  • the term “100 parts by weight of the first silicone resin A” means that the first silicone resin A includes the first silicone resin A-1 and does not include the first silicone resin A-2. When “100 parts by weight of the first silicone resin A-1” is shown, and the first silicone resin A contains both the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2 Indicates “a total of 100 parts by weight of the first silicone resin A-1 and the first silicone resin A-2”.
  • the preferable lower limit of the alkoxy group content of the first and second silicone resins is 0.5 mol%, the more preferable lower limit is 1 mol%, the preferable upper limit is 10 mol%, and the more preferable upper limit is 5 mol%. Adhesiveness of a sealing agent can be improved as content of an alkoxy group exists in the said preferable range.
  • the adhesion of the sealant can be increased.
  • the content of the alkoxy group satisfies the above preferable upper limit, the storage stability of the first and second silicone resins and the sealant is increased, and the heat resistance of the sealant is further increased.
  • the content of the alkoxy group means the amount of the alkoxy group contained in the average composition formula of the first and second silicone resins.
  • the first and second silicone resin components preferably do not contain silanol groups.
  • the storage stability of the first and second silicone resins and the sealant is increased.
  • the silanol group can be reduced by heating under vacuum.
  • the content of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy.
  • the preferred lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the first and second silicone resins is 500, the more preferred lower limit is 800, the still more preferred lower limit is 1000, the preferred upper limit is 50000, and the more preferred upper limit is 15000.
  • Mn number average molecular weight
  • the volatile components are reduced at the time of thermosetting, and the thickness of the cured product of the sealant is hardly reduced under a high temperature environment.
  • viscosity adjustment is easy.
  • the number average molecular weight (Mn) is a value obtained by using polystyrene as a standard substance by gel permeation chromatography (GPC).
  • the number average molecular weight (Mn) is determined by two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) means a value measured.
  • the method for synthesizing the first and second silicone resins is not particularly limited, and examples thereof include a method in which an alkoxysilane compound is hydrolyzed and subjected to a condensation reaction, and a method in which a chlorosilane compound is hydrolyzed and condensed. Especially, the method of hydrolyzing an alkoxysilane compound from a viewpoint of control of reaction is preferable.
  • Examples of the method for hydrolyzing and condensing the alkoxysilane compound include a method of reacting the alkoxysilane compound in the presence of water and an acidic catalyst or a basic catalyst. Further, the disiloxane compound may be hydrolyzed and used.
  • organosilicon compound for introducing a phenyl group into the first and second silicone resins examples include triphenylmethoxysilane, triphenylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methyl (phenyl) dimethoxysilane, and Examples thereof include phenyltrimethoxysilane.
  • the organosilicon compound for introducing (R7R8R9R10Si 2 R11O 2/2 ), (R57R58R59R60Si 2 R61O 2/2 ) into the first and second silicone resins for example, 1,4-bis (dimethylmethoxysilyl) Benzene, 1,4-bis (diethylmethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (ethoxyethylmethylsilyl) benzene, 1,6-bis (dimethylmethoxysilyl) hexane, 1,6-bis (diethylmethoxysilyl) hexane And 1,6-bis (ethoxyethylmethylsilyl) hexane and the like.
  • 1,4-bis (dimethylmethoxysilyl) Benzene 1,4-bis (diethylmethoxysilyl) benzene
  • 1,4-bis (ethoxyethylmethylsilyl) benzene
  • organosilicon compound for introducing an alkenyl group into the first silicone resin examples include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, vinyldimethylethoxysilane, and 1,3-divinyl- Examples thereof include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane.
  • organosilicon compound for introducing hydrogen atoms directly bonded to silicon atoms into the second silicone resin examples include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and 1,1,3,3. Examples include 3-tetramethyldisiloxane.
  • Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides of inorganic acids and derivatives thereof, and acid anhydrides of organic acids and derivatives thereof.
  • Examples of the inorganic acid include hydrochloric acid, phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid.
  • examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid and oleic acid. Is mentioned.
  • Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.
  • alkali metal hydroxide examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide and cesium hydroxide.
  • alkali metal alkoxide include sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide.
  • alkali metal silanol compound examples include a sodium silanolate compound, a potassium silanolate compound, and a cesium silanolate compound. Of these, a potassium-based catalyst or a cesium-based catalyst is preferable.
  • the hydrosilylation reaction catalyst contained in the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is directly bonded to the alkenyl group in the first silicone resin component and the silicon atom in the second silicone resin component. It is a catalyst for hydrosilylation reaction with the hydrogen atom.
  • hydrosilylation reaction catalyst various catalysts that cause the hydrosilylation reaction to proceed can be used.
  • the said catalyst for hydrosilylation reaction only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • hydrosilylation reaction catalyst examples include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. Since the transparency of the sealant can be increased, a platinum-based catalyst is preferable.
  • platinum-based catalyst examples include platinum powder, chloroplatinic acid, platinum-alkenylsiloxane complex, platinum-olefin complex, and platinum-carbonyl complex.
  • platinum-alkenylsiloxane complex or a platinum-olefin complex is preferred.
  • Examples of the alkenylsiloxane in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5. , 7-tetravinylcyclotetrasiloxane and the like.
  • Examples of the olefin in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.
  • alkenylsiloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenylsiloxane complex or platinum-olefin complex.
  • the alkenylsiloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane.
  • the organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer.
  • the olefin is preferably 1,6-heptadiene.
  • the content of the hydrosilylation catalyst in the range of 0.01 to 1000 ppm in terms of the weight unit of metal atoms. Preferably there is.
  • the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is 0.01 ppm or more, it is easy to sufficiently cure the sealant, and the gas barrier property of the sealant can be further enhanced.
  • the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is 1000 ppm or less, the problem of coloring the cured product hardly occurs.
  • a more preferable lower limit of the content of the catalyst for hydrosilylation reaction is 1 ppm, and a more preferable upper limit is 500 ppm.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention preferably further contains silicon oxide particles.
  • silicon oxide particles By using the silicon oxide particles, the viscosity of the sealant before curing can be adjusted to an appropriate range without impairing the heat resistance and light resistance of the cured product of the sealant. Therefore, the handleability of the sealing agent can be improved.
  • the preferable lower limit of the primary particle diameter of the silicon oxide particles is 5 nm, the more preferable lower limit is 8 nm, the preferable upper limit is 200 nm, and the more preferable upper limit is 150 nm.
  • the primary particle diameter of the silicon oxide particles satisfies the preferable lower limit, the dispersibility of the silicon oxide particles is further increased, and the transparency of the cured product of the sealant is further increased.
  • the primary particle diameter of the silicon oxide particles satisfies the above preferable upper limit, the effect of increasing the viscosity at 25 ° C. can be sufficiently obtained, and the decrease in the viscosity due to the temperature increase can be suppressed.
  • the primary particle diameter of the silicon oxide particles is measured as follows.
  • the cured product of the encapsulant for optical semiconductor devices is observed using a transmission electron microscope (trade name “JEM-2100”, manufactured by JEOL Ltd.).
  • the size of the primary particles of 100 silicon oxide particles in the visual field is measured, and the average value of the measured values is defined as the primary particle diameter.
  • the primary particle diameter means an average value of the diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are spherical, and an average value of the major diameters of the silicon oxide particles when the silicon oxide particles are non-spherical.
  • the preferable lower limit of the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 30 m 2 / g, and the preferable upper limit is 400 m 2 / g.
  • the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 30 m 2 / g or more, the viscosity of the sealant at 25 ° C. can be controlled within a suitable range, and a decrease in viscosity due to a temperature rise can be suppressed.
  • the BET specific surface area of the silicon oxide particles is 400 m 2 / g or less, the aggregation of the silicon oxide particles hardly occurs, the dispersibility can be increased, and the transparency of the cured product of the sealant is further increased. Can be high.
  • the silicon oxide particles are not particularly limited, and examples thereof include silica produced by a dry method such as fumed silica and fused silica, and silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica and precipitated silica. It is done. Among these, fumed silica is suitably used as the silicon oxide particles from the viewpoint of obtaining a sealant with less volatile components and higher transparency.
  • Examples of the fumed silica include Aerosil 50 (specific surface area: 50 m 2 / g), Aerosil 90 (specific surface area: 90 m 2 / g), Aerosil 130 (specific surface area: 130 m 2 / g), Aerosil 200 (specific surface area). : 200 m 2 / g), Aerosil 300 (specific surface area: 300 m 2 / g), Aerosil 380 (specific surface area: 380 m 2 / g) (all manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like.
  • the silicon oxide particles are preferably surface-treated with an organosilicon compound.
  • an organosilicon compound By this surface treatment, the dispersibility of the silicon oxide particles becomes very high, and the decrease in the viscosity due to the increase in the temperature of the sealant before curing can be further suppressed.
  • the organosilicon compound is not particularly limited.
  • a silane compound having an alkyl group a silicon compound having a siloxane skeleton such as dimethylsiloxane, a silicon compound having an amino group, and a silicon compound having a (meth) acryloyl group.
  • examples thereof include a compound and a silicon compound having an epoxy group.
  • the “(meth) acryloyl group” means an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the organosilicon compound is selected from the group consisting of an organosilicon compound having a dimethylsilyl group, an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group. It is preferable that at least one selected. Further, from the viewpoint of further enhancing dispersibility of the silicon oxide particles, the organosilicon compound used for the surface treatment is at least one of an organosilicon compound having a trimethylsilyl group and an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group. It is preferable that
  • an organosilicon compound having a dimethylsilyl group or an organosilicon compound having a trimethylsilyl group for example, dichlorodimethylsilane, dimethyldimethoxysilane, hexamethyldisilazane, trimethylsilyl
  • dichlorodimethylsilane, dimethyldimethoxysilane, hexamethyldisilazane, trimethylsilyl A method of surface-treating silicon oxide particles using chloride, trimethylmethoxysilane, or the like can be given.
  • Examples of commercially available silicon oxide particles surface-treated with the above organosilicon compound having a dimethylsilyl group include R974 (specific surface area: 170 m 2 / g) and R964 (specific surface area: 250 m 2 / g) (both Nippon Aerosil Etc.).
  • silicon oxide particles surface-treated with the above organosilicon compound having a trimethylsilyl group include RX200 (specific surface area: 140 m 2 / g) and R8200 (specific surface area: 140 m 2 / g) (both from Nippon Aerosil Co., Ltd.) Manufactured) and the like.
  • RY200 (specific surface area: 120 m 2 / g) (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) and the like can be mentioned as a commercial product of silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group.
  • the method for surface-treating the silicon oxide particles with the organosilicon compound is not particularly limited.
  • this method for example, a dry method in which silicon oxide particles are added to a mixer and an organosilicon compound is added while stirring, a slurry method in which an organosilicon compound is added to a slurry of silicon oxide particles, and silicon oxide particles And a direct treatment method such as a spray method in which an organosilicon compound is sprayed after drying.
  • the mixer used in the dry method include a Henschel mixer and a V-type mixer.
  • the organosilicon compound is added directly or as an alcohol aqueous solution, an organic solvent solution or an aqueous solution.
  • silicon oxide particles that have been surface-treated with the organosilicon compound when preparing a sealant for an optical semiconductor device, silicon oxide particles and a matrix resin such as the first and second silicone resin components, An integral blend method in which an organosilicon compound is directly added may be used at the time of mixing.
  • the content of the silicon oxide particles is preferably 0.5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less with respect to a total of 100 parts by weight of the first silicone resin component and the second silicone resin component. .
  • the more preferable lower limit of the content of the silicon oxide particles is 1 part by weight and the more preferable upper limit is 35 parts by weight with respect to the total of 100 parts by weight of the first silicone resin component and the second silicone resin component. .
  • the present inventor increases the refractive index of the cured product of the sealant, and efficiently emits light emitted from the light emitting element. I found out that it can be taken out. As a result, the light emitted to the outside can be sufficiently brightened even at a low current.
  • the sealant containing the first and second silicone resin components having an aryl group or a phenylene group and the phosphor has a drastic decrease in the viscosity of the sealant when exposed to a high temperature before curing. , Phosphor easily settles. For this reason, when the sealant is exposed to a high temperature during curing, the phosphor is unevenly distributed around the light emitting element, and light is irregularly reflected. As a result, a part of the light emitted from the light emitting element is lost in the hardened material of the sealant, and there is a problem that the amount of light extracted from the optical semiconductor device is reduced.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention contains silicon oxide particles surface-treated with the organosilicon compound, the first and second silicone resin components having an aryl group or a phenylene group are contained. Nevertheless, the viscosity of the sealant at a high temperature can be maintained at a sufficiently high level. Thereby, the viscosity when the sealing agent is heated to a high temperature can be adjusted to an appropriate range, and the dispersed state of the phosphor in the sealing agent can be kept uniform.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may further contain a phosphor.
  • the above phosphor acts to absorb light emitted from a light emitting element that is sealed using a sealant for an optical semiconductor device and generate fluorescence to finally obtain light of a desired color. To do.
  • the phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention further includes the configuration Y in addition to the configuration X, the phosphor is unlikely to settle even if the encapsulant contains the phosphor in advance.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may not contain a phosphor.
  • the sealant can be used with a phosphor added at the time of use.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention further includes the above configuration Y in addition to the above configuration X, even if the phosphor is added to the encapsulant, the added phosphor is unlikely to settle.
  • the blue phosphor is not particularly limited.
  • (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 Eu and the like.
  • red phosphor for example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu, CaSiN 2: Eu, CaAlSiN 3: Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).
  • the green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.
  • Y 3 Al 5 O 12 Ce
  • (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 Ce
  • Tb 3 Al 5 O 12 Ce
  • CaGa 2 S 4 Eu
  • Sr 2 SiO 4 Eu
  • examples of the phosphor include perylene compounds that are organic phosphors.
  • the preferable lower limit of the volume average particle diameter of the phosphor is 1 ⁇ m, the more preferable lower limit is 2 ⁇ m, the preferable upper limit is 30 ⁇ m, and the more preferable upper limit is 25 ⁇ m.
  • the content of the phosphor can be adjusted as appropriate so as to obtain light of a desired color, and is not particularly limited.
  • the content of the phosphor is preferably 0.1 parts by weight or more and 40 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention.
  • content of the said fluorescent substance is 100 weight part of all components except the fluorescent substance of sealing compound for optical semiconductor devices, It is preferable that it is 0.1 to 40 weight part.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention may further contain a coupling agent in order to impart adhesiveness.
  • the coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include a silane coupling agent.
  • the silane coupling agent include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxy.
  • Examples thereof include silane, ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane and the like.
  • a coupling agent only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
  • the preferable lower limit of the content of the coupling agent is 0.1 parts by weight and the preferable upper limit is 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight as a total of the first silicone resin component and the second silicone resin component.
  • the content of the coupling agent is 0.1 parts by weight or more, the effect of adding the coupling agent is sufficiently exhibited.
  • the content of the coupling agent is 5 parts by weight or less, the excess coupling agent is less likely to volatilize, and when the sealant is cured, the thickness of the cured product is less likely to be reduced in a high temperature environment. Become.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention includes a dispersant, an antioxidant, an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, a thermally conductive filler, a flame retardant, and the like as necessary.
  • the additive may be further included.
  • the said 1st silicone resin component, the said 2nd silicone resin component, and the said catalyst for hydrosilylation reaction prepare the liquid containing these 1 type (s) or 2 or more types separately, and use immediately before use.
  • a plurality of liquids may be mixed to prepare the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention.
  • the liquid A containing the first silicone resin component and the hydrosilylation reaction catalyst and the liquid B containing the second silicone resin component are prepared separately, and the liquid A and liquid B immediately before use. May be mixed to prepare the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention.
  • the first silicone resin component and the hydrosilylation reaction catalyst and the second silicone resin component are separately made into two liquids of the first liquid and the second liquid, so that the storage stability is maintained. Can be improved.
  • the silicon oxide particles and the phosphor may be added to the liquid A or the liquid B, respectively.
  • the viscosity ⁇ 1 at 5 rpm at 25 ° C. measured using an E-type viscometer is preferably 1000 mPa ⁇ s or more and 10,000 mPa ⁇ s.
  • the viscosity ⁇ 1 of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is within this range, the sedimentation of the phosphor is further suppressed, the dispensing property is further enhanced, and the light extracted from the optical semiconductor device is reduced. It can be made even brighter.
  • the ratio ( ⁇ 2 / ⁇ 3) is preferably 1.2 or more and 2.5 or less.
  • the “viscosity” in the first and second silicone resins A, A-1, A-2, B and the sealant for optical semiconductor devices is an E-type viscometer (TV-22 type, Toki Sangyo Co., Ltd.). It is the value measured using the product.
  • the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is sheared in a temperature range from 25 ° C. to the curing temperature when heated from 25 ° C. at a heating rate of 20 ° C./min using a parallel plate type rheometer.
  • the minimum viscosity at a speed of 1 s ⁇ 1 is preferably 200 mPa ⁇ s or more.
  • the viscosity ⁇ 1 at 5 rpm at 25 ° C. of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is in the range of 1000 to 10000 mPa ⁇ s, the light emitting element formed by the optical semiconductor device is efficiently encapsulated. it can.
  • the preferable lower limit of the viscosity ⁇ 1 at 25 rpm at 25 ° C. is 1200 mPa ⁇ s, the more preferable lower limit is 1500 mPa ⁇ s, the preferable upper limit is 8000 mPa ⁇ s, and the more preferable upper limit is 6000 mPa ⁇ s.
  • a more preferable lower limit of the minimum viscosity at the shear rate of 1 s ⁇ 1 is 300 mPa ⁇ s, and a further preferable lower limit is 500 mPa ⁇ s.
  • the minimum viscosity at the shear rate of 1 s ⁇ 1 means a value measured using a parallel plate type rheometer (“DAR-2000”, manufactured by Rheologica).
  • the curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is not particularly limited.
  • the preferable lower limit of the curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor devices is 80 ° C., the more preferable lower limit is 100 ° C., the preferable upper limit is 180 ° C., and the more preferable upper limit is 150 ° C.
  • the curing temperature satisfies the above preferable lower limit curing of the sealant proceeds sufficiently.
  • the package is unlikely to be thermally deteriorated.
  • the curing method is not particularly limited, but it is preferable to use a step cure method.
  • the step cure method is a method in which the resin is temporarily cured at a low temperature and then cured at a high temperature. By using the step cure method, curing shrinkage of the sealant can be suppressed.
  • the method for producing the encapsulant for optical semiconductor devices according to the present invention is not particularly limited, for example, using a mixer such as a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader, a three roll or a bead mill, Examples thereof include a method of mixing the first silicone resin component, the second silicone resin component, the hydrosilylation reaction catalyst, and other components blended as necessary at room temperature or under heating.
  • a mixer such as a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader, a three roll or a bead mill.
  • the light-emitting element is not particularly limited as long as it is a light-emitting element using a semiconductor.
  • the light-emitting element is a light-emitting diode
  • a structure in which an LED-type semiconductor material is stacked on a substrate is exemplified.
  • the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.
  • Examples of the material of the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. Further, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the material of the buffer layer include GaN and AlN.
  • optical semiconductor device examples include a light emitting diode device, a semiconductor laser device, and a photocoupler.
  • Such optical semiconductor devices include, for example, backlights such as liquid crystal displays, illumination, various sensors, light sources such as printers and copiers, vehicle measuring instrument light sources, signal lights, indicator lights, display devices, and light sources for planar light emitters. , Displays, decorations, various lights, switching elements and the like.
  • the light emitting element formed of the optical semiconductor is sealed with the cured product of the sealant for optical semiconductor devices according to the present invention.
  • a cured product of an encapsulant for optical semiconductor devices is arranged so as to seal a light emitting element formed of an optical semiconductor such as an LED. For this reason, it is hard to produce a crack in the hardened
  • FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • the optical semiconductor device 1 of this embodiment has a housing 2.
  • An optical semiconductor element 3 made of LEDs is mounted in the housing 2.
  • the optical semiconductor element 3 is surrounded by an inner surface 2 a having light reflectivity of the housing 2.
  • the optical semiconductor element 3 is used as a light emitting element formed of an optical semiconductor.
  • the inner surface 2a is formed such that the diameter of the inner surface 2a increases toward the opening end. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light that has reached the inner surface 2 a is reflected by the inner surface 2 a and travels forward of the optical semiconductor element 3. In a region surrounded by the inner surface 2 a so as to seal the optical semiconductor element 3, an optical semiconductor device sealing agent 4 is filled.
  • FIG. 1 is only an example of the optical semiconductor device according to the present invention, and the mounting structure of the optical semiconductor device can be modified as appropriate.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (A) was 1700.
  • the polymer (A) had the following average composition formula (A1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (A) was 37 mol%.
  • the molecular weight of each polymer obtained in Synthesis Example 1 and Synthesis Examples 2 to 16 was measured by GPC measurement by adding 1 mL of tetrahydrofuran to 10 mg, stirring until dissolved.
  • GPC measurement a measuring device manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) x 2 manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: Polystyrene) was used.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (B) was 4100.
  • the polymer (B) had the following average composition formula (B1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • Hex represents a hexylene group.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (B) was 33 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (C) was 3600.
  • the polymer (C) had the following average composition formula (C1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • Hex represents a hexylene group.
  • the ratio of the diphenylsiloxane structural unit was 44 mol% in 100 mol% of all siloxane structural units of the obtained polymer (C).
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (C) was 46 mol%.
  • Synthesis Example 4 Synthesis of First Silicone Resin B In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, 60 g of dimethyldimethoxysilane, 317 g of diphenyldimethoxysilane, 119 g of vinylmethyldimethoxysilane, and 1,4 -76 g of bis (dimethylmethoxysilyl) benzene was added and stirred at 50 ° C. A solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 108 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution. Next, 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain a polymer (D).
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (D) was 3400.
  • the polymer (D) had the following average composition formula (D1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • Phe represents a phenylene group.
  • the ratio of the diphenylsiloxane structural unit was 44 mol% in 100 mol% of all siloxane structural units of the obtained polymer (D).
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (D) was 52 mol%.
  • Synthesis Example 5 Synthesis of Second Silicone Resin A A 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer was charged with 31 g of trimethylmethoxysilane, 50 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and dimethyl. Dimethoxysilane 108 g and phenyltrimethoxysilane 208 g were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.4 g of hydrochloric acid and 101 g of water was slowly added dropwise. After the addition, the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution.
  • the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure.
  • 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (E) was obtained.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (E) was 1000.
  • the polymer (E) had the following average composition formula (E1).
  • Me represents a methyl group and Ph represents a phenyl group.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (E) was 33 mol%.
  • Synthesis Example 6 Synthesis of Second Silicone Resin A A 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer was charged with 16 g of trimethylmethoxysilane, 50 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and dimethyl. 36 g of dimethoxysilane, 183 g of diphenyldimethoxysilane, 149 g of phenyltrimethoxysilane, and 45 g of vinyltrimethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.4 g of hydrochloric acid and 104 g of water was slowly added dropwise.
  • the solution was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution.
  • the polymer was obtained by removing the volatile component under reduced pressure.
  • 150 g of hexane and 150 g of ethyl acetate were added, washed 10 times with 300 g of ion-exchanged water, reduced in pressure to remove volatile components, and polymer (F) was obtained.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (F) was 1000.
  • the polymer (F) had the following average composition formula (F1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the proportion of structural units corresponding to the structural unit represented by the above formula (51-a) in 100 mol% of all siloxane structural units of the obtained polymer (F) was 23 mol%.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (F) was 51 mol%.
  • Synthesis Example 7 Synthesis of Second Silicone Resin A A 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device, and a stirrer was charged with 31 g of trimethylmethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and diphenyl. 110 g of dimethoxysilane, 268 g of phenyltrimethoxysilane, and 45 g of vinyltrimethoxysilane were added and stirred at 50 ° C. Into this, a solution of 1.4 g of hydrochloric acid and 116 g of water was slowly added dropwise, and after the addition, the mixture was stirred at 50 ° C.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (G) was 1100.
  • the polymer (G) had the following average composition formula (G1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the proportion of structural units corresponding to the structural unit represented by the above formula (51-a) in the total siloxane structural unit of 100 mol% of the obtained polymer (G) was 19 mol%.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (G) was 51 mol%.
  • Synthesis Example 8 Synthesis of Second Silicone Resin B In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device, and a stirrer, 31 g of trimethylmethoxysilane, 40 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, diphenyl 183 g of dimethoxysilane, 149 g of phenyltrimethoxysilane, 45 g of vinyltrimethoxysilane, and 76 g of 1,4-bis (dimethylmethoxysilyl) benzene were added and stirred at 50 ° C.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (H) was 1100.
  • the polymer (H) had the following average composition formula (H1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • Phe represents a phenylene group.
  • the proportion of the structural unit corresponding to the structural unit represented by the above formula (51-a) in the total siloxane structural unit of 100 mol% of the obtained polymer (H) was 19 mol%.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (H) was 51 mol%.
  • Synthesis Example 9 Synthesis of a silicone resin similar to the first silicone resin component
  • a solution obtained by dissolving 0.8 g of potassium hydroxide in 108 g of water was slowly dropped therein, and after the dropwise addition, the mixture was stirred at 50 ° C. for 6 hours and reacted to obtain a reaction solution.
  • 0.9 g of acetic acid was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and potassium acetate was removed by filtration to obtain polymer (I).
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (I) was 1800.
  • the polymer (I) had the following average composition formula (I1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (I) was 21 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (J) was 3400.
  • the polymer (J) had the following average composition formula (J1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • Phe represents a phenylene group.
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (J) was 22 mol%.
  • Synthesis Example 11 Synthesis of a silicone resin similar to the second silicone resin component
  • 31 g of trimethylmethoxysilane, 1, 1, 3 , 3-hexamethyldisiloxane 50 g, dimethyldimethoxysilane 140 g, diphenyldimethoxysilane 59 g, phenyltrimethoxysilane 48 g, and vinyltrimethoxysilane 45 g were added and stirred at 50 ° C.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (K) was 600.
  • the polymer (K) had the following average composition formula (K1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (K) was 23 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (L) was 5300.
  • the polymer (L) had the following average composition formula (L1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the proportion of the diphenylsiloxane structural unit was 45 mol% in 100 mol% of all siloxane structural units of the obtained polymer (L).
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (L) was 52 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (M) was 5300.
  • the polymer (M) had the following average composition formula (M1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the obtained polymer (M) phenyl group was 45 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (N) was 1200.
  • the polymer (N) had the following average composition formula (N1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (N) was 39 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (O) was 1300.
  • the polymer (O) had the following average composition formula (O1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of phenyl groups in the obtained polymer (O) was 58 mol%.
  • the number average molecular weight (Mn) of the obtained polymer (P) was 2700.
  • the polymer (P) had the following average composition formula (P1).
  • Me represents a methyl group
  • Ph represents a phenyl group
  • Vi represents a vinyl group
  • the content ratio of the phenyl group of the obtained polymer (P) was 59 mol%.
  • Example 1 Polymer A (10 g), Polymer E (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is expressed in weight units) 10 ppm) was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 2 Polymer B (10 g), Polymer E (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is expressed in weight units) 10 ppm) was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 3 Polymer C (10 g), Polymer E (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is expressed in weight units) 10 ppm) was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 4 Polymer C (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 5 Polymer C (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And 2 g of silicon oxide fine particles (AEROSIL R8200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, specific surface area 140 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) The sealing agent for optical semiconductor devices was obtained.
  • AEROSIL R8200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, specific surface area 140 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 6 Polymer C (10 g), Polymer F (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 7 Polymer C (10 g), Polymer G (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 8 Polymer C (10 g), Polymer H (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 9 Polymer D (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 10 Polymer D (10 g), Polymer F (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 11 Polymer D (10 g), Polymer G (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 12 Polymer D (10 g), Polymer H (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 13 Polymer C (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And 1.0 g of silicon oxide fine particles (R974, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a dimethylsiloxane group, specific surface area 170 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) The sealing agent for optical semiconductor devices was obtained.
  • the obtained optical semiconductor device was placed in a chamber at 40 ° C. and a relative humidity of 90% RH, and the chamber was filled with gas so that the concentration of hydrogen sulfide gas was 5 ppm and the concentration of sulfur dioxide gas was 15 ppm. . From the gas filling, the lead electrodes plated with silver were visually observed after 24 hours, 48 hours, 96 hours, 168 hours and 500 hours.
  • Thermal shock test The obtained optical semiconductor device was held at ⁇ 50 ° C. for 5 minutes using a liquid bath thermal shock tester (“TSB-51”, manufactured by ESPEC), then heated to 135 ° C. A cold cycle test was conducted in which the process of holding for 5 minutes and then lowering the temperature to ⁇ 50 ° C. was one cycle. After 500 cycles, 20 samples were taken after 1000 cycles and 1500 cycles, respectively.
  • TTB-51 liquid bath thermal shock tester
  • the sample was observed with a stereomicroscope (“SMZ-10”, manufactured by Nikon Corporation). It is observed whether or not each of the 20 samples of the encapsulant for optical semiconductor devices has cracks, or whether or not the encapsulant for optical semiconductor devices has peeled off from the package or electrode, and cracks or delamination occurred. The number of samples (NG number) was counted.
  • the obtained viscosity of the sealing compound for optical semiconductor devices is 25 ° C. to the curing temperature at a shear rate of 1 s ⁇ 1. (MPa ⁇ s) was measured. Regarding the rate of temperature increase, the temperature was increased from 25 ° C. to the curing temperature at 20 ° C./min, and then the measurement was continued until a significant increase in viscosity occurred at the curing temperature.
  • phosphor-containing sealant 0.8 parts by weight of phosphor powder (volume average particle diameter 17 ⁇ m, specific gravity 4.7, “EY4254”, manufactured by Intermatics) is added to 10 parts by weight of the obtained encapsulant for optical semiconductor devices and stirred. Then, defoaming was performed to obtain a sealant for an optical semiconductor device (hereinafter sometimes referred to as a phosphor-containing sealant).
  • a current of 60 mA was passed through each of the light emitting elements in the 50 optical semiconductor devices at 23 ° C., and the light intensity was measured using an optical measurement device (OL770, manufactured by Optronic Laboratories).
  • the average value of 50 was 5.3 cd.
  • the above was designated as “ ⁇ ” and less than 5.3 cd as “x”.
  • Example 14 Polymer L (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 15 Polymer L (10 g), Polymer E (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And 1.5 g of silicon oxide fine particles (AEROSIL R8200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, specific surface area 140 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) The sealing agent for optical semiconductor devices was obtained.
  • AEROSIL R8200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a trimethylsilyl group, specific surface area 140 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 16 Polymer L (10 g), Polymer F (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 17 Polymer L (10 g), Polymer G (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 18 Polymer L (10 g), Polymer H (10 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.8 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 19 Polymer L (10 g), Polymer E (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is expressed by weight) 10 ppm) was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 20 Polymer M (10 g), Polymer F (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0.4 g, Defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 21 Polymer M (10 g), Polymer F (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is expressed by weight) 10 ppm) was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • the obtained optical semiconductor device was placed in a chamber at 40 ° C. and a relative humidity of 90% RH, and the chamber was filled with gas so that the concentration of hydrogen sulfide gas was 5 ppm and the concentration of sulfur dioxide gas was 15 ppm. . From the gas filling, the lead electrodes plated with silver were visually observed after 24 hours, 48 hours, 96 hours, 168 hours and 500 hours.
  • Thermal shock test The obtained optical semiconductor device was held at ⁇ 50 ° C. for 5 minutes using a liquid bath thermal shock tester (“TSB-51”, manufactured by ESPEC), then heated to 135 ° C. A cold cycle test was conducted in which the process of holding for 5 minutes and then lowering the temperature to ⁇ 50 ° C. was one cycle. After 500 cycles, 20 samples were taken after 1000 cycles and 1500 cycles, respectively.
  • TTB-51 liquid bath thermal shock tester
  • the sample was observed with a stereomicroscope (“SMZ-10”, manufactured by Nikon Corporation). It is observed whether or not each of the 20 samples of the encapsulant for optical semiconductor devices has cracks, or whether or not the encapsulant for optical semiconductor devices has peeled off from the package or electrode, and cracks or delamination occurred. The number of samples (NG number) was counted.
  • Phosphor powder volume average particle diameter 17 ⁇ m, specific gravity 4.7, “EY4453”, manufactured by Intermatics
  • EY4453 specific gravity 4.7
  • Part by weight was added, stirred, and degassed to obtain an optical semiconductor device sealant (hereinafter sometimes referred to as a phosphor-containing sealant).
  • the obtained viscosity of the sealing compound for optical semiconductor devices is 25 ° C. to the curing temperature at a shear rate of 1 s ⁇ 1. (MPa ⁇ s) was measured. Regarding the rate of temperature increase, the temperature was increased from 25 ° C. to the curing temperature at 20 ° C./min, and then the measurement was continued until a significant increase in viscosity occurred at the curing temperature. Moreover, the same evaluation was implemented also about the sealing agent containing fluorescent substance.
  • Phosphor Precipitation Phosphor stability in an uncured state
  • the obtained phosphor-containing sealing agent was put in a transparent glass container and allowed to stand at 23 ° C. for 24 hours. Thereafter, the state of the phosphor in the uncured sealant was visually observed. The case where there was no precipitation of the phosphor was evaluated as “ ⁇ ”, the case where the phosphor was precipitated was evaluated as “ ⁇ ”, and the case where the precipitation of the phosphor was significant was evaluated as “x”.
  • Example 22 Polymer A (9 g), Polymer N (1 g), Polymer E (10 g) and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (including platinum metal in sealant) The amount was 10 ppm by weight), and defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 23 Polymer L (9 g), Polymer N (1 g), Polymer E (10 g) and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (including platinum metal in sealant) The amount was 10 ppm by weight), and defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 24 Polymer L (9 g), Polymer N (1 g), Polymer F (10 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (including platinum metal in sealant) The amount was 10 ppm by weight), and defoaming was performed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 25 Polymer L (9 g), Polymer N (1 g), Polymer F (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (including platinum metal in sealant) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0 .4 g was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 26 Polymer L (9 g), Polymer N (1 g), Polymer G (10 g) and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (including platinum metal in sealant) And silicon oxide fine particles (AEROSIL RY200, silicon oxide particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) 0 .4 g was mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • AEROSIL RY200 silicon oxide fine particles surface-treated with an organosilicon compound having a polydimethylsiloxane group, specific surface area 120 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 27 Polymer A (10 g), Polymer E (10 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) Were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 28 Polymer N (10 g), Polymer F (20 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) Were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 29 Polymer N (10 g), Polymer G (20 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) Were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 30 Polymer O (10 g), polymer F (20 g), platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And 1 g of silicon oxide fine particles (Aerosil 200, specific surface area: 200 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • silicon oxide fine particles Al 2 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • Example 31 Polymer O (10 g), Polymer G (20 g), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) And 1 g of silicon oxide fine particles (Aerosil 200, specific surface area: 200 m 2 / g, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.) were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 32 Polymer P (10 g), Polymer F (20 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) Were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • Example 33 Polymer P (10 g), Polymer G (20 g), and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex of platinum (the platinum metal content in the sealant is 10 ppm by weight) Were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor devices.
  • the obtained optical semiconductor device was placed in a chamber at 40 ° C. and a relative humidity of 90% RH, and the chamber was filled with gas so that the concentration of hydrogen sulfide gas was 5 ppm and the concentration of sulfur dioxide gas was 15 ppm. . From the gas filling, the lead electrodes plated with silver were visually observed after 24 hours, 48 hours, 96 hours, 168 hours and 500 hours.
  • Thermal shock test The obtained optical semiconductor device was held at ⁇ 50 ° C. for 5 minutes using a liquid bath thermal shock tester (“TSB-51”, manufactured by ESPEC), then heated to 135 ° C. A cold cycle test was conducted in which the process of holding for 5 minutes and then lowering the temperature to ⁇ 50 ° C. was one cycle. After 500 cycles, 20 samples were taken after 1000 cycles, 1500 cycles and 2000 cycles, respectively.
  • TTB-51 liquid bath thermal shock tester
  • the sample was observed with a stereomicroscope (“SMZ-10”, manufactured by Nikon Corporation). It is observed whether or not each of the 20 samples of the encapsulant for optical semiconductor devices has cracks, or whether or not the encapsulant for optical semiconductor devices has peeled off from the package or electrode, and cracks or delamination occurred. The number of samples (NG number) was counted.
  • the luminous intensity when a current of 20 mA was passed through the light emitting element was measured using a photometric measuring device (“OL770”, manufactured by Optronic Laboratories) at a temperature of 23 ° C. (hereinafter, “ Called “Initial Luminance”).
  • the optical semiconductor device was placed in a chamber at 110 ° C. and a relative humidity of 85 RH% with a current of 20 mA flowing through the light emitting element, and left for 500 hours.
  • the light intensity when a current of 20 mA was passed through the light emitting element was measured using a light intensity measuring device (“OL770”, manufactured by Optronic Laboratories), and the rate of decrease in light intensity relative to the initial light intensity.
  • OL770 manufactured by Optronic Laboratories

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Abstract

　腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を提供する。　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。

Description

光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
　本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。
　発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
　光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。
　下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。
　下記の特許文献２には、光半導体装置用封止剤として、エポキシ樹脂と、特定のエポキシ変性オルガノポリシロキサンと、硬化剤と、体積平均粒径が１～１００ｎｍの無機酸化物粒子とを含むエポキシ樹脂組成物が開示されている。ここでは、上記無機酸化物粒子として、二酸化珪素粒子が挙げられている。
　また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。上記シリコーン樹脂は、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性及び耐光性に優れている。
　しかしながら、上記シリコーン樹脂を含む封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたつくため、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。
　一方で、下記の特許文献３に記載のように、架橋密度が高められたシリコーン樹脂を含む封止剤が知られている。
特開２００３－７３４５２号公報 特開２００９－２２７８４９号公報 特開２００２－３１４１４２号公報
　特許文献１に記載のような従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。
　また、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。
　特許文献２に記載のような従来の光半導体装置用封止剤では、二酸化珪素粒子などの無機酸化物粒子の分散性が低いことがある。このため、封止剤に蛍光体が添加された場合に、又は封止剤が蛍光体を含む場合に、蛍光体の比重が大きいことなどから、蛍光体が沈降することがある。このため、光半導体装置から取り出される光の明るさが低いことがある。
　また、蛍光体が沈降した光半導体装置用封止剤を用いて、光半導体装置を作製すると、得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色が異なることがある。また、蛍光体の沈降を防止するために封止剤の粘度を上げた従来の光半導体装置用封止剤では、粘度が高すぎて、ディスペンス性が低いという問題もある。
　また、特許文献３に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきをさらに一層抑制できる封止剤が強く求められている。また、特許文献３に記載の封止剤では、機械的強度及び接着性がかなり低いことがある。このため、熱サイクルを繰り返し受けると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。
　さらに、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置では、耐湿性が低いことがある。すなわち、従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合には、発光時の明るさが徐々に低下するという問題がある。
　本発明は、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。
　本発明の限定的な目的は、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつディスペンス性が良好であり、更に複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさが高く、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきが生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。
　本発明の更に限定的な目的は、表面のべたつきを抑制できる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の他の限定的な目的は、耐湿信頼性が高い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。
　本発明の広い局面によれば、下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、光半導体装置用封止剤が提供される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０～０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０～０．８０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０～０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ５７～６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１）
　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ１）
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ５１）
　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ５１）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方が含まれている。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂成分が、上記第１のシリコーン樹脂Ａであり、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、下記式（１Ａ－１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１における下記式（ａ１－１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　上記式（１Ａ－１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５～０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０～０．９５を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含む。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－１）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、かつ、下記式（１Ａ－２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含まないか又は含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２が含まれる場合に、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２における下記式（ａ１－２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５０重量％を超え、１００重量％以下である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　上記式（１Ａ－２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４～Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－２）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、かつ、上述した式（１Ａ－２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２における上述した式（ａ１－２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａが、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との双方を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下である。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第２のシリコーン樹脂成分は、上記第２のシリコーン樹脂Ａである。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記式（５１Ａ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含む。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、下記式（５１－ａ）で表される構造単位を含み、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、下記式（５１－ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　上記式（５１－ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、酸化珪素粒子がさらに含まれている。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されている。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種である。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに別の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下である。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤では、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤では、パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ－１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい
　本発明に係る光半導体装置用封止剤では、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度に対する比が１．２以上、２．５以下であることが好ましい。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、蛍光体がさらに含まれている。
　本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表され、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ又は第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ又は第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１，第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおけるアリール基の含有比率又はアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が特定の範囲内であるので、ガスバリア性に優れている。
　さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤により、発光ダイオード等の光半導体素子を封止した際に、硬化した封止剤にクラックが生じ難く、かつ硬化した封止剤はハウジング材等から剥離し難い。
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
　以下、本発明の詳細を説明する。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記の構成Ｘを備える。
　構成Ｘ：
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のシリコーン樹脂成分と、第２のシリコーン樹脂成分と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。
　上記第１のシリコーン樹脂成分は、式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。上記第１のシリコーン樹脂成分は、上記第１のシリコーン樹脂Ａのみであってもよく、上記第１のシリコーン樹脂Ｂのみであってもよく、上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂとの双方であってもよい。
　上記第２のシリコーン樹脂成分は、式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。上記第２のシリコーン樹脂成分は、上記第２のシリコーン樹脂Ａのみであってもよく、上記第２のシリコーン樹脂Ｂのみであってもよく、上記第２のシリコーン樹脂Ａと上記第２のシリコーン樹脂Ｂとの双方であってもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａにおける式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第２のシリコーン樹脂Ａにおける式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。上記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　上記構成Ｘの採用により、ガスバリア性に優れており、クラック及び剥離が生じ難い封止剤を得ることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の構成Ｙをさらに備えることが好ましい。
　構成Ｙ：
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂成分と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とに加えて、有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ（後述する第１のシリコーン樹脂Ａ－１，Ａ－２が含まれ得る）及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であり、さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａ及び上記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、上記第２のシリコーン樹脂Ａ及び上記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下であるか、又は、光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度η２のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η３に対する比（η２／η３）が１．２以上、２．５以下であることが好ましい。
　上記構成Ｙの採用により、封止剤において、蛍光体が添加されたときに、又は蛍光体が含まれる場合に、該蛍光体の沈降を抑制でき、かつ封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができる。さらに、封止剤を用いて複数の光半導体装置を作製したときに、得られた光半導体装置から取り出される光の明るさを高くすることができ、かつ得られた複数の光半導体装置から発せられる光の色のばらつきを生じ難くすることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の構成Ｚを備えることが好ましい。
　構成Ｚ：
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ－１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－１と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。すなわち、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のシリコーン樹脂Ａ－１を必須成分として含むことが好ましい。この場合に、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ－２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含まないか又は含み、該第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１及び上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２は、上記第１のシリコーン樹脂Ａに含まれる樹脂である。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第２のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Ｚの採用により、特に式（１Ａ－１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位が、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含むことによって、封止剤の表面のべたつきを充分に抑制できる。このことは、本願発明者らによって見出された。
　さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第２のシリコーン樹脂成分と上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含む上記構成Ｚの採用により、特に第１のシリコーン樹脂Ａ－１の使用により、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を高めることができる。このため、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が高温多湿の過酷な環境で使用された場合に、発光時の明るさが徐々に低下し難くなる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５０重量％を超え、１００重量％以下である場合には、光半導体装置用封止剤の耐湿信頼性を効果的に高めることができる。
　さらに、上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂと上記第２のシリコーン樹脂とヒドロシリル化反応用触媒とを含む組成の採用により、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上述した構成Ｘに加えて、下記の他の構成を備えることが好ましい。
　他の構成：
　ガスバリア性により一層優れており、クラック及び剥離がより一層生じ難い封止剤を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び上記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方を含むことが好ましい。
　また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とを含むことが好ましい。この場合には、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、封止剤にクラック及び剥離がより一層生じ難くなる。
　（第１のシリコーン樹脂）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のシリコーン樹脂成分は、下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、第２のシリコーン樹脂成分とは異なる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおいて、アルケニル基は珪素原子に直接結合していることが好ましく、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素－炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素－炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。下記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂは、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂはそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０～０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａは、下記式（１Ａ－１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含むことが好ましい。この場合に、上記第１のシリコーン樹脂成分が、上記第１のシリコーン樹脂Ａを含み、また上記第１のシリコーン樹脂Ａであることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　上記式（１Ａ－１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５～０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０～０．９５を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ａ－１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含む。上記式（１Ａ－１）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。なお、上記式（１Ａ－１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
　また、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、かつ下記式（１Ａ－２）で表され、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含まないか、又は含むことが好ましい。また、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含むことが好ましい。
　上記式（１Ａ－２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４～Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ－２）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）中のＲ１～Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ａ－１）中のＲ１～Ｒ５は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ｂ）中のＲ７～Ｒ１０は同一であってもよく、異なっていてもよい。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
　なお、一般に、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のシリコーン樹脂Ａ，Ｂを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び上記式（１Ｂ）における炭素数１～８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ－ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。上記式（１Ｂ）における炭素数１～８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。
　上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１）
　上記式（１Ａ－１）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ－１における下記式（ａ１－１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－１）
　上記式（１Ａ－２）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ－２における下記式（ａ１－２）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－２）
　上記式（ａ１）、上記式（ａ１－１）及び上記式（ａ１－２）により求められる上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２のアリール基の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。
　上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ１）
　上記式（ｂ１）により求められる上記第１のシリコーン樹脂Ｂのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。
　なお、上記式（１Ｂ）で表されるシリコーン樹脂がフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。
　第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂはそれぞれ、オルガノポリシロキサンであることが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は３０モル％以上であることが好ましい。ジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、更に複数の光半導体装置から取り出される光の明るさが高くなる。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは４０モル％以上、好ましくは６０モル％以下である。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合が上記上限以下であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、半導体装置から取り出される光の明るさがより高くなる。この効果は、第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１,Ａ－２を用いた場合と、第１のシリコーン樹脂Ｂを用いた場合とで、同様に発揮される。
　また、上記第１のシリコーン樹脂成分が上記第１のシリコーン樹脂Ａであり、上記第１のシリコーン樹脂Ａは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のシリコーン樹脂Ａの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であることが好ましい。
　上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式（１－ｂ１）で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式（１－ｂ１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、上記式（１－ｂ１）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、上記式（１－ｂ１）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（１－ｂ１）で表される構造単位と上記式（１－ｂ１）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度は５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。
　上記式（１Ａ－１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ－１）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１－ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１－ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１－ａ）で表される構造単位と下記式（１－ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。なお、下記式（１－ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　上記式（１－ａ）中、Ｒ１はアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれアルケニル基、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す。Ｒ２及びＲ３はそれぞれフェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表すことが好ましい。
　封止剤の表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式(１Ａ－１)中の全構造単位１００モル％中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位であって、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（１－ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは５モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下、更に好ましくは４０モル％以下である。
　ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ－１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ－１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、「フェニレン基」の用語には、炭素数１～８の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。なお、下記式（１ｂ－１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　上記式（１ｂ－１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（１ｂ－１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。
　上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ－２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ－２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（１ｂ－２）中のベンゼン環に結合しているＲａの結合部位は特に限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　上記式（１ｂ－２）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ－３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（１ｂ－３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　上記式（１ｂ－３）中、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１－２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２）　・・・式（１－２）
　（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１－２－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１－２－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　上記式（１－２）及び（１－２－ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（１－ｂ）、（１－２）及び（１－２－ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。
　上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－２，Ｂにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１－３）又は（１－４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２）　・・・式（１－３）
　（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２）　・・・式（１－４）
　（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１－ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１－３－ｃ）又は（１－４－ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　上記式（１－３）、（１－３－ｃ）、（１－４）及び（１－４－ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（１－ｃ）、（１－３）、（１－３－ｃ）、（１－４）及び（１－４－ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。
　上記式（１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂Ｂにおいて、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（１－５）で表される構造、すなわち、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１ＸＯ１／２）　・・・式（１－５）
　（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（１－ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１－５－ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）で表される構造単位に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　上記式（１－５）及び（１－５－ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（１－ｄ）、（１－５）及び（１－５－ｄ）中のＲ７～Ｒ１１は、上記式（１Ｂ）中のＲ７～Ｒ１１と同様の基である。
　上記式（１－ｂ）～（１－ｄ）、式（１－２）～（１－５）、並びに式（１－２－ｂ）、（１－３－ｃ）、（１－４－ｃ）、及び（１－５－ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基及びｔ－ブトキシ基が挙げられる。
　上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
　上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．４０、上限は１．０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たし、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位が存在することで、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．５０である。
　上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０、更に好ましい上限は０．３５である。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ａ－２）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
　上記式（１Ａ－２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合には、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２として、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式（１Ａ－２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合には、上記式（１Ａ－２）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基ではなく、Ｒ４及びＲ５の内の少なくとも１個がアルケニル基であることが好ましい。上記式（１Ａ－２）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０．０１以上であってもよい。
　上記式（１Ａ）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂Ａは、下記式（１Ａａ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　上記式（１Ａａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０～０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０～１．０を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　上記式（１Ａａ）中のａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ）の好ましい下限は、０．５５、より好ましい下限は０．６０である。
　上記式（１Ａ－２）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ－２）で表される第１のシリコーン樹脂Ａ－２は、下記式（１Ａ－２ａ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　上記式（１Ａ－２ａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０～０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０～１．０を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４～Ｒ５は少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。但し、この第１のシリコーン樹脂として、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当するシリコーン樹脂は除かれる。上記式（１Ａ－２ａ）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基ではなく、Ｒ４及びＲ５の内の少なくとも１個がアルケニル基であることが好ましい。
　上記式（１Ａ－２ａ）中のａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ）の好ましい下限は０．５５、より好ましい下限は０．６０である。
　上記式（１Ａ－１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物の表面のべたつきを抑制できる。ａ／（ａ＋ｂ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ－１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式（１Ａ－１）中、ａ／（ａ＋ｂ）の更に好ましい上限は０．３０である。
　上記式（１Ａ－１）中、ｂ／（ａ＋ｂ）の下限は０．５０、上限は０．９５である。ｂ／（ａ＋ｂ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。封止剤の表面のべたつきをより一層抑制するために、上記式（１Ａ－１）中、ｂ／（ａ＋ｂ）のより好ましい下限は０．７０である。
　上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．４０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
　上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．４０、上限は０．９９である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。
　上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
　上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。
　上記式（１Ｂ）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂは、下記式（１Ｂｂ）で表される第２のシリコーン樹脂であることが好ましい。これにより、封止剤のディスペンス性（塗布性）を良好にすることができ、さらに、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　上記式（１Ｂａ）中、ａ、ｂ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０～０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０．４０～０．９９、及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｄ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ－核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）ａで表される構造単位に相当するピークは＋１０～－５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）ｂ及び（１－２）の二官能構造単位に相当する各ピークは－１０～－５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の（Ｒ６ＳｉＯ３／２）ｃ、並びに（１－３）及び（１－４）の三官能構造単位に相当する各ピークは－５０～－８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）ｄ及び（１－５）に相当するピークは０～－５ｐｐｍ付近に現れる。
　従って、２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。
　但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ－ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ－ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａ－１）、上記式（１Ａ－２）及び式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量は、５重量％以上、１００重量％以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量は、５０重量％を超え、１００重量％以下であることが特に好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５０重量％を超えると、封止剤の耐湿信頼性がかなり高くなる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量は、９９．９重量％以下であってもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量は５重量部以上、１０００００重量部以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量は５重量部以上、１００重量部以下であることが特に好ましい。第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下であると、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１００重量部に対して、上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は８０重量部である。
　（第２のシリコーン樹脂）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のシリコーン樹脂成分は、下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種である。
　上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂにおいて、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。下記式（５１Ｂ）で表されるシリコーン樹脂は、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０～０．８０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０～０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ５７～６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
　上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中のＲ５１～Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（５１Ｂ）中のＲ５７～Ｒ６０は同一であってもよく、異なっていてもよい。
　上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
　上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）における炭素数１～８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ－ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基が挙げられる。
　上記式（５１Ｂ）における炭素数１～８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。
　上記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ５１）
　上記式（ａ５１）より求められる上記第２のシリコーン樹脂Ａのアリール基の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基の含有比率が７０モル％を超えると、封止剤の剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。封止剤の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。
　上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ５１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３０モル％以上、７０モル％以下である。
　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋上記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／上記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ５１）
　上記式（ｂ５１）より求められる上記第２のシリコーン樹脂Ｂのアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％未満であると、ガスバリア性が不十分になる。アリール基とフェニレン基との合計の含有比率が７０モル％を超えると、剥離が生じやすくなる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は３５モル％以上であることが好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、６５モル％以下であることが好ましい。
　なお、上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂがフェニレン基を有さない場合には、上記アリール基とフェニレン基との合計の含有比率は、アリール基の含有比率を示す。
　封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂは、下記式（５１－ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　上記式（５１－ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれフェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表すことが好ましい。
　封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位はそれぞれ、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３がフェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。
　すなわち、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、上記式（５１－ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、上記式（５１－ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（５１－ａ）で表される構造単位と上記式（５１－ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。
　上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂはそれぞれ、オルガノシロキサンであることが好ましい。封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１－ａ）で表される構造単位の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。
　上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の全構造単位１００モル％中、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（５１－ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。
　上記第２のシリコーン樹脂Ａ，ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度は５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂの粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、封止剤のディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。
　ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ－１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ－１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　上記式（５１ｂ－１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ５７～Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（５１ｂ－１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。
　上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ－２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ－２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（５１ｂ－２）中のベンゼン環に結合しているＲｂの結合部位は特に限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　上記式（５１ｂ－２）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ５７～Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ－３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（５１ｂ－３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　上記式（５１ｂ－３）中、Ｒ５７～Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
　上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１－２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２）　・・・式（５１－２）
　（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１－２－ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　上記式（５１－２）及び（５１－２－ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（５１－ｂ）、（５１－２）及び（５１－２－ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。
　上記式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１－３）又は（５１－４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２）　・・・式（５１－３）
　（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２）　・・・式（５１－４）
　（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１－ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１－３－ｃ）又は（５１－４－ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　上記式（５１－３）、（５１－３－ｃ）、（５１－４）及び（５１－４－ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（５１－ｃ）、（５１－３）、（５１－３－ｃ）、（５１－４）及び（５１－４－ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。
　上記式（５１Ｂ）で表される第２のシリコーン樹脂Ｂにおいて、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１－５）で表される構造、すなわち、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
　（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２ＸＲ６１Ｏ１／２）　・・・式（５１－５）
　（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１－ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１－５－ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０及びＲ６１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）で表される構造単位に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　上記式（５１－５）及び（５１－５－ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基を表す。上記式（５１－ｄ）、（５１－５）及び（５１－５－ｄ）中のＲ５７～Ｒ６１は、上記式（５１Ｂ）中のＲ５７～Ｒ６１と同様の基である。
　上記式（５１－ｂ）～（５１－ｄ）、式（５１－２）～（５１－５）、並びに式（５１－２－ｂ）、（５１－３－ｃ）、（５１－４－ｃ）、及び（５１－５－ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１～４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基及びｔ－ブトキシ基が挙げられる。
　上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ａ）中、中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。
　上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。
　上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。
　上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。
　上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。
　上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。
　上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。
　上記第２のシリコーン樹脂Ａ，Ｂについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ－核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）ｐで表される構造単位に相当するピークは＋１０～－５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）ｑ及び（５１－２）の二官能構造単位に相当する各ピークは－１０～－５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）ｒ、並びに（５１－３）及び（５１－４）の三官能構造単位に相当する各ピークは－５０～－８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）ｓ及び（５１－５）に相当するピークは０～－５ｐｐｍ付近に現れる。
　従って、２９Ｓｉ－ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。
　但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ－ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ－ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ－ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
　上記第１のシリコーン樹脂成分１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂成分の含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂成分の含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤を得ることができる。ガスバリア性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂成分１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂成分の含有量のより好ましい下限は３０重量部、更に好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３００重量部、更に好ましい上限は２００重量部である。
　上記「第１のシリコーン樹脂成分１００重量部」とは、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａを含みかつ上記第１のシリコーン樹脂Ｂを含まない場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」を示し、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａを含まずかつ上記第１のシリコーン樹脂Ｂを含む場合には、「第１のシリコーン樹脂Ｂ１００重量部」を示し、封止剤が上記第１のシリコーン樹脂Ａと上記第１のシリコーン樹脂Ｂとの双方を含む場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａと第１のシリコーン樹脂Ｂとの合計１００重量部」を示す。
　上記「第２のシリコーン樹脂成分１００重量部」とは、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａを含みかつ上記第２のシリコーン樹脂Ｂを含まない場合には、「第２のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」を示し、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａを含まずかつ上記第２のシリコーン樹脂Ｂを含む場合には、「第２のシリコーン樹脂Ｂ１００重量部」を示し、封止剤が上記第２のシリコーン樹脂Ａと上記第２のシリコーン樹脂Ｂとの双方を含む場合には、「第２のシリコーン樹脂Ａと第２のシリコーン樹脂Ｂとの合計１００重量部」を示す。
　上記「第１のシリコーン樹脂Ａ１００重量部」とは、上記第１のシリコーン樹脂Ａが上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含みかつ上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含まない場合には、「第１のシリコーン樹脂Ａ－１の１００重量部」を示し、上記第１のシリコーン樹脂Ａが上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との双方を含む場合には、「上記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と上記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量部」を示す。
　（第１，第２のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法）
　上記第１，第２のシリコーン樹脂のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は０．５モル％、より好ましい下限は１モル％、好ましい上限は１０モル％、より好ましい上限は５モル％である。アルコキシ基の含有量が上記好ましい範囲内であると、封止剤の密着性を高めることができる。
　アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、第１，第２のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。
　上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂成分はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第１，第２のシリコーン樹脂及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）の好ましい下限は５００、より好ましい下限は８００、更に好ましい下限は１０００、好ましい上限は５００００、より好ましい上限は１５０００である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。
　上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＧＰＣ　ＬＦ－８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。
　アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂にフェニル基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂に（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ２Ｒ１１Ｏ２／２）、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ２Ｒ６１Ｏ２／２）を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、１，４－ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ジエチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（エトキシエチルメチルシリル）ベンゼン、１，６－ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン、１，６－ビス（ジエチルメトキシシリル）ヘキサン及び１，６－ビス（エトキシエチルメチルシリル）ヘキサン等が挙げられる。
　上記第１のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
　上記第２のシリコーン樹脂に珪素原子に直接結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
　上記第１，第２のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。
　上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。
　上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。
　上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム－ｔ－ブトキシド、カリウム－ｔ－ブトキシド及びセシウム－ｔ－ブトキシドが挙げられる。
　上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。
　（ヒドロシリル化反応用触媒）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のシリコーン樹脂成分中のアルケニル基と、上記第２のシリコーン樹脂成分中の珪素原子に直接結合している水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
　上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。
　上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金－アルケニルシロキサン錯体、白金－オレフィン錯体及び白金－カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金－アルケニルシロキサン錯体又は白金－オレフィン錯体が好ましい。
　上記白金－アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金－オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６－ヘプタジエン等が挙げられる。
　上記白金－アルケニルシロキサン錯体及び白金－オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金－アルケニルシロキサン錯体又は白金－オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６－ヘプタジエンである。
　上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分とを含む封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子の重量単位で０．０１～１０００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が０．０１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易であり、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が１０００ｐｐｍ以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量のより好ましい下限は１ｐｐｍ、より好ましい上限は５００ｐｐｍである。
　（酸化珪素粒子）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子をさらに含むことが好ましい。上記酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。
　上記酸化珪素粒子の一次粒子径の好ましい下限は５ｎｍ、より好ましい下限は８ｎｍ、好ましい上限は２００ｎｍ、より好ましい上限は１５０ｎｍである。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい下限を満たすと、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記好ましい上限を満たすと、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。
　上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ－２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。
　上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積の好ましい下限は３０ｍ２／ｇ、好ましい上限は４００ｍ２／ｇである。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が４００ｍ２／ｇ以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。
　上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。
　上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ　５０（比表面積：５０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ　９０（比表面積：９０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ　１３０（比表面積：１３０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ　２００（比表面積：２００ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ　３００（比表面積：３００ｍ２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ　３８０（比表面積：３８０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
　上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
　上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
　酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。また、酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種であることが好ましい。
　有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。
　上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
　上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
　上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。
　上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液もしくは水溶液として添加される。
　上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のシリコーン樹脂成分等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は、０．５重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は３５重量部である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限を満たすと、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限を満たすと、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。
　ところで、発光素子から発せられる光が明るくても、発光素子から発せられる光が内部から外部に効率よく出なければ、十分な明るさを得ることはできない。十分な明るさを保つためには、より多くの電流を発光素子に流す必要がある。
　本発明者は、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分を使用することにより、封止剤の硬化物の屈折率が高くなり、発光素子から発せられる光を効率よく取り出すことができることを見出した。これにより、低電流でも、外部に出る光を十分に明るくすることができる。
　しかし、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分と、蛍光体とを含む封止剤は、硬化前に高温に晒されると封止剤の粘度が急激に低下して、蛍光体が沈降しやすい。このため、硬化の際に、封止剤が高温に晒されると、発光素子の周辺に蛍光体が偏在して、光が乱反射する。この結果、発光素子から発せられる光の一部が封止剤の硬化物中で失われ、光半導体装置から取り出される光量が少なくなるという問題がある。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤が、上記有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子を含む場合には、アリール基又はフェニレン基を有する上記第１，第２のシリコーン樹脂成分を含有するにもかかわらず、封止剤の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、封止剤が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、封止剤中の蛍光体の分散状態を均一に保つことができる。
　（蛍光体）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Ｘに加えて上記構成Ｙを更に備える場合には、封止剤が予め蛍光体を含んでいても、該蛍光体は沈降し難い。
　また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。本発明に係る光半導体装置用封止剤が上記構成Ｘに加えて上記構成Ｙを更に備える場合には、封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。
　例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等が挙げられる。
　上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）８Ｃｌ２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。
　上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等が挙げられる。
　上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ等が挙げられる。
　さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。
　上記蛍光体の体積平均粒径の好ましい下限は１μｍ、より好ましい下限は２μｍ、好ましい上限は３０μｍ、より好ましい上限は２５μｍである。
　所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤が蛍光体を含む場合には、光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。
　（カップリング剤）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。
　上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
　上記第１のシリコーン樹脂成分と上記第２のシリコーン樹脂成分との合計１００重量部に対して、カップリング剤の含有量の好ましい下限は０．１重量部、好ましい上限は５重量部である。カップリング剤の含有量が０．１重量部以上であると、カップリング剤の添加効果が充分に発揮される。カップリング剤の含有量が５重量部以下であると、余剰のカップリング剤が揮発し難くなり、封止剤を硬化させたときに、高温環境下で硬化物の厚みがより一層減少し難くなる。
　（他の成分）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
　なお、上記第１のシリコーン樹脂成分と、上記第２のシリコーン樹脂成分と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、上記第２のシリコーン樹脂成分を含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。このように上記第１のシリコーン樹脂成分及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第２のシリコーン樹脂成分とを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。上記酸化珪素粒子と上記蛍光体とはそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。
　（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
　本発明に係る光半導体装置用封止剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１は１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度η１がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度η２のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η３に対する比（η２／η３）は１．２以上、２．５以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度がこの範囲内である場合には、蛍光体の沈降をより一層抑制し、ディスペンス性をより一層高め、かつ光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。
　なお、第１，第２のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１，Ａ－２，Ｂ及び光半導体装置用封止剤における上記「粘度」は、Ｅ型粘度計（ＴＶ－２２型、東機産業社製）を用いて測定された値である。
　さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ－１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用封止剤の粘度が上記範囲内である場合には、蛍光体を添加した際に、蛍光体の沈降を抑制し、光半導体装置から取り出される光をより一層明るくすることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の上記２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１が１０００～１００００ｍＰａ・ｓの範囲内にある場合には、光半導体装置により形成された発光素子を効率よく封止できる。上記２５℃における５ｒｐｍでの粘度η１の好ましい下限は１２００ｍＰａ・ｓ、より好ましい下限は１５００ｍＰａ・ｓ、好ましい上限は８０００ｍＰａ・ｓ、より好ましい上限は６０００ｍＰａ・ｓである。
　上記剪断速度１ｓ－１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上であると、封止剤が加熱され、硬化する間に、蛍光体がほとんど沈降しない。このため、光半導体装置からより一層明るい光を取り出すことができる。上記剪断速度１ｓ－１での最低粘度のより好ましい下限は３００ｍＰａ・ｓ、更に好ましい下限は５００ｍＰａ・ｓである。
　上記剪断速度１ｓ－１での最低粘度は、パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ－２０００」、レオロジカ社製）を用いて測定された値を意味する。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度の好ましい下限は８０℃、より好ましい下限は１００℃、好ましい上限は１８０℃、より好ましい上限は１５０℃である。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。
　硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。
　本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のシリコーン樹脂成分、上記第２のシリコーン樹脂成分、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。
　上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
　上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
　本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。
　本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。
　（光半導体装置の実施形態）
　図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
　本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。
　内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。
　なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等は適宜変形され得る。
　以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
　（合成例１）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－２の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン６３ｇ、ジメチルジメトキシシラン９０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。
　得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１７００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．１９（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２４（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２６（ＶｉＳｉＯ３／２）０．３１　…式（Ａ１）
　上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ａ）のフェニル基の含有比率は３７モル％であった。
　なお、合成例１及び合成例２～１６で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＧＰＣ　ＬＦ－８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。
　（合成例２）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－２の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１２６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，６－ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン７９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。
　得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は４１００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。
　（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．３３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２７（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（Ｍｅ４ＳｉＨｅｘＯ２／２）０．１０　…式（Ｂ１）
　上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｈｅｘはヘキシレン基を示す。
　得られたポリマー（Ｂ）のフェニル基の含有比率は３３モル％であった。
　（合成例３）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－２の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，６－ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン７９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。
　得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３６００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。
　（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．１６（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（Ｍｅ４ＳｉＨｅｘＯ２／２）０．１０　…式（Ｃ１）
　上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｈｅｘはヘキシレン基を示す。
　得られたポリマー（Ｃ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４４モル％であった。得られたポリマー（Ｃ）のフェニル基の含有比率は４６モル％であった。
　（合成例４）第１のシリコーン樹脂Ｂの合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４－ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。
　得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。
　（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．１６（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（Ｍｅ４ＳｉＰｈｅＯ２／２）０．１０　…式（Ｄ１）
　上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。
　得られたポリマー（Ｄ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４４モル％であった。得られたポリマー（Ｄ）のフェニル基の含有比率は５２モル％であった。
　（合成例５）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１０８ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン２０８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０１ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｅ）を得た。
　得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０９（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２３（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２７（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４１　…式（Ｅ１）
　上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｅ）のフェニル基の含有比率は３３モル％であった。
　（合成例６）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン１６ｇ、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン３６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｆ）を得た。
　得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０５（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２３（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．０９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２６（ＰｈＳｉＯ３／２）０．２７（ＶｉＳｉＯ３／２）０．１０　…式（Ｆ１）
　上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｆ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１－ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は２３モル％であった。得られたポリマー（Ｆ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。
　（合成例７）第２のシリコーン樹脂Ａの合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１１０ｇ、フェニルトリメトキシシラン２６８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１１６ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｇ）を得た。
　得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０９（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．１６（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４６（ＶｉＳｉＯ３／２）０．１０　…式（Ｇ１）
　上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｇ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１－ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は１９モル％であった。得られたポリマー（Ｇ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。
　（合成例８）第２のシリコーン樹脂Ｂの合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、ビニルトリメトキシシラン４５ｇ、及び１，４－ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０５ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｈ）を得た。
　得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０９（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２６（ＰｈＳｉＯ３／２）０．２６（ＶｉＳｉＯ３／２）０．１０（Ｍｅ４ＳｉＰｈｅＯ２／２）０．１０　…式（Ｈ１）
　上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。
　得られたポリマー（Ｈ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１－ａ）で表される構造単位に相当する構造単位の割合は１９モル％であった。得られたポリマー（Ｈ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。
　（合成例９）［比較例用］第１のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン９４ｇ、ジメチルジメトキシシラン９９ｇ、ジフェニルジメトキシシラン９２ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｉ）を得た。
　得られたポリマー（Ｉ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１８００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．２９（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２７（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．１３（ＶｉＳｉＯ３／２）０．３１　…式（Ｉ１）
　上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｉ）のフェニル基の含有比率は２１モル％であった。
　（合成例１０）［比較例用］第２のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１８０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン７３ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４－ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｊ）を得た。
　得られたポリマー（Ｊ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。
　（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．４９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．１０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３１（Ｍｅ４ＳｉＰｈｅＯ２／２）０．１０　…式（Ｊ１）
　上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。
　得られたポリマー（Ｊ）のフェニル基の含有比率は２２モル％であった。
　（合成例１１）［比較例用］第２のシリコーン樹脂成分に類似したシリコーン樹脂の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３－ヘキサメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン５９ｇ、フェニルトリメトキシシラン４８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水９２ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｋ）を得た。
　得られたポリマー（Ｋ）の数平均分子量（Ｍｎ）は６００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｋ）は、下記の平均組成式（Ｋ１）を有していた。
　（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０９（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２４（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．３８（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．０８（ＰｈＳｉＯ３／２）０．１０（ＶｉＳｉＯ３／２）０．１０　…式（Ｋ１）
　上記式（Ｋ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｋ）のフェニル基の含有比率は２３モル％であった。
　（合成例１２）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－２の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１８ｇ、及びビニルメチルジメトキシシシラン１１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｌ）を得た。
　得られたポリマー（Ｌ）の数平均分子量（Ｍｎ）は５３００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｌ）は、下記の平均組成式（Ｌ１）を有していた。
　（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．４５（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０　…式（Ｌ１）
　上記式（Ｌ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｌ）の全シロキサン構造単位１００モル％中、上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は４５モル％であった。得られたポリマー（Ｌ）のフェニル基の含有比率は５２モル％であった。
　（合成例１３）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メチルフェニルジメトキシシラン３８３ｇ、及びビニルメチルジメトキシシシラン１１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｍ）を得た。
　得られたポリマー（Ｍ）の数平均分子量（Ｍｎ）は５３００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｍ）は、下記の平均組成式（Ｍ１）を有していた。
　（ＭｅＰｈＳｉＯ２／２）０．７（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０…式（Ｍ１）
　上記式（Ｍ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｍ）のフェニル基の含有比率は４５モル％であった。
　（合成例１４）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン９８ｇ、ジメチルジメトキシシラン１８０ｇ及びジフェニルジメトキシシラン１８３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水９５ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｎ）を得た。
　得られたポリマー（Ｎ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１２００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｎ）は、下記の平均組成式（Ｎ１）を有していた。
　（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２３（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．４８（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２９　…式（Ｎ１）
　上記式（Ｎ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｎ）のフェニル基の含有比率は３９モル％であった。
　（合成例１５）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン９８ｇ、ジメチルジメトキシシラン９０ｇ及びジフェニルジメトキシシラン３６７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水９５ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｏ）を得た。
　得られたポリマー（Ｏ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１３００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｏ）は、下記の平均組成式（Ｏ１）を有していた。
　（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２２（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．５５　…式（Ｏ１）
　上記式（Ｏ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｏ）のフェニル基の含有比率は５８モル％であった。
　（合成例１６）第１のシリコーン樹脂Ａ，Ａ－１の合成
　温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ビニルジメチルエトキシシラン５９ｇ、ジメチルジメトキシシラン１２６ｇ及びジフェニルジメトキシシラン３６７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１００ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｐ）を得た。
　得られたポリマー（Ｐ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２７００であった。２９Ｓｉ－ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｐ）は、下記の平均組成式（Ｐ１）を有していた。
　（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１２（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．３２（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．５６　…式（Ｐ１）
　上記式（Ｐ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。
　得られたポリマー（Ｐ）のフェニル基の含有比率は５９モル％であった。
　（実施例１）
　ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２）
　ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例３）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例４）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例５）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　Ｒ８２００、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１４０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）２ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例６）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例７）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例８）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例９）
　ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１０）
　ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１１）
　ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１２）
　ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１３）
　ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（Ｒ９７４、ジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１７０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）１．０ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（比較例１）
　ポリマーＩ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（比較例２）
　ポリマーＪ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（比較例３）
　ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＫ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１～１３及び比較例１～３の評価）
　（光半導体装置の作製）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記のガス腐食試験及び熱衝撃試験を実施した。
　（ガス腐食試験）
　得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
　銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。
　（熱衝撃試験）
　得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ－５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、－５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後－５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
　実体顕微鏡（「ＳＭＺ－１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
　（２５℃における粘度の測定）
　Ｅ型粘度計（ＴＶ－２２型、東機産業社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃における５ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。
　（昇温時の最低粘度の測定）
　パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ－２０００」、レオロジカ社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ－１での最低粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。昇温速度に関しては、２５℃から硬化温度までは２０℃／分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。
　（蛍光体入り封止剤の作製）
　得られた各光半導体装置用封止剤１０重量部に、蛍光体粉末（体積平均粒径１７μｍ、比重４．７、「ＥＹ４２５４」、インタマティックス社製）０．８重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤（以下、蛍光体入り封止剤と称することがある）を得た。
　（蛍光体の沈降性）
　得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、１５０℃で２時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。
　（明るさの評価）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を５０個作製した。
　５０個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ２３℃で６０ｍＡの電流を流して、光測定装置（ＯＬ７７０、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて光度を測定し、５０個の平均値が５．３ｃｄ以上を「○」、５．３ｃｄ未満を「×」とした。
　結果を下記の表１，２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000041
　（実施例１４）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１５）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　Ｒ８２００、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１４０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）１．５ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１６）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１７）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１８）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．８ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例１９）
　ポリマーＬ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２０）
　ポリマーＭ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２１）
　ポリマーＭ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例６，１０，１４～２１の評価）
　（光半導体装置の作製）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。
　（ガス腐食試験）
　得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
　銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。
　（熱衝撃試験）
　得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ－５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、－５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後－５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
　実体顕微鏡（「ＳＭＺ－１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
　（蛍光体入り封止剤の作製）
　実施例及び比較例で得られた各光半導体装置用封止剤１０重量部に、蛍光体粉末（体積平均粒径１７μｍ、比重４．７、「ＥＹ４４５３」、インタマティックス社製）０．８重量部入れて、攪拌し、脱泡し、光半導体装置用封止剤（以下、蛍光体入り封止剤と称することがある）を得た。
　（２５℃における粘度の測定）
　Ｅ型粘度計（ＴＶ－２２型、東機産業社製）を用いて、光半導体装置用封止剤に用いた第１，第２のオルガノシロキサンの２５℃における５ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。また、Ｅ型粘度計（ＴＶ－２２型、東機産業社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃における５ｒｐｍ、１ｒｐｍ及び１０ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）、並びに蛍光体入り封止剤の２５℃における５ｒｐｍ、１ｒｐｍ及び１０ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。
　（昇温時の最低粘度の測定）
　パラレルプレート型レオメーター（「ＤＡＲ－２０００」、レオロジカ社製）を用いて、得られた光半導体装置用封止剤の２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ－１での最低粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。昇温速度に関しては、２５℃から硬化温度までは２０℃／分で温度上昇させ、その後硬化温度で著しい粘度上昇が起こるまで測定を続けた。また、蛍光体入り封止剤についても同様の評価を実施した。
　（ディスペンス性）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、ディスペンサー装置（「ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ―３００」武蔵エンジニアリング社製）を用いて得られた蛍光体入り封止剤を充填した。実体顕微鏡（「ＳＭＺ－１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察し、封止剤の充填量にバラツキがない場合を「○」、バラツキがある場合を「×」と判定した。
　（蛍光体の沈降性）未硬化状態での蛍光体安定性
　得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、２３℃で２４時間放置した。その後、未硬化状態の封止剤中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。
　（蛍光体の沈降性）硬化時の蛍光体の安定性
　得られた蛍光体入り封止剤を透明なガラス容器に入れて、１００℃で３時間、次に１３０℃で３時間加熱して、封止剤を硬化させた。その後、硬化物中の蛍光体の状態を目視で観察した。蛍光体の沈降がない場合を「○」、蛍光体の沈降がある場合を「△」、蛍光体の沈降が著しい場合を「×」と評価した。
　（明るさの評価）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とを金ワイヤーで電気的に接続されている光半導体素子に、得られた蛍光体入り封止剤を注入し、１００℃で３時間、次に１３０℃で３時間加熱して硬化させ、光半導体装置を５０個作製した。
　５０個の光半導体装置における発光素子にそれぞれ２３℃で６０ｍＡの電流を流して、光測定装置（ＯＬ７７０、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて光度を測定し、５０個の平均値が５．３ｃｄ以上を「○」、５．３ｃｄ未満を「×」とした。
　結果を下記の表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000042
　（実施例２２）
　ポリマーＡ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２３）
　ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２４）
　ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２５）
　ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２６）
　ポリマーＬ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ　ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２７）
　ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（比較例４）
　ポリマーＩ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（比較例５）
　ポリマーＡ（９ｇ）、ポリマーＮ（１ｇ）ポリマーＫ（１０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２８）
　ポリマーＮ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２９）
　ポリマーＮ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例３０）
　ポリマーＯ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化珪素微粒子（Ａｅｒｏｓｉｌ　２００、比表面積：２００ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）１ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例３１）
　ポリマーＯ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）、白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）及び酸化珪素微粒子（Ａｅｒｏｓｉｌ　２００、比表面積：２００ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）１ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例３２）
　ポリマーＰ（１０ｇ）、ポリマーＦ（２０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例３３）
　ポリマーＰ（１０ｇ）、ポリマーＧ（２０ｇ）及び白金の１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤中での白金金属の含有量が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
　（実施例２２～３３及び比較例４，５の評価）
　（光半導体装置の作製）
　銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の評価項目について評価を実施した。
　（ガス腐食試験）
　得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。
　銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。
　（熱衝撃試験）
　得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ－５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、－５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後－５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル、１５００サイクル及び２０００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
　実体顕微鏡（「ＳＭＺ－１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
　（光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）の評価）
　得られた光半導体装置を、２３℃及び５０ＲＨ％の雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）を、硬化物に指を接触させて確認した。指を接触させた場合に粘着性（べたつき）をほとんど感じない場合には、粘着性なしとして「○」と評価し、指の表面が粘着性（べたつき）を感じた場合には、粘着性ありとして「×」と評価した。
　（耐湿信頼性試験）
　得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した（以下、「初期光度」と称する）。
　次いで、発光素子に２０ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を１１０℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、５００時間放置した。１０００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が５％未満の場合を「○○」、５％以上、１０％未満の場合を「○」、１０％以上、２０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」と判定した。
　結果を下記の表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000043
　　１…光半導体装置
　　２…ハウジング
　　２ａ…内面
　　３…光半導体素子
　　４…光半導体装置用封止剤

Claims (19)

  1. 　下記式（１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（１Ｂ）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第１のシリコーン樹脂成分と、
    　下記式（５１Ａ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ａ、及び、下記式（５１Ｂ）で表され、かつアリール基と珪素原子に直接結合している水素原子とを有する第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも１種の第２のシリコーン樹脂成分と、
    　ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、前記第１のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、
    　前記第２のシリコーン樹脂Ａにおける下記式（ａ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、前記第２のシリコーン樹脂Ｂにおける下記式（ｂ１）より求められるアリール基とフェニレン基との合計の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、光半導体装置用封止剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     　前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０～０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０～０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ７～Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     　前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５～０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０～０．８０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     　前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５～０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０～０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１～０．４０を満たし、Ｒ５１～Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１～Ｒ５６は炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ５７～６０はそれぞれ、炭素数１～８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１～８の２価の炭化水素基を表す。
    　アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１）
    　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（前記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋前記第１のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／前記第１のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ１）
    　アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第２のシリコーン樹脂Ａの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第２のシリコーン樹脂Ａの数平均分子量）×１００　・・・式（ａ５１）
    　アリール基とフェニレン基との合計の含有比率（モル％）＝｛（前記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量＋前記第２のシリコーン樹脂Ｂの１分子あたりに含まれるフェニレン基の平均個数×フェニレン基の分子量）／前記第２のシリコーン樹脂Ｂの数平均分子量｝×１００　・・・式（ｂ５１）
  2. 　前記第１のシリコーン樹脂Ｂ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂの内の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
  3. 　前記第１のシリコーン樹脂成分が、前記第１のシリコーン樹脂Ａであり、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａが、下記式（１Ａ－１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１における下記式（ａ１－１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     　前記式（１Ａ－１）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０．０５～０．５０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．５０～０．９５を満たし、Ｒ１～Ｒ５は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ５は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。但し、前記式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がアルケニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がアルケニル基、アリール基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含む。
    　アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－１）
  4. 　前記第１のシリコーン樹脂Ａが、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、かつ、下記式（１Ａ－２）で表され、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含まないか又は含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２が含まれる場合に、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２における下記式（ａ１－２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との合計１００重量％中、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５０重量％を超え、１００重量％以下である、請求項３に記載の光半導体装置用封止剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     　前記式（１Ａ－２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４～Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
    　アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－２）
  5. 　前記第１のシリコーン樹脂Ａが、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１を含み、かつ、下記式（１Ａ－２）で表され、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１に相当せず、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂Ａ－２を含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２における下記式（ａ１－２）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、請求項３又は４に記載の光半導体装置用封止剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     　前記式（１Ａ－２）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０～１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０～０．５０を満たし、Ｒ１～Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基に相当するフェニル基を表し、Ｒ４～Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１～Ｒ６は、炭素数１～８の炭化水素基を表す。
    　アリール基の含有比率（モル％）＝（前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の数平均分子量）×１００　・・・式（ａ１－２）
  6. 　前記第１のシリコーン樹脂Ａが、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１と前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２との双方を含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ－２の１００重量部に対して、前記第１のシリコーン樹脂Ａ－１の含有量が５重量部以上、１００重量部以下である、請求項４又は５に記載の光半導体装置用封止剤
  7. 　前記第２のシリコーン樹脂成分が、前記第２のシリコーン樹脂Ａである、請求項１～６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  8. 　前記式（５１Ａ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す構造単位を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  9. 　前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、
    　前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である、請求項１～８のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  10. 　前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂはそれぞれ、下記式（５１－ａ）で表される構造単位を含み、
    　前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂Ｂの全シロキサン構造単位１００モル％中、下記式（５１－ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である、請求項１～９のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
     　前記式（５１－ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１～８の炭化水素基を表す。
  11. 　酸化珪素粒子をさらに含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  12. 　前記酸化珪素粒子が、有機珪素化合物により表面処理されている、請求項１１に記載の光半導体装置用封止剤。
  13. 　前記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１２に記載の光半導体装置用封止剤。
  14. 　前記第１のシリコーン樹脂Ａ及び前記第１のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、２００００ｍＰａ・ｓ以下であり、
    　前記第２のシリコーン樹脂Ａ及び前記第２のシリコーン樹脂ＢのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの各粘度が５００ｍＰａ・ｓ以上、５０００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  15. 　Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における５ｒｐｍでの粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上、１００００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  16. 　パラレルプレート型レオメーターを用いて２５℃から昇温速度２０℃／分で加熱したときに、２５℃から硬化温度までの温度領域における剪断速度１ｓ－１での最低粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  17. 　Ｅ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度に対する比が１．２以上、２．５以下である、請求項１～１６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  18. 　蛍光体をさらに含む、請求項１～１７のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
  19. 　光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項１～１８のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。
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